TWI760418B - 澆注（ｆｉｌｌｉｎｇ）鍍敷系統及澆注鍍敷方法 - Google Patents

澆注（ｆｉｌｌｉｎｇ）鍍敷系統及澆注鍍敷方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI760418B
TWI760418B TW107101027A TW107101027A TWI760418B TW I760418 B TWI760418 B TW I760418B TW 107101027 A TW107101027 A TW 107101027A TW 107101027 A TW107101027 A TW 107101027A TW I760418 B TWI760418 B TW I760418B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
plating
additive
plated
tanks
pouring
Prior art date
Application number
TW107101027A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201825715A (zh
Inventor
岡町琢也
之
松田加奈子
Original Assignee
日商上村工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商上村工業股份有限公司 filed Critical 日商上村工業股份有限公司
Publication of TW201825715A publication Critical patent/TW201825715A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI760418B publication Critical patent/TWI760418B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12—Process control or regulation
    • C25D21/14—Controlled addition of electrolyte components
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/028—Electroplating of selected surface areas one side electroplating, e.g. substrate conveyed in a bath with inhibited background plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Coating With Molten Metal (AREA)

Abstract

本發明之目的在於提供即使於複數個電解鍍敷槽間中斷鍍敷，亦可充分澆注(filling)鍍敷的澆注鍍敷系統及澆注鍍敷方法。 　　本發明之澆注鍍敷系統係對被鍍敷物之介層孔(via hole)及/或通孔(through hole)形成澆注鍍敷者，其特徵係具備複數之電解鍍敷槽與設於前述各電解鍍敷槽之間之添加劑附著區域，於前述添加劑附著區域，使包含由至少含有含氮有機化合物之調平劑、含有含硫有機化合物之亮白劑及含有聚醚化合物之載體選出之1種以上添加劑的溶液直接附著於前述被鍍敷物。

Description

澆注（ｆｉｌｌｉｎｇ）鍍敷系統及澆注鍍敷方法
[0001] 本發明有關對被鍍敷物之介層孔(via hole)及/或通孔(through hole)形成澆注(filling)鍍敷之澆注鍍敷系統及澆注鍍敷方法。
[0002] 澆注鍍敷主要係藉鍍敷而對雷射介層孔或通孔澆注時所用。藉由介層孔澆注鍍敷可進行介層孔疊加介層孔(via on via)或介層孔疊加焊墊(pad on via)。且，藉由通孔澆注鍍敷可削減步驟數。再者，難以引起起因於熱應力等之介層孔內、通孔內之鍍敷斷裂所引致之故障，可更期待信賴性提高。 　　[0003] 作為澆注鍍敷所用之鍍敷浴之添加劑主要係添加亮白劑、調平劑、載體之添加劑。 　　[0004] 專利文獻1中，作為介層孔澆注鍍敷之銅電鍍之方法，記載進行含有水溶性銅鹽、硫酸、氯離子、亮白劑、載體及氮環化合物之調平劑之介層孔鍍敷。 　　[0005] 又，專利文獻2中，記載銅電鍍浴，其含有水溶性銅鹽、硫酸、氯離子及作為添加劑之亮白劑、載體及調平劑，上述調平劑於溶液中含有1種以上之含有陽離子化之4級氮、3級氮或該等兩者之水溶性聚合物。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0006] 　　[專利文獻1] 日本特開2006-057177號公報 　　[專利文獻2] 日本特開2007-138265號公報
