TWI744481B - 處理配方之評估方法、記錄媒體、處理配方評估用之支援裝置及液體處理裝置 - Google Patents
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Abstract
一種處理配方之評估方法,使用於液體處理裝置;該液體處理裝置,一面使將基板固持於水平之固持部繞鉛直軸旋轉,一面對於該基板從噴嘴供給處理液,藉此進行液體處理;該處理配方之評估方法包含以下程序:第一記錄程序,使由包含噴嘴位置與基板轉速之參數値的組合之時序資料所組成的處理配方,記錄於第一記錄部;第一讀取程序,從該第一記錄部讀取出該處理配方;第二讀取程序,從第二記錄部讀取出預先製作之將「參數値的組合」與「對應於液體飛濺的風險之風險資訊」相對應的風險資料;及顯示程序,基於從該第一記錄部讀取出之處理配方與從第二記錄部讀取出之風險資料,顯示與處理配方中之該參數値的組合有關的液體飛濺之風險資訊,亦即支援資料。
Description
本發明係關於評估「向基板供給處理液而進行液體處理之液體處理裝置之處理配方」的技術,及具備此技術之液體處理裝置。
在製造半導體裝置時之光刻程序中,形成光阻膜,並對於沿既定的圖案曝光之基板供給顯影液,而形成光阻圖案。例如專利文獻1所記載般,從顯影液噴嘴朝,向固持於水平的半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)噴出顯影液,而於晶圓W的表面形成液滴,並藉由顯影液噴嘴的移動及晶圓W的旋轉,將該液滴擴散於晶圓W,藉此進行顯影處理。
就這般顯影裝置而言,當基板的轉速高時,從噴嘴噴出的顯影液沖擊晶圓表面時,顯影液有濺起飛濺液體之虞。因此,製造商會製作抑制液體飛濺之推薦處理配方,並內建於顯影裝置中。 此外,使用塗佈顯影裝置時,使用者為了控制形成於晶圓之圖案的線寬或預設值,有時會改變顯影處理當中的配方。此時,因處理配方中的晶圓之轉速或是處理液的供給液量等,有時會易於引起液體飛濺,而有污染整體模組之虞,或造成飛沫累積於噴嘴臂而造成漏液產生之虞。 [先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-023671號公報
[發明所欲解決之問題]
有鑑於上述情事,本發明之目的在於提供一種可於液體處理裝置評估處理配方的液體飛濺風險之技術,該液體處理裝置向基板供給處理液同時使基板旋轉,而對基板進行液體處理。 [解決問題之方式]
本發明之處理配方的評估方法,係使用於液體處理裝置;該液體處理裝置,一面使將基板固持於水平之固持部繞鉛直軸旋轉,一面對於該基板從噴嘴供給處理液,藉此進行液體處理;該處理配方之評估方法包含以下程序:第一記錄程序,使由包含噴嘴位置與基板轉速之參數値的組合之時序資料所組成的處理配方,記錄於第一記錄部;第一讀取程序,從該第一記錄部讀取出該處理配方;第二讀取程序,從第二記錄部讀取出預先製作之將「參數値的組合」與「對應於液體飛濺的風險之風險資訊」相對應的風險資料;及顯示程序,基於從該第一記錄部讀取出之處理配方與從第二記錄部讀取出之風險資料,顯示與處理配方中之該參數値的組合有關的液體飛濺之風險資訊,亦即支援資料。
本發明之記錄媒體,儲存有支援軟體;該支援軟體係使用於液體處理裝置;該液體處理裝置,一面使將基板固持於水平之固持部繞鉛直軸旋轉,一面對於該基板從噴嘴供給處理液,藉此進行液體處理;該支援軟體包含程式,用以執行以下階段群:第一讀取階段,從第一記錄部讀取出由包含噴嘴位置與基板轉速之參數値的組合之時序資料所組成的處理配方;第二讀取階段,從第二記錄部讀取出預先製作之將「參數値的組合」與「對應於液體飛濺的風險之風險資訊」相對應的風險資料;及製作階段,基於從該第一記錄部讀取出之處理配方與從第二記錄部讀取出之風險資料,製作與處理配方中之該參數値的組合有關的液體飛濺之風險資訊,亦即支援資料。
