TWI709888B - 畫素陣列基板 - Google Patents

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Abstract

一種畫素陣列基板包括第一觸控訊號線、多個畫素結構、第一資料線、第二資料線、第一連接圖案、第二連接圖案及觸控電極。第一觸控訊號線具有第一部、第二部和橋接部。多個畫素結構包括第一畫素結構及第二畫素結構。第一畫素結構及第二畫素結構分別位於第一觸控訊號線的第一側及第二側。第一資料線及第二資料線分別位於第一觸控訊號線的第二側及第一側。第一連接圖案電性連接至第一資料線和第一畫素結構。第二連接圖案電性連接至第二資料線和第二畫素結構。第一觸控訊號線的橋接部跨越第一連接圖案和第二連接圖案。

Description

畫素陣列基板
本發明是有關於一種畫素陣列基板,且特別是有關於包括觸控電極的一種畫素陣列基板。
在現今之資訊社會下,人們對電子產品之依賴性與日俱增。為了達到更便利、體積更輕巧化以及更人性化的目的,許多資訊產品已由傳統之鍵盤或滑鼠等輸入裝置,轉變為使用觸控面板作為輸入裝置,其中兼具觸控與顯示功能的觸控顯示面板更是現今流行的產品之一。為使觸控顯示面板薄型化,可將觸控電極整合於觸控顯示面板的畫素陣列基板。然而,如何使畫素陣列基板兼具優良的電性及觸控功能實為一大課題。
本發明提供一種畫素陣列基板,電性佳且具有觸控功能。
本發明的畫素陣列基板,包括基底、第一觸控訊號線、多個畫素結構、第一資料線、第二資料線、第一連接圖案、第二連接圖案及觸控電極。第一觸控訊號線設置於基底上,且具有相對的第一側和第二側。第一觸控訊號線具有第一部、第二部和橋接部。多個畫素結構的每一個包括主動元件、延伸圖案以及畫素電極。主動元件具有第一端、第二端及控制端。延伸圖案電性連接至主動元件的第二端。畫素電極電性連接至延伸圖案。多個畫素結構包括第一畫素結構及第二畫素結構。第一畫素結構位於第一觸控訊號線的第一側,且第二畫素結構位於第一觸控訊號線的第二側。第一資料線位於第一觸控訊號線的第二側,且第二資料線位於第一觸控訊號線的第一側。第一連接圖案電性連接至第一資料線和第一畫素結構之主動元件的第一端。第二連接圖案電性連接至第二資料線和第二畫素結構之主動元件的第一端。第一觸控訊號線的橋接部跨越第一連接圖案和第二連接圖案,以電性連接第一觸控訊號線的第一部與第一觸控訊號線的第二部。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,“連接”可以指物理及/或電性連接。再者,“電性連接”或“耦合”係可為二元件間存在其它元件。
本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值,考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即,測量系統的限制)。例如,“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內,或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者,本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質,來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差,而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
圖1為本發明一實施例之畫素陣列基板10的上視示意圖。
圖2示出圖1之畫素陣列基板10的一個畫素結構PX。
圖3為本發明一實施例之畫素陣列基板10的剖面示意圖。圖3對應圖2的剖線Ι-Ι’。
