KR20140022671A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140022671A
KR20140022671A KR1020120089114A KR20120089114A KR20140022671A KR 20140022671 A KR20140022671 A KR 20140022671A KR 1020120089114 A KR1020120089114 A KR 1020120089114A KR 20120089114 A KR20120089114 A KR 20120089114A KR 20140022671 A KR20140022671 A KR 20140022671A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
thin film
film transistor
control line
operation control
Prior art date
Application number
KR1020120089114A
Other languages
English (en)
Inventor
김용재
이해연
김금남
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120089114A priority Critical patent/KR20140022671A/ko
Priority to US13/965,895 priority patent/US9245480B2/en
Priority to EP13180243.1A priority patent/EP2698783B1/en
Publication of KR20140022671A publication Critical patent/KR20140022671A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0814—Several active elements per pixel in active matrix panels used for selection purposes, e.g. logical AND for partial update
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0223—Compensation for problems related to R-C delay and attenuation in electrodes of matrix panels, e.g. in gate electrodes or on-substrate video signal electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118—Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11803—Masterslice integrated circuits using field effect technology
    • H01L27/11807—CMOS gate arrays
    • H01L2027/11868—Macro-architecture
    • H01L2027/11874—Layout specification, i.e. inner core region
    • H01L2027/11879—Data lines (buses)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13069—Thin film transistor [TFT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔선, 상기 스캔선과 일부가 교차하며 보상 제어 신호를 전달하는 보상 제어선, 상기 스캔선과 일부가 교차하며 동작 제어 신호를 인가하는 동작 제어선, 상기 스캔선과 교차하며 데이터 신호 및 구동 전압을 각각 전달하는 데이터선 및 구동 전압선, 상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터, 상기 보상 제어선에 연결되어 있는 보상 박막 트랜지스터 및 초기화 박막 트랜지스터, 상기 동작 제어선 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 동작 제어 박막 트랜지스터, 상기 구동 전압선과 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터, 상기 구동 박막 트랜지스터의 구동 드레인 전극에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드, 상기 동작 제어 박막 트랜지스터의 동작 제어 소스 전극과 상기 초기화 박막 트랜지스터의 초기화 게이트 전극 사이에 연결되어 있는 홀드 캐패시터를 포함하고, 상기 보상 제어선은 상기 데이터선과 평행하게 형성되어 있는 수직 보상 제어선, 상기 수직 보상 제어선과 연결되어 교차하는 수평 보상 제어선을 포함할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 자발광 소자인 유기 발광 다이오드를 포함하는 복수개의 화소를 포함하며, 각 화소에는 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 복수개의 박막 트랜지스터 및 캐패시터(Capacitor)가 형성되어 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치의 한 프레임(frame)은 데이터를 기입(programming)하기 위한 주사 기간과 기입된 데이터에 따라 발광하는 발광 기간을 포함한다. 그러나 유기 발광 표시 장치가 대형화하고, 해상도가 증가할수록 유기 발광 표시 장치의 신호 지연 현상이 증가하게 된다. 따라서, 주사 기간 및 발광 기간을 충분히 확보하지 못하여 유기 발광 표시 장치의 구동이 어려워진다.
본 발명은 전술한 배경 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 대형화 및고해상도에 적합한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔선, 상기 스캔선과 일부가 교차하며 보상 제어 신호를 전달하는 보상 제어선, 상기 스캔선과 일부가 교차하며 동작 제어 신호를 인가하는 동작 제어선, 상기 스캔선과 교차하며 데이터 신호 및 구동 전압을 각각 전달하는 데이터선 및 구동 전압선, 상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터, 상기 보상 제어선에 연결되어 있는 보상 박막 트랜지스터 및 초기화 박막 트랜지스터, 상기 동작 제어선 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 동작 제어 박막 트랜지스터, 상기 구동 전압선과 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터, 상기 구동 박막 트랜지스터의 구동 드레인 전극에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드, 상기 동작 제어 박막 트랜지스터의 동작 제어 소스 전극과 상기 초기화 박막 트랜지스터의 초기화 게이트 전극 사이에 연결되어 있는 홀드 캐패시터를 포함하고, 상기 보상 제어선은 상기 데이터선과 평행하게 형성되어 있는 수직 보상 제어선, 상기 수직 보상 제어선과 연결되어 교차하는 수평 보상 제어선을 포함할 수 있다.