本發明之處理配方評估用之支援裝置,係使用於液體處理裝置;該液體處理裝置,一面使將基板固持於水平之固持部繞鉛直軸旋轉,一面對於該基板從噴嘴供給處理液,藉此進行液體處理;該處理配方評估用之支援裝置,包含:輸入部,用以輸入由包含噴嘴位置與基板轉速之參數値的組合之時序資料所組成的處理配方;第一記錄部,記錄輸入之處理配方;第二記錄部,記錄將「對應於液體飛濺的風險之風險資訊」與「包含噴嘴的位置與轉速之參數値的組合」相對應之風險資料;支援資料製作部,基於記錄於該第一記錄部之處理配方與記錄於第二記錄部之風險資料,針對處理配方中之該參數値的組合,製作液體飛濺的風險資訊,亦即支援資料;及顯示部,用以顯示該支援資料製作部所製作出之風險資訊。
本發明之液體處理模組,具備受杯體環繞之固持部,並一面將基板水平固持於該固持部而使其繞鉛直軸旋轉,一面從噴嘴對該基板供給處理液,藉此進行液體處理;本發明之液體處理模組並具備上述處理配方評估用之支援裝置。 [發明之效果]
本發明於「使固持於水平之基板旋轉,並向基板的表面供給處理液之液體處理裝置」,改變預先處理之配方的參數値而測量液體飛濺的數量,並製作因應於因各參數値造成之液體飛濺的風險之風險資料。又,使用者製作液體處理裝置的處理配方時,由液體飛濺的風險資料求取該處理配方中假定的液體飛濺之風險,並使其顯示。因此,由於使用者能掌握新製作、或是改變後的處理配方中之液體飛濺風險,故能對處理配方的評估作出貢獻。
在說明本發明之實施態樣亦即處理配方之評估裝置前,以使用處理配方之用於處理基板的液體處理裝置為例,簡單說明有關例如向曝光後的晶圓W供給顯影液而進行電路圖案的顯影處理之顯影裝置。如圖1、圖2所示,顯影裝置具備顯影模組2。顯影模組2具備旋轉夾盤11,作為將晶圓W的背面中央部吸附而固持於水平之固持部;旋轉夾盤11經由旋轉軸12,與旋轉機構13連接。旋轉夾盤11,在固持晶圓W的狀態下,經由旋轉機構13繞鉛直軸自由旋轉地構成。
在旋轉夾盤11的下方側,以隔著間隙環繞旋轉軸12之方式,設置圓形板22。又,在圓形板22圓周方向三處形成貫通孔22A,並在各貫通孔22A分別設有藉由升降機構15自由升降地構成之升降銷14。
又,以環繞旋轉夾盤11之方式設有杯體20。杯體20擋住從晶圓W甩脫之液體,而向下方引導。又,係以「流到杯體20下方側的排除液體,藉由液體排除通路25進行液體排除,同時在杯體20內藉由排氣管26進行排氣」之方式構成。此外,圖2中的「28」為藉由升降機構21自由升降地構成之「上側引導部」,圖2中的「23」為在外圍側引導液體用之「山型引導部」,圖2中的「24」為在上側引導部28的側邊擋住液體之液體收納部。
又,顯影裝置具備顯影液噴嘴3,用以向固持於顯影模組2之晶圓W,供給顯影液。如圖3所示,顯影液噴嘴3係以略矩形狀形成,於其底面,成為顯影液的噴吐口之狹縫31形成開口。如圖2所示,於顯影液噴嘴3,連接有與狹縫31相連之顯影液供給管35的下游端。顯影液供給管35的上游側,連接有顯影液供給部36,其具備例如流量控制部或貯存有顯影液之顯影液供給源。
如圖1、圖2所示,顯影液噴嘴3受到於水平延伸的臂部32的支持,此臂部32係以「在移動體33藉由未圖示之升降機構加以升降」之方式設置。又,臂部32係自由伸縮地構成,藉由臂部32之伸縮,顯影液噴嘴3係以「能在圖1中的X方向上水平移動」之方式構成。又,移動體33受到導軌37引導而移動,該導軌37係以在基座10上向垂直於「臂部32的延伸方向」之方向(圖1中的Y方向)延伸之方式設置;藉此,顯影液噴嘴3可在「固持於顯影模組2之晶圓W的上方區域」與「設置於顯影模組2的外部之顯影液噴嘴3的待命位置之噴嘴槽38」之間移動。
又,顯影裝置具備沖洗液噴嘴5,其在向晶圓W供給顯影液後,向晶圓W的表面供給例如純水等沖洗液。如圖2所示,沖洗液噴嘴5經由沖洗液供給管51,與沖洗液供給源52連接。回到圖1,沖洗液噴嘴5係藉由臂部53支持,此臂部53係以在移動體54係藉由未圖示之升降機構加以升降之方式設置。移動體54,係以能在導軌55受引導而移動,並可於「沖洗液噴嘴5設於晶圓W的外部之待命槽56」與「晶圓W的上方區域」之間移動的方式構成。
於顯影裝置,設有例如由電腦所組成的控制部100。圖4係控制顯影裝置之控制部100,此例中,包含本發明實施態樣之「處理配方的評估裝置」。控制部100,具備中央處理器91、第一記錄部92、第二記錄部93及第三記錄部94。此外,圖中的「90」為匯流排。進而,控制部100具備輸入部101,同時連接有用以顯示「後述處理配方之評估結果等」之顯示器等顯示部102。輸入部101係由例如鍵盤等加以構成,而亦可為兼作顯示部102之由觸碰面板構成的操作面板。
