TWI777389B - 雙電晶體的封裝結構 - Google Patents
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Abstract
一種雙電晶體的封裝結構,包括有一基板,其內部設有第一、第二、第三及第四導電部,其中第一導電部延伸至基板正面形成有一第一接點,且延伸至基板背面形成有一汲極輸出接點;第二導電部延伸至基板正面形成有一第二接點,且延伸至基板正面形成有一第三接點,以及延伸至基板背面形成有一源極輸出接點;第三導電部延伸至基板正面形成有一第四接點,且延伸至基板背面形成有一閘極輸出接點。一第一電晶體以其汲極連接第一接點,閘極連接第二接點,源極連接第四導電部。一第二電晶體以其源極連接第三接點,閘極連接第四接點,汲極連接第四導電部。
Description
本發明與半導體元件封裝結構有關,尤指一種雙電晶體的封裝結構。
相較於傳統的矽質金氧半場效電晶體(Si metal oxide semiconductor field effect transistor;Si MOSFET),氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN high electron mobility transistor;GaN HEMT)擁有較寬的能隙、較大的崩潰電壓以及較高的載子遷移率,可在較快的切換速度下實現較低的導通電阻。然而,氮化鎵高電子遷移率電晶體先天是屬於空乏型操作的元件,為了配合其他增強型操作的電子元件進行應用,一種串疊式(cascode)電晶體架構即被提出。
串疊式電晶體係由一氮化鎵高電子遷移率電晶體與一場效電晶體藉由打線接合(wire bonding)技術串接而形成。藉由將場效電晶體設置於串疊式電晶體的閘極端,可使串疊式電晶體成為增強型操作的電子元件並同時擁有氮化鎵高電子遷移率電晶體所具有的優點。
然而,藉由打線接合技術將氮化鎵高電子遷移率電晶體與一場效電晶體進行串接會產生一些問題。第一,連接導線會造成額外的寄生電感(parasitic inductance),進而限制元件的頻率響應,導致元件特性變差。第二,若以打線接合技術實現串疊式電晶體,場效電晶體必須以平面的架構來實現,而平面架構相較於垂直架構製作成本較高。第三,為了避免氮化鎵高電子遷移率電晶體的汲極與其他電極之間發生重疊,必須增加氮化鎵高電子遷移率電晶體本身的鈍化層(passivation layer)的厚度,將導致製造成本提高。
有鑑於此,如何改進上述問題即為本發明所欲解決之首要課題。
本發明之主要目的在於提供一種雙電晶體的封裝結構,其藉由基板內部的導通電路設計以串接兩個電晶體,進而減少電晶體之間的打線連接以減少寄生電感,此外亦可幫助散熱,達到確保電晶體工作效率之功效。
為達前述之目的,本發明提供一種雙電晶體的封裝結構,其包括有:
一基板,其定義具有一正面及一背面;
一設於該基板內部之第一導電部,其一端延伸至該正面形成有一第一接點,且另一端延伸至該背面形成有一汲極輸出接點;
一設於該基板內部之第二導電部,其一端延伸至該正面形成有一第二接點,另一端延伸至該正面形成有一第三接點,又一端延伸至該背面形成有一源極輸出接點;
一設於該基板內部之第三導電部,其一端延伸至該正面形成有一第四接點,且另一端延伸至該背面形成有一閘極輸出接點;
一設於該基板正面之第四導電部;
一設於該基板正面之第一電晶體,其面對該正面之一側具有一第一汲極、一第一閘極及一第一源極,其中該第一汲極連接該第一接點,該第一閘極連接該第二接點,該第一源極連接該第四導電部;
一設於該基板正面之第二電晶體,其面對該正面之一側具有一第二汲極、一第二閘極及一第二源極,其中該第二源極連接該第三接點,該第二閘極連接該第四接點,該第二汲極連接該第四導電部。
較佳地,該第一汲極與該第一接點之間、該第一閘極與該第二接點之間、該第一源極與該第四導電部之間、該第二源極與該第三接點之間、該第二閘極與該第四接點之間、該第二汲極與該第四導電部之間分別以可導電的固晶膠固定連接。
