TWI788596B

TWI788596B - 聚醯亞胺薄膜及包含其之軟性銅箔積層板

Info

Publication number: TWI788596B
Application number: TW108136695A
Authority: TW
Inventors: 繁田朗; 吉田猛; 山田祐己; 竹内耕; 杉本洋輔; 越後良彰
Original assignee: 日商尤尼吉可股份有限公司
Priority date: 2018-10-12
Filing date: 2019-10-09
Publication date: 2023-01-01
Also published as: JP7095880B2; JP2020076072A; TW202027985A

Abstract

本發明之課題在於提供一種介電特性優異且耐溶劑性優異之聚醯亞胺薄膜、積層聚醯亞胺薄膜、軟性銅箔積層板。

<1>該溶劑不溶性聚醯亞胺薄膜相對於總二胺成分，使用了超過15莫耳%且未滿50莫耳%之二聚二胺。

<2>該積層薄膜包含上述溶劑不溶性聚醯亞胺薄膜及非熱塑性聚醯亞胺薄膜。

<3>該軟性銅箔積層板包含上述積層聚醯亞胺薄膜及銅箔。

Description

聚醯亞胺薄膜及包含其之軟性銅箔積層板

本發明係關於一種介電特性(電容率及損耗正切)、耐熱性、尺寸穩定性、電氣特性等優異之用於高頻基板等之聚醯亞胺(PI)薄膜者。高頻基板用於高頻段用之印刷電路或天線基板等。

用於高頻段用之印刷電路或天線基板等之高頻基板用之軟性銅箔積層板(FCCL)，對提昇形成於銅箔上之絕緣層之介電特性(電容率及損耗正切)有效。作為此種高頻基板用FCCL，專利文獻1中揭示有使用1~15莫耳%二聚二胺(以下有時簡稱為「DDA」)作為二胺成分之共聚合PI薄膜形成於銅箔上之FCCL。然而，此處揭示之共聚合PI薄膜於用作高頻基板用FCCL之絕緣層時，存在不易確保良好的介電特性之問題。

另一方面，專利文獻2~7中揭示有使用較多量之DDA作為二胺成分之共聚合PI薄膜。然而，此處揭示之共聚合PI薄膜雖然介電特性優異，但為可溶於溶劑之PI，故於用作高頻基板用FCCL之絕緣層時存在耐溶劑性不足之問題。又，於使用較大量之DDA之共聚合PI薄膜中，存在線膨脹係數(CTE)增加之情況，於用作高頻基板用FCCL之絕緣層時，存在不易確保良好的尺寸穩定性之問題。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第6422437號公報

[專利文獻2]日本專利特開2018-140544號公報

[專利文獻3]日本專利特表2015-526561號公報

[專利文獻4]日本專利特開2018-168369號公報

[專利文獻5]日本專利特開2018-168370號公報

[專利文獻6]日本專利特開2018-168371號公報

[專利文獻7]日本專利特開2018-170417號公報

本發明係解決上述課題者，目的在於提供一種介電特性良好且耐溶劑性、尺寸穩定性優異之可用於高頻基板用FCCL之PI薄膜。

為解決上述課題而進行銳意研究之結果發現，藉由製成使用DDA作為二胺成分之特定之PI薄膜，而可解決上述課題，以致完成本發明。

本發明將以下內容作為主旨。

<1>一種溶劑不溶性PI薄膜，其相對於總二胺成分，使用了超過15莫耳%且未滿50莫耳%之二聚二胺。

<2>一種積層薄膜，其包含上述溶劑不溶性PI薄膜及非熱塑性PI薄膜。

<3>一種FCCL，其包含上述積層PI薄膜及銅箔。

本發明之PI薄膜係介電特性、耐溶劑性優異。因此，可較佳地用作構成用於印刷電路或天線基板等之高頻基板用FCCL之絕緣層之PI薄膜。

以下，詳細地說明本發明。

本發明之PI薄膜(以下有時簡稱為「PI-1層」)需要包含相對於總二胺成分，使用了超過15莫耳%且未滿50莫耳%之DDA之PI，較佳為設為16莫耳%以上、40莫耳%以下。

