TWI776862B - 無螺栓基板支撐組件 - Google Patents

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Abstract

一種基板支座包含一導電性底板，其係配置以支撐一陶瓷層。該導電性底板包含第一腔穴，該第一腔穴沿著垂直於由該導電性底板所界定之水平面的一軸線延伸。一耦合組件係配置於該第一腔穴內。該耦合組件包含一齒輪，其係配置以繞著該軸線轉動。一銷件係配置於該第一腔穴內，該銷件沿著該軸線延伸通過該齒輪並進入在該導電性底板下方的第二腔穴。該齒輪之轉動使得該銷件相對於該導電性底板而向上或向下移動。當該齒輪被轉動以使該銷件向下移動進入該第二腔穴時，該銷件係固持於該第二腔穴內。

Description

無螺栓基板支撐組件
本發明係關於基板處理系統中的基板支座之組件。
此處所提供之先前技術描述係為了大體上介紹本發明之背景。在此先前技術章節中所敘述之範圍內之本案列名之發明人的成果、以及在申請時不適格作為先前技術之說明書的實施態樣，皆非有意地或暗示地被承認為對抗本發明之先前技術。
基板處理系統可用以處理例如半導體晶圓的基板。可於基板上執行的範例處理包括(但不限於)化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、導體蝕刻、介電質蝕刻、及/或其他蝕刻、沉積、或清除處理。可將基板設置於基板處理系統之處理腔室中的基板支座(如台座、靜電夾頭(ESC)等)上。在蝕刻期間，可將包含一或更多前驅物的氣體混合物導入至處理腔室中，而電漿可用以引發化學反應。
基板支座可包含設置以支撐基板的陶瓷層。例如，在處理期間，可將基板夾持於陶瓷層。可將陶瓷層設置於導電性(例如，鋁)底板上。可將底板進一步設置於絕緣基底上。例如，可將陶瓷底板設置於處理腔室之底表面與導電性底板之間。
一種基板支座包含一導電性底板，其係配置以支撐一陶瓷層。該導電性底板包含第一腔穴，該第一腔穴沿著垂直於由該導電性底板所界定之水平面的一軸線延伸。一耦合組件係配置於該第一腔穴內。該耦合組件包含一齒輪，其係配置以繞著該軸線轉動。一銷件係配置於該第一腔穴內，該銷件沿著該軸線延伸通過該齒輪並進入在該導電性底板下方的第二腔穴。該齒輪之轉動使得該銷件相對於該導電性底板而向上或向下移動。當該齒輪被轉動以使該銷件向下移動進入該第二腔穴時，該銷件係固持於該第二腔穴內。
本發明之進一步的可應用領域將從實施方式、發明申請專利範圍及圖式中變得明顯。詳細說明及具體範例係意圖為僅供說明的目的，而非意欲限制本揭示內容的範圍。
10:基板支座
14:導電性底板
18:陶瓷層
22:黏合層
26:保護性密封部
30:基板
34:邊緣環部
38:內環部
42:外環部
46:耦合環部
50:耦合環部
54:外部支撐結構
58:絕緣底板
62:處理腔室之底表面
66:螺栓
70:貫孔
74:貫孔的上端
78:螺栓的頭部
100:基板處理系統
102:處理腔室
104:上電極
106:基板支座
108:基板
109:噴淋頭
110:底板
112:陶瓷層
114:熱阻層/黏合層
116:冷卻劑通道
118:邊緣環部
120:RF產生系統
122:RF電壓產生器
124:匹配及配送網路
130:氣體傳送系統
132-1:氣體源
132-2:氣體源
132-N:氣體源
134-1:閥
134-N:閥
136-1:質量流量控制器
136-N:質量流量控制器
140:歧管
142:溫度控制器
144:加熱元件
146:冷卻劑組件
156:閥
158:泵浦
160:系統控制器
170:機械臂
172:負載閘
176:保護性密封部
180:耦合組件
184:絕緣底板
188:處理腔室之底表面
200:基板支座
204:導電性底板
208:絕緣底板
212:處理腔室之底表面
216:處理腔室
220:耦合組件
224:腔穴
228:腔穴
232:銷件
236:齒輪
240:螺帽
244:銷件之外表面
248:齒輪之內表面
252:螺帽之內表面
256:腔穴之內表面
260:容腔
264:小齒輪
268:可拆卸式工具或鑰匙
272:小齒輪之露出的外表面
276:可拆卸式工具
280:小齒輪
284:底板之上表面
本揭示內容從實施方式及隨附圖式可更完全了解，其中：圖1為包含一或更多用以接附導電性底板的螺栓的範例基板支座；圖2為包含依據本發明之基板支座的範例處理腔室的功能方塊圖；圖3A及3B顯示包含依據本發明之第一範例耦合組件的基板支座；圖3C及3D顯示包含依據本發明之第二範例耦合組件的基板支座；圖4顯示包含依據本發明之第三範例耦合組件的基板支座；圖5顯示包含依據本發明之第四範例耦合組件的基板支座；圖6顯示包含依據本發明之第五範例耦合組件的基板支座；在圖式中，元件符號可被再次使用以辨別相似及/或相同的元件。
