JP2003294965A - 光導波路デバイス、その製造方法及び基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光導波路積層体上に搭載される光学素子との
間で光の入出射を可能とする切り込みが形成された光導
波路デバイスであって、基板とクラッドとの境界面で界
面剥離が発生しにくい光導波路デバイス、その製法、そ
れに用いる基板を提供する。 【解決手段】 基板上に、クラッドとコアを含む光導波
路積層体を備え、コアを横切り、且つ基板の法線方向に
対して傾斜して切り込みが形成され、コアと切り込みの
境界面を反射面としてコアと基板外部との間で光の入出
射を可能とする光導波路デバイスにおいて、切り込みの
先端部が基板内に侵入し、その周囲領域がクラッドと同
一の材料で構成されている光導波路デバイス；基板の、
切り込みが形成される位置に凹部を設け、これをクラッ
ドと同一の材料で充填し、次に光導波路積層体を形成
し、これに切り込みを形成する工程を含む光導波路デバ
イスの製法；及び切り込みが形成されるべき位置に凹部
を有する基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路デバイ
ス、その製造方法及びそれに用いる基板に関し、特に、
光導波路積層体上に搭載される光学素子との間で光の入
出射を可能とする切り込みが形成された光導波路デバイ
ス、その製造方法及びそれに用いる基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年のパソコンやインターネットの普及
に伴い、情報伝送需要が急激に増大している。このた
め、伝送速度の速い光伝送を、パソコン等の末端の情報
処理装置まで普及させることが望まれている。これを実
現するには、光インターコネクション用に、高性能な光
導波路を、安価かつ大量に製造する必要がある。

【０００３】光導波路の材料としては、ガラスや半導体
材料等の無機材料や、樹脂が知られている。無機材料に
より光導波路を製造する場合には、真空蒸着装置やスパ
ッタ装置等の成膜装置により無機材料膜を成膜し、これ
を所望の導波路形状にエッチングすることにより製造す
る方法が用いられる。しかしながら、真空蒸着装置やス
パッタ装置は、真空排気設備が必要であるため、装置が
大型で高価である。また、真空排気工程が必要であるた
め工程が複雑になる。これに対し、樹脂によって光導波
路を製造する場合には、成膜工程を、塗布と加熱により
大気圧中で行うことができるため、装置及び工程が簡単
であるという利点がある。また、光導波路ならびにクラ
ッド層を構成する樹脂としては、種々のものが知られて
いるが、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高く、耐熱性に優れ
るポリイミドが特に期待されている。ポリイミドにより
光導波路及びクラッド層を形成した場合、長期信頼性が
期待でき、半田付けにも耐えることができる。

【０００４】樹脂製の光導波路デバイスは、一般的に
は、基板上に、光ファイバ搭載用のＶ溝を設け、さらに
樹脂製の下部クラッド、コア（光導波路）及び上部クラ
ッドを含む光導波路積層体を積層することにより製造さ
れる。さらに、図３に示すように、光導波路積層体上に
搭載される光学素子との間で光の入出射を可能とするた
め、基板表面に対してある一定の角度を持ち、コアを切
断する切り込みがダイシング技術等を用いて形成され
る。この切り込みとコアとの２つの境界面のうち、基板
表面と鋭角をなす境界面が反射面とされ、この反射面が
光を反射することによってコアと光導波路積層体上に搭
載される光学素子との間で光の入出射が可能とされる。

