TWI780132B - 結構體、裝飾性膜、結構體之製造方法、及裝飾性膜之製造方法 - Google Patents

Abstract

為了達成上述目的，本技術之一形態之結構體具備裝飾部及構件。上述裝飾部包含具有微細裂痕且特定元素之添加濃度於厚度方向上不同之單層之金屬層。上述構件具有供上述裝飾部接著之被裝飾區域。

Description

結構體、裝飾性膜、結構體之製造方法、及裝飾性膜之製造方法

本技術係關於一種可應用於電子機器或車輛等之結構體、裝飾性膜、結構體之製造方法、及裝飾性膜之製造方法。

先前，作為電子機器等之殼體零件，發明有具有金屬性外觀並且可使毫米波等電磁波透過之構件。例如，於專利文獻1中，揭示有一種用以於汽車之徽章搭載汽車雷達之外裝零件。例如，於樹脂膜上蒸鍍銦，將該膜藉由嵌入成型法安裝於徽章之表層。藉此，可製造裝飾性地具有金屬光澤且因銦之島狀結構而於電磁波頻帶不具有吸收區域之外裝零件(專利文獻1之說明書段落[0006]等)。 然而，於形成銦之島狀結構之方法中，於蒸鍍面積較大之情形等時，存在難以製作整體上均勻之膜厚之問題。又，亦存在於成形殼體零件時，因流入之樹脂之溫度而容易破壞島狀結構之問題(專利文獻1之說明書段落[0007][0008]等)。 為了解決該問題，於專利文獻1中揭示有以下技術。即，人工地使以金屬區域為島且以包圍該島之無金屬區域為海的海島結構具有規則性而形成。而且，使各金屬區域於無金屬區域相互絕緣，並且適當控制金屬區域之面積及與相鄰之金屬區域之間隔。藉此，可獲得不遜色於蒸鍍有銦之膜之電磁波透過性之材料(專利文獻1之說明書段落[0013]等)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2010-251899號公報

[發明所欲解決之問題] 要求用以製造如此般具有金屬光澤，並且可使電波透過，進而設計性較高之構件的技術。 鑒於如上情況，本技術之目的在於提供一種具有金屬性外觀並且可使電波透過之設計性較高之結構體、裝飾性膜、結構體之製造方法、及裝飾性膜之製造方法。 [解決問題之技術手段] 為了達成上述目的，本技術之一形態之結構體具備裝飾部及構件。 上述裝飾部包含具有微細裂痕且特定元素之添加濃度於厚度方向上不同之單層之金屬層。 上述構件具有供上述裝飾部接著之被裝飾區域。 於該結構體中，於單層之金屬層中以於厚度方向上添加濃度不同之方式添加特定元素。藉此，例如可利用反射率較高之鋁等構成上述金屬層。又，亦可藉由於厚度方向上調整添加濃度而調整表面之反射率。結果為，可實現具有金屬性外觀並且可使電波透過之設計性較高之結構體。 上述裝飾部亦可具有設計面。於該情形時，上述金屬層具有上述設計面側之第1面、及上述第1面之相反側之第2面，上述第1面之附近區域亦可成為上述添加濃度相對較低之低添加濃度區域。 藉此，可提昇第1面之反射率，可實現設計性較高之金屬光澤。 上述低添加濃度區域亦可包含上述添加濃度為零之區域。 藉此，可發揮非常高之反射率。 上述金屬層亦可上述第1面之附近區域以外之至少一部分區域成為上述添加濃度相對較高之高添加濃度區域。 藉此，可容易地形成微細裂痕。 上述金屬層亦可上述添加濃度自上述第2面向上述第1面減少。 藉此，可容易地形成金屬層。 上述金屬層亦可於上述第1面之附近區域及上述第2面之附近區域之各者，未與上述特定元素化合之金屬之比率為特定閾值以上。 藉此，可防止金屬光澤之劣化，可維持較高之設計性。 上述金屬層亦可於自上述第1面起至約20 nm之區域及自上述第2面起至約20 nm之區域之各者，未與上述特定元素化合之金屬之比率為約3 atm%以上。 藉此，可防止金屬光澤之劣化，可維持較高之設計性。 上述特定元素亦可為氧或氮。 藉由添加氧或氮，可於維持較高之反射率之狀況下形成微細裂痕，而可實現設計性較高之結構體。 上述金屬層亦可為鋁、鈦、鉻、及包含該等中之至少一者之合金中之任一者。 藉由使用該等材料，有利於維持較高之設計性。 上述金屬層亦可具有50 nm以上且300 nm以下之厚度。 藉此，可維持較高之反射率並且發揮充分之電波透過性。 上述微細裂痕之間距亦可包含於1 μm以上且500 μm以下之範圍內。 藉此，可發揮充分之電波透過性。 上述裝飾部亦可具有拉伸斷裂強度小於上述金屬層且支持上述金屬層之支持層。 藉由形成拉伸斷裂強度小於金屬層之支持層，而可以較低之延伸率形成微細裂痕。 上述裝飾部亦可具有將上述微細裂痕固定化之固定層。 藉此，可發揮充分之電波透過性。 亦可構成為殼體零件、車輛、或建築物之至少一部分。 藉由應用本技術，可實現具有金屬性外觀並且可使電波透過之設計性較高之殼體零件、車輛、及建築物。 本技術之一形態之裝飾性膜具備基底膜及金屬層。 上述金屬層由單層所構成，形成於上述基底膜，具有微細裂痕且特定元素之添加濃度於厚度方向上不同。 本技術之一形態之結構體之製造方法包括於基底膜藉由蒸鍍將添加有特定元素之單層之金屬層以上述特定元素之添加濃度於上述金屬層之厚度方向上不同之方式形成。 藉由將上述基底膜進行延伸而於上述金屬層形成微細裂痕。 形成包含形成有上述微細裂痕之金屬層之裝飾性膜。 藉由於上述裝飾性膜接著載體膜而形成轉印用膜。 藉由模內成形法、燙印法、或真空成形法，以自上述轉印用膜轉印上述裝飾性膜之方式形成成型零件。 於該製造方法中，於基底膜將添加有特定元素之單層之金屬層以添加濃度於厚度方向上不同之方式形成。而且，藉由將基底膜進行延伸而形成微細裂痕。藉此，作為金屬層，例如可使用反射率較高之鋁等。又，亦可藉由於厚度方向上調整添加濃度而調整表面之反射率。結果為，可實現具有金屬性外觀並且可使電波透過之設計性較高之結構體。 於本技術之另一形態之結構體之製造方法中，形成包含形成有上述微細裂痕之金屬層之轉印用膜。又，藉由模內成形法、燙印法、或真空成形法以轉印自上述基底膜剝離之上述金屬層之方式形成成型零件。 於本技術之另一形態之結構體之製造方法中，藉由嵌入成形法與上述裝飾性膜一體地形成成形零件。 上述微細裂痕之形成步驟亦可將上述基底膜以各軸向之延伸率2%以下進行雙軸延伸。 由於添加特定元素，故而可以較低之延伸率形成微細裂痕。 本技術之一形態之裝飾性膜之製造方法包括於基底膜藉由蒸鍍將添加有特定元素之單層之金屬層以上述特定元素之添加濃度於上述金屬層之厚度方向上不同之方式形成。 藉由將上述基底膜進行延伸而於上述金屬層形成微細裂痕。 [發明之效果] 如上所述，根據本技術，可實現具有金屬性外觀並且可使電波透過之設計性較高之結構體。再者，此處所記載之效果未必受到限定，可為本發明中所記載之任意效果。

