TWI772132B - 一種嵌入式封裝結構及其製造方法 - Google Patents

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黃本霞
馮磊
姜麗娜
謝炳森
馮進東
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Abstract

本發明提供一種嵌入式封裝結構，包括：嵌入在基板中的光通訊器件，所述光通訊器件具有用於發射光或接收光的作用面，所述作用面通過作用面開口從所述基板的第一表面暴露；以及圍繞所述作用面開口的擋牆，其中所述擋牆沿遠離所述第一表面的方向延伸超出所述第一表面。還公開了一種嵌入式封裝結構的製造方法。

Description

一種嵌入式封裝結構及其製造方法
本申請實施例涉及基板封裝技術領域，尤其涉及一種嵌入式封裝結構及其製造方法。
隨著電子產業的發展，電子產品越來越趨向於高集成、多功能、高性能以及小型化，因此能夠提供多種器件排布的嵌入式封裝基板越來越佔據主導地位。而在嵌入式封裝結構中通常以金屬線材作為數據信號的傳輸介質，然而金屬線材具有諸多局限性，例如，金屬線材受材料影響所能達到的導電性能有限，難以通過提高導電性的方式提升信號傳輸速度；金屬線材在信號傳輸過程中容易受到外界和相互之間的電磁干擾，在高頻傳輸中尤為明顯，故而需要額外的遮罩措施，而此種遮罩防護措施對於電路設計則造成相當程度的困難；另外，金屬線材傳輸的是模擬信號，再進行數字處理時需要進行轉換，容易造成失真。
為了改善金屬線材的上述諸多局限性，發展出採用光信號取代電信號進行信號傳輸的方式。最明顯的效果在於光信號幾乎不受電磁波的干擾，因此信號傳送品質較佳，可以降低信號傳輸失真的情況；並且可減少電磁遮罩結構的設計。因此，光信號傳輸方式已成為未來發展的方向，而將光通訊器件嵌埋入封裝體是實現其小型化，集成化的必然選擇。
現有技術的光通訊器件封裝體通常需要在光通訊器件的作 用面即光發射面或光接收面上設置透明材料形成的光通道或透光層，以防止該作用面受到外界或彼此之間的干擾。
然而，該現有技術存在以下技術問題：1)需要植入光通道或者透光層，由於光通道的植入水準和角度要求很高，導致加工困難，良率下降以及成本升高；2)在單個封裝體內無法進行不同的光通訊器件之間的通訊；3)光通訊器件的相對散熱面積較小，散熱相對受限。
有鑒於此，本申請實施方案的目的之一在於提出一種嵌入式封裝結構及其製造方法，以解決現有技術中的上述技術問題。
基於上述目的，在第一方面，本申請實施方案提供一種嵌入式封裝結構，包括：
嵌入在基板中的光通訊器件，所述光通訊器件具有用於發射光或接收光的作用面，所述作用面通過作用面開口從所述基板的第一表面暴露；以及
圍繞所述作用面開口的擋牆，其中所述擋牆沿遠離所述第一表面的方向延伸超出所述第一表面。
在一個實施方案中，所述基板包括由電介質封裝材料形成的絕緣層以及在所述絕緣層上的第一線路層和第二線路層，其中第一線路層位於所述基板的第一表面，第二線路層位於所述基板的與第一表面相對的第二表面。
在一個實施方案中，第一線路層和第二線路層可以通過貫穿所述絕緣層的金屬通孔柱電連接。
在一個實施方案中，所述封裝結構可以嵌入有至少兩個所述光通訊器件。優選地，所述至少兩個光通訊器件的作用面的方向是相同的。作為一個替代方案，所述至少兩個光通訊器件的作用面的方向也可以是不同的或相反的。
在一個實施方案中，在所述基板中形成有包圍所述光通訊器件的器件圍牆，優選所述器件圍牆包括金屬材料，優選銅。
在一個實施方案中，在所述光通訊器件的與所述作用面相對的器件背面上形成有金屬散熱層。優選地，所述金屬散熱層與所述器件圍牆通過所述第二佈線層連接。
在一個實施方案中，所述擋牆包括感光型樹脂材料或金屬材料，所述感光型樹脂材料優選聚醯亞胺感光樹脂或聚苯醚感光樹脂；所述金屬材料優選銅。