【０００５】このような構成の光導波路デバイスでは、
一般に基板と光導波路積層体とが異質の材料で形成され
ているため、上記切り込みをダイシング等により形成す
る際に、基板と光導波路積層体、具体的には基板と下部
クラッドとの境界面で界面剥離が発生し易く、結果的
に、図４に示すように、光反射面の角度が変化し、コア
と光導波路積層体上に搭載される光学素子の受発光位置
から光軸がずれて光の入出射効率が低下するという問題
がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、これ
らの従来の問題点を解決することにあり、光導波路積層
体上に搭載される光学素子との間で光の入出射を可能と
する切り込みが形成された光導波路デバイスであって、
基板と下部クラッドとの境界面で界面剥離が発生しにく
い光導波路デバイス、その製造方法及びそれに用いる基
板を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、下記の光導波
路デバイス、その製造方法及びそれに用いる基板を提供
するものである。 （１） 基板上に、下部クラッド、コア及び上部クラッ
ドを含む光導波路積層体を設けた光導波路デバイスであ
って、該コアを横切るように且つ基板の法線方向に対し
て傾斜して切り込みが形成され、該コアと該切り込みの
境界面を反射面として該コアと該基板外部との間で光の
入出射を可能とする光導波路デバイスにおいて、該切り
込みの先端部が該基板内に侵入し、該基板内に侵入した
切り込みの周囲領域が下部クラッドと同一又は類似の材
料で構成されていることを特徴とする光導波路デバイ
ス。 （２） 光導波路積層体がポリマーで形成されている
（１）記載の光導波路デバイス。 （３） ポリマーがポリイミド樹脂である（２）記載の
光導波路デバイス。 （４） 基板が、無機材料又は高分子材料である（１）
〜（３）のいずれか１項記載の光導波路デバイス。 （５） 下部クラッドと同一又は類似の材料で構成され
ている、基板内に侵入した切り込みの周囲領域の厚みが
少なくとも２０μｍである（１）〜（４）のいずれか１
項記載の光導波路デバイス。 （６） 基板がポリマー製である（１）〜（５）のいず
れか１項記載の光導波路デバイス。 （７） 下記の工程を含む、請求項１〜６のいずれか１
項記載の光導波路デバイスの製造方法。基板の、切り込
みが形成されるべき位置に凹部を設ける工程、該凹部を
下部クラッドと同一又は類似の材料で充填する工程、下
部クラッド、コア及び上部クラッドを含む光導波路積層
体を形成する工程、及び切り込みを形成する工程。 （８） 凹部及び切り込みの形成がダイシングにより行
われる（７）記載の製造方法。 （９） 凹部の深さが１５０〜２００μｍ、幅が１００
〜２００μｍである（８）記載の製造方法。 （１０） （１）〜（６）のいずれか１項記載の光導波
路デバイスの製造に使用する基板であって、切り込みが
形成されるべき位置に凹部を有することを特徴とする基
板。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の光導波路デバイスの一実
施形態である光導波路デバイス１００の構成を図１及び
図２を用いて説明する。光導波路デバイス１００は、シ
リコン単結晶の基板１上に、光導波路積層体１０が搭載
された領域と、Ｖ溝２１が配置された領域２０と、発光
素子または受光素子を搭載するための電極７が配置され
た領域３０とを有している。光導波路積層体１０は、コ
ア４を含み、本実施の形態では、コア４をポリイミド樹
脂により構成している。基板１の、切り込み２７が形成
されるべき部位には凹部６が形成され、この凹部６に
は、下部クラッドと同一又は類似の材料が充填されてい
る。ここで「類似の材料」とは、ダイシング時の加工負
荷がほぼ等しくなるような物性を有する材料を意味す
る。例えば、引張強度、切削抵抗、表面硬度等の物性が
同一又は近似している材料を意味する。凹部の深さ及び
幅は、凹部内に侵入した切り込みの周囲領域の厚みが少
なくとも２０μｍとなるような大きさとすることが望ま
しい。切り込みの間隙の幅ｔが２０μｍ程度であり、基
板内に侵入した切り込みの深さが１００μｍ程度の場
合、凹部の深さは１５０〜２００μｍ、幅は１００〜２
００μｍ程度が適当である。

【０００９】光導波路積層体１０の構造についてさらに
説明する。基板１の上面には、基板１を保護し、屈折率
を調整するための二酸化珪素層２が備えられ、光導波路
積層体１０は、二酸化珪素層２の上に形成されている。
光導波路積層体１０は、二酸化珪素層２の上に、順に積
層された、有機ジルコニウム化合物層（図示されていな
い）と、フッ素を含まない樹脂層（図示されていない）
と、下部クラッド３と、コア４と、コア４を埋め込む上
部クラッド５と、保護層（図示されていない）とを含ん
でいる。下部クラッド３、コア４及び上部クラッド５
は、いずれもフッ素を含むポリイミド樹脂により形成さ
れている。なお、有機ジルコニウム化合物層及びフッ素
を含まない樹脂層は、基板１と下部クラッド３との接着
性を高めるために配置されている。

