TWI760490B - 結構體、裝飾膜、結構體之製造方法及裝飾膜之製造方法 - Google Patents

Abstract

本技術之一實施形態之結構體具備裝飾部與構件。上述裝飾部包含金屬層，該金屬層具有第1面、位於上述第1面之相反側之反射率高於上述第1面之第2面、上述第1面側之硬度相對較高之第1內部區域、上述第2面側之上述硬度相對較低之上述第2內部區域、及微細之裂紋。上述構件具有接著上述裝飾部之被裝飾區域。

Description

結構體、裝飾膜、結構體之製造方法及裝飾膜之製造方法

本技術係關於可應用於電子機器或車輛等之結構體、裝飾膜、結構體之製造方法及裝飾膜之製造方法。

先前，作為電子機器等之框體零件，已研究出一種具有金屬外觀且毫米波等電磁波可透過之構件。例如，於專利文獻1中，揭示有用於將汽車雷達搭載於汽車標誌之外設零件。例如，於樹脂薄膜上蒸鍍銦，將該薄膜藉由注塑法安裝於標誌之表層。藉此，可製造出具有裝飾性的金屬光澤，且因銦之島狀構造而於電磁波頻帶下不具有吸收域之外設零件(專利文獻1之說明書段落[0006]等)。

然而，於形成銦之島狀構造之方法中，於蒸鍍面積較大之情形時等，有難以製作出整體均一之膜厚的問題。又，於成形框體零件時，亦有因流入之樹脂之溫度而容易破壞島狀構造之問題(專利文獻1之說明書段落[0007][0008]等)。

為了解決該問題，於專利文獻1揭示了以下之技術。即，人工地規則性形成以金屬區域為島，以包圍該島之無金屬區域為海之海島構造。且，以無金屬區域將各金屬區域彼此絕緣並適當地控制金屬區域之面積及相鄰之金屬之間隔。藉此，可獲得蒸鍍有銦之薄膜與不褪色之電磁波透過性材料(專利文獻1之說明書段落[0013]等)。

於專利文獻2中，揭示有一種遮蔽熱線而透過可見光線及電磁波之遮熱薄膜。其內容記載之大意為：於該遮熱薄膜中，於基材薄膜形成積層有ITO等金屬氧化物層與Ag等金屬層之金屬積層部。且，為了提高可見光線及電磁波之透過性，於金屬積層部形成有裂紋。藉由將可見光線之反射率抑制至25%以下，實現金屬光澤較少之外觀優異之商品(專利文獻2之說明書段落[0008][0040]～[0051][0089]等)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-251899號公報 [專利文獻1]日本專利特開2016-144930號公報

[發明所欲解決之問題]

尋求一種用於製造出具有金屬之光澤且電波可透過，進而設計性較高之構件的技術。

鑒於上述之問題，本技術之目的在於提供一種具有金屬外觀且電波可透過之高設計性之結構體、裝飾膜、結構體之製造方法及裝飾膜之製造方法。

鑒於上述之問題，本技術之目的在於提供。 [解決問題之技術手段]

為達成上述目的，本技術之一形態之結構體具備裝飾部與構件。 上述裝飾部包含具有第1面、位於上述第1面之相反側之反射率高於上述第1面之第2面、上述第1面側之硬度相對較高之第1內部區域、上述第2面側之上述硬度相對較低之上述第2內部區域、及微細之裂紋之金屬層。 上述構件具有接著上述裝飾部之被裝飾區域。

於該構造體中，以使反射率較低之第1面側之第1內部區域之硬度相對較高，反射率較高之第2面側之第2內部區域之硬度相對較低之方式構成金屬層。藉此，例如，可使用反射率較高之鋁等構成上述金屬層。其結果，可實現不但具有金屬之外觀且電波可透過之高設計性之結構體。

上述金屬層亦可包含具有第1硬度之物質、及具有高於上述物質之反射率及低於上述第1硬度之第2硬度之金屬。於該情形時，包含於上述第1內部區域之上述物質之比率亦可高於包含於上述第2內部區域之上述物質之比率，且包含於上述第2內部區域之上述金屬之比率亦可高於包含於上述第1內部區域之上述金屬之比率。 藉此，即使於使用鋁等作為金屬之情形時亦可容易地形成微細之裂紋。

上述金屬層亦可具有包含具有第1硬度之物質之第1層，及包含具有高於上述物質之反射率及低於上述第1硬度之第2硬度之金屬，且積層於上述第1層之第2層。 藉此，即使於藉由鋁等構成第2層之情形時，亦可容易地形成微細之裂紋。

具有上述第1硬度之物質亦可為金屬、半金屬、金屬化合物或半金屬化合物。 藉此，可容易地形成微細之裂紋。

具有上述第1硬度之物質亦可為金屬。 藉此，可防止金屬光澤之劣化，維持高設計性。

具有上述第2硬度之金屬亦可為鋁、銀、金或銅。 使用反射率較高之鋁或銀等，可實現電波可透過之金屬層，故可發揮其高設計性。

具有上述第1硬度之物質亦可為鉻、矽、鈦、鈷、鐵或鎳。 藉由使用該等金屬及半金屬，可容易地形成微細之裂紋，或可防止金屬光澤之劣化。

具有上述第1硬度之物質亦可為氧化鋁、氧化鐵、氧化鉻、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氧化矽、鎂氧化物、氮化硼、氮化鈦、碳化矽、或碳化硼。 藉此，可容易地形成微細之裂紋。

上述第1內部區域亦可為自上述金屬層之厚度方向之中央至上述第1面之間之特定之位置至上述第1面之區域。於該情形時，上述第2內部區域亦可為自上述中央至上述第2面之間之特定位置至上述第2面為止之區域。 藉此，可容易地形成微細之裂紋，可實现不但具有金屬之外觀且電波可透過之高設計性之結構體。

上述第1內部區域其莫氏硬度亦可相對較高。於該情形時，上述第2內部區域其莫氏硬度亦可相對較低。 藉此，可容易地形成微細之裂紋。

上述第1層亦可具有10 nm以上300 nm以下之厚度。於該情形時，上述第2層亦可具有30 nm以上300 nm以下之厚度。 藉此，可維持高反射率且發揮充分之電波透過性。

上述微細之裂紋其間距亦可包含於1 μm以上500 μm以下之範圍。藉此，可發揮充分之電波透過性。

上述第2面其可見光區域之表面反射率亦可為50%以上。藉此，可藉由金屬光澤發揮高設計性。

上述微細之裂紋亦可不規則地形成。 藉此，可發揮高設計性。

上述結構體亦可作為框體零件、車輛或建築物之至少一部分而構成。 藉由應用本技術，可實現不但具有金屬之外觀且電波可透過之高設計性之框體零件、車輛及建築物。

本技術之一形態之裝飾膜具備基底膜與金屬層。 上述金屬層形成於上述基底膜，且具有第1面、位於上述第1面之相反側之反射率高於上述第1面之第2面、上述第1面側之硬度相對較高之第1內部區域、上述第2面側之上述硬度相對較低之上述第2內部區域、及微細之裂紋。

本技術之一形態之結構體之製造方法係包含：於基底膜藉由蒸鍍以使上述第1面側之第1內部區域之硬度高於上述第2面側之第2內部區域之硬度之方式將具有第1面與反射率高於上述第1面之第2面之金屬層形成。 藉由延伸上述基底膜而於上述金屬層形成微細之裂紋。 形成包含形成有上述微細裂紋之金屬層之裝飾膜。 藉由於上述裝飾膜接著承載膜而形成轉印用膜。 藉由模內成形法、熱壓印法、或真空成形法以自上述轉印用膜轉印上述裝飾膜之方式形成成形零件。

於該製造方法中，以使反射率較低之第1面側之第1內部區域之硬度相對較高，反射率較高之第2面側之第2內部區域之硬度相對較低之方式於基底膜形成金屬層。且，藉由延伸基底膜形成微細之裂紋。藉此，作為金屬層，可使用例如反射率較高之鋁等，從而可實現不但具有金屬之外觀且電波可透過之設計性較高之結構體。

於本技術之其他形態之結構體之製造方法中，形成包含形成有上述微細之裂紋之金屬層之轉印用膜。又，藉由模內成形法、熱壓印法、或真空成形法以轉印自上述基底膜剝離之上述金屬層之方式形成成形零件。

於本技術之其他形態之結構體之製造方法中，藉由模內成形法與上述裝飾膜一體地形成成形零件。

本技術之一形態之裝飾膜之製造方法係包含：於基底膜藉由蒸鍍以使上述第1面側之第1內部區域之硬度高於上述第2面側之第2內部區域之硬度之方式將具有第1面與反射率高於上述第1面之第2面之金屬層形成。 藉由延伸上述基底膜而於上述金屬層形成微細之裂紋。 [發明之效果]

如以上，根據本技術，可實現不但具有金屬之外觀且電波可透過之設計性較高之構造體。並不限定於此處所記載之效果，亦可為本發明中所記載之任一種效果。

以下，一面參照圖式一面說明本技術之實施形態。

[電子機器之構成] 圖1係顯示作為本技術之一實施形態之電子機器之攜帶終端之構成例之概略圖。圖1A係顯示攜帶終端100之正面側之前視圖，圖1B係顯示攜帶終端100之背面側之立體圖。