圖1顯示範例基板支座10之一部分，該範例基板支座10包含底板14及陶瓷層18。例如，底板14可對應至導電性鋁底板。可於底板14與陶瓷層18之間形成黏合層22。可在黏合層22的周邊附近、於陶瓷層18與底板14之間提供保護性密封部26。基板30係配置於陶瓷層18上。
基板支座10可包含邊緣環部(例如，邊緣耦合環部)34。邊緣環部34包含內環部38及外環部42。在一些範例中，邊緣環部34可配置於耦合環部46與50上。外部支撐結構54可圍繞基板支座10。底板14可配置於絕緣底板58上。例如，絕緣底板58可包含陶瓷。絕緣底板係配置於處理腔室之底表面62與導電性底板14之間。
可利用固定件(如螺栓或螺釘66)將導電性底板14接附於絕緣底板58及/或處理腔室之底表面62。例如，如圖所示，螺栓66可使導電性底板14直接接附於絕緣底板58、或可延伸通過絕緣底板58至處理腔室之底表面62。僅舉例而言，螺栓66可為具有螺紋的，且通過導電性底板14及/或絕緣底板58的貫孔70亦可為具有螺紋的。
貫孔70的上端74可配置以容納螺栓66之頭部78。例如，頭部78相較於螺栓66可具有較大的直徑。在基板30之處理期間，電漿發光(light-up)及電弧(arcing)較可能發生於基板支座10的各種元件之間的間隙。例如，電弧可發生於導電性底板14與其他導電性結構(如耦合環部46與50)之間。電弧亦可發生於貫孔70的上端74內(例如，在螺栓66以及導電性底板14與耦合環部50中之一或多者之間)。換言之，貫孔70整體地延伸通過導電性底板14，其容許電弧發生於貫孔70的上端74內。
依據本發明之原理的系統及方法利用一耦合組件，該耦合組件係配置以將基板支座的導電性底板接附於一支撐結構(例如，絕緣底板或電漿處理腔室之底表面)。
現參照圖2，顯示範例基板處理系統100。僅舉例而言，基板處理系統100可用於利用RF電漿及/或其他適當的基板處理以執行蝕刻。基板處理系統100包含一處理腔室102，該處理腔室102包圍基板處理系統100之其他元件且容納RF電漿。該處理腔室102包含上電極104及基板支座106(如靜電夾頭(ESC))。在操作期間，配置基板108於基板支座106上。雖然顯示基板處理系統100及腔室102作為範例，但本發明之原理可被應用於其他型式的基板處理系統及腔室，例如在原位(in-situ)產生電漿、執行遠程電漿之產生及傳送(例如，利用電漿管、微波管)等之基板處理系統。
僅舉例而言，上電極104可包含氣體分佈裝置(如噴淋頭109)，其將處理氣體導入並散佈。噴淋頭109可包含一桿部，該桿部包含連接於處理腔室之頂部表面之一端。基底部一般為圓柱形，且由桿部之另一端(位在與處理腔室之頂部表面相隔開之位置)放射狀往外延伸。噴淋頭之基底部的面對基板之表面或面板包含複數孔洞，處理氣體或清除氣體經由該等孔洞流過。或者，上電極104可包含傳導板，且處理氣體可經由另一種方法被導入。
基板支座106包含用以作為下電極之導電性底板110。該底板110支撐陶瓷層112。在一些範例中，陶瓷層112可包含加熱層，例如陶瓷多區加熱板。可配置熱阻層114(例如，黏合層)於陶瓷層112及底板110之間。底板110可包含一或更多用以使冷卻劑流過底板110的冷卻劑通道116。基板支座106可包含配置以圍繞基板108之外周的邊緣環部118。
RF產生系統120產生並輸出RF電壓至上電極104及下電極(例如，基板支座106之底板110)其中一者。上電極104及底板110之另一者可為DC接地、 AC接地或為浮動的。僅舉例而言，RF產生系統120可包含產生RF電壓的RF電壓產生器122，該RF電壓係藉由匹配及配送網路124饋送至上電極104或底板110。在其他範例中，可電感式或遠程產生電漿。雖然，為舉例之目的而顯示，RF產生系統120對應至電容耦合式電漿(CCP)系統，但本發明之原理亦可被實施於其他適當之系統中，僅舉例而言，如變壓器耦合式電漿(TCP)系統、CCP陰極系統、遠程微波電漿產生及傳送系統等。
氣體傳送系統130包含一或更多氣體源132-1、132-2、...、以及132-N(統稱氣體源132)，其中N為大於零之整數。氣體源供應一或更多前驅物及其混合物。氣體源亦可供應清除氣體。亦可使用汽化之前驅物。藉由閥134-1、134-2、...、以及134-N(統稱閥134)及質量流量控制器136-1、136-2、...、以及136-N(統稱質量流量控制器136)將氣體源132連接至歧管(manifold)140。將歧管140之輸出饋送至處理腔室102。僅舉例而言，將歧管140之輸出饋送至噴淋頭109。