【００１０】下部クラッド３及び上部クラッド５は、い
ずれも、第１のポリイミド樹脂膜からなる。下部クラッ
ド３の膜厚は、約６μｍ、上部クラッド５の膜厚は、コ
ア４の直上で約１０μｍ、他の部分で約１５μｍであ
る。コア４は、第２のポリイミド樹脂膜からなり、その
膜厚は約６．５μｍである。保護層は、第３のポリイミ
ド樹脂膜であり、その膜厚は、コア４から離れた端部で
約５μｍである。

【００１１】光導波路積層体１０には、図１及び２に示
すようにコア４を横切って切り込み２７が形成されてい
る。切り込み２７の先端部は凹部６内に侵入し、凹部内
に充填された少なくとも２０μｍの厚みを有する下部ク
ラッドと同一又は類似の材料により囲まれている。この
切り込み２７は、基板１の法線方向に対して、好ましく
は５°〜５０°の範囲の所望の角度αで傾斜している。
この実施態様ではαは３０°としてある。切り込み２７
がコア４を横切る面、すなわち切り込み２７の切断面は
コア４の伝搬光が散乱するのを防ぐために光学的に滑ら
かな面に形成されている。

【００１２】この切り込み２７には、コア４を伝搬する
光の一部を上向きに反射させる反射フィルム等所望の光
学素子を挿入することができる。例えば、反射フィルム
として、波長を選択して一部波長の光を反射し、残りを
透過するダイクロイックミラーフィルムや、特定の偏光
を反射し、残りを透過する偏光ミラーフィルム等のフィ
ルム状光学素子を挿入することができる。なお、切り込
み２７の間隙の幅ｔは、挿入する光学素子の厚さに対し
て広過ぎると光のロスが生じるため、挿入する光学素子
の厚さに合わせた大きさにすることが望ましい。一般に
に切り込みの幅ｔは１５〜５０μｍにすることが望まし
い。光導波路積層体１０の上面には電極１０７が配置さ
れている。電極１０７は、例えば、切り込み２７とコア
４との境界面又は切り込み２７に挿入された反射部材に
より、上方に向けて反射された光を受光する受光素子を
搭載するために使用できる。

【００１３】基板１上の領域２０に配置されたＶ溝２１
は、光ファイバを搭載するためのものである。Ｖ溝２１
は、予め定められた径の光ファイバを搭載した場合、コ
ア４とアライメン卜した状態となるよう、その深さ及び
幅が設計されている。従って、例えば、電極７上に発光
素子を搭載した場合には、発光素子から発せられた光
は、コア４に入射して、これを伝搬し、コア４から出射
され、Ｖ溝２１に搭載された光ファイバに高効率で入射
する。また、電極１０７上に受光素子を搭載した場合に
は、光ファイバを伝搬してきた光が、光ファイバから出
射されると高効率でコア４に入射して、これを伝搬し、
切り込み２７とコア４との境界面又は切り込み２７に挿
入された反射部材により、上方に向けて反射され、受光
素子で受光される。

【００１４】Ｖ溝２１は、シリコン単結晶の基板１を異
方性エッチングすることにより形成された深さ約１００
μｍの溝であり、断面はＶ字型である。Ｖ溝２１が配置
された領域２０と光導波路積層体１０との境界には、図
１及び図２に示すように光導波路積層体１０の端面を切
断する際に形成された切り込み２５が存在している。同
様に、電極７の領域３０と光導波路積層体１０との境界
にも切り込み２６が存在している。

