TWI788541B - 相位差薄膜及相位差薄膜的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種相位差薄膜，其係由包含含聚合單元A與聚合單元B之共聚物P的樹脂C而成者，且包含顯現結構性雙折射之圓柱狀的相分離結構，其中，前述相分離結構包含以前述聚合單元A為主成分之相（A）與以前述聚合單元B為主成分之相（B），且滿足下述條件（1）或（2）。條件（1）：D（A）＞D（B）且f（B）＞0.5，且在面內方向上賦予最大折射率的方向與前述相分離結構中之圓柱的定向方向為平行。條件（2）：D（A）＞D（B）且f（A）＞0.5，且在面內方向上賦予最大折射率的方向與前述相分離結構中之圓柱的定向方向呈正交。於此，f（A）、f（B）、D（A）及D（B）係如同說明書所定義。

Description

相位差薄膜及相位差薄膜的製造方法
本發明係關於相位差薄膜及相位差薄膜的製造方法。
在液晶顯示裝置等顯示裝置中，為了提升其顯示品質，有時設置各式種類的相位差薄膜。作為相位差薄膜，已開發有具有多層結構的薄膜（專利文獻1、2）、使用具有層狀結構之嵌段共聚物的薄膜（專利文獻3）。並且，由樹脂所形成的光學薄膜已為人所知（專利文獻4～9）。
『專利文獻』 《專利文獻1》：日本專利公開第2011-013378號公報 《專利文獻2》：國際專利公開第2008/146924號 《專利文獻3》：日本專利公開第H05-164920號公報 《專利文獻4》：日本專利公開第2006-111650號公報 《專利文獻5》：日本專利公開第2006-143799號公報 《專利文獻6》：日本專利公開第2006-348096號公報 《專利文獻7》：日本專利公開第2006-142561號公報 《專利文獻8》：國際專利公開第2000/026705號（對應公報：美國專利第6565974號說明書） 《專利文獻9》：國際專利公開第2015/005292號
專利文獻2的薄膜由於係組合多個層體來顯現期望之光學特性，故結構複雜、相位差薄膜的製造成本高，並且生產性亦會變低。
並且，以相位差薄膜的光學特性不會因穿透之光線的波長而大幅變化為符合期望，因此，相位差薄膜以具有逆波長色散性為符合期望。於此，所謂逆波長色散性，係指Re（450）／Re（550）＜1般之薄膜的特性。於此，Re（450）意謂在波長450 nm量測到的薄膜之面內方向的延遲，Re（550）意謂在波長550 nm量測到的薄膜之面內方向的延遲。
因此，要求具有逆波長色散性、可以低成本輕易製造的相位差薄膜；及製造此種相位差薄膜的方法。
本發明人為能解決前述問題而潛心研究。其結果，發現藉由使用包含特定共聚物P的樹脂構成顯現結構性雙折射之圓柱狀的相分離結構，將相分離結構中之圓柱的定向方向做成指定方向，可解決前述問題，進而完成本發明。
亦即，本發明提供以下內容。
［1］一種相位差薄膜，其係由包含含聚合單元A與聚合單元B之共聚物P的樹脂C而成，且 包含顯現結構性雙折射之圓柱狀的相分離結構；其中，前述相分離結構包含以前述聚合單元A為主成分之相（A）與以前述聚合單元B為主成分之相（B），且滿足下述條件（1）或（2）。條件（1）：D（A）＞D（B）且f（B）＞0.5，且在面內方向上賦予最大折射率的方向與前述相分離結構中之圓柱的定向方向為平行。條件（2）：D（A）＞D（B）且f（A）＞0.5，且在面內方向上賦予最大折射率的方向與前述相分離結構中之圓柱的定向方向呈正交。於此，f（A）表示前述共聚物P中之前述聚合單元A的總重量比率，f（B）表示前述共聚物P中之前述聚合單元B的總重量比率，D（A）＝ReA（450）／ReA（550），D（B）＝ReB（450）／ReB（550），ReA（450）表示以由前述聚合單元A而成之聚合物（A）來形成的薄膜（A）在波長450 nm量測到的面內方向延遲（nm），ReA（550）表示前述薄膜（A）在波長550 nm量測到的面內方向延遲（nm），ReB（450）表示以由前述聚合單元B而成之聚合物（B）來形成的薄膜（B）在波長450 nm量測到的面內方向延遲（nm）， ReB（550）表示前述薄膜（B）在波長550 nm量測到的面內方向延遲（nm）。
［2］如［1］所記載之相位差薄膜，其中在波長550 nm量測到的面內方向延遲Re（550）為100 nm以上且300 nm以下。
［3］如［1］或［2］所記載之相位差薄膜，其中在波長450 nm量測到的面內方向延遲Re（450）相對於在波長550 nm量測到的面內方向延遲Re（550）之比率（Re（450）／Re（550））為0以上且未達1。
［4］如［1］～［3］之任一項所記載之相位差薄膜，其中前述相分離結構中之前述圓柱的直徑為50 nm以下。
［5］如［1］～［4］之任一項所記載之相位差薄膜，其中前述聚合物（A）的折射率n（a）與前述聚合物（B）的折射率n（b）之差的絕對值（｜n（a）－n（b）｜）為0.05以上。
［6］如［1］～［5］之任一項所記載之相位差薄膜，其中前述相分離結構中的相間距離為200 nm以下。
［7］如［1］～［6］之任一項所記載之相位差薄膜，其中前述共聚物P係具有以前述聚合單元A為主成分之嵌段（A）及以前述聚合單元B為主成分之嵌段（B）的嵌段聚合物。
［8］如［1］～［7］之任一項所記載之相位差薄膜，其中前述共聚物P包含三嵌段共聚物P’，前述三嵌段共聚物P’係具有以前述聚合單元A為主成分之嵌段（A）及以前述聚合單元B為主成分之嵌段（B）的（A）―（B）―（A）三嵌段共聚物。
［9］如［1］～［8］之任一項所記載之相位差薄膜，其中前述共聚物P包含五嵌段共聚物P”，前述五嵌段共聚物P”係具有以前述聚合單元A為主成分之嵌段（A）及以前述聚合單元B為主成分之嵌段（B）的（A）―（B）―（A）―（B）―（A）五嵌段共聚物。
［10］如［1］～［9］之任一項所記載之相位差薄膜，其中前述共聚物P的固有雙折射值為負。
［11］如［1］～［10］之任一項所記載之相位差薄膜，其中0.9＞f（A）＞0.5或0.9＞f（B）＞0.5。
［12］一種如［1］～［11］之任一項所記載之相位差薄膜的製造方法，其包含： 將包含含前述聚合單元A與前述聚合單元B之前述共聚物P的前述樹脂C熔融擠製於冷卻輥上以獲得中間薄膜的第一工序，與 對前述中間薄膜施以延伸處理的第二工序；其中 前述共聚物P的熱軟化溫度Td及前述冷卻輥的溫度Tc滿足下述式（3）。 Tc　＜　Td－50℃　　（3）
［12-1］如［12］所記載之相位差薄膜的製造方法，其中在前述第一工序中之前述樹脂C的擠製溫度為Td＋110℃以上且Td＋170℃以下。
［12-2］如［12］或［12-1］所記載之相位差薄膜的製造方法，其中在前述第二工序中之前述延伸處理的延伸溫度為Td以上且Td＋20℃以下， 在前述第二工序中之前述延伸處理的延伸倍率為1.1倍以上且5.0倍以下。
［12-3］如［12］、［12-1］及［12-2］之任一項所記載之相位差薄膜的製造方法，其中在量測波長450 nm之相位差薄膜之面內方向的延遲Re（450）、在量測波長550 nm之相位差薄膜之面內方向的延遲Re（550）及在量測波長650 nm之相位差薄膜之面內方向的延遲Re（650）滿足下述式（4）及式（5）。 0.70≦Re（450）／Re（550）≦0.95　　（4） 1.02≦Re（650）／Re（550）≦1.20　　（5）
［13］如［12］、［12-1］、［12-2］及［12-3］之任一項所記載之相位差薄膜的製造方法，其滿足前述條件（2）。
本揭露內容亦提供以下內容。
〔1B〕一種相位差薄膜的製造方法，其包含： 將包含含聚合單元A與聚合單元B之共聚物P的樹脂C熔融擠製於冷卻輥上以獲得中間薄膜的第一工序，與 對前述中間薄膜施以延伸處理的第二工序；其中 前述聚合單元A係芳族乙烯系單元，前述聚合單元B係氫化鏈狀共軛二烯系單元； 前述共聚物P中之前述聚合單元A的總重量比率f（A）滿足下述式（1C）； 前述共聚物P的熱軟化溫度Td及前述冷卻輥的溫度Tc滿足下述式（3）。 0.5　＜　f（A）　≦　0.85　　（1C） Tc　＜　Td－50℃　　（3）
〔2B〕如〔1B〕所記載之相位差薄膜的製造方法，其中在前述第一工序中之前述樹脂的擠製溫度為Td＋110℃以上且Td＋170℃以下。
〔3B〕如〔1B〕或〔2B〕所記載之相位差薄膜的製造方法，其中在前述第二工序中之前述延伸處理的延伸溫度為Td以上且Td＋20℃以下， 在前述第二工序中之前述延伸處理的延伸倍率為1.1倍以上且5.0倍以下。
〔4B〕如〔1B〕～〔3B〕之任一項所記載之相位差薄膜的製造方法，其中在量測波長450 nm之相位差薄膜的面內方向延遲Re（450）、在量測波長550 nm之相位差薄膜的面內方向延遲Re（550）及在量測波長650 nm之相位差薄膜的面內方向延遲Re（650）滿足下述式（4）及式（5）。 0.70≦Re（450）／Re（550）≦0.95　　（4） 1.02≦Re（650）／Re（550）≦1.20　　（5）
根據本發明，可提供：具有逆波長色散性、可以低成本輕易製造的相位差薄膜；及製造此種相位差薄膜的方法。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等之範圍的範圍內，得任意變更而實施。
在以下說明中，所謂「長條」的薄膜，係指相對於幅寬具有5倍以上之長度的薄膜，以具有10倍或其以上之長度為佳，具體上係指具有可收捲成輥狀儲存或搬運之程度之長度的薄膜。薄膜之長度的上限並無特別限制，得定為例如相對於幅寬為10萬倍以下。
在以下說明中，所謂「板」，不僅包含剛性的部件，亦包含例如樹脂製之薄膜般具有可撓性的部件。
在以下說明中，薄膜的面內方向延遲Re，除非另有註記，否則係由Re＝（nx－ny）×d所表示之值。並且，薄膜之厚度方向的延遲Rth，除非另有註記，否則係由Rth＝｛［（nx＋ny）／2］－nz｝×d所表示之值。於此，nx表示係為與薄膜之厚度方向垂直之方向（面內方向）且賦予最大折射率之方向的折射率。ny表示係為薄膜之前述面內方向且與nx之方向正交之方向的折射率。nz表示薄膜之厚度方向的折射率。d表示薄膜之厚度。量測波長，除非另有註記，否則為550 nm。
