TWI723359B - 附黏著劑層之偏光薄膜及影像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種具有異形之附黏著劑層之偏光薄膜，其可減少偏光件產生裂痕，且可抑制黏著劑層剝落及發泡以及偏光薄膜翹曲。本發明之附黏著劑層之偏光薄膜係具有偏光薄膜與位於前述偏光薄膜之一面的黏著劑層者；前述附黏著劑層之偏光薄膜具有矩形以外之異形；於前述偏光薄膜之不具有黏著劑層的面，將應變計貼附成測定軸與前述偏光薄膜之吸收軸呈正交並測定應變量時，在-40℃下之應變量與在85℃下之應變量之差為3000μ ε以下；且前述黏著劑層在85℃下之潛變值為15μm以上且600μm以下。

Description

附黏著劑層之偏光薄膜及影像顯示裝置
本發明係有關於一種具有偏光薄膜與黏著劑層的附黏著劑層之偏光薄膜。又，本發明係有關於一種包含前述附黏著劑層之偏光薄膜的影像顯示裝置。
發明背景
在各種影像顯示裝置中，為了顯示影像，一般係使用偏光薄膜。譬如液晶顯示裝置(LCD)由其影像形成方式來看，於形成液晶面板表面之玻璃基板兩側配置偏光薄膜係必要不可或缺的。且，在有機EL顯示裝置上，為了遮蔽在金屬電極的外光的鏡面反射，會於有機發光層的視辨側配置積層有偏光薄膜與1/4波長板之圓偏光薄膜。
前述偏光薄膜一般係使用於由聚乙烯醇系薄膜與碘等二色性材料構成之偏光件單面或兩面透過聚乙烯醇系接著劑等而貼合有保護薄膜者。
前述偏光薄膜在熱衝擊(例如反覆以-40℃與85℃之溫度條件進行熱衝擊試驗)之嚴酷環境下，會因偏光件的收縮應力之變化，而有易於偏光件之吸收軸方向整體產生裂痕(貫穿性裂痕)之問題。
專利文獻1中，以提供一種即使在冷熱衝擊環境下耐久性仍優異的偏光板為目的，而提出了一種偏光 板，其係於偏光薄膜之兩面配置透明保護薄膜而成者且特徵在於：前述偏光薄膜之與吸收軸正交的方向之線膨脹係數、及配置在前述偏光薄膜之至少一面的前述透明保護薄膜之與偏光板之吸收軸正交的方向之線膨脹係數之差為1.3×10-4/℃以下。又，近年會將偏光薄膜加工而製造出具有矩形以外之異形的偏光薄膜，專利文獻2中即揭示了將偏光薄膜加工成異形之方法。並且，在專利文獻3中，係使偏光薄膜所用保護薄膜含有具異形性之無機粒子，藉以改善偏光薄膜之異形衝孔性與衝孔後之異形偏光薄膜在熱循環試驗後之裂痕耐久性。
先行技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2011-203571號公報
專利文獻2：日本特開2017-151191號公報
專利文獻3：日本特開2017-97111號公報
發明概要
惟，預測今後異形偏光薄膜之形狀不僅有如專利文獻2之圖1般的單純圓形或如專利文獻3般僅具有和緩曲率的車載儀表用之形狀，還更會具有複雜形狀。具體而言係於偏光薄膜之外周部的一部分包含曲線之異形偏光薄膜、或是更於面內具有孔或於外周部具有U字型、V字型等凹口的異形偏光薄膜。此外還有於偏光薄膜之外周部具有多個 凹口的異形偏光薄膜。
具有所述複雜形狀之異形偏光薄膜因偏光薄膜膨脹及收縮所造成之應力集中亦會複雜化，而推測其在熱衝擊之嚴酷環境下，相較於以往偏光件會更容易產生裂痕。
本發明人等有鑑於上述問題，著眼於用於異形偏光薄膜之黏著劑層，研討如何減少具有複雜形狀之異形偏光薄膜產生裂痕。於是，經過本發明人等積極研討，結果發現一種附黏著劑層之偏光薄膜，其不僅可減少異形偏光薄膜產生裂痕，還可良好抑制黏著劑層從異形偏光薄膜剝落、黏著劑層發泡及異形偏光薄膜翹曲。
本發明之目的在於提供一種具有異形之附黏著劑層之偏光薄膜，其可減少偏光件產生裂痕，且可抑制黏著劑層剝落及發泡以及偏光薄膜翹曲。
經過本發明人等積極研討，結果發現藉由將附黏著劑層之偏光薄膜在-40℃下之應變量與在85℃下之應變量之差控制在特定數值範圍內，且將附黏著劑層之偏光薄膜的黏著劑層之潛變值控制在特定範圍內，可解決上述課題，遂而完成本發明。
即，本發明由以下構成所構成。
[1]一種附黏著劑層之偏光薄膜，具有偏光薄膜與位於前述偏光薄膜之一面的黏著劑層，且其特徵在於：前述附黏著劑層之偏光薄膜具有矩形以外之異形； 於前述偏光薄膜之不具有黏著劑層的面，將應變計貼附成測定軸與前述偏光薄膜之吸收軸呈正交並測定應變量時，在-40℃下之應變量與在85℃下之應變量之差為3000μ ε以下；且前述黏著劑層在85℃下之潛變值為15μm以上且600μm以下。
[2]如[1]之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述在-40℃下之應變量為-4000μ ε以上。
[3]如[1]或[2]之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述偏光薄膜至少具有偏光件與第1保護薄膜，前述第1保護薄膜設置於前述偏光件與前述黏著劑層之間，且前述第1保護薄膜之線膨脹係數為7.0×10-5/K以下。
[4]如[3]之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述第1保護薄膜係以纖維素系聚合物形成。
[5]如[1]至[4]中任一項之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述黏著劑層之厚度為2μm以上且30μm以下。
[6]一種影像顯示裝置，其特徵在於：具有如[1]至[5]中任一項之附黏著劑層之偏光薄膜。
根據本發明之附黏著劑層之偏光薄膜之第1實施態樣，藉由將附黏著劑層之偏光薄膜在-40℃下之應變量與在85℃下之應變量之差控制在特定數值範圍內，且將附黏著劑層之偏光薄膜的黏著劑層之潛變值控制在特定範圍 內，在製成具有異形之偏光薄膜後，不僅可減少偏光件產生裂痕，還可良好抑制黏著劑層從異形偏光薄膜剝落、黏著劑層發泡及異形偏光薄膜翹曲。
根據本發明之附黏著劑層之偏光薄膜之第2實施態樣，藉由將附黏著劑層之偏光薄膜在-40℃下之應變量(最大應變量)設為-4000μ ε以上，可使減少裂痕產生之效果更加顯著，具體而言，可使產生裂痕為止前的耐受熱衝擊次數大幅增加，而可在溫度變化劇烈之環境下更長期地使用。
根據本發明之附黏著劑層之偏光薄膜之第3實施態樣，藉由將設於黏著劑層與偏光件之間的第1保護薄膜之線膨脹係數控制在7.0×10-5/K以下，可使產生裂痕為止前的耐受熱衝擊次數更大幅增加，而可在溫度變化劇烈之環境下更長期地使用。
1:偏光薄膜之吸收軸與透射軸
2:應變計
圖1係顯示本發明於實施例製造之於外周部具有U凹口的附黏著劑層之偏光薄膜之圖。
圖2係測定本發明具有異形的附黏著劑層之偏光薄膜的應變量時之模型之圖。
圖3係顯示本發明之於外周部具有U凹口的附黏著劑層之偏光薄膜之一態樣之圖。
圖4係顯示本發明之於外周部具有U凹口的附黏著劑層之偏光薄膜之一態樣之圖。
圖5係顯示本發明之於外周部具有U凹口的附黏著劑 層之偏光薄膜之一態樣之圖。
圖6係顯示本發明之於外周部具有U凹口的附黏著劑層之偏光薄膜之一態樣之圖。
圖7係顯示本發明之於面內具有圓形孔的附黏著劑層之偏光薄膜之一態樣之圖。
圖8係顯示本發明之於面內具有圓形孔的附黏著劑層之偏光薄膜之一態樣之圖。
圖9係顯示本發明之於面內具有圓形孔的附黏著劑層之偏光薄膜之一態樣之圖。
圖10係顯示本發明之外周部由曲線與V凹口形成且於面內具有圓形孔的附黏著劑層之偏光薄膜之一態樣之圖。
用以實施發明之形態
以下詳細說明本發明，惟本發明不受以下實施形態限定，可在不脫離本發明要旨之範圍內任意變更並實施。
<1.附黏著劑層之偏光薄膜>
本發明之附黏著劑層之偏光薄膜係具有偏光薄膜與位於前述偏光薄膜之一面的黏著劑層者，且其特徵在於：前述附黏著劑層之偏光薄膜具有矩形以外之異形；於前述偏光薄膜之不具有黏著劑層的面，將應變計貼物成測定軸與前述偏光薄膜之吸收軸呈正交並測定應變量時，在-40℃下之應變量與在85℃下之應變量之差為3000μ ε以下；且前述黏著劑層在85℃下之潛變值為15μm以上且600μm以下。
(1-1.具有矩形以外之異形的附黏著劑層之偏光薄膜)
「具有矩形以外之異形的附黏著劑層之偏光薄膜」係指以如以往之平面形狀為矩形(長方形)之偏光薄膜(矩形偏光薄膜)為標準時，為具有平面形狀為矩形以外之形狀的附有黏著劑層之偏光薄膜。所述「具有矩形以外之異形的附黏著劑層之偏光薄膜」(以下有時稱為「異形偏光薄膜」)相對於如以往之平面形狀(顯示面)為矩形(長方形)者(矩形顯示面板)，係用於平面形狀(顯示面)為矩形以外之「異形顯示面板」。異形偏光薄膜舉例而言可配合使用於智慧型手錶或車載儀表等的異形顯示面板之形狀，而製成例如圓形、橢圓形、多角形(例如三角形、五角形、六角形及八角形等)、於矩形之四個角部之中至少有一個角部設有圓弧或切口之形狀、於矩形之外周部的一部分設有U字型、V字型等凹口(缺口)等之形狀、於面內設有一個或兩個以上圓形孔之形狀、以曲線與V凹口形成外周部之形狀、組合該等形狀之中的兩種以上而成之形狀等自由形狀。