並且，該PI-1層需為溶劑不溶性。此處，溶劑不溶性係指20℃下對N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)之溶解度未滿5質量%。該PI可為熱塑性，亦可為非熱塑性。

PI-1層可藉由將相對於總二胺成分使用了超過15莫耳%且未滿50莫耳%之DDA之聚醯胺酸(PAA-1)溶液塗佈於基材上並進行乾燥、熱硬化(醯亞胺化)而獲得。此處，DDA係自碳數24~48之二聚酸衍生之脂肪族二胺，可使用「Priamine 1074、Priamine 1075」(Croda Japan公司製造之商品名)、「Versamine 551、Versamine 552」(Cognis Japan公司製造之商品名)等市售品。

PAA-1溶液例如可於含氮極性溶劑中，以大致等莫耳之四羧酸二酐與二胺(包含超過15莫耳%且未滿50莫耳%之DDA及超過50莫耳%且未滿85莫耳%之「其他二胺」之混合物)成為大致等莫耳之方式調配，並於10~70℃下使其聚合反應，而作為光學方面均勻之溶液獲得。

作為含氮極性溶劑，較佳為醯胺系溶劑、脲系溶劑。作為醯胺系溶劑，例如可列舉：N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)。作為脲系溶劑，例如可列舉：四甲基脲、二甲基伸乙脲。含氮極性溶劑可單獨使用該等，亦可組合使用2種以上。該等之中，較佳為DMAc及NMP。

作為四羧酸二酐之具體例，可列舉：均苯四甲酸二酐(PMDA)、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)、4,4'-氧雙鄰苯二甲酸二酐(ODPA)、3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸二酐、4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸二酐(6FDA)、2,2-雙〔4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基〕丙二酐(BPADA)等四羧酸二酐。該等可單獨使用，亦可組合使用2種以上。為了製成溶劑不溶性之PI，該等之中，較佳為BPDA、PMDA、6FDA。

作為上述「其他二胺」之具體例，可列舉：對伸苯基二胺(PDA)、4,4'-二胺基二苯醚(ODA)、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)、間伸苯基二胺、2,4-二胺基甲苯、4,4'-二胺基聯苯、4,4'-二胺基-2,2'-雙(三氟甲基)聯苯(PFMB)、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯(DMDB)、3,3'-二胺基二苯碸、4,4,-二胺基二苯碸、4,4'-二胺基二苯硫、4,4'-二胺基二苯甲烷、3,4'-二胺基二苯醚、3,3'-二胺基二苯醚、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷等二胺。該等可單獨使用，亦可組合使用2種以上。為了製成溶劑不溶性之PI，該等之中，較佳為PDA、DMDB、ODA。

為了進一步提昇PI-1層之尺寸穩定性，可於PAA-1溶液中調配填料。

作為填料，例如可列舉：滑石、煅燒黏土、未煅燒黏土、雲母、玻璃、氧化鈦、鋁、軟水鋁石、氧化矽、碳酸鈣、碳酸鎂、鋁碳酸鎂等碳酸鹽；氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣、硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣、硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉、氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳、鈦酸鍶、鈦酸鋇等。該等填料可單獨使用，亦可組合使用2種以上。該等之中，較佳為介電特性優異之氧化矽。

填料之平均粒徑較佳為0.05μm以上且5.0μm以下，更佳為0.1μm以上且2.0μm以下。填料之平均粒徑例如可藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置，以體積基準測定粒子之粒度分佈，並將其中值粒徑(D50)作為平均粒徑。