聚合物之固有雙折射值的正負係依在將聚合物之成形物延伸之情況下的此種成形物之折射率的行為來制定。亦即，所謂具有正的固有雙折射值之聚合物，係在延伸方向上之該成形物的折射率變得較延伸前大的聚合物。並且，所謂具有負的固有雙折射值之聚合物，係在延伸方向上之該成形物的折射率變得較延伸前小的聚合物。固有雙折射值得藉由介電常數分布來計算。
再者，所謂某特定聚合單元具有正的固有雙折射值，係指僅由該聚合單元而成之聚合物具有正的固有雙折射值，所謂某特定聚合單元具有負的固有雙折射值，係指僅由該聚合單元而成之聚合物具有負的固有雙折射值。因此，聚合單元之固有雙折射值的正負得藉由製備僅由該聚合單元而成之均聚物，將該均聚物做成任意形狀的成形物，並延伸該成形物，量測其光學特性來輕易判定。一般已知烯、二烯等烴的聚合單元大部分具有正的固有雙折射值，另一方面，已知苯乙烯、乙烯萘等於側鏈具有芳環之烴的聚合物大部分具有負的固有雙折射值。
在以下說明中，所謂某薄膜的正面方向，除非另有註記，否則意謂該薄膜之主面的法線方向，具體上係指前述主面之極角0°且方位角0°的方向。
在以下說明中，所謂某薄膜的傾斜方向，除非另有註記，否則意謂對該薄膜之主面既非平行亦非垂直的方向，具體上係指前述主面之極角大於0°且小於90°之範圍的方向。
在以下說明中，所謂元件的方向為「平行」、「垂直」及「正交」，除非另有註記，否則在不損害本發明之效果的範圍內，亦可包含例如：±3°、±2°或±1°之範圍內的誤差。
在以下說明中，所謂薄膜的慢軸，除非另有註記，否則表示在該薄膜之面內的慢軸。
在以下說明中，有時使用某單體的名稱來表現具有「藉由該單體之聚合來形成之結構」的聚合單元。舉例而言，有時將具有藉由2-乙烯萘之聚合來形成之結構的聚合單元表現為「2-乙烯萘單元」、將具有藉由異戊二烯之聚合來形成之結構的聚合單元表現為「異戊二烯單元」。
［1.相位差薄膜］
本實施型態之相位差薄膜係由樹脂C而成。
［1.1.樹脂C］
樹脂C含有特定共聚物P。共聚物P包含聚合單元A與聚合單元B。共聚物P以具有以聚合單元A為主成分之嵌段（A）及以聚合單元B為主成分之嵌段（B）的嵌段共聚物為佳。一般所謂嵌段共聚物，係具有連結了多種嵌段之分子結構的聚合物，各個嵌段係藉由連結聚合單元而構成的鏈。本發明之一實施型態中的特定嵌段共聚物具有特定嵌段（A）及嵌段（B）。在以下說明中，有時將此種特定嵌段共聚物僅稱作「嵌段共聚物」。於此，在某嵌段中所謂係為主成分的聚合單元，係指相對於構成該嵌段之聚合單元的總重量為50重量%以上的聚合單元。包含共聚物P的樹脂C通常係熱塑性樹脂。
聚合單元A以芳族乙烯系單元為佳。所謂芳族乙烯系單元，表示具有「將芳族乙烯系化合物聚合而獲得之結構」的聚合單元。於芳族乙烯系化合物，包含芳族乙烯化合物及其衍生物。芳族乙烯化合物表示具有「於芳環鍵結有乙烯基之結構」的烴化合物。並且，於芳族乙烯化合物的衍生物，包含具有「芳族乙烯化合物之1個或2個以上的氫原子經取代基取代之結構」的化合物。芳族乙烯系單元只要具有該結構，即包含以任何製造方法獲得的聚合單元。
聚合單元A得做成具有負的固有雙折射值者。另一方面，聚合單元B得做成具有正的固有雙折射值者。
作為聚合單元A之佳例，可舉出由下述通式（A）所示之單元。由下述通式（A）所示之單元係芳族乙烯系單元。
『化1』
Figure 02_image001
RC 係選自由苯基、聯苯基（例如：4-聯苯基、2-聯苯基、3-聯苯基）、萘基（例如：1-萘基、2-萘基）、蒽基（例如：蒽-1-基、蒽-2-基、蒽-9-基）、菲基（例如：菲-1-基、菲-2-基、菲-3-基、菲-4-基、菲-9-基）、稠四苯基（例如：稠四苯-1-基、稠四苯-2-基、稠四苯-5-基）、稠五苯基（例如：稠五苯-1-基、稠五苯-2-基、稠五苯-5-基、稠五苯-6-基）及聯三苯基而成之群組之基。
R1 ～R3 分別獨立，係選自由氫原子及碳數1～12的烷基而成之群組之基。作為此種烷基之例，可列舉：甲基、乙基、丙基及己基。
在式（A）中， 以R1 係氫原子為佳。 以R2 及R3 係氫原子為佳。 以RC 係萘基為佳。 以R2 及R3 係氫原子且RC 係萘基，或者R2 及R3 係氫原子且R1 係氫原子為較佳。以R2 及R3 係氫原子、RC 係萘基且R1 係氫原子為更佳。
聚合單元A得藉由使供予聚合單元A之單體（a）聚合而獲得。作為單體（a）之例，可列舉：芳族乙烯系化合物（例如：乙烯萘及其衍生物）。作為乙烯萘之例，可列舉：1-乙烯萘及2-乙烯萘。作為乙烯萘之衍生物之例，可列舉：α-甲基-1-乙烯萘、α-乙基-1-乙烯萘、α-丙基-1-乙烯萘、α-己基-1-乙烯萘、α-甲基-2-乙烯萘、α-乙基-2-乙烯萘、α-丙基-2-乙烯萘及α-己基-2-乙烯萘。作為乙烯萘及其衍生物，就工業上之取得容易性的觀點而言，以2-乙烯萘為佳。
共聚物P可僅具有單獨1種作為聚合單元A，亦可以任意比例具有2種以上之組合作為聚合單元A。因此，作為用以形成聚合單元A的單體（a），可僅使用單獨1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。
聚合單元B以氫化鏈狀共軛二烯系單元為佳。所謂氫化鏈狀共軛二烯系單元，表示具有「將鏈狀共軛二烯系化合物聚合並氫化而獲得之結構」的聚合單元。於鏈狀共軛二烯系化合物，包含鏈狀共軛二烯化合物及其衍生物。鏈狀共軛二烯化合物表示具有共軛二烯結構的鏈狀烴化合物。並且，於鏈狀共軛二烯化合物的衍生物，包含具有「鏈狀共軛二烯化合物之1個或2個以上之氫原子經取代基取代之結構」的化合物。氫化鏈狀共軛二烯系單元只要具有該結構，即包含以任何製造方法獲得的聚合單元。
作為聚合單元B之佳例，可列舉由下述通式（B-1）所示之單元及由（B-2）所示之單元。由下述通式（B-1）及（B-2）所示之單元係氫化鏈狀共軛二烯系單元。
『化2』
Figure 02_image003
R4 ～R9 分別獨立，係選自由氫原子及碳數1～6的烷基而成之群組之基。作為此種烷基之例，可列舉：甲基、乙基、丙基及己基。R4 ～R9 分別獨立，以氫原子或甲基為佳。
作為聚合單元B之尤佳例，可列舉：由下述式（b-1）～（b-5）之任一者所示之聚合單元。由式（b-1）～（b-3）之任一者所示之聚合單元表示氫化異戊二烯單元。並且，由式（b-4）或（b-5）所示之聚合單元表示氫化丁二烯單元。
『化3』
Figure 02_image005
聚合單元B得藉由使可供予聚合單元B之單體（b）聚合而做成聚合單元，進而在該聚合單元中存在雙鍵的情況下將其氫化而獲得。作為單體（b）之例，可列舉：由下述通式（bm）所示之化合物。
『化4』
Figure 02_image007
作為單體（b）之佳例，可列舉：丁二烯（式（bm）中的R4 ～R9 全為氫原子）、異戊二烯（式（bm）中的R4 ～R9 之中R6 或R7 為甲基而其他為氫原子）、1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-己二烯、2-甲基-1,3-戊二烯、3-甲基-1,3-戊二烯及2,4-二甲基-1,3-戊二烯。其中，就獲得透明性、耐熱性及加工性優異之樹脂C的觀點而言，以丁二烯及異戊二烯為較佳。作為聚合單元B之佳例，可列舉「具有與單體（b）之佳例中的R4 ～R9 相同者作為R4 ～R9 」者。
在聚合單元B係鏈狀共軛二烯系單元的情況下，前述鏈狀共軛二烯系單元之雙鍵之氫化的氫化率，以90%以上為佳，以95%以上為較佳，以97%以上為尤佳。在氫化率如前所述之高的情況下，可格外輕易進行具有期望之光學特性之相位差薄膜的製造。再者，通常可優化相位差薄膜的機械特性。氫化率可藉由1 H-NMR來量測。
共聚物P可僅具有單獨1種作為聚合單元B，亦可以任意比例具有2種以上之組合作為聚合單元B。因此，作為用以形成聚合單元B的單體（b），可僅使用單獨1種，亦可以任意比例組合2種以上使用。
在共聚物P具有嵌段（A）的情況下，嵌段（A）得於聚合單元A以外還具有任意聚合單元。作為此種任意聚合單元之例，可列舉：由能與單體（a）共聚合之任意單體的聚合所形成的單元及由該單元之氫化所形成的單元。
在共聚物P具有嵌段（B）的情況下，嵌段（B）得於聚合單元B以外還具有任意聚合單元。作為此種任意聚合單元之例，可列舉：係為單體（b）所聚合而成之聚合單元且殘留有未經氫化之雙鍵者，以及由能與單體（b）共聚合之任意單體之聚合所形成的單元及由該單元之氫化所形成的單元。
惟就樹脂C之光學特性及機械特性的顯現之觀點而言，以嵌段（A）中之聚合單元A的比例及嵌段（B）中之聚合單元B的比例皆高為佳。嵌段（A）中之聚合單元A的比例，以50重量%以上為佳，以75重量%以上為較佳，以95重量%以上為更佳，且以100重量%以下為佳，以嵌段（A）僅由聚合單元A而成為尤佳。嵌段（B）中之聚合單元B的比例，以50重量%以上為佳，以75重量%以上為較佳，以95重量%以上為更佳，且以100重量%以下為佳，以嵌段（B）僅由聚合單元B而成為尤佳。
嵌段（A）及嵌段（B）以不相容性為佳。藉由此等為不相容性，可更輕易在相位差薄膜中獲得相分離結構。嵌段（A）及嵌段（B）是否為不相容性，得依據具有與嵌段共聚物中之此等嵌段之大小為相同程度之分子量的「由聚合單元A而成之均聚物」及「由聚合單元B而成之均聚物」之相容性的有無來判定。此種均聚物的相容性之有無，得藉由在將此等均聚物混合做成混合物，並置於此等會熔融之溫度的情況下，此等是否相分離來判定。
共聚物P的分子結構只要具有聚合單元A及聚合單元B即不特別限定，得做成具有任意構造的分子結構。舉例而言，在共聚物P為嵌段共聚物的情況下，該嵌段共聚物可為直線型嵌段共聚物，亦可為接枝型嵌段共聚物。
