TWI786593B - 面狀光源及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係可抑制配線材料吸收光源發出之光之面狀光源及其製造方法。
本發明之面狀光源主要具有：光源20，其一面側具備正負一對電極21；導光構件10，其以露出電極21之方式覆蓋光源20；配線基板30，其具有與電極21電性連接之配線層32；及光反射性片材40，其介置於導光構件10與配線基板30之間。光反射性片材40具備一個一個地面向成正負一對之各電極21的第1貫通孔41，電極21與配線層32係藉由經由第1貫通孔41配置之導電構件50而電性連接。
Description
本發明係關於一種面狀光源及其製造方法。
使用發光二極體之面狀光源可應用於液晶電視之背光等多種機器中。為了實現此種面狀光源之高亮度化及低耗電化，需要有效利用光源之光。例如，專利文獻1中揭示了提高露出配線而連接發光元件之發光裝置中之光提取效率的技術。
[專利文獻1]特開2019-003994號公報
本發明之課題在於提供一種抑制配線材料吸收光源發出之光的面狀光源及其製造方法。
本發明之面狀光源具有：光源，其一面側具備正負一對電極；導光
構件，其以露出上述電極之方式覆蓋上述光源；配線基板，其具有與上述電極電性連接之配線層；及光反射性片材，其介置於上述導光構件與上述配線基板之間，且具備一個一個地面向成正負一對之各上述電極的第1貫通孔；上述電極與上述配線層藉由經由上述第1貫通孔配置之導電構件而電性連接。
本發明之面狀光源之製造方法包含：發光模組準備步驟，其準備發光模組，該發光模組具有一面側具備正負一對電極之光源、以露出上述電極之方式覆蓋上述光源之導光構件、及具備一個一個地面向成正負一對之各上述電極的第1貫通孔之第1光反射性片材；配線基板準備步驟，其準備具有與上述電極電性連接之配線層的配線基板；發光模組接著步驟，其將上述發光模組接著於上述配線基板；及連接步驟，其經由配置於上述第1貫通孔之導電構件而將上述電極與上述配線層電性連接。
又，本發明之面狀光源之製造方法包含：配線基板準備步驟，其於具有配線層之配線基板上配置具有第1貫通孔之第1光反射性片材，並使上述配線層面向上述第1貫通孔，上述配線層與一面側具有正負一對電極之光源的上述電極電性連接，上述第1貫通孔一個一個地面向成正負一對之各上述電極；發光模組準備步驟，其準備發光模組，該發光模組具有上述光源、面向上述第1貫通孔且具備供上述光源配置之第2貫通孔之第2光反射性片材、及以露出上述電極之方式覆蓋上述光源之導光構件，且上述第2貫通孔內配置有上述光源，上述導光構件上配置有上述光源；發光模組接著步驟，其以上述電極面向上述第1貫通孔之方式介置上述第1光反射性
片材，將上述發光模組接著於上述配線基板；及連接步驟，其經由配置於上述第1貫通孔之導電構件而將上述電極與上述配線層電性連接。
根據本發明，可實現能抑制配線材料對光之吸收、進而能有效利用光源發出之光的面狀光源、及其製造方法。
10:導光構件
11:導光構件之光源配置部
15a:導光板
15a1:導光板
15b:導光構件
15c:導光構件
15c1:第1導光板
15c2:第2導光板
20:光源
20A:光源
20B:光源
20C:光源
20D:光源
21:光源之正負一對電極
22:光源之發光元件
23:光源之透光性構件
23A:透光性構件
23B:透光性構件
24A:光源之光調整構件(第1光調整構件)
24B:光反射層
24C:第1光調整構件
24D:光反射層
25:光源之具有電極之面上的電極間之區域
26:光源之被覆構件
30:配線基板
30A:配線基板
30B:配線基板
31:第3貫通孔
32:配線基板之配線層
32A:配線層
32B:配線層
34:配線基板之絕緣基材
34A:絕緣基材
34B:絕緣基材
36:配線基板之被覆層
36B:被覆層
37:開口部
40:光反射性片材、第1光反射性片材
40A:第1光反射性片材
41:第1貫通孔
45:第2光反射性片材
46:第2貫通孔
50:導電構件
51:第1導電構件
52:第2導電構件
60:光調整構件(第2光調整構件)
70:光反射構件
70A:反射構件
70B:格子線
75:光反射構件之變化例
75A:光反射構件
75B:格子線
80:保護構件
90:貼合基板
90A:貼合基板
100:發光模組
101:發光模組
102:發光模組
105:發光模組
150:發光模組之集合體
152:發光模組之集合體
155:發光模組之集合體
200A:面狀光源之一部分
200,300:面狀光源
201:面狀光源
202:面狀光源
圖1係表示第1實施方式之面狀光源之概略立體圖。
圖2係圖1所示之II-II線上之模式剖視圖。
圖3A係表示第1實施方式之光源之一例之概略立體圖。
圖3B係圖3A所示之IIIB-IIIB線上之概略剖視圖。
圖3C係表示圖3A所示之光源之具有電極之面的概略底視圖。
圖4係表示第1實施方式之配線基板之被覆層之開口部的概略俯視圖。
圖5係表示第1實施方式之發光模組的概略立體圖。
圖6係表示第1實施方式之光源與光反射構件之位置關係的概略俯視圖。
圖7A係表示第1實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖7B係表示第1實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖7C係表示第1實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖7D係表示第1實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖7E係表示第1實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖7F係表示第1實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖8A係表示第1實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖8B係表示第1實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖9A係表示第1實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖9B係表示第1實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖9C係表示第1實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖10係表示第2實施方式之面狀光源之一部分的概略剖視圖。
圖11A係表示第2實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖11B係表示第2實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖12A係表示第2實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖12B係表示第2實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖13係表示第3實施方式之面狀光源之一部分的概略剖視圖。
