TWI737611B - 可撓性顯示裝置 - Google Patents

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TWI737611B
TWI737611B TW105116186A TW105116186A TWI737611B TW I737611 B TWI737611 B TW I737611B TW 105116186 A TW105116186 A TW 105116186A TW 105116186 A TW105116186 A TW 105116186A TW I737611 B TWI737611 B TW I737611B
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金暻鍱
韓相允
崔祥圭
姜帝旭
朴成均
朴容佑
孫正河
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

提供一種包含可撓性基板和導電圖案之可撓性顯示裝置。可撓性基板包含發生彎曲之彎曲部。至少一部分的導電圖案設置在彎曲部上且導電圖案包含顆粒。每一個顆粒具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。

Description

可撓性顯示裝置 相關申請案的交互參照
本申請案主張於2015年5月29日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請號第10-2015-0076440號以及於2015年12月3日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請號第10-2015-0171680號的優先權及效益，其全部內容於此併入作為參考。
例示性實施例係關於一種可撓性顯示裝置及其製造方法。尤其是，例示性實施例關於一種可藉由彎曲避免裂縫發生之可撓性顯示裝置，以及可撓性顯示裝置的製造方法。
顯示裝置在顯示螢幕上顯示各種影像，以提供使用者資訊。近來，可彎曲的顯示裝置已經被發展。與平板顯示裝置相反，可撓性顯示裝置為可如紙張般的折疊、捲曲或彎曲。可變形成各種形狀的可撓性顯示裝置係為了使用者移動和操作的方便性。
在本背景部分中揭露的上述資訊僅用於增加對本發明概念的背景的理解，且因此其可包含不構成對於本國所屬技術領域中具有通常知識者而言為習知的先前技術的資訊。
例示性實施例提供一種可避免因彎曲而產生裂縫的可撓性顯示裝置。
例示性實施例亦提供一種製造可撓性顯示裝置的方法。
其他態樣將於下述說明中詳細闡述，且部分將從本揭露文中顯而易見或可從實施本文發明概念時得知。
例示性實施例揭露一種包含可撓性基板及導電圖案之可撓性顯示裝置。可撓性基板包含彎曲部。導電圖案包含複數個顆粒，至少一部分的導電圖案設置在彎曲部上。各顆粒係具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。
例示性實施例揭露一種包含可撓性顯示面板和觸控螢幕面板之可撓性顯示裝置。可撓性顯示面板包含面板彎曲部。觸控螢幕面板包含觸控彎曲部且設置在可撓性顯示面板上。可撓性顯示面板及觸控螢幕面板中至少其一包含含有複數個導電圖案層之導電圖案，其每一個具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸，且面板彎曲部及觸控彎曲部中至少其一包含導電圖案。
例示性實施例亦揭露一種包含可撓性顯示面板和觸控螢幕面板之可撓性顯示裝置。觸控螢幕面板包含觸控彎曲部。觸控彎曲部包含具有網狀結構的感測電極。感測電極包含複數個感測電極層，且感測電極層包含相同材料。
例示性實施例亦揭露一種製造可撓性顯示裝置的方法，其包含製備可撓性基板及將導電圖案提供在可撓性基板上，導電圖案具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。
前文的一般性描述及下文的詳細描述是例示性和解釋性，以及旨在提供對申請專利範圍的專利標的的進一步解釋。
AIL1:第一空氣層
AIL2:第二空氣層
BD1:第一橋件
BD2:第二橋件
BF:彎曲部
BF1:面板彎曲部
BF2:觸控彎曲部
BX、BX1:彎曲軸
CA:通道部
CE1:第一共用電極
CE2:第二共用電極
CH1:第一接觸洞
CH2:第二接觸洞
CH3:第三接觸洞
CH4:第四接觸洞
CH5:第五接觸洞
CH6:第六接觸洞
CP:導電圖案
CPL:導電圖案層
CPL1:第一導電圖案層
CPL2:第二導電圖案層
CPL3:第三導電圖案層
Cst:電容器
DA:汲極部
DE1:第一汲極電極
DE2:第二汲極電極
DL:數據線
DP:可撓性顯示面板
DR1:第一方向
DR2:第二方向
DR3:第三方向
DR4:第四方向
DR5:第五方向
DR6:第六方向
DVL:驅動電壓線
EL:電極
EL1:第一電極
EL2:第二電極
ELL:電極層
EML:發光層
ETR:電子傳輸區域
FB:可撓性基板
FB1:第一可撓性基板
GE1:第一閘極電極
GE2:第二閘極電極
GI:閘極絕緣層
GR:顆粒
GL:閘極線
HTR:電洞傳輸區域
IL:絕緣層
IL1:第一絕緣層
IL2:第二絕緣層
NBF:非彎曲部
NBF1:面板非彎曲部
NBF2:觸控非彎曲部
OEL:有機發光元件
PD1:第一墊部
PD2:第二墊部
PDL:像素定義層
PL:鈍化層
PO1:第一扇出線
PO2:第二扇出線
PX:像素
R1:第一曲率半徑
R2:第二曲率半徑
R3:第三曲率半徑
R4:第四曲率半徑
Rx:第二感測電極
S100、S200:步驟
SA:源極部
SE1:第一源極電極
SE2:第二源極電極
SL:密封層
SM1:第一半導體圖案
SM2:第二半導體圖案
TE:感測電極
TEL:感測電極層
TFT1:開關薄膜電晶體
TFT2:驅動薄膜電晶體
TLL:線路層
TL1:第一連接線
TL2:第二連接線
TSP:觸控螢幕面板
Tx:第一感測電極
t1:厚度
WI:配線
WI1:第一配線
WI2:第二配線
WIL:配線層
WIL1:第一配線層
WIL2:第二配線層
10:可撓性顯示裝置
所包含之附圖提供本發明概念作進一步的理解且一併構成此說明書與本發明概念之例示性實施例之說明的一部分，並且一同用於解釋本發明概念之原理。
第1A圖、第1B圖及第1C圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示裝置之透視圖。
第2A圖、第2B圖、第2C圖及第2D圖係沿著第1B圖的I-I'線所截取之剖面圖。
第3A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示裝置之透視圖。
第3B圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含於可撓性顯示裝置的配線之剖面圖。
第3C圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含於可撓性顯示裝置的電極之剖面圖。
第4A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示裝置的之透視圖。
第4B圖係沿著第4A圖的II-II'線所截取之剖面圖。
第4C圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含於可撓性顯示裝置的第一配線之剖面圖。
第4D圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含於可撓性顯示裝置的第二配線之剖面圖。
第5A圖、第5B圖及第5C圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示裝置之透視圖。
第6A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含在可撓性顯示面板的複數個像素中之一像素之電路圖。
第6B圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含在可撓性顯示面板的複數個像素中之一像素之平面圖。
第6C圖係沿著第6B圖的III-III'線所截取之剖面圖。
第7A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示裝置的剖面圖。
第7B圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含在可撓性顯示裝置之觸控螢幕面板的平面圖。
第8A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示裝置的平面圖。
第8B圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含在可撓性顯示裝置之觸控螢幕面板的平面圖。
第9A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含在觸控螢幕面板之感測電極的剖面圖。
第9B圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含在觸控螢幕面板之線路的剖面圖。
第10圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之製造可撓性顯示裝置的方法之流程圖。
第11A圖係顯示第三實施例及第四實施例和第一比較例及第二比較例的SEM影像，且第11B圖係顯示第一實施例至第三實施例以及第五實施例和第一比較例及第三比較例的SEM影像。
第12圖係顯示第三實施例及第四實施例和第一比較例及第二比較例的剖面照片。
第13圖係顯示第一比較例和第三比較例由於內部彎曲和外部彎曲而斷開之照片。
在下文敘述中，所闡述的各種具體細節係為了說明的目的以提供對各種例示性實施例的完整理解。然而，應理解的是不同例示性實施例可不需該具體細節或可具有一或多種等效配置而實施。在其他例子中，為了避免模糊各種例示性實施例而在方塊圖中顯示已知結構及裝置。
在附圖中，為清楚起見及描述的目的可誇大層、膜、面板、區域等的尺寸及相對尺寸。再者，相似元件符號係表示相似元件。
當一元件或一層被稱為在另一元件或另一層「上(on)」或「連接至(connected to)」或「耦接至(coupled to)」另一元件或另一層時，其可直接在另一元件或另一層上、或直接連結至或耦接至另一元件或另一層，或可存在中間元件或中間層。然而，當一元件或一層被稱為「直接」在另一元件或層「上(directly on)」、「直接連接(directly connected to)」或「直接耦接(directly coupled to)」另一元件或層時，則不存在中間元件或中間層。為了本揭露的目的，「X、Y、Z 中之至少其一(at least one of X,Y,and Z)」、「選自從X、Y以及Z所組成之群組中的至少其一(at least one selected from the group consisting of X,Y,and Z)」可表示為僅有X、僅有Y、僅有Z、或是兩個或兩個以上X、Y、Z之任意組合，例如XYZ、XYY、YZ以及ZZ等。相似符號在全文中係指相似元件。文中使用的用語「及/或」包含一或多個相關所列舉項目的任何以及所有組合
雖然本文使用第一、第二等用語來描述各種元件、部件、區域、層及/或區段，這些元件、部件、區域、層及/或區段不應受這些用語所限制。這些用語用來區分一元件、部件、區域、層及/或區段與另一個元件、部件、區域、層及/或區段。如此，以下討論的第一元件、第一部件、第一區域、第一層及/或第一區段也可以稱為第二元件、第二部件、第二區域、第二層及/或第二區段，而不悖離本揭露的教示。