可將溫度控制器142連接至複數加熱元件144(如熱控制元件(TCEs))，其係配置於陶瓷層112中。例如，加熱元件144可包含(但不限於)大型加熱元件及/或微加熱元件之陣列，該等大型加熱元件係對應至多區加熱板中的各別區域，該等微加熱元件之陣列係配置於整個多區加熱板的多個區域。溫度控制器142可用於控制複數加熱元件144，以控制基板支座106及基板108之溫度。依據本發明之原理的加熱元件144之各者包含具有正值TCR的第一材料及具有負值TCR的第二材料，如以下所更加詳盡地描述。
溫度控制器142可與冷卻劑組件146通訊以控制通過通道116之冷卻劑流動。例如，冷卻劑組件146可包含冷卻劑泵浦及儲槽。溫度控制器142操作冷卻劑組件146以選擇性地使冷卻劑流過通道116，俾冷卻基板支座106。
閥150及泵浦152可用於由處理腔室102排空反應物。系統控制器160可用以控制基板處理系統100之元件。機械臂170可用以遞送基板至基板支座106上、以及從基板支座106移除基板。例如，機械臂170可於基板支座106與負載閘172之間轉移基板。雖然顯示為分離的控制器，但溫度控制器142可於系統控制器160內實施。在一些範例中，可在黏合層114的周邊附近、於陶瓷層112與底板110之間提供保護性密封部176。
本發明之基板支座106包含一或更多機械耦合組件180。例如，耦合組件180係配置以將底板110接附於絕緣底板184、裝設於基板處理腔室102之底表面188等，如以下所更加詳盡地描述。
現參照圖3A及3B，顯示包含導電性底板204及絕緣底板208的基板支座200之一部分。基板支座200係配置於基板處理腔室216之底表面212上。例如，省略基板支座200之其他元件(例如，陶瓷層、邊緣耦合環部等)。
基板支座200包含一或更多耦合組件220，該等耦合組件220係配置於底板204及208之各別的腔穴224及228內。例如，複數耦合組件220可配置於基板支座200的周邊附近。耦合組件220包含銷件232、齒輪236、及螺帽240。如圖所示，齒輪236為傘齒輪，但耦合組件220可利用其他型式之齒輪(例如，斜形傘齒輪、等徑傘型齒輪、面齒輪等)，該等其他型式之齒輪係配置以將齒輪236的旋轉運動傳譯至銷件232的直線(例如，上與下)運動。圖3A顯示安置於絕緣底板208上方的導電性底板204。圖3B顯示經由耦合組件220以將導電性底板204接附於絕緣底板208。
銷件232延伸通過齒輪236。銷件232及齒輪236係軸向對準。例如，腔穴224及228沿著垂直於由底板204所界定之水平面的軸線延伸。銷件232沿著腔穴224及228的軸線延伸通過齒輪236。齒輪236之旋轉使銷件232轉動、並依據齒輪236的轉動方向沿著同一軸線向上移動進入腔穴224或向下移動進入腔 穴228而通過螺帽240。例如，銷件232之外表面244、齒輪236之內表面248、以及螺帽240之內表面252可為具有螺紋的。在一些範例中，腔穴224之內表面256可為具有螺紋的。因此，齒輪236之轉動使齒輪236之螺紋內表面248與銷件232之螺紋外表面244嚙合，從而使銷件232轉動、並依據齒輪236的轉動方向而向上或向下移動。
當銷件232向下移動進入螺帽240時，銷件232之螺紋外表面244與螺帽240之螺紋內表面252嚙合。螺帽240係固持於腔穴228內(亦即，不轉動)。例如，螺帽240可具有六角形或其他非圓形之外形。因此，螺帽240不在腔穴228內向上或向下移動。例如，螺帽240可固持於容腔260內，該容腔260亦可具有六角外形。以此方式，當齒輪236被轉動以將底板204裝設於底板208上，銷件232係固持於腔穴224及228之各者內(例如，藉由齒輪236及/或腔穴224之螺紋內表面256、以及藉由腔穴228的螺帽240)。
在一範例中，底板204包含附加的傘齒輪或小齒輪264。小齒輪264與齒輪236嚙合。因此，小齒輪264之轉動被傳譯至齒輪236。例如，小齒輪264在垂直於齒輪236之軸線的軸線上轉動。在一範例中，可利用可拆卸式工具或鑰匙268以轉動小齒輪264。例如，小齒輪264之露出的外表面272上的套接部、槽部、或其他特徵部內可接收工具268。在其他範例中，可將包含小齒輪280的可拆卸式工具276作為單一部件而實施。
在圖3C及3D中，耦合組件220係配置為以相似於圖3A及3B中所述之耦合組件220之方式操作。然而，當導電性底板204如圖3C中所示被置於絕緣底板208上方，銷件232已固持於絕緣底板208中的螺帽240內。換言之，銷件232係配置為由絕緣底板208朝上，而非如圖3A所示，由導電性底板204朝下。因此，轉動齒輪236使得銷件232向上移動通過齒輪236並進入腔穴224，從而對著絕緣 底板208將導電性底板204往下牽引。圖3D顯示以此方式經由耦合組件220而接附於絕緣底板208的導電性底板204。