圖14係表示第3實施方式之發光模組的概略立體圖。
圖15A係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖15B係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖15C係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖15D係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖15E係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖15F係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖15G係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖15H係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖16A係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖16B係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖16C係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖17A係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖17B係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖17C係表示第3實施方式之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖18A係表示光源之變化例之概略剖視圖。
圖18B係表示光源之變化例之概略剖視圖。
圖18C係表示光源之變化例之概略剖視圖。
圖18D係表示光源之變化例之概略剖視圖。
圖19A係表示導光構件之變化例之概略立體圖。
圖19B係表示導光構件之變化例之概略剖視圖。
圖19C係表示導光構件之變化例之概略剖視圖。
圖20A係表示導光構件之變化例之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖20B係表示導光構件之變化例之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖20C係表示導光構件之變化例之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖20D係表示導光構件之變化例之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖20E係表示導光構件之變化例之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖20F係表示導光構件之變化例之製造方法之一例的概略剖視圖。
圖21係表示具有本實施方式之變化例之配線基板的面狀光源的概略剖視圖。
圖22係表示本實施方式之面狀光源之製造方法的流程圖。
以下，參照附圖說明實施方式之面狀光源及其製造方法。再者，以
下之實施方式之說明中參照之附圖係概略性地表示實施方式，故有時會誇大各構件之比例尺、間隔或者位置關係等，省略構件之一部分圖示，或使用僅示出切斷面之端面圖作為剖視圖。又，以下之說明中，相同名稱及符號原則上表示相同或同質之構件，並適當省略詳細說明。本說明書中，「上」、「下」等係表示用於進行說明之參照附圖中構成要素間之相對位置，只要無特別說明，則並不表示絕對位置。
參照圖1~圖4，說明第1實施方式之面狀光源200、300之構成之一例。圖2中表示面狀光源200之剖面，該面狀光源200具有與面狀光源300之一部分200A對應之構成。面狀光源200與面狀光源300中，後述之發光模組之個數不同，但1個發光模組之構成相同。
面狀光源300主要具有：光源20，其一面側具備正負一對電極21；導光構件10，其以露出電極21之方式覆蓋光源20；配線基板30，其具有與電極21電性連接之配線層32；及光反射性片材40，其介置於導光構件10與配線基板30之間。光反射性片材40具有面向電極21之第1貫通孔41，第1貫通孔41係一個一個地對應於光源20之成正負一對之各電極21，即，1個第1貫通孔41對應於1個電極21，電極21與配線層32藉由經由第1貫通孔41配置之導電構件50而電性連接。
以下，說明面狀光源300之各構成。再者，面狀光源300之光取出面即為導光構件10之位於與光反射性片材40相反之側的上表面。再者，本實施方式中，於導光構件10之上表面配置有光調整構件60。
如圖2~圖3C所示，光源20係於一面側正負一對電極21，且經由電極21被施加外部電壓從而發光。如圖3A~圖3C所示，光源20具有發光元件22、透光性構件23A及第1光調整構件24A。光源20係近似於長方體之形狀，且具有露出於透光性構件23A之與配置有第1光調整構件24A之上表面為相反側之下表面的正負一對電極21。
發光元件22包含半導體積層體，本實施方式中，至少半導體積層體之上表面及側面被透光性構件23A包圍。作為半導體積層體，能發出可見光或紫外光，可根據所需之發光峰值波長使用任意組成。例如，可使用能發出藍色光或綠色光之氮化物半導體(InxAlyGa1-x-yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaP，或能發出紅色光之GaAlAs、AlInGaP等。又，可根據使用目的，適當選擇發光元件22之大小、個數等。
半導體積層體包含n型半導體層、p型半導體層、及被它們所夾之發光層。發光層可具有雙異質接合或單量子井(SQW)等構造，亦可具有如多重量子井戸(MQW)般包含一大群之活性層群的構造。
又，半導體積層體可具有於n型半導體層與p型半導體層之間包含1個以上之發光層的構造，亦可複數次重複具有依序包含n型半導體層、發光層及p型半導體層這一構造的構造。當半導體積層體包含複數個發光層時，可包含發光峰值波長不同之發光層，亦可包含發光峰值波長相同之發光層。再者，所謂發光峰值波長相同，亦包括具有數nm程度之差異。複
數個發光層之間的發光峰值波長之組合可適當選擇。例如，當半導體積層體包含2個發光層時，可按藍色光與藍色光、綠色光與綠色光、紅色光與紅色光、紫外光與紫外光、藍色光與綠色光、藍色光與紅色光、或、綠色光與紅色光等組合選擇發光層。各發光層可包含發光峰值波長不同之複數個活性層，亦可包含發光峰值波長不同之複數個活性層。
