TWI729219B

TWI729219B - 一種用於阻擋層平坦化的化學機械拋光液

Info

Publication number: TWI729219B
Application number: TW106133674A
Authority: TW
Inventors: 潘依君; 荊建芬; 姚穎; 杜玲曦; 楊俊雅; 張建; 蔡鑫元; 宋凱; 王雨春
Original assignee: 大陸商安集微電子科技(上海)股份有限公司
Priority date: 2016-12-28
Filing date: 2017-09-29
Publication date: 2021-06-01
Also published as: CN108250977A; WO2018120809A1; CN108250977B; TW201823396A

Abstract

本發明提供一種用於阻擋層平坦化的化學機械拋光液，其特徵在於，包括研磨顆粒、唑類化合物、錯合劑、非離子表面活性劑和氧化劑，其中，所述非離子表面活性劑為聚乙二醇。其在較溫和的條件下具有高的阻擋層材料、介電層材料去除速率和可調的低介電材料、銅去除速率，並能在拋光過程中很好的控制碟型凹陷(Dishing)、介質層侵蝕(Erosion)、金屬腐蝕的產生，以及減少表面污染物。具有優異的市場應用前景。

Description

一種用於阻擋層平坦化的化學機械拋光液

本發明涉及半導體製造領域，尤其涉及一種可應用於阻擋層平坦化的化學機械拋光液。

目前，在積體電路製造中，隨著互連技術的標準的不斷提高、互連層數不斷增加、工藝特徵尺寸不斷縮小，對矽片表面平整度的要求也越來越高。如果不能實現平坦化，在半導體晶圓上創建複雜和密集的結構就會是非常有限的。目前，化學機械拋光方法(CMP)是可實現整個矽片平坦化的最有效的方法。CMP工藝就是使用一種含磨料的混合物和拋光墊拋光積體電路表面。在典型的化學機械拋光方法中，將襯底直接與旋轉拋光墊接觸，用一載重物在襯底背面施加壓力。在拋光期間，墊片和操作臺旋轉，同時在襯底背面保持向下的力，將磨料和化學活性溶液(通常稱為拋光液或拋光漿料)塗於墊片上，該拋光液與正在拋光的薄膜發生化學反應開始進行拋光過程。隨著積體電路技術向超深亞微米(32、28nm)方向發展，因特徵尺寸減小而導致的寄生電容愈加嚴重的影響著電路的性能，為減小這一影響，就必須採用低介電材料來降低相鄰金屬線之間的寄生電容，目前較多採用低介電材料為BD (Black Diamond)，在CMP過程中除了要嚴格控制表面污染物指標以及杜絕金屬腐蝕外，還要具有較低的碟型凹陷和拋光均一性才能保證更加可靠的電性能，特別是阻擋層的平坦化過程中需要在更短的時間和更低的壓力下快速移除阻擋層金屬，介電層氧化物並能很好的停止在低介電材料表面，形成互連線，而且對小尺寸圖形不敏感。這就對CMP提出了更高的挑戰，因為通常低介電材料為摻雜碳的二氧化矽，要控制停止層的殘留厚度，就要有很強的選擇比的調控能力，還要有很高的穩定性和易清洗等特徵。目前市場上已存在許多應用於阻擋層平坦化的化學機械拋光液，如，CN1400266公開一種鹼性阻擋層拋光液，該拋光液包含二氧化矽磨料，胺類化合物和非離子表面活性劑，其在拋光後，會對銅金屬層產生腐蝕；CN101372089A公開一種鹼性阻擋層拋光液，其含有二氧化矽磨料，腐蝕抑制劑，氧化劑，非離子氟表面活性劑，芳族磺酸氧化劑化合物，其對阻擋層拋光速率較低，拋光效率低；CN101012356A公開一種酸性阻擋層拋光液，其包含氧化劑，部分被鋁覆蓋的二氧化矽顆粒，抑制劑和錯合劑，其對銅金屬層存在嚴重的腐蝕；另外，CN104830235A公開了一種用於鈷阻擋層結構的化學機械拋光液，其含有研磨顆粒，氧化劑，金屬錯合劑，金屬緩蝕劑，表面活性劑和水，通過加入非離子表面活性劑去降低鈷的去除速率，進一步減少鈷的腐蝕，但此發明未提及拋光液對二氧化矽，低介電材料的去除效果。因此，針對現有技術中存在的問題，尋求一種能夠適合於低介電材料-銅互連制程中的阻擋層拋光，並可在較溫和的條件下實現高的阻擋層去除速率和低介電材料介面的工藝停止特性，同時能很好的控制碟型凹陷(Dishing)、介質層侵蝕(Erosion)、金屬腐蝕和表面污染物的化學機械拋光液是本行業亟待解決解決的問題。