又,控制部100具備儲存支援資料製作用之程式的程式儲存部95。此程式,係與後述風險資料一同構成支援軟體;支援軟體,係儲存於電腦記錄媒體例如軟碟、光碟、硬碟、MO(磁光碟)、儲存卡等程式儲存部95,而安裝於控制部100。
通常,為了使用產品用晶圓,而在顯影模組進行顯影處理,會準備預先製作之複數處理配方,又,會從這些處理配方群中,選擇因應於被處理晶圓的批次之處理配方。本實施態樣中,例如在改變這些處理配方之一部份的情況下,能於事前使用支援軟體確認「改變後的處理配方之液體飛濺的風險」,而在「處理配方的評估」上發揮效用;第一記錄部92,具備啟動支援軟體時,記錄評估對象的處理配方之區域。
所謂「處理配方」,例如係由複數步驟構成,並於各步驟中每一者,寫入:晶圓W之轉速、相當於噴嘴位置之晶圓W上顯影液的噴出位置、進行顯影液噴出的噴嘴、用以調整晶圓W的轉速之加減速度及各步驟之執行時間等。又,依照步驟的順序之時序,將「記錄於步驟的時間的期間、晶圓W的轉速、晶圓W上顯影液的噴出位置」,以在該步驟所設定之參數値加以執行,藉此進行顯影處理。
圖5係表示這般處理配方之一例,由「步驟群」所構成。又,圖6係將配方圖式化後之圖形,表示晶圓W之轉速及顯影液的供給位置之時間推移。所謂顯影液的供給位置,係指「在顯影液噴嘴3的底面形成開口而噴吐顯影液的狹縫31所開口的中心軸」與「晶圓W的表面」之交叉點在晶圓W上的位置;在說明書中,將晶圓W的中心位置記載為0mm,而將晶圓W的周緣位置記載為150mm。此外,為了方便說明,係將配方簡化為實機上使用的配方而加以記載。
又,第二記錄部93,係記錄「安裝或下載上述支援軟體後之用於後述配方評估之風險資料」的區域。風險資料例如係由製造商方製作。圖7表示用來取得「例如每單位時間的液體飛濺數之相對値」以作為「風險資料」之顯影裝置。此裝置,例如係在圖1所示之顯影裝置的顯影液噴嘴3設置雷射照射部34,該雷射照射部34朝向顯影液噴嘴3的前方水平照射帶狀的薄片雷射L。此薄片雷射L,接著例如係以與晶圓W的表面平行之方式照射。進而,在顯影模組2的上方設置相機4,用以拍攝將顯影液供給至晶圓W時之薄片雷射L的光路。
針對使用相機4計數液體飛濺的方法簡單說明,在將晶圓W固持於旋轉夾盤11後,開始照射薄片雷射L。其後,在供給顯影液的位置,使顯影液噴嘴3水平移動,而配合高度位置,向旋轉之晶圓W供給顯影液。此時,若向旋轉之晶圓W供給顯影液,則如圖7所示,顯影液會於晶圓W的表面飛濺,而產生液體飛濺S。又,若此飛濺之顯影液,從由上述雷射照射部34照射之薄片雷射L穿越,則會在飛濺後的液體飛濺S照射薄片雷射的光線,而呈點狀發光。在圖7中,在穿越薄片雷射L之液體飛濺S附加陰影線。於相機4,例如以1/60秒間隔,進行薄片雷射L之攝影,並於每個拍攝結果,計數在薄片雷射L上確認到點狀發光的液體飛濺S(液粒)之數量,而記錄為每1/60秒的液體飛濺S之數量。
又,例如使用製作風險資料用之配方,並依該配方進行顯影處理,藉此收集用以製作風險資料的資料。圖8係表示這種風險資料製作用的配方之一例,例如為:將「晶圓W的轉速」、「顯影液噴嘴3的位置」與「噴出流量」各自的參數値互相組合,而將各種組合的形態,依照測量步驟順序依序執行,以上述方式寫入的配方。又,依照步驟的時序執行配方,藉此於顯影裝置,以晶圓W的轉速與顯影液噴嘴3的位置之組合的各種形態,執行顯影處理。此外,由於液體飛濺,在處理液開始噴出及停止噴出的瞬間,有變多的傾向;因此,在此風險資料製作用的配方之例子中,接續「噴出顯影液」之測量步驟,進行「停止供給顯影液」之測量步驟。
又,於顯影裝置,當執行了風險資料製作用的配方之各測量步驟後,如上述般計數各步驟執行中每1/60秒之液體飛濺數,並求取各測量步驟中每一者計數之液體飛濺數的總數;如圖8所示,寫入各步驟每一者中「液體飛濺數」之欄位,而記錄之。