透光性構件23A例如包含透光性樹脂材料，可使用環氧樹脂、矽酮樹脂或其等混合而成之樹脂等。透光性構件23A可包含螢光體，例如，藉由包含吸收來自發光元件22之藍色光並放射出黃色光之螢光體，可自光源20射出白色光。又，透光性構件23A亦可包含複數種螢光體，例如，藉由包含吸收來自發光元件22之藍色光並放射出黃色光之螢光體、及射出紅色光之螢光體，可自光源20射出白色光。作為此種螢光體，可使用例如，釔‧鋁‧石榴石系螢光體(例如，Y3(Al,Ga)5O12：Ce)、鎦‧鋁‧石榴石系螢光體(例如，Lu3(Al,Ga)5O12：Ce)、鋱‧鋁‧石榴石系螢光體(例如，Tb3(Al,Ga)5O12：Ce)、CCA系螢光體(例如，Ca10(PO4)6C12：Eu)、SAE系螢光體(例如，Sr4Al14O25：Eu)、氯矽酸鹽系螢光體(例如，Ca8MgSi4O16C12：Eu)、β型賽隆系螢光體(例如，(Si,Al)3(O,N)4：Eu)、α賽隆系螢光體(例如，Mz(Si,Al)12(O,N)16：Eu(其中，0<z≦2，M為除Li、Mg、Ca、Y、及La、Ce之外的鑭系元素))、SLA系螢光體(例如，SrLiAl3N4：Eu)、CASN系螢光體(例如，CaAlSiN3：Eu)或者SCASN系螢光體(例如，(Sr,Ca)AlSiN3：Eu)等氮化物系螢光體、KSF系螢光體(例如，K2SiF6：Mn)、KSAF系螢光體(例如，K2(Si,Al)F6：Mn)或者MGF系螢光體(例如，3.5MgO‧0.5MgF2‧GeO2：Mn)等氟化物系螢光體、具有鈣鈦礦構
造之螢光體(例如，CsPb(F,Cl,Br,I)3)、或量子點螢光體(例如，CdSe、InP、AgInS2或AgInSe2)等。
又，亦可將含有上述螢光體之波長轉換片配置於面狀光源200、300上。波長轉換片可為吸收來自光源20之藍色光之一部分而發出黃色光、綠色光及/或紅色光、並射出白色光的面狀光源。例如，可將能發出藍色光之光源、與含有能發出黃色光之螢光體之波長轉換片組合而獲得白色光。另外，亦可將能發出藍色光之光源、與含有紅色螢光體及綠色螢光體之波長轉換片組合。又，亦可將能發出藍色光之光源、與複數個波長轉換片組合。作為複數個波長轉換片，可選擇例如含有能發出紅色光之螢光體之波長轉換片、及含義能發出綠色光之螢光體之波長轉換片。又，亦可將含有能發出藍色光之發光元件及能發出紅色光之螢光體之透光性構件的光源、與含有能發出綠色光之螢光體之波長轉換片組合。
第1光調整構件24A係用於調整光源20之配光的構件。第1光調整構件24A將自光源20內部經過光源20之上表面射向外部的光之一部分遮斷或反射。光源20之配光係經由第1光調整構件24A調整，以使面狀光源300之光取出面之正上方之發光不會過強而令光取出面均勻發光。當第1光調整構件24A對於自發光元件22射出之光的透過率充分低時，例如為1%以上50%以下，較佳為3%以上30%以下時，第1光調整構件24A成為遮光膜，從而能避免光源20正上方之亮度變得過高。作為第1光調整構件24A，例如，可使用含有光擴散材之樹脂材料，亦可使用金屬材料。例如，作為樹脂材料，可使用矽酮樹脂、環氧樹脂或其等混合而成之樹脂等。又，作為
光擴散材，可使用例如氧化鈦、氧化矽、氧化鋁、氧化鋅或玻璃等周知之材料。又，第1光調整構件24A可使用包含由2種以上之介電體積層複數層而成之介電體的多層膜(介電多層膜)。
如圖1、圖2所示，導光構件10具有透光性，使光源20發出之光以面狀光之形式自面狀光源300之作為光取出面之上表面取出。導光構件10之下表面係將供光源20配置之光源配置部11除外而以面向光反射性片材40之方式配置。換言之，光反射性片材40面向導光構件10之整個下表面及光源20之整個下表面，抑制配線層32等對光之吸收，從而能有效利用光源20之光。導光構件10之與光反射性片材40垂直之方向上之高度係與光源20之高度相等或為其以上，亦可超過後述之光反射構件70之高度。導光構件10之此種高度較佳為例如200μm以上800μm以下之程度。
光源20以露出電極21之方式配置於導光構件10之下表面側。配置有光源20之導光構件10之凹部係光源配置部11。導光構件10覆蓋配置於光源配置部11之光源20之上表面及側面。
作為導光構件10之材料，可使用例如丙烯酸、聚碳酸酯、環狀聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯或者聚酯等熱塑性樹脂，環氧樹脂或者矽酮樹脂等熱固性樹脂等樹脂材料，或玻璃等具有透光性之材料。尤佳為使用透明性高且經濟的聚碳酸酯。
於導光構件10之上表面的例如亮度低之區域亦可具有凸部及/或凹
部，以減少亮度不均。
光反射性片材40係將光反射至面狀光源300之光取出面側的片狀構件。光反射性片材40介置於導光構件10與後述之配線基板30之間，且具有就一個電極21為一個並面向電極21的第1貫通孔41。
第1貫通孔41之開口之大小只要滿足俯視時其內側可容納1個電極21之整體，則可容易地進行電極21與後述之導電構件50之電性連接。然而，第1貫通孔41之開口越大，則面向光源20之位置上之光反射性片材40越小。因此，經由第1貫通孔41照射有光源20發出之光的配線層32等之面積增大。而且，因配線層32等上照射有光，故光被吸收之機會亦增加。因此較佳的是，俯視時第1貫通孔41之開口之形狀與電極21之形狀大致一致，或減小第1貫通孔41之開口以使其較之電極21之外緣靠內側。又，第1貫通孔41之開口最好為俯視時不會較之光源20之外緣更突出於外側。換而言之，第1貫通孔41之開口較佳為，俯視時較之光源20之外緣位於內側。藉此，能減少光源20發出之光被第1貫通孔41內所配置之導電構件50吸收的情況。
為了有效利用光，光反射性片材40較佳為具有高反射率。關於光反射性片材40之反射率，於光源20發出之光之波長下，例如較佳為90%以上，更佳為94%以上。
光反射性片材40可使用含有大量氣泡之樹脂片(例如發泡樹脂片)、或含有光擴散材之樹脂片等。作為用於光反射性片材40中之該等樹脂，可使
用例如丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、環狀聚烯烴樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂或者聚酯樹脂等熱塑性樹脂，或環氧樹脂或者矽酮樹脂等熱固性樹脂。又，作為光擴散材，可使用例如氧化鈦、氧化矽、氧化鋁、氧化鋅或玻璃等周知之材料。
面狀光源300具有介隔導光構件10而與光源20相向地配置於導光構件10上的光調整構件(第2光調整構件)60。
第2光調整構件60用於減弱面狀光源300之光取出面的位於光源20正上方之光而使光取出面之亮度接近均勻。作為此種第2光調整構件60之透過率，對於光源20發出之光，例如較佳為20%以上60%以下，更佳為30%以上40%以下。與第1光調整構件24A同樣，第2光調整構件60可使用例如含有光擴散材之樹脂材料或金屬材料等可反射光之材料。本實施方式中之第2光調整構件60俯視時覆蓋光源20整體，且其外緣為圓形狀，但亦可為矩形狀。又，第2光調整構件60於本實施方式中為膜狀，但亦可為點狀。
面狀光源300中，於遠離光源20之位置，具有俯視時以矩形框狀包圍光源20之光反射構件70。