空間相關的用語，例如「之下(beneath)」、「下方(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」以及其他相似用語，可用於本文中以便描述說明圖式中所繪示之元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除了圖式中描繪的方位之外，空間相關的用語旨在包含使用、操作及/或製造中設備之不同方位。例如，如將圖式中的設備翻轉，描述在其他元件或特徵「下方(below)」或「之下(beneath)」的元件將被定向為在其他元件或特徵的「上方(above)」。因此，例示性用語「下方(below)」可同時包含上方與下方的方向。此外，設備可轉向其他方位(例如，旋轉90度或其他方位)，且例如在此使用的空間相關描述用語應據此作相應的解釋。
文中使用的用語是為了描寫特定實施例的目的，並不是用以限制。文中使用的單數形式「一(a)」、「一(an)」、「該(the)」亦旨在包含複數型式， 除非上下文另有清楚地指示。再者，當說明書中使用的這些詞彙「包括(comprises)」、「包括(comprising)」、「包含(includes)」及/或「包含(including)」時，是明確地說明指定的特徵、整體、步驟、操作、元件、構件及/或其群組的存在，但是不排除一或更多的特徵、整體、步驟、操作、元件、構件及/或其群組的存在或附加。
文中參照剖面圖所說明的各種例示性實施例是繪示理想的例示性實施例及/或中間結構的示意圖。如此，例如製造技術與/或容許度可預期會導致其說明之形狀的變化。因此，本文所述例示性實施例不應被解釋為限制於所示之特定區域的形狀，而是包含，例如製造，所導致形狀的誤差。圖中所繪示的區域在本質上概要的說明，且其形狀不表示繪示裝置的真實形狀區域，且不侷限於此。
除非其他定義，所屬領域具有通常知識者對本文使用的所有用語(包含技術和科學用語)有相同了解。用語，例如定義在字典裡的用語，應該被詮釋成跟相關領域的內文意思有一致性的意思，不應該詮釋成理想化或過於正式，除非在此明確地定義。
第1A圖、第1B圖及第1C圖係根據本揭露之例示性實施例繪示可撓性顯示裝置10的透視圖。
參考第1A圖、第1B圖及第1C圖，可撓性顯示裝置10包含可撓性基板FB及導電圖案CP。導電圖案CP在第一方向DR1設置於可撓性基板FB上。在本文所使用的用語「可撓性」意指基板是可彎曲的，而因此可撓性基板FB可完全折疊或部分彎曲。可撓性基板FB可包含但不限於塑膠材料或有機聚合物，例如：聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二酯 (polyethylene naphthalate,PEN)、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚醚碸(polyethersulfone)等。用於可撓性基板FB的材料係考慮到機械強度、熱穩定性、透明度、表面光滑性、容易操作性、防水性等而進行選擇。可撓性基板FB可為透明的。
可撓性顯示裝置10係在第一模式或第二模式中操作。可撓性基板FB包含彎曲部BF及非彎曲部NBF。彎曲部BF係在第一模式中相對於在第二方向DR2延伸的彎曲軸BX進行彎曲且在第二模式中伸直。彎曲部BF與非彎曲部NBF連接。非彎曲部NBF在第一模式及第二模式中不會彎曲。至少一部分的導電圖案CP設置在彎曲部BF上。本文所使用的用語「彎曲」意指可撓性基板FB由於外力而彎曲成特定形狀。
參考第1A圖及第1C圖，至少一部分的可撓性基板FB及導電圖案CP在第一模式中彎曲。參考第1B圖，彎曲部BF在第二模式中伸直。
第一模式包含第一彎曲模式及第二彎曲模式。參考第1A圖，可撓性顯示裝置10在第一彎曲模式中相對於彎曲軸BX的一方向彎曲。亦即，可撓性顯示裝置10在第一彎曲模式中向內彎曲。下文中，當可撓性顯示裝置10相對於彎曲軸BX彎曲時，其中在導電圖案CP彎曲後而互相面對之導電圖案CP的部分之間的距離小於在可撓性基板FB彎曲後而互相面對之可撓性基板FB的部分之間的距離之狀態意指內部彎曲。在內部彎曲狀態中，彎曲部BF之表面具有第一曲率半徑R1。第一曲率半徑的範圍係為約1mm至約10mm。
參考第1C圖，可撓性顯示裝置10在第二彎曲模式中相對於彎曲軸BX在與第1A圖中的一方向相反的方向彎曲。亦即，可撓性顯示裝置10在第二彎曲模式中向外彎曲。下文中，當可撓性顯示裝置10相對於彎曲軸BX彎 曲時，其中在可撓性基板FB彎曲後而互相面對之可撓性基板FB的部分之間的距離小於在導電圖案CP彎曲後而互相面對之導電圖案CP的部分之間的距離之狀態意指外部彎曲。在外部彎曲狀態中，彎曲部BF之表面具有第二曲率半徑R2。第二曲率半徑R2可相等或不相等於第一曲率半徑R1。第二曲率半徑R2的範圍係為約1mm至約10mm。
在第1A圖和第1C圖中，當可撓性顯示裝置10相對於彎曲軸BX彎曲時，互相面對的可撓性基板FB的部分之間的距離為常數，但應該不局限於此。亦即，互相面對的可撓性基板FB的部分之間的距離可不為常數。除此之外，在第1A圖和第1C圖中，當可撓性顯示裝置10相對於彎曲軸BX時，彎曲的可撓性基板FB之部分中之一部分面積可相等於彎曲的可撓性基板FB之部分中之其他部分面積，但應該不局限於此。亦即，彎曲的可撓性基板FB之部分中之一部分面積可異於彎曲的可撓性基板FB之部分中之其他部分面積。
第2A圖至第2D圖係沿著第1B圖的I-I'線所截取之剖面圖。
參考第1A圖至第1C圖及第2A圖，導電圖案CP的至少一部分設置在彎曲部上。導電圖案CP包含複數個顆粒GR。顆粒GR係藉由規則排列構件原子(component atoms)所獲得的晶體顆粒。每一個顆粒的尺寸係為約10nm至約100nm。
下文中，顆粒尺寸可表示許多顆粒直徑的或最大顆粒直徑的平均。再者，每一個顆粒GR的顆粒尺寸可在約10nm至約100nm的範圍，顆粒GR的顆粒尺寸的平均可在約10nm至約100nm的範圍或顆粒尺寸的代表值可在約10nm至約100nm的範圍。
當導電圖案CP的顆粒尺寸小於約10nm時，導電圖案CP的電阻增加，並且因此增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗。當導電圖案CP的顆粒尺寸大於約100nm時，由於大顆粒尺寸造成難以確保導電圖案CP的彎曲可撓性。因此，發生在導電圖案CP中的裂縫及斷開造成可撓性顯示裝置10的可靠度降低。
一般來說，當導電圖案CP的顆粒尺寸變小時，導電圖案CP的電阻增加及增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗，但因為確保可撓性而使可撓性顯示裝置10可具有可撓性。相反地，當導電圖案CP的顆粒尺寸變大時，降低導電圖案CP的電阻，但因為難以確保可撓性而發生導電圖案CP的裂開及斷開。
根據本例示性實施例的可撓性顯示裝置10的導電圖案具有大於或等於10nm及小於或等於約90nm的顆粒尺寸。因此，導電圖案CP有適當的電阻以確保適當的驅動特性及改善的可撓性。因此，改善可撓性顯示裝置10的可靠度。
在導電圖案CP中，約200顆粒至約1200顆粒排列在約1.0平方微米(μm2)的單位面積中。用語「約1.0平方微米(μm2)的單位面積中」意指單位面積可以被定義在導電圖案CP的平面上之任意區域。當在約1平方微米(μm2)的單位面積中的顆粒GR數量少於約200時，難以確保彎曲的可撓性。因此，發生導電圖案CP的裂開或斷開且可撓性顯示裝置10的可靠度下降。再者，當在約1平方微米(μm2)的單位面積中的顆粒GR數量大於約1200時，導電圖案CP的電阻增加，且因此增加驅動可撓性顯示裝置10所需的能量消耗。
導電圖案CP包含金屬、金屬合金及透明導電氧化物中的至少其一，但應該不局限於此。顆粒GR可包含金屬顆粒，金屬合金顆粒、透明導電氧化物顆粒中的至少其一。
金屬可包含Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及Cr中之至少其一，但不局限於此。
透明導電氧化物可以包含氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦錫鋅(indium tin zinc oxide,ITZO)中之至少其一，但不局限於此。
參考第1A圖至第1C圖，及第2A圖至第2D圖，導電圖案CP包含複數個導電圖案層CPL。包含在導電圖案CP的導電圖案層CPL的數量可為兩個、三個、四個、五個或六個，但不應該局限於此。也就是說，導電圖案CP可包含七個或七個以上的導電圖案層CPL。排列在不同導電層CPL的顆粒GR不會互相連接。也就是說，顆粒被包含在每一個導電圖案層CPL中。
導電圖案層CPL的每一個顆粒GR具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。當導電圖案層CPL的顆粒GR的顆粒尺寸小於約10nm時，導電圖案層CPL的電阻增加，而因此增加驅動可撓性顯示裝置10所需功率消耗。當導電圖案層CPL的顆粒GR的顆粒尺寸大於約100nm時，由於大顆粒尺寸導致難以確保彎曲導電圖案層CPL之可撓性。因此，裂縫或斷開發生在導電圖案層CPL，且降低可撓性顯示裝置10的可靠度。
每一個導電圖案層CPL具有約10nm至約150nm的厚度t1。當每一個導電圖案層CPL的厚度t1小於約10nm時，即使不增加導電圖案CP之整體厚度，也增加導電圖案層CPL的界面數量，且因此增加導電圖案CP的電 阻。因此，增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗。再者，當製造或提供每一個導電圖案層CPL時，可能降低導電圖案層CPL的可靠度。當每一個導電圖案層CPL的厚度t1大於約150nm時，當彎曲導電圖案層CPL時，難以確保導電圖案層CPL的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在導電圖案層CPL，及降低導電圖案層CPL的可靠度。
每一個導電圖案層CPL可包含金屬、金屬合金及透明導電氧化物中的至少其一，但應該不局限於此。
金屬可包含Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及Cr中之至少其一，但不局限於此。
透明導電氧化物可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦錫鋅(ITZO)中之至少其一，但不局限於此。
導電圖案層CPL可包含相同金屬，如鋁(Al)，但導電圖案層CPL不應局限於此。也就是說，導電圖案層CPL可以包含Cu或ITO。
導電圖案層CPL可包含彼此不同的材料。舉例來說，當導電圖案CP包含於兩個導電圖案層CPL時，兩個導電圖案層CPL中之一導電圖案層CPL可包含鋁(Al)且兩個導電圖案層CPL中的另一導電圖案層CPL可包含銅(Cu)。再者，當導電圖案CP包含四個導電圖案層CPL時，導電圖案CP可包含依序堆疊於另一個上的含鋁(Al)的導電圖案層、含銅(Cu)的導電圖案層、含鋁(Al)的導電圖案層及含銅(Cu)的導電圖案層。進一步來說，當導電圖案CP可包含四個導電圖案層CPL時，導電圖案CP可包含依序堆疊於另一個上的含鋁(Al)的導電圖案層、含銀(Ag)的導電圖案層、含鋁(Al)的導電圖案層及含銀(Ag)的導電圖案層。
參考第2C圖，導電圖案CP包含第一導電圖案層CPL1、第二導電圖案層CPL2及第三導電圖案層CPL3。第二導電圖案層CPL2設置在第一導電圖案層CPL1上。第三導電圖案層CPL3設置在第二導電圖案層CPL2上。