為解決上述問題，本發明提供一種阻擋層化學機械拋光液，其在較溫和的條件下具有高的阻擋層材料、介電層材料去除速率和可調的低介電層材料、銅的去除速率，並能在拋光過程中很好的控制碟型凹陷(Dishing)、介質層侵蝕(Erosion)、金屬腐蝕的產生，以及減少表面污染物。具體地，本發明提供了一種用於阻擋層平坦化的化學機械拋光液，其包含研磨顆粒、唑類化合物、錯合劑、非離子表面活性劑和氧化劑，其中，所述非離子表面活性劑為聚乙二醇。其中，所述研磨顆粒為二氧化矽顆粒；研磨顆粒的品質百分比濃度較佳的為2~20%，更佳的為5~15%；所述的研磨顆粒的粒徑較佳的為10~250nm，更佳的為50~200nm。其中，所述唑類化合物較佳的選自下列中的一種或多種：苯並三氮唑、甲基苯並三氮唑、5-苯基四氮唑、5-氨基-四氮唑、巰基苯基四氮唑、苯並咪唑，萘並三唑和2-巰基-苯並噻唑。所述的唑類化合物的品質百分比濃度較佳的為0.001~1%，更佳的為0.01~0.5%。其中，錯合劑選自有機羧酸、有機膦酸、氨基酸和有機胺中的一種或多種，較佳的選自下列中的一種或多種：乙酸、丙酸、草酸、丙二酸、丁二酸、檸檬酸、乙二胺四乙酸、2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸、氨基三甲叉膦酸、羥基乙叉二膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、甘氨酸和/或乙二胺，所述的錯合劑的品質百分比的濃度較佳的為0.001~2%，更佳的為0.01~1%。其中，所述非離子表面活性劑選自聚乙二醇。所述聚乙二醇的分子量較佳的為200~20000，更佳的為400~10000。所述聚乙二醇的品質百分比濃度較佳的為0.001~1.0%，更佳的為0.01~0.5%。其中，所述氧化劑選自下列中的一種或多種：過氧化氫、過氧乙酸、過硫酸鉀和過硫酸銨，較佳為過氧化氫。所述的氧化劑的品質百分比濃度較佳的為0.01~5%，更佳的為0.1~2%。其中，所述化學機械拋光液的pH值為8.0~12.0，更佳的為9.0~11.0。另外，本發明的化學機械拋光液還可以包含pH調節劑和殺菌劑等添加劑。且，本發明的化學機械拋光液可以濃縮製備，使用時用去離子水稀釋並添加氧化劑至本發明的濃度範圍使用。與現有技術相比較，本發明的技術優勢在於： 1) 其在較溫和的條件下具有高的阻擋層材料、介電層材料的去除速率和可調的低介電材料、銅的去除速率； 2) 其能在拋光過程中很好的控制碟型凹陷(Dishing)、介質層侵蝕(Erosion)、金屬腐蝕的產生，以及減少表面污染物。 3) 其可濃縮製備，方便儲存以及運輸和使用。

下面通過實施例的方式進一步說明本發明，但並不以此將本發明限制在所述的實施例範圍之中。表1給出了對比拋光液1~2和本發明的拋光液1~13的配方，按表中所給的配方，將除氧化劑以外的其他組分混合均勻，用KOH或HNO₃ 調節到所需要的pH值。使用前加氧化劑，混合均勻即可。水為餘量。表1 對比拋光液1~2和本發明的拋光液1~13

效果實施例1 採用對比拋光液1~2和本發明的拋光液1~9按照下述條件對銅(Cu)、阻擋層材料鉭(Ta)、介電材料二氧化矽(TEOS)和低介電材料(BD)進行拋光。拋光條件：拋光機台為12” Reflexion LK 機台，拋光墊為Fujibo pad，下壓力為1.5psi，轉速為拋光盤/拋光頭=113/107rpm，拋光液流速為300ml/min，拋光時間為1min。表2 對比拋光液1~2和本發明拋光液1~9對銅(Cu)、鉭(Ta)、二氧化矽(TEOS)和低介電材料(BD)的去除速率

由表2可見，與對比拋光液1與2相比，本發明的拋光液可以獲得較高的阻擋層材料Ta和介電層材料二氧化矽(TEOS)的去除速率，可以縮短拋光時間，提高產能，同時通過添加不同量的聚乙二醇表面活性劑，將低介電材料BD的去除速率控制在比二氧化矽TEOS低，有利於控制圖形晶片的拋光過程和拋光後的低介電材料BD剩餘厚度，並保證晶片的表面均一性。效果實施例2 採用對比拋光液2和本發明的拋光液1~3按照下述條件對帶有圖案的銅晶片進行拋光。該圖形晶片為市售的12英寸Sematech754圖形晶片，膜層材料從上至下為銅/鉭/氮化鉭/TEOS/BD，拋光過程分三步，第一步用市售的銅拋光液去除大部分的銅，第二步用市售的銅拋光液去除殘留的銅，第三步用本發明的阻擋層拋光液將阻擋層(鉭/氮化鉭)、二氧化矽TEOS、和部分低介電材料BD去除並停在BD層上。阻擋層拋光液拋光條件：拋光機台為12”Reflexion LK機台，拋光墊為Fujibo pad，下壓力為1.5psi，轉速為拋光盤/拋光頭=113/107rpm，拋光液流速為300ml/min，拋光時間為70s。表3 對比拋光液2和本發明拋光液1~3對帶有圖案的銅晶片拋光後的矯正能力對比

