TWI776318B - 光迴路基板 - Google Patents

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中臣義徳
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日商京瓷股份有限公司
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Abstract

本揭示的光迴路基板係具備：配線基板；以及光波導，係位在配線基板之上。光波導係包含：下部包層；芯層，係位在下部包層之上；上部包層，係位在下部包層之上且覆蓋芯層；第一空腔，係配置成從上部包層跨越至下部包層，且截斷芯層；以及至少兩個第二空腔，係配置成從上部包層跨越至下部包層，且在俯視觀察時位在芯層兩旁。第一空腔係具有位在上部包層側的第一開口部、以及位在下部包層側的第一底部。第二空腔係具有位在上部包層側的第二開口部、以及位在下部包層側的第二底部。連結第二開口部之中心與第二底部之中心的第一直線係相對於光波導之厚度方向而傾斜。

Description

光迴路基板
本發明係關於一種光迴路基板。
近年來，可高速地對大容量之資料進行通信的光通信網正在擴大中，且存在有利用如上述之光通信網的各種光通信機器。如此的機器係例如專利文獻1所記載，在基板搭載有被進行光波導連接的光迴路基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2010-128200號公報
本揭示的光迴路基板係具備：配線基板；以及光波導，係位在配線基板之上。光波導係包含：下部包層；芯層(core)，係位在下部包層之上；上部包層，係位在下部包層之上且覆蓋芯層；第一空腔，係配置成從上部包層跨越至下部包層，且截斷芯層；以及至少兩個第二空腔，係配置成從上部包層跨越至下部包層，且在俯視觀察時位在芯層兩旁之不含有芯層的區域。第一空腔係具有位在上部包層側的第 一開口部、以及位在下部包層側的第一底部。第二空腔係具有位在上部包層側的第二開口部、以及位在下部包層側的第二底部。連結第二開口部之中心與第二底部之中心的第一直線係相對於光波導之厚度方向而傾斜。
本揭示的光學元件搭載模組(module)係包含：上述的光迴路基板；以及位在光迴路基板之上的光學元件。
1:光學元件搭載模組
2:光迴路基板
3:配線基板
4:光波導
5:光學元件
6:CPU
41:芯層
42:包層
42a:下部包層
42b:上部包層
43:反射鏡面部
44:第一空腔
44a’:第一底部
44b’:第一開口部
45:第二空腔
45a’:第二底部
45b’:第二開口部
L1:第一直線
L2:第二直線
L3:第三直線
L4:第四直線
X:區域
圖1(A)顯示包含本揭示之一實施型態的光迴路基板的光學元件搭載模組之俯視圖；圖1(B)為在圖1(A)所示之區域X中，除去光波導之上部包層並俯視觀察時的放大說明圖。
圖2為在圖1(A)所示之區域X中，除去被搭載於光波導的光學元件並俯視觀察時的放大說明圖。
圖3(A)為用以說明形成於圖1(A)所示之光波導的第二空腔之一實施型態的說明圖；圖3(B)為用以說明第一空腔之一實施型態的說明圖。
如專利文獻1所記載，光迴路基板係具有在安裝光學元件時用以使得安裝位置變得明確的對準標記。在光迴路基板中所具備的光波導中形成鏡面(mirror)時，例如有時會以準分子雷射來形成從上部包層貫通到下部包層為止的貫通孔，而同時地在被夾持在上部包層與下部包層的複數個芯層之各者中形成鏡面。在此情形下，會有鏡面的位置因受光迴路基板的翹曲等而從假定位置偏 移地形成的情形。因此，當以事先所設置的對準標記為基準來安裝光學元件時，就有鏡面之位置與光學元件之位置偏移的情況。亦即，難以用對準標記為基準來使光學元件之安裝位置一致，因而光信號在傳輸時損失變大。