第一導電圖案層CPL1、第二導電圖案層CPL2及第三導電圖案層CPL3可包含相同材料。舉例來說，每一個導電圖案層CPL可包含鋁(Al)，但是不應該局限於此。舉例來說，每一個導電圖案層CPL可包含銅(Cu)。第一導電圖案層CPL1、第二導電圖案層CPL2及第三導電圖案層CPL3可具有相同厚度，或第一導電圖案層CPL1、第二導電圖案層CPL2及第三導電圖案層CPL3中的至少一導電圖案層可具有不同於其他導電圖案層的厚度。
舉例來說，導電圖案CP可包含含鋁(Al)的第一導電圖案層CPL1、設置在第一導電圖案CPL1上且包含銅(Cu)的第二導電圖案層CPL2以及設置在第二導電圖案層CPL2上且包含鋁(Al)的第三導電圖案層CPL3。在此狀況下，第一導電圖案層CPL1、第二導電圖案層CPL2及第三導電圖案層CPL3的厚度可分別係約100nm、約100nm及約100nm。
舉例來說，導電圖案CP可包含含鈦(Ti)的第一導電圖案層CPL1、設置在第一導電圖案CPL1上且包含銅(Cu)的第二導電圖案層CPL2以及設置在第二導電圖案層CPL2上且包含鋁(Al)的第三導電圖案層CPL3。在此狀況下，第一導電圖案層CPL1、第二導電圖案層CPL2及第三導電圖案層CPL3的厚度可分別係約200nm、約150nm、約150nm。
參考第2D圖，導電圖案CP可包含第一導電圖案層CPL1、第一空氣層AIL1、第二導電圖案層CPL2、第二空氣層AIL2及第三導電圖案層CPL3。當在本文使用時，用語「空氣層」可以定義成在對應的相鄰導電圖案層之間充 滿空氣，特別是周圍空氣的一間隙或距離。若需要時，其可在導電圖案層之間提供一支撐結構，以提供空氣層。支撐結構可以與相鄰導電圖案層之一或兩者整合而製造。替代地，支撐結構可提供以附加在導電圖案層。
第一空氣層AIL1設置第一導電圖案層CPL1上。第二導電圖案層CPL2設置在第一空氣層AIL1上。第二空氣層AIL2設置在第二導電圖案層CPL2上。第三導電圖案層CPL3設置在第二空氣層AIL2上。
每一個第一導電圖案層CPL1及第三導電圖案層CPL3具有大於或等於約10nm及小於或等於約150nm的厚度，且第二導電圖案層CPL2具有大於等於約5nm及小於約10nm的厚度。
與第一空氣層AIL1接觸之第一導電圖案層CPL1的區域可能被氧化。分別與第一空氣層AIL1及第二空氣層AIL2接觸的第二導電圖案層CPL2的區域可能被氧化。與第二空氣層AIL2接觸之第三導電圖案層CPL3的區域可能被氧化。
舉例來說，導電圖案CP可以包含含鋁(Al)的第一導電圖案層CPL1、設置在第一導電圖案CPL1上且包含鈦(Ti)的第二導電圖案層CPL2及設置在第二導電圖案層CPL2上且包含鋁(Al)的第三導電圖案層CPL3。在這個狀況下，第一導電圖案層CPL1、第二導電圖案層CPL2及第三導電圖案層CPL3可分別係約150nm、約5nm及約150nm。
與第一空氣層AIL1接觸之第一導電圖案層CPL1的區域可能被氧化及以氧化鋁(aluminum oxide)形式存在，及與第一空氣層AIL1接觸的第二導電圖案層CPL2的區域及與第二空氣層AIL2接觸的第二導電圖案層CPL2的區域可 能被氧化及以氧化鈦(titanium oxide)形式存在，及與第二空氣層AIL2接觸之第三導電圖案層CPL3的區域可能被氧化及以氧化鋁形式存在。
第3A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示裝置之透視圖，第3B圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含於可撓性顯示裝置的配線之剖面圖，及第3C圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含可撓性顯示裝置的電極之剖面圖。
參考第1A圖至第1C圖及第3A圖，導電圖案CP包含配線WI及電極EL。配線WI可包含在觸控螢幕面板TSP(參考第5A圖)及可撓性顯示面板DP(參考第5A圖)。
配線WI設置在可撓性基板FB上。配線WI的至少一部分設置在彎曲部BF上。舉例來說，配線WI可設置於彎曲部BF上及可不設置在非彎曲部NBF上。以另一方式來說，配線WI可設置在彎曲部BF上及非彎曲部NBF上。
配線WI具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。當配線WI的顆粒尺寸係小於約10nm時，配線WI的電阻增加，且因此增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗。當配線WI的顆粒尺寸係大於約100nm時，因為顆粒尺寸過大而難以確保彎曲配線WI的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在配線WI，且降低可撓性顯示裝置10的可靠度。
參考第1A圖至第1C圖、第3A圖及第3B圖，配線WI包含複數個配線層WIL。包含在配線WI的配線層WIL之數量係為兩個、三個、四個、五個或六個，但其不應該局限於此。也就是說，配線WI可包含七個或更多的配線層WIL。排列在不同配線層WIL的顆粒彼此不連結。也就是說，顆粒包含在每一個配線層WIL中。
每一個配線層WIL具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。當配線層WIL的顆粒尺寸係小於約10nm時，配線層WIL的電阻增加，且因此增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗。當配線層WIL的顆粒尺寸係大於約100nm時，因為顆粒尺寸過大而難以確保彎曲配線層WIL的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在配線層WIL，及降低可撓性顯示裝置10的可靠度。
每一個配線層WIL具有約10nm至約150nm的厚度。當每一個配線層WIL的厚度小於約10nm時，即使沒有增加配線WI之整體厚度，也增加了配線層WIL的界面數量，且因此增加配線WI的電阻。因此，增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗。再者，當製造或提供每一個配線層WIL時，可能降低配線層WIL的可靠度。當每一個配線層WIL的厚度大於約150nm時，當配線層WIL彎曲時，則難以確保配線層WIL的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在配線層WIL，及降低配線層WIL的可靠度。
每一個配線層WIL可包含金屬、金屬合金及透明導電氧化物中之至少其一，但應該不局限於此。
金屬可包含Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及Cr中之至少其一，但不局限於此。
透明導電氧化物可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦錫鋅(ITZO)中之至少其一，但不局限於此。
參考第1A圖至第1C圖、第3A圖及第3C圖，電極EL設置在可撓性基板FB上。電極EL的至少一部分設置在彎曲部BF上。舉例來說，電極EL可設置在彎曲部BF上及可不設置在非彎曲部NBF上。以另一方式來說，電極EL可設置在彎曲部BF及非彎曲部NBF上。
電極EL電性連接配線WI。電極EL可與配線WI間隔，但應該不局限於此。也就是說，電極EL可與配線WL整合地形成。
電極EL及配線WI可設置在相同層，但應該不局限於此。也就是說，電極EL及配線WI可設置在彼此不同層上。雖然未繪示在圖中，中間層可設置在配線WI和電極EL之間。
電極EL具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。當電極EL的顆粒尺寸係小於約10nm時，電極EL的電阻增加，且因此增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗。當電極EL的顆粒尺寸係大於約100nm時，因為顆粒尺寸過大而難以確保彎曲電極EL的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在電極EL，及降低可撓性顯示裝置10的可靠度。
電極EL包含複數個電極層ELL。包含在電極EL的電極層ELL之數量係為兩個、三個、四個、五個或六個，但不應該局限於此。也就是說，電極EL可包含七個或更多的電極層ELL。排列在不同電極層ELL的顆粒彼此不連接。也就是說，顆粒被包含在每一個電極層ELL中。
每一個電極層ELL具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。當電極層ELL的顆粒尺寸係小於約10nm時，電極層ELL的電阻增加，且因此增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗。當電極層ELL的顆粒尺寸係大於約100nm時，因為顆粒尺寸過大而難以確保彎曲電極層ELL的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在電極層ELL，及降低可撓性顯示裝置10的可靠度。
每一個電極層ELL具有約10nm至約150nm的厚度。當電極層ELL的顆粒尺寸小於約10nm時，由於即使沒有增加電極EL之整體厚度，也增加電極層ELL的界面數量，因而電極層ELL的電阻增加。因此，增加驅動可撓 性顯示裝置10所需的功率消耗。再者，當製造或提供每一個電極層ELL時，可能降低電極層ELL的可靠度。當每一個電極層ELL的厚度係大於約150nm時，當電極層ELL彎曲時，難以確保電極層ELL的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在電極層ELL，及降低電極層ELL的可靠度。
每一個電極層ELL可包含金屬、金屬合金及透明導電氧化物中的至少其一，但應該不局限於此。
金屬可包含Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及Cr中之至少其一，但不局限於此。
透明導電氧化物可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦錫鋅(ITZO)中之至少其一，但不局限於此。
第4A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示裝置之透視圖，第4B圖係繪示沿第4A圖的II-II'線所截取之剖面圖，第4C圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含於可撓性顯示裝置之第一配線的剖面圖及第4D圖係繪示根據本揭露的例示性實施例包含於可撓性顯示裝置之第二配線的剖面圖。
參考第1A圖至第1C圖、第4A圖及第4B圖，配線WI包含第一配線WI1及第二配線WI2。絕緣層IL設置在第一配線WI1和第二配線WI2之間。第一配線WI1設置在可撓性基板FB和絕緣層IL之間，及第二配線WI2設置在絕緣層IL上。絕緣層IL可包含有機絕緣材料或無機絕緣材料，但不局限於此。
參考第4C圖及第4D圖，第一配線WI1包含複數個第一配線層WIL1。包含在第一配線WI1的第一配線層WIL1的數量可為兩個、三個、四個、五個或六個，但不應該局限於此。也就是說，第一配線WI1可包含七個或更多的 第一配線層WIL1。第二配線WI2包含兩個、三個、四個、五個或六個第二配線層WIL2，但不應該局限於此。也就是說，第二配線WI2可以包含七個或更多的第二配線層WIL2。