光反射構件70使光源20發出之光反射至面狀光源300之光取出面側後取出。光反射構件70具有規定之高度，且沿導光構件10之外周而配置於光反射性片材40之上。光反射構件70按光源20劃分導光構件10，藉此能抑制劃分出之鄰接之區塊間之導光。藉此，能進行以區塊為單位控制發光
區域之局部調光。
光反射構件70較佳為，垂直於光反射性片材40之方向上之高度與光源20之高度相同或為其以上。俯視時呈矩形框狀之光反射構件70之一邊之長度大於光源20之一邊之長度，例如為5倍至30倍之範圍。
光反射構件70之內側面於本實施方式中向光源20側呈凸狀彎曲，但亦可呈凹狀彎曲。尤其是，光反射構件70之剖面形狀較佳為，於高度方向上越遠離光反射性片材40則寬度越窄，藉此，能於面狀光源300之光取出面側高效地取出光源20發出之光。光反射構件70之內側面可為單一之平面，亦可為單一之曲面，亦可為相對於光反射性片材40之斜率不同之平面之組合，亦可為曲率不同之複數個曲面之組合，亦可為平面與曲面之組合。
光反射構件70對於光源20發出之光的反射率例如較佳為60%以上，更佳為90%以上。光反射構件70可使用例如含有光擴散材之樹脂。作為光反射構件70中使用之樹脂，可使用丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、環狀聚烯烴樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂或者聚酯樹脂等熱塑性樹脂，或環氧樹脂或者矽酮樹脂等熱固性樹脂。又，作為光擴散材，可使用氧化鈦、氧化矽、氧化鋁、氧化鋅或玻璃等周知之材料。
配線基板30具有絕緣基材34、配置於絕緣基材34上且與正負一對電極21電性連接之配線層32、及被覆配線層32之被覆層36。並且，配線基板30具有與各第1貫通孔41連通而貫通配線層32之第3貫通孔31。
配線基板30可使用例如剛性基板或可撓性基板。
再者，配線基板30係將未配置光源20之側之面作為第1面，將第1面之相反面作為第2面。
配線層32係作為用於向光源20施加電壓之路徑的構件。配置有第3貫通孔31之部分的配線層32之形狀例如可如圖4所示，寬度大於其他線狀之配線層。
配線層32可使用金屬材料，適宜使用例如Ag、Al、Ni、Rh、Au、Cu、Ti、Pt、Pd、Mo、Cr、W等金屬單體，含有該等金屬之合金，或含有該等金屬粉之導電膏。金屬粉之形狀可採用例如球狀、片(flake)狀或針狀等。
絕緣基材34上配置有配線層32。
絕緣基材34之材料係例如酚樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、BT樹脂、聚鄰苯二甲醯胺等絕緣性樹脂材料。絕緣基材34亦可使用氧化鋁、氮化鋁等陶瓷材料。又，絕緣基材34亦可為於金屬構件之表面以層狀配置有絕緣性構件者。
被覆層36係保護配線層32之構件。被覆層36亦可以覆蓋絕緣基材34整體之方式配置。第1實施方式中，被覆層36例如如圖4所示，具有開口部37以露出第3貫通孔31及配置於其周圍之配線層32。被覆層36之材料可使用絕緣性材料，例如為醯亞胺。
導電構件50將電極21與配線層32電性連接。
如上所述，光反射性片材40上，以一個一個地面向光源20之成正負一對之各電極21之方式配置有第1貫通孔41，配線基板30上，配置有與各第1貫通孔41連通之第3貫通孔31。即，於電極21至配線層32之間，具有使1個電極21與1個第3貫通孔31自電極21至配線層32一一對應之路徑。導電構件50配置於該各個路徑而將電極21與配線層32電性連接。
作為導電構件50之材料，除了了使用與配線層32相同之材料之外，還可使用例如錫-銀-銅(SAC)系、錫-鉍(SnBi)系焊料等周知之材料。
面狀光源300中，配線層32與導電構件50之電性接點配置於第3貫通孔31之內側、及配線層32之與光反射性片材40側之面為相反側之面上。此處，配線層32之與光反射性片材40側之面為相反側之面係配線基板30之第1面。於配線基板30之第1面側，例如如圖4所示，當俯視時，第3貫通孔31配置於與配線層32重疊之位置，換而言之，第3貫通孔31配置於較之配線層32之外緣更靠內側之位置。配線層32與導電構件50之接點配置於第3貫通孔31之內側面的露出配線層32之部分(配線層32之貫通孔之內側面)、及第3貫通孔31周邊之配線層32上，能確實地實現電性連接。又，本實施方式中之第3貫通孔31之內側面係以配線層32之貫通孔之內側面與絕緣基材34之貫通孔之內側面為同一面之方式配置，但亦可以配線層32之貫通孔之內側面較之絕緣基材34之貫通孔之內側面靠外側之方式配置。即，俯視時，配線層32之貫通孔之寬度亦可大於絕緣基材34之貫通孔之寬度。進而，配線層32於俯視時亦可如本實施方式般以包圍絕緣基材34
之貫通孔之周圍整體的方式配置，但亦可配置於絕緣基材34之貫通孔周圍之一部分。
面狀光源300亦可除了具有上述構成之外，進而具有覆蓋配線基板30之被覆層36之開口部37的保護構件80。保護構件80具有絕緣性，且係保護配線層32及導電構件50不會短路之構件。
保護構件80可使用苯基矽酮樹脂、二甲基矽酮樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、或聚胺酯樹脂等。又，保護構件80可具有透光性，亦可添加例如氧化鈦等顏料而具有不透光性。尤其是，因保護構件80具有透光性，故能看到配線層32與導電構件50之連接狀態，因此較佳。
根據具有以上所述之構成之面狀光源300，導電構件50係經由以一個一個地面向光源20之成正負一對之各電極21之方式配置於光反射性片材40上的第1貫通孔41而與電極21連接。因此，面狀光源300中，除電極21之外的光源20之下表面整體面向光反射性片材40，能有效利用光源20之光。又，成正負一對之電極21係分開配置，故不論電極21之形狀、配置如何，均如圖3C所示，於光源20之下表面存在位於1個光源20所具有之正負一對電極21之間的區域25。該區域25亦面向光反射性片材40，故而，進而可有效利用光源20之光。如此，面狀光源300中，可增大面向光源20之光反射性片材40之面積，減小照射有光之配線層32等之面積。因此，面狀光源300可抑制配線層32等對光之吸收，有效利用光源20之光。
再者，配置於配線基板30上之光源20可為1個亦可為複數個。光源20之個數可根據面狀光源300之大小及形狀適當選擇。又，光源20彼此之間隔可適當調整。
繼而，參照圖1~圖9C、圖22，對於第1實施方式之面狀光源300之製造方法之一例進行說明。
面狀光源300之製造方法包含：發光模組準備步驟S1，其準備發光模組100，該發光模組100具有一面側具備正負一對電極21之光源20、以露出電極21之方式覆蓋光源20之導光構件10、及具備一個一個地面向光源20之成正負一對之各電極21之第1貫通孔41的第1光反射性片材40；配線基板準備步驟S2，其準備具有與電極21電性連接之配線層32的配線基板30；發光模組接著步驟S3，其將發光模組100接著於配線基板30；及連接步驟S4，其經由配置於第1貫通孔41之導電構件50將電極21與配線層32電性連接。再者，此處，發光模組準備步驟S1與配線基板準備步驟S2可任意先實施兩者中之一者或兩者同時實施。