本揭示的光迴路基板係包含至少兩個第二空腔，該至少兩個第二空腔係如上述地配置成從上部包層跨越至下部包層，且在俯視觀察時位在芯層兩旁。從而，即便未事先設置有對準標記，仍可在安裝光學元件時將屬於一種空腔的第二空腔作對準標記來使用。第二空腔畢竟為一種空腔，故就其與要形成於安裝光學元件之區域的第一空腔的關係而言，可以比以事先所設置之一般的對準標記作為基準還更精度佳地安裝光學元件。
再者，在第二空腔中，連結第二開口部之中心與第二底部之中心的第一直線係相對於光波導之厚度方向而傾斜。因此，在俯視觀察第二空腔時，第二底部係位在遠離第二開口部處。換言之，會成為不易從第二開口部觀視確認第二底部的狀態。結果，對準用的攝影機(camera)會變得不易受到反射至例如與下部包層接觸的導體層等之光線的影響。從而，在安裝光學元件時可以使第二空腔之辨識性提升。
根據圖1至圖3來說明本揭示之一實施型態的光迴路基板。圖1所示之一實施型態的光學元件搭載模組1係包含：本揭示之一實施型態的光迴路基板2與CPU6。
一實施型態的光迴路基板2係包含：配線基板3、及位在配線基板3之上的光波導4。雖然未針對配線基板3具體地圖示，但是例如可列舉具有一般之增疊層(build-up layer)結構的配線基板。具有增疊層結構的配線基板，具體而言是包含芯基板、以及積層於芯基板之兩面的增疊層。芯基板若為具有絕緣性的 素材，則無特別限定。作為具有絕緣性的素材，例如可列舉：環氧樹脂(epoxy resin)、雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂(bismaleimide triazine resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)、聚苯醚樹脂(polyphenylene ether resin)等樹脂。此等樹脂亦可混合二種以上來使用。
在芯基板亦可包含有補強材料。作為補強材料，例如可列舉：玻璃纖維、玻璃不織布、聚芳醯胺(aramid)不織布、聚芳醯胺纖維、聚酯(polyester)纖維等的絕緣性布材。補強材料亦可同時使用二種以上。再者，在芯基板亦可分散有二氧化矽(slica)、硫酸鋇(barium sulfate)、滑石粉(talc)、黏土(clay)、玻璃、碳酸鈣(calcium carbonate)、氧化鈦(titanium oxide)等的無機絕緣性填充物(filler)。芯基板之厚度並無特別限定，例如是200μm以上且2000μm以下。
一般為了電性連接芯基板之上下表面，而在芯基板配置有貫通孔(through hole)導體。貫通孔導體係位在貫通芯基板之上下表面的貫通孔。貫通孔導體例如是以由銅鍍覆等金屬鍍覆所構成的導體所形成。貫通孔導體係連接於位在芯基板之兩面的導體層。在導體層亦可包含有銲盤(land)。貫通孔導體亦可僅形成於貫通孔之內壁面，亦可填充於貫通孔。
在芯基板之兩面係積層有增疊層。增疊層中所包含的絕緣層若具有與芯基板同樣絕緣性的素材，則無特別限定。作為具有絕緣性的素材，例如可列舉環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯醚樹脂等的樹脂。此等樹脂亦可混合二種以上來使用。在增疊層存在兩層以上之絕緣層的情形，各自的絕緣層亦可為相同的樹脂，或亦可為不同的樹脂。增疊層中所包含的絕緣層與芯基板亦可為相同的樹脂，或亦可為不同的樹脂。
再者，在增疊層中所包含的絕緣層亦可分散有二氧化矽、硫酸鋇、 滑石粉、黏土、玻璃、碳酸鈣、氧化鈦等的無機絕緣性填充劑。增疊層中所包含的絕緣層之厚度並無特別限定，例如是5μm以上且100μm以下。在增疊層存在兩層以上之絕緣層的情形，各自的絕緣層亦可具有相同的厚度，或亦可具有不同的厚度。
