TWI775814B - 用以降低發弧的氦插塞設計 - Google Patents

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Abstract

基板支撐件包括底板、設置在底板上的陶瓷層、設置在底板與陶瓷層之間的第一間隙中之接合層、穿過底板及接合層及陶瓷層而形成的通道、以及設置在通道中的插塞。插塞包括設置在底板中的下部及設置在陶瓷層中的上部。下部包括袋狀部及包圍袋狀部的側壁。上部延伸至陶瓷層及第一間隙之下並進入袋狀部之內，下部的側壁與上部部分重疊，且在上部與下部之間的第二間隙係位在第一間隙下方的下部的袋狀部之中。

Description

用以降低發弧的氦插塞設計
本揭露內容關於基板處理系統中之基板支撐件的陶瓷層。
[相關申請案的交互參照] 本揭露內容係關於2017年1月5日申請之美國專利申請案第15/399,244號及2017年3月8日申請之美國專利申請案第15/452,976號的申請標的。以上所述之申請案的完整揭露內容係藉由參照而納入本文中。
本文提供的背景描述係針對概括性地呈現本揭露內容之背景的目的。目前所列名之發明人的工作成果（就本先前技術章節中所描述之範圍而言）、以及不可以其他方式適格為申請時之習知技術的描述內容之實施態樣，均不明示或暗示地承認為是相對本揭露內容的習知技術。
基板處理系統可用以處理例如半導體晶圓的基板。可執行於基板的範例製程包括但不限於化學氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）、導體蝕刻、介電蝕刻及/或其他蝕刻、沉積或清潔製程。基板係可設置在基板處理系統之處理腔室中的例如基座、靜電夾頭（ESC）等等的基板支撐件上。蝕刻期間，可將包括一或更多前驅物的氣體混合物引入至處理腔室中，而電漿可用以引發化學反應。
基板支撐件可包括設置成支撐基板的陶瓷層。例如，基板在處理期間可被夾持至陶瓷層。基板支撐件可包含複數通道，以提供傳熱氣體（例如，氦）至安置在陶瓷層上之基板的背側。傳熱氣體幫助基板及/或陶瓷層的冷卻。
基板支撐件包括底板、設置在底板上的陶瓷層、設置在底板與陶瓷層之間的第一間隙中之接合層、穿過底板及接合層及陶瓷層而形成的通道、及設置在通道中的插塞。插塞包括設置在底板中的下部及設置在陶瓷層中的上部。下部包括袋狀部及包圍袋狀部的側壁。上部延伸至陶瓷層及第一間隙下方並進入袋狀部之內，下部的側壁與上部部分重疊，且在上部與下部之間的第二間隙係位在第一間隙下方的下部的袋狀部之中。
基板處理系統包括基板支撐件、傳熱氣體源及控制器。基板支撐件包括底板、設置在底板上的陶瓷層、設置在底板與陶瓷層之間的第一間隙中之接合層、穿過底板及接合層及陶瓷層而形成且與傳熱氣體源呈流體連通的複數通道、以及設置在複數通道的各者中的複數插塞。各個複數插塞包括設置在底板中的下部及設置在陶瓷層中的上部。下部包括袋狀部及包圍袋狀部的側壁。上部延伸至陶瓷層及第一間隙下方並進入袋狀部之內，下部的側壁與上部部分重疊，且在上部與下部之間的第二間隙係位在第一間隙下方的下部的袋狀部之中。控制器選擇性地控制傳熱氣體源，以經由複數通道來提供傳熱氣體至安置在陶瓷層上之基板的背側。
從詳細的實施方式、申請專利範圍，以及圖式，本揭露內容的實用性的進一步範圍將變得明顯。該詳細的實施方式與具體的例子僅是為了描述之目的，而非欲限制本揭露內容之範疇。
基板處理系統中的基板支撐件可包括複數通道，該複數通道用以提供傳熱氣體至安置在基板支撐件上的基板或晶圓的背側。例如，通道將來自傳熱氣體源的傳熱氣體提供通過基板支撐件的底板及陶瓷層。與基板支撐件的元件相關之製造公差及其他製造限制可能造成通道在底板與陶瓷層之間的介面處具有較大的直徑及容積。據此，電漿點火及發弧更可能發生在底板與陶瓷層之間的間隙中，造成電流尖波及接合層侵蝕。
圖1顯示一部分的範例基板支撐件10，該基板支撐件10包括底板14及陶瓷層18。接合層22可形成在底板14與陶瓷層18之間。可圍繞接合層22之周邊而在陶瓷層18與底板14之間設置一保護性密封件26。基板30係安置在陶瓷層18上。