상기 구동 전압선과 상기 동작 제어 박막 트랜지스터 사이에 연결되어 있는 스토리지 캐패시터, 상기 동작 제어 박막 트랜지스터와 상기 구동 박막 트랜지스터의 구동 게이트 전극 사이에 연결되어 있는 보상 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
상기 홀드 캐패시터는 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 연결된 제1 홀드 축전판, 상기 제1 홀드 축전판과 중첩하며 상기 수평 보상 제어선에 연결된 제2 홀드 축전판을 포함할 수 있다.
상기 제1 홀드 축전판은 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 스위칭 반도체층과 동일한 층에 형성되어 있고, 상기 제2 홀드 축전판은 상기 스캔선과 동일한 층에 형성되어 있을 수 있다.
상기 제2 홀드 축전판은 상기 수평 보상 제어선에서 상하로 돌출되어 있을 수 있다.
상기 수평 보상 제어선은 게이트 금속층 및 투명 전극층이 차례로 적층되어 있고, 상기 제2 홀드 축전판은 상기 투명 전극층만으로 형성되어 있을 수 있다.
상기 수직 보상 제어선은 상기 데이터선과 동일한 층에 형성되어 있을 수 있다.
상기 제1 홀드 축전판 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 제2 홀드 축전판을 덮고 있는 층간 절연막을 더 포함하고, 상기 수평 보상 제어선은 상기 층간 절연막에 형성된 접촉구를 통해 상기 수직 보상 제어선과 연결되어 있을 수 있다.
상기 구동 전압선은 상기 데이터선과 평행하게 형성되어 있는 수직 구동 전압선, 상기 수직 구동 전압선과 연결되어 교차하는 수평 구동 전압선을 포함할 수 있다.
상기 동작 제어선은 상기 데이터선과 평행하게 형성되어 있는 수직 동작 제어선, 상기 수직 동작 제어선과 연결되어 교차하는 수평 동작 제어선을 포함할 수 있다.
상기 수직 동작 제어선은 상기 데이터선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 수평 동작 제어선은 상기 스캔선과 동일한 층에 형성되어 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 고해상도 및 대형화에 적합한 동시 발광 구동(Simultaneous Emission with Active Voltage, SEAV) 방식의 유기 발광 표시 장치에서 유기 발광 다이오드가 발광하는 동안 데이터 신호를 홀딩시키는 홀드 캐패시터의 제2 홀드 축전판을 수직 보상 제어선과 연결하여 수평 보상 제어선으로 사용함으로써, 수직 보상 제어선 및 수평 보상 제어선을 모두 형성할 수 있어 신호 지연에 의한 기둥 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 홀드 캐패시터의 제2 홀드 축전판을 수평 보상 제어선으로 사용하므로, 별도의 수평 보상 제어선을 형성할 필요가 없어 별도의 수평 보상 제어선을 형성하는 경우에 발생하는 개구율의 저하를 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 3개의 화소에서 복수개의 박막 트랜지스터 및 캐패시터의 위치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 구체적인 배치도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 V-V선을 따라 자른 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
그러면 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 1 내지 도 5를 참고로 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소는 복수의 신호선(121, 122, 123, 171, 172), 복수의 신호선에 연결되어 있는 복수개의 박막 트랜지스터(Td, Ts, Tvth, Tint, Tgw), 복수개의 캐패시터(Cst, Chold, Cvth) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다.
복수개의 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(Td), 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(Ts), 보상 박막 트랜지스터(Tvth), 초기화 박막 트랜지스터(Tint), 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)를 포함하며, 복수개의 캐패시터(Cst, Chold, Cvth)는 스토리지 캐패시터(storage capacitor)(Cst), 홀드 캐패시터(hold capacitor)(Chold) 및 보상 캐패시터(Cvth)를 포함한다.
신호선은 스캔 신호(Sn)를 전달하는 스캔선(121), 보상 박막 트랜지스터(Tvth) 및 초기화 박막 트랜지스터(Tint)에 보상 제어 신호(Gc)를 전달하는 보상 제어선(122), 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)에 동작 제어 신호(Gw)를 전달하는 동작 제어선(123), 스캔선(121)과 교차하며 데이터 신호(Dm)를 전달하는 데이터선(171), 구동 박막 트랜지스터(Td)에 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 구동 전압선(172)을 포함한다.
구동 박막 트랜지스터(Td)의 게이트 전극은 보상 캐패시터(Cvth)의 일단과 연결되어 있고, 구동 박막 트랜지스터(Td)의 소스 전극은 구동 전압선(172)과 연결되어 있으며, 구동 박막 트랜지스터(Td)의 드레인 전극은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결되어 있다.