【００１５】次に、本発明の光導波路デバイスの製造方
法について、図１及び２を用いて説明する。 基板上に光ファイバ搭載用のＶ溝及び凹部６を形成する
工程 ここでは、基板１として直径約１２．７ｃｍのシリコン
ウエハを用意し、この基板１の上に図１の構造を縦横に
多数配列して形成し、後の工程でダイシングにより切り
離して、個々の光導波路デバイス１００に分離する。こ
れにより、多数の図１の光導波路デバイス１００を量産
することができる。よって、成膜やパターニング等は、
ウエハ状の基板１全体で一度に行う。まず、ウエハ状の
基板１の上面全体に、二酸化珪素層を熱酸化法や気相堆
積法等により形成した後、フォトリソグラフィとシリコ
ン単結晶の異方性を利用したウエットエッチングによ
り、Ｖ溝２１を配列して形成する。

【００１６】このウエハ状の基板１の上に金属膜を成膜
してパターニングすることにより、図１の電極７を形成
する。これにより、ウエハ状の基板１には、Ｖ溝２１と
電極７とが多数配列されて形成される。次に、基板１の
切り込み２７が形成されるべき位置に凹部６をダイシン
グ等により形成する。この凹部６の深さは、１５０〜２
００μｍ、幅は１００〜２００μｍ程度が適当である。
次に、ウエハ状の基板１の全体に有機ジルコニウム化合
物層を形成する。まず、有機ジルコニウム化合物溶液を
基板１全体に、５〜１５分子層である５０〜１５０Å厚
となるようにスピンコートした後、得られた塗膜を１６
０°Ｃで５分程度加熱して乾燥させ、有機ジルコニウム
化合物層を形成する。有機ジルコニウム化合物溶液とし
ては、例えば、トリブトキシアセチルアセトネートジル
コニウムをブタノールに溶解して、１重量％溶液に調製
したものを用いる。

【００１７】次に、有機ジルコニウム化合物層の上に、
フッ素を含まない樹脂層形成用組成物をスピンコートで
塗布し、得られた塗膜を加熱して溶媒を蒸発させ、さら
に加熱して硬化させることにより、フッ素を含まない樹
脂層を形成する。フッ素を含まない樹脂層の厚さは、
０．２３μｍとなるようにスピンコートの条件を制御す
る。次に、ウエハ状の基板１の上面のうち、完成後の光
導波路デバイスで光導波路積層体１０が配置されていな
い領域２０，３０となる部分について、フッ素を含まな
い樹脂層と、有機ジルコニウム化合物層を除去する。ウ
エハ状の基板１には光導波路デバイスを縦横に配列して
製造しているため、ウエハ状の基板１の上面のうち、領
域２０及び領域３０は、光導波路積層体１０の両脇の帯
状の部分である。この帯状の部分からフッ素を含まない
樹脂層と有機ジルコニウム化合物層とを除去しておくこ
とにより、下部クラッド３がこの帯状部分では基板１か
ら剥がれやすくなるため、後述の工程で、基板１の領域
２０，３０の部分から光導波路積層体１０を帯状に剥が
して除去することが可能になる。

【００１８】基板１上の領域２０，３０からフッ素を含
まない樹脂層と有機ジルコニウム化合物層とを除去する
方法について、具体的に説明する。まず、ウエハ状の基
板１の全面にレジスト液をスピンコートし、１００℃で
乾燥することによりレジスト膜を形成する。この後、水
銀ランプでフォトマスクの像を露光する。フォトマスク
は、光導波路積層体１０を形成すべき部分にのみレジス
ト膜が残るように形成されている。その後、レジスト膜
を現像する。これによりレジスト膜のみならず、フッ素
を含まない樹脂層もウエットエッチングされ、両者をほ
ぼ除去することができる。

【００１９】この方法は、レジスト膜の露光及び現像を
繰り返すという簡単な工程で、フッ素を含まない樹脂層
をＶ溝２１から完全に除去できるという利点がある。こ
の後、フッ酸を用いたウエットエッチングまたは反応性
イオンエッチングにより、有機ジルコニウム化合物層を
除去する。有機ジルコニウム化合物層は、膜厚が非常に
薄いため、Ｖ溝２１の内部の層もウエットエッチングま
たは反応性イオンエッチングにより除去することができ
る。 最後に、 レジスト膜を除去する。