以下，一面參照圖式一面對本技術之實施形態進行說明。 [電子機器之構成] 圖1係表示作為本技術之一實施形態之電子機器之移動終端之構成例的概略圖。圖1A係表示移動終端100之正面側之前視圖，圖1B係表示移動終端100之背面側之立體圖。 移動終端100具有殼體部101、及收容於殼體部101內之未圖示之電子零件。如圖1A所示，於殼體部101之前面側即前面部102，設置有通話部103、觸控面板104、及前置相機105。通話部103係用以與電話對方進行通話而設置，具有揚聲器部106及聲音輸入部107。自揚聲器部106輸出對方之聲音，且經由聲音輸入部107將使用者之聲音發送至對方側。 於觸控面板104顯示各種圖像或GUI(Graphical User Interface，圖形使用者界面)。使用者可經由觸控面板104閱覽靜止圖像或活動圖像。又，使用者經由觸控面板104輸入各種觸控操作。前置相機105係於拍攝使用者之面部等時使用。各裝置之具體構成並無限定。 如圖1B所示，於殼體部101之背面側即背面部108，設置有以成為金屬性外觀之方式裝飾之金屬裝飾部10。金屬裝飾部10具有金屬性外觀並且可使電波透過。 以下進行詳細說明，於背面部108之特定區域形成被裝飾區域11。於該被裝飾區域11接著裝飾性膜12，藉此構成金屬裝飾部10。因此，被裝飾區域11相當於供金屬裝飾部10形成之區域。 於本實施形態中，裝飾性膜12相當於裝飾部。又，供被裝飾區域11形成之殼體部101相當於構件。利用具有被裝飾區域11之殼體部101、及接著於被裝飾區域11之裝飾性膜12，使本技術之結構體構成為殼體零件。再者，亦存在於殼體零件之一部分使用本技術之結構體之情形。 於圖1B所示之例中，於背面部108之大致中央，部分地形成金屬裝飾部10。形成金屬裝飾部10之位置並無限定，可適當設定。例如，亦可於背面部108整體形成金屬裝飾部10。藉此，可將背面部108整體一致地製成金屬性外觀。 亦可藉由將金屬裝飾部10之周圍之其他部分製成與金屬裝飾部10大致相等之外觀，而將背面部108整體一致地製成金屬性外觀。此外，亦可藉由將金屬裝飾部10以外之部分製成木紋格調等其他外觀，而提昇設計性。以發揮使用者所需之設計性之方式，適當設定金屬裝飾部10之位置或大小、其他部分之外觀等即可。 接著於被裝飾區域11之裝飾性膜12具有設計面12a。設計面12a係使用移動終端100之使用者可視認之面，係成為構成殼體部101之外觀(設計)之要素之一的面。於本實施形態中，朝向背面部108之表面側之面成為裝飾性膜12之設計面12a。即，與接著於被裝飾區域11之接著面12b(參照圖2)為相反側之面成為設計面12a。 作為收容於殼體部101內之電子零件，於本實施形態中，收容可與外部之讀寫器等經由電波進行通信之天線部15(參照圖2)。天線部15例如具有基底基板(未圖示)、形成於基底基板上之天線線圈16(參照圖2)、及與天線線圈16電性連接之信號處理電路部(未圖示)等。天線部15之具體構成並無限定。再者，作為收容於殼體部101之電子零件，可收容IC晶片或電容器等各種電子零件。 圖2係表示金屬裝飾部10之構成例的模式性剖視圖。如上所述，金屬裝飾部10係由形成於與天線部15等位置對應之區域之被裝飾區域11及接著於被裝飾區域11之裝飾性膜12所構成。 裝飾性膜12具有黏著層18、基底膜19、金屬層20、及密封樹脂21。黏著層18係用以將裝飾性膜12接著於被裝飾區域11之層。黏著層18係藉由於基底膜19之形成金屬層20之面之相反側之面塗佈黏著材料而形成。黏著材料之種類或塗佈方法等並無限定。黏著層18之接著於被裝飾區域11之面成為裝飾性膜12之接著面12b。 基底膜19包含具有延伸性之材料，典型而言，使用樹脂膜。作為基底膜19之材料，例如使用PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、或PP(聚丙烯)等。亦可使用其他材料。 再者，基底膜19係與金屬相接之層，因此，若使用例如氯乙烯系之材料，則亦可能存在游離之氯促進金屬之腐蝕之情況。因此，藉由選擇非氯乙烯系之材料作為基底膜19，可防止金屬之腐蝕。當然並不限定於此。 金屬層20係用以將被裝飾區域11製成金屬性外觀而形成。金屬層20係藉由真空蒸鍍形成於基底膜19之層，形成有大量微細之裂痕(以下，記作微細裂痕)22。 因該微細裂痕22，於金屬層20形成複數個不連續面，而表面電阻值成為大致絕緣狀態。因此，可充分地抑制於電波碰撞至殼體部101時產生渦電流。結果為，可充分地抑制因渦電流損耗引起之電磁波能量之減少，從而實現較高之電波透過性。 金屬層20之膜厚例如設定為50 nm以上且300 nm以下之範圍。若膜厚過小，則光會透過，因此可見光區域之反射率下降，若膜厚過大，則表面形狀容易粗糙，因此反射率會下降。又，膜厚越小，則高溫高濕試驗後(例如，75℃90%RH48H後)之反射率下降量越大。再者，RH係相對濕度(Relative Humidity)。 藉由考慮該等方面而於上述範圍內設定膜厚，可實現維持較高之反射率之電波透過面。尤其是藉由於50 nm以上且150 nm以下之範圍內設定膜厚，而充分地維持較高之反射率，又，發揮較高之電波透過性。當然並不限定於該等範圍，可以發揮所需之特性之方式適當設定金屬層20之膜厚。又，例如亦可於50 nm以上且300 nm以下之範圍之中，重新設定最佳之數值範圍。 密封樹脂21包含透明之材料，作為保護基底膜19及金屬層20之保護層(硬塗層)發揮功能。密封樹脂21例如藉由塗佈UV硬化樹脂、熱硬化樹脂或二液硬化性樹脂等而形成。藉由形成密封樹脂21，而實現例如平滑化、防污、防剝離、防損傷等。再者，亦可塗佈丙烯酸系樹脂等作為保護層。藉由選擇非氯乙烯系之材料作為密封樹脂21，有利於防止金屬之腐蝕。 又，密封樹脂21亦具有將金屬層20內之微細裂痕22固定化而防止再次接著之功能。即，密封樹脂21亦作為固定層發揮功能。藉此，可發揮充分之電波透過性，又，可長久維持電波透過性。再者，亦可作為覆蓋層而形成於金屬層20上，該覆蓋層係作為保護層發揮功能之層與作為固定層發揮功能之層相互分離而構成，具有2層結構。 密封樹脂21之表面、即與覆蓋金屬層20之側為相反側之面成為裝飾性膜12之設計面12a。再者，亦可於密封樹脂21之表面(設計面12a)或密封樹脂21之下表面形成印刷層等。藉此，可提昇設計性。 於本實施形態中，於形成裝飾性膜12時，首先形成包含基底膜19及金屬層20之光澤膜23。其後於光澤膜23形成黏著層18及密封樹脂21。再者，形成各層之順序並不限定於此。又，於殼體部101之成形條件等中，亦存在省略黏著層18及密封樹脂21之情形。於該情形時，光澤膜23作為本技術之裝飾性膜接著於被裝飾區域11。 圖3係將光澤膜23之金屬層20之表面狀態利用顯微鏡放大進行拍攝所得的照片。於本實施形態中，於基底膜19形成添加有氧作為特定元素之鋁層作為金屬層20。而且，於延伸率(相對於原本大小之延伸量)2%、基板加熱130℃之條件下，將基底膜19進行雙軸延伸，藉此形成微細裂痕22。 如照片M1所示，於金屬層20，沿雙軸方向呈網狀形成微細裂痕22。即，以沿相互大致正交之兩方向相互交叉之方式，形成微細裂痕22。各方向上之微細裂痕22之間距(裂痕間隔)例如設定為1 μm以上且500 μm以下之範圍。 例如，若間距過小，則於金屬層20之表面反射之光發生散射，或具有透光性之空隙(間隙)之面積會相對增加，因此反射率下降。另一方面，若間距過大，則電波透過性下降。藉由將間距設定為1 μm以上且500 μm以下之範圍，可維持較高之反射率並且實現電波透過性。例如，可使WiFi或Bluetooth(註冊商標)之2.45 GHz下之電磁波(波長約12.2 cm)充分地透過。 當然並不限定於該範圍，可以發揮所需之特性之方式適當設定微細裂痕22之間距。例如，藉由將間距設定為50 μm以上且200 μm以下之範圍，而充分地發揮較高之反射率及較高之電波透過性。此外，例如，亦可於1 μm以上且500 μm以下之範圍之中，重新設定最佳之數值範圍。 利用四探針電阻器對照片M1之金屬層20之表面電阻進行評價，結果顯示出絕緣性。又，使用分光光度計(U-4100「日立製作所股份有限公司製造」)測定可見光區域(400 nm～700 nm)之表面反射率，結果為70%以上之值。即，可實現具有具備較高之反射率之金屬光澤之表面且具有充分之電波透過性之金屬層20。 再者，若形成密封樹脂或硬塗層等保護層，則表面反射率會下降約5%左右。即便考慮該情況，亦可藉由使用本技術之裝飾性膜12，而於形成有保護層之狀態下將表面反射率設為65%以上之較高之值。 圖4係用以對金屬層20之厚度方向上之氧之添加濃度進行說明的圖。圖4A係表示金屬層20之剖面的模式圖，以白黑之漸變表現氧之添加濃度。添加濃度越高之區域，越以黑色表示，添加濃度越低之區域，越以白色表示。再者，於本發明中，添加濃度較低亦包含添加濃度為零之狀態。圖4B係表示金屬層20之厚度方向之位置上之鋁(金屬鋁)與氧化鋁之原子組成比率的模式性曲線圖。 如圖4A所示，金屬層20由單層所構成，具有第1面20a及第2面20b。第1面20a係圖2所示之裝飾性膜12之設計面12a側之面，係經由透明之密封樹脂21被使用者視認之面。第2面20b係與第1面20a為相反側之面，係與基底膜19連接之面。 金屬層20係以氧之添加濃度於厚度方向上不同之方式形成。於本實施形態中，以於金屬層20之厚度方向上，氧之添加濃度自第2面20b向第1面20a減少之方式，形成金屬層20。