如前所述，腔穴224不延伸至底板204之上表面284。換言之，底板204之上表面284並不包含進入腔穴224的開口。因此，腔穴224、銷件232等與基板支座200之其他元件(例如，邊緣環部及配置於底板204上的其他結構)之間的間隙係被消除的。
圖4顯示耦合組件220的另一範例配置方式。在此範例中，腔穴延伸通過絕緣底板208並延伸至處理腔室216之底表面212下方。容腔260及螺帽240係配置於底表面212下方(例如，在腔室216之下壁中)。因此，銷件232整體地通過底板208、並固持於腔室216之底表面212下方的螺帽240內。
圖5顯示耦合組件220的另一範例配置方式。在此範例中，導電性底板係直接裝設於腔室216之底表面212上，且將絕緣底板208去除。因此，相似於圖4所示之範例，容腔260及螺帽240係配置於底表面212下方，且銷件232係固持於腔室216之底表面212下方的螺帽240內。
圖6顯示耦合組件220的另一範例配置方式。在此範例中，相對於圖3-5所示之範例，使耦合組件220之方向倒轉(亦即，上下顛倒)。因此，齒輪236、小齒輪264、以及腔穴224係位在絕緣底板208內，而容腔260及螺帽240係位在導電性底板204內。
雖然提供若干範例，但導電性底板204及/或絕緣底板208內的耦合組件220之其他適當配置方式可加以實施。
以上敘述在本質上僅為說明性的，而非意圖限制本揭露內容、其應用、或用途。本揭露內容之廣泛指示可以各種形式實行。因此，雖本揭露內容包含特定例子，但由於當研究圖式、說明書、及以下申請專利範圍時，其他變化將更顯清楚，故本揭露內容之真實範疇不應如此受限。吾人應理解，在不 改變本揭露內容之原理的情況下，可以不同次序(或同時)執行方法中之一或更多步驟。再者，雖實施例之各者係於以上描述為具有某些特徵，但關於本揭露內容之任何實施例所述之任一或更多該等特徵可在任何其他實施例中實行，及/或與任何其他實施例之特徵組合(即使並未詳細敘述該組合)。換句話說，所述之實施例並非互相排斥，且一或更多實施例彼此之間的置換維持於本揭露內容之範疇內。
元件(例如，在模組、電路元件、半導體層等)之間的空間及功能上之關係係使用各種用語所敘述，該等用語包含「連接」、「接合」、「耦合」、「鄰近」、「在…旁邊」、「在…之上」、「上面」、「下面」、以及「設置」。除非明確敘述為「直接」之情形下，否則當於上述揭露內容中描述第一與第二元件之間的關係時，該關係可係在第一與第二元件之間不存在其它中介元件之直接關係，但亦可係在第一與第二元件之間存在一或更多中介元件(空間上或功能上)的間接關係。如本文所使用的，詞組「A、B、及C其中至少一者」應解釋為意指使用非排除性邏輯OR之邏輯(A OR B OR C)，且不應解釋為意指「A之至少一者、B之至少一者、及C之至少一者」。
在一些實施例中，控制器為系統的一部分，該系統可為上述例子的一部分。此系統可包含半導體處理設備，該半導體處理設備包含(複數)處理工具、(複數)腔室、(複數)處理用平台、及/或特定的處理元件(晶圓基座、氣體流動系統等)。該等系統可與電子設備整合，以在半導體晶圓或基板之處理之前、期間、以及之後，控制其運作。電子設備可被稱為「控制器」，其可控制(複數)系統的各種元件或子部件。取決於處理需求及/或系統類型，可將控制器程式設計成控制本文所揭露之任何處理，包含處理氣體的傳送、溫度設定(例如，加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體傳送設定、位置和操作設定、晶圓轉移(進 出與特定系統連接或接合之工具及其他轉移工具、及/或負載鎖)。
廣泛來說，可將控制器定義為具有接收指令、發佈指令、控制運作、啟動清洗操作、啟動終點量測等之許多積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。積體電路可包含：儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器(DSPs)、定義為特殊應用積體電路(ASICs)的晶片、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令(例如，軟體)的微控制器。程式指令可為以不同的單獨設定(或程式檔案)之形式而傳達至控制器或系統的指令，該單獨設定(或程式檔案)為實行特定處理(在半導體晶圓上，或是對半導體晶圓)定義操作參數。在一些實施例中，操作參數可係由製程工程師所定義之配方的一部分，俾在一或更多以下者(包含：覆層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或基板的晶粒)的製造期間實現一或更多處理步驟。