一般用以電性連接層間的通孔(via hole)導體係位在增疊層中所包含的絕緣層。通孔導體係位在貫通增疊層中所包含的絕緣層之上下表面的通孔。通孔導體例如是以由銅鍍覆等金屬鍍覆所構成的導體來形成。通孔導體係連接於位在增疊層中所包含的絕緣層之兩面的導體層。在導體層亦可包含有銲盤。通孔導體亦可僅形成於通孔之內壁面，或亦可填充於通孔。
光波導4係位在配線基板3之上表面。如圖1(B)及圖2所示，光波導4係包含芯層41、包層42及反射鏡面部43。光波導4例如亦可隔著位在配線基板3之上表面的導體層而備置。
光波導4中所包含的芯層41係發揮作為光程(optical path)的作用，而侵入至光波導4的光線係在芯層41之側面及下表面一邊重複折射一邊傳送。芯層41之材料並無限定，例如可考慮光線之穿透性或所通過的光線之波長特性等來適當設定。作為材料，例如可列舉環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等。作為芯層41之材料的樹脂之折射率係比作為包層42之材料的樹脂之折射率還大，芯層41內之光線係在芯層41與包層42之交界一邊重複折射一邊傳送。
光波導4中所包含的包層42係具有下部包層42a及上部包層42b。芯層41係位在下部包層42a之上表面，上部包層42b係覆蓋下部包層42a之上表面及芯層41。包層42之材料並無限定，例如可列舉環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等。包層42亦可具有例如10μm以上且20μm以下之厚度。下部包層42a及上部包層42b 亦可具有相同的厚度，或亦可具有不同的厚度。
光波導4中所包含的反射鏡面部43係配置成跨越上部包層42b、芯層41及下部包層42a。反射鏡面部43為第一空腔44形成時被截斷的芯層41之截斷面。反射鏡面部43通常並非與光波導4之厚度方向平行，而是相對於厚度方向具有傾斜。傾斜角度係因應連接於光波導4的光學元件5等而適當設定，例如芯層41與反射鏡面部43所成的角度為35°以上且55°以下左右。第一空腔44可從上部包層42b之上表面貫通到下部包層42a之下表面、亦可未從上部包層42b之上表面貫通到下部包層42a之下表面。
作為第一空腔44之開口部的第一開口部44b’之形狀(亦即俯視觀察上部包層42b時的第一開口部44b’之形狀)並無特別限定。在圖2中，第一開口部44b’係具有三角形狀。但是，第一開口部44b’例如亦可具有：三角形狀、四角形狀、五角形狀、六角形狀等的多角形狀(在多角形狀中亦包含各個頂點具有圓弧狀的多角形狀)、或圓形狀、橢圓(長圓)形狀等的形狀。
如圖2所示，通常複數個芯層41係位在一個光波導4，且在各個的芯層41形成有第一空腔44。在如此的情形，第一開口部44b’亦可全部具有相同的形狀，亦可至少一部分的第一開口部44b’具有不同的形狀。
在光波導4係除了第一空腔44之外，也包含有第二空腔45。第二空腔45係與第一空腔44同樣地配置成從上部包層42b之上表面跨越至下部包層42a，且在俯視觀察光波導4時，至少兩個位在芯層41兩旁。換言之，各個第二空腔45係以包夾的方式位在複數個芯層41兩旁。第二空腔45可從上部包層42b之上表面貫通到下部包層42a之下表面、亦可未從上部包層42b之上表面貫通到下部包層42a之下表面。
第二空腔45係在將光學元件5安裝於光波導4時被當作對準標記來使用。為此，當考慮觀視確認性時，在俯視觀察光波導4時，第二空腔45之平面面積(plane area)較宜為比第一空腔44之平面面積還大。作為第二空腔45之開口部的第二開口部45b’係在圖1(B)及圖2中具有圓形狀。但是，第二開口部45b’例如亦可具有：三角形狀、四角形狀、五角形狀、六角形狀等的多角形狀(在多角形狀中亦包含各個頂點具有圓弧狀的多角形狀)、或圓形狀、橢圓(長圓)形狀等的形狀。與第一開口部44b’同樣，第二開口部45b’亦可全部具有相同的形狀，亦可至少一部分的第二開口部45b’具有不同的形狀。