초기화 박막 트랜지스터(Tint)의 게이트 전극은 보상 제어선(122) 및 홀드 캐패시터(Chold)의 일단과 연결되어 있고, 초기화 박막 트랜지스터(Tint)의 소스 전극은 데이터선(171)과 연결되어 있으며, 초기화 박막 트랜지스터(Tint)의 드레인 전극은 보상 캐패시터(Cvth)의 타단 및 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)의 드레인 전극과 연결되어 있다. 이러한 초기화 박막 트랜지스터(Tint)는 보상 제어선(122)을 통해 전달받은 보상 제어 신호(Gc)에 따라 턴 온된다. 그러면, 데이터선(171)을 통해 구동 박막 트랜지스터(Td)의 게이트 전극의 전압이 초기화된다.
보상 박막 트랜지스터(Tvth)의 게이트 전극은 보상 제어선(122)에 연결되어 있고, 보상 박막 트랜지스터(Tvth)의 소스 전극은 구동 박막 트랜지스터(Td)의 드레인 전극 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 연결되어 있으며, 보상 박막 트랜지스터(Tvth)의 드레인 전극은 보상 캐패시터(Cvth)의 일단, 스토리지 캐패시터(Cst)의 타단, 및 구동 박막 트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 연결되어 있다. 이러한 보상 박막 트랜지스터(Tvth)는 보상 제어선(122)을 통해 전달받은 보상 제어 신호(Gc)에 따라 턴 온되어 구동 박막 트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 드레인 전극을 서로 연결하여 구동 박막 트랜지스터(Td)를 다이오드 연결시킨다.
구동 박막 트랜지스터(Td)가 다이오드 연결된 기간 동안 보상 캐패시터(Cvth)에 구동 박막 트랜지스터(Td)의 문턱 전압에 대응하는 전압이 기입된다.
스위칭 박막 트랜지스터(Ts)의 게이트 전극은 스캔선(121)과 연결되어 있고, 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)의 소스 전극은 데이터선(171)과 연결되어 있으며, 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)의 드레인 전극은 홀딩 캐패시터(Chold)의 타단 및 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)의 소스 전극과 연결되어 있다. 이러한 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)는 스캔선(121)을 통해 전달받은 스캔 신호(Sn)에 따라 턴 온되고, 데이터선(171)으로부터 전달된 데이터 신호(Dm)는 홀딩 커패시터(Chold)에 기입되는 주사 동작이 수행된다.
동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)의 게이트 전극은 동작 제어선(123)에 연결되어 있고, 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)의 소스 전극은 홀드 캐패시터(Chold)의 타단 및 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)의 드레인 전극과 연결되어 있으며, 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)의 드레인 전극은 초기화 박막 트랜지스터의 드레인 전극, 보상 캐패시터(Cvth)의 타단 및 스토리지 캐패시터(Cst)의 타단과 연결되어 있다.
동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)는 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하는 동안 턴 오프 된다. 이 기간 동안, 홀드 캐패시터(Chold)에는 데이터 신호가 기입된다. 즉, 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)는 발광 및 데이터 기입 동작이 동시에 이뤄질 수 있도록 홀드 캐패시터(Chold)와 스토리지 캐패시터(Cst)를 서로 전기적으로 차단시킨다.
i 번째 프레임의 주사 기간에 턴 온 된 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)를 통해 전달된 데이터 전압은 홀드 커패시터(Chold)에 기입된다. i 번째 프레임의 발광 기간이 종료한 시점부터 i+1 번째 발광 기간이 시작하는 시점까지의 기간 중 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)가 턴 온 되고, 이 턴 온 기간 동안, 홀드 캐패시터(Chold)에 저장된 데이터 신호는 스토리지 캐패시터(Cst)에 전달된다.
스토리지 캐패시터(Cst)의 일단은 구동 전압선(172)과 연결되어 있으며, 구동 트랜지스터(Td)의 게이트-소스 전압은 보상 커패시터(Cvth) 및 스토리지 커패시터(Cst)에 기입된 전압에 따라 결정된다. 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드(cathode)는 공통 전압(ELVSS)과 연결되어 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 전압(ELVDD)로부터 구동 박막 트랜지스터(Td)를 통해 전달되는 구동 전류(Id)에 따라 발광하고, 구동 전류(Id)는 공통 전압(ELVSS)로 흐른다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 직전 프레임에 기입된 데이터 전압에 따라 현재 프레임 기간에 복수개의 화소가 동시에 발광하고, 동시에 현재 프레임 데이터가 복수의 화소 각각에 기입되는 구동 방식에 따라 동작한다.