本發明異形偏光薄膜具有例如圖3~圖10所例示般之形狀。
又，本發明之異形偏光薄膜係如圖7所示，可採吸收軸及透射軸分別與長邊及短邊平行之形態、以及吸收軸及透射軸分別與長邊及短邊呈45°角度之形態等。
製造本發明之異形偏光薄膜之方法可舉例如雷射、端銑刀及刀模衝孔等。於製作矩形之附黏著劑層 之偏光薄膜後，使用前述方法加工成矩形以外之異形而製得異形偏光薄膜。
(1-2.於-40℃下之應變量與於85℃下之應變量的差)
本發明之異形偏光薄膜於前述偏光薄膜之不具有黏著劑層的面，將應變計貼附成測定軸與前述偏光薄膜之吸收軸呈正交並測定應變量時，在-40℃下之應變量與在85℃下之應變量之差(以下有時稱為「應變量之差」)為3000μ ε以下。前述應變量的差可從於85℃下之應變量減去於-40℃下之應變量而求得。
於此，將前述應變量的差控制在3000μ ε以下之方法可舉例如將黏著劑層在85℃下之儲存彈性模數及黏著劑層的厚度調整成預定範圍之方法。更抑制前述應變量的差的方法除了調整黏著劑層在85℃下之儲存彈性模數及黏著劑層的厚度，還可舉將設於偏光件與黏著劑層之間的第1保護薄膜的線膨脹係數調整成預定範圍之方法。
更具體而言，藉由將黏著劑層在85℃下之儲存彈性模數設為5.0×104Pa以上且將黏著劑層之厚度設為30μm以下，可控制在前述應變量的差的範圍。又，當於偏光件與黏著劑層之間設置第1保護薄膜時，藉由將前述第1保護薄膜之線膨脹係數設為7.0×10-5/K以下，可更抑制上述應變量的差。
就用以將前述黏著劑層在85℃下之儲存彈 性模數設為5.0×104Pa以上之方法的態樣，將於後述(2-6.黏著劑層在85℃下之儲存彈性模數)詳述。
本發明應變量的差只要在3000μ ε以下則無特別限定，而宜為2500μ ε以下，以2000μ ε以下為佳，1500μ ε以下更佳，1000μ ε以下尤佳，500μ ε以下最佳。藉由將應變量之差控制在上述範圍內，可使產生裂痕為止前的熱衝擊試驗次數增加。亦即，即使在溫度變化劇烈之環境下，仍可長期良好使用異形顯示面板。
又，本發明中，於-40℃下之應變量只要滿足前述應變量的差的範圍則無特別限定，通常為-4500μ ε以上，宜為-4000μ ε以上，且以-3000μ ε以上為佳，由更降低裂痕發生之觀點，-2500以上更佳。另一方面，於-40℃下之應變量之上限通常為0μ ε。於-40℃下之應變量若過大，則有裂痕惡化之虞。其係因在85℃至-40℃的溫度變化間，相對於收縮前之偏光薄膜，達到-40℃時偏光薄膜之收縮幅度最大之故。
(1-3.黏著劑層在85℃下之潛變值)
本發明異形偏光薄膜中，前述黏著劑層在85℃下之潛變值(以下有時稱為「潛變值」)為15μm以上且600μm以下。
在此，將潛變值控制在15μm以上且600μm以下之範圍內的方法詳如後述，而可舉例如為了使其不脫離前述應變量之範圍而將熟化處理後之凝膠分率控制在70%以上且93%以下之範圍內的方法。為了使其不脫離前 述應變量之範圍而用以將前述熟化處理後之凝膠分率控制在70%以上且93%以下之範圍內的方法將於(2-7.熟化處理後之凝膠分率)中詳述。
本發明之潛變值只要為15μm以上且600μm以下則無特別限定，惟潛變值之下限宜為30μm以上，且60μm以上更佳。另一方面，潛變值之上限宜為300μm以下，且200μm以下更佳，150μm以下尤佳。潛變值之下限若小於15μm，則黏著劑之應力鬆弛性會變低，因此會有面板翹曲變大、或變得容易在實施例所記載之耐久性試驗中發生黏著劑層剝落之虞。又，潛變值之上限若大於600μm，則黏著劑層會變得凝聚力不足，而有在實施例所記載之耐久性試驗中發生發泡、或變得容易產生殘膠或凹痕，造成加工性降低之虞。
<2.黏著劑層>
本發明附黏著劑層之偏光薄膜的黏著劑層係由至少含有含(甲基)丙烯酸烷基酯之(甲基)丙烯酸系聚合物(A)作為單體單元的黏著劑組成物所形成。
(2-1.(甲基)丙烯酸系聚合物(A))
本發明之(甲基)丙烯酸系聚合物(A)含有前述(甲基)丙烯酸烷基酯作為主成分。另，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之(甲基)亦為同義。
構成前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之主骨架的前述(甲基)丙烯酸烷基酯，可舉直鏈狀或支鏈狀烷基的碳數1~18者。前述烷基可舉例如甲基、乙基、丙基、異 丙基、丁基、異丁基、戊基、己基、環己基、庚基、2-乙基己基、異辛基、壬基、癸基、異癸基、十二基、異肉豆蔻基、月桂基、十三基、十五基、十六基、十七基、十八基等。前述(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用或可組合使用。前述烷基的平均碳數宜為3~9。
前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之構成單體除前述(甲基)丙烯酸烷基酯外，還可含有含羧基之單體(a1)、含羥基之單體(a2)等共聚單體。前述共聚單體可單獨使用或可組合使用。
前述含羧基之單體(a1)係一於其結構中含有羧基且含有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性不飽和雙鍵之化合物。前述含羧基之單體可舉例如(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、伊康酸、馬來酸、延胡索酸、巴豆酸等。其中由改善共聚性、價格及黏著劑層之黏著特性之觀點，宜為丙烯酸。
使用前述含羧基之單體(a1)作為前述單體成分時，前述含羧基之單體(a1)的含量於形成前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之總單體成分中通常佔0.01重量%以上且10重量%以下。
前述含羥基之單體(a2)係一於其結構中含有羥基且含有(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性不飽和雙鍵之化合物。前述含羥基之單體可舉例如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯 酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；(4-羥甲基環己基)-甲基丙烯酸酯等。該等中由使黏著劑層之耐久性提升之觀點，宜為(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯，且以(甲基)丙烯酸4-羥丁酯為佳。
使用前述含羥基之單體(a2)作為前述單體成分時，前述含羥基之單體(a2)的含量於形成前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之總單體成分中通常佔0.01重量%以上且10重量%以下。
前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)宜含有均聚物之玻璃轉移溫度為0℃以上的具有不飽和碳雙鍵之單體作為構成單體。均聚物之玻璃轉移溫度為0℃以上的具有不飽和碳雙鍵之單體(a3)可舉如(甲基)丙烯酸烷基酯單體、(甲基)丙烯酸。前述單體(a3)宜為均聚物之玻璃轉移溫度為20℃以上的具有不飽和碳雙鍵之單體，且均聚物之玻璃轉移溫度為40℃以上的具有不飽和碳雙鍵之單體更佳。
前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)中，含有前述單體(a3)之比率並無特別限定，惟通常為0.1~20重量%，且較佳為1~15重量%。此外，併用2種以上前述單體(a3)時，為合計之重量%。
前述單體(a3)可舉例如丙烯酸甲酯(Tg：8℃)、甲基丙烯酸甲酯(Tg：105℃)、甲基丙烯酸乙酯(Tg：65℃)、丙烯酸正丙酯(Tg：3℃)、甲基丙烯酸正丙酯(Tg： 35℃)、丙烯酸正戊酯(Tg：22℃)、丙烯酸正十四酯(Tg：24℃)、丙烯酸正十六酯(Tg：35℃)、甲基丙烯酸正十六酯(Tg：15℃)、丙烯酸正十八酯(Tg：30℃)及甲基丙烯酸正十八酯(Tg：38℃)等(甲基)丙烯酸直鏈烷基酯；丙烯酸三級丁酯(Tg：43℃)、甲基丙烯酸三級丁酯(Tg：48℃)、甲基丙烯酸異丙酯(Tg：81℃)及甲基丙烯酸異丁酯(Tg：48℃)等(甲基)丙烯酸支鏈烷基酯；丙烯酸環己酯(Tg：19℃)、甲基丙烯酸環己酯(Tg：65℃)、丙烯酸異莰酯(Tg：94℃)及甲基丙烯酸異莰酯(Tg：180℃)等(甲基)丙烯酸環狀烷基酯；丙烯酸(Tg：106℃)等。該等可單獨使用或可組合使用。
