JP4151073B2 - 光学素子およびその製造方法 - Google Patents

Description

技術分野
本発明は、光学素子およびその製造方法に関する。
背景技術
近年のパソコンやインターネットの普及に伴い、情報伝送需要が急激に増大している。このため、伝送速度の速い光伝送を、パソコン等の末端の情報処理装置まで普及させることが望まれている。これを実現するには、光インターコネクション用に、高性能な光導波路デバイスを、安価かつ大量に製造する必要がある。
光導波路デバイスの材料としては、一般的には、ガラスや半導体材料等の無機材料が用いられている。これらの無機材料は、半導体素子の材料として古くから用いられ、これらの無機材料で光導波路を製造する際に半導体素子の製造技術を応用することができるという利点がある。
半導体素子の製造技術では、素子を切断する際や、素子に切り込みを入れる際には、砥粒を表面に付着させたディスク形状のダイシングブレードを回転させて、被加工物を研削する方法が用いられる。
発明の開示
光導波路デバイスにおいて、入射光の一部を反射するハーフミラー等の反射部材を光導波路の途中に挿入すると、伝搬光の一部を反射させることができる。このように光導波路の途中にハーフミラー等の反射部材を挿入するためには、２本の光導波路を突き合わせ、その間に反射部材を挟む構成とするか、もしくは、１本の光導波路の途中に反射部材の厚さ分の間隙を有する切り込みを入れ、この切り込みに反射部材を挿入する構成にすることができる。切り込みに反射部材を挿入する構成は、部品点数が少なくできるという利点がある。
また、光導波路に挿入する反射部材の向きを、反射面が斜め上方に向くように配置した場合には、反射光は光導波路の上方に向かって出射される光導波路デバイスが得られる。この光導波路デバイスを用いることにより、光導波路の上部で、伝搬光の一部を受光したり、さらに別の光導波路に入射させて伝搬させたりすることが可能になる。
光導波路の途中に切り込みを入れる手法としては、半導体素子の製造技術として広く知られている上述のダイシングブレードによる研削方法を用いることができる。光導波路に反射部材を挿入するための切り込みの場合、光導波路の断面での光の散乱を防ぐために、研削面は滑らかである必要がある。
しかしながら、石英ガラス製の光導波路の場合、切り込みを入れる方向が光導波路に対して斜め方向であるときには、切り込みの開口部付近で、切り込みの間隙の幅が広がってしまうという現象が生じ、高精度に切り込みを形成することが困難であった。この現象は、研削面が滑らかに形成できる範囲で、ダイシングブレードの粗さと、切り込み速度を種々に変更しても解消することができなかった。
本発明は、素子中に斜め方向に高精度な切り込みを有する光学素子を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によれば、以下のような光学素子が提供される。
すなわち、基板と、前記基板上に配置された、光導波路を含む積層体とを有し、
前記積層体は、少なくとも前記光導波路が樹脂製であり、
前記積層体には、前記光導波路を横切るように切り込みが形成され、該切り込みは、前記基板の法線方向に対して傾斜していることを特徴とする光学素子である。
発明を実施するための最良の形態
本発明の一実施の形態について説明する。
まず、本発明の一実施の形態の光学素子１００の構成を図１〜図４を用いて説明する。光学素子１００は、シリコン単結晶の基板１上に、光導波路積層体１０が搭載された領域と、Ｖ溝２１が配置された領域２０と、発光素子または受光素子を搭載するための電極７が配置された領域３０とを有している。光導波路積層体１０は、光導波路４を含み、本実施の形態では、光導波路４をポリイミド樹脂により構成していることが特徴である。
