TWI778206B - 剝離裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]形成為可以判斷在已將樹脂層剝離之晶圓上是否有成為磨削不良因素的樹脂殘留。 [解決手段]一種剝離裝置，是從隔著形成於其中一表面之樹脂層而固著有薄膜且薄膜從外周緣超出而形成有超出部之晶圓，將樹脂層與薄膜一起剝離，前述剝離裝置具備：從晶圓的其中一表面剝離樹脂層之組件、拍攝已將樹脂層剝離的其中一表面之組件、藉由拍攝圖像的1像素的亮度來判斷1像素之樹脂殘留的有無之第1判斷部、及在第1判斷部對拍攝圖像的每1像素判斷樹脂殘留的有無之後，從拍攝圖像判斷對磨削造成不良影響之樹脂殘留的有無之第2判斷部。

Description

剝離裝置
發明領域 本發明是有關於一種將保護構件從晶圓剝離的剝離裝置。
發明背景 在半導體晶圓的製造過程中製作具有平坦面之晶圓的情況下，是例如將從矽等的原材料所構成之圓柱狀的晶錠以線鋸(wiresaw)等薄薄地切斷，而得到圓板狀的晶圓。因為在該圓板狀的晶圓的兩面存在有波紋的情況較多，所以會對所切出之晶圓實施磨削加工，亦即，磨削由線鋸所造成之晶圓的切斷面來去除切斷面的波紋，以作出平坦之面。
在執行磨削加工時，是例如，如圖9所示地以液狀樹脂在圓板狀的晶圓W的其中一側的表面Wa的整面上形成樹脂層S1。對此，首先，是將直徑大於晶圓W的直徑之圓形狀薄膜S2載置於樹脂層形成裝置的保持工作台90之平坦的保持面90a上，並且從樹脂供給裝置91將規定量之液狀的樹脂供給到此薄膜S2上。此液狀樹脂具備有例如藉由紫外線照射而硬化之性質。然後，以保持組件92吸引保持晶圓W的另一表面Wb，並且在配設成與晶圓W的其中一表面Wa相向之薄膜S2上，將晶圓W相對於液狀樹脂從上側按壓來延展液狀樹脂，並形成為以液狀樹脂被覆其中一表面Wa整面之狀態。接著，對於所被覆之液狀樹脂，從例如配設於保持工作台90的內部之紫外線照射機構93照射紫外線來使樹脂層硬化。其結果為，如圖10所示，晶圓W是隔著形成於晶圓W的其中一表面Wa整面上之樹脂層S1而成為固著有薄膜S2之狀態。又，形成有從晶圓W的外周緣Wd使薄膜S2超出之超出部S2a。
然後，如圖10所示，在磨削裝置94的工作夾台940的保持面上將晶圓W載置成使薄膜S2成為下側，並將磨削輪941從晶圓W的上方下降，以使旋轉之磨削磨石941a抵接於晶圓W的另一表面Wb來執行磨削。之後，藉由剝離裝置(例如，參照專利文獻1)，從晶圓W將樹脂層S1與薄膜S2一起剝離之後，磨削被樹脂層S1所保護之晶圓W的其中一表面Wa，藉此可以製作兩表面均成為平坦面之晶圓W。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2014-063882號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，在以剝離裝置剝離樹脂層S1時，會有樹脂層S1殘留在晶圓W的其中一表面Wa之情況。當樹脂殘留在晶圓W的其中一表面Wa時，會有下述情形：在磨削晶圓W的其中一表面Wa時，殘留之樹脂附著在磨削磨石941a的磨削面(下表面)而發生磨削不良。 據此，本發明之目的在於提供一種剝離裝置，其在從晶圓將樹脂層與薄膜一起剝離之情況下，可以判斷在已將樹脂層剝離之晶圓W上是否有成為磨削不良的因素之樹脂殘留。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種剝離裝置，其是從隔著形成於晶圓的其中一表面之樹脂層而固著有薄膜、且該薄膜從晶圓的外周緣超出而形成超出部的晶圓，夾持該超出部並且將該樹脂層與該薄膜一起剝離，前述剝離裝置具備：保持組件，具有保持晶圓的另一表面之保持面；夾持組件，夾持該保持組件所保持之晶圓的該超出部；剝離組件，使該夾持組件與該保持組件相對地從晶圓的外周緣朝向中心往徑方向移動，來從晶圓的其中一表面剝離該樹脂層；拍攝單元，拍攝已將該樹脂層剝離之晶圓的其中一表面；第1判斷部，藉由該拍攝單元所拍攝之拍攝圖像的1像素的亮度，來判斷該1像素中有無樹脂殘留；及第2判斷部，在該第1判斷部對該拍攝圖像的每1像素判斷出樹脂殘留的有無之後，從該拍攝圖像判斷有無對磨削造成不良影響之樹脂殘留。