在一些實施例中，控制器可為電腦的一部分，或耦接至電腦，該電腦係與系統整合、耦接至系統、或以網路連接至系統、或以其組合之方式連接至系統。例如，控制器可在能容許遠端存取晶圓處理之「雲端」或廠房主機電腦系統的全部或部分中。電腦可使系統能夠遠端存取，以監控製造運作的當前進度、檢查過去製造運作的歷史、由複數之製造運作而檢查趨勢或效能指標，以改變當前處理的參數、設定當前處理之後的處理步驟、或開始新的製程。在一些例子中，遠端電腦(例如，伺服器)可通過網路提供製程配方至系統，該網路可包含局域網路或網際網路。遠端電腦可包含使用者介面，其可達成參數及/或設定的接取、或對參數及/或設定進行程式化，接著將該參數及/或該設定由遠端電腦傳達至系統。在一些例子中，控制器以資料的形式接收指令，該指令為將於一或更多操作期間執行之每個處理步驟指定參數。吾人應理解，參數可特定地針對將執行之製程的類型及將控制器設定以接合或控制之工具的類型。因此，如上所述，控制器可為分散式，例如藉由包含以網路的方式連接彼此且朝 向共同目的(例如，本文所敘述的製程及控制)而運作的一或更多分離的控制器。用於此目的之分散式控制器的範例將係在腔室上、與位於遠端的一或更多積體電路(例如，在作業平臺位準處、或作為遠端電腦的一部分)進行通訊的一或更多積體電路，兩者結合以控制腔室上的製程。
範例系統可包含但不限於以下各者：電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉淋洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清洗腔室或模組、斜角緣部蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、以及可在半導體晶圓的製造及/或加工中相關聯、或使用的任何其他半導體處理系統。
如以上所提及，取決於將藉由工具執行之(複數)處理步驟，控制器可與半導體製造工廠中之一或更多的以下各者進行通訊：其他工具電路或模組、其他工具元件、群集工具、其他工具介面、鄰近之工具、相鄰之工具、遍布工廠的工具、主電腦、另一控制器、或材料運輸中所使用之工具，該材料運輸中所使用之工具將晶圓容器輸送往返於工具位置及/或裝載埠。
200‧‧‧基板支座
204‧‧‧導電性底板
208‧‧‧絕緣底板
212‧‧‧處理腔室之底表面
216‧‧‧處理腔室
220‧‧‧耦合組件
224‧‧‧腔穴
228‧‧‧腔穴
232‧‧‧銷件
236‧‧‧齒輪
240‧‧‧螺帽
244‧‧‧銷件之外表面
248‧‧‧齒輪之內表面
252‧‧‧螺帽之內表面
256‧‧‧腔穴之內表面
260‧‧‧容腔
264‧‧‧小齒輪
268‧‧‧可拆卸式工具或鑰匙
272‧‧‧小齒輪之露出的外表面
276‧‧‧可拆卸式工具
280‧‧‧小齒輪
284‧‧‧底板之上表面

Claims (18)

  1. 一種基板支座，其包含：一導電性底板，其係配置以支撐一陶瓷層，該導電性底板包含第一腔穴，該第一腔穴沿著垂直於由該導電性底板所界定之水平面的一軸線延伸；以及一耦合組件，其係配置於該第一腔穴內，該耦合組件包含一齒輪，其係配置於該第一腔穴內且配置以繞著該軸線轉動，以及一銷件，其係配置於該第一腔穴內，該銷件沿著該軸線延伸通過該齒輪並進入在該導電性底板下方的第二腔穴，其中該齒輪之轉動使得該銷件相對於該導電性底板而向上或向下移動，其中當該齒輪被轉動以使該銷件向下移動進入該第二腔穴時，該銷件係固持於該第二腔穴內，且其中該銷件未延伸至該導電性底板之上表面。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板支座，其中該第二腔穴係位在下列其中至少一者之內：(i)配置於該導電性底板下方的絕緣底板以及(ii)基板處理腔室之下壁。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板支座，其中該導電性底板係配置於絕緣底板上，且其中該第二腔穴係位在該絕緣底板內。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板支座，其中該導電性底板係配置於基板處理腔室之底表面上，且其中該第二腔穴係位在該基板處理腔室之該底表面下方。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板支座，其中該導電性底板係配置於絕緣底板上，其中該絕緣底板係配置於基板處理腔室之底表面上，且其中該第二腔穴延伸通過該絕緣底板並延伸至該基板處理腔室之該底表面下方。