TWI770271B - 發光元件之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種能夠提昇生產性之發光元件之製造方法。 根據實施形態，發光元件之製造方法包括：雷射光照射步驟，其係對包含基板及半導體構造之晶圓之基板照射雷射光，於基板之內部形成複數個改質區域；及分離步驟，其係於雷射光照射步驟之後將晶圓分離成複數個發光元件。雷射光照射步驟包括沿複數個第1線掃描雷射光之第1照射步驟。複數個第1線於與第1面平行之第1方向上延伸，且於與第1面平行且與第1方向交叉之第2方向上排列。雷射光照射步驟包括在第1照射步驟後沿於第2方向上延伸之第2線掃描雷射光之第2照射步驟。於第1照射步驟中，雷射光照射至沿第1方向之複數個位置，複數個位置之第1照射間距為2.5 μm以下，複數個第1線之第2方向上之間距為0.7 mm以上。
Description
本發明係關於一種發光元件之製造方法。
於製造在基板上積層成為發光層之化合物半導體而成之發光元件之方法中，揭示有藉由對基板進行雷射照射而形成元件分離線之方法。於發光元件之製造方法中，要求生產性之提昇。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5119463號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種能夠提昇生產性之發光元件之製造方法。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之一態樣，發光元件之製造方法包括：雷射光照射步驟，其係對包括具有第1面及第2面之基板及設置於上述第2面之半導體構造之晶圓之上述基板照射雷射光，於上述基板之內部形成複數個改質區域；及分離步驟，其係於上述雷射光照射步驟之後將上述晶圓分離成複數個發光元件。上述雷射光照射步驟包括沿著複數個第1線掃描上述雷射光之第1照射步驟。上述複數個第1線於與上述第1面平行之第1方向上延伸，且於與上述第1面平行且與上述第1方向交叉之第2方向上排列。上述雷射光照射步驟包括在上述第1照射步驟後沿著於上述第2方向上延伸之第2線掃描上述雷射光之第2照射步驟。於上述第1照射步驟中，上述雷射光照射至沿著上述第1方向之複數個位置，沿著上述第1方向之上述複數個位置之第1照射間距為2.5 μm以下，上述複數個第1線之上述第2方向上之間距為0.7 mm以上。 [發明之效果]
根據本發明之一態樣，提供一種能夠提昇生產性之發光元件之製造方法。
以下，一面參照圖式一面對本發明之各實施形態進行說明。 再者，圖式係模式性或概念性圖，各部分之厚度與寬度之關係、部分間之大小之比率等未必限定與實物相同。又，即使於表示相同部分之情形時，亦存在根據圖式而將相互之尺寸及比率不同表示之情形。 再者，於本說明書中，對與關於已出現過之圖於上文敍述過之元件相同之元件標註相同之符號，並適當省略詳細之說明。
圖1係例示實施形態之發光元件之製造方法之流程圖。 圖2及圖3係例示實施形態之發光元件之製造方法中使用之晶圓之模式圖。圖2係圖3之Ⅱ-Ⅱ線剖視圖。圖3係自圖2之箭頭AR觀察之俯視圖。
如圖1所示，實施形態之發光元件之製造方法包括雷射光照射步驟(步驟S110)及分離步驟(步驟S120)。雷射光照射步驟包括第1照射步驟(步驟S111)及第2照射步驟(步驟S112)。分離步驟包括第1分離步驟(步驟S121)及第2分離步驟(步驟S122)。
於雷射照射步驟中，對晶圓照射雷射光。以下，對晶圓之例進行說明。