攜帶終端100具有框體部101及收納於框體部101內之未圖示之電子零件。如圖1A所示，於框體部101之前面側即前面部102，設置有通話部103、觸控面板104及對面相機105。通話部103係用於與對方通話而設置，具有揚聲器部106及聲音輸入部107。自揚聲器部106輸出對方的聲音，經由聲音輸入部107將使用者之聲音發送至對方側。

於觸控面板104，顯示有各種圖像或GUI(Graphical User Interface：圖形使用者介面)。使用者可經由觸控面板104閱覽靜態圖像或動態圖像。又，使用者經由觸控面板104輸入各種觸控操作。對面相機105於拍攝使用者的臉等時使用。各器件之具體構成並不受限定。

如圖1B所示，於框體部101之背面側即背面部108，設置有以成為金屬之外觀之方式裝飾之金屬裝飾部10。金屬裝飾部10不但具有金屬外觀且電波可透過。

雖此後詳細地進行說明，但於背面部108之特定之區域形成被裝飾區域11。於該被裝飾區域11，藉由接著裝飾膜12，構成金屬裝飾部10。因此，被裝飾區域11相當於形成金屬裝飾部10之區域。

於本實施形態中，裝飾膜12相當於裝飾部。又，形成被裝飾區域11之框體部101相當於構件。藉由具有被裝飾區域11之框體部101與接著於被裝飾區域之裝飾膜12，本技術之結構體作為框體零件而構成。另，亦有於框體零件之一部分，使用本技術之結構體之情形。

於圖1B所示之例中，於背面部108之大致中央部分地形成金屬裝飾部10。形成金屬裝飾部10之位置並未限定，適當設定即可。例如，亦可於背面部108整體形成金屬裝飾部10。藉此，可將背面部108之整體一樣設為金屬之外觀。

藉由將金屬裝飾部10之周圍之其他部分設為與金屬裝飾部10大致相等之外觀，亦可將背面部108之整體一樣設為金屬之外觀。此外，藉由金屬裝飾部10以外之部分設為木頭紋理等之外觀，亦可使設計性提高。為了發揮使用者所期待之設計性，只要適當設定金屬裝飾部10之位置或大小、其他部分之外觀等即可。

接著於被裝飾區域11之裝飾膜12具有設計面12a。設計面12a為使用攜帶終端100之使用者可視認之面，且為稱為構成框體部101之外觀(設計)之要素之1個之面。於本實施形態中，朝向背面部108之表面側之面成為裝飾膜12之設計面12a。即，與接著於被裝飾區域11之接著面12b(參照圖2)相反側之面成為設計面12a。

作為收納於框體部101內之電子零件，於本實施形態中，收納有可經由外部之讀寫器等與電波通信之天線部15(參照圖2)。天線部15具有例如基底基板(未圖示)、形成於基底基板上之天線線圈16(參照圖2)，及電性連接於天線線圈16之信號處理電路部(未圖示)等。天線部15之具體構成並不受限定。另，作為收納於框體部101之電子零件，可收納IC晶片或電容器等各種電子零件。

圖2係顯示金屬裝飾部10之構成例之模式性剖視圖。如上所述，金屬裝飾部10係由形成於對應於天線部15等之位置之區域之被裝飾區域11與接著於被裝飾區域11之裝飾膜12構成。

裝飾膜12具有黏著層18、基底膜19、金屬層20及密封樹脂21。黏著層18為用於將裝飾膜12接著於被裝飾區域11之層。黏著層18藉由塗佈黏著材料於形成基底膜19之金屬層20之面之相反側之面形成。黏著材料之種類或塗佈方法等並無限定。接著於黏著層18之被裝飾區域11之面成為裝飾膜12之接著面12b。

基底膜19包含具有延伸性之材料，典型而言，使用樹脂薄膜。作為基底膜19之材料，使用例如PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、PMMA(丙烯酸樹脂)或PP(聚丙烯)等。亦可使用其他材料。

另，由於基底膜19為與金屬相接之層，故若使用例如氯乙烯系材料，亦可能促進游離之氯對金屬之腐蝕。因此，作為基底膜19，藉由選擇非氯乙烯系之材料，可防止金屬之腐蝕。當然，並不限於此。

金屬層20係為了將被裝飾區域11設為金屬之外觀而形成。金屬層20為藉由真空蒸鍍形成於基底膜19之層，且形成有多條微細之裂紋(以下，記作微細裂紋)22。

藉由該微細裂紋22，於金屬層20形成複數個不連續面，表面電阻值成為大致絕緣狀態。因此，可於電波撞擊框體部101時充分地抑制渦電流產生。其結果，可充分地抑制因渦電流損失引起之電磁波能量之降低，實現高電波透過性。

金屬層20之厚度設定為例如約30 nm以上且300 nm以下之範圍。若膜厚過小則由於透光故可見光區域之反射率降低，若膜厚過大則由於表面形狀容易變得粗糙故反射率降低。又，膜厚越小，高溫高濕試驗後(例如75℃90%RH48H後)之反射率降低量越大。另，RH為相對濕度(Relative Humidity)。

藉由考慮到該點而於上述之範圍設定膜厚，可實現維持有高反射率之電波透過面。尤其，藉由於30 nm以上150 nm以下之範圍設定膜厚，充分地維持高反射率，又，發揮了高電波透過性。當然，並未限定於該等之範圍，為了發揮所期待之特性，適當設定金屬層20之膜厚即可。又，亦可於例如30 nm以上300 nm以下之範圍之中，重新設定最佳之數值範圍。

密封樹脂21包含透明之材料，且作為保護基底膜19及金屬層20之保護層(硬塗層)而發揮功能。密封樹脂21藉由塗佈例如UV硬化樹脂、熱硬化樹脂或2液硬化性樹脂等而形成。藉由形成密封樹脂21，實現例如平滑化、防污、防止剝離、防止損傷等。另，作為保護層，亦可塗敷丙烯酸樹脂等。作為密封樹脂21，藉由選擇非氯乙烯系材料，有利於防止金屬之腐蝕。

又，密封樹脂21亦具有固定化金屬層20內之微細裂紋22而防止再次接著之功能。即，密封樹脂21亦作為固定層而發揮功能。藉此，可發揮充分之電波透過性，又，可較長地維持電波透過性。另，作為保護層而發揮功能之層與作為固定層而發揮功能之層可相互分離而構成，亦可作為具有2層構造之覆蓋層而形成於金屬層20上。

密封樹脂21之表面，即與覆蓋金屬層20之側相反側之面成為裝飾膜12之設計面12a。另，於密封樹脂21之表面(設計面12a)或密封樹脂21之下表面亦可形成印刷層等。藉此，可提高設計性。

於本實施形態中，於形成裝飾膜12時，首先形成包含基底膜19及金屬層20之光澤薄膜23。其後，於光澤薄膜23形成黏著層18及密封樹脂21。另，形成各層之順序並未限定於此。又，於框體部101之成形條件等中，亦有省略黏著層18及密封樹脂21之情形。於該情形時，光澤薄膜23作為本技術之裝飾膜接著於被裝飾區域11。

圖3係顯示金屬層20之構成例之模式性剖視圖。於圖3中，微細裂紋22之圖示省略。

金屬層20具有形成於基底膜19上之高硬度層25與積層於高硬度層25之高反射層26。金屬層20之高反射層26側之面(以下，記作高反射面)20a成為如圖2所示之裝飾膜12之設計面12a側之面，並成為使用者經由透明之密封樹脂21視認之面。金屬層20之高硬度層25側之面(以下，記作高硬度面)20b連接於基底膜19。

於本實施形態中，形成包含莫氏硬度約為9之鉻層作為高硬度層25。又，形成包含莫氏硬度約為2.5反射率高於鉻之鋁之鋁層作為高反射層26。高硬度層25之厚度為大約50 nm，高反射層26之厚度為大約100 nm。

如此，藉由形成積層有包含具有較高反射率之金屬之高反射層26與硬度高於高反射層26之高硬度層25之金屬層20，延伸基底膜19，藉此可容易地形成微細裂紋22。認為此為高硬度層25於膜內成為拉伸斷裂強度較低之區域，而以該區域為起點形成微細裂紋22之緣故。即，可認為追隨於高硬度層25之斷裂高反射層26亦斷裂，於金屬層20之全體形成微細裂紋22。

藉此，例如可使用硬度較低且難以藉由延伸產生裂紋之鋁等構成金屬層20。即，可藉由鋁等形成設計面12a側之高反射層26。由於鋁之可見光區域之反射率較高，故於設計面12a(高反射面20a)，可發揮較高之反射率。其結果，可實現高設計性之金屬光澤。

高反射層26主要作為於設計面12a(高反射面20a)用於實現高設計性之金屬光澤之層而發揮功能。高硬度層25主要作為用於誘發於高反射層26之裂紋之產生之層而發揮功能。

於本實施形態中，高硬度層25側之高硬度面20b相當於第1面。高反射層26側之高反射面20a相當於反射率高於第1面之第2面。又，高硬度層25相當於第1面側之硬度相對較高之第1內部區域27。又，高反射層26側之高反射面20a之附近之區域，相當於第2面側之硬度相對較低之第2內部區域28。典型而言，第1及第2內部區域27及28藉由彼此大致相等之厚度而受限，但當然並不限定於此。