[發明欲解決之課題] 　　[0007] 然而，介層孔徑之大小或深度、通孔徑之大小或深度根據目的而有多種，為了對介層孔或通孔完全澆注，而有將鍍敷條件分成複數個電解鍍敷槽，進行澆注鍍敷之情況。又，基於設備大小與設置場所之關係、生產性之觀點，有設置複數之電解鍍敷槽進行澆注鍍敷之情況。該情況下，複數之電解鍍敷槽間有暫時中斷，而對介層孔或通孔之鍍敷澆注不充分之可能性。 　　[0008] 因此，本發明之目的在於提供即使於複數個電解鍍敷槽間中斷鍍敷，亦可充分澆注鍍敷的澆注鍍敷系統及澆注鍍敷方法。 [用以解決課題之手段] 　　[0009] 本發明之一態樣之澆注鍍敷系統係對被鍍敷物之介層孔及/或通孔形成澆注鍍敷者，其特徵係具備複數之電解鍍敷槽與設於前述各電解鍍敷槽之間之添加劑附著區域，於前述添加劑附著區域，使包含由至少含有含氮有機化合物之調平劑、含有含硫有機化合物之亮白劑及含有聚醚化合物之載體選出之1種以上添加劑的溶液直接附著於前述被鍍敷物。 　　[0010] 依據如此，即使於複數個電解鍍敷槽間中斷鍍敷，亦可抑制澆注性能之降低，可維持高的澆注性。 　　[0011] 此時，本發明之一態樣中，前述添加劑可包含前述調平劑與前述亮白劑或前述載體。 　　[0012] 依據如此，由於含有調平劑，故可進而抑制澆注性能之降低。 　　[0013] 此時，本發明之一態樣中，前述添加劑可未含有前述亮白劑與前述載體。 　　[0014] 依據如此，可進而抑制澆注性能之降低、維持高的澆注性，且就成本方面亦有利。 　　[0015] 此時，本發明之一態樣中，於前述添加劑附著區域，可使包含前述添加劑之溶液直接附著於非通電狀態之前述被鍍敷物。 　　[0016] 依據如此，由於添加劑分子易吸附於被鍍敷物表面，故可抑制澆注性能之降低。 　　[0017] 又，本發明之一態樣中，前述添加劑係與前述電解鍍敷槽中之添加劑相同成分。 　　[0018] 依據如此，基於成本面或作業面、管理面而於運用上有利。 　　[0019] 又，本發明之一態樣中，前述添加劑之濃度係與前述電解鍍敷槽中之添加劑濃度相同。 　　[0020] 依據如此，基於成本面或作業面、管理面而於運用上有利。 　　[0021] 又，本發明之一態樣係前述電解鍍敷槽為邊將前述被鍍敷物水平或垂直搬送邊進行鍍敷之裝置。 　　[0022] 依據如此，可對應於有鍍敷中斷之情況之水平裝置或垂直裝置。 　　[0023] 又，本發明之其他態樣係一種澆注鍍敷方法，其係對被鍍敷物之介層孔及/或通孔形成澆注鍍敷的澆注鍍敷方法，其特徵係於複數之電解鍍敷槽進行鍍敷處理之間，於添加劑附著區域使包含由至少含有含氮有機化合物之調平劑、含有含硫有機化合物之亮白劑及含有聚醚化合物之載體選出之1種以上添加劑直接附著於前述被鍍敷物。 　　[0024] 依據如此，即使於複數個電解鍍敷槽間中斷鍍敷，亦可抑制澆注性能之降低，可維持高的澆注性。 [發明效果] 　　[0025] 依據如以上說明之本發明，即使於複數個電解鍍敷槽間中斷鍍敷，亦可抑制澆注性能之降低，可維持高的澆注性。
[0027] 以下，針對本發明之較佳實施形態詳細說明。又，以下說明之本實施形態並非對申請專利範圍記載之本發明內容進行不當限定者，並未將本實施形態中說明之構成全部限定為本發明之解決手段所必須。 　　[0028] 又，針對本發明一實施形態之澆注鍍敷系統之構成，邊使用圖式加以說明。圖1係顯示本發明一實施形態之澆注鍍敷系統之概略構成之圖。 　　[0029] 本發明一實施形態之澆注鍍敷系統100係即使於複數個電解鍍敷槽間中斷鍍敷，亦可充分澆注鍍敷的澆注鍍敷系統。本實施形態之澆注鍍敷系統100係如圖1所示，具備電解鍍敷槽20、添加劑附著區域30與電解鍍敷槽40。又，電解鍍敷槽20之前亦可具備前處理槽10，電解鍍敷槽40之後亦可具備後處理槽50。而且被鍍敷物以一定速度朝前處理槽10、電解鍍敷槽20、添加劑附著區域30、電解鍍敷槽40、後處理槽50搬送。 　　[0030] 電解鍍敷槽20之前的前處理槽10係用以於電解鍍敷前進行必要前處理之槽。例如為了於被鍍敷物11之介層孔或通孔內賦予導電性，而進行化學銅鍍敷。且隨後可進行硫酸處理。已賦予導電性之情況，則進行硫酸等之鍍敷前處理。 　　[0031] 於前處理槽10中，被鍍敷物11係由搬送輥12搬送。此時，以噴霧噴嘴13附著用以進行上述必要處理之藥液，進行處理，並將被鍍敷物11搬送至下一電解鍍敷槽20。 　　[0032] 接著，於電解鍍敷槽20，於被鍍敷物11之介層孔或通孔形成澆注鍍敷。由於電解鍍敷槽20係以電解鍍敷進行鍍敷，故例如如圖1所示，於被鍍敷物邊水平搬送邊進行鍍敷之裝置時，槽內係以與被鍍敷物11之頂部方向及底部方向呈水平方向設置陽極21。 　　[0033] 又，於電解鍍敷槽20，建立用以於介層孔或通孔形成澆注鍍敷之鍍敷液22。作為澆注鍍敷液22之添加劑主要係添加調平劑、亮白劑、載體，藉由添加劑之作用形成澆注鍍敷。接著，於電解鍍敷槽20之處理後，將被鍍敷物11搬送至添加劑附著區域30。 　　[0034] 添加劑附著區域30係設於上述電解鍍敷槽20與後述之電解鍍敷槽40之間。而且，於添加劑附著區域30，使由至少含有含氮有機化合物之調平劑、含有含硫有機化合物之亮白劑及含有聚醚化合物之載體選出的1種以上添加劑，藉由吸附添加劑之噴嘴31等直接附著於被鍍敷物。
