TWI780504B

TWI780504B - 資訊終端

Info

Publication number: TWI780504B
Application number: TW109136992A
Authority: TW
Inventors: 岡本佑樹
Original assignee: 日商半導體能源研究所股份有限公司
Priority date: 2016-06-30
Filing date: 2016-11-18
Publication date: 2022-10-11
Also published as: US10770010B2; US20180005592A1; JP7020808B2; JP2018010293A; TW201812735A; US20200402470A1; TWI709128B; US11308833B2; US20190340985A1; TW202115709A; JP7230250B2; US10380956B2; JP2022068211A

Abstract

本發明的一個方式的目的之一是：提供一種因發生歪斜而能夠切換影像的顯示/非顯示的資訊終端。本發明的一個方式是一種資訊終端，包括顯示部和歪斜感測器。顯示部包括液晶元件、發光元件、第一電晶體以及第二電晶體。歪斜感測器包括歪斜感測元件和電阻元件。第一電晶體具有控制流過發光元件的電流的功能。歪斜感測元件具有可變電阻元件的功能。歪斜感測元件的第一端子電連接於電阻元件的第一端子。第一電晶體的閘極藉由第二電晶體電連接於歪斜感測元件的第一端子。

Description

資訊終端

本發明的一個方式係關於一種資訊終端。

另外，本發明的一個方式係關於一種半導體裝置。注意，本發明的一個方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。或者，本發明的一個方式係關於製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。

在本說明書等中，半導體裝置是指能夠藉由利用半導體特性工作的所有裝置。顯示裝置、發光裝置、記憶體裝置、電光裝置、半導體電路以及電子裝置有時包括半導體裝置。

已公開組合了反射型元件和發光型元件的顯示裝置(專利文獻1)。藉由在明亮環境下和黑暗環境下分別使用反射型元件和發光型元件，可以提供不依靠外光環境的高顯示品質及低功耗的顯示裝置。

另外，將氧化物半導體電晶體(Oxide Semiconductor transistor，以下稱為OS電晶體)應用於如液晶顯示器、有機EL(電致發光)顯示器等顯示裝置的技術引人注目。

OS電晶體的關態電流(off-state current)非常小。已公開藉由利用該特性降低顯示靜態影像時的更新頻率以降低液晶顯示器或有機EL顯示器的功耗的技術(專利文獻2及3)。在本說明書中，上述顯示裝置的功耗降低技術被稱為“空轉停止(idling stop)”。

[專利文獻1]日本專利申請公開第2003-157026號公報

[專利文獻2]日本專利申請公開第2011-141522號公報

[專利文獻3]日本專利申請公開第2011-141524號公報

本發明的一個方式的目的之一是：提供一種因發生歪斜而能夠切換影像的顯示/非顯示的資訊終端；提供一種低功耗資訊終端；提供一種新穎的資訊終端；提供一種新穎的半導體裝置。

注意，多個目的的記載不互相妨礙彼此的存在。本發明的一個方式並不一定必須達到所有上述目的。可從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載自然得知上述以外的目的，且這些目的也可成為本發明的一個方式的目的。

本發明的一個方式是一種資訊終端，包括反射型液晶元件、有機EL元件以及歪斜感測器。當歪斜感測器檢測不出歪斜時，資訊終端的使用者以視覺確認到有機EL元件的發光。當歪斜感測器檢測出歪斜時，資訊終端的使用者以視覺確認到反射型液晶元件的反射光。

本發明的一個方式是一種資訊終端，包括反射型液晶元件、有機EL元件以及歪斜感測器。當歪斜感測器檢測不出歪斜時，資訊終端的使用者以視覺確認到反射型液晶元件的反射光。當歪斜感測器檢測出歪斜時，資訊終端的使用者以視覺確認到有機EL元件的發光。

在上述方式中，歪斜感測器較佳為包括金屬薄膜電阻元件。

在上述方式中，歪斜感測器較佳為包括壓電元件。

本發明的一個方式是一種資訊終端，包括顯示部和歪斜感測器。顯示部包括反射型液晶元件、有機EL元件以及第一電晶體。歪斜感測器包括歪斜感測元件和電阻元件。第一電晶體具有控制流過有機EL元件的電流的功能。歪斜感測元件具有可變電阻元件的功能。歪斜感測元件的第一端子電連接於電阻元件的第一端子。第一電晶體的閘極藉由至少一個或一個以上的電晶體電連接於歪斜感測元件的第一端子。

在上述方式中，第一電晶體的通道形成區較佳為包含氧化物半導體。

在上述方式中，歪斜感測元件較佳為金屬薄膜電阻元件。

在上述方式中，歪斜感測元件較佳為壓電元件。

本發明的一個方式效果之一是：可以提供一種因發生歪斜而能夠切換影像的顯示/非顯示的資訊終端；可以提供一種低功耗資訊終端；可以提供一種新穎的資訊終端；可以提供一種新穎的半導體裝置。

注意，多個效果的記載不互相妨礙彼此的存在。本發明的一個方式並不一定必須具有所有上述效果。可從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載自然得知上述以外的效果，且可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載抽取出上述以外的效果。

C1:電容元件

C2:電容元件

FD1-FD3:節點

M1-M9:電晶體

M11、M12:電晶體

P1、P2:期間

PC1、PC2:佈線

R2:電阻元件

T0-T5:時間

10:資訊終端

11:顯示像素

12:顯示像素陣列

13:檢測像素陣列

14:閘極驅動器

15:源極驅動器

16:顯示區域

17:方塊

18、19:區域

21:多工器

22:A/D轉換器

23:邏輯電路

24:主體

30:顯示面板

31:上蓋

32:觸控面板

33:框架

34:印刷線路板

35:電池

36:下蓋

110、120:像素電路

130:檢測像素

170:發光元件

171、172:導電層

173:EL層

180:液晶元件

181、182:配向膜

183:液晶

190:歪斜感測元件

191:導電層

192a、192b:導電層

200:膜

201:黏合層

202:連接體

211-216:絕緣層

220:絕緣層

221-225:導電層

231:半導體層

241:彩色層

251、252:連接部

260:連接層

271-273:電晶體

300:膜

301:偏光板

302:黏合層

303:連接體

311:彩色層

312:遮光層

313、314:絕緣層

321-323:導電層

330:開口

350:FPC

圖1是示出顯示像素及檢測像素的結構實例的電路圖；圖2是示出顯示像素及檢測像素的結構實例的電路圖；圖3是示出顯示像素及檢測像素的結構實例的電路圖；圖4A和圖4B是示出資訊終端的使用例及方式例的圖；圖5A和圖5B是示出資訊終端的使用例及方式例的圖；圖6是示出資訊終端的使用例及方式例的圖；圖7A和圖7B是示出資訊終端的使用例及方式例的圖；圖8是資訊終端的分解圖；圖9A和圖9B是示出顯示面板的結構實例的俯視圖；圖10是示出顯示像素陣列及檢測像素陣列的結構實例的方塊圖；圖11是示出顯示像素及檢測像素的工作實例的時序圖；圖12是示出顯示像素及檢測像素的結構實例的電路圖；圖13是示出檢測像素陣列的結構實例的電路圖；圖14是示出顯示面板的結構實例的剖面圖；圖15是示出歪斜感測元件的結構實例的俯視圖；圖16是示出顯示像素陣列及檢測像素陣列的結構實例的方塊圖。