接著,將藉由執行風險資料製作用配方而求取出之各測量步驟中每一者的液體飛濺數的資料,例如,如圖9所示,製作以「X軸為晶圓W的轉速、Y軸為噴嘴的位置、Z軸為每單位時間」之液體飛濺數的立體地圖。圖9中的黑點,表示在製作之風險資料製作用配方中測量到的資料。 進而,針對立體地圖中的各圖之間,例如藉由線性內插進行圖之間的資料之插值,而製作立體模型。此外,亦可使用例如克利金法,樣條插值或是謝別德法等作為插值方法。藉此,可將晶圓W的轉速與顯影液的供給位置,作為兩變數,而取得計算「假定之液體飛濺數」的立體模型之運算式。
又,例如以「每10rpm晶圓W的轉速,每0.5mm顯影液的供給位置」之組合,適用於立體模型之運算式,而計算出各參數組合中每一者假定之每單位時間的液體飛濺數的資料。藉此,製作由將「如圖10所示之晶圓W的轉速及顯影液的供給位置之組合」與「例如風險程度(對應於液體飛濺風險的風險資訊)之假定每單位時間的液體飛濺數」兩者相對應的表格所構成之風險資料,並記錄於第二記錄部93。
回到圖4說明有關支援資料製作用程式。支援資料製作用程式,從第一記錄部92讀取出處理配方的參數値,並從第二記錄部93讀取出風險資料。又,於讀取出之處理配方的參數値,例如晶圓W的轉速及顯影液的供給位置之組合每一者,從風險資料的表格參照因應於該參數値之組合的風險程度,而求取將風險的程度與參數値之組合相對應的資料,並編集此資料而在第三記錄部94寫入將處理配方之各步驟與風險程度相對應的資料。所謂風險程度,於此例中係表示各步驟中假定的液體飛濺之數量。此外,所謂假定之液體飛濺的數量,係指假定以前述薄片雷射計數之數量,而表示對於配方中產生之液體飛濺數的相對値。這般寫入第三記錄部94的資料,係顯示於顯示部102。
若具體說明,於支援資料製作用程式中,基於記錄在第一記錄部92的處理配方,例如製作晶圓W的轉速之時序變化及晶圓W上的處理液的噴出位置之時序變化的圖形。此外,在此處理配方中,設定成:於剛開始處理配方後,開始噴出顯影液,並繼續噴出直到圖中的顯影處理結束時。
又,製作出之圖形中,從開始處理配方,於每0.1秒,基於該時刻之顯影液的供給之開啟(顯影液供給中)關閉(顯影液停止中)狀態、晶圓W的轉速及處理液的噴出位置,由記錄於第二記錄部93的風險資料,讀取出由該晶圓W的轉速及處理液的噴出位置計算出之每單位時間的液體飛濺數。此外,此例中,由於係從處理配方之開始至結束連續地進行顯影液之供給,因此,關於顯影液之供給的開啟關閉,可判斷為:在處理配方的期間,總是開啟。
如此,首先,藉由從處理配方開始每0.1秒計算出之每單位時間的液體飛濺數,製作於處理配方整體假定之每單位時間的液體飛濺數之時間推移的圖形,而求取從執行處理配方後,配方開始至結束為止假定之液體飛濺數的總數。又,例如由假定之每單位時間的液體飛濺數之圖形,總計處理配方中各顯影步驟每一者之液體飛濺數,而例如將此液體飛濺數之値作為風險程度表示。圖11係表示顯示於顯示部102之處理配方中的風險程度,亦即對應於液體飛濺的風險之風險資訊的一例。此例中,以處理配方的各步驟中每一者假定之液體飛濺的數量表示。
又,在圖12預先顯示將「晶圓W的轉速之時間推移」、「顯影液的供給位置之時間推移」與「液體飛濺風險程度的時間推移」相對應之圖形的一例。又,由於使用者所使用之處理配方的詳細內容多半不會公開,因此,圖6、圖11及圖12,係為了發明易於理解而表示,並未相互整合。
又,使用者設定新的處理配方時,如圖13之流程圖所示,首先,例如在顯示部102顯示記錄於顯影裝置之處理配方(步驟S1)。接著,從顯示出的處理配方中,選擇使用者欲修正的處理配方(步驟S2),並在顯示部102展開選擇的處理配方中如圖5所示般的處理配方之表格(步驟S3)。
進而,若使用者改變顯示出的處理配方的表格中之參數値(步驟S4),例如,於第一記錄部92記錄改變了參數値之處理配方,並執行由上述支援資料製作用程式進行之處理配方的評估方法而進行風險確認,而在顯示部102顯示表示例如圖11所示般的風險資訊的圖形(步驟S5)。進而,使用者參考顯示出的風險資訊,檢討是否適用改變了參數的處理配方(步驟S6),再次改變參數時,回到步驟S4,再次改變處理配方的參數値。又,適用為處理配方時,取代步驟S2中選擇的處理配方,將修正後的處理配方記錄為新的處理配方資訊(步驟S7)。