前述共聚單體在前述黏著劑組成物含有後述交聯劑時會成為其與交聯劑的反應點。前述含羧基之單體及含羥基之單體在分子間與交聯劑之反應性佳，故適宜用於提升所製得黏著劑層之凝集性及耐熱性。就兼具耐久性與重工性之觀點而言，前述含羧基之單體較為理想，而就使重工性提升之觀點而言，以前述含羥基之單體較為理想。
本發明中，前述(甲基)丙烯酸烷基酯在用以形成前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)的總單體成分中，由提升黏著劑層的接著性之觀點，宜為50重量%以上，而該(甲基)丙烯酸烷基酯以外的單體剩餘部分可任意設定。
本發明中，前述單體成分除了前述(甲基)丙烯酸烷基酯及前述共聚單體之外，出於改善黏著劑層的接 著性、耐熱性之目的，亦可使用具有具(甲基)丙烯醯基或乙烯基等不飽和雙鍵的聚合性官能基之其他共聚單體。前述其他共聚單體可單獨使用或可組合使用。
(2-2.(甲基)丙烯酸系聚合物(A)的製造方法)
前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之製造，可適當選擇溶液聚合、電子射線或UV等放射線聚合、塊狀聚合、乳化聚合等各種自由基聚合等之公知製造方法。又，所得(甲基)丙烯酸系聚合物(A)可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等之任一者。
另，在前述溶液聚合中，聚合溶劑可使用例如乙酸乙酯、甲苯等。作為溶液聚合之具體例，反應可在氮等非活性氣體氣流下添加聚合引發劑，並通常在50~70℃左右、5~30小時左右之反應條件下進行。
前述自由基聚合所用之聚合引發劑、鏈轉移劑、乳化劑等並無特別限定，可適當選用。此外，前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量可藉由聚合引發劑、鏈轉移劑的使用量及反應條件來控制，並可因應其等之種類來適當調整其使用量。
作為前述聚合引發劑，可列舉例如2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽、2,2’-偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2’-偶氮雙(2-甲基丙脒)二硫酸鹽、2,2’-偶氮雙(N,N’-二亞甲基異丁基脒)、2,2’-偶氮雙[N-(2-羧乙基)-2-甲基丙 脒]水合物(和光純藥公司製，VA-057)等之偶氮系引發劑、過硫酸鉀、過硫酸銨等之過硫酸鹽、二(2-乙基己基)過氧化二碳酸酯、二(4-三級丁基環己基)過氧化二碳酸酯、二-二級丁基過氧化二碳酸酯、過氧化新癸酸三級丁酯、過氧化三甲基乙酸三級己酯、過氧化三甲基乙酸三級丁酯、二月桂醯基過氧化物、二-正辛醯基過氧化物、1,1,3,3-四甲基丁基過氧基-2-乙基己酸酯、二(4-甲基苯甲醯基)過氧化物、二苯甲醯基過氧化物、過異丁酸三級丁酯、1,1-二(三級己基過氧基)環己烷、三級丁基過氧化氫、過氧化氫等的過氧化物系引發劑、過硫酸鹽與亞硫酸氫鈉之組合、過氧化物與抗壞血酸鈉的組合等過氧化物與還原劑組合而成之氧化還原系引發劑等，但不受限於該等。
前述聚合引發劑可單獨使用或可組合使用，但整體使用量相對於單體成分100重量份，宜為0.005~1重量份左右，更宜為0.01~0.5重量份左右。
作為前述鏈轉移劑，可列舉例如月桂基硫醇、環氧丙基硫醇、巰乙酸、2-巰基乙醇、氫硫乙酸、氫硫乙酸2-乙基己酯、2,3-二巰基-1-丙醇等。前述鏈轉移劑可單獨使用，亦可將2種以上混合使用，但整體使用量相對於單體成分100重量份，為0.1重量份左右以下。
進行前述乳化聚合時所用乳化劑，可列舉例如月桂基硫酸鈉、月桂基硫酸銨、十二基苯磺酸鈉、聚氧伸乙基烷基醚硫酸銨、聚氧伸乙基烷基苯基醚硫酸鈉等之陰離子系乳化劑，聚氧伸乙基烷基醚、聚氧伸乙基烷基苯 基醚、聚氧伸乙基脂肪酸酯、聚氧伸乙基-聚氧伸丙基嵌段聚合物等之非離子系乳化劑等。前述乳化劑可單獨使用或可組合使用。
作為前述反應性乳化劑，以導入丙烯基、烯丙基醚基等自由基聚合性官能基之乳化劑來說，具體而言可舉例如Aqualon HS-10、HS-20、KH-10、BC-05、BC-10、BC-20(以上皆為第一工業製藥公司製)、ADEKA REASOAP SE10N(ADEKA公司製)等。由於前述反應性乳化劑在聚合後會組入聚合物鏈，故耐水性良好而為佳。乳化劑的使用量相對於單體成分總量100重量份為0.3~5重量份，而由聚合穩定性及機械穩定性來看宜為0.5~1重量份。
利用放射線聚合來製造前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)時，可藉由照射電子射線、UV等放射線將前述單體成分進行聚合來製造。以電子射線進行前述放射線聚合時，無須特別使前述單體成分含有光聚合引發劑，但以UV聚合進行放射線聚合時，若特別從可縮短聚合時間的優點等而言，可使單體成分含有光聚合引發劑。前述光聚合引發劑可單獨使用或可組合使用。
前述光聚合引發劑只要是可引發光聚合者即無特別限制，可使用一般使用的光聚合引發劑。例如可使用苯偶姻醚系、苯乙酮系、α-酮醇系、光活性肟系、苯偶姻系、苯甲基系、二苯基酮系、縮酮系、9-氧硫
Figure 108110481-A0305-02-0018-6
系等。前述光聚合引發劑的使用量相對於單體成分100重量 份，宜為0.05~1.5重量份，更宜為0.1~1重量份。前述光聚合引發劑可單獨使用或可組合使用。
前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)通常使用重量平均分子量為50萬~250萬之物。此外，重量平均分子量可利用GPC(凝膠滲透層析儀；Gel Permeation Chromatography)測定，從以苯乙烯換算所算出的數值求得。
(2-3.含反應性官能基之矽烷耦合劑)
本發明之黏著劑組成物可含有含反應性官能基之矽烷耦合劑。前述含反應性官能基之矽烷耦合劑中，前述反應性官能基為酸酐基以外之官能基。前述酸酐基以外的官能基宜為環氧基、巰基、胺基、異氰酸酯基、三聚異氰酸酯基、乙烯基、苯乙烯基、乙醯乙醯基、脲基、硫脲基、(甲基)丙烯醯基及雜環基中之任1者以上。前述含反應性官能基之矽烷耦合劑可單獨使用或可組合使用。
含反應性官能基之矽烷耦合劑可舉例如：3-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等含環氧基之矽烷耦合劑；3-巰丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰丙基三甲氧基矽烷等含巰基之矽烷耦合劑；3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙胺、N-苯基-γ-胺丙基三甲氧基矽烷等含胺基之矽烷耦合劑；3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等含異氰酸酯基 之矽烷耦合劑；乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等含乙烯基之矽烷耦合劑；對苯乙烯基三甲氧基矽烷等含苯乙烯基之矽烷耦合劑；3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等含(甲基)丙烯醯基之矽烷耦合劑等。且該等中以含環氧基之矽烷耦合劑、含巰基之矽烷耦合劑為佳。
又，前述含反應性官能基之矽烷耦合劑亦可使用於分子內具有多個烷氧矽基者(寡聚物型矽烷耦合劑)。具體而言可舉例如：信越化學公司製之含環氧基之寡聚物型矽烷耦合劑，商品名「X-41-1053」、「X-41-1059A」、「X-41-1056」、「X-40-2651」；含巰基之寡聚物型矽烷耦合劑「X-41-1818」、「X-41-1810」、「X-41-1805」等。前述寡聚物型矽烷耦合劑由於不易揮發且具有多個烷氧矽基，因此可有效提升耐久性而較為理想。
於前述黏著劑組成物中摻混前述含反應性官能基之矽烷耦合劑時，前述含反應性官能基之矽烷耦合劑的含量相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)100重量份通常為0.001重量份以上且5重量份以下。
