TWI760577B - 處理基板的表面的裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供一種用一個處理頭對晶圓等基板的表面進行研磨、清洗等不同的處理且能夠效率良好地處理基板的表面的基板處理裝置和基板處理方法。本發明的基板處理裝置具備：基板保持部（10），保持晶圓（Ｗ）並使該晶圓（Ｗ）旋轉；以及處理頭（50），使複數個摩擦帶（61）與晶圓（Ｗ）的第一面（1）接觸並對晶圓（Ｗ）的第一面進行處理，處理頭（50）具備：複數個按壓部件（65），分別將複數個摩擦帶（61）向晶圓（Ｗ）的第一面（1）按壓；複數個位置切換裝置（67），構成為能夠使複數個按壓部件（65）各自的位置在處理位置與退避位置之間切換；複數個帶抽出捲筒（71），分別將複數個摩擦帶抽出；以及複數個帶捲收捲筒（72），將複數個摩擦帶捲收。

Description

處理基板的表面的裝置及方法
本發明有關對晶圓等基板的表面進行處理的裝置及方法。
近年，存儲器電路、邏輯電路、圖像傳感器（例如CMOS傳感器）等元件逐漸高積體化。在形成這些元件的工序中，有時微粒子、塵埃等異物會附著於元件。附著於元件的異物會引起佈線間的短路、電路回路的故障。因此，為了提高元件的可靠性，需要將形成有元件的晶圓洗淨，除去晶圓上的異物。
即使在晶圓的表面塗布有光刻膠的晶圓的背面（非元件面），有時也會附著有像上述那樣的微粒子、粉塵等異物。當這樣的異物附著於晶圓的背面時，在對晶圓塗布光刻膠後進行的曝光工序中，晶圓從曝光裝置的台基準面離開並且晶圓表面相對於台基準面傾斜，作為結果，會產生圖案的錯位、焦距的錯位。為了防止這樣的問題，需要除去附著於晶圓的背面的異物。
最近，除了光學式曝光技術，還開發了使用奈米壓印技術圖案形成裝置。該奈米壓印技術係通過將圖案形成用的壓模向塗布於晶圓的樹脂材料按壓來轉印佈線圖案的技術。在奈米壓印技術中，為了避免壓模與晶圓間，和晶圓與晶圓間的汙垢的轉印，需要除去存在於晶圓的表面的異物。因此，提出了一種裝置，該裝置用高壓的流體將晶圓從下支承，並且用高負荷使研磨器具與晶圓滑動接觸，從而稍微削去晶圓的表面。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2015-12200號公報 發明要解決的問題
以往的裝置通過基板旋轉機構使晶圓旋轉，同時進行晶圓表面的研磨（例如，參照專利文獻1）。基板旋轉機構具備握持晶圓的周緣部的複數個夾盤，以及經由這些夾盤使晶圓旋轉的環狀的中空馬達。晶圓由夾盤保持為水平，通過中空馬達以晶圓的軸心為中心與夾盤一起旋轉。為了使具備研磨工具的處理頭不與旋轉的夾盤接觸，將其配置於被夾盤握持的晶圓的周緣部的內側。因此，晶圓的表面的最外部不被研磨，需要另外以邊緣研磨用的單元對晶圓的表面的最外部進行研磨。
並且，需要將晶圓從邊緣研磨用的單元向研磨中心部的單元移動，或者，從研磨中心部的單元向邊緣研磨用的單元移動，在單元間輸送晶圓時，有時空氣中的顆粒會附著於晶圓。
以往的裝置在處理頭的內部具備複數個處理器具，複數個處理器具構成為，同時與基板接觸並對基板進行處理。因此，例如，在使用處理頭分別地進行粗研磨和精研磨的情況下，需要從處理頭更換處理器具，為了用處理頭進行粗研磨、精研磨等一連串工序會花費時間。
並且，在這樣的情況下，能夠構成為進行所需的過程，將單元分為用處理單元進行粗研磨的單元和進行精研磨的單元，但是在這樣的結構中，例如，需要將基板從進行粗研磨的單元向進行精研磨的單元輸送，因此，進行一連串的工序仍然會花費時間。
本發明是為了解決上述的以往的問題點而作出的，其目的在於，提供一種裝置和方法，能夠用一個處理頭對晶圓等基板的表面進行研磨、清洗等不同的處理，能夠效率良好地處理基板的表面。 用於解決問題的手段
為了達到上述的目的，本發明的一方式是一種基板處理裝置，其特徵在於，具備：基板保持部，該基板保持部保持基板並使該基板旋轉；以及處理頭，該處理頭使複數個摩擦帶(scrub tape)與所述基板的第一面接觸，並對該第一面進行處理，所述處理頭具備：複數個按壓部件，該複數個按壓部件分別將所述複數個摩擦帶向所述基板的第一面按壓；複數個位置切換裝置，該複數個位置切換裝置構成為，能夠使所述複數個按壓部件各自的位置在處理位置與退避位置之間切換；複數個帶抽出捲筒，該複數個帶抽出捲筒分別將所述複數個摩擦帶抽出；以及複數個帶捲收捲筒，該複數個帶捲收捲筒分別將所述複數個摩擦帶捲收。
本發明的較佳方式，其中，所述摩擦帶是在表面具有磨粒的粗研磨帶、在表面具有磨粒的精研磨帶、以及不具有磨粒的清洗帶中的任一個。 本發明的較佳方式，其中，所述複數個位置切換裝置是分別使所述複數個按壓部件移動的複數個致動器。 本發明的較佳方式，其中，所述基板保持部具備：真空吸附台，該真空吸附台對所述基板的與所述第一面相反的一側的第二面進行真空吸附並對該基板的第二面進行保持；以及台馬達，該台馬達使所述真空吸附台旋轉。 本發明的較佳方式，其中，所述基板保持部具備能夠與所述基板的周緣部接觸的複數個輥，所述複數個輥構成為能夠以各輥的軸心為中心旋轉。 本發明的較佳方式，其中，所述基板保持部還具備靜壓支承台，該靜壓支承台用流體對所述基板的與所述第一面相反的一側的第二面進行支承。 本發明的較佳方式，其中，所述複數個輥具有能夠與所述基板的周緣部接觸的複數個基板保持面，所述複數個基板保持面中的至少一個基板保持面的高度與其他複數個基板保持面的高度不同。
本發明的一方式是一種基板處理方法，係對基板進行處理的方法，其特徵在於，包括如下工序：一邊用基板保持部對所述基板進行保持一邊使該基板旋轉，通過具備第一摩擦帶和第二摩擦帶的處理頭，將所述第一摩擦帶或者所述第二摩擦帶向所述基板的第一面按壓並對所述基板的第一面整體進行處理，對所述基板的第一面整體進行處理的工序包括如下工序：將所述第二摩擦帶配置於退避位置，且將所述第一摩擦帶配置於處理位置，將第一摩擦帶向所述基板的第一面按壓並對所述基板的第一面整體進行第一處理，將所述第一摩擦帶配置於退避位置，且將所述第二摩擦帶配置於處理位置，將該第二摩擦帶向所述基板的第一面按壓並對所述基板的第一面整體進行第二處理。