於金屬層20之厚度方向上，將自表面至何位置(距離)之區域定為該表面側之內部區域，並無限定。典型而言，可規定以金屬層20之厚度方向之中央C至高硬度面20b之特定之位置起，至高硬度面20b之區域為第1內部區域27。又，可規定以中央C至高反射面20a之特定之位置起，至高反射面20a之區域為第2內部區域28。當然，並不限定於此。

於圖3所示之例中，可將較高硬度層25薄之區域或厚之區域設為第1內部區域27，將距高反射面20a大致相等之厚度之區域設為第2內部區域28。即使於將較高硬度層25薄之區域設為第1及第2內部區域27及28之情形時，第1內部區域27亦成為相對硬度較高之區域，第2內部區域28亦成為相對硬度較低之區域。

於將較高硬度層25厚之區域設為第1及第2內部區域27及28之情形時，於第1內部區域27包含鉻與鋁。於該情形時，若著眼於第1及第2內部區域27及28之各平均硬度，即各內部區域所含之鉻之硬度及鋁之硬度之平均，第1內部區域27成為相對硬度較高之區域，第2內部區域成為相對硬度較低之區域。

即，於本揭示中，內部區域之硬度包含平均硬度，即該內部區域所含之1以上之物質之各者之硬度之平均。另，於本實施形態中，藉由莫氏硬度規定內部區域之硬度，但並未限定於此。即使使用維氏硬度、布氏硬度、洛氏硬度等其他尺度之情形時，本技術亦適用。

於本實施形態中，構成高硬度層25之鉻，相當於具有第1硬度之物質。又，構成高反射層26之鋁，相當於具有較具有第1硬度之物質高之反射率與低於第1硬度之第2硬度之金屬。

金屬層20其第1內部區域27所含之鉻之比率，高於第2內部區域28所含之鉻之比率。又，第2內部區域28所含之鋁之比率，高於第1內部區域27所含之鋁之比率。此係於第1及第2內部區域27及28之厚度，較高硬度層25薄之區域或厚之情形時均被認可之特徵(以下，記作特徵A)。

例如，於將距離高硬度面20b及高反射面20a僅高硬度層25之厚度之區域或薄之區域，設為第1及第2內部區域27及28之情形時，包含於第1內部區域27之鉻之比率為大致100%，鋁之比率為大致0%。另一方面，包含於第2內部區域28之鉻之比率為大致0%，鋁之比率為大致100%。因此，上述之特徵A被確認。

於將較高硬度層25更厚之區域設為第1及第2內部區域27及28之情形時，包含於第1內部區域27之鉻之比率小於100%，鋁之比率大於0%。然而，包含於第2內部區域28之鉻之比率為大致0%，鋁之比率為大致100%。因此，上述之特徵A被確認。

圖4係以顯微鏡放大光澤薄膜23之金屬層20之表面狀態而拍攝之照片。該照片M1係包含比率尺(刻度)而拍攝者，但為了容易辨識該比率尺，自照片上增強線而圖示。又，關於照片M1，有可提出彩色之照片的準備。該等之點對於圖5等其他照片(M2～5)亦同樣。

於本實施形態中，於基底膜19形成積層有包含鉻之高硬度層25與包含鋁之高反射層26之金屬層20。且，藉由以延伸率(相對於原先之大小之延伸量)2%、基板加熱130℃之條件，2軸延伸基底膜19，形成微細裂紋22。

如照片M1所示，於金屬層20，不規則地形成微細裂紋22。所謂不規則地形成係指微細裂紋22之形成態樣無規則性，亦可以說，微細裂紋22隨機形成。

例如，如圖4所示，微細裂紋22之方向無規則性，成為朝隨機方向形成無數條裂紋22之狀態。或，包圍於微細裂紋22之區域5之形狀無規則性，亦可以說，藉由微細裂紋22形成隨機形狀之無數個區域5之狀態。

微細裂紋22之間距(裂紋間隔)設定為例如1 μm以上500 μm以下之範圍。即，以藉由微細裂紋22劃分之區域5之尺寸大致包含於1 μm以上500 μm以下之範圍之方式形成微細裂紋22。於圖4所示之例中，裂紋22之間距成為大約10～50 μm。

例如，若間距過小，則於金屬層20之表面反射之光會散亂，由於具有光透過性之空隙(間隙)之面積相對增加故反射率下降。另一方面，若間距過大則電波透過性下降。藉由將間距設為1 μm以上500 μm以下之範圍，可維持高反射率且實現電波透過性。例如，可充分透過WiFi或Bluetooth(註冊商標)之2.45 GHz之電磁波(波長約12.2cm)。

當然，並不限定於該範圍，以發揮所期待之特性之方式，適當設定微細裂紋22之間距。例如，藉由將間距設定為50 μm以上200 μm以下之範圍，充分地發揮高反射率及高電波透過性。其他，例如，於1 μm以上500 μm以下之範圍之中，亦可重新設定最佳之數值範圍。

以4探針電阻器評價照片M1之金屬層20之表面電阻時顯示絕緣性。又，使用分光光度計(U-4100「株式會社 日立製作所製」)，測定可見光區域(400 nm～700 nm)之表面反射率(平均反射率)時，成為70%以上之值。即，具有較高之反射率之金屬光澤之表面，又，可實現具有充分之電波透過性之金屬層20。

另，若形成密封樹脂或硬塗層等之保護層，表面反射率大約下降5%左右。即使考慮該情況，藉由使用本技術之裝飾膜12，亦能以形成有保護層之狀態將表面反射率設為65%以上之較高值。

圖5係顯示包含鉻之高硬度層25之厚度不同之情形之表面狀態之照片。於圖5A所示之金屬層20中，形成厚度大約為25 nm之高硬度層25。於該情形時，沿基底膜19延伸之2軸方向，網眼狀地形成微細裂紋22。即，於微細裂紋22之形成態樣觀察到規則性，微細裂紋22之方向大致等於2軸方向之任一者。此亦可以說包圍於微細裂紋22之區域5之形狀為大致矩形狀。微細裂紋22之間距為大約50 μm。

於如圖5B所示之金屬層20中，厚度形成為大約100 nm之高硬度層25。於該情形時，沿2軸方向產生之裂紋22與不規則地形成之裂紋22成為混合之狀態。微細裂紋22之間距為大約50 μm。

如照片M1～M3所示，藉由控制高硬度層25之厚度，可使微細裂紋22之形成態樣不同。即，可適當選擇不規則地形成如照片M1所示之微細裂紋22之態樣、規則地形成如照片M2所示之微細裂紋22之態樣，及混合如照片M3所示之兩者之狀態之態樣。此係認為是由於薄膜狀之物質可能會根據厚度而硬度變化。

另，若將不規則地形成微細裂紋22之情形與規則地形成之情形相比，可知不規則地形成之情形者可能會減輕微細裂紋22之視認性(凸顯度)。可認為此係由於當微細裂紋22之方向一致時，微細裂紋22較為醒目。

因此，藉由控制高硬度層25之厚度，可控制微細裂紋22之視認性。例如，藉由以微細裂紋22不規則地形成之方式控制高硬度層25之厚度，可使設計面12a(高反射面20a)之設計性提高。另，藉由控制高硬度層25之厚度，亦可控制裂紋22之間距。例如，亦可藉由縮小裂紋22之間距，使視認性減輕。

圖6係顯示真空蒸鍍裝置之構成例之模式圖。真空蒸鍍裝置200具有配置於真空槽(未圖示)內之薄膜搬送機構201、隔板202、載置台203、及加熱源(未圖示)。

薄膜搬送機構201具有第1輥205、旋轉圓筒206、及第2輥207。當旋轉圓筒206向右旋轉時，基底膜19自第1輥205朝向第2輥207，沿旋轉圓筒206之周面搬送。若旋轉圓筒206向左旋轉時，基底膜19自第2輥207朝向第1輥205搬送。

載置台203配置於與旋轉圓筒206對向之位置。於載置台203，配置有收納構成形成於基底膜19之金屬層20之材料之坩鍋208。與旋轉圓筒206之坩鍋208對向之區域成為成膜區域210。隔板202對以朝向成膜區域210以外之區域之角度行進之成膜材料90之微粒子91進行限制。

於本實施形態中，首先將收納有構成高硬度層25之鉻之坩鍋208載置於載置台203。旋轉圓筒206以充分冷卻之狀態搬送基底膜19。例如，旋轉圓筒206向右旋轉，自第1輥205朝向第2輥207，搬送基底膜19。

與基底膜19之搬送配合，藉由例如加熱器、雷射或電子槍等未圖示之加熱源，加熱坩鍋203內之鉻。藉此，自坩鍋203產生包含微粒子91之蒸氣。藉由包含於蒸氣之鉻之微粒子91堆積於行進於成膜區域210之基底膜19，於基底膜19成膜包含鉻之高硬度層25。藉由控制基底膜19之搬送速度或熔融金屬之蒸發速度等，可控制成膜之層之厚度。