參考第1A圖至第1C圖及第4A圖至第4D圖，每一個第一配線層WIL1及第二配線層WIL2具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。當第一配線層WIL1及第二配線層WIL2的顆粒尺寸係小於約10nm時，第一配線層WIL1及第二配線層WIL2的電阻增加，且因此增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗。當第一配線層WIL1及第二配線層WIL2的顆粒尺寸係大於約100nm時，因為顆粒尺寸過大而難以確保彎曲第一配線層WIL1及第二配線層WIL2的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在第一配線層WIL1及第二配線層WIL2，及降低可撓性顯示裝置10的可靠度。
每一個第一配線層WIL1及第二配線層WIL2具有約10nm至150nm的厚度。當每一個第一配線層WIL1及第二配線層WIL2的厚度小於約10nm時，即使沒有增加第一配線WI1之整體厚度，也增加第一配線層WIL1的界面數量，且即使沒有增加第二配線WI2之整體厚度，也增加第二配線層WIL2的界面數量。因此，第一配線WI1的電阻增加。因此，增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗。再者，當製造或提供每一個第一配線層WIL1及第二配線層WIL2時，可能降低第一配線層WIL1及第二配線層WIL2的可靠度。當每一個第一配線層WIL1及第二配線層WIL2的厚度大於約150nm時，當第一配線WI1及第二配線WI2彎曲時，難以確保第一配線層WIL1及第二配線層WIL2的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在第一配線層WIL1及第二配線層WIL2，及降低第一配線層WIL1及第二配線層WIL2的可靠度。
每一個第一配線層WIL1及第二配線層WIL2包含金屬、金屬合金及透明導電氧化物中的至少其一，但應該不局限於此。
金屬可包含Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及Cr中之至少其一，但不局限於此。
透明導電氧化物可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦錫鋅(ITZO)中之至少其一，但不局限於此。
第5A圖、第5B圖及第5C圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示裝置之透視圖。
參考第5A圖至第5C圖，可撓性顯示裝置10在第一模式或第二模式中操作。可撓性顯示裝置10包含觸控螢幕面板TSP及可撓性顯示面板DP。觸控螢幕面板TSP在第一方向DR1設置於可撓性顯示面板DP上。
觸控螢幕面板TSP包含觸控彎曲部BF2及觸控非彎曲部NBF2。觸控彎曲部BF2在第一模式中相對於在第二方向DR2上延伸的彎曲軸BX1彎曲，以及在第二模式中伸直。觸控彎曲部BF2跟觸控非彎曲部NBF2連接。觸控非彎曲部NBF2在第一模式及第二模式中不會彎曲。
可撓性顯示面板DP包含面板彎曲部BF1及面板非彎曲部NBF1。面板彎曲部BF1在第一模式中相對於在第二方向DR2上延伸的彎曲軸BX1彎曲，以及在第二模式中伸直。面板彎曲部BF1跟面板非彎曲部NBF1連接。面板非彎曲部NBF1在第一模式及第二模式中不會彎曲。
參考第5A圖及第5C圖，至少一部分的觸控螢幕面板TSP及可撓性顯示面板DP在第一模式中彎曲。參考第5B圖，觸控螢幕面板TSP的觸控彎曲部BF2及可撓性顯示面板DP的面板彎曲部在第二模式中伸直。
第一模式包含第一彎曲模式及第二彎曲模式。參考第5A圖，可撓性顯示裝置10彎曲在第一彎曲模式中相對於彎曲軸BX1的一方向彎曲。可撓性顯示裝置10在第一彎曲模式中向內彎曲。當可撓性顯示裝置10在內部彎曲狀態時，在觸控螢幕面板TSP彎曲後而互相面對之觸控螢幕面板TSP的部分之間的距離小於在可撓性顯示面板DP彎曲後而互相面對之可撓性顯示面板DP的部分之間的距離。在內部彎曲狀態中，觸控螢幕面板TSP的觸控彎曲部BF2之表面具有第三曲率半徑R3。第三曲率半徑R3的範圍係約1mm至約10mm。
參考第5C圖，可撓性顯示裝置10在第二彎曲模式中相對於彎曲軸BX1在與第5A圖之一方向相反的方向彎曲。可撓性顯示裝置10在第二彎曲模式中向外彎曲。當可撓性顯示裝置10彎曲在外部彎曲狀態時，在可撓性顯示面板DP彎曲後而互相面對之可撓性顯示面板DP的部分之間的距離小於在觸控螢幕面板TSP彎曲後而互相面對之觸控螢幕面板TSP的部分之間的距離。在外部彎曲狀態中，可撓性顯示面板DP的面板彎曲部BF1的表面具有第四曲率半徑R4。第四曲率半徑R4的範圍係約1nm至約10nm。
參考第1A圖至第1C圖及第5A圖至第5C圖，可撓性顯示裝置DP及觸控螢幕面板TSP中之至少其一包含具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸之導電圖案CP。導電圖案CP包含在面板彎曲部BF1及觸控彎曲部BF2中之至少其一。導電圖案CP包含導電圖案層CPL(參考第2B圖)，每一個導電圖案層CPL具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。
第6A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含於可撓性顯示面板的像素中之其一的電路圖，第6B圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包 含於可撓性顯示面板的像素中的其一的平面圖，以及第6C圖係沿第6B圖的III-III'線所截取的剖面圖。
下文中，有機發光顯示面板將作為可撓性顯示面板DP進行描述，但是可撓性顯示面板DP不局限於有機發光顯示面板。也就是說，可撓性顯示面板DP可為液晶顯示面板、電漿顯示面板、電泳式顯示面板、微機電系統顯示面板或電濕潤顯示面板。
參考第1A圖至第1C圖、第5A圖至第5C圖、第6A圖及第6B圖，可撓性顯示面板DP包含設置在可撓性基板FB上的導電圖案CP。導電圖案CP的至少一部分包含在面板彎曲部BF1。導電圖案CP可包含在面板彎曲部BF1及可不包含在面板非彎曲部NBF1。導電圖案CP可包含在每一個面板彎曲部BF1及面板非彎曲部NBF1。導電圖案CP具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。導電圖案CP包含導電圖案層CPL(參考第2B圖)，每一個導電圖案層CPL具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。
導電圖案CP包含閘極線GL、數據線DL、驅動電壓線DVL、開關薄膜電晶體TFT1、驅動薄膜電晶體TFT2、電容器Cst、第一半導體圖案SM1、第二半導體圖案SM2、第一電極EL1及第二電極EL2。開關薄膜電晶體TFT1包含第一閘極電極GE1、第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1。驅動薄膜電晶體TFT2包含第二閘極電極GE2、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2。電容器Cst包含第一共用電極CE1及第二共用電極CE2。
參考第6A圖及第6B圖，每一個像素PX連接至包含閘極線GL、數據線DL及驅動電壓線DVL的線路部。每一個像素PX包含連接至線路部的薄膜電 晶體TFT1及TFT2、與薄膜電晶體TFT1及TFT2連接的有機發光元件OEL及電容器Cst。
在本例示性實施例，一個像素連接一個閘極線、一個數據線及一個驅動電壓線，但不應該限於此。也就是說，複數個像素可以連接一個閘極線、一個數據線及一個驅動電壓線。再者，一個像素可以連接至至少一個閘極線、至少一個數據線及至少一個驅動電壓線。
閘極線GL在第三方向DR3延伸。數據線DL在第四方向DR4延伸，以交叉於閘極線GL。驅動電壓線DVL在第四方向DR4延伸。閘極線GL施加掃描訊號至薄膜電晶體TFT1及TFT2，及數據線DL施加數據訊號至薄膜電晶體TFT1及TFT2，及驅動電壓線DVL施加驅動電壓至薄膜電晶體TFT1及TFT2。
閘極線GL、數據線DL及驅動電壓線DVL中的至少其一可具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。閘極線GL、數據線DL及驅動電壓線DVL中的至少其一可包含複數個層，每一層具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。包含於閘極線GL、數據線DL及驅動電壓線DVL中的至少其一之每一層可具有約10nm至約150nm的厚度。
每一個像素PX發出特定顏色的光，如紅光、綠光或藍光，但是光的顏色不限制於此。舉例來說，每一個像素可以發出白光、青光、洋紅光或黃光。
薄膜電晶體TFT1及TFT2包含以控制有機發光元件OEL的驅動薄膜電晶體TFT2及以開關驅動薄膜電晶體TFT2的開關薄膜電晶體TFT1。在本例示性實施例，每一個像素PX可包含兩個薄膜電晶體TFT1及TFT2，但不應該限制於 此。也就是說，每一個像素PX可以包含一個薄膜電晶體及電容器或可以包含三個或三個以上的薄膜電晶體及兩個或兩個以上的電容器。
開關薄膜電晶體TFT1、驅動薄膜電晶體TFT2及電容器Cst中的至少其一可具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。開關薄膜電晶體TFT1、驅動薄膜電晶體TFT2及電容器Cst中的至少其一可包含複數個層，其每一層可具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。包含在開關薄膜電晶體TFT1、驅動薄膜電晶體TFT2及電容器Cst中的至少其一之各層可具有約10nm至約150nm的厚度。
開關薄膜電晶體TFT1包含第一閘極電極GE1、第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1。第一閘極電極GE1連接閘極線GL，以及第一源極電極SE1連接數據線DL。第一汲極電極DE1透過第六接觸洞CH6連接第一共用電極CE1。開關薄膜電晶體TFT1回應透過閘極線GL提供的掃描訊號而施加透過數據線DL提供的數據訊號至驅動薄膜電晶體TFT2。
第一閘極電極GE1、第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1中的至少其一可具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。第一閘極電極GE1、第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1中的至少其一可包含複數個層，其每一層具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。包含於第一閘極電極GE1、第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1中的至少其一之每一層可具有約10nm至約150nm的厚度。
驅動薄膜電晶體TFT2包含第二閘極電極GE2、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2。第二閘極電極GE2連接第一共用電極CE1。第二源極電極SE2連接驅動電壓線DVL。第二汲極電極DE2透過第三接觸洞CH3連接第一電極EL1。
