TW202114051A - 基板處理系統用的縮小直徑承載環硬件 - Google Patents

Abstract

用於基板處理系統的一基板支撐件包含一底板、配置在該底板之上的一陶瓷層、及配置在該陶瓷層之上的一承載環。該陶瓷層具有一第一外徑，該承載環具有小於第一外徑的一第二外徑，該陶瓷層包含一肩部自該承載環的第二外徑延伸至該第一外徑，且該肩部朝著該第一外徑傾斜向下。

Description

基板處理系統用的縮小直徑承載環硬件

[相關申請案的交互參照]本申請案主張以下優先權：美國專利臨時申請案第62/862,814號，申請於西元2019年6月18日。上述申請案的全部內容藉由參照全部於此納入。

本揭露關聯於在一基板處理系統之中用於基板支撐件的邊緣環。

此處提供的先前技術描述係為了大致上呈現本揭露背景的目的。在此先前技術章節中所描述的範圍內，目前列名的發明人的作品以及在申請時可能不適格視為先前技術的說明實施態樣，均未明確或暗含地承認為對抗本揭露的先前技術。

基板處理系統可能被用以在例如半導體晶圓之基板上實施例如膜的沉積及蝕刻之處理。可能被實施在一基板之上的例示製程包含但不侷限於：化學氣相沉積（CVD），原子層沉積（ALD），導體蝕刻，及/或其他的蝕刻、沉積、或清潔製程。一基板可能被佈置在基板處理系統的處理室之中的一基板支撐件之上，例如一基座、一靜電卡盤（ESC）等等。在沉積期間，該基板被配置在一基板支撐件之上，且一或多種前驅氣體可能在一或多個處理步驟期間供給至一處理室。在蝕刻期間，包含一或多種前驅物的氣體混合物可能被導入該處理室，且電漿可能加以使用以引發化學反應。

根據某些實施例，本案揭露一基板支撐件，用於一基板處理系統，該基板支撐件包含一底板、佈置在該底板之上的一陶瓷層、及佈置在該陶瓷層之上的一承載環。該陶瓷層具有一第一外徑。該承載環具有比該第一外徑來得小的一第二外徑。該陶瓷層包含了一肩部，自該承載環的第二外徑延伸至該第一外徑。

在若干實施例之中，該肩部自該第二外徑向下傾斜至該第一外徑。在若干實施例之中，該肩部包含了一傾斜部份及一非傾斜部份。該傾斜部份自該第二外徑延伸至該非傾斜部份，而該非傾斜部份自該傾斜部份延伸至該第一外徑。在若干實施例之中，該非傾斜部份自該第二外徑延伸至該傾斜部份，而該傾斜部份自該非傾斜部份延伸至該第一外徑。

在若干實施例之中，該肩部的傾斜係在10度及45度之間的角度。在若干實施例之中，該陶瓷層被配置以支撐200 mm的一基板。在若干實施例之中，該承載環的內徑比該基板的直徑來得小。在若干實施例之中，該陶瓷層在承載環的第二外徑處包含了向下台階。而在若干實施例之中，該陶瓷層具有一肩部，自該向下台階傾斜向下至該第一外徑。

根據某些實施例，該基板處理室包含了該基板支撐件及一噴淋頭，該噴淋頭具有比第二外徑來得小的一第三外徑。在若干實施例之中，該第三外徑比該承載環的一內徑來得大。在若干實施例之中，該噴淋頭的一底部外邊緣係圓角的（radiused）。

根據某些實施例，本揭露案揭露了一基板支撐件，用於一基板處理系統，該基板支撐件包含了一底板、一陶瓷層、及被佈置在該陶瓷層之上的一承載環。該陶瓷層具有一第一外徑，該承載環具有比該第一外徑來得小的一第二外徑，而該陶瓷層包含了自該承載環的第二外徑延伸至該第一外徑的一肩部。