如圖2及圖3所示，晶圓50W包括基板50及半導體構造51。基板50具有第1面50a及第2面50b。第2面50b係第1面50a之相反側之面。半導體構造51設置於例如第2面50b。
半導體構造51例如包括n形半導體層、活性層及p形半導體層。n形半導體層位於p形半導體層與基板50之間。活性層位於p形半導體層與n形半導體層之間。半導體構造51例如包括Inx
Aly
Ga1 － x － y
N(0≦x、0≦y、x＋y＜1)等氮化物半導體。活性層發出之光之峰值波長為例如為360 nm以上650 nm以下。
將自第2面50b朝向第1面50a之方向設為Z軸方向。將相對於Z軸方向垂直之1個方向設為X軸方向。將相對於Z軸方向及X軸方向垂直之方向設為Y軸方向。第1面50a及第2面50b沿X-Y平面擴展。Z軸方向對應於基板50之厚度方向(例如，深度方向)。
如圖3所示，半導體構造51例如包括複數個區域51r。複數個區域51r各者對應於1個發光元件。複數個區域51r於第1方向D1及第2方向D2上排列。
第1方向D1係與第1面50a平行之1個方向。第2方向D2與第1面50a平行且與第1方向D1交叉。第2方向D2例如相對於第1方向D1垂直。於該例中，第1方向D1沿著X軸方向。第2方向D2沿著Y軸方向。
基板50例如包含藍寶石。基板50例如為藍寶石基板(例如，c面藍寶石基板)。於基板50中，第1面50a亦可相對於c面傾斜。於基板50為藍寶石基板之情形時，於一例中，第1方向D1沿著藍寶石基板之m軸。此時，第2方向D2沿著藍寶石基板之a軸。
基板50具有參考面55。於該例中，參考面55之延伸方向沿著晶圓50W之第1方向D1。於實施形態中，第1方向D1與參考面55之延伸方向之關係為任意。第2方向D2與參考面55之延伸方向之關係為任意。
對此種晶圓50W照射雷射光。將晶圓50W沿著複數個區域51r之邊界分離。自複數個區域51r獲得複數個發光元件。
圖4係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式圖。 圖4例示雷射光之照射。如圖4所示，對晶圓50W之基板50照射雷射光61。於該例中，雷射光61自第1面50a入射至基板50。
雷射光61以脈衝狀出射。作為雷射光源，例如可使用Nd：YAG雷射、鈦藍寶石雷射、Nd：YVO4雷射、或Nd：YLF雷射等。雷射光61之波長係透過基板50之光之波長。雷射光61例如係於800 nm以上1200 nm以下之範圍內具有峰值波長之雷射光。
雷射光61係沿著與X-Y平面平行之方向掃描。例如，雷射光61與基板50之相對位置沿著與X-Y平面平行之方向變更。亦可變更雷射光61之聚光點之沿著Z軸方向之位置(以基板50為基準時之位置)。
例如，沿著基板5之第1面50a之1個方向離散地照射雷射光61。被照射雷射光61之複數個位置沿著該1個方向相互分離。被照射雷射光61之複數個位置以1個間距(雷射照射間距Lp)排列。雷射照射間距Lp與雷射光61之射出間的間距對應。
藉由雷射光61之照射，於基板50之內部形成有複數個改質區域53。將雷射光61聚光於基板50之內部。由雷射光61產生之能量集中於基板50內部之特定深度之位置。藉此，形成複數個改質區域53。形成複數個改質區域53之時之雷射光61之聚光點的間距與雷射照射間距Lp對應。改質區域53例如係於基板50之內部因雷射照射而脆化之區域。
例如，龜裂自複數個改質區域53進展。龜裂於基板50之Z軸方向上伸展。龜裂成為基板50之分離之開始位置。例如，於下述分離步驟中施加力(例如負重或衝擊等)。藉此，基於龜裂將基板50分離。
如此，於雷射光照射步驟(步驟S110)中，對基板50照射雷射光61，從而於基板50之內部形成複數個改質區域53。雷射照射例如沿著第1方向D1及第2方向D2而進行。