若如此，即使於於複數個電解鍍敷槽間中斷鍍敷之情況，亦可抑制澆注性能降低，可維持高的澆注性。詳細將於後述。
於添加劑附著區域30之處理後，將被鍍敷物搬送至電解鍍敷槽40。於電解鍍敷槽40，進而進行澆注鍍敷，使介層孔內或通孔內進行鍍敷澆注。
以電解鍍敷槽40進行澆注鍍敷後，將被鍍敷物11搬送至後處理槽50。於後處理槽50進行必要之後處理例如防銹處理、水洗、乾燥等。
此處，基於被鍍敷物之規格或設備條件等，會有分為數個電解鍍敷槽進行澆注鍍敷之情況。該情況下，會有於槽間鍍敷暫時中斷，而使介層孔或通孔之鍍敷澆注變不充分之情況。
作為鍍敷中斷之例，為了對應於介層孔徑之大小或深度、通孔徑之大小或深度之製品規格，有將鍍敷條件分為數個而進行電解鍍敷之情況。例如由於於最初之電解鍍敷槽，重視介層孔內或通孔內之附著鍍敷擴展，故有例如以低的銅濃度條件進行鍍敷，於隨後之電解鍍敷槽中以重視澆注性能之例如高的銅濃度條件進行鍍敷之情況。又，亦有欲提高設備大小與設置場所之關係、生產性之情況。此時中斷鍍敷。
再者，如圖1所示邊水平搬送邊進行鍍敷時， 由於自陽極21產生之氧等氣體積存於被鍍敷物11之下表面，故鍍敷性能易比被鍍敷物上表面更降低。因此，電解鍍敷槽分割為複數槽而構成時，會有設置將被鍍敷物之上下表面於每個槽中對換之機構之情況，於此時中斷鍍敷。
又，藉由脈衝鍍敷進行電解鍍敷時，易使被鍍敷物之外觀變差。因此，以脈衝鍍敷之電解鍍敷槽鍍敷後，有時以直流電流於另一電解鍍敷槽中進行鍍敷。於此時中斷鍍敷。
再者，由於於輥對輥之裝置設置供電輥，故分為複數之電解鍍敷槽。因此，於有供電輥之槽與槽之間，被鍍敷物自鍍敷液離開，而存在鍍敷反應中斷之部位。於此時中斷鍍敷。
又，脈衝鍍敷時，由於有乾膜殘渣之影響，故會有於鍍敷初期，以可涵蓋可與低電流密度對應之良好鍍敷浴進行鍍敷，隨後為了提高生產性而以對應高電流密度之鍍敷浴進行鍍敷之情況。於此時中斷鍍敷。
因此，本發明一實施形態之澆注鍍敷系統係於複數電解鍍敷槽之間具備添加劑附著區域，藉由使由至少含有含氮有機化合物之調平劑、含有含硫有機化合物之亮白劑及含有聚醚化合物之載體選出的1種以上添加劑直接附著於被鍍敷物，即使中斷鍍敷時，亦可抑制澆注性能之降低，可維持高的澆注性能。
如以上，上述添加劑直接附著於被鍍敷物。例如並非添加劑附著於搬送輥12、供電輥等而轉印於被鍍敷物，而是直接附著於被鍍敷物。附著於搬送輥12、供電輥等時，能否充分附著於被鍍敷物並不明確，附著於搬送輥12、供電輥時，不久於上述輥之含添加劑之液即結晶化並固黏，而使輥無法均一接觸於被鍍敷物，而使添加劑難以附著於被鍍敷物。且，添加劑附著於供電輥時，由於輥處於供電狀態，故添加劑之分子狀態產生變化，而有對於被鍍敷物表面之吸附能力降低之情況。再者依情況而定，上述添加劑附著於供電輥時，有添加劑成分分解之情況，於發揮充分功能之狀態，有難以使添加劑分子吸附於被鍍敷物表面之情況。因此，本發明一實施形態之澆注鍍敷系統係直接附著於被鍍敷物。藉由如此，可抑制鍍敷性能之降低，可維持高的澆注性能。 　　[0046] 再者，本發明一實施形態之澆注鍍敷系統較好直接附著於非通電狀態之被鍍敷物。直接附著於通電狀態之被鍍敷物時，由於被鍍敷物帶負電，故上述添加劑難以吸附於被鍍敷物表面，亦有無法充分抑制澆注性能降低之情況。因此，本發明一實施形態之澆注鍍敷系統係上述添加劑附著於非通電狀態之被鍍敷物，而使上述添加劑分子易於吸附於被鍍敷物表面，進而抑制澆注性能之降低。尤其是調平劑之分子由於帶陽離子性，故於非通電狀態時亦吸附於被鍍敷物表面，故更有利於抑制澆注性能之降低。 　　[0047] 且，圖1中記載2個電解鍍敷槽與1個添加劑附著區域，但電解鍍敷槽可根據上述規格或條件等而設有3個以上之電解鍍敷槽與設於各電解鍍敷槽之間之2個以上之添加劑附著區域。基於生產性提高之觀點，設有3個以上之電解鍍敷槽與設於各電解鍍敷槽之間之2個以上之添加劑附著區域係較有利之情況。 　　[0048] 再者，鍍敷中斷次數係取決於電解鍍敷槽數，中斷次數若越多則澆注性能越降低。因此若使用本發明一實施形態之澆注鍍敷系統，則可抑制澆注性能之降低，維持高的澆注性能。因此鍍敷中斷次數若越多，則本發明一實施形態之澆注鍍敷系統之效果更為有利。 　　[0049] 本實施形態之澆注鍍敷系統係於設置於電解鍍敷槽之間之添加劑附著區域至少直接附著選自調平劑與亮白劑與載體之一種以上之添加劑。即使並非如上述之中斷鍍敷之情況，而於電解鍍敷槽之前附著上述添加劑，對介層孔或通孔進行澆注鍍敷時，亦無法抑制澆注性能之降低。因此於電解鍍敷之間附著上述添加劑至為重要。 　　[0050] 於添加劑附著區域30附著之添加劑係由至少含有含氮有機化合物之調平劑、含有含硫有機化合物之亮白劑及含有聚醚化合物之載體選出的1種以上添加劑，含有該等之溶液直接附著於被鍍敷物。 　　