圖4為本發明一實施例之畫素陣列基板10的局部的放大示意圖。圖4對應圖1的局部R。
圖5為本發明一實施例之畫素陣列基板10的剖面示意圖。圖5對應圖4的剖線П-П’。
圖6為本發明一實施例之畫素陣列基板10的剖面示意圖。圖6對應圖1的剖線III-III’及剖線IV-IV’。
圖1、圖2及圖4省略圖5及圖6之絕緣層140的接觸窗141、142、143。
請參照圖1及圖2,畫素陣列基板10包括基底110以及設置於基底110上的多個畫素結構PX。基底110用以承載畫素陣列基板10的元件。舉例而言,在本實施例中,基底110的材質可以是玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如:晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。
請參照圖2及圖3,每一畫素結構PX包括主動元件T、延伸圖案122及畫素電極130。具體而言,在本實施例中,主動元件T可包括薄膜電晶體,薄膜電晶體具有控制端Tc、閘絕緣層GI、半導體圖案Td、第一端Ta及第二端Tb,其中閘絕緣層GI設置於控制端Tc與半導體圖案Td之間,且第一端Ta及第二端Tb分別電性連接至半導體圖案Td的不同兩區。在本實施例中,控制端Tc可選擇性地設置於半導體圖案Td的下方,而所述薄膜電晶體可以是底部閘極型薄膜電晶體(bottom gate TFT)。然而,本發明不限於此,根據其它實施例,所述薄膜電晶體也可以是頂部閘極型薄膜電晶體(top gate TFT)或其它型式的薄膜電晶體。
延伸圖案122電性連接至主動元件T。具體而言,在本實施例中,延伸圖案122電性連接至主動元件T的第二端Tb且由第二端Tb延伸至半導體圖案Td外。舉例而言,在本實施例中,延伸圖案122與主動元件T的第二端Tb可形成於同一導電層,而延伸圖案122與主動元件T的第二端Tb可直接連接,但本發明不以此為限。
畫素電極130電性連接至延伸圖案122。舉例而言,在本實施例中,部分的畫素電極130可直接設置在延伸圖案122上,以使畫素電極130能透過延伸圖案122電性連接至主動元件T的第二端Tb,但本發明不以此為限。
在本實施例中,每一畫素結構PX還可包括共用電極152。同一畫素結構PX的共用電極152與畫素電極130彼此重疊,且同一畫素結構PX的共用電極152與畫素電極130之間設有絕緣層140。舉例而言,在本實施例中,絕緣層140設置於畫素電極130上,共用電極152設置於絕緣層140上,且共用電極152具有多個狹縫152a。換言之,在本實施例中,畫素結構PX可以是共用電極在上(top-common)的結構(亦即,畫素電極130形成於第一透明導電層,且共用電極152形成於第二透明導電層)。然而,本發明不限於此,根據其它實施例,畫素結構PX也可以是畫素電極在上(top-pixel electrode)的結構,以下將於後續段落配合其它圖示說明之。
請參照圖1及圖2,畫素陣列基板10還包括多條資料線DL及多條掃描線SL。每一畫素結構PX之主動元件T的第一端Ta電性連接至對應的一條資料線DL,且每一畫素結構PX之主動元件T的控制端Tc電性連接至對應的一條掃描線SL。在本實施例中,多條資料線DL在第一方向x上排列,多條掃描線SL在第二方向y上排列,其中第一方向x與第二方向y交錯。舉例而言,在本實施例中,第一方向x與第二方向y可垂直,但本發明不以此為限。
在本實施例中,畫素陣列基板10之多個畫素結構PX的多個共用電極152可形成多個觸控電極150。每一觸控電極150可包括相鄰之多個畫素結構PX的多個共用電極152以及至少一橋接圖案154,其中同一觸控電極150的多個共用電極152可利用至少一橋接圖案154彼此電性連接。在本實施例中,共用電極152與至少一橋接圖案154可形成於同一導電層,但本發明不以此為限。