將參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，實施方式可以藉由多種不同的方式來實施，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下實施方式所記載的內容中。

另外，在圖式中，為了容易理解，有時誇大表示大小、層的厚度或區域。因此，本發明不一定侷限於上述尺寸。在圖式中示意性地示出理想的例子，而不侷限於圖式所示的形狀或數值等。

在本說明書中，有時將高電源電壓稱為H位準(或V_DD)，將低電源電壓稱為L位準(或GND)。

另外，本說明書中的以下實施方式可以適當地組合。當在一個實施方式中示出了多個結構實例時，可以適當地相互組合這些結構實例。

實施方式1

在本實施方式中，說明本發明的一個方式的資訊終端。

《資訊終端10》

圖4A和圖4B示出資訊終端10的方式及使用例。資訊終端10包括顯示區域16。

顯示區域16具有顯示影像或文字等資訊的功能。另外，顯示區域16具有歪斜感測器。另外，資訊終端10具有撓性。當使用者彎曲資訊終端10時，資訊終端10藉由檢測出發生歪斜的位置來切換影像的顯示/非顯示。

圖4A和圖4B示出將資訊終端10用作教科書的情況例子。圖4A是資訊終端10沒發生歪斜的狀態，由此在顯示區域16上顯示問題。使用者推測填寫在方塊17中的英文字母。

圖4B示出使用者彎曲資訊終端10的情況例子。資訊終端10藉由檢測出歪斜，由此顯示出發生歪斜的區域(方塊17)內的文字。此時，使用者能夠確認到問題的答案。資訊終端10發生歪斜的方向既可為拉伸方塊17的方向(從圖式正面來看，就是資訊終端10被折成凸形的方向)又可為壓縮方塊17 的方向(從圖式正面來看，就是資訊終端10被折成凹形的方向)。以下說明沿拉伸方塊17的方向發生歪斜的情況。

像這樣，可以直覺性地切換回答的顯示和非顯示，由此使用者即使是小學生或未上學兒童也可以容易地確認到答案。

資訊終端10的兩端部的區域18及19較佳為沒有撓性。藉由使區域18及19沒有撓性，使用者能夠握住資訊終端10。另外，藉由在區域18及19內設置印刷線路板或電池等不能彎曲的模組，可以防止這些模組的損壞。

資訊終端10的使用者可以沿長邊方向和短邊方向中的任何一方向彎曲資訊終端10。在圖4A和圖4B所示的資訊終端10中，示出沿短邊方向配置有區域18及19的例子。在此情況下，使用者能夠沿短邊方向彎曲資訊終端10。

另外，在作為上述印刷線路板或電池等用於資訊終端10的所有模組都具有撓性的情況下，如圖5A和圖5B所示，資訊終端10不僅可以沿短邊方向(圖5A)而且還可以沿長邊方向(圖5B)彎曲。在此情況下，區域18及19就不必是非撓性。

顯示區域16也可以包括觸控感測器。資訊終端10的使用者也可以使用手指或觸控筆等輸入文字、線或圖形等資訊(圖6)。使用者以手寫方式輸入的資訊由觸控感測器讀出，並在顯示區域16上顯示該資訊。

接下來，參照圖8說明構成資訊終端10的模組的例子。

圖8所示的資訊終端10包括上蓋31與下蓋36之間的觸控面板32、連接於FPC350的顯示面板30、框架33、印刷線路板34以及電池35。上蓋31及下蓋36可以根據顯示面板30的尺寸而適當地改變形狀或尺寸。另外，上蓋31、下蓋36、顯示面板30以及框架33較佳為具有撓性。當這些模組具有撓性時，資訊終端10也具有撓性。

例如，在圖8所示的資訊終端10中，在沒有撓性的區域18或19中配置有印刷線路板34及電池35。

圖9A和圖9B是示出資訊終端10所具有的顯示面板30的結構實例的俯視圖。顯示面板30包括顯示區域16、FPC350、閘極驅動器14以及源極驅動器15。

顯示區域16包括配置為矩陣狀的顯示像素11(圖9A)。顯示像素11具備顯示元件(EL元件或液晶元件)，由此能夠顯示影像或文字等。

另外，顯示區域16包括配置為矩陣狀的檢測像素130(圖9B)。檢測像素130具有歪斜感測元件，由此能夠檢測出資訊終端10的歪斜。

顯示像素11和檢測像素130具有彼此重疊的區域。

《顯示像素及檢測像素》

接下來，參照圖1的電路圖說明顯示像素11及檢測像素130的電路結構實例。

〈顯示像素11〉

在圖1中，顯示像素11包括像素電路120及像素電路110。

像素電路120包括電晶體M1、電容元件C1以及液晶元件180。另外，將液晶元件180的第一端子稱為節點FD1。

電晶體M1被用作開關，具有控制佈線SL與節點FD1之間的導通狀態的功能。根據施加到佈線GL_L的電位控制電晶體M1的開啟/關閉。液晶元件180的第二端子電連接於佈線TCOM。佈線TCOM被供應固定電位。

電容元件C1具有保持寫入到節點FD1的電荷的功能。

佈線SL被用作信號線。佈線GL_L被用作掃描線。

當電晶體M1成為開啟狀態時，將視頻資料(類比資料)從佈線SL寫入到節點FD1。根據寫入到節點FD1的電荷，液晶元件180的配向改變，使得液晶元件180的透光率變化。