在一些實施方案中，所述基板還包括在第一線路層和/或第二線路層上形成的附加增層結構。優選地，所述基板可以形成為多層互連結構。
在第二方面，本申請實施方案提供一種嵌入式封裝結構的製造方法，包括以下步驟：
(A)製備包括電介質框架的基板，其中所述基板包括所述框架圍繞的貫穿空腔以及貫穿所述框架高度的金屬通孔柱；
(B)將所述基板的第一表面放置在承載件上；
(C)將光通訊器件放入所述基板的所述空腔中，其中所述光通訊器件的作用面貼裝在所述承載件上；
(D)在所述基板的與第一表面相對的第二表面上層壓或塗覆電介質封裝材料形成絕緣層，使得所述電介質封裝材料完全填充光通訊器件與框架之間的間隙；
(E)減薄所述絕緣層以暴露出所述金屬通孔柱在所述第二表面上的端面；
(F)移除所述承載件以暴露出所述光通訊器件的作用面和所述金屬通孔柱在所述第一表面上的端面；
(G)在所述基板的第一和第二表面上形成第一和第二線路層，其中在所述第一線路層上形成作用面開口以從所述第一表面上暴露出所述光通訊器件的作用面；
(H)在所述基板的第一表面上形成圍繞所述光通訊器件的作用面的作用面開口的擋牆，其中所述擋牆沿遠離所述第一表面的方向延伸超出所述第一表面。
優選地，所述步驟A)還包括：在所述電介質框架中形成圍繞所述空腔的器件圍牆，優選所述器件圍牆包括金屬，優選銅。
優選地，所述承載件選自熱解或光解膠帶、表面塗覆有熱解或光解粘合層的犧牲銅箔、玻璃載板或覆銅板。
在一些實施方案中，所述電介質封裝材料選自有機電介質材料或無機電介質材料，優選選自半固化片(PP)、雙馬來醯亞胺/三嗪樹脂(BT)、膜狀有機樹脂(ABF)和環氧樹脂中的一種或多種的組合。
在一個實施方案中，所述步驟G還包括：
在所述基板的第一表面上施加第一種子層；
在所述第一種子層上沉積金屬層；
在所述金屬層上施加光刻膠，並曝光顯影形成蝕刻阻擋層；
對上述金屬層和所述第一種子層進行蝕刻並移除所述蝕刻阻擋層，形成所述第一線路層和所述作用面開口。
在另一個實施方案中，所述步驟G還包括：
在所述基板的第二表面上暴露出所述光通訊器件的背面；
在所述基板的第二表面上施加第二種子層；
在所述第二種子層上施加光刻膠，經曝光顯影形成第一圖案；
在所述第一圖案中鍍覆金屬，形成第二線路層和金屬散熱層。
優選地，在形成所述第一和第二線路層後，在所述第一和第二線路層上形成阻焊層。
在一個實施方案中，所述步驟G還包括：
在所述基板的第二表面上暴露出所述光通訊器件的背面；
在所述基板的第二表面上施加第二種子層；
在所述第二種子層上施加光刻膠，經曝光顯影形成第一圖案；
在所述第一圖案中鍍覆金屬，形成第二線路層和金屬散熱層，其中所述金屬散熱層通過所述第二線路層與所述器件圍牆連接。
在一個實施方案中，所述步驟H還包括：
在所述基板的第一表面上施加感光型樹脂材料；
經曝光、顯影、固化形成圍繞所述作用面開口的所述擋牆。
在另一個實施方案中，所述步驟H還包括：
獲取預製的金屬擋牆；
在所述基板的第一表面的預定位置印刷焊料；
在所述焊料上貼裝所述金屬擋牆；
通過回流焊接形成所述擋牆。
在再一個實施方案中，所述步驟H還包括：
在所述基板的第一表面上沉積第三種子層；
在所述第三種子層施加光刻膠，經曝光顯影形成第二圖案；
在所述第二圖案中鍍覆金屬形成所述擋牆；
移除所述光刻膠並蝕刻所述第三種子層。
100:封裝結構
1:擋牆
2:基板
3:光通訊器件
4:絕緣層
5:器件圍牆
6:金屬通孔柱
7:金屬層、第一線路層
8:第二線路層
9:空腔
10:框架
11:器件背面開孔
13:金屬保護層
16:種子層
17:作用面
18:作用面開口
19:阻焊層
21:第一表面
22:第二表面
25:承載件
26:電介質封裝材料
28:金屬散熱層
