TWI740806B - 薄膜電晶體陣列基板、其製造方法及包含其之有機發光顯示裝置 - Google Patents

薄膜電晶體陣列基板、其製造方法及包含其之有機發光顯示裝置 Download PDF

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Abstract

一種薄膜電晶體(TFT)陣列基板包含：一緩衝層，設置於一基板上；一儲存電容器，設置於該緩衝層中，並包含一第一電極及一第二電極，該第一電極沿垂直於該基板之一方向形成，該第二電極則平行於該第一電極設置並相對於該第一電極絕緣；以及一驅動薄膜電晶體，設置於該緩衝層上。

Description

薄膜電晶體陣列基板、其製造方法及包含其之有機發光顯示 裝置
[優先權聲明]
本申請案主張於2014年10月16日在韓國智慧財產局提出申請之韓國第10-2014-0140175號專利申請案之優先權利益，且該韓國專利申請案之揭示內容以引用方式全文併入本文中。
一或多個示範性實施例是關於薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)陣列基板、其製造方法、及包含其的有機發光顯示裝置。
一般而言，有機發光顯示裝置為自發光顯示裝置，該自發光顯示裝置包含複數個有機發光器件，每一有機發光器件包含一電洞注入電極(hole injection electrode)、一電子注入電極(electron injection electrode)及形成於其之間的一有機發光層(organic emission layer)。當自該電洞注入電極注入之電洞與自該電子注入電極注入之電子組合於該有機發光層中時，產生激子，且當該等激子自一激發態變至一基態時，產生光。
由於有機發光顯示裝置為自發光顯示裝置，故不需要一單獨的光源。因此，該有機發光裝置可以一低電壓驅動且可被製造成具有一輕的重量及 一纖細的外形。另外，該有機發光顯示裝置具有例如寬視角、高對比度及快速響應時間等高級特性。因此，該有機發光顯示裝置被視為下一代顯示裝置。
一或多個示範性實施例包含薄膜電晶體(TFT)陣列基板、其製造方法、及包含其之有機發光顯示裝置。
其它態樣將部分地陳述於以下說明中且自說明中部分地將變得顯而易見，或者可藉由實踐所呈現之示範性實施例而得知。
根據一或多個示範性實施例，一種薄膜電晶體陣列基板包含：一緩衝層，設置於一基板上；一儲存電容器，設置於該緩衝層中，並包含一第一電極及一第二電極，該第一電極沿垂直於該基板之一方向形成，該第二電極平行於該第一電極設置並相對於該第一電極絕緣；以及一驅動薄膜電晶體，設置於該緩衝層上。
該薄膜電晶體陣列基板可更包含一連接器，該連接器連接該第一電極與該驅動薄膜電晶體之一汲電極。
該儲存電容器可形成於該基板之邊緣上。
該第一電極可沿該基板之四個側邊緣形成。
該第二電極可設置於距該第一電極一預定距離處並相較於該第一電極而位於該基板之一更靠外側上，且該第二電極可沿該基板之四個側邊緣形成。
該薄膜電晶體陣列基板可更包含一儲存絕緣層，該儲存絕緣層設置於該第一電極與該第二電極之間並平行於該第一電極及該第二電極。
根據一或多個示範性實施例，一種薄膜電晶體陣列基板包含：一驅動薄膜電晶體，設置於一基板上；以及一儲存電容器，設置於該基板中，並 包含一第一電極及一第二電極，該第一電極沿垂直於該基板之一方向形成，該第二電極平行於該第一電極設置並相對於該第一電極絕緣。
該薄膜電晶體陣列基板可更包含一緩衝層，該緩衝層設置於一基板上，其中一電極孔可形成於該緩衝層中。
該薄膜電晶體陣列基板可更包含：一閘極絕緣層及一層間絕緣層，形成於該緩衝層上；以及一連接器，設置於該層間絕緣層上，以連接該第一電極與該驅動薄膜電晶體之一汲電極，其中該連接器可經由該電極孔連接該第一電極與該汲電極。
該第一電極及該第二電極可設置於該基板之邊緣上且可沿該基板之四個側邊緣形成，且該第二電極可相較於該第一電極形成於該基板之一更靠外側上。