如圖3(A)所示，在第二空腔45中，連結第二開口部45b’之中心與作為第二空腔45之底部且位於下部包層42a側的第二底部45a'之中心的第一直線L1係相對於光波導4之厚度方向而傾斜(亦即，圖3所示之角度θ1係銳角而並非為90度)。角度θ1係可因應光波導4之大小等而適當設定，例如是30°以上且60°以下左右。在本揭示中，所謂光波導4之厚度方向係指垂直地連結上部包層42b之上表面與下部包層42a之下表面的方向。所謂中心係指例如俯視觀察各個開口部時的重心點。
使第二空腔45具有如此的結構，藉此在俯視觀察第二空腔45時(從圖3之箭頭A觀察的情形)，第二開口部45b’與第二底部45a’係位在分離處。換言之，處於不易從第二開口部45b’觀視確認第二底部45a’的狀態。結果，對準用的攝影機會變得不易受到反射至例如與下部包層42a接觸的導體層等之光線的影響，且在安裝光學元件5時可以使第二空腔45之辨識性提升。
特別是如圖3(A)所示，在剖面觀察第二空腔45時，第二底部45a’較宜存在於無法從第二開口部45b’觀視確認的位置。再者，在俯視觀察第二空腔45 時，第二底部45a'之平面面積較宜為比第二開口部45b’之平面面積還小。如此的平面面積係可以藉由例如具有測量功能的測量顯微鏡觀察來測量。
如圖3(B)所示，用以形成反射鏡面部43的第一空腔44係如上述通常相對於厚度方向具有傾斜。該傾斜角度，亦即連結第一開口部44b’之中心及作為第一空腔44之底部且位於下部包層42a側的第一底部44a’之中心的第二直線L2、與上部包層42b之表面所成的角度θ2，係與在第二空腔45中，連結第二開口部45b’之中心及第二底部45a'之中心的第一直線L1與上部包層42b之表面所成的角度θ1相同為較佳。在此，所謂「相同」並非是完全相同的角度之意思，而是若為8°左右之差(±8°)就視為相同的角度。所謂中心係指如同上述般例如俯視觀察各個開口部後時的重心點。
第一空腔44與第二空腔45所配置的位置並無限定。例如，如圖2所示，在至少形成兩個第一空腔44的情形，連結第一空腔44之第一開口部44b’彼此的第三直線L3、亦可與連結第二空腔45之第二開口部45b’彼此的第四直線L4平行。在第三直線L3與第四直線L4平行的情形，可以更精度佳地安裝光學元件。再者，第三直線L3與第四直線L4亦可一致(重疊)。
第三直線L3亦可不一定要通過第一開口部44b’之中心部，第四直線L4也亦可不一定要通過第二開口部45b’之中心部。當考慮一般的光波導之大小時，第一開口部44b’及第二開口部45b’係較小，而第三直線L3及第四直線L4只要分別通過開口部則無妨。
一實施型態的光迴路基板2例如是以如下方式所形成。首先，準備芯基板。芯基板係藉由對兩面覆銅積層板等絕緣板進行鑽孔(drill)、噴砂(blast)或雷射(laser)加工來形成貫通孔，且藉由減成法在絕緣板表面及貫通孔內形成導體 層。芯基板之上下表面的導體層係藉由作為貫通孔內之導體層的貫通孔導體所導通。
接著，在芯基板之上下表面形成增疊層。增疊層例如是藉由將熱硬化性之絕緣樹脂薄膜在真空下被覆於芯基板之上下表面並予以熱硬化所形成。接著，藉由對增疊層施予雷射加工來形成以導體層作為底部的通孔。在雷射加工後係藉由進行用以除去碳化物等的去膠渣處理來提升通孔與通孔導體之間的密接強度。
接著，利用半加成法在增疊層表面及通孔內藉由鍍銅金屬來形成導體層。增疊層表面之導體層、與位於通孔底部的導體層係藉由作為通孔內之導體層的通孔導體所導通。
藉由重複進行增疊層之形成步驟及導體層之形成步驟就可以將增疊層形成預定的層數。在最上面之增疊層，亦可在形成光波導的位置形成導體層。
接著，藉由將感光性之樹脂薄膜被覆在已形成於最上面之增疊層的導體層，並在曝光及顯影之後進行熱處理來形成下部包層42a。此時，下部包層42a之下部整體會深入於導體層之一樣的凹凸內，藉此會藉由錨定效應而密接。