液晶元件180較佳為使用反射型液晶元件。藉由使用反射型液晶元件，可以降低功耗。或者，可以在外光明亮的環境下顯示高對比的高品質影像。另外，可以使用快門方式的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統)元件；光干涉方式的MEMS元件；應用微囊方式、電泳方式、電潤濕方式、電子粉流體(註冊商標)等的利用外光反射來顯示影像的顯示元件代替液晶元件180。

以下，以液晶元件180作為反射型液晶元件來進行說明。另外，以在外光充分明亮的環境下使用資訊終端10且資訊終端10的使用者能夠確認到反射型液晶元件的顯示作為前提來進行說明。

像素電路110包括電晶體M2、電晶體M3、電晶體M4、電晶體M5、電容元件C2以及發光元件170。注意，將電晶體M3的閘極稱為節點FD2。

電晶體M2及電晶體M4被用作開關。電晶體M2具有控制佈線SL與節點FD2之間的導通狀態的功能。根據施加到佈線GL_E的電位控制電晶體M2的開啟/關閉。電晶體M4具有控制佈線VRES與節點FD2之間的導通狀態的功能。根據施加到佈線RES的電位控制電晶體M4的開啟/關閉。電晶體M3的源極和汲極中的一個電連接於佈線ANO。電晶體M3的源極和汲極中的另一個電連接於發光元件170的第一端子。發光元件170的第二端子電連接於佈線CATH。

電容元件C2具有保持寫入到節點FD2的電荷的功能。

佈線RES被供應使節點FD2初始化的重設信號。當電晶體M4成為開啟狀態時，節點FD2被佈線VRES的電位初始化。

電晶體M3為發光元件170的驅動電晶體，並具有根據節點FD2的電位控制流過發光元件170的電流的功能。

發光元件170可以使用有機EL元件、無機EL元件、發光二極體或QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode：量子點發光二極體)等自發光性顯示元件。尤其是，有機EL元件可以提供低功耗且大面積的顯示元件，因此是較佳的。以下以發光元件170為有機EL元件來進行說明。

佈線ANO被用作發光元件170的陽極，而佈線CATH被用作發光元件170的陰極。

佈線SL被用作信號線，而佈線GL_E被用作掃描線。

當電晶體M2成為開啟狀態時，將視頻資料(類比資料)從佈線SL寫入到節點FD2。電晶體M3根據節點FD2的電位使汲極電流流過。發光元件170根據該汲極電流發光。

<檢測像素130>

圖1的檢測像素130包括電阻元件R2和歪斜感測元件190。電阻元件R2的第一端子電連接於佈線SCATH，電阻元件R2的第二端子電連接於歪斜感測元件190的第一端子，並且歪斜感測元件190的第二端子電連接於佈線SANO。另外，將電阻元件R2的第二端子和歪斜感測元件190的第一端子的連接點稱為節點FD3。

歪斜感測元件190是因發生歪斜而改變電阻值的可變電阻元件。作為歪斜感測元件190，典型地可以使用金屬薄膜電阻元件。根據金屬薄膜電阻元件的電阻變化量，可以檢測出設置有金屬薄膜電阻元件的區域附近的歪斜量。例如，金屬薄膜電阻元件具有如下功能：當金屬薄膜被施加拉伸力時，電阻值增大；當金屬薄膜被施加壓縮力時，電阻值減小。

另外，作為歪斜感測元件190，可以使用壓電元件。該壓電元件可以使用具有如鈦酸鋇、鋯鈦酸鉛、氧化鋅等壓電體的元件。

佈線SANO被用作歪斜感測元件190的陽極，而佈線SCATH被用作歪斜感測元件190的陰極。

以下，以歪斜感測元件190作為可變電阻元件來進行說明。當以R₁為歪斜感測元件190的電阻值，以R₂為電阻元件R2的電阻值，以Va為佈線SANO的電位，且以Vc為佈線SCATH的電位時，節點FD3的電位(V_FD3)可以由以下公式(1)表示。

假設Va大於Vc，則由公式(1)可知：當歪斜感測元件190的R₁增大時，V_FD3減少；當歪斜感測元件190的R₁減小時，V_FD3增大。

如圖1所示，將節點FD3的資料藉由佈線SIN及電晶體M5寫入到節點FD2。就是說，將檢測像素130的資料傳送到像素電路110

電晶體M5被用作開關。電晶體M5具有控制節點FD3與節點FD2之間的導通狀態的功能。根據施加到佈線SENS的電位控制電晶體M5的開啟/關閉。

接下來，說明顯示像素11及檢測像素130的工作。

首先，對圖4A所示的資訊終端10不彎曲的狀態進行考察。此時，歪斜感測元件190的電阻值小，由此節點FD3的電位成為高電位。當佈線SENS被施加H位準時，電晶體M5成為開啟狀態，由此將節點FD3的電位寫入到節點FD2。節點FD2成為高電位，使得電流流過電晶體M3。於是發光元件170發射強光。

液晶元件180為反射型液晶元件。當發光元件170發射強光時，來自同一顯示像素11內的液晶元件180的反射光被發光元件170所發射的光消除，由此使用者不能以視覺確認到液晶元件180的顯示。

在圖4A中，配置在方塊17內的發光元件170發射白色強光，而配置在方塊17外的發光元件170不發光。

在圖4A中，所有英文字母(A、B、C、D、E、F、G)都由液晶元件180顯示，但是因為在方塊17內發光元件170發射白色強光，所以英文字母“D”的顯示被消除。

接下來，對圖4B所示的資訊終端10彎曲的狀態進行考察。此時，歪斜感測元件190的電阻值變大，由此節點FD3的電位成為低電位。當佈線SENS被施加H位準時，電晶體M5成為開啟狀態，由此將節點FD3的電位寫入到節點FD2。節點FD2成為低電位，使得微小電流流過電晶體M3(或成為關閉狀態)。發光元件170發射弱光(或不發光)。當發光元件170發射弱光時，使用者能夠以視覺確認到液晶元件180的反射光。

在圖4B中，由於方塊17內的檢測像素130檢測出歪斜，所以方塊17內的發光元件170的發光變弱，於是使用者能夠以視覺確認到液晶元件180的顯示。其結果是，使用者能夠讀出方塊17內的英文字母“D”。