根據一或多個示範性實施例，一種製造一薄膜電晶體陣列基板之方法包含：在一基板上形成一緩衝層；沿垂直於該基板之一方向在該緩衝層中形成一第一圖案以及在該緩衝層中形成一平行於該第一電極之第二圖案；藉由在該第一圖案及該第二圖案中分別沈積一第一電極及一第二電極而形成一儲存電容器；在該緩衝層上形成一驅動薄膜電晶體之一主動層、一源電極及一汲電極；在該主動層上形成一閘極絕緣層，該閘極絕緣層使一閘電極絕緣並具有一接觸孔；以及形成一連接器，該連接器經由該接觸孔連接該第一電極與該源電極或該汲電極。
該第一圖案及該第二圖案可設置於該基板之邊緣上且可沿該基板之四個側邊緣形成，且該第二圖案可相較於該第一圖案形成於該基板之一更靠外側上。
根據一或多個示範性實施例，一種製造一薄膜電晶體陣列基板之方法包含：沿垂直於該基板之一方向在一基板中形成一第一圖案以及在該基板中形成一平行於該第一電極之第二圖案；藉由在該第一圖案及該第二圖案中分 別沈積一第一電極及一第二電極而形成一儲存電容器；在一基板上形成具有一電極孔之一緩衝層；在該緩衝層上形成一驅動薄膜電晶體之一主動層、一源電極及一汲電極；在該主動層上形成一閘極絕緣層，該閘極絕緣層使一閘電極絕緣並具有一接觸孔；以及形成一連接器，該連接器經由該接觸孔及該電極孔連接該第一電極與該源電極或該汲電極。
根據一或多個示範性實施例，一種有機發光顯示裝置包含：一顯示區，包含複數個畫素；及一非顯示區，圍繞該顯示區設置，該等畫素中的每一個包含：一緩衝層，設置於一基板上；一儲存電容器，設置於該緩衝層中，並包含一第一電極及一第二電極，該第一電極沿垂直於該基板之一方向形成，該第二電極平行於該第一電極設置並相對於該第一電極絕緣；以及一驅動薄膜電晶體，設置於該緩衝層上。
110:基板
111:緩衝層
111a:第一圖案
111b:第二圖案
113:電極孔
120:閘極絕緣層
130:層間絕緣層
140:連接器
151:畫素電極
153:中間層
155:相對電極
160:畫素界定層
170:間隔物
A1:主動層
C1:第一電極
C2:第二電極
CIL:儲存絕緣層
CNH:接觸孔
Cst:儲存電容器
D1:汲電極
G1:閘電極
PL:平坦化層
S1:源電極
T1:驅動薄膜電晶體
結合圖式閱讀對示範性實施例之下述說明，該等及/或其它態樣將變得顯而易見且更容易理解。
第1圖是根據一示範性實施例包含於一有機發光顯示裝置中之一薄膜電晶體(TFT)陣列基板之一畫素電路之一示意性剖面圖。
第2圖是其中形成一緩衝層之第1圖之薄膜電晶體陣列基板之一俯視平面圖。
第3圖是第2圖之一立體圖。
第4圖是第3圖之一剖面圖。
第5圖是根據另一示範性實施例之一薄膜電晶體陣列基板之一剖面圖。
第6圖是根據另一示範性實施例之一薄膜電晶體陣列基板之一剖面圖。
第7A圖至第7C圖是根據一示範性實施例例示製造第3圖所示之一薄膜電晶體陣列基板之一方法之順序剖面圖。
第8圖是根據一示範性實施例之一有機發光顯示裝置之一示意性剖面圖。
現在將詳細參照例示於圖式中之實例之示範性實施例，其中相同參考編號自始至終代表相同之元件。就此而言，本發明示範性實施例可具有不同形式且不應被視為僅限於本文所述之說明。因此，下文藉由參照圖式僅闡述該等示範性實施例，以闡釋本說明之態樣。如本文所使用之用語「及/或」包含關聯列項其中一或多個項之任何及所有組合。例如「至少其中之一」等措詞當放在元件之一列表之前時修飾元件之整個列表而不是修飾該列表之各別元件。
本發明的概念可包含各種實施例及潤飾，且示範性實施例例示於圖式中且將在下文中詳細闡述。然而，應理解，本發明的概念並不僅限於該等示範性實施例而是包含屬於本發明的概念之精神及範圍內之所有潤飾、等效形式及替代形式。在說明書及圖式通篇中，相同參考編號或符號表示相同元件。
儘管可在本文中使用例如「第一」及「第二」等用語來闡述各種元件或組件，但該等元件或組件不應受該等用語限制。該等術語僅用於區分一個元件或組件與另一個元件或組件。
本文所用之用語僅用於闡述示範性實施例之目的而非意欲限制本發明的改變。應理解，當在本文中使用例如「包含(comprise、include)」及「具有」等用語時，是用於表示所述特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、或其組合之存在，但不排除一或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、組件或其組合之存在或添加。