(2-4.交聯劑)
本發明之黏著劑組成物可含有交聯劑。前述交聯劑可使用有機系交聯劑、多官能性金屬螯合物等。前述有機系交聯劑可舉例如異氰酸酯系交聯劑、過氧化物系交聯劑、環氧系交聯劑、亞胺系交聯劑等。前述多官能性金屬螯合 物是多價金屬與有機化合物共價鍵結或配位鍵結之物。前述多價金屬原子可舉如Al、Cr、Zr、Co、Cu、Fe、Ni、V、Zn、In、Ca、Mg、Mn、Y、Ce、Sr、Ba、Mo、La、Sn、Ti等。有機化合物中可共價鍵結或配位鍵結之原子可舉如氧原子等，有機化合物可舉如烷基酯、醇化合物、羧酸化合物、醚化合物、酮化合物等。前述交聯劑可單獨使用或可組合使用。
交聯劑更宜使用異氰酸酯系交聯劑及/或過氧化物系交聯劑，且併用異氰酸酯系交聯劑與過氧化物系交聯劑更佳。
前述異氰酸酯系交聯劑可使用至少具有2個異氰酸酯基(包含藉由封端劑或多聚物化等暫時保護了異氰酸酯基的異氰酸酯再生型官能基)的化合物。例如，一般會使用胺甲酸酯化反應所用之公知的脂肪族聚異氰酸酯、脂環族聚異氰酸酯、芳香族聚異氰酸酯等。
前述脂肪族聚異氰酸酯可舉例如三亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、五亞甲基二異氰酸酯、1,2-伸丙基二異氰酸酯、1,3-伸丁基二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯、2,4,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯等。
前述脂環族異氰酸酯可舉例如1,3-環戊烯二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、加氫二苯甲烷二異氰酸酯、加氫伸茬基二異氰酸酯、加氫二異氰酸甲苯酯、加氫四甲基伸 茬基二異氰酸酯等。
前述芳香族二異氰酸酯可舉例如二異氰酸伸苯酯、2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰酸甲苯酯、2,2’-二苯甲烷二異氰酸酯、4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯、4,4’-甲苯胺二異氰酸酯、4,4’-二苯基醚二異氰酸酯、4,4’-二苯基二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、伸茬基二異氰酸酯等。
又，前述異氰酸酯系交聯劑可舉上述二異氰酸酯的多聚物(二聚物、三聚物、五聚物等)與三羥甲丙烷等多元醇反應而得之胺甲酸酯改質物、脲改質物、縮二脲改質物、脲基甲酸酯改質物、三聚異氰酸酯改質物、碳二亞胺改質物等。
前述異氰酸酯系交聯劑之市售品可舉例如：Tosoh(股)製之商品名「Millionate MT」、「Millionate MTL」、「Millionate MR-200」、「Millionate MR-400」、「CORONATE L」、「CORONATE HL」「CORONATE HX」；三井化學(股)製之商品名「Takenate D-110N」、「Takenate D-120N」、「Takenate D-140N」、「Takenate D-160N」、「Takenate D-165N」、「Takenate D-170HN」、「Takenate D-178N」、「Takenate 500」、「Takenate 600」等。
前述異氰酸酯系交聯劑以芳香族聚異氰酸酯及其改質物的芳香族聚異氰酸酯系化合物、脂肪族聚異氰酸酯及其改質物的脂肪族聚異氰酸酯系化合物較為理 想。芳香族聚異氰酸酯系化合物的交聯速度與適用期(pot life)之平衡佳而適於使用。芳香族聚異氰酸酯系化合物以二異氰酸甲苯酯及其改質物尤為理想。
前述過氧化物只要是經加熱或光照射會產生自由基活性種而使黏著劑組成物之基底聚合物((甲基)丙烯酸系聚合物(A))進行交聯者即可適當使用，但考慮到作業性及穩定性，宜使用1分鐘半衰期溫度在80℃~160℃之過氧化物，且較宜使用在90℃~140℃之過氧化物。
前述過氧化物可舉如二(2-乙基己基)過氧二碳酸酯(1分鐘半衰期溫度：90.6℃)、二(4-三級丁基環己基)過氧二碳酸酯(1分鐘半衰期溫度：92.1℃)、過氧二碳酸二-二級丁酯(1分鐘半衰期溫度：92.4℃)、過氧新癸酸三級丁酯(1分鐘半衰期溫度：103.5℃)、過氧化三甲基乙酸三級己酯(1分鐘半衰期溫度：109.1℃)、過氧化三甲基乙酸三級丁酯(1分鐘半衰期溫度：110.3℃)、二月桂醯基過氧化物(1分鐘半衰期溫度：116.4℃)、二正辛醯基過氧化物(1分鐘半衰期溫度：117.4℃)、1,1,3,3-四甲基丁基過氧基-2-乙基己酸酯(1分鐘半衰期溫度：124.3℃)、二(4-甲基苯甲醯基)過氧化物(1分鐘半衰期溫度：128.2℃)、二苯甲醯基過氧化物(1分鐘半衰期溫度：130.0℃)、過異丁酸三級丁酯(1分鐘半衰期溫度：136.1℃)、1,1-二(三級己基過氧基)環己烷(1分鐘半衰期溫度：149.2℃)等。其中，尤從交聯反應效率優異之觀點來看，可舉二(4-三級丁基環己基)過氧二碳酸酯(1分鐘半衰期溫度：92.1℃)、二月桂 醯基過氧化物(1分鐘半衰期溫度：116.4℃)、二苯甲醯基過氧化物(1分鐘半衰期溫度：130.0℃)等。
此外，前述過氧化物之半衰期係表示過氧化物之分解速度的指標，意指過氧化物之殘存量變成一半時的時間。關於用以於任意時間達半衰期所需的分解溫度、或於任意溫度下之半衰期時間，係記載於製造商型錄等，舉例而言係記載於日本油脂(股)之「有機過氧化物型錄第9版(2003年5月)」等。
於前述黏著劑組成物中摻混前述交聯劑時，前述交聯劑的摻混量相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)100重量份通常為0.01重量份以上且15重量份以下。
於前述黏著劑組成物中摻混前述異氰酸酯系交聯劑時，前述異氰酸酯系交聯劑的摻混量相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份通常為0.01重量份以上且15重量份以下。
於前述黏著劑組成物中摻混前述過氧化物時，前述過氧化物的摻混量相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份通常為0.01重量份以上且2重量份以下。可在此範圍內適當選擇以調整加工性、交聯穩定性等。
(2-5.其他成分)
本發明之黏著劑組成物可含有離子性化合物。前述離子性化合物並無特別限定，可適宜使用用於本領域中之物。可舉例如日本特開2015-4861號公報所記載之物，而該等之中又以(全氟烷基磺醯基)醯亞胺鋰鹽較佳，雙(三氟 甲磺醯基醯亞胺)鋰更佳。又，前述離子性化合物之比率並無特別限定，可設為不損及本發明效果的範圍，舉例而言，相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)100重量份，宜為10重量份以下，且5重量份以下更佳，3重量份以下又更佳，1重量份以下尤佳。
本發明之黏著劑組成物可含有其他公知之添加劑，舉例而言可因應使用用途適當添加著色劑、顏料等粉體，染料、界面活性劑、塑化劑、增黏劑、表面潤滑劑、調平劑、軟化劑、抗氧化劑、抗老化劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、無機或有機填充劑、金屬粉、粒狀、箔狀物等。又，亦可在可控制的範圍內，採用添加還原劑的氧化還原系。該等添加劑相對於(甲基)丙烯酸系聚合物(A)100重量份宜在5重量份以下、較宜在3重量份以下且更宜在1重量份以下的範圍使用。
(2-6.黏著劑層在85℃下之儲存彈性模數)
用以將前述黏著劑層在85℃下之儲存彈性模數設為5.0×104Pa以上之方法的態樣可舉例如以下(1)至(3)。在考慮到黏著劑層之厚度、第1保護薄膜之線膨脹係數等的同時，藉由以下(1)至(3)中任一項、或組合兩項以上，可控制在本發明中所規定的應變量之差的範圍內。
(1)在形成前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之總單體成分中，令烷基之平均碳數為3~5的丙烯酸烷基酯之含有比率為80重量%以上。