一或更多通道34將例如氦之傳熱氣體提供通過底板14及陶瓷層18而至基板30的背側38。通道34可包括定義在底板14與陶瓷層18之間的腔室42。例如，儘管可能期望最小化通道34的直徑，製造公差及限制可能導致包含腔室42的通道34。據此，可將插塞46設置在腔室42之內以進一步降低腔室42之內的空容積。例如，插塞46可包含多孔的陶瓷。插塞46可包括上部50、下部54以及在上部50與下部54之間的間隙58。插塞46可稱為雙部多孔插塞（dual porous plug）。在將插塞的上部50安裝至陶瓷層18內之後，陶瓷層18的底部表面60可受到研磨，增加間隙58的寬度。例如，間隙58可具有大約300微米（例如，在290與310微米之間）的寬度。設置插塞46可降低腔室42之內以及底板14與陶瓷層18之間的發弧。然而，電場可能仍然存在於間隙58中，因而發弧可能發生於間隙58中。
根據本揭露內容之原理的系統及方法實現了消除在底板與陶瓷層之間介面處的間隙之插塞。例如，插塞包括從陶瓷層向下延伸至底板中的通道之內的上部。插塞包括設置在底板中的通道之內的下部。下部係配置成接納及包圍延伸至底板中的插塞的上部。
現參照圖2，顯示範例基板處理系統100。僅舉例而言，基板處理系統100可用於藉由使用RF電漿而執行蝕刻、及/或用於其它合適的基板處理。基板處理系統100包含處理腔室102，其包圍基板處理系統100的其它構件並容納RF電漿。基板處理腔室102包含上電極104、及基板支撐件106（例如，靜電卡盤（ESC））。在操作期間，基板108係安置於基板支撐件106上。雖然顯示了特定的基板處理系統100及腔室102做為範例，然而本揭露內容之原理可應用於其他類型的基板處理系統及腔室，例如原位產生電漿的基板處理系統、實行遠距電漿產生及輸送（例如，藉由使用電漿管、微波管）的基板處理系統等。
僅舉例而言，上電極104可包含導入並分配製程氣體的氣體分配裝置（例如，噴淋頭109）。噴淋頭109可包含柄部部分，其包含連接至處理腔室之頂部表面的一端。基部部分大體上為圓柱形，且在與處理腔室之頂部表面間隔開的位置處自柄部部分的一相反端徑向向外延伸。噴淋頭之基部部分的面向基板之表面或面板包含複數的孔，製程氣體或沖洗氣體係流動通過該等孔。或者，上電極104可包含導板，且製程氣體可以另一方式導入。
基板支撐件106包含了做為下電極的傳導底板110。該底板110支撐一陶瓷層112。在一些範例中，陶瓷層112可包含一加熱層（例如，陶瓷多區域加熱板）。一熱阻層114（例如，接合層）可配置在陶瓷層112與底板110之間。底板110可包含用以讓冷卻劑流動通過底板110的一或更多冷卻劑通道116。基板支撐件106可包含配置成圍繞基板108的外周邊的邊緣環118。
RF產生系統120產生並輸出一RF電壓至至上電極104及下電極（例如，基板支撐件106的底板110）其中一者。上電極104與底板110其中另一者可為DC接地、AC接地、或浮接。僅舉例而言，RF產生系統120可包含產生RF電壓之RF電壓產生器122，該RF電壓係藉由匹配與分配網路124而供給至上電極104或底板110。在其他範例中，可感應地或遠程地產生電漿。雖然如吾人為舉例之目的而顯示，RF產生系統120係對應於電容耦合電漿（CCP）系統，但本揭露內容之原理亦可實行於其他合適之系統中，僅舉例而言，例如變壓耦合電漿（TCP）系統、CCP陰極系統、遠距微波電漿產生及傳送系統等。
氣體輸送系統130包含一或更多氣體源132-1、132-2、…、及132-N（統稱為氣體源132），其中N為大於零的整數。該氣體源供應一或更多前驅物及其混合物。該氣體源亦供應沖洗氣體 。亦可使用汽化之前驅物。氣體源132藉由閥134-1、134-2、…，及134-N（統稱為閥134）、與質量流量控制器136-1、136-2、…，及136-N（統稱為質量流量控制器136）而連接至岐管140。岐管140之輸出係供給至處理腔室102。僅舉例而言，岐管140之輸出係供給至噴淋頭109。
溫度控制器142可連接至複數加熱元件，例如配置於陶瓷層112中的熱控制元件（TCE） 144。例如，加熱元件144可包含（但不限於）與多區域加熱板中之個別區域相對應的宏觀加熱元件、及/或設置於多區域加熱板的多個區域上的微觀加熱元件之陣列。溫度控制器142可用以控制複數加熱元件144以控制基板支撐件106及基板108之溫度。