[0051] 首先調平劑只要為含氮有機化合物即可。具體而言，舉例為聚伸乙基亞胺及其衍生物、聚乙烯基咪唑及其衍生物、聚乙烯烷基咪唑及其衍生物、乙烯基吡咯啶酮與乙烯基烷基咪唑及其衍生物之寡聚物、健那綠(janus green)B等之染料、氯化二烯丙基二甲基銨聚合物、氯化二烯丙基二甲基銨．二氧化硫共聚物、部分3-氯-2-羥基丙基化二烯丙基胺鹽酸鹽．氯化二烯丙基二甲基銨共聚物、氯化二烯丙基二甲基銨．丙烯醯胺共聚物、二烯丙基胺鹽酸鹽．二氧化硫共聚物、烯丙基胺鹽酸鹽聚合物、烯丙基胺(游離)聚合物、烯丙基胺鹽酸鹽．二烯丙基胺鹽酸鹽共聚物、二胺與環氧基之聚合物、嗎啉與表氯醇之聚合物、由二伸乙基三胺、己二酸及ε-己內醯胺所成之聚縮合物之表氯醇改質物等，其具體例不限定於列舉之化合物。 　　[0052] 亮白劑只要為含硫有機化合物即可。具體而言，舉例為以下所示之含硫化合物等，但其具體例不限定於列舉之化合物。
Figure 02_image001
(式中，R1為氫原子或-(S)m -(CH2)n -(O)p -SO3M所示之基，R2各獨立為碳數1~5之烷基，M為氫原子或鹼金屬，m為0或1，n為1~8之整數，p為0或1)。 　　[0053] 載體只要為聚醚化合物即可。具體而言，若為聚醚化合物，則舉例為包含含有4個以上-O-之聚烷二醇之化合物，進而具體而言，舉例為聚乙二醇、聚丙二醇及該等之共聚物、聚乙二醇脂肪酸酯、聚乙二醇烷基醚等，但其具體例不限定於舉例之化合物。 　　[0054] 又，上述添加劑較好含有調平劑與亮白劑或載體。藉由添加調平劑，可更抑制澆注性能之降低。 　　[0055] 再者，添加劑附著區域30所附著之添加劑更好為不含亮白劑與載體之添加劑。亦即，較好附著單獨含有調平劑或含有調平劑與亮白劑及載體以外之添加劑的添加劑或含有硫酸、鹽酸、界面活性劑之添加劑。其原因為尤其含氮有機化合物之調平劑添加劑由於帶有陽離子性，故與亮白劑或載體相比，對表面之吸附較強，且若為不含亮白劑與載體之添加劑，則不會與亮白劑或載體競爭朝表面之吸附，而可容易地吸附於表面之故。 　　[0056] 又，調平劑、亮白劑及載體以外之例如硫酸或鹽酸、乙酸或甲酸等之有機酸、界面活性劑等，亦可作為本發明一實施形態之溶液而含有，而附著於被鍍敷物。 　　[0057] 上述添加劑較好與電解鍍敷槽20或40中之添加劑為相同成分。例如電解鍍敷槽20或40中之調平劑添加劑若使用健那綠B，則於添加劑附著區域30附著之添加劑亦使用健那綠B。又，電解鍍敷槽20或40中之亮白劑添加劑若使用雙-(3-鈉磺丙基)二硫化物，則於添加劑附著區域30附著之添加劑亦使用雙-(3-鈉磺丙基)二硫化物。再者電解鍍敷槽20或40中之載體添加劑若使用聚乙二醇，則添加劑附著區域30附著之添加劑亦使用聚乙二醇。且，上述添加劑亦可全部與複數電解鍍敷槽之添加劑相同，亦可與任一或複數電解鍍敷槽之添加劑相同。若如此，就成本面或作業面、管理面而言，運用上有利。 　　[0058] 上述添加劑之濃度較好與電解鍍敷槽20或40中之添加劑濃度相同。例如電解鍍敷槽20或40中之添加劑濃度若為2mg/L，則添加劑附著區域30附著之添加劑濃度亦為2mg/L。且，上述添加劑之濃度亦可全部與複數電解鍍敷槽之添加劑濃度相同，亦即可與任一或複數電解鍍敷槽之添加劑濃度相同。若如此，就成本面或作業面、管理面而言，運用上進而較有利。
添加劑成分於電解鍍敷槽20及40中亦可不同，於添加劑附著區域30附著之添加劑較好與電解鍍敷槽20或40中之一者的添加劑為相同成分。進而較好於添加劑附著區域30附著之添加劑與隨後之電解鍍敷槽40中為相同成分，亦即與添加劑附著區域附著後之電解鍍敷槽中之添加劑為相同成分。
又，同樣地，添加劑濃度於電解鍍敷槽20與40中亦可不同，於添加劑附著區域附著之添加劑濃度較好與電解鍍敷槽20或40中的一方之添加劑相同。進而較好於添加劑附著區域附著之添加劑濃度與隨後之電解鍍敷槽40中相同，亦即與添加劑附著區域附著後之電解鍍敷槽中之添加劑濃度相同。
圖1雖顯示邊水平搬送被鍍敷物11邊進行鍍敷之裝置，但亦可邊垂直搬送被鍍敷物11邊進行鍍敷。垂直裝置亦與水平裝置同樣，有分槽鍍敷之情況，於電解鍍敷槽之間附著上述添加劑。
附著量只要被鍍敷物11可被添加之液濡濕之程度即可，但較好為可於被鍍敷物表面充分吸附調平劑、 亮白劑、載體之添加劑之程度的量。
又，添加劑附著於被鍍敷物之方法，於水平搬送被鍍敷物之水平裝置時，較好以如圖1之吸附添加劑之噴嘴31進行噴霧，直接附著於被鍍敷物。藉由如此，可於被鍍敷物均一附著添加劑。另一方面，垂直搬送被鍍敷物之垂直裝置時，可藉由噴霧直接附著添加劑附著，亦可浸漬於含添加劑成分之水溶液。藉由如此，可於被鍍敷物均一附著添加劑。而且，可抑制澆注性能之降低，可維持高的澆注性能。
依據如上述之澆注鍍敷系統，可對用於水平搬送被鍍敷物之水平裝置及垂直搬送被鍍敷物之垂直裝置，且可對應於多種裝置。
圖2(A)係於介層孔形成澆注鍍敷後之剖面圖。如於介層孔形成澆注鍍敷後之剖面150所示，於介層孔151進行澆注鍍敷，完成介層孔澆注鍍敷152。