(2)在形成前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之總單體成 分中，設均聚物之玻璃轉移溫度為0℃以上的具有不飽和碳雙鍵之單體為4重量%以上且20重量%以下。例如相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)含有4重量%以上且20重量%以下的甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸等作為均聚物之玻璃轉移溫度具有100℃以上之單體。
(3)相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)100重量份，含有4重量份以上且12重量份以下的多官能異氰酸酯。例如相對於前述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)100重量份，含有4重量份以上且12重量份以下的Coronate等。
又，為了將黏著劑層在85℃下之儲存彈性模數控制在後述較佳範圍，宜組合前述(1)至(3)中2種以上態樣，且組合前述(2)及(3)之態樣更佳。
本發明中，黏著劑層在85℃下之儲存彈性模數只要為5.0×104Pa以上則無特別限定，惟宜為6.0×104Pa以上，且宜為9.0×104Pa以上，較佳為1.2×105Pa以上，1.5×105Pa以上尤佳。另一方面，由防止在耐久性試驗中剝落的觀點，上限通常為2.0×105Pa以下。
(2-7.熟化處理後之凝膠分率)
用以將前述熟化處理後之凝膠分率控制在70%以上且93%以下之範圍內的方法之態樣可舉例如以下(4)或(5)。藉由如以下(4)或(5)之方式，可控制在本發明中所規定的潛變值之範圍內。
(4)前述(甲基)丙烯酸聚合物(A)含有甲基丙烯酸甲酯8~12重量%、丙烯酸2~7重量%及含羥基之(甲基)丙烯酸酯 0.1~0.3重量%作為單體成分，且令前述(甲基)丙烯酸聚合物(A)之重量平均分子量Mw為150萬~250萬，且相對於前述(甲基)丙烯酸聚合物(A)100重量份，含有異氰酸酯系交聯劑0.1~1重量份。
(5)前述(甲基)丙烯酸聚合物(A)含有丙烯酸2~7重量%作為單體成分，且不含有含羥基之(甲基)丙烯酸酯，並令(甲基)丙烯酸聚合物(A)之重量平均分子量Mw為80萬~120萬，且相對於(甲基)丙烯酸聚合物(A)100重量份，含有異氰酸酯系交聯劑4~8重量份。
(2-8.形成黏著劑層)
利用前述黏著劑組成物來形成黏著劑層，惟在形成黏著劑層時，宜調整交聯劑整體的添加量，並充分考慮交聯處理溫度及交聯處理時間之影響。
交聯處理溫度及交聯處理時間可藉由所使用之交聯劑來調整。交聯處理溫度宜為170℃以下。又，所述交聯處理可在黏著劑層的乾燥步驟時之溫度下實行，也可以在乾燥步驟後另外設置交聯處理步驟而實行。又，關於交聯處理時間，可考慮生產性與作業性進行設定，通常為0.2~20分鐘左右，宜為0.5~10分鐘左右。
前述黏著劑層之形成方法並無特別限定，可為：於各種基材上塗佈前述黏著劑組成物，並以熱烘箱等乾燥機來乾燥使溶劑等揮發，並視需要施行前述交聯處理而形成黏著劑層，再將該黏著劑層轉印至後述之光學薄膜或透明導電性基材上之方法；亦可於前述光學薄膜或透明 導電性基材上直接塗佈前述黏著劑組成物來形成黏著劑層。在本發明中，以預先製作光學薄膜上形成有黏著劑層的附黏著劑層之光學薄膜並將該附黏著劑層之光學薄膜貼附於液晶單元之方法較為理想。
前述基材並無特別限定，可舉例如脫模薄膜、透明樹脂薄膜基材、後述之偏光薄膜等各種基材。
對前述基材或光學薄膜塗佈黏著劑組成物之塗佈方法可採用各種方法。具體而言，可舉出例如噴注式塗佈、輥塗佈、接觸輥塗佈、凹版塗佈、逆塗佈、輥刷、噴塗佈、浸漬輥塗佈、棒塗佈、刮刀塗佈、氣刀塗佈、簾式塗佈、唇塗佈、利用模塗機等的擠壓式塗佈法等方法。
上述乾燥條件(溫度、時間)無特別限定，可按黏著劑組成物之組成、濃度等適宜設定，譬如溫度為80~170℃左右且宜為90~200℃，時間為1~60分鐘且宜為2~30分鐘。且，乾燥後可因應需要施行交聯處理，而其條件如前述。
前述黏著劑層的厚度(乾燥後)並無特別限定，惟宜為2~100μm，且宜為2~70μm，2~50μm更佳，2~30μm尤佳。若黏著劑層之厚度小於2μm，則其對被黏體之密著性會變差，而有在加濕條件下之耐久性不足之傾向。另一方面，若黏著劑層之厚度大於100μm，則在形成黏著劑層時塗佈、乾燥黏著劑組成物時會無法充分乾燥而有氣泡殘存或於黏著劑層面產生厚度參差，而有外觀上的問題易明顯化之傾向。
前述脫模薄膜之構成材料可舉例如聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯及聚酯薄膜等樹脂薄膜、紙、布、不織布等多孔質材料、網狀物、發泡片、金屬箔及其等之積層體等之適當薄片體等，但從表面平滑性優異之觀點來看，適宜使用樹脂薄膜。前述樹脂薄膜可舉例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺甲酸酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜等。
前述脫模薄膜之厚度通常為5~200μm，理想為5~100μm左右。對前述脫模薄膜亦可視需要進行利用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系或脂肪酸醯胺系脫模劑、矽粉等進行的脫模及防污處理、及塗佈型、捏合型、蒸鍍型等抗靜電處理。尤其，藉由對前述脫模薄膜之表面適當實施聚矽氧處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理，可更為提高自前述黏著劑層剝離之剝離性。
前述透明樹脂薄膜基材並無特別限制，可使用具有透明性之各種樹脂薄膜。該樹脂薄膜係由1層薄膜形成。該材料可舉例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂、醋酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚二氯亞乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚伸苯硫醚系樹脂等。該等之中尤為理想的是 聚酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂及聚醚碸系樹脂。前述薄膜基材之厚度宜為15~200μm。
<3.偏光薄膜>
(3-1.偏光件)
偏光件可無特別限制地使用公知之物，惟由薄型化及抑制裂痕發生之觀點，宜使用厚度為10μm以下之偏光件。偏光件之厚度更宜為8μm以下，7μm以下更佳，6μm以下又更佳。另一方面，偏光件之厚度為2μm以上，更宜為3μm以上。
偏光件係使用用了聚乙烯醇系樹脂者。作為偏光件，可舉如使聚乙烯醇系薄膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇系薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜吸附碘或二色性染料之二色性物質並加以單軸延伸者，以及聚乙烯醇之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯系定向薄膜等。該等之中又以由聚乙烯醇系薄膜與碘等的二色性物質構成之偏光件較適宜。
將聚乙烯醇系薄膜用碘染色並經單軸延伸的偏光件可藉由例如將聚乙烯醇浸漬於碘的水溶液中來進行染色，並延伸成原長的3~7倍來製成。視需要亦可含有硼酸或硫酸鋅、氯化鋅等，亦可浸漬於碘化鉀等的水溶液中。進一步亦可視需要在染色前將聚乙烯醇系薄膜浸漬於水中進行水洗。藉由水洗聚乙烯醇系薄膜，可洗淨聚乙烯醇系薄膜表面的污垢及抗結塊劑，除此之外也有使聚乙烯醇系薄膜膨潤從而防止染色參差等不均的效果。延伸可於 以碘染色後進行，亦可一邊染色一邊延伸，或可於延伸後以碘染色。亦可在硼酸或碘化鉀等之水溶液中或水浴中進行延伸。
薄型偏光件代表上可舉如：日本專利第4751486號說明書、日本專利第4751481號說明書、日本專利第4815544號說明書、日本專利第5048120號說明書、國際公開第2014/077599號公報手冊、國際公開第2014/077636號公報手冊等所記載的薄型偏光件或由其等所記載之製造方法製得之薄型偏光件。