光導波路積層体１０には、図２のように光導波路４を横切って基板１に達し、しかも、光導波路４に対して斜めに傾斜した切り込み２７が形成されている。切り込み２７は、基板１の法線に対して角度αで傾斜している。角度αは、５°以上５０°以下の所望の角度にすることができ、ここでは３０°に設定している。また、切り込み２７が光導波路４を横切る面、すなわち切り込み２７の切削面は、光導波路４の伝搬光が散乱するのを防ぐために光学的に滑らかな面に形成されている。この切り込み２７には、光導波路４を伝搬する光の一部を上向きに反射させる反射フィルム等所望の光学素子を挿入することができる。例えば、反射フィルムとして、波長選択して一部波長の光を反射し、残りを透過するダイクロイックミラーフィルムや、特定の偏光を反射し、残りを透過する偏光ミラーフィルム等のフィルム状光学部材を挿入することができる。なお、切り込み２７の間隙の幅ｔは、挿入する光学素子の厚さに対して広すぎると光のロスが生じるため、挿入する光学素子の厚さに合わせた大きさにすることが望ましい。本実施の形態のように厚さ２０μｍの反射部材を挿入する場合、切り込み２７の幅ｔを１５μｍ以上５０μｍ以下にすることが望ましく、特に、好ましくは２０±５μｍである。本実施の形態では、幅ｔを２３μｍに設定している。
光導波路積層体１０の構造についてさらに説明する。基板１の上面には、基板１を保護し、屈折率を調整するための二酸化珪素層２が備えられ、光導波路積層体１０は、二酸化珪素層２の上に搭載されている。光導波路積層体１０は、図３のように二酸化珪素層２の上に、順に積層された、有機ジルコニウム化合物層２２と、フッ素を含まない樹脂層２３と、下部クラッド層３と、光導波路４と、光導波路４を埋め込む上部クラッド層５と、保護層９とを含んでいる。下部クラッド層３、光導波路４および上部クラッド層５は、いずれもフッ素を含むポリイミド系樹脂により形成されている。また、光導波路積層体１０の上面には、電極１０７が配置されている。電極１０７は、例えば、切り込み２７に挿入された反射部材により上方に向けて反射された光を受光する受光素子を搭載するために用いることができる。なお、有機ジルコニウム化合物層２２およびフッ素を含まない樹脂層２３は、基板１と下部クラッド層３との接着性を高めるために配置されている。
下部クラッド層３および上部クラッド層５は、いずれも、日立化成工業株式会社製ＯＰＩ−Ｎ３１０５（商品名）を用いて形成したポリイミド膜からなる。下部クラッド層３の膜厚は、約６μｍ、上部クラッド層５の膜厚は、光導波路４の直上で約１０μｍ、他の部分で約１５μｍである。光導波路４は、日立化成工業株式会社製ＯＰＩ−Ｎ３３０５（商品名）を用いて形成したポリイミド膜からなり、その膜厚は約６．５μｍである。保護層９は、日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製ＰＩＸ−６４００（商品名）を用いて形成したポリイミド膜であり、その膜厚は、光導波路４から離れた端部の部分で約５μｍである。
有機ジルコニウム化合物層２２を構成する化合物としては、種々の化合物を用いることができるが、ここでは、トリブトキシアセチルアセトネートジルコニウムを用いる。有機ジルコニウム化合物層２２は、膜厚が５０オングストローム以上２００オングストローム以下の範囲に収まるように、特に望ましくは、５０オングストローム以上１５０オングストローム以下の範囲に収まるようにむらなく形成されている。これは、膜厚が５０オングストロームよりも薄くなると、接着性向上の効果を発揮できず、下部クラッド層３が基板１から剥がれるためである。また、膜厚が２００オングストロームを越えると、膜がもろくなるためである。この５０オングストローム以上２００オングストローム以下という範囲は、有機ジルコニウム化合物の分子層（分子の重なり）でいうと、５分子層以上１５分子層以下にほぼ相当する。フッ素を含まない樹脂層２３は、ここでは日立化成工業株式会社製ＰＩＱ（商品名）を用いて形成したポリイミド層である。その膜厚は、約０．２３μｍである。
基板１上の領域２０に配置されたＶ溝２１は、光ファイバを搭載するためのものである。Ｖ溝２１は、予め定められた径の光ファイバを搭載した場合、光導波路４とアライメントした状態となるよう、その深さおよび幅が設計されている。したがって、例えば、電極７上に発光素子を搭載した場合には、発光素子から発せられた光は、光導波路４に入射して、これを伝搬し、切り込み２７に挿入された反射部材を通過した後、さらに光導波路４を伝搬し、光導波路４から出射され、Ｖ溝２１に搭載された光ファイバに高効率で入射する。また、電極７上に受光素子を搭載した場合には、光ファイバを伝搬してきた光が、光ファイバから出射されると高効率で光導波路４に入射して、これを伝搬し、一部は切り込み２７に挿入された反射部材によって上方に出射され、残りはさらに光導波路４を伝搬し、受光素子に向かって出射され、受光素子で受光される。