【００２０】基板上に下部クラッド３を形成する工程 次に、ウエハ状の基板１の上面全体に前述の第１のポリ
イミド樹脂膜形成用組成物（すなわち、下部クラッド３
形成用組成物）をスピンコートして材料溶液膜を形成す
る。この際、材料溶液が凹部６を充填する。その後、乾
燥器で１００℃で３０分、次いで、２００℃で３０分カロ
熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて３７０℃で６
０分加熱することにより硬化させ、厚さ６μｍの下部ク
ラッド３を形成するとともに、凹部６を同一の材料で充
填する。

【００２１】下部クラッド３上にコア４を形成する工程 この下部クラッド３の上に、コア用の前述の第２のポリ
イミド樹脂膜形成用組成物をスピンコートして材料溶液
膜を形成する。その後、乾燥器で１００℃で３０分間、
次いで、２００℃で３０分間加熱することにより溶媒を
蒸発させ、続いて３５０℃で６０分間加熱することによ
り硬化を行い、コア４となる厚さ６．５μｍの第２のポ
リイミド樹脂膜を形成する。

【００２２】次に、第２のポリイミド樹脂膜（即ち、コ
ア４となる層）上に、シリコン含有レジスト層（通常は
膜厚約１μｍ程度）を設け、該レジスト層を所望のコア
４のパターンを有するフォトマスクを介して露光、現像
してレジストパターンを形成する。露光は紫外線を用い
て通常は３０秒〜１２０秒程度行えばよい。現像は、ア
ルカリ性現像液をスプレーし、室温（約２３℃）で約９
０秒程度で充分に行われる。該レジストパターンをエッ
チングマスクとして、コア４となる樹脂層をエッチング
して、所望のコア４を形成する。エッチングは、レジス
トパターンをエッチングマスクとして、酸素イオンを用
いた反応性イオンエッチング（Ｏ₂−ＲＩＥ）により行
う。これにより、基板１上に多数の光導波路デバイスを
配列して一度に形成することができる。

【００２３】上部クラッド５及び保護層を形成する工程 次に、コア４及び下部クラッド３を覆うように、第１の
ポリイミド樹脂膜形成用組成物をスピンコートする。得
られた材料溶液膜を、乾燥器で１００℃で３０分間、次
いで、２００℃で３０分間加熱して材料溶液膜中の溶媒
を蒸発させ、３５０℃で６０分間加熱することにより第
１のポリイミド樹脂膜の上部クラツド５を形成する。さ
らに、上部クラッド５の上面に、フッ素を含まないポリ
イミド樹脂膜形成用組成物をスピンコートし、乾燥器で
１００℃で３０分間、２００℃で３０分間加熱して溶媒
を蒸発させ、次いで、３５０℃で６０分間加熱して、上
面がほぼ平坦でコア４から離れた端部の部分の厚さが約
５μｍのフッ素を含まないポリイミド樹脂膜の保護層を
得る。

【００２４】次に、下部クラッド３から保護層までの各
層は、これらが不要な領域２０及び３０にも配置されて
いるため、これを剥がして除去する。すなわち、領域２
０と光導波路積層体１０との境界、及び、光導波路積層
体１０と領域３０との境界にそれぞれダイシングにより
切り込み２５，２６を入れ、下部クラッド３から保護層
９までの各層を切断する。このとき、ダイシングによる
切り込みの深さは、光導波路積層体１０は切断される
が、基板１は切り離されない深さにする。先の工程で、
領域２０及び領域３０の基板１の上面からは、有機ジル
コニウム化合物層とフッ素を含まない樹脂層が除去され
ているため、領域２０及び領域３０では下部クラッド３
と基板１との密着力は小さい。したがって、領域２０及
び領域３０の上に搭載されている下部クラッド３から保
護層間での各層は、切り込み２５，２６を入れたことに
より、ウエハ状の基板１から帯状に容易に剥がすことが
できる。これにより、ウエハ状の基板１において、領域
２０及び領域３０では基板上面（二酸化珪素層）が露出
される。