作為直線型嵌段共聚物之例，可列舉：具有連結嵌段（A）及嵌段（B）之（A）―（B）之嵌段構造的二嵌段共聚物；具有依序連結嵌段（A）、嵌段（B）及又一個嵌段（A）之（A）―（B）―（A）之嵌段構造的三嵌段共聚物（在本申請案中，有時稱作「三嵌段共聚物P’」）；具有依（A）―（B）―（A）―（B）―（A）之順序連結3個嵌段（A）及2個嵌段（B）之嵌段構造的五嵌段共聚物（在本申請案中，有時稱作「五嵌段共聚物P”」）；以及具有連結更多個嵌段之嵌段構造的直線型嵌段共聚物。作為連結多個嵌段的嵌段構造之例，可列舉：（A）―（（B）―（A））n―（B）―（A）及（B）―（（A）―（B））n―（A）―（B）（n為1以上的整數）的嵌段構造。
作為接枝型嵌段共聚物之例，可列舉：於嵌段（A）上連結嵌段（B）作為側鏈之（A）―g―（B）之嵌段構造的嵌段共聚物。
就使樹脂C顯現期望之光學特性的觀點而言，以共聚物P得做成嵌段共聚物為佳，所述嵌段聚合物具有：每1分子具有2個以上之聚合物嵌段（A）及1個以上之聚合物嵌段（B）的分子結構。以嵌段共聚物得做成具有（A）―（B）―（A）之嵌段構造的三嵌段共聚物為較佳。
並且在另一實施型態中，嵌段共聚物以得做成具有（A）―（B）―（A）―（B）―（A）之嵌段構造的五嵌段共聚物為佳。
樹脂C可僅包含單獨1種作為共聚物P，亦可以任意比例包含2種以上之組合作為共聚物P。
共聚物P以具有負的固有雙折射值為佳。此種負的固有雙折射值得藉由調整共聚物P中之聚合單元的比例來賦予。具體而言，得藉由在構成共聚物P的聚合單元之中，調整具有負的固有雙折射值之聚合單元的重量分率，做成具有負的固有雙折射值之共聚物。藉由共聚物P具有負的固有雙折射值，可輕易對相位差薄膜賦予期望之光學特性。
樹脂C可僅由共聚物P而成，亦可除了共聚物P以外還包含任意成分。作為任意成分之例，可列舉：染料、顏料、抗氧化劑等添加劑。此種任意成分的比例得定為不損害本發明之效果之範圍的比例。具體而言，樹脂C中之共聚物P的比例以98重量%以上為佳，以99重量%以上為較佳，且以100重量%以下為佳，以樹脂C僅由共聚物P而成更為較佳。
共聚物P的熱軟化溫度Td以100℃以上為佳，以110℃以上為較佳，以115℃以上為更佳，以120℃以上為尤佳，且以155℃以下為佳，以150℃以下為較佳，以145℃以下為尤佳。在共聚物P的熱軟化溫度Td為前述範圍的下限值以上之情況下，可獲得耐熱性優異的相位差薄膜。並且，在共聚物P的熱軟化溫度Td為前述範圍的上限值以下之情況下，可優化樹脂的成形性，故可輕易進行相位差薄膜的製造。再者，通常在共聚物P的熱軟化溫度Td位於前述範圍的情況下，可格外輕易進行具有期望之光學特性之相位差薄膜的製造。
共聚物P的熱軟化溫度Td可藉由熱機械分析（TMA）來量測。具體而言，熱軟化溫度Td可藉由實施例所記載之方法來量測。
共聚物P的分子量得適當調整成可獲得具有良佳光學特性之相位差薄膜的範圍。共聚物P的重量平均分子量Mw得為例如30000～400000的範圍。共聚物P的重量平均分子量Mw以20000以上且300000以下為佳，以30000以上且250000以下為較佳。重量平均分子量Mw可藉由以四氫呋喃為溶析液的凝膠滲透層析法（GPC），量測為苯乙烯換算值。
［1.2.相位差薄膜所包含之結構］
相位差薄膜包含顯現結構性雙折射之圓柱狀的相分離結構。相分離結構形成於構成相位差薄膜之樹脂C的層體內。所謂樹脂C的相分離結構，係指藉由樹脂C中之共聚物P的由聚合單元A所構成之部分（例如嵌段（A））與由聚合單元B所構成之部分（例如嵌段（B））的自組織化，在層體內以聚合單元A為主成分之相（亦稱作相（A）。）與以聚合單元B為主成分之相（亦稱作相（B）。）分離成得區別之個別相。在以下說明中，有時將此等相僅稱作「聚合單元A之相」及「聚合單元B之相」。所謂圓柱狀的相分離結構，意謂其中一相成為基材（matrix），另一相呈現圓柱狀結構的結構。呈現此種相分離結構的定向層在結構充分較光線之波長還小的情況下，得顯現結構性雙折射。
於此，在某相中，所謂係為主成分的聚合單元，係指相對於構成相之聚合單元的總重量，包含50重量%以上的聚合單元。
相對於構成相（A）之聚合單元的總重量，聚合單元A以80重量%以上為佳，以95重量%以上為較佳，以99重量%以上為更佳，且得定為100重量%以下。相對於構成相（B）之聚合單元的總重量，聚合單元B以80重量%以上為佳，以95重量%以上為較佳，以99重量%以上為更佳，且得定為100重量%以下。
在共聚物P係具有以聚合單元A為主成分之嵌段（A）與以聚合單元B為主成分之嵌段（B）的嵌段共聚物之情況下，相（A）通常係由嵌段（A）所構成，相（B）通常係由嵌段（B）所構成。
所謂結構性雙折射，係如此種相分離結構般在包含具有相異折射率之多種相之結構中產生的雙折射。舉例而言，在某結構裡於擁有某折射率n1之相中，存在擁有與n1相異之折射率n2之相的情況下，該結構得顯現結構性雙折射。結構性雙折射就即使各相係由各向同性之介質所形成仍會產生雙折射這點而言，係與透過延伸之分子定向所產生之定向性雙折射明確相異者。
結構性雙折射實際產生一事，得藉由量測薄膜的光學特性來確認。以擠製成形、加壓加工、溶劑澆鑄等通常方法製作的未延伸薄膜，通常分子定向係為隨機，故Re及Rth取近乎為零之值。另一方面，在顯現結構性雙折射的未延伸薄膜中，可觀察到較以通常方法製作之通常的未延伸薄膜中所觀察到之值還大之值的Re及Rth。因此，藉由此種值的量測，得進行結構性雙折射之顯現的確認。惟藉由一併進行透過電子顯微鏡或小角X射線散射之結構觀察，得進行更加確實的結構性雙折射之顯現的確認。
相分離結構中的相間距離以200 nm以下為佳，以150 nm以下為較佳，以100 nm以下為更佳，且大於0 nm，得定為例如10 nm以上。所謂相間距離，係指圓柱與圓柱的間隔。作為相間距離，得採用：將以小角X射線散射之量測獲得的散射圖案與理論曲線擬合而求得之值。
相間距離的調整得藉由調整共聚物P的分子結構來進行。舉例而言，得藉由採用嵌段共聚物作為共聚物P，適當調整嵌段（A）及（B）之長度等要素來進行。
相分離結構中之圓柱的直徑以50 nm以下為佳，以40 nm以下為較佳，以30 nm以下為更佳，且大於0 nm，得定為例如10 nm以上。
藉由相分離結構中的相間距離及圓柱之大小為如此充分較可見光還小，得顯現結構性雙折射。並且，可抑制薄膜的著色、抑制因霧度的上升而光線穿透率降低。
［1.3.相位差薄膜所滿足的條件］
［1.3.1.條件（1）］
本發明之一實施型態相關之相位差薄膜，其D（A）＞D（B）且f（B）＞0.5，且在面內方向上賦予最大折射率的方向與前述相分離結構中之圓柱的定向方向為平行。
於此，f（B）表示共聚物P中之聚合單元B的總重量比率。所謂共聚合單元P中之聚合單元B的總重量比率，係指共聚物P所包含之聚合單元B的總重量相對於共聚物P的重量之比率。
f（B）得藉由量測共聚物P的NMR來決定。
由於f（B）大於0.5，故通常在圓柱狀的相分離結構中，相（B）成為基材，而相（A）呈現圓柱狀結構。
並且，D（A）＝ReA（450）／ReA（550）， D（B）＝ReB（450）／ReB（550）， ReA（450）表示以由前述聚合單元A而成之聚合物（A）來形成的薄膜（A）在波長450 nm量測到的面內方向延遲（nm）， ReA（550）表示前述薄膜（A）在波長550 nm量測到的面內方向延遲（nm）， ReB（450）表示以由前述聚合單元B而成之聚合物（B）來形成的薄膜（B）在波長450 nm量測到的面內方向延遲（nm）， ReB（550）表示前述薄膜（B）在波長550 nm量測到的面內方向延遲（nm）。
由聚合單元A而成之聚合物（A）得藉由使對應於聚合單元A的單體聚合，再視需求進行氫化等反應而獲得。由聚合單元B而成之聚合物（B）得藉由使對應於聚合單元B的單體聚合，進而視需求進行氫化等反應而獲得。在共聚物P具有嵌段（A）及嵌段（B）的情況下，聚合物（A）及聚合物（B）得分別比照嵌段（A）及嵌段（B）的製造方法而獲得。
薄膜（A）得如下所述製造。首先，將聚合物（A）弄碎做成粉體，並將粉體夾在2片聚醯亞胺薄膜之間做成堆疊體，將堆疊體加壓後去除聚醯亞胺薄膜製造厚度100 μm的加壓薄膜（A）。加壓的條件得定為溫度280℃、壓力40 MPa、時間2分鐘。隨後，藉由將加壓薄膜（A）單軸延伸成1.5倍，獲得薄膜（A）。
薄膜（B）得如下所述製造。首先，將聚合物（B）弄碎做成粉體，並將粉體夾在2片聚醯亞胺薄膜之間做成堆疊體，將堆疊體加壓後去除聚醯亞胺薄膜製造厚度100 μm的加壓薄膜（B）。加壓的條件得定為溫度25℃、壓力20 MPa、時間2分鐘。隨後，藉由將加壓薄膜（B）單軸延伸成3倍，獲得薄膜（B）。
圓柱的定向方向，亦即圓柱之長軸的定向方向，得藉由將以小角X射線散射之量測獲得的散射圖案與理論曲線擬合來決定。
在相位差薄膜的面內方向上賦予最大折射率的方向，亦即賦予nx的方向得藉由相位差量測裝置來量測。
藉由本實施型態之相位差薄膜滿足條件（1），相位差薄膜得具備逆波長色散性。
在相位差薄膜滿足條件（1）的情況下，f（B）通常大於0.5，以0.55以上為佳，以0.6以上為較佳，且以未達0.9為佳，以0.85以下為較佳，以0.82以下為更佳，以0.80以下為尤佳。f（B）得藉由適當調整用於共聚物P之製造的材料及製造的操作來調整。
滿足條件（1）的相位差薄膜，舉例而言，得藉由將包含滿足D（A）＞D（B）且f（B）＞0.5之共聚物P的樹脂C，透過熔融擠製法成形為薄膜狀而獲得。
就使相位差薄膜之賦予nx的方向與圓柱的定向方向平行之觀點而言，熔融擠製法中的牽伸比（模唇的間隙／薄膜厚度）以5以上為佳，以10以上為較佳，且以20以下為佳，並以5以上且20以下為佳，以10以上且20以下為較佳。
在一實施型態中，熔融擠製法中的樹脂溫度（樹脂的擠製溫度Te）以220℃以上為佳，以230℃以上為較佳，以240℃以上為更佳，且以290℃以下為佳，以280℃以下為較佳，以270℃以下為更佳。
在另一實施型態中，樹脂的擠製溫度Te以Td＋110℃以上為佳，以Td＋115℃以上為較佳，以Td＋120℃以上為尤佳，且以Td＋170℃以下為佳，以Td＋165℃以下為較佳，以Td＋160℃以下為尤佳。前述Td表示共聚物P的熱軟化溫度。
［1.3.2.條件（2）］
並且，本發明之另一實施型態相關之相位差薄膜，其D（A）＞D（B）且f（A）＞0.5，且在面內方向上賦予最大折射率的方向與前述相分離結構中之圓柱的定向方向呈正交。