在若干實施例之中，該肩部自該第二外徑向下傾斜至該第一外徑。在若干實施例之中，該肩部包含一傾斜部份及一非傾斜部份。在若干實施例之中，該陶瓷層被配置以支撐200 mm的基板。在若干實施例之中，該承載環的一內徑比該基板的一直徑來得小。在若干實施例之中，該陶瓷層在該承載環的第二外徑處包含了一向下台階。在若干實施例之中，該向下台階係該陶瓷層的一厚度的至少50%。

根據實施方式章節、申請專利範圍及圖式，本揭露的其他應用領域將變得顯而易見。該實施方式章節及特定示例僅旨在說明之目的，並不旨在限制本揭露的範圍。

在一基板處理系統之中的一基板支撐件可能包含一邊緣環。舉例而言，該基板支撐件可能包含被配置以支撐一基板的一陶瓷層。該邊緣環被配置在該陶瓷層的一外部份的周圍（例如，在一周邊之外及/或相鄰於一周邊）。該邊緣環可能被配置以將電漿限制在該基板之上的一容積，保護基板支撐件免於由於暴露於電漿及其他處理材料等等所產生的腐蝕。在若干示例之中，該邊緣環可能相對應於被配置以支撐該基板的一外邊緣的一承載環。

當安裝時，在一基板之上所實施的各種不同基板處理的結果可能被承載環的特徵（例如，像是以下的尺寸：該承載環的一寬度，該承載環相對於該基板、該基板支撐件、及/或一噴淋頭的一外徑等等）所影響。在若干示例之中，材料（例如，氧化物材料）可能隨時間堆積在一承載環之上，可能造成在該基板支撐件之上所處理基板的損壞。在其他示例之中，該承載環的尺寸可能影響電漿特性，像是朝向該基板的電漿電弧、在該噴淋頭及該基板支撐件的外徑周圍的電漿包覆等等。為了處理200 mm基板所配置的一例示基板支撐件可能具有15.0” （381 mm）的直徑。該承載環可能亦具有381 mm的直徑。該噴淋頭可能具有9.0” （228.6 mm）的直徑。

根據本揭露的某些實施例的該承載環具有相對於該基板支撐件的外框的一縮小外徑。根據本揭露的原理的該承載環的縮小直徑（例如，11.0”或279.4 mm的一直徑）實現理想的電漿特性及避免材料堆積。在本揭露的若干實施例之中，該基板支撐件的一肩部可能自該縮小直徑承載環的外徑向下傾斜至該基板支撐件的外徑。因此，任何材料堆積會發生在該傾斜肩部之上，且對在該基板之上所實施的處理有著最小的影響。在若干示例之中，該噴淋頭的一底部外邊緣的一半徑係增加的（例如，自0.15”（0.381 mm）至0.19”（4.826 mm））以減少在底部外邊緣處的電場敏感度。

現在參考圖1，顯示例示的一基板處理系統100。該基板處理系統100可能被用以實施使用RF電漿的蝕刻及/或其他合適的基板處理。基板處理系統100包含一處理室102，該處理室102包圍了基板處理系統100的其他構件且容納RF電漿。基板處理室102包含一上電極104及一基板支撐件106，像是一靜電卡盤（ESC）。在作業期間，一基板108被配置在該基板支撐件106之上。儘管基板處理系統100及處理室102被繪示在圖1之中，本揭露的原理可能應用於其他類型的基板處理系統及腔室，例如基板處理系統，其原位產生電漿，實現遠端的電漿產生及輸送（例如，使用一電漿管、一微波管）等等。

在若干實施例之中，上電極104可能包含一氣體分佈裝置，像是導入及分佈處理氣體的一噴淋頭109。噴淋頭109可能包含一桿部，包含被配置以接收處理氣體的一端。一基部係大致圓柱形的，且在與處理室102的頂表面間隔的一位置處自該桿部的相反端徑向地向外延伸。在若干實施例之中，噴淋頭109的基部的一面向基板表面或面板包含了複數的孔洞，處理氣體或吹掃氣體流過該等孔洞。在若干實施例之中，上電極104可能包含一傳導板，且處理氣體可能以另一種方式導入。