為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的圖式作簡單地介紹，顯而易見地，下麵描述中的圖式僅僅是本申請實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些圖式獲得其他的圖式。
圖1為本申請實施例提供的一種嵌入式封裝結構的截面圖；
圖2為圖1所示種嵌入式封裝結構的俯視圖；
圖3a-3k為本申請實施例提供的一種嵌入式封裝結構的製造過程的中間結構示意圖。
為了使本申請實施方案的目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下麵將結合圖式，對本申請實施方案中的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施方案僅僅是本申請的一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本申請中的實施例，本領域普通技術人員在無需作出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，均屬於本申請保護的範圍。
圖1為本申請實施方案提供的一種嵌入式封裝結構的截面圖，圖2為圖1所示的嵌入式封裝結構的俯視圖。如圖所示，嵌入式封裝結構100包括嵌入在基板2中的光通訊器件3，光通訊器件3具有用於發射光或接收光的作用面17，作用面17通過作用面開口18從基板2的第一表面21暴露；以及圍繞作用面開口18的擋牆1，其中擋牆1沿遠離第一表面21的方向延伸超出第一表面21。
如圖1所示，基板2包括由電介質材料形成的絕緣層4以及在絕緣層4上的第一線路層7和第二線路層8，其中第一線路層7位於基板2的第一表面21，第二線路層8位於基板2的與第一表面21相對的第二表面22。第一線路層7和第二線路層8可通過貫穿絕緣層4的金屬通孔柱6電連接。金屬通孔柱6可以是銅柱或鋁柱。線路層可以連接器件3的導電端子23、24從而實現扇出構型。
基板2可以是光通訊器件3嵌埋在絕緣層4中的無框架的無芯基板，也可以使用具有空腔的電介質框架作為起始基板，其中在空腔內埋入光通訊器件3並填充電介質封裝材料形成絕緣層4。封裝材料可以採用與基板2相同或不同的有機介電材料，如聚醯亞胺、環氧樹脂、雙馬來醯亞胺/三嗪樹脂(BT)、聚苯醚、ABF(Ajinomoto Buildup Film，簡稱ABF)、綠油， PID等，也可以是無機介電材料。採用與基板2相同的材料作為封裝材料，能夠使絕緣層4由相同材料形成，防止基板2發生分離。
在基板2中可以同時嵌埋至少兩個光通訊器件3，圖1和2示出同時嵌埋兩個光通訊器件3。但是本申請實施例並不局限於此，光通訊器件3的數目和類型可以根據嵌入式封裝結構的功能確定。
基板2通常為平板狀結構，具有相對的第一表面21和第二表面22。至少兩個光通訊器件3的作用面17的方向可以是相同的或相反的，例如圖1所示的兩個光通訊器件3的作用面17的方向是相同的，均朝向第一表面21。但是，也可以是一個光通訊器件3的作用面17朝向第一表面21，另一個光通訊器件3的作用面17朝向第二表面22。
在基板2中可以形成有貫穿基板2的包圍光通訊器件3的器件圍牆5，如圖1所示。作為替代方案，在基板2中也可以不設置器件圍牆5。器件圍牆5可以包圍一個光通訊器件3，也可以包圍多個光通訊器件3。器件圍牆5可以起到電磁遮罩的作用，能夠有效防止被遮罩的器件受到電磁干擾。
如圖所示，在光通訊器件3的與作用面17相對的器件背面上可以形成金屬散熱層28，以幫助器件從背面散熱。金屬散熱層28可以與器件圍牆5通過第二線路層8連接。在存在作用面方向不同的多個光通訊器件時，在第一表面21上的金屬散熱層也可以通過第一線路層7連接器件圍牆5。這樣，器件圍牆5成為延伸的散熱結構，有利於增大散熱面積，提高散熱效率。