溫度控制器142可與冷卻劑組件146通信以控制流動通過通道116的冷卻劑流量。例如，冷卻劑組件146可包含冷卻劑泵浦及貯存器。溫度控制器142對冷卻劑組件146進行操作以選擇性地使冷卻劑流動通過通道116以冷卻基板支撐件106。
閥150及泵浦152可用以從處理腔室102抽空反應物。系統控制器160可用以控制基板處理系統100的構件。機械臂170可用以將基板傳遞至基板支撐件106上、及將基板從基板支撐件106移除。例如，機械臂170可在基板支撐件106與裝載鎖室172之間傳送基板。雖然顯示為獨立的控制器，但溫度控制器142可實現於系統控制器160內。在一些範例中，可圍繞接合層114之周邊而在陶瓷層112與底板110之間設置一保護性密封件176。
基板支撐件106包括複數通道180，該等通道180係配置以將來自傳熱氣體源182的傳熱氣體（例如氦）提供至基板108的背側。儘管單獨顯示，但傳熱氣體源182可實施於氣體輸送系統130中。通道180包括根據本揭露內容之原理的插塞184（如下面所詳述）。
現參照圖3，根據本揭露內容之原理的範例基板支撐件200包括底板204及陶瓷層208。接合層212可形成在底板204與陶瓷層208之間。可圍繞接合層212之周邊而在陶瓷層208與底板204之間設置一保護性密封件216。基板220係安置在陶瓷層208上。
一或更多通道224將例如氦之傳熱氣體提供通過底板204及陶瓷層208而至基板220的背側228。通道224可包括定義在底板204與陶瓷層208之間的腔室232。設置插塞236以佔據腔室232之內的空間（即，為了降低腔室232之內的空容積）。例如，插塞236可包含例如多孔的陶瓷之介電材料。僅作為範例，插塞236可包含具有大約5.3的有效介電常數 ɛr （例如，在4.6與6.0之間的 ɛr ）之多孔的材料。插塞236可具有與腔室232的形狀互補之形狀。例如，插塞236可為圓柱形。
插塞236可對應於雙部多孔的插塞，該雙部多孔的插塞包括上部240、下部244以及在上部240與下部244之間的間隙248。上部240從陶瓷層208向下延伸至底板204之內，並穿過在陶瓷層208與底板204之間的間隙252。例如，插塞236的下部244包括配置成接納上部240之袋狀部256。下部244的側壁260包圍上部240的底部末端264。側壁260可延伸高過於底板204的上表面268而進入間隙252之內。
據此，下部244與上部240部分重疊，且將在上部240與下部244之間的間隙248係相對於間隙252而向下移動。換言之，間隙248係位於底板204的上表面268以下的底板204之中，而非位於間隙252之內及/或與間隙252對齊，並且在間隙內如箭頭272所指示穿過通道224的路徑被截斷。如所示，上部240延伸至底板204之內達在上表面268與腔室232的底部276之間的深度 d的至少一半。下部244可延伸高過於上表面268。
在將上部240安裝至陶瓷層208內之前，陶瓷層208的底表面280可受到研磨。據此，研磨底表面280不會減少上部240的長度，而且間隙248被最小化。例如，間隙248可具有250微米的寬度。僅作為範例，間隙248具有240至260微米的寬度。根據本揭露內容的原理之相對於間隙252向下移動間隙258以及減少間隙248的寬度之操作，降低間隙248中的電場。據此，可降低間隙248之內的發弧。在一些範例中，上部240及/或下部244可使用介電材料（例如，陶瓷）噴塗，以進一步降低間隙248的寬度。
圖4顯示基板支撐件200的另一範例。在此範例中，上部240相對於圖3顯示之上部240進一步超過上表面268向下延伸而至底板204及下部244之內。例如，上部240延伸至底板204之內達在上表面268與腔室232的底部276之間的深度 d的至少75%。據此，與下部244的側壁260部分重疊的上部240的量係相對於圖3顯示之範例而增加，且將間隙248係進一步向下朝腔室232的底部276加以移動。下部244的上表面284可與底板204的上表面268大致共平面（即，齊平）。