그러면 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 화소의 상세 구조에 대하여 도 2 내지 도 5를 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 3개의 화소에서 복수개의 박막 트랜지스터 및 캐패시터의 위치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 구체적인 배치도이고, 도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 IV-IV선을 따라 자른 단면도이고, 도 5는 도 3의 유기 발광 표시 장치를 V-V선을 따라 자른 단면도이다.
도 2 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소는 스캔 신호(Sn)을 전달하며 행 방향을 따라 형성되어 있는 스캔선(121), 보상 제어 신호(Gc)를 전달하며 행 방향 및 열 방향을 따라 형성되어 있는 보상 제어선(122), 동작 제어 신호(Gw)를 전달하며 행 방향 및 열 방향을 따라 형성되어 있는 동작 제어선(123), 스캔선(121), 보상 제어선(122) 및 동작 제어선(123)과 교차하고 있으며 화소에 데이터 신호(Dm) 및 구동 전압(ELVDD)을 각각 전달하는 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)을 포함한다.
보상 제어선(122)은 데이터선(171)과 평행하게 형성되어 있는 수직 보상 제어선(122a), 수직 보상 제어선(122a)과 연결되어 교차하는 수평 보상 제어선(122b)을 포함하며, 동작 제어선(123)은 데이터선(171)과 평행하게 형성되어 있는 수직 동작 제어선(123a), 수직 동작 제어선(123a)과 연결되어 교차하는 수평 동작 제어선(123b)을 포함하고, 구동 전압선(172)은 데이터선(171)과 평행하게 형성되어 있는 수직 구동 전압선(172a), 수직 구동 전압선(172a)과 연결되어 교차하는 수평 구동 전압선(172b)을 포함한다.
세 개의 데이터선(171)은 세 개의 화소 즉, 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 적색 화소(B)에 각각 데이터 신호(R-Dm, G-Dm, B--)를 전달하며, 구동 전압선(172)은 수직 구동 전압선(172a)을 통해 전달된 구동 전압(ELVDD)을 수평 구동 전압선(172b)을 이용하여 세 개의 화소에 모두 전달하며, 보상 제어선(122)은 수직 보상 제어선(122a)을 통해 전달된 보상 제어 신호(Gc)를 수평 보상 제어선(122b)을 이용하여 세 개의 화소에 모두 전달하고, 동작 제어선(123)은 수직 동작 제어선(123a)을 통해 전달된 동작 제어 신호(Gw)를 수평 동작 제어선(123b)을 이용하여 세 개의 화소에 모두 전달한다.
또한, 화소에는 구동 박막 트랜지스터(Td), 스위칭 박막 트랜지스터(Ts), 보상 박막 트랜지스터(Tvth), 초기화 박막 트랜지스터(Tinit), 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw), 스토리지 캐패시터(Cst), 홀드 캐패시터(Chold), 보상 캐패시터(Cvth), 그리고 유기 발광 다이오드(OLED)(70)가 형성되어 있다.
구동 박막 트랜지스터(Td), 스위칭 박막 트랜지스터(Ts), 보상 박막 트랜지스터(Tvth), 초기화 박막 트랜지스터(Tinit) 및 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)는 반도체층(131)을 따라 형성되어 있으며, 반도체층(131)은 다양한 형상으로 굴곡되어 형성되어 있다. 이러한 반도체층(131)은 폴리 실리콘으로 이루어지며, 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물이 가능하다. 이러한 반도체층은 구동 박막 트랜지스터(Td)에 형성되는 구동 반도체층(131a), 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)에 형성되는 스위칭 반도체층(131b), 보상 박막 트랜지스터(Tvth)에 형성되는 보상 반도체층(131c), 초기화 박막 트랜지스터(Tinit)에 형성되는 초기화 반도체층(131d) 및 동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)에 형성되는 동작 제어 반도체층(131e)을 포함한다.
구동 박막 트랜지스터(Td)는 구동 반도체층(131a), 구동 게이트 전극(125a), 구동 소스 전극(176a) 및 구동 드레인 전극(177a)을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(Ts)는 스위칭 반도체층(131b), 스위칭 게이트 전극(125b), 스위칭 소스 전극(176b) 및 스위칭 드레인 전극(177b)을 포함한다. 스위칭 드레인 전극(177b)은 스위칭 반도체층(131b)에서 불순물이 도핑된 스위칭 드레인 영역에 해당한다.