本發明的較佳方式，其中，所述第一摩擦帶是在表面具有磨粒的粗研磨帶，將所述第一摩擦帶向所述基板的第一面按壓並對所述基板的第一面整體進行所述第一處理的工序是，將所述粗研磨帶向所述基板的第一面按壓並對所述基板的第一面整體進行粗研磨的工序，所述第二摩擦帶是在表面具有磨粒的精研磨帶，將所述第二摩擦帶向所述基板的第一面按壓並對所述基板的第一面整體進行所述第二處理的工序是，將所述精研磨帶向所述基板的第一面按壓並對所述基板的第一面整體進行精研磨的工序。 本發明的較佳方式，其中，所述第一摩擦帶是在表面具有磨粒的研磨帶，將所述第一摩擦帶向所述基板的第一面按壓並對所述基板的第一面整體進行所述第一處理的工序是，將所述研磨帶向所述基板的第一面按壓並對所述基板的第一面整體進行研磨的工序，所述第二摩擦帶是不具有磨粒的清洗帶，將所述第二摩擦帶向所述基板的第一面按壓並對所述基板的第一面整體進行所述第二處理的工序是，將所述清洗帶向所述基板的第一面按壓並對所述基板的第一面整體進行清洗的工序。
本發明的一方式是一種基板處理方法，係對基板進行處理的方法，其特徵在於，包括如下工序：一邊使複數個輥與所述基板的周緣部接觸，一邊使所述複數個輥以各自的軸心為中心旋轉，從而使所述基板旋轉，通過具備粗研磨器具和精研磨器具的處理頭，將所述粗研磨器具或者所述精研磨器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行研磨，對所述基板的背面整體進行研磨的工序是如下工序：將所述精研磨器具配置於退避位置，且將所述粗研磨器具配置於處理位置，將該粗研磨器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行粗研磨，將所述粗研磨器具配置於退避位置，且將所述精研磨器具配置於處理位置，將該精研磨器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行精研磨。
本發明的較佳方式，其中，所述粗研磨器具是在表面具有磨粒的粗研磨帶，所述精研磨器具是在表面具有磨粒的精研磨帶。 本發明的較佳方式，其中，對所述基板的背面整體進行研磨的工序是在將光刻膠塗布於所述基板的表面後、且在將塗布有所述光刻膠的該基板曝光前進行的。 本發明的較佳方式，其中，對所述基板的背面整體進行精研磨的工序是如下工序：在對所述基板的背面整體進行粗研磨後，使所述粗研磨器具從處理位置移動至退避位置，且使所述精研磨器具從退避位置移動至處理位置，將該精研磨器具向該基板的背面按壓並對該基板的背面整體進行精研磨。
本發明的一方式是一種基板處理方法，係對基板進行處理的方法，其特徵在於，包括如下工序：一邊使複數個輥與所述基板的周緣部接觸，一邊使所述複數個輥以各自的軸心為中心旋轉，從而使所述基板旋轉，通過具備研磨器具和清洗器具的處理頭，將所述研磨器具或者所述清洗器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行處理，對所述基板的背面整體進行處理的工序是如下工序：將所述清洗器具配置於退避位置，且將所述研磨器具配置於處理位置，將該研磨器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行研磨，將所述研磨器具配置於退避位置，且將所述清洗器具配置於處理位置，將該清洗器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行清洗。
本發明的較佳方式，其中，所述研磨器具是在表面具有磨粒的研磨帶，所述清洗器具是不具有磨粒的清洗帶。 本發明的較佳方式，其中，對所述基板的背面整體進行處理的工序是在將光刻膠塗布於所述基板的表面後、且在將塗布有所述光刻膠的該基板曝光前進行的。 本發明的較佳方式，其中，對所述基板的背面整體進行清洗的工序是如下工序：在對所述基板的背面整體進行研磨後，使所述研磨器具從處理位置移動至退避位置，且使所述清洗器具從退避位置移動至處理位置，將該清洗器具向該基板的背面按壓並對該基板的背面整體進行清洗。 發明效果
根據本發明，位置切換裝置能夠使按壓部件的位置在處理位置與退避位置之間切換。因此，通過使用不同類型的摩擦帶（處理器具），基板處理裝置能夠用一個處理頭對基板的表面進行研磨、清洗等不同的處理。作為結果，能夠縮短研磨、清洗等一連串的工序時間，能夠效率良好地處理基板。並且，當基板旋轉時，具備上述真空吸附台或者上述輥的基板處理裝置能夠使處理器具在從基板的表面的中心至最外部接觸。因此，處理器具能夠對基板的表面整體進行處理。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。 圖1是表示基板處理裝置的一實施方式的示意圖。基板處理裝置具備：基板保持部10，該基板保持部10對作為基板的一例的晶圓Ｗ進行保持，並以其軸心作為中心旋轉；處理頭組合體49，該處理頭組合體對保持於該基板保持部10的晶圓Ｗ的第一面1進行處理並從晶圓Ｗ的第一面1除去異物、傷痕；以及作為基板支承台的靜壓支承台90，該靜壓支承台90對晶圓Ｗ的與第一面1相反的一側的第二面2進行支承。處理頭組合體49配置於在基板保持部10保持的晶圓Ｗ的上側，靜壓支承台90配置於在基板保持部10保持的晶圓Ｗ的下側。
在本實施方式中，晶圓Ｗ的第一面1是未形成有元件、或者沒有預定要形成元件的晶圓Ｗ的背面，即非元件面，相反側的面即晶圓Ｗ的第二面2是形成有元件、或者預定要形成元件的面，即元件面。在一實施方式中，晶圓Ｗ的第一面1是元件面，晶圓Ｗ的第二面2是非元件面即晶圓Ｗ的背面。作為非元件面的例子，列舉出矽面。作為元件面的例子，列舉出塗布有光刻膠的面。在本實施方式中，晶圓Ｗ以其第一面1朝上的狀態，水平地保持於基板保持部10。