先前敘述僅係本質上地說明，而非意欲限制本發明、其應用或使用。本發明廣泛的教示可以各式各樣的形式執行。因此，即使本發明包含具體的例子，本發明的真正範圍不應如此受限制，因為一旦研讀圖式、說明書與下列之申請專利範圍，其他修改將變得顯而易見。須了解在不改變本發明的原則之下，能依不同的順序（或同時） 執行一方法中一或更多的步驟。再者，雖然前文中將每一實施例描述為具有某些特徵，但所述之關於本發明之任一實施例的該等特徵的任一或更多者可在任何其他實施例中實行、及/或可與任何其他實施例的特徵組合，即使未明確地描述該組合。換句話說，所描述的實施例並非係互相排斥的，且一或更多實施例之間互相的置換仍屬於本發明的範疇。
元件之間（例如，模組、電路元件、半導體層…等之間）空間的、及功能的關係係使用各種用語而描述，包含「連接」、「嚙合」、「耦接」、「相鄰」、「接近」、「在頂部上」、「之上」、「之下」、以及「設置」。除非明確地描述成係「直接」的，否則當在以上揭露內容中描述第一及第二元件之間的關係時，該關係可為在第一及第二元件之間沒有其他中間元件存在的直接關係，也可為在第一及第二元件之間存在一或更多中間元件（空間上、或功能上）的間接關係。如在此使用的文字「A、B和C其中至少一者」應解釋為使用非互斥邏輯符號OR的邏輯（A or B or C），且不應解釋為代表「A之至少一者、B之至少一者、及C之至少一者」。
在一些實施例中，控制器為系統的一部分，其可為前述範例之一部分。此種系統可包含半導體處理設備，其包括：處理工具（或複數處理工具）、腔室（或複數腔室）、用以處理的工作台（或複數工具台）、及/或特定處理元件（例如晶圓支座、氣流系統等）。這些系統可與電子設備結合，以在半導體晶圓或基板的處理之前、期間、與之後，控制系統的操作。該等電子設備可稱為「控制器」，其可控制系統（或複數系統）的各種元件或子部件。根據製程要求及/或系統的類型，可將控制器編程式，以控制本文中揭露之任何處理，包括處理氣體的輸送、溫度設定（例如加熱及/或冷卻）、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻（RF）產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、定位與操作設定、進出工具及連接至特定系統或與特定系統介接的其他傳送工具及/或負載鎖室之晶圓傳送。
廣泛而言，可將控制器定義為具有接收指令、發送指令、控制操作、允許清潔操作、允許終點量測等之各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。該積體電路可包含儲存程式指令的韌體形式之晶片、數位信號處理器（DSPs）、定義為特殊應用積體電路（ASICs）之晶片、及/或執行程式指令（例如軟體）之一或更多的微處理器或微控制器。程式指令可為以各種個別設定（或程式檔案）之形式與控制器通訊的指令，其定義用以在半導體晶圓上、或針對半導體晶圓、或對系統執行特定製程的操作參數。在一些實施例中，該操作參數可為由製程工程師所定義之配方的部分，該配方係用以在一或更多的層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓之晶粒的製造期間，完成一或更多的處理步驟。
在一些實施例中，控制器可為電腦的部分或連接至電腦，該電腦係與系統整合、連接至系統、或透過網路連接至系統、或上述之組合。舉例而言，控制器係可位於「雲端」（in the “cloud”）、或為晶圓廠主機電腦系統的全部或部分，其可允許晶圓處理之遠端存取。該電腦能達成對該系統之遠端存取，以監視製造操作之目前製程、查看過去製造操作之歷史、查看來自多個製造操作之趨勢或性能指標，來改變目前處理之參數，以設定處理步驟來接續目前的處理、或開始新的製程。在一些範例中，遠端電腦（例如伺服器）可透過網路提供製程配方至系統，該網路可包含區域網路或網際網路。該遠端電腦可包含可達成參數及/或設定之輸入或編程的使用者介面，該等參數或設定接著自該遠端電腦傳送至該系統。在一些範例中，控制器接收資料形式之指令，在一或更多的操作期間，其針對待執行的處理步驟之每一者而指定參數。應瞭解，該等參數可特定於待執行之製程的類型、及工具（控制器係配置成透過介面與該工具接合或控制該工具）的類型。因此，如上所述，控制器可分散，例如藉由包含一或更多的分離的控制器，其透過網路連接在一起並朝共同的目標而作業，例如本文所述之製程及控制。用於此類用途的分開之控制器的範例可為腔室上之一或更多的積體電路，其與位於遠端（例如為平台等級、或為遠端電腦的部分）之一或更多的積體電路連通，其結合以控制該腔室上的製程。