即，於本實施形態中，以氧之添加濃度沿厚度方向具有梯度之方式添加氧。再者，並不限定於添加濃度連續變化之情形，亦可能存在階段性地變化之情形。 如圖4所示，於厚度方向上作為第1面20a之附近區域之第1附近區域25成為氧之添加濃度相對較低之低添加濃度區域。作為第2面20b之附近區域之第2附近區域26成為氧之添加濃度相對較高之高添加濃度區域。 「附近區域」係指相對於整體之膜厚而言距各面較近之範圍之區域，距各面之具體厚度等並無限定。例如，亦可將與金屬層20之整體之厚度之特定比率之厚度相應之自各面進入內部之區域設為「附近區域」。例如可將與整體之厚度之1/4、1/5、1/6等厚度相應之區域設為「附近區域」。當然並不限定於此，亦可將與距各面特定厚度相應之區域設為「附近區域」。例如亦可改稱為各面附近區域。 又，低添加濃度區域包含添加濃度為零之區域。因此，例如於第1附近區域25之一部分區域未添加氧之情形或於第1附近區域之整體未添加氧之情形等亦包含於第1附近區域為低添加濃度區域。 如圖4B所示，自第2面20b向第1面20a，未與氧化合之鋁之比率增加。另一方面，自第2面20b向第1面20a，與氧化合而生成之氧化鋁之比率下降。 藉由如此添加氧而形成金屬層20，並將基底膜19進行延伸，藉此可容易地形成微細裂痕22。可認為其原因在於：氧之添加濃度相對較高之高添加濃度區域成為於膜內拉伸斷裂強度較低之區域，以該區域為起點而形成微細裂痕22。 藉此，例如可利用硬度較低而難以藉由延伸產生裂痕之鋁等構成金屬層20。由於鋁之可見光區域之反射率較高，故而於設計面12a(第1面20a)，可發揮較高之反射率。結果為，可實現設計性較高之金屬光澤。 又，藉由抑制第1面20a側之第1附近區域25之添加濃度而製成低添加濃度區域，從而第1附近區域25中之鋁之比率增加。藉此，可進一步提昇設計面12a上之反射率。結果為，可形成具有金屬性外觀並且可使電波透過之設計性較高之殼體部101。 圖5係表示真空蒸鍍裝置之構成例的模式圖。真空蒸鍍裝置200具有配置於真空槽(未圖示)內之膜搬送機構201、間隔壁202、坩堝203、加熱源(未圖示)、及氧導入機構220。 膜搬送機構201具有捲出輥205、轉筒206、及捲取輥207。基底膜19自捲出輥205朝向捲取輥207沿著轉筒206之周面被搬送。 坩堝203配置於與轉筒206對向之位置。於坩堝203收容有鋁90作為構成金屬層20之金屬材料。轉筒206之與坩堝203對向之區域成為成膜區域210。間隔壁202限制以朝向成膜區域210以外之區域之角度行進之鋁90之微粒子91。氧導入機構220配置於成膜區域210之上游側(捲出輥205側)。作為氧導入機構220，可使用任意裝置。 於轉筒206經充分地冷卻之狀態下搬送基底膜19。利用氧導入機構220，朝向基底膜19吹送氧。利用氧導入機構220供給之氧相當於包含特定元素之氣體。氧之導入量(流量：sccm)並無限定，可設定任意流量。 與氧之供給一起，利用例如加熱器、雷射或電子槍等未圖示之加熱源對坩堝203內之鋁90進行加熱。藉此，自坩堝203產生包含微粒子91之蒸汽。蒸汽中包含之鋁90之微粒子91沈積於使成膜區域210前進之基底膜19，藉此於基底膜19成膜添加有氧之鋁層作為金屬層20。 由於氧導入機構220配置於上游側，故而於成膜區域210之上游側形成於基底膜19之金屬層20中之氧之添加量變大。另一方面，於下游側形成之金屬層20中之氧之添加量變少。即，蒸鍍開始面成為添加濃度最高之面，蒸鍍結束面成為添加濃度最低之面。 藉由如此調整氧導入機構220之位置，可容易地形成圖4所示之氧之添加濃度自第2面20b向第1面20a減少之金屬層20。再者，金屬層20之第2面20b成為蒸鍍開始面，第1面20a成為蒸鍍結束面。 於本實施形態中，可進行利用卷對卷方式之連續之真空蒸鍍，因此可實現大幅度之成本減少、生產性之提昇。當然於使用批次方式之真空蒸鍍裝置之情形時，亦可應用本技術。 圖6係表示雙軸延伸裝置之構成例的模式圖。雙軸延伸裝置250具有基底構件251、及配置於基底構件251上之相互具有大致相等之構成之4個延伸機構252。4個延伸機構252係以於相互正交之2軸(x軸及y軸)之各者，各2個於各軸上相互對向之方式配置。以下，一面參照朝y軸方向之箭頭之相反朝向將光澤膜23'進行延伸之延伸機構252a一面進行說明。 延伸機構252a具有固定塊253、可動塊254、及複數個夾具255。固定塊253固定於基底構件251。於固定塊253貫通有於延伸方向(y方向)延伸之延伸螺桿256。 可動塊254可移動地配置於基底構件251。可動塊254連接於貫通固定塊253之延伸螺桿256。因此，藉由操作延伸螺桿256，而可動塊254可於y方向移動。 複數個夾具255沿與延伸方向正交之方向(x方向)排列。於複數個夾具255之各者貫通有於x方向延伸之滑動軸257。各夾具255可沿滑動軸257變更x方向上之位置。複數個夾具255之各者與可動塊254藉由連結連桿258及連結銷259相連結。 藉由延伸螺桿256之操作量控制延伸率。又，亦可藉由適當設定複數個夾具255之數量或位置、連結連桿258之長度等控制延伸率。再者，雙軸延伸裝置250之構成並無限定。本實施形態之雙軸延伸裝置250係利用將膜全切而成之單片進行雙軸延伸者，但亦可利用輥連續地進行雙軸延伸。例如可藉由輥間之移行方向之張力、及利用設置於輥間之與移行同時移動之夾具255對移行方向賦予直角之張力，而進行連續之雙軸延伸。 於基底構件251上配置真空蒸鍍後之光澤膜23'，於4個邊之各者安裝延伸機構252之複數個夾具255。於利用未圖示之經調溫之加熱燈或經調溫之熱風對光澤膜23'進行加熱之狀態下，操作4個延伸螺桿256而進行雙軸延伸。於本實施形態中，於各軸向上之延伸率2%、基板加熱130℃之條件下，將基底膜19進行雙軸延伸。藉此，如圖3所示，沿與延伸方向正交之方向(雙軸方向)形成成為網狀之微細裂痕22。 若延伸率過低，則不形成適當之微細裂痕22而使金屬層20具有導電性。於該情形時，因渦電流等之影響，不會發揮充分之電波透過性。另一方面，若延伸率過大，則對延伸後之基底膜19之損害變大。其結果為，於將裝飾性膜12接著於被裝飾區域11時，有可能因空氣之嚙入或皺褶之產生等而導致良率變差。又，亦存在因基底膜19或金屬層20本身之變形而使金屬裝飾部10之設計性下降之情形。該問題亦可能於自基底膜19剝離並轉印金屬層20之情形時發生。 於本實施形態之光澤膜23中，可以於各軸之方向上為2%以下之較低之延伸率適當地形成微細裂痕22。藉此，可充分地防止對基底膜19之損害，可提昇良率。又，可較高地維持接著有裝飾性膜12之金屬裝飾部10之設計性。當然延伸率可適當設定，只要不產生如上述之不良情況，則亦可設定2%以上之延伸率。 圖7係表示金屬裝飾部之另一構成例的模式性剖視圖。於圖7所示之例中，於覆蓋金屬層20之密封樹脂21上形成黏著層18，密封樹脂21側接著於殼體部101之被裝飾區域11。因此，基底膜19之與形成金屬層20之面為相反側之面成為裝飾性膜12之設計面12a。於該情形時，使用透明之基底膜19，密封樹脂21亦可為不透明。即，可使用任意著色者作為密封樹脂21，藉此可提昇設計性。 再者，可於基底膜19上形成保護層，亦可基底膜19具備作為保護層之功能。又，亦可將具備保護金屬層20之保護層、防止微細裂痕22之再次接著之固定層、及用以將裝飾性膜12接著於被裝飾區域11之接著層之全部功能之層以覆蓋金屬層20之方式形成。 圖8係用以對圖7所示之金屬層20之厚度方向上之氧之添加濃度進行說明的圖。基底膜19側成為設計面12a，因此連接於基底膜19之面(蒸鍍開始面)成為第1面20a，相反側之面(蒸鍍結束面)成為第2面20b。於該情形時，亦可藉由自第2面20b向第1面20a使氧之添加濃度減少，而提昇設計面12a(第1面20a)上之可見光區域之反射率，從而可實現設計性較高之金屬光澤。 於圖5所示之真空蒸鍍裝置200中，將氧導入機構220配置於成膜區域210之下游側(捲取輥207側)，藉此可容易地形成具有圖8所示之添加濃度之分佈之金屬層20。當然亦可使用其他方法。 圖9係表示作為裝飾性膜12製成之樣品1～4之金屬層20內之鋁之比率、及高溫高濕試驗之光學特性的表。圖10～圖12係表示樣品1～3之金屬層20之厚度方向上之組成分佈的曲線圖。 此處，製成依序積層有基底膜19、支持層、及金屬層20之裝飾性膜12作為樣品1～4。支持層除了確保與金屬層20之密接層性之目的以外，亦具有於延伸製程時於金屬層20誘導裂痕之功能，關於詳情，一面參照圖18、圖19一面於以下進行說明。 首先對金屬層20之厚度方向上之原子組成之分析方法進行說明。圖13係用以對其進行說明的圖，係表示使用X射線光電子光譜法(XPS，X-ray Photoelectron Spectroscopy)之Al2p中之窄掃描光譜(角度分辨力測定)之分析例的曲線圖。 於本實施形態中，為了分析金屬層20之厚度方向之組成分佈，藉由Ar離子之照射對表面進行蝕刻而使試樣內部露出，依序進行表面組成分析。XPS中之定量通常基於光電子峰面積而進行。峰面積與原子濃度及關注電子之感度成正比，因此將峰面積A除以相對感度係數RSF(Relative Sensitivity Factor)所得之值成為與原子濃度成正比之值。由此，可藉由以下之(1)式算出將測定元素之定量值之和設為100 atomic%之相對定量。 [數1]