資訊終端10能夠將由檢測像素130檢測出的資訊不經由特殊的外部電路而直接傳送到顯示像素11。因為不需要特殊的外部電路，所以可以簡化資訊終端10的電路結構。

在電晶體M1至電晶體M5中，較佳為使用在關閉狀態下流過源極與汲極之間的電流(關態電流)較小的電晶體。在此，關態電流低是指：在室溫下將源極與汲極之間的電壓設定為1.8V時的每通道寬度1μm的標準化的關態電流為1×10^-20A以下，在85℃下為1×10^-18A以下，且在125℃下為1×10^-16A以下。作為這種關態電流低的電晶體，可以舉出OS電晶體。

藉由使用OS電晶體作為電晶體M1至電晶體M5，可以使像素電路120及像素電路110進行上述空轉停止。其結果是，可以提供低功耗的資訊終端10。

作為可以用於上述OS電晶體的氧化物半導體，可以舉出In-Ga氧化物、In-Zn氧化物、In-M-Zn氧化物(M為Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)等。另外，上述氧化物半導體不侷限於包含In的氧化物。例如，也可以為Zn氧化物、Zn-Sn氧化物、Ga-Sn氧化物。

另外，上述OS電晶體的通道形成區較佳為包含CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS。包含CAC-OS的OS電晶體的通態電流 (on-state current)大，且可靠性高。關於CAC-OS的詳細內容將在實施方式4進行說明。

在圖1中，像素電路120的信號線和像素電路110的信號線為共用信號線(佈線SL)，但是像素電路120和像素電路110可以分別連接於不同的信號線。例如，也可以分別使用佈線SL_L和佈線SL_E作為像素電路120和像素電路110的信號線(參照圖2)。藉由採用該結構，可以分別獨立地驅動像素電路120和像素電路110。

另外，也可以採用在資訊終端10被彎曲時發光元件170發射強光的結構。圖3示出在此情況下的顯示像素11及檢測像素130的結構實例。圖3所示的檢測像素130與圖1所示的檢測像素130的不同之處在於：歪斜感測元件190和電阻元件R2的位置被調換。在該結構中，當由歪斜感測元件190檢測出歪斜時，節點FD3的電位成為高電位。藉由使電晶體M5成為開啟狀態，將節點FD3的電位寫入到節點FD2，使得電流流過電晶體M3，由此發光元件170發射強光。

在將圖3的顯示像素11及檢測像素130用於資訊終端10的情況下，可以得到與圖4A和圖4B所示的資訊終端10相反的功能，亦即如圖7A所示，當資訊終端10沒發生歪斜時，使用者能夠以視覺確認到方塊17內的英文字母“D”的顯示，也就是說，能夠以視覺確認到液晶元件180的反射光；另一方面，如圖7B所示，當資訊終端10發生歪斜時，使用者不能以視覺確認到方塊17內的英文字母的顯示，也就是說，能夠以視覺確認到發光元件170的光而不能以視覺確認到液晶元件180的反射光。

《顯示像素陣列12及檢測像素陣列13》

圖10是示出顯示像素陣列12及檢測像素陣列13的連接關係的方塊圖。顯示像素陣列12包括配置為m行n列(m、n為2以上的整數)的矩陣狀的顯示像素11。檢測像素陣列13包括配置為i行j列(i、j為2以上的整數)的矩陣狀的檢測像素130。

縱向排列的顯示像素11[1、1]至11[m、1]共同使用佈線SL[1]及佈線SENS[1]。與此同樣，縱向排列的顯示像素11[1、n]至11[m、n]共同使用佈線SL[n]及佈線SENS[n]。

橫向排列的顯示像素11[1、1]至11[1、n]共同使用佈線GL_L[1]、佈線GL_E[1]以及佈線ANO。與此同樣，橫向排列的顯示像素11[m、1]至11[m、n]共同使用佈線GL_L[m]、佈線GL_E[m]以及佈線ANO。

橫向排列的檢測像素130[1、1]至130[1、j]共同使用佈線SANO[1]。與此同樣，橫向排列的檢測像素130[i、1]至130[i、j]共同使用佈線SANO[i]。

顯示像素11[1、1]至11[m、n]藉由佈線SIN[i、j]連接於檢測像素130[i、j]。就是說，多個顯示像素11共同使用一個檢測像素130。

在圖10中，佈線SANO[1]至SANO[i]分別獨立地被施加電位。佈線SANO[1]至SANO[i]較佳為分別被施加高電位(高於佈線SCATH的電位)或低電位(與佈線SCATH相等的電位)的任一個。

在圖10中，所有佈線ANO被施加共用電位。佈線ANO較佳為被施加高於佈線CATH的電位。

在資訊終端10中，如圖4A和圖4B所示，不管發生歪斜還是沒發生歪斜都需要禁止某個區域(方塊17)外的發光元件170的發光。在圖10中，可以使用佈線SANO和佈線SENS選擇上述區域。例如，當佈線SANO[i]被施加低電位時，佈線SIN[i、j]的電位也成為低電位，使得連接於佈線SIN[i、j]的所有顯示像素11不管發生歪斜還是沒發生歪斜都不能使發光元件170發光。

在顯示像素陣列12及檢測像素陣列13中，也可以分別對佈線ANO施加獨立的電位且對所有佈線SANO施加共用電位。圖16示出在此情況下的方塊圖。

在圖16中，佈線ANO[1]至ANO[m]較佳為分別被施加高電位(高於佈線CATH的電位)或低電位(與佈線CATH相等的電位)的任一個。另外，佈線SANO較佳為被施加高於佈線SCATH的電位。

在圖16中，可以使用佈線ANO和佈線SENS選擇上述區域。例如，當佈線ANO[m]被施加低電位時，顯示像素11[m、n]不管有無發生歪斜都不能使發光元件170發光。

《時序圖》

接下來，使用圖11的時序圖說明資訊終端10的工作的一個例子。圖11示出佈線GL_L[m-1]、佈線GL_E[m-1]、佈線GL_L[m]、佈線GL_E[m]、佈線SL、佈線SENS、節點FD3以及節點FD2的電位。另外，圖11還示出時間T0至T5以表示工作時序。另外，圖11中的期間P1表示資訊終端10沒發生歪斜的期間，而期間P2表示資訊終端10發生歪斜的期間。

在時間T0至時間T1，佈線GL_L[m-1]及GL_L[m]被依次選擇(被施加H位準的電位)，將視訊信號從佈線SL依次寫入到像素電路120[m-1]及120[m]。資訊終端10使用液晶元件180進行顯示。另外，此時，佈線SENS、佈線GL_E[m-1]及GL_E[m]被施加L位準，不進行發光元件170的顯示。