第二閘極電極GE2、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2中的至少其一可具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。第二閘極電極GE1、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2中的至少其一可包含複數個層，其每一層具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。包含於第二閘極電極GE2、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2中的至少其一之每一層可以具有約10nm至約150nm的厚度。
第一電極EL1連接至驅動薄膜電晶體TFT2的第二汲極電極DE2。第二電極EL2被施加共同電壓且發光層EML回應從驅動薄膜電晶體TFT2之輸出訊號而發光以顯示影像。第一電極EL1及第二電極EL2將在下文詳細描述。
電容器Cst連接在驅動薄膜電晶體TFT2的第二閘極電極GE2和第二源極電極SE2之間及以施加在驅動薄膜電晶體TFT2的第二閘極電極GE2的數據訊號來充電。電容器Cst包含透過第六接觸洞CH6連接至第一汲極電極DE1的第一共用電極CE1及連接至驅動電壓線DVL的第二共用電極CE2。
第一共用電極CE1及第二共用電極CE2中的至少其一可具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。第一共用電極CE1及第二共用電極CE2中的至少其一可包含複數個層，其每一層具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。包含於第一共用電極CE1及第二共用電極CE2中的至少其一之每一層可具有約10nm至約150nm的厚度。
參考第6A圖至第6C圖，第一可撓性基板FB1可包含塑膠材料或有機聚合物，如：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺、聚醚碸等，但不限於此。用於第一可撓性基板FB1的材料係考慮至機械強度、熱穩定性、透明度、表面光滑性、容易操作性、防水性等而進行選擇。第一可撓性基板FB1可為透明的。
基板緩衝層(未繪示)可設置在第一可撓性基板FB1上。基板緩衝層避免雜質擴散進入開關薄膜電晶體TFT1及驅動薄膜電晶體TFT2。基板緩衝層可以由氮化矽(silicon nitride,SiNx)、氧化矽(silicon oxide,SiOx)或氮氧化矽(silicon oxynitride,SiOxNy)形成及根據第一可撓性基板FB1的材料及處理條件而省略。
第一半導體圖案SM1及第二半導體圖案SM2設置在第一可撓性基板FB1。第一半導體圖案SM1及第二半導體圖案SM2由半導體材料形成及分別地作為開關薄膜電晶體TFT1及驅動薄膜電晶體TFT2之主動層運作。每一個第一半導體圖案SM1及第二半導體圖案SM2包含源極部SA、汲極部DA及設置在源極部SA和汲極部DA之間的通道部CA。第一半導體圖案SM1及第二半導體圖案SM2可由無機半導體或有機半導體形成。源極部SA和汲極部DA用n型雜質或p型雜質摻雜。
第一半導體圖案SM1及第二半導體圖案SM2中的至少其一可具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。第一半導體圖案SM1及第二半導體圖案SM2中的至少其一可包含複數個層，其每一層具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。包含於第一半導體圖案SM1及第二半導體圖案SM2中的至少其一之每一層可具有約10nm至約150nm的厚度。
閘極絕緣層GI設置在第一半導體圖案SM1及第二半導體圖案SM2上。閘極絕緣層GI覆蓋第一半導體圖案SM1及第二半導體圖案SM2。閘極絕緣層GI包含有機絕緣材料或無機絕緣材料。
第一閘極電極GE1及第二閘極電極GE2設置在閘極絕緣層GI上。第一閘極電極GE1及第二閘極電極GE2設置以分別地覆蓋第一半導體圖案SM1及第二半導體圖案SM2的通道部CA之相對應部分。
第一絕緣層IL1設置在第一閘極電極GE1及第二閘極電極GE2上。第一絕緣層IL1覆蓋第一閘極電極GE1及第二閘極電極GE2。第一絕緣層IL1包含有機絕緣材料或無機絕緣材料。
第一源極電極SE1、第一汲極電極DE1、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2設置在第一絕緣層IL1上。第二汲極電極DE2透過穿過閘極絕緣層GI及第一絕緣層IL1所形成的第一接觸洞CH1而與第二導電圖案SM2的汲極部DA接觸，及第二源極電極SE2透過穿過閘極絕緣層GI及第一絕緣層IL1所形成的第二接觸洞CH2而與第二導電圖案SM2的源極部SA接觸。第一源極電極SE1透過穿過閘極絕緣層GI及第一絕緣層IL1所形成的第四接觸洞CH4而與第一導電圖案SM1的源極部(未繪示)接觸，及第一汲極電極DE1透過穿過閘極絕緣層GI及第一絕緣層IL1所形成的第五接觸洞CH5而與第一導電圖案SM1的汲極部(未繪示)接觸。
鈍化層PL設置在第一源極電極SE1、第一汲極電極DE1、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2上。鈍化層PL作為保護層，以保護開關薄膜電晶體TFT1及驅動薄膜電晶體TFT2，或作為平坦層，以平坦化開關薄膜電晶體TFT1及驅動薄膜電晶體TFT2的上表面。
第一電極EL1設置在鈍化層PL上。第一電極EL1可為正極電極。第一電極E1透過穿過鈍化層PL所形成的第三接觸洞CH3連接驅動薄膜電晶體TFT2的第二汲極電極DE2。
像素定義層PDL設置在鈍化層PL上，以劃分對應每一個像素PX的發光層EML。像素定義層PDL暴露第一電極EL1的上表面及從第一可撓性基板FB1突出。像素定義層PDL可以包含氟化金屬離子化合物，如LiF、BaF2、CsF。 當氟化金屬離子化合物具有預定的厚度時，氟化金屬離子化合物可具有絕緣特性。像素定義層PDL具有約10nm至約100nm的厚度。像素定義層PDL將在下文詳細描述。
有機發光元件OEL提供在由像素定義層PDL圍繞的區域。有機發光元件OEL包含第一電極EL1、電洞傳輸區域HTR、發光層EML、電子傳輸區域ETR及第二電極EL2。
第一電極EL1具有導電性。第一電極EL1可為像素電極或正極電極。第一電極EL1具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。第一電極EL1可包含複數個層，其每一層具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。包含於第一電極EL1的每一層可具有約10nm至約150nm的厚度。
第一電極EL1可能係透射式電極、半透射式電極或反射式電極。當第一電極EL1係透射式電極時，第一電極EL1包含透明金屬氧化物，如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫鋅(ITZO)等。當第一電極EL1係為半透射式電極或反射式電極時，第一電極EL1包含Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及Cr中之至少其一。
有機層設置在第一電極EL1上。有機層包含發光層EML。有機層可進一步包含電洞傳輸區域HTR及電子傳輸區域ETR。
電洞傳輸區域HTR設置在第一電極EL1上。電洞傳輸區域HTR包含電洞注入層、電洞傳輸層、緩衝層及電子阻擋層中的至少其一。
電洞傳輸區域HTR具有單一材料組成的單一層結構、不同材料的單一層結構或不同材料的複數層之多層結構。
舉例來說，電洞傳輸區域HTR可具有其中由彼此不同材料堆疊於另一個上所形成的單一層的結構，或具有電洞注入層/電洞傳輸層、電洞注入層/電洞傳輸層/緩衝層、電洞注入層/緩衝層、電洞傳輸層/緩衝層、或電洞注入層/電洞傳輸層/電子阻擋層的結構。
電洞傳輸區域HTR可使用各種方法形成，如真空沉積法、旋轉塗佈法、鑄造法、朗謬-布洛傑法(Langmuir-Blodgett method)、噴墨印刷法、雷射印刷法、雷射誘導熱成像(laser induced thermal image,LITI)法等。
當電洞傳輸區域HTR包含電洞注入層，電洞傳輸區域HTR可包含酞菁化合物(phthalocyanine compound s)，例如銅酞菁(copper phthalocyanine)、N,N'-二苯基-N,N'-雙-[4-(苯基-間-甲苯基-胺基)-苯基]-二苯酚-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine,DNTPD)、4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine,m-MTDATA)、4,4'4"-三(N,N-二苯胺基)三苯基胺(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine,TDATA)、4,4',4"-三{N,-(2-萘)-N-苯胺基}-三苯基胺(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine,2TNATA)、聚(3,4-二氧乙烯噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate),PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid,PANI/DBSA)、聚苯胺/樟腦磺酸(Polyaniline/Camphor sulfonicacid,PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸)((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate),PANI/PSS)等，但不限制於此。
當電洞傳輸區域HTR包含電洞傳輸層時，電洞傳輸區域HTR可以包含咔唑類衍生物(carbazole-based derivatives)，例如n-苯基咔唑(n-phenyl carbazole)、聚乙烯基咔唑(polyvinyl carbazole)等；氟類衍生物(fluorine-based derivatives)、三苯胺類衍生物(triphenylamine-based derivatives)，如N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4'-二胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine,TPD)、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine,TCTA)等；N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine,NPB)、4,4'-環亞己基雙[N,N-雙(4-甲基苯基)苯胺](4,4'-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine],TAPC)，但不限於此。