下文中，將參照圖式詳細闡述示範性實施例。
第1圖是根據一示範性實施例包含於一有機發光顯示裝置中之一薄膜電晶體(TFT)陣列基板之一畫素電路之一示意性剖面圖。第2圖是其中形成一緩衝層之第1圖之薄膜電晶體陣列基板之一俯視平面圖。第3圖是第2圖之一立體圖。第4圖是第3圖之一剖面圖。
薄膜電晶體陣列基板是指包含至少一個薄膜電晶體之一基板。在本說明書中，薄膜電晶體陣列基板不僅包含其中規則地排列複數個薄膜電晶體之一情形，而且包含其中不規則地排列複數個薄膜電晶體之一情形或其中僅排列一個薄膜電晶體之一情形。
儘管示範性實施例中例示了該薄膜電晶體陣列基板應用於一有機發光顯示裝置，但本發明的概念並不僅限於此。該薄膜電晶體陣列基板可應用於各種顯示裝置，例如：液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)裝置、電泳顯示裝置及電漿顯示裝置。
為清楚地呈現本發明的概念之特徵，第1圖中省略了對設置於沿一切割線截取之一截面中之元件(例如：一些線、一些電極及一些半導體層)中與一驅動薄膜電晶體T1、一儲存電容器Cst等部分無關之元件的例示。
根據本示範性實施例之薄膜電晶體陣列基板可包含一基板110、設置於基板110上之一緩衝層111以及設置於緩衝層111中之一儲存電容器Cst。
緩衝層111可作為一障壁層及/或一阻擋層，以防止雜質離子擴散，防止外部空氣或水分滲透，並平坦化一表面。
在另一示範性實施例中可不使用緩衝層111，此將在稍後詳細闡述。
根據本示範性實施例之儲存電容器Cst可如第1圖所示沿垂直於基板110之一方向形成。舉例而言，儲存電容器Cst之一第一電極C1及一第二電極C2可沿垂直於基板110之方向在緩衝層111中形成為彼此間隔開一預定距離。
第一電極C1及第二電極C2可包含選自下列金屬中之至少一種金屬：鉬(Mo)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、鎢(W)及銅(Cu)。
在一習用薄膜電晶體陣列基板中，一儲存電容器通常沿平行於一基板之一方向形成。亦即，儲存電容器之一下部電極平行於該基板形成於一緩衝層上，且其之一上部電極形成於一絕緣層上以相對於該下部電極絕緣。在此種情形中，用於一薄膜電晶體之一區因形成儲存電容器而減小。另外，在一背面發光型顯示裝置之情形中，存在光被一儲存電容器之電極阻擋之一可能性。
另一方面，在根據本示範性實施例之薄膜電晶體陣列基板之情形中，儲存電容器Cst沿垂直於基板110之方向形成。因此，即使當形成儲存電容器Cst時，亦可降低用於一薄膜電晶體之一區之減小之可能性。
另外，由於儲存電容器Cst之第一電極C1及第二電極C2沿垂直於基板110之方向形成，因此可降低光被電極阻擋之可能性。亦即，即使在一背面發光型顯示裝置中，亦可降低光被儲存電容器Cst之電極阻擋之可能性。
因此，在根據本示範性實施例之薄膜電晶體陣列基板中，由於儲存電容器Cst沿垂直於基板110之方向形成，因此可增加儲存電容器Cst之一孔徑比。
第一電極C1及第二電極C2可在緩衝層111中形成達任一深度d。
儲存電容器Cst之第二電極C2必須相對於第一電極C1絕緣。在根據本示範性實施例之薄膜電晶體陣列基板中，第二電極C2可藉由平行於第一電極C1與第一電極C1相隔一預定距離形成而相對於第一電極C1絕緣。
亦即，由於即使當未在第一電極C1與第二電極C2之間設置一單獨的絕緣層時、位於第一電極C1與第二電極C2之間的緩衝層111亦使第一電極C1與第二電極C2彼此絕緣，因此第一電極C1及第二電極C2可形成儲存電容器Cst。
一驅動薄膜電晶體T1形成於緩衝層111上。驅動薄膜電晶體T1包含一主動層A1、一閘電極G1、一源電極S1以及一汲電極D1。源電極S1對應於主動層A1中之一經摻雜驅動源極區，且汲電極D1對應於主動層A1中之一經摻雜驅動汲極區。在主動層A1中，驅動源極區與驅動汲極區之間的一區對應於一驅動通道區。
主動層A1可包含未經一摻雜劑摻雜且由多晶矽形成之一通道區以及經一摻雜劑摻雜且在通道區兩側上形成之一源極區及一汲極區。本文中，摻雜劑取決於薄膜電晶體之類型而定，且可為一N型摻雜劑或一P型摻雜劑。