繼而，於分離步驟(步驟S120)中，於雷射光照射步驟之後，將晶圓50W分離成複數個發光元件。例如，藉由進行沿著2個方向之分離，而將晶圓50W分離成複數個發光元件。
以下，對雷射光照射步驟之例進行說明。 圖5係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖5例示第1照射步驟(步驟S111)。如圖5所示，於第1照射步驟中，沿著複數個第1線L1掃描雷射光61。
複數個第1線L1於第1方向D1延伸，且於第2方向D2排列。如已說明般，第1方向D1與第1面50a平行。第2方向D2與第1面50a平行，且與第1方向D1交叉。複數個第1線L1以第1間距P1排列。第1間距P1係於第2方向D2上相鄰之2個第1線L1沿著第2方向D2之距離。於實施形態中，第1間距P1例如為0.7 mm以上。第1間距P1較佳為0.7 mm以上3 mm以下，更佳為0.9 mm以上2.5 mm以下，進而較佳為1 mm以上2 mm以下。
複數個第1線L1例如沿著於第2方向D2上排列之複數個區域51r(參照圖3)彼此之間之邊界。
如圖5所示，於沿著複數個第1線L1中之1個之雷射光61之照射中，雷射光61照射至複數個第1位置61a。複數個第1位置61a沿著第1方向D1排列。複數個第1位置61a之間距與第1照射間距Lp1對應。第1照射間距Lp1係於第1方向D1上相鄰之2個第1位置61a沿著第1方向D1。
第1照射間距Lp1例如為2.5 μm以下，較佳為2.0 μm以下，更佳為1.5 μm以下。
圖6係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖6例示第2照射步驟(步驟S112)。如圖6所示，於第2照射步驟中，沿著複數個第2線L2掃描雷射光61。
複數個第2線L2於第2方向D2上延伸。複數個第2線L2於第1方向D1上以第2間距P2排列。第2間距P2係於第1方向D1上相鄰之2個第2線L2沿著第1方向D1之距離。
複數個第2線L2例如沿著於第1方向D1上排列之複數個區域51r(參照圖3)彼此之間之邊界。
於第2照射步驟中之沿著複數個第2線L2之1個之雷射光61之照射中，雷射光61照射至複數個第2位置61b。複數個第2位置61b沿著第2方向D2排列。複數個第2位置61b之間距與第2照射間距Lp2對應。第2照射間距Lp2係於第2方向D2上相鄰之2個第2位置61b沿著第2方向D2。
於一例中，第1照射間距Lp1小於第2照射間距Lp2。
於一例中，第1間距P1(參照圖5)小於第2間距P2(參照圖6)。第1間距P1可大於第2間距P2，第1間距P1亦可與第2間距P2相同。
以下，對分離步驟之例進行說明。 圖7係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖7例示第1分離步驟。於第1分離步驟中，沿著複數個第1線L1將晶圓50W分離成複數條52。例如，藉由使用刮刀並沿著第1線L1對晶圓50W施加負重，可將晶圓50W分離成複數條52。於實施形態中，1條52係複數個區域51r於第1方向D1上排列之狀態。
圖8係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖8例示第2分離步驟。第2分離步驟於第1分離步驟之後進行。第2分離步驟係於第1分離步驟之後，沿著複數個第2線L2，將條52分離成複數個發光元件51e。例如，藉由使用刮刀並沿著第2方向D2對條52(晶圓50W)施加負重，而將條52分離成複數個發光元件51e。