보상 박막 트랜지스터(Tvth)는 보상 반도체층(131c), 보상 게이트 전극(125c), 보상 소스 전극(176c) 및 보상 드레인 전극(177c)을 포함하고, 보상 드레인 전극(177c)은 보상 반도체층(131c)에서 불순물이 도핑된 보상 드레인 영역에 해당한다.
초기화 박막 트랜지스터(Tinit)는 초기화 반도체층(131d), 초기화 게이트 전극(125d), 초기화 소스 전극(176d) 및 초기화 드레인 전극(176e)을 포함한다.
동작 제어 박막 트랜지스터(Tgw)는 동작 제어 반도체층(131e), 동작 제어 게이트 전극(125e), 동작 제어 소스 전극(176e) 및 동작 제어 드레인 전극(177e)을 포함하고, 동작 제어 소스 전극(176e)은 동작 제어 반도체층(131e)에서 불순물이 도핑된 동작 제어 소스 영역에 해당한다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 게이트 절연막(140)을 사이에 두고 배치되는 제1 스토리지 축전판(132)과 제2 스토리지 축전판(127)을 포함한다. 여기서, 게이트 절연막(140)은 유전체가 되며, 스토리지 캐패시터(Cst)에서 축전된 전하와 양 축전판(132, 127) 사이의 전압에 의해 스토리지 캐패시턴스(Storage Capacitance)가 결정된다.
제1 스토리지 축전판(132)는 구동 반도체층(131a), 스위칭 반도체층(131b), 보상 반도체층(131c), 초기화 반도체층(131d) 및 동작 제어 반도체층(131e)과 동일한 층에 형성되어 있으며, 제2 스토리지 축전판(127)은 스캔선(121)과 동일한 층에 형성되어 있다.
제2 스토리지 및 보상 축전판(127q)은 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉구(66)를 통해 초기화 드레인 전극(177d) 및 동작 제어 드레인 전극(177e)과 연결되어 있다.
홀드 캐패시터(Chold)는 게이트 절연막(140)을 사이에 두고 배치되는 제1 홀드 축전판(133)과 제2 홀드 축전판(128q)을 포함한다. 제1 홀드 축전판(133)는 반도체층(131)과 동일한 층에 형성되어 있으며, 제2 홀드 축전판(128q)은 스캔선(121)과 동일한 층에 형성되어 있다.
제1 홀드 축전판(133)은 동작 제어 소스 전극(176e) 및 스위치 드레인 전극(177b)과 연결되어 있다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조에 대해 적층 순서에 따라 구체적으로 설명한다.
이 때, 구동 박막 트랜지스터(Td)를 중심으로 박막 트랜지스터의 구조에 대해 설명한다. 그리고 나머지 박막 트랜지스터(Ts, Tvth, Tint, Tgw)는 구동 박막 트랜지스터(Td)의 적층 구조와 대부분 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
기판(110) 위에는 버퍼층(111)이 형성되어 있고, 버퍼층(111) 위에 구동 반도체층(131a), 홀드 캐패시터(Chold)를 이루는 제1 홀드 축전판(133)이 형성되어 있다. 기판(110)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성된다.
구동 반도체층(131a) 및 제1 홀드 축전판(133) 위에는 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성된 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 스위칭 게이트 전극(125b)을 포함하는 스캔선(121), 보상 게이트 전극(125c) 및 초기화 게이트 전극(125d)을 포함하는 수평 보상 제어선(122b), 구동 게이트 전극(125a) 및 동작 제어 게이트 전극(125e)를 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다. 게이트 배선은 스토리지 캐패시터(Cst) 및 보상 캐패시터(Cvth)를 이루는 제2 스토리지 및 보상 축전판(127q), 홀드 캐패시터(Chold)를 이루는 제2 홀드 축전판(128q) 및 수평 구동 전압선(172b)을 더 포함한다. 제2 홀드 축전판(128q)은 수평 보상 제어선(122b)의 일부에서 상하로 돌출되어 있다.
게이트 배선은 게이트 금속층 및 투명 전극층이 차례로 적층되어 있고, 이에 따라 구동 게이트 전극(125a) 및 수평 보상 제어선(122b)은 게이트 금속층 및 투명 전극층이 차례로 적층되어 있다. 이 때, 제1 홀드 축전판(133)의 도핑을 위해 중첩하는 게이트 금속층이 제거되어 투명 전극층만으로 제2 홀드 축전판(128q)이 형성되어 있다. 또한, 구동 박막 트랜지스터(Td)와 연결되어 있는 화소 전극(191)은 중첩하는 상부의 게이트 금속층이 제거되어 투명 전극층만으로 화소 전극(191)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 상에는 구동 게이트 전극(125a) 및 수평 보상 제어선(122b)을 덮는 층간 절연막(160)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)과 층간 절연막(160)은 구동 반도체층(131a)의 드레인 영역을 드러내는 접촉 구멍(63)을 함께 갖는다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등의 세라믹(ceramic) 계열의 소재를 사용하여 만들어진다.