較佳的是，在前述第1判斷部已判斷為有樹脂殘留之像素所合計的面積與晶圓的其中一表面的面積之比例為預先設定之比例以上時，前述第2判斷部會判斷為有在磨削上造成不良影響之樹脂殘留。
較佳的是，在判斷為相鄰於前述第1判斷部已判斷為有樹脂殘留之像素的像素也有樹脂殘留後，前述第2判斷部會判斷為有在磨削上造成不良影響之樹脂殘留。 發明效果
根據本發明，是在第1判斷部判斷拍攝圖像的每1像素是否有樹脂殘留之後，藉由第2判斷部從拍攝圖像判斷是否有對磨削造成不良影響之樹脂殘留，藉此，在磨削晶圓的其中一表面時，可以形成不會有對磨削造成不良影響之樹脂層的殘留附著到磨削磨石的磨削面之情形，而可以防止磨削不良的發生。
在第1判斷部已判斷為有樹脂殘留之像素所合計的面積與晶圓的其中一表面的面積之比例成為預先設定之比例以上時，第2判斷部會判斷為具有在磨削上造成不良影響之樹脂殘留，藉此，可以形成不會在磨削磨石的磨削面上附著有對磨削造成不良影響之樹脂殘留之情形，而變得可防止磨削不良的發生。
在判斷為相鄰於第1判斷部已判斷為有樹脂殘留之像素的像素也有樹脂殘留後，第2判斷部會判斷為具有在磨削上造成不良影響之較大的樹脂殘留，藉此，可以形成不會在磨削磨石的磨削面上附著有對磨削造成不良影響之樹脂殘留之情形，而變得可防止磨削不良的發生。
用以實施發明之形態 圖1所示之剝離裝置1，是從晶圓W的其中一表面Wa將樹脂層S1(參照圖2)與薄膜S2一起剝離之裝置。薄膜S2是形成為直徑大於晶圓W，且隔著樹脂層S1而固著在晶圓W的其中一表面Wa(圖1中的下表面)，並且在比晶圓W的外周緣Wd更外周側具備有超出之超出部S2a。
在剝離裝置1的矩形狀之基台10上的後方側(-X方向側)，豎立設置有柱部11，且在柱部11的前表面的上方部配設有Y軸方向移動組件12，前述Y軸方向移動組件12是藉由馬達122使軸方向即Y軸方向之滾珠螺桿120旋動，而使配設在可動板121之保持組件2在Y軸方向上往返移動。
在可動板121上，配設有使保持組件2在Z軸方向上往返移動之Z軸方向移動組件13。Z軸方向移動組件13是藉由馬達132而使軸方向即Z軸方向之滾珠螺桿130旋動，藉此使配設於可動板131上之保持組件2在Z軸方向上往返移動。
保持組件2具備有將-X方向側之一端固定在可動板131上的支臂部20、及配設在支臂部20的+X方向側的另一端之下表面並且吸引保持晶圓W之保持墊21。圖2所示之圓形板狀的保持墊21具備由多孔質構件所構成而吸附晶圓W之吸附部210、及支撐吸附部210之框體211。吸附部210是透過吸引管212而連通至真空產生裝置等的吸引源213。並且，藉由將作動吸引源213而產生之吸引力傳達至吸附部210的露出面即保持面210a，保持組件2即以保持面210a來吸引保持晶圓W的另一表面Wb。
在圖1所示之柱部11的前表面之中段部且成為保持組件2的移動路徑之下方的位置上，從+Z方向側依序排列而配設有：具有X軸方向的軸心之旋轉滾輪18、將樹脂層S1從晶圓W剝離之剝離組件4、使對已將樹脂層S1剝離之晶圓W的其中一表面Wa進行拍攝之拍攝單元80移動之拍攝單元移動組件81、載置有與薄膜S2一起從晶圓W剝離之樹脂層S1的載置台5，及使載置台5上的樹脂層S1落下之落下組件6。又，在剝離組件4的+Y方向側的附近，是將工作台保持台140突出設置於柱部11的前表面，且在工作台保持台140上配設有可載置已將另一表面Wb磨削之後的晶圓W的交接工作台141。交接工作台141可以吸引保持已載置於其保持面141a上之晶圓W。
剝離組件4是由具有Y軸方向的軸心的滾珠螺桿40、與滾珠螺桿40平行地配設的一對導軌41、使滾珠螺桿40旋動的馬達42、及內部的螺帽螺合於滾珠螺桿40且側部滑接於導軌41的可動塊43所構成。並且，當馬達42使滾珠螺桿40旋動時，可動塊43隨之被導軌41所導引而在Y軸方向上移動，且使配設在可動塊43上的夾持組件3隨著可動塊43的移動而在Y軸方向上移動。
對保持組件2所保持之晶圓W的超出部S2a進行夾持之夾持組件3具備有軸方向為X軸方向的主軸30、可旋轉地支撐主軸30的殼體31、及配設在主軸30的+X方向側的前端之夾持夾具32。夾持夾具32是在可互相接近及遠離之一對夾持板320之間將夾持對象夾入，並且可以藉由旋轉主軸30，而將夾持夾具32相對於夾持對象的角度改變。再者，例如夾持組件3亦可形成為可將可動塊43在上下方向上移動。