上述分離例如藉由割斷而實行。
如已說明般，於一例中，第1間距P1小於第2間距P2。於利用上述製造方法所得之複數個發光元件51e之1個中，沿著第1方向D1之長度長於沿著第2方向D2之長度。複數個發光元件51e之1個具有長邊及短邊。長邊之長度與第2間距P2實質上對應。短邊之長度與第1間距P1對應。
如上所述，於雷射光照射步驟中，實施第1照射步驟(步驟S111)及第2照射步驟(步驟S112)。已知於在第1照射步驟之後實施第2照射步驟時，存在以非期望之狀態將雷射光61照射至基板50(晶圓50W)之情形。以下，對該例進行說明。
圖9係例示發光元件之製造方法之一部分之模式剖視圖。 圖9例示在第1照射步驟之後實施第2照射步驟時之基板50及雷射光61之照射之狀態。於該例中，第1照射步驟未於適當之條件下進行。
如圖9所示，於第1照射步驟中，沿第1線L1照射雷射光61。藉此，於基板50之內部形成複數個改質區域53a。於圖9中，圖示有基於包括第2方向D2及Z軸方向之平面之剖面。因此，可圖示複數個改質區域53a之1個。複數個改質區域53a沿著第1方向D1排列。
於雷射光61之照射之條件適當之情形時，於基板50形成複數個改質區域53a且於基板50產生裂痕CR，但基板50之主面(例如第1面50a)連續且為1個平面。即，僅藉由照射雷射光61，基板50不會以裂痕CR作為起點而分離。裂痕CR以複數個改質區域53作為起點產生。
另一方面，於雷射光61之照射之條件不適當之情形時，於基板50形成複數個改質區域53a，且於基板50產生裂痕CR。藉由裂痕CR，以第1線L1作為邊界，基板50之第1面50a被分離。分離而形成之2個第1面50a不連續。2個第1面50a相互傾斜。如此，於雷射光61之照射之條件不適當之情形時，於基板50產生意外之｢破裂｣。
因該意外之｢破裂｣，基板50之第1面50a變得不平坦。因｢破裂｣，第1面50a傾斜。若於該狀態下實施第2照射步驟，則於基板50內，雷射光61之聚光點之深度位置變得不固定。因此，於第2照射步驟中形成之複數個改質區域53b之深度位置變得不固定。
如圖9所示，例如，於接近裂痕CR之區域，改質區域53b之位置較深。另一方面，於距裂痕CR遠之區域，改質區域53b之位置淺。因此，難以於所期望之狀態下實施基於第2照射步驟之分離(第2分離步驟)。例如，因容易產生不良而良率容易降低，故難以充分地提高生產性。於接近裂痕CR之區域，雷射光61聚光之位置接近半導體構造51。因此，於半導體構造51產生由雷射光61導致之損傷。
如此可知，若第1照射步驟之條件不適當，則產生意外之｢破裂｣，其結果，難以於適當之條件下實施第2照射步驟。
於實施形態中，使第1照射步驟之條件適當。藉此，例如，能夠抑制意外之｢破裂｣。藉此，可於適當之條件下實施第2照射步驟。可提供一種能夠提昇生產性之發光元件之製造方法。
以下，對與第1照射步驟之條件相關之實驗結果進行說明。
於實驗中，作為基板50，使用厚度為200 μm之藍寶石基板。試樣之平面形狀係邊之長度為10.2 mm之正方形。於試樣之中央部照射改變了照射條件之雷射光61。沿藍寶石基板之m軸照射雷射光61。於雷射光61之照射之後，測定試樣之破斷強度。於破斷強度之測定中，對試樣施加之頭之壓入速度為0.05 mm/sec。