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板支座，其中該第二腔穴包含一螺帽，且其中該銷件係固持於該第二腔穴中的該螺帽內。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板支座，其中該齒輪之轉動導致該銷件之轉動。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板支座，其中該銷件之外表面、該齒輪之內表面、以及該第一腔穴之內表面其中至少一者係具有螺紋的。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板支座，其中該齒輪為傘齒輪。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板支座，其中該耦合組件更包含配置為與該齒輪介接的一小齒輪，且其中該小齒輪之轉動被傳譯至該齒輪之轉動。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板支座，其中該小齒輪在垂直於該齒輪之軸線的一軸線上轉動。
  12. 一種基板支座，其包含：一導電性底板，其係配置以支撐一陶瓷層，該導電性底板包含第一腔穴，該第一腔穴沿著垂直於由該導電性底板所界定之水平面的一軸線延伸；一絕緣底板，其係配置於該導電性底板與基板處理腔室之下壁之間，該絕緣底板包含第二腔穴；以及一耦合組件，其係配置於該導電性底板的該第一腔穴內，該耦合組件包含一齒輪，其係配置於該第一腔穴內且配置以繞著該軸線轉動，以及一銷件，其係配置於該第一腔穴內，該銷件沿著該軸線延伸通過該齒輪並進入該絕緣底板的該第二腔穴，其中該齒輪之轉動使得該銷件相對於該導電性底板而向上或向下移動，其中當該齒輪被轉動以使該銷件向下移動進入該第二腔穴時，該銷件係固持於該第二腔穴內，且其中該銷件未延伸至該導電性底板之上表面。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板支座，其中該第二腔穴包含一螺帽，且其中該銷件係固持於該第二腔穴中的該螺帽內。
  14. 如申請專利範圍第12項之基板支座，其中該齒輪之轉動導致該銷件之轉動。
  15. 如申請專利範圍第12項之基板支座，其中該銷件之外表面、該齒輪之內表面、以及該第一腔穴之內表面其中至少一者係具有螺紋的。
  16. 如申請專利範圍第12項之基板支座，其中該齒輪為傘齒輪。
  17. 如申請專利範圍第12項之基板支座，其中該耦合組件更包含配置為與該齒輪介接的一小齒輪，且其中該小齒輪之轉動被傳譯至該齒輪之轉動。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板支座，其中該小齒輪在垂直於該齒輪之軸線的一軸線上轉動。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022019436A (ja) * 2020-07-17 2022-01-27 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理装置、石英部材及びプラズマ処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4416561A (en) * 1980-05-09 1983-11-22 Artur Fischer Mounting arrangement
US20100244350A1 (en) * 2009-03-17 2010-09-30 Tokyo Electron Limited Mounting table structure and plasma film forming apparatus

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6395363B1 (en) 1996-11-05 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Sloped substrate support
JP3374743B2 (ja) * 1998-03-05 2003-02-10 日本電気株式会社 基板熱処理装置及び同装置からの基板の分離方法
JP2000130414A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Nakao Seisakusho:Kk ジョイント金具
JP2001216689A (ja) * 2000-01-31 2001-08-10 Anelva Corp 基板支持機構及び基板支持回転装置