在圖1之中，基板支撐件106包含傳導的一底板110作為一下電極。底板110支撐一陶瓷層112。在若干示例之中，陶瓷層112可能包含一加熱層，像是一陶瓷複數區域加熱板。底板110可能包含一或多個冷卻劑通道116，用以將冷卻劑流動通過底板110。

一RF產生系統120產生且輸出一RF電壓至上電極104與下電極（例如，基板支撐件106的底板110）的其中一者。上電極104及底板110可能係DC接地的、AC接地的或浮接的。在若干實施例之中，RF產生系統120可能包含一RF電壓產生器122，其產生RF電壓，而RF電壓係藉由一匹配及分佈網路124饋送至上電極104或底板110。在若干實施例之中，電漿可能感應地或遠程地產生。儘管，出於示例目的所示，RF產生系統120對應於一電容耦合式電漿（CCP）系統，但本揭露的原理可能亦實現在其他適合的系統之中，像是例如變壓器耦合電漿（TCP）系統、CCP陰極系統、遠端微波電漿產生及輸送系統等等。

根據某些實施例，圖1的一氣體輸送系統130包含一或多個氣體源132-1、132-2、……、及132-N（統稱為氣體源132），其中N係大於0的整數。氣體源132供給一或多種前驅物及其混和物。氣體源132可能亦供給吹掃氣體。在若干實施例之中，可能使用汽化的前驅物。氣體源132係藉由閥134-1、134-2、……、及134-N（統稱為閥134）及質量流控制器136-1、136-2、……、及136-N（統稱為質量流控制器136）連接至一岐管140。岐管140的輸出被饋送至處理室102。在若干實施例之中，岐管140的輸出被饋送至噴淋頭109。

根據某些實施例，一溫度控制器142被連接至複數的加熱元件144，像是被配置在陶瓷層112之中的熱控制元件（TCE）。舉例而言，加熱元件144可能包含，但不侷限於，對應於在一複數區域加熱板之中相對應區域的巨加熱元件，及/或在複數區域加熱板的複數區域各處配置的微加熱元件的陣列。在若干實施例之中，溫度控制器142被配置以控制複數的加熱元件144，以控制基板支撐件106及基板108的溫度。

在若干實施例之中，溫度控制器142被配置以與冷卻劑組件146通聯以控制冷卻劑流動經過通道116。舉例而言，冷卻劑組件146可能包含一冷卻劑泵及貯槽。在若干實施例之中，溫度控制器142操作冷卻劑組件146以選擇性地將冷卻劑流動經過通道116以冷卻基板支撐件106。

在圖1之中根據某些實施例，一閥150及泵152被配置以自處理室102抽空反應物。在若干實施例之中，一系統控制器160被配置以控制基板處理系統100的構件。一機器人170可能被用以將基板輸送至基板支撐件106，以及將基板自基板支撐件106移除。舉例而言，機器人170可能將基板在基板支撐件106及一負載鎖172之間傳送。雖然顯示為分離的控制器，溫度控制器142可能在系統控制器160之內被實現。

在圖1之中，基板支撐件106包含了一承載環180。承載環180被配置在陶瓷層112之上及在基板108周圍。承載環180在基板108的外邊緣之下延伸。另言之，基板108的外徑大於承載環180的內徑。根據本揭露的原理的承載環180具有一縮小直徑，如下面以更多細節所討論。

圖2根據本揭露的某些實施例顯示一處理室200，包含一基板支撐件204，該基板支撐件204包含具有縮小直徑的一承載環208。基板支撐件204包含支撐一陶瓷層216的一傳導底板212。一基板220被配置在陶瓷層216之上。在若干實施例之中，基板220係200 mm的基板。一氣體分佈裝置，例如一噴淋頭224，被佈置在基板支撐件204之上，並如上所述的在處理室200之內提供及分佈處理氣體。