又，圖2(B)係於通孔形成澆注鍍敷後之剖面圖。如於通孔形成澆注鍍敷後之剖面160所示，於通孔161進行澆注鍍敷，完成通孔澆注鍍敷162。
如以上之本發明一實施形態之澆注鍍敷系統，即使介層孔151、通孔161或介層孔151與通孔161混合存在時，均可抑制澆注性能之降低。
其次使用圖3，說明本發明一實施形態之澆注鍍敷方法。圖3係顯示本發明一實施形態之澆注鍍敷方法之概略的步驟圖。如圖3所示，於前處理槽S10進行與上述前處理槽進行的同樣之前處理，於電解鍍敷槽S20進行電解鍍敷。 　　[0069] 接著，於後述之電解鍍敷槽S40進行鍍敷處理之前，於添加劑附著區域S30於前述被鍍敷物直接附著由至少含有含氮有機化合物之調平劑、含有含硫有機化合物之亮白劑及含有聚醚化合物之載體選出的1種以上添加劑。隨後，於後處理槽S50，進行必要之後處理例如防銹處理、水洗、乾燥等。 　　[0070] 如如此，則即使於複數之電解鍍敷槽之間中斷鍍敷時，亦可抑制澆注性能降低，可維持高的澆注性。 [實施例] 　　[0071] 其次，針對本發明一實施形態之澆注鍍敷系統及澆注鍍敷方法，藉由實施例詳細說明。又，本發明不限定於該等實施例。 　　[0072] 作為空白組條件，係未分割電解鍍敷槽，不進行鍍敷中斷。且，對具有開口徑90μm、深80μm之介層孔之基板進行化學銅鍍敷後，以1.5A/dm2 、60分鐘進行電解銅鍍敷。鍍敷浴條件為硫酸銅5水鹽220g/L、硫酸50g/L、氯化物離子40mg/L、作為亮白劑之雙-(3-鈉磺丙基)二硫化物2mg/L、作為載體之聚乙二醇(平均分子量10000) 200mg/L、作為調平劑之健那綠B 1mg/L，於浴溫25℃以2L/分鐘之噴流攪拌條件進行鍍敷。 　　[0073] (實施例1) 　　作為實施例1，分割鍍敷之電解鍍敷槽，鍍敷中斷次數設為1，於添加劑附著區域之添加劑處理(以下稱為鍍敷中斷時之處理)係附著作為調平劑之健那綠B水溶液。且電解銅鍍敷、鍍敷浴之條件、噴流攪拌條件與空白組相同。又鍍敷1次之中斷時間設為2分鐘。再者，鍍敷前之處理並未附著調平劑、亮白劑、載體之添加劑。 　　[0074] (實施例2) 　　作為實施例2，鍍敷中斷次數設為10，鍍敷中斷時之處理係附著作為亮白劑之雙-(3-鈉磺丙基)二硫化物水溶液。其他條件與實施例1相同。 　　[0075] (實施例3) 　　作為實施例3，鍍敷中斷次數與實施例2同樣設為10，鍍敷中斷時之處理係附著作為載體之聚乙二醇(平均分子量10000)水溶液。其他條件與實施例1相同。 　　[0076] (實施例4) 　　作為實施例4，鍍敷中斷次數與實施例2同樣設為10，鍍敷中斷時之處理係附著作為調平劑之健那綠B水溶液。其他條件與實施例1相同。 　　[0077] (比較例1) 　　作為比較例1，鍍敷中斷次數設為1，鍍敷中斷時之處理係附著離子交換水。其他條件與實施例1相同。 　　[0078] (比較例2) 　　作為比較例2，鍍敷中斷次數設為10，鍍敷中斷時之處理係附著離子交換水。其他條件與實施例1相同。 　　[0079] (比較例3) 　　作為比較例3，鍍敷中斷次數與比較例2同樣設為10，鍍敷中斷時之處理係於空氣中放置。其他條件與實施例1相同。 　　[0080] (比較例4) 　　作為比較例4，鍍敷中斷次數與比較例2同樣設為10，鍍敷前之處理係附著作為亮白劑之雙-(3-鈉磺丙基)二硫化物水溶液。且，鍍敷中斷時之處理係附著離子交換水。其他條件與實施例1相同。 　　[0081] (比較例5) 　　作為比較例5，鍍敷中斷次數與比較例2同樣設為10，鍍敷前之處理係附著作為載體之聚乙二醇(平均分子量10000)水溶液。且，鍍敷中斷時之處理係附著離子交換水。其他條件與實施例1相同。 　　[0082] (比較例6) 　　作為比較例6，鍍敷中斷次數與比較例2同樣設為10，鍍敷前之處理係附著作為調平劑之健那綠B水溶液。且，鍍敷中斷時之處理係附著離子交換水。其他條件與實施例1相同。 　　[0083] 於空白組、實施例1~4及比較例1~6電解銅鍍敷後係如圖4所示，針對於介層孔形成澆注鍍敷後之剖面150，以BRUKER公司製白色干涉式顯微鏡Contour GT-X測定於介層孔151內鍍敷之介層孔澆注鍍敷152之凹陷h153。且觀察鍍敷皮膜外觀。其結果示於表1。 　　[0084]
Figure 02_image003
