TWI787424B - 黏著薄片及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種電子零件加工用的黏著薄片(10)，其具有基材(11)與黏著劑層(12)，黏著劑層(12)包含將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物。

Description

黏著薄片及半導體裝置之製造方法
本發明為關於黏著薄片及半導體裝置之製造方法。
半導體裝置之製造步驟中，作為保護半導體元件(例如半導體晶片等)等之目的下，使用著黏著薄片。對於在半導體裝置之製造步驟中所使用的黏著薄片，要求著各式各樣的特性。 例如，文獻1(日本特開2012-46763號公報)記載了一種耐熱性黏著膠帶，其具備基材層與設置於該基材層上的黏著劑層。文獻1中記載的耐熱性黏著膠帶，黏著劑層係以包含紫外線硬化性化合物的紫外線硬化型黏著劑所構成，並記載著對於黏著劑層照射紫外線、更以200℃加熱1小時後，依據JIS Z0237所測得的黏著劑層的黏著力為1N/19mm寬幅以下。 另外，文獻2(日本特開2017-82104號公報)記載了一種黏著薄片，其具有基材與形成於基材的黏著劑層，該黏著劑層包含能量線硬化型黏著劑。 另外，近年來對於黏著薄片亦要求著如下述般之性質：在經歷被課予高溫條件後，以室溫下來剝離黏著薄片時，所謂的黏著劑殘留於被著體等的不良(即所謂的殘膠)為少，且剝離力為小。 例如，文獻3(日本特開2010-73853號公報)記載了一種耐熱性黏著膠帶，其係在將搭載於金屬製引線框的半導體晶片進行樹脂密封時黏貼而使用者。文獻3中記載的耐熱性黏著膠帶至少具有基材層與活性能量線硬化型黏著劑層。 文獻1及文獻2記載的黏著膠帶及黏著薄片(以下總稱為「黏著薄片」)係以藉由紫外線照射來使黏著劑層的黏著力降低之方式所構成，因此可相對容易地將黏著薄片自被著體上進行剝離。 依據文獻3係記載著下述般之要旨：藉由該文獻記載的耐熱性黏著膠帶，於剝離時不會產生殘膠，並可容易地剝離。文獻3中記載著，作為將活性能量線硬化型黏著劑層硬化之時間點(timing)，只要是在貼合後、導線接合步驟前即可，未特別限定。該理由之方面，文獻3中記載著，若將黏著劑層在貼合至引線框的外部墊(outer pad)側之前即進行硬化的話，將無法得到對於引線框表面的凹凸之追循效果，由於黏著力會降低，而使得貼合變得困難，另外，由於對於引線框的密著性會降低，故將難以防止密封樹脂的洩漏。 然而，若將如文獻1、文獻2及文獻3記載般的黏著劑層中包含活性能量線硬化型黏著劑的黏著膠帶使用於半導體裝置之製造步驟時，在密封步驟中的高溫環境下，會有產生黏著膠帶自被著體上剝離或膨脹(起泡，blister)之情形。另外，若在密封步驟後接續地實施電漿(plasma)處理步驟時，由於加熱所造成的溫度上昇、或由於同時產生溫度上昇及減壓之步驟，而在黏著膠帶與被著體之間會有產生膨脹(起泡)等的不良之情形。
[發明所欲解決之課題] 本發明的目的為提供一種黏著薄片，其可減低在高溫、或高溫及減壓條件下的膨脹的產生及不經意地自被著體上的剝離，並使加熱時的黏著力得到提昇之同時，在自被著體上進行剝離之際，可防止殘膠。 本發明的其他目的為提供一種使用該黏著薄片來製造半導體裝置的半導體裝置之製造方法。 [解決課題之手段] 本發明的一樣態相關的黏著薄片，其係具有基材與黏著劑層的黏著薄片，前述黏著劑層包含將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述黏著劑層進一步包含聚合物成分，前述聚合物成分包含來自於具有含氮官能基的單體的構成單位，但前述含氮官能基不包含N-H鍵。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述聚合物成分包含來自於具有反應性官能基的含官能基單體的構成單位，前述反應性官能基為介隔3個以上的鍵結成直鏈狀的亞甲基來與前述聚合物成分的主鏈鍵結。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述能量線硬化性成分包含多官能能量線硬化性化合物，前述多官能能量線硬化性化合物為一分子中具有2個以上5個以下的聚合性官能基的二官能能量線硬化性化合物。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述能量線硬化性成分包含多官能能量線硬化性化合物，前述多官能能量線硬化性化合物為一分子中具有2個以上的聚合性官能基，從前述多官能能量線硬化性化合物所具有的2個以上的聚合性官能基中任意選出的第1聚合性官能基與第2聚合性官能基之間存在著鍵結成直鏈狀的亞甲基，存在於前述第1聚合性官能基與前述第2聚合性官能基之間的鍵結成直鏈狀的亞甲基的數量為4以上。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：存在於前述第1聚合性官能基與前述第2聚合性官能基之間的鍵結成直鏈狀的亞甲基的數量為8以上、30以下。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述多官能能量線硬化性化合物係於分子中具有環式構造。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述黏著劑層的每單位斷面積的斷裂強度為4.5N/mm2 以上。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述黏著薄片在100℃下對於聚醯亞胺的黏著力為0.04N/25mm以上。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述黏著薄片在100℃下對於聚醯亞胺的黏著力為0.06N/25mm以上，前述黏著劑層的每單位斷面積的斷裂強度為4.5N/mm2 以上。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：在氮氛圍下施予190℃、1.5小時的加熱處理後的前述黏著薄片，在25℃下對於聚醯亞胺的黏著力為3N/25mm以下。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述黏著劑層的楊氏係數為5MPa以下。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：其係於加工電子零件之際，使用於固定或保護前述電子零件。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述電子零件為半導體元件，在將前述半導體元件進行密封之際，使用於用來固定前述該半導體元件。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：將電子零件直接貼附於前述黏著劑層。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述聚合物成分係藉由交聯劑來交聯。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述聚合物成分為(甲基)丙烯酸系聚合物。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述含氮官能基為選自由3級胺基、胺基羰基、氰基及含氮雜環基所構成之群組中之至少1種。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述具有含氮官能基的單體為選自由雜環乙烯基化合物、(甲基)丙烯醯胺化合物、含胺基的(甲基)丙烯酸酯化合物及(甲基)丙烯腈所構成之群組中之至少1種。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述聚合物成分之整體質量中所佔的前述來自於具有含氮官能基的單體的構成單位之比例為1質量%以上20質量%以下之比例。 本發明的一樣態相關的黏著薄片之中較佳為：前述黏著劑層之整體質量中所佔的前述將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物之比例為5質量%以上40質量%以下之比例。 本發明的一樣態相關的半導體裝置之製造方法，其包含下述步驟： 將半導體元件固定於具有黏著劑層的黏著薄片上之步驟，該黏著劑層包含將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物；藉由密封材將前述半導體元件進行密封之步驟。 [發明的效果] 藉由本發明可提供一種黏著薄片，其可減低在高溫、或高溫及減壓條件下的膨脹的產生及不經意地自被著體上的剝離，並使加熱時的黏著力得到提昇之同時，在自被著體上進行剝離之際，可防止殘膠。
[實施發明之最佳形態] 以下為對於本發明的一樣態相關的黏著薄片，以參照圖面來進行說明。 尚，本說明書中，所謂的「殘膠」，係指在將黏著薄片從被著體上剝離之際，起因於黏著劑層中的成分(不論是黏著劑層中所調配的成分、或是於黏著劑層的形成後侵入至黏著劑層中的成分)而在被著體上產生殘渣物之問題。 ＜第一實施形態＞ [黏著薄片] 圖1為表示本實施形態的黏著薄片10的斷面概略圖。 黏著薄片10的使用樣態並未特別限定。作為黏著薄片10的使用樣態，可舉出將黏著薄片10作為電子零件加工用的黏著薄片來使用的樣態。另外，作為黏著薄片10的其他的使用樣態，可舉出使用於固定或保護電子零件的樣態。另外，作為使用黏著薄片10的更具體的樣態，亦可舉出在將黏著薄片10上的半導體元件進行密封之際，使用於用來固定該半導體元件的樣態。 可將各式各樣的構件黏貼於黏著薄片10。本說明書中，有將可黏貼於黏著薄片10的構件稱為被著體之情形。作為被著體，可舉例如電子零件(半導體元件等)及框構件。電子零件等的被著體較佳為直接貼附於黏著劑層12。例如，在將黏著薄片10上的半導體元件以密封樹脂進行密封時，框構件可使用於用來防止隨著密封樹脂的硬化收縮而造成的黏著薄片10的翹曲。框構件亦有殘留在半導體元件的密封後所得到的半導體封裝體中，並發揮指定機能之情形，亦有僅由除去框構件之部分來得到半導體封裝體之情形。 本實施形態的黏著薄片10具有基材11與黏著劑層12。黏著劑層12包含將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物。本實施形態中，亦可進一步在黏著劑層12的上方層合剝離薄片RL。在使用黏著薄片10之際，將剝離薄片RL自該黏著薄片10上予以剝離。 黏著劑層12較佳為包含聚合物成分(以下亦稱為「聚合物成分(A)」)與將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物(以下亦稱為「硬化物(B)」)。 本實施形態的一樣態中的黏著劑層12，其包含聚合物成分(以下亦稱為「聚合物成分(AX)」)與將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物(亦稱為「硬化物(B)」)，該聚合物成分(AX)包含來自於具有含氮官能基的單體的構成單位。但前述含氮官能基不包含N-H鍵。 基材11具有第一基材面11a及第二基材面11b，該第二基材面11b與第一基材面11a為相反側。本實施形態的黏著薄片10中，黏著劑層12被層合於第一基材面11a。半導體元件等的被著體被黏貼於該黏著劑層12。在半導體裝置之製造步驟中，被著體係以黏著劑層12來保持於黏著薄片10上。 藉由本實施形態的黏著薄片10，可減低在高溫及減壓條件下的膨脹的產生及不經意地自被著體上的剝離，並可使加熱時的黏著力得到提昇之同時，在自被著體上進行剝離之際，可防止殘膠(以下亦稱為「本實施形態的效果」)。 能夠得到本實施形態的效果之理由，係推測如下。 本實施形態相關的黏著劑層12包含將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物(B)。因此，即使是高溫環境下，黏著劑層12亦可維持充分的對於被著體的黏著力。其結果，黏著薄片10可不使被著體脫落，而讓被著體固定於黏著薄片10。本說明書中的高溫環境並未特別限定，可舉例如：半導體元件的密封步驟、對於電子零件進行金屬等的濺鍍的步驟、以熱水等來將電子零件進行洗淨的步驟等。本說明書中，黏貼於黏著薄片的被著體並未特別限定，但若黏著薄片被使用於半導體元件的密封步驟時，作為被著體的材質，可舉出半導體元件的矽表面、或設置於半導體元件的聚醯亞胺膜等。半導體元件的密封之際，若使用框構件時，框構件亦能夠成為黏著薄片10的被著體，作為材質可舉出玻璃環氧樹脂等。另外，作為半導體元件的密封步驟以外的黏著薄片10的用途中的被著體，可舉出玻璃晶圓等。 另外，在伴隨著加熱、或加熱及減壓的步驟中，起因於黏著薄片10及其他的構件的在保管中或製造步驟中所吸收的水分而產生的氣體，因此黏著薄片與被著體之間會有產生膨脹(起泡)之情形。即使是在高溫、或高溫及減壓環境下，由於黏著力較高，因而黏著薄片10能夠抑制起泡等的產生。然後，由於黏著劑層12具有充分的凝集性，因而在伴隨著加熱、或加熱及減壓的步驟後不會於被著體上產生殘渣物，而可將黏著薄片10剝離並除去。本說明書中，伴隨著加熱、或加熱及減壓的步驟並未特別限定，但作為一例，可舉例如密封步驟、或在密封步驟後接續的電漿處理步驟。伴隨著加熱、或加熱及減壓的步驟中的被著體並未特別限定，但作為一例，可舉例如半導體元件、框構件、或玻璃晶圓等。 有將下述之狀況稱為殘膠之情形：在將黏著薄片自被著體上剝離後，被著體的表面附著有殘渣物。例如，在半導體裝置之製造步驟中的密封步驟結束後，將黏著薄片自密封體上剝離之際，黏著劑附著於半導體裝置(半導體元件)的導通部分之情形。例如，作為導通部分，可舉出半導體裝置或框構件的via部，導通部分係例如以銅來形成。 藉由本實施形態相關的黏著薄片，例如，即使是在密封步驟經加熱後，亦可防止黏著劑對於銅的表面的附著，故在將半導體裝置進行樹脂密封後並將黏著薄片剝離後，可防止對於導通部分的殘膠。 硬化物(B)係與聚合物成分(A)為不同，在用來調製黏著劑層12中包含的黏著劑組成物的原材料的階段之中，硬化物(B)為未硬化(未反應)的狀態。硬化物(B)中的能量線硬化性成分是在從黏著劑組成物形成黏著劑層12後才反應，並合成高分子量體、進行硬化。因此，硬化物(B)為連續地存在於黏著劑層12中，此與有機填充料等般的不連續存在者為不同。 