於此，f（A）表示共聚物P中之聚合單元A的總重量比率。所謂共聚合單元P中之聚合單元A的總重量比率，係指共聚物P所包含之聚合單元A的總重量相對於共聚物P的重量之比率。
f（A）得藉由量測共聚物P的NMR來決定。
由於f（A）大於0.5，故通常在圓柱狀的相分離結構中，相（A）成為基材，而相（B）呈現圓柱狀結構。
並且，D（A）、D（B）係與前述條件（1）之說明中的定義同義。
圓柱的定向方向通常與面內方向平行。
圓柱的定向方向及在相位差薄膜的面內方向上賦予最大折射率的方向，得藉由與前述條件（1）中已說明之方法相同的方法來決定。
藉由本實施型態之相位差薄膜滿足條件（2），相位差薄膜得具備逆波長色散性。
在相位差薄膜滿足條件（2）的情況下，f（A）通常大於0.5，以0.55以上為佳，以0.60以上為較佳，且以未達0.9為佳，以0.85以下為較佳，以0.82以下為更佳，以0.80以下為尤佳。f（A）得藉由適當調整用於共聚物P之製造的材料及製造的操作來調整。
滿足條件（2）的相位差薄膜，舉例而言，得藉由將包含滿足D（A）＞D（B）且f（A）＞0.5之共聚物P的樹脂C，透過熔融擠製法成形為薄膜狀，隨後將所獲得之擠製薄膜延伸而獲得。
作為擠製薄膜的延伸方法，得使用眾所周知的方法，但以至少往擠製薄膜的運送方向延伸為佳。運送方向中的延伸倍率以1.1倍以上為佳，以1.2倍以上為較佳，以1.3倍以上為更佳，以1.5倍以上為尤佳，以1.7倍以上為最佳，且以5.0倍以下為佳，以4.9倍以下為較佳，以4.8倍以下為更佳，得定為3.0倍以下。
在一實施型態中，延伸時的溫度（延伸溫度TE）以（Tg（C）－5）℃以上為佳，以Tg（C）℃以上為較佳，且以（Tg（C）＋30）℃以下為佳，以（Tg（C）＋25）℃以下為較佳，以（Tg（C）＋20）℃以下為更佳。
於此，Tg（C）意謂樹脂C的玻璃轉移溫度（℃）。
在另一實施型態中，延伸溫度TE 以Td以上為佳，以Td＋1℃以上為較佳，以Td＋2℃以上為尤佳，且以Td＋20℃以下為佳，以Td＋19℃以下為較佳，以Td＋18℃以下為尤佳。前述Td表示共聚物P的熱軟化溫度。
［1.4.相（A）與相（B）的折射率差］
相（A）與相（B）的折射率差愈大愈能有效率顯現結構性雙折射。因此，由聚合單元A而成之聚合物（A）的折射率n（a）與由聚合單元B而成之聚合物（B）的折射率n（b）之差的絕對值（｜n（a）－n（b）｜）以大者為佳，得定為以0.05以上為佳，以0.10以上為較佳，以0.15以上更為較佳。
折射率n（a）得藉由如前所述自聚合物（A）製造加壓薄膜（A），量測加壓薄膜（A）的折射率而獲得。折射率n（b）得藉由如前所述自聚合物（B）製造加壓薄膜（B），量測加壓薄膜（B）的折射率而量測。
［1.5.相位差薄膜之其他特性］
相位差薄膜的面內延遲Re得因應相位差薄膜的用途任意設定。相位差薄膜在波長550 nm量測到的面內方向延遲Re（550），以100 nm以上為佳，以110 nm以上為較佳，以120 nm以上為更佳，雖為愈大愈好，但可定為300 nm以下，以100 nm以上且300 nm以下為佳。舉例而言，在欲使相位差薄膜發揮作為λ／4板之功能的情況下，該相位差薄膜的面內方向延遲Re得為120 nm～160 nm。並且，舉例而言，在欲使相位差薄膜發揮作為λ／2板之功能的情況下，該相位差薄膜的面內方向延遲Re得為250 nm～290 nm。
相位差薄膜在波長450 nm量測到的面內方向延遲Re（450）相對於在波長550 nm量測到的面內方向延遲Re（550）之比率（Re（450）／Re（550）），以0以上為佳，以0.70以上為較佳，以0.71以上為更佳，以0.72以上為尤佳，且以未達1為佳，以0.95以下為較佳，以0.94以下為更佳，以0.93以下為尤佳，以0.90以下為最佳，以0以上且未達1為佳，以滿足下述式（4）為較佳。 0.70≦Re（450）／Re（550）≦0.95　　（4） 藉由比率（Re（450）／Re（550））落於前述範圍內，得抑制因穿透之光線的波長而相位差薄膜的光學特性大幅變化一事。
再者，在一實施型態中，在量測波長550 nm及650 nm的相位差薄膜之面內方向的延遲Re（550）及Re（650），以滿足Re（550）＜Re（650）為佳，以滿足下述式（5）為較佳。 1.02≦Re（650）／Re（550）≦1.20　　（5）
更詳細而言，Re（650）／Re（550）以1.02以上為佳，以1.03以上為較佳，且以1.20以下為佳，以1.19以下為較佳。
如前所述之具有逆波長色散特性的相位差薄膜，可在廣泛的波長範圍中發揮其光學上的功能。舉例而言，可在某波長中發揮作為λ／4板之功能的相位差薄膜，可在包含此波長之廣泛的波長範圍中發揮作為λ／4板之功能。因此，在相位差薄膜設置於影像顯示裝置的情況下，可優化此影像顯示裝置的顯示特性。
相位差薄膜之厚度方向的延遲Rth得因應相位差薄膜的用途任意設定。具體而言，相位差薄膜之厚度方向的延遲Rth，得以－95 nm以上為佳，以－90 nm以上為較佳，以－85 nm以上為尤佳，且以180 nm以下為佳，以170 nm以下為較佳，以160 nm以下為尤佳。
相位差薄膜的雙折射Δn得因應相位差薄膜的用途任意設定。具體而言，相位差薄膜的雙折射Δn得以0.0001以上為佳，以0.0002以上為較佳，以0.0003以上為尤佳，且以0.0021以下為佳，以0.002以下為較佳，以0.0019以下為尤佳。雙折射Δn可由面內方向延遲Re除以厚度d而求得。
相位差薄膜的NZ係數得因應相位差薄膜的用途任意設定。具體而言，相位差薄膜的NZ係數以大於－0.5為佳，以－0.1以上為較佳，以0以上為尤佳，且以未達2.0為佳，以1.8以下為較佳，以1.7以下為尤佳。
相位差薄膜的厚度得因應相位差薄膜的用途任意設定。具體而言，相位差薄膜的厚度以5 μm以上為佳，以10 μm以上為較佳，以15 μm以上為尤佳，且以270 μm以下為佳，以260 μm以下為較佳，以250 μm以下為尤佳。
［1.6.相位差薄膜的製造方法］
前述相位差薄膜得透過如前所述之任意方法來製造。相位差薄膜以透過熔融擠製法來製造為佳，以透過下述製造方法來製造為較佳。下述製造方法尤佳使用於製造滿足前述條件（2）之相位差薄膜。
本發明之一實施型態相關之相位差薄膜的製造方法，使用前述樹脂C製造相位差薄膜。此製造方法包含將前述樹脂C熔融擠製於冷卻輥上以獲得中間薄膜的第一工序與對中間薄膜施以延伸處理的第二工序。
圖1係繪示透過本發明之一實施型態相關之製造方法來製造相位差薄膜10之狀況的概略示意圖。於圖1繪示使用擠製成形裝置100與延伸裝置200來製造長條的相位差薄膜10之例，所述擠製成形裝置100具備：作為鑄模的模具110及設置成能沿圓周方向旋轉的冷卻輥120。惟本發明並不受限於圖1所示之例。
如圖1所示之例，在第一工序中，作為樹脂C的樹脂20通常會自模具110以熔融狀態擠製成薄膜狀至冷卻輥120上。自模具110擠製的樹脂20會由沿圓周方向旋轉之冷卻輥120接收並冷卻。因冷卻而樹脂20固化，獲得中間薄膜30。
所獲得之中間薄膜30隨冷卻輥120的旋轉運送，送往延伸裝置200以供予第二工序。在第二工序中，對中間薄膜30施以延伸處理。透過延伸處理，中間薄膜30所包含之共聚物P定向，故可獲得具有期望之延遲的相位差薄膜10。此種本實施型態之製造方法係以滿足下述要件1的方式進行。
要件1：共聚物P的熱軟化溫度Td及冷卻輥120的溫度Tc滿足下述式（3）。 Tc　＜　Td－50℃　　（3）
本實施型態之製造方法除了要件1以外，還可滿足前述條件（1），亦可進一步滿足下述式（6）。 0.5＜f（B）≦0.85　　（6）
並且，在另一實施型態之製造方法中，除了要件1以外，還可滿足前述條件（2），亦可進一步滿足下述式（7）。 0.5＜f（A）≦0.85　　（7）
更詳細說明前述第一工序及第二工序。
（第一工序（熔融擠製））
在第一工序中，將包含共聚物P的前述樹脂C熔融擠製於冷卻輥上以獲得中間薄膜。
通常會使用雙軸擠製機等擠製機，將已熔融之樹脂C供給至T字模等模具而擠製。已熔融之樹脂C可藉由自模具的擠製連續成形為薄膜狀。在以下說明中，有時會將如此成形之熔融狀態的樹脂C著眼於其形狀，稱之為「熔融樹脂薄膜」。
在第一工序中之樹脂C的擠製溫度Te，以Td＋110℃以上為佳，以Td＋115℃以上為較佳，以Td＋120℃以上為尤佳，且以Td＋170℃以下為佳，以Td＋165℃以下為較佳，以Td＋160℃以下為尤佳。前述Td表示共聚物P的熱軟化溫度。在擠製溫度Te位於前述範圍的情況下，可格外輕易進行具有期望之光學特性之相位差薄膜的製造。並且，通常在擠製溫度Te為前述範圍之下限值以上的情況下可順利進行樹脂C的成形，在為上限值以下的情況下可抑制樹脂的劣化。所謂樹脂C的擠製溫度Te，係在自鑄模擠製而出的時間點上之樹脂C的溫度，通常與在模具之唇部的溫度一致。
將作為經成形之樹脂C的熔融樹脂薄膜往冷卻輥連續導入，並以冷卻輥的外圍表面來接收之。通常，冷卻輥會以其旋轉軸為中心沿圓周方向旋轉。據此，熔融樹脂薄膜會沿冷卻輥之外圍表面上的運送路徑運送並冷卻。樹脂C的熱，其一部分會放熱至周圍之空氣中，但大部分會傳往冷卻輥，藉此，達成樹脂C的冷卻。然後，因此種冷卻而樹脂C固化，獲得由樹脂C所形成的中間薄膜。
在本實施型態相關之第一工序中，冷卻輥的溫度Tc滿足前述式（3）。於此，所謂冷卻輥的溫度Tc，表示冷卻輥之外圍表面的溫度。更詳細而言，冷卻輥的溫度Tc與共聚物P的熱軟化溫度Td之溫度差Td－Tc通常大於50℃，以大於50.2℃為佳，以大於50.5℃為尤佳。在溫度差Td－Tc大於前述下限值的情況下，能輕易進行具有逆波長色散特性之相位差薄膜的製造。再者，通常在溫度差Td－Tc大於前述下限值的情況下，亦可輕易將相位差薄膜之波長色散特性以外的光學特性調整成期望之值。溫度差Td－Tc的上限並無特別限制，但以未達100℃為佳，以未達95℃為較佳，以未達90℃為尤佳。在溫度差Td－Tc未達前述上限的情況下，會變得易於控制冷卻輥的溫度，可輕易進行具有逆波長色散特性之相位差薄膜的製造。