上述實施態樣中,於顯影裝置,預先在第二記錄部93製作對應「晶圓W的轉速及晶圓W中之顯影液的供給位置之每一組合的液體飛濺數」之風險資料。又,係設定成:當使用者製作處理配方時,從該風險資料顯示「於該處理配方假定之液體飛濺數隨時間的變化、以處理配方假定之液體飛濺總數、於各顯影步驟假定之液體飛濺數等液體飛濺風險」。因此,使用者可掌握新製作或是改變後的處理配方中之液體飛濺風險,故能對處理配方的評估發揮貢獻。
又,亦可設成進而使用設有圖7所示的相機4及雷射照射部34之顯影裝置,而由使用者製作風險資料。圖14係表示使用這般顯影裝置之控制部100。此顯影裝置之控制部100,係以發送利用相機4拍攝的拍攝結果之方式構成,且連接有用以製作風險資料的風險資料製作程式96。風險資料製作程式96,執行上述測量用配方,同時由相機4拍攝液體飛濺的模樣,並將對於「設定為測量用配方之參數」的液體飛濺數,計數而記錄為資料。進而,藉由對於該參數之液體飛濺數資料,製作圖9所示之立體模型及求取運算式,並使用該運算式,製作圖10所示的風險資料表格。又,若使用者改變顯影裝置的處理配方,便會如上述般執行風險評估程式,而進行配方之評估。如此,作為使用者使用之實機,亦可設成在顯影裝置,設置如圖7所示般的相機4、雷射照射部34、控制部100,而取得支援資料。
又,為了計算假定之液體飛濺數等液體飛濺風險,亦可使用「處理液之流量、處理液的種類、作為處理對象之基板表面的疏水性等」,作為從處理配方取出之參數値。此外,參數値不限於數値,亦可為例如「處理液之種類」這般配方資訊。於這般例子中,只要設定成預先對於各種處理液的種類製作資料表格,而由基於「從處理配方讀出之處理液種類這般配方資訊」選擇出之資料表格,來計算風險程度即可。本說明書中係設成:這般配方資訊亦包含於參數値。
進而,亦可設成取代記錄圖9所示之風險資料表格,而改將如圖8所示之立體模型的運算式記錄於第二記錄部93,並將設定後的處理配方中之各參數値代入運算式,而評估液體飛濺的風險。
又,關於與處理配方中的參數値之組合相關的液體飛濺風險資訊(支援資料)之顯示,例如亦可設成:於液體飛濺數設定臨界值,而將超過臨界值相關之參數値組合顯示為「有風險」,將關於在臨界值以下之參數値組合顯示「無風險」。 又,本發明亦可適用於「向旋轉之基板供給塗佈液而形成塗佈膜之塗佈處理裝置,或是向基板供給清洗液而清洗之清洗裝置等液體處理裝置」。
2‧‧‧顯影模組3‧‧‧顯影液噴嘴4‧‧‧相機5‧‧‧沖洗液噴嘴10‧‧‧基座11‧‧‧旋轉夾盤12‧‧‧旋轉軸13‧‧‧旋轉機構14‧‧‧升降銷15‧‧‧升降機構20‧‧‧杯體21‧‧‧升降機構22‧‧‧圓形板22A‧‧‧貫通孔23‧‧‧山型引導部24‧‧‧液體收納部25‧‧‧液體排除通路26‧‧‧排氣管28‧‧‧上側引導部31‧‧‧狹縫32‧‧‧臂部33‧‧‧移動體34‧‧‧雷射照射部35‧‧‧顯影液供給管36‧‧‧顯影液供給部37‧‧‧導軌38‧‧‧噴嘴槽51‧‧‧沖洗液供給管52‧‧‧沖洗液供給源53‧‧‧臂部54‧‧‧移動體55‧‧‧導軌56‧‧‧待命槽90‧‧‧匯流排91‧‧‧中央處理器92‧‧‧第一記錄部93‧‧‧第二記錄部94‧‧‧第三記錄部95‧‧‧程式儲存部96‧‧‧風險資料製作程式100‧‧‧控制部101‧‧‧輸入部102‧‧‧顯示部S1~S7‧‧‧步驟
【圖1】表示顯影裝置之立體圖。 【圖2】表示顯影裝置之縱剖視剖面圖。 【圖3】表示顯影液噴嘴之立體圖。 【圖4】表示包含處理配方評估用之支援裝置的控制部之構成圖。 【圖5】表示顯影裝置的處理配方之一例的示意圖。 【圖6】表示顯影裝置的處理配方之一例的特性圖。 【圖7】表示液體飛濺的計數之說明圖。 【圖8】表示風險資料製作用的配方之示意圖。 【圖9】表示從測量出的液體飛濺數的資料製作出之立體模型的特性圖。 【圖10】表示從立體模型製作出之風險資料的示意圖。 【圖11】表示顯示部所顯示的風險評估結果之說明圖。 【圖12】將「晶圓W的轉速、顯影液的供給位置之時間推移」與「液體飛濺風險的程度」相對應之特性圖。 【圖13】表示處理配方之改變程序的流程圖。 【圖14】表示用於「本發明之實施態樣的液體處理裝置」之控制部的構成圖。