發光模組準備步驟S1中，準備至少具有光源20、導光構件10及第1光反射性片材40之發光模組100。再者，面狀光源300係藉由在製造方法之步驟中，將如圖5所示之發光模組100或排列有複數個發光模組100之單元與配線基板30組合而構成。再者，本實施方式中之發光模組100進而具有光反射構件70及光調整構件(第2光調整構件)60。
又，此處，對於在形成發光模組100之集合體之後使該集合體單片化而形成複數個發光模組100之情形進行說明。此處，單片化除了包含切分為具有1個光源20之情形之外，亦包含切分為具有2個以上之光源20之情形。並且，經切分之發光模組可於後述之發光模組接著步驟中分別與配線基板30接著。
首先，如圖7A所示，以1個第1貫通孔41對應於光源20之1個電極21之方式，於光反射性片材設置第1貫通孔41而形成第1光反射性片材40。即，本例中，對於1個光源20設置2個第1貫通孔41。形成第1貫通孔41時，例如可使用與電極21之俯視時之形狀大致一致之衝頭進行沖孔。再者，形成第1貫通孔41時，除了沖孔之外，還可例如使用鑽孔器或雷射等手段。又，亦可購買具有第1貫通孔41之光反射性片材。
繼而，如圖7B所示，於第1光反射性片材40，以第1貫通孔41面向電極21之方式對準位置而配置光源20。光源20之具有電極21之面上的正負一對電極21之間的區域25面向第1光反射性片材40。
繼而，如圖7C所示，以與光源20隔著一定距離包圍光源20之方式配置光反射構件70A。光反射構件70A如圖6所示，於俯視時呈格子狀。光反射構件70A之各格子係以1個光源20為中心進行包圍之方式配置。光反射構件70A可藉由例如將成為具有適當黏性之狀態之光反射構件70A之材料塗佈於第1光反射性片材40上而形成。光反射構件70A之剖面例如為將惰圓沿短徑切斷成兩半之形狀，但亦可為例如三角形狀、矩形狀。
繼而，如圖7D所示，以覆蓋光源20之方式配置導光構件10。導光構件10例如可藉由向由光反射構件70A構成之框圍成的區域內注入作為導光構件10之材料的樹脂並使其硬化而配置。再者，注入樹脂時，可自分注器之噴嘴注入，亦可採用網版印刷、噴塗，亦可併用該等方法。於該製造方法中，預先配置光源20之位置結果成為導光構件10之光源配置部11。光源20之下表面未被導光構件10覆蓋，故而，電極21以自導光構件10露出之狀態面向第1光反射性片材40之第1貫通孔41。光源20之除電極21之外之下表面整體面向第1光反射性片材40，從而能有效利用光源20發出之光。再者，導光構件10亦可藉由射出成型、利用轉注模具成形而準備，亦可購買已成形者而作準備。
繼而，如圖7E所示，於導光構件10上，以介隔導光構件10而與光源20相向之方式配置光調整構件60。形成光調整構件60時，例如可於導光構件10上塗佈作為光調整構件60之材料之樹脂並使其硬化。該階段中，形成單片化前之發光模組100之集合體150。
並且，如圖7F所示，沿光反射構件70A之格子線70B切斷發光模組100之集合體150而使其單片化。切斷時，可例如採用使用切割刀、雷射之周知之方法。從而，可形成複數個發光模組100。
配線基板準備步驟S2中，準備用於接著發光模組100之配線基板30。此處，於配線基板30，形成與各第1貫通孔41連通而貫通配線層32之第3貫通孔31。圖8A表示尚未形成第3貫通孔31之配線基板30A之剖視圖。圖
8B表示第3貫通孔31形成後之配線基板30之剖視圖。
首先，於絕緣基材34A上配置配線層32A，並以覆蓋配線層32A之方式配置被覆層36，從而形成配線基板30A。於被覆層36上，如圖4所示，例如以露出第3貫通孔31之形成部位及其周圍之方式形成開口部37，以便於後期步驟中配置導電構件50。
繼而，於尚未形成第3貫通孔31之配線基板30A上，以與第1光反射性片材40之各第1貫通孔41連通而貫通配線層32之方式形成第3貫通孔31。第3貫通孔31例如可藉由沖孔、利用鑽孔器或雷射等之加工而形成。再者，配線基板準備步驟S2中，亦可如上所述形成配線層及被覆層，並購買具有第3貫通孔31之配線基板而做準備。
發光模組接著步驟S3中將配線基板30與發光模組100接著。
如圖9A所示，於配線基板30之供發光模組100接著之面塗佈接著樹脂，並使第1貫通孔41與第3貫通孔31位置對準而彼此相向，而接著發光模組100。省略接著樹脂之圖示。作為接著樹脂，可使用例如以丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚胺酯樹脂為成分之周知者。再者，圖9A中，相鄰之發光模組100相密接。然而，發光模組100彼此之間隔可適當設定，例如可為發光模組100之寬度之1%~10%左右。
對於接著有發光模組100之配線基板30，若自未接著發光模組100之側之面觀察，則第3貫通孔31與第1光反射性片材40之第1貫通孔41連通，第1貫通孔41之前端被光源20之電極21填塞。即，按照電極21之個數而形
成以電極21為底、以第3貫通孔31為入口之孔部。
連接步驟S4中，藉由導電構件50將電極21與配線層32電性連接。圖9B中表示連接步驟S4結束時之剖視圖。
首先，向以第3貫通孔31為入口之孔部注入導電構件50。注入導電構件50時，將接著有發光模組100之配線基板30水平放置，將發光模組100側朝下。導電構件50之注入量需要能確保其充分到達孔部之底部即電極21，同時，於第3貫通孔31之內側具有與配線層32之接點。導電構件50之注入量進而可確保其亦能擴散至第3貫通孔31外側之配線層32之表面。即，導電構件50與配線層32之電性連接之接點亦設於配線層32之與第1光反射性片材40側之面為相反側的面，從而能更確實地將導電構件50與配線層32電性連接。
注入導電構件50後，實施加熱導電構件50之步驟(例如，回流焊方式)。再者，導電構件50可如本實施方式就每個孔部分開設置，亦可以在鄰接之孔部之間連續設置、並在導電構件50之加熱前或加熱後利用雷射等方法就每個孔部分開。又，導電構件50例如可自分注器之噴嘴注入，亦可藉由網版印刷而設置，亦可於自噴嘴注入後進行網版印刷等併用噴嘴注入與網版印刷。
除上述步驟之外，還可進而實施保護構件形成步驟S5。保護構件形成步驟S5係形成覆蓋導電構件50及露出之配線層32的保護構件80。如圖
9C所示，保護構件形成步驟S5中，以亦覆蓋開口部37周圍之被覆層36之方式形成保護構件80。
如以上說明所述，分別準備發光模組100及配線基板30，藉此，可同時或獨立實施各個步驟，故而能使製造步驟高效化。該製造方法係將發光模組100或排列有複數個發光模組100之單元接著於配線基板30，故而，容易調整發光模組100之間隔、個數。
關於第2實施方式之面狀光源之構成，參照圖10對具有1個發光模組之面狀光源201進行說明。
面狀光源201之導電構件之構成不同於第1實施方式之面狀光源200。除此以外之構成與第1實施方式共通。再者，對於與第1實施方式共通之部分，適當省略說明。
面狀光源201之導電構件具有配置於第1貫通孔41內之第1導電構件51、及配置於第1導電構件51與配線層32之間之第2導電構件52。並且，電極21與配線層32經由第1導電構件51及第2導電構件52而電性連接。
再者，第1導電構件51可以與光反射性片材40之表面齊平之方式配置於第1貫通孔41，亦可以低於光反射性片材40之表面之方式配置，亦可以自第1貫通孔41突出之方式配置。作為第1導電構件51及第2導電構件52之材料，可使用與第1實施方式中所述之導電構件50相同之材料。第1導電