以圖1所示嵌入式封裝結構100為例，擋牆1設置於第一表面21的第一線路層7外側，包圍光通訊器件3的作用面17的作用面開口18，沿遠離第一表面21的方向延伸一定距離，從而防止光通訊器件3的光學信號在傳 輸過程中受外界干擾，還可防止光通訊器件3之間的相互干擾。對擋牆1的具體形狀不作限制。擋牆1可以由感光型樹脂材料或金屬材料例如銅製成。所述感光型樹脂材料可選自聚醯亞胺感光樹脂和聚苯醚感光樹脂，例如Microsystems HD-4100、Hitachi PVF-02等。
線路層7、8的外側可設置阻焊層19和金屬保護層13。金屬保護層13可以包括有機保焊膜(Organic Solderability Preservatives，OSP)或化學鍍鎳鈀浸金(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold，ENEPIG)，以防止線路層金屬表面氧化。
通過上述描述可知，該嵌入式封裝結構可以實現光發射、光接收的高密度集成，能夠實現不同的封裝體間的光電通訊且互不干擾，提升嵌入式封裝結構信號傳輸的信號品質。另外還能增大散熱面積，提高散熱效率，從而增大嵌入式封裝結構的散熱效果。
圖3a~3k示出圖1所示嵌入式封裝結構100的製造方法中各步驟的中間結構的示意圖。
如圖3所示，嵌入式封裝結構100的製造方法包括以下步驟：
如圖3a及其俯視圖3b所示，準備包括電介質框架10的基板2，其中基板2包括框架10圍繞的空腔9以及貫穿框架10的高度的金屬通孔柱6(步驟A)。基板2還可以包括形成在電介質框架10中圍繞空腔9的器件圍牆5。作為替代方案，也可以不設置器件圍牆5。器件圍牆5可以包圍一個空腔，也可以包圍多個空腔。器件圍牆5可以起到電磁遮罩的作用，防止被遮罩的器件受到電磁干擾。
接著，如圖3c所示，將基板2的第一表面21放置在承載件25 上(步驟B)。承載件25可以是膠帶，例如光解或熱解膠帶，也可以是表面塗覆有光解或熱解粘合層的犧牲銅箔、玻璃基板或覆銅板。使得可以通過加熱或紫外光照射分離承載件。然後，將光通訊器件3放入基板2的被框架10圍繞的空腔9中，其中光通訊器件3的作用面17貼裝在承載件25上(步驟C)。
接著，如圖3d所示，在基板2的與第一表面21相對的第二表面22上層壓或塗覆電介質封裝材料26形成絕緣層4，使得電介質封裝材料完全填充光通訊器件3與框架之間的間隙(步驟D)。
如圖3e所示，減薄絕緣層4以暴露出金屬通孔柱6在第二表面22上的端面(步驟E)。可以採用等離子體蝕刻、磨板、拋光等方式減薄絕緣層4。在暴露出金屬通孔柱6在第二表面22上的端面後，可以通過鐳射開孔或光刻開孔等方式在光通訊器件3的與作用面17相對的背面上開孔形成作用面開口18。
然後，通過紫外光照射或加熱移除承載件25以暴露出光通訊器件3的作用面17和金屬通孔柱6在第一表面21上的端面(步驟F)。
如圖3f所示，在基板2的第一表面21和第二表面22上沉積種子層16，種子層金屬例如可選自鈦、銅和鈦鎢合金，但不限於此。種子層16可以通過沉積、化學鍍或濺射的方式製作。
接著，在基板2的第一表面21和第二表面22上分別形成第一線路層7和第二線路層8，其中在第一線路層7上形成作用面開口18以從第一表面21上暴露出光通訊器件3的作用面17(步驟G)。
如圖3g和3h所示，步驟G可包括在種子層16上沉積金屬層7，可以通過電鍍填孔方式形成金屬層7，該金屬層優選是銅層；在金屬層7上 施加光刻膠，並曝光顯影形成蝕刻阻擋層；對金屬層7和種子層16進行蝕刻並移除蝕刻阻擋層，形成第一線路層7和作用面開口18。作用面開口18暴露出光通訊器件3的作用面17，以允許光通訊器件3從作用面17向外部發射光或從外部接收光。
步驟G還可以包括在已經暴露出光通訊器件3的背面的基板2的第二表面22上施加種子層16；在種子層16上施加光刻膠，經曝光顯影形成第一圖案；在第一圖案中鍍覆金屬，形成第二線路層8和金屬散熱層28。