電洞傳輸區域HTR可進一步包含電荷產生材料。電荷產生材料可均勻的或非均勻地分布在電洞傳輸區域HTR。電荷產生材料可為p摻質，但不限於此。P摻質可為醌衍生物(quinone derivative)、氧化金屬材料及含氰基化合物中的其一，但不應該限制於此。舉例來說，p摻質可包含醌衍生物，如四氰醌二甲烷(Tetracyanoquinodimethane,TCNQ)、2,3,5,6-四氟四氰醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane,F4-TCNQ)等、或氧化金屬材料，如氧化鎢材料(tungsten oxide material)、氧化鉬材料(molybdenum oxide material)等，但應該不限制於此。
發光層EML設置在電洞傳輸區域HTR上。發光層EML包含紅色發光材料、綠色發光材料及藍色發光材料及包含螢光材料或磷光材料。再者，發光層EML包含基質與摻質。
作為基質可使用例如，三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum,Alq3)、4,4'-二(N-咔唑基)-1,1'-聯苯(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl,CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(poly(n-vinylcabazole,PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene,ADN)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4',4"-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine,TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯井咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene,TPBi)、3-第三丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,TBADN)、二苯乙烯伸芳基(distyrylarylene,DSA)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-聯苯(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2"-dimethyl-biphenyl,CDBP)、2-甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene,MADN)，然而其不應該限制於此。
當發光層EML發出具有紅色的光，舉例來說，發光層EML可包含螢光材料，該螢光材料包含三(聯苯甲醯基甲烷)啡啉銪(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium,PBD：Eu(DBM)3(Phen))、苝(perylene)。當發光層EML發出具有紅色的光時，發光層EML、包含在發光層EML的基質可選自如二(1-苯基異喹啉)乙醯丙酮銥(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium,PIQIr(acac))、二(1-苯基喹啉)乙醯丙酮銥(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium,PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)銥(tris(1-phenylquinoline)iridium,PQIr)、八乙基卟啉鉑(octaethylporphyrin platinum,PtOEP)等的金屬錯合物、或有機金屬錯成物。
當發光層EML發出具有綠色的光，舉例來說，發光層EML可包含螢光材料，該螢光材料包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)。當發光層EML發出具有綠色的光時，發光層EML、包含在發光層EML的基質可選自如三(2-苯基吡啶)合銥(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium,Ir(ppy)3)的金屬錯合物或有機金屬錯合物。
當發光層EML發出具有藍色的光時，舉例來說，發光層EML可包含螢光材料，該螢光材料包含選自由螺-DPVBi(spiro-DPVBi)、螺-6P(spiro-6P)、二苯乙烯基苯(distyryl-benzene,DSB)、二苯乙烯伸芳基(distyryl-arylene,DSA)、聚芴(Polyfluorene,PFO)類聚合物及聚對苯乙炔(poly(p-phenylene vinylene),PPV)類聚合物所組成的群組中的任一。當發光層EML發出具有藍色的光時，發光層EML、包含在發光層EML的基質可選自如(4,6-F2ppy)2Irpic的金屬錯合物或有機金屬錯合物。發光層EML在下文中詳細描述。
電子傳輸區域ETR設置在發光層EML上。電子傳輸區域ETR包含電洞阻擋層、電子傳輸層及電子注入層中之至少其一，但不應該限制於此。
當電子傳輸區域ETR包含電子傳輸層時，電子傳輸區域ETR包含三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯並[d]咪唑-2-基)苯(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl,TPBi)、2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-啡啉(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline,BCP)、4,7-二甲基-1,10-啡啉(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline,Bphen)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole,TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole,NTAZ)、2-(4-聯苯基)-5-(4-叔-丁苯基)-1,3,4-噁二唑(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole,tBu-PBD)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯苯-4-羥基)鋁(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum,BAlq)、鈹雙(10-羥基苯並喹啉)(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate,Bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene,ADN)或其化合物。電子傳輸層具有約100埃至約1000埃的厚度，及可以具有約150埃至約500埃的厚度。當電子傳輸 層係在上述約100埃至約1000埃的範圍時，可確保滿意的電子傳輸特性而不增加驅動電壓。
當電子傳輸區域ETR包含電子注入層時，電子傳輸區域ETR包含鑭類金屬，例如：LiF、喹啉鋰(Lithium quinolate,LiQ)、Li2O、BaO、NaCl、CsF、Yb等，或金屬鹵化物，例如：RbCl、RbI等，但不應該限制於此。電子注入層可包含電子注入材料及具有絕緣特性的有機金屬鹽類的混合物。有機金屬鹽具有約4eV或以上的能帶間隙。詳細地，有機金屬鹽類可包含金屬醋酸鹽(metal acetate)、金屬苯甲酸鹽(metal benzoate)、金屬乙醯乙酸鹽(metal acetoacetate)、金屬乙醯丙酮鹽(metal acetylacetonate)或金屬硬脂酸(metal stearate)。電子注入層具有約1埃至約100埃的厚度，及可具有約3埃至約90埃的厚度。當電子注入層的厚度係在上述約1埃至約100埃的範圍時，可確保滿意的電子注入特性而不增加驅動電壓。
如上所述，電子傳輸區域ETR包含電洞阻擋層。電洞阻擋層包含2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-啡啉(BCP)及4,7-二甲基-1,10-啡啉(Bphen)的其中一種，但不應該限制於此。
第二電極EL2設置在電子傳輸區域ETR上。第二電極EL2可為共用電極或負極電極。第二電極EL2具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。第二電極EL2可包含複數層，其每一層具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。包含在第二電極EL2的每一層可具有約10nm至約150nm的厚度。
第二電極EL2可為透射式電極、半透射式電極或反射式電極。當第二電極EL2係為透射式電極時，第二電極EL2包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag、其化合物或混合物，如Ag和Mg的混合物。
第二電極EL2可包含輔助電極。輔助電極包含由沉積材料獲得的層以面對發光層EML，及透明金屬氧化物設置在該層上，例如：氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦錫鋅、Mo、Ti等。
當第二電極EL2係為半透射式電極或反射式電極時，第二電極EL2包含Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、其化合物或混合物，如：Ag和Mg的混合物。再者，第二電極EL2具有由上述的材料形成的反射層或半透射層的多層結構，且透明導電層由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦錫鋅所形成。
當有機發光元件OEL係前表面發光型時，第一電極EL1係為反射式電極且第二電極EL2係為透射式或半透射式電極。當有機發光元件OEL係為後表面發光型時，第一電極EL1係為透射式或半透射式電極且第二電極EL2係為反射式電極。
當電壓分別施加在第一電極EL1及第二電極EL2時，從第一電極EL1注入的電洞經過電洞傳輸區域HTR移動至發光層EML及從第二電極EL2注入的電子經過電子傳輸區域ETR移動至發光層EML。電子及電洞在發光層EML中再結合以產生激子，及有機發光元件OEL藉由激子從激發態到基態而發光。
密封層SL設置在第二電極EL2上。密封層SL覆蓋第二電極EL2。密封層SL包含有機層及無機層中的至少其一。密封層SL係為薄密封層。密封層SL保護有機發光元件OEL。
第7A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示面板的剖面圖，且第7B圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含於可撓性顯示裝置的觸控螢幕面板的平面圖。
第8A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示裝置的平面圖，且第8B圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含於可撓性顯示裝置的觸控螢幕面板的平面圖。