在X軸方向上延長之旋轉滾輪18，是形成為可繞著X軸方向的軸心旋轉。藉由旋轉滾輪18會在樹脂層S1的剝離時抵接於薄膜S2，而發揮防止剝離時可能引起之樹脂層S1的彎折之作用。再者，旋轉滾輪18亦可在Y軸方向上移動。
拍攝單元移動組件81是由具有Y軸方向的軸心之滾珠螺桿810、與滾珠螺桿810平行地配設的一對導軌41、使滾珠螺桿810旋動之馬達812、及內部的螺帽螺合於滾珠螺桿810且側部滑接於導軌41的可動塊813所構成。並且，當馬達812使滾珠螺桿810旋動時，可動塊813隨之被導軌41所導引而在Y軸方向上移動，且使配設在可動塊813上的拍攝單元80隨著可動塊813的移動而在Y軸方向上移動。
配設在可動塊813上之拍攝單元80，可為例如線型感測器相機，並具備有照射拍攝區域之照明件801、由透鏡等所構成並且捕捉來自晶圓W的反射光之圖未示的光學系統、及將以光學系統所成像之被攝體圖像進行光電轉換並輸出圖像資訊之拍攝部800。拍攝部800是將CCD等複數個受光元件在X軸方向上排列成一橫列而構成。拍攝部800是藉由其長度方向(X軸方向)的長度為構成保持組件2之保持墊21的直徑以上，而具有晶圓W的直徑以上之長度的拍攝區域。照明件801對以保持組件2所保持且定位於拍攝單元80的上方之狀態的晶圓W的其中一表面Wa，進行規定光量的光照射。從照明件801所照射之光會在晶圓W的其中一表面Wa上反射，且反射光在相向於晶圓W的其中一表面Wa之拍攝部800上成像，藉此拍攝單元80能夠以行狀的方式拍攝晶圓W的其中一表面Wa。
載置台5具備例如矩形狀的外形，且其上表面形成為柵條狀的載置面5a。亦即，載置台5是形成為以下之構成：使複數條直線材50以將長度方向設成平行於Y軸方向，且在X軸方向上保持等間隔而形成間隙的方式並列，並且以連結工具連結並固定各直線材50的+Y軸方向側的一端。例如，可將載置台5藉由連結各直線材50之連結工具，而固定在柱部11的前表面。
落下組件6是由具有Y軸方向的軸心之滾珠螺桿60、與滾珠螺桿60平行地配設之一對導軌61、使滾珠螺桿60旋動之馬達62、內部的螺帽螺合於滾珠螺桿60且側部630滑接於導軌61之可動構件63、及配設於可動構件63之突出銷64所構成。 可動構件63具備有例如螺合於滾珠螺桿60之側部630、及從側部630的上端朝向+X方向側突出之銷台部631。在銷台部631的上表面是將朝上方突出之例如2個突出銷64在X軸方向上分離相當於規定距離而配設。當馬達62使滾珠螺桿60旋動時，可動構件63隨之被導軌61所導引而在Y軸方向上移動，且讓可動構件63上的突出銷64以通過載置台5的各直線材50間的間隙的方式在Y軸方向上移動。
在基台10上配設有收容與薄膜S2一起被剝離之樹脂層S1的盒子7。盒子7是例如在載置台5的+Y方向側端的下方並朝向上方形成開口。在盒子7的上部配設有例如具備發光部790與受光部791之透射型的光感測器79。從晶圓W剝離且載置於載置台5上之樹脂層S1，是藉由落下組件6而落入盒子7內。藉由樹脂層S1在盒子7內堆積至規定的高度，而使發光部790與受光部791之間的檢查光被樹脂層S1所遮蓋，光感測器79即檢測出盒子7內已被樹脂層S1充滿之情形。
剝離裝置1具備有以CPU及記憶體等的儲存元件所構成並且執行裝置整體的控制之控制單元19。控制單元19是藉由圖未示之配線，而連接至剝離組件4、Y軸方向移動組件12、及拍攝單元80等，並且在控制單元19的控制下，可控制由Y軸方向移動組件12所進行之保持組件2往Y軸方向的移動動作、或由剝離組件4所進行之夾持組件3往Y軸方向的移動動作等。
例如，控制單元19具備有第1判斷部191及第2判斷部192，前述第1判斷部191是藉由拍攝單元80所拍攝之拍攝圖像的1像素的亮度來判斷在1像素中是否有樹脂殘留，前述第2判斷部192是在第1判斷部191對拍攝圖像的每1像素已判斷出樹脂殘留的有無之後，從拍攝圖像判斷有無對磨削造成不良影響之樹脂殘留。
以下，利用圖1~5來說明關於藉由剝離裝置1從晶圓W將樹脂層S1剝離之情況的剝離裝置1的動作。再者，在圖2~5中，是將剝離裝置1的構成之一部分簡化來顯示。