基板保持部10具備：複數個輥11，該複數個輥11能夠與晶圓Ｗ的周緣部接觸；以及輥旋轉機構12，該輥旋轉機構12使這些輥11以各自的軸心為中心旋轉。在本實施方式中，設有四個輥11。也可以設置五個以上的輥11。在一實施方式中，輥旋轉機構12具備馬達、傳動帶(belt)、帶輪等。輥旋轉機構12構成為使四個輥11沿相同的方向以相同的速度旋轉。晶圓Ｗ的第一面1的處理中，晶圓Ｗ的周緣部通過輥11被握持。晶圓Ｗ被保持為水平，通過輥11的旋轉使晶圓Ｗ以其軸心為中心被旋轉。
在保持於基板保持部10的晶圓Ｗ的上方，配置有沖洗液供給噴嘴27，該沖洗液供給噴嘴27向晶圓Ｗ的第一面1供給沖洗液(rinse liquid)（例如純水、或者鹼性的藥液）。該沖洗液供給噴嘴27與未圖示的沖洗液供給源連接。沖洗液供給噴嘴27朝向晶圓Ｗ的中心而配置。沖洗液從沖洗液供給噴嘴27向晶圓Ｗ的中心供給，沖洗液通過離心力在晶圓Ｗ的第一面1上擴散。
處理頭組合體49具有處理頭50，該處理頭50對保持於基板保持部10的晶圓Ｗ的第一面1進行處理並從晶圓Ｗ的第一面1除去異物、傷痕。處理頭50與頭軸51連結。該頭軸51與使處理頭50以其軸心作為中心旋轉的頭旋轉機構58連結。此外，在頭軸51連結有作為對處理頭50施加朝下的負荷的負荷施加裝置的氣壓缸57。處理頭50具備作為用於處理晶圓Ｗ的第一面1的處理器具的複數個摩擦帶61。處理頭50的下面是由這些摩擦帶61構成的處理面。處理頭組合體49至少包含處理頭50、頭軸51、頭旋轉機構58、氣壓缸57。在一實施方式中，頭旋轉機構58具備馬達、傳動帶、帶輪等公知的結構。
靜壓支承台90是基板支承台的一實施方式，基板支承台對保持於該輥11的晶圓Ｗ的第二面2（與第一面1相反的一側的面）進行支承。在本實施方式中，靜壓支承台90構成為使流體與保持於輥11的晶圓Ｗ的第二面2接觸並用流體支承晶圓Ｗ。靜壓支承台90具有與保持於輥11的晶圓Ｗ的第二面2接近的基板支承面91。靜壓支承台90還具備：複數個流體噴射口94，該複數個流體噴射口94形成於基板支承面91；以及流體供給路92，該流體供給路92與流體噴射口94連接。靜壓支承台90配置於在基板保持部10保持的晶圓Ｗ的下方，基板支承面91從晶圓Ｗ的第二面2稍微離開。流體供給路92與未圖示的流體供給源連接。本實施方式的基板支承面91是圓形，但是該基板支承面91也可以具有四邊形或者其他的形狀。
靜壓支承台90將流體（例如，純水等液體）通過流體供給路92供給到複數個流體噴射口94，用流體填滿基板支承面91與晶圓Ｗ的第二面2之間的空間。晶圓Ｗ通過存在於基板支承面91與晶圓Ｗ的第二面2之間的流體而被支承。晶圓Ｗ與靜壓支承台90保持為非接觸，晶圓Ｗ與靜壓支承台90之間的間隙為50μm~500μm。
靜壓支承台90能夠經由流體以非接觸的方式支承晶圓Ｗ的第二面2。因此，當在晶圓Ｗ的第二面2形成有元件時，靜壓支承台90能夠不破壞元件地支承晶圓Ｗ。作為使用於靜壓支承台90的流體，也可以使用不可壓縮性流體即純水等液體、或者空氣、氮等可壓縮性流體即氣體。在使用純水的情況下，作為與流體供給路92連接的流體供給源，能夠使用在設置有基板處理裝置的工廠設置的純水供給線。
處理頭50的下表面（處理面）與靜壓支承台90的基板支承面91同心狀地配置。此外，處理頭50的下表面與靜壓支承台90的基板支承面91相對於晶圓Ｗ對稱地配置。即，處理頭50的下表面與靜壓支承台90的基板支承面91以夾著晶圓Ｗ的方式而配置，從處理頭50施加於晶圓Ｗ的負荷通過靜壓支承台90從處理頭50的正下方被支承。因此，能夠抑制處理頭50使被流體壓力支承的晶圓Ｗ發生撓曲，同時能夠將較大的負荷施加於晶圓Ｗ的第一面1。
較佳的是，處理頭50配置為其下表面的端部位於晶圓Ｗ的中心上。處理頭50的下表面的直徑與晶圓Ｗ的半徑相同，但是較佳的是，比晶圓Ｗ的半徑更大。在本實施方式中，基板支承面91的直徑比處理頭50的下表面的直徑更大，但是基板支承面91的直徑與處理頭50的下面的直徑可以相同，或者也可以比處理頭50的下表面的直徑更小。
圖2是表示輥旋轉機構12的詳細結構的俯視圖。輥旋轉機構12具備：第一傳動帶14A，該第一傳動帶14A將四個輥11中的兩個輥11連結；第一馬達15A，該第一馬達15A與由第一傳動帶14A連結的兩個輥11中的一方連結；第一輥台16A，該第一輥台16A將由第一傳動帶14A連結的兩個輥11支承為可旋轉；第二傳動帶14B，該第二傳動帶14B將四個輥11中的其他兩個輥11連結；第二馬達15B，該第二馬達15B與由第二傳動帶14B連結的兩個輥11中的一方連結；第二輥台16B，該第二輥台16B將由第二傳動帶14B連結的兩個輥11支承為可旋轉。
第一馬達15A和第一傳動帶14A配置於第一輥台16A的下方，第二馬達15B和第二傳動帶14B配置於第二輥台16B的下方。第一馬達15A和第二馬達15B分別固定於第一輥台16A和第二輥台16B的下表面。四個輥11的下部分別固定有未圖示的帶輪。第一傳動帶14A搭設於在四個輥11中的兩個輥11固定的帶輪之周圍，第二傳動帶14B搭設於在其他的兩個輥11固定的帶輪之周圍。第一馬達15A和第二馬達15B構成為以相同的速度沿著相同的方向旋轉。因此，四個輥11能夠以相同的速度沿著相同的方向旋轉。