黏著劑層12為藉由包含如此般連續地存在的硬化物(B)，來形成聚合物成分(A)為侵入至硬化物(B)的三次元網目構造中的構造，認為聚合物成分(A)會受到網目狀構造的寬鬆的拘束而成為經交聯的狀態。藉此，黏著劑層在高溫下的凝集性會提昇，認為能夠得到上述的在高溫下的黏著力的提昇效果、與防止殘膠的效果。另外，會提昇黏著劑層12的斷裂強度。 若黏著劑層12包含的作為聚合物成分(A)的一樣態為聚合物成分(AX)之情形，對於聚合物成分(AX)的意義進行說明。 聚合物成分(AX)包含來自於具有含氮官能基的單體的構成單位。含氮官能基中所包含的氮原子係認為是以成為極性基而存在於聚合物成分(AX)中。藉由該極性基(含氮官能基)之存在，在黏著劑層12中聚合物成分(AX)彼此可輕易地介隔含氮官能基而相互作用，認為在黏著劑層12中因而形成疑似性的交聯構造。 藉此，即使是將黏著薄片10加熱，亦可容易地保持黏著劑層12的凝集力，其結果認為是，在經歷密封步驟後將黏著薄片10自被著體上剝離之際，不易產生對於被著體的殘膠。另外，在加熱時，由於可容易保持黏著劑層12的凝集力，故認為加熱時的黏著力亦為提高。另外，黏著劑層的斷裂強度亦有上昇之傾向。 於此，本實施形態的一樣態中由於以下之理由，而聚合物成分(AX)中的含氮官能基不包含N-H鍵。通常而言，在將半導體元件進行密封之際，作為密封材大多使用環氧系樹脂。環氧系樹脂與胺基等的具有N-H鍵的基容易產生反應。因此，將黏著薄片自被著體上進行剝離之際，由於黏著劑層與被著體的黏著力變得過高，使得黏著薄片難以自被著體上剝離，或為了抑制殘膠於密封材之目的，而自含氮官能基中排除了N-H鍵。 本實施形態的一樣態中，黏著劑層12包含聚合物成分(AX)、且聚合物成分(AX)包含含氮官能基。因此，黏著劑層整體的極性變高，共聚合成分(AX)與能量線硬化性成分的相溶性變得更高，三次元網目的相互侵入將變容易。藉此推測：展現出來自於氮含有極性基的高溫時的黏著力等、及抑制了可能成為殘膠於被著體的局部的硬化物(B)的產生。因而認為，可更容易地兼具加熱時的黏著劑層12的黏著力、及防止殘膠於被著體。 如上述之內容，藉由本實施形態相關的黏著薄片10會提昇加熱時的黏著力，可減低伴隨著加熱、或加熱及減壓的步驟中的膨脹的產生及不經意地自被著體上的剝離，且例如在伴隨著加熱及減壓的步驟後，將黏著薄片10進行剝離之際，亦可減低殘膠於被著體。 本實施形態中，如同前述，以至少兼具加熱時的黏著劑層12的黏著力、及防止殘膠於被著體之目的下，而將硬化物(B)包含於黏著劑層12中。因此，如文獻1、文獻2及文獻3般的，單純以減低黏著劑層的黏著力之目的下而包含的活性能量線硬化型黏著劑的成分，當聚合物成分(A)或聚合物成分(AX)經交聯時，從黏著劑層的形成的時間點起至使用時的讓活性能量線硬化型黏著劑硬化為止之期間，係進行聚合物成分(A)或聚合物成分(AX)的交聯，相較於此，本實施形態時，在聚合物成分(A)或聚合物成分(AX)進行交聯之前為進行硬化物(B)的硬化。因此，聚合物成分(A)或聚合物成分(AX)與硬化物(B)的三次元網目的相互侵入將變容易，可更容易得到前述之效果的所謂的「抑制了可能成為殘膠於被著體的原因的局部的硬化物(B)的產生」。進一步，就所謂的在將黏著薄片貼附於被著體之際能量線硬化性成分已被硬化之觀點而言，在密封步驟中亦不會引起因聚合起始劑之分解所造成的問題，亦具有下述之優點：可防止起因於未硬化的能量線硬化性成分的過剩的定錨效應所造成的殘膠於被著體之產生。 對於本實施形態的黏著薄片10的構成進行說明。以下有省略符號之記載之情形。 (黏著劑層) ・聚合物成分(A) 除了硬化物(B)以外，黏著劑層較佳為進一步包含聚合物成分(A)。 作為聚合物成分(A)的一樣態的聚合物成分(AX)，其包含來自於具有含氮官能基的單體的構成單位。但前述含氮官能基不包含N-H鍵。 聚合物成分(A)為將聚合性化合物經聚合反應而形成的成分。聚合物成分(AX)為將至少具有含氮官能基的單體作為聚合性化合物經聚合反應而形成的成分。此處所謂的聚合反應，亦包含縮聚合反應。 本說明書中，聚合物成分(AX)為包含於聚合物成分(A)的概念的一樣態，故即使是單以稱為聚合物成分(A)之情形，若未明確表示將聚合物成分(AX)排除之意思時，亦設定為包含聚合物成分(AX)者。 聚合物成分(A)係與能量線硬化性成分為不同，在用來調製黏著劑層中所包含的黏著劑組成物的原材料的狀態之中，聚合物成分(A)為已經聚合之成分。 黏著劑層係藉由進一步包含聚合物成分，來形成聚合物成分為侵入至能量線硬化性成分的硬化物的三次元網目構造中的構造，聚合物成分會受到網目狀構造的寬鬆的拘束而成為經交聯的狀態。藉此，容易兼具黏著劑層的黏著性、與黏著劑層的凝集性。 ・聚合物成分(A)的種類 可考量能量線硬化性成分的種類、黏著劑層的用途、及黏貼於黏著劑層的被著體的種類等，來選擇聚合物成分(A)的種類。聚合物成分(A)的種類，較佳為例如選自由(甲基)丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂、聚矽氧系樹脂、橡膠系樹脂、苯氧基系樹脂、及聚苯乙烯系樹脂等所構成之群組中之至少任1種的化合物，又較佳為(甲基)丙烯酸系樹脂。該等的聚合物成分(A)可單獨使用，亦可組合2種以上來使用。 聚合物成分(A)，就藉由侵入至硬化物(B)的三次元網目構造中的構造而實現寬鬆的拘束的狀態，而並非與上述的能量線硬化性成分反應的直接鍵結之觀點而言，黏著劑層較佳為含有不具有能量線硬化性的非能量線硬化性聚合物成分來作為聚合物成分(A)。非能量線硬化性聚合物成分的含量，較佳設為聚合物成分(A)整體的60質量%以上，又較佳為75質量%以上，更佳為90質量%以上。 本實施形態中，黏著劑層之整體質量中所佔的聚合物成分(A)的質量之比例，就黏著薄片的加熱時的黏著力、及容易控制黏著劑層的凝集性之觀點而言，較佳為50質量%以上90質量%以下，又較佳為65質量%以上85質量%以下。 若聚合物成分(A)的種類為(甲基)丙烯酸系樹脂時，聚合物成分(A)較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物。聚合物成分(A)只要是(甲基)丙烯酸系聚合物時，與能量線硬化性成分的相溶性則容易變高，黏著劑層的黏著力(特別是加熱時的黏著力)的控制將變得容易。 但當聚合物成分(A)為(甲基)丙烯酸系聚合物時，就不易熱分解之觀點、及不易產生凝集破壞之觀點而言，聚合物成分(A)又較佳為丙烯酸系聚合物。 以下對於聚合物成分(A)為(甲基)丙烯酸系聚合物之情形進行說明。 (甲基)丙烯酸系聚合物較佳為包含來自於(甲基)丙烯酸烷基酯(CH2 =CR1 COOR2 (R1 為氫或甲基，R2 為直鏈、分支鏈或環狀(脂環式)的烷基))的聚合物單位。丙烯酸烷基酯(CH2 =CR1 COOR2 )的一部分或全部，以烷基R2 的碳數為6~8的(甲基)丙烯酸烷基酯為較佳。作為烷基R2 的碳數為6~8的(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉出(甲基)丙烯酸n-己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、及(甲基)丙烯酸n-辛酯等。該等之中，R2 較佳為直鏈或分支鏈的烷基。另外，烷基R2 的碳數較佳為8，就將黏著薄片貼附於被著體後的立即的接著性之提高，以及，即使是將黏著薄片經加熱後，自被著體上的剝離性亦為提高之觀點而言，又較佳為(甲基)丙烯酸2-乙基己酯，更佳為丙烯酸2-乙基己酯。 作為烷基R2 的碳數為1~5或9~20的(甲基)丙烯酸烷基酯(前述CH2 =CR1 COOR2 )，可舉例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸n-丁酯、(甲基)丙烯酸n-戊酯、(甲基)丙烯酸n-癸酯、(甲基)丙烯酸n-十二烷基酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚基酯、及(甲基)丙烯酸硬脂基酯等。 (甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用，亦可組合2種以上來使用。 尚，本說明書中的「(甲基)丙烯酸」，係用於表示「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」之雙方之情形之表記方式，有關於其他的類似用語亦為相同。 就不易熱分解之觀點、及不易產生凝集破壞之觀點而言，(甲基)丙烯酸系聚合物中包含的來自於(甲基)丙烯酸烷基酯的聚合物單位之整體中所佔的來自於丙烯酸烷基酯(即，前述CH2 =CR1 COOR2 中R1 為氫者)的聚合物單位的質量之比例，較佳為80質量%以上，又較佳為90質量%以上。 (甲基)丙烯酸系聚合物整體質量中所佔的來自於前述CH2 =CR1 COOR2 的聚合物單位的質量之比例，較佳為50質量%以上。 (甲基)丙烯酸系聚合物整體質量中所佔的來自於(甲基)丙烯酸烷基酯(前述CH2 =CR1 COOR2 )的聚合物單位的質量之比例，較佳為50質量%以上，又較佳為60質量%以上，更佳為80質量%以上。來自於(甲基)丙烯酸烷基酯(前述CH2 =CR1 COOR2 )的聚合物單位的質量之比例，就提昇初期密著力等之觀點而言，較佳為96質量%以下。 另外，本實施形態中，就將黏著薄片貼附於被著體後的立即的接著性之提高，以及，即使是將黏著薄片經加熱後，自被著體上的剝離性亦為提高之觀點而言，(甲基)丙烯酸系聚合物整體質量中所佔的來自於(甲基)丙烯酸2-乙基己酯的聚合物單位的質量之比例，較佳為50質量%以上。(甲基)丙烯酸系聚合物整體質量中所佔的來自於(甲基)丙烯酸2-乙基己酯的聚合物單位的質量之比例，又較佳為60質量%以上，更佳為80質量%以上。(甲基)丙烯酸系聚合物整體質量中所佔的來自於(甲基)丙烯酸2-乙基己酯的聚合物單位的質量之比例，較佳為96質量%以下。 (甲基)丙烯酸系聚合物為共聚物，當(甲基)丙烯酸系共聚物中的第一共聚物單位為(甲基)丙烯酸烷基酯時，該丙烯酸系共聚物中的(甲基)丙烯酸烷基酯以外的共聚物單位(以下稱為「第二共聚物單位」)的種類及數量並未特別限定。該情形時，聚合物成分(AX)中，「第二共聚物單位」為來自於具有含氮官能基的單體的構成單位。另一方面，在非聚合物成分(AX)的聚合物成分(A)中，例如，作為第二共聚物單位，較佳為具有反應性官能基的含官能基單體。作為第二共聚物單位的反應性官能基，當使用後述的交聯劑時，較佳為能夠與該交聯劑進行反應的官能基。作為該反應性官能基，可舉例如羧基、羥基、胺基、取代胺基及環氧基等。 聚合物成分(AX)中的(甲基)丙烯酸系聚合物為共聚物，當該共聚物由(甲基)丙烯酸烷基酯(「第一共聚物單位」)、來自於具有含氮官能基的單體的構成單位(「第二共聚物單位」)、與第一共聚物單位及第二共聚物單位以外的共聚物單位(以下稱為「第三共聚物單位」)所構成時，第三共聚物單位的種類及數量並未特別限定。例如，作為第三共聚物單位，較佳為具有反應性官能基的含官能基單體。作為第三共聚物單位的反應性官能基，當使用後述的交聯劑時，較佳為能夠與該交聯劑進行反應的官能基。作為該反應性官能基，可舉例如羧基、羥基及1級或者2級的胺基等。該等之中，作為反應性官能基，較佳為羥基。與前述的含氮官能基不包含N-H鍵之理由為相同地，作為具有反應性官能基的含官能基單體，較佳為不採用具有1級或者2級的胺基的含官能基單體。 本實施形態中，就延長用來形成黏著劑層的原材料組成物的使用時限(pot life)之觀點而言，(甲基)丙烯酸系共聚物亦較佳為不包含來自於具有羧基的單體的共聚物單位。或是，(甲基)丙烯酸系共聚物為包含來自於具有羧基的單體的共聚物單位，且前述(甲基)丙烯酸系共聚物整體質量中所佔的前述來自於具有羧基的單體的共聚物單位的質量之比例，亦較佳為1質量%以下，又較佳為0.05質量%以上1質量%以下。 作為具有羧基的單體(以下有稱為「含羧基單體」之情形)，可舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、伊康酸、及檸康酸等的乙烯性不飽和羧酸。使用含羧基單體時，就反應性及共聚合性之點而言，含羧基單體之中較佳為(甲基)丙烯酸，又較佳為丙烯酸。含羧基單體可單獨使用，亦可組合2種以上來使用。 本實施形態中，(甲基)丙烯酸系共聚物較佳為包含來自於具有羥基的單體的共聚物單位。 (甲基)丙烯酸系共聚物為藉由包含來自於具有羥基的單體的共聚物單位，當使用後述的交聯劑時，可使將羥基作為交聯點的交聯密度上昇。其結果，可有效地形成(甲基)丙烯酸系共聚物的交聯構造。就提高如此般的效果之觀點而言，(甲基)丙烯酸系共聚物整體質量中所佔的來自於具有羥基的單體的共聚物單位的質量之比例，較佳為3質量%以上。(甲基)丙烯酸系共聚物整體質量中所佔的來自於具有羥基的單體的共聚物單位的質量之比例，較佳為9.9質量%以下。 作為具有羥基的單體(以下有稱為「含羥基單體」之情形)，可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯、鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙基-2-羥基乙酯、及含羥基的己內酯改性(甲基)丙烯酸酯等的含羥基的(甲基)丙烯酸單體等。含羥基單體之中，就羥基之反應性及共聚合性之點而言，較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。另外，就以於加熱後、在常溫下的黏著力不會變得過高之方式來調整成為適度的黏著力之觀點而言，較佳為例如(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯。含羥基單體可單獨使用，亦可組合2種以上來使用。 作為具有環氧基的丙烯酸酯，可舉例如丙烯酸縮水甘油酯及甲基丙烯酸縮水甘油酯等。 具有反應性官能基的含官能基單體中，該反應性官能基較佳為介隔3個以上的鍵結成直鏈狀的亞甲基來與聚合物成分(A)的主鏈鍵結。藉此，反應性官能基與交聯劑的結合概率(association probability)會上昇，因此使得交聯密度上昇。另外，亦可降低於黏著劑層的形成後殘留反應性官能基之可能性。其結果，加熱後的在常溫下的黏著力會降低，將黏著薄片自被著體上進行剝離會變得容易。