在包含以積層體之狀態下進行延伸之步驟及染色步驟的製法中，從可以高倍率延伸並提升偏光性能的觀點來看，前述薄型偏光件以諸如日本專利第4751486號說明書、日本專利第4751481號說明書、日本專利4815544號說明書中所記載之以包含在硼酸水溶液中進行延伸之步驟的製法製得者為宜，且尤以如日本專利第4751481號說明書、日本專利4815544號說明書中所記載之以包含在硼酸水溶液中進行延伸前輔助性地進行空中延伸之步驟的製法製得者為宜。該等薄型偏光件可藉由包含有將聚乙烯醇系樹脂(以下，也稱PVA系樹脂)層與延伸用樹脂基材在積層體的狀態下延伸的步驟與染色的步驟之製法製得。若為該製法，則即使PVA系樹脂層很薄，因其被延伸用樹脂基材支持著，故可在不因延伸造成斷裂等不良 狀況下延伸。
(3-2.第1保護薄膜)
第1保護薄膜的材料宜為透明性、機械強度、熱穩定性、水分阻斷性及各向同性等優異者。可舉如：聚對苯二甲酸乙二酯及聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系聚合物；二乙醯纖維素及三乙醯纖維素等纖維素系聚合物；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系聚合物；聚苯乙烯及丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS樹脂)等苯乙烯系聚合物；聚碳酸酯系聚合物等。又，亦可列舉下述聚合物作為形成上述保護薄膜之聚合物之例：聚乙烯、聚丙烯、具有環系乃至降莰烯結構之聚烯烴、如乙烯-丙烯共聚物之聚烯烴系聚合物、氯乙烯系聚合物、尼龍及芳香族聚醯胺等醯胺系聚合物、醯亞胺系聚合物、碸系聚合物、聚醚碸系聚合物、聚醚醚酮系聚合物、聚伸苯硫系聚合物、乙烯醇系聚合物、氯化亞乙烯系聚合物、乙烯醇縮丁醛系聚合物、芳酯系聚合物、聚甲醛系聚合物、環氧系聚合物或上述聚合物之摻合物等。
第1保護薄膜中亦可含有1種以上任意且適當的添加劑。添加劑可舉例如紫外線吸收劑、抗氧化劑、滑劑、塑化劑、脫模劑、抗著色劑、阻燃劑、成核劑、抗靜電劑、顏料、著色劑等。
第1保護薄膜中上述聚合物的含量宜為50~100重量%，較佳為50~99重量%，更佳為60~98重量%，70~97重量%又更佳。保護薄膜中上述聚合物的含量低於50重量%時，上述聚合物恐有無法充分展現其原本具 有的高透明性等之虞。
前述第1保護薄膜亦可使用相位差薄膜、增亮薄膜、擴散薄膜等。相位差薄膜可舉如具有正面相位差40nm以上及/或厚度方向相位差80nm以上之相位差者。正面相位差通常係控制在40~200nm之範圍，厚度方向相位差通常係控制在80~300nm之範圍。使用相位差薄膜作為保護薄膜時，該相位差薄膜亦可發揮作為偏光件的保護薄膜的功能，故能謀求薄型化。
相位差薄膜可舉如將熱塑性樹脂薄膜進行單軸或雙軸延伸處理而成的雙折射性薄膜。上述延伸的溫度、延伸倍率等，可依相位差值、薄膜材料及厚度來作適當設定。
第1保護薄膜的厚度可適當決定，惟由強度及操作性等作業性、薄層性等觀點，為1~500μm左右。保護薄膜的厚度宜為1~300μm，較佳為5~200μm，且5~150μm更佳，20~100μm又更佳。
本發明附黏著劑層之偏光薄膜亦可於偏光件之未設置第1保護薄膜之另一面設置第2保護薄膜。第2保護薄膜之詳細內容與前述第1保護薄膜相同。
前述第2保護薄膜之不接著偏光件的面上可設置硬塗層、抗反射層、抗黏著層、擴散層乃至防眩層等機能層。此外，上述硬質層、抗反射層、抗黏層、擴散層及抗眩層等機能層除了可設在保護薄膜本身以外，亦可與保護薄膜分設而另為其他個體。
本發明中，設於偏光件之第1保護薄膜的線膨脹係數只要滿足前述應變量的差則無特別限定，惟第1保護薄膜的線膨脹係數的上限宜為7.0×10-5/K以下，6.0×10-5/K以下更佳，且5.0×10-5/K以下更佳，4.0×10-5/K以下尤佳。藉由將第1保護薄膜的線膨脹係數控制在前述範圍內且控制前述黏著劑層在85℃下之儲存彈性模數及厚度，可將前述應變量的差控制在更佳之範圍。
滿足線膨脹係數在7.0×10-5/K以下的第1保護薄膜之市售品，可舉例如TJ25UL(富士軟片(Fujifilm)製，原料：三乙醯纖維素系聚合物，厚度：25μm)、ZT12(日本ZEON製，原料：環烯烴系聚合物，厚度：17μm)、KC2UA(Konica Minolta製，原料：三乙醯纖維素系聚合物，厚度：20μm)及KC2UGR-HC(Konica Minolta製，於三乙醯纖維素系聚合物薄膜上設有丙烯酸樹脂系硬塗層之薄膜，厚度：37μm)等。
(3-3.接著劑層)
接著劑層係由接著劑形成。接著劑種類並無特別限制，可使用各種物質。前述接著劑層只要在光學上呈透明即無特別限制，接著劑可使用水系、溶劑系、熱熔膠系、活性能量線硬化型等各種形態的物質，以水系接著劑或活性能量線硬化型接著劑為宜。
就接著劑而言，可例示如異氰酸酯系接著劑、聚乙烯醇系接著劑、明膠系接著劑、乙烯基系乳膠系、水系聚酯等。水系接著劑通常係以由水溶液構成之接著劑 來使用，通常含有0.5~60重量%之固體成分。
活性能量線硬化型接著劑係利用電子射線、紫外線(自由基硬化型、陽離子硬化型)等活性能量線進行硬化之接著劑，譬如可以電子射線硬化型、紫外線硬化型之態樣作使用。活性能量線硬化型接著劑譬如可使用光自由基硬化型接著劑。將光自由基硬化型之活性能量線硬化型接著劑以紫外線硬化型作使用時，該接著劑含有自由基聚合性化合物及光聚合引發劑。
接著劑之塗敷方式可按接著劑之黏度或目標厚度作適當選擇。塗敷方式例可舉例如：逆向塗佈機、凹版塗佈機(直接、逆向或平版)、棒式逆向塗佈機、輥塗佈機、模塗機、棒塗機、桿塗佈機等。除此之外，塗敷可適當使用浸塗法等方式。
又，前述接著劑之塗敷使用水系接著劑等時，宜以最終形成之接著劑層厚度成為30~300nm的方式進行。前述接著劑層之厚度更宜為60~250nm。另一方面，在使用活性能量線硬化型接著劑時，宜以使前述接著劑層的厚度成為0.1~200μm的方式進行。較宜為0.5~50μm，更宜為0.5~10μm。
至於，積層偏光件與第1保護薄膜或第2保護薄膜時，可在前述保護薄膜與接著劑層之間設置易接著層。易接著層可由具有例如下述骨架的各種樹脂所形成：聚酯骨架、聚醚骨架、聚碳酸酯骨架、聚胺甲酸酯骨架、聚矽氧系、聚醯胺骨架、聚醯亞胺骨架、聚乙烯醇骨架等。 該等聚合物樹脂可單獨使用1種，或組合2種以上來使用。又，亦可於形成易接著層時添加其他添加劑。具體上可使用增黏劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、耐熱穩定劑等之穩定劑等。
易接著層通常會事先設於第1保護薄膜及第2保護薄膜上，並藉由接著劑層將該第1保護薄膜及第2保護薄膜之易接著層側與偏光件積層。易接著層之形成可利用公知技術將易接著層之形成材塗敷於第1保護薄膜及第2保護薄膜上並乾燥來進行。易接著層之形成材通常會考慮乾燥後之厚度、塗敷的圓滑性等進行調整做成已稀釋成適當濃度之溶液。易接著層於乾燥後之厚度宜為0.01~5μm，較宜為0.02~2μm，更宜為0.05~1μm。又，易接著層可設置多層，此時亦宜使易接著層之總厚度落在上述範圍內。
<4.影像顯示裝置>
本發明之影像顯示裝置只要為包含本發明之附黏著劑層之偏光薄膜者即可，至於其他構成可舉與以往之影像顯示裝置相同者。前述附黏著劑層之偏光薄膜可應用於影像顯示單元。舉例而言，當影像顯示裝置為液晶顯示裝置時，前述附黏著劑層之偏光薄膜可應用於影像顯示單元(液晶單元)之視辨側，也可應用於背光側。而當影像顯示裝置為有機EL顯示裝置時，前述附黏著劑層之偏光薄膜可應用於影像顯示單元之視辨側。本發明之影像顯示裝置由於包含前述附黏著劑層之偏光薄膜，故為具有高度可靠性者。
實施例
以下，以實施例來具體說明本發明，惟本發明不受該等實施例限定。至於，各例中之份及%皆為重量基準。
<製造例1>
(製作附HC之40μmTAC薄膜)
於將主成分為胺甲酸酯丙烯酸酯之紫外線硬化型樹脂單體或寡聚物溶解於乙酸丁酯而成之樹脂溶液(DIC(股)製，商品名：UNIDIC 17-806，固體成分濃度：80%)中，相對於該溶液中之固體成分每100份，添加光聚合引發劑(BASF(股)製，商品名：IRGACURE 907)5份及調平劑(DIC(股)製，商品名：GRANDIC PC 4100)0.1份。接著，於前述溶液中以45：55之比率加入環戊酮與丙二醇單甲基醚以使前述溶液中之固體成分濃度成為36%，而製作出硬塗層形成材料。將所製作出之硬塗層形成材料以使硬化後之硬塗層厚度成為7μm之方式塗佈至TJ40UL(富士軟片(Fujifilm)製，厚度：40μm)上而形成塗膜。之後，於90℃下使塗膜乾燥1分鐘，並再以高壓水銀燈對塗膜照射累積光量300mJ/cm2之紫外線，使前述塗膜硬化形成硬塗層而製作出附HC之40μmTAC薄膜。
<製造例2>
(製作30μm丙烯酸薄膜)