參考第7A圖、第7B圖、第8A圖及第8B圖，觸控螢幕面板TSP設置在可撓性顯示面板DP上。觸控螢幕面板TSP可設置在密封層SL上(參考第6C圖)。觸控螢幕面板TSP認知到使用者的直接觸碰、使用者的間接碰觸、物體的直接碰觸或物體的間接碰觸。本文使用的用語「間接觸碰」意指由於使用者跟物體與觸控螢幕面板TSP以其中觸控螢幕面板TSP認知使用者或物體的觸碰之距離間隔，因而即使使用者或物體沒有實際碰觸觸控螢幕面板TSP，觸控螢幕面板TSP仍認知該觸碰。
當直接或間接觸控發生時，靜電電容的變化發生在包含於感測電極TE的第一感測電極Tx和第二感測電極Rx之間。由於靜電電容的變化延遲施加在第一感測電極Tx的感測訊號，且接著此感測訊號施加在第二感測電極Rx。觸控螢幕面板TSP從感測訊號的延遲值產生觸控座標。
在本例示性實施例中，觸控螢幕面板TSP在靜電電容模式中操作，但不應該限制於此。也就是說，觸控螢幕面板TSP可在有電阻膜模式、自電容模式(self cap mode)或互電容模式(mutual cap mode)中操作。
參考第1A圖至第1C圖、第5A圖至第5C圖及第7A圖、第7B圖、第8A圖及第8B圖，導電圖案CP的至少一部分包含在觸控彎曲部BF2。 導電圖案CP可包含在觸控彎曲部BF2及可不包含在觸控非彎曲部NBF2。導電圖案CP可包含在各觸控彎曲部BF2及觸碰非彎曲部NBF2。導電圖案CP具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。導電圖案CP包含導電圖案層CPL(參考第2B圖)，每一個導電圖案層具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。
導電圖案CP包含感測電極TE、第一連接線TL1、第二連接線TL2、第一扇出線(fanout line)PO1、第二扇出線PO2、第一橋件(first bridge,BD1)、第二橋件BD2，其將在下文中詳細描述。
參考第7A圖、第7B圖、第8A圖及第8B圖，感測電極TE設置在密封層SL上。雖然未繪示在圖中，附加的可撓性基板可設置在感測電極TE和密封層SL之間。感測電極具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。
感測電極TE包含第一感測電極Tx及第二感測電極Rx。第一感測電極Tx互相電性連接且第二感測電極Rx互相電性連接。每一個第一感測電極Tx及第二感測電極Rx具有實質上的菱形、方形、矩形或圓形、或非典型形狀，如枝狀結構。每一個第一感測電極Tx及第二感測電極Rx具有網狀結構。
參考第7A圖及第7B圖，第一感測電極Tx設置在與設置第二感測電極Rx不同的層上。舉例來說，第一感測電極Tx設置在密封層SL上及絕緣層IL2設置在第一感測電極Tx上。第二感測電極Rx設置在第一感測電極Tx之上。
第一感測電極Tx在第五方向DR5延伸且在第六方向DR6上彼此間隔排列。第二感測電極Rx在第六方向DR6延伸且在第五方向DR5上彼此間隔排列。
參考第8A圖及第8B圖，第一感測電極Tx及第二感測電極Rx可設置在相同層。第一感測電極Tx及第二感測電極Rx設置在密封層SL上。第一感測電極Tx排列在第五方向DR5及第六方向DR6上且彼此隔開。
在第五方向DR5彼此互相隔開的第一感測電極Tx藉由第一橋件BD1互相連接。第二感測電極Rx排列在第五方向DR5及第六方向DR6及彼此互相隔開。在第六方向DR6彼此隔開的第二感測電極Rx藉由第二橋件BD2互相連接。第二橋件BD2設置在第一橋件BD1上。雖然未繪示在圖中，絕緣層可能設置在第一橋件BD1和第二橋件BD2之間。
每一個第一橋件BD1及第二橋件BD2具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。每一個第一橋件BD1及第二橋件BD2可具有複數個層，其每一層具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。包含在各第一橋件BD1及第二橋件BD2之每一層可具有約10nm至約150nm的厚度。
連接線TL1及TL2電性連接至感測電極TE。連接線TL1及TL2具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。
連接線TL1及TL2包含第一連接線TL1及第二連接線TL2。第一連接線TL1連接第一感測電極Tx及第一扇出線PO1。第二連接線TL2連接第二感測電極Rx及第二扇出線PO2。
扇出線PO1及PO2連接至連接線TL1及TL2及墊部PD1及PD2。扇出線PO1及PO2包含第一扇出線PO1及第二扇出線PO2。第一扇出線PO1連接至第一連接線TL1及第一墊部PD1。第二扇出線PO2連接至第二連接線TL2及第二墊部PD2。
第一墊部PD1及第二墊部PD2電性連接至感測電極TE。第一墊部PD1及第二墊部PD2具有約10nm至至100nm的顆粒尺寸。第一墊部PD1及第二墊部PD2可包含複數個層，其每一層具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。包含在第一墊部PD1及第二墊部PD2之每一層可具有約10nm至約150nm的厚度。
墊部PD1及PD2包含第一墊部PD1及第二墊部PD2。第一墊部PD1連接至第一扇出線PO1。第一墊部PD1電性連接至第一感測電極Tx。第二墊部PD2連接至第二扇出線PO2。第二墊部PD2電性連接至第二感測電極Rx。
第9A圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含於觸碰螢幕面板的感測電極TE之剖面圖。
參考第9A圖，感測電極TE包含複數個感測電極層TEL。感測電極TE包含兩個、三個、四個、五個或六個感測電極層TEL，但不應該局限於此。感測電極TE可包含七個或更多的感測電極層TEL。空氣層(未繪示)可提供在感測電極層TEL之間。
每一個感測電極層TEL具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。當感測電極層TEL的顆粒尺寸係小於約10nm時，感測電極層TEL的電阻增加，且因此增加驅動可撓性顯示裝置10(參考第5A圖)所需的功率消耗。當感測電極層TEL的顆粒尺寸大於約100nm時，因為顆粒尺寸過大而難以確保彎曲感測電極層TEL的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在感測電極層TEL，及降低感測電極層TEL的可靠度。
每一個感測電極層TEL具有約10nm至約150nm的厚度。當每一個感測電極層TEL的厚度小於約10nm時，即使沒有增加感測電極TE之整 體厚度，也增加感測電極層TEL的界面數量，且因此增加感測電極層TEL的電阻。因此，增加驅動可撓性顯示裝置10(參考第5A圖)所需的功率消耗。再者，當製造或提供每一個感測電極層TEL時，可能降低感測電極層TEL的可靠度。當每一個感測電極層TEL的厚度大於約150nm時，當感測電極層TEL彎曲時，難以確保感測電極層TEL的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在感測電極層TEL，及降低感測電極層TEL的可靠度。
每一個感測電極層TEL可包含金屬、金屬合金及透明導電氧化物中的至少其一，但應該不局限於此。
金屬可包含Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及Cr中之至少其一，但不局限於此。
透明導電氧化物可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦錫鋅(ITZO)中之至少其一，但不局限於此。
第9B圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之包含於觸碰螢幕面板的線路之剖面圖。
參考第9B圖，線路TL1、TL2、PO1及PO2包含複數個線路層(line layer)TLL。線路TL1、TL2、PO1及PO2包含兩個、三個、四個、五個或六個線路層TLL，但不應該局限於此。線路TL1、TL2、PO1及PO2可包含七個或更多的線路層TLL。空氣層(未繪示)可提供在線路層TLL之間。
每一個線路層TLL具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。當線路層TLL的顆粒尺寸小於約10nm時，線路層TLL的電阻增加，且因此增加驅動可撓性顯示裝置10(參考第5A圖)所需的功率消耗。當線路層TLL的顆粒尺寸 大於約100nm時，因為顆粒尺寸過大而難以確保彎曲線路層TLL的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在線路層TLL，及降低線路層TLL的可靠度。
每一個線路層TLL具有約10nm至約150nm的厚度。當每一個線路層TLL的厚度小於約10nm時，即使沒有增加線路TL1、TL2、PO1及PO2之整體厚度，也增加線路層TLL的界面數量，且因此增加線路TL1、TL2、PO1及PO2的電阻。因此，增加驅動可撓性顯示裝置10(參考第5A圖)所需的功率消耗。再者，當製造或提供每一個線路層TLL時，可能降低線路層TLL的可靠度。當每一個線路層TLL的厚度大於約150nm時，當線路層TLL彎曲時，難以確保線路層TLL的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在線路層TLL，及降低線路層TLL的可靠度。
每一個線路層TLL可包含金屬、金屬合金及透明導電氧化物中的至少其一，但應該不局限於此。
金屬可包含Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及Cr中之至少其一，但不局限於此。
透明導電氧化物可以包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦錫鋅(ITZO)中之至少其一，但不局限於此。
包含在傳統可撓性顯示裝置的導電圖案具有大於根據本例示性實施例的導電圖案的顆粒尺寸，且因此難以確保彎曲可撓性顯示裝置的可撓性。因此，當重複地彎曲或伸直傳統可撓性顯示裝置時，裂縫或斷開發生在導電圖案，且降低可撓性顯示裝置的可靠度。
再者，當在彼此相反的方向上重複地彎曲或伸直傳統可撓性顯示裝置時，由於難以確保彎曲的可撓性，因而裂縫或斷開更常發生在傳統可撓性顯示裝置。
根據本例示性實施例包含於可撓性顯示裝置之導電圖案具有上述的顆粒尺寸或包含各具有上述顆粒尺寸之導電圖案層，且因此可撓性顯示裝置可確保其彎曲的可撓性而不增加導電圖案的電阻。因此，雖然重複地彎曲或伸直可撓性顯示裝置，但可降低發生在導電圖案中的裂縫或斷開。如此，可以改善根據本例示性實施例的可撓性顯示裝置之可靠度。
再者，雖然在彼此相反的方向重複地彎曲或伸直根據本例示性實施例的可撓性顯示裝置，因為確保彎曲可撓性顯示裝置的可撓性，而可降低發生在導電圖案中的裂縫或斷開。
下文中，將詳細地描述根據本例示性實施例的可撓性顯示裝置之製造方法。
第10圖係繪示根據本揭露的例示性實施例之可撓性顯示裝置10的製造方法之流程圖。
參考第1A圖至第1C圖、第2A圖、第2B圖及第10圖，可撓性顯示裝置10的製造方法包含製備可撓性基板FB(步驟S100)及提供具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸之導電圖案CP在可撓性基板FB(步驟S200)。
可撓性基板FB可以包含塑膠材料或有機聚合物，如：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺、聚醚碸等，但不限於此。用於可撓性基板FB的材料係考慮到機械強度、熱穩定性、透明度、表面光滑性、容易操作性、防水性等而進行選擇。可撓性基板FB可為透明的。