其次，收納有構成高反射層26之金屬即鋁之坩鍋208載置於載置台203。旋轉圓筒206向左旋轉，自第2輥207朝向第1輥205，搬送形成高硬度層25之基底膜19。與搬送配合，藉由加熱坩鍋208內之鋁，於高硬度層25成膜高反射層26。於本實施形態中，蒸鍍開始面成為高硬度面20b，蒸鍍終結面成為高反射面20a。

於本實施形態中，由於可藉由輥對輥方式進行連續之真空蒸鍍，故可謀求大幅之成本降低、生產性之提高。當然，即使於使用分批方式之真空蒸鍍裝置之情形時亦可應用本技術。

圖7係顯示2軸延伸裝置之構成例之模式圖。2軸延伸裝置250具有基底構件251，及配置於基底構件251上之具有相互大致相等之構成之4個延伸機構252。4個延伸機構252係以於相互正交之2軸(x軸及y軸)之各者每兩個於各軸上相互對向之方式配置。以下，一面參照沿y軸方向之箭頭之相反方向延伸光澤薄膜23'之延伸機構252a一面進行說明。

延伸機構252a具有固定區塊253，可動區塊254及複數個夾具255。固定區塊253固定於基底構件251上。於固定區塊253，貫通有於延伸方向(y方向)延伸之延伸螺釘256。

可動區塊254可移動地配置於基底構件251。可動區塊254連接於貫通固定區塊253之延伸螺釘256。因此，藉由操作延伸螺釘256，可動區塊254可朝y方向移動。

複數個夾具255沿正交於延伸方向之方向(x方向)排列。於複數個夾具255之各者，貫通有於x方向延伸之滑動軸257。各夾具255可沿滑動軸257變更x方向之位置。複數個夾具255之各者與可動區塊254係藉由連結連桿258及連結銷259連結。

藉由延伸螺釘256之操作量，控制延伸率。又，藉由適當設定複數個夾具255之個數或位置、連結連桿258之長度等亦可控制延伸率。另，2軸延伸裝置250之構成並未限定。本實施形態之2軸延伸裝置250係以全切割之單片2軸延伸薄膜者，但亦可以輥連續地2軸延伸。例如，藉由輥間之輸送方向之張力與設置於輥間之輸送同步移動之夾具255於輸送方向賦予直角張力，可進行連續之2軸延伸。

於基底構件251上配置真空蒸鍍後之光澤薄膜23'，於4邊之各者安裝延伸機構252之複數個夾具255。於藉由未圖示之已調溫之加熱燈或已調溫之熱風加熱光澤薄膜23'之狀態下，操作4個延伸螺釘256進行2軸延伸。於本實施形態中，於各軸方向之延伸率2%、基板加熱130℃之條件下，2軸延伸基底膜19。藉此，如圖4所示，不規則地形成微細裂紋22。或，如圖5所示，沿著正交於延伸方向之方向(2軸方向)，形成成為網眼狀之微細裂紋22。

若延伸率過低則無法形成適當之微細裂紋22，從而導致金屬層20具有導電性。於該情形時，由於渦電流等之影響，故無法發揮出充分之電波透過性。另一方面，若延伸率過大，則對延伸後之基底膜19之損傷變大。其結果，於將裝飾膜12接著於被裝飾區域11時，由於空氣之侵入或褶皺之產生等，有良率惡化之可能性。又，由於基底膜19或金屬層20自身之變形，有導致金屬裝飾部10之設計性下降之情形。該問題於將金屬層20自基底膜19剝離而轉印之情形時亦可能產生。

於本實施形態之光澤薄膜23中，於各軸方向上以2%以下之較低之延伸率，可恰當地形成微細裂紋22。藉此，可充分地防止對基底膜19之損傷，可提高良率。又，可較高地維持接著裝飾膜12之金屬裝飾部10之設計性。當然可適當設定延伸率，只要未產生上述之問題，亦可設定2%以上之延伸率。

[金屬層之其他構成例] 作為具有高硬度面20b、其相反側之高反射面20a、高硬度面20b側之硬度相對較高之第1內部區域27、及高反射面20a側之硬度相對較低之第2內部區域28之金屬層20，可列舉其他各種之構成例。

圖8係表示用於形成其他金屬層之真空蒸鍍裝置之構成例之模式圖。該真空蒸鍍裝飾300具有第1載置台303a、第2載置台303b及中間隔板311。第1載置台303a係自旋轉圓筒306之正面偏移至配置有第1滾筒305之側而配置。第2載置台303b係自旋轉圓筒306之正面偏移至配置有第2輥307之側而配置。

中間個板311配置於第1及第2載置台303a及303b之中間，以位於相對於旋轉圓筒306成正面之方式配置。藉由中間隔板311，成膜區域分割為第1載置台303a側之第1成膜區域310a與第2載置台303b側之第2成膜區域310b。

於第1載置台303a，配置有收納鉻之坩鍋308a。於第2載置台303b，配置有收納鋁之坩鍋308b。旋轉圓筒306向右旋轉，基底膜19自第1輥305朝向第2輥307搬送。與此相配合，加熱坩鍋308a內之鉻及坩鍋308b內之鋁。

載置收納有鉻之坩鍋308a之側成為上游側，第1成膜區域310a成為高硬度層25之成膜區域。藉由鉻之微粒子91a堆積於於第1成膜區域310a內行進之基底膜19，形成高硬度層25。

載置有收納有鋁之坩鍋308b之側成為下游側，第2成膜區域310b成為高反射層26之成膜區域。藉由鋁之微粒子91b堆積於於第2成膜區域310b行進之基底膜19上之高硬度層25，形成高反射層26。

如此，藉由分割成膜區域，無法往返輸送基底膜19，於相同之步驟內，可形成高硬度層25及高放射層26。其結果，進而可謀求大幅度之成本降低、生產性之提高。

圖9A係顯示以圖8所示之真空蒸鍍裝置300形成之金屬層20H之構成例之模式性剖視圖。圖9B係顯示金屬層20H之厚度方向之位置之鉻與鋁之原子組成比率之模式圖表。

例如，亦有不被圖8所示之中間隔板311限制，鉻之微粒子91a行進至第2成膜區域310b之情形。同樣地，鋁之微粒子91b亦有行進至第1成膜區域319a之情形。

因此，如圖9A及B所示，於高硬度層25與高反射層26之邊界，有可能形成鉻與鋁混合之混合區域29。形成此種混合區域29之構成亦包含於本技術之金屬層之構成。

即，圖9所示之金屬層20H亦成為包含硬度相對較高之第1內部區域27及硬度相對較高之第2內部區域28之金屬層，發揮上述之各種效果。又，亦可確認關於第1及第2內部區域27及28之鉻及鋁之比率之特徵A。

又，於如圖10A及B所示之金屬層20I之厚度方向上，亦可控制鉻及鋁之各者之比率，形成金屬層。例如，自高硬度面20b至高反射面20a，以鉻之比率變低，鋁之比率變高之方式構成金屬層20I。

此種難以區分高硬度層與高反射層之構成亦包含於本技術之金屬層之構成，發揮上述之各種效果。即，成為包含硬度相對較高之第1內部區域27及硬度相對之第2內部區域28之金屬層20I，亦可確認關於鉻及鋁之比率之特徵A。

構成金屬層之材料並不限定於鉻及鋁。亦可採用具有第1硬度之物質及具有高於具有第1硬度之物質之反射率及低於第1硬度之第2硬度之金屬之各種組合。以下，將具有第1硬度之物質記作高硬度物質，將具有第2硬度之金屬記作高反射物質。

例如，作為高反射金屬，使用鋁或銀(Ag)等之可見光區域之反射率較高之金屬。又，作為高反射金屬，亦可使用金(Au)或銅(Cu)等金屬。且，作為高硬度物質，使用相對硬度較高之金屬、半金屬、金屬化合物或半金屬化合物。

鋁、銀、金及銅之莫氏硬度為大約2.5左右。因此，作為高硬度物質，可使用莫氏硬度約高於2.5之金屬、半金屬、金屬化合物或半金屬化合物。例如，可使用以下之物質，但當然並未限定於該等之材料。

鉻(Cr)：莫氏硬度約9 矽(Si)：莫氏硬度約7 鈦(Ti)：莫氏硬度約6 鈷(Co)：莫氏硬度約5.5 鐵(Fe)：莫氏硬度約4.5 鎳(Ni)：莫氏硬度約3.5 氧化鋁(Al₂ O₃ )：莫氏硬度約9 氧化鐵(Fe₂ O₃ )：莫氏硬度約6 氧化鉻（Cr₂ O₃ ）：莫氏硬度約6 氧化鈰(CeO₂ )：莫氏硬度約6 氧化鋯(ZrO₂ )：莫氏硬度約6 氧化鈦(TiO₂ )：莫氏硬度約5.5 氧化矽(SiO₂ )：莫氏硬度約7 氧化鎂(MgO)：莫氏硬度約6.5 氮化硼(BN)：莫氏硬度約9 氮化鈦(TiN)：莫氏硬度約9 碳化矽(SiC)：莫氏硬度約9.5 碳化硼(B₄ C)：莫氏硬度約9