尚，本發明中，亞甲基(methylene)不包含次甲基(methylidyne)，亞甲基的1個以上的氫原子亦可被取代。另外，亞甲基的直鏈狀的鍵結，亦可介隔其他的基而間接性地鍵結。例如，在將(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯使用作為含官能基單體的聚合物成分中，作為反應性官能基的羥基為介隔3個的鍵結成直鏈狀的亞甲基來與聚合物成分(A)的主鏈鍵結。另外，在將2-丙烯醯氧基乙基-2-羥基乙基-鄰苯二甲酸使用作為含官能基單體的聚合物成分中，作為反應性官能基的羥基為介隔4個的鍵結成直鏈狀的亞甲基來與聚合物成分(A)的主鏈鍵結，該等的亞甲基為介隔與鄰苯二甲酸的酯鍵而間接性地鍵結。 含官能基單體的該反應性官能基，較佳為介隔10個以下的鍵結成直鏈狀的亞甲基來與聚合物成分(A)的主鏈鍵結，又較佳為介隔6個以下的鍵結成直鏈狀的亞甲基來與聚合物成分(A)的主鏈鍵結。 非聚合物成分(AX)的聚合物成分(A)中，作為丙烯酸系共聚物中的第二共聚物成分，除了上述的含官能基單體以外，可舉例如來自於選自由含有烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環的(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯、及苯乙烯所構成之群組中之至少任1種的單體的共聚物單位。 ・具有含氮官能基的單體 作為具有含氮官能基的單體，只要是具有含氮官能基的聚合性化合物即可，未特別限定，但較佳為具有含氮官能基的乙烯性不飽和單體。 作為含氮官能基，可舉例如3級胺基(-NR3 R4 )、胺基羰基(-(C=O)-NR5 R6 )、胺基羰氧基(-O-(C=O)-NR7 R8 )、胺基羰基胺基(-NR9 -(C=O)-NR10 R10A )、氰基、硝基及含氮雜環基等，較佳為選自由3級胺基(-NR3 R4 )、胺基羰基(-(C=O)-NR5 R6 )、氰基、含氮雜環基所構成之群組中之至少1種以上。 R3 ~R10 及R10A 係分別獨立表示取代基。作為該取代基，可舉例如取代或未取代的碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基、及取代或未取代的碳數2~4(較佳為碳數2~3)的烯基等。烷基可任意為直鏈、分支鏈或環狀。烯基可任意為直鏈、分支鏈或環狀。R3 ~R10 及R10A 係互為相同或相異。 本說明書中，使用「~」來表示的數值範圍，係意味著包含將「~」之前所記載的數值設為下限值、將「~」之後所記載的數值設為上限值之範圍之涵義。 含氮雜環基為從含氮雜環化合物中除去1個氫原子而成的基。作為含氮雜環化合物，可舉例如嗎福林、咔唑、吡咯啶酮、哌啶、喹啉、吡咯啶、氮丙啶、吡啶、嘧啶、吡嗪、咪唑、及鄰苯二甲醯亞胺等。作為具有含氮雜環基的含氮雜環化合物，就提高黏著劑層的凝集性之觀點而言，較佳為嗎福林。 具有含氮官能基的單體(聚合性化合物)，一分子中可包含上述列舉的含氮官能基1個，亦可包含2個以上。 具有含氮官能基的單體，較佳為選自由雜環乙烯基化合物、(甲基)丙烯醯胺化合物、含胺基的(甲基)丙烯酸酯化合物及(甲基)丙烯腈所構成之群組中之至少1種，又較佳為雜環乙烯基化合物。但該等的化合物不包含N-H鍵。 雜環乙烯基化合物中所包含的雜環基，起因於該構造(環構造)，故認為即使是黏著薄片被加熱亦不易被分解。 因而，若具有含氮官能基的單體為雜環乙烯基化合物之情形時，認為可更容易保持黏著劑層的凝集力，可更展現出本實施形態的效果。 本說明書中，所謂的(甲基)丙烯酸，係意味著丙烯酸及甲基丙烯酸之雙方之涵義。所謂的(甲基)丙烯腈，係意味著丙烯腈及甲基丙烯腈之雙方之涵義。 具有含氮官能基的單體可單獨使用，亦可組合2種以上來使用。 作為雜環乙烯基化合物，可舉例如N-丙烯醯基嗎福林、N-甲基丙烯醯基嗎福林、N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-丙烯醯基吡咯啶酮、N-甲基丙烯醯基吡咯啶酮、N-丙烯醯基哌啶、N-甲基丙烯醯基哌啶、N-丙烯醯基吡咯啶、N-甲基丙烯醯基吡咯啶、N-丙烯醯基氮丙啶、N-甲基丙烯醯基氮丙啶、氮丙啶乙基丙烯酸酯、氮丙啶乙基甲基丙烯酸酯、2-乙烯基吡啶、4-乙烯基吡啶、2-乙烯基吡嗪、1-乙烯基咪唑、N-乙烯基咔唑、及N-乙烯基鄰苯二甲醯亞胺等。 其中，作為雜環乙烯基化合物，就展現出本實施形態的效果之觀點而言，較佳為N-丙烯醯基嗎福林、N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-丙烯醯基吡咯啶酮、N-丙烯醯基哌啶、N-丙烯醯基吡咯啶、N-丙烯醯基氮丙啶、氮丙啶乙基丙烯酸酯、2-乙烯基吡啶、4-乙烯基吡啶、2-乙烯基吡嗪、1-乙烯基咪唑、N-乙烯基咔唑、或N-乙烯基鄰苯二甲醯亞胺，又較佳為N-丙烯醯基嗎福林。 作為(甲基)丙烯醯胺化合物，可舉例如下述一般式(1)所表示的化合物。
Figure 02_image001
一般式(1)中，R11 表示氫原子或甲基。R12 及R13 分別獨立表示取代或未取代的碳數1~6(較佳為碳數1~4)的烷基、或取代或未取代的碳數2~4(較佳為碳數2~3)的烯基。烷基可任意為直鏈、分支鏈或環狀。烯基可任意為直鏈、分支鏈或環狀。 若R12 及R13 具有取代基時，該取代基係以分別獨立為二烷基胺基(-NR14 R15 )、或羥基為較佳。 R14 及R15 分別獨立表示未取代的碳數1~4(較佳為碳數1~3)的烷基。 作為(甲基)丙烯醯胺化合物，可舉例如N,N-二甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基甲基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N,N-二乙基甲基丙烯醯胺、N,N-二-n-丙基丙烯醯胺、N,N-二-n-丙基甲基丙烯醯胺、N,N-二-異丙基丙烯醯胺、N,N-二-異丙基甲基丙烯醯胺、N,N-二烯丙基丙烯醯胺、N,N-二烯丙基甲基丙烯醯胺、N,N-二-n-丁基丙烯醯胺、N,N-二-n-丁基甲基丙烯醯胺、N,N-乙基甲基丙烯醯胺、及N,N-乙基甲基甲基丙烯醯胺等。 其中，作為(甲基)丙烯醯胺化合物，就展現出本實施形態的效果之觀點而言，較佳為N,N-二甲基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N,N-二-n-丙基丙烯醯胺、N,N-二-異丙基丙烯醯胺、N,N-二烯丙基丙烯醯胺、N,N-二-n-丁基丙烯醯胺、或N,N-乙基甲基丙烯醯胺，又較佳為N,N-二甲基丙烯醯胺。 作為含胺基的(甲基)丙烯酸酯化合物，可舉例如下述一般式(2)所表示的化合物。
Figure 02_image003
一般式(2)中，R16 表示氫原子或甲基。R17 及R18 分別獨立表示取代或未取代的碳數1~3(較佳為碳數1~2)的烷基。烷基可為直鏈、分支鏈、或環狀(脂環式)。k為1以上4以下，較佳為1以上3以下。 作為含胺基的(甲基)丙烯酸酯化合物，可舉例如N,N-二甲基胺基乙基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基乙基甲基丙烯酸酯、N,N-二乙基胺基乙基丙烯酸酯、N,N-二乙基胺基乙基甲基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基丙基丙烯酸酯、及N,N-二甲基胺基丙基甲基丙烯酸酯等。 其中，作為含胺基的(甲基)丙烯酸酯化合物，就展現出本實施形態的效果之觀點而言，較佳為N,N-二甲基胺基乙基丙烯酸酯、N,N-二乙基胺基乙基丙烯酸酯、及N,N-二甲基胺基丙基丙烯酸酯。 聚合物成分(A)之整體質量中所佔的來自於具有含氮官能基的單體的構成單位之比例，就展現出本實施形態的效果之觀點而言，較佳為1質量%以上20質量%以下之比例，又較佳為4.5質量%以上18質量%以下之比例，更佳為9質量%以上15質量%以下之比例。 來自於具有含氮官能基的單體的構成單位之比例若為如此般的範圍時，黏著薄片的加熱時的黏著力、及黏著劑層的凝集性的調整將變得更容易。 丙烯酸系共聚物若包含聚合物成分(AX)之情形時，作為聚合物成分(AX)的第三共聚合成分，例如除了上述的含官能基單體以外，可舉出來自於選自由含有烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環的(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯、及苯乙烯所構成之群組中之至少任1種的單體的共聚物單位。 作為含有烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯，可舉例如(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、及(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等。 作為具有芳香族環的(甲基)丙烯酸酯，可舉例如(甲基)丙烯酸苯基酯等。 該等的單體可單獨使用，亦可組合2種以上來使用。 (甲基)丙烯酸系共聚物的重量平均分子量(Mw)，較佳為5萬以上200萬以下，又較佳為8萬以上100萬以下，更佳為10萬以上40萬以下。(甲基)丙烯酸系共聚物的重量平均分子量Mw只要是5萬以上時，不會殘膠於被著體，且可容易地將黏著薄片剝離。當(甲基)丙烯酸系共聚物的重量平均分子量Mw越小的話，在氮氛圍下施予190℃、1.5小時的加熱處理後的黏著薄片，在25℃(常溫)下對於聚醯亞胺的黏著力會有降低之傾向。 (甲基)丙烯酸系共聚物的重量平均分子量(Mw)為藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography；GPC)所測得的標準聚苯乙烯換算值，具體而言係以下述之條件所測得者。 (測定條件) ・GPC裝置：Tosoh股份有限公司製、製品名「HLC-8320」 ・測定試樣：樣品濃度1質量%的四氫呋喃溶液 ・管柱：將2根的「TSK gel Super HM-H」、1根的「TSK gel Super H2000」(均為Tosoh股份有限公司製)依序連結而成 ・管柱溫度：40℃ ・展開溶媒：四氫呋喃 ・流速：0.60mL/min 聚合物成分(A)的重量平均分子量(Mw)亦可與(甲基)丙烯酸系共聚物的重量平均分子量(Mw)以相同的方法來測得。 可使用前述的各種原料單體並依據以往周知的方法來製造(甲基)丙烯酸系共聚物。 (甲基)丙烯酸系共聚物的共聚合形態並未特別限定，可任意為嵌段共聚物、無規共聚物、或接枝共聚物。 本實施形態中，黏著劑層12之整體質量中所佔的聚合物成分的質量之比例，較佳為50質量%以上90質量%以下，又較佳為65質量%以上85質量%以下。 本實施形態中，黏著劑層12之整體質量中所佔的丙烯酸系共聚物的質量之比例，較佳為50質量%以上90質量%以下，又較佳為65質量%以上85質量%以下。 本實施形態中，聚合物成分(A)較佳為藉由交聯劑來進行交聯。 將聚合物成分(A)進一步藉由交聯劑來進行交聯，認為可進一步保持黏著劑層的凝集力。該理由認為是因為，由聚合物成分(A)所形成的三次元網目構造、與硬化物(B)的三次元網目構造形成相互侵入網目構造之緣故。 本實施形態中，作為(甲基)丙烯酸系共聚物的交聯劑，可舉例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合系交聯劑、胺系交聯劑、及胺基樹脂系交聯劑等。該等的交聯劑可單獨使用，亦可組合2種以上來使用。 本實施形態中，就提昇(甲基)丙烯酸系黏著劑組成物的耐熱性及黏著力之觀點而言，該等的交聯劑之中，以作為具有異氰酸酯基的化合物的交聯劑(異氰酸酯系交聯劑)為較佳。作為異氰酸酯系交聯劑，可舉例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、二環己甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己甲烷-2,4’-二異氰酸酯、及離胺酸異氰酸酯等的多價異氰酸酯化合物。 另外，多價異氰酸酯化合物亦可為該等化合物的三羥甲基丙烷加成物型改性體、和水反應而成的二縮脲型改性體、或具有異氰脲酸酯環的異氰脲酸酯型改性體。 本實施形態中，黏著劑層若包含藉由交聯劑來進行交聯的聚合物成分(A)之情形時，聚合物成分(A)與交聯劑的交聯前的調配比，相對於100質量份，較佳為0.1質量份以上20質量份以下，又較佳為1質量份以上15質量份以下，更佳為5質量份以上10質量份以下。 作為聚合物成分(A)若為使用(甲基)丙烯酸系共聚物之情形時，(甲基)丙烯酸系共聚物與交聯劑的交聯前的調配比亦為下述之比例，相對於100質量份，較佳為0.1質量份以上20質量份以下，又較佳為1質量份以上15質量份以下，更佳為5質量份以上10質量份以下。 聚合物成分(A)與交聯劑的交聯前的調配比只要是上述範圍內，就可容易提昇加熱時的黏著薄片的黏著力之點而言，故為較佳。 本實施形態中，將聚合物成分(A)藉由交聯劑來進行交聯時，黏著劑層中亦可調配聚合物成分(A)、交聯劑、與交聯促進劑。以因應於交聯劑的種類等來適當選擇交聯促進劑為佳。例如，將(甲基)丙烯酸系共聚物以作為交聯劑的聚異氰酸酯化合物來進行交聯時，可使用有機錫化合物等的有機金屬化合物系交聯促進劑。 黏著劑層12亦較佳包含前述的(甲基)丙烯酸系共聚物為藉由交聯劑而被交聯而成的交聯物。 ・硬化物(B) 本實施形態相關的黏著劑層包含能量線硬化性成分的硬化物(硬化物(B))。 能量線硬化性成分包含能量線硬化性化合物。能量線硬化性化合物係受到能量線的照射而會硬化之化合物。作為用來使能量線硬化性成分硬化的能量線，較佳為紫外線(UV)及電子線(EB)之至少任1種的能量線，又較佳為紫外線。 作為本實施形態相關的能量線硬化性化合物未特別限制，可從以往周知的能量線硬化性化合物之中來選擇使用。作為能量線硬化性化合物，可舉出能量線硬化性的單體、低分子化合物、寡聚物、及樹脂。能量線硬化性成分亦可為一種組成物，其包含選自由能量線硬化性的單體、低分子化合物、寡聚物、及樹脂所構成之群組中之至少任1種。 能量線硬化性成分中，作為能量線硬化性化合物係以包含具有聚合性官能基的低分子化合物、及具有聚合性官能基的寡聚物之至少任1種為較佳。