相對於調配填料之PI-1質量，PI-1層中包含之填料之含量較佳為30質量%以上、85質量%以下，更佳為40質量%以上、70.0質量%以下。

PI-1層例如可利用以下方法獲得。

即，可藉由首先於基材上塗佈PAA-1溶液，於100~200℃下乾燥後，將形成之PAA-1被膜於200℃以上之溫度下進行熱硬化(熱醯亞胺化)而獲得。PI-1層之厚度無限制，但較佳為設為1μm以上、150μm以下。

作為PI-1層之介電特性，較佳為將10GHz下之電容率(Dk)設為3.2以下，更佳為設為3.1以下。並且，較佳為將10GHz下之損耗正切(Df)設為0.004以下，更佳為設為0.003以下。藉此設置，而可確保作為積層薄膜時之良好的介電特性。

包含PI-1層之積層PI薄膜例如為非熱塑性，可藉由將尺寸穩定性優異之PI薄膜(以下有時簡稱為「PI-2層」)與PI-1層積層一體化而獲得。

就確保積層薄膜之剛性之觀點而言，PI-2層之拉伸彈性模數較佳為設為3GPa以上，更佳為設為5GPa以上。此處，拉伸彈性模數使用基於JIS K7161之於拉伸模式下測定彈性模數之值。又，就確保積層薄膜之尺寸穩定性之觀點而言，PI-2層之CTE較佳為設為20ppm/K以下，更佳為設為10ppm/K以下。

用以形成PI-2層之聚醯胺酸(PAA-2)溶液例如可於含氮極性溶劑中以四羧酸二酐與二胺成為大致等莫耳之方式調配，並於10~70℃下使其聚合反應，作為光學方面均勻之溶液而獲得。

此處，作為含氮極性溶劑，可使用上述之含氮極性溶劑，較佳為DMAc及NMP。

作為四羧酸二酐，可使用上述之四羧酸二酐，較佳為BPDA、PMDA、6FDA。

作為二胺，可使用上述之「其他二胺」，較佳為PDA、DMDB、BAPP、ODA、PFMB。此處使用之二胺為不含DDA之二胺，但只要相對於總二胺成分為5莫耳%以下左右，則可將其組合使用。就確保PI-2層之高剛性、低CTE之觀點而言，以此方式設置較佳。

再者，為了將PI-2層之PI設為非熱塑性，只要適當選擇上述之四羧酸二酐與二胺之組合即可。此處，非熱塑性PI係指於350℃以下之溫度下即便加熱亦不熔融或軟化之PI。又，非熱塑性PI通常為溶劑不溶性，即表現出良好之耐溶劑性。

積層PI薄膜例如可利用以下方法獲得。

即，首先於基材上塗佈PAA-2溶液並於100~200℃下乾燥後，於形成之PAA-2被膜上塗佈PAA-1溶液，並於100~200℃下乾燥，形成PAA-1被膜，之後，使兩被膜一起於200℃以上之溫度下熱硬化(熱醯亞胺化)。

藉此，可於形成於基材上之PI-2層之表面上形成PI-1層，製成PI-2層與PI-1層之密接性優異之積層薄膜。可於PI-1層上進而形成PI-2層。又，可使塗佈順序相反，於PI-1層之表面形成PI-2層，亦可進而於PI-2層上形成PI-1層。

此處使用之基材並無限制，可使用玻璃板、銅箔等公知之基材。於使用銅箔作為基材之情形時，可製成形成有包含PI-1層與PI-2層之積層PI薄膜層(絕緣層)之FCCL之單面板。又，亦可製成絕緣層之兩表面配置有銅箔之兩面板之FCCL。於該情形時，只要使用PI等接著劑使單面板彼此熱壓接合即可。作為該接著劑，較佳為使用低電容率之熱塑性PI。銅箔之厚度並無限制，較佳為5μm以上且20μm以下者，銅箔可實施化學性或物理性表面處理。作為化學性表面處理，可列舉：鍍鎳、鍍銅-鋅合金等鍍覆處理、利用鋁醇化物、鋁螯合物、矽烷偶合劑等表面處理劑所進行之處理等，其中，較佳為利用矽烷偶合劑所進行之表面處理。作為矽烷偶合劑，較佳地使用具有胺基之矽烷偶合劑。另一方面，作為物理性表面處理，可列舉粗面化處理等。