輥旋轉機構12還具備：與第一輥台16A連結的第一致動器18A；以及與第二輥台16B連結的第二致動器18B。第一致動器18A使支承於第一輥台16A的兩個輥11像箭頭所示的那樣在水平方向上移動。同樣地，第二致動器18B使支承於第二輥台16B的其他的兩個輥11像箭頭所示的那樣在水平方向上移動。即，第一致動器18A與第二致動器18B構成為使兩組輥11（本實施方式中各組由兩個輥11構成）在相互靠近的方向和相互離開的方向上移動。第一致動器18A和第二致動器18B能夠由氣壓缸或者馬達驅動型致動器等構成。在圖2所示的實施方式中，第一致動器18A和第二致動器18B由氣壓缸構成。當兩組輥11在相互靠近的方向上移動時，晶圓Ｗ通過四個輥11被保持；當兩組輥11在相互離開的方向上移動時，晶圓Ｗ從四個輥11釋放。在本實施方式中，設有圍繞基板保持部10的軸心CP排列的四個輥11，但是輥11的數量不限定於四個。例如：也可以將三個輥11以120度的角度等間隔地圍繞軸心CP排列，相對於各個輥11，逐個設置一個致動器。
圖3是輥11的上部的放大圖。輥11具有：圓柱形的基板保持面11a，能夠與晶圓Ｗ的周緣部接觸；以及錐面11b，與基板保持面11a連接，且從基板保持面11a向下方傾斜。錐面11b具有圓錐台形狀，具有比基板保持面11a更大的直徑。晶圓Ｗ首先由未圖示的輸送裝置載置於錐面11b上，之後通過使輥11向晶圓Ｗ移動，而使晶圓Ｗ的周緣部被保持於基板保持面11a。當輥11釋放晶圓Ｗ時，輥11在從晶圓Ｗ離開的方向上移動，從而使晶圓Ｗ的周緣部從基板保持面11a離開，被支承於錐面11b（參照圖3的虛線）。未圖示的輸送裝置能夠將錐面11b上的晶圓Ｗ取出。
圖4是表示第一致動器18A和第二致動器18B由馬達驅動型致動器構成的一實施方式的圖。第一致動器18A具備：第一伺服馬達19A；以及與第一輥台16A連結的第一滾珠螺桿機構20A。第二致動器18B具有：第二伺服馬達19B；以及與第二輥台16B連結的第二滾珠螺桿機構20B。伺服馬達19A、19B分別與滾珠螺桿機構20A、20B連接。當伺服馬達19A、19B驅動滾珠螺桿機構20A、20B時，兩組輥11在相互靠近的方向和相互離開的方向上移動。
伺服馬達19A、19B與致動器控制器21電性連接。致動器控制器21通過控制伺服馬達19A、19B的動作，能夠精密地控制處理晶圓Ｗ時的輥11的位置。在本實施方式中，設有圍繞基板保持部10的軸心CP排列的四個輥11，但是輥11的數量不限定於四個。例如：也可以將三個輥11以120度的角度等間隔地圍繞軸心CP排列，相對於各個輥11，逐個設置一個致動器。
圖5是表示處理頭50的內部構造的一例的圖，圖6是從下方觀察處理頭50的圖。處理頭50具備：殼體53；配置於殼體53內的複數個（圖5中為三個）處理匣63；分別與這些處理匣63連結的複數個帶捲收軸64；以及與帶捲收軸64連結的馬達M1。處理匣63可裝卸地設置於殼體53的內部。在一實施方式中，處理頭50也可以具備四個以上的處理匣63。複數個帶捲收軸64的一端分別與複數個處理匣63連結，在複數個帶捲收軸64的另一端分別固定有複數個錐形齒輪69。這些錐形齒輪69與連結於馬達M1的錐形齒輪70嚙合。
複數個處理匣63分別具備複數個摩擦帶61。這些摩擦帶61圍繞處理頭50的軸心等間隔地排列。處理頭50一邊以其軸心為中心旋轉，一邊使複數個摩擦帶61與晶圓Ｗ的第一面1接觸，從而處理該第一面1。
圖7是表示複數個處理匣63中的一個的示意圖。如圖7所示，處理匣63具備：按壓部件65，該按壓部件65將摩擦帶61相對於晶圓Ｗ的第一面1按壓；位置切換裝置67，該位置切換裝置67構成為能夠使按壓部件65的位置在處理位置與退避位置之間切換；以及匣盒68，該匣盒68收容摩擦帶61、按壓部件65、以及位置切換裝置67。位置切換裝置67是使按壓部件65在上下方向上移動的致動器。在本實施方式中，使用氣壓缸作為位置切換裝置67。
各處理匣63具備：帶抽出捲筒71，該帶抽出捲筒71抽出摩擦帶61；以及帶捲收捲筒72，該帶捲收捲筒72將晶圓Ｗ的處理所使用的摩擦帶61捲收。帶抽出捲筒71、帶捲收捲筒72配置於匣盒68內。帶捲收捲筒72與圖5和圖6所示的帶捲收軸64的一端連結。因此，帶捲收捲筒72能夠通過圖5所示的馬達M1被驅動，從而捲收摩擦帶61。馬達M1、錐形齒輪69、70、以及帶捲收軸64構成將摩擦帶61從帶抽出捲筒71向帶捲收捲筒72傳送的帶傳送機構。摩擦帶61從帶抽出捲筒71沿著圖7的箭頭的方向抽出，通過按壓部件65d的下表面，被帶捲收捲筒72捲收。按壓部件65將摩擦帶61向下方按壓，使摩擦帶61與晶圓Ｗ的第一面1接觸，從而處理該第一面1。
圖7表示按壓部件65和摩擦帶61配置於處理位置時的狀態。該處理位置是摩擦帶61與晶圓Ｗ的第一面1接觸的位置。圖8是表示按壓部件65和摩擦帶61配置於退避位置時的狀態的示意圖。該退避位置是摩擦帶61從晶圓Ｗ的第一面1的離開的位置。位置切換裝置67通過使按壓部件65在處理位置與退避位置之間移動，從而能夠使按壓部件65和摩擦帶61的位置在處理位置與退避位置之間切換。
位置切換裝置67能夠將按壓部件65和摩擦帶61維持在退避位置。此外，複數個位置切換裝置67能夠相互獨立動作。因此，複數個位置切換裝置67能夠使複數個摩擦帶61中的至少一個與晶圓Ｗ的第一面1接觸，另一方面，能夠使其他的摩擦帶61保持從晶圓Ｗ的第一面1離開的狀態。
圖9是表示位置切換裝置67的其他的實施方式的示意圖。在圖9所示的實施方式中，位置切換裝置67具備氣囊75和氣囊保持架(air bag holder)76的組合。氣囊保持架76配置為包圍氣囊75，氣囊75的上表面固定於氣囊保持架76的上壁的下表面。氣囊保持架76固定於匣盒68。位置切換裝置67還具備保持部件77，保持部件77的上端與氣囊75連結，保持部件77的下端與按壓部件65連結。
圖9表示按壓部件65和摩擦帶61配置於處理位置時的狀態。當向氣囊75供給氣體時氣囊會膨脹。氣囊75的向上方和向水平方向的膨脹被氣囊保持架76限制，因此氣囊75向下方膨脹，經由保持部件77將按壓部件65下壓至處理位置。當在氣囊75形成負壓時，按壓部件65和摩擦帶61上升至退避位置。