如第1圖所示，一閘極絕緣層120可形成於其中形成有儲存電容器Cst且其上形成有主動層A1之緩衝層111上。閘極絕緣層120可包含由一無機材料(例如：氧化矽或氮化矽)形成之一單層或多層。閘極絕緣層120使主動層A1與閘電極G1彼此絕緣。
一接觸孔CNH可形成於閘極絕緣層120中。第一電極C1與驅動薄膜電晶體T1之汲電極D1可經由接觸孔CNH連接。
驅動薄膜電晶體T1之閘電極G1可形成於閘極絕緣層120上，且一層間絕緣層130可形成於閘電極G1上。
閘電極G1可包含選自下列金屬中之至少一種金屬：鉬(Mo)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、鎢(W)及銅(Cu)。
層間絕緣層130可形成於基板110之一整個表面上以覆蓋閘電極G1。
層間絕緣層130可由一無機材料或一有機材料形成。在一些示範性實施例中，層間絕緣層130可由一無機材料形成。舉例而言，層間絕緣層130可由金屬氧化物或金屬氮化物形成，且該無機材料可包含氧化矽(SiO2)、氮化 矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鉿(HfO2)或氧化鋯(ZrO2)。在一些示範性實施例中，層間絕緣層130可由具有約4至約7之一介電常數之一材料形成。
層間絕緣層130可包含由例如氧化矽(SiOx)及/或氮化矽(SiNx)等一無機材料形成之一單層或多層。在一些示範性實施例中，層間絕緣層130可包含SiOx/SiNy或SiNx/SiOy之一雙重結構。
類似於在閘極絕緣層120中，一接觸孔CNH可形成於層間絕緣層130中。第一電極C1與驅動薄膜電晶體T1之汲電極D1可經由接觸孔CNH連接。
根據本示範性實施例之薄膜電晶體陣列基板可更包含在層間絕緣層130上之一連接器140。
連接器140可經由接觸孔CNH連接第一電極C1與驅動電晶體T1之汲電極D1。
如第2圖至第4圖所示，在根據本示範性實施例之薄膜電晶體陣列基板中，儲存電容器Cst可形成於基板110之邊緣上。詳言之，第一電極C1可沿及圍繞基板110之四個側邊緣形成。
第二電極C2可與第一電極C1相隔一預定距離設置於第一電極C1外部。另外，類似於第一電極C1，第二電極C2可沿著及圍繞基板110之四個邊緣形成。
一傳統薄膜電晶體陣列基板之一儲存電容器通常圍繞一基板之一中心部分平行於該基板而形成。因此，用於一薄膜電晶體之一區減小，且儲存電容器之容量受限。
另一方面，由於根據本示範性實施例之儲存電容器Cst沿垂直於基板110之方向形成，因此空間可得到高效利用，且儲存電容器Cst之容量可增加而不影響用於薄膜電晶體之區域。
亦即，由於根據本示範性實施例之儲存電容器Cst沿垂直於基板110之方向形成，因此儲存電容器Cst可如第2圖至第4圖所示形成於基板110之邊緣上。另外，當基板110被形成為具有一矩形形狀時，基板110具有四個側邊緣且儲存電容器Cst可形成於基板110之四個側邊緣中之每一者上。
亦即，第一電極C1及第二電極C2可沿著及圍繞基板110之四個側邊緣形成。因此，由於儲存電容器Cst形成於基板110之四個側邊緣中之每一者上，因此由第一電極C1及第二電極C2形成之儲存電容器Cst之容量可增加。
特定而言，儲存電容器Cst之容量可增加而不影響用於薄膜電晶體之區域。此外，孔徑比可如上所述而增加。
如第4圖所示，自薄膜電晶體陣列基板之一截面角度看，儲存電容器Cst可形成於基板110之兩端上。此乃因根據本示範性實施例之儲存電容器Cst沿著基板110之四個側邊緣形成。
如上所述，由於儲存電容器Cst沿著基板110之四個側邊緣連接地形成、且因此自一截面角度看儲存電容器Cst形成於基板110之二端中之每一端上，因此薄膜電晶體陣列基板之儲存電容器Cst之容量可增加。
第5圖是根據另一示範性實施例之一薄膜電晶體陣列基板之一剖面圖。
為方便說明，將省略對本示範性實施例之與上述示範性實施例中相同之元件之贅述，且下述說明將著重於本示範性實施例之與上述示範性實施例中之不同的元件。