例示性系統可包含電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉沖洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、潔淨腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積（PVD）腔室或模組、化學氣相沉積（CVD）腔室或模組、原子層沉積（ALD）腔室或模組、原子層蝕刻（ALE）腔室或模組、離子植入腔室或模組、徑跡腔室或模組、及可與半導體晶圓之製造及/或生產有關或用於其中的任何其他半導體處理系統，但不限於此。
如上所述，依據待由工具執行之製程步驟（或複數製程步驟），控制器可與下列一或多者通訊：其他工具電路或模組、其他工具元件、叢集工具、其他工具介面、牽引工具、鄰近工具、遍及工廠的工具、主要電腦、另一控制器、或將晶圓之容器帶往或帶離半導體製造廠中的工具位置及/或載入埠的用於材料傳送之工具。
10‧‧‧基板支撐件14‧‧‧底板18‧‧‧陶瓷層22‧‧‧接合層26‧‧‧保護性密封件30‧‧‧基板34‧‧‧通道38‧‧‧背側42‧‧‧腔室46‧‧‧插塞50‧‧‧上部54‧‧‧下部58‧‧‧間隙60‧‧‧底表面100‧‧‧基板處理系統102‧‧‧處理腔室104‧‧‧上電極106‧‧‧基板支撐件108‧‧‧基板109‧‧‧噴淋頭110‧‧‧底板112‧‧‧陶瓷層114‧‧‧熱阻層116‧‧‧冷卻劑通道118‧‧‧邊緣環120‧‧‧RF產生系統122‧‧‧RF電壓產生器124‧‧‧匹配與分配網路130‧‧‧氣體輸送系統132-1‧‧‧氣體源132-2‧‧‧氣體源132-N‧‧‧氣體源134-1‧‧‧閥134-N‧‧‧閥136-1‧‧‧質量流量控制器136-N‧‧‧質量流量控制器140‧‧‧岐管142‧‧‧溫度控制器144‧‧‧熱控制元件146‧‧‧冷卻劑組件150‧‧‧閥152‧‧‧泵浦160‧‧‧系統控制器170‧‧‧機械臂172‧‧‧裝載鎖室176‧‧‧保護性密封件180‧‧‧通道182‧‧‧傳熱氣體源184‧‧‧插塞200‧‧‧基板支撐件204‧‧‧底板208‧‧‧陶瓷層212‧‧‧接合層216‧‧‧保護性密封件220‧‧‧基板224‧‧‧通道228‧‧‧背側232‧‧‧腔室236‧‧‧插塞240‧‧‧上部244‧‧‧下部248‧‧‧間隙252‧‧‧間隙256‧‧‧袋狀部260‧‧‧側壁264‧‧‧底部末端268‧‧‧上表面272‧‧‧箭頭276‧‧‧底部280‧‧‧底表面284‧‧‧上表面
從詳細的實施方式及隨附圖式，將能更完整地理解本揭露內容，其中：
圖1為包括設置在傳熱氣體通道之中的插塞之範例基板支撐件；
圖2為範例處理腔室的功能性方塊圖；
圖3為包括設置在傳熱氣體通道之中的根據本揭露內容之第一範例插塞之範例基板支撐件；及
圖4為包括設置在傳熱氣體通道之中的根據本揭露內容之第二範例插塞之範例基板支撐件。
在該等圖式中，參考數字可重複使用來標示相似及/或相同的元件。
200‧‧‧基板支撐件
204‧‧‧底板
208‧‧‧陶瓷層
212‧‧‧接合層
216‧‧‧保護性密封件
220‧‧‧基板
224‧‧‧通道
228‧‧‧背側
232‧‧‧腔室
236‧‧‧插塞
240‧‧‧上部
244‧‧‧下部
248‧‧‧間隙
252‧‧‧間隙
256‧‧‧袋狀部
260‧‧‧側壁
264‧‧‧底部末端
268‧‧‧上表面
272‧‧‧箭頭
276‧‧‧底部
280‧‧‧底表面

Claims (16)