圖10是表示位置切換裝置67的其他的實施方式的示意圖。在圖10所示的實施方式中，位置切換裝置67具備馬達85和滾珠螺桿機構82的組合。圖10表示按壓部件65和摩擦帶61配置於處理位置時的狀態。滾珠螺桿機構82由可動部82a、螺桿軸82b構成，可動部82a與滾珠螺桿機構82的螺桿軸82b連結。位置切換裝置67還具備保持部件83，按壓部件65經由保持部件83與可動部82a連結。當使馬達85工作時，滾珠螺桿機構82的可動部82a上升或者下降。可動部82a上升或者下降，從而使按壓部件65經由保持部件83在處理位置與退避位置之間移動。在一實施方式中，馬達85也可以是與未圖示的馬達控制部電性連接的伺服馬達。
各摩擦帶61是在表面具有磨粒的研磨帶，或者不具有磨粒的清洗帶。作為研磨帶的例子，列舉出對晶圓Ｗ的第一面1進行粗研磨的粗研磨帶、對晶圓Ｗ的第一面1進行精研磨的精研磨帶。精研磨帶的磨粒具有比粗研磨帶的磨粒更小的粒徑。清洗帶由不含磨粒的部件構成，是用於使其表面與晶圓Ｗ的第一面1接觸並對晶圓Ｗ的第一面1進行清洗的清洗帶。作為清洗帶的一例，列舉出由無紡布構成的帶。
處理頭50所具備的複數個摩擦帶61包含不同類型的摩擦帶。例如：複數個摩擦帶61也可以包含用於進行晶圓Ｗ的粗研磨的粗研磨帶和用於進行晶圓Ｗ的精研磨的精研磨帶。在其他的例子中，複數個摩擦帶61也可以包含對晶圓Ｗ的第一面1進行研磨的研磨帶和對晶圓Ｗ的第一面1進行清洗的清洗帶。處理頭50通過使不同類型的摩擦帶61選擇性地與晶圓Ｗ的第一面1接觸，能夠在將晶圓Ｗ保持在基板保持部10的狀態下對晶圓Ｗ進行不同處理。
圖11是表示具備兩個第一摩擦帶61a以及一個第二摩擦帶61b的處理頭50的一實施方式的仰視圖。第一摩擦帶61a和第二摩擦帶61b是不同類型的摩擦帶。如圖11所示，兩個第一摩擦帶61a和一個第二摩擦帶61b圍繞處理頭50的軸心等間隔地排列。
在一實施方式中，也可以是兩個第一摩擦帶61a是粗研磨帶，一個第二摩擦帶61b是精研磨帶。此外，在一實施方式中，也可以將兩個第一摩擦帶61a作為研磨帶，將一個第二摩擦帶61b作為清洗帶。此外，在一實施方式中，處理頭50也可以具備不同類型的第一摩擦帶、第二摩擦帶、第三摩擦帶。例如：處理頭50也可以具備粗研磨帶、精研磨帶、以及清洗帶。
在一實施方式中，處理器具也可以由代替摩擦帶61的磨石、海綿、或者發泡聚氨酯等固定式處理器具構成。在這種情況下，固定式處理器具保持於對固定式處理器具進行保持的處理器具保持架，處理器具保持架與位置切換裝置67連結。處理頭50使固定式處理器具與晶圓Ｗ的第一面1接觸並對第一面1進行處理。在本說明書中，將研磨帶、磨石等用於研磨晶圓Ｗ的第一面1的處理器具定義為研磨器具，將清洗帶、海綿、發泡聚氨酯等用於清洗晶圓Ｗ的第一面1的處理器具定義為清洗器具。作為磨石的例子，列舉出對晶圓Ｗ的第一面1進行粗研磨的粗磨石、對晶圓Ｗ的第一面1進行精研磨的精磨石。精磨石的磨粒具有比粗磨石的磨粒更小的粒徑。在本說明書中，將粗研磨帶、粗磨石等用於對晶圓Ｗ的第一面1進行粗研磨的研磨器具定義為粗研磨器具，將精研磨帶、精磨石等用於對晶圓Ｗ的第一面1進行精研磨的研磨器具定義為精研磨器具。
圖12是表示處理頭50的配置的俯視圖，圖13是表示處理頭50的配置的側視圖。複數個輥11圍繞基板保持部10的軸心CP而配置，且位於離開基板保持部10的軸心CP相同的距離的位置。當晶圓Ｗ被複數個輥11保持時，晶圓Ｗ的中心點位於基板保持部10的軸心CP上。
在本實施方式中，處理頭50具有比晶圓Ｗ的半徑R更大，且比晶圓Ｗ的直徑更小的直徑。處理頭50的軸心（用符號HP表示）從基板保持部10的軸心CP錯開。因此，處理頭50相對於在基板保持部10保持的晶圓Ｗ偏心。如果將從處理頭50的軸心HP到摩擦帶61的與晶圓Ｗ接觸的面（圖12中用虛線表示）的最外側的緣部的距離設為L1，將從基板保持部10的軸心CP到處理頭50的軸心HP的距離設為L2，則距離L1與距離L2的總和比晶圓Ｗ的半徑R更長。作為結果，如圖12和圖13所示，當處理頭50對晶圓Ｗ的第一面1進行處理時，摩擦帶61的與晶圓Ｗ接觸的面的一部分超出由輥11保持的晶圓Ｗ的周緣部。
從圖12和圖13可知，當晶圓Ｗ旋轉時，磨砂帶61能夠在從晶圓Ｗ的第一面1的中心到最外部接觸。因此，摩擦帶61能夠對晶圓Ｗ的第一面1的整體進行處理。作為結果，不需要用邊緣處理用的單元處理晶圓Ｗ的表面的最外部，能夠減少處理工序。晶圓Ｗ的第一面1的處理中，全部的輥11以各軸心為中心旋轉，但是這些輥11的位置是固定的。因此，即使摩擦帶61的一部分超出晶圓Ｗ的周緣部，輥11也不與處理頭50接觸。
接著，對具備參照圖11說明的處理頭50的基板處理裝置的動作進行說明。以下說明的基板處理裝置的動作由圖1所示的動作控制部81控制。動作控制部81與基板保持部10、處理頭組合體49、靜壓支承台90電性連接。基板保持部10、沖洗液供給噴嘴27、處理頭組合體49、靜壓支承台90的動作由動作控制部81控制。動作控制部81由專用的電腦或者通用的電腦構成。
被處理的晶圓Ｗ在第一面1朝上的狀態下，由基板保持部10的輥11保持，以晶圓Ｗ的軸心為中心旋轉。具體而言，基板保持部10在晶圓Ｗ的第一面1朝上的狀態下一邊使複數個輥11與晶圓Ｗ的周緣部接觸，一邊通過使複數個輥11以各自的軸心為中心旋轉而使晶圓Ｗ旋轉。流體（例如：純水等液體）通過流體供給路92供給到複數個流體噴射口94，靜壓支承台90的基板支承面91和晶圓Ｗ的第二面2之間的空間被流體填滿。晶圓Ｗ由在基板支承面91和晶圓Ｗ的第二面2之間流動的流體支承。
接著，沖洗液從沖洗液供給噴嘴27供給到晶圓Ｗ的第一面1。供給到晶圓Ｗ的第一面1的沖洗液因離心力在晶圓Ｗ的第一面1上擴散。動作控制部81驅動馬達M1，使兩個第一摩擦帶61a和一個第二摩擦帶61b沿著其長度方向以規定的速度行進。頭旋轉機構58使處理頭50以其軸心HP為中心沿著與晶圓Ｗ相同的方向旋轉。接著，氣壓缸57將旋轉的處理頭50朝向晶圓Ｗ的第一面1按壓。處理頭50在沖洗液存在於晶圓Ｗ的第一面1上的狀態下，將兩個第一摩擦帶61a或者一個第二摩擦帶61b向晶圓Ｗ的第一面1按壓，從而對晶圓Ｗ的第一面1整體進行處理。