請參照圖1及圖6,畫素陣列基板10還包括多條觸控訊號線TL。每一觸控訊號線TL與對應的一個觸控電極150電性連接。舉例而言,在本實施例中,每一觸控電極150可透過絕緣層140的至少一接觸窗141與至少一條觸控訊號線TL電性連接,但本發明不以此為限。
請參照圖1,多條觸控訊號線TL包括第一觸控訊號線TL1。第一觸控訊號線TL1設置於基底110上,且具有相對的第一側(例如:右側)和第二側(例如:左側)。多個畫素結構PX包括第一畫素結構PX1及第二畫素結構PX2。第一畫素結構PX1位於第一觸控訊號線TL1的第一側(例如:右側),且第二畫素結構PX2位於第一觸控訊號線TL1的第二側(例如:左側)。
請參照圖1及圖2,多條掃描線SL包括第一掃描線SL1及第二掃描線SL2。第一掃描線SL1電性連接至第一畫素結構PX1之主動元件T的控制端Tc。第二掃描線SL2電性連接至第二畫素結構PX2之主動元件T的控制端Tc。第一掃描線SL1及第二掃描線SL2具有相對的第一側(例如:上側)及第二側(例如:下側)。第一畫素結構PX1位於第一觸控訊號線TL1的第一側(例如:右側)及第一掃描線SL1和第二掃描線SL2的第一側(例如:上側),且第二畫素結構PX2位於第一觸控訊號線TL1的第二側(例如:左側)及第一掃描線SL1和第二掃描線SL2的第二側(例如:下側)。在本實施例中,多條掃描線SL及多個主動元件T的控制端Tc可形成於同一導電層(例如:第一金屬層),但本發明不以此為限。
多條資料線DL包括第一資料線DL1及第二資料線DL2,其中第一資料線DL1位於第一觸控訊號線TL1的第二側(例如:左側),且第二資料線DL2位於第一觸控訊號線TL1的第一側(例如:右側)。第一畫素結構PX1之主動元件T的第一端Ta電性連接至第一資料線DL1。第二畫素結構PX2之主動元件T的第一端Ta電性連接至第二資料線DL2。在本實施例中,第一資料線DL1的極性與第二資料線DL2的極性相反。
多個畫素結構PX更包括第三畫素結構PX3及第四畫素結構PX4。第三畫素結構PX3位於第一觸控訊號線TL1的第二側(例如:左側)及第一掃描線SL1和第二掃描線SL2的第一側(例如:上側)。第三畫素結構PX3之主動元件T的第一端Ta電性連接至第一資料線DL1。第三畫素結構PX3之主動元件T的控制端Tc電性連接至位於第一掃描線SL1和第二掃描線SL2之第一側(例如:上側)的第三掃描線SL3。第四畫素結構PX4位於第一觸控訊號線TL1的第一側(例如:右側)及第一掃描線SL1和第二掃描線SL2的第二側(例如:下側)。第四畫素結構PX4之主動元件T的第一端Ta電性連接至第二資料線DL2。第四畫素結構PX4之主動元件T的控制端Tc電性連接至位於第一掃描線SL1和第二掃描線SL2之第二側(例如:下側)的第四掃描線SL4。
畫素陣列基板10還包括第一連接圖案124-1及第二連接圖案124-2。第一連接圖案124-1電性連接至第一資料線DL1和第一畫素結構PX1之主動元件T的第一端Ta。在本實施例中,第一連接圖案124-1由第一畫素結構PX1之主動元件T的第一端Ta向位於第一觸控訊號線TL1之第二側(例如:左側)的第一資料線DL1延伸,而第一畫素結構PX1的延伸圖案122由第一畫素結構PX1之主動元件T的第二端Tb向位於第一觸控訊號線TL1之第一側(例如:右側)的第二資料線DL2延伸。簡言之,在本實施例中,第一畫素結構PX1的延伸圖案122與第一連接圖案124-1朝相反的兩方向延伸。
第二連接圖案124-2電性連接至第二資料線DL2和第二畫素結構PX2之主動元件T的第一端Ta。第二連接圖案124-2由第二畫素結構PX2之主動元件T的第一端Ta向位於第一觸控訊號線TL1之第一側(例如:右側)的第二資料線DL2延伸,且第二畫素結構PX2的延伸圖案122由第二畫素結構PX2之主動元件T的第二端Tb向位於第一觸控訊號線TL1之第二側(例如:左側)的第一資料線DL1延伸。簡言之,在本實施例中,第二畫素結構PX2的延伸圖案122與第二連接圖案124-2朝相反的兩方向延伸。