90‧‧‧匯流排
91‧‧‧中央處理器
92‧‧‧第一記錄部
93‧‧‧第二記錄部
94‧‧‧第三記錄部
95‧‧‧程式儲存部
100‧‧‧控制部
101‧‧‧輸入部
102‧‧‧顯示部
Claims (9)
- 一種處理配方之評估方法,使用於液體處理裝置;該液體處理裝置,一面使將基板固持於水平之固持部繞鉛直軸旋轉,一面從噴嘴對於該基板供給處理液,藉此進行液體處理;該處理配方之評估方法,包含以下程序:第一記錄程序,使由包含噴嘴位置與基板轉速之參數值的組合之時序資料所組成的處理配方,記錄於第一記錄部;第一讀取程序,從該第一記錄部讀取出該處理配方;第二讀取程序,從第二記錄部讀取出預先製作之將「參數值的組合」與「對應於液體飛濺的風險之風險資訊」相對應的風險資料;及顯示程序,基於從該第一記錄部讀取出之處理配方與從該第二記錄部讀取出之風險資料,顯示支援資料,該支援資料係與處理配方中之該參數值的組合有關的液體飛濺之風險資訊。
- 如請求項1記載之處理配方之評估方法,其中,該液體飛濺的風險資訊,係對應於將該處理液從該噴嘴向該基板噴出時所產生的液粒之產生頻率的資訊。
- 如請求項第1或2項記載之處理配方之評估方法,其中,該液粒之產生頻率,係依據基於「一面於基板表面上方照射薄片狀的雷射光一面藉由相機拍攝之拍攝結果」而計數液粒的結果,加以作成。
- 如請求項第1或2項記載之處理配方之評估方法,其中, 該處理配方,係將由「參數值的組合」與「維持該組合的時間」所組成之步驟,依時序排列而構成;顯示該支援資料的程序,係將該步驟與風險資訊相對應而顯示之程序。
- 如請求項第1或2項記載之處理配方之評估方法,其中,顯示該支援資料的程序,係將該參數值的組合之時序資料與風險資訊相對應而顯示之程序。
- 一種記錄媒體,儲存有支援軟體;該支援軟體係使用於液體處理裝置;該液體處理裝置,一面使將基板固持於水平之固持部繞鉛直軸旋轉,一面對於該基板從噴嘴供給處理液,藉此進行液體處理;該支援軟體包含用以執行以下階段群之程式:第一讀取階段,從第一記錄部讀取出由包含噴嘴位置與基板轉速之參數值的組合之時序資料所組成的處理配方;第二讀取階段,從第二記錄部讀取出預先製作之將「參數值的組合」與「對應於液體飛濺的風險之風險資訊」相對應的風險資料;及製作階段,基於從該第一記錄部讀取出之處理配方與從該第二記錄部讀取出之風險資料,製作與處理配方中之該參數值的組合有關的液體飛濺之風險資訊,亦即支援資料。
- 如請求項6記載之記錄媒體,其中,該支援軟體包含該風險資料。
- 一種處理配方評估用之支援裝置,使用於液體處理裝置;該液體處理裝置,一面使將基板固持於水平之固持部繞鉛直軸旋轉,一面從噴嘴對於該基板供給處理液,藉此進行液體處理;該處理配方評估用之支援裝置,包含:輸入部,用以輸入由包含噴嘴位置與基板轉速之參數值的組合之時序資料所組成的處理配方;第一記錄部,記錄輸入之處理配方;第二記錄部,記錄將「對應於液體飛濺的風險之風險資訊」與「包含噴嘴的位置與轉速之參數值的組合」相對應之風險資料;支援資料製作部,基於記錄於該第一記錄部之處理配方與記錄於該第二記錄部之風險資料,針對處理配方中之該參數值的組合,製作液體飛濺的風險資訊,亦即支援資料;及顯示部,用以顯示該支援資料製作部所製作出之風險資訊。
- 一種液體處理裝置,包含:液體處理模組,具備受杯體環繞之固持部,並一面將基板水平固持於該固持部而使其繞鉛直軸旋轉,一面從噴嘴對該基板供給處理液,藉此進行液體處理;及請求項8所記載之處理配方評估用之支援裝置。
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110308549A1 (en) * | 2010-06-17 | 2011-12-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, storage medium storing computer program for performing substrate processing method, and substrate processing apparatus |
Family Cites Families (12)
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---|---|---|---|---|
JPS63232866A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Tokyo Electron Ltd | スプレイノズル |
JPH08330211A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Hitachi Ltd | フォトレジスト現像装置、およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造装置、ならびに現像処理方法 |
JP4021389B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2007-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の液処理方法及び基板の液処理装置 |
JP2007095960A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Sharp Corp | 基板洗浄方法、半導体装置の製造方法、表示装置、基板洗浄装置および基板現像処理装置 |
JP2007311439A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP5243205B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2013-07-24 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4788785B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2011-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像処理方法及び記憶媒体 |
JP5262829B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置及び現像方法 |
JP5212293B2 (ja) | 2009-07-17 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、レジストパターンの形成方法及び記憶媒体 |
JP2013219302A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-24 | Ps4 Luxco S A R L | 半導体装置の製造方法及びリンス装置 |
JP6221954B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP6332095B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2018-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液供給装置の調整方法、記憶媒体及び薬液供給装置 |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110308549A1 (en) * | 2010-06-17 | 2011-12-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, storage medium storing computer program for performing substrate processing method, and substrate processing apparatus |
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