首先，如圖1所示，將已磨削另一表面Wb後的晶圓W在交接工作台141上載置成使另一表面Wb成為上側。Y軸方向移動組件12使保持組件2朝+Y方向移動，且將保持墊21在晶圓W的上方定位成使保持面210a的中心與晶圓W的另一表面Wb的中心為大致一致。Z軸方向移動組件13使保持組件2下降，而使保持墊21的保持面210a接觸於晶圓W的另一表面Wb。作動吸引源213來將所產生之吸引力傳達至保持面210a，以使保持組件2將樹脂層S1側朝向下方而吸引保持晶圓W。
如圖2所示，吸引保持有晶圓W之保持組件2，朝-Y方向移動到位於旋轉滾輪18的上方為止之後朝-Z方向下降，而使旋轉滾輪18的側面抵接於薄膜S2的下表面的+Y方向側的外周部附近。剝離組件4使夾持組件3朝-Y方向移動而靠近薄膜S2的+Y方向側的外周部，且讓夾持夾具32夾持超出部S2a。
如圖3所示，當夾持夾具32夾持超出部S2a之後，主軸30在從+X方向側(紙面朝向自己這一側)觀看為朝順時針方向旋轉90度，藉此使樹脂層S1及薄膜S2順應於旋轉滾輪18的側面而和緩地彎曲，並且藉由夾持夾具32將薄膜S2朝向-Z方向拉伸，藉此從晶圓W的其中一表面Wa將樹脂層S1的外周側的一部分剝離。
接著，藉由剝離組件4使夾持組件3與保持組件2相對地從晶圓W的外周緣Wd朝向中心往徑方向移動，而將樹脂層S1從晶圓W剝離。亦即，藉由剝離組件4使夾持組件3朝-Y方向側移動，並且例如Y軸方向移動組件12使保持組件2朝+Y方向側移動，旋轉滾輪18繞著X軸方向的軸心旋轉，而一面維持薄膜S2及樹脂層S1順應於旋轉滾輪18的側面而和緩地彎曲之狀態，一面從晶圓W的+Y方向側的外周緣Wd朝向-Y方向側來將樹脂層S1剝離。在此，當剝離中發生樹脂層S1的彎折時，雖然會有因為樹脂彎折所造成之反作用力而瞬間地從樹脂層S1對晶圓W的其中一表面Wa施加衝擊力，導致晶圓的其中一表面Wa損傷之情況，但藉由旋轉滾輪18的側面抵接於薄膜S2，可以防止剝離中的樹脂層S1的彎折。
如圖4所示，當夾持組件3移動至晶圓W的-Y方向側的外周緣Wd附近為止時，藉由主軸30在從+X方向側(紙面朝向自己這一側)觀看為朝順時針方向進一步旋轉90度，而成為樹脂層S1朝向下方之狀態。此外，藉由Y軸方向移動組件12使保持組件2朝+Y方向側移動，且剝離組件4使夾持組件3朝-Y方向側移動，可從晶圓W將樹脂層S1整體剝離。當將樹脂層S1整體從晶圓W剝離後，可解除由夾持組件3所進行之超出部S2a的夾持，而使薄膜S2及樹脂層S1朝向載置台5落下。 再者，因為剝離組件4只要是可將保持組件2與夾持組件3相對地從晶圓W的外周緣Wd朝向中心往徑方向移動，來從晶圓W將樹脂層S1剝離的組件即可，所以亦可設成以下之構成：夾持組件3不在Y軸方向上移動，僅保持組件2在Y軸方向上移動，藉此剝離樹脂層S1。
接著，落下組件6使薄膜S2及樹脂層S1從載置台5落下。亦即，使突出銷64朝向+Y方向推動薄膜S2及樹脂層S1，而使其從載置台5落下至圖1所示之盒子7內，並將薄膜S2及樹脂層S1廢棄於盒子7內。
(1)晶圓的其中一表面的樹脂殘留的有無之判斷的第1實施形態 接著，停止例如由剝離組件4所進行之夾持組件3的移動、以及由Y軸方向移動組件12所進行之保持組件2的移動。如圖5所示，藉由以拍攝單元移動組件81使拍攝單元80朝-Y方向側移動，而使拍攝單元80通過以保持組件2所保持之晶圓W的下方。在此通過之時，可藉由拍攝單元80的拍攝部800從晶圓W的+Y方向側的外周緣Wd到-Y方向側的外周緣Wd為止，連續地且一行一行地拍攝晶圓W的其中一表面Wa。亦即，照明件801將光照射在晶圓W的其中一表面Wa上，且來自晶圓W的其中一表面Wa的反射光透過圖未示之光學系統而入射到拍攝部800的CCD的各畫素。 再者，亦可設成以下之構成：藉由不使拍攝單元80在Y軸方向上移動，而僅使保持組件2在Y軸方向上移動，來藉由拍攝單元80拍攝已將樹脂層S1剝離之晶圓W的其中一表面Wa。亦可在保持組件2的保持墊21為繞著Z軸方向的軸心旋轉之情況下，使拍攝單元80定位在保持組件2的中心下方並一面使保持墊21以規定的速度旋轉，一面藉由拍攝單元80來進行晶圓W的其中一表面Wa之拍攝。