如前所述由冷卻輥所接收之熔融樹脂薄膜的冷卻輥側之面，可接於冷卻輥之外圍表面，亦可與之隔離。舉例而言，亦可藉由在熔融樹脂薄膜之面與冷卻輥之外圍表面之間形成空氣層，隔離熔融樹脂薄膜之面與冷卻輥之外圍表面。在形成空氣層的情況下，熔融樹脂薄膜會中介空氣層而為冷卻輥所支撐，但由於即使在此情況下空氣層亦小，故可進行利用冷卻輥之熔融樹脂薄膜的冷卻。在形成空氣層的情況下，熔融樹脂薄膜通常其幅寬方向的一部分（例如幅寬方向端部）得被釘扎而接於冷卻輥的外圍表面，於其他部分與冷卻輥之外圍表面隔離。前述釘扎得藉由例如：靜電釘扎、空氣釘扎、利用輥的釘扎等方法來進行。
在第一工序中獲得之中間薄膜的厚度，得因應欲製造之相位差薄膜的光學特性適度設定。具體而言，中間薄膜的厚度以10 μm以上為佳，以20 μm以上為較佳，以30 μm以上為尤佳，且以300 μm以下為佳，以290 μm以下為較佳，以280 μm以下為尤佳。
（第二工序（延伸處理））
在第二工序中，對在第一工序中獲得之中間薄膜施以延伸處理。藉由此延伸處理，延遲等光學特性顯現，獲得相位差薄膜。
延伸處理通常藉由將中間薄膜沿其面內方向延伸之平面延伸法來進行。作為平面延伸法之例，可列舉：單軸延伸法及雙軸延伸法。單軸延伸法係將中間薄膜沿其面內之一方向延伸的延伸。作為單軸延伸法之例，可列舉：自由寬度單軸延伸法及固定寬度單軸延伸法。雙軸延伸法係將中間薄膜沿其面內之二方向延伸的延伸。作為雙軸延伸法之例，可列舉：逐次雙軸延伸法及同時雙軸延伸法。在雙軸延伸法中，往各個方向的延伸可為自由寬度延伸亦可為固定寬度延伸。作為逐次雙軸延伸法的更具體例，可列舉：全拉幅方式及輥拉幅方式。
在第二工序中之延伸處理的延伸溫度TE ，得因應欲製造之相位差薄膜的光學特性適度設定。具體上的延伸溫度TE 以Td以上為佳，以Td＋1℃以上為較佳，以Td＋2℃以上為尤佳，且以Td＋20℃以下為佳，以Td＋19℃以下為較佳，以Td＋18℃以下為尤佳。前述Td表示共聚物P的熱軟化溫度。在延伸溫度TE 為前述範圍之下限值以上的情況下，可順利進行延伸處理。並且，在延伸溫度TE 為前述範圍之上限值以下的情況下，可藉由延伸處理使相位差薄膜輕易顯現期望之光學特性。
在第二工序中之延伸處理的延伸倍率，得因應欲製造之相位差薄膜的光學特性適度設定。具體上的延伸倍率以1.1倍以上為佳，以1.2倍以上為較佳，以1.3倍以上為尤佳，且以5.0倍以下為佳，以4.9倍以下為較佳，以4.8倍以下為尤佳。在延伸倍率位於前述範圍的情況下，可格外輕易進行具有期望之光學特性之相位差薄膜的製造。並且，在為此種範圍之延伸倍率的情況下，可獲得能適用於λ／4板及λ／2板等廣泛用途的相位差薄膜。
在第二工序中的延伸方向為2方向以上之情況下，前述延伸倍率表示將在各方向之延伸倍率相乘而獲得的總延伸倍率。
前述延伸處理亦可在與中間薄膜之製造生產線接續的生產線上進行。或者，亦可先將中間薄膜收捲成薄膜輥，之後，自該薄膜輥捲出中間薄膜，對其施以延伸處理。
（任意工序）
相位差薄膜的製造方法亦可進一步進行任意工序組合至上述第一工序及第二工序。作為任意工序，可列舉例如：除去中間薄膜或相位差薄膜之幅寬方向之端部的修整工序；將相位差薄膜收捲而回收的回收工序；於相位差薄膜上形成任意層體的工序；等。
透過上述製造方法可輕易獲得具有逆波長色散特性的相位差薄膜。
［2.用途］
本實施型態之相位差薄膜得作為液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置等顯示裝置的構成元件來使用。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下所揭示之實施例者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等之範圍的範圍內，得任意變更而實施。
在以下說明中，表示量的「%」及「份」，除非另有註記，否則係重量基準。並且，以下所說明之操作，除非另有註記，否則在常溫及常壓的條件下進行。
〈實施例A1～A3、比較例A1～A2〉
［評價方法］
（熱軟化溫度的量測方法）
將量測對象的樹脂成形為5 mm×20 mm×100 μm的薄膜，做成試樣。對此試樣進行使用了熱機械分析裝置（SII NanoTechnology Inc.製「TMA／SS7100」）的TMA（熱機械分析）量測，量測熱軟化溫度。具體而言，在沿試樣的長邊方向施加50 mN之張力的狀態下，以5℃／min的速度使溫度自20℃變化至180℃，求得試樣長度變化3%時的溫度作為熱軟化溫度。
（玻璃轉移溫度的量測方法）
玻璃轉移溫度Tg係使用示差掃描熱量分析計（SII NanoTechnology Inc.製「DSC6220SII」），根據JIS K 6911，在升溫速度10℃／分的條件下量測。
（薄膜的延遲）
使用相位差量測裝置（王子計測機器（股）製「KOBRA-21-ADH」）量測薄膜的延遲。
（相分離結構）
將薄膜切成2 mm×4 mm的大小，將此等沿厚度方向重疊30張並固定於固定件，使用小角X射線散射量測設施（Aichi SR，束射線8S3），在相機長度4 m、X射線能量8.2 KeV、量測q範圍：約0.06～3 nm− 1 、每1試樣的曝光時間60秒的條件下，獲得散射圖案。將所獲得之散射圖案與理論曲線擬合以決定相分離結構，算出圓柱的半徑及相間距離。
X射線的照射面定為薄膜的剖面，積分範圍定為對厚度方向及垂直於厚度方向之方向分別20°。由自各個積分獲得的資料算出相間距離，將厚度方向與垂直於厚度方向之方向的相間距離之平均值及圓柱的半徑之平均值定為量測值。
（Re（450）／Re（550）的量測）
（D（A）的量測）
（聚合物（A）的製造）
於經乾燥、氮氣置換的耐壓反應器置入作為溶劑之甲苯500 mL、作為聚合觸媒之正丁基鋰0.29 mmol之後，添加作為單體（a）之2-乙烯萘7.0 g，使之在25℃下反應1小時，進行聚合反應。將反應混合物倒入大量的2-丙醇，使聚合物沉澱並分離取得。藉由GPC量測所獲得之聚合物，結果重量平均分子量（Mw）為100000。聚合物的玻璃轉移溫度為145℃。
（加壓薄膜（A）的製造）
將所獲得之聚合物藉由粉碎機粉碎做成粉體。將所獲得之粉體夾在一對聚醯亞胺薄膜（各厚度100 μm）之間做成堆疊體，將堆疊體加壓。加壓係使用電熱加壓裝置來進行。加壓的條件定為溫度280℃、壓力40 MPa、加壓時間2分鐘。加壓結束後，釋放壓力並在空氣中冷卻至室溫，去除聚醯亞胺薄膜。藉由此操作，製作厚度100 μm之未延伸的加壓薄膜（A）。
（薄膜（A）的製造）
使用加熱式拉伸試驗機，將製作好的加壓薄膜（A），在夾頭間距80 mm、延伸速度100%／分、溫度155℃的條件下單軸延伸成1.5倍，獲得延伸薄膜（薄膜（A））。在波長550 nm量測到之薄膜（A）在面內方向上的延遲Re（550）為140 nm。並且，薄膜（A）的Re（450）／Re（550）之值（D（A））為1.08。
（D（B）的量測）
（聚合物（B）的製造）
於經乾燥、氮氣置換的耐壓反應器置入作為溶劑之甲苯500 mL、作為聚合觸媒之正丁基鋰0.29 mmol。之後，添加作為單體（b）之異戊二烯21 g，進一步使之在25℃下反應1小時以進行聚合。將反應混合物倒入大量的2-丙醇，使聚合物沉澱並分離取得。
將所獲得之聚合物溶解於對二甲苯700 mL做成溶液。於此溶液添加對甲苯磺醯肼7.6 g，使之在溫度130℃下反應8小時。藉由此反應，進行對源自異戊二烯之雙鍵的氫化。氫化結束後，於大量的2-丙醇倒入反應溶液，獲得塊狀的氫化聚合物20 g。藉由凝膠滲透層析法（GPC）量測所獲得之氫化聚合物，結果重量平均分子量為100000。
（加壓薄膜（B）的製造）
將所獲得之作為聚合物（B）的氫化聚合物塊2 g，夾在一對聚醯亞胺薄膜（各厚度100 μm）之間做成堆疊體，將堆疊體加壓。加壓係使用電熱加壓裝置來進行。加壓的條件定為溫度25℃、壓力20 MPa、加壓時間2分鐘。加壓結束後，釋放壓力，去除聚醯亞胺薄膜。藉由此操作，製作厚度100 μm之未延伸的加壓薄膜（B）。
（薄膜（B）的製造）
使用加熱式拉伸試驗機，將製作好的加壓薄膜（B），在夾頭間距80 mm、延伸速度100%／分、溫度25℃的條件下單軸延伸成3倍，獲得延伸薄膜（薄膜（B））。在波長550 nm量測到之薄膜（B）在面內方向上的延遲Re（550）為140 nm。並且，薄膜（B）的Re（450）／Re（550）之值（D（B））為1.03。
（折射率）
使用JA-Woollam公司製橢圓偏光計「M-2000U」，對前述加壓薄膜（A）及加壓薄膜（B）量測在波長550 nm的折射率。加壓薄膜（A）的折射率（n（a））為1.67。加壓薄膜（B）的折射率（n（b））為1.52。
（液晶顯示裝置的顯示性能）
準備穿透軸位於幅寬方向上之長條的偏光件（SANRITZ公司製，商品名「HLC2-5618S」，厚度180 μm）。去除偏光件之一面側的保護薄膜，並於該面貼合評價對象的薄膜。貼合係以評價對象薄膜的慢軸方向與偏光件的穿透軸方向夾45°之角度的方式進行。藉由此操作，獲得具備評價對象之薄膜作為兩面保護薄膜中之一者的圓偏光板。
將所獲得之圓偏光板，與市售之有機EL顯示裝置（LG電子製「OLED55B6P」）之觀看側本來具備的圓偏光板置換，獲得具備評價對象之薄膜的有機EL顯示裝置。在置換時，圓偏光板的配置做成具備評價對象之薄膜之側變成有機EL元件側的配置。並且，偏光件的穿透軸做成與在有機EL顯示裝置本來具備的圓偏光板中之偏光件相同的方向。
自相對於顯示面傾斜方向（相對於法線方向45°），在各種不同的方位角上觀察所獲得之有機EL顯示裝置之顯示的狀態。若相較於置換前反射率在全方位皆受到抑制則評價為「良好」，若相較於置換前在一個以上之方位上反射率為同等以下則評價為「不良」。
［實施例A1］
（三嵌段共聚物P1的製造）
於經乾燥、氮氣置換的耐壓反應器，置入作為溶劑之甲苯500 mL、作為聚合觸媒之正丁基鋰0.29 mmol。之後，添加作為單體（a）之2-乙烯萘3.5 g，使之在25℃下反應1小時，進行第一階段的聚合反應。