在根據本示範性實施例之薄膜電晶體陣列基板中，一儲存絕緣層CIL可另外形成於第一電極C1與第二電極C2之間。
在上述示範性實施例中，緩衝層111可用作彼此相隔一預定距離形成之儲存電容器Cst之第一電極C1與第二電極C2之間的一儲存絕緣層。
另一方面，根據本示範性實施例，儲存絕緣層CIL可另外形成於儲存電容器Cst之第一電極C1與第二電極C2之間。儲存絕緣層CIL可由可使第一電極C1與第二電極C2彼此絕緣之任何材料形成。
第6圖是根據另一示範性實施例之一薄膜電晶體陣列基板之一剖面圖。
根據本示範性實施例之薄膜電晶體陣列基板可包含一基板110、設置於基板110上之一驅動薄膜電晶體T1以及設置於基板110中之一儲存電容器Cst。由於基板110及驅動薄膜電晶體T1與在上述示範性實施例中所述為相同的，故為方便說明將省略對其之贅述。
根據本示範性實施例之儲存電容器Cst可沿垂直於基板110之一方向形成於基板110中。亦即，一第一電極C1及一第二電極C2可藉由沿著垂直於基板110之方向部分地圖案化基板110而形成。第二電極C2可形成於距第一電極C1一預定距離處，俾使第二電極C2相對於第一電極C1絕緣。
由於基板110使第一電極C1與第二電極C2彼此絕緣，因此不需要一單獨的絕緣層。另外，一儲存絕緣層可另外形成於第一電極C1與第二電極C2之間。
根據本示範性實施例之儲存電容器Cst可形成於基板110之邊緣處。亦即，如同在上述示範性實施例中一樣，第一電極C1及第二電極C2可沿著及圍繞基板110之四個側邊緣而形成。
因此，儲存電容器Cst之容量可增加，且孔徑可增大。
與上述示範性實施例之形成於緩衝層111中之儲存電容器Cst不同，本示範性實施例之儲存電容器Cst形成於基板110中。
由於除此差異之外，本示範性實施例之儲存電容器Cst相同於上述示範性實施例之儲存電容器Cst，因此為方便說明將省略對其之贅述。
在根據本示範性實施例之薄膜電晶體陣列基板中，一緩衝層111可形成於其中形成有儲存電容器Cst之基板110上。
一電極孔113可形成於緩衝層111中。第一電極C1與驅動薄膜電晶體T1之汲電極D1可經由電極孔113連接。由於緩衝層111之其它特徵相同於上述示範性實施例之特徵，因此為方便說明將省略對其之贅述。
一閘極絕緣層120及一層間絕緣層130可形成於緩衝層111上。接觸孔CNH可形成於閘極絕緣層120及層間絕緣層130中，且第一電極C1與驅動薄膜電晶體T1之汲電極D1可經由接觸孔CNH連接。由於閘極絕緣層120及層間絕緣層130之其它特徵相同於上述示範性實施例之特徵，因此為方便說明將省略對其之贅述。
第7A圖至第7C圖是根據一示範性實施例例示製造第3圖所示之一薄膜電晶體陣列基板之一方法之順序剖面圖。
參照第7A圖，可於一基板110上形成一緩衝層111，且可沿著垂直於基板110之一方向於緩衝層111中形成一第一圖案111a。第一圖案111a可在緩衝層111中形成達一預定深度d。
可藉由基於遮罩之圖案化及蝕刻製程而形成第一圖案111a。該蝕刻過程可藉由濕式蝕刻、乾式蝕刻或其一組合來執行。當然，形成第一圖案111a之一方法並不僅限於此。
另外，可平行於第一圖案111a於距第一圖案111a一預定距離處形成一第二圖案111b。第一圖案111a及第二圖案111b可同時形成或按任何順序依次形成。
第一圖案111a及第二圖案111b可形成於基板110之邊緣上，且可沿著及圍繞基板110之四個側邊緣而形成。
參照第7B圖，可分別於第一圖案111a及第二圖案111b中沈積一第一電極C1及一第二電極C2。第一電極C1及第二電極C2可同時沈積或按任何順序依次沈積。
參照第7C圖，在沈積第一電極C1及第二電極C2之後，可於緩衝層111上形成一驅動薄膜電晶體之一主動層A1。
主動層A1可由包含非晶矽或晶體矽之一半導體形成，且可藉由各種沈積製程來沈積。在此種情形中，晶體矽可藉由使非晶矽結晶而形成。非晶矽可藉由各種製程結晶，例如：快速熱退火(rapid thermal anneal；RTA)、固相結晶化(solid phase crystallization；SPC)、準分子雷射退火(excimer laser annealing；ELA)、金屬誘導結晶化(metal induced crystallization；MIC)、金屬誘導橫向結晶化(metal induced lateral crystallization；MILC)、及順序橫向固化(sequential lateral solidification；SLS)。主動層A1可藉由一光刻製程圖案化。