作為PI-2層，亦可使用「Kapton」(東麗杜邦公司製造之商品名)、「Upilex」(Ube Industries公司製造之商品名)等市售之PI薄膜。

該等PI薄膜係包含非熱塑性PI者。

於使用該等PI薄膜作為PI-2層之情形時，只要於PI薄膜上塗佈PAA-1溶液，乾燥後，進行熱硬化，於PI-2層上形成PI-1層即可。

該等PI薄膜為了提昇與PI-1層之接著性，可實施化學性或物理性表面處理。作為化學性表面處理，可列舉利用矽烷偶合劑、鋁醇化物等所進行之表面處理。另一方面，作為物理性表面處理，可列舉粗面化處理、電漿處理等。

包含PI-1層與PI-2層之積層薄膜之合計厚度並無限制，但較佳可設為5μm以上且200μm以下。

又，PI-1層與PI-2層之厚度比率並無限制，但較佳可將PI-1層之厚度設為積層薄膜整體之10~80%，更佳設為30~70%。

作為本發明之積層薄膜之介電特性，較佳可將10GHz下之電容率(Dk)設為3.3以下，更佳設為3.2以下。並且較佳將10GHz下之損耗正切(Df)設為0.005以下，更佳設為0.004以下。藉此，可確保將積層薄膜作為高頻基板用FCCL之絕緣層時之良好的介電特性。

又，本發明之積層薄膜之CTE較佳設為40ppm/K以下，更佳設為30ppm/K以下。

藉此，可確保將積層薄膜作為高頻基板用FCCL之絕緣層時之良好的尺寸穩定性。

[實施例]

以下基於實施例具體地說明本發明，但本發明並不僅限於該等實施例。再者，於以下實施例及比較例中，特性值之測定方法如下。

<介電特性>

將充分乾燥之薄膜作為試樣，單面製作圓盤共振器，使用網路分析儀(安捷倫科技公司製造)，以10GHz測定電容率(Dk)、損耗正切(Df)。測定對相同之試樣進行3次，將其平均值作為測定值。

<CTE>

將充分乾燥之薄膜作為試樣，使用熱機械特性分析裝置(TMA，TA Instrument公司製造TMA2940)，以5℃/min之定速升溫、30mN之拉伸模式測定於氮氣中使其自20℃升溫且在100℃~250℃之間之尺寸變化量，並藉此算出。

<實施例1>

於氮氣環境下向玻璃製之反應容器添加作為二胺成分之PDA：0.42莫耳、DDA(Croda Japan股份有限公司製造「Priamine 1075」，分子量：549)：0.18莫耳、作為四羧酸二酐成分之BPDA：0.6莫耳、作為溶劑之NMP，並於60℃攪拌下使其反應3小時，藉此，獲得固形份濃度為18質量%之均勻之PAA-1溶液。

於玻璃板上以硬化後之PI-1層之厚度成為20μm之方式塗佈PAA-1溶液，之後，於氮氣環境下於130℃下乾燥20分鐘，藉此，於銅箔上形成PAA-1之被膜。

將以此方式獲得之被膜於氮氣環境下慢慢升溫後，並於350℃下處理60分鐘，進行熱硬化，藉此將PAA-1被膜轉換為PI薄膜。之後，藉由將PI薄膜自玻璃板剝離而獲得PI薄膜(A-1)。

依照上述之方法測定所獲得之PI薄膜之諸特性，將其結果示於表1。再者，將所獲得之PI薄膜為溶劑不溶性之情形表記為「○」，將可溶性之情形表記為「×」。

<實施例2>

將PAA-1溶液中之二胺組成設為PDA：0.45莫耳、DDA：0.15莫耳，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(A-2)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