構件51及第2導電構件52之材料可相同，亦可不同。
面狀光源201中，光源20之除電極21之外之下表面整體面向光反射性片材40，從而能有效利用光源20發出之光。第1導電構件51之光源20側之形狀可按照電極21之形狀進行調整。又，第1導電構件51可適合於與選擇電極21之接合性的材料。
參照圖11A~圖12B、圖22，對於第2實施方式之面狀光源之製造方法之一例進行說明。再者，附圖中表示將複數個發光模組與配線基板組合之示例。
第2實施方式之面狀光源之製造方法係不同於發光模組準備步驟S12、連接步驟S42中已說明之第1實施方式之面狀光源之製造方法。除此以外，均與第1實施方式之製造方法共通。
第2實施方式之面狀光源之製造方法中之連接步驟S42係經由預先配置於第1光反射性片材40之第1貫通孔41的導電構件而將電極21與配線層32電性連接。再者，預先配置於第1貫通孔41之導電構件係第1導電構件51，配置於第1導電構件51與配線層32之間之導電構件係第2導電構件52。
第1導電構件51之設置步驟係於發光模組準備步驟S12中進行。如圖11A、圖11B所示，於配置光源20之前，第1導電構件51先設於第1光反射
性片材40之第1貫通孔41。再者，第1導電構件51與光源20之電極21係使用焊料等接合。第2導電構件52之設置步驟係如圖12A、圖12B所示，於將發光模組101接著於配線基板30之後實施。再者，發光模組準備步驟S12中，除了設置第1導電構件51以外，其他均與第1實施方式中之發光模組準備步驟S1相同。
第2實施方式之製造方法中，藉由預先於第1貫通孔41設置導電構件，從而，除此以外之步驟可與第1實施方式同樣地實施。因此，該製造方法可靈活運用第1實施方式之製造方法之優勢而形成第2實施方式之面狀光源。
關於第3實施方式之面狀光源之構成之一例，參照圖13說明具有1個發光模組之面狀光源202。
面狀光源202之光反射性片材之構成不同於第1實施方式之面狀光源200。除此以外之構成均與第1實施方式共通。再者，對於與第1實施方式共通之部分，適當省略說明。
面狀光源202之光反射性片材具有：第1光反射性片材40，其包含第1貫通孔41；及第2光反射性片材45，其面向第1貫通孔41，且包含供光源20配置之第2貫通孔46。
與第1實施方式之面狀光源200相同，面狀光源202中，光源20之除電
極21之外之下表面整體面向第1光反射性片材40，從而能有效利用光源20之光。並且，面狀光源202中，光源20之電極21之間的區域25面向第1光反射性片材40，藉此，能減小照射有光之配線層32等之面積。又，面狀光源202中，第1光反射性片材40及第2光反射性片材45重疊配置於光源20周圍。因光反射性片材重疊配置，故面狀光源202可進而減少光向配線層32等之照射。
參照圖14~圖17C、圖22，對於第3實施方式之面狀光源之製造方法之一例進行說明。再者，附圖中表示將複數個發光模組與配線基板組合之示例。
第3實施方式之面狀光源之製造方法包含：配線基板準備步驟S2A,其於具有配線層32之配線基板30上配置具有第1貫通孔41之第1光反射性片材40，並使配線層32面向第1貫通孔41，配線層32與一面側具有正負一對電極21之光源20之電極21電性連接，第1貫通孔41一個一個地面向光源20之成正負一對之各電極21；發光模組準備步驟S1A，其準備發光模組102，發光模組102具有光源20、面向第1貫通孔41且具有供光源20配置之第2貫通孔46的第2光反射性片材45、及以露出電極21之方式覆蓋光源20之導光構件10，光源20配置於第2貫通孔46，且於導光構件10上配置有光源20；發光模組接著步驟S3A，其以使電極21面向第1貫通孔41之方式介置第1光反射性片材40，使發光模組102接著於配線基板30；及連接步驟S4，其經由配置於第1貫通孔41內之導電構件50而將電極21與配線層32電性連接。再者，此處，發光模組準備步驟S1A與配線基板準備步驟S2A可
任意先實施兩者中之一者或兩者同時實施。
發光模組準備步驟S1A中準備至少具有光源20、導光構件10及第2光反射性片材45之發光模組102。再者，於製造方法之步驟中，面狀光源202係將圖14所示之發光模組102或排列有複數個發光模組102之單元與第1光反射性片材40及配線基板30組合而構成。並且，本實施方式中之發光模組102進而具有光反射構件70及光調整構件(第2光調整構件)60。
再者，此處，對於在形成發光模組102之集合體之後使該集合體單片化而形成複數個發光模組102之情形進行說明。此處，單片化除了包含切分為具有1個光源20之情形之外，還包含切分為具有2個以上之光源20之情形。並且，經切分之發光模組可於後述之發光模組接著步驟中分別與配線基板30接著。
首先，如圖15A所示，於第2光反射性片材45上形成供光源20配置之第2貫通孔46。形成第2貫通孔46時，例如可使用形狀與光源20之俯視時之形狀相似的衝頭進行沖孔。再者，形成第2貫通孔46時，除了沖孔之外，還可使用例如鑽孔器或雷射等手段。亦可購買具有第2貫通孔46之光反射性片材。
繼而，如圖15B及圖15C所示，於後期卸除之支持板P上重複固定第2光反射性片材45，將光源20配置於第2貫通孔46內。
繼而，與第1實施方式相同，如圖15D~圖15G所示，形成光反射構
件70A、導光構件10及光調整構件60。並且，卸除支持板P。該階段中，形成單片化前之發光模組102之集合體152。
與第1實施方式相同，光源20之配置位置結果成為導光構件10之光源配置部11。又，光源20之下表面未被導光構件10覆蓋，故而，電極21自導光構件10露出。
並且，與第1實施方式相同，如圖15H所示，沿光反射構件70A之格子線70B切斷發光模組102之集合體152而使其單片化。
配線基板準備步驟S2A中，準備用於接著發光模組102之第1光反射性片材40及配線基板30。第1光反射性片材40之第1貫通孔41係以1個第1貫通孔41面向光源20之1個電極21之方式配置。第1光反射性片材40配置於配線基板30上之使配線層32與第1貫通孔41面向的位置。並且，此處，配線基板30上形成有與各第1貫通孔41連通而貫通配線層32之第3貫通孔31。
配線基板準備步驟S2A中，較佳為，同時形成第1光反射性片材40之第1貫通孔41與配線基板30之第3貫通孔31。即，較佳為，將尚未形成第1貫通孔41之第1光反射性片材40A貼合於尚未形成第3貫通孔31之配線基板30A之接著發光模組102之側的面上而成為貼合基板90A，於貼合基板90A上，針對光源20之成正負一對之電極21一個一個地形成面向各電極21之貫通孔，藉此，連續地形成第1貫通孔41及第3貫通孔31。
首先，與第1實施方式相同，如圖16A所示，形成尚未形成第3貫通
孔31之配線基板30A。繼而，如圖16B所示，於配線基板30A之接著發光模組102之側之面上，貼合尚未形成第1貫通孔41之第1光反射性片材40A，從而成為貼合基板90A。並且，如圖16C所示，於貼合基板90A上，針對電極21一個一個地形成面向光源20之電極21的貫通孔。藉由如此同時形成第1貫通孔41及第3貫通孔31，可提高第1光反射性片材40與配線基板30之位置對準之精度。