另，亦可存在於某種構成中作為高反射金屬使用之金屬於其他構成中作為高硬度物質使用之情形。

圖11係顯示積層有包含鋁之高反射層(100 nm)及包含鈷之高硬度層(50 nm)之金屬層之表面狀態之照片。如照片M4所示，沿基底膜19延伸之2軸方向，網眼狀地形成微細裂紋22。其結果，實現了具有有高反射率之金屬光澤之表面又具有充分之電波透過性之金屬層20。另，裂紋22之間距為大約50～100 μm，與形成包含鉻之高硬度層(50 nm)之情形相比，間距變大。如此，藉由適當選擇高硬度物質，可適當控制裂紋22之規則性之有無、裂紋22之間距。

若高硬度物質及高反射金屬之硬度之差較小，則有藉由延伸形成微細裂紋22變難之情形。例如，相對於包含鋁之高反射層26，形成包含銅(Cu)之高硬度層25。且，於與形成包含鉻或鈷之高硬度層25之情形相同之條件下延伸基底膜19。

於已形成包含鉻或鈷之高硬度層25之情形時適當地形成微細裂紋22之條件下，亦有於已形成包含銅之高硬度層25之情形時未形成微細裂紋22之情形。認為此係由於於銅中未產生裂紋，且未產生誘發裂紋之力。當然，亦可藉由控制延伸條件等，形成包含銅之高硬度層25、或微細裂紋22。

另，即使以相同延伸條件延伸包含鋁之單層之金屬層或包含鉻之單層之金屬層，亦幾乎不會形成微細裂紋22，成為於表面具有導電性之金屬層20。而藉由附加高硬度物質，可容易地形成微細裂紋22。又，藉由選擇高硬度物質之材料，控制高硬度層25之厚度，可控制裂紋間距或裂紋形狀。

本發明者使用各種高硬度物質，於10 nm以上300 nm以下之範圍形成高硬度層25，又，使用各種高反射金屬，於30 nm以上300 nm以下之範圍形成高反射層26。其結果，可形成發揮高反射率及高電波透過性之裝飾膜12。例如，可容易地製造高反射面20a之可見光區域之表面反射率為50%以上之裝飾膜12。又，亦可容易地製造可見光區域之表面反射率為70%以上之裝飾膜12。

進而，為了滿足上述之金屬層20之整體之膜厚為30 nm以上300 nm以下之範圍的條件，藉由形成高硬度層25及高反射層26，可形成具有非常高之反射率及電波透過性之裝飾膜12。另，藉由使高硬度層25變薄，可使生產性提高。

圖12係用以說明形成金屬層之其他方法之圖。圖13係顯示以圖12所示之方法形成之金屬層之構成例的模式圖。此處，作為高硬度物質及高反射金屬，以形成包含氧化鋁及鋁之金屬層20J之情形為例說明。

如圖12所示，於真空蒸鍍裝置400之載置台403，載置有收納有鋁之坩鍋408。又，於成膜區域410之上流側(第1輥405側)，配置有氧導入機構420。藉由氧導入機構420導入之氧之導入量(流量：sccm)並未限定，亦可適當設定。

旋轉圓筒406向右旋轉，自第1輥405朝向第2輥407搬送基底膜19。與基底膜19之搬送配合，藉由氧導入機構420，向基底膜19吹送氧。加熱坩堝408內之鋁，鋁之微粒子91堆積於於成膜區域410行進之基底膜19。藉此，經添加氧之鋁層作為金屬層20J而成膜。

由於氧導入機構420配置於上游側，故如圖13所示，向於成膜區域410之上游側形成於基底膜19之金屬層20J之氧之添加量變多。另一方面，向於下游側形成之金屬層20J之氧之添加量變少。即，蒸鍍開始面成為添加濃度最高之面，蒸鍍結束面成為添加濃度最低之面。

因此，自蒸鍍開始面(高硬度面20b)至蒸鍍結束面(高反射面20a)可容易地形成高硬度物質即氧化鋁之比率變低，高反射金屬即鋁之比率變高之金屬層20J。

該金屬層20J成為包含硬度相對較高之第1內部區域27及硬度相對之第2內部區域28之金屬層，發揮上述之各種效果。又，亦確認關於第1及第2內部區域27及28之氧化鋁及鋁之比率之特徵A。

如此，作為用於誘發裂紋22之高硬度物質，於使用高反射金屬之化合物之情形時，於金屬層之成膜時，亦可使高反射金屬與特定之元素反應，形成該金屬之化合物。藉此，可謀求成本降低或生產性提高。

當然，供給之元素並未限定於氧，藉由供給氮(N)等，可容易產生包含氮化合物等之金屬層。

圖14為顯示作為已添加氧之鋁層而形成之金屬層20J之表面狀態之照片(該金屬層20J亦可整體稱為AlO_x 薄膜)。如照片M5所示，沿基底膜19延伸之2軸方向，網眼狀地形成微細裂紋22。其結果，實現具有高反射率之金屬光澤之表面，而且具有充分之電波透過性之金屬層20。另，裂紋22之間距為大約100～200 ｕm，稍微偏大。

另，金屬層20之內部之組成分析，可藉由使用眾所周知的技術而得以實行：使用剖面TEM(穿透式電子顯微鏡：Transmission Electron Microscope)之解析、使用SEM/EDX(掃描式電子顯微鏡/能量色散X射線光譜儀)之解析、使用X射線光電子光譜法(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy)之Al2p之窄譜掃描(角度分解能測定)之解析等。

因此，足夠判定是否為具有高硬度面20b、其相反側之高反射面20a、高硬度面20b側之硬度相對較高之第1內部區域27、及高反射面20a側之硬度相對較低之第2內部區域28之金屬層20。

圖15係顯示金屬裝飾部之其他構成例之模式性剖視圖。於圖15所示之例中，於覆蓋金屬層20K之密封樹脂21上形成黏著層18，密封樹脂21側接著於框體部101之被裝飾區域11。因此，與形成基底膜19之金屬層20K之面相反側之面，成為裝飾膜12之設計面12a。於該情形時，使用透明之基底膜19，密封樹脂21亦可為不透明。即，可使用任意經著色者作為密封樹脂21，藉此，可使設計性提高。

另，亦可於基底膜19上形成保護層，亦可於基底膜19具備作為保護層之功能。又，具備保護金屬層20K之保護層、防止微細裂紋22之再次接著之固定層、及用於將裝飾膜12接著於被裝飾區域11之接著層之全部功能之層，亦可以覆蓋金屬層20之方式形成。

圖16係顯示圖15所示之金屬層20K之構成例之模式性剖視圖。於圖15所示之構成中，抵接於金屬層20K之基底膜19之抵接面，成為設計面12a側之面。因此，以抵接於基底膜19之面成為高反射面20a，其相反側之面成為高硬度面20b之方式，形成金屬層20K。又，以於高硬度面20b側形成硬度相對較高之第1內部區域27，於高反射面20a側形成硬度相對較低之第2內部區域28之方式，形成金屬層20K。

因此，只要以相對於基底膜19，高反射面20a及高硬度面20b成相反之方式形成金屬層即可。例如，如圖16所示之金屬層20K般，於基底膜19上形成高反射層26，於其上形成高硬度層25。當然，關於未成為明確之2層構造之金屬層，只要以相對於基底膜19，高反射面20a及高硬度面20b成相反之方式形成即可。

如，如參照圖6所說明般，於切換旋轉圓筒206之旋轉方向使基底膜19往返之情形時，只要使載置坩堝208之順序相反即可。即，首先載置收納有構成高反射層26之金屬之坩堝208，成膜高反射層26。其後，只要載置收容有構成高硬度層25之物質之坩堝208，成膜高硬度層25即可。

如參照圖8所說明般分割成膜區域，於以一次步驟成膜金屬層之情形時，只要使載置坩堝之位置相反即可。即，於相對於成膜區域成上游側之載置台303a，載置收納有構成高反射層26之金屬之坩堝。於相對於成膜區域成下游側之載置台303b，載置收納有構成高硬度層25之物質之坩堝即可。

如參照圖12所說明般，只要於成膜時添加特定之元素之情形時，使供給元素之供給機構之位置相反即可。即，藉由將供給機構配置於下游側，可形成蒸鍍開始面成為添加濃度最低之面蒸鍍結束面，蒸鍍結束面成為添加濃度最高之面之金屬層。

圖17係顯示對光澤薄膜23進行高溫高濕試驗，於該試驗前後之高反射面20a之反射率之圖表。作為樣品，作成有具有鋁及鉻之2層構造之金屬層(記作樣品1)與添加有氧之鋁層即金屬層(記作樣品2)。另，以基底膜19側成為高反射面20a之方式，作成樣品1及2(於圖15所示之構成)。

關於樣品1及2，測定金屬層之成膜時之反射率(Initial)，75℃90%RH之環境下之24H/48H後之可見光區域(400 nm～700 nm)之表面反射率。另，反射率為自基底膜19側測定之結果。

於樣品1中，於成膜時，成為77.4%之非常高之反射率。另，延伸步驟前之反射率為83.2%，可一面維持高反射率，一面產生微細裂紋。又，24H後之反射率為74.7%，48H後之反射率為73.0%。即，24H後之降低量為27，48H後之降低量為4.4，幾乎看不到金屬光澤之劣化，而可維持高反射率。

於樣品2中，於成膜時，為75.3%之非常高之反射率。24H後之反射率為57.8%，48H後之反射率為50.7%。即，24H後之降低量為17.5、48H後之降低量為24.6，可觀察到金屬光澤之劣化。