在期間P1，資訊終端10沒發生歪斜，由此節點FD3的電位成為高電位(V_H)。

在時間T2，佈線SENS從L位準變成H位準，使得節點FD3和節點FD2藉由電晶體M5成為導通狀態。節點FD2的電位成為V_H。

在時間T3，佈線SENS成為L位準，使得電晶體M5成為關閉狀態。節點FD2的電位被固定為V_H，發光元件170發光。因為V_H為高電位，所以發光元件170發射強光。

在期間P2，資訊終端10發生歪斜，由此節點FD3的電位成為低電位(V_L)。

在時間T4，佈線SENS從L位準變成H位準，使得節點FD3和節點FD2藉由電晶體M5成為導通狀態。節點FD2的電位成為V_L。

在時間T5，佈線SENS成為L位準，使得電晶體M5成為關閉狀態。節點FD2的電位被固定為V_L，發光元件170成為非發光狀態。

如上所述，藉由使用本實施方式所示的資訊終端10，可以提供一種因發生歪斜而能夠切換影像的顯示/非顯示的資訊終端。另外，可以提供一種低功耗資訊終端。另外，可以提供一種新穎的資訊終端。

實施方式2

在實施方式1所示的資訊終端10中，節點FD3的電位不作為數位資料輸出，而最終被轉換為發光元件170的發光強度。在本實施方式中，說明能夠將節點FD3的電位作為數位資料輸出的結構。

圖12所示的電路圖示出對圖1的檢測像素130增加了電晶體M7、電晶體M8、電晶體M9、佈線PC1、佈線SSEL以及佈線SOUT的例子。

根據佈線SSEL的電位，控制電晶體M8的開啟/關閉。當電晶體M8成為開啟狀態時，從佈線SOUT輸出相應於節點FD3的電位的信號。藉由使用後面說明的邏輯電路23處理從佈線SOUT輸出的信號，可以檢測出資訊終端10的彎曲程度。

另外，與電晶體M8同樣，根據佈線SSEL的電位控制電晶體M7的開啟/關閉。當電晶體M7成為關閉狀態時，電流不流過佈線SANO與佈線SCATH之間，由此資訊終端10可以抑制功耗。在電晶體M7為開啟的情況下，節點FD3的電位可以由上述公式(1)表示，由此檢測像素130可以檢測出歪斜。

佈線PC1被施加固定電位。

接下來，參照圖13說明檢測像素陣列13及其週邊電路。

圖13示出檢測像素陣列13、多工器21、A/D轉換器22、邏輯電路23、主體24以及源極驅動器15。在檢測像素陣列13中，檢測像素130配置為i行j列的矩陣狀。

多工器21具有選擇佈線SOUT[1]至佈線SOUT[j]中的一個佈線並將信號輸出到佈線OUT的功能。

多工器21包括電晶體M11[1]至電晶體M11[j]、電晶體M12。當佈線SEC被輸入選擇信號時，電晶體M11[1]至電晶體M11[j]中的任何一個被選出而成為開啟狀態。由此，對佈線OUT輸出信號。

佈線PC2被供應固定電位。佈線PC2較佳為被供應高於佈線PC1的電位。

電晶體M12的閘極連接於佈線BIAS，根據佈線BIAS的電位，電晶體M12的汲極電流變化。電晶體M12被用作電流源，藉由與每個檢測像素130中的電晶體M9之間的電阻分壓來決定輸出到佈線OUT的電位。

輸出到佈線OUT的信號藉由A/D轉換器22轉換成數位信號。

邏輯電路23具有根據從A/D轉換器22輸出的數位信號檢測出資訊終端10的歪斜位置或歪斜量的功能。

例如，邏輯電路23將所檢測出的歪斜的資訊發送到主體24。主體24根據從邏輯電路23輸入的資訊校正影像處理，然後將視訊信號供應到源極驅動器15。

實施方式3

在本實施方式中，參照圖14說明上述實施方式所示的顯示面板的結構實例。

圖14示出圖8至圖9B所示的顯示面板30的剖面圖。

圖14所示的顯示面板30包括膜200與膜300之間的絕緣層220。另外，在膜200與絕緣層220之間包括歪斜感測元件190、發光元件170、電晶體271、電晶體272、電晶體273以及彩色層241等。另外，在絕緣層220與膜300之間包括液晶元件180、彩色層311等。另外，膜300與絕緣層220藉由黏合層302黏合，而膜200與絕緣層220藉由黏合層201黏合。

膜200及膜300較佳為具有撓性。例如，作為膜200及膜300可以使用金屬、合金、樹脂、玻璃或其纖維等。作為樹脂，例如可以舉出聚酯、聚烯烴、聚醯胺(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚醯亞胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚四氟乙烯(PTFE)等。

電晶體273電連接於液晶元件180，而電晶體272電連接於發光元件170。電晶體272和電晶體273都形成在絕緣層220的膜200一側的面上，由此可以以同一製程製造電晶體272和電晶體273。

在膜200上設置有歪斜感測元件190。歪斜感測元件190由導電層191、導電層192a以及導電層192b構成。圖14的歪斜感測元件190為使用金屬薄膜電阻元件的歪斜感測器。圖15示出歪斜感測元件190的俯視圖。歪斜感測元件190能夠檢測出圖15的箭頭方向上的形狀變化。沿圖15所示的點劃線的剖面圖相當於圖14。

膜300設置有彩色層311、遮光層312、絕緣層313及被用作液晶元件180的共用電極的導電層321、配向膜182、絕緣層314等。絕緣層314被用作用來保持液晶元件180的單元間隙的間隔物。

在絕緣層220的膜200一側設置有絕緣層211、絕緣層212、絕緣層213、絕緣層214、絕緣層215等絕緣層。絕緣層211的一部分被用作各電晶體的閘極絕緣層。絕緣層212、絕緣層213及絕緣層214以覆蓋各電晶體的方式設置。另外，絕緣層215以覆蓋絕緣層214的方式設置。絕緣層214及絕緣層215具有平坦化層的功能。另外，這裡示出作為覆蓋電晶體等的絕緣層包括絕緣層212、絕緣層213及絕緣層214的三層的情況，但是絕緣層不侷限於此，也可以為四層以上、單層或兩層。如果不需要，則可以不設置用作平坦化層的絕緣層214。

電晶體271、電晶體272及電晶體273包括其一部分用作閘極的導電層221、其一部分用作源極或汲極的導電層222、半導體層231。在此，對經過對同一導電膜進行加工而得到的多個層附有相同的陰影線。