圖3i為圖3h從第二表面22方向觀察的俯視圖。如圖3i所示，作為一個優選技術方案，在光通訊器件3的背面形成金屬散熱層28，從而更好地將光通訊器件3產生的熱量傳導至封裝結構的外表面，有效降低器件的工作溫度。此外，金屬散熱層28還可以通過第二線路層8與器件圍牆5連接，由此形成更大的散熱表面，進一步提高散熱效率。
接著，如圖3j所示，可以在基板2的第一線路層7和第二線路層8上施加阻焊層19，形成暴露的金屬開窗。作為替代方案，在基板2的第一線路層7和第二線路層8上可以通過繼續層壓絕緣層和形成線路層的方式進行增層，從而得到多層基板的封裝結構。只是需要防止增層結構遮擋作用面開口18即可。此外，還可以對暴露的金屬開窗進行金屬表面處理，形成金屬保護層13，例如可以包括有機保焊膜(OSP)或化學鍍鎳鈀浸金(ENEPIG)，以防止線路層金屬表面氧化。
然後，如圖3k所示，在基板2的第一表面21上形成圍繞光通訊器件3的作用面17的作用面開口18的擋牆1，其中擋牆沿遠離第一表面21的方向延伸超出第一表面21(步驟H)。步驟H還可以包括在基板2的第一表 面21上施加感光型樹脂材料；經曝光顯影，所述感光型樹脂材料固化形成圍繞作用面開口18的擋牆1。作為替代方案，步驟H還可以包括獲取預製的金屬塊例如銅塊；在基板2的第一表面21的預定位置印刷焊料；在所述焊料上貼裝所述金屬塊；以及通過回流焊接形成擋牆1。作為另一個替代方案，步驟H還可以包括在基板2的第一表面21上沉積種子層16；在種子層16上施加光刻膠，經曝光顯影形成第二圖案；在第二圖案中鍍覆金屬例如銅形成擋牆1；移除所述光刻膠並蝕刻種子層16。
擋牆1可以防止光通訊器件3的光學信號在傳輸過程中受外界干擾，還可防止光通訊器件3之間的相互干擾。對擋牆1的具體形狀不作限制。
在本申請實施例的描述中，需要說明的是，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水準”、“內”、“外”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。此外，術語“第一”、“第二”、“第三”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
在本申請實施例的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對於本領域普通技術人員而言，可以具體情況理解 上述術語在本申請實施例中的具體含義。
此外，上文所描述的本申請不同實施方式中所涉及的技術特徵只要彼此之間未構成衝突就可以相互結合。
至此，已經結合圖式所示的優選實施方式描述了本申請的技術方案，但是，本領域技術人員容易理解的是，本申請的保護範圍顯然不局限於這些具體實施方式。在不偏離本申請的原理的前提下，本領域技術人員可以對相關技術特徵作出等同的更改或替換，這些更改或替換之後的技術方案都將落入本申請的保護範圍之內。
100:封裝結構
1:擋牆
2:基板
3:光通訊器件
4:絕緣層
5:器件圍牆
6:金屬通孔柱
7:金屬層、第一線路層
8:第二線路層
9:空腔
13:金屬保護層
17:作用面
18:作用面開口
19:阻焊層
21:第一表面
22:第二表面
28:金屬散熱層

Claims (12)

  1. 一種嵌入式封裝結構，其特徵在於，所述封裝結構包括：嵌入在基板中的光通訊器件，所述光通訊器件具有用於發射光或接收光的作用面，所述作用面通過作用面開口從所述基板的第一表面暴露；以及圍繞所述作用面開口的金屬擋牆，其中所述金屬擋牆沿遠離所述第一表面的方向延伸超出所述第一表面；所述基板包括由電介質材料形成的絕緣層以及在所述絕緣層上的第一線路層和第二線路層，所述第一線路層位於所述第一表面，所述第二線路層位於所述基板的與所述第一表面相對的第二表面；所述絕緣層中形成有包圍所述光通訊器件的器件圍牆，所述器件圍牆由金屬材料製成；所述擋牆設置於所述第一線路層遠離所述絕緣層的一側，其中所述金屬擋牆通過所述第一線路層與所述器件圍牆連接；在所述光通訊器件的與所述作用面相對的光通訊器件背面上形成有金屬散熱層，所述金屬散熱層與所述器件圍牆通過所述第二線路層連接。