<實施例3>

將PAA-1溶液中之二胺組成設為PDA：0.36莫耳、DDA：0.24莫耳，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(A-3)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

<實施例4>

將PAA-1溶液中之二胺組成設為PDA：0.50莫耳、DDA：0.10莫耳，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(A-4)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

<實施例5>

將PAA-1溶液中之四羧酸二酐組成設為BPDA：0.48莫耳、PMDA：0.12莫耳，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(A-5)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

<實施例6>

將PAA-1溶液中之二胺組成設為PDA：0.45莫耳、DDA：0.15莫耳，將四羧酸二酐組成設為BPDA：0.48莫耳、6FDA：0.12莫耳，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(A-6)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

<實施例7>

將PAA-1溶液中之二胺組成設為PDA：0.48莫耳、DDA：0.12莫耳，將四羧酸二酐組成設為BPDA：0.48莫耳、PMDA：0.12莫耳，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(A-7)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

<實施例8(參考例)>

將PAA-1溶液中之二胺組成設為DMDB：0.42莫耳、DDA：0.18莫耳，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(A-8)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

<比較例1>

將PAA-1溶液中之二胺設為PDA：0.60莫耳，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(B-1)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

<比較例2>

將PAA-1溶液中之二胺組成設為PDA：0.54莫耳、DDA：0.06莫耳，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(B-2)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

<比較例3>

將PAA-1溶液中之二胺組成設為DMDB：0.54莫耳、DDA：0.06莫耳，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(B-3)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

<比較例4>

將PAA-1溶液中之二胺組成設為ODA：0.3莫耳、DDA：0.3莫耳，將四羧酸二酐設為BPADA，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(B-4)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

<比較例5>

將PAA-1溶液中之二胺組成設為ODA：0.3莫耳、DDA：0.3莫耳，將四羧酸二酐設為ODPA，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得PI薄膜(B-5)。將所獲得之PI薄膜之諸特性示於表1。

如表1所示，可知實施例中所獲得之利用本發明所得之PI薄膜A-1~A-8確保良好的介電特性且為溶劑不溶性。與此相對，可知比較例1~3中所獲得之PI薄膜為溶劑不溶性，但介電特性不良。又，可知比較例4、5中所獲得之PI薄膜雖然介電特性良好，但為溶劑可溶性，耐溶劑性不足。

<實施例9>

於氮氣環境下向玻璃製之反應容器添加作為二胺成分之PDA：0.48莫耳、ODA：0.12莫耳、作為四羧酸二酐成分之BPDA：0.6莫耳、作為溶劑之NMP，並於攪拌下於60℃下使其反應3小時，藉此，獲得固形份濃度為18質量%之均勻的PPA-2溶液。

於厚度18μm之銅箔上以硬化後之PI-2層之厚度成為5μm之方式塗佈PAA-2溶液，之後，於氮氣環境下130℃下乾燥20分鐘，藉此，於銅箔上形成PAA-2之被膜。其次，於該PAA-2被膜上以硬化後之PI-1層之厚度成為15μm之方式塗佈實施例1中獲得之 PAA-1溶液，之後，於氮氣環境下130℃下乾燥20分鐘，藉此，於PAA-2被膜上形成PAA-1被膜。進而，於該PAA-1被膜上以硬化後之PI-2層之厚度成為5μm之方式塗佈PAA-2溶液，之後，於氮氣環境下130℃下乾燥20分鐘，藉此，於PAA-1被膜上形成PAA-2被膜。

使以此方式獲得之3層之積層被膜於氮氣環境下慢慢升溫之後，於350℃下處理60分鐘進行熱硬化，藉此，將PAA-1及PAA-2轉換為PI，獲得於銅箔上依序形成PI-2層、PI-1層、PI-2層之積層體。藉由自該積層體蝕刻去除銅箔，藉此，獲得包含3層PI之積層薄膜(L-1)。將所獲得之積層PI薄膜之諸特性示於表1。