Ｖ溝２１は、シリコン単結晶の基板１を異方性エッチングすることにより形成された深さ約１００μｍの溝であり、断面はＶ字型である。Ｖ溝２１が配置された領域２０と光導波路積層体１０との境界には、図１、図２、図４のように光導波路積層体１０の端面を切断する際に形成された切り込み２５が存在している。同様に、電極７の領域３０と光導波路積層体１０との境界にも切り込み２６が存在している。領域３０の電極７の両脇には位置合わせマーク３１，３２が配置されている。また、切り込み２５の位置には、切り込み２５が形成される以前には位置合わせマーク３３が配置されていた。これら位置合わせマーク３１，３２，３３は、Ｖ溝２１を形成する際に同時に異方性エッチングにより形成された凹部である。なお、位置合わせマーク３３は、切り込み２５を形成する際の基板１の研削により除去されている。
切り込み２５は、図２のようにＶ溝２１の底部よりも深くまで達していることが好ましい。というのは、Ｖ溝２１は、上述のように異方性エッチングにより形成されるため、光導波路積層体１０側の側面が図８のように傾斜するが、図２のように切り込み２５を深く形成することにより、傾斜部分を除去できるからである。これにより、Ｖ溝２１に光ファイバを搭載した場合に、光ファイバの端面を光導波路積層体１０の端面に密着させることができ、光ファイバと光導波路４との接合効率を高めることができる。なお、使用する光ファイバの径が小さい場合には、Ｖ溝２１の深さが浅いため、異方性エッチングにより光導波路積層体１０側の側面が傾斜しても、光ファイバと光導波路４との結合効率に大きな影響を与えないこともある。この場合には、図８に示したように、切り込み２５の深さを、Ｖ溝２１よりも浅くすることも可能である。
つぎに、本実施の形態の光学素子の製造方法について、図５を用いて説明する。
ここでは、基板１としてシリコンウエハを用意し、この基板１の上に図１の構造を縦横に多数配列して形成し、後の工程でダイシングにより切り離して、個々の光学素子１００に分離する。これにより、多数の図１の光学素子１００を量産することができる。よって、成膜やパターニング等は、ウエハ状の基板１全体で一度に行う。
まず、ウエハ状の基板１の上面全体に、二酸化珪素層２を熱酸化法や気相堆積法等により形成した後、フォトリソグラフィとシリコン単結晶の異方性を利用したウエットエッチングによりＶ溝２１を図５のように配列して形成する。このとき、図４に示した位置合わせマーク３１，３２，３３として用いる凹部もＶ溝２１と同時に形成しておく。
このウエハ状の基板１の上に金属膜を成膜してパターニングすることにより、図１の電極７を形成する。これにより、図５のように、ウエハ状の基板１には、Ｖ溝２１と電極７とが多数配列されて形成される。なお、電極７を形成する際、電極７の位置決めを位置合わせマーク３１，３２を用いて行う。これにより、Ｖ溝２１に対して電極７の位置を高精度に位置合わせして形成することができる。
つぎに、図５のウエハ状の基板１の全体に有機ジルコニウム化合物層２２を形成する。まず、有機ジルコニウム化合物溶液を基板１全体にスピンコートによって塗布した後、得られた塗膜を１６０℃で５分程度加熱して乾燥させ、有機ジルコニウム化合物層２２を形成する。有機ジルコニウム化合物溶液として、トリブトキシアセチルアセトネートジルコニウムをブタノールに溶解して、１重量％溶液に調合したものを用いる。
つぎに、有機ジルコニウム化合物層２２の上に、日立化成工業株式会社製ＰＩＱ（商品名）をスピンコートで塗布し、得られた塗膜を加熱して溶媒を蒸発させ、さらに加熱して硬化させることにより、フッ素を含まない樹脂層２３を形成する。フッ素を含まない樹脂層２３の厚さは、０．２３μｍとなるようにスピンコートの条件を制御する。