具體而言，首先，各個位置切換裝置67將第二摩擦帶61b配置於退避位置，並且將兩個第一摩擦帶61a配置於處理位置，處理頭50將兩個第一摩擦帶61a向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行第一處理。經過預先設定的處理時間後，各個位置切換裝置67將兩個第一摩擦帶61a配置於退避位置，將第二摩擦帶61b配置於處理位置，處理頭50將第二摩擦帶61b向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行第二處理。經過預先設定的時間後，動作控制部81使第二摩擦帶61b移動至退避位置。之後，動作控制部81使基板保持部10、沖洗液供給噴嘴27、處理頭組合體49、靜壓支承台90的動作停止，結束晶圓Ｗ的處理。
在本實施方式中，兩個第一摩擦帶61a是在表面具有磨粒的粗研磨帶，將兩個第一摩擦帶61a向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行第一處理的工序是，將兩個粗研磨帶向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行粗研磨的工序。並且，第二摩擦帶61b是在表面具有磨粒的精研磨帶，將第二摩擦帶61b向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行第二處理的工序是，將精研磨帶向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行精研磨的工序。在一實施方式中，也可以代替第一摩擦帶61a而使用粗磨石，也可以代替第二摩擦帶61b而使用精磨石。
在對晶圓Ｗ的第一面1整體進行粗研磨後進行晶圓Ｗ的第一面1的精研磨。即，在對晶圓Ｗ的第一面1整體進行粗研磨後，使粗研磨器具從處理位置移動至退避位置，並使精研磨器具從退避位置移動至處理位置，將精研磨器具向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行精研磨。
在一實施方式中，兩個第一摩擦帶61a是在表面具有磨粒的研磨帶，將兩個第一摩擦帶61a向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行第一處理的工序是將兩個研磨帶向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行研磨的工序。並且，第二摩擦帶61b是不具有磨粒的清洗帶，將第二摩擦帶61b向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行第二處理的工序是將清洗帶向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行清洗的工序。在一實施方式中，處理器具也可以代替第一摩擦帶61a而使用粗磨石或者精磨石等磨石，也可以代替第二摩擦帶61b而使用海綿或者發泡聚氨酯。
在對晶圓Ｗ的第一面1整體進行研磨後，進行晶圓Ｗ的第一面1的清洗。即，在用研磨器具對晶圓Ｗ的第一面1整體進行研磨後，使研磨器具從處理位置移動至退避位置，並使清洗工具從退避位置移動至處理位置，將清洗工具向晶圓Ｗ的第一面1按壓並對晶圓Ｗ的第一面1整體進行清洗。
圖14是表示基板處理裝置的其他的實施方式的示意圖。未特別地說明的本實施方式的結構與參照圖1至圖13進行說明的實施方式相同，因此省略其重複的說明。本實施方式的複數個輥11的基板保持面11a中的至少一個基板保持面11a的高度與其他的複數個輥11的基板保持面11a的高度不同。根據本實施方式，基板保持部10以將晶圓Ｗ傾斜的狀態保持該晶圓Ｗ。晶圓Ｗ的表面狀態在晶圓Ｗ的整個表面可能不同。例如有晶圓Ｗ的整體翹曲的情況、存在於晶圓Ｗ的表面的異物的分佈在晶圓Ｗ面內不均勻的情況。在這樣的情況下，為了均勻地處理晶圓Ｗ的整個表面，需要根據晶圓Ｗ的表面狀態改變處理速率。
在本實施方式中，在晶圓Ｗ的中心側區域與外周側區域晶圓Ｗ承受的來自處理頭50的負荷不同。在本實施方式中，晶圓Ｗ在中心側區域承受的負荷比在外周側區域承受的負荷更大。作為結果，本實施方式的基板處理裝置能夠提高晶圓Ｗ的中心側區域處的處理速率，降低外周側區域處的處理速率。在一實施方式中，也可以使配置於處理頭50側的複數個輥11的基板保持面11a中的至少一個基板保持面11a，比隔著處理頭50而配置於相反側的複數個輥11的基板保持面11a更高。在這種情況下，基板處理裝置能夠降低晶圓Ｗ的中心側區域處的處理速率，提高外周側區域處的處理速率。
圖15是表示基板處理裝置的其他的實施方式的示意圖。未特別地說明的本實施方式的結構和動作與參照圖1至圖13進行說明的實施方式相同，因此省略其重複的說明。圖15所示的基板處理裝置具備代替基板保持部10來對晶圓Ｗ的第二面2進行保持，使晶圓Ｗ以其軸心為中心旋轉的基板保持部100，還具備將基板Ｗ抬起的升降機構130。動作控制部81與基板保持部100和升降機構130電性連接。基板保持部100和升降機構130的動作由動作控制部81控制。在本實施方式中，晶圓Ｗ的第一面1是形成有元件，或者預定要形成元件的面，即元件面，相反側的面即晶圓Ｗ的第二面2是未形成有元件，或者沒有預定要形成元件的晶圓Ｗ的背面，即非元件面。
基板保持部100具備：真空吸附台101，該真空吸附台101通過真空吸附來保持晶圓Ｗ的第二面2；台馬達102，該台馬達102使真空吸附台101旋轉；旋轉接頭105，該旋轉接頭105與真空吸附台101連接：以及真空線107，該真空線107與旋轉接頭105連接。在本實施方式中，台馬達102是中空馬達，真空吸附台101的軸部101b在台馬達102內延伸並與旋轉接頭105連接。在一實施方式中，台馬達102也可以配置於真空吸附台101的軸部101b的側方，通過傳動帶等動力傳遞機構與真空吸附台101的軸部101b連結。