於試樣SP11中，雷射光61之功率為3.5 μJ，雷射照射間距Lp為1.5 μm。於試樣SP11中，雷射脈衝寬度為5.0 ps。 於試樣SP12中，雷射光61之功率為3.5 μJ，雷射照射間距Lp為2.0 μm。於試樣SP12中，雷射脈衝寬度為5.0 ps。 於試樣SP13中，雷射光61之功率為3.5 μJ，雷射照射間距Lp為2.5 μm。於試樣SP13中，雷射脈衝寬度為5.0 ps。 於試樣SP14中，雷射光61之功率為3.5 μJ，雷射照射間距Lp為3.0 μm。於試樣SP14中，雷射脈衝寬度為5.0 ps。 如此，於試樣SP11～SP14中，雷射光61之照射條件中，功率、雷射脈衝寬度為相同值，雷射照射間距之值變更。
圖10係例示關於發光元件之製造方法之實驗結果之圖表。 圖10之縱軸為破斷強度N1(牛頓：N)。於圖10中，表示有上述試樣SP11～SP14之破斷強度N1。圖10所示之試樣SP11～SP14之破斷強度N1係針對各試樣SP11～SP14進行3次測定，由該等測定所得之值之平均值。試樣SP11之破斷強度N1為3.8 N。試樣SP12之破斷強度N1為2.3 N。試樣SP13之破斷強度N1為1.6 N。試樣SP14之破斷強度N1為0.6 N。
由圖10可知，破斷強度N1強烈地依存於雷射照射間距Lp。藉由使雷射照射間距Lp較小，可獲得較高之破斷強度N1。於上述實驗中，沿著藍寶石基板之m軸照射雷射光61。例如，即使於沿著藍寶石基板之a軸照射雷射光61之情形時，認為可獲得與圖10相同之結果。
例如，於如試樣SP14般破斷強度N1相對較小之情形時，於實施了第1照射步驟後之基板50上，產生意外之｢破裂｣。另一方面，於破斷強度N1較高之情形時，能夠抑制於實施了第1照射步驟後之基板50中產生意外之｢破裂｣。
藉由使雷射照射間距Lp較小，可獲得較高之破斷強度N1。例如，於雷射照射間距Lp為1.5 μm以下時，可獲得高於3.8 N之破斷強度N1。能夠進一步抑制於實施了第1照射步驟後之基板50中產生意外之｢破裂｣。 於雷射照射間距Lp寬於特定值之情形時，存在所形成之龜裂彼此之間難以連接而基板50不易破裂之傾向。因此，本發明人等考慮藉由縮窄雷射照射間距Lp而使基板50容易破裂。然而，如上述可知，實際上，藉由縮窄雷射照射間距Lp，破斷強度N1上升，基板50之意外之｢破裂｣得以抑制。作為抑制了意外之｢破裂｣之理由如下：於雷射光61之掃描線上之基板50之內部緊密地形成複數個改質區域53，因該等改質區域53相互重疊而基板50難以破裂。
於實施形態中，使第1照射步驟中之雷射照射間距Lp(即第1照射間距Lp1)較小。例如，第1照射間距Lp1為2.5 μm以下。藉此，可獲得較高之破斷強度N1，且能夠抑制意外之｢破裂｣。藉此，例如，第2照射步驟中之雷射光61之照射狀態(聚光點之深度)穩定。
於實施形態中，第1照射間距Lp1為1.0 μm以上。藉此，例如，能夠抑制於雷射光照射步驟中雷射光對半導體構造51之損傷。又，能夠抑制雷射光照射步驟所需之時間變長而提昇生產性。
於實施形態中，例如，第1照射間距Lp1較佳為小於第2照射間距Lp2。藉此，能夠抑制第1照射步驟後之意外之｢破裂｣。
例如，第2照射間距Lp2為5.0 μm以上12.0 μm以下，較佳為5.0 μm以上7.0 μm以下。藉由第2照射間距Lp2為5.0 μm以上，例如，於基板之分離時，成為分離之起點之線容易呈直線狀。藉由第2照射間距Lp2為12.0 μm以下，例如，能夠抑制自改質區域53之裂痕CR彼此難以連接，從而基板50容易分離。
如已說明般，於實施形態中，第1間距P1(複數個第1線L1之第2方向D2上之間距)為0.7 mm以上。第1間距P1較佳為0.7 mm以上3 mm以下，更佳為0.9 mm以上2.5 mm以下，進而較佳為1 mm以上2 mm以下。於第1間距P1為0.7 mm以上之情形時，對基板50中之形成改質區域53之部分作用相對較大之力，容易產生意外之｢破裂｣。此認為係晶圓50W具有由應力引起之翹曲，若第1間距P1變大，則於相鄰之第1線D1間彼此之翹曲量相對變大，該情況係因該翹曲引起。認為其結果為存在如下傾向，即，於進行第1照射步驟之後或進行第1照射步驟之途中，容易於形成改質區域53之部分產生意外之｢破裂｣。於本實施形態中，縮窄第1照射間距Lp1。藉此，即使於破斷強度N1變大且第1間距P1相對較大之情形時，亦能夠抑制意外之｢破裂｣。