つぎに、ウエハ状の基板１上の上面のうち、完成後の光学素子で光導波路積層体１０が配置されていない領域２０，３０となる部分について、フッ素を含まない樹脂層２３と、有機ジルコニウム化合物層２２を除去する。ウエハ状の基板１には光学素子を縦横に配列して製造しているため、ウエハ状の基板１の上面のうち、領域２０および領域３０は、図６のように光導波路積層体１０の両脇の帯状の部分である。この帯状の部分からフッ素を含まない樹脂層２３と有機ジルコニウム化合物層２２とを除去しておくことにより、下部クラッド層３がこの帯状部分では基板１から剥がれやすくなるため、後述の工程で、基板１の領域２０，３０の部分から光導波路積層体１０を帯状に剥がして除去することが可能になる。
基板１上の領域２０，３０からフッ素を含まない樹脂層２３と有機ジルコニウム化合物層２２とを除去する方法について、具体的に説明する。まず、ウエハ状の基板１の全面にレジスト膜を塗布により形成する。ここでは、レジスト液として、ＯＦＰＲ８００（東京応化工業株式会社製）を用い、これをスピン塗布し、１００℃で乾燥することによりレジスト膜を形成する。この後、水銀ランプでフォトマスクの像を露光する。フォトマスクは、光導波路積層体１０を形成すべき部分にのみレジスト膜が残るように形成されている。その後、レジスト膜を現像する。現像液は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２．３８重量％溶液を用いる。これによりレジスト膜のみならず、フッ素を含まない樹脂層２３もウエットエッチングされ、両者をほぼ除去することができる。このとき、Ｖ溝２１の角の部分ではレジスト膜とフッ素を含まない樹脂層２３が一部残存する。そこで、この状態で、もう一度、先ほどのフォトマスクを用いて露光し、ＴＭＡＨにより現像を行う。これにより、Ｖ溝２１内に残っていたレジスト膜とフッ素を含まない樹脂層２３とを完全に除去することができる。この方法は、レジスト膜の露光および現像を繰り返すという簡単な工程で、フッ素を含まない樹脂層２３をＶ溝２１から完全に除去できるという利点がある。この後、フッ酸を用いたウエットエッチングまたは反応性イオンエッチングにより、有機ジルコニウム化合物層２２を除去する。有機ジルコニウム化合物層２２は、膜厚が非常に薄いため、Ｖ溝２１の内部の層もウエットエッチングまたは反応性イオンエッチングにより除去することができる。最後に、レジスト膜を除去する。
つぎに、ウエハ状の基板１の上面全体に前述のＯＰＩ−Ｎ３１０５をスピン塗布して材料溶液膜を形成する。その後、乾燥器で１００℃で３０分、次いで、２００℃で３０分加熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて３７０℃で６０分加熱することにより硬化させ、厚さ６μｍの下部クラッド層３を形成する。
この下部クラッド層３の上に、前述のＯＰＩ−Ｎ３３０５をスピン塗布して材料溶液膜を形成する。その後、乾燥器で１００℃で３０分間、次いで、２００℃で３０分間加熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて３５０℃で６０分間加熱することにより硬化を行い、光導波路４となる厚さ６．５μｍのポリイミド膜を形成する。
つぎに、このポリイミド膜をフォトリソグラフィにより光導波路４の形状にパターニングする。パターニングは、レジストパターン層をエッチングマスクとして、酸素イオンを用いた反応性イオンエッチング（Ｏ_２−ＲＩＥ）により行う。これにより、図６のように基板１上に多数配列して一度に形成することができる。その後、レジストパターン層を剥離する。なお、レジスト膜によりエッチングマスクを形成する際に、Ｖ溝２１を形成する際に同時に形成しておいた位置合わせマーク３３を用いることにより、Ｖ溝２１と正確に位置合わせされた光導波路４を形成することができる。
つぎに、光導波路４および下部クラッド層３を覆うように、ＯＰＩ−Ｎ３１０５をスピン塗布する。得られた材料溶液膜を、乾燥器で１００℃で３０分間、次いで、２００℃で３０分間加熱して材料溶液膜中の溶媒を蒸発させ、３５０℃で６０分間加熱することによりポリイミド膜の上部クラッド層５を形成する。
さらに、上部クラッド層５の上面に、ＰＩＸ−６４００をスピン塗布し、乾燥器で１００℃で３０分間、２００℃で３０分間加熱して溶媒を蒸発させ、続けて、３５０℃で６０分間加熱して、上面がほぼ平坦で光導波路４から離れた端部の部分で厚さ約５μｍのポリイミド膜の保護層９を得る。
さらに、保護層９の上に電極１０７となる金属膜を成膜した後、これをフォトリソグラフィの技術によりパターニングし、電極１０７を形成する。