導電圖案CP提供於可撓性基板FB上。導電圖案CP的提供(步驟S200)係藉由濺鍍金屬、金屬合金及透明導電氧化物中的至少其一來執行。舉例來說，導電圖案CP是藉由在約一至約三分鐘的時間週期期間在室溫下濺鍍金屬、金屬合金及透明導電氧化物中的至少其一所形成。
金屬可包含Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及Cr中之至少其一，但不局限於此。
透明導電氧化物可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦錫鋅(ITZO)中之至少其一，但不局限於此。
在導電圖案CP的提供(步驟S200)中，當導電圖案CP的顆粒尺寸小於約10nm時，導電圖案CP的電阻增加，且因此增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗。當導電圖案CP的顆粒尺寸大於約100nm時，因為顆粒尺寸過大而難以確保導電圖案CP的彎曲的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在導電圖案CP，及降低可撓性顯示裝置10的可靠度。
導電圖案CP的提供(步驟S200)可包含形成導電圖案層CPL，其每一層具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸。導電圖案CP的提供(步驟S200)可包含藉由濺鍍金屬、金屬合金及透明導電氧化物中之至少其一形成第一導電層；藉由濺鍍金屬、金屬合金及透明導電氧化物中之至少其一於第一導電層上而形成第二導電層；以及使用遮罩蝕刻第一導電層及第二導電層的部分，以形成導電圖案。
當導電圖案層CPL的顆粒尺寸小於約10nm時，導電圖案層CPL的電阻增加，且因此增加驅動可撓性顯示裝置10所需的功率消耗。當導電圖案層CPL的顆粒尺寸大於約100nm時，因為顆粒尺寸過大而難以確保導電圖案層 CPL的彎曲的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在導電圖案層CPL，及降低可撓性顯示裝置10的可靠度。
每一個導電圖案層CPL具有約10nm至約150nm的厚度。當每一個導電圖案層CPL的厚度小於約10nm時，即使沒有增加導電圖案CP之整體厚度，也增加導電圖案層CPL的界面數量，且因此導電圖案層CPL的電阻增加。因此，增加驅動可撓性顯示裝置10(參考第5A圖)所需的功率消耗。再者，當製造或提供每一個導電圖案層CPL時，可能下降導電圖案層CPL的可靠度。當每一個導電圖案層CPL的厚度大於約150nm時，當導電圖案層CPL彎曲時，難以確保導電圖案層CPL的可撓性。因此，裂縫或斷開發生在導電圖案層CPL，及降低導電圖案層CPL的可靠度。
每一個導電圖案層CPL可以包含金屬、金屬合金及透明導電氧化物中的至少其一，但應該不局限於此。
金屬可包含Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及Cr中之至少其一，但不局限於此。
透明導電氧化物可以包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦錫鋅(ITZO)中之至少其一，但不局限於此。
包含於傳統可撓性顯示裝置的導電圖案具有大於根據本例示性實施例的導電圖案的顆粒尺寸，且因此難以確保傳統可撓性顯示裝置的彎曲之可撓性。因此，當重複地彎曲或伸直傳統可撓性顯示裝置時，裂縫或斷開發生在導電圖案，且降低可撓性顯示裝置的可靠度。
再者，當在彼此相反的方向重複地彎曲或伸直傳統可撓性顯示裝置時，由於難以確保彎曲之可撓性，裂縫或斷開更常發生在傳統可撓性顯示裝置。
包含於根據本例示性實施例的可撓性顯示裝置之導電圖案具有上述的顆粒尺寸或包含具有上述的顆粒尺寸之導電圖案層，且因此可撓性顯示裝置可確保其彎曲的可撓性而不增加導電圖案的電阻。因此，雖然重複地彎曲或伸直可撓性顯示裝置，可降低發生在導電圖案的裂縫或斷開的可能性。如此，可以改善根據本例示性實施例的可撓性顯示裝置之可靠度。
再者，雖然在彼此相反的方向重複地彎曲或伸直根據本例示性實施例的可撓性顯示裝置，因為確保彎曲可撓性顯示裝置之可撓性，而可降低發生在導電圖案的裂縫或斷開的可能性。
下文中，根據本揭露的可撓性顯示裝置將參考各種實施例來詳細描述。
第11A圖係顯示第三實施例及第四實施例與第一比較例及第二比較例之SEM影像，第11B圖係顯示第一實施例至第三實施例及第五實施例與第一比較例及第三比較例之SEM影像，第12圖係顯示第三實施例及第四實施例與第一比較例及第二比較例之剖面照片，以及第13圖係顯示第一比較例及第三比較例由於內部彎曲及外部彎曲而斷開之照片。
第1實施例
導電圖案藉由濺鍍鋁形成在聚碳酸酯(polycarbonate,PC)基板上。絕緣層形成在導電圖案上。
第2實施例
除了導電圖案由具有約100nm的厚度之鋁形成以外，導電圖案經由跟第1實施例所示的相同製程形成。
第3實施例
濺鍍鋁在聚碳酸酯(PC)基板上的製程在約60度的溫度下、約兩分鐘的期間執行六次，以形成六層導電圖案層，且因此形成包含六層導電圖案層的導電圖案，其每一層具有約50nm的厚度。
第4實施例
除了濺鍍製程在約20度而非約60度的溫度下執行以外，導電圖案經由跟第三實施例所示的相同製程形成。
第5實施例
濺鍍銅在聚碳酸酯(PC)基板上的製程在聚碳酸酯(PC)基板上執行六次，以形成具有約50nm的厚度的導電圖案層，及形成包含六層導電圖案層的導電圖案。
第6實施例
具有約150nm的厚度的第一鋁導電圖案層係藉由濺鍍鋁在聚碳酸酯(PC)基板上所形成，具有約5nm的厚度的鈦導電圖案層係藉由濺鍍鈦在第一鋁導電圖案層上所形成，及具有約150nm的厚度的第二鋁導電圖案層係藉由濺鍍鋁在鈦導電圖案層上所形成。
第7實施例
具有約100nm的厚度的第一鋁導電圖案層係藉由濺鍍鋁在聚碳酸酯(PC)基板上所形成，具有約100nm的厚度的銅導電圖案層係藉由濺鍍銅在 第一鋁導電圖案層上所形成，及具有約100nm的厚度的第二鋁導電圖案層係藉由濺鍍鋁在銅導電圖案層上所形成。
第8實施例
具有約20nm的厚度的鈦導電圖案層係藉由濺鍍鈦在聚碳酸酯(PC)基板上所形成，具有約150nm的厚度的銅導電圖案層係藉由濺鍍銅在鈦導電圖案層上所形成，及具有約150nm的厚度的鋁導電圖案層係藉由濺鍍鋁在銅導電圖案層上所形成。
第1比較例
除了濺鍍鋁在聚碳酸酯(PC)基板上的製程在約60度的溫度、約二分鐘期間執行，及導電圖案具有約300nm的厚度以外，導電圖案經由跟第1實施例所示的相同製程形成。
第2比較例
除了濺鍍製程在約20度而非約60度的溫度下執行以外，導電圖案經由跟第1實施例所示的相同製程形成。
第3比較例
除了濺鍍鋁在聚碳酸酯(PC)基板上形成的導電圖案具有200nm的厚度以外，導電圖案經由跟第1實施例的相同製程形成。
1.測量
1)測量顆粒尺寸
顆粒尺寸藉由掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)影像的剖面來測量。SEM影像藉由使用Helios 450,FEI Co.來擷取。第1實施例至第5實施例及第1比較例至第3比較例的SEM影像如第11A圖及第11B 圖所示，及第1實施例至第3實施例、第5實施例至第8實施例及第1比較例與第2比較例的顆粒尺寸由下列表1所表示。再者，第3實施例及第4實施例與第1比較例與第2比較例的剖面照片如第12圖所示。
Figure 105116186-A0305-02-0049-1
2)測量顆粒數量
排列在約1.0平方微米(μm2)的單位面積中的顆粒數量係經由擷取第1實施例與第2實施例及第1比較例與第2比較例的導電圖案之SEM影像來測量。顆粒數量係由下列表2所表示。
Figure 105116186-A0305-02-0050-2
3)確認是否由於內部彎曲及外部彎曲而發生斷開。
確認第1實施例至第8實施例及第1比較例及第3比較例由於內部彎曲及外部彎曲造成的斷開。由於內部彎曲及外部彎曲造成第1比較例及第3比較例的斷開如第13圖所示。
4)測量由於內部彎曲及外部彎曲的電阻變化。
測量由於內部彎曲造成第1比較例及第3比較例與第1實施例、第2實施例及第5實施例之電阻變化，及由於外部彎曲造成第1比較例及第3比較例與第1實施例、第2實施例及第5實施例之電阻變化。由於內部彎曲造成的電阻變化由下列表3所表示及由於外部彎曲造成的電阻變化由下列表4所表示。
Figure 105116186-A0305-02-0050-3
Figure 105116186-A0305-02-0051-4
Figure 105116186-A0305-02-0051-5
2.測量結果
1)測量顆粒尺寸
參考第11A圖、第11B圖及第12圖及表1，第1實施例至第3實施例及第5實施例至第8實施例的每一個顆粒尺寸小於各第1比較例及第2比較例的顆粒尺寸。
2)測量顆粒數量
如表2所示，第1實施例及第2實施例的顆粒數量大於第1比較例及第2比較例的顆粒數量。
3)確認是否由於內部彎曲及外部彎曲發生斷開。
在第1實施例至第8實施例未發生由於內部彎曲及外部彎曲造成的斷開，但是在第1實施例及第3實施例由於內部彎曲及外部彎曲造成的斷開如第13圖所示。
4)測量由於內部彎曲及外部彎曲造成的電阻變化
參考表3及表4，第1實施例、第2實施例及第5實施例中由於內部彎曲及外部彎曲造成的電阻變化相對較小，但在第1比較例及第比較例中由於內部彎曲及外部彎曲造成的電阻變化相對較大。
根據上述，可降低由於彎曲造成裂縫的發生率之可能性。再者，可製造降低由於彎曲造成裂縫的發生率的可撓性顯示裝置。
雖然本文中已描述某些例示性實施例和實施方法，其他實施例和修改將從本說明中顯而易見。因此，本發明概念不侷限這些實施例，而是申請專利範圍中所述的較廣範圍及各種明顯修改和等效配置。
CP:導電圖案
GR:顆粒

Claims (8)

  1. 一種可撓性顯示裝置，其包含：一可撓性基板，其包含一彎曲部；以及一導電圖案，其包含複數個顆粒，至少一部分的該導電圖案設置在該彎曲部上，其中該導電圖案在約1.0平方微米(μm2)的每一單位面積中包含約200個顆粒至約1200個顆粒，其中，該導電圖案包含複數個導電圖案層，其中各該導電圖案層的各該複數個顆粒係具有約10nm至約100nm的顆粒尺寸，其中各該複數個顆粒係在該導電圖案層中的一層層疊並佈置為複數層。
  2. 如請求項1所述之可撓性顯示裝置，其中該導電圖案包含一金屬、該金屬的合金及一透明導電氧化物中的至少其一。
  3. 如請求項2所述之可撓性顯示裝置，其中該金屬包含Al、Cu、Ti、Mo、Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir及Cr中之至少其一。
  4. 如請求項2所述之可撓性顯示裝置，其中該透明導電氧化物包含氧化銦錫、氧化鋅銦、氧化鋅及氧化銦錫鋅中之至少其一。
  5. 如請求項1所述之可撓性顯示裝置，其中各該複數個導電圖案層具有約10nm至約150nm的厚度。
  6. 如請求項1所述之可撓性顯示裝置，其中該複數個導電圖案層包含相同材料。
  7. 如請求項1所述之可撓性顯示裝置，其中該導電圖案包含：一第一導電圖案層； 一第一空氣層，係設置在該第一導電圖案層上；一第二導電圖案層，係設置在該第一空氣層上；一第二空氣層，係設置在該第二導電圖案層上；以及一第三導電圖案層，係設置在該第二空氣層上。
  8. 如請求項7所述之可撓性顯示裝置，其中每一個該第一導電圖案層和該第三導電圖案層具有等於或大於約10nm及等於或小於約150nm的厚度，以及該第二導電圖案層具有等於或大於約5nm及等於或小於約10nm的厚度。
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