基板支撐件204（例如陶瓷層216）的一外徑228可能大約係15.0”（例如381 mm，± 5 mm）。承載環208具有相對於陶瓷層216的外徑228的縮小的一外徑232。舉例而言，承載環208的外徑232可能係大約11.0”（例如279.4 mm，± 5 mm）。在其他示例之中，外徑232可能在10.0”及13.0”之間（例如在254.0及330.2 mm之間）。承載環208的一內徑236可能小於基板220的直徑。舉例而言，承載環208的一內徑236與基板220的直徑之間的差可能在0.025”及0.150”之間（例如在0.635及3.81 mm之間）。另言之，內徑236可能在7.72”及7.85”之間（例如在196.19及199.365 mm之間）。在若干示例之中，承載環208具有大約0.167”（例如4.25 mm，± 0.5 mm）的厚度。在其他示例之中，承載環208的厚度係大約0.101”（例如2.57 mm，± 0.5 mm）。在若干示例之中，噴淋頭224可能具有大約9.0”的直徑（例如228.6 mm，± 5 mm）。在某些示例之中，噴淋頭224的直徑可能大於基板220的直徑及內徑236，且小於承載環208的外徑232。

在若干實施例之中，陶瓷層216的一肩部240自承載環208的外徑232向下傾斜至基板支撐件204的外徑228。在若干實施例之中，肩部240以在10度及45度之間的角度向下傾斜。該角度可能取決於外徑228及外徑232之間的差。在若干示例之中，如圖2所示，陶瓷層216可能包含一向下台階244，在承載環208的外徑232之下且靠近外徑232（例如，在4 mm以內），且肩部240自台階244傾斜向下。

縮小的外徑232、肩部240的向下斜坡、及台階244，允許在噴淋頭224及基板220之間的一容積之中產生的電漿朝著肩部240包覆在承載環208的外徑232周圍。因此，朝向基板220的電漿電弧及在承載環208之上的材料堆積係減少。舉例而言，該向下斜坡使得任何材料堆積將發生在肩部240之上而非承載環208之上，且向下台階244促進了在承載環208的外徑232周圍的電漿包覆。在若干示例之中，噴淋頭224的一底部外邊緣248具有大約0.19”（例如4.826 mm，± 1.0 mm）的半徑以減少在底部外邊緣248的電場敏感度。

現在參考圖3A及3B，根據本揭露的某些實施例，處理室300包含基板支撐件304，其包含了具有一縮小直徑的一承載環308。基板支撐件304每一者包含了支撐一陶瓷層316的一傳導底板312。一基板320被佈置在陶瓷層316之上。一噴淋頭324被佈置在基板支撐件304之上，且在如上所述的處理室300之內提供及分佈處理氣體。

在這些示例之中，陶瓷層316的一肩部340包含一傾斜部份352，該傾斜部份352自承載環308的一外徑332向下傾斜至基板支撐件304的一外徑328及一非傾斜（例如，水平的）部份356。如在圖3A之中所顯示，在若干實施例之中，傾斜部份352自一台階344向下傾斜並過渡至非傾斜部份356，且該非傾斜部份356自傾斜部份352延伸至外徑328。在其他實施例之中，如圖3B之中所示，非傾斜部份356自向下台階344延伸至傾斜部份352，且傾斜部份352自非傾斜部份356延伸至外徑328。

儘管所示的肩部340包含大致水平的非傾斜部份356，但是在其他示例之中，該部份356可能替代地具有不同於（例如，相較之下具有較大或較小角度的斜率）傾斜部份352的斜率的一斜率。在其他示例之中，肩部340可能包含在傾斜部份352及非傾斜部份356之間的一台階（例如，垂直向下台階）。

現在參考圖4A及4B，根據本揭露的某些實施例，處理室400包含基板支撐件404，該基板支撐件404包含了具有一縮小直徑的一承載環408。基板支撐件404每一者包含了支撐一陶瓷層416的一傳導底板412。一基板420被佈置在該陶瓷層416之上。如上所述，一噴淋頭424被配置在基板支撐件404之上，且在該處理室400之內提供及分佈處理氣體。