第一階段的聚合反應結束後，添加作為單體（b）之異戊二烯28 g，使之在25℃下進一步反應1小時，進行第二階段的聚合反應。其結果，於反應混合物中，獲得具有（2-乙烯萘嵌段）―（異戊二烯嵌段）之嵌段構造的二嵌段共聚物。
之後，於反應混合物中，進一步添加作為單體（a）之2-乙烯萘3.5 g，使之在25℃下反應1小時，進行第三階段的聚合反應。其結果，獲得反應混合物，其包含：具有（2-乙烯萘嵌段）―（異戊二烯嵌段）―（2-乙烯萘嵌段）之嵌段構造的三嵌段共聚物。將反應混合物倒入大量的2-丙醇，使三嵌段共聚物沉澱並分離取得。
將所獲得之三嵌段共聚物溶解於對二甲苯700 mL做成溶液。於此溶液添加對甲苯磺醯肼7.6 g，使之在溫度130℃下反應8小時。藉由此反應，對異戊二烯單元的雙鍵加氫。氫化結束後，於大量的2-丙醇倒入反應溶液，獲得作為塊狀生成物的「三嵌段共聚物P1」32 g。所獲得之三嵌段共聚物P1具有「聚合物嵌段（A）」―「聚合物嵌段（B）」―「聚合物嵌段（A）」的嵌段構造。聚合物嵌段（A）含有2-乙烯萘單元作為聚合單元A。聚合物嵌段（B）含有氫化異戊二烯單元作為聚合單元B。
藉由1 H-NMR分析所獲得之三嵌段共聚物P1。其結果，三嵌段共聚物P1中之2-乙烯萘單元與氫化異戊二烯單元的重量比（wA：wB）為20：80，因此三嵌段共聚物P1中之聚合單元A的重量分率wA為0.20。並且三嵌段共聚物P1中之對於異戊二烯單元的氫化率為99%。藉由GPC量測到之三嵌段共聚物P1的重量平均分子量為100000。藉由TMA量測到之三嵌段共聚物P1的熱軟化溫度為100℃。並且三嵌段共聚物P1表現正的雙折射特性。
（相位差薄膜的製作）
使用在前述項目（三嵌段共聚物P1的製造）中獲得之三嵌段共聚物P1作為樹脂C。藉由粉碎機粉碎樹脂C做成粉體。將所獲得之粉體放入螺桿直徑為40 mmϕ的擠製機，自樹脂溫度260℃、幅寬400 mm、唇間隙0.5 mm的模具以20 kg／min的排出量，擠製於表面溫度80℃的澆鑄鼓上。藉此獲得作為幅寬300 mm、厚度100 μm之相位差薄膜的薄膜1。薄膜1的厚度係藉由澆鑄鼓的轉數來調整。
對所獲得之薄膜1，透過前述方法使X射線自剖面入射，利用小角散射法來觀察，結果觀察到相間距離為40 nm、半徑10 nm（直徑20 nm）之沿流動方向定向的圓柱結構。
對所獲得之薄膜1，在波長550 nm量測面內方向延遲Re（550）及厚度方向延遲Rth（550），結果Re（550）＝140 nm、Rth（550）＝50 nm。因此，可想見由圓柱狀的相分離結構所致之結構性雙折射已顯現。並且，在面內方向上賦予最大折射率nx的方向（面內慢軸）與薄膜1的流動方向一致。因此相分離結構中之圓柱的定向方向與賦予nx的方向平行。
並且，薄膜1為Re（450）／Re（550）＝0.80＜1，薄膜1顯現逆波長色散性。
將如此而獲得之發揮作為λ／4板之功能的薄膜（相位差薄膜）1，以前述方法，作為圓偏光板組入有機EL顯示裝置，並評價有機EL顯示裝置的顯示性能。其結果，有機EL顯示裝置的顯示特性良好。
［實施例A2］
（三嵌段共聚物P2的製造）
於經乾燥、氮氣置換的耐壓反應器，置入作為溶劑之甲苯500 mL、作為聚合觸媒之正丁基鋰0.29 mmol。之後，添加作為單體（a）之2-乙烯萘14 g，使之在25℃下反應1小時，進行第一階段的聚合反應。
第一階段的聚合反應結束後，添加作為單體（b）之異戊二烯7 g，使之在25℃下進一步反應1小時，進行第二階段的聚合反應。其結果，於反應混合物中，獲得具有（2-乙烯萘嵌段）―（異戊二烯嵌段）之嵌段構造的二嵌段共聚物。
之後，反應混合物中進一步添加作為單體（a）之2-乙烯萘14 g，使之在25℃下反應1小時，進行第三階段的聚合反應。其結果，獲得反應混合物，其包含：具有（2-乙烯萘嵌段）―（異戊二烯嵌段）―（2-乙烯萘嵌段）之嵌段構造的三嵌段共聚物。將反應混合物倒入大量的2-丙醇，使三嵌段共聚物沉澱以分離取得。
將所獲得之三嵌段共聚物溶解於對二甲苯700 mL做成溶液。於溶液添加對甲苯磺醯肼7.6 g，使之在溫度130℃下反應8小時。藉由此反應，對異戊二烯單元的雙鍵加氫。氫化結束後，於大量的2-丙醇倒入反應溶液，獲得作為塊狀生成物的「三嵌段共聚物P2」32 g。三嵌段共聚物P2具有「聚合物嵌段（A）」―「聚合物嵌段（B）」―「聚合物嵌段（A）」的嵌段構造。聚合物嵌段（A）含有2-乙烯萘單元作為聚合單元A。聚合物嵌段（B）含有氫化異戊二烯單元作為聚合單元B。
藉由1 H-NMR分析所獲得之三嵌段共聚物P2。其結果，三嵌段共聚物P2中之2-乙烯萘單元與氫化異戊二烯單元的重量比（wA：wB）為80：20，因此三嵌段共聚物P2中之聚合單元A的重量分率wA為0.80。並且三嵌段共聚物P2中之對於異戊二烯單元的氫化率為99%。藉由GPC量測到之三嵌段共聚物P2的重量平均分子量為250000。藉由TMA量測到之三嵌段共聚物P2的熱軟化溫度為135℃。並且三嵌段共聚物P2表現負的雙折射特性。
（相位差薄膜的製作）
・擠製薄膜的製作
使用在前述項目（三嵌段共聚物P2的製造）中獲得之三嵌段共聚物P2作為樹脂C。藉由粉碎機粉碎樹脂C做成粉體。將所獲得之粉體放入螺桿直徑為40 mmϕ的擠製機，自樹脂溫度250℃、幅寬400 mm、唇間隙0.5 mm的模具以20 kg／min的排出量，擠製於表面溫度120℃的澆鑄鼓上。修整所獲得之薄膜的邊緣部分，獲得幅寬300 mm厚度100 μm的薄膜2。薄膜2的厚度係藉由澆鑄鼓的轉數來調整。
對所獲得之薄膜2，透過前述方法使X射線自剖面入射，利用小角散射法來觀察，結果觀察到相間距離為40 nm、半徑13 nm（直徑26 nm）之沿流動方向定向的圓柱結構。
對所獲得之薄膜2，在波長550 nm量測面內方向延遲Re（550）及厚度方向延遲Rth（550），結果Re（550）＝200 nm、Rth（550）＝110 nm，在面內方向上賦予最大折射率nx的方向（面內慢軸）與薄膜2的流動方向一致。因此，可想見由圓柱狀的相分離結構所致之結構性雙折射已顯現。
薄膜2為Re（450）／Re（550）＝1.2＞1，薄膜2顯現正的波長色散性。
・延伸薄膜的製作
繼而使用懸浮式的縱向延伸機，以縱向的延伸倍率1.8倍、延伸溫度135℃，沿流動方向延伸薄膜2，獲得薄膜3。
對所獲得之薄膜3，透過前述方法使X射線自剖面入射，利用小角散射法來觀察，結果如同延伸前，觀察到沿流動方向定向的圓柱結構。並且，相間距離為30 nm，圓柱結構的半徑為12 nm（直徑24 nm）。
對所獲得之薄膜3，在波長550 nm量測面內方向延遲Re（550）及Rth（550），結果Re（550）＝140 nm、Rth（550）＝65 nm，且因由圓柱狀的相分離結構所致之結構性雙折射與2-乙烯萘嵌段所擁有之負的雙折射性兩者的效果，於薄膜3顯現雙折射。並且，在面內方向上賦予最大折射率nx的方向（面內慢軸）與薄膜3的幅寬方向（與流動方向正交的方向）一致。因此，相分離結構中之圓柱的定向方向與賦予nx的方向呈正交。
薄膜3為Re（450）／Re（550）＝0.81＜1，薄膜3顯現逆波長色散性。
將如此而獲得之發揮作為λ／4板之功能的薄膜（相位差薄膜）3，以前述方法，作為圓偏光板組入有機EL顯示裝置，並評價有機EL顯示裝置的顯示性能。其結果，有機EL顯示裝置的顯示特性良好。
［實施例A3］
除了將澆鑄鼓的表面溫度自120℃變更為83℃以外，比照實施例A2之擠製薄膜的製作，獲得幅寬300 mm厚度100 μm的薄膜4。薄膜4的厚度係藉由澆鑄鼓的轉數來調整。
對所獲得之薄膜4，透過前述方法使X射線自剖面入射，利用小角散射法來觀察，結果觀察到相間距離為40 nm、半徑13 nm（直徑26 nm）之沿流動方向定向的圓柱結構。
對所獲得之薄膜4，在波長550 nm量測面內方向延遲Re（550）及厚度方向延遲Rth（550），結果Re（550）＝200 nm、Rth（550）＝110 nm，在面內方向上賦予最大折射率nx的方向（面內慢軸）與薄膜4的流動方向一致。因此，可想見由圓柱狀的相分離結構所致之結構性雙折射已顯現。
薄膜4為Re（450）／Re（550）＝1.2＞1，薄膜4顯現正的波長色散性。
繼而使用懸浮式的縱向延伸機，以縱向的延伸倍率1.8倍、延伸溫度135℃，沿流動方向延伸薄膜4，獲得薄膜5。
對所獲得之薄膜5，透過前述方法使X射線自剖面入射，利用小角散射法來觀察，結果如同延伸前，觀察到沿流動方向定向的圓柱結構。並且，相間距離為30 nm，圓柱結構的半徑為12 nm（直徑24 nm）。
對所獲得之薄膜5，在波長550 nm量測面內方向延遲Re（550）及Rth（550），結果Re（550）＝140 nm、Rth（550）＝65 nm，且因由圓柱狀的相分離結構所致之結構性雙折射與2-乙烯萘嵌段所擁有之負的雙折射性兩者的效果，於薄膜5顯現雙折射。並且，在面內方向上賦予最大折射率nx的方向（面內慢軸）與薄膜5的幅寬方向（與流動方向正交的方向）一致。因此，相分離結構中之圓柱的定向方向與賦予nx的方向呈正交。
薄膜5為Re（450）／Re（550）＝0.81＜1，薄膜5顯現逆波長色散性。
將如此而獲得之發揮作為λ／4板之功能的薄膜（相位差薄膜）5，以前述方法，作為圓偏光板組入有機EL顯示裝置，並評價有機EL顯示裝置的顯示性能。其結果，有機EL顯示裝置的顯示特性良好。
［比較例A1］
（三嵌段共聚物CP1的製造）
於經乾燥、氮氣置換的耐壓反應器，置入作為溶劑之甲苯500 mL、作為聚合觸媒之正丁基鋰0.29 mmol。之後，添加作為單體（a）之2-乙烯萘14 g，使之在25℃下反應1小時，進行第一階段的聚合反應。
第一階段的聚合反應結束後，添加作為單體（b）之異戊二烯3.5 g，使之在25℃下進一步反應1小時，進行第二階段的聚合反應。其結果，於反應混合物中，獲得具有（2-乙烯萘嵌段）―（異戊二烯嵌段）之嵌段構造的二嵌段共聚物。