另一方面，將PAA-2溶液以硬化後之PI-2層之厚度成為10μm之方式塗佈於玻璃板，於與上述之條件相同條件下進行乾燥、熱硬化，藉此獲得PI-2被膜，將該PI-2被膜自玻璃板剝離，獲得PI-2薄膜。該薄膜為非熱塑性，其CTE為16.5ppm/K。

<實施例10>

於氮氣環境下向玻璃製之反應容器添加作為二胺成分之DMDB：0.6莫耳、作為四羧酸二酐成分之BPDA：0.6莫耳、作為溶劑之NMP，並於60℃攪拌下使其反應3小時，藉此獲得固形份濃度為18質量%之均勻的PAA-2溶液。

於厚度18μm之銅箔上以硬化後之PI-2層之厚度成為4μm之方式塗佈PAA-2溶液，之後，於130℃氮氣環境下乾燥20分鐘，藉此，於銅箔上形成PAA-2之被膜。其次，於該PAA-2被膜上以硬化後之PI-1層之厚度成為18μm之方式塗佈實施例1中獲得之 PAA-1溶液，之後，於氮氣環境下130℃下乾燥20分鐘，藉此，於PAA-2被膜上形成PAA-1被膜。進而，於該PAA-1被膜上以硬化後之PI-2層之厚度成為4μm之方式塗佈PAA-2溶液，之後，於130℃氮氣環境下乾燥20分鐘，藉此，於PAA-1被膜上形成PAA-2被膜。

使以此方式獲得之3層之積層被膜於氮氣環境下慢慢升溫之後，於350℃下處理60分鐘，進行熱硬化，藉此，將PAA-1及PAA-2轉換為PI，獲得於銅箔上依序形成PI-2層、PI-1層、PI-2層之積層體。自該積層體蝕刻去除銅箔，獲得包含3層PI之積層薄膜(L-2)。將所獲得之積層PI薄膜之諸特性示於表1。

另一方面，將PAA-2溶液以硬化後之PI-2層之厚度成為10μm之方式塗佈於玻璃板，於與上述之條件相同條件下進行乾燥、熱硬化，藉此獲得PI-2被膜，將該PI-2被膜自玻璃板剝離，獲得PI-2薄膜。該薄膜為非熱塑性，其CTE為8.3ppm/K。

[表2]

如表2所示，可知利用本發明所得之積層PI薄膜表現出良好的介電特性。

又，可知由於CTE低至30ppm以下，故尺寸穩定性良好。

(產業上之可利用性)

本發明之PI薄膜其介電特性、耐溶劑性、尺寸穩定性優異。因此，可較佳地用作構成用於印刷電路或天線基板等之高頻基板用FCCL之絕緣層之PI薄膜。

Claims

一種溶劑不溶性聚醯亞胺薄膜，其滿足以下(1)及(2)：(1)：上述聚醯亞胺包含選自3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)或4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸二酐(6FDA)之四羧酸二酐成分，且相對於總四羧酸二酐成分，BPDA至少為80莫耳%；(2)：上述聚醯亞胺包含二聚二胺及對伸苯基二胺(PDA)作為二胺成分，相對於總二胺成分，二聚二胺係超過15莫耳%且未滿50莫耳%。
一種積層聚醯亞胺薄膜，其包含請求項1所記載之溶劑不溶性聚醯亞胺薄膜(PI-1)及非熱塑性聚醯亞胺薄膜(PI-2)，並依PI-2、PI-1、PI-2之順序積層，且線膨脹係數(CTE)為40ppm/K以下。
一種軟性銅箔積層板，其包含請求項2所記載之積層聚醯亞胺薄膜及銅箔。