在本實施例中,第一連接圖案124-1、第二連接圖案124-2、多條資料線DL、多個主動元件T的多個第一端Ta和多個第二端Tb可形成於同一導電層(例如:第二金屬層),但本發明不以此為限。
請參照圖1、圖4及圖5,第一觸控訊號線TL1具有第一部TL1a、第二部TL1b和橋接部TL1c。在本實施例中,橋接部TL1c與第一部TL1a分別形成於不同的導電層,且橋接部TL1c與第二部TL1b分別形成於不同的導電層。舉例而言,在本實施例中,第一觸控訊號線TL1的第一部TL1a及第二部TL1b可與資料線DL形成於同一導電層(例如:第二金屬層),而第一觸控訊號線TL1的橋接部TL1c與觸控電極150可形成於同一導電層(例如:第二透明導電層),但本發明不以此為限。
請參照圖1及圖2,在本實施例中,第一觸控訊號線TL1之第一部TL1a於基底110上的垂直投影位於第一畫素結構PX1之畫素電極130於基底110上的垂直投影與第三畫素結構PX3之畫素電極130於基底110上的垂直投影之間。第一觸控訊號線TL1之第二部TL1b於基底110上的垂直投影位於第二畫素結構PX2之畫素電極130於基底110上的垂直投影與第四畫素結構PX4之畫素電極130於基底110上的垂直投影之間。
請參照圖1,第一觸控訊號線TL1的橋接部TL1c跨越第一連接圖案124-1和第二連接圖案124-2,以電性連接第一觸控訊號線TL1的第一部TL1a與第一觸控訊號線TL1的第二部TL1b。請參照圖1、圖4及圖5,舉例而言,在本實施例中,第一觸控訊號線TL1之橋接部TL1c的兩端可分別透過絕緣層140的多個接觸窗142、143分別與第一觸控訊號線TL1的第一部TL1a及第一觸控訊號線TL1的第二部TL1b電性連接,但本發明不以此為限。
請參照圖1,在本實施例中,第一觸控訊號線TL1之橋接部TL1c於基底110的垂直投影的至少一部分位於第一掃描線SL1於基底110的垂直投影與第二掃描線SL2於基底110的垂直投影之間。在本實施例中,第一觸控訊號線TL1的橋接部TL1c大致上可呈L形。然而,但本發明不以此為限,根據其它實施例,第一觸控訊號線TL1的橋接部TL1c也可呈其他形狀。
請參照圖1及圖2,多條觸控訊號線TL還包括第二觸控訊號線TL2。第二觸控訊號線TL2設置於基底110上,且具有相對的第一側(例如:右側)和第二側(例如:左側)。多個畫素結構PX包括第五畫素結構PX5。第五畫素結構PX5位於第二觸控訊號線TL2的第一側(例如:右側)及第一掃描線SL1和第二掃描線SL2的第二側(例如:下側)。畫素陣列基板10還包括第三資料線DL3。第三資料線DL3位於第二觸控訊號線TL2的第一側(例如:右側)。第五畫素結構PX5之主動元件T的第一端Ta電性連接至第三資料線DL3。第五畫素結構PX5之主動元件T的控制端Tc電性連接至第二掃描線SL2。
在本實施例中,第一資料線DL1、第一觸控訊號線TL1、第二資料線DL2、第二觸控訊號線TL2及第三資料線DL3可在第一方向x上依序排列。此外,在本實施例中,第三資料線DL3的極性與第二資料線DL2的極性相反,且第三資料線DL3的極性與第一資料線DL1的極性相同。
多個畫素結構PX還包括第六畫素結構PX6。第六畫素結構PX6及第二資料線DL2位於第二觸控訊號線TL2的第二側(例如:左側)及第一掃描線SL1和第二掃描線SL2的第一側(例如:上側)。第六畫素結構PX6之主動元件T的第一端Ta電性連接至第二資料線DL2。第六畫素結構PX6之主動元件T的控制端Tc電性連接至第一掃描線SL1。