在這些示例之中，該陶瓷層416的一肩部440沒有從承載環408的一外徑432傾斜至基板支撐件404的一外徑428。而是，陶瓷層416的肩部440係大致水平的。如圖4A之中所示，陶瓷層416包含了在承載環408的外徑432之下及附近（例如，在4 mm之內）的一向下台階444。肩部440自台階444延伸至外徑428。台階444可能大於（即，高於）在圖2及圖3之中各自所述的台階244及344。舉例而言，台階444可能大於陶瓷層416的厚度的50%，以促進在承載環408的外徑432周圍的電漿包覆，並減少在承載環408之上的材料堆積。在若干實施例之中，如圖4B之中所示，肩部440沒有傾斜，且陶瓷層416不包含位在承載環408的外徑432處的台階444。

前述描述本質上僅係說明性的，且絕不旨在限制本揭露、其運用、或用途。本揭露的廣泛教示可以以各種形式加以實現。因此，儘管本揭露包含特定示例，但是本揭露的真實範圍不應受到如此限制，因為在研究圖式、專利說明書、及隨附申請專利範圍之後，其他修改將變得顯而易見。此外，儘管以上將每個實施例描述為具有某些特徵，但是就本揭露的任何實施例所描述的這些特徵中的任何一者或多者可以在任何其他實施例的特徵之中實施，及/或與任何其他實施例的特徵相結合，即便未明確地描述該組合。另言之，所述實施例不是相互排斥的，並且一或多個實施例彼此的置換仍在本揭露的範圍內。

使用各種不同術語來描述元件之間（例如，在模組、電路元件、半導體層等之間）的空間和功能關係，包含「連接」、「接合」、「耦合」、「相鄰」、「靠近」、「上方」、「在……之上」、「在……之下」、及「配置」。除非明確地描述為「直接的」，否則在以上揭露之中描述第一元件與第二元件之間的關係時，該關係可以是其中在第一與第二元件之間不存在其他中間元件的直接關係，但也可以是其中在第一與第二元件之間存在（在空間上或功能上）一或多個中間元件的非直接關係。如在此所述，A、B、及C的至少其中一者的表達方式應被理解為意旨使用非排他性邏輯OR的一邏輯（A或B或C），且不應被理解為意指「A的至少一者、B的至少一者、及C的至少一者」。

在若干實施方式之中，一控制器係一系統的部份，其可能是上述示例的部份。如此的系統可以包含半導體處理設備，包含一或多個處理工具、一或多個腔室、一或多個用於處理的平台、及/或特定處理構件（一晶圓基座、一氣體流動系統等等）。這些系統可能與電子器件整合，以在半導體晶圓或基板的處理之前、期間、及之後控制它們的作業。該等電子器件可能被稱為「控制器」，可能控制一或多個系統的各種不同構件或子部份。取決於處理需求及/或系統類型，該控制器可能被程式設計以控制在此揭露的任何製程，包含處理氣體的輸送、溫度設定（例如，加熱及/或冷卻）、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻（RF）產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、位置及作業設定、晶圓傳送進入及離開一工具及其他傳送工具及/或連接至一特定系統或與一特定系統介接的負載鎖。

廣義而言，該控制器可能被定義為具有各種不同的積體電路、邏輯件、記憶體、及/或軟體的電子器件，其接收指令、發佈指令、控制作業、啟動清潔作業、啟動端點量測等等。該等積體電路可能包含儲存程式指令的韌體形式的晶片、數位信號處理器（DSP）、被定義為特定應用積體電路（ASIC）的晶片、及/或一或多個微處理器、或執行程式指令（例如，軟體）的微控制器。程式指令可能是以各種不同的獨立設定（或程式檔案）的形式傳輸至該控制器的指令，定義在半導體晶圓之上或對半導體晶圓或對系統執行特定製程的作業參數。在若干實施例之中，該等作業參數可能係由製程工程師所定義的配方的部份，以在晶圓的一或多個層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶粒的製造期間完成一或多個處理步驟。