發光模組接著步驟S3A係將配線基板30與發光模組102接著。
第3實施方式之發光模組接著步驟S3A中，以使電極21面向第1貫通孔41之方式介置第1光反射性片材40，將發光模組102接著於配線基板30。於第1光反射性片材40上塗佈接著樹脂，並如圖17A所示，進行位置對準以使電極21與第1貫通孔41面向彼此，並接著發光模組102。省略接著樹脂之圖示。再者，作為第1光反射性片材40，若使用例如如接著片般具有接著性者，則可無需塗佈接著樹脂。
對於接著發光模組102後之配線基板30，自未接著發光模組102之側之面觀察時，第3貫通孔31與第1光反射性片材40之第1貫通孔41連通，第1貫通孔41之前端被光源20之電極21填塞。即，按照電極21之個數而形成以電極21為底、以第3貫通孔31為入口之孔部。光源20之具有電極21之面上的正負一對電極21之間的區域25面向第1光反射性片材40。
如圖17B所示，連接步驟S4係與第1實施方式相同地實施。又，繼而實施保護構件形成步驟S5，藉此，如圖17C所示，可以例如覆蓋導電構件50及露出之配線層32，進而亦覆蓋開口部37周圍之被覆層36之方式形成保護構件80。
再者，光源並不限於上文所述之光源20之構成。例如，可使用一面側具有正負一對電極21且發出藍色光或白色光之光源。此處，參照圖18A~圖18D說明光源20之變化例。
如圖18A所示，光源20A具有發出藍色光之發光元件22及透光性構件23A。透光性構件23A含有發出黃色光之螢光體，可使光源20A發出白色光。又，光源20A之上表面具有第1光調整構件24A，而設有電極21之面即下表面具有光反射層24B。光源20A之設有電極21之面上具有光反射層24B，藉此，能減少到達配線層32之光。
如圖18B所示，光源20B具有發出藍色光之發光元件22、及透光性構件23A，從而能發出白色光。又，光源20B之上表面具有第1光調整構件24A。
光源20B之透光性構件23A配置於發光元件22之上。發光元件22之半導體積層體之側面及下表面、與透光性構件23A之下表面分別由被覆構件26覆蓋。被覆構件26覆蓋發光元件22而予以保護，且將發光元件22發出之光反射至透光性構件23A側。被覆構件26中使用之材料可列舉例如矽酮樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂等。被覆構件26含有例如氧化鈦、鈦酸鋇、
氧化鋁、氧化矽等光擴散材。
光源20A、20B之透光性構件23A亦可為不含螢光體之透光性構件23B。又，透光性構件23A、23B可含有光擴散材。光擴散材中使用之材料可列舉例如氧化鈦、鈦酸鋇、氧化鋁、氧化矽等。
再者，作為光源20A、20B，可於發光元件22之下表面側具有光反射層24B而不具有第1光調整構件24A，亦可既不具有第1光調整構件24A又不具有光反射層24B。
又，如圖18C、圖18D所示，作為光源20之變化例，亦可使用發光元件22未被透光性構件23A及被覆構件26密封之光源20C、20D。光源20C中，於發光元件22之上表面配置有第1光調整構件24C。又，光源20D中，於光源20C之具有電極21之面上進而配置有光反射層24D。
再者，作為第1光調整構件24A、24C中使用之材料，可與第1實施方式同樣地，使用例如含有光擴散材之樹脂材料、或金屬材料等。又，作為第1光調整構件24A、24C，可使用介電多層膜，亦可使用介電多層膜與金屬膜積層而成之膜。
再者，第1實施方式之製造方法中，導光構件10係使液狀樹脂硬化而形成，但亦可使用預先形成之導光構件(以下，稱為導光板)。再者，此處所述之液狀亦包括膏狀。又，此處係對於第1實施方式之變化例進行說明，但此說明同樣適用於其他實施方式。
如圖19A所示，於導光板15a之下表面，具有大小可包圍光源20之凹狀之光源配置部11，且以露出電極21之方式覆蓋光源20。光源20經由透光性接著劑而配置於光源配置部11。
又，如圖19B所示，光源配置部11亦可為貫通孔。亦可將光源20配置於導光板15a1之貫通孔之後，以覆蓋光源20之上表面之方式注入液狀樹脂並使其硬化，從而形成導光構件15b。該例中，導光板15a1與導光構件15b構成之導光構件係以露出電極21之方式覆蓋光源20。再者，導光板15a1之樹脂材料與導光構件15b之樹脂材料可相同亦可不同。又，導光板15a1可為單層，亦可為複數層。例如，當導光板15a1由複數層構成時，亦可利用接著片將各層間貼合而構成。作為上述接著片之材料，只要為對於自光源20射出之光具有透光性之材料即可，較佳為使用與導光板15a1相同之材料以減少層間產生界面之情況。
又，如圖19C所示，亦可使用包含第1導光板15c1及第2導光板15c2之導光構件15c。第1導光板15c1具有供光源20配置之貫通孔。第1導光板15c1之厚度與光源20之厚度大致相同。並且，第2導光板15c2係編及光源20之上表面及第1導光板15c1之上表面而配置。該例中，第1導光板15c1與第2導光板15c2組合而成之凹部成為光源配置部11，導光構件15c以露出電極21之方式覆蓋光源20。再者，第1導光板15c1與第2導光板15c2之樹脂材料可相同亦可不同。
當使用導光板時，如圖20C及圖20D所示，於第1光反射性片材40上
配置導光板15a1之後，配置光反射構件75A。該情形時，發光模組準備步驟之一部分會發生變更。參照圖20A~圖20F，對於例如使用導光板15a1時之發光模組準備步驟S1B進行說明。
與第1實施方式中之發光模組準備步驟S1相同，於形成有第1貫通孔41之第1光反射性片材40上，以第1貫通孔41面向電極21之方式進行位置對準而配置光源20。
繼而，以光源20收容於光源配置部11之方式，將導光板15a1彼此相鄰地配置於第1光反射性片材40上。並且，以覆蓋光源20之方式，向貫通孔內即光源配置部11注入作為導光構件15b之材料的樹脂並使其硬化。導光板15a1與導光構件15b構成之導光構件係以露出電極21之方式覆蓋光源20。
繼而，向相鄰之導光板15a1彼此之間隙注入光反射構件75A之材料並使其硬化。並且，與第1實施方式相同，於導光板15a1及導光構件15b上配置光調整構件(第2光調整構件)60。並且，沿光反射構件75A之格子線75B切斷發光模組105之集合體155而使其單片化。再者，本實施方式中之第2光調整構件60覆蓋導光構件15b之上表面整體，但亦可使導光構件15b之上表面之一部分自第2光調整構件60露出。
於利用如此向導光構件彼此的間隙塗佈或注入樹脂並使其硬化之方法而形成光反射構件75A時，光反射構件75A係根據導光構件之外側面之形狀而形成。因此，藉由預先調整導光構件之外側面之形狀，可調整光反射構件75之內側面之形狀。
又，第1實施方式之其他變化例中，亦可將空氣用作導光構件。
繼而，參照圖21說明配線基板之變化例。該變化例中，配線基板30B不具有第3貫通孔31。因此，以如下方式構成。導電構件50與配線層32之電性連接之接點係設於配線層32之光反射性片材40側之面上的面向各第1貫通孔41之部分。