藉由使能量線硬化性成分成為具有聚合性官能基的低分子化合物或寡聚物，在硬化物(B)中三次元網目構造的交聯密度會變高。黏著劑層係藉由包含能量線硬化性成分(其係包含具有聚合性官能基的低分子化合物、及具有聚合性官能基的寡聚物之至少任1種)的硬化物(B)、與聚合物成分(A)，使得聚合物成分(A)可容易地侵入至硬化物的三次元網目構造中，可更容易得到黏著劑層的凝集力為更提昇之效果。 具有聚合性官能基的低分子化合物的式量，通常而言為3,000以下，較佳為2,000以下。 具有聚合性官能基的寡聚物的理論分子量，通常而言為10,000以下，較佳為8,000以下。 作為聚合性官能基，可舉出具有聚合性的碳-碳雙鍵的官能基。作為聚合性官能基，例如以選自由(甲基)丙烯醯基、乙烯基及烯丙基所構成之群組中之任一種基為較佳。 就提昇在100℃下的黏著薄片相對於聚醯亞胺的黏著力之觀點而言，能量線硬化性成分中包含的能量線硬化性化合物所具有的聚合性官能基的數量，一分子中較佳為2個以上6個以下，又較佳為2個以上5個以下，更佳為2個以上3個以下，特佳為2個。 藉由能量線硬化性成分為一分子中具有2個聚合性官能基的化合物(二官能能量線硬化性化合物)，可使黏著劑層的凝集力提昇之同時，相較於3官能以上的硬化物(B)，可將交聯密度抑制為低，黏著劑層的對於被著體表面的微小凹凸的追循性會提昇。 另外，亦可容易提昇在密封步驟的加熱環境下的黏著力，並保持黏著劑的柔軟性，而可更容易抑制殘膠的產生。作為本實施形態中的加熱環境下並未特別限定，但作為一例，可舉出密封步驟。 若在高溫環境下的黏著力為提昇的話，將黏著薄片放置於高溫及真空環境中時可容易防止下述之情形：因來自黏著薄片本身或構件所產生的氣體會在黏著薄片與被著體的界面產生起泡、或被著體會自黏著薄片上剝離。本實施形態中的高溫環境並未特別限定，但作為一例，可舉出半導體元件的密封步驟，可示例如下述的製程：在密封步驟後，以貼附著黏著薄片之狀態下，對於密封材的表面進行作為用於配線的前處理的電漿處理等的製程。 尚，藉由將一分子中的聚合性官能基的數量設為2以上，變得可容易形成三次元網目構造。 本實施形態的一樣態中，就對於聚醯亞胺等的被著體的黏著力為提昇之觀點(本實施形態的某一樣態中，所謂的在高溫、或高溫及減壓環境下的對於聚醯亞胺的黏著力為提昇之觀點)而言，能量線硬化性化合物較佳為具有聚合性官能基及環式構造的化合物。關於聚合性官能基，如同前述。作為環式構造，又較佳為選自由芳香族環、雜環、及脂肪族環所構成之群組中之至少任1種的環式構造。能量線硬化性化合物亦較佳為具有芳香族環、及脂肪族環之至少任1種的環式構造的化合物。 包含能量線硬化性化合物的硬化物(B)的黏著劑層的每單位斷面積的斷裂強度，較佳為4.5N/mm2 以上，又較佳為5.0N/mm2 以上。黏著劑層的每單位斷面積的斷裂強度的測得方法，如同後述的實施例中之記載。 若能量線硬化性化合物為一分子中具有2個以上(較佳為2個)的聚合性官能基、且具有環式構造的化合物時，包含該能量線硬化性化合物的硬化物的黏著劑層的每單位斷面積的斷裂強度，較佳為4.5N/mm2 以上，又較佳為5.0N/mm2 以上。如此般地藉由提高斷裂強度，可進一步提昇防止殘膠之效果。例如，在黏著劑層為含有聚合物成分(AX)、硬化物(B)中的能量線硬化性化合物為來自於具有環式構造的化合物時，即使是在100℃下的黏著力已為提高，但藉由提高斷裂強度，可進一步提昇防止殘膠之效果。 另外，本實施形態的一樣態中，能量線硬化性化合物亦較佳為不具有環式構造，而具有聚合性官能基及鏈狀構造的化合物，此情形時，又較佳為不具有環式構造，而具有鏈狀構造的多官能能量線硬化性化合物。 本實施形態的一樣態中，從多官能能量線硬化性化合物所具有的2個以上的聚合性官能基中任意選出的第1聚合性官能基與第2聚合性官能基之間存在著鍵結成直鏈狀的亞甲基，存在於第1聚合性官能基與第2聚合性官能基之間的鍵結成直鏈狀的亞甲基的數量(以下亦稱為「官能基間鏈長」)較佳為4以上，又較佳為6以上。藉由存在於該第1聚合性官能基與第2聚合性官能基之間的鍵結成直鏈狀的亞甲基的數量為4以上，可降低黏著劑層的楊氏係數。其結果，即使是加熱後的在常溫下的黏著力為低之情形時，亦可保持將黏著薄片貼附於被著體後的初期密著性。關於存在於第1聚合性官能基與第2聚合性官能基之間的鍵結成直鏈狀的亞甲基的數量的求得方法，舉例二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)來進行說明。
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二季戊四醇六丙烯酸酯之情形時，選擇2個聚合性官能基，將存在於第1聚合性官能基(丙烯醯基)與第2聚合性官能基(丙烯醯基)之間的鍵結成直鏈狀的亞甲基的數量，以最大的數量來定義時為6。如二季戊四醇六丙烯酸酯般的分子內具有3個以上的聚合性官能基之情形時，官能基間鏈長的最大的數量只要是4以上即可。在分子內的全部的官能基間中，官能基間鏈長較佳為4以上。尚，二季戊四醇六丙烯酸酯之情形時，在上述的構造式的2及5的鍵結成直鏈狀的亞甲基之中，2個的氫原子為被其他的基所取代。另外，例如，三丙二醇二丙烯酸酯中，鍵結成直鏈狀的亞甲基的一部分中，氫原子為被甲基所取代，另外，該等的亞甲基為介隔氧原子而間接性地鍵結。 本實施形態的一樣態中，從多官能能量線硬化性化合物所具有的2個以上的聚合性官能基中任意選出的第1聚合性官能基與第2聚合性官能基之間存在著亞甲基，存在於第1聚合性官能基與第2聚合性官能基之間的鍵結成直鏈狀的亞甲基的數量較佳為8以上、30以下，又較佳為8以上、12以下。藉由存在於該第1聚合性官能基與第2聚合性官能基之間的鍵結成直鏈狀的亞甲基的數量為8以上、30以下，可進一步提昇防止殘膠之效果，另外，亦可得到降低加熱後的在常溫下的黏著力之效果。該情形時，多官能能量線硬化性化合物的分子內若為具有3個以上的聚合性官能基時，官能基間鏈長的最大的數量只要是上述的範圍內即可，在分子內的全部的官能基間中，官能基間鏈長係以在上述的範圍內為較佳。 作為能量線硬化性低分子化合物，可舉例如多官能(甲基)丙烯酸酯。作為能量線硬化性寡聚物，可舉出多官能胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、多官能聚酯(甲基)丙烯酸酯、多官能聚醚(甲基)丙烯酸酯、及多官能聚矽氧(甲基)丙烯酸酯等。該等可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。所謂的多官能，係指1分子中包含2個以上的聚合性官能基之意思。 多官能(甲基)丙烯酸酯之中，作為1分子中具有2個(甲基)丙烯醯基的(甲基)丙烯酸酯，可舉出1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯、1,10-癸二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇＃400二丙烯酸酯(製品名：APG-400)、聚丙二醇＃700二丙烯酸酯(製品名：APG-700)、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]芴、及丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯等。 多官能(甲基)丙烯酸酯之中，作為1分子中具有3個(甲基)丙烯醯基的(甲基)丙烯酸酯，可舉出三羥甲基乙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、ε-己內酯改性參-(2-丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、及丙三醇三(甲基)丙烯酸酯等。 多官能(甲基)丙烯酸酯之中，作為1分子中具有4個(甲基)丙烯醯基的(甲基)丙烯酸酯，可舉出季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等。 多官能(甲基)丙烯酸酯之中，作為1分子中具有6個(甲基)丙烯醯基的(甲基)丙烯酸酯，可舉出二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。 作為丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯，可使用例如新中村化學(股)製的A-BPP(商品名)。作為ε-己內酯改性參-(2-丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯，可使用例如新中村化學(股)製的A-9300-1CL(商品名)。 多官能(甲基)丙烯酸酯可單獨使用，亦可組合2種以上來使用。 多官能(甲基)丙烯酸酯之中，1分子中的(甲基)丙烯醯基的數量，以2個以上5個以下的(甲基)丙烯酸酯為較佳，以2個或3個的(甲基)丙烯酸酯為又較佳，以2個的(甲基)丙烯酸酯為更佳。 另外，作為能量線硬化性低分子化合物，以具有環式構造的(甲基)丙烯酸酯為較佳，以具有芳香族環、及脂肪族環之至少任1種的環式構造的(甲基)丙烯酸酯為又較佳。 另外，作為能量線硬化性低分子化合物，較佳為具有環式構造的多官能(甲基)丙烯酸酯。具有環式構造的多官能(甲基)丙烯酸酯中，(甲基)丙烯醯基係以2個以上5個以下為較佳，以2個或3個為又較佳，以2個為更佳。具有環式構造的多官能(甲基)丙烯酸酯中，環式構造較佳為芳香族環、及脂肪族環之至少任1種。 作為對於能量線硬化性成分照射的能量線若為使用紫外線之情形時，能量線硬化性成分係以進一步含有光聚合起始劑為較佳。藉由含有光聚合起始劑，可效率良好地使能量線硬化性成分硬化，又，可減少聚合硬化時間及活性能量線的照射量。 作為光聚合起始劑，可舉例如安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚、安息香-n-丁基醚、安息香異丁基醚、苯乙酮、二甲基胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯丙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-2-(羥基-2-丙基)酮、二苯甲酮、p-苯基二苯甲酮、4,4’-二乙基胺基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-胺基蒽醌、2-甲硫基氧雜蒽酮、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲硫基氧雜蒽酮、2,4-二乙基噻吨酮、苄基二甲基縮酮、苯乙酮二甲基縮酮、p-二甲基胺基安息香酸酯、低聚[2-羥基-2-甲基-1[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮]、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦、及2-羥基-1-｛4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基｝-2-甲基-丙烷-1-酮等。該等可單獨使用，亦可組合2種以上來使用。 光聚合起始劑較佳為，相對於能量線硬化性成分100質量份，較佳為2質量份以上15質量份以下、又較佳為5質量份以上12質量份以下的範圍的量來使用。 在不損及本發明的效果之範圍內，黏著劑層亦可包含其他的成分。作為黏著劑層能夠包含的其他的成分，可舉例如選自由黏著輔助劑、有機溶媒、耐燃劑、黏著賦予劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、抗氧化劑、抗靜電劑、防腐劑、防黴劑、可塑劑、消泡劑、著色劑、填充料、及濕潤性調整劑等所構成之群組中之至少任1種的成分。 本實施形態中，黏著劑層之整體質量中所佔的硬化物(B)之比例，較佳為5質量%以上40質量%以下之比例，又較佳為10質量%以上30質量%以下之比例。 黏著劑層的厚度，可因應於黏著薄片的用途而適當決定。本實施形態中，黏著劑層的厚度較佳為5μm以上60μm以下，又較佳為10μm以上50μm以下。黏著劑層的厚度只要是5μm以上，黏著劑層的追循被著體的凹凸將變得容易，可防止間隙的產生。作為具有凹凸的被著體並未特別限定，作為一例可舉出晶片電路面。因此不會有例如層間絶緣材及密封樹脂等進入至半導體晶片的電路面的凹凸的間隙內，而將晶片電路面的配線接續用的電極墊(electrode pad)堵塞等之情形。黏著劑層的厚度只要是60μm以下，半導體晶片將不易沉入至黏著劑層，而不易產生半導體晶片部分、與密封半導體晶片的樹脂部分之間的高低差。因此，再配線之際不會有因為高低差而造成配線斷線等之情形。 ・在100℃下對於聚醯亞胺的黏著力 黏著薄片在100℃下對於聚醯亞胺的黏著力為，較佳為0.04N/25mm以上，又較佳為0.05N/25mm以上，更佳為0.08N/25mm以上。 該黏著力為0.04[N/25mm]以上的黏著薄片，即為可確保加熱時的黏著力、且展現出良好的步驟適性的薄片。 因而，藉由使用0.04[N/25mm]以上的黏著薄片，可抑制黏著薄片自半導體元件等的被著體上的剝離。進一步亦可抑制被著體對於黏著薄片的黏貼位置的偏移(位移)。另外，以黏著薄片貼附於經密封樹脂進行密封後的半導體元件(密封體)之狀態下，即使是在高溫、或高溫及減壓環境下進行電漿處理等的加工之情形時，亦不易產生黏著薄片與密封體之間的膨脹(起泡)、或是自密封體上的剝離。 黏著薄片在100℃下對於聚醯亞胺的黏著力，較佳為1N/25mm以下，又較佳為0.5N/25mm以下。 在氮氛圍下施予190℃、1.5小時的加熱處理後的黏著薄片，在25℃(常溫)下對於聚醯亞胺的黏著力較佳為3N/25mm以下，又較佳為2.5N/25mm以下。該黏著力只要是3N/25mm以下，電子零件的加工後的黏著薄片的剝離除去將變得容易。 黏著劑層的楊氏係數較佳為5MPa以下，又較佳為4MPa以下。黏著劑層為藉由具有如此般的楊氏係數，可提昇在將黏著薄片貼附於電子零件之際的接著性，並可防止至之後的加工開始為止的黏著薄片的剝離。 以黏著薄片在100℃下對於聚醯亞胺的黏著力為0.06N/25mm以上、且黏著劑層的每單位斷面積的斷裂強度為4.5N/mm2 以上為較佳。藉由滿足如此般的黏著力與斷裂強度，可提昇防止殘膠之效果。 (基材) 基材為支撐黏著劑層的構件。 