之後，於反應混合物中進一步添加作為單體（a）之2-乙烯萘14 g，使之在25℃下反應1小時，進行第三階段的聚合反應。其結果，獲得反應混合物，其包含：具有（2-乙烯萘嵌段）―（異戊二烯嵌段）―（2-乙烯萘嵌段）之嵌段構造的三嵌段共聚物。將反應混合物倒入大量的2-丙醇，使三嵌段共聚物沉澱以分離取得。
將所獲得之三嵌段共聚物溶解於對二甲苯700 mL做成溶液。於此溶液添加對甲苯磺醯肼7.6 g，使之在溫度130℃下反應8小時。藉由此反應，對異戊二烯單元的雙鍵加氫。氫化結束後，於大量的2-丙醇倒入反應溶液，獲得作為塊狀生成物的「三嵌段共聚物CP1」32 g。所獲得之三嵌段共聚物CP1具有「聚合物嵌段（A）」―「聚合物嵌段（B）」―「聚合物嵌段（A）」的嵌段構造。聚合物嵌段（A）含有2-乙烯萘單元作為聚合單元A。聚合物嵌段（B）含有氫化異戊二烯單元作為聚合單元B。
藉由NMR分析所獲得之三嵌段共聚物CP1。其結果，三嵌段共聚物CP1中之2-乙烯萘單元與氫化異戊二烯單元的重量比（wA：wB）為90：10，因此三嵌段共聚物CP1中之聚合單元A的重量分率wA為0.90。並且三嵌段共聚物CP1中之對於異戊二烯單元的氫化率為99%。藉由GPC量測到之三嵌段共聚物CP1的重量平均分子量為250000。藉由TMA量測到之三嵌段共聚物CP1的熱軟化溫度為140℃。
（相位差薄膜的製作）
除了以下事項以外，比照實施例A1之（相位差薄膜的製作），獲得幅寬300 mm、厚度100 μm的薄膜C1。 ・使用三嵌段共聚物CP1代替三嵌段共聚物P1作為樹脂C。
對所獲得之薄膜C1，透過前述方法使X射線自剖面入射，利用小角散射法來觀察，結果觀察到相間距離為40 nm、半徑10 nm（直徑20 nm）的球狀結構。
對所獲得之薄膜C1，在波長550 nm量測面內方向延遲Re（550）及厚度方向延遲Rth（550），結果Re（550）＝5 nm、Rth（550）＝7 nm，且未看到結構性雙折射的顯現。
繼而使用懸浮式的縱向延伸機，以縱向的延伸倍率1.8倍、延伸溫度145℃，沿流動方向延伸薄膜C1，獲得薄膜C2。
對所獲得之薄膜C2，透過前述方法使X射線自剖面入射，利用小角散射法來觀察，結果如同延伸前，觀察到球狀結構。並且，相間距離為50 nm，球狀結構的半徑為13 nm。
對所獲得之薄膜C2，在波長550 nm量測面內方向延遲Re（550）及Rth（550），結果Re（550）＝140 nm、Rth（550）＝71 nm，且在面內方向上賦予最大折射率nx的方向（面內慢軸）與薄膜C2的幅寬方向。
薄膜C2為Re（450）／Re（550）＝1.1＞1，薄膜C2顯現正的波長色散性。
將如此而獲得之發揮作為λ／4板之功能的薄膜（相位差薄膜）C2，以前述方法，作為圓偏光板組入有機EL顯示裝置，並評價有機EL顯示裝置的顯示性能。其結果，看到依方位而反射率的上升及色調的變化，有機EL顯示裝置的顯示特性不良。
由以上結果可知以下事項。
顯現結構性雙折射、不包含圓柱狀之相分離結構的比較例A1相關之薄膜C2未顯現逆波長色散性，組入薄膜C1的有機EL顯示裝置的顯示特性不良。
相對於此，「f（B）（在實施例A1中，聚合單元B在三嵌段共聚物P1中的重量分率wB）＞0.5且賦予nx的方向與相分離結構中之圓柱的定向方向為平行」之滿足條件（1）的實施例A1相關之薄膜1顯現逆波長色散性，有機EL顯示裝置的顯示特性良好。
並且，「f（A）（在實施例A2及A3中，聚合單元A在三嵌段共聚物P2中的重量分率wA）＞0.5且賦予nx的方向與相分離結構中之圓柱的定向方向正交」之滿足條件（2）的實施例A2及A3相關之薄膜3及5顯現逆波長色散性，有機EL顯示裝置的顯示特性良好。
〈實施例B1～實施例B6〉
［評價方法］
（熱軟化溫度的量測方法）
將量測對象的樹脂成形為5 mm×20 mm×100 μm的薄膜，做成試樣。對此試樣進行使用了熱機械分析裝置（SII NanoTechnology Inc.製「TMA／SS7100」）的TMA（熱機械分析）量測，量測熱軟化溫度。具體而言，在沿試樣的長邊方向施加50 mN之張力的狀態下，以5℃／min的速度使溫度自20℃變化至180℃，求得試樣長度變化3%時的溫度作為熱軟化溫度。
（相位差薄膜之Re、Rth、Δn及NZ係數的量測方法）
相位差薄膜之面內方向的延遲Re、厚度方向的延遲Rth及NZ係數，係使用相位差計（AXOMETRICS公司製「AXOSCAN」），在量測波長550 nm量測。
並且，將相位差薄膜之面內方向的延遲Re除以厚度d，求得相位差薄膜的雙折射Δn。
（波長色散特性的評價方法）
使用相位差計（AXOMETRICS公司製「AXOSCAN」）量測在量測波長450 nm、550 nm及650 nm之相位差薄膜之面內方向的延遲Re（450）、Re（550）及Re（650）。自量測到的Re（450）、Re（550）及Re（650）計算Re（450）／Re（550）及Re（650）／Re（550）。
（顯示特性的評價方法：λ／4板（實施例B1～B5））
準備穿透軸位於幅寬方向上之長條的偏光件（SANRITZ公司製「HLC2-5618S」，厚度180 μm）作為依序具備保護薄膜、偏光件及保護薄膜的偏光板。去除偏光件之一面側的保護薄膜，並於該面貼合在實施例B1～B5中獲得之相位差薄膜。貼合係以相位差薄膜的慢軸方向與偏光板的穿透軸方向夾45°之角度的方式進行。藉由此操作，獲得具備實施例B1～B5之相位差薄膜作為兩面保護薄膜中之一者的圓偏光板樣本。
準備自觀看側依序具備圓偏光板及有機EL元件之市售的有機EL顯示裝置（LG電子製「OLED55EG9600」）。將此有機EL顯示裝置的圓偏光板與前述圓偏光板樣本置換。置換時，圓偏光板樣本係以自有機EL元件側依序配置相位差薄膜、偏光件及保護薄膜的方式設置。並且，圓偏光板樣本之偏光件的穿透軸定為與在有機EL顯示裝置本來具備的圓偏光板中之偏光件的穿透軸相同的方向。藉此，獲得顯示特性評價用的有機EL顯示裝置。
自相對於顯示面斜向方向（相對於法線方向45°），在各式各樣的方位上觀察所獲得之有機EL顯示裝置之顯示的狀態。於此，所謂「方位」，係指前述斜向方向之平行於顯示面的分量。 相較於置換前的市售之有機EL顯示裝置，廣達全方位在顯示面上的反射率受到抑制的情況評價為「良」。 並且，相較於置換前的市售之有機EL顯示裝置，在一個以上之方位上反射率為同等以下的情況評價為「不良」。
（顯示特性的評價方法：λ／2板（實施例B6））
準備穿透軸位於幅寬方向上之長條的偏光件（SANRITZ公司製「HLC2-5618S」，厚度180 μm）作為依序具備保護薄膜、偏光件及保護薄膜的偏光板。去除偏光件之一面側的保護薄膜，並於該面貼合在實施例B6中獲得之相位差薄膜。貼合係以相位差薄膜的慢軸方向與偏光板的穿透軸方向一致的方式進行。藉由此操作，獲得具備實施例B6之相位差薄膜作為兩面保護薄膜中之一者的偏光板樣本。
準備依序具備光源側偏光板、液晶單元及觀看側偏光板之市售的IPS液晶顯示裝置（LG電子製「23MP47HQ」）。將此IPS液晶顯示裝置的觀看側偏光板與前述偏光板樣本置換。置換時，偏光板樣本係以自液晶單元側依序配置相位差薄膜、偏光件及保護薄膜的方式設置。並且，偏光板樣本之偏光件的穿透軸做成與在IPS液晶顯示裝置本來具備的觀看側偏光板中之偏光件的穿透軸相同的方向。藉此，獲得顯示特性評價用的液晶顯示裝置。
自相對於顯示面斜向方向（相對於法線方向45°），在各式各樣的方位上觀察所獲得之液晶顯示裝置之顯示的狀態。 相較於置換前的市售之IPS液晶顯示裝置，廣達全方位對比為高者評價為「良」。 並且，相較於置換前的IPS液晶顯示裝置，在一個以上之方位上對比為同等以下者評價為「不良」。
［實施例B1］
（1-1.作為共聚物P之氫化嵌段共聚物的製造）
在氮氣環境下，於經乾燥、氮氣置換的耐壓反應器，置入作為溶劑之甲苯100 mL、作為聚合觸媒之正丁基鋰的1.6 M己烷溶液127 μL（0.20毫莫耳）。之後，於耐熱反應器添加作為芳族乙烯系化合物之2-乙烯萘的25 wt%甲苯溶液40 g，使之在25℃下反應1小時，進行第一階段的聚合反應。第一階段的聚合反應結束後，採取聚合物的一部分，自利用以四氫呋喃為溶劑之GPC的分子量之量測，確認到數量平均分子量（Mn）為33000，重量平均分子量（Mw）為34600，分子量分布為1.05。並且，藉由以氘代氯仿為溶劑的1 H-NMR量測，2-乙烯萘的轉化率為95%。
隨後，於耐熱反應器中的反應混合物，添加異戊二烯5 g作為鏈狀共軛二烯系化合物，使之在50℃下進一步反應0.5小時，進行第二階段的聚合反應。其結果，於反應混合物中，獲得具有（2-乙烯萘嵌段）―（異戊二烯嵌段）之嵌段構造的二嵌段共聚物。藉由GPC量測，二嵌段共聚物的數量平均分子量（Mn）為68000，重量平均分子量（Mw）為72000，分子量分布為1.06。藉由1 H-NMR量測，確認到在第一階段殘留下來的2-乙烯萘全被消耗，異戊二烯的轉化率為96%。並且，由烯烴部分之積分值的比例來看，異戊二烯嵌段的微觀結構中，聚(1,4-異戊二烯)為94%，聚(1,2-異戊二烯)及聚(3,4-異戊二烯)為6%。
之後，於反應混合物進一步添加作為芳族乙烯系化合物之2-乙烯萘的25 wt%甲苯溶液40 g，使之在25℃下反應17小時，進行第三階段的聚合反應。聚合反應結束後，添加100 μL的甲醇，於反應混合物中獲得具有（2-乙烯萘嵌段）―（異戊二烯嵌段）―（2-乙烯萘嵌段）之嵌段構造的三嵌段共聚物。採取三嵌段共聚物的一部分，自利用GPC的分子量之量測，確認到數量平均分子量（Mn）為106000，重量平均分子量（Mw）為117600，分子量分布為1.11。並且，藉由1 H-NMR量測，確認到在第二階段之聚合殘留下來的異戊二烯及在第三階段加入的2-乙烯萘全被消耗。
將所獲得之三嵌段共聚物濃縮，去除甲苯之後，使之溶解於對二甲苯700 mL。於此溶液添加對甲苯磺醯肼55 g，多次重複減壓及氮氣置換操作，藉此排除溶液內的氧氣之後，使之在溫度120℃下反應6小時。藉由此反應，進行對異戊二烯嵌段之雙鍵的氫化。氫化結束後，將大量的丙酮與甲醇倒入反應溶液，獲得呈塊狀生成物的氫化嵌段共聚物20 g。所獲得之氫化嵌段共聚物具有「聚合物嵌段［A］」―「聚合物嵌段［B］」―「聚合物嵌段［A］」這樣的三嵌段構造。聚合物嵌段［A］含有2-乙烯萘單元。聚合物嵌段［B］含有氫化異戊二烯單元。