在若干實施方式之中，該控制器可能係耦合至一電腦或該電腦的一部份，該電腦與該系統整合、耦合至該系統、以其他方式網路連線至該系統、或其中的組合。舉例而言，該控制器可能在「雲端」或著係晶圓廠主機電腦系統的全部或一部份，其可以允許晶圓處理的遠端存取。該電腦可能使得能夠遠端存取該系統以監控製造作業的目前進度、檢視過去製造作業的歷史紀錄、檢視來自複數製造作業的趨勢或績效指標、改變目前製程的參數、設定處理步驟以遵循目前的製程、或開始新的製程。在若干示例之中，一遠端電腦（例如，一伺服器）可藉由網路對一系統提供製程配方，該網路可能包含一區域網路或網際網路。該遠端電腦可能包含一使用者介面，允許參數及/或設定的輸入或程式設計，接著將參數及/或設定從遠端電腦傳輸至該系統。在若干示例之中，該控制器接收資料形式的指令，該指令對在一或多作業期間待實施的處理步驟每一者指定參數。應理解到，該等參數可能特定於待實施的製程類型以及該控制器被配置以介接或控制的工具類型。因此如上所述，該控制器可能為分散式的，例如透過包含被網路連線在一起並朝著共同目的（例如，本文中所述的製程及控制）而運作的一或多個分離式控制器。用於如此目的的分散式控制器的一示例是一腔室之上的一或多個積體電路與位於遠程（例如在平台層級或作為一遠端電腦的部份）的一或多個積體電路進行通信，這些積體電路相結合以控制在該腔室之上的一製程。

不限於此，例示系統可能包含一電漿蝕刻室或模組、一沉積室或模組、一旋轉清洗室或模組、一金屬電鍍室或模組、一清潔室或模組、一斜邊蝕刻室或模組、一物理氣相沉積（PVD）室或模組、一化學氣相沉積（CVD）室或模組、一原子層沉積（ALD）室或模組、一原子層蝕刻（ALE）室或模組、一離子佈植室或模組、一軌道室或模組、及可能關聯或使用在半導體晶圓的製造及/或生產的任何其他半導體處理系統。

如上所述，取決於將藉由工具實施的一或多個處理步驟，該控制器可能與以下一者以上通訊：其他的工具電路或模組、其他工具構件、叢集工具、其他工具介面、鄰接工具、相鄰工具、位於整個工廠的工具、一主電腦、另一控制器、或用在材料傳送以將晶圓容器攜至及攜自在半導體製造工廠之中的工具位置及/或負載埠的工具。

100:基板處理系統 102:處理室 104:上電極 106:基板支撐件 108:基板 109:噴淋頭 110:底板 112:陶瓷層 116:冷卻劑通道 120:RF產生系統 122:RF電壓產生器 124:匹配及分佈網路 130:氣體輸送系統 132-1,132-2,132-N:氣體源 134-1,134-N:閥 136-1,136-N:質量流控制器 140:岐管 142:溫度控制器 144:加熱元件 146:冷卻劑組件 150:閥 152:泵 160:系統控制器 170:機器人 172:負載鎖 180:承載環 200:處理室 204:基板支撐件 208:承載環 212:傳導底板 216:陶瓷層 220:基板 224:噴淋頭 228:外徑 232:外徑 236:內徑 240:肩部 244:台階 248:底部外邊緣 300:處理室 304:基板支撐件 308:承載環 312:傳導底板 316:陶瓷層 320:基板 324:噴淋頭 328:外徑 332:外徑 340:肩部 344:台階 352:傾斜部份 356:部份 400:處理室 404:基板支撐件 408:承載環 412:傳導底板 416:陶瓷層 420:基板 424:噴淋頭 428:外徑 432:外徑 440:肩部 444:台階