於具備攪拌裝置、溫度感測器、冷卻管、氮導入管的容量30L之釜型反應器中，饋入8,000g之甲基丙烯酸甲酯 (MMA)、2,000g之2-(羥甲基)丙烯酸甲酯(MHMA)、10,000g之4-甲基-2-戊酮(甲基異丁基酮，MIBK)、5g之正十二硫醇，並一邊使氮通過一邊使其升溫至105℃並回流後，添加5.0g之三級丁基過氧碳酸異丙酯(Kayakarubon BIC-7，KAYAKU AKZO CO.,LTD.製)作為聚合引發劑，同時花費4小時滴下由10.0g之三級丁基過氧碳酸異丙酯與230g之MIBK構成之溶液，並在回流下，於約105~120℃下進行溶液聚合，並再花費4小時進行熟成。
於所製得之聚合物溶液中加入30g之磷酸十八酯/磷酸二(十八基)酯混合物(Phoslex A-18，堺化學工業(股)製)，並於回流下在約90~120℃下進行5小時環化縮合反應。接著，將所製得之聚合物溶液，以用樹脂量換算為2.0kg/h之處理速度導入套筒溫度260℃、旋轉數100rpm、減壓度13.3~400hPa(10~300mmHg)、後通氣孔數1個、前通氣孔數4個的通氣孔式雙螺桿擠製機(φ=29.75mm、L/D=30)中，並於該擠製機內，進一步進行環化縮合反應與脫揮發物並進行擠製，從而製得含內酯環之聚合物的透明丸粒。
針對所製得之含內酯環之聚合物進行動態TG之測定後，檢測出0.17質量%之質量減損。又，該含內酯環之聚合物的重量平均分子量為133,000，熔流速率為6.5g/10min，且玻璃轉移溫度為131℃。
使用單軸擠製機(螺桿30mm φ)將所製得之丸粒與丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂(TOYO AS AS20，TOYO STYRENE CO.,LTD.製)以質量比90/10進行捏合擠製，從而製得透明丸粒。所得丸粒之玻璃轉移溫度為127℃。
使用50mm φ之單軸擠製機將該丸粒從400mm寬的衣架式T型模具熔融擠製，而製作出厚度120μm之薄膜。使用雙軸延伸裝置將製作出之薄膜在150℃之溫度條件下縱向延伸成2.0倍且橫向延伸成2.0倍，從而製得厚度30μm之延伸薄膜(30μm丙烯酸薄膜)。測定該延伸薄膜之光學特性後，得全光線透射率為93%，面內相位差△nd為0.8nm，厚度方向相位差Rth為1.5nm。
<製造例3>
(製作20μm丙烯酸薄膜)
將製造例2中熔融擠製後之薄膜厚度設為80μm，除此之外依與製造例2相同方式，製得厚度20μm之延伸薄膜(20μm丙烯酸薄膜)。測定該延伸薄膜之光學特性後，得全光線透射率為93%，面內相位差△nd為0.8nm，厚度方向相位差Rth為1.5nm。
<製作丙烯酸系偏光薄膜(1)>
將厚度45μm的聚乙烯醇薄膜在速度比不同之輥筒間，於30℃且0.3%濃度的碘溶液中染色1分鐘並延伸達3倍為止。之後，在60℃且含有4%濃度之硼酸、10%濃度之碘化鉀的水溶液中浸漬0.5分鐘，並同時進行延伸使總延伸倍率達6倍為止。接著，於30℃且含有1.5%濃度之碘化鉀之水溶液中浸漬10秒藉此洗淨後，在50℃下進行4分鐘乾燥，而獲得厚18μm之偏光件。利用聚乙烯醇系接著劑於 該偏光件的單面貼合經皂化處理之附HC之40μmTAC薄膜，並於另一單面貼合30μm丙烯酸薄膜，而製出丙烯酸系偏光薄膜(1)。
<製作丙烯酸系偏光薄膜(2)>
將厚度45μm的聚乙烯醇薄膜在速度比不同之輥筒間，於30℃且0.3%濃度的碘溶液中染色1分鐘並延伸達3倍為止。之後，在60℃且含有4%濃度之硼酸、10%濃度之碘化鉀的水溶液中浸漬0.5分鐘，並同時進行延伸使總延伸倍率達6倍為止。接著，於30℃且含有1.5%濃度之碘化鉀之水溶液中浸漬10秒藉此洗淨後，在50℃下進行4分鐘乾燥，而獲得厚18μm之偏光件。利用聚乙烯醇系接著劑於該偏光件的單面貼合經皂化處理之附HC之40μmTAC薄膜，並於另一單面貼合20μm丙烯酸薄膜，而製出丙烯酸系偏光薄膜(2)。
<製作TAC系偏光薄膜(3)>
將厚度45μm的聚乙烯醇薄膜在速度比不同之輥筒間，於30℃且0.3%濃度的碘溶液中染色1分鐘並延伸達3倍為止。之後，在60℃且含有4%濃度之硼酸、10%濃度之碘化鉀的水溶液中浸漬0.5分鐘，並同時進行延伸使總延伸倍率達6倍為止。接著，於30℃且含有1.5%濃度之碘化鉀之水溶液中浸漬10秒藉此洗淨後，在50℃下進行4分鐘乾燥，而獲得厚18μm之偏光件。利用聚乙烯醇系接著劑於該偏光件之單面貼合經皂化處理的附HC之40μmTAC薄膜，並於另一面貼合經皂化處理的厚度40μm之三乙醯纖 維素薄膜(KC4CT，Konica Minolta公司製)，而製作出TAC系偏光薄膜(3)。
<實施例1>
<調製丙烯酸系聚合物(A1)>
將含有丙烯酸丁酯99份及丙烯酸4-羥丁酯1份之單體混合物饋入具備攪拌葉片、溫度計、氮氣導入管、冷卻器的4口燒瓶中。並相對於前述單體混合物(固體成分)100份，將作為聚合引發劑之2,2’-偶氮雙異丁腈0.1份與乙酸乙酯100份一起饋入，一邊緩慢攪拌一邊導入氮氣進行氮取代後，將燒瓶內的液溫保持在55℃附近，進行8小時聚合反應，調製出重量平均分子量(Mw)180萬之丙烯酸系聚合物(A1)之溶液。
(調製黏著劑組成物)
相對於上述所製得之丙烯酸系聚合物(A1)之溶液的固體成分100份，摻混異氰酸酯交聯劑(Tosoh公司製，商品名「TAKENATE D110N」，三羥甲丙烷/伸茬基二異氰酸酯加成物)0.02份、過氧化物交聯劑(日本油脂公司製，商品名「NYPER BMT」)0.3份、矽烷耦合劑(信越化學工業公司製，商品名「X-41-1056」)0.2份，而調製出丙烯酸系黏著劑組成物之溶液。
(製作附黏著劑層之偏光薄膜)
接著，以使乾燥後的黏著劑層的厚度成為20μm之方式，將上述所得丙烯酸系黏著劑組成物之溶液塗佈於經聚矽氧系剝離劑處理過之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(三菱化 學聚酯薄膜製，商品名「MRF38」，分離薄膜)之單面上並在155℃下乾燥1分鐘，而於分離薄膜表面形成黏著劑層。接著，將形成於分離薄膜上之黏著劑層轉印至上述所製作出之丙烯酸系偏光薄膜(1)的30μm丙烯酸薄膜側，而製作出附黏著劑層之偏光薄膜。
<調製丙烯酸寡聚物>
於具備攪拌葉片、溫度計、氮氣導入管、冷卻器之四口燒瓶中，饋入丙烯酸丁酯(BA)95重量份、丙烯酸(AA)2重量份、丙烯酸甲酯(MA)3重量份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮雙異丁腈(AIBN)0.1重量份及甲苯140重量份，一邊緩慢地攪拌一邊導入氮氣而充分進行氮取代後，將燒瓶內的液溫保持在70℃附近進行8小時聚合反應，而調製出丙烯酸寡聚物溶液。上述寡聚物之重量平均分子量為4500。
<實施例2~16、比較例1~3>
在實施例1中，依表1所示變更用於調製丙烯酸系聚合物的單體種類、其使用比率，且控制製造條件，而調製出有表1所記載之重量平均分子量(Mw)的丙烯酸系聚合物之溶液。
且，相對於所製得之各丙烯酸系聚合物之溶液，如表1所示改變用於黏著劑之交聯劑、丙烯酸寡聚物、矽烷耦合劑之種類或使用量，除此之外依與實施例1相同方式而調製出丙烯酸系黏著劑組成物之溶液。且，使用該丙烯酸系黏著劑組成物之溶液，依與實施例1相同方式於 分離薄膜上形成黏著劑層，並將該黏著劑層轉印至表1所示各偏光薄膜之未經硬塗層處理的保護薄膜側，而製作出附黏著劑層之偏光薄膜。
<測定(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量>
(甲基)丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量(Mw)是利用GPC(凝膠滲透層析法)來測定。針對Mw/Mn亦同樣進行測定。
‧分析裝置：Tosoh(東曹)公司製，HLC-8120GPC
‧管柱：Tosoh公司製，G7000HXL+GMHXL+GMHXL
‧管柱尺寸：各7.8mm φ×30cm計90cm
‧管柱溫度：40℃
‧流量：0.8mL/min
‧注入量：100μL
‧溶析液：四氫呋喃
‧檢測器：示差折射計(RI)
‧標準試料：聚苯乙烯
<測定保護薄膜的線膨脹係數(/K)>
使用TMA分析裝置(股份有限公司Hitachi High-Tech Science Corporation製，TMA7100E)在下述測定條件下測定保護薄膜之尺寸變化量，並將所得之值代入下述式(A)而算出尺寸變化率。測定係進行4次並以4次的平均值作為尺寸變化率。然後，將所得尺寸變化率的平均值代入下述式(B)而算出保護薄膜的線膨脹係數(/K)。
