TWI723697B - 光迴路基板 - Google Patents

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Abstract

本發明之光迴路基板1係包含配線基板2與光波導3。光波導3係包含：核心層31、形成於核心層31之兩主面的包覆層32、及貫通包覆層32及核心層31的反射鏡部33，且係隔著位於配線基板2之表面的導體層24而設置於配線基板2。當以厚度方向之剖面觀看光波導3時，反射鏡部33係於導體層24側之包覆層32(32a)的至少一部分具有凹部34。

Description

光迴路基板
本發明係關於一種光迴路基板。
近年來，可將大容量的資料高速地進行通信的光通信網已日益擴大，且存在有利用此種光通信網的各種光通信機器。此種機器係例如專利文獻1所記載，搭載有以光波導連接於基板的光迴路基板。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開平5-241044號公報
本發明之光迴路基板係包含配線基板與光波導。光波導係包含：核心(core)層、形成於核心層之兩主面的包覆層(cladding layer)、及貫通包覆層及核心層的反射鏡(mirror)部，且係隔著位於配線基板之表面的導體層而設置於配線基板。當以厚度方向之剖面觀看光波導時，反射鏡部係於導體層側之包覆層的至少一部分具有凹部。
1:光迴路基板
2:配線基板
3:光波導
21:核心基板
22:增疊層
23:貫通孔導體
24、241、242:導體層
25:通孔導體
31:核心層
32:包覆層
32a、32a1、32a2:下部包覆層
32b:上部包覆層
33:反射鏡部
34、341、342:凹部
θ:角度
第1圖係顯示本發明之一實施型態之光迴路基板之剖面的示意圖。
第2圖係第1圖所示之光迴路基板中之區域X的放大說明圖。
第3圖(A)至(C)係針對形成於反射鏡部的凹部顯示各種形狀的示意圖。
在光迴路基板中，有時光波導係連接於配線基板之表面所形成的導體層上。此時，形成於配線基板的導體層與形成於光波導的包覆層會接觸。導體層係以熱膨脹係數較小的金屬來形成，相對於此，包覆層則以熱膨脹係數比金屬為大的樹脂等來形成。因此，導體層與包覆層之間會因為熱伸縮差而易於剝離。結果使得光迴路基板的穩定性及可靠性降低。
本發明之配線基板，當以厚度方向之剖面觀看光波導時，反射鏡部係在導體層側之包覆層的至少一部分具有凹部。因此，即使導體層與包覆層的熱伸縮差相對地較大，導體層與包覆層之交界所產生的應力也會因為凹部而易於被分散。結果使得導體層與包覆層之間不易剝離，而可提升光迴路基板的穩定性及可靠性。
茲根據第1圖及第2圖來說明本發明之一實施型態的光迴路基板。第1圖所示之一實施型態的光迴路基板1，係包含配線基板2與光波導3。配線基板2係包含核心基板21、及層積於核心基板21之兩面的增疊層(build up layer)22。核心基板21若為以具有絕緣性的素材形成，則無特別限定。以作為具有絕緣性的素材而言，係例如有環氧(epoxy)樹脂、雙馬來醯亞胺三氮雜苯(Bismaleimide- triazine)樹脂、聚醯亞胺(polyimide)樹脂、聚苯醚(Polyphenylene ether)樹脂等樹脂。此等樹脂亦可混合二種以上來使用。核心基板21的厚度並無特別限定，例如為100μm以上2000μm以下。
在核心基板21中，亦可包含有補強材。以補強材而言，係例如有玻璃纖維、玻璃不織布、聚芳醯胺(aramid)不織布、聚芳醯胺纖維、聚酯(polyester)纖維等絕緣性布材。補強材亦可併用二種以上。再者，在核心基板21中，亦可分散有二氧化矽(silica)、硫酸鋇(barium)、滑石粉(talc)、黏土(clay)、玻璃、碳酸鈣、氧化鈦等無機絕緣性填充物(filler)。
在核心基板21中，係形成有貫通孔(through hole)導體23以電性連接核心基板21的上下表面。貫通孔導體23係形成於貫通核心基板21之上下表面的孔。貫通孔導體23係例如由銅鍍覆等金屬鍍覆所構成的導體所形成。貫通孔導體23係連接於形成在核心基板21之兩面的導體層24。在所形成的導體層24中，亦可包含有銲盤(land)(未圖示)。貫通孔導體23亦可僅形成於形成在核心基板21之孔的內壁面，亦可充填於形成在核心基板21的孔。
在核心基板21的兩面，係層積有增疊層22。在第1圖所示的配線基板2中，雖未詳細地顯示有增疊層22的構造，但若具有絕緣層與導體層24分別交替地層積有至少一層的構造即可。
增疊層22中所含的絕緣層，若與核心基板21同樣地以具有絕緣性的素材來形成，則無特別限定。以具有絕緣性的素材而言，係例如有環氧樹脂、雙馬來醯亞胺三氮雜苯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯醚樹脂等樹脂。此等樹脂亦可混合二種以上來使用。當增疊層22中存在二層以上絕緣層時，各個絕緣層係可以 相同的樹脂來形成，亦可以不同的樹脂來形成。增疊層22中所含的絕緣層與核心基板21，係可以相同的樹脂來形成，亦可以不同的樹脂來形成。
再者，在增疊層22中所含的絕緣層中，亦可分散有二氧化矽、硫酸鋇、滑石粉、黏土、玻璃、碳酸鈣、氧化鈦等無機絕緣性填充物。增疊層22中所含之絕緣層的厚度並無特別限定，例如為5μm以上100μm以下。當增疊層22存在二層以上絕緣層時，各個絕緣層係可具有相同的厚度，亦可具有不同的厚度。
在增疊層22中所含的絕緣層中，係形成有用以電性連接層間的通孔(via hole)導體25。通孔導體25係形成於貫通增疊層22中所含之絕緣層之上下表面的孔。通孔導體25係例如以銅鍍覆等金屬鍍覆所構成的導體來形成。通孔導體25係連接於形成在增疊層22中之絕緣層之兩面的導體層24。在所形成的導體層24中，亦可包含銲盤(未圖示)。通孔導體25亦可僅形成於形成在增疊層22中所含之絕緣層之孔的內壁面，亦可充填於形成在增疊層22中所含之絕緣層的孔。