另外，可於主動層A1上形成其中形成有一接觸孔CNH之一閘極絕緣層120。閘極絕緣層120使主動層A1與欲在其上形成之一閘電極G1絕緣。閘極絕緣層120形成於基板110之一整個表面上以覆蓋主動層A1。
閘極絕緣層120可由一有機或無機絕緣體形成。在一些示範性實施例中，閘極絕緣層120可由氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO2)、氧化鉿(hafnium oxide)或氧化鋁形成。舉例而言，閘極絕緣層120可藉由各種沈積製程形成，例如濺鍍(sputtering)、化學氣相沈積(chemical vapor deposition；CVD)及電漿增強化學氣相沈積(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)。
可於閘極絕緣層120上形成藉由閘極絕緣層120絕緣之一閘電極G1。閘電極G1可被形成為至少部分地與主動層A1交疊。
閘電極G1可包含選自下列金屬中之至少一種金屬：鉬(Mo)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、 釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、鎢(W)、及銅(Cu)。
此後，使用閘電極G1作為一遮罩，可將一摻雜劑植入至主動層A1之兩端中以形成一源電極S1及一汲電極D1。當將例如硼(B)等三價摻雜劑植入至一部分中時，該部分具有p型導電率，且當將例如磷(P)、砷(As)或銻(Sb)等五價摻雜劑植入至一部分中時，該部分具有n型導電率。
此後，可形成其中形成有一接觸孔CNH之一層間絕緣層130以覆蓋閘電極G1。
層間絕緣層130可包含一有機材料及一無機材料或其一堆疊結構之一單層。在一些示範性實施例中，層間絕緣層130可由氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO2)、氧化鉿或氧化鋁形成。在一些示範性實施例中，層間絕緣層130可包含SiNx/SiOy或SiOx/SiNy之一雙重結構。舉例而言，層間絕緣層130可藉由各種沈積製程而形成，例如濺鍍、化學氣相沈積(CVD)及電漿增強化學氣相沈積(PECVD)。
此後，可在層間絕緣層130上形成一連接器140。連接器140可經由接觸孔CNH連接儲存電容器Cst之第一電極C1與驅動薄膜電晶體T1之汲電極D1。
製造根據第6圖所示之示範性實施例之薄膜電晶體陣列基板之一方法不同於上述製造方法。
參照第6圖，在根據第6圖所示之示範性實施例之薄膜電晶體陣列基板之情形中，可首先圖案化一基板110，可在圖案中沈積一第一電極C1及一第二電極C2，且可在基板110上形成一緩衝層111。
可沿著垂直於基板110之一方向於基板110中形成一第一圖案及一第二圖案，且可藉由基於遮罩之圖案化及蝕刻製程而形成該第一圖案及該第 二圖案。該蝕刻製程可藉由濕式蝕刻、乾式蝕刻或其一組合來執行。當然，形成第一圖案及第二圖案之一方法並不僅限於此。
由於在形成緩衝層111之後的製程相同於上述製造方法之製程，因此為方便說明起見將省略對其之贅述。
第8圖是根據一示範性實施例之一有機發光顯示裝置之一示意性剖面圖。
參照第8圖，該有機發光顯示裝置包含根據一示範性實施例之一薄膜電晶體陣列基板。在第9圖中，以相同之參考編號表示與在第1圖至第8圖中相同之元件。因此，為方便說明起見本文將省略對其之贅述。
在根據本示範性實施例之有機發光顯示裝置中，一平坦化層PL可形成於一基板110之一整個表面上以覆蓋一連接器140。一畫素電極151可形成於平坦化層PL上。