층간 절연막(160) 위에는 스위칭 소스 전극(176b) 및 초기화 소스 전극(176d)를 포함하는 데이터선(171), 수직 구동 전압선(172a), 구동 소스 전극(176a), 구동 드레인 전극(177a), 보상 소스 전극(176c), 수직 보상 제어선(122a), 수직 동작 제어선(123a) 및 연결 부재(51)를 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다.
그리고 스위칭 소스 전극(176b) 및 초기화 소스 전극(176d)은 각각 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉구(61)를 통해 각각 스위칭 반도체층(131b)의 소스 영역, 초기화 반도체층(131d)의 소스 영역과 연결되어 있다.
수직 구동 전압선(172a)은 층간 절연막(160)에 형성된 접촉구(68)를 통해 수평 구동 전압선(172b)과 연결되어 있고, 수직 보상 제어선(122a)은 층간 절연막(160)에 형성된 접촉구(62)를 통해 수평 보상 제어선(122b)과 연결되어 있고, 수직 동작 제어선(123a)은 층간 절연막(160)에 형성된 접촉구(69)를 통해 수평 동작 제어선(123b)과 연결되어 있다.
구동 소스 전극(176a) 및 구동 드레인 전극(177a)은 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막에 형성된 접촉구(67, 63)를 통해 각각 구동 반도체층(131a)의 소스 영역 및 드레인 영역과 연결되어 있고, 구동 드레인 전극(177a)은 층간 절연막(160)에 형성된 접촉구(64)를 통해 화소 전극(191)과 연결되어 있고, 연결 부재(51)는 층간 절연막(160)에 형성된 접촉구(65, 72)를 통해 각각 구동 게이트 전극(125a) 및 제1 보상 축전판(134)와 연결되어 있다.
이와 같이, 수직 보상 제어선(122a)은 수평 보상 제어선(122b)과 교차하는 지점에서 층간 절연막(160)에 형성된 접촉구(62)를 통해 수평 보상 제어선(122b)과 연결되어 있다.
동시 발광 구동 방식의 유기 발광 표시 장치에는 보상 제어 신호(Gc)와 초기화 신호(Vinit)를 동시에 전달하는 복수개의 보상 제어선(122)이 형성되어 있다. 그러나, 이러한 복수개의 보상 제어선(122)이 데이터선(171)과 평행하게만 형성되어 있는 경우에는 복수개의 보상 제어선(122)의 입력단에서 가까운 보상 제어선(122)과 멀리 떨어진 보상 제어선(122) 간에 신호 지연에 의한 휘도 차이가 발생하여 기둥 얼룩(mura)으로 나타난다. 즉, 데이터선(171)을 통해 데이터 신호를 인가하는 경우 홀드 캐패시터(Chold)의 일단이 흔들려, 보상 제어선(122)의 입력단에서 멀어질수록 신호 지연(RC delay)에 의해 원래의 데이터 신호와 편차가 발생하므로 보상 제어선(122)의 방향으로 기둥 얼룩(mura)이 발생할 수 있다. 이러한 얼룩을 제거하기 위해 보상 제어선(122)을 그물망(mesh) 형상으로 형성할 수 있으나, 그물망 형상의 보상 제어선(122)을 형성하는 경우 개구율이 감소된다.
이와 같이, 복수개의 수직 보상 제어선(122a)만 형성하는 경우에는 수직 보상 제어선(122a)의 입력단에서 나뉘어 보상 제어 신호가 전달되므로, 데이터 신호 기입시 신호 지연(RC delay)에 의해 수직 보상 제어선(122a)의 입력단과 먼 위치에 형성된 수직 보상 제어선(122a) 사이에는 보상 제어 신호의 편차가 발생하므로 화소의 휘도가 불균일해진다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 수직 보상 제어선(122a)과 수평 보상 제어선(122b)이 모두 형성되어 있으므로, 수평 보상 제어선(122b)에 의해 수직 보상 제어선(122a)간의 보상 제어 신호의 편차가 개선되어 모든 화소의 휘도가 균일해진다.