絕緣基材34B具有面向光反射性片材40之各第1貫通孔41的開口部，從而露出配線層32B。配線層32B之面向各第1貫通孔41之部分較之配線基板30B之厚度方向之其他部分更厚。又，本變化例中，配線層32B之表面與絕緣基材34B之表面大致為同一平面。配線層32B與電極21之間經由第1貫通孔41而配置有導電構件50。再者，面向各第1貫通孔41之部分之配線層32B可自絕緣基材34B之表面突出，亦可低於絕緣基材34B之表面。配線層32B之厚度之不均可藉由導電構件50之厚度調整。
再者，於採用不具有第3貫通孔31之配線基板30B之面狀光源的製造方法中，例如於發光模組接著步驟中，在接著發光模組之前，將導電構件50配置於配線層32B。即，先於配線層32B之上表面配置導電構件50，再接著發光模組。此時，導電構件50經由貫通孔41而與光源20之電極21連接。又，導電構件50與配線層32B之接點配置於配線層32B之第1光反射性片材40側之面上的面向各第1貫通孔41的部分。
配線基板30B中，無需於被覆層36B形成開口部37。因此，無需配置覆蓋被覆層36之開口部37的保護構件80，從而可減少製造方法之步驟
數。
配線基板之變化例同樣可應用於第1實施方式及其他實施方式。例如，導電構件50亦可如第2實施方式之發光模組101般預先配置於發光模組101之第1貫通孔41。該情形時，導電構件50係藉由焊料等接合於光源20之電極21及配線層32B。再者，配線層亦可並非1層而是多層。配線基板具有第3貫通孔31之實施方式及不具有第3貫通孔31之變化例亦同樣可應用於配線層為多層之情況。
10:導光構件
11:導光構件之光源配置部
20:光源
21:光源之正負一對電極
30:配線基板
31:第3貫通孔
32:配線基板之配線層
34:配線基板之絕緣基材
36:配線基板之被覆層
40:光反射性片材、第1光反射性片材
41:第1貫通孔
50:導電構件
60:光調整構件(第2光調整構件)
70:光反射構件
80:保護構件
200:面狀光源
Claims (21)
- 一種面狀光源，其具有：光源，其於一面側具備正負一對電極；導光構件，其以露出上述電極之方式覆蓋上述光源；配線基板，其具有與上述電極電性連接之配線層；及光反射性片材，其係介置於上述導光構件與上述配線基板之間的光反射性片材，該光反射性片材具備於俯視時較光源之外緣位於內側且一個一個地面向成正負一對之各上述電極並以上述電極為底的第1貫通孔；上述電極與上述配線層藉由經由上述第1貫通孔配置之導電構件而電性連接。
- 如請求項1之面狀光源，其中上述光反射性片材具有：第1光反射性片材，其具有上述第1貫通孔；及第2光反射性片材，其面向上述第1貫通孔，且具有供上述光源配置之第2貫通孔。
- 如請求項1或2之面狀光源，其中上述導電構件與上述配線層之接點配置於上述配線層之上述光反射性片材側之面上的面向各上述第1貫通孔之部分。
- 如請求項1或2之面狀光源，其中上述配線基板具有與各上述第1貫通孔連通而貫通上述配線層之第3貫通孔，上述導電構件與上述配線層之接點配置於上述第3貫通孔之至少內側。
- 如請求項4之面狀光源，其中上述導電構件與上述配線層之接點進而配置於上述配線層之與上述光反射性片材側之面為相反側的面。
- 如請求項1或2之面狀光源，其中上述導電構件具有：第1導電構件，其配置於上述第1貫通孔；及第2導電構件，其配置於上述第1導電構件與上述配線層之間。
- 如請求項1或2之面狀光源，其進而具有光調整構件，該光調整構件係以介隔上述導光構件而與上述光源相向之方式配置於上述導光構件上。
- 如請求項1或2之面狀光源，其進而具有包圍上述光源之光反射構件。
- 如請求項1或2之面狀光源，其中上述光源之具有電極之面上的正負一對上述電極之間的區域面向上述光反射性片材。
- 如請求項1或2之面狀光源，其中於上述配線基板上配置有複數個上述光源。
- 一種面狀光源之製造方法，其具有：發光模組準備步驟，其準備發光模組，該發光模組具備：光源，其於一面側具備正負一對電極；導光構件，其以露出上述電極之方式覆蓋上 述光源；及第1光反射性片材，其具備於俯視時較光源之外緣位於內側且一個一個地面向成正負一對之各上述電極並以上述電極為底的第1貫通孔；配線基板準備步驟，其準備具有與上述電極電性連接之配線層的配線基板；發光模組接著步驟，其將上述發光模組接著於上述配線基板；及連接步驟，其經由配置於上述第1貫通孔之導電構件而將上述電極與上述配線層電性連接。
- 如請求項11之面狀光源之製造方法，其中上述連接步驟係使用預先配置於上述第1光反射性片材之上述第1貫通孔之上述導電構件，將上述電極與上述配線層電性連接。
- 一種面狀光源之製造方法，其具有：配線基板準備步驟，其於具有配線層之配線基板上配置具有第1貫通孔之第1光反射性片材，並使上述配線層面向上述第1貫通孔，上述配線層與於一面側具備正負一對電極之光源的上述電極電性連接，上述第1貫通孔於俯視時較光源之外緣位於內側且一個一個地面向成正負一對之各上述電極並以上述電極為底；發光模組準備步驟，其準備發光模組，該發光模組具有：上述光源；第2光反射性片材，其面向上述第1貫通孔，且具有供上述光源配置之第2貫通孔；及導光構件，其以露出上述電極之方式覆蓋上述光源；且於上述第2貫通孔內配置上述光源，於上述導光構件配置上述光源； 發光模組接著步驟，其以上述電極面向上述第1貫通孔之方式介置上述第1光反射性片材，將上述發光模組接著於上述配線基板；及連接步驟，其經由配置於上述第1貫通孔之導電構件而將上述電極與上述配線層電性連接。
- 如請求項11至13中任一項之面狀光源之製造方法，其中上述連接步驟係將上述導電構件與上述配線層之接點配置於上述配線層之上述第1光反射性片材側之面上的面向各上述第1貫通孔之部分。
- 如請求項11至13中任一項之面狀光源之製造方法，其中上述配線基板準備步驟係於上述配線基板上，形成與各上述第1貫通孔連通而貫通上述配線層之第3貫通孔，上述連接步驟係將上述導電構件與上述配線層之接點配置於上述第3貫通孔之至少內側。
- 如請求項13之面狀光源之製造方法，其中上述配線基板準備步驟係於貼合基板上形成一個一個地面向成正負一對之各上述電極的貫通孔，藉此連續地形成上述第1貫通孔、及與各上述第1貫通孔連通而貫通上述配線層之第3貫通孔，上述貼合基板係將尚未形成上述第1貫通孔之上述第1光反射性片材貼合於上述配線基板之接著上述發光模組之側之面而成，上述連接步驟係將上述導電構件與上述配線層之接點配置於上述第3貫通孔之至少內側。
- 如請求項15之面狀光源之製造方法，其中上述連接步驟係將上述導電構件與上述配線層之接點配置於上述配線層之與上述第1光反射性片材側之面為相反側的面。
- 如請求項11至13、及請求項16中任一項之面狀光源之製造方法，其中上述發光模組準備步驟係以介隔上述導光構件而與上述光源相向之方式於上述導光構件上配置光調整構件。
- 如請求項11至13、及請求項16中任一項之面狀光源之製造方法，其中上述發光模組準備步驟中進而配置包圍上述光源之光反射構件。
- 如請求項11至13、及請求項16中任一項之面狀光源之製造方法，其中使上述光源之具有電極之面上的正負一對上述電極之間的區域面向上述第1光反射性片材。
- 如請求項11至13、及請求項16中任一項之面狀光源之製造方法，其中上述發光模組接著步驟係於上述配線基板上配置複數個上述發光模組。
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