畫素陣列基板10還包括第三連接圖案124-3。第三連接圖案124-3電性連接至第三資料線DL3和第五畫素結構PX5之主動元件T的第一端Ta。在本實施例中,第三連接圖案124-3由第五畫素結構PX5之主動元件T的第一端Ta向位於第二觸控訊號線TL2之第一側(例如:右側)的第三資料線DL3延伸,而第五畫素結構PX5的延伸圖案122由第五畫素結構PX5之主動元件T的第二端Tb向位於第二觸控訊號線TL2之第一側(例如:右側)的第三資料線DL3延伸。簡言之,第三連接圖案124-3與第五畫素結構PX5的延伸圖案122大致上朝同一方向延伸。
畫素陣列基板10還包括第四連接圖案124-4。第四連接圖案124-4電性連接至第二資料線DL2和第六畫素結構PX6之主動元件T的第一端Ta。在本實施例中,第四連接圖案124-4由第六畫素結構PX6之主動元件T的第一端Ta向位於第二觸控訊號線TL2之第二側(例如:左側)的第二資料線DL2延伸,而第六畫素結構PX6的延伸圖案122由第六畫素結構PX6之主動元件T的第二端Tb向位於第二觸控訊號線TL2之第二側(例如:左側)的第二資料線DL2延伸。簡言之,第四連接圖案124-4與第六畫素結構PX6的延伸圖案122大致上朝同一方向延伸。
多個畫素結構PX更包括第七畫素結構PX7及第八畫素結構PX8。第七畫素結構PX7位於第二觸控訊號線TL2的第二側(例如:左側)及第一掃描線SL1和第二掃描線SL2的第二側(例如:下側)。第七畫素結構PX7之主動元件T的第一端Ta電性連接至第三資料線DL3。第七畫素結構PX7之主動元件T的控制端Tc電性連接至第四掃描線SL4。第八畫素結構PX8位於第二觸控訊號線TL2的第一側(例如:右側)及第一掃描線SL1和第二掃描線SL2的第一側(例如:上側)。第八畫素結構PX8之主動元件T的第一端Ta電性連接至第二資料線DL2。第八畫素結構PX8之主動元件T的控制端Tc電性連接至第三掃描線SL3。
第二觸控訊號線TL2具有第一部TL2a、第二部TL2b及彎曲部TL2c。在本實施例中,第二觸控訊號線TL2之第一部TL2a於基底110上的垂直投影位於第六畫素結構PX6之畫素電極130於基底110上的垂直投影與第八畫素結構PX8之畫素電極130於基底110上的垂直投影之間;第二觸控訊號線TL2之第二部TL2b於基底110上的垂直投影位於第五畫素結構PX5之畫素電極130於基底110上的垂直投影與第七畫素結構PX7之畫素電極130於基底110上的垂直投影之間;第二觸控訊號線TL2的彎曲部TL2c位於第三連接圖案124-3與第四連接圖案124-4之間。
在本實施例中,第二觸控訊號線TL2的第一部TL2a、第二觸控訊號線TL2的第二部TL2b、第二觸控訊號線TL2的彎曲部TL2c可形成於同一膜層(例如:第二金屬層),而彎曲部TL2c的兩端可分別且直接地與第一部TL2a及第二部TL2b連接。另外,在本實施例中,第二觸控訊號線TL2的彎曲部TL2c大致上可呈S形。然而,本發明不限於此,根據其它實施例,第二觸控訊號線TL2的彎曲部TL2c也可呈其它形狀。
值得一提的是,藉由上述設置及電性連接方式,本實施例的畫素陣列基板10的功耗低,且能並減少畫素電極130與資料線DL間之電容耦合效應所造成的影響。更重要的是,透過觸控訊號線TL的設置,畫素陣列基板10除了能保有前述之功耗低、減少畫素電極130與資料線DL間之電容耦合效應之影響的優點外,畫素陣列基板10還具有觸控功能。
此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重述。
圖7為本發明另一實施例之畫素陣列基板10A的上視示意圖。
圖8示出圖7之畫素陣列基板10A的一個畫素結構PX。
圖9為本發明一實施例之畫素陣列基板10A的剖面示意圖。圖9對應圖8的剖線V-V’。