平坦化層PL可由一絕緣材料形成。舉例而言，平坦化層PL可被形成為具有一無機材料、一有機材料或一有機/無機化合物之一單層結構或一多層結構，且可藉由各種沈積方法而形成。在一些示範性實施例中，平坦化層PL可由選自下列各物之至少一種形成：聚丙烯酸酯樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂(poly phenylenethers resin)、聚苯硫醚樹脂及苯環丁烯(benzocyclobutene；BCB)。
在有機發光顯示裝置之一顯示區中，一有機發光器件OLED可沈積於薄膜電晶體陣列基板上。有機發光器件OLED可包含一畫素電極151、包含一有機發光層之一中間層153、以及一相對電極155。另外，有機發光顯示裝置可更包含一畫素界定層160及一間隔物170。
畫素電極151及/或相對電極155可為一透明電極或一反射電極。透明電極可包含氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋅(zinc oxide；ZnO)或氧化銦(In2O3)，且反射電極可包含由 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、或其任一組合形成之一反射層、或由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成之一透明層。在一些示範性實施例中，畫素電極151或相對電極155可具有一ITO/Ag/ITO結構。
畫素界定層160可界定一畫素區及一非畫素區。畫素界定層160可包含曝露出畫素電極151之一開口，且可被形成為覆蓋薄膜電晶體陣列基板之一整個表面。
畫素電極151、中間層153及相對電極155可構成有機發光器件OLED。自有機發光器件OLED之畫素電極151及相對電極155注入之電洞及電子可組合於中間層153之有機發光層中以產生光。
中間層153可包含有機發光層。作為另一實例，中間層153可包含一有機發光層且可更包含一電洞注入層(hole injection layer；HIL)、一電洞傳輸層(hole transport layer；HTL)、一電子傳輸層(electron transport layer；ETL)及一電子注入層(electron injection layer；EIL)至少其中之一。然而，本示範性實施例並不僅限於此，且中間層153可包含一有機發光層且可更包含其它各種功能層。
相對電極155可形成於中間層153上。相對電極155可與畫素電極151一起產生一電場以使中間層153能夠發光。畫素電極151可圖案化於每一畫素中，且相對電極155可被形成為對所有畫素施加一常用電壓。
儘管圖式中例示僅一個有機發光器件OLED，但一顯示面板可包含複數個有機發光器件OLED。一單個畫素可形成於每一有機發光器件OLED中，且一紅色、一綠色、一藍色或一白色可實施於每一畫素處。
如上所述，根據上述示範性實施例中之該一或多者，在有機發光顯示裝置中，由於儲存電容器Cst之第一電極C1及第二電極C2沿垂直於基板110之方向圍繞基板110之邊緣而形成，因此儲存電容器Cst之儲存容量可增加且顯示裝置之孔徑比可提高。
應理解，本文所述之示範性實施例僅應視為具有描述性意義而並非出於限制目的。對每一示範性實施例中之特徵或態樣之說明通常應視為可用於其它示範性實施例中之其它類似特徵或態樣。
雖然已參照圖式闡述了一或多個示範性實施例，但本發明所屬領域中具有通常知識者應理解，可在不背離由隨附之申請專利範圍所界定之本發明的概念之精神及範圍之條件下，對本發明作出形式及細節上之各種改變。
110:基板
111:緩衝層
120:閘極絕緣層
130:層間絕緣層
140:連接器
A1:主動層
C1:第一電極
C2:第二電極
CNH:接觸孔
Cst:儲存電容器
D1:汲電極
G1:閘電極
S1:源電極
T1:驅動薄膜電晶體

Claims (13)