試樣大小：20mm×5mm
測定環境：-40℃
Figure 108110481-A0305-02-0044-3
85℃
升溫、降溫速度：10℃/min
測定次數：4
尺寸變化率=(△L/L)×100 (A)
△L：測定時的尺寸變化量(於-40℃下之尺寸與於85℃下之尺寸的差)
L：測定前的尺寸(於25℃下之尺寸)
線膨脹係數(/K)=(尺寸變化率/△T)/100 (B)
△T：溫度變化幅度
Figure 108110481-A0305-02-0045-1
表1中之簡稱如下。
BA：丙烯酸丁酯
MMA：甲基丙烯酸甲酯
AA：丙烯酸
HBA：丙烯酸4-羥丁酯
HEA：丙烯酸2-羥乙酯
D110N：三羥甲丙烷/二異氰酸伸茬酯加成物(Tosoh公司製，商品名「TAKENATE D110N」)
C/L：三羥甲丙烷/二異氰酸甲苯酯加成物(Tosoh公司製，商品名「CORONATE L」)
過氧化物：過氧化物交聯劑(日本油脂公司製，商品名「NYPER BMT」)
矽烷耦合劑：含環氧基之寡聚物型矽烷耦合劑(信越化學工業公司製，商品名「X-41-1056」)
<測定潛變值>
將裁切成10mm×30mm之尺寸的附黏著劑層之偏光薄膜(黏著劑層之厚度：20μm)之上端部10mm×10mm透過黏著劑層貼附於SUS板，並於50℃、5氣壓之條件下進行15分鐘高壓釜處理。將已將加熱面設置成垂直的精密熱板加熱至85℃，並將已貼附該附黏著劑層之偏光薄膜的SUS板設置成未貼附黏著劑層之面與熱板之加熱面相接。於85℃下開始將SUS板加熱5分鐘後，於該附黏著劑層之偏光薄膜的下端部加載500g之荷重並放置1小時後，測定加載荷重前後該附黏著劑層之偏光薄膜與SUS板之偏移幅度， 並以該偏移幅度作為85℃下之潛變值(μm)。
<測定黏著劑層的儲存彈性模數>
僅積層各實施例及比較例之黏著劑層，而製作出2mm之試驗試樣。將該試驗試樣打出直徑7.9mm之圓盤狀孔，並以平行板包夾，再使用Rheometric Scientific公司製「Advanced Rheometric Expansion System(ARES)」，在以下條件下進行動態黏彈性測定，並從測定結果讀取出黏著劑層在85℃下之儲存彈性模數(Pa)。
(測定條件)
變形模式：扭轉
測定溫度：-40℃~150℃
升溫速度：5℃/分鐘
<異形加工>
將製作出之附黏著劑層之偏光薄膜使用CO2雷射加工機Spirit(GCC公司製，30W)在速度10、雷射輸出35、400ppi之條件下加工成圖1所示形狀。
<測定偏光薄膜的應變量>
將經異形加工之附黏著劑層之偏光薄膜貼合至350×250mm×0.7mm厚之無鹼玻璃(康寧公司製，商品名「EG-XG」)，接著於50℃、0.5MPa下進行15分鐘高壓釜處理，使黏著劑層密著於玻璃而製得試樣。以砂紙磨削該試樣之附黏著劑層之偏光薄膜的圖2所示位置之硬塗層面後，於保護薄膜外露之面以氰基丙烯酸酯系接著劑(Aron Alpha，東亞合成公司製)貼附應變計(FLA-3-11-3LJCT， Tokyo Measuring Instruments Laboratory Co,Ltd.製)。此時，使應變計之測定軸(應變計之長邊方向)平行於經異形加工之附黏著劑層之偏光薄膜的長邊方向，以可計測與偏光板吸收軸正交之方向的應變量。將已貼附應變計之試樣投入熱循環試驗槽，並將應變計之導線連接至資料記錄器(TDS-530，Tokyo Measuring Instruments Laboratory Co,Ltd.製)。將室溫(23℃)下之應變量調整為0μ ε後，將其暴露於下述試驗條件下10個循環，並每隔1min計測該期間之應變量。在第10個循環的-40℃、85℃的各溫度下之保持時間(30min)中，讀取經過15min之時間點(中間點)的應變量，並將其作為偏光薄膜在各溫度下的應變量。利用下述式(1)算出應變量的差。
(試驗條件)
溫度條件：以-40℃(保持30分鐘)
Figure 108110481-A0305-02-0048-4
85℃(保持30分鐘)作為1個循環反覆進行
升溫、降溫速度：10℃/min
應變量的差=(於85℃下之應變量)-(於-40℃下之應變量)‧‧‧式(1)
<評估異形裂痕>
將經異形加工之附黏著劑層之偏光薄膜貼合至350×250mm×0.7mm厚之無鹼玻璃(康寧公司製，商品名「EG-XG」)，接著於50℃、0.5MPa下進行15分鐘高壓釜處理，使黏著劑層密著於玻璃。將施行過所述處理之試樣投入熱循環試驗槽，並以目視確認在50個循環、100個循 環、200個循環、300個循環之時間點異形部有無裂痕產生。試樣係於各條件下投入4個相同之物，並將有裂痕產生之試樣數記載於表1。
(試驗條件)
溫度條件：以-40℃(保持30分鐘)
Figure 108110481-A0305-02-0049-5
85℃(保持30分鐘)作為1個循環反覆進行
升溫、降溫速度：10℃/min
<評估面板翹曲量>
使製作出之附黏著劑層之偏光薄膜的偏光薄膜之吸收軸平行於長邊，裁切成300×220mm之大小。以貼合機將該附黏著劑層之偏光薄膜貼合於195×125mm×0.4mm厚之無鹼玻璃(康寧公司製，商品名「EG-XG」)。接著，在50℃、0.5MPa下進行15分鐘高壓釜處理，使黏著劑層密著於玻璃。將施行過所述處理之試樣在85℃之氣體環境下施行24小時處理後，置於室溫下1小時。使該試樣之貼合有附黏著劑層之偏光薄膜的面朝上，放置於平坦台上使四角可翹起，並使用雷射位移計(製品名：LK-G35，(股)KEYENCE製)測定四角之高度。高度係於偏光薄膜之表面計測，並由計測值中扣除玻璃與附黏著劑層之偏光薄膜的厚度後，以四角各值平均作為翹曲量。
<耐久性試驗>
令製作出之附黏著劑層之偏光薄膜的偏光薄膜之吸收軸平行於長邊，裁切成300×220mm之大小。以貼合機將該附黏著劑層之偏光薄膜貼合於350×250mm×0.7mm厚 之無鹼玻璃(康寧公司製，商品名「EG-XG」)。接著，在50℃、0.5MPa下進行15分鐘高壓釜處理，使黏著劑層密著於玻璃。對施行過所述處理之試樣在95℃之氣體環境下施行500小時處理後、及在65℃/95%RH之氣體環境下施行500小時處理後，依下述基準以目視評估該試樣之外觀。
(評估基準)
◎：完全沒有發泡、剝落等等外觀上的變化。
○：雖然極少而於端部有些許剝落或發泡，但實用上無問題。
△：端部有剝落或發泡，但只要不作特別用途，實用上無問題。
×：端部有顯著剝落，實用上有問題。
Figure 108110481-A0305-02-0051-2
產業上之可利用性
本發明之附黏著劑層之偏光薄膜可將其單獨、或以積層其而成之光學薄膜形式用於液晶顯示裝置(LCD)、有機EL顯示裝置等影像顯示裝置。

Claims (8)

  1. 一種附黏著劑層之偏光薄膜，具有偏光薄膜與位於前述偏光薄膜之一面的黏著劑層，且其特徵在於：前述附黏著劑層之偏光薄膜具有矩形以外之異形；於前述偏光薄膜之不具有黏著劑層的面，將應變計貼附成測定軸與前述偏光薄膜之吸收軸呈正交並測定應變量時，在-40℃下之應變量與在85℃下之應變量之差為3000μ ε以下；且前述黏著劑層在85℃下之潛變值為15μm以上且600μm以下。
  2. 如請求項1之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述在-40℃下之應變量為-4000μ ε以上。
  3. 如請求項1或2之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述偏光薄膜至少具有偏光件與第1保護薄膜，前述第1保護薄膜設置於前述偏光件與前述黏著劑層之間，且前述第1保護薄膜之線膨脹係數為7.0×10-5/K以下。
  4. 如請求項3之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述第1保護薄膜係以纖維素系聚合物形成。
  5. 如請求項1或2之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述黏著劑層之厚度為2μm以上且30μm以下。
  6. 如請求項3之附黏著劑層之偏光薄膜，其中前述黏著劑層之厚度為2μm以上且30μm以下。
  7. 如請求項4之附黏著劑層之偏光薄膜，其 中前述黏著劑層之厚度為2μm以上且30μm以下。
  8. 一種影像顯示裝置，其特徵在於：具有如請求項1至7中任一項之附黏著劑層之偏光薄膜。
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