藉由NMR分析所獲得之作為共聚物P的氫化嵌段共聚物。其結果，氫化嵌段共聚物中之2-乙烯萘單元與氫化異戊二烯單元的重量比（wA：wB）為80：20。因此，聚合物嵌段［A］的重量分率wA為80%（0.80），聚合物嵌段［B］的重量分率wB為20%（0.20）。並且，氫化嵌段共聚物之氫化異戊二烯單元的氫化率為＞99%。再者，藉由GPC量測到之三嵌段共聚物的數量平均分子量為106000。並且，藉由TMA量測到之氫化嵌段共聚物的熱軟化溫度Td為133℃。
（1-2.熔融擠製工序）
使用前述氫化嵌段共聚物作為熱塑性的樹脂C，透過熔融擠製法進行中間薄膜的製造。具體上進行如下所述之操作。
準備具備「冷卻輥」與「設置成能將熔融樹脂擠製於此冷卻輥上之模具」的擠製成形裝置。使用擠製機使熱塑性樹脂C熔融而供給至模具，自模具往冷卻輥上擠製成薄膜狀。經擠製的樹脂C為冷卻輥所接收，隨冷卻輥的旋轉來運送並冷卻，因而固化。藉此，獲得由作為熱塑性樹脂C之氫化嵌段共聚物所形成之厚度200 μm的中間薄膜。熱塑性樹脂C的擠製溫度Te為261℃。並且，冷卻輥的溫度Tc為78℃。
（1-3.延伸處理工序）
裁切所獲得之中間薄膜，做成80 mm×80 mm之大小的矩形薄膜。使用批次式延伸裝置（東洋精機公司製），對此矩形薄膜施以自由寬度單軸延伸。延伸的條件定為延伸溫度TE 為150℃、延伸倍率為4.0倍、延伸速度為每分鐘100%。其結果，獲得作為λ／4板的相位差薄膜。對所獲得之相位差薄膜，以上述方法進行評價。
［實施例B2及B3］
在工序（1-2）中，將中間薄膜的厚度變更為如表1所揭示。中間薄膜的厚度之變更係藉由透過冷卻輥之旋轉速度的調整，調整由冷卻輥所致之熔融樹脂的牽引速度來進行。中間薄膜的厚度之變更方法在此之後的實施例中亦同。
在工序（1-3）中，將中間薄膜的延伸條件變更為如表1所揭示。
除了以上事項以外，藉由與實施例B1相同的操作，進行作為λ／4板之相位差薄膜的製造及評價。
［實施例B4］
在工序（1-1）中，將在第一階段的聚合反應中使用之2-乙烯萘、在第二階段的聚合反應中使用之異戊二烯及在第三階段的聚合反應中使用之2-乙烯萘的量，分別變更為8 g、8 g及8 g。比照實施例B1進行GPC量測，結果確認到氫化前之三嵌段共聚物的數量平均分子量（Mn）為120000，重量平均分子量（Mw）為133000，分子量分布為1.11。並且，由第二階段的聚合後之二嵌段共聚物的1 H-NMR量測來看，異戊二烯嵌段的微觀結構中，聚(1,4-異戊二烯)為92%，聚(1,2-異戊二烯)及聚(3,4-異戊二烯)為8%。藉由氫化後之氫化嵌段共聚物的GPC量測，確認到數量平均分子量（Mn）為129000，重量平均分子量（Mw）為144000，分子量分布為1.12。
在工序（1-2）中，將熱塑性樹脂C的擠製條件變更為如表1所揭示。
在工序（1-3）中，將中間薄膜的延伸條件變更為如表1所揭示。
除了以上事項以外，藉由與實施例B1相同的操作，進行作為λ／4板之相位差薄膜的製造及評價。
［實施例B5］
在工序（1-1）中，將在第一階段的聚合反應中使用之2-乙烯萘、在第二階段的聚合反應中使用之異戊二烯及在第三階段的聚合反應中使用之2-乙烯萘的量，分別變更為9 g、6 g及9 g。比照實施例1進行GPC量測，結果確認到所獲得之氫化前之三嵌段共聚物的數量平均分子量（Mn）為95000，重量平均分子量（Mw）為106000，分子量分布為1.12。並且，由第二階段的聚合後之二嵌段共聚物的1 H-NMR量測來看，異戊二烯嵌段的微觀結構中，聚(1,4-異戊二烯)為92%，聚(1,2-異戊二烯)及聚(3,4-異戊二烯)為8%。藉由氫化後之氫化嵌段共聚物的GPC量測，確認到數量平均分子量（Mn）為103000，重量平均分子量（Mw）為116000，分子量分布為1.13。
在工序（1-2）中，將熱塑性樹脂的擠製條件變更為如表1所揭示。
在工序（1-3）中，將中間薄膜的延伸條件變更為如表1所揭示。
除了以上事項以外，藉由與實施例B1相同的操作，進行作為λ／4板之相位差薄膜的製造及評價。
［實施例B6］
在工序（1-1）中，將在第一階段的聚合反應中使用之2-乙烯萘、在第二階段的聚合反應中使用之異戊二烯及在第三階段的聚合反應中使用之2-乙烯萘的量，分別變更為9 g、6 g及9 g。比照實施例1進行GPC量測，結果確認到所獲得之氫化前之三嵌段共聚物的數量平均分子量（Mn）為95000，重量平均分子量（Mw）為106000，分子量分布為1.12。並且，由第二階段的聚合後之二嵌段共聚物的1 H-NMR量測來看，異戊二烯嵌段的微觀結構中，聚(1,4-異戊二烯)為92%，聚(1,2-異戊二烯)及聚(3,4-異戊二烯)為8%。藉由氫化後之氫化嵌段共聚物的GPC量測，確認到數量平均分子量（Mn）為103000，重量平均分子量（Mw）為116000，分子量分布為1.13。
在工序（1-2）中，將熱塑性樹脂的擠製條件變更為如表1所揭示。
在工序（1-3）中，將中間薄膜的延伸條件變更為如表1所揭示。
除了以上事項以外，藉由與實施例B1相同的操作，進行作為λ／2板之相位差薄膜的製造。對所獲得之相位差薄膜，以上述方法進行評價。
［實施例B1～B6的結果］
實施例B1～B6的結果揭示於下述表。在下述表中，簡稱的意義係如同下述。 VN：2-乙烯萘。 IP：異戊二烯。 ABA：［A］―［B］―［A］三嵌段構造。
『表1』 ［表1.實施例B1～B6的結果］
Figure 108109236-A0304-0001
以上結果揭示，本發明之相位差薄膜具有逆波長色散性，且得以低成本輕易製造。
10‧‧‧相位差薄膜 20‧‧‧樹脂 30‧‧‧中間薄膜 100‧‧‧擠製成形裝置 110‧‧‧模具 120‧‧‧冷卻輥 200‧‧‧延伸裝置
〈圖1〉圖1係繪示透過本發明之一實施型態相關之製造方法來製造相位差薄膜之狀況的概略示意圖。
10‧‧‧相位差薄膜
20‧‧‧樹脂
30‧‧‧中間薄膜
100‧‧‧擠製成形裝置
110‧‧‧模具
120‧‧‧冷卻輥
200‧‧‧延伸裝置

Claims (14)

  1. 一種相位差薄膜，其係由包含含聚合單元A與聚合單元B之共聚物P的樹脂C而成，且包含顯現結構性雙折射之圓柱狀的相分離結構；其中，前述相分離結構包含以前述聚合單元A為主成分之相(A)與以前述聚合單元B為主成分之相(B)，且滿足下述條件(1)或(2)：條件(1)：D(A)>D(B)且f(B)>0.5，且在面內方向上賦予最大折射率的方向與前述相分離結構中之圓柱的定向方向為平行；條件(2)：D(A)>D(B)且0.80≧f(A)>0.5，且在面內方向上賦予最大折射率的方向與前述相分離結構中之圓柱的定向方向呈正交；於此，f(A)表示前述共聚物P中之前述聚合單元A的總重量比率，f(B)表示前述共聚物P中之前述聚合單元B的總重量比率，D(A)=ReA(450)/ReA(550)，D(B)=ReB(450)/ReB(550)，ReA(450)表示以由前述聚合單元A而成之聚合物(A)來形成的薄膜(A)在波長450nm量測到的面內方向延遲(nm)，ReA(550)表示前述薄膜(A)在波長550nm量測到的面內方向延遲(nm)， ReB(450)表示以由前述聚合單元B而成之聚合物(B)來形成的薄膜(B)在波長450nm量測到的面內方向延遲(nm)，ReB(550)表示前述薄膜(B)在波長550nm量測到的面內方向延遲(nm)。
  2. 如請求項1所述之相位差薄膜，其中在波長550nm量測到的面內方向延遲Re(550)為100nm以上且300nm以下。
  3. 如請求項1或2所述之相位差薄膜，其中在波長450nm量測到的面內方向延遲Re(450)相對於在波長550nm量測到的面內方向延遲Re(550)之比率(Re(450)/Re(550))為0以上且未達1。
  4. 如請求項1或2所述之相位差薄膜，其中前述相分離結構中之前述圓柱的直徑為50nm以下。
  5. 如請求項1或2所述之相位差薄膜，其中前述聚合物(A)的折射率n(a)與前述聚合物(B)的折射率n(b)之差的絕對值(｜n(a)-n(b)｜)為0.05以上。
  6. 如請求項1或2所述之相位差薄膜，其中前述相分離結構中的相間距離為200nm以下。
  7. 如請求項1或2所述之相位差薄膜，其中前述共聚物P係具有以前述聚合單元A為主成分之嵌段(A)及以前述聚合單元B為主成分之嵌段(B)的嵌段聚合物。
  8. 如請求項1或2所述之相位差薄膜，其中前述共聚物P包含三嵌段共聚物P’，前述三嵌段共聚物P’係具有以前述聚 合單元A為主成分之嵌段(A)及以前述聚合單元B為主成分之嵌段(B)的(A)-(B)-(A)三嵌段共聚物。
  9. 如請求項1或2所述之相位差薄膜，其中前述共聚物P包含五嵌段共聚物P”，前述五嵌段共聚物P”係具有以前述聚合單元A為主成分之嵌段(A)及以前述聚合單元B為主成分之嵌段(B)的(A)-(B)-(A)-(B)-(A)五嵌段共聚物。
  10. 如請求項1或2所述之相位差薄膜，其中前述共聚物P的固有雙折射值為負。
  11. 如請求項1或2所述之相位差薄膜，其中0.9>f(B)>0.5。
  12. 如請求項1或2所述之相位差薄膜，其中前述聚合單元A係芳族乙烯系單元，前述聚合單元B係氫化鏈狀共軛二烯系單元。
  13. 一種如請求項1至12之任一項所述之相位差薄膜的製造方法，其包含：將包含含前述聚合單元A與前述聚合單元B之前述共聚物P的前述樹脂C熔融擠製於冷卻輥上以獲得中間薄膜的第一工序，與對前述中間薄膜施以延伸處理的第二工序；其中前述共聚物P的熱軟化溫度Td及前述冷卻輥的溫度Tc滿足下述式(3)： Tc<Td-50℃ (3)。
  14. 如請求項13所述之相位差薄膜的製造方法，其滿足前述條件(2)。
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