於樣品2中，藉由添加氧會失去膜之緻密性，可觀察到膜密度下降之傾向。藉此，認為會形成水分自外部侵入之線路，促進金屬層20之氧化，產生金屬光澤之劣化。

如樣品1所示，藉由使用鉻等金屬作為高硬度物質，可防止膜密度之降低。即，藉由以金屬材料構成高反射層及高硬度層，可製造耐久性非常高之裝飾膜12，可維持高設計性。即使使用半金屬材料亦可獲得相同之效果。

圖18係用於說明鑄模成形法。鑄模成形係藉由如圖18所示之具有腔模501與芯模502之成形裝置500進行。如圖18A所示，於腔模501，形成對應於框體部101形狀之凹部503。以覆蓋該凹部503之方式配置轉印用膜30。轉印用膜30係藉由將圖2所示之裝飾膜12接著於承載膜31而形成。轉印用膜30藉由例如輥對輥方式，自成形裝置500之外部供給。

如圖18B所示，腔模501與芯模502夾固，經由形成於芯模502之澆口部506，將成形樹脂35向凹部503射出。於腔模501，形成供給成形樹脂35之澆口部508，連接於其之澆道部509。腔模501與芯模502夾固，澆道部509與澆口部506連結。藉此，供給至澆口部508之成形樹脂35向凹部503射出。另，用於射出成形樹脂35之構成並未限定。

作為成形樹脂35，使用例如ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂等通用樹脂、PC樹脂、ABS與PC之混合樹脂等之工程塑膠等。並非限定於該等，亦可適當選擇成形樹脂之材料或顏色(透明度)以獲得所期待之框體部(框體零件)。

成形樹脂35係以高溫熔化之狀態向凹部503射出。成形樹脂35係以擠壓凹部503之內面之方式射出。此時，配置於凹部503之轉印用膜30因成形樹脂35擠壓而變形。因成形樹脂35之熱量，故形成於轉印用膜30之黏著層18熔化，從而裝飾膜12接著於成形樹脂35之表面。

成形樹脂35射出後，腔模501及芯模502冷卻，夾固解除。於芯模502，附著有已轉印裝飾膜12之成形樹脂35。藉由取出該成形樹脂35，製造於特定區域形成金屬裝飾部10之框體部101。另，於夾固解除時，剝離承載膜31。

藉由使用鑄模成形法，容易對準裝飾膜12之位置，簡單地形成金屬裝飾部10。又，框體部101之形狀的設計自由度變高，可製造具有各種形狀之框體部101。

另，收納於框體部101之內側之天線部15亦可於框體部101成形時藉由鑄模成形法安裝。或者，亦可於框體部101成形後，將天線部15貼附於框體部101之內側。又，亦可存在於框體內部內置天線部15之情形。

圖19係用於說明嵌入成形法之模式圖。於嵌入成形法中，於成形裝置550之腔模551內，裝飾膜12作為嵌入膜而配置。且，如圖19B所示，腔模551與芯模552夾固，經由澆口部556，向腔模551內射出成形樹脂35。藉此，與裝飾膜12一體地形成框體部101。使用嵌入成形法亦可簡單地形成金屬裝飾部10。又，可製造具有各種形狀之框體部101。另，執行鑄模成形及嵌入成形之成形裝置之構成並未限定。

圖20係顯示包含基底膜與金屬層之轉印用膜之構成例之概略圖。該轉印用膜630具有基底膜619、剝離層681、硬塗層682、金屬層620、密封樹脂621、黏著層618。剝離層681及硬塗層682係以該順序形成於基底膜619上。

因此，金屬層620形成於已形成剝離層681及硬塗層682之基底膜619上。且，藉由延伸基底膜619，於金屬層620形成微細裂紋622。

如圖20B所示，於藉由鑄模成形法形成框體部101時，剝離基底膜619及剝離層681，包含金屬層620之裝飾部612接著於被裝飾區域611。如此，基底膜619亦可作為承載膜而使用。另，亦可將形成有剝離層681之基底膜619視作本技術之基底膜。又，亦可將自基底膜619剝離之裝飾部612稱為裝飾膜。

另，於圖20所示之例中，金屬層620之蒸鍍開始面成為設計面612a側之高反射面420a，蒸鍍結束面成為相反側之高硬度面420b。亦可取代該構成，以蒸鍍開始面成為高硬度面，蒸鍍結束面成為高反射面之方式作成轉印用膜。

亦可使用圖18及圖20所示之轉印用膜30及630，藉由熱壓印法，於被裝飾區域11形成已轉印包含金屬層20之裝飾膜(裝飾部)12之框體部101。亦可藉由其他貼附等任意之方法將裝飾膜12接著於框體部101。又，亦可使用真空成形或壓空成形等。

以上，於本實施形態之結構體即框體部101(框體零件)中，以反射率較低之高硬度面20b側之第1內部區域27之硬度相對較高，反射率高之高反射面20a側之第2內部區域28之硬度相對較低之方式構成金屬層20。藉此， 使用例如反射率較高之鋁等，可構成上述之金屬層20。其結果，可實現具有金屬之外觀且可透過電波之高設計性之框體部101。

於使用具有In或Sn之島狀構造之薄膜作為透過電波之金屬膜之情形時，反射率為50%～60%左右。此係由於材料之光學常數，如本實施形態之光澤薄膜23般，實現70%以上之反射率非常困難。又，由於In為稀有金屬故會耗費材料成本。

又，於使用無電解鍍敷，藉由進行後烘烤使鎳或銅等金屬皮膜產生裂紋之情形時亦難以實現70%以上之反射率。又，亦考慮使矽與金屬合金化，藉由提高表面電阻率產生電波透過性，但該情形亦難以實現70%以上之反射率。

又，於本實施形態中，由於藉由真空蒸鍍形成金屬材料之膜，故可使用於無電解鍍敷等濕式鍍敷中難以成膜於樹脂上之Al或Ti等材料。因此，可使用之金屬材料之選擇範圍非常廣，可使用反射率較高之金屬材料。又，由於藉由2軸延伸形成微細裂紋22，故於真空蒸鍍中，可以高密著性形成金屬層20。其結果，於鑄模成形時或嵌入成形時，可不流出金屬層20而恰當地成形框體部101。又，亦可提高金屬裝飾部10自身之耐久性。

又，於本實施形態中，僅以金屬之2層膜可實現光澤薄膜23。因此，由於可使用簡易之蒸著源之構成之簡易之蒸著步驟，故可抑制裝置成本等。另，經添加氧或氮之金屬層的形成方法並不限定於向薄膜搬送機構201吹送氣體。例如亦可使坩堝內之金屬材料包含氧等。

本技術之內置天線等可應用於收納於內部之幾乎全部電子機器。例如，作為此種電子機器，可列舉攜帶電話、智慧型手機、個人電腦、遊戲機、數位相機、TV、投影機、汽車導航系統、GPS終端、穿戴式資訊機器(眼鏡型、腕帶型)等電子機器，藉由無線通信等操作該等之遙控器、滑鼠、觸控筆等操作機器、車載雷達或車載天線等車輛所具備之電子機器等各種。又，亦可應用於連接於網路等之IoT(Internet of things：物聯網)機器等。

又，本技術並不限定於電子機器等框體零件，亦可對車輛或建築物應用。即，具備本技術之裝飾部與具有接著裝飾部之被裝飾區域之構件之結構體亦可使用於車輛或建築物之全部或一部分。藉此，可實現具有金屬之外觀且具有電波可透過之壁面等之車輛或建築物，可發揮非常高之設計性。另，車輛包含自動車、公交車、電車等任意車輛。建築物包含獨幢住宅，集合住宅、設施、橋等任意建築物。

＜其他實施形態＞ 本技術並非限定於以上說明之實施形態，可實現其他各種實施形態。

作為高反射金屬，亦可使用鈦、鉻及包含該等中之至少一種之合金。

作為於上述說明之本技術之金屬層之特徵，亦可列舉該點：具有硬度相對較高之第1面與位於第1面之相反側之反射率高於第1面且硬度低之第2面。又，作為本技術之金屬層之特徵，亦可列舉該點：於第1面至位於第1面之相反側之反射率高於第1面之第2面之範圍內硬度變低。

圖21係顯示其他實施形態之光澤薄膜之構成例之剖視圖。於該光澤薄膜723中，拉伸斷裂強度小於金屬層720之支持層750作為支持金屬層720之層而設置。藉此，可使用於形成微細裂紋722所需之延伸率下降。例如，以小於使金屬層720本身(主要為高硬度層等)斷裂所需之延伸率可形成微細裂紋722。可認為此係如圖21A及B所示，由於追隨於拉伸斷裂強度較小之支持層750A及B之表面之斷裂，從而金屬層720斷裂。

如圖21A所示，使用拉伸斷裂強度較小之基底膜作為支持層750A。例如，二軸延伸PET其拉伸斷裂強度為大約200～250 MPa，多為高於金屬層720之拉伸斷裂強度之情形。

另一方面，無延伸PET、PC、PMMA及PP之拉伸斷裂強度如以下： 無延伸PET：約70 MPa PC：約69～約72 MPa PMMA：約80 MPa PP：約30～約72 MPa 因此，藉由使用包含該等之材料之基底膜作為支持層750A，可以較低之延伸率恰當地形成微細裂紋522。另，作為支持層750A，藉由選擇非氯乙烯系之材料，有利於防止金屬腐蝕。