從拍攝單元80將晶圓W的其中一表面Wa的一行一行的圖像資訊逐次發送至圖1所示之控制單元19。該圖像資訊是以可構成晶圓W的其中一表面Wa的整體圖像的方式依序地記錄到控制單元19的儲存部。然後，當拍攝單元80朝-Y方向行進到完全通過晶圓W的其中一表面Wa的下方之Y軸方向的規定之位置為止時，即可得到拍攝晶圓W的其中一表面Wa整面而得之拍攝圖像。拍攝圖像是例如亮度值(表示1個像素的亮度之指標)為8位元階調，亦即如0~255為止之256階所表現之規定的尺寸之1像素(1畫素)的集合體，1像素為亮度值越接近於0越不具有亮度並接近黑色，又，當亮度值越接近於255則越具有亮度並接近白色。 已形成之拍攝圖像的每1像素中的亮度值，亦即入射到拍攝部800的CCD的各1像素之光量，是根據對應於該1像素之樹脂層S1的殘留量之多寡來決定。亦即，樹脂殘留的量越多則入射光量越少，且該1像素是亮度值接近於0而接近黑色，而樹脂殘留的量越少則入射光量越增加，且該1像素是亮度值接近於255而接近白色。
例如，在控制單元19的第1判斷部191中，為了在拍攝晶圓W的其中一表面Wa整面之拍攝圖像的1像素中判斷有無樹脂殘留，而預先設定有作為閾值之亮度值(例如，圖6所示之灰階G中之亮度值130)。第1判斷部191是從控制單元19的儲存部將晶圓W的其中一表面Wa整面的拍攝圖像讀入，並且將其中的每1像素的亮度值與作為閾值之亮度值130進行比較。並且，關於亮度值為130以下的像素是作出有樹脂殘留之判斷，而關於亮度值超過130之像素則是作出無樹脂殘留之判斷。
於圖6中顯示有X軸Y軸正交座標系統的規定解析度(例如640x480畫素)的虛擬之輸出畫面B，且藉由第1判斷部191所進行之已判斷出每1像素之樹脂殘留的有無之後的晶圓W的其中一表面Wa整面被拍出來的拍攝圖像，是顯示於輸出畫面B。圖6中以虛線表示之各個正方形格子是表示1像素。再者，在圖6中，是以拍攝圖像中的每1像素中的樹脂殘留的多寡來示意地表示該像素的亮度值。例如，在圖6中，藉由第1判斷部191判斷為亮度值為130以下而為有樹脂殘留之像素，實際上是以對應於該樹脂殘留量的亮度值(例如亮度值50)的階調來顯示，且藉由第1判斷部191判斷為亮度值超過130而為無樹脂殘留之像素，實際上是以對應於該樹脂殘留量的亮度值(例如亮度值190)的階調來顯示。 再者，已藉由第1判斷部191判斷出每1像素的樹脂殘留的有無後之晶圓W的其中一表面Wa整面被拍出來的拍攝圖像，亦可在進一步藉由第1判斷部191以閾值130進行二值化之後顯示於輸出畫面B。在此情況下，已判斷為亮度值超過130且無樹脂殘留之像素是成為亮度值0(白)且變得未被顯示在輸出畫面B中，已判斷為亮度值為130以下且有樹脂殘留之像素是成為亮度值255(黑)且被顯示於輸出畫面B。
在第1判斷部191對拍攝圖像的每1像素判斷樹脂殘留的有無之後，第2判斷部192會計算圖6所示之第1判斷部191已判斷為有樹脂殘留之像素的總和，並且將該總和設為在晶圓W的其中一表面Wa中有樹脂殘留的總面積。第2判斷部192是將晶圓W的其中一表面Wa的面積之值預先設為已知的資料而取得。並且，第2判斷部192會計算相對於晶圓W的其中一表面Wa的面積之有樹脂殘留的總面積的比例。例如，可將所計算出的該比例以百分數來設為U%。
在第2判斷部192中，可預先設定有相對於晶圓W的其中一表面Wa的面積之有樹脂殘留的總面積之可容許的比例(例如以百分數來設為V%)。該預先設定之比例，是以對晶圓W的其中一表面Wa施行適當的磨削加工作為目的，而以實驗的、經驗的、或理論的方式所選擇出的比例。 第2判斷部192是將相對於晶圓W的其一表面Wa之面積之有樹脂殘留的總面積的比例U%，與預先設定之容許比例V%作比較，而判斷在晶圓W的其中一表面Wa有無對磨削造成不良影響之樹脂殘留。
在U%＞V%之情況下，第2判斷部192是判斷為在晶圓W的其中一表面Wa有對磨削造成不良影響之樹脂殘留，並發出警報音或顯示錯誤等，來通報該判斷。已判斷為有造成不良影響之樹脂殘留的晶圓W，是以例如下述作法來將所殘存的樹脂層S1剝離：作業人員將殘留在晶圓W的其中一表面Wa之樹脂層S1擦除、或是再次將殘留有樹脂層S1之晶圓W搬送至保護構件形成裝置等，以再一次使樹脂層S1形成於晶圓W的其中一表面Wa上，並且再次藉由剝離裝置1將樹脂層S1與薄膜S2一起剝離。並且，僅將晶圓W的其中一表面Wa未殘留有樹脂層S1之晶圓W搬送至磨削裝置。