[0085] 如表1所示，空白組中之鍍敷凹陷量為3μm。鍍敷中斷次數為1的實施例1之凹陷量亦為3μm。另一方面，鍍敷中斷時未附著調平劑之比較例1之凹陷量為12μm。因此鍍敷中斷時附著調平劑時，即使中斷鍍敷時，亦可抑制澆注性能之降低，可維持高的澆注性。 　　[0086] 又，鍍敷中斷次數為10之實施例2、3及4之凹陷量分別為5μm、6μm、3μm。且鍍敷皮膜外觀具有光澤。另一方面，比較例2及3之凹陷量分別為58μm、72μm而為較大凹陷。且，比較例2中之鍍敷皮膜外觀為白濁，比較例3中之皮膜外觀為粗糙及白濁。因此，鍍敷中斷時若附著調平劑，則即使中斷鍍敷時，亦可抑制澆注性能之降低，可維持高的澆注性，鍍敷皮膜外觀亦良好。且由上述結果，若鍍敷中斷次數較多，則抑制澆注性能降低之效果大，且對鍍敷皮膜外觀之影響亦大。 　　[0087] 又，比較實施例2、3及4時，鍍敷中斷時附著調平劑之實施例4凹陷量最小，成為與空白組之凹陷量同等值。因此，鍍敷中斷時附著調平劑時特別有效。 　　[0088] 鍍敷前處理中分別附著亮白劑、載體、調平劑進行電解銅鍍敷之比較例4、5及6之凹陷量分別為60μm、56μm、63μm，凹陷量較大。因此即使鍍敷前處理中附著添加劑進行電解銅鍍敷亦無效果。因此，鍍敷中斷時附著調平劑等之添加劑的實施例作為抑制澆注性能降低之效果更為有效。 　　[0089] 由以上，藉由應用本實施形態之澆注鍍敷系統及澆注鍍敷方法，即使於複數個電解鍍敷槽間中斷鍍敷時，亦可抑制澆注性能之降低，可維持高的澆注性。
又，如上述雖已針對本發明之各實施形態及各實施例詳細說明，但由本發明之新穎事項及效果可在不脫離實體下進行多種變化，其為熟知本技藝者容易理解者。因此，此等變形例全部包含於本發明範圍。
例如，說明書或圖式中，至少一次與更廣義或同義之不同用語一起記載之用語，於說明書或圖式之任何處，均可互換該不同用語。且，澆注鍍敷系統及澆注鍍敷方法之構成、動作亦不限定於本發明之各實施形態及各實施例中說明者，而可實施各種變化。
10:前處理槽
11:被鍍敷物
12:搬送輥
13:噴霧噴嘴
20:電解鍍敷槽
21:陽極
22:鍍敷液
30:添加劑附著區域
31:吸附添加劑之噴嘴
40:電解鍍敷槽
50:後處理槽
150:於介層孔形成澆注鍍敷後之剖面
151:介層孔
152:介層孔澆注鍍敷
h153:凹陷
160:於通孔形成澆注鍍敷後之剖面
161:通孔
162:通孔澆注鍍敷
S10:前處理
S20:電解鍍敷
S30:添加劑附著
S40:電解鍍敷
S50:後處理
[0026] 　　圖1係顯示本發明一實施形態之澆注鍍敷系統之概略構成之圖。 　　圖2(A)係顯示於介層孔形成澆注鍍敷後之剖面圖。圖2(B)係顯示於通孔形成澆注鍍敷後之剖面圖。 　　圖3係顯示本發明一實施形態之澆注鍍敷方法之概略步驟圖。 　　圖4係用以說明凹陷量之於介層孔形成澆注鍍敷後之剖面圖。
10‧‧‧前處理槽
11‧‧‧被鍍敷物
12‧‧‧搬送輥
13‧‧‧噴霧噴嘴
20‧‧‧電解鍍敷槽
21‧‧‧陽極
22‧‧‧鍍敷液
30‧‧‧添加劑附著區域
31‧‧‧添加劑附著噴嘴
40‧‧‧電解鍍敷槽
50‧‧‧後處理槽
100‧‧‧澆注鍍敷系統

Claims (6)

  1. 一種澆注鍍敷系統，其係對被鍍敷物之介層孔及/或通孔形成澆注鍍敷的澆注鍍敷系統，其特徵係具備複數之電解鍍敷槽、鍍敷浴，其係以用於在1個以上的前述複數之電解鍍敷槽中對介層孔或通孔形成澆注鍍敷的個別之鍍敷液供給來調整，該鍍敷液包含調平劑、亮白劑、載體作為澆注鍍敷液之添加劑，藉由該添加劑的作用形成澆注鍍敷，前述被鍍敷物於在前述1個以上的複數之電解鍍敷槽之處理後被搬送至添加劑附著區域之鍍敷浴，與添加劑附著區域，其係設於前述各複數之電解鍍敷槽之間，且具有含有含氮有機化合物之調平劑、含有含硫有機化合物之亮白劑及含有聚醚化合物之載體的添加劑溶液，與前述複數之電解鍍敷槽呈水平且串聯配置之添加劑附著區域，前述被鍍敷物被以搬送輥連續地搬送，且於前述添加劑附著區域，藉由吸附添加劑之噴嘴使包含前述添加劑的溶液直接附著於前述被鍍敷物。
  2. 如請求項1之澆注鍍敷系統，其係於前述添加劑附著區域，使包含前述添加劑之溶液直接附著於非通電狀態之前述被鍍敷物。
  3. 如請求項1之澆注鍍敷系統，其中前述添加劑係與前述1個以上的複數之電解鍍敷槽中之添加劑相同成分。
  4. 如請求項1之澆注鍍敷系統，其中前述添加劑之濃度係與前述1個以上的複數之電解鍍敷槽中之添加劑濃度相同。
  5. 如請求項1之澆注鍍敷系統，其中前述複數之電解鍍敷槽係邊將前述被鍍敷物水平或垂直搬送邊進行鍍敷之裝置。
  6. 一種澆注鍍敷方法，其係對被鍍敷物之介層孔及/或通孔形成澆注鍍敷的澆注鍍敷方法，其特徵係使用複數之電解鍍敷槽、鍍敷浴，其係以用於在1個以上的前述複數之電解鍍敷槽中對介層孔或通孔形成澆注鍍敷的個別之鍍敷液供給來調整，該鍍敷液包含調平劑、亮白劑、載體作為澆注鍍敷液之添加劑，藉由該添加劑的作用形成澆注鍍敷，前述被鍍敷物於在前述1個以上的複數之電解鍍敷槽之處理後被搬送至添加劑附著區域之鍍敷浴，與添加劑附著區域，其係設於前述各複數之電解鍍敷槽之間，且具有含有含氮有機化合物之調平劑、含有含硫有機化合物之亮白劑及含有聚醚化合物之載體的添加劑溶液，與前述複數之電解鍍敷槽呈水平且串聯配置之添加劑 附著區域，前述被鍍敷物被以搬送輥連續地搬送，且於添加劑附著區域藉由吸附添加劑之噴嘴使包含前述添加劑的溶液直接附著於前述被鍍敷物。
TW107101027A 2017-01-12 2018-01-11 澆注（ｆｉｌｌｉｎｇ）鍍敷系統及澆注鍍敷方法 TWI760418B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-003286 2017-01-12