如圖21B所示，亦可於基底膜19上形成被覆層作為支持層750B。例如，藉由塗敷丙烯酸樹脂等形成硬塗層，可簡單地形成該硬塗層作為支持層750B。

藉由於拉伸斷裂強度較大基底膜719與金屬層720之間形成拉伸斷裂強度較小之硬塗層，可將光澤薄膜723B之耐久性維持在較高，且實現低延伸率之微細裂紋722之形成。又，於製造步驟上必須使用PET之情形等亦有效。另，作為如圖21A及B所示之作為支持層750A及B發揮功能之基底膜或硬塗層之表面之斷裂為微細裂紋722之寬度左右之非常小者。因此，不會導致空氣侵入等或設計性低下。

圖22係顯示作為支持層750B形成之硬塗層之厚度與形成於金屬層720之微細裂紋722之間距(裂紋間隔)之關係之圖。圖22係顯示形成丙烯酸層作為硬塗層之情形之關係。

如圖22所示，於丙烯酸層之厚度為1 μm以下之情形時，微細裂紋722之間距為50 μm～100 μm。另一方面，若將丙烯酸層之厚度設定為1 μm～5 μm之範圍，則微細裂紋722之間距為100 μm～200 μm。如此，可知丙烯酸層之厚度越大，微細裂紋722之間距越大。因此，藉由適當控制丙烯酸層之厚度，可調整微細裂紋722之間距。例如，藉由將丙烯酸層之厚度設為0.1 μm以上10 μm以下，可將微細裂紋722之厚度調整為所期待之範圍。當然並不限定於該範圍，例如，亦可於0.1 μm以上10 μm以下之範圍中，重新設定最合適之數值範圍。

用於形成微細裂紋之延伸並不限定於2軸延伸。亦可執行1軸延伸或3軸以上之延伸。又，亦可進而對捲繞於圖6所示之第2輥207之基底膜19以輥對輥方式執行2軸延伸。進而，於進行真空蒸鍍後，於捲繞於第2輥207之前執行2軸延伸。

以上說明之本技術之特徵部分之中，可組合至少2個特徵部分。即，以各實施形態說明之各種特徵部分亦可不區分各實施形態，進行任意之組合。又，於上述記述之各種效果僅為例示而非限定者，亦可發揮其他效果。

另，本技術亦可採用如下所述之構成。 (1)一種結構體，其具備：裝飾部，其包含具有第1面、位於上述第1面之相反側之反射率高於上述第1面之第2面、上述第1面側之硬度相對較高之第1內部區域、上述第2面側之上述硬度相對較低之上述第2內部區域、及微細之裂紋之金屬層；構件，其具有接著上述裝飾部之被裝飾區域。 (2)如(1)之結構體，其中上述金屬層包含具有第1硬度之物質及具有高於上述物質之反射率及低於上述第1硬度之第2硬度之金屬； 包含於上述第1內部區域之上述物質之比率高於包含於上述第2內部區域之上述物質之比率，包含於上述第2內部區域之上述金屬之比率高於包含於上述第1內部區域之上述金屬之比率。 (3)如(1)或(2)之結構體，其中上述金屬層具有包含具有第1硬度之物質之第1層及第2層，該第2層具有包含高於上述物質之反射率及低於上述第1硬度之第2硬度之金屬，並積層於上述第1層。 (4)如(2)或(3)之結構體，其中具有上述第1硬度之物質為金屬、半金屬、金屬化合物或半金屬化合物。 (5)如(2)至(4)中之任1項之結構體，其中具有上述第1硬度之物質為金屬。 (6)如(2)至(5)中之任1項之結構體，其中具有上述第2硬度之金屬為鋁、銀、金或銅。 (7)如(2)至(6)中之任1項之結構體，其中具有上述第1硬度之物質為鉻、矽、鈦、鈷、鐵、或鎳。 (8)如(2)至(6)中之任1項之結構體，其中具有上述第1硬度之物質為氧化鋁、氧化鐵、氧化鉻、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氧化矽、氧化鎂、氮化硼、氮化鈦、碳化鎳或碳化硼。 (9)如(1)至(8)中之任1項之結構體，其中上述第1內部區域為自上述金屬層之厚度方向之中央至上述第1面之間之特定之位置至上述第1面之區域； 上述第2內部區域為自上述中央至上述第2面之間之特定位置至上述第2面之區域。 (10)如(1)至(9)中之任1項之結構體，其中上述第1內部區域其莫氏硬度相對較高，上述第2內部區域其莫氏硬度相對較低。 (11)如(3)至(10)中之任1項之結構體，其中； 上述第1層具有10 nm以上300 nm以下之厚度 上述第2層具有30 nm以上300 nm以下之厚度。 (12)如(1)至(11)中之任1項之結構體，其中 上述微細裂紋其間距包含於1 μm以上500 μm以下之範圍。 (13)如(1)至(12)中之任1項之結構體，其中 上述第2面其可見光區域之表面反射率為50%以上。 (14)如(1)至(13)中之任1項之結構體，其中 上述微細裂紋係不規則地形成。 (15)如(1)至(14)中之任1項之結構體，其 作為框體零件、車輛、或建築物之至少一部分而構成。 (16)一種裝飾膜，其具備：基底膜；金屬層，其形成於上述基底膜，具有包含具有第1面、位於上述第1面之相反側之反射率高於上述第1面之第2面、上述第1面側之硬度相對較高之第1內部區域、上述第2面側之上述硬度相對較低之上述第2內部區域、及微細之裂紋之金屬層。 (17)一種結構體之製造方法，其包含： 於基底膜藉由蒸鍍將具有第1面與反射率高於上述第1面之第2面之金屬層以上述第1面側之第1內部區域之硬度高於上述第2面側之第2內部區域之硬度之方式形成； 藉由延伸上述基底膜而於上述金屬層形成微細裂紋； 形成包含形成有上述微細裂紋之金屬層之裝飾膜； 藉由於上述裝飾膜接著承載膜而形成轉印用膜；以及 藉由鑄模成形法、熱壓印法或真空成形法以自上述轉印用膜轉印上述裝飾膜之方式形成成形零件。 (18)一種結構體之製造方法，其包含： 於基底膜藉由蒸鍍將具有第1面與反射率高於上述第1面之第2面之金屬層以上述第1面側之第1內部區域之硬度高於上述第2面側之第2內部區域之硬度之方式形成； 藉由延伸上述基底膜而於上述金屬層形成微細之裂紋； 形成包含形成有上述微細裂紋之金屬層之轉印用膜；以及 藉由鑄模成形法、熱壓印法或真空成形法以轉印自上述基底膜剝離之上述金屬層之方式形成成形零件。 (19)一種結構體之製造方法，其包含： 於基底膜藉由蒸鍍將具有第1面與反射率高於上述第1面之第2面之金屬層以上述第1面側之第1內部區域之硬度高於上述第2面側之第2內部區域之硬度之方式形成； 藉由延伸上述基底膜而於上述金屬層形成微細之裂紋； 形成包含形成有上述微細裂紋之金屬層之轉印用膜；以及 藉由嵌入成形法與上述裝飾膜一體地形成成形零件。 (20)一種裝飾膜之製造方法，其包含： 於基底膜藉由蒸鍍將具有第1面與反射率高於上述第1面之第2面之金屬層以上述第1面側之第1內部區域之硬度高於上述第2面側之第2內部區域之硬度之方式形成； 藉由延伸上述基底膜而於上述金屬層形成微細之裂紋。 (21)如(1)至(15)中之任1項之結構體，其中 上述金屬層包含具有第1硬度之物質、及具有高於上述物質之反射率及低於上述第1硬度之第2硬度之金屬，自上述第1面至上述第2面，上述物質之比率變低上述金屬之比率變高。 (22)如(2)至(15)之任1項之結構體，其中 具有上述第1硬度之上述物質為具有上述第2硬度之上述金屬之化合物。 (23)如(1)至(15)中之任1項之結構體，其中 上述第1內部區域之硬度為上述第1內部區域之平均硬度； 上述第2內部區域之硬度為上述第2內部區域之平均硬度。 (24)如(1)至(15)中之任1項之結構體，其中 上述第2面其可見光區域之表面反射率為70%以上。 (25)如(1)至(15)中之任1項之結構體，其中 上述裝飾膜具有積層於上述第2面之保護層，該保護層之可見光區域之表面反射率為65%以上。 (26)如(1)至(15)中之任1項之結構體，其中 上述裝飾部具有拉伸斷裂強度小於上述金屬層且支持上述金屬層之支持層。 (27)如(26)之結構體，其中 上述支持層部為基底膜。 (28)如(26)之結構體，其中 上述基體部為形成於基底膜之硬塗層。 (29)如(17)至(19)中之任1項之結構體之製造方法，其中 上述微細裂紋之形成步驟為以各者之軸方向之延伸率2%以下2軸延伸上述基底膜。 (30)如(17)至(19)、及(29)中之任1項之結構體之製造方法，其中 上述金屬層之形成步驟為對自捲出輥朝向捲繞輥沿旋轉圓筒之周面搬送之上述基底膜進行真空蒸鍍。