如上述，本發明之剝離裝置1具備：具有保持晶圓W的另一表面Wb之保持面210a的保持組件2、夾持保持組件2所保持之晶圓W的超出部S2a的夾持組件3、使夾持組件3與保持組件2相對地從晶圓W的外周緣Wd朝向中心往徑方向移動來從晶圓W的其中一表面Wa剝離樹脂層S1的剝離組件4、拍攝已將樹脂層S1剝離之晶圓W的其中一表面Wa的拍攝單元80，及藉由拍攝單元80所拍攝之拍攝圖像的1像素的亮度，來判斷1像素中有無樹脂殘留的第1判斷部191，在第1判斷部191對拍攝圖像的每1像素判斷出樹脂殘留的有無之後，第2判斷部192從拍攝圖像判斷有無對磨削造成不良影響之樹脂殘留，藉此，在磨削晶圓W的其中一表面Wa時，可以設成不使對磨削造成不良影響之樹脂層S1的殘留附著在磨削磨石的磨削面上，並且可以防止之後的磨削中的磨削不良的發生。
在第1判斷部191已判斷為有樹脂殘留之像素所合計的面積與晶圓W的其中一表面Wa的面積之比例成為預先設定之比例以上時(作為一例，為在晶圓W的其中一表面Wa細部的樹脂殘留以像素單位大量存在為一點一點時)，第2判斷部192可以進行成藉由判斷為有在磨削上造成不良影響之樹脂殘留，以免對磨削造成不良影響之樹脂殘留附著在磨削磨石的磨削面上，藉此變得可防止磨削不良的發生。
(2)晶圓的其中一表面的樹脂殘留的有無之判斷的第2實施形態 第1判斷部191已對拍攝圖像的每1像素判斷出樹脂殘留的有無之後，由第2判斷部192進行之從拍攝圖像判斷有無對磨削造成不良影響之樹脂殘留之判斷，亦可如以下所示地實施。 到由第1判斷部191進行之拍攝圖像的每1像素的樹脂殘留的有無之判斷為止，是與第1實施形態同樣地實施。之後，第2判斷部192是繼續判斷圖6所示之第1判斷部191已判斷為有樹脂殘留之各像素是否為相鄰。第2判斷部192在圖6所示之例子中，是判斷為有樹脂殘留之像素(以實線表示的2個像素)在Y軸方向上相鄰，又，判斷為有樹脂殘留之像素(以實線表示的2個像素)在傾斜方向上相鄰，而判斷為有在磨削上造成不良影響之較大的樹脂殘留，並通報該判斷。其結果，可對晶圓W實施樹脂殘留的擦除等，而形成為不使對磨削造成不良影響之樹脂殘留附著在磨削磨石的磨削面上，而變得可防止磨削不良的發生。 另一方面，在判斷為有樹脂殘留之各像素上判斷為沒有相鄰的像素的情況下，第2判斷部192是判斷為無在磨削上造成不良影響之較大的樹脂殘留，並且可將晶圓W搬送至磨削裝置。
本發明之剝離裝置1的各構成不限定於圖1所示，又，晶圓W的其中一表面Wa的樹脂殘留的有無之判斷的實施形態，也不限定於上述第1實施形態及第2實施形態，且在能夠發揮本發明的效果之範圍內可適當地變更。例如，第2判斷部192亦可在進行第1實施形態的晶圓的其中一表面之樹脂殘留的有無之判斷之後，進一步進行第2實施形態的晶圓的其中一表面之樹脂殘留的有無之判斷。
亦可為例如，在(2)晶圓的其中一表面之樹脂殘留的有無之判斷的第2實施形態中，是考量磨削時晶圓W的其中一表面Wa與磨削磨石的軌道之間的位置關係，且第2判斷部192是將有無在磨削上造成不良影響之樹脂殘留的判斷如下述地進行。
於之後在以磨削磨石磨削晶圓W的其中一表面Wa之情況下，是例如，如圖7所示，將定位設成使磨削磨石的旋轉中心相對於晶圓W的其中一表面Wa之中心在水平方向上偏離相當於規定的距離，來使磨削磨石的旋轉軌道通過晶圓W的其中一表面Wa之旋轉中心。剝離裝置1的第2判斷部192是事先掌握該磨削磨石的旋轉軌道與晶圓的其中一表面Wa之間的位置關係，並且與進行第1判斷部191已判斷為有樹脂殘留之各像素是否相鄰之判斷並行來進行下述判斷：已判斷為具有樹脂殘留且已判斷為相鄰之各像素，是以何種形狀在磨削磨石的旋轉軌道上相鄰。
如圖7所示，沿著磨削磨石的旋轉軌道且有樹脂殘留之像素為在X軸方向上相鄰之情況下，第2判斷部192會以連續地附著在旋轉的磨削磨石的磨削面之情形來判斷為具有造成不良影響之較大的樹脂殘留，並通報該判斷。相對而言，如圖8所示，在有樹脂殘留之像素於傾斜方向橫跨磨削磨石的旋轉軌道而相鄰之情況下，因為相鄰之像素的一個並未連續地附著在旋轉的磨削磨石的磨削面上，所以第2判斷部192是判斷為並無造成不良影響之較大的樹脂殘留。
1‧‧‧剝離裝置 10‧‧‧基台 11‧‧‧柱部 12‧‧‧Y軸方向移動組件 120、130、40、810、60‧‧‧滾珠螺桿 121、131‧‧‧可動板 122、132、42、812、62‧‧‧馬達 13‧‧‧Z軸方向移動組件 140‧‧‧工作台保持台 141‧‧‧交接工作台 141a、210a、90a‧‧‧保持面 18‧‧‧旋轉滾輪 19‧‧‧控制單元 191‧‧‧第1判斷部 192‧‧‧第2判斷部 2、92‧‧‧保持組件 20‧‧‧支臂部 21‧‧‧保持墊 210‧‧‧吸附部 211‧‧‧框體 212‧‧‧吸引管 213‧‧‧吸引源 3‧‧‧夾持組件 30‧‧‧主軸 31‧‧‧殼體 32‧‧‧夾持夾具 320‧‧‧夾持板 4‧‧‧剝離組件 41、61‧‧‧導軌 43、813‧‧‧可動塊 5‧‧‧載置台 50‧‧‧直線材 5a‧‧‧載置面 6‧‧‧落下組件 63‧‧‧可動構件 630‧‧‧側部 631‧‧‧銷台部 64‧‧‧突出銷 7‧‧‧盒子 79‧‧‧光感測器 790‧‧‧發光部 791‧‧‧受光部 80‧‧‧拍攝單元 800‧‧‧拍攝部 801‧‧‧照明件 81‧‧‧拍攝單元移動組件 90‧‧‧保持工作台 91‧‧‧樹脂供給裝置 93‧‧‧紫外線照射機構 94‧‧‧磨削裝置 940‧‧‧工作夾台 941‧‧‧磨削輪 941a‧‧‧磨削磨石 B‧‧‧輸出畫面 W‧‧‧晶圓 Wa‧‧‧晶圓的其中一表面 Wb‧‧‧晶圓的另一表面 Wd‧‧‧晶圓的外周緣 S1‧‧‧樹脂層 S2‧‧‧薄膜 S2a‧‧‧超出部 ±X、±Y、±Z‧‧‧方向
圖1是顯示剝離裝置之一例的立體圖。 圖2是顯示藉由夾持組件而夾持有晶圓的薄膜之超出部的狀態之截面圖，其中前述晶圓是藉由保持組件所保持。 圖3是顯示藉由剝離組件使夾持有超出部之夾持組件移動，且使保持組件往徑方向與剝離組件相反地移動，而開始進行樹脂層的剝離之狀態的截面圖。 圖4是顯示藉由剝離組件使夾持有超出部之夾持組件移動，且使保持組件往徑方向與剝離組件相反地移動，來從晶圓將大部分的樹脂層剝離之狀態的截面圖。 圖5是顯示藉由拍攝單元來拍攝已將樹脂層剝離後的晶圓的其中一表面的狀態的截面圖。 圖6是顯示藉由第1判斷部進行之判斷出每1像素之樹脂殘留的有無後的晶圓的其中一表面的整面被拍出來的拍攝圖像的說明圖。 圖7是說明在第2判斷部已判斷為存在具有樹脂殘留之相鄰的像素時，考量磨削時的磨削磨石的旋轉軌道而判斷為有在磨削上造成不良影響之樹脂殘留之情況的說明圖。 圖8是說明在第2判斷部已判斷為存在具有樹脂殘留之相鄰的像素時，考量磨削時的磨削磨石的旋轉軌道而判斷為並無在磨削上造成不良影響之樹脂殘留之情況的說明圖。 圖9是說明在晶圓的其中一表面，以液狀樹脂形成樹脂層之狀態的截面圖。 圖10是顯示保持樹脂層側且磨削晶圓的另一表面之狀態的截面圖。
1‧‧‧剝離裝置
10‧‧‧基台
11‧‧‧柱部
12‧‧‧Y軸方向移動組件
120、130、40、810、60‧‧‧滾珠螺桿
121、131‧‧‧可動板
122、132、42、812、62‧‧‧馬達
13‧‧‧Z軸方向移動組件
140‧‧‧工作台保持台
141‧‧‧交接工作台
141a、210a‧‧‧保持面
18‧‧‧旋轉滾輪
19‧‧‧控制單元
191‧‧‧第1判斷部
192‧‧‧第2判斷部
2‧‧‧保持組件
20‧‧‧支臂部
21‧‧‧保持墊
212‧‧‧吸引管
213‧‧‧吸引源
3‧‧‧夾持組件
30‧‧‧主軸
31‧‧‧殼體
32‧‧‧夾持夾具
320‧‧‧夾持板
4‧‧‧剝離組件
41、61‧‧‧導軌
43、813‧‧‧可動塊
5‧‧‧載置台
50‧‧‧直線材
5a‧‧‧載置面
6‧‧‧落下組件
63‧‧‧可動構件
630‧‧‧側部
631‧‧‧銷台部
64‧‧‧突出銷
7‧‧‧盒子
79‧‧‧光感測器
790‧‧‧發光部
791‧‧‧受光部
80‧‧‧拍攝單元
800‧‧‧拍攝部
801‧‧‧照明件
81‧‧‧拍攝單元移動組件
W‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧晶圓的其中一表面
Wb‧‧‧晶圓的另一表面
Wd‧‧‧晶圓的外周緣
S2‧‧‧薄膜
S2a‧‧‧超出部
±X、±Y、±Z‧‧‧方向

Claims (2)