Ci：元素i之定量值(atm%) Ai：元素i之峰面積 RSFi：元素i之相對感度係數 光電子峰之位置根據元素之結合狀態之差異而移動，因此，關於Al2P軌道之電子，於鋁之狀態及氧化鋁之狀態下，結合能互不相同。因此，如圖3之測定值及光譜波形所示，互不相同之位置成為各自之峰位置。再者，光譜波形係對測定值進行擬合所得之結果。 將該光譜波形以成為僅由鋁測定之理想波形與僅由氧化鋁測定之理想波形之線形和之方式進行分解，將各自之峰面積應用於式(1)。藉此，將金屬層20內之鋁之比率與氧化鋁之比率分別定量化。再者，金屬層20之蒸鍍開始面之位置係設為碳量之比率成為位於金屬層20下之有機物層(支持層)中包含之碳量之比率之一半之位置。再者，於未形成支持層之情形時，亦可將基底膜19設為有機物層，同樣地推定蒸鍍開始面之位置。 關於金屬層20內之厚度方向之位置，例如可以如下方式算出。即，預先利用剖面TEM(透過型電子顯微鏡：Transmission Electron Microscope)測定金屬層20之厚度。預先將1次蝕刻中之Ar離子之照射時間固定，每次進行蝕刻時進行利用XPS之組成分析。然後，根據直至碳量之比率成為位於金屬層20下之有機物層中包含之碳量之比率之一半之蝕刻次數(直至蒸鍍開始面之蝕刻次數)，算出每1次之蝕刻深度(金屬層20之厚度/蝕刻次數)。藉此，可容易地算出進行組成分析之表面之厚度方向上之位置。 一般而言，多數情況下金屬與其氧化物之蝕刻速率不同，若鋁與氧化鋁之比率不同，則即便為相同之照射時間，所蝕刻之深度亦不同。如上述般算出相對於金屬層20整體之平均蝕刻速率，藉此可吸收蝕刻速率之差異等，可容易地實行厚度方向上之組成分析。當然亦可實行每次蝕刻時測定厚度之方法等其他方法。 關於樣品1，可知若著眼於圖10之碳量之比率，則蒸鍍開始面之位置成為約125 nm，即，金屬層20之厚度為約125 nm。如圖9所示，氧導入機構220係配置於下游側。蒸鍍開始面側之0 nm～約20 nm之附近區域之鋁之平均比率為35 atm%。蒸鍍結束面側之0 nm～約20 nm之附近區域之鋁之平均比率為14 atm%。金屬層20整體之鋁之平均比率為30 atm%。藉由將蒸鍍結束面設為第1面20a，而可實現設計性較高之金屬光澤。 樣品2係與樣品1相比增加氧之導入量(流量：sccm)而製成者。可知若著眼於圖11之碳量之比率，則蒸鍍開始面之位置成為約140 nm，即，金屬層20之厚度為約140 nm。如圖9所示，氧導入機構220係配置於下游側。蒸鍍開始面側之0 nm～約20 nm之附近區域之鋁之平均比率為38 atm%。蒸鍍結束面側之0 nm～約20 nm之附近區域之鋁之平均比率為3 atm%。金屬層20整體之鋁之平均比率為24 atm%。藉由將蒸鍍結束面設為第1面20a，而可實現設計性較高之金屬光澤。 樣品3係以與樣品2大致相等之氧之導入量(流量：sccm)製成。另一方面，成膜速率等其他成膜條件與製成樣品2時相比進行了變更。 可知若著眼於圖12之碳量之比率，則蒸鍍開始面之位置成為約150 nm，即，金屬層20之厚度為約150 nm。如圖9所示，氧導入機構220係配置於下游側。蒸鍍開始面側之0 nm～約20 nm之附近區域之鋁之平均比率為59 atm%。蒸鍍結束面側之0 nm～約20 nm之附近區域之鋁之平均比率為1 atm%。金屬層20整體之鋁之平均比率為24 atm%。藉由將蒸鍍結束面設為第1面20a，而可實現設計性較高之金屬光澤。 樣品4係將氧導入機構220配置於上游側而製成。蒸鍍開始面側之0 nm～約20 nm之附近區域之鋁之平均比率為2 atm%。蒸鍍結束面側之0 nm～約20 nm之附近區域之鋁之平均比率為46 atm%。金屬層20整體之鋁之平均比率為25 atm%。藉由將蒸鍍開始面設為第1面20a，而可實現設計性較高之金屬光澤。 此處，發明者對樣品1～4進行高溫高濕試驗而測定光學測定。具體而言，如圖9所示，測定以75℃90%RH保管8天後有無透明化及可見光區域中之反射率之變化。關於透明化，於可見光區域之透過率為5%以上之情形時，設為具有透明化，於透過率未達5%之情形時，設為無透明化。再者，關於表中之設計面，樣品1～3中係蒸鍍開始面相當於設計面(經由透明之支持層及基底膜19而測定)。樣品4中係蒸鍍結束面相當於設計面。 再者，於製成樣品1～4之初始狀態下，任一樣品均透過率為1%以下而未透明化，設計面上之反射率為75%～85%。即，實現了設計性非常高之金屬光澤。 關於樣品1，保管8天後，透過率亦為2%以下，未見透明化。設計面上之反射率之變化亦未達10%，維持了較高之反射率。關於樣品2，透過率亦為2%以下，未見透明化。另一方面，與樣品1相比，可見設計面上之反射率之下降，反射率之變化於至多30%之範圍內產生。可認為其原因在於蒸鍍結束面之附近之鋁之平均比率之差，以下將對該點進行說明。 關於樣品3及4，透過率成為10%以上，可見透明化。又，亦多見設計面上之反射率之下降。 圖14係樣品3之金屬層20之剖面TEM圖像之照片(有可提出更高清之照片之準備)。於本實施形態中，於鋁等金屬導入例如氧等反應性氣體，而形成添加有氧之膜(金屬層20)。於該情形時，如於圖14之蒸鍍結束面所見般，可知有膜喪失緻密性而膜密度下降之傾向。認為其結果為，產生自外部滲入水分等之路徑，促進金屬層20之氧化而使膜透明化。 認為該情況不僅蒸鍍結束面側，接著於基底膜19之側之蒸鍍開始面亦相同。即，認為水分等經由基底膜19等滲入至內部，而使金屬層20之透明化進行。 此處，發明者發現：於在蒸鍍結束面及蒸鍍開始面、即第1及第2面20a及20b之各者之附近區域殘留未反應之金屬之狀態下，該未反應之金屬成為氧化皮膜而保護內部之金屬不被腐蝕之可能性較高。即，發現：於在第1面20a側之第1附近區域25、及第2面20b側之第2附近區域26之各者，未與氧化合之金屬之比率為特定閾值以上之情形時，藉由該金屬氧化而發揮鈍態作用之可能性較高。 如圖9所示，發現例如於在自蒸鍍開始面起至約20 nm之附近區域及自蒸鍍結束面起至約20 nm之附近區域之各者，未與氧化合之金屬之比率為3 atm%以上之情形時，可防止金屬光澤之劣化，可維持較高之設計性。即，樣品2之反射率之下降充分地包含於容許範圍內。認為樣品3或4有可能於5年後或10年後金屬光澤劣化。 當然用以規定附近區域之值或用以產生氧化被膜所需之未反應之金屬材料之比率之閾值並不限定於約20 nm及3 atm%之值。可適當設定用於使相對於長時間之保管而光學特性之變化包含於容許範圍之條件。 藉由以於第1及第2面20a及20b之各者之附近區域以閾值以上之比率包含未化合之金屬之方式形成金屬層20，而抑制經時性之金屬層20之透明化。結果為，由包含該金屬層20之裝飾性膜12裝飾之殼體零件等結構體相對於高溫高濕環境下之保管或長時間之保管亦可維持較高之設計性。 再者，因金屬層20之氧化引起之透明化主要係於使用鋁之情形時產生之現象。於使用其他金屬材料之情形時，亦可能存在未見透明化之情形。然而，於使用其他金屬材料之情形時，亦同樣地，隨著氧等之添加而膜密度下降，促進金屬層之氧化。因此，例如因金屬層之折射率之變化等使反射率下降而使金屬光澤劣化之情形亦可能充分地發生。藉由以未與氧等化合之金屬材料殘留於附近區域之方式形成金屬層20，而可防止金屬光澤之劣化，從而維持較高之設計性。 此處所說明之分析係對蒸鍍後之膜所進行者，由於為金屬層20之蒸鍍結束面露出之狀態，故而可一面對該面進行Ar蝕刻一面實施組成分析。 於裝飾性膜12接著於殼體零件等之狀態之情形時，例如藉由將存在於蒸鍍結束面上之樹脂層等物理性地剝離而使金屬面露出，可進行組成分析。於無法將樹脂層等物理性地剝離之情形時，亦可藉由化學蝕刻或FIB(聚焦離子束：Focused Ion Beam)等對分析部分進行加工並進行切取，藉此進行利用XPS之分析。 圖15係用以說明模內成形法的模式圖。模內成形係藉由如圖15所示之具有腔模301及芯模302之成形裝置300而進行。如圖15A所示，於腔模301形成有與殼體部101之形狀對應之凹部303。以覆蓋該凹部303之方式配置轉印用膜30。轉印用膜30係藉由於載體膜31接著圖2所示之裝飾性膜12而形成。轉印用膜30例如藉由卷對卷方式自成形裝置300之外部進行供給。 如圖15B所示，將腔模301與芯模302卡接，經由形成於芯模302之澆口部306，射出成形樹脂35於凹部303內。於腔模301形成有供給成形樹脂35之澆道部308及與之連結之流道部309。若將腔模301與芯模302卡接，則流道部309與澆口部306相連結。藉此，供給至澆道部308之成形樹脂35被射出至凹部303。再者，用以射出成形樹脂35之構成並無限定。 作為成形樹脂35，例如使用ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂等通用樹脂、PC樹脂、ABS與PC之混合樹脂等工程塑膠等。並不限定於該等，可以獲得所需之殼體部(殼體零件)之方式適當選擇成形樹脂之材料或顏色(透明度)。 成形樹脂35以於高溫下熔化之狀態射出至凹部303。成形樹脂35以擠壓凹部303之內面之方式射出。此時，配置於凹部303之轉印用膜30被成形樹脂35擠壓而變形。因成形樹脂35之熱，形成於轉印用膜30之黏著層18熔化，而於成形樹脂35之表面接著裝飾性膜12。 射出成形樹脂35之後，將腔模301及芯模302冷卻，並解除卡接。於芯模302附著有轉印有裝飾性膜12之成形樹脂35。藉由將該成形樹脂35取出，而製造於特定區域形成有金屬裝飾部10之殼體部101。再者，於解除卡接時，將載體膜31剝離。 藉由使用模內成形法，裝飾性膜12之位置對準變得容易，可簡便地形成金屬裝飾部10。又，殼體部101之形狀之設計自由度較高，可製造具有各種形狀之殼體部101。 再者，收容於殼體部101之內側之天線部15亦可於殼體部101之成形時藉由模內成形法進行安裝。或者，亦可於殼體部101之成形後，於殼體部101之內側貼附天線部15。又，亦可能存在於殼體內部內置天線部15之情形。 圖16係用以說明嵌入成形法的模式圖。於嵌入成形中，於成形裝置350之腔模351內配置裝飾性膜12作為嵌入膜。而且，如圖16B所示，將腔模351與芯模352卡接，經由澆口部356，將成形樹脂35射出至腔模351內。藉此，與裝飾性膜12一體地形成殼體部101。藉由使用嵌入成形法，亦可簡便地形成金屬裝飾部10。又，可製造具有各種形狀之殼體部101。再者，實行模內成形及嵌入成形之成形裝置之構成並無限定。 圖17係表示包含基底膜及金屬層之轉印用膜之構成例的概略圖。該轉印用膜430具有基底膜419、剝離層481、硬塗層482、金屬層420、密封樹脂421、及黏著層418。剝離層481及硬塗層482依序形成於基底膜419上。 因此，金屬層420係形成於形成有剝離層481及硬塗層482之基底膜419上。而且，藉由將基底膜419進行延伸，而於金屬層420形成微細裂痕422。 如圖17B所示，於藉由模內成形法形成殼體部101時，剝離基底膜419及剝離層481，包含金屬層420之裝飾部412接著於被裝飾區域411。如此基底膜419亦可用作載體膜。再者，亦可將形成有剝離層481之基底膜419視作本技術之基底膜。又，亦可將自基底膜419剝離之裝飾部412稱為裝飾性膜。 再者，於圖17所示之例中，金屬層420之蒸鍍開始面成為設計面412a側之第1面420a，蒸鍍結束面成為相反側之第2面420b。亦可代替該構成，以蒸鍍開始面成為第2面且蒸鍍結束面成為第1面之方式製成轉印用膜。 亦可使用圖15及圖16所示之轉印用膜30及430，藉由燙印法形成於被裝飾區域11轉印有包含金屬層20之裝飾性膜(裝飾部)12之殼體部101。此外，亦可藉由貼附等任意方法將裝飾性膜12接著於殼體部101。又，亦可使用真空成形或壓空成形等。 以上，於作為本實施形態之結構體之殼體部101(殼體零件)中，於單層之金屬層20中以添加濃度於厚度方向上不同之方式添加氧。藉此，例如可利用反射率較高之鋁等構成上述金屬層20。又，亦可藉由於厚度方向上調整添加濃度，而調整設計面12a側之第1面20a之反射率。結果為，可實現具有金屬性外觀並且可使電波透過之設計性較高之殼體部101。 可應用本技術之金屬材料並不限定於鋁，亦可使用銀(Ag)等其他金屬材料。於該情形時，亦可藉由添加氧，以2%以下之延伸率適當地形成微細裂痕22，從而可實現反射率為70%以上之金屬層20。 又，作為金屬材料，亦可使用鋁、鈦、鉻、及包含該等中之至少一者之合金。該等金屬係所謂之閥金屬，可充分地發揮由上述氧化被膜產生之抗氧化效果。結果為，可長時間維持較高之設計性。 所添加之元素亦並不限定於氧，例如亦可添加氮(N)。