作為基材，可使用例如合成樹脂薄膜等的薄片材料等。作為合成樹脂薄膜，可舉例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺基甲酸酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、多離子聚合物樹脂薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、及聚醯亞胺薄膜等。作為其他的基材，可舉出該等的交聯薄膜及層合薄膜等。 基材較佳為包含聚酯系樹脂，又較佳為由聚酯系樹脂為主成分的材料所構成。本說明書中，所謂的以聚酯系樹脂為主成分而成的材料，係意味著構成基材的材料整體質量中所佔的聚酯系樹脂的質量之比例為50質量%以上之意思。作為聚酯系樹脂，例如，較佳為選自由聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸丁二酯樹脂、及該等的樹脂的共聚合樹脂所構成之群組中之任1種樹脂，又較佳為聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。 作為基材，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、或聚萘二甲酸乙二酯薄膜，又較佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。 從基材側照射能量線來使能量線硬化性成分硬化之情形時，以能使能量線透過的材質來形成基材為較佳。作為能量線若使用紫外線時，以紫外線透過性的材質來形成基材為較佳。 基材的在100℃的儲存模數的下限，就加工時的尺寸穩定性之觀點而言，較佳為1×107 Pa以上，又較佳為1×108 Pa以上。基材的在100℃的儲存模數的上限，就加工適性之觀點而言，較佳為1×1012 Pa以下。 尚，本說明書中，基材的在100℃的儲存模數為使用黏彈性測定機器，以頻率1Hz所測得的拉伸模數的值。將測定基材切斷成為寬5mm、長度20mm，使用黏彈性測定機器(TAInstruments公司製、DMAQ800)，以頻率1Hz、藉由拉伸模式來測得100℃的儲存黏彈率。 為了提高基材與黏著劑層的密著性，第一基材面亦可施予底漆處理、電暈處理、及電漿處理等的至少任1種的表面處理。 基材的厚度，較佳為10μm以上500μm以下，又較佳為15μm以上300μm以下，更佳為20μm以上250μm以下。 (剝離薄片) 作為剝離薄片並未特別限定。例如，就易操作之觀點而言，剝離薄片較佳為具備剝離基材、及剝離劑層，該剝離劑層為在該剝離基材的上方塗佈剝離劑而形成的。另外，剝離薄片亦可在剝離基材的僅單面上具備剝離劑層，亦可在剝離基材的雙面上具備剝離劑層。 在層合剝離薄片後從剝離薄片側照射能量線來使能量線硬化性成分硬化之情形時，以能使能量線透過的材質來形成剝離薄片為較佳。作為能量線若使用紫外線時，以紫外線透過性的材質來形成剝離薄片為較佳。 作為剝離基材，可舉例如紙基材、對於該紙基材層合聚乙烯等的熱可塑性樹脂而成的層合紙、及塑膠薄膜等。作為紙基材，可舉出玻璃紙、塗佈紙、及澆鑄塗佈紙等。作為塑膠薄膜，可舉出聚酯薄膜(例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、及聚萘二甲酸乙二酯等)、以及聚烯烴薄膜(例如聚丙烯、及聚乙烯等)等。 作為剝離劑，可舉例如烯烴系樹脂、橡膠系彈性物(例如丁二烯系樹脂、及異戊二烯系樹脂等)、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂、以及聚矽氧系樹脂等。若黏著劑層為由聚矽氧系黏著劑組成物所構成時，剝離劑較佳為非聚矽氧系的剝離劑。 剝離薄片的厚度並未特別限定。剝離薄片的厚度，通常為20μm以上200μm以下，較佳為25μm以上150μm以下。 剝離劑層的厚度並未特別限定。若為塗佈包含剝離劑的溶液來形成剝離劑層之情形時，剝離劑層的厚度較佳為0.01μm以上2.0μm以下，又較佳為0.03μm以上1.0μm以下。 作為剝離基材若使用塑膠薄膜時，該塑膠薄膜的厚度較佳為3μm以上50μm以下，又較佳為5μm以上40μm以下。 (黏著薄片的製造方法) 黏著薄片的製造方法並未特別限定。 藉由塗佈法來形成黏著劑層之情形時，較佳為使用以有機溶媒稀釋黏著劑組成物來調製塗佈液(塗佈用黏著劑液)。 黏著劑組成物至少包含能量線硬化性成分及聚合物成分(A)。黏著劑組成物亦可進一步包含選自由交聯劑、交聯促進劑、及其他的成分所構成之群組中之至少任1種的成分。 作為有機溶媒，可舉例如芳香族系溶媒、脂肪族系溶媒、酯系溶媒、酮系溶媒、及醇系溶媒。作為芳香族系溶媒，可舉例如苯、甲苯、及二甲苯。作為脂肪族系溶媒，可舉例如正己烷、及正庚烷。作為酯系溶媒，可舉例如乙酸乙酯及乙酸丁酯。作為酮系溶媒，可舉例如甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、及環戊酮。作為醇系溶媒，可舉例如異丙醇、及甲醇。 例如，黏著薄片可經歷如下述般的步驟來製造。 首先，將黏著劑組成物塗佈於基材的第一基材面的上方，以形成塗膜。接下來，乾燥該塗膜，並進一步照射能量線來使能量線硬化性成分硬化而形成硬化物，藉此形成黏著劑層。之後，黏貼剝離薄片來被覆黏著劑層。 作為黏著薄片的別的製造方法，可經歷如下述般的步驟來製造。首先，將黏著劑組成物塗佈於剝離薄片的上方，以形成塗膜。接下來，乾燥塗膜，將基材的第一基材面貼合至塗膜。接下來，使能量線透過剝離薄片來對於塗膜進行照射，以使能量線硬化性成分硬化而形成硬化物，藉此形成黏著劑層。 作為黏著薄片的進一步的其他的製造方法，可舉出如下述之方法：將黏著劑組成物塗佈至基材的第一基材面的上方，以形成塗膜。接下來，乾燥該塗膜，並將剝離薄片黏貼於該塗膜，來被覆塗膜。之後，從基材側及剝離薄片側之至少任1側來照射能量線，以使塗膜中的能量線硬化性成分硬化而形成硬化物，藉此形成黏著劑層之方法。 塗佈塗佈液之方法並未特別限定。作為塗佈方法，可舉例如旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、桿塗佈法、刀片塗佈法、輥刀塗佈法、輥塗佈法、刮刀塗佈法、模塗法、及凹版塗佈法等。 為了防止有機溶媒及低沸點成分殘留於黏著劑層中，在將塗佈液塗佈至基材或剝離薄片後，較佳將塗膜進行加熱並乾燥。 黏著劑組成物中若調配有交聯劑時，為了使交聯反應進行並提昇凝集力，亦以將塗膜進行加熱為較佳。可在用來使交聯反應進行的加熱之前或之後來照射能量線，但以加熱後的照射能量線為較佳。尚若為了使塗膜乾燥、及促進黏著劑組成物的交聯反應而加熱黏著劑組成物時，認為因加熱而參與交聯的官能基的全部的反應並不會結束，而是在之後的黏著薄片的保管中殘留的官能基仍會慢慢地反應，進而使黏著劑組成物的交聯進行。因而，於加熱塗膜後、以能量線照射來形成聚合物成分(A)被拘束於硬化物(B)的三次元網目構造中的構造，進一步藉由進行聚合物成分(A)的交聯，因此認為形成了硬化物(B)與聚合物成分(A)的交聯構造為相互侵入之狀態。 (黏著薄片的使用) 黏著薄片係被使用作為電子零件加工用的黏著薄片。另外，作為黏著薄片的其他的使用樣態，可舉出使用於用來固定或保護電子零件的樣態。作為電子零件的固定或保護的一例，黏著薄片係被使用於在將半導體元件進行密封之際。本實施形態的黏著薄片係於黏著劑組成物中的能量線硬化性成分被硬化而形成硬化物後來使用。 黏著薄片較佳為使用於將黏貼於黏著薄片上之狀態的半導體元件進行密封之際，而非搭載於金屬製引線框之狀態。具體而言，黏著薄片並非使用於將搭載於金屬製引線框的半導體元件進行密封之際，而是較佳為使用於將黏貼於黏著劑層的狀態的半導體元件進行密封之際。亦即，以半導體元件為直接貼附於黏著薄片之狀態下來使用為較佳。本發明的黏著薄片，即使是進行在高溫、或高溫及減壓環境下的步驟之情形時，亦不易產生黏著薄片與密封體之間的膨脹(起泡)、或是自密封體上的剝離。作為不使用金屬製引線框來將半導體元件進行封裝之形態，可舉出平板級封裝(Panel Level Package；PLP)及WLP等。 黏著薄片較佳為使用於具有下述步驟的製程中：將黏著薄片黏貼於形成有複數開口部的框構件上之步驟；於前述框構件的開口部露出的黏著劑層上，黏貼半導體晶片之步驟；以密封樹脂被覆前述半導體晶片之步驟；及將前述密封樹脂熱硬化之步驟。 尚，密封樹脂的材質並未特別限定，可為熱硬化性樹脂，亦可為以紫外線等的能量線硬化的能量線硬化性樹脂。 本實施形態的黏著薄片中，黏著劑層若包含聚合物成分(AX)時，由於聚合物成分(AX)具有「不包含N-H鍵的含氮官能基」，故作為密封樹脂的材質，可適合使用環氧系樹脂。 若密封樹脂的材質為環氧系樹脂時，將黏著薄片自被著體上進行剝離之際，由於不會產生環氧系樹脂與具有N-H鍵的基之間的反應，故可相對容易地將黏著薄片自被著體上進行剝離，且可更容易地減低殘膠於被著體。 使密封樹脂進行熱硬化之步驟後，作為在高溫、或高溫及減壓環境下進行的步驟，亦有進行電漿處理等的加工步驟之情形。 除了使密封樹脂進行熱硬化之步驟及電漿處理步驟以外，作為在高溫、或高溫及減壓環境下進行的步驟，可舉出對於電子零件進行金屬等的濺鍍的步驟、以熱水等來將電子零件進行洗淨的步驟等。 在基材與黏著劑層之間亦可設置中間層。中間層較佳為具有因應所期望的目的之機能。作為中間層，可舉例如後述的寡聚物密封層、底漆層、及抗靜電層等。例如，藉由設置中間層，可使基材與黏著劑層間的密著性、抑制寡聚物的於基材表面上的析出、以及抗靜電性之中至少1個為提昇。 另外，在基材的未設置黏著劑層側的表面上，亦可設置機能層。作為機能層，可舉例如後述的寡聚物密封層、及抗靜電層等。例如，藉由設置中間層，可使抑制寡聚物的於基材表面上的析出、以及抗靜電性之中至少1個為提昇。 ＜第二實施形態＞ 第二實施形態相關的黏著薄片與第一實施形態相關的黏著薄片的相異處為：在基材與黏著劑層之間包含寡聚物密封層。由於其他方面與第一實施形態為相同，故省略或簡化說明。以下有將符號之記載予以省略之情形。 (寡聚物密封層) 寡聚物密封層為設置於基材與黏著劑層之間。寡聚物密封層為將起因於基材的寡聚物予以封入基材中而使用之層。寡聚物密封層較佳為：即使是在例如180℃以上200℃以下的高溫條件下，亦能防止寡聚物對於黏著劑層的浸入。 圖2為表示第二實施形態相關的黏著薄片10A的斷面圖。黏著薄片10A具有寡聚物密封層13。 黏著薄片10A依序為具有：基材11、寡聚物密封層13、及黏著劑層12。黏著薄片10A中，寡聚物密封層13被層合於第一基材面11a。 黏著劑層12包含聚合物成分(A)與硬化物(B)。 第二實施形態的黏著薄片10A，由於在基材11與黏著劑層12之間具有寡聚物密封層13，即使是黏著薄片10A被加熱，亦可抑制寡聚物移動至黏著劑層12與被著體之界面。 因而，藉由第二實施形態的黏著薄片10A，可更提昇加熱時的黏著力，可更加防止在自被著體上進行剝離之際的殘膠之產生。 ・寡聚物密封層的膜厚 寡聚物密封層的厚度，較佳為50nm以上500nm以下，又較佳為80nm以上300nm以下。 寡聚物密封層的厚度只要是50nm以上，則可有效地防止基材中所包含的寡聚物對於黏著劑層的浸入。 寡聚物密封層的厚度只要是500nm以下，例如在將黏著薄片以芯材捲取成輥狀之際，捲取將變得容易。作為芯材的材質，可舉例如紙製、塑膠製、及金屬製。 寡聚物密封層的材質，只要是能夠防止基材中的寡聚物浸入至黏著劑層12即可，未特別限定。 例如，寡聚物密封層較佳為將寡聚物密封層用組成物硬化而得的硬化皮膜。寡聚物密封層用組成物，例如，較佳為包含選自由(A)環氧化合物、(B)聚酯化合物、及(C)多官能胺基化合物所構成之群組中之至少1種，又較佳為包含(A)環氧化合物、及(C)多官能胺基化合物，更佳為包含(A)環氧化合物、(B)聚酯化合物、及(C)多官能胺基化合物。 為了促進硬化反應，寡聚物密封層用組成物亦可進一步包含(D)酸性觸媒。 ・(A)環氧化合物 (A)環氧化合物較佳為雙酚A型環氧化合物。作為雙酚A型環氧化合物，可舉出雙酚A二縮水甘油醚等。 ・(B)聚酯化合物 作為(B)聚酯化合物並未特別限定，可從周知的聚酯化合物之中適當選擇來使用。作為聚酯化合物，具體而言可舉出，作為藉由多元醇與多元酸的縮合反應而得到的樹脂的二元酸與二價醇的縮合物、或是作為以不乾性油脂肪酸等改性而成的化合物的不轉化性聚酯化合物、及作為二元酸與三價以上的醇的縮合物的轉化性聚酯化合物等。 作為(B)聚酯化合物的原料而使用多元醇及多元酸之方面，可從周知的多元醇及多元酸中適當選擇來使用。 ・(C)多官能胺基化合物 作為(C)多官能胺基化合物，可使用例如三聚氰胺化合物、尿素化合物、苯并胍胺化合物、及二胺類。 作為三聚氰胺化合物，可舉例如六甲氧基甲基三聚氰胺、甲基化三聚氰胺化合物、及丁基化三聚氰胺化合物。 作為尿素化合物，可舉例如甲基化尿素化合物、及丁基化尿素化合物。 作為苯并胍胺化合物，可舉例如甲基化苯并胍胺化合物、及丁基化苯并胍胺化合物。 作為二胺類，可舉例如乙二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、N,N’-二苯基乙二胺、及p-二甲苯二胺。 就硬化性之觀點而言，作為(C)多官能胺基化合物，以六甲氧基甲基三聚氰胺為較佳。 ・(D)酸性觸媒 作為酸性觸媒(D)，可舉例如鹽酸、及p-甲苯磺酸。 ・硬化皮膜 本實施形態中，寡聚物密封層較佳為將寡聚物密封層用組成物硬化而得的硬化皮膜，所述的寡聚物密封層用組成物係分別以(A)50質量%以上80質量%以下、(B)5質量%以上30質量%以下、及(C)10質量%以上40質量%以下的調配率來含有(A)雙酚A型環氧化合物、(B)聚酯化合物、及(C)多官能胺基化合物。若寡聚物密封層用組成物中調配有(D)酸性觸媒時，較佳為將(D)成分的含量設為1質量%以上5質量%以下。 藉由使前述範圍的調配率的寡聚物密封層用組成物硬化而得的硬化皮膜，可提昇藉由寡聚物密封層所帶來的防止寡聚物浸入至黏著劑層12之效果。 (第二實施形態的黏著薄片之製造方法) 例如，可經歷如下述般的步驟來製造第二實施形態的黏著薄片。 首先，將寡聚物密封層形成用組成物塗佈於基材的第一基材面的上方，以形成塗膜。接下來，使該塗膜加熱及硬化，來形成作為寡聚物密封層的硬化皮膜。加熱硬化的條件為例如120℃以上170℃以下、5秒鐘以上5分鐘以內。 