【００２５】切り込み２７を形成する工程 次に、ウエハ状の基板１のまま、光導波路積層体１０に
ダイシングブレード（砥粒を表面に付着させたディスク
形状の研削工具）を斜め方向（基板１の法線方向に対し
て３０°）に切り込み、切り込み２７を形成する。使用
するダイシングブレードの粗さは、ＪＩＳ規格相当品で
３０００番以上７０００番以下、好ましくは３０００番
以上４５００番以下が望ましい。粗さが３０００番未満
のブレードでは粗過ぎて切り込み２７の研削面が粗い面
となり、コア４の伝搬光を散乱する。一方、ブレードの
粗さが７０００番を超えると、細か過ぎて、ダイシング
ブレードが目詰まりし易く、光導波路積層体１０が基板
１から剥がれるおそれがある。この実施態様では粗さ４
５００番、厚さ２０μｍのダイシングブレードを用い
た。ダイシングブレードの送り速度は１．０mm／ｓ〜
５．０mm／ｓが望ましい。この範囲の送り速度は、半導
体素子製造時のダイシングブレードの送り速度の約１／
１０である。このようにゆっくりした送り速度でダイシ
ングブレードを、ポリイミド樹脂製の光導波路積層体１
０に切り込むことにより、切削面を研磨面と同程度に光
学的に滑らかな面に形成することができる。また形成さ
れた切り込み２７の形状は、先端部（底部）から開口部
まで間隙の幅ｔが２３μｍで一定であり、高精度に形成
されていた。また、切削面が光学的に滑らかであるた
め、仕上げのための研磨等は不要である。

【００２６】光導波路デバイス１００を形成する工程 次に、ウエハ状の基板１をダイシングにより切断するこ
とにより、短冊状に切り出し、この短冊状の基板１をダ
イシングにより、個々の光導波路デバイス１００に切り
出し、光導波路デバイス１００を完成させる。なお、基
板１を切断するダイシング工程の手順は、この手順に限
られるものではなく、縦横にメッシュ状にダイシングし
て光導波路デバイス１００を形成することも可能であ
る。この実施態様の光導波路積層体のコア４は直線形状
であるが、光導波路積層体１０のコア４の形状は、光導
波路デバイスとして必要とされる機能に合わせて直線形
状に限らずｙ分岐やｘ型等の所望の形状にすることがで
きる。また、コアの形状に合わせて、Ｖ溝２１や、電極
７、電極１０７を複数個備える構成にすることも可能で
ある。

【００２７】また、こうして製造される光導波路デバイ
ス１００は、下部クラッド３から上部クラッド５まで全
ての層をポリイミド樹脂で形成しているため、Ｔｇが高
く、耐熱性に優れている。よって、本実施の形態の光導
波路デバイス１００は、高温になっても伝搬特性を維持
できる。また、ポリイミド樹脂は、半田付け等の高温工
程にも耐えることができるため、光導波路デバイスの上
にさらに別の光導波路デバイスや電気回路素子や発光素
子を半田付けすることも可能である。

【００２８】なお、上記実施態様では、基板１に凹部６
を設け、この凹部に下部クラッド３と同一又は類似の材
料を充填しておくことにより、基板１と下部クラッド３
との境界面が切り込み２７と接するのを回避している。
しかし、基板１と下部クラッド３との境界面が切り込み
２７と接するのを回避して、本発明の目的を達成するた
めの手段は上記方法に限られない。例えば、基板１を、
下部クラッド３と同一又は類似の材料で、例えば、下部
クラッド３をポリイミド樹脂で構成する場合には、基板
１を、下部クラッド３を構成するフッ素化ポリイミド樹
脂と同一又は類似の樹脂（例えば、フッ素化ポリイミド
樹脂、ポリイミド樹脂等）で構成することもできる。