  1. 一種基板支撐件，包含：一底板；一陶瓷層，其設置在該底板上；一接合層，其設置在該底板與該陶瓷層之間的一第一間隙中；一通道，其穿過該底板、該接合層及該陶瓷層而形成；及一插塞，其設置在該通道中，該插塞包含：一下部，其設置在該底板中，其中該下部包括一袋狀部及包圍該袋狀部的側壁；及一上部，其設置在該陶瓷層中，其中(i)該上部延伸至該陶瓷層及該第一間隙下方並進入該袋狀部之內，(ii)該下部的該側壁與該上部部分重疊以使該上部的一底部末端被包圍在該下部的該袋狀部之內，及(iii)在該上部與該下部之間的一第二間隙係位在該第一間隙下方於該下部的該袋狀部之中，其中存在下列至少一種情況：(i)該下部的該側壁延伸至該底板的一上表面之上並進入該第一間隙之中，以及(ii)該下部的一上表面係大約與該底板的一上表面共平面。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板支撐件，其中該插塞包含多孔的陶瓷。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板支撐件，更包含定義在該底板與該陶瓷層之間的一腔室，其中該腔室的寬度係大於該通道的寬度。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板支撐件，其中該上部在該底板的一上表面下方延伸一第一距離，其中該第一距離對應於該底板的該上表面與該腔室的一底部之間的深度之至少一半。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板支撐件，其中該第一距離對應於該底板的該上表面與該腔室的該底部之間的深度之至少75%。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板支撐件，其中該第二間隙的寬度係低於260微米。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板支撐件，其中該通道係與一傳熱氣體源呈流體連通。
  8. 一種包含申請專利範圍第7項之基板支撐件的系統，更包含該傳熱氣體源，其中該傳熱氣體源含有氦。
  9. 如申請專利範圍第8項之系統，更包含一控制器，該控制器選擇性地控制該傳熱氣體源，以經由該通道來提供氦至安置在該陶瓷層上的一基板的一背側。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板支撐件，更包含複數該通道及複數該插塞，該複數該插塞分別設置在該複數該通道的各者中。
  11. 一種基板處理系統，包含：一基板支撐件；一傳熱氣體源；及一控制器，其中該基板支撐件包括：一底板；一陶瓷層，其設置在該底板上；一接合層，其設置在該底板與該陶瓷層之間的一第一間隙中；複數通道，其穿過該底板、該接合層及該陶瓷層而形成，其中該複數通道係與該傳熱氣體源呈流體連通；及複數插塞，其分別設置在該複數通道的各者中，各個該複數插塞包含： 一下部，其設置在該底板中，其中該下部包括一袋狀部及包圍該袋狀部的側壁；及一上部，其設置在該陶瓷層中，其中(i)該上部延伸至該陶瓷層及該第一間隙下方並進入該袋狀部之內，(ii)該下部的該側壁與該上部部分重疊以使該上部的一底部末端被包圍在該下部的該袋狀部之內，及(iii)在該上部與該下部之間的一第二間隙係位在該第一間隙下方於該下部的該袋狀部之中；其中該控制器選擇性地控制該傳熱氣體源，以經由該複數通道來提供傳熱氣體至安置在該陶瓷層上之一基板的一背側，且其中存在下列至少一種情況：(i)該下部的該側壁延伸至該底板的一上表面之上並進入該第一間隙之中，以及(ii)該下部的一上表面係大約與該底板的一上表面共平面。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理系統，其中該等插塞包含多孔的陶瓷。
  13. 如申請專利範圍第11項之基板處理系統，更包含定義在該底板與該陶瓷層之間的複數腔室，其中該等腔室各者的個別寬度係大於該等通道的寬度。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理系統，其中該上部在該底板的一上表面下方延伸一第一距離，其中該第一距離對應於該底板的該上表面與該等腔室的各者的一底部之間深度的至少一半。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理系統，其中該第一距離對應於該底板的該上表面與該等腔室的各者的該底部之間深度的至少75%。
  16. 如申請專利範圍第11項之基板處理系統，其中該第二間隙的寬度係低於260微米。
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