なお、この状態では、マーク３１，３２，３３を用いて、光導波路４、Ｖ溝２１，電極７、電極１０７等の相互の位置関係が設計した通りの関係にあるかどうかの検査を行うことができる。すなわち、マーク３１，３２，３３は、Ｖ溝２１と同時に形成された凹部であるため、Ｖ溝２１との正確な位置関係にある。したがって、マーク３１，３２，３３と光導波路４，電極７，電極１０７との位置関係をそれぞれ検査することにより、Ｖ溝２１との直接の位置関係を検査しなくとも、光導波路４、Ｖ溝２１，電極７、電極１０７の相互の位置関係を検査することができる。
つぎに、下部クラッド層３から保護層９までの各層は、これらが不要な領域２０および３０にも配置されているため、これを剥がして除去する。すなわち、図６のように領域２０と光導波路積層体１０との境界、および、光導波路積層体１０と領域３０との境界にそれぞれダイシングにより切り込み２５，２６を入れ、下部クラッド層３から保護層９までの各層を切断する。このとき、ダイシングによる切り込みの深さは、光導波路積層体１０は切断されるが、基板１は切り離さない深さにする。また、切り込み２５の深さは、上述したように、Ｖ溝２１の光導波路積層体１０側の側面の傾斜部を除去できるように、Ｖ溝２１よりも深くすることが望ましい。先の工程で、領域２０および領域３０の基板１の上面からは、有機ジルコニウム化合物層２２とフッ素を含まない樹脂層２３が除去されているため、領域２０および領域３０では、下部クラッド層３と基板１との密着力は小さい。したがって、領域２０および領域３０の上に搭載されている下部クラッド層３から保護層９間での各層は、切り込み２５，２６を入れたことにより、ウエハ状の基板１から帯状に容易に剥がすことができる。これにより、図６のウエハ状の基板１において、領域２０および領域３０では基板上面が露出される。
つぎに、ウエハ状の基板１のまま、光導波路積層体１０にダイシングブレード（砥粒を表面に付着させたディスク形状の研削工具）を斜め方向（基板１の法線に対して３０度）に切り込み、切り込み２７を形成する。使用するダイシングブレードの粗さは、ＪＩＳ規格相当品で３０００番以上４５００番以下とする。粗さ３０００番未満のダイシングブレードを用いると、粗すぎて、切り込み２７の研削面が粗い面となり、光導波路４の伝搬光を散乱する。一方、粗さ４５００番を超えるダイシングブレードを用いた場合には、細かすぎて、ダイシングブレードが目詰まりし、光導波路積層体１０が基板１から剥がれる恐れがある。本実施の形態では、粗さ４０００番のダイシングブレードを用いる。また、ダイシングブレードの厚さは、２０μｍのものを用いた。また、ダイシングブレードの送り速度、すなわち切り込む速度は１．０ｍｍ／ｓ以上５．０ｍｍ／ｓ以下とする。この範囲の送り速度は、半導体素子製造時のダイシングブレードの送り速度の約１／１０である。このようにゆっくりした送り速度でダイシングブレードを、ポリイミド樹脂製の光導波路積層体１０に切り込むことにより、切削面を研磨面と同程度に光学的に滑らかな面に形成することができる。また、形成された切り込み２７の形状は、底部から開口部まで間隙の幅ｔが２３μｍで一定であり、高精度に形成されていた。また、切削面が光学的滑らかであるため、仕上げのための研磨等は不要である。
つぎに、図７（ａ）、（ｂ）のようにウエハ状の基板１をダイシングにより切断することにより、短冊状に切り出し、さらに図７（ｃ）、（ｄ）のように短冊状の基板１をダイシングにより、個々の光学素子１００に切り出し、光学素子１００を完成させる。なお、基板１を切断するダイシング工程の手順は、この手順に限られるものではなく、図７（ａ）の工程で縦横にメッシュ状にダイシングして図７（ｄ）のように光学素子１００を形成することも可能である。
上述してきた本実施の形態の光学素子１００は、光導波路積層体１０を樹脂製にしたことにより、光導波路４の途中に傾斜した切り込み２７をダイシングにより高精度に形成することが可能になった。このため、切り込み２７に反射部材等の光学素子を挿入することができ、伝搬光の一部を上方に向けて出射させることができる、多機能な光学素子１００を安価に量産することが可能である。