JP2017003286A JP6948053B2 (ja) 2017-01-12 2017-01-12 フィリングめっきシステム及びフィリングめっき方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201825715A TW201825715A (zh) 2018-07-16
TWI760418B true TWI760418B (zh) 2022-04-11

Family

ID=62782187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107101027A TWI760418B (zh) 2017-01-12 2018-01-11 澆注（ｆｉｌｌｉｎｇ）鍍敷系統及澆注鍍敷方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11560640B2 (zh)
JP (1) JP6948053B2 (zh)
KR (1) KR102441765B1 (zh)
CN (1) CN108315781B (zh)
TW (1) TWI760418B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021245766A1 (ja) * 2020-06-02 2021-12-09 奥野製薬工業株式会社 断続的電気めっき方法
CN112410833B (zh) * 2020-11-19 2022-03-18 广州三孚新材料科技股份有限公司 一种无氰镀铜光亮剂及其制备方法和应用
KR102496247B1 (ko) * 2021-01-06 2023-02-06 와이엠티 주식회사 전기 도금 용액 첨가제 및 이를 포함하는 고속 도금 가능한 고전류 전기 니켈 도금 용액
CN115074789B (zh) * 2022-08-22 2022-11-25 深圳市板明科技股份有限公司 一种线路板盲孔快速填充电镀铜溶液及快速填充方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6638411B1 (en) * 1999-01-26 2003-10-28 Ebara Corporation Method and apparatus for plating substrate with copper
US20090065365A1 (en) * 2007-09-11 2009-03-12 Asm Nutool, Inc. Method and apparatus for copper electroplating

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3535222A (en) * 1964-02-04 1970-10-20 Aluminium Lab Ltd Apparatus for continuous electrolytic treatment
JPS58181894A (ja) * 1982-04-14 1983-10-24 Nippon Kokan Kk <Nkk> 複層異種組成Ｆｅ−Ｚｎ合金電気鍍金鋼板の製造方法
US6123824A (en) * 1996-12-13 2000-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photo-electricity generating device
JP2000345392A (ja) * 1999-01-26 2000-12-12 Ebara Corp 銅めっき方法およびその装置
DE10033433A1 (de) * 2000-07-10 2002-01-24 Basf Ag Verfahren zur elektrolytischen Verzinkung aus alkansulfonsäurehaltigen Elektrolyten
IT1318919B1 (it) * 2000-09-22 2003-09-19 Danieli Hi Tech Gmbh Processo e dispositivo per il trattamento elettrolitico superficialedi nastri di metallo.
JP4973829B2 (ja) 2004-07-23 2012-07-11 上村工業株式会社 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法
JP2006283072A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Atotech Deutsche Gmbh マイクロビアやスルーホールをめっきする方法