  1. 一種剝離裝置，是從隔著形成於晶圓的其中一表面之樹脂層而固著有薄膜、且該薄膜從晶圓的外周緣超出而形成有超出部之晶圓，夾持該超出部並且將該樹脂層與該薄膜一起剝離，前述剝離裝置具備：保持組件，具有保持晶圓的另一表面之保持面；夾持組件，夾持該保持組件所保持之晶圓的該超出部；剝離組件，使該夾持組件與該保持組件相對地從晶圓的外周緣朝向中心往徑方向移動，來從晶圓的其中一表面剝離該樹脂層；拍攝單元，拍攝已將該樹脂層剝離之晶圓的其中一表面；第1判斷部，藉由該拍攝單元所拍攝之拍攝圖像的1像素的亮度，來判斷該1像素中有無樹脂殘留；及第2判斷部，在該第1判斷部對該拍攝圖像的每1像素判斷出樹脂殘留的有無之後，從該拍攝圖像判斷有無對磨削造成不良影響之樹脂殘留，其中在前述第1判斷部已判斷為有樹脂殘留之像素所合計的面積與晶圓的其中一表面的面積之比例為預先設定之比例以上時，前述第2判斷部會判斷為有在磨削上造成不良影響之樹脂殘留。
  2. 一種剝離裝置，是從隔著形成於晶圓的其中一表面之樹脂層而固著有薄膜、且該薄膜從晶圓的外 周緣超出而形成有超出部之晶圓，夾持該超出部並且將該樹脂層與該薄膜一起剝離，前述剝離裝置具備：保持組件，具有保持晶圓的另一表面之保持面；夾持組件，夾持該保持組件所保持之晶圓的該超出部；剝離組件，使該夾持組件與該保持組件相對地從晶圓的外周緣朝向中心往徑方向移動，來從晶圓的其中一表面剝離該樹脂層；拍攝單元，拍攝已將該樹脂層剝離之晶圓的其中一表面；第1判斷部，藉由該拍攝單元所拍攝之拍攝圖像的1像素的亮度，來判斷該1像素中有無樹脂殘留；及第2判斷部，在該第1判斷部對該拍攝圖像的每1像素判斷出樹脂殘留的有無之後，從該拍攝圖像判斷有無對磨削造成不良影響之樹脂殘留，其中在判斷為相鄰於前述第1判斷部已判斷為有樹脂殘留之像素的像素也有樹脂殘留後，前述第2判斷部會判斷為有在磨削上造成不良影響之樹脂殘留。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008051670A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂膜割れ検出装置及び方法
JP2014063882A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂剥がし方法及び樹脂剥がし装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191179A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Trecenti Technologies Inc 半導体装置の製造方法および研磨装置
JP2014067873A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Nitto Denko Corp 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
JP5977710B2 (ja) * 2013-05-10 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6120748B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2017005158A (ja) * 2015-06-12 2017-01-05 株式会社ディスコ ウエーハの裏面研削方法
JP2017224671A (ja) * 2016-06-14 2017-12-21 株式会社ディスコ 剥離装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008051670A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂膜割れ検出装置及び方法
JP2014063882A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂剥がし方法及び樹脂剥がし装置

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