上述該固晶膠為錫、金、金錫或銀膠。
較佳地,該第一電晶體及該第二電晶體分別以一封裝膠密封。
上述該封裝膠為黑色矽膠或黑色環氧樹脂。
較佳地,該源極輸出接點與該汲極輸出接點之距離大於1mm,且該閘極輸出接點與該汲極輸出接點之距離大於1mm。
上述該第一電晶體為氮化鎵高電子遷移率電晶體,該第二電晶體為金屬氧化物半導體場效電晶體。上述該氮化鎵高電子遷移率電晶體包括有依序相疊之一第一氮化鎵窄禁帶層、一氮化鋁鎵寬禁帶層、一第二氮化鎵窄禁帶層、一緩衝層、一基層及一背鍍金屬層。
上述該基板為氮化鋁或氧化鋁材質。
本發明之上述目的與優點,不難從以下所選用實施例之詳細說明與附圖中獲得深入了解。
請參閱第1、2圖,所示者為本發明提供之雙電晶體的封裝結構,包括有一以氮化鋁或氧化鋁為材質的基板1,其具有高絕緣性及高導熱性。定義該基板1具有一正面11及一背面12,內部設有三個彼此不相連通的通道13、14、15,各通道13、14、15分別在該基板1的正面11及背面12形成出口。
上述各通道13、14、15中分別以導電材料填充而形成有一第一導電部21、一第二導電部22及一第三導電部23,其中該第一導電部21之一端延伸至該正面11形成有一第一接點211,且另一端延伸至該背面12形成有一汲極輸出接點212。該第二導電部22之一端延伸至該正面11形成有一第二接點221,另一端延伸至該正面11形成有一第三接點222,又一端延伸至該背面12形成有一源極輸出接點223。該第三導電部23之一端延伸至該正面11形成有一第四接點231,且另一端延伸至該背面12形成有一閘極輸出接點232。此外,該基板1之正面11上以導電材料鋪設有一第四導電部24。
由於電晶體在工作時,汲極輸出接點212處會形成高電壓,為了避免影響到電晶體的運作效能,故該源極輸出接點223與該汲極輸出接點212之距離D1須大於1mm,且該閘極輸出接點232與該汲極輸出接點212之距離D2須大於1mm。
該基板1之正面11上設有一第一電晶體3及一第二電晶體4,再以一封裝膠16密封之,該封裝膠16可為黑色矽膠或黑色環氧樹脂。於本實施例中更進一步地界定該第一電晶體3為氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT),該第二電晶體4為金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。如第3圖所示,上述該氮化鎵高電子遷移率電晶體包括有依序相疊之一第一氮化鎵窄禁帶層34、一氮化鋁鎵寬禁帶層35、一第二氮化鎵窄禁帶層36、一緩衝層37、一基層38及一背鍍金屬層39,其中該背鍍金屬層39可以反射光線,以免電晶體的運作效能受到影響。
該第一電晶體3面對該正面11之一側具有一第一汲極31、一第一閘極32及一第一源極33,其中該第一汲極31連接該第一接點211,該第一閘極32連接該第二接點221,該第一源極33連接該第四導電部24。該第二電晶體4面對該正面11之一側具有一第二汲極41、一第二閘極42及一第二源極43,其中該第二源極43連接該第三接點222,該第二閘極42連接該第四接點231,該第二汲極41連接該第四導電部24。
上述第一汲極31與第一接點211之間、第一閘極32與第二接點221之間、第一源極33與第四導電部24之間、第二源極43與第三接點222之間、第二閘極42與第四接點231之間、第二汲極41與第四導電部24之間分別以可導電的固晶膠5固定連接。上述該固晶膠5可為錫、金、金錫或銀膠。
藉由上述結構的配置,該第一電晶體3與該第二電晶體4可經由該第一導電部21、該第二導電部22、該第三導電部23及該第四導電部24電性連接而構成串疊式(cascode)的電晶體架構,其中由於各導電部21、22、23、24係與該基板1構成一個整體,使該第一電晶體3與該第二電晶體4只要在各極的預定位置上簡單地靠合該基板1,並以固晶膠固定即可完成組裝,無須藉由打線連接,據此可減少寄生電感的發生。