例如，亦可配置氮導入機構代替圖5所示之氧導入機構220，吹送氮作為導入氣體。例如，可於延伸製程後之金屬膜之表面成為絕緣狀態之添加量至金屬層氮化之範圍內，適當設定供給量。藉由使氮之添加濃度於膜厚方向上不同，而發揮較高之設計性。又，藉由將於第1及第2面之各自之附近區域中未與氮化合之金屬之比率設為特定閾值以上，而可防止氮化之進行。再者，亦可添加其他元素。 於使用具有In或Sn之島狀結構之薄膜作為使電波透過之金屬膜之情形時，反射率成為50%～60%左右之較低之值。其係因為材料之光學常數，如本實施形態之光澤膜23般實現70%以上之反射率非常困難。又，In係稀有金屬，因此會耗費材料成本。 又，於藉由使用無電解鍍覆進行後烘烤而於鎳或銅等金屬皮膜產生裂痕之情形時，亦難以實現70%以上之反射率。又，亦考慮藉由使矽與金屬合金化而提高表面電阻率以產生電波透過性，但於該情形時，亦難以實現70%以上之反射率。 又，於本實施形態中，藉由真空蒸鍍形成金屬材料之膜，因此可使用難以藉由無電解鍍覆等濕式鍍覆於樹脂上成膜之Al或Ti等材料。因此，可使用之金屬材料之選擇範圍非常廣，可使用反射率較高之金屬材料。又，由於藉由雙軸延伸形成微細裂痕22，故而於真空蒸鍍中，可以較高之密接性形成金屬層20。其結果為，可於模內成形時或嵌入成形時，於不存在金屬層20流落之狀況下適當地成形殼體部101。又，亦可提高金屬裝飾部10本身之耐久性。 又，於本實施形態中，僅藉由金屬之單層膜，便可實現光澤膜23。因此，可使用利用簡易之蒸鍍源之構成進行之簡易之蒸鍍程序，因此可抑制裝置成本等。再者，添加有氧或氮之金屬層之形成方法並不限定於朝向膜搬送機構201吹送氣體之情形。例如，亦可使坩堝內之金屬材料包含氧等。 本技術可應用於將內置天線等收容於內部之大致全部之電子機器。例如，作為此種電子機器，可列舉：行動電話、智慧型手機、電腦、遊戲機、數位相機、視聽機器、TV(TeleVision，電視)、投影機、汽車導航、GPS(Global Positioning System，全球定位系統)終端、數位相機、可佩戴資訊機器(眼鏡型、腕帶型)等電子機器、藉由無線通信等操作該等之遙控、滑鼠、觸控筆等操作機器、車載雷達或車載天線等車輛所具備之電子機器等各種者。又，亦可應用於與網際網路等連接之IoT(Internet of Things，物聯網)機器。 又，本技術並不限定於電子機器等殼體零件，亦可對車輛或建築物應用。即，本技術之具備裝飾部及具有供裝飾部接著之被裝飾區域之構件的結構體可用於車輛或建築物之全部或一部分。藉此，可實現具有金屬性外觀並且具有可使電波透過之壁面等的車輛或建築物，可發揮非常高之設計性。再者，車輛包含汽車、公共汽車、電車等任意車輛。建築物包含獨幢樓房、集合住宅、設施、橋樑等任意建築物。 ＜其他實施形態＞ 本技術並不限定於以上所說明之實施形態，可實現其他各種實施形態。 圖18係表示另一實施形態之光澤膜之構成例的剖視圖。於該光澤膜523中，拉伸斷裂強度小於金屬層520之支持層550係設置為支持金屬層520之層。藉此，可使用以形成微細裂痕522所需之延伸率下降。例如，亦可以小於使金屬層520本身斷裂所需之延伸率的延伸率形成微細裂痕522。認為其原因在於：如圖18A及B所示，金屬層520追隨拉伸斷裂強度較小之支持層550A及B之表面之斷裂而斷裂。 如圖18A所示，亦可使用拉伸斷裂強度較小之基底膜作為支持層550A。例如，雙軸延伸PET大多情況下拉伸斷裂強度為約200～約250 MPa，高於鋁層520之拉伸斷裂強度。 另一方面，無延伸PET、PC、PMMA、及PP之拉伸斷裂強度如下。 無延伸PET：約70 MPa PC：約69～約72 MPa PMMA：約80 MPa PP：約30～約72 MPa 因此，藉由將包含該等材料之基底膜用作支持層550A，而可以較低之延伸率適當地形成微細裂痕522。再者，藉由選擇非氯乙烯系之材料作為支持層550A，有利於防止金屬之腐蝕。 如圖18B所示，亦可於基底膜519上形成塗佈層作為支持層550B。例如，藉由塗佈丙烯酸系樹脂等形成硬塗層，而可使該硬塗層作為支持層550B簡便地形成。 藉由於拉伸斷裂強度較大之基底膜519與金屬層520之間形成拉伸斷裂強度較小之塗佈層，而可較高地維持光澤膜523B之耐久性，並且實現以較低之延伸率形成微細裂痕522。又，於製造製程上必須使用PET之情形時等亦有效。再者，作為圖18A及B所示之支持層550A及B發揮功能之基底膜或硬塗層之表面之斷裂係微細裂痕522之寬度程度之非常小者。因此，不會引起空氣之嚙入等或設計性之下降等。 圖19係表示作為支持層550B形成之塗佈層之厚度與形成於金屬層520之微細裂痕522之間距(裂痕間隔)之關係的圖。圖19係表示形成丙烯酸層作為塗佈層之情形時之關係。 如圖19所示，於丙烯酸層之厚度為1 μm以下之情形時，微細裂痕522之間距成為50 μm～100 μm。另一方面，若將丙烯酸層之厚度設定為1 μm～5 μm之範圍，則微細裂痕522之間距成為100 μm～200 μm。如此可知，越增大丙烯酸層之厚度，則微細裂痕522之間距變得越大。因此，藉由適當控制丙烯酸層之厚度，而可調整微細裂痕522之間距。例如，藉由將丙烯酸層之厚度設為0.1 μm以上且10 μm以下，而可於所需之範圍內調整微細裂痕522之厚度。當然並不限定於該範圍，例如亦可於0.1 μm以上且10 μm以下之範圍之中，重新設定最佳之數值範圍。 用以形成微細裂痕之延伸並不限定於雙軸延伸。亦可實行單軸延伸或三軸以上之延伸。又，亦可對捲取於圖5所示之捲取輥207之基底膜19，進而以卷對卷方式實行雙軸延伸。亦可進而進行真空蒸鍍後且捲取於捲取輥207之前，實行雙軸延伸。 圖20及圖21係用以說明添加特定元素之金屬層之另一構成例的圖。例如，如圖20A及B所示，於金屬層620之蒸鍍結束面成為第1面620a之情形時，第1面620a側之第1附近區域625亦可形成為未添加特定元素之區域。作為蒸鍍開始面之第2面620b側之第2附近區域626成為高添加濃度區域。 又，如圖21所示，於金屬層720之蒸鍍開始面成為第1面720a之情形時，第1面720a側之第1附近區域725亦可形成為未添加特定元素之區域。作為蒸鍍結束面之第2面720b側之第2附近區域726成為高添加濃度區域。 第1附近區域625及725之添加濃度為零之金屬層620及720例如可藉由使用批次方式之真空蒸鍍裝置而容易地形成。例如，藉由於金屬材料之真空蒸鍍結束前之特定時點限制特定元素之導入，而可使蒸鍍結束面之附近區域之添加濃度為零(圖20)。又，藉由於金屬材料之真空蒸鍍開始至特定時點之期間限制特定元素之導入，而可使蒸鍍開始面之附近區域之添加濃度為零(圖21)。 於使用卷對卷方式之真空蒸鍍裝置之情形時，於成膜區域之下游側或上游側，使用間隔壁等設置元素不會流入之區域。藉此，可使蒸鍍結束面或蒸鍍開始面之各自之附近區域之添加濃度為零。當然亦可採用其他方法。 於上述中，第2面側之第2附近區域形成為特定元素之添加濃度相對較高之高添加濃度區域。並不限定於此，例如，亦可如圖22所示，將金屬層820中之厚度方向上之中央區域827設定為高添加濃度區域。例如，藉由將金屬層820之第1面820a側之第1附近區域825以外之至少一部分區域設定為高添加濃度區域，而可容易地形成微細裂痕。 作為使高添加濃度區域形成於膜中之特定位置之方法，例如可藉由於批次方式之真空蒸鍍裝置中，使特定元素之導入量於特定時點增加而進行。例如，藉由於成膜時間之中間時點使導入量增加，可使膜中之中央區域827成為高添加濃度區域。於使用卷對卷方式之真空蒸鍍裝置之情形時，例如可藉由控制導入特定元素之導入機構之位置，而調整高添加濃度區域之位置。亦可使用其他方法。 再者，為了使金屬層之第1面之反射率成為所需者，亦可能存在反而不將第1面之附近之第1附近區域設為低添加濃度區域，而設為添加濃度略高之區域之構成。 圖23係表示裝飾性膜之另一構成例的模式圖。亦可於以添加濃度於厚度方向上不同之方式形成之本技術之金屬層920進而積層另一金屬層950。例如，如圖23A所示，於成為金屬層920第1面920a之蒸鍍結束面上，積層未添加特定元素之另一金屬層950。或者，亦可如圖23B所示，於成為金屬層920之第1面920a之蒸鍍開始面與基底膜919之間，形成未添加特定元素之另一金屬層950。例如，藉由將蒸鍍製程進行複數次，可容易地實現包含另一金屬層950之構成。 包含另一金屬層950之構成亦包含於本技術之裝飾部之構成，可實現具有非常高之設計性之金屬光澤。再者，亦可於金屬層950之第2面側形成另一金屬層。 亦可將以上所說明之本技術之特徵部分中之至少2個特徵部分組合。即，各實施形態中所說明之各種特徵部分亦可不區分各實施形態而任意地組合。又，以上所記載之各種效果僅為例示，並無限定，又，亦可發揮其他效果。 再者，本技術亦可採用如下構成。 (1)一種結構體，其具備： 裝飾部，其包含具有微細裂痕且特定元素之添加濃度於厚度方向上不同之單層之金屬層；及 構件，其具有供上述裝飾部接著之被裝飾區域。 (2)如(1)中記載之結構體，其中 上述裝飾部具有設計面， 上述金屬層具有上述設計面側之第1面、及上述第1面之相反側之第2面，上述第1面之附近區域成為上述添加濃度相對較低之低添加濃度區域。 (3)如(2)中記載之結構體，其中 上述低添加濃度區域包含上述添加濃度為零之區域。 (4)如(2)或(3)中記載之結構體，其中 上述金屬層係上述第1面之附近區域以外之至少一部分區域成為上述添加濃度相對較高之高添加濃度區域。 (5)如(2)至(4)中任一項中記載之結構體，其中 上述金屬層係上述添加濃度自上述第2面向上述第1面減少。 (6)如(2)至(5)中任一項中記載之結構體，其中 上述金屬層係於上述第1面之附近區域及上述第2面之附近區域之各者，未與上述特定元素化合之金屬之比率為特定閾值以上。 (7)如(6)中記載之結構體，其中 上述金屬層係於自上述第1面起至約20 nm之區域及自上述第2面起至約20 nm之區域之各者，未與上述特定元素化合之金屬之比率為約3 atm%以上。 (8)如(1)至(7)中任一項中記載之結構體，其中 上述特定元素為氧或氮。 (9)如(1)至(8)中任一項中記載之結構體，其中 上述金屬層係鋁、鈦、鉻、及包含該等中之至少一者之合金中之任一者。 (10)如(1)至(9)中任一項中記載之結構體，其中 上述金屬層具有50 nm以上且300 nm以下之厚度。 (11)如(1)至(10)中任一項中記載之結構體，其中 上述微細裂痕之間距包含於1 μm以上且500 μm以下之範圍內。 (12)如(1)至(11)中任一項中記載之結構體，其中 上述裝飾部具有拉伸斷裂強度小於上述金屬層且支持上述金屬層之支持層。 (13)如(1)至(12)中任一項中記載之結構體，其中 上述裝飾部具有將上述微細裂痕固定化之固定層。 (14)如(1)至(13)中任一項中記載之結構體，其構成為殼體零件、車輛、或建築物之至少一部分。 (15)一種裝飾性膜，其具備： 基底膜；及 單層之金屬層，其形成於上述基底膜，具有微細裂痕且特定元素之添加濃度於厚度方向上不同。 (16)一種結構體之製造方法，其係於基底膜藉由蒸鍍將添加有特定元素之單層之金屬層以上述特定元素之添加濃度於上述金屬層之厚度方向上不同之方式形成， 藉由將上述基底膜進行延伸而於上述金屬層形成微細裂痕， 形成包含形成有上述微細裂痕之金屬層之裝飾性膜， 藉由於上述裝飾性膜接著載體膜而形成轉印用膜， 藉由模內成形法、燙印法、或真空成形法以自上述轉印用膜轉印上述裝飾性膜之方式形成成型零件。 (17)一種結構體之製造方法，其係於基底膜藉由蒸鍍將添加有特定元素之單層之金屬層以上述特定元素之添加濃度於上述金屬層之厚度方向上不同之方式形成， 藉由將上述基底膜進行延伸而於上述金屬層形成微細裂痕， 形成包含形成有上述微細裂痕之金屬層之轉印用膜， 藉由模內成形法、燙印法、或真空成形法以轉印自上述基底膜剝離之上述金屬層之方式形成成型零件。 (18)一種結構體之製造方法，其係於基底膜藉由蒸鍍將添加有特定元素之單層之金屬層以上述特定元素之添加濃度於上述金屬層之厚度方向上不同之方式形成， 藉由將上述基底膜進行延伸而於上述金屬層形成微細裂痕， 形成包含形成有上述微細裂痕之金屬層之裝飾性膜， 藉由嵌入成形法與上述裝飾性膜一體地形成成形零件。 (19)如(16)至(18)中任一項中記載之製造方法，其中 上述微細裂痕之形成步驟係將上述基底膜以各軸向之延伸率2%以下進行雙軸延伸。 (20)一種裝飾性膜之製造方法，其係於基底膜藉由蒸鍍將添加有特定元素之單層之金屬層以上述特定元素之添加濃度於上述金屬層之厚度方向上不同之方式形成， 藉由將上述基底膜進行延伸而於上述金屬層形成微細裂痕。