本実施の形態の光学素子は、光導波路４が直線形状であったが、光導波路積層体１０の光導波路４の形状は、光学素子として必要とされる機能に合わせて直線形状に限らずｙ分岐やｘ型等の所望の形状にすることができる。それに応じて、切り込み２７を、複数箇所に形成することも可能である。この場合も本実施の形態の製造方法ではダイシングによって切り込み２７を形成できるため、所望の位置に所望の数の切り込み２７を容易に形成できる。光導波路の形状に合わせて、Ｖ溝２１や、電極７，１０７を複数備える構成にすることも可能である。
また、完成後の光学素子において、電極７や電極１０７に、発光素子や受光素子を搭載する場合には、マーク３１，３２を用いて、電極７や電極１０７に搭載した素子の位置が正しい位置かどうかの検査を行うことができる。また、マーク３１、３２を基準として、光導波路４が正しい位置に形成されているかどうかの検査を行うことができる。すなわち、マーク３１，３２を基準として、電極７や電極１０７に搭載した素子の位置を検査することにより、これらの素子と光導波路４やＶ溝２１に搭載した光ファイバとの位置関係を検査することができる。これにより、完成後の素子の結合効率を検査することが可能である。
なお、上述の実施の形態では、マーク３１、３２、３３をＶ溝２１と同時に形成する例について説明したが、必ずしも同時に形成しなくてもよく、Ｖ溝２１を形成した後、Ｖ溝２１と位置合わせした状態でマーク３１、３２、３３を形成することも可能である。
なお、本発明で光学素子とは、基板として、ガラス、石英等の無機材料、シリコン、ガリウムヒ素、アルミニウム、チタン等の半導体や金属材料、ポリイミド、ポリアミド等の高分子材料、またはこれらの材料を複合化した材料を用いて、これら基板の上に、光導波路、光合波器、光分波路、光減衰器、光回折器、光増幅器、光干渉器、光フィルタ、光スイッチ、波長変換器、発光素子、受光素子あるいはこれらが複合化されたものなどを形成したものを指す。上記の基板上には、発光ダイオード、フォトダイオード等の半導体装置や金属膜が形成されることもあり、更に基板の保護や屈折率調整などのために、基板上に二酸化珪素、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化タンタルなどの被膜が形成されることもある。
上述してきたように、本発明によれば、素子中に斜め方向に高精度な切り込みを有する光学素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の一実施の形態の光学素子１００の構造を示す斜視図である。
図２は、図１の光学素子のＡ−Ａ’断面図である。
図３は、図１の光学素子のＢ−Ｂ’断面図である。
図４は、図１の光学素子の上面図である。
図５は、本発明の一実施の形態の光学素子１００の製造方法を説明するためのウエハ状の基板１の上面図である。
図６は、本発明の一実施の形態の光学素子１００の製造方法を説明するためのウエハ状の基板１の上面図である。
図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施の形態の光学素子１００の製造方法においてウエハ状の基板１を切り出す工程を示す説明図である。
図８は、図１の光学素子において切り込み２５の深さを浅くした場合の形状を示すための断面図である。

Claims (1)

1. 基板上に、光導波路を含む積層体を形成する第１工程と、
   砥粒を付着させた円盤状の研削工具を前記積層体に前記基板の法線方向に対して傾斜させて切り込んで、前記光導波路を横切るように前記基板の法線方向に対して傾斜し且つ反射部材が挿入されるように間隙の幅が５０μｍ以下の切り込みを形成する第２工程と、を有する光学素子の製造方法であって、
   前記第１工程は、前記積層体のうち少なくとも光導波路の部分を樹脂により形成し、
   前記第２工程は、前記研削工具として粗さがＪＩＳ規格３０００番以上４５００番以下のものを用い、１．０ｍｍ／ｓ以上５．０ｍｍ／ｓ以下の速度で切り込むことにより、前記切り込みの間隙の幅が、仕上げ加工する必要なしに反射部材を挿入可能な精度で底部から開口部まで一定に形成されることを特徴とする光学素子の製造方法。

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