接著，將感光性之樹脂薄膜被覆在下部包層42a之表面。並且，將具有預定之圖案(pattern)開口的遮罩(mask)配置於樹脂薄膜上並從遮罩之上方進行曝光。經接觸到通過開口後之光線的部分之樹脂薄膜會硬化。然後，藉由進行顯影處理來除去未硬化的部分之樹脂薄膜，藉此形成有具有預定之圖案的芯層41。在曝光時，從上方所照射來的光線係通過開口而接觸到芯層用之樹脂薄膜且 使樹脂薄膜硬化。
接著，以覆蓋下部包層42a之表面及芯層41的方式來被覆感光性之樹脂薄膜，並藉由進行曝光及顯影來形成上部包層42b。
接著，為了形成第一空腔44及第二空腔45而對形成此等之空腔的部分照射雷射。作為雷射，例如是採用準分子雷射，而同時地形成第一空腔44與第二空腔45。具體而言，只要以位於配線基板3之上表面的共通之對準標記為基準對第一空腔44及第二空腔45照射準分子雷射即可。
如此，可以形成一實施型態的光迴路基板2。藉由採用準分子雷射就可同時地形成有：在安裝光學元件時作為對準標記來使用的第二空腔45；以及形成於光學元件之安裝區域的第一空腔44。藉此，例如易使連結上述之第一空腔44彼此的第三直線L3、與連結第二空腔45彼此的第四直線L4成為平行者。換言之，容易使第一空腔44排列的方向與第二空腔45排列的方向一致。結果，以經與第一空腔44之排列一致後的排列之第二空腔45作為基準，係以比以事先所設置之一般的對準標記作為基準還更可精度佳地安裝光學元件。
本揭示的光迴路基板係未限定於上述之一實施型態的光迴路基板2。在上述的光迴路基板2中，在容易更精度佳地安裝光學元件5之點上，連結第一開口部44b’彼此的第三直線L3、與連結第二開口部45b'彼此的第四直線L4平行。但是，第三直線L3與第四直線L4亦可不一定平行。
1:光學元件搭載模組
2:光迴路基板
3:配線基板
4:光波導
5:光學元件
6:CPU
X:區域
42:包層
42a:下部包層
41:芯層
43:反射鏡面部
45:第二空腔

Claims (8)

  1. 一種光迴路基板，係具備：配線基板；以及光波導，係位在該配線基板之上；該光波導係包含：下部包層；芯層，係位在該下部包層之上；上部包層，係位在前述下部包層之上且覆蓋前述芯層；第一空腔，係配置成從前述上部包層跨越至前述下部包層，而截斷前述芯層；以及至少兩個第二空腔，係配置成從前述上部包層跨越至前述下部包層，且在俯視觀察時位在前述芯層兩旁之不含有前述芯層的區域；前述第一空腔係具有位在前述上部包層側的第一開口部、以及位在前述下部包層側的第一底部；前述第二空腔係具有位在前述上部包層側的第二開口部、以及位在前述下部包層側的第二底部；連結前述第二開口部之中心與前述第二底部之中心的第一直線係相對於前述光波導之厚度方向而傾斜。
  2. 如請求項1所述之光迴路基板，其中，前述光波導係隔著導體層而位在前述配線基板之上。
  3. 如請求項1或2所述之光迴路基板，其中，在俯視觀察前述第二空腔時，前述第二底部係位在遠離前述第二開口部處。
  4. 如請求項1或2所述之光迴路基板，其中，前述第二底部之平面面積係比前述第二開口部之平面面積更小。
  5. 如請求項1或2所述之光迴路基板，其中，連結前述第一開口部之中心與前述第一底部之中心的第二直線與前述上部包層之表面所成的角度係與前述第一直線與前述上部包層之表面所成的角度相同。
  6. 如請求項1或2所述之光迴路基板，其中，前述光波導係包含複數個前述芯層與複數個前述第一空腔；由前述第二空腔所包夾的複數個前述芯層之中，至少兩個前述芯層係由前述第一空腔所截斷；連結複數個前述第一空腔之前述第一開口部彼此的第三直線、與連結複數個前述第二空腔之前述第二開口部彼此的第四直線平行。
  7. 如請求項6所述之光迴路基板，其中，前述第三直線與前述第四直線一致。
  8. 一種光學元件搭載模組，係包含：請求項1或2所述之光迴路基板；以及光學元件，係位在該光迴路基板之上。
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