如上所述，第1照射間距Lp1較佳為小於第2照射間距Lp2。此時，於一例中，第1線L1(第1方向D1)沿著m軸，第2線L2(第2方向D2)沿著a軸。於另一例中，第1線L1(第1方向D1)沿著a軸，第2線L2(第2方向D2)沿著m軸。於又一例中，第1線L1(第1方向D1)相對於a軸傾斜，第2線L2(第2方向D2)亦可相對於a軸傾斜。
於實施形態中，特佳為第1方向D1(第1線L1)沿著m軸，第2方向D2(第2線L2)沿著a軸。其原因在於：如以下說明般，藉由沿著m軸進行雷射光61之掃描，即使減小雷射照射間距Lp(第1照射間距Lp1)，成為分離之起點之線(下述)容易成為直線狀。
以下，對將雷射光61沿著a軸掃描時之實驗結果之例進行說明。
圖11及圖12係例示關於發光元件之製造方法之實驗結果之顯微鏡照片影像。 於該等圖中，表示試樣SP21、試樣SP22及試樣SP23之顯微鏡照片影像。於該等試樣中，雷射光61之雷射照射間距Lp相互不同。於該等試樣中，將雷射光61沿著Y軸方向掃描。於該實驗中，Y軸方向沿著藍寶石基板之a軸。X軸方向沿著藍寶石基板之m軸。
試樣SP21之雷射照射間距Lp為12 μm。試樣SP22之雷射照射間距Lp為10 μm。試樣SP23之雷射照射間距Lp為8 μm。於圖11中，照片之焦點位於改質區域53之深處。於圖12中，照片之焦點位於基板50(藍寶石基板)之表面(於該例中為第1面50a)。
由圖11可知，於雷射照射間距Lp較大之試樣SP21中，可觀察到直線狀地連結複數個改質區域53之線53L。認為該線53L與裂痕CR(或裂痕CR之起源)對應。於雷射照射間距Lp為中等程度之試樣SP22中，亦可於複數個改質區域53之一部分中，觀察到直線狀地連結改質區域53之線53L。然而，若與試樣SP21相比，則該線53L彎曲。於雷射照射間距Lp較小之試樣SP23中，實質上未觀察到直線狀地連結複數個改質區域53之線53L。於試樣SP23中，可觀察到通過複數個改質區域53之周圍之曲線狀之線53X。
由圖12可知，於藍寶石基板之表面(第1面50a)，於雷射照射間距Lp較大之試樣SP21中，可觀察到沿著第1方向D1之明確之線53L。認為該線53L與裂痕CR(或裂痕CR之起源)對應。於雷射照射間距Lp為中等程度之試樣SP22中，該線53L之直線性變低，且線53L之一部分相對於第1方向D1傾斜。於雷射照射間距Lp較小之試樣SP23中，線53L變得更加不明確，線53L之一部分相對於第1方向D1較大地傾斜。
圖13係例示關於發光元件之製造方法之實驗結果之模式圖。 圖13模式性地表示自圖11及圖12之顯微鏡照片所推定之基板50中的線53L及線53X。
如圖13所示，於雷射照射間距Lp較大之試樣SP21中，產生沿著第2方向D2連結藍寶石之結晶之晶格點54之線53L。於雷射照射間距Lp較小之試樣SP23中，認為除上述線53L之外，亦產生通過藍寶石之結晶之晶格點54且於相對於第2方向D2傾斜之方向上延伸之線53X。於雷射照射間距Lp為中間程度之試樣SP22中，認為產生試樣SP21與試樣SP23之中間狀態。