此外,由於該第一導電部21、該第二導電部22、該第三導電部23及該第四導電部24與該基板1構成一個整體,而氮化鋁基板1具有絕緣性高及導熱性高的特性,使該第一電晶體3與該第二電晶體4在工作時所產生的熱可被該基板1迅速導出散熱,避免局部累積而影響效能。
惟以上實施例之揭示僅用以說明本發明,並非用以限制本發明,舉凡等效元件之置換仍應隸屬本發明之範疇。
綜上所述,可使熟知本領域技術者明瞭本發明確可達成前述目的,實已符合專利法之規定,爰依法提出申請。
基板1 正面11
背面12 通道13、14、15
封裝膠16 第一導電部21
第一接點211 汲極輸出接點212
第二導電部22 第二接點221
第三接點222 源極輸出接點223
第三導電部23 第四接點231
閘極輸出接點232 第四導電部24
第一電晶體3 第一汲極31
第一閘極32 第一源極33
第一氮化鎵窄禁帶層34 氮化鋁鎵寬禁帶層35
第二氮化鎵窄禁帶層36 緩衝層37
基層38 背鍍金屬層39
第二電晶體4 第二汲極41
第二閘極42 第二源極43
固晶膠5 距離D1、D2
第1、2圖為本發明之構造示意圖;
第3圖為本發明氮化鎵高電子遷移率電晶體之構造示意圖。
基板1 正面11
背面12 通道13、14、15
第一導電部21 第一接點211
汲極輸出接點212 第二導電部22
第二接點221 第三接點222
源極輸出接點223 第三導電部23
第四接點231 閘極輸出接點232
第四導電部24 第一電晶體3
第一汲極31 第一閘極32
第一源極33 第二電晶體4
第二汲極41 第二閘極42
第二源極43 固晶膠5
距離D1、D2
Claims (9)
- 一種雙電晶體的封裝結構,其包括有:一基板,其定義具有一正面及一背面,該基板為氮化鋁或氧化鋁材質;一設於該基板內部之第一導電部,其一端延伸至該正面形成有一第一接點,且另一端延伸至該背面形成有一汲極輸出接點;一設於該基板內部之第二導電部,其一端延伸至該正面形成有一第二接點,另一端延伸至該正面形成有一第三接點,又一端延伸至該背面形成有一源極輸出接點;一設於該基板內部之第三導電部,其一端延伸至該正面形成有一第四接點,且另一端延伸至該背面形成有一閘極輸出接點;一設於該基板正面之第四導電部;一設於該基板正面之第一電晶體,其面對該正面之一側具有一第一汲極、一第一閘極及一第一源極,其中該第一汲極連接該第一接點,該第一閘極連接該第二接點,該第一源極連接該第四導電部;一設於該基板正面之第二電晶體,其面對該正面之一側具有一第二汲極、一第二閘極及一第二源極,其中該第二源極連接該第三接點,該第二閘極連接該第四接點,該第二汲極連接該第四導電部。
- 如請求項1所述之雙電晶體的封裝結構,其中,該第一汲極與該第一接點之間、該第一閘極與該第二接點之間、該第一源極與該第四導電部之間、該第二源極與該第三接點之間、該第二閘極與該第四接點之間、該第二汲極與該第四導電部之間分別以可導電的固晶膠固定連接。
- 如請求項2所述之雙電晶體的封裝結構,其中,該固晶膠為錫、金、金錫或銀膠。
- 如請求項1所述之雙電晶體的封裝結構,其中,該第一電晶體及該第二電晶體分別以一封裝膠密封。
- 如請求項4所述之雙電晶體的封裝結構,其中,該封裝膠為黑色矽膠或黑色環氧樹脂。
- 如請求項1所述之雙電晶體的封裝結構,其中,該源極輸出接點與該汲極輸出接點之距離大於1mm。
- 如請求項1所述之雙電晶體的封裝結構,其中,該閘極輸出接點與該汲極輸出接點之距離大於1mm。
- 如請求項1所述之雙電晶體的封裝結構,其中,該第一電晶體為氮化鎵高電子遷移率電晶體,該第二電晶體為金屬氧化物半導體場效電晶體。
- 如請求項8所述之雙電晶體的封裝結構,其中,該氮化鎵高電子遷移率電晶體包括有依序相疊之一第一氮化鎵窄禁帶層、一氮化鋁鎵寬禁帶層、一第二氮化鎵窄禁帶層、一緩衝層、一基層及一背鍍金屬層。
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