其中，上文中所述Dishing，是指阻擋層拋光前在金屬墊上的碟型凹陷，Erosion是指阻擋層線上寬為0.18微米，密度為50%的密線區域(50%銅/50%介電層)上的介質層侵蝕，∆(埃)是指拋光後的矯正能力值。由表3可以看出，與對比拋光液2相比，本發明的拋光液由於抑制了低介電材料BD的去除速率，能很好地停止在BD上，有效的控制了圖形晶片的拋光過程和保證了拋光後的BD剩餘厚度，能較好的修正前程(銅拋光後)在晶圓上產生的碟型凹陷和介質層侵蝕，獲得了較好的晶圓形貌。效果實施例3 採用對比拋光液1和拋光液1按照下述條件對帶有圖案的銅晶片進行拋光。該圖形晶片為市售的12英寸Sematech754圖形晶片，膜層材料從上至下為銅/鉭/氮化鉭/TEOS/BD，拋光過程分三步，第一步用市售的銅拋光液去除大部分的銅，第二步用市售的銅拋光液去除殘留的銅，第三步用本發明的阻擋層拋光液將阻擋層(鉭/氮化鉭)、二氧化矽TEOS、和部分低介電材料BD去除並停在BD層上。圖1和圖2分別採用對比拋光液1和拋光液1拋光後Sematech 754圖形測試晶圓的表面形貌的SEM圖。對比可以看出，本發明的拋光液有效的抑制了金屬腐蝕，特別是對銅線區域有很好的保護，圖形片經過本發明的拋光液拋光後，表面仍然清晰銳利，未發現金屬腐蝕現象，且無污染顆粒殘留。應當注意的是，本發明的實施例有較佳的實施性，且並非對本發明作任何形式的限制，任何熟悉該領域的技術人員可能利用上述揭示的技術內容變更或修飾為等同的有效實施例，但凡未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何修改或等同變化及修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。

圖1為採用對比拋光液1拋光後Sematech754圖形晶片的表面形貌的SEM圖；圖2為採用拋光液1拋光後Sematech754圖形晶片的表面形貌的SEM圖。

Claims

一種用於阻擋層平坦化的化學機械拋光液，其由研磨顆粒、唑類化合物、錯合劑、非離子表面活性劑、氧化劑、水，以及KOH或HNO₃組成，其中，所述非離子表面活性劑為聚乙二醇，所述化學機械拋光液的pH值為8.0~12.0，所述錯合劑的質量百分比的含量為0.001~2%。
如請求項1所述的化學機械拋光液，其中所述研磨顆粒為二氧化矽顆粒，所述研磨顆粒的質量百分比含量為2~20%，所述的研磨顆粒的粒徑較佳的為10~250nm。
如請求項2所述的化學機械拋光液，其中所述研磨顆粒的質量百分比含量為5~15%，所述研磨顆粒的粒徑為50~200nm。
如請求項1所述的化學機械拋光液，其中所述唑類化合物選自苯並三氮唑、甲基苯並三氮唑、5-苯基四氮唑、5-氨基-四氮唑、巰基苯基四氮唑、苯並咪唑，萘並三唑和2-巰基-苯並噻唑中的一種或多種。
如請求項1或4所述的化學機械拋光液，其中所述所述唑類化合物的質量百分比含量為0.001~1%。
如請求項5所述的化學機械拋光液，其中所述唑類化合物的質量百分比含量為0.01~0.5%。
如請求項1所述的化學機械拋光液，其中所述錯合劑選自有機羧酸、有機膦酸、氨基酸和有機胺中的一種或多種。
如請求項7所述的化學機械拋光液，其中所述錯合劑選自乙酸、丙酸、草酸、丙二酸、丁二酸、檸檬酸、乙二胺四乙酸、2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸、氨基三甲叉膦酸、羥基乙叉二膦酸、乙二胺四甲叉膦酸，甘氨酸和乙二胺中的一種或多種。
如請求項1所述的化學機械拋光液，其中所述錯合劑的質量百分比含量為0.01~1%。
如請求項1所述的化學機械拋光液，其中所述聚乙二醇的分子量為200~20000。
如請求項10所述的化學機械拋光液，其中所述聚乙二醇的分子量為400~10000。
如請求項1所述的化學機械拋光液，其中所述聚乙二醇的質量百分比含量為0.001~1.0%。
如請求項12所述的化學機械拋光液，其中所述聚乙二醇的質量百分比含量為0.01~0.5%。
如請求項1所述的化學機械拋光液，其中所述氧化劑選自過氧化氫、過氧乙酸，過硫酸鉀和過硫酸銨中的一種或多種。
如請求項1所述的化學機械拋光液，其中所述氧化劑的質量百分比含量為0.01~5%。
如請求項15所述的化學機械拋光液，其中所述氧化劑的質量百分比含量為0.1~2%。
如請求項1所述的化學機械拋光液，其中所述化學機械拋光液的pH值為9.0~11.0。