JP4816901B2 (ja) 2005-11-21 2011-11-16 上村工業株式会社 電気銅めっき浴
US20090188805A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Government Of The United States Of America, As Represented By The Superconformal electrodeposition of nickel iron and cobalt magnetic alloys
JP5527670B2 (ja) * 2009-07-14 2014-06-18 川崎重工業株式会社 ファイバー電極を備える蓄電デバイス及びその製造方法
KR101353862B1 (ko) * 2011-12-27 2014-01-21 주식회사 포스코 태양전지용 철/크롬 기판 제조방법
KR101376585B1 (ko) * 2012-05-07 2014-04-01 (주)포스코 도금롤 이물질 유입 방지 시스템
US20140262801A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of filling through-holes
US9273407B2 (en) * 2014-03-17 2016-03-01 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Additive for electrodeposition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6638411B1 (en) * 1999-01-26 2003-10-28 Ebara Corporation Method and apparatus for plating substrate with copper
US20090065365A1 (en) * 2007-09-11 2009-03-12 Asm Nutool, Inc. Method and apparatus for copper electroplating

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180083250A (ko) 2018-07-20
CN108315781B (zh) 2021-11-02
KR102441765B1 (ko) 2022-09-07
US20180195193A1 (en) 2018-07-12
JP6948053B2 (ja) 2021-10-13
US11560640B2 (en) 2023-01-24
JP2018111863A (ja) 2018-07-19
CN108315781A (zh) 2018-07-24
TW201825715A (zh) 2018-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI760418B (zh) 澆注（ｆｉｌｌｉｎｇ）鍍敷系統及澆注鍍敷方法
US6444110B2 (en) Electrolytic copper plating method
JP4342294B2 (ja) 逆パルスめっき組成物および逆パルスメッキ方法
JP6012723B2 (ja) 銅めっきする方法
CN101435099B (zh) 镀铜方法
JP5471276B2 (ja) 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法
US20040045832A1 (en) Electrolytic copper plating solutions
TWI399462B (zh) 酸性銅電鍍浴組成物
KR20090015869A (ko) 전기 구리도금 방법
JP3498306B2 (ja) ボイドフリー銅メッキ方法
US20110180412A1 (en) Plating method and plating apparatus
KR101255911B1 (ko) 전해동 도금액 조성물
JP5864161B2 (ja) 銅フィリング方法及び当該方法を適用した電子部品の製造方法
JP2013044035A (ja) 銅フィリング方法及び当該方法を適用した電子部品
KR101840436B1 (ko) 균일한 도금을 위한 전해 구리 도금액 및 이를 이용하는 전해 구리 도금 방법
JP5380593B2 (ja) 銅めっき方法
KR20070025643A (ko) 인쇄회로기판 스루홀 도금용 산성 동전해 용액의 조성물
JP2023523598A (ja) 銅析出物を電解析出させるための酸性水性組成物