液晶元件180是反射型液晶元件。液晶元件180包括層疊有導電層322、液晶183以及導電層321的疊層結構。另外，設置有與導電層322的膜200一側接觸的反射可見光的導電層323。導電層323包括開口330。另外，導電層322及導電層321透射可見光。另外，在液晶183和導電層322之間設置有配向膜181，並且在液晶183和導電層321之間設置有配向膜182。另外，在膜300的外側的面上設置有偏光板301。

在液晶元件180中，導電層323具有反射可見光的功能，導電層321具有透射可見光的功能。從膜300一側入射的光被偏光板301偏振，透過導電層321、液晶183，且被導電層323反射。而且，再次透過液晶183及導電層321而到達偏光板301。此時，由施加到導電層323和導電層321之間的電壓控制液晶183的配向，從而可以控制光的光學調變。也就是說，可以控制經過偏光板301發射的光的強度。另外，由於特定的波長區域之外的光被彩色層311吸收，因此被取出的光例如呈現紅色。

發光元件170是底部發射型發光元件。發光元件170具有從絕緣層220一側依次層疊有導電層225、EL層173及導電層172的疊層結構。絕緣層216覆蓋導電層225的端部。另外，設置有覆蓋導電層172的導電層171。導電層171包含反射可見光的材料，導電層225及導電層172包含透射可見光的材料。發光元件170所發射的光經過彩色層241、絕緣層220、開口330及導電層321等射出到膜300一側。

在此，如圖14所示，較佳為在開口330中設置有透射可見光的導電層322。由此，液晶183在與開口330重疊的區域中也與其他區域同樣地配向，從而可以抑制因在這些區域的邊界產生液晶的配向不良而產生非意圖的漏光。

在此，作為設置在膜300的外側的面的偏光板301，可以使用直線偏光板，也可以使用圓偏光板。作為圓偏光板，例如可以使用將直線偏光板和四分之一波相位差板層疊而成的偏光板。由此，可以抑制外光反射。另外，藉由根據偏光板的種類調整用於液晶元件180的液晶元件的單元間隙、配向、驅動電壓等來實現所希望的對比度，即可。

電晶體272的源極和汲極中的一個藉由導電層224與發光元件170的導電層225電連接。

電晶體273的源極和汲極中的一個藉由連接部252與導電層323電連接。導電層322與導電層323接觸，它們彼此電連接。連接部252是使設置在絕緣層220的雙面上的導電層藉由形成在絕緣層220中的開口彼此連接的部分。

在膜200的不與膜300重疊的區域中設置有連接部251。連接部251藉由連接層260電連接於FPC350。在連接部251的頂面露出對與導電層322同一的導電膜進行加工來獲得的導電層。因此，藉由連接層260可以使連接部251與FPC350電連接。

在設置有黏合層302的一部分的區域中設置有連接體303。藉由連接體303使對與導電層322同一的導電膜進行加工來獲得的導電層和導電層321的一部分電連接。由此，可以將從連接於膜200一側的FPC350輸入的信號或電位藉由連接體303供應到形成在膜300一側的導電層321。

例如，連接體303可以使用導電粒子。作為導電粒子，可以採用其表面被金屬材料覆蓋的有機樹脂或二氧化矽等的粒子。作為金屬材料，較佳為使用鎳或金，因為其可以降低接觸電阻。另外，較佳為使用如在鎳上還覆蓋有金等以層狀覆蓋有兩種以上的金屬材料的粒子。另外，連接體303較佳為採用能夠彈性變形或塑性變形的材料。此時，有時導電粒子的連接體303成為圖14所示那樣的在縱向上被壓扁的形狀。藉由具有該形狀，可以增大連接體303與電連接於該連接體的導電層的接觸面積，從而可以降低接觸電阻並抑制接觸不良等問題發生。

連接體303較佳為以被黏合層302覆蓋的方式配置。例如，將連接體303分散在固化之前的黏合層302即可。

在設置有黏合層201的一部分的區域中設置有連接體202。藉由連接體202使對與導電層225同一的導電膜進行加工來獲得的導電層和導電層192b的一部分電連接。連接體202的詳細結構可以參照連接體303的記載。

在圖14中，作為閘極驅動器14的例子，示出設置有電晶體271的例子。

在圖14中，作為電晶體271及電晶體272的例子，應用由兩個閘極夾持被形成通道的半導體層231的結構。一個閘極由導電層221構成，而另一個閘極由隔著絕緣層212與半導體層231重疊的導電層223構成。藉由採用這種結構，可以控制電晶體的臨界電壓。此時，也可以連接兩個閘極，並藉由對該兩個閘極供應同一信號來驅動電晶體。與其他電晶體相比，這種電晶體能夠提高場效移動率，而可以增大通態電流。其結果是，可以製造能夠高速驅動的電路。再者能夠縮小電路部的佔有面積。藉由使用通態電流大的電晶體，即使在使顯示面板大型化或高清晰化時佈線數增多，也可以降低各佈線的信號延遲，而可以抑制顯示的不均勻。

電晶體271、272以及273較佳為OS電晶體。因此，半導體層231較佳為使用氧化物半導體。作為可以用於半導體層231的氧化物半導體，可以舉出In-Ga氧化物、In-Zn氧化物、In-M-Zn氧化物(M為Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)等。另外，上述氧化物半導體不侷限於包含In的氧化物。例如，也可以為Zn氧化物、Zn-Sn氧化物、Ga-Sn氧化物。

閘極驅動器14所包括的電晶體與顯示像素11所包括的電晶體也可以具有相同的結構。另外，閘極驅動器14所包括的多個電晶體可以都具有相同的結構或不同的結構。另外，顯示像素11所包括的多個電晶體可以都具有相同的結構或不同的結構。

覆蓋各電晶體的絕緣層212和絕緣層213中的至少一個較佳為使用水或氫等雜質不容易擴散的材料。亦即，可以將絕緣層212或絕緣層213用作障壁膜。藉由採用這種結構，可以有效地抑制雜質從外部擴散到電晶體中，從而能夠實現可靠性高的顯示面板。

在膜300一側設置有覆蓋彩色層311、遮光層312的絕緣層313。絕緣層313可以具有平坦化層的功能。藉由使用絕緣層313可以使導電層321的表面大致平坦，所以可以使液晶183的配向狀態均勻。