如此，於雷射照射間距Lp較大之情形時，形成沿著第2方向D2連結藍寶石之結晶之晶格點54之線53L。與此相對，於雷射照射間距Lp較小之情形時，容易產生於相對於第2方向D2傾斜之方向上延伸之線53X。線53X為蜿蜒之線狀。若產生蜿蜒之線53X，亦存在例如於分離基板50時切斷面非直線狀之情形。
如此，於沿著a軸照射雷射光61之情形時，若使雷射照射間距Lp較小，則易產生蜿蜒之線53X。認為此為六方晶體特有之現象。
另一方面，於沿著m軸照射雷射光61之情形時，即便於使雷射照射間距Lp較小之情形時，亦不易產生蜿蜒之線53X。
由上述可知，於實施形態中，較佳為於雷射照射間距Lp較小之第1照射步驟中，沿著m軸而非a軸掃描雷射光61。此時，較佳為於第2照射步驟中，沿著a軸掃描雷射光61。藉此，能夠使雷射照射間距Lp較小，抑制意外之｢破裂｣。進而能夠抑制蜿蜒之線53X之產生。其結果，可提供一種能夠進一步提昇生產性之發光元件之製造方法。
於實施形態中，第1照射步驟及第2照射步驟中之雷射光61之輸出為100 mW以上300 mW以下，較佳為100 mW以上150 mW以下。若輸出高於300 mW，則存在例如對半導體構造51(例如，發光元件51e)產生損傷之情形。若輸出低於100 mW，則例如難以形成改質區域53，或自改質區域53之龜裂難以伸展。因此，基板50之分離變得困難。於輸出為100 mW以上300 mW以下時，例如能夠抑制對半導體構造51之損傷，並且容易進行分離。
圖14係例示實施形態之發光元件之另一製造方法之一部分之模式圖。 圖14例示雷射光61之照射。於該例中，雷射光61之聚光點位於基板50之複數個深處位置。例如，將雷射光61複數次掃描且照射至基板50。例如，於複數次掃描中，雷射光61之聚光點之深度位置得以變更。藉此，例如，形成複數個改質區域53之群及複數個改質區域53A之群。複數個改質區域53之Z軸方向上之位置與複數個改質區域53A之Z軸方向之位置不同。
如此，於第1照射步驟中，亦可將雷射光61照射至自第1面50a朝向第2面50b之深度方向(Z軸方向)上之複數個位置。藉此，例如，能夠更加穩定地抑制蜿蜒之線53X之產生。
根據實施形態，提供一種能夠提昇生產性之發光元件之製造方法。
再者，於本說明書中，｢垂直｣及｢平行｣不僅為嚴格規定之垂直及嚴格規定之平行，包括例如製造步驟中之偏差等，只要實質上垂直及實質上平行即可。
以上，一面參照具體例，一面對本發明之實施形態進行了說明。然而，本發明並不限定於該等具體例。例如，關於發光元件之製造方法中使用之晶圓、基板、半導體構造、發光元件及雷射等各自之具體構成，只要業者藉由自公知之範圍內適當選擇而同樣地實施本發明，且能夠獲得同樣之效果，則包括於本發明之範圍內。
又，於技術上可能之範圍內組合各具體例之任2個以上之要素而成者只要包括本發明之要旨，則亦包括於本發明之範圍。
另外，業者基於作為本發明之實施形態於上文敍述之發光元件之製造方法進行適當設計變更並實施而獲得之所有發光元件之製造方法只要包括本發明之要旨，則亦屬於本發明之範圍。
另外，應當瞭解的是，於本發明之思想範疇中，只要為業者，則可想到各種變更例及修正例，且該等變更例及修正例亦屬於本發明之範圍。
50‧‧‧基板50a‧‧‧第1面50b‧‧‧第2面50W‧‧‧晶圓51‧‧‧半導體構造51e‧‧‧發光元件51r‧‧‧區域52‧‧‧條53‧‧‧改質區域53A‧‧‧改質區域53a‧‧‧改質區域53b‧‧‧改質區域53L‧‧‧線53X‧‧‧線54‧‧‧晶格點55‧‧‧參考面61‧‧‧雷射光61a‧‧‧第1位置61b‧‧‧第2位置AR‧‧‧箭頭CR‧‧‧裂痕D1‧‧‧第1方向D2‧‧‧第2方向L1‧‧‧第1線L2‧‧‧第2線Lp‧‧‧雷射照射間距Lp1‧‧‧第1照射間距Lp2‧‧‧第2照射間距N1‧‧‧破斷強度P1‧‧‧第1間距P2‧‧‧第2間距S110‧‧‧步驟S111‧‧‧步驟S112‧‧‧步驟S120‧‧‧步驟S121‧‧‧步驟S122‧‧‧步驟SP11‧‧‧試樣SP12‧‧‧試樣SP13‧‧‧試樣SP14‧‧‧試樣SP21‧‧‧試樣SP22‧‧‧試樣SP23‧‧‧試樣