藉由實施方式章節及隨附圖式，將更全面地理解本揭露，其中：

圖1係根據本揭露的某些實施例的一例示基板處理系統的一功能方塊圖；

圖2繪示根據本揭露的某些實施例包含一承載環的一例示基板支撐件；

圖3A及3B係根據本揭露的某些實施例包含一承載環及一傾斜肩部的例示基板支撐件；及

圖4A及4B係根據本揭露的某些實施例包含一承載環及一階梯形肩部的例示基板支撐件。

在該等圖式之中，參考數字可重複使用以標示相似及/或相同的元件。

200:處理室

204:基板支撐件

208:承載環

212:傳導底板

216:陶瓷層

220:基板

224:噴淋頭

228:外徑

232:外徑

236:內徑

240:肩部

244:台階

248:底部外邊緣

Claims (20)

1. 一種基板支撐件，用於一基板處理系統，該基板支撐件包含： 一底板； 一陶瓷層，配置在該底板之上，其中該陶瓷層具有一第一外徑；及 一承載環，配置在該陶瓷層之上，其中該承載環具有小於該第一外徑的一第二外徑，該陶瓷層包含一肩部，該肩部從該承載環的第二外徑延伸至該第一外徑，且其中該肩部朝著該第一外徑向下傾斜。
2. 如請求項第1項之基板支撐件，其中該肩部從該第二外徑向下傾斜至該第一外徑。
3. 如請求項第1項之基板支撐件，其中該肩部包含一傾斜部份及一非傾斜部份。
4. 如請求項第3項之基板支撐件，其中該傾斜部份從該第二外徑延伸至該非傾斜部份，且該非傾斜部份從該傾斜部份延伸至該第一外徑。
5. 如請求項第3項之基板支撐件，其中該非傾斜部份從該第二外徑延伸至該傾斜部份，且該傾斜部份從該非傾斜部份延伸至該第一外徑。
6. 如請求項第1項之基板支撐件，其中該肩部以10度及45度之間的角度傾斜。
7. 如請求項第1項之基板支撐件，其中該陶瓷層被配置以支撐200 mm的一基板。
8. 如請求項第7項之基板支撐件，其中該承載環的一內徑小於該基板的一直徑。
9. 如請求項第1項之基板支撐件，其中該陶瓷層包含了靠近於該承載環的第二外徑的一向下台階。
10. 如請求項第9項之基板支撐件，其中該肩部從該向下台階向下傾斜至該第一外徑。
11. 一種處理室，包含了請求項第1項的該基板支撐件，且進一步包含一噴淋頭，該噴淋頭具有小於該第二外徑的一第三外徑。
12. 如請求項第11項之處理室，其中該第三外徑大於該承載環的一內徑。
13. 如請求項第11項之處理室，其中該噴淋頭的一底部外邊緣係圓的。
14. 一種基板支撐件，用於一基板處理系統，該基板支撐件包含： 一底板； 一陶瓷層，配置在該底板之上，其中該陶瓷層具有一第一外徑；及 一承載環，配置在該陶瓷層之上，其中該承載環具有小於該第一外徑的一第二外徑，且該陶瓷層包含一肩部，從該承載環的第二外徑延伸至該第一外徑。
15. 如請求項第14項之基板支撐件，其中該肩部從該第二外徑向下傾斜至該第一外徑。
16. 如請求項第14項之基板支撐件，其中該肩部包含一傾斜部份及一非傾斜部份。
17. 如請求項第14項之基板支撐件，其中該陶瓷層被配置以支撐200 mm的一基板。
18. 如請求項第17項之基板支撐件，其中該承載環的一內徑小於該基板的一直徑。
19. 如請求項第1項之基板支撐件，其中該陶瓷層包含了靠近該承載環的第二外徑的一向下台階。
20. 如請求項第19項之基板支撐件，其中該向下台階至少為該陶瓷層厚度的50%。

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