接下來，在基材的第一基材面的上方所形成的寡聚物密封層的上方，與第一實施形態中之說明為相同地來形成黏著劑層。 ＜第三實施形態＞ 第三實施形態相關的黏著薄片與第二實施形態相關的黏著薄片的相異處為：基材的雙面具有寡聚物密封層。由於其他方面與第二實施形態為相同，故省略或簡化說明。 圖3為表示第三實施形態的一例相關的黏著薄片10B的斷面圖。 黏著薄片10B依序為具有：形成於基材11的第二基材面11b的寡聚物密封層13B、基材11、形成於基材11的第一基材面11a的寡聚物密封層13A、及黏著劑層12。 第三實施形態的黏著薄片10B，由於在基材11的雙面具有寡聚物密封層13A、13B，除了第二實施形態之效果以外，可抑制從第二基材面11b析出的寡聚物附著於被著體以外的構件及裝置之汚染。例如，在製造半導體裝置之際，可抑制在加熱壓製步驟中的與黏著薄片接觸的板狀構件之汚染。 (第三實施形態的黏著薄片的製造方法) 第三實施形態的黏著薄片係於第二實施形態的黏著薄片的製造方法中，將由前述寡聚物密封層形成用組成物所構成的塗膜形成於基材的第一基材面及第二基材面的上方，藉此來製造。 [實施形態的變形] 本發明並不限定於前述實施形態，在可達成本發明的目的之範圍內的變形及改良等，亦包含於本發明中。尚，以下的說明中，只要是與前述實施形態中說明的構件等為相同時，以附上相同的符號而省略或簡化說明。 黏著薄片可為片狀薄片，亦可為複數片的黏著薄片經層合之狀態來提供。該情形時，例如，黏著劑層亦能以被層合的其他的黏著薄片的基材來被覆。 另外，黏著薄片可為帶狀的薄片，亦可為捲取成輥狀之狀態來提供。捲取成輥狀的黏著薄片，可從輥中被捲出並切斷成為所期望的尺寸等而使用。另外，可將黏著薄片預先切斷成為所期望的尺寸，並以載持於帶狀剝離薄片之狀態下來提供。 另外，寡聚物密封層亦可僅設置於基材的第二基材面。基材的第二基材面上，可直接、或介隔寡聚物密封層等來設置接著劑層。接著劑層係將黏著薄片藉由接著劑層來貼附於支撐基板等，並用於將電子零件固定於黏著薄片的黏著劑層上之情形等。使用於接著劑層的接著劑，可與黏著劑層的黏著劑為同種類，亦可為相異的種類。 [實施例] 以下為舉出實施例來進一步詳細地說明本發明。本發明並不受到實施例任何的限定。 [評估方法] 根據以下所表示的方法來進行黏著薄片之評估。將結果表示於表1、表2及表3中。 (高溫真空時的起泡產生之評估) 將玻璃環氧基板(日立化成(股)製、「MCL-E-679FG」(商品名)、100mm×100mm×0.4mm)使用＃800的研磨材來進行研磨。研磨後，將實施例及比較例所製作的黏著薄片貼附於玻璃環氧基板的經研磨面的整體。黏著薄片的貼附係使用輥貼合機。 將黏著薄片貼附於玻璃環氧基板後，使用加熱真空貼合機(Nikko-Materials (股)製、「V130」(商品名))，以100℃進行真空層合從而製作測定樣品。 真空層合後，將測定樣品浸漬在85℃的溫水中30分鐘。浸漬後，從溫水中取出測定樣品，並擦拭測定樣品的表面上的水滴。擦拭後，將測定樣品投入至25℃的加熱真空乾燥機。 之後，將加熱真空乾燥機內減壓(未滿0.005MPa)，並將設定溫度設為130℃來加熱測定樣品。將昇溫速度設為5℃/min。加熱真空乾燥機內從25℃成為至130℃為止，利用目視來確認膨脹(起泡)是否產生。 判定A：未產生膨脹(起泡)。 判定B：在被著體的面積10cm2 中未滿50%的面積產生了膨脹(起泡)。 判定C：在被著體的面積10cm2 中50%以上的面積產生了膨脹(起泡)。 (初期密著試驗) 將玻璃環氧基板(日立化成(股)製、「MCL-E-679FG」(商品名)、100mm×100mm×0.4mm)的表面，使用＃800的研磨材來進行研磨。研磨後，將實施例及比較例所製作的黏著薄片貼附於玻璃環氧基板的經研磨面的整體。黏著薄片的貼附係使2kg軋輥往返一次來進行。在標準環境(23℃50%RH)中靜置30分鐘後，在相同標準環境下來測定黏著力。 測定條件係如以下般。 ・裝置：島津製作所製拉伸試驗機AG-X plus 10kN ・剝離角度：180° ・剝離速度：300mm/min 該黏著力若為0.08N/25mm以上之情形時評估為A，若未滿0.08N/25mm之情形時則評估為B。 (在100℃下對於聚醯亞胺的黏著力) 將聚醯亞胺薄膜(Toray・Dupont(股)製、Kempton 200H(商品名))，使用雙面膠帶(Lintec(股)製、TL-450S-16(商品名))來貼附於鋁板(150mm×70mm、厚度1mm)上。參考JIS Z 0237(2000)，對於聚醯亞胺薄膜變更測定溫度從而來測定黏著薄片的黏著力。將實施例及比較例所製作的黏著薄片貼附至上述之聚醯亞胺薄膜上來製作測定樣品，並將該測定樣品放置在23℃、50%相對濕度的環境下30分鐘，接下來，在100℃的環境下放置3分鐘後，在100℃的環境下來進行拉伸試驗。 尚，將黏著力為0.04[N/25mm]以上的黏著薄片，判定為可確保黏著力、且展現出良好的步驟適性的薄片。 測定條件係設定如以下般。 ・裝置：附帶恆溫槽的拉伸試驗機((股)ORIENTEC製「TENSILON」(商品名)) ・剝離角度：180° ・剝離速度：300mm/min 尚，本說明書中有時將聚醯亞胺代號為PI。 (於加熱後、在常溫下的對聚醯亞胺的黏著力) 與在100℃下對於聚醯亞胺的黏著力為相同地，將實施例及比較例所製作的黏著薄片貼附在上述之聚醯亞胺薄膜上來製作測定樣品。之後，將測定樣品在氮環境下來進行加熱。 加熱條件係如以下般。 ・裝置：MOTOYAMA製MS-3642 ・N2 流量：1.5L/min(N2 純度：99.995%(體積)) ・真實溫度：190℃ ・時間：1.5hr 之後，在標準環境(23℃、50%RH)下靜置6小時以上後，在相同標準環境下，以剝離角度180°、剝離速度300mm/min，將黏著薄片自測定樣品上進行剝離。 (黏著劑層的楊氏係數) 將實施例及比較例中的，使乾燥後的塗佈用黏著劑液的塗膜貼合至附帶寡聚物密封層的基材，替代成與Lintec製剝離薄膜「SP-PET381031」(商品名)的具備剝離劑層的面貼合，從而製作不具有基材的單層的黏著劑層。以試樣成為200μm厚度之方式來層合該黏著劑層4層。將僅只該黏著劑層的層合體作為試樣，依下述之條件來進行拉伸試驗，並由應變及應力的測定結果，將應力的變化對於應變的變化予以圖表化。由應力的變化對於應變的變化之初期斜率來測定黏著劑的楊氏係數。 ・裝置：島津製作所製拉伸試驗機AG-X plus 10kN ・試驗樣品尺寸：測定區域長度50mm×15mm寬 ・拉伸試驗速度：200mm/min (黏著劑層的每單位斷面積的斷裂強度) 採用與黏著劑層的楊氏係數測定為相同的方法來進行拉伸試驗，將到達斷裂時的力的最大值(斷裂強度)除以初期的樣品的斷面積，從而算出每單位面積的斷裂強度。 (第1殘渣物評估(第1殘膠評估)) 預先將銅箔使用＃800的研磨材來進行研磨，並沿著銅箔的表面的一方向來形成研磨傷(研磨後的算術平均粗糙度Ra=0.2±0.1μm)。將實施例及比較例所製作的黏著薄片，貼附於形成有該研磨傷的銅箔的表面上。於此，僅只關於比較例1-3的黏著薄片，使用作為紫外線照射裝置的Eye graphics公司製的高壓水銀燈，以照度200mW/ cm2 、累積光量200mJ/ cm2 的條件下，來照射紫外線。之後，將被貼附在銅箔的黏著薄片以100℃加熱30分鐘，接下來，以180℃加熱30分鐘，再接下來，以190℃加熱60分鐘。加熱後，以室溫下3mm/min的速度來剝離黏著薄片。將剝離黏著薄片的方向設為，相對於研磨傷為呈垂直的方向。利用數位顯微鏡來觀察剝離黏著薄片後的銅箔的表面，並評估殘膠。殘膠的評估中之判定基準係如以下般。 A判定：無殘膠。 B判定：部分地存在殘膠。 C判定：全面地存在殘膠。 (第2殘渣物評估(第2殘膠評估)) 將聚醯亞胺薄膜(Toray・Dupont(股)製、Kempton 200H(商品名))，使用雙面膠帶(Lintec(股)製、TL-450S-16(商品名))貼合至矽鏡面晶圓(直徑6吋、厚度0.68mm)的鏡面上。 之後，使用雷射加工(EO TECHNICS公司製CSM300M)，以3mm間隔來刻印200μmø的圓形標記在聚醯亞胺薄膜的表面上(雷射波長512nm、輸出1.0W、掃描速度300mm/s)。 尚，於本評估時，為了以容易產生殘膠的條件下來進行評估，故如上述般，藉由雷射剝蝕(laser ablation)來刻印上述標記在聚醯亞胺薄膜的表面上，以形成凹凸。 參考JIS Z0237(2000)，藉由2kg軋輥的本身重量來施加力量，將實施例及比較例所製作的黏著薄片層合於聚醯亞胺薄膜的加工面，進而，從其上方進行加熱層合後，來製作測定樣品。 加熱層合之條件係如以下般。 ・裝置：Nikko-Materials公司製、真空貼合機V-130 ・加熱溫度：100℃ ・真空待機：60sec ・隔膜加壓：0.3MPa 之後，在氮環境下加熱測定樣品。 加熱條件係如以下般。 ・裝置：MOTOYAMA製MS-3642 ・N2 流量：1.5L/min(N2 純度：99.995%(體積)) ・真實溫度：190℃ ・時間：1.5hr 之後，在標準環境(23℃、50%RH)下靜置6小時以上後，以剝離角度180°及剝離速度300mm/min，將黏著薄片自測定樣品上進行剝離。利用SEM(掃描電子顯微鏡、觀察倍率3000倍)來觀察剝離黏著薄片後的聚醯亞胺薄膜的表面，並依殘渣物的產生的樣態來評估殘膠。殘膠的評估中之判定基準係如以下般。 -判定基準- A判定：無殘渣物。 B判定：有殘渣物、且殘渣物的大小為未滿5μm。 C判定：有殘渣物、且殘渣物的大小為5μm以上未滿10μm。 D判定：有殘渣物、且殘渣物的大小為10μm以上。 [黏著薄片的製作] [實施例1-1] (1-1)塗佈用寡聚物密封劑液的調製 調配下述(A)雙酚A型環氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺基化合物及(D)酸性觸媒，並充分地進行攪拌，從而調製實施例1-1相關的塗佈用寡聚物密封劑液(寡聚物密封層用組成物)。 (A)雙酚A型環氧化合物 DIC公司製「EPICLON H-360」(商品名)、固形分濃度：40質量%、質量平均分子量：25000 (B)聚酯化合物 東洋紡織公司製「VylonGK680」(商品名)、數量平均分子量：6000、玻璃移轉溫度：10℃ (C)多官能胺基化合物 六甲氧基甲基三聚氰胺、Cytec Industries Japan公司製「CYMEL303」(商品名) (D)酸性觸媒 p-甲苯磺酸的甲醇溶液(固形分濃度：50質量%) 具體而言，在上述(A)雙酚A型環氧化合物100質量份中，加入上述(B)聚酯化合物的甲苯稀釋溶液(固形分濃度：30質量%)19.0質量份、及上述(C)六甲氧基甲基三聚氰胺11.4質量份，進而以甲苯/甲基乙基酮=50質量%/50質量%的混合溶劑來進行稀釋，從而調製固形分濃度為3質量%的溶液。攪拌已調製的溶液，在攪拌後的溶液中添加(D)p-甲苯磺酸的甲醇溶液(固形分濃度：50質量%)2.9質量份，從而得到塗佈用寡聚物密封劑液。尚，質量份數係全部為固形分換算。 (1-2)寡聚物密封層的製作(附帶寡聚物密封層的基材的製作) 藉由Mayer桿(Mayer bar)塗佈法，將已調製的塗佈用寡聚物密封劑液均勻地塗佈至經退火的雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(Teijin Film Solutions股份有限公司製「Teijin Tetoron G2A」(商品名)、厚度25μm)之單面上。使塗佈後的薄膜通過烘箱的內部，並使塗膜加熱硬化形成厚度為150nm的寡聚物密封層，從而得到附帶寡聚物密封層的基材。作為烘箱中之熱風的吹出條件係將溫度設為150℃，風速設為8m/min。作為烘箱中之加工速度係調整成塗佈後的薄膜，以20秒通過烘箱內部的速度。 (1-3)黏著劑組成物的製作 調配以下之材料(聚合物(聚合物成分)、交聯劑、具有聚合性官能基的低分子化合物、光聚合起始劑及稀釋溶劑)，並充分地進行攪拌，從而調製實施例1-1相關的塗佈用黏著劑液。 ・聚合物：丙烯酸酯共聚物、100質量份(固形分) 丙烯酸酯共聚物係將丙烯酸2-乙基己酯92.8質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、及丙烯酸0.2質量%進行共聚合從而來調製。 ・交聯劑：具有六亞甲基二異氰酸酯的脂肪族系異氰酸酯[Polyurethane Industry Japan(股)公司製；Coronate HX]、7.4質量份(固形分) ・具有聚合性官能基的低分子化合物：三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-DCP]23.3質量份(固形分) ・光聚合起始劑：2-羥基-1-｛4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基｝-2-甲基-丙烷-1-酮[IGM Resin公司製；Omnirad 127]4.1質量份(固形分) ・稀釋溶劑：使用乙酸乙酯，塗佈用黏著劑液的固形分濃度係調製成30質量%。 (1-4)黏著劑層的製作 使用刀片塗佈機，將已調製的塗佈用黏著劑液塗佈至具備聚矽氧系剝離層的厚度38μm的由透明聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成的剝離薄膜[Lintec(股)公司製；SP-PET382150]的剝離層面側。接下來，對剝離薄膜上的塗佈用黏著劑液的塗膜，以90℃進行90秒鐘的加熱，接下來以115℃進行90秒鐘的加熱，從而使塗膜乾燥。之後，使塗膜與藉由上述之製程所得到的附帶寡聚物密封層的基材的設置有寡聚物密封層之面進行貼合。又，作為紫外線照射裝置使用Eye graphics公司製的高壓水銀燈，以照度200mW/cm2 、累積光量200mJ/cm2 的條件下，從剝離薄膜側對塗膜照射紫外線來製作厚度50μm的黏著劑層。以如此般之方式從而得到實施例1-1相關的黏著薄片。 [實施例1-2] 除了使用9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]芴[新中村化學(股)製；A-BPEF]23.3質量份(固形分)，來替代三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯23.3質量份(固形分)以外，其餘採用與實施例1-1為相同之方式，從而得到實施例1-2的黏著薄片。 [實施例1-3] 除了使用丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)製；A-BPP]23.3質量份(固形分)，來替代三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯23.3質量份(固形分)以外，其餘採用與實施例1-1為相同之方式，從而得到實施例1-3的黏著薄片。 [實施例1-4] 除了使用二季戊四醇六丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-DPH](官能基間鏈長：6)23.3質量份(固形分)，來替代三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯23.3質量份(固形分)以外，其餘採用與實施例1-1為相同之方式，從而得到實施例1-4的黏著薄片。 [實施例1-5] 除了使用ε-己內酯改性參-(2-丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯[新中村化學(股)公司製；A-9300-1CL]23.3質量份(固形分)，來替代三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯23.3質量份(固形分)以外，其餘採用與實施例1-1為相同之方式，從而得到實施例1-5的黏著薄片。 [比較例1-1] 除了於黏著劑組成物的製作中，調配以下之材料(聚合物、黏著輔助劑、交聯劑及稀釋溶劑)，於黏著劑層的製作中，省略照射紫外線之步驟以外，其餘採用與實施例1-1為相同之方式，從而得到比較例1-1的黏著薄片。 ・聚合物：丙烯酸酯共聚物、100質量份(固形分) 丙烯酸酯共聚物係將丙烯酸2-乙基己酯92.8質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、及丙烯酸0.2質量%進行共聚合從而來調製。 ・黏著輔助劑：兩末端羥基氫化聚丁二烯[日本曹達(股)製；GI-1000]、12.5質量份(固形分) ・交聯劑：具有六亞甲基二異氰酸酯的脂肪族系異氰酸酯[Polyurethane Industry Japan(股)製；Coronate HX]、8.75質量份(固形分) ・稀釋溶劑：使用甲基乙基酮，塗佈用黏著劑液的固形分濃度係調製成30質量%。 [比較例1-2] 除了於黏著劑組成物的製作中，不調配黏著輔助劑以外，其餘採用與比較例1-1為相同之方式，從而得到比較例1-2的黏著薄片。 [比較例1-3] 除了省略照射紫外線之步驟以外，其餘採用與實施例1-1為相同之方式，從而得到比較例1-3的黏著薄片。尚，於第1殘渣物評估時，依上述之條件來照射紫外線後再進行評估。
Figure 02_image007
[試驗・評估結果] 起泡試驗之結果，關於實施例1-1、1-2及1-3為未產生膨脹(起泡)，而為A判定；關於實施例1-4及1-5為B判定；關於比較例1-1及1-2為C判定，比較例1-3則為B判定。在黏貼至被著體之前，藉由預先使紫外線硬化性成分硬化並使成為硬化物，含有該硬化物的的黏著劑層的黏著力為提昇，確認具有抑制起泡產生的效果。使用一分子中具有2個聚合性官能基的紫外線硬化性成分的實施例1-1、1-2及1-3，抑制膨脹(起泡)的效果為更高。 第1殘渣物評估之結果，關於實施例1-1、1-2、1-3、1-4及1-5為無殘膠的A判定。關於比較例1-1為部分地存在殘膠的B判定；關於比較例1-2及比較例1-3為全面地存在殘膠的C判定。 由該結果可確認得知，即使是於密封步驟中使用實施例1-1、1-2、1-3、1-4及1-5相關的黏著薄片之情形時，亦不會產生殘膠，進而，實施例1-1、1-2及1-3相關的黏著薄片，即使是如電漿步驟般的容易產生起泡的步驟，仍不易產生剝離。 [實施例2-1] (2-1)塗佈用寡聚物密封劑液的調製 採用與實施例1-1相關的塗佈用寡聚物密封劑液的調製為相同之方式，來調製實施例2-1相關的塗佈用寡聚物密封劑液。 (2-2)寡聚物密封層的製作(附帶寡聚物密封層的基材的製作) 作為基材，準備經退火的雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(Teijin Film Solutions股份有限公司製「Teijin Tetoron G2A」(商品名)、厚度25μm)。以下，將經退火的雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯薄膜亦簡稱為「PET薄膜」。 藉由Mayer桿塗佈法，將已調製的塗佈用寡聚物密封劑液均勻地塗佈至「PET薄膜」之單面上。將塗佈用寡聚物密封劑液進行塗佈後的「PET薄膜」通過烘箱的內部，並使塗膜加熱硬化，從而在PET薄膜的單面上形成厚度為150nm的寡聚物密封層。接下來，在「PET薄膜」之另一表面上亦採用相同之方式來形成厚度為150nm的寡聚物密封層，從而得到附帶雙面寡聚物密封層的基材。作為烘箱中之熱風的吹出條件係將溫度設為150℃，風速設為8m/min。作為烘箱中之加工速度係調整成塗佈後的「PET薄膜」，以20秒通過烘箱內部的速度。 (2-3)黏著劑組成物的製作 調配以下之材料(聚合物(聚合物成分(A))、交聯劑、具有聚合性官能基的低分子化合物、光聚合起始劑及稀釋溶劑)，並充分地進行攪拌，從而調製實施例2-1相關的塗佈用黏著劑液。 ・聚合物：丙烯酸酯共聚物(聚合物成分(A))、100質量份(固形分) 丙烯酸酯共聚物係將丙烯酸2-乙基己酯80.8質量%、丙烯醯基嗎福林(具有含氮官能基的單體)12.0質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、及丙烯酸0.2質量%進行共聚合，從而來調製重量平均分子量440,000的聚合物。 ・交聯劑：具有六亞甲基二異氰酸酯的脂肪族系異氰酸酯[Polyurethane Industry Japan(股)公司製；Coronate HX]、7.4質量份(固形分) ・具有聚合性官能基的低分子化合物：丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-BPP-3]23.3質量份(固形分) ・光聚合起始劑：2-羥基-1-｛4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基｝-2-甲基-丙烷-1-酮[IGM Resin公司製；Omnirad 127]4.1質量份(固形分) ・稀釋溶劑：使用乙酸乙酯，塗佈用黏著劑液的固形分濃度係調製成30質量%。 (2-4)黏著劑層的製作 使用刀片塗佈機，將已調製的塗佈用黏著劑液塗佈至具備聚矽氧系剝離層的厚度38μm的由透明聚對苯二甲酸乙二酯薄膜所成的剝離薄膜[Lintec(股)公司製；SP-PET382150]的剝離層面側。接下來，對剝離薄膜上的塗佈用黏著劑液的塗膜以90℃進行90秒鐘的加熱，接下來以115℃進行90秒鐘的加熱，從而使塗膜乾燥。之後，使塗膜與藉由上述之製程所得到的附帶寡聚物密封層的基材的設置有寡聚物密封層之單面進行貼合。又，作為紫外線照射裝置使用Eye graphics公司製的高壓水銀燈，以照度200mW/cm2 、累積光量200mJ/cm2 的條件下，從剝離薄膜側對塗膜照射紫外線來製作厚度50μm的黏著劑層。以如此般之方式，從而得到實施例2-1相關的黏著薄片。 [實施例2-2] 除了將作為聚合物成分(A)的丙烯酸酯共聚物，以丙烯酸2-乙基己酯86.8質量%、丙烯醯基嗎福林6.0質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、及丙烯酸0.2質量%進行共聚合，從而調製重量平均分子量510,000的聚合物以外，其餘採用與實施例2-1為相同之方式，從而得到實施例2-2的黏著薄片。 [實施例2-3] 除了將作為聚合物成分(A)的丙烯酸酯共聚物，以丙烯酸2-乙基己酯89.8質量%、丙烯醯基嗎福林3.0質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、及丙烯酸0.2質量%進行共聚合，從而調製重量平均分子量520,000的聚合物以外，其餘採用與實施例2-1為相同之方式，從而得到實施例2-3的黏著薄片。 [實施例2-4] 除了將作為聚合物成分(A)的丙烯酸酯共聚物，以丙烯酸2-乙基己酯80.8質量%、作為具有含氮官能基的單體的N,N-二甲基丙烯醯胺(具有含氮官能基的單體)12.0質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、及丙烯酸0.2質量%進行共聚合，從而調製重量平均分子量500,000的聚合物以外，其餘採用與實施例2-1為相同之方式，從而得到實施例2-4的黏著薄片。 [實施例2-5] 除了將丙烯酸酯共聚物，以丙烯酸2-乙基己酯92.8質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、及丙烯酸0.2質量%進行共聚合，從而調製重量平均分子量1,050,000的聚合物以外，其餘採用與實施例2-1為相同之方式，從而得到實施例2-5的黏著薄片。尚，丙烯酸酯共聚物本身係與實施例1-3相關的丙烯酸酯共聚物為相同。 [比較例2-2] 除了於黏著劑組成物的製作中，調配以下之材料(聚合物、黏著輔助劑、交聯劑及稀釋溶劑)，於黏著劑層的製作中，省略照射紫外線之步驟以外，其餘採用與實施例2-1為相同之方式，從而得到比較例2-2的黏著薄片。 ・聚合物：丙烯酸酯共聚物、100質量份(固形分) 丙烯酸酯共聚物係將丙烯酸2-乙基己酯92.8質量%、丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%、及丙烯酸0.2質量%進行共聚合，從而調製重量平均分子量1,050,000的聚合物。 ・黏著輔助劑：兩末端羥基氫化聚丁二烯[日本曹達(股)製；GI-1000]、12.5質量份(固形分) ・交聯劑：具有六亞甲基二異氰酸酯的脂肪族系異氰酸酯[Polyurethane Industry Japan(股)製；Coronate HX]、8.75質量份(固形分) ・稀釋溶劑：使用甲基乙基酮，塗佈用黏著劑液的固形分濃度係調整成30質量%。 尚，丙烯酸酯共聚物本身係與比較例1-1相關的丙烯酸酯共聚物為相同。
Figure 02_image009
(表2之說明) ・「ACMO」係意味著丙烯醯基嗎福林之意思。 ・「DMAA」係意味著N,N-二甲基丙烯醯胺之意思。 ・「PI」係意味著聚醯亞胺之意思。 [評估結果] 相較於比較例2-2的黏著薄片，實施例2-1、2-2、2-3及2-4的黏著薄片的第2殘渣物評估為良好。 尚，實施例2-5的黏著薄片，黏著劑層本身的構成係與實施例1-3為相同，故相較於比較例2-2(黏著劑層本身的構成係與比較例1-1為相同)，如表1所示般地第1殘渣物評估雖為良好，但在第2殘渣物評估之方面，兩者皆判定為D。 實施例2-1、2-2、2-3及2-4的黏著薄片，在100℃下對於聚醯亞胺的黏著力為0.04[N/25mm]以上。即，實施例2-1、2-2、2-3及2-4的黏著薄片為可確保黏著力、且展現出良好的步驟適性的薄片。 依據本實施例的黏著薄片，黏著劑層係藉由包含聚合物成分(A)、與硬化物(B)，從而使加熱時的黏著力得到提昇，可防止自被著體上進行剝離時的殘膠。 [黏著薄片的製作] [實施例3-1] (3-1)塗佈用寡聚物密封劑液的調製 採用與實施例1-1相關的塗佈用寡聚物密封劑液的調製為相同之方式，來調製實施例3-1相關的塗佈用寡聚物密封劑液。 (3-2)寡聚物密封層的製作(附帶寡聚物密封層的基材的製作) 採用與實施例2-1相關的附帶寡聚物密封層的基材的製作為相同之方式，來調製實施例3-1相關的附帶寡聚物密封層的基材。 (3-3)黏著劑組成物的製作 調配以下之材料(聚合物(聚合物成分)、交聯劑、具有聚合性官能基的低分子化合物、光聚合起始劑及稀釋溶劑)，並充分地進行攪拌，從而調製實施例3-1相關的塗佈用黏著劑液。 丙烯酸酯共聚物係將丙烯酸2-乙基己酯80.8質量%、丙烯醯基嗎福林(具有含氮官能基的單體)12.0質量%、丙烯酸4-羥基丁酯7.0質量%、及丙烯酸0.2質量%進行共聚合，從而調製重量平均分子量120,000的聚合物。 ・交聯劑：具有六亞甲基二異氰酸酯的脂肪族系異氰酸酯[Polyurethane Industry Japan(股)公司製；Coronate HX]、7.4質量份(固形分) ・具有聚合性官能基的低分子化合物：丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-BPP-3]23.3質量份(固形分) ・光聚合起始劑：2-羥基-1-｛4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基｝-2-甲基-丙烷-1-酮[IGM Resin公司製；Omnirad 127]4.1質量份(固形分) ・稀釋溶劑：使用乙酸乙酯，塗佈用黏著劑液的固形分濃度係調製成30質量%。 (3-4)黏著劑層的製作 實施例3-1相關的黏著劑層，除了將實施例2-1的「(2-4)黏著劑層的製作」中的塗佈用黏著劑液，變更成實施例3-1相關的塗佈用黏著劑液以外，其餘採用與實施例2-1為相同之方式來製作。 [實施例3-2] 除了將實施例3-1中的丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-BPP-3]，變更成1,6-己二醇二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-HD-N](官能基間鏈長：4)以外，其餘採用與實施例3-1為相同之方式，從而得到實施例3-2的黏著薄片。 [實施例3-3] 除了將實施例3-1中的丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-BPP-3]，變更成三丙二醇二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；APG-200](官能基間鏈長：6)以外，其餘採用與實施例3-1為相同之方式，從而得到實施例3-3的黏著薄片。 [實施例3-4] 除了將實施例3-1中的丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-BPP-3]，變更成1,9-壬二醇二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-NOD-N](官能基間鏈長：9)以外，其餘採用與實施例3-1為相同之方式，從而得到實施例3-4的黏著薄片。 [實施例3-5] 除了將實施例3-1中的丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-BPP-3]，變更成1,10-癸二醇二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-DOD-N](官能基間鏈長：10)以外，其餘採用與實施例3-1為相同之方式，從而得到實施例3-5的黏著薄片。 [實施例3-6] 除了將實施例3-1中的丙烯酸酯共聚物，變更成實施例2-5中者， 進而將丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-BPP-3]變更成1,10-癸二醇二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-DOD-N](官能基間鏈長：10)以外，其餘採用與實施例3-1為相同之方式，從而得到實施例3-6的黏著薄片。 [實施例3-7] 除了將實施例3-1中的丙烯酸酯共聚物，變更成實施例2-5中者，進而將丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-BPP-3]變更成聚丙二醇＃400二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；APG-400](官能基間鏈長：14)以外，其餘採用與實施例3-1為相同之方式，從而得到實施例3-7的黏著薄片。 [實施例3-8] 除了將實施例3-1中的丙烯酸酯共聚物，變更成實施例2-5中者， 進而將丙氧基化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-BPP-3]並更成聚丙二醇(＃700)二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；APG-700](官能基間鏈部碳數：24)以外，其餘採用與實施例3-1為相同之方式，從而得到實施例3-8的黏著薄片。 將實施例3-1~實施例3-8相關的黏著薄片之評估結果表示於表3中。 尚，為了評估實施例3-1~實施例3-8相關的黏著薄片，故將作為比較對象的實施例1-3、實施例2-1及比較例1-1相關的黏著薄片之評估結果亦包含在表3中。
Figure 02_image011
[評估結果] 相較於比較例1-1，依據實施例3-1~實施例3-8相關的黏著薄片的第2殘膠評估結果為良好。 依據實施例3-1~實施例3-5相關的黏著薄片，可使剝離性得到提昇。作為含官能基單體為使用HEA的實施例2-1，於加熱後、在常溫下的對於聚醯亞胺的黏著力為稍高，相較於此，作為含官能基單體為使用4-HBA的實施例3-1~實施例3-5相關的黏著薄片，則展現出適度的在常溫下的對於聚醯亞胺的黏著力、且剝離性為提昇。 若對比實施例3-1與實施例3-2~3-6相關的黏著薄片時，以實施例3-2~3-6相關的黏著薄片，在初期密著力方面為優異。 實施例3-1中，作為能量線硬化性化合物為使用具有環式構造的能量線硬化性化合物。實施例3-2~3-6中，使用具有指定的鏈狀構造的能量線硬化性化合物之結果，初期密著力為提昇。此係認為是由於藉由使用具有指定的鏈狀構造的能量線硬化性化合物，而使得楊氏係數降低並提昇初期密著性，而非環式構造之原故。 實施例3-6~3-8相關的黏著薄片，作為聚合物成分的構成單位雖不含有ACMO，但藉由使用具有指定的鏈狀構造的能量線硬化性化合物，防止殘膠的效果為提昇。 若對比實施例1-3、2-1及3-1時，第1殘膠評估之結果皆為A判定，但作為更嚴格條件的第2殘膠評估之結果，實施例1-3則為D判定，使用具有含氮官能基來作為聚合物成分的單體的ACMO的實施例2-1及3-1則為A判定。
10‧‧‧黏著薄片 11‧‧‧基材 11a‧‧‧第一基材面 11b‧‧‧第二基材面 12‧‧‧黏著劑層 RL‧‧‧剝離薄片 10A‧‧‧黏著薄片 13‧‧‧寡聚物密封層 10B‧‧‧黏著薄片 13A‧‧‧寡聚物密封層 13B‧‧‧寡聚物密封層
圖1為第一實施形態相關的黏著薄片的斷面概略圖。 圖2為第二實施形態相關的黏著薄片的斷面概略圖。 圖3為第三實施形態相關的黏著薄片的斷面概略圖。
10‧‧‧黏著薄片
11‧‧‧基材
11a‧‧‧第一基材面
11b‧‧‧第二基材面
12‧‧‧黏著劑層
RL‧‧‧剝離薄片

Claims (19)

  1. 一種電子零件加工用的黏著薄片，其具有基材與黏著劑層，前述黏著劑層包含將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物，前述能量線硬化性成分包含多官能能量線硬化性化合物，前述多官能能量線硬化性化合物為一分子中具有2個以上的聚合性官能基，從前述多官能能量線硬化性化合物所具有的2個以上的聚合性官能基中任意選出的第1聚合性官能基與第2聚合性官能基之間存在著鍵結成直鏈狀的亞甲基，存在於前述第1聚合性官能基與前述第2聚合性官能基之間的鍵結成直鏈狀的亞甲基的數量為8以上、30以下，前述黏著劑層之整體質量中所佔的前述將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物之比例為5質量%以上40質量%以下之比例，前述能量線硬化性成分，包含具有聚合性官能基的低分子化合物及具有聚合性官能基的寡聚物之至少任一者作為能量線硬化性化合物，前述具有聚合性官能基的低分子化合物之式量為3,000以下，前述具有聚合性官能基的寡聚物之理論分子量為 10,000以下。
  2. 如請求項1之黏著薄片，其中，前述黏著劑層進一步包含聚合物成分，前述聚合物成分包含來自於具有含氮官能基的單體的構成單位，但前述含氮官能基不包含N-H鍵。
  3. 如請求項2之黏著薄片，其中，前述聚合物成分包含來自於具有反應性官能基的含官能基單體的構成單位，前述反應性官能基為介隔3個以上的鍵結成直鏈狀的亞甲基來與前述聚合物成分的主鏈鍵結。
  4. 如請求項1之黏著薄片，其中，前述能量線硬化性成分包含多官能能量線硬化性化合物，前述多官能能量線硬化性化合物為一分子中具有2個以上5個以下的聚合性官能基。
  5. 如請求項4之黏著薄片，其中，前述多官能能量線硬化性化合物係於分子中具有環式構造。
  6. 如請求項5之黏著薄片，其中，前述黏著劑層的每單位斷面積的斷裂強度為4.5N/mm2以上。
  7. 如請求項1之黏著薄片，其中，前述黏著薄片在100℃ 下對於聚醯亞胺的黏著力為0.04N/25mm以上。
  8. 如請求項7之黏著薄片，其中，前述黏著薄片在100℃下對於聚醯亞胺的黏著力為0.06N/25mm以上，前述黏著劑層的每單位斷面積的斷裂強度為4.5N/mm2以上。
  9. 如請求項1之黏著薄片，其中，在氮氛圍下施予190℃、1.5小時的加熱處理後的前述黏著薄片，在25℃下對於聚醯亞胺的黏著力為3N/25mm以下。
  10. 如請求項1之黏著薄片，其中，前述黏著劑層的楊氏係數為5MPa以下。
  11. 如請求項1之黏著薄片，其係於加工電子零件之際，使用於固定或保護前述電子零件。
  12. 如請求項11之黏著薄片，其中，前述電子零件為半導體元件，在將前述半導體元件進行密封之際，使用於用來固定前述該半導體元件。
  13. 如請求項1之黏著薄片，其中，將電子零件直接貼附於前述黏著劑層。
  14. 如請求項2之黏著薄片，其中，前述聚合物成分係藉由交聯劑來交聯。
  15. 如請求項2之黏著薄片，其中，前述聚合物成分為(甲基)丙烯酸系聚合物。
  16. 如請求項2之黏著薄片，其中，前述含氮官能基為選自由3級胺基、胺基羰基、氰基及含氮雜環基所構成之群組中之至少1種。
  17. 如請求項2之黏著薄片，其中，前述具有含氮官能基的單體為選自由雜環乙烯基化合物、(甲基)丙烯醯胺化合物、含胺基的(甲基)丙烯酸酯化合物及(甲基)丙烯腈所構成之群組中之至少1種。
  18. 如請求項2之黏著薄片，其中，前述聚合物成分之整體質量中所佔的前述來自於具有含氮官能基的單體的構成單位之比例為1質量%以上20質量%以下之比例。
  19. 一種半導體裝置之製造方法，其包含下述步驟：將半導體元件固定於具有黏著劑層的黏著薄片上之步驟，該黏著劑層包含將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物； 藉由密封材將前述半導體元件進行密封之步驟，其中，前述能量線硬化性成分包含多官能能量線硬化性化合物，前述多官能能量線硬化性化合物為一分子中具有2個以上的聚合性官能基，從前述多官能能量線硬化性化合物所具有的2個以上的聚合性官能基中任意選出的第1聚合性官能基與第2聚合性官能基之間存在著鍵結成直鏈狀的亞甲基，存在於前述第1聚合性官能基與前述第2聚合性官能基之間的鍵結成直鏈狀的亞甲基的數量為8以上、30以下，前述黏著劑層之整體質量中所佔的前述將能量線硬化性成分硬化而得的硬化物之比例為5質量%以上40質量%以下之比例，前述能量線硬化性成分，包含具有聚合性官能基的低分子化合物及具有聚合性官能基的寡聚物之至少任一者作為能量線硬化性化合物，前述具有聚合性官能基的低分子化合物之式量為3,000以下，前述具有聚合性官能基的寡聚物之理論分子量為10,000以下。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102654342B1 (ko) * 2019-09-19 2024-04-02 주식회사 엘지화학 점착제 조성물 및 이를 이용한 임시고정용 점착시트
JP2021114586A (ja) * 2020-01-21 2021-08-05 日東電工株式会社 紫外線硬化型粘着シート
WO2022186120A1 (ja) * 2021-03-03 2022-09-09 日東電工株式会社 樹脂シートおよびその利用
WO2023095664A1 (ja) * 2021-11-25 2023-06-01 日東電工株式会社 粘着剤組成物および粘着シート

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013040276A (ja) * 2011-08-16 2013-02-28 Toray Advanced Materials Korea Inc 電子部品製造用粘着テープ
TW201634631A (zh) * 2015-03-31 2016-10-01 琳得科股份有限公司 黏著片
JP2017082104A (ja) * 2015-10-28 2017-05-18 リンテック株式会社 粘着シート及び半導体装置製造方法
TW201741698A (zh) * 2016-04-20 2017-12-01 Nitto Denko Corp 偏光薄膜及其製造方法、光學薄膜及影像顯示裝置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073853A (ja) 2008-09-18 2010-04-02 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及び半導体装置の製造方法
JP5335483B2 (ja) * 2009-02-27 2013-11-06 リンテック株式会社 粘着剤層付き偏光板の製造方法
JP5602374B2 (ja) * 2009-03-30 2014-10-08 リンテック株式会社 粘着剤組成物および粘着シート
JP2012069586A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
JP5588950B2 (ja) * 2011-10-17 2014-09-10 日東電工株式会社 耐熱性粘着テープ
JP6067405B2 (ja) * 2012-07-31 2017-01-25 日東電工株式会社 放射線硬化型粘着剤、放射線硬化型粘着剤層、放射線硬化型粘着シートおよび積層体
WO2014157329A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP6325778B2 (ja) * 2013-06-28 2018-05-16 リンテック株式会社 粘着シートおよび積層体
CN105452408B (zh) * 2013-09-30 2019-03-19 琳得科株式会社 树脂膜形成用复合片
CN105683319A (zh) * 2013-10-30 2016-06-15 琳得科株式会社 半导体接合用粘接片及半导体装置的制造方法
JP5858347B2 (ja) * 2014-02-05 2016-02-10 大日本印刷株式会社 粘着剤組成物およびそれを用いた粘着フィルム
JP6654362B2 (ja) * 2015-06-04 2020-02-26 日東電工株式会社 粘着剤付き光学フィルム、および画像表示装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013040276A (ja) * 2011-08-16 2013-02-28 Toray Advanced Materials Korea Inc 電子部品製造用粘着テープ
TW201634631A (zh) * 2015-03-31 2016-10-01 琳得科股份有限公司 黏著片
JP2017082104A (ja) * 2015-10-28 2017-05-18 リンテック株式会社 粘着シート及び半導体装置製造方法
TW201741698A (zh) * 2016-04-20 2017-12-01 Nitto Denko Corp 偏光薄膜及其製造方法、光學薄膜及影像顯示裝置

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