즉, 수직 보상 제어선(122a)을 통해 전달된 보상 제어 신호는 수평 보상 제어선(122b)을 통해서도 전달되므로 수직 보상 제어선(122a)의 입력단에서 멀리 떨어진 화소에 발생하는 신호 지연 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 신호 지연 현상에 의한 휘도 감소로 기둥 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 홀드 캐패시터(Chold)의 제2 홀드 축전판(128q)을 수평 보상 제어선(122b)으로 사용하므로, 별도의 수평 보상 제어선(122)을 형성할 필요가 없어 별도의 수평 보상 제어선(122)을 형성하는 경우에 발생하는 개구율의 저하를 방지할 수 있다.
층간 절연막(160) 상에는 데이터 배선(171, 172a, 176a, 177a, 176c, 122a, 123a, 51)을 덮는 보호막(180)이 형성되어 있고, 보호막(180)에 형성된 개구부(181)를 통해 화소 전극(191)이 노출되어 있다. 보호막(180)에 형성된 접촉구(64)을 통해 화소 전극(191)은 구동 드레인 전극(177a)과 연결되어 있다.
개구부(181)로 노출된 화소 전극(191) 위에는 유기 발광층(370)이 형성되어있고, 유기 발광층(370) 위에는 공통 전극(270)이 형성된다. 이와 같이, 화소 전극(191), 유기 발광층(370) 및 공통 전극(270)을 포함하는 유기 발광 다이오드(70)가 형성된다.
여기서, 화소 전극(191)은 정공 주입 전극인 애노드이며, 공통 전극(270)은 전자 주입 전극인 캐소드가 된다. 그러나 본 발명에 따른 일 실시예는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 따라 화소 전극(191)이 캐소드가 되고, 공통 전극(270)이 애노드가 될 수도 있다. 화소 전극(191) 및 공통 전극(270)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(370) 내부로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
유기 발광층(370)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 또한, 유기 발광층(370)은 발광층과, 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 이들 모두를 포함할 경우, 정공 주입층이 양극인 화소 전극(191) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다. 공통 전극(270)은 반사형 도전성 물질로 형성되어 배면 발광형의 유기 발광 표시 장치가 될 수 있다. 반사형 물질로는 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 물질을 사용할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
110: 기판 121: 스캔선
122: 보상 제어선 123: 동작 제어선
171: 데이터선 172: 구동 전압선

Claims (11)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔선,
    상기 스캔선과 일부가 교차하며 보상 제어 신호를 전달하는 보상 제어선,
    상기 스캔선과 일부가 교차하며 동작 제어 신호를 인가하는 동작 제어선,
    상기 스캔선과 교차하며 데이터 신호 및 구동 전압을 각각 전달하는 데이터선 및 구동 전압선,
    상기 스캔선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터,
    상기 보상 제어선에 연결되어 있는 보상 박막 트랜지스터 및 초기화 박막 트랜지스터,
    상기 동작 제어선 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 동작 제어 박막 트랜지스터,
    상기 구동 전압선과 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터,
    상기 구동 박막 트랜지스터의 구동 드레인 전극에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드,
    상기 동작 제어 박막 트랜지스터의 동작 제어 소스 전극과 상기 초기화 박막 트랜지스터의 초기화 게이트 전극 사이에 연결되어 있는 홀드 캐패시터
    를 포함하고,
    상기 보상 제어선은 상기 데이터선과 평행하게 형성되어 있는 수직 보상 제어선, 상기 수직 보상 제어선과 연결되어 교차하는 수평 보상 제어선을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 구동 전압선과 상기 동작 제어 박막 트랜지스터 사이에 연결되어 있는 스토리지 캐패시터,
    상기 동작 제어 박막 트랜지스터와 상기 구동 박막 트랜지스터의 구동 게이트 전극 사이에 연결되어 있는 보상 캐패시터
    를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 홀드 캐패시터는
    상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 연결된 제1 홀드 축전판, 상기 제1 홀드 축전판과 중첩하며 상기 수평 보상 제어선에 연결된 제2 홀드 축전판을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 홀드 축전판은 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 스위칭 반도체층과 동일한 층에 형성되어 있고,
    상기 제2 홀드 축전판은 상기 스캔선과 동일한 층에 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제2 홀드 축전판은 상기 수평 보상 제어선에서 상하로 돌출되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 수평 보상 제어선은 게이트 금속층 및 투명 전극층이 차례로 적층되어 있고,
    상기 제2 홀드 축전판은 상기 투명 전극층만으로 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 수직 보상 제어선은 상기 데이터선과 동일한 층에 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 제1 홀드 축전판 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 제2 홀드 축전판을 덮고 있는 층간 절연막
    을 더 포함하고,
    상기 수평 보상 제어선은 상기 층간 절연막에 형성된 접촉 구멍을 통해 상기 수직 보상 제어선과 연결되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 구동 전압선은 상기 데이터선과 평행하게 형성되어 있는 수직 구동 전압선, 상기 수직 구동 전압선과 연결되어 교차하는 수평 구동 전압선을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제8항에서,
    상기 동작 제어선은 상기 데이터선과 평행하게 형성되어 있는 수직 동작 제어선, 상기 수직 동작 제어선과 연결되어 교차하는 수평 동작 제어선을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 수직 동작 제어선은 상기 데이터선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 수평 동작 제어선은 상기 스캔선과 동일한 층에 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
KR1020120089114A 2012-08-14 2012-08-14 유기 발광 표시 장치 KR20140022671A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120089114A KR20140022671A (ko) 2012-08-14 2012-08-14 유기 발광 표시 장치
US13/965,895 US9245480B2 (en) 2012-08-14 2013-08-13 Organic light emitting diode display with vertical compensation control line formed in parallel with the data line