10‧‧‧金屬裝飾部11‧‧‧被裝飾區域12‧‧‧裝飾性膜12a‧‧‧設計面12b‧‧‧接著面15‧‧‧天線部16‧‧‧天線線圈18‧‧‧黏著層19‧‧‧基底膜20‧‧‧金屬層20a‧‧‧第1面20b‧‧‧第2面21‧‧‧密封樹脂22‧‧‧微細裂痕23‧‧‧光澤膜23'‧‧‧光澤膜25‧‧‧第1附近區域26‧‧‧第2附近區域30‧‧‧轉印用膜31‧‧‧載體膜35‧‧‧成形樹脂90‧‧‧鋁91‧‧‧微粒子100‧‧‧移動終端101‧‧‧殼體部102‧‧‧前面部103‧‧‧通話部104‧‧‧觸控面板105‧‧‧前置相機106‧‧‧揚聲器部107‧‧‧聲音輸入部108‧‧‧背面部200‧‧‧真空蒸鍍裝置201‧‧‧膜搬送機構202‧‧‧間隔壁203‧‧‧坩堝205‧‧‧捲出輥206‧‧‧轉筒207‧‧‧捲取輥210‧‧‧成膜區域220‧‧‧氧導入機構250‧‧‧雙軸延伸裝置251‧‧‧基底構件252‧‧‧延伸機構252a‧‧‧延伸機構253‧‧‧固定塊254‧‧‧可動塊255‧‧‧夾具256‧‧‧延伸螺桿257‧‧‧滑動軸258‧‧‧連結連桿259‧‧‧連結銷300‧‧‧成形裝置301‧‧‧腔模302‧‧‧芯模303‧‧‧凹部306‧‧‧澆口部308‧‧‧澆道部309‧‧‧流道部350‧‧‧成形裝置351‧‧‧腔模352‧‧‧芯模356‧‧‧澆口部411‧‧‧被裝飾區域412‧‧‧裝飾部412a‧‧‧設計面418‧‧‧黏著層419‧‧‧基底膜420‧‧‧金屬層420a‧‧‧第1面420b‧‧‧第2面421‧‧‧密封樹脂422‧‧‧微細裂痕430‧‧‧轉印用膜481‧‧‧剝離層482‧‧‧硬塗層519‧‧‧基底膜520‧‧‧金屬層522‧‧‧微細裂痕523B‧‧‧光澤膜550A‧‧‧支持層550B‧‧‧支持層620‧‧‧金屬層620a‧‧‧第1面620b‧‧‧第2面625‧‧‧第1附近區域626‧‧‧第2附近區域720‧‧‧金屬層720a‧‧‧第1面720b‧‧‧第2面725‧‧‧第1附近區域726‧‧‧第2附近區域820‧‧‧金屬層820a‧‧‧第1面820b‧‧‧第2面825‧‧‧第1附近區域827‧‧‧中央區域919‧‧‧基底膜920‧‧‧金屬層920a‧‧‧第1面950‧‧‧金屬層M1‧‧‧照片