KR100505035B1 (ko) 2003-11-17 2005-07-29 삼성전자주식회사 기판을 지지하기 위한 정전척
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
FR2909974B1 (fr) * 2006-12-13 2009-02-06 Aircelle Sa Nacelle pour turboreacteur double flux
US8398778B2 (en) 2007-01-26 2013-03-19 Lam Research Corporation Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter
JP4905375B2 (ja) 2008-01-30 2012-03-28 住友電気工業株式会社 ウエハ保持体の支持構造
US8161906B2 (en) 2008-07-07 2012-04-24 Lam Research Corporation Clamped showerhead electrode assembly
KR101413764B1 (ko) 2008-10-22 2014-07-02 주식회사 뉴파워 프라즈마 서셉터 어셈블리
US9218997B2 (en) 2008-11-06 2015-12-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having reduced arcing
US8270141B2 (en) 2009-11-20 2012-09-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with reduced arcing
JP5606063B2 (ja) * 2009-12-28 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10388493B2 (en) 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
WO2013118781A1 (ja) 2012-02-08 2013-08-15 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
JP2014015633A (ja) * 2012-07-05 2014-01-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置、及び成膜装置用搬送トレイ
JP5973841B2 (ja) * 2012-08-22 2016-08-23 日本特殊陶業株式会社 静電チャックのガス制御装置およびガス制御方法
KR102044389B1 (ko) * 2012-10-04 2019-11-14 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP5633766B2 (ja) 2013-03-29 2014-12-03 Toto株式会社 静電チャック
US10211046B2 (en) 2013-07-19 2019-02-19 Applied Materials, Inc. Substrate support ring for more uniform layer thickness
JP6432474B2 (ja) 2014-03-27 2018-12-05 Toto株式会社 静電チャック
JP6375163B2 (ja) 2014-07-11 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および上部電極アセンブリ
CN104250843B (zh) * 2014-10-08 2017-04-19 仪征威龙发动机零部件有限公司 一种阴极旋转的活塞环电镀装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4416561A (en) * 1980-05-09 1983-11-22 Artur Fischer Mounting arrangement
US20100244350A1 (en) * 2009-03-17 2010-09-30 Tokyo Electron Limited Mounting table structure and plasma film forming apparatus

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