真空吸附台101具備：保持面101a，該保持面101a對晶圓Ｗ的第二面2進行保持；複數個吸引孔120，該複數個吸引孔120在保持面101a內開口；以及內部腔室121，該內部腔室121與這些吸引孔120連通。內部腔室121與上述旋轉接頭105連通。真空線107通過旋轉接頭105和內部腔室121與吸引孔120連通。當真空線107在吸引孔120內形成真空（負壓）時，晶圓Ｗ的第二面2吸附於保持面101a。在本實施方式中，晶圓Ｗ和保持面101a是圓形，保持面101a具有與晶圓Ｗ實質上相同的直徑。因此，晶圓Ｗ的第二面2的整體（包含晶圓Ｗ的第二面2的中心部和外周部）係由保持面101a支承。晶圓Ｗ係由真空吸附台101保持為水平，並通過台馬達102以真空吸附台101的軸心（與晶圓Ｗ的軸心一致）為中心旋轉。
升降機構130具備：複數個升降銷131，該複數個升降銷131支承晶圓Ｗ的緣部；橋部132，該橋部132將這些複數個升降銷131相互連結；升降機133，該升降機133與橋部132連結。在本實施方式中，配置有四根升降銷131，氣壓缸用於升降機133。升降機133構成為能夠使橋部132和複數個升降銷131相對於真空吸附台101相對地上升和下降。更具體地，升降機133使複數個升降銷131在複數個升降銷131的上端比真空吸附台101的保持面101a更高的上升位置和複數個升降銷131的上端比真空吸附台101的保持面101a更低的下降位置之間上下移動。圖15表示複數個升降銷131位於下降位置的狀態。
當處理晶圓Ｗ的第一面1時，複數個升降銷131位於下降位置。因此，即使摩擦帶61的一部分超出晶圓Ｗ的周緣部，複數個升降銷131也不會與處理頭50接觸。在本實施方式中，同樣地，當晶圓Ｗ旋轉時，摩擦帶61也能夠在從晶圓Ｗ的第一面1的中心至最外部接觸。因此，摩擦帶61能夠處理晶圓Ｗ的第一面1的整體。
圖16是表示真空吸附台101和複數個升降銷131的俯視圖。如圖16所示，在真空吸附台101的外周部形成有能夠使複數個升降銷131通過的複數個內凹部136。在本實施方式中，各個內凹部136具有沿著各個升降銷131的外周面形成的半圓形的水平截面。當複數個升降銷131位於上升位置時，晶圓Ｗ通過未圖示的輸送裝置載置於複數個升降銷131上。此時，處理頭50移動至真空吸附台101的外側的退避位置。當複數個升降銷131向真空吸附台101的保持面101a的更下方下降時，晶圓Ｗ載置於保持面101a上。晶圓Ｗ的處理結束後，晶圓Ｗ被複數個升降銷131從保持面101a抬起。在處理頭50位於退避位置，並且複數個升降銷131位於上升位置時，晶圓Ｗ被輸送裝置從複數個升降銷131取出。
當晶圓Ｗ旋轉時，如上所述構成的各種實施方式的基板處理裝置能夠使摩擦帶61在從晶圓Ｗ的第一面1的中心至最外部接觸。因此，摩擦帶61能夠處理晶圓Ｗ的第一面1的整體。並且，處理頭50所具備的複數個摩擦帶61包含不同類型的摩擦帶61，能夠通過位置切換裝置67將各個摩擦帶61在處理位置和退避位置之間切換。因此，基板處理裝置能夠用一個處理頭50對晶圓Ｗ的第一面1整體進行研磨、清洗等不同的處理。作為結果，能夠縮短研磨、清洗等一連串的工序時間，能夠效率良好地處理晶圓Ｗ的第一面1。作為一例，處理晶圓Ｗ的背面整體（研磨、或者清洗）的工序是在將光刻膠塗布於晶圓Ｗ的表面後、且在將表面塗布有光刻膠的晶圓Ｗ的曝光前進行的。
上述的實施方式是以本發明所屬技術領域中具有通常知識者能夠實施本發明為目的而記載的。對於本領域技術人員來說，上述實施方式的各種變形例是顯而易見的，本發明的技術思想也能夠適用於其他的實施方式。因此，本發明不限定於所記載的實施方式，根據申請專利範圍所定義的技術思想在最廣泛的範圍進行解釋。
10‧‧‧基板保持部 11‧‧‧輥 11a‧‧‧基板保持面 11b‧‧‧錐面 12‧‧‧輥旋轉機構 14A‧‧‧第一傳動帶 14B‧‧‧第二傳動帶 15A‧‧‧第一馬達 15B‧‧‧第二馬達 16A‧‧‧第一輥台 16B‧‧‧第二輥台 18A‧‧‧第一致動器 18B‧‧‧第二致動器 19A‧‧‧第一伺服馬達 19B‧‧‧第二伺服馬達 20A‧‧‧第一滾珠螺桿機構 20B‧‧‧第二滾珠螺桿機構 21‧‧‧致動器控制器 27‧‧‧沖洗液供給噴嘴 49‧‧‧處理頭組合體 50‧‧‧處理頭 51‧‧‧頭軸 53‧‧‧殼體 57‧‧‧氣壓缸 58‧‧‧頭旋轉機構 61‧‧‧摩擦帶 61a‧‧‧第一摩擦帶 61b‧‧‧第二摩擦帶 63‧‧‧處理匣 64‧‧‧帶捲收軸 65‧‧‧按壓部件 67‧‧‧位置切換裝置 68‧‧‧匣盒 69‧‧‧錐形齒輪 70‧‧‧錐形齒輪 71‧‧‧帶抽出捲筒 72‧‧‧帶捲收捲筒 75‧‧‧氣囊 76‧‧‧氣囊保持架 77‧‧‧保持部件 81‧‧‧動作控制部 82‧‧‧滾珠螺桿機構 82a‧‧‧可動部 82b‧‧‧螺桿軸 83‧‧‧保持部件 85‧‧‧馬達 90‧‧‧靜壓支承台 91‧‧‧基板支承面 92‧‧‧流體供給路 94‧‧‧流體噴射口 100‧‧‧基板保持部 101‧‧‧真空吸附台 101a‧‧‧保持面 101b‧‧‧軸部 102‧‧‧台馬達 105‧‧‧旋轉接頭 107‧‧‧真空線 120‧‧‧吸引孔 121‧‧‧內部腔室 130‧‧‧升降機構 131‧‧‧升降銷 132‧‧‧橋部 133‧‧‧升降機 136‧‧‧內凹部 M1‧‧‧馬達