圖1A、B係表示作為一實施形態之電子機器之移動終端之構成例的概略圖。 圖2係表示圖1所示之金屬裝飾部之構成例的模式性剖視圖。 圖3係將金屬層之表面狀態利用顯微鏡放大進行拍攝所得的照片。 圖4A、B係用以對金屬層之厚度方向上之氧之添加濃度進行說明的圖。 圖5係表示真空蒸鍍裝置之構成例的模式圖。 圖6係表示雙軸延伸裝置之構成例的模式圖。 圖7係表示金屬裝飾部之另一構成例的模式性剖視圖。 圖8A、B係用以對圖7所示之金屬層之厚度方向上之氧之添加濃度進行說明的圖。 圖9係表示作為裝飾性膜製成之樣品1～4之金屬層20內之鋁之比率及高溫高濕試驗之光學特性的表。 圖10係表示樣品1之金屬層之厚度方向上之組成分佈的曲線圖。 圖11係表示樣品2之金屬層之厚度方向上之組成分佈的曲線圖。 圖12係表示樣品3之金屬層之厚度方向上之組成分佈的曲線圖。 圖13係表示使用X射線光電子光譜法之窄掃描光譜之分析例的曲線圖。 圖14係樣品3之金屬層之剖面TEM圖像的照片。 圖15A、B係用以說明模內成形法的模式圖。 圖16A、B係用以說明嵌入成形法的模式圖。 圖17A、B係表示包含基底膜及金屬層之轉印用膜之構成例的概略圖。 圖18A、B係表示另一實施形態之光澤膜之構成例的剖視圖。 圖19係表示作為支持層形成之塗佈層之厚度與微細裂痕之間距之關係的圖。 圖20A、B係用以說明添加特定元素之金屬層之另一構成例的圖。 圖21A、B係用以說明添加特定元素之金屬層之另一構成例的圖。 圖22係用以說明添加特定元素之金屬層之另一構成例的圖。 圖23A、B係表示裝飾性膜之另一構成例的模式圖。