對製造顯示面板30的方法的一個例子進行說明。例如，先在包括剝離層的支撐基板上依次形成導電層322、導電層323及絕緣層220，再形成電晶體272、電晶體273及發光元件170等，然後使用黏合層201貼合形成有歪斜感測元件190的膜200和支撐基板。之後，藉由在剝離層和絕緣層220之間的界面及剝離層和導電層322之間的界面進行剝離，去除支撐基板及剝離層。此外，另外準備預先形成有彩色層311、遮光層312、導電層321等的膜300。而且，對膜200或膜300滴下液晶183，並由黏合層302貼合膜200和膜300，從而可以製造顯示面板30。

作為剝離層，可以適當地選擇在與絕緣層220及導電層322之間的界面產生剝離的材料。特別是，作為剝離層，使用包含鎢等的高熔點金屬材料的層和包含該金屬材料的氧化物的層的疊層，並且較佳為作為剝離層上的絕緣層220使用層疊有多個氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等的層。當將高熔點金屬材料用於剝離層時，可以提高在形成剝離層之後形成的層的形成溫度，從而可以降低雜質的濃度而實現可靠性高的顯示裝置。

作為導電層322，較佳為使用金屬氧化物、金屬氮化物或低電阻化了的氧化物半導體等的氧化物或氮化物。在使用氧化物半導體時，將氫濃度、硼濃度、磷濃度、氮濃度及其他雜質的濃度以及氧缺損量中的至少一個比用於電晶體的半導體層高的材料用於導電層322，即可。

如上所述，藉由使用本實施方式所示的資訊終端10，可以提供一種低功耗資訊終端。另外，可以提供一種高可見度的資訊終端。另外，可以提供一種新穎的資訊終端。

實施方式4

<CAC-OS的構成>

以下，對可用於本發明的一個方式所公開的電晶體中的CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS的構成進行說明。

CAC-OS例如是指構成氧化物半導體的元素以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸不均勻地分佈的材料的一種構成。注意，在下面也將在氧化物半導體中一個或多個金屬元素不均勻地分佈且包含該金屬元素的區域以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸混合的狀態稱為馬賽克(mosaic)狀或補丁(patch)狀。

氧化物半導體較佳為至少包含銦。尤其是，較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含選自鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種。

例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中，尤其可以將In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-IGZO)是指材料分成銦氧化物(以下，稱為InO_X1(X1為大於0的實數))或銦鋅氧化物(以下，稱為In_X2Zn_Y2O_Z2(X2、Y2及Z2為大於0的實數))以及鎵氧化物(以下，稱為GaO_X3(X3為大於0的實數))或鎵鋅氧化物(以下，稱為Ga_X4Zn_Y4O_Z4(X4、Y4及Z4為大於0的實數))等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InO_X1或In_X2Zn_Y2O_Z2均勻地分佈在膜中的構成(以下，也稱為雲狀)。

換言之，CAC-OS是具有以GaO_X3為主要成分的區域和以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域混在一起的構成的複合氧化物半導體。在本說明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子個數比大於第二區域的In與元素M的原子個數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。

注意，IGZO是通稱，有時是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作為典型例子，可以舉出以InGaO₃(ZnO)_m1(m1為自然數)或In(_1+x0)Ga(_1-x0)O₃(ZnO)_m0(-1

x0

1，m0為任意數)表示的結晶性化合物。

上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC(C-Axis Aligned Crystalline)結構。CAAC結構是多個IGZO的奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶結構。

另一方面，CAC-OS與氧化物半導體的材料構成有關。CAC-OS是指如下構成：在包含In、Ga、Zn及O的材料構成中，一部分中觀察到以Ga為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域分別以馬賽克狀無規律地分散。因此，在CAC-OS中，結晶結構是次要因素。

CAC-OS不包含組成不同的二種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層構成的結構。

注意，有時觀察不到以GaO_X3為主要成分的區域與以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域之間的明確的邊界。

在CAC-OS中包含選自鋁、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下構成：一部分中觀察到以該元素為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域以馬賽克狀無規律地分散。

CAC-OS例如可以藉由在對基板不進行加熱的條件下利用濺射法來形成。在利用濺射法形成CAC-OS的情況下，作為成膜氣體，可以使用選自惰性氣體(典型的是氬)、氧氣體和氮氣體中的一種或多種。另外，成膜時的成膜氣體的總流量中的氧氣體的流量比越低越好，例如，將氧氣體的流量比設定為0%以上且低於30%，較佳為0%以上且10%以下。

CAC-OS具有如下特徵：藉由根據X射線繞射(XRD：X-ray diffraction)測定法之一的out-of-plane法利用θ/2θ掃描進行測定時，觀察不到明確的峰值。也就是說，根據X射線繞射，可知在測定區域的a-b面方向及c軸方向上沒有配向。

另外，在藉由照射束徑為1nm的電子束(也稱為奈米束)而取得的CAC-OS的電子繞射圖案中，觀察到環狀的亮度高的區域以及在該環狀區域內的多個亮點。由此，根據電子繞射圖案，可知CAC-OS的結晶結構是在平面方向及剖面方向上沒有配向的nc(nano-crystal)結構。

另外，例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根據藉由能量色散型X射線分析法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得的EDX面分析影像，可確認到：具有以GaO_X3為主要成分的區域及以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域不均勻地分佈而混合的構成。

CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，CAC-OS具有以GaO_X3等為主要成分的區域及以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域互相分離且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構成。

在此，以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域的導電性高於以GaO_X3等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域時，呈現氧化物半導體的導電性。因此，當以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域在氧化物半導體中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率(μ)。

另一方面，以GaO_X3等為主要成分的區域的絕緣性高於以In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1為主要成分的區域。換言之，當以GaO_X3等為主要成分的區域分佈在氧化物半導體中時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換工作。

因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，藉由起因於GaO_X3等的絕緣性及起因於In_X2Zn_Y2O_Z2或InO_X1的導電性的互補作用可以實現高通態電流(I_on)及高場效移動率(μ)。

另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適用於顯示器等各種半導體裝置。

在本說明書中，在沒有特別說明的情況下，通態電流是指電晶體處於開啟狀態時的汲極電流。在沒有特別說明的情況下，在n通道型電晶體中，開啟狀態(有時簡稱為開啟)是指閘極與源極間的電壓差(V_G)為臨界電壓(V_th)以上的狀態，在p通道型電晶體中，開啟狀態是指V_G為V_th以下的狀態。例如，n通道型電晶體的通態電流指V_G為V_th以上時的汲極電流。電晶體的通態電流有時取決於汲極與源極間的電壓(V_D)。

在本說明書中，在沒有特別說明的情況下，關態電流是指電晶體處於關閉狀態時的汲極電流。在沒有特別說明的情況下，在n通道型電晶體中，關閉狀態(有時簡稱為關閉)是指V_G低於V_th的狀態，在p通道型電晶體中，關閉狀態是指V_G高於V_th的狀態。例如，n通道型電晶體的關態電流指V_G低於V_th時的汲極電流。電晶體的關態電流有時取決於V_G。因此，“電晶體的關態電流低於10^-21A”有時是指存在使電晶體的關態電流成為低於10^-21A的V_G的值。

另外，電晶體的關態電流有時取決於V_D。在沒有特別說明的情況下，在本說明書中，關態電流可能是指V_D的絕對值為0.1V、0.8V、1V、1.2V、1.8V、2.5V、3V、3.3V、10V、12V、16V或20V時的關態電流，或者是指在包括該電晶體的半導體裝置等中使用的V_D的關態電流。

在本說明書等中，當說明電晶體的連接關係時，記載為“源極和汲極中的一個”(或者第一電極或第一端子)和“源極和汲極中的另一個”(或者第二電極或第二端子)。這是因為電晶體的源極和汲極根據電晶體的結構或工作條件等改變的緣故。注意，根據情況可以將電晶體的源極和汲極適當地換稱為源極(汲極)端子或源極(汲極)電極等。

例如，在本說明書等中，當明確地記載為“X與Y連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：X與Y電連接的情況；X與Y直接連接的情況。

在此，X和Y為物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、層等)。

作為X與Y直接連接的情況的一個例子，可以舉出在X與Y之間沒有連接能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)，並且X與Y沒有藉由能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)連接的情況。

作為X和Y電連接的情況的一個例子，可以在X和Y之間連接一個以上的能夠電連接X和Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件、負載等)。另外，開關具有控制開啟或關閉的功能。換言之，開關具有藉由成為導通狀態(開啟狀態)或非導通狀態(關閉狀態)而控制是否使電流流過的功能。或者，開關具有選擇並切換電流路徑的功能。另外，X和Y電連接的情況包括X與Y直接連接的情況。

C1:電容元件

C2:電容元件

FD1-FD3:節點

M1-M5:電晶體

R2:電阻元件

11:顯示像素

110、120:像素電路

130:檢測像素

170:發光元件

180:液晶元件

190:歪斜感測元件

M1-M5:電晶體

R2:電阻元件

Claims

一種資訊終端，包括：觸控感測器；以及能夠顯示藉由該觸控感測器輸入的資訊的顯示面板，該顯示面板包括：第一顯示元件；第二顯示元件；以及歪斜感測器；其中，該資訊終端配置以當該歪斜感測器檢測不出歪斜時，該資訊終端的使用者以視覺確認到該第二顯示元件的發光，且當該歪斜感測器檢測出歪斜時，該資訊終端的該使用者以視覺確認到該第一顯示元件的反射光。
一種資訊終端，包括：觸控感測器；以及能夠顯示藉由該觸控感測器輸入的資訊的顯示面板, 該顯示面板包括：第一顯示元件；第二顯示元件；以及歪斜感測器，其中，該資訊終端配置以當該歪斜感測器檢測不出歪斜時，該資訊終端的使用者以視覺確認到該第一顯示元件的反射光，且當該歪斜感測器檢測出歪斜時，該資訊終端的該使用者以視覺確認到該第二顯示元件的發光。
根據申請專利範圍第1或2項所述之資訊終端，其中該歪斜感測器包括金屬薄膜電阻元件。
根據申請專利範圍第1或2項所述之資訊終端，其中該歪斜感測器包括壓電元件。
根據申請專利範圍第1或2項所述之資訊終端，包括：顯示部，包括：該第一顯示元件；該第二顯示元件；第一電晶體；以及第二電晶體；以及該歪斜感測器，包括：歪斜感測元件；以及包括第一端子的電阻元件，該電阻元件的該第一端子與該歪斜感測元件的第一端子電連接且藉由該第二電晶體與該第一電晶體的閘極電連接，其中：該第一電晶體配置以控制流過該第二顯示元件的電流；並且，該歪斜感測元件配置為可變電阻元件。
根據申請專利範圍第5項之資訊終端，其中該第一電晶體及該第二電晶體都包括包含氧化物半導體的通道形成區。
根據申請專利範圍第5項之資訊終端，其中該歪斜感測元件為金屬薄膜電阻元件。
根據申請專利範圍第5項之資訊終端，其中該歪斜感測元件為壓電元件。
一種顯示面板，包括：第一顯示元件；第二顯示元件；以及歪斜感測器；其中該顯示面板配置以當該歪斜感測器檢測不出歪斜時，該顯示面板的使用者以視覺確認到該第二顯示元件的發光，且當該歪斜感測器檢測出歪斜時，該顯示面板的該使用者以視覺確認到該第一顯示元件的反射光。
一種顯示面板，包括：第一顯示元件；第二顯示元件；以及歪斜感測器，其中，該顯示面板配置以當該歪斜感測器檢測不出歪斜時，該顯示面板的使用者以視覺確認到該第一顯示元件的反射光，且當該歪斜感測器檢測出歪斜時，該顯示面板的該使用者以視覺確認到該第二顯示元件的發光。
根據申請專利範圍第9或10項所述之顯示面板，其中該歪斜感測器包括金屬薄膜電阻元件。
根據申請專利範圍第9或10項所述之顯示面板，其中該歪斜感測器包括壓電元件。
根據申請專利範圍第9或10項所述之顯示面板，包括：顯示部，包括：該第一顯示元件；該第二顯示元件；第一電晶體；以及第二電晶體；以及該歪斜感測器，包括：歪斜感測元件；以及包括第一端子的電阻元件，該電阻元件的該第一端子與該歪斜感測元件的第一端子電連接且藉由該第二電晶體與該第一電晶體的閘極電連接，其中：該第一電晶體配置以控制流過該第二顯示元件的電流；並且，該歪斜感測元件配置為可變電阻元件。
根據申請專利範圍第13項所述之顯示面板，其中該第一電晶體及該第二電晶體都包括包含氧化物半導體的通道形成區。
根據申請專利範圍第13項所述之顯示面板，其中該歪斜感測元件為金屬薄膜電阻元件。
根據申請專利範圍第13項所述之顯示面板，其中該歪斜感測元件為壓電元件。