【００２９】本発明の光導波路デバイス１００を用い
て、光通信装置を製造することにより、光ファイバとコ
ア４とのアライメントが容易で、結合効率の高い高性能
な光通信装置を安価に製造することができる。なお、本
発明において光導波路デバイスとは、基板として、ガラ
ス、石英等の無機材料、シリコン、ガリウムヒ素、アル
ミニウム、チタン等の半導体や、金属材料、ポリイミ
ド、ポリアミド等の高分子材料、またはこれらの材料を
複合化した材料を用いて、これら基板の上に、光導波路
を設けたもの、及びさらに、光合波器、光分波路、光減
衰器、光回折器、光増幅器、光干渉器、光フィルタ、光
スイッチ、波長変換器、発光素子、受光素子あるいはこ
れらが複合化されたものなどを形成したものを指す。上
記の基板上には、発光ダイオード、フォトダイオード等
の半導体装置や金属膜を形成することもあり、更に基板
の保護や屈折率調整などのために、基板上に、上述のと
おり二酸化珪素被膜を形成したり、あるいは、窒化シリ
コン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化タン
タルなどの被膜を形成してもよい。

【００３０】

【発明の効果】本発明の光導波路デバイスの製造方法で
は、基板１内の、切り込み２７が形成される部位に予め
凹部が設けられ、この凹部に下部クラッド３と同一又は
類似の材料が充填されているため、形成された切り込み
２７に、基板１と下部クラッド３との境界面が接するこ
とはない。このため、基板１と下部クラッド３との境界
面で界面剥離が発生することはなく、光反射面の角度が
変化したり、コアの光軸がずれて光の入出射効率が低下
するという問題が解消される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態の模式化した光導波路デ
バイス１００を示す斜視図である。

【図２】図１の光導波路デバイスのＡ−Ａ´断面図であ
る。

【図３】従来の、切り込みを有する光導波路デバイスの
断面図である。

【図４】従来の、切り込みを有する光導波路デバイスに
おける境界面の剥離状態を示す断面図である。

【符号の説明】

１：シリコン基板、２：二酸化珪素層、３：下部クラッ
ド、４：コア、５：上部クラッド、６：凹部、７及び１
０７：電極、１０：光導波路積層体、２０：光ファイバ
搭載領域、２１：Ｖ溝、２５〜２７：切り込み、３０：
電極搭載領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA01 BA11 BA21 BA31 CA36 CA38 DA02 DA06 2H047 KA02 PA02 PA21 PA24 PA28 QA05 TA31

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、下部クラッド、コア及び上部
   クラッドを含む光導波路積層体を設けた光導波路デバイ
   スであって、該コアを横切るように且つ基板の法線方向
   に対して傾斜して切り込みが形成され、該コアと該切り
   込みの境界面を反射面として該コアと該基板外部との間
   で光の入出射を可能とする光導波路デバイスにおいて、
   該切り込みの先端部が該基板内に侵入し、該基板内に侵
   入した切り込みの周囲領域が下部クラッドと同一又は類
   似の材料で構成されていることを特徴とする光導波路デ
   バイス。
2. 【請求項２】 光導波路積層体がポリマーで形成されて
   いる請求項１記載の光導波路デバイス。
3. 【請求項３】 ポリマーがポリイミド樹脂である請求項
   ２記載の光導波路デバイス。
4. 【請求項４】 基板が、無機材料又は高分子材料である
   請求項１〜３のいずれか１項記載の光導波路デバイス。
5. 【請求項５】 下部クラッドと同一又は類似の材料で構
   成されている、基板内に侵入した切り込みの周囲領域の
   厚みが少なくとも２０μｍである請求項１〜４のいずれ
   か１項記載の光導波路デバイス。
6. 【請求項６】 基板がポリマー製である請求項１〜５の
   いずれか１項記載の光導波路デバイス。
7. 【請求項７】 下記の工程を含む、請求項１〜６のいず
   れか１項記載の光導波路デバイスの製造方法。基板の、
   切り込みが形成されるべき位置に凹部を設ける工程、 該凹部を下部クラッドと同一又は類似の材料で充填する
   工程、 下部クラッド、コア及び上部クラッドを含む光導波路積
   層体を形成する工程、及び切り込みを形成する工程。
8. 【請求項８】 凹部及び切り込みの形成がダイシングに
   より行われる請求項７記載の製造方法。
9. 【請求項９】 凹部の深さが１５０〜２００μｍ、幅が
   １００〜２００μｍである請求項８記載の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項１〜６のいずれか１項記載の光
    導波路デバイスの製造に使用する基板であって、切り込
    みが形成されるべき位置に凹部を有することを特徴とす
    る基板。