10‧‧‧金屬裝飾部

11‧‧‧被裝飾區域

12‧‧‧裝飾性膜

12a‧‧‧設計面

100‧‧‧移動終端

101‧‧‧殼體部

102‧‧‧前面部

103‧‧‧通話部

104‧‧‧觸控面板

105‧‧‧前置相機

106‧‧‧揚聲器部

107‧‧‧聲音輸入部

108‧‧‧背面部

Claims (20)

1. 一種結構體，其具備： 裝飾部，其包含具有微細裂痕且特定元素之添加濃度於厚度方向上不同之單層之金屬層；及 構件，其具有供上述裝飾部接著之被裝飾區域。
2. 如請求項1之結構體，其中 上述裝飾部具有設計面， 上述金屬層具有上述設計面側之第1面、及上述第1面之相反側之第2面，上述第1面之附近區域成為上述添加濃度相對較低之低添加濃度區域。
3. 如請求項2之結構體，其中 上述低添加濃度區域包含上述添加濃度為零之區域。
4. 如請求項2之結構體，其中 上述金屬層係上述第1面之附近區域以外之至少一部分區域成為上述添加濃度相對較高之高添加濃度區域。
5. 如請求項2之結構體，其中 上述金屬層係上述添加濃度自上述第2面向上述第1面減少。
6. 如請求項2之結構體，其中 上述金屬層係於上述第1面之附近區域及上述第2面之附近區域之各者，未與上述特定元素化合之金屬之比率為特定閾值以上。
7. 如請求項6之結構體，其中 上述金屬層係於自上述第1面起至約20 nm之區域及自上述第2面起至約20 nm之區域之各者，未與上述特定元素化合之金屬之比率為約3 atm%以上。
8. 如請求項1之結構體，其中 上述特定元素為氧或氮。
9. 如請求項1之結構體，其中 上述金屬層係鋁、鈦、鉻、及包含該等中之至少一者之合金中之任一者。
10. 如請求項1之結構體，其中 上述金屬層具有50 nm以上且300 nm以下之厚度。
11. 如請求項1之結構體，其中 上述微細裂痕之間距包含於1 μm以上且500 μm以下之範圍內。
12. 如請求項1之結構體，其中 上述裝飾部具有拉伸斷裂強度小於上述金屬層且支持上述金屬層之支持層。
13. 如請求項1之結構體，其中 上述裝飾部具有將上述微細裂痕固定化之固定層。
14. 如請求項1之結構體，其構成為殼體零件、車輛、或建築物之至少一部分。
15. 一種裝飾性膜，其具備： 基底膜；及 單層之金屬層，其形成於上述基底膜，具有微細裂痕且特定元素之添加濃度於厚度方向上不同。
16. 一種結構體之製造方法，其係於基底膜藉由蒸鍍將添加有特定元素之單層之金屬層以上述特定元素之添加濃度於上述金屬層之厚度方向上不同之方式形成， 藉由將上述基底膜進行延伸而於上述金屬層形成微細裂痕， 形成包含形成有上述微細裂痕之金屬層之裝飾性膜， 藉由於上述裝飾性膜接著載體膜而形成轉印用膜， 藉由模內成形法、燙印法、或真空成形法以自上述轉印用膜轉印上述裝飾性膜之方式形成成型零件。
17. 一種結構體之製造方法，其係於基底膜藉由蒸鍍將添加有特定元素之單層之金屬層以上述特定元素之添加濃度於上述金屬層之厚度方向上不同之方式形成， 藉由將上述基底膜進行延伸而於上述金屬層形成微細裂痕， 形成包含形成有上述微細裂痕之金屬層之轉印用膜， 藉由模內成形法、燙印法、或真空成形法以轉印自上述基底膜剝離之上述金屬層之方式形成成型零件。
18. 一種結構體之製造方法，其係於基底膜藉由蒸鍍將添加有特定元素之單層之金屬層以上述特定元素之添加濃度於上述金屬層之厚度方向上不同之方式形成， 藉由將上述基底膜進行延伸而於上述金屬層形成微細裂痕， 形成包含形成有上述微細裂痕之金屬層之裝飾性膜， 藉由嵌入成形法與上述裝飾性膜一體地形成成形零件。
19. 如請求項16之製造方法，其中 上述微細裂痕之形成步驟係將上述基底膜以各軸向之延伸率2%以下進行雙軸延伸。
20. 一種裝飾性膜之製造方法，其係於基底膜藉由蒸鍍將添加有特定元素之單層之金屬層以上述特定元素之添加濃度於上述金屬層之厚度方向上不同之方式形成， 藉由將上述基底膜進行延伸而於上述金屬層形成微細裂痕。

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