圖1係例示實施形態之發光元件之製造方法之流程圖。 圖2係例示實施形態之發光元件之製造方法中使用之晶圓之模式圖。 圖3係例示實施形態之發光元件之製造方法中使用之晶圓之模式圖。 圖4係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式圖。 圖5係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖6係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖7係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖8係例示實施形態之發光元件之製造方法之一部分之模式俯視圖。 圖9係例示發光元件之製造方法之一部分之模式剖視圖。 圖10係例示關於發光元件之製造方法之實驗結果之圖表。 圖11係例示關於發光元件之製造方法之實驗結果之顯微鏡照片影像。 圖12係例示關於發光元件之製造方法之實驗結果之顯微鏡照片影像。 圖13係例示關於發光元件之製造方法之實驗結果之模式圖。 圖14係例示實施形態之發光元件之另一製造方法之一部分之模式圖。
S110‧‧‧步驟
S111‧‧‧步驟
S112‧‧‧步驟
S120‧‧‧步驟
S121‧‧‧步驟
S122‧‧‧步驟
Claims (6)
- 一種發光元件之製造方法，其包括：雷射光照射步驟，其係對包含具有第1面及第2面且包含藍寶石之基板及設置於上述第2面之半導體構造之晶圓之上述基板照射雷射光，於上述基板之內部形成複數個改質區域；及分離步驟，其係於上述雷射光照射步驟之後將上述晶圓分離成複數個發光元件；且上述雷射光照射步驟包括：第1照射步驟，其係沿複數個第1線掃描上述雷射光，上述複數個第1線於與上述第1面平行且於沿著上述藍寶石之m軸之第1方向上延伸，並於與上述第1面平行且於沿著上述藍寶石之a軸之第2方向上排列；及第2照射步驟，其係於上述第1照射步驟後，沿於上述第2方向上延伸之第2線掃描上述雷射光；於上述第1照射步驟中，上述雷射光照射至沿上述第1方向之複數個位置，沿上述第1方向之上述複數個位置之第1照射間距為2.5μm以下，上述複數個第1線之上述第2方向上之間距為0.7mm以上，於上述第2照射步驟中，上述雷射光照射至沿上述第2方向之複數個位置，且沿上述第2方向之上述複數個位置之第2照射間距大於上述第1照射間距，且沿著上述第1線所形成之上述複數個改質區域相互重疊。
- 如請求項1之發光元件之製造方法，其中上述第2面係上述藍寶石之c面。
- 如請求項1之發光元件之製造方法，其中上述第2照射間距為5.0μm以上12.0μm以下。
- 如請求項2之發光元件之製造方法，其中上述第2照射間距為5.0μm以上12.0μm以下。
- 如請求項1至4中任一項之發光元件之製造方法，其中上述第1照射步驟及上述第2照射步驟中之上述雷射光之輸出為100mW以上300mW以下。
- 如請求項1至4中任一項之發光元件之製造方法，其中於上述第1照射步驟中，上述雷射光照射至自上述第1面朝向上述第2面之深度方向上之複數個位置。
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