  1. 一種薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)陣列基板，包含：一緩衝層，設置於一基板上；一儲存電容器，設置於該緩衝層中，並包含一第一電極及一第二電極，該第一電極沿著平行於該基板的法方向之一方向延伸於該緩衝層中，且該第二電極則平行於該第一電極延伸於該緩衝層中並相對於該第一電極絕緣；以及一驅動薄膜電晶體，設置於該緩衝層上；其中該第一電極及該第二電極係沿該基板之四個側邊緣形成。
  2. 如請求項1所述之薄膜電晶體陣列基板，更包含一連接器，該連接器連接該第一電極與該驅動薄膜電晶體之一汲電極。
  3. 如請求項1所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該儲存電容器形成於該基板之邊緣上。
  4. 如請求項3所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該第二電極設置於距該第一電極一預定距離處並相較於該第一電極而位於該基板之一更靠外側上。
  5. 如請求項1所述之薄膜電晶體陣列基板，更包含一儲存絕緣層，該儲存絕緣層設置於該第一電極與該第二電極之間並平行於該第一電極與該第二電極。
  6. 一種薄膜電晶體(TFT)陣列基板，包含：一驅動薄膜電晶體，設置於一基板上；以及一儲存電容器，設置於該基板中，並包含一第一電極及一第二電極，該第一電極沿著平行於於該基板的法方向之一方向延伸於該基板中，該第二電極則平行於該第一電極延伸於該基板中並相對於該第一電極絕緣； 其中該第一電極及該第二電極係沿該基板之四個側邊緣形成。
  7. 如請求項6所述之薄膜電晶體陣列基板，更包含一緩衝層，該緩衝層設置於該基板上，其中一電極孔形成於該緩衝層中。
  8. 如請求項7所述之薄膜電晶體陣列基板，更包含：一閘極絕緣層及一層間絕緣層，形成於該緩衝層上；以及一連接器，設置於該層間絕緣層上，以連接該第一電極與該驅動電晶體之一汲電極，其中該連接器經由該電極孔連接該第一電極與該汲電極。
  9. 如請求項6所述之薄膜電晶體陣列基板，其中該第一電極及該第二電極設置於該基板之邊緣上，且該第二電極相較於該第一電極形成於該基板之一更靠外側上。
  10. 一種製造一薄膜電晶體(TFT)陣列基板之方法，包含：在一基板上形成一緩衝層；沿著平行於該基板的法方向之一方向在該緩衝層中延伸而形成一第一圖案以及在該緩衝層中延伸而形成平行於該第一圖案之一第二圖案；藉由在該第一圖案及該第二圖案中分別沈積一第一電極及一第二電極而形成一儲存電容器；在該緩衝層上形成一驅動薄膜電晶體之一主動層、一源電極及一汲電極；在該主動層上形成一閘極絕緣層，該閘極絕緣層使一閘電極絕緣並具有一接觸孔；以及形成一連接器，該連接器經由該接觸孔連接該第一電極與該源電極或該汲電極； 其中該第一電極及該第二電極係沿該基板之四個側邊緣形成。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該第一圖案及該第二圖案設置於該基板之邊緣上，且該第二圖案相較於該第一圖案形成於該基板之一更靠外側上。
  12. 一種製造一薄膜電晶體(TFT)陣列基板之方法，包含：在一基板中沿著平行於該基板的法方向之一方向延伸而形成一第一圖案以及在該基板中延伸而形成平行於該第一圖案之一第二圖案；藉由在該第一圖案及該第二圖案中分別沈積一第一電極及一第二電極而形成一儲存電容器；在該基板上形成具有一電極孔之一緩衝層；在該緩衝層上形成一驅動薄膜電晶體之一主動層、一源電極及一汲電極；在該主動層上形成一閘極絕緣層，該閘極絕緣層使一閘電極絕緣並具有一接觸孔；以及形成一連接器，該連接器經由該接觸孔及該電極孔連接該第一電極與該源電極或該汲電極。
  13. 一種有機發光顯示裝置，包含：一顯示區，包含複數個畫素；以及一非顯示區，圍繞該顯示區設置；其中該等畫素中的每一個包含：一緩衝層，設置於一基板上；一儲存電容器，設置於該緩衝層中，並包含一第一電極及一第二電極，該第一電極沿著平行於該基板的法方向之一方向形成，且該第二電極則平行於該第一電極延伸於該緩衝層中並相對於該第一電極絕緣；以及 一驅動薄膜電晶體，設置於該緩衝層上；其中該第一電極及該第二電極係沿該基板之四個側邊緣形成。
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