在配線基板2的上表面，係隔著形成在配線基板2之表面(增疊層22的表面)的導體層24而設置有光波導3。如第2圖所示，光波導3係包含核心層31、包覆層32、及反射鏡部33。
光波導3中所含的核心層31係發揮作為光程的作用，而侵入光波導3的光係通過核心層31。形成核心層31的材料並無限定，例如可考慮光的穿透性或所通過之光的波長特性等而適當設定。以材料而言，係例如有環氧樹脂、矽酮(silicone)樹脂等。核心層31亦可具有例如20μm以上40μm以下的厚度。
光波導3中所含的包覆層32，係形成於核心層31的兩主面，在第2圖所示的光波導3中，導體層24側的包覆層32為下部包覆層32a，而另一方的包覆層32則為上部包覆層32b。形成包覆層32的材料並無限定，例如有環氧樹脂、矽 酮樹脂等。包覆層32亦可具有例如5μm以上60μm以下的厚度，下部包覆層32a及上部包覆層32b係可具有相同的厚度，亦可具有不同的厚度。
光波導3中所含的反射鏡部33，係形成為朝厚度方向貫通上部包覆層32b、核心層31及下部包覆層32a。反射鏡部33並未形成為與光波導3的厚度方向平行，而是形成為相對於厚度方向具有傾斜。傾斜角度係依據光波導3的厚度或搭載光迴路基板1的機器等而適當設定，例如，核心層31與反射鏡部33所構成的角度係40度以上50度以下左右。
反射鏡部33之開口部的形狀，意即從上部包覆層32b俯視觀看反射鏡部33時的形狀並無特別限定。例如，反射鏡部33的開口部亦可具有三角形、四角形、五角形、六角形等多角形(多角形亦包含各頂點具有帶弧狀的多角形)、及圓形、橢圓(長圓)形等形狀。為了在反射鏡部33的周圍充分地確保形成通孔導體等的區域，反射鏡部33的開口部較佳為具有三角形(三角形亦包含各頂點具有帶弧狀的三角形)。
當以厚度方向之剖面觀看光波導時，反射鏡部33係在導體層24側之包覆層32(下部包覆層32a)的至少一部分具有凹部34。所謂厚度方向係指從上部包覆層32b上表面涵蓋至下部包覆層32a下表面的方向。凹部34係以下部包覆層32a的至少一部分從反射鏡部33朝向水平面方向凹陷之方式形成。所謂水平面方向，係指平行於導體層24上表面的方向。如第2圖所示，當凹部34位於由反射鏡部33之內壁面與導體層24所構成之角度為銳角之側時，導體層24與下部包覆層32a的交界將不易剝離，此為其有利之處。換言之，在應力施加於光波導3時，由於凹部34位於在導體層24與下部包覆層32a的交界中容易成為剝離之起點的部分，故可降低剝離。
凹部34的大小並無限定，例如凹部34之水平面方向的長度，亦可為5μm以上15μm以下左右。所謂凹部34之水平面方向的長度，係指當從反射鏡部33側觀看凹部34時，從反射鏡部33至凹部34之最深部為止的長度，相當於第3圖(A)所示的L1。凹部34之厚度方向的長度，亦可為3μm以上10μm以下左右。所謂凹部34之厚度方向的長度，係指當從反射鏡部33側觀看凹部34時，寬度最廣之部分的長度，相當於第3圖(A)所示的L2。當L1較L2更大時，由於第3圖(A)所示的θ變小，因此導體層24與下部包覆層32a的交界將不易剝離，此為其有利之處。
在第2圖中，當以厚度方向之剖面觀看光波導3時，凹部34係具有彎曲部。由於凹部34具有彎曲部，可使在導體層24與下部包覆層32a之交界中所產生的應力更為分散。結果，使得導體層24與下部包覆層32a的界面更不易剝離。再者，凹部34的開口部係與導體層24接觸。在此接觸部分中，當以厚度方向之剖面觀看光波導3時，導體層24與下部包覆層32a所構成的角度θ為銳角。藉由將角度θ設為銳角，即不易在導體層24與下部包覆層32a的交界中變成剝離的起點。
如光波導3般地形成凹部34的方法並無限定，亦可例如形成如下。首先，在配線基板2的表面(增疊層22的表面)形成導體層24。接著，使成為光波導3之材料的核心層31與包覆層32的層積體(光波導的前軀體)連接於導體層24的上表面。接著，在此層積體形成反射鏡部33。反射鏡部33係例如藉由雷射加工而形成。將該雷射的能量較通常更加強若干，具體而言，係以加強到會反射至導體層24而不會對於導體層24造成損壞的程度之方式形成反射鏡部33。如此，藉由將雷射的能量較通常更加強若干以進行加工，使反射於導體層24的雷射，侵蝕下部包覆層32a而形成凹部34。
本發明之光迴路基板不限定於上述的一實施型態。例如，在上述的光迴路基板1中，如第3圖(A)所示，凹部34的開口部係與導體層24接觸。然而，如第3圖(B)及(C)所示，凹部的開口部亦未必要與導體層接觸。
在第3圖(B)中，凹部341的開口部雖未與導體層241接觸，但當以厚度方向之剖面觀看光波導時，下部包覆層32a1與導體層241所構成的角度θ1為銳角。角度θ1若為銳角，則如上所述，即不易在導體層241與下部包覆層32a1的交界成為剝離的起點。
另一方面，在第3圖(C)中，凹部342的開口部並未與導體層242接觸，當以厚度方向之剖面觀看光波導時，下部包覆層32a2與導體層242所構成的角度θ2係鈍角。角度θ2雖為鈍角，但以朝厚度方向之剖面觀看光波導時，凹部342係具有彎曲部。由於凹部342具有彎曲部，因此如上所述，可使在導體層242與下部包覆層32a2之交界中所產生應力更為分散。結果使得導體層242與下部包覆層32a2的界面更不易剝離。
當以厚度方向之剖面觀看光波導時，如第3圖(A)至(C)所示的凹部34、341、342係均具有彎曲部。然而，凹部亦未必要具有彎曲部。凹部若以下部包覆層之至少一部分從反射鏡部朝水平面方向凹陷之方式形成，則亦可為彎曲部以外的構造。本發明之光迴路基板係可藉由設置凹部，而使在導體層與下部包覆層之交界所產生的應力分散。
3:光波導
24:導體層
31:核心層
32:包覆層
32a:下部包覆層
32b:上部包覆層
33:反射鏡部
34:凹部
θ:角度