圖1是表示基板處理裝置的一實施方式的示意圖。 圖2是表示輥旋轉機構的詳細結構的俯視圖。 圖3是輥的上部的放大圖。 圖4是表示第一致動器和第二致動器由馬達驅動型致動器構成的一實施方式的圖。 圖5是表示處理頭的內部構造的一例的圖。 圖6是從下方觀察處理頭的圖。 圖7是表示複數個處理匣其中的一個的示意圖。 圖8是表示按壓部件和摩擦帶被配置於退避位置時的狀態的示意圖。 圖9是表示位置切換裝置的其他的實施方式的示意圖。 圖10是表示位置切換裝置的其他的實施方式的示意圖。 圖11是表示處理頭的一實施方式的仰視圖。 圖12是表示處理頭的配置的俯視圖。 圖13是表示處理頭的配置的側視圖。 圖14是表示基板處理裝置的其他實施方式的示意圖。 圖15是表示基板處理裝置的又一其他實施方式的示意圖。 圖16是表示真空吸附台和複數個升降銷的俯視圖。
61‧‧‧摩擦帶
63‧‧‧處理匣
65‧‧‧按壓部件
67‧‧‧位置切換裝置
68‧‧‧匣盒
71‧‧‧帶抽出捲筒
72‧‧‧帶捲收捲筒

Claims (4)

  1. 一種基板處理方法，係對基板進行處理的方法，其特徵在於，包括如下工序：一邊使複數個輥與所述基板的周緣部接觸，一邊使所述複數個輥以各自的軸心為中心旋轉，從而使所述基板旋轉，通過具備粗研磨器具、精研磨器具和清洗器具的處理頭，將所述粗研磨器具或者所述精研磨器具或者所述清洗器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行研磨，對所述基板的背面整體進行研磨的工序是如下工序：將所述精研磨器具配置於退避位置，且將所述粗研磨器具配置於處理位置，將該粗研磨器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行粗研磨，將所述粗研磨器具配置於退避位置，且將所述精研磨器具配置於處理位置，將該精研磨器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行精研磨；其中，所述粗研磨器具是在表面具有磨粒的粗研磨帶，所述精研磨器具是在表面具有磨粒的精研磨帶，所述清洗器具是不具有磨粒的清洗帶，其中，對所述基板的背面整體進行研磨的工序是在將光刻膠塗布於所述基板的表面後、且在將塗布有所述光刻膠的該基板曝光前進行的。
  2. 一種基板處理方法，係對基板進行處理的方法，其特徵在於，包括如下工序：一邊使複數個輥與所述基板的周緣部接觸，一邊使所述複數個輥以各自的軸心為中心旋轉，從而使所述基板旋轉，通過具備粗研磨器具、精研磨器具和清洗器具的處理頭，將所述粗研磨器具或者所述精研磨器具或者所述清洗器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行研磨，對所述基板的背面整體進行研磨的工序是如下工序：將所述精研磨器具配置於退避位置，且將所述粗研磨器具配置於處理位置，將該粗研磨器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行粗研磨，將所述粗研磨器具配置於退避位置，且將所述精研磨器具配置於處理位置，將該精研磨器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行精研磨；其中，所述粗研磨器具是在表面具有磨粒的粗研磨帶，所述精研磨器具是在表面具有磨粒的精研磨帶，所述清洗器具是不具有磨粒的清洗帶，其中，對所述基板的背面整體進行精研磨的工序是如下工序：在對所述基板的背面整體進行粗研磨後，使所述粗研磨器具從處理位置移動至退避位置，且使所述精研磨器具從退避位置移動至處理位置，將該精研磨器具向該基板的背面按壓並對該基板的背面整體進行精研磨。
  3. 一種基板處理方法，係對基板進行處理的方法，其特徵在於，包括如下工序：一邊使複數個輥與所述基板的周緣部接觸，一邊使所述複數個輥以各自的軸心為中心旋轉，從而使所述基板旋轉，通過具備研磨器具和清洗器具的處理頭，將所述研磨器具或者所述清洗器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行處理，對所述基板的背面整體進行處理的工序是如下工序：將所述清洗器具配置於退避位置，且將所述研磨器具配置於處理位置，將該研磨器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行研磨，將所述研磨器具配置於退避位置，且將所述清洗器具配置於處理位置，將該清洗器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行清洗；其中，所述研磨器具是在表面具有磨粒的研磨帶，所述清洗器具是不具有磨粒的清洗帶，其中，對所述基板的背面整體進行處理的工序是在將光刻膠塗布於所述基板的表面後、且在將塗布有所述光刻膠的該基板曝光前進行的。
  4. 一種基板處理方法，係對基板進行處理的方法，其特徵在於，包括如下工序：一邊使複數個輥與所述基板的周緣部接觸，一邊使所述複數個輥以各自的軸心為中心旋轉，從而使所述基板旋轉，通過具備研磨器具和清洗器具的處理頭，將所述研磨器具或者所述清洗器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行處理，對所述基板的背面整體進行處理的工序是如下工序：將所述清洗器具配置於退避位置，且將所述研磨器具配置於處理位置，將該研磨器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行研磨，將所述研磨器具配置於退避位置，且將所述清洗器具配置於處理位置，將該清洗器具向所述基板的背面按壓並對所述基板的背面整體進行清洗；其中，所述研磨器具是在表面具有磨粒的研磨帶，所述清洗器具是不具有磨粒的清洗帶，其中，對所述基板的背面整體進行清洗的工序是如下工序：在對所述基板的背面整體進行研磨後，使所述研磨器具從處理位置移動至退避位置，且使所述清洗器具從退避位置移動至處理位置，將該清洗器具向該基板的背面按壓並對該基板的背面整體進行清洗。
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