EP13180243.1A EP2698783B1 (en) 2012-08-14 2013-08-13 Organic light emitting diode display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120089114A KR20140022671A (ko) 2012-08-14 2012-08-14 유기 발광 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140022671A true KR20140022671A (ko) 2014-02-25

Family

ID=48949090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120089114A KR20140022671A (ko) 2012-08-14 2012-08-14 유기 발광 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9245480B2 (ko)
EP (1) EP2698783B1 (ko)
KR (1) KR20140022671A (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103941507B (zh) * 2014-04-02 2017-01-11 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
JP6459316B2 (ja) * 2014-09-03 2019-01-30 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
KR102304725B1 (ko) 2014-10-16 2021-09-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법, 박막 트랜지스터 어레이 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20160054140A (ko) * 2014-11-05 2016-05-16 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 구동 방법
CN104537983B (zh) * 2014-12-30 2017-03-15 合肥鑫晟光电科技有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置
CN104503178A (zh) * 2014-12-31 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
KR102317720B1 (ko) * 2015-04-29 2021-10-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210062457A (ko) * 2019-11-21 2021-05-31 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
TWI754478B (zh) * 2020-06-10 2022-02-01 友達光電股份有限公司 畫素電路
CN112053661B (zh) * 2020-09-28 2023-04-11 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、像素驱动方法、显示面板和显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3702879B2 (ja) * 2003-02-21 2005-10-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学パネル、その駆動回路及び駆動方法、並びに電子機器
KR100642491B1 (ko) 2003-12-26 2006-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자
KR20100049385A (ko) 2008-11-03 2010-05-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자용 어레이 기판
KR20100090527A (ko) * 2009-02-06 2010-08-16 삼성모바일디스플레이주식회사 발광 표시 장치 및 발광 표시 장치 구동 방법
KR101681210B1 (ko) 2010-07-27 2016-12-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시장치
KR20120062499A (ko) 2010-12-06 2012-06-14 삼성모바일디스플레이주식회사 화소, 이를 이용한 입체 영상 표시 장치 및 그의 구동 방법
KR20120065139A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치를 위한 화소, 이를 이용한 표시 장치 및 그 구동 방법
JP5891492B2 (ja) * 2011-06-22 2016-03-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示素子、表示装置、及び、電子機器
KR101893167B1 (ko) * 2012-03-23 2018-10-05 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로, 이의 구동 방법 및 유기 발광 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20140049455A1 (en) 2014-02-20
EP2698783A3 (en) 2014-11-19
EP2698783A2 (en) 2014-02-19
US9245480B2 (en) 2016-01-26
EP2698783B1 (en) 2017-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11854486B2 (en) Organic light emitting diode display
KR101903741B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN108735156B (zh) 有机发光二极管显示器
US9865667B2 (en) Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof
KR20140022671A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101982074B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
EP2922111A1 (en) Organic light emitting diode display
KR102157762B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102132781B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN106129061B (zh) 有机发光二极管显示器
KR20140014693A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140035156A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102060013B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20140140967A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20160085987A (ko) 표시 장치
KR20140126861A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20150006151A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20140057728A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20150057753A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102620228B1 (ko) 표시 장치
KR102063314B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102147434B1 (ko) 유기 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid