TWI787246B - 光學薄膜、其製造方法、偏光板及液晶顯示裝置 - Google Patents

光學薄膜、其製造方法、偏光板及液晶顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI787246B
TWI787246B TW107110930A TW107110930A TWI787246B TW I787246 B TWI787246 B TW I787246B TW 107110930 A TW107110930 A TW 107110930A TW 107110930 A TW107110930 A TW 107110930A TW I787246 B TWI787246 B TW I787246B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
block
film
optical film
resin
retardation
Prior art date
Application number
TW107110930A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201837072A (zh
Inventor
辻野斗馬
周宏晃
Original Assignee
日商日本瑞翁股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日本瑞翁股份有限公司 filed Critical 日商日本瑞翁股份有限公司
Publication of TW201837072A publication Critical patent/TW201837072A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI787246B publication Critical patent/TWI787246B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/26—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer which influences the bonding during the lamination process, e.g. release layers or pressure equalising layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Extrusion Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Graft Or Block Polymers (AREA)

Abstract

一種經由以下工序而獲得光學薄膜的製造方法：藉由共擠出樹脂A與樹脂B而獲得具備由樹脂A而成之核心層及設置於前述核心層之面上的由樹脂B而成之表層的堆疊薄膜的工序，以及自前述堆疊薄膜剝離前述表層的工序；以及包含特定嵌段共聚物的光學薄膜。前述光學薄膜其面內方向的延遲的絕對值係5nm以下，其厚度方向的延遲的絕對值係10nm以下，且其水蒸氣穿透率係20g／（m2 ．日）以下。

Description

光學薄膜、其製造方法、偏光板及液晶顯示裝置
本發明係關於光學薄膜、其製造方法、偏光板及液晶顯示裝置。
設置於液晶顯示裝置的偏光板，通常具備偏光件與用以保護偏光件的保護膜。於偏光板保護膜中，多數情況下要求延遲小、水蒸氣穿透率低。由於此種觀點，提案了延遲小的偏光件保護膜（參照專利文獻1）。並且，偏光板被要求於顯示裝置的製造時及使用時的環境中顯現耐久性。舉例而言，在顯示裝置的製造時的二次加工時，以及在顯示裝置的使用時偏光件收縮時等，對於偏光板的保護膜有時要求高剝離強度。
『專利文獻』 《專利文獻1》日本專利公開第2011-013378號公報
專利文獻1所提案的偏光件保護膜係使用「包含：含有芳香族乙烯基化合物氫化物的嵌段與二烯化合物氫化物的嵌段的嵌段共聚物的樹脂」而獲得者。根據此種偏光件保護膜，可減小面內方向的延遲。然而，若使用此偏光件保護膜，則有偏光板的保護膜可能發生剝離強度不足的問題，其原因在於因偏光件保護膜所包含的聚合物分子配向而分子間的交纏降低所導致之表層附近的凝集破壞。
因此，本發明的目的在於提供：與偏光件的密合性高、延遲小且水蒸氣穿透率低的光學薄膜；可輕易獲得此種光學薄膜的光學薄膜的製造方法；以及具備該光學薄膜而具有前述性能的偏光板及液晶顯示裝置。
針對上述以往的偏光件保護膜的問題進行研究後的結果，認為起因在於：於藉由熔融擠出法成形該保護膜的工序中，強配向層形成於該保護膜的表面上。
於此，本發明人為解決上述課題而進行專心研究。其結果，本發明人發現藉由樹脂A與樹脂B的共擠出製作具備核心層與設置於該面上之表層的堆疊薄膜，透過自該堆疊薄膜剝離而去除表層，可獲得與對象物的密合性高、延遲小且水蒸氣穿透率低的光學薄膜，進而完成本發明。
亦即，本發明係如下所述。
〔1〕一種光學薄膜，其包含嵌段共聚物，該嵌段共聚物含有： 具有含環烴基化合物單元的嵌段［Da］；以及 具有鏈烴化合物單元或具有鏈烴化合物單元及含環烴基化合物單元的嵌段［Ea］， 其中在表面與中央部的前述嵌段［Da］的體積與前述嵌段［Ea］的體積的組成比率的差係0～10％， 面內方向的延遲的絕對值係5nm以下， 厚度方向的延遲的絕對值係10nm以下， 且水蒸氣穿透率為20g／（m2．日）以下。
〔2〕如〔1〕所記載之光學薄膜，其由包含前述嵌段共聚物的樹脂受擠出製膜而成。
〔3〕如〔1〕或〔2〕所記載之光學薄膜， 其中前述嵌段共聚物係每1分子包含2個以上的聚合物嵌段［Db］作為前述嵌段［Da］且每1分子包含1個以上的聚合物嵌段［Eb］作為前述嵌段［Ea］的共聚物， 聚合物嵌段［Db］具有含環烴基化合物氫化物單元， 聚合物嵌段［Eb］具有鏈烴化合物氫化物單元，或具有鏈烴化合物或其氫化物單元及含環烴化合物或其氫化物單元。
〔4〕一種偏光板，其具備如〔1〕至〔3〕之任一項所記載之光學薄膜與偏光件。
〔5〕一種液晶顯示裝置，其具備如〔4〕所記載之偏光板。
〔6〕一種光學薄膜的製造方法，其包含： 藉由共擠出樹脂A與樹脂B，獲得具備由樹脂A而成之核心層及設置於前述核心層之面上的由樹脂B而成之表層的堆疊薄膜的工序；以及 自前述堆疊薄膜剝離前述表層的工序； 其中前述光學薄膜其面內方向的延遲的絕對值係5nm以下，其厚度方向的延遲的絕對值係10nm以下，且其水蒸氣穿透率係20g／（m2 ．日）以下。
〔7〕如〔6〕所記載之光學薄膜的製造方法，其中前述光學薄膜的前述面內方向的延遲的絕對值係2nm以下，前述光學薄膜的前述厚度方向的延遲的絕對值係2nm以下。
〔8〕如〔6〕或〔7〕所記載之光學薄膜的製造方法，其中前述樹脂B包含含脂環結構聚合物。
〔9〕如〔6〕至〔8〕之任一項所記載之光學薄膜的製造方法， 其中前述樹脂A包含氫化嵌段共聚物，該氫化嵌段共聚物每1分子含有2個以上的聚合物嵌段［D］且每1分子含有1個以上的聚合物嵌段［E］， 聚合物嵌段［D］具有含環烴基化合物氫化物單元， 聚合物嵌段［E］具有鏈烴化合物氫化物單元，或具有鏈烴化合物單元及含環烴化合物氫化物單元。
〔10〕如〔6〕至〔8〕之任一項所記載之光學薄膜的製造方法， 其中前述樹脂A由嵌段共聚物而成，該嵌段共聚物包含： 具有含環烴基化合物單元的嵌段；以及 具有鏈烴化合物單元或具有鏈烴化合物單元及含環烴基化合物單元的嵌段， 於前述光學薄膜中，在其表面與中央部的組成比率的差係0～10％。
本發明的光學薄膜得做成與對象物的密合性高、延遲小且水蒸氣穿透率低的光學薄膜。根據本發明的光學薄膜的製造方法，可輕易獲得與對象物的密合性高、延遲小且水蒸氣穿透率低的光學薄膜。根據本發明的偏光板，可提供具有如前述性能的偏光板。根據本發明的液晶顯示裝置，可提供具有如前述性能的液晶顯示裝置。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非為限定於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍中，得任意變更而實施。
於以下之說明中，所謂環烴基係芳環、環烷、環烯等包含環狀結構的烴之基。並且，所謂鏈烴化合物係不包含此種環烴基的烴化合物。
於以下之說明中，除非另有註明，否則光學薄膜的面內方向的延遲Re係由Re＝（nx−ny）×d所表示之值。並且，除非另有註明，否則光學薄膜的厚度方向的延遲Rth係由Rth＝［（nx＋ny）／2－nz］×d所表示之值。於此，nx表示為垂直於光學薄膜之厚度方向的方向（面內方向）且給予最大折射率之方向的折射率。ny表示為光學薄膜之前述面內方向且正交於nx之方向的方向的折射率。nz表示光學薄膜的厚度方向的折射率。d表示光學薄膜的厚度。延遲之量測波長，除非另有註明，否則為590 nm。
於以下之說明中，除非另有註明，否則所謂「偏光板」，不僅包含剛性的部件，亦包含例如樹脂製之薄膜般具有可撓性的部件。
於以下之說明中，所謂「長條狀」之薄膜，係指相對於幅寬具有5倍以上之長度的薄膜，以具有10倍或以上之長度為佳，具體而言係指具有收捲成輥狀以儲存或運輸程度之長度的薄膜。長條狀薄膜之長度的上限並未特別限定，得定為例如相對於幅寬之10萬倍以下。
〔1.本發明的光學薄膜的製造方法〕
於本發明之某態樣中，光學薄膜的製造方法包含「藉由共擠出形成核心層的樹脂A與形成表層的樹脂B而獲得具備由樹脂A而成之核心層及設置於核心層之面上的由樹脂B而成之表層的堆疊薄膜的工序（堆疊薄膜製作工序）」與「自堆疊薄膜剝離表層的工序（剝離工序）」。
〔1.1.堆疊薄膜製作工序的概要〕
於堆疊薄膜製作工序中，藉由將用以形成核心層的樹脂A與用以形成表層的樹脂B共擠出而獲得堆疊薄膜。共擠出得使用多層擠製機進行。
於圖1所示之實施型態中，堆疊薄膜20於核心層10的2面上分別具備表層11，12。詳細而言，堆疊薄膜20具有表層11／核心層10／表層12的層結構。圖1所示之M係擠製成形機。堆疊薄膜亦可僅於核心層之一側的面上具備表層，此情況下的層結構係表層／核心層。就抑制薄膜翹曲的觀點而言，表層以位於核心層的兩面為佳。
〔1.1.1.樹脂A〕
作為形成核心層的樹脂A，得使用熱塑性樹脂。
作為形成核心層的熱塑性樹脂（以下亦稱為「熱塑性樹脂A」）並未特別限定，得適當選擇並採用包含得給予作為光學薄膜之期望物性的各種聚合物的樹脂。作為熱塑性樹脂A所包含之聚合物的較佳例，可列舉：包含2個以上的「具有含環烴基化合物氫化物單元的聚合物嵌段［D］」與1個以上的「具有鏈烴化合物氫化物單元或具有鏈烴化合物單元及含環烴化合物氫化物單元的聚合物嵌段［E］」的氫化嵌段共聚物［G］。樹脂A藉由為包含氫化嵌段共聚物［G］者，可獲得相位差低的光學薄膜，因此，可將藉由本發明的製造方法而獲得的光學薄膜作為要求低相位差的部件而使用。此外，還可獲得耐光性高且不易黃變的光學薄膜。
嵌段［D］及嵌段［E］所包含之含環烴基化合物氫化物單元係以芳香族乙烯基化合物氫化物單元為佳。芳香族乙烯基化合物氫化物單元係具有「將芳香族乙烯基化合物聚合而獲得的單元進一步氫化而形成之結構」的結構單元。惟芳香族乙烯基化合物氫化物單元不受其製造方法所限定。
作為芳香族乙烯基化合物之例，可列舉：苯乙烯；α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、4-三級丁基苯乙烯、5-三級丁基-2-甲基苯乙烯等具有碳數1～6的烷基作為取代基的苯乙烯類；4-氯苯乙烯、二氯苯乙烯、4-單氟苯乙烯等具有鹵原子作為取代基的苯乙烯類；4-甲氧基苯乙烯等具有碳數1～6的烷氧基作為取代基的苯乙烯類；4-苯基苯乙烯等具有芳基作為取代基的苯乙烯類；1-乙烯基萘、2-乙烯基萘等乙烯基萘類；等。此等可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。此等之中，就可降低吸濕性而言，以苯乙烯、具有碳數1～6的烷基作為取代基之苯乙烯類等不包含極性基的芳香族乙烯基化合物為佳，就工業取得之容易性而言，尤以苯乙烯為佳。
嵌段［E］所包含之鏈烴化合物氫化物單元，係以鏈狀共軛二烯化合物氫化物單元為佳。鏈狀共軛二烯化合物氫化物單元，係聚合鏈狀共軛二烯化合物而獲得之單元，或者係在其具有雙鍵的情況下具有將此雙鍵的一部分或全部氫化而獲得之單元的結構的結構單元。惟鏈狀共軛二烯化合物氫化物單元不受其製造方法所限定。
作為鏈狀共軛二烯化合物之例，可列舉：1,3-丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。此等可單獨使用1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。其中，由於可降低吸濕性，以不含有極性基的鏈狀共軛二烯化合物為佳，尤以1,3-丁二烯及異戊二烯為佳。
氫化嵌段共聚物［G］，以具有：每1分子擁有1個嵌段［E］與2個連結於其兩端的嵌段［D］的三嵌段分子結構為佳。亦即，氫化嵌段共聚物［G］，以每1分子包含：1個嵌段［E］；1個連結於嵌段［E］的一端且具有含環烴基化合物氫化物單元［I］的嵌段［D1］；1個連結於嵌段［E］的另一端且具有含環烴基化合物氫化物單元［I］的嵌段［D2］的三嵌段共聚物為佳。
於上述作為三嵌段共聚物的氫化嵌段共聚物［G］中，就輕易獲得具有較佳特性的堆疊薄膜的觀點而言，嵌段［D1］及嵌段［D2］的合計與嵌段［E］的重量比（D1＋D2）／E以收束在特定範圍為佳。具體而言，重量比（D1＋D2）／E以70／30以上為佳，以75／25以上為較佳，且以90／10以下為佳，以87／13以下為較佳。
並且，於上述作為三嵌段共聚物的氫化嵌段共聚物［G］中，就輕易獲得具有上述特性的堆疊薄膜的觀點而言，嵌段［D1］與嵌段［D2］的重量比D1／D2以收束在特定範圍為佳。具體而言，重量比D1／D2以5以上為佳，以5.2以上為較佳，尤以5.5以上為佳，且以8以下為佳，以7.8以下為較佳，尤以7.5以下為佳。
氫化嵌段共聚物［G］的重量平均分子量Mw以50000以上為佳，以55000以上為較佳，尤以60000以上為佳，且以80000以下為佳，以75000以下為較佳，尤以70000以下為佳。藉由重量平均分子量Mw位於前述範圍，可輕易獲得具有上述特性的堆疊薄膜。尤其藉由將重量平均分子量減小，可有效減小延遲的顯現性。
氫化嵌段共聚物［G］的分子量分布（重量平均分子量（Mw）／數量平均分子量（Mn））以2.0以下為佳，以1.7以下為較佳，尤以1.5以下為佳，且以1.0以上為佳。藉由重量平均分子量Mw位於前述範圍，可降低聚合物黏度而提高成形性。並且，可有效減小延遲的顯現性。
氫化嵌段共聚物［G］的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn得透過以環己烷為溶劑的凝膠滲透層析法量測作為聚苯乙烯換算之值。前述嵌段共聚物氫化物［G］，例如其主鏈及側鏈的碳－碳不飽和鍵以90％以上被氫化為佳，以97％以上被氫化為較佳，以99％以上被氫化為更佳。並且，前述嵌段共聚物氫化物［G］，例如其芳環的碳－碳不飽和鍵以90％以上被氫化為佳，以97％以上被氫化為較佳，以99％以上被氫化為更佳。表示氫化的程度的氫化率愈高，愈可預期耐熱性、耐光性的提升。
嵌段［D1］及嵌段［D2］以分別獨立僅由含環烴基化合物氫化物單元［I］而成為佳，但得包含含環烴基化合物氫化物單元［I］以外之任意單元。作為任意結構單元之例，可列舉：基於含環烴基化合物氫化物單元［I］以外的乙烯化合物的結構單元。嵌段［D］中的任意結構單元的含率以10重量％以下為佳，以5重量％以下為較佳，尤以1重量％以下為佳。
嵌段［E］係僅由鏈狀氫化烴氫化物單元［II］而成之嵌段或具有鏈烴化合物單元［II］及含環烴化合物氫化物單元［I］的嵌段。嵌段［E］得包含單元［I］及單元［II］以外之任意單元。作為任意結構單元之例，可列舉：基於單元［I］及單元［II］以外之乙烯化合物的結構單元。嵌段［E］中的任意結構單元含率以10重量％以下為佳，以5重量％以下為較佳，尤以1重量％以下為佳。
上述作為三嵌段共聚物的氫化嵌段共聚物［G］，延遲的顯現性小。因此，自堆疊體剝離表層而獲得之光學薄膜，可輕易獲得期望的特性。
作為氫化嵌段共聚物［G］的具體例及製造方法，可列舉例如：國際專利公開第WO2016／152871號所揭示的具體例及製造方法。
熱塑性樹脂A可僅由上述氫化嵌段共聚物［G］而成，但亦可包含氫化嵌段共聚物［G］以外之任意成分。
作為任意成分，可列舉例如：無機微粒子；抗氧化劑、熱穩定劑、紫外線吸收劑、近紅外線吸收劑等穩定劑；潤滑劑、塑化劑等樹脂改質劑；染料或顏料等著色劑；以及抗靜電劑。作為此等之任意成分，可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。惟就使本發明的效果明顯發揮的觀點而言，任意成分的含有比例以少為佳。舉例而言，任意成分之合計的比例相對於氫化嵌段共聚物［G］100重量份，以10重量份以下為佳，以7重量份以下為較佳，以5重量份以下為更佳。
熱塑性樹脂A，其玻璃轉移溫度以110℃以上為佳，以120℃以上為較佳，且以180℃以下為佳，以170℃以下為較佳。玻璃轉移溫度位於此種範圍的熱塑性樹脂A，尺寸穩定性及成形加工性優異。
〔1.1.2.樹脂B〕
作為形成表層的樹脂B，使用得形成能自由樹脂A而成之核心層剝離的表層的樹脂。作為樹脂B得使用熱塑性樹脂。於以下之說明中，為了各自區別用以2個表層的樹脂B，有時表現為樹脂B1、樹脂B2。樹脂B1與樹脂B2可為相同者，亦可為相異者。
作為形成表層的熱塑性樹脂（以下亦稱為「熱塑性樹脂B」），只要為得形成能自核心層剝離的表層的樹脂的話，則並未特別限定，得適當選擇並採用包含各種聚合物的樹脂。
作為熱塑性樹脂B所包含之聚合物的較佳例，可列舉含脂環結構聚合物。含脂環結構聚合物係在重複單元中具有脂環結構的聚合物，且可使用在主鏈中含有脂環結構的聚合物及在側鏈中含有脂環結構的聚合物之任一者。含脂環結構聚合物雖包含結晶性的樹脂及非晶性樹脂，但就表面平滑性的觀點而言，以非晶性的樹脂為佳。
作為脂環結構，可列舉例如：環烷結構、環烯結構等，但就熱穩定性等觀點而言，以環烷結構為佳。
構成1個脂環結構的重複單元的碳數並未特別限定，但通常為4個～30個，以5個～20個為佳，以6個～15個為較佳。
含脂環結構聚合物中之具有脂環結構的重複單元的比例依使用目的而適當選擇，但通常為50重量％以上，以70重量％以上為佳，以90重量％以上為較佳。藉由將具有脂環結構的重複單元做成如此多，可提高表層的耐熱性。
含脂環結構聚合物具體可列舉：（1）降𦯉烯系聚合物、（2）單環的環烯烴聚合物、（3）環狀共軛二烯聚合物、（4）乙烯脂環烴聚合物及此等的氫化物等。此等之中，就成形性的觀點而言，以降𦯉烯系聚合物及此等的氫化物為較佳。
作為降𦯉烯系聚合物，可列舉例如：降𦯉烯系單體的開環聚合物、降𦯉烯系單體與能開環共聚合的其他單體所形成的開環共聚物及該等的氫化物；降𦯉烯系單體的加成聚合物、降𦯉烯系單體與能共聚合的其他單體所形成的加成共聚物等。此等之中，就成形性的觀點而言，尤以降𦯉烯系單體的開環聚合物氫化物為佳。
上述含脂環結構聚合物選自例如日本專利公開第2002-321302號公報所揭示的聚合物。
並且，作為結晶性的含脂環結構聚合物之例，可列舉例如日本專利公開第2016-26909號公報所揭示的聚合物。
含脂環結構聚合物的重量平均分子量，以透過使用環己烷（樹脂不溶解的情況下使用甲苯）作為溶劑的凝膠滲透層析法（以下省略為「GPC」。）量測的聚異戊二烯換算（溶劑為甲苯時，聚苯乙烯換算）的重量平均分子量（Mw）通常為10,000～100,000，以25,000～80,000為佳，以25,000～50,000為較佳。重量平均分子量在此種範圍時，表層的機械強度及成形加工性取得高度平衡。
含脂環結構聚合物的分子量分布（重量平均分子量（Mw）／數量平均分子量（Mn））通常為1～10，以1～4為佳，以1.2～3.5為較佳。
熱塑性樹脂B，其玻璃轉移溫度以110℃以上為佳，以120℃以上為較佳，且以180℃以下為佳，以170℃以下為較佳。玻璃轉移溫度位於此種範圍的熱塑性樹脂B，成形加工性優異。
熱塑性樹脂B可僅由含脂環結構聚合物而成，但只要不明顯損及本發明的效果，亦可包含任意成分。作為任意成分，可使用與熱塑性樹脂A的任意成分相同者。熱塑性樹脂B中的含脂環結構聚合物的比例，以70重量％以上為佳，以80重量％以上為較佳。
作為包含含脂環結構聚合物的樹脂，由於市售有各式各樣的商品，得適當選擇該等之中具有期望特性者作為熱塑性樹脂B使用。作為此種市售品之例，可列舉：商品名「ZEONOR」（日本瑞翁股份有限公司製）的製品系列。
〔1.2.堆疊薄膜製作工序〕
於堆疊薄膜製作工序中，分別製備樹脂A、樹脂B1及樹脂B2，藉由進行透過共擠出此等樹脂的熔融擠出成形而可製作堆疊薄膜。藉由進行此熔融擠出成形，可有效率製造具有期望各層厚度的堆疊薄膜。並且，透過熔融擠出成形，可獲得長條狀的堆疊薄膜。
作為共擠出法中的樹脂的擠出方法，可列舉例如：共擠出T型模法、共擠出充氣法、共擠出堆疊法等。其中，以共擠出T型模法為佳。共擠出T型模法中包括供料頭方式及分歧管模頭方式，在可減少厚度的變異的要點上，尤以分歧管模頭方式為佳。
進行透過共擠出而熔融擠出成形時的樹脂的溫度（以下有時適當稱為「擠出溫度」。）並未特別限定，得適當設定為得使各自的樹脂熔融的溫度且適合成形的溫度。具體而言，得將形成核心層的樹脂A的熱軟化溫度及形成表層的樹脂B的熱軟化溫度之中較高的溫度（Ts［H］）設定為基準。更具體而言，以（Ts［H］＋70）℃以上為佳，以（Ts［H］＋80）℃以上為較佳，另一方面，以（Ts［H］＋180）℃以下為佳，以（Ts［H］＋150）℃以下為較佳。
樹脂A的熱軟化溫度，以110℃以上為佳，以120℃以上為較佳，且以180℃以下為佳，以170℃以下為較佳。樹脂B的熱軟化溫度以110℃以上為佳，以120℃以上為較佳，且以180℃以下為佳，以170℃以下為較佳。
各樹脂的熱軟化溫度Ts得藉由TMA（熱機械分析）量測而量測。舉例而言，得將量測對象層切成5mm×20mm的形狀做成試料，使用TMA／SS7100（SII NANO TECHNOLOGY股份有限公司製）在對於試料的長邊方向施加50mN的張力的狀態下使溫度變化，計測線膨脹變化3％時的溫度（℃）作為軟化溫度。
再者，模具的模唇的算術平均粗糙度Ra以0μm～1.0μm為佳，以0μm～0.7μm為較佳，尤以0μm～0.5μm為佳。於此，算術平均粗糙度Ra得使用表面粗糙度計而根據JIS B0601：1994量測。
在共擠出法中，通常使自模唇擠出的薄膜狀的熔融樹脂密合於冷卻輥而冷卻，使其固化。此時，作為使熔融樹脂密合於冷卻輥的方法，可列舉例如：氣動刮刀方式、真空箱方式、靜電密合方式等。
〔1.2.1.堆疊薄膜中的各層的尺寸〕
於藉由堆疊薄膜製作工序而獲得之堆疊薄膜中，核心層的厚度以20μm以上為佳，以25μm以上為較佳，且以80μm以下為佳，以70μm以下為較佳。2個表層的厚度分別以5μm以上為佳，以10μm以上為較佳，且以30μm以下為佳，以25μm以下為較佳。
各層的厚度得藉由顯微鏡觀察而量測。具體而言，得藉由使用切片機切片堆疊薄膜並觀察截面而量測各層的厚度。截面的觀察得藉由例如偏光顯微鏡（例如奧林巴斯公司製之「BX51」）而進行。
〔1.3.剝離工序〕
本發明的光學薄膜的製造方法中的剝離工序，係自堆疊薄膜剝離表層的工序。透過經此種剝離工序，可獲得光學薄膜。2個表層在以下所說明的實施型態中係同時剝離，但亦可單層逐一剝離。
圖2係概略繪示本發明的光學薄膜的製造方法中的剝離工序的一例的剖面圖。自擠製成形機M運送的堆疊薄膜（圖1中所說明之堆疊薄膜20）運送至圖示下方，之後供給至剝離工序。
剝離工序中的剝離的處理得藉由將表層11、12沿與被運送的堆疊薄膜20的面內方向相異的方向牽引而進行。在圖2之例中，藉由將2個表層11、12分別沿相對於光學薄膜100之2個面100A、100B的角度夾成為θ1、θ2的方向（箭頭Y及箭頭Z所示的方向）牽引，自堆疊薄膜20剝離表層11、12。θ1及θ2可為相同，亦可為相異。前述θ1及θ2的範圍以45°以上為佳，以55°以上為較佳，另一方面以135°以下為佳，以125°以下為較佳。
剝離工序的溫度並未特別限定，但就運送性的觀點而言，以5℃以上為佳，以15℃以上為較佳，就剝離性的觀點而言，以60℃以下為佳，以50℃以下為較佳。剝離溫度得藉由透過適當的加熱裝置加熱堆疊薄膜的剝離區域P等而調整。
〔1.4.其他工序（延伸處理工序）〕
本發明的光學薄膜的製造方法亦可包含延伸處理工序。延伸處理工序可在堆疊薄膜製作工序中進行，可在經堆疊薄膜製作工序後且在剝離工序前進行，可在剝離工序中進行，亦可在剝離工序後進行。
在進行延伸處理工序時，可進行厚度方向的延伸，可進行面內方向的延伸，亦可進行除了厚度方向的延伸再加上面內方向的延伸。於本發明的光學薄膜的製造方法中，進行除了厚度方向延伸再加上面內方向的延伸時的延伸倍率，得配合要求賦予光學薄膜的期望光學性能而適當調整。具體的延伸倍率係以1.0倍以上為佳，以1.05倍以上為較佳，且另一方面以1.5倍以下為佳，以1.4倍以下為較佳。面內方向的延伸倍率在此範圍的情況下，可輕易獲得期望的光學性能。
在延伸處理工序中進行的延伸，得設為單軸延伸、雙軸延伸或其他的延伸。延伸方向得設定為任意方向。舉例而言，在延伸前薄膜為長條狀的薄膜的情況下，延伸方向可為薄膜的長邊方向、幅寬方向，以及此外的傾斜方向之任一者。在進行雙軸延伸時的2個延伸方向所成之角度通常得定為互相正交的角度，但不受限於此而得定為任意角度。雙軸延伸可為逐次雙軸延伸，亦可為同時雙軸延伸。
〔1.5.藉由本發明的製造方法而獲得的光學薄膜的尺寸及特性〕
藉由本發明的光學薄膜的製造方法而獲得的光學薄膜，其面內方向的延遲Re的絕對值係5nm以下，其厚度方向的延遲Rth的絕對值係10nm以下，且其水蒸氣穿透率為20g／（m2 ．日）以下。
藉由本發明的製造方法而獲得之光學薄膜的面內方向的延遲Re的絕對值，以3nm以下為佳，以2nm以下為較佳，理想上為0nm。
藉由本發明的製造方法而獲得之光學薄膜的厚度方向的延遲Rth的絕對值，以3nm以下為佳，以2nm以下為較佳，理想上為0nm。
藉由本發明的製造方法而獲得之光學薄膜的水蒸氣穿透率，以18g／（m2 ．日）以下為佳，以15g／（m2 ．日）以下為較佳。另一方面下限在理想上為0g／（m2 ．日），但得設為例如1g／（m2 ．日）以上。
藉由本發明的製造方法而獲得之光學薄膜的厚度，以20μm以上為佳，以25μm以上為較佳，且以70μm以下為佳，以80μm以下為較佳。
藉由本發明的製造方法而獲得之光學薄膜的面內方向的延遲及厚度方向的延遲，得使用AXOMETRICS公司製之「AxoScan」作為量測裝置以量測波長590nm量測。在使用前述量測裝置的情況下，光學薄膜的面內方向及厚度方向的延遲使用該光學薄膜的平均折射率算出。於此，所謂平均折射率，意指為光學薄膜的面內方向且互相垂直的2方向的折射率以及該光學薄膜的厚度方向的折射率的平均值。
藉由本發明的製造方法而獲得之光學薄膜的水蒸氣穿透率，得使用水蒸氣穿透度量測裝置（MOCON公司製之「PERMATRAN-W」）遵循JIS K 7129 B法，以例如溫度40℃、濕度90％RH的條件量測。
藉由本發明的製造方法而獲得之光學薄膜的厚度，得與各層的厚度同樣透過顯微鏡觀察而量測。具體而言，得藉由使用切片機切片光學薄膜，且以例如偏光顯微鏡（例如奧林巴斯公司製之「BX51」）觀察截面而進行。
藉由本發明的光學薄膜的製造方法而獲得之光學薄膜，在藉由自具備由樹脂A而成之核心層及由樹脂B而成之表層的堆疊薄膜剝離表層而獲得之光學薄膜中，藉由將面內方向的延遲Re的絕對值及厚度方向的延遲Rth的絕對值分別設為2nm以下，且將水蒸氣穿透率設為20g／（m2 ．日）以下，可獲得與對象物的密合性高、延遲小且水蒸氣穿透率低的光學薄膜。其結果，根據本發明可得到得有利於使用作為偏光件保護膜的光學薄膜。
藉由本發明的光學薄膜的製造方法而獲得之光學薄膜，通常為透明層且使可見光穿透。具體的光線穿透率得依光學薄膜的用途適當選擇。舉例而言，在波長420nm～780nm的光線穿透率以85％以上為佳，以88％以上為較佳。藉由做成具有如此高光線穿透率的結構，在將光學薄膜裝設至液晶顯示裝置等顯示裝置的情況下，尤可抑制長期使用時的輝度下降。
〔2.本發明的光學薄膜〕
於本發明之另外的某態樣中，光學薄膜包含嵌段共聚物，所述嵌段共聚物含有：具有含環烴基化合物單元的嵌段［Da］與具有鏈烴化合物單元或具有鏈烴化合物單元及含環烴基化合物單元的嵌段［Ea］。含環烴基化合物單元及鏈烴化合物單元可具有不飽和鍵，亦可不具有不飽和鍵，更不受其製造方法所限定。因此，舉例而言，可為氫化具有不飽和鍵的單元而成之單元，亦可為具有不被氫化之不飽和鍵的單元。藉由光學薄膜為包含此嵌段共聚物者，可獲得相位差低的光學薄膜，因此，可將本發明的光學薄膜作為要求低相位差的部件使用。此外，還可獲得耐光性高且不易黃變的光學薄膜。
作為該嵌段共聚物的較佳例，可列舉：「每1分子包含2個以上的具有含環烴基化合物氫化物單元的聚合物嵌段［Db］作為嵌段［Da］，且每1分子包含1個以上的『具有鏈烴化合物氫化物單元，或具有鏈烴化合物或其氫化物單元及含環烴化合物或具有其氫化物單元』的聚合物嵌段［Eb］作為嵌段［Ea］」的共聚物。
作為構成本發明的光學薄膜的材料的具體例，可列舉：上述的樹脂A。並且，作為其所包含之嵌段共聚物之例，可列舉與上述的氫化嵌段共聚物［G］之例相同之例。再者，作為構成嵌段共聚物的嵌段［Da］及［Ea］之例以及作為其具體例的嵌段［Db］及［Eb］之例，可列舉與上述的嵌段［D］及［E］之例相同之例。作為構成嵌段［Da］及嵌段［Ea］的單元之例，可列舉：與構成嵌段［D］及［E］的單元之例相同之例；以及芳香族乙烯基化合物單元及鏈狀共軛二烯化合物單元。芳香族乙烯基化合物單元係具有聚合芳香族乙烯基化合物而獲得之結構的結構單元，且鏈狀共軛二烯化合物單元係具有聚合鏈狀共軛二烯化合物而獲得之結構的結構單元。惟此等不受其製造方法所限定。作為此處所謂芳香族乙烯基化合物之例及鏈狀共軛二烯化合物之例，可列舉：與以上所舉出者相同者。
作為係嵌段共聚物之例且氫化嵌段共聚物［G］以外者之例，可列舉：WO2016／152871所記載之作為氫化物的前驅物的芳香族乙烯基化合物／共軛二烯化合物嵌段共聚物。
於構成本發明的光學薄膜的嵌段共聚物中，在表面與中央部的嵌段［Da］的體積與嵌段［Ea］的體積的組成比率之差為0～10％。組成比率之差以8％以下為佳，以5％以下為較佳。
此處所謂「中央部」係薄膜的厚度方向的中央部。惟在藉由以上所說明之本發明的光學薄膜的製造方法製造薄膜的情況下，沿厚度方向5μm左右的深度的位置，通常具有與厚度方向的中央部同等的組成比率。因此，在光學薄膜的厚度超過10μm的情況下，得將觀察沿厚度方向5μm左右的深度的組成而獲得的值代換為在中央部的組成比率的值。
嵌段［Da］的體積與嵌段［Ea］的體積的組成比率得藉由觀察光學薄膜的剖面而求取。亦即，由於通常剖面的面積比正比於體積比，故藉由量測表面及剖面的面積比，得求取體積比。具體而言，於光學薄膜的表面及剖面中，得藉由求取源自各嵌段的相的面積且求取此面積的比，求取嵌段［Da］與嵌段［Ea］的組成比率。
各相的面積的量測得透過原子間力顯微鏡（例如Bruker公司製的原子間力顯微鏡Dimension Fast Scan Icon）進行。得透過原子間力顯微鏡獲得光學薄膜的凝集力像，而量測該像中的源自各嵌段的相的面積比。並且，得根據關於所觀察之相的凝集力的資訊，使所觀察之相分配至嵌段［Da］的相及嵌段［Ea］的相。
將2種的相的面積的合計設為100％，藉由求取其中的分配至嵌段［Da］的相的面積的百分率，得計算表面及中央物之各自的嵌段［Da］比率。在表面與中央部的嵌段［D］的體積與嵌段［E］的體積的組成比率的差，得藉由下述式算出。 組成比率的差＝｜（中央部的嵌段［D］比率）－（表面的嵌段［D］比率）｜
（中央部的嵌段［D］比率）－（表面的嵌段［D］比率）的值，可為正亦可為負。
本發明的光學薄膜得藉由包含嵌段共聚物的樹脂的擠出製膜而製造。藉由進行擠出製膜，能夠有效率的製造。惟若透過本發明人所發現的內容，在進行擠出製膜的情況下，在表面與中央部的嵌段［D］的體積與嵌段［E］的體積的組成比率的差會變大。於此，藉由採用在上述〔1.本發明的光學薄膜的製造方法〕中所說明的製造方法，可輕易獲得此組成比率的差為小的薄膜。
本發明的光學薄膜的尺寸及特性係與在〔1.5.藉由本發明的製造方法而獲得之光學薄膜的尺寸及特性〕中所說明者相同。
〔3.偏光板及其製造方法〕
藉由在上述〔1.本發明的光學薄膜的製造方法〕所說明的製造方法而獲得之光學薄膜及在上述〔2.本發明的光學薄膜〕所說明之本發明的光學薄膜（於以下將此等簡稱為「本發明的光學薄膜」），於液晶顯示裝置等顯示裝置中得適合使用作為保護其他層的保護膜。其中，本發明的光學薄膜係適合作為偏光件保護膜，且尤其合適使用作為顯示裝置的內側偏光件保護膜。
本發明的偏光板具備：上述本發明的光學薄膜與偏光件。於本發明中，光學薄膜得發揮作為偏光件保護膜的功能。本發明的偏光板亦可於光學薄膜與偏光件之間更具備用以接合此等的接合劑層。
本發明的偏光板除了光學薄膜及偏光件以外，還得具備任意層。作為任意層，可列舉：提高表面硬度的硬塗層、優化薄膜光滑性的墊層、抗反射層等。
偏光件並未特別限定，得使用任意偏光件。作為偏光件之例，可列舉：使碘、二色性染料等材料吸附於聚乙烯醇薄膜後再進行延伸加工者。作為構成接合劑層的接合劑，可列舉：將各種聚合物做成基礎聚合物者。作為此種基礎聚合物之例，可列舉例如：丙烯酸聚合物、矽氧聚合物、聚酯、聚胺甲酸酯、聚醚及合成橡膠。
偏光板所具備之偏光件與保護膜的數量係任意的，但於本發明中，通常得具備1層的偏光件與設置於其兩面的2層的保護膜。此種2層的保護膜之中，可兩者皆為本發明的光學薄膜，亦可僅其中任一者為本發明的光學薄膜。尤其於具備光源及液晶晶胞，且在此液晶晶胞的光源側及顯示面側的兩者皆具有偏光板的液晶顯示裝置中，尤以「具備本發明的光學薄膜作為相較於顯示面側的偏光件更靠近光源側的位置中所使用的保護膜」為佳。藉由具有此結構，可輕易構成耐久性優異、顏色不均小且具有良好顯示品質的液晶顯示裝置。
本發明的偏光板得藉由任意製造方法製造。舉例而言，透過貼合藉由上述製造方法而獲得之光學薄膜與偏光件，得製造本發明的偏光板。此貼合得做成使此等層直接接觸的貼合、或中介接合劑層的貼合。
〔4.液晶顯示裝置及其製造方法〕
本發明的液晶顯示裝置具備上述本發明的偏光板。
作為適合設置本發明的偏光板的液晶顯示裝置，可列舉具備例如：平面切換模式（IPS）、垂直配向模式（VA）、多區域垂直配向模式（MVA）、連續焰火狀配向模式（CPA）、混合配向向列模式（HAN）、扭轉向列模式（TN）、超扭轉向列模式（STN）、光學補償彎曲模式（OCB）等驅動方式的液晶晶胞的液晶顯示裝置。此等之中，由於透過本發明的光學薄膜所致耐久性優異且顏色不均抑制的效果明顯，故尤以具備IPS模式的液晶晶胞的液晶顯示裝置為佳。
本發明的液晶顯示裝置得藉由任意製造方法製造。舉例而言，藉由將透過上述製造方法而獲得之偏光板與液晶晶胞等構成液晶顯示裝置的其他部件組合，得製造本發明的液晶顯示裝置。舉例而言，得藉由將液晶晶胞與偏光板直接貼合或者中介接合劑層貼合且將此設置於顯示裝置內，製造液晶顯示裝置。並且，得藉由簡單重疊液晶晶胞與偏光板且設置於顯示裝置內，製造液晶顯示裝置。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非為限定於以下所揭示之實施例者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍中，得任意變更而實施。
於以下之說明中，除非另有註明，否則表示量的「％」及「份」係重量基準。並且，以下所說明的操作，除非另有註明，否則於常溫及常壓的條件下進行。
既得做成以上說明中的嵌段［D］的具體例亦得做成以上說明中的嵌段［Da］的具體例之具體例，於以下的說明中簡稱為「嵌段［D］」。並且，既得做成以上說明中的嵌段［E］的具體例亦得做成以上說明中的嵌段［Ea］的具體例之具體例，於以下的說明中簡稱為「嵌段［E］」。
〔評價方法〕
〔重量平均分子量及數量平均分子量的量測方法〕
聚合物的重量平均分子量及數量平均分子量，使用凝膠滲透層析法（GPC）系統（東曹公司製之「HLC-8320」）作為聚苯乙烯換算值而量測。量測時，使用H型管柱（東曹公司製）作為管柱，且使用環己烷作為溶劑。並且，量測時的溫度為40℃。
〔氫化嵌段共聚物［G］的氫化率的量測方法〕
聚合物的氫化率，以鄰二氯苯-d4 作為溶劑、以145℃透過1 H-NMR量測而算出。
〔樹脂A的玻璃轉移溫度〕
沖壓成形樹脂A（包含氫化嵌段共聚物的樹脂［G1］等），製作長度50mm、寬度10mm、厚度1mm的試驗片。使用此試驗片，根據JIS-K7244-4法並使用黏彈性量測裝置（製品名「ARES」，TA Instruments Japan公司製），以－100℃～＋150℃的範圍且以昇溫速度5℃／分鐘量測動態黏彈性特性。藉由損耗正切tanδ的峰頂溫度（觀測到多個峰值時為高溫側的峰值溫度），算出玻璃轉移溫度Tg2 。
〔樹脂B的熱軟化溫度〕
根據JIS K 7121，使用示差掃描熱量分析計（Nanotechnology公司製、製品名「DSC6220S11」），將樹脂B加熱至較玻璃轉移溫度高30℃以上的溫度後，以冷卻速度－10℃／分鐘冷卻至室溫，之後以昇溫速度10℃／分鐘升溫，藉此量測熱軟化溫度。
〔各層厚度及光學薄膜的厚度的量測方法〕
各層的厚度及光學薄膜的厚度由以下方式進行量測。
使用切片機（大和光機公司製之「RV-240」）將量測對象的薄膜切片。以偏光顯微鏡（奧林巴斯公司製之「BX51」）觀察切片後的薄膜的截面，量測其厚度。
〔熱軟化溫度Ts的量測方法〕
將量測對象的薄膜切成5mm×20mm的形狀做成試料。使用TMA／SS7100（SII NANO TECHNOLOGY股份有限公司製）作為量測裝置。於TMA（熱機械分析）量測中，在對於試料的長邊方向施加50mN的張力的狀態下使溫度變化。將線膨脹變化3％時的溫度（℃）設為軟化溫度。
〔面內方向的延遲及厚度方向的延遲的量測方法〕
藉由使用相位差量測裝置（Axometric公司製，製品名「Axoscan」）以波長590nm量測各例（實施例及比較例）的薄膜，求取各例的薄膜的面內方向的延遲Re的絕對值及厚度方向的延遲Rth的絕對值。
〔剝離強度的量測方法〕
準備由包含降𦯉烯系聚合物的樹脂而成之試驗用薄膜（玻璃轉移溫度160℃，厚度100μm，日本瑞翁公司製，未實施延伸處理者）作為代替偏光板的薄膜。對於在各例所獲得之薄膜及前述試驗用薄膜的單面實施電暈處理。使接合劑附著於各例薄膜之經實施電暈處理之面及試驗用薄膜之經電暈處理之面，而使附著有接合劑的面彼此貼合。此時，使用UV接合劑（CRB系列（TOYOCHEM公司製）作為接合劑。藉此獲得具備各例的薄膜100及試驗用薄膜60的樣品薄膜S（參照圖3）。
之後，如圖3所示，將前述樣品薄膜S剪裁成15mm的寬度，使各例的薄膜100側以黏合劑70貼合於載玻片80的表面，而獲得評價樣品。此時，使用雙面黏合膠帶（日東電工公司製，商品編號「CS9621」）作為黏合劑70。圖3中50為接合劑。
將試驗用薄膜60夾於測力計的前端，且沿載玻片80的表面的法線方向（圖3之箭頭X所示的方向）拉伸，實施90度剝離試驗。此時，由於在試驗用薄膜60剝離時所量測的力量，係為了使各例（實施例及比較例）的薄膜100與試驗用薄膜60剝離所需的力量，故量測此力量的大小作為剝離強度。在剝離所需的力量非常大而在試驗用薄膜剝離前材料就損壞的情況下，則記載為「由於材料損壞無法量測」。
（針對剝離強度的量測方法的補充）
在前述剝離強度的量測方法中，使用特定的試驗用薄膜代替偏光板。為了驗證如此進行使用試驗用薄膜代替偏光板的剝離強度的量測的合理性，發明人針對在實施例1所獲得之薄膜進行了以下的實驗。
代替試驗用薄膜，遵循日本專利公開第2005-70140號公報的實施例1，於偏光薄膜的一側的表面貼合相位差薄膜堆疊體，於偏光薄膜的另一側的表面貼合三乙醯纖維素薄膜，實施90度剝離試驗。亦即，首先準備日本專利公開第2005-70140號公報的實施例1所記載的偏光薄膜及接合劑。於所準備之偏光薄膜的一側的表面，中介前述接合劑，貼合相位差薄膜堆疊體之經實施電暈處理之面。並且，對於偏光薄膜之另一側的表面，中介前述接合劑，貼合三乙醯纖維素薄膜。之後，以80℃使其乾燥7分鐘而使接合劑固化，以獲得樣品薄膜。針對所獲得之樣品薄膜進行90度剝離試驗。
前述實驗的結果，獲得與在使用試驗用薄膜代替偏光板的情況下同樣的結果。因此，使用試驗用薄膜代替偏光板的下述實施例及比較例的結果係合理的。
（水蒸氣穿透率的量測）
光學薄膜的水蒸氣穿透率，使用水蒸氣穿透度量測裝置（MOCON公司製之「PERMATRAN-W」）遵循JIS K 7129 B法，在溫度40℃、濕度90％RH的條件下量測。
（全光線穿透率的量測）
光學薄膜的全光線穿透率，使用霧度計NDH-2000（日本電色工業公司製）依據JIS K 7136量測。
（嵌段組成比的量測）
光學薄膜中的嵌段組成比的量測係透過「使用Bruker公司製的原子間力顯微鏡Dimension Fast Scan Icon獲得光學薄膜的凝集力像，而量測該像中的源自各嵌段的相的面積比」而進行。
作為用以拍攝凝集力像的懸臂樑，使用AC240TS（奧林巴斯公司製，彈簧常數：1.5N／m，TIP曲率半徑15nm）。用以拍攝的量測模式定為ScanAsyst mode，且掃描率定為2Hz的條件，以500nm×500nm的面積量測凝集力像。
凝集力像的量測係於薄膜表面及中央部進行。薄膜中央部的量測，在已進行薄膜剖面的前提上，於剖面中的距薄膜表面的深度5μm的位置進行。
分析凝集力像的量測結果的影像，描繪直方圖。於直方圖中，將於各個量測點所量測之凝集力取做為橫軸，將經量測該凝集力的量測點的個數取做為縱軸。將被認為起因於2種嵌段的2種相的面積比率以高斯函數擬合而算出。
一般而言，已知凝集力取決於Tg，且自低Tg的試料表面拉離懸臂樑時，凝集力會變高。因此，得以凝集力高的相為嵌段［E］且凝集力低的相為嵌段［D］而決定分配。
面積比率，係將2種相的面積的合計設為100％，計算其中之分配至嵌段［D］的相的面積的百分率作為嵌段［D］比率。
在表面與中央部之嵌段［D］與嵌段［E］的組成比率的差係藉由下述式算出。 組成比率的差＝｜（中央部的嵌段［D］比率）－（表面的嵌段［D］比率）｜
〔製造例1〕
（P1-1）嵌段共聚物［F1］的製造
將脫水環己烷270份、脫水苯乙烯75份及二丁醚7.0份添加至具備攪拌裝置且內部充分被氮氣取代的反應器。一邊以60℃攪拌整體，一邊加入正丁基鋰（15％環己烷溶液）5.6份使聚合開始。接續以60℃攪拌整體60分鐘。反應溫度維持60℃至反應停止。在此時間點（聚合第1階段）藉由氣相層析法（以下有時記載為「GC」。）及GPC分析反應液的結果，聚合轉化率為99.4％。
隨後，將脫水異戊二烯15份經40分鐘連續添加至反應液，添加結束後直接繼續攪拌30分鐘。在此時間點（聚合第2階段）藉由GC及GPC分析反應液的結果，聚合轉化率為99.8％。
之後，更將脫水苯乙烯10份經30分鐘連續添加至反應液，添加結束後直接繼續攪拌30分鐘。在此時間點（聚合第3階段）藉由GC及GPC分析反應液的結果，聚合轉化率幾乎為100％。
於此，藉由加入異丙醇1.0份使反應停止，獲得包含［D1］－［E］－［D2］型的嵌段共聚物［F1］的聚合物溶液。於所獲得之嵌段共聚物［F1］中，Mw［F1］＝82,400，Mw／Mn為1.32。
（P1-2）氫化嵌段共聚物［G1］的製造
將在（P1-1）所獲得之聚合物溶液移送至具備攪拌裝置的耐壓反應器，添加矽藻土承載型鎳觸媒（製品名「E22U」，鎳承載量60％，日揮觸媒化成公司製）4.0份及脫水環己烷30份作為氫化觸媒而混合。將反應器內部以氫氣取代，再一邊攪拌溶液一邊供給氫，以溫度190℃、壓力4.5MPa進行6小時氫化反應。
藉由氫化反應而獲得之反應溶液中包含氫化嵌段共聚物［G1］。氫化嵌段共聚物的Mw［G1］為71,800，分子量分布Mw／Mn為1.30，氫化率幾乎為100％。
氫化反應結束後，過濾反應溶液而去除氫化觸媒後，添加溶解有作為酚系抗氧化劑的肆｛3-［3,5-二（三級丁基）-4-羥基苯基］丙酸｝新戊四酯（製品名「AO60」，ADEKA公司製）0.3份的二甲苯溶液2.0份使其溶解，做成溶液。
接下來，使用圓筒型濃縮乾燥器（製品名「Kontro」，日立製作所公司製）以溫度260℃、壓力0.001MPa以下處理上述溶液，自溶液去除環己烷、二甲苯及其他揮發成分，獲得熔融樹脂。將此自模具擠出成股狀並冷卻，藉由造粒機成形成顆粒。藉此，製造包含氫化嵌段共聚物［G1］的樹脂［G1］的顆粒95份。
所獲得之樹脂［G1］中的氫化嵌段共聚物［G1］，Mw［G1］＝68,500，Mw／Mn＝1.30，Tg2 ＝140℃，Ts＝139℃，（D1＋D2）／E＝85／15，D1／D2＝7.5。
〔製造例2〕
（P2-1）嵌段共聚物［F2］的製造
將脫水環己烷270份、脫水苯乙烯70份及二丁醚7.0份添加至具備攪拌裝置且內部充分被氮氣取代的反應器。一邊以60℃攪拌整體，一邊加入正丁基鋰（15％環己烷溶液）5.6份使聚合開始。接續以60℃攪拌整體60分鐘。反應溫度維持60℃至反應停止。在此時間點（聚合第1階段）藉由GC及GPC分析反應液的結果，聚合轉化率為99.4％。
隨後，將脫水異戊二烯20份經40分鐘連續添加至反應液，添加結束後直接繼續攪拌30分鐘。在此時間點（聚合第2階段）藉由GC及GPC分析反應液的結果，聚合轉化率為99.8％。
之後，更將脫水苯乙烯10份經30分鐘連續添加至反應液，添加結束後直接繼續攪拌30分鐘。在此時間點（聚合第3階段）藉由GC及GPC分析反應液的結果，聚合轉化率幾乎為100％。
於此，藉由加入異丙醇1.0份使反應停止，獲得包含［D1］－［E］－［D2］型的嵌段共聚物［F2］的聚合物溶液。於所獲得之嵌段共聚物［F2］中，Mw［F2］＝83,400，Mw／Mn為1.32。
（P2-2）氫化嵌段共聚物［G2］的製造
將在（P2-1）所獲得之聚合物溶液移送至具備攪拌裝置的耐壓反應器，添加矽藻土承載型鎳觸媒（製品名「E22U」，鎳承載量60％，日揮觸媒化成公司製）4.0份及脫水環己烷30份作為氫化觸媒而混合。將反應器內部以氫氣取代，再一邊攪拌溶液一邊供給氫，以溫度190℃、壓力4.5MPa進行6小時氫化反應。
藉由氫化反應而獲得之反應溶液中包含氫化嵌段共聚物［G2］。氫化嵌段共聚物的Mw［G2］為72,800，分子量分布Mw／Mn為1.30，氫化率幾乎為100％。
氫化反應結束後，過濾反應溶液而去除氫化觸媒後，添加溶解有作為酚系抗氧化劑的肆｛3-［3,5-二（三級丁基）-4-羥基苯基｝丙酸｝新戊四酯（製品名「AO60」，ADEKA公司製）0.3份的二甲苯溶液2.0份使其溶解，做成溶液。
接下來，使用圓筒型濃縮乾燥器（製品名「Kontro」，日立製作所公司製）以溫度260℃、壓力0.001MPa以下處理上述溶液，自溶液去除環己烷、二甲苯及其他揮發成分，獲得熔融樹脂。將此自模具擠出成股狀並冷卻，藉由造粒機成形成顆粒。藉此，製造包含氫化嵌段共聚物［G2］的樹脂［G2］的顆粒95份。
所獲得之樹脂［G2］中的氫化嵌段共聚物［G2］，Mw［G2］＝69,500，Mw／Mn＝1.30，Tg2 ＝140℃，Ts＝138℃，（D1＋D2）／E＝80／20，D1／D2＝7.0。
〔實施例1〕
（1-1.光學薄膜的製造）
準備具備篩孔尺寸3μm的葉圓盤形狀的聚合物過濾器的雙螺紋型單軸擠製機（螺桿的直徑D＝50mm，螺桿的長度L與螺桿的直徑D的比L／D＝28）。於此單軸擠製機導入在製造例1獲得之顆粒狀的樹脂［G1］作為熱塑性樹脂A並使其熔融，透過供料頭供給至單層模具。對於單軸擠製機之樹脂A的導入係透過裝載於單軸擠製機的進料斗而進行。並且，前述單層模具的模唇的表面粗糙度（算術平均粗糙度Ra）為0.1μm。再者，樹脂A的擠製機出口溫度為260℃。
另一方面，準備1台具備篩孔尺寸3μm的葉圓盤形狀的聚合物過濾器的單軸擠製機（螺桿的直徑D＝50mm，螺桿的長度L與螺桿的直徑D的比L／D＝30）。於此單軸擠製機導入包含非晶性的含脂環結構聚合物的樹脂B作為熱塑性樹脂B（做成樹脂「B-1」，日本瑞翁公司製，熱軟化溫度160℃）並使其溶解，透過供料頭供給至前述單層模具。樹脂B的擠製機出口溫度為260℃。
使樹脂A及樹脂B以260℃的熔融狀態自擠製成形機的單層模具吐出。藉此連續形成依序具備：由樹脂B而成之表層、由樹脂A而成之核心層及由樹脂B而成之表層的3層的薄膜狀的樹脂（共擠出成形工序）。將所吐出之薄膜狀的樹脂澆淋至冷卻輥。於澆淋時，進行將薄膜狀的樹脂的寬度方向端部固定於冷卻輥的邊緣釘扎，空氣隙量設定為50mm。藉此，冷卻薄膜狀的樹脂，獲得3層結構的堆疊薄膜。所獲得之堆疊薄膜係由2種樹脂而成之3層堆疊薄膜，所述由2種樹脂而成之3層堆疊薄膜依序具備：由樹脂B而成之表層、由樹脂A而成之核心層及由樹脂B而成之表層。
（1-2.光學薄膜的製造及評價）
進行自在（1-1）獲得之3層結構的堆疊薄膜剝離表層的剝離工序。剝離工序藉由牽引堆疊薄膜的兩側的表層，且自核心層連續剝離表層而進行。牽引2層表層的方向係相對於核心層之面的角度為60°的方向，剝離速度為5m／min。其結果，獲得表層受到剝離的厚度為40μm的單層的薄膜1。
針對所獲得之薄膜1進行評價，將結果揭示於表1。於剝離強度的評價中，由於在試驗用薄膜剝離前發生材料損壞，故剝離強度為無法量測。此意謂剝離強度為高。
〔實施例2〕
除了使用在製造例2獲得之顆粒狀的樹脂［G2］代替在製造例1獲得之顆粒狀的樹脂［G1］以外，其餘比照實施例1製作堆疊薄膜後再剝離表層，獲得厚度為40μm的單層的薄膜2。針對所獲得之薄膜2進行與實施例1相同的評價，結果如表1所示。於剝離強度的評價中，由於在試驗用薄膜剝離前發生材料損壞，故剝離強度為無法量測。此意謂剝離強度為高。
〔比較例1〕
準備具備篩孔尺寸3μm的葉圓盤形狀的聚合物過濾器的雙螺紋型單軸擠製機（螺桿的直徑D＝50mm，螺桿的長度L與螺桿的直徑D的比L／D＝28）。於此單軸擠製機導入在製造例1獲得之顆粒狀的樹脂［G1］並使其熔融，供給至單層模具。對於單軸擠製機之樹脂［G1］的導入係透過裝載於單軸擠製機的進料斗而進行。並且，前述單層模具的模唇的表面粗糙度（算術平均粗糙度Ra）為0.1μm。再者，樹脂［G1］的擠製機出口溫度為260℃。
使樹脂［G1］以260℃的熔融狀態自單層模具吐出。藉此連續形成僅由「由樹脂［G1］而成之層」而成之薄膜狀的樹脂。將所吐出之薄膜狀的樹脂澆淋至冷卻輥。於澆淋時，進行將薄膜狀的樹脂的寬度方向端部固定於冷卻輥的邊緣釘扎，空氣隙量設定為50mm。藉此，冷卻薄膜狀的樹脂，獲得由樹脂［G1］而成之單層結構的厚度為40μm的薄膜C1。針對所獲得之樹脂薄膜C1進行與實施例1的薄膜相同的評價，結果如表1所示。
〔比較例2〕
除了使用在製造例2獲得之顆粒狀的樹脂［G2］代替在製造例1獲得之顆粒狀的樹脂［G1］以外，其餘藉由與比較例1相同的操作，製造由樹脂［G2］而成之單層結構的厚度為40μm的薄膜C2。針對此薄膜C2進行與實施例1的薄膜相同的評價，結果如表1所示。
〔比較例3〕
將光學薄膜E（FUJI FILM股份有限公司製之「FUJITAC」，厚度40μm）與實施例1的薄膜進行相同的評價，結果如表1所示。剝離強度的量測係使用經實施皂化處理的薄膜。
整理實施例及比較例的結果並揭示於表1。
『表1』
Figure 107110930-A0304-0001
表中的簡稱的意義係如下述。 G1：在製造例1製造的氫化嵌段共聚物［G1］。 G2：在製造例2製造的氫化嵌段共聚物［G2］。 B-1：包含含脂環結構聚合物的樹脂，熱軟化溫度160℃，日本瑞翁公司製之「ZEONOR」的製品系列中之一者。 E：光學薄膜，FUJI FILM股份有限公司製之「FUJITAC」 ｜Re｜：面內方向的延遲的絕對值 ｜Rth｜：厚度方向的延遲的絕對值
由實施例及比較例的結果可知，藉由本發明的光學薄膜的製造方法而獲得之薄膜，可做成與對象物的密合性高、延遲小且水蒸氣穿透率低的光學薄膜。
10‧‧‧核心層11、12‧‧‧表層20‧‧‧堆疊薄膜50‧‧‧UV接合劑60‧‧‧試驗用薄膜70‧‧‧黏合劑80‧‧‧載玻片100‧‧‧光學薄膜100A、100B‧‧‧光學薄膜之面M‧‧‧擠製成形機P‧‧‧剝離區域S‧‧‧樣品薄膜
圖1係概略繪示本發明的製造方法中的堆疊薄膜製作工序的一例的剖面圖。 圖2係概略繪示本發明的製造方法中的剝離工序的一例的剖面圖。 圖3係概略繪示實施例中的評價試驗所使用的樣品的剖面圖。
11、12‧‧‧表層
100‧‧‧光學薄膜
100A、100B‧‧‧光學薄膜之面
M‧‧‧擠製成形機
P‧‧‧剝離區域

Claims (6)

  1. 一種光學薄膜，其包含嵌段共聚物，該嵌段共聚物包含：具有含環烴基化合物單元的嵌段〔Da〕；以及具有鏈烴化合物單元或具有鏈烴化合物單元及含環烴基化合物單元的嵌段〔Ea〕，其中該嵌段共聚物包含三嵌段共聚物，該三嵌段共聚物之每1分子包含：1個嵌段〔E〕，具有鏈烴化合物氫化物單元，或具有鏈烴化合物氫化物單元及含環烴化合物氫化物單元；1個連結於該嵌段〔E〕的一端且具有含環烴基化合物氫化物單元的嵌段〔D1〕；以及1個連結於該嵌段〔E〕的另一端且具有含環烴基化合物氫化物單元的嵌段〔D2〕；該嵌段〔D1〕與該嵌段〔D2〕的重量比D1/D2為5以上且8以下；該嵌段〔D1〕及該嵌段〔D2〕的合計與該嵌段〔E〕的重量比(D1+D2)/E為70/30以上且80/20以下；在表面與中央部的前述嵌段〔Da〕的體積與前述嵌段〔Ea〕的體積的組成比率的差為0~10%，其面內方向的延遲的絕對值係2nm以下，其厚度方向的延遲的絕對值係10nm以下，且其水蒸氣穿透率為20g/(m2．日)以下。
  2. 如請求項1所述之光學薄膜，其由包含前述嵌段共聚物的樹脂受擠出製膜而成。
  3. 一種偏光板，其具備如請求項1或2所述之光學薄膜與偏光件。
  4. 一種液晶顯示裝置，其具備如請求項3所述之偏光板。
  5. 一種光學薄膜的製造方法，其係如請求項1或2所述之光學薄膜的製造方法，包含：藉由共擠出樹脂A與樹脂B，獲得具備由樹脂A而成之核心層及設置於前述核心層之面上的由樹脂B而成之表層的堆疊薄膜的工序；以及自前述堆疊薄膜剝離前述表層的工序，其中在將前述樹脂A的熱軟化溫度及前述樹脂B的熱軟化溫度之中較高者的溫度定為(Ts〔H〕)時，共擠出的擠出溫度為(Ts〔H〕+70)℃以上且(Ts〔H〕+180)℃以下，前述光學薄膜其面內方向的延遲的絕對值係2nm以下，其厚度方向的延遲的絕對值係10nm以下，且其水蒸氣穿透率係20g/(m2．日)以下。
  6. 如請求項5所述之光學薄膜的製造方法，其中前述樹脂B包含含脂環結構聚合物。
TW107110930A 2017-03-30 2018-03-29 光學薄膜、其製造方法、偏光板及液晶顯示裝置 TWI787246B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017068338 2017-03-30
JP2017-068338 2017-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201837072A TW201837072A (zh) 2018-10-16
TWI787246B true TWI787246B (zh) 2022-12-21

Family

ID=63676151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107110930A TWI787246B (zh) 2017-03-30 2018-03-29 光學薄膜、其製造方法、偏光板及液晶顯示裝置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2018181696A1 (zh)
KR (1) KR102607190B1 (zh)
CN (1) CN110418988B (zh)
TW (1) TWI787246B (zh)
WO (1) WO2018181696A1 (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011013378A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Nippon Zeon Co Ltd フィルム

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IN146649B (zh) * 1976-06-23 1979-08-04 Johnson & Johnson
JP2619034B2 (ja) * 1988-12-28 1997-06-11 三井石油化学工業株式会社 積層体からなる離型フィルム
GB9907483D0 (en) * 1999-03-31 1999-05-26 Cpfilms Inc Film composites
WO2003076985A1 (en) * 2002-03-13 2003-09-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optically compensating film, polarizing plate and apparatus for displaying images (lcd)
KR20070110301A (ko) * 2005-02-23 2007-11-16 토파스 어드밴스트 폴리머스, 인코포레이티드 사이클로올레핀 공중합체와 스티렌-부타디엔 공중합체를포함하는 다중층 필름
JP2008000985A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Asahi Kasei Chemicals Corp 極性樹脂層および、変性熱可塑性共重合体および／またはその組成物からなる層の積層体
JP2008249896A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Fujifilm Corp 偏光板用保護フィルム、偏光板、及び液晶表示装置
JP2009053684A (ja) * 2007-07-30 2009-03-12 Fujifilm Corp 位相差フィルム、偏光板、及びそれを用いた液晶表示装置
JP2009125984A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Mitsui Chemicals Inc 積層体
JP2011043525A (ja) * 2007-12-14 2011-03-03 Denki Kagaku Kogyo Kk 複合反射シート
US7998888B2 (en) * 2008-03-28 2011-08-16 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Thermoplastic starch for use in melt-extruded substrates
DE102008035956A1 (de) * 2008-07-31 2010-02-04 Nordenia Deutschland Gronau Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Kaschierverbundes für die Bildung hinterspritzter Kunststoffformteile
JP2010191385A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Nippon Zeon Co Ltd 位相差板
JP2011034069A (ja) * 2009-07-09 2011-02-17 Fujifilm Corp フィルム、フィルムの製造方法、偏光板および液晶表示装置
JP2011043602A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Sekisui Chem Co Ltd 位相差フィルムの製造方法
TWI453267B (zh) * 2010-06-04 2014-09-21 Kuraray Co 光學薄膜用黏著劑組成物及黏著型光學薄膜
TW201213128A (en) * 2010-07-05 2012-04-01 Sumitomo Chemical Co Laminate and process for preparing the same
WO2012022626A1 (de) * 2010-08-17 2012-02-23 Mehler Texnologies Gmbh Verbundwerkstoff mit beschichtungsmaterial
WO2012090791A1 (ja) * 2010-12-28 2012-07-05 日本ゼオン株式会社 位相差フィルム積層体及び位相差フィルム積層体の製造方法
JP5887118B2 (ja) * 2011-12-05 2016-03-16 日東電工株式会社 透明導電性フィルム用粘着剤層、粘着剤層付き透明導電性フィルム、透明導電性積層体、およびタッチパネル
CN104254438B (zh) * 2012-04-26 2016-11-09 吉坤日矿日石能源株式会社 微细图案转印用模具的制造方法以及使用该模具的具有凹凸结构的基板的制造方法、以及具备具有该凹凸结构的基板的有机电致发光元件的制造方法
US9493688B2 (en) * 2012-11-15 2016-11-15 Zeon Corporation Resin composition and molded article comprising same
JP6059808B2 (ja) * 2013-07-09 2017-01-11 富士フイルム株式会社 光学フィルム、それを用いた偏光板および液晶表示装置
JP6671289B2 (ja) * 2014-09-16 2020-03-25 株式会社明治 耐熱保形性を有するナチュラルチーズおよびその製造方法
WO2016043117A1 (ja) * 2014-09-16 2016-03-24 日本ゼオン株式会社 光学フィルム、整形フィルム、光学フィルムの製造方法、及び、延伸フィルムの製造方法
WO2016205091A1 (en) * 2015-06-13 2016-12-22 Ciuperca Romeo Iiarian Foam sheathing reinforced with hybrid laminated fabric impregnated with vapor permeable air barrier material
CN106515176A (zh) * 2016-09-29 2017-03-22 赵其斌 一种复合光学材料压膜品质控制方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011013378A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Nippon Zeon Co Ltd フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
CN110418988B (zh) 2021-08-13
KR20190128648A (ko) 2019-11-18
CN110418988A (zh) 2019-11-05
JPWO2018181696A1 (ja) 2020-02-06
WO2018181696A1 (ja) 2018-10-04
TW201837072A (zh) 2018-10-16
KR102607190B1 (ko) 2023-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20080022062A (ko) 광학 보상 필름 및 위상차 필름
TWI743256B (zh) 偏光板及偏光板之製造方法
JP6561986B2 (ja) 光学用フィルムの製造方法
JP7452581B2 (ja) 位相差フィルム及び製造方法
TW201832916A (zh) 視角放大薄膜、偏光板及液晶顯示裝置
JP6711065B2 (ja) 光学フィルム、偏光板、及び表示装置
TWI787246B (zh) 光學薄膜、其製造方法、偏光板及液晶顯示裝置
JP7452580B2 (ja) 位相差フィルム及び製造方法
CN109923448B (zh) 光学膜和偏振片
CN109843586B (zh) 层叠膜及其制造方法、偏振片和显示装置
TWI787482B (zh) 相位差薄膜及相位差薄膜的製造方法
TW201936392A (zh) 堆疊薄膜及其製造方法以及偏光板
TWI788541B (zh) 相位差薄膜及相位差薄膜的製造方法
JP7338639B2 (ja) 光学フィルム、位相差フィルム、及びそれらの製造方法
TWI754083B (zh) 光學薄膜
TWI835733B (zh) 相位差薄膜之製造方法
TW202208493A (zh) 附相位差層及黏著劑層之偏光板、以及使用該附相位差層及黏著劑層之偏光板之影像顯示裝置
TW202031748A (zh) 光學薄膜及其製造方法以及相位差薄膜的製造方法
JP2018069613A (ja) 積層フィルム、製造方法、偏光板、及び表示装置