5‧‧‧區域10‧‧‧金屬裝飾部11‧‧‧被裝飾區域12‧‧‧裝飾膜12a‧‧‧設計面12b‧‧‧接著面15‧‧‧天線部16‧‧‧天線線圈18‧‧‧黏著層19‧‧‧基底膜20‧‧‧金屬層20a‧‧‧高反射面20b‧‧‧高硬度面20H‧‧‧金屬層20I‧‧‧金屬層20J‧‧‧金屬層20K‧‧‧金屬層21‧‧‧密封樹脂22‧‧‧微細裂紋23‧‧‧光澤薄膜23'‧‧‧光澤薄膜25‧‧‧高硬度層26‧‧‧高反射層27‧‧‧第1內部區域28‧‧‧第2內部區域29‧‧‧混合區域30‧‧‧轉印用膜31‧‧‧承載膜35‧‧‧成形樹脂90‧‧‧成膜材料91‧‧‧微粒子91a‧‧‧微粒子91b‧‧‧微粒子100‧‧‧攜帶終端101‧‧‧框體部102‧‧‧前面部103‧‧‧通話部104‧‧‧觸控面板105‧‧‧對面相機106‧‧‧揚聲器部107‧‧‧聲音輸入部108‧‧‧背面部200‧‧‧真空蒸鍍裝置201‧‧‧薄膜搬送機構202‧‧‧隔板203‧‧‧載置台205‧‧‧第1輥206‧‧‧旋轉圓筒207‧‧‧第2輥208‧‧‧坩鍋210‧‧‧成膜區域250‧‧‧2軸延伸裝置251‧‧‧基底構件252‧‧‧4個延伸機構252a‧‧‧延伸機構253‧‧‧固定區塊254‧‧‧可動區塊255‧‧‧夾具256‧‧‧延伸螺釘257‧‧‧滑動軸258‧‧‧連結連桿259‧‧‧連結銷300‧‧‧真空蒸鍍裝置303a‧‧‧第1載置台303b‧‧‧第2載置台305‧‧‧第1滾筒306‧‧‧旋轉圓筒307‧‧‧第2輥308a‧‧‧坩鍋310a‧‧‧第1成膜區域310b‧‧‧第2成膜區域311‧‧‧中間個板400‧‧‧真空蒸鍍裝置403‧‧‧載置台405‧‧‧第1輥406‧‧‧旋轉圓筒407‧‧‧第2輥408‧‧‧坩鍋410‧‧‧成膜區域420‧‧‧氧導入機構500‧‧‧成形裝置501‧‧‧腔模502‧‧‧芯模503‧‧‧凹部506‧‧‧澆口部508‧‧‧澆口部509‧‧‧澆道部550‧‧‧成形裝置551‧‧‧腔模552‧‧‧芯模556‧‧‧澆口部611‧‧‧被裝飾區域612‧‧‧裝飾部612a‧‧‧設計面618‧‧‧黏著層619‧‧‧基底膜620‧‧‧金屬層621‧‧‧密封樹脂622‧‧‧微細裂紋630‧‧‧轉印用膜681‧‧‧剝離層682‧‧‧硬塗層719‧‧‧基底膜720‧‧‧金屬層722‧‧‧微細裂紋723‧‧‧光澤薄膜723B‧‧‧光澤薄膜750A‧‧‧支持層750B‧‧‧支持層C‧‧‧中央M1～M5‧‧‧照片

圖1A、B係顯示一實施形態之作為電子機器之攜帶終端之構成例之概略圖。 圖2係顯示圖1所示之金屬裝飾部之構成例之模式性剖視圖。 圖3係顯示金屬層之構成例之模式性剖視圖。 圖4係使用顯微鏡將光澤薄膜之金屬層之表面狀態放大而拍攝的照片。 圖5A、B係顯示包含鉻之高硬度層之厚度不同之情形之表面狀態之照片。 圖6係顯示真空蒸鍍裝置之構成例之模式圖。 圖7係顯示2軸延伸裝置之構成例之模式圖。 圖8係顯示用於形成其他金屬層之真空蒸鍍裝置之構成例之模式圖。 圖9A、B係用於說明以圖8所示之真空蒸鍍裝置形成之金屬層之模式圖。 圖10A、B係用於說明金屬層之其他構成例之模式圖。 圖11係顯示積層有包含鋁之高反射層(100 nm)及包含鉻之高硬度層(50 nm)之金屬層之表面狀態之照片。 圖12係用以說明形成金屬層之其他方法之圖。 圖13A、B係顯示以圖12所示之方法形成之金屬層之構成例之模式圖。 圖14係顯示作為已添加氧之鋁層而形成之金屬層之表面狀態之照片。 圖15係顯示金屬裝飾部之其他構成例之模式性剖視圖。 圖16係顯示圖15所示之金屬層之構成例之模式性剖視圖。 圖17係顯示對於光澤薄膜進行高溫高濕試驗，其試驗前後之高反射面之反射率之表。 圖18A、B係用以說明模內成形法之模式圖。 圖19A、B係用以說明嵌入成形法之模式圖。 圖20A、B係顯示包含基底膜與金屬層之轉印用膜之構成例之概略圖。 圖21A、B係顯示其他實施形態之光澤薄膜之構成例之剖視圖。 圖22係顯示作為支持層形成之塗層之厚度與微細裂紋之間距之關係之圖。

10‧‧‧金屬裝飾部

11‧‧‧被裝飾區域

12‧‧‧裝飾膜

12a‧‧‧設計面

100‧‧‧攜帶終端

101‧‧‧框體部

102‧‧‧前面部

103‧‧‧通話部

104‧‧‧觸控面板

105‧‧‧對面相機

106‧‧‧揚聲器部

107‧‧‧聲音輸入部

108‧‧‧背面部

Claims (12)

1. 一種裝飾膜，其包含：金屬層，其具有：第1面、位於上述第1面之相反側之反射率高於上述第1面之第2面、上述第1面側之硬度相對較高之第1內部區域、上述第2面側之上述硬度相對較低之上述第2內部區域、及微細之裂紋；其中上述金屬層包含：物質及金屬，上述物質具有第1硬度，上述金屬具有較上述物質高之反射率及低於上述第1硬度之第2硬度；上述第1內部區域所含之上述物質之比率係：隨著自上述第1面之距離而減小，且高於上述第2內部區域所含之上述物質之比率；且上述第2內部區域所含之上述金屬之比率係：隨著自上述第2面之距離而減小，且高於上述第1內部區域所含之上述金屬之比率。
2. 一種結構體，其包含：如請求項1之裝飾膜；及構件，其包含接著上述裝飾膜之被裝飾區域。
3. 如請求項2之結構體，其中具有上述第1硬度之物質為金屬、半金屬、金屬化合物或半金屬化合物。
4. 如請求項2或3之結構體，其中具有上述第2硬度之金屬為鋁、銀、金或銅。
5. 如請求項2或3之結構體，其中具有上述第1硬度之物質為鉻、矽、鈦、鈷、鐵、鎳、氧化鋁、氧化鐵、氧化鉻、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氧化矽、氧化鎂、氮化硼、氮化鈦、碳化矽、或碳化硼。
6. 如請求項2或3之結構體，其中上述第1內部區域為自上述金屬層之厚度方向之中央至上述第1面之間之特定之位置起，至上述第1面之區域；上述第2內部區域為自上述中央至上述第2面之間之特定位置起，至上述第2面之區域。
7. 如請求項2或3之結構體，其中上述微細裂紋之間距，包含於1μm以上500μm以下之範圍。
8. 如請求項2或3之結構體，其中上述第2面可見光區域之表面反射率為50%以上。
9. 一種裝飾膜之製造方法，其包含：於基底膜藉由蒸鍍將具有第1面與反射率高於上述第1面之第2面之金屬層，以上述第1面側之第1內部區域之硬度高於上述第2面側之第2內部區域之硬度之方式形成，上述金屬層包含：物質及金屬，上述物質具有第1硬度，上述金屬具 有較上述物質高之反射率及低於上述第1硬度之第2硬度，上述第1內部區域所含之上述物質之比率係：隨著自上述第1面之距離而減小，且高於上述第2內部區域所含之上述物質之比率，且上述第2內部區域所含之上述金屬之比率係：隨著自上述第2面之距離而減小，且高於上述第1內部區域所含之上述金屬之比率；及藉由延伸上述基底膜而於上述金屬層形成微細之裂紋。
10. 一種結構體之製造方法，其包含：如請求項9之裝飾膜之製造方法；藉由於上述裝飾膜接著承載膜而形成轉印用膜；及藉由模內成形法、熱壓印法或真空成形法，以自上述轉印用膜轉印上述裝飾膜之方式形成成形零件。
11. 一種結構體之製造方法，其包含：如請求項9之裝飾膜之製造方法；形成包含形成有上述微細裂紋之金屬層之轉印用膜；及藉由模內成形法、熱壓印法或真空成形法，以轉印自上述基底膜剝離之上述金屬層之方式形成成形零件。
12. 一種結構體之製造方法，其包含：如請求項9之裝飾膜之製造方法；及藉由插入成形法與上述裝飾膜一體地形成成形零件。

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