Claims (7)

  1. 一種光迴路基板，係包含配線基板與光波導；前述光波導係包含：核心層、形成於核心層之兩主面的包覆層、及貫通該包覆層及前述核心層的反射鏡部，且係隔著位於前述配線基板之表面的導體層而設置於前述配線基板；當以厚度方向之剖面觀看前述光波導時，前述反射鏡部係於前述導體層側之前述包覆層的至少一部分具有朝向平行於前述導體層的上表面的水平面方向凹陷之凹部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光迴路基板，其中，當以前述剖面觀看時前述凹部係具有彎曲部。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光迴路基板，其中，當以前述剖面觀看前述光波導時，前述凹部係位於由前述核心層之下表面與前述反射鏡部之壁面所構成之角度為鈍角之部分的下側。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光迴路基板，其中，前述凹部的開口部係與前述導體層接觸，而當以前述剖面觀看時，在接觸部分中前述導體層與前述包覆層所構成的角度為銳角。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光迴路基板，其中，在前述剖面觀看時，前述凹部之水平面方向的長度係較厚度方向之長度更大。
  6. 一種光迴路基板，係包含配線基板與光波導；前述光波導係包含：核心層、形成於核心層之兩主面的包覆層、及貫通該包覆層及前述核心層的反射鏡部，且係隔著位於前述配線基板之表面的導體層而設置於前述配線基板； 當以厚度方向之剖面觀看前述光波導時，前述反射鏡部係於前述導體層側之前述包覆層的至少一部分具有凹部，該凹部係具有彎曲部。
  7. 一種光迴路基板，係包含配線基板與光波導；前述光波導係包含：核心層、形成於核心層之兩主面的包覆層、及貫通該包覆層及前述核心層的反射鏡部，且係隔著位於前述配線基板之表面的導體層而設置於前述配線基板；當以厚度方向之剖面觀看前述光波導時，前述反射鏡部係於前述導體層側之前述包覆層的至少一部分具有凹部，當以前述剖面觀看前述光波導時，前述凹部係位於由前述核心層之下表面與前述反射鏡部之壁面所構成之角度為鈍角之部分的下側。
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