  2. 如請求項1所述的嵌入式封裝結構，其特徵在於：所述第一線路層和第二線路層通過貫穿所述絕緣層的金屬通孔柱電連接。
  3. 如請求項1所述的嵌入式封裝結構，其特徵在於：所述封裝結構嵌入有至少兩個所述光通訊器件。
  4. 如請求項3所述的嵌入式封裝結構，其特徵在於：所述至少兩個光通訊器件的作用面的方向是相同或不同的。
  5. 如請求項1所述的嵌入式封裝結構，其特徵在於：所述基板還包括在所述第一線路層和/或所述第二線路層上形成的附加增層結構。
  6. 一種嵌入式封裝結構的製造方法，其特徵在於，包括以下步驟：(A)製備包括電介質框架的基板，其中所述基板包括所述電介質框架圍繞的貫穿空腔以及貫穿所述電介質框架的高度的金屬通孔柱；在所述電介質框架中形成圍繞所述空腔的器件圍牆，所述器件圍牆由金屬材料製成；(B)將所述基板的第一表面放置在承載件上；C)將光通訊器件放入所述基板的所述空腔中，其中所述光通訊器件的作用面貼裝在所述承載件上；(D)在所述基板的與第一表面相對的第二表面上層壓或塗覆電介質封裝材料形成絕緣層，使得所述電介質封裝材料完全填充光通訊器件與框架之間的間隙；(E)減薄所述絕緣層以暴露出所述金屬通孔柱在所述第二表面上的端面；(F)移除所述承載件以暴露出所述光通訊器件的作用面和所述金屬通孔柱在所述第一表面上的端面；(G)在所述基板的第一和第二表面上形成第一和第二線路層，其中在所述第一線路層上形成作用面開口以從所述第一表面上暴露出所述光通訊器件的作用面，在所述光通訊器件的與所述作用面相對的光通訊器件背面上形成金屬散熱層，所述金屬散熱層與所述器件圍牆通過所述第二線路層連接；(H)在所述第一線路層上形成圍繞所述作用面開口的金屬擋牆，所述金屬擋牆沿遠離所述第一表面的方向延伸超出所述第一表面，其中所述金屬擋牆通過所述第一線路層與所述器件圍牆連接。
  7. 如請求項6所述的製造方法，其特徵在於，所述承載件選自熱解或光解膠帶、表面塗覆有熱解或光解粘合劑的犧牲銅箔、玻璃載板或單面覆銅板。
  8. 如請求項6所述的製造方法，其特徵在於，所述步驟G還包括：在所述基板的第一表面上施加第一種子層；在所述第一種子層上沉積金屬層；在所述金屬層上施加光刻膠，並曝光顯影形成蝕刻阻擋層；對所述金屬層和所述第一種子層進行蝕刻並移除所述蝕刻阻擋層，形成所述第一線路層和所述作用面開口。
  9. 如請求項8所述的製造方法，其特徵在於，所述步驟G還包括：在所述基板的第二表面上暴露出所述光通訊器件的背面；在所述基板的第二表面上施加第二種子層；在所述第二種子層上施加光刻膠，經曝光顯影形成第一圖案；在所述第一圖案中鍍覆金屬，形成第二線路層和金屬散熱層。
  10. 如請求項8或9所述的製造方法，其特徵在於，在形成所述第一線路層和第二線路層後，在所述第一線路層和第二線路層上形成阻焊層。
  11. 如請求項6所述的製造方法，其特徵在於，所述步驟H還包括：獲取預製的金屬塊；在所述基板的第一表面的預定位置印刷焊料；在所述焊料上貼裝所述金屬塊；通過回流焊接形成所述擋牆。
  12. 如請求項6所述的製造方法，其特徵在於，所述步驟H還包括： 在所述基板的第一表面上沉積第三種子層；在所述第三種子層施加光刻膠，經曝光顯影形成第二圖案；在所述第二圖案中鍍覆金屬形成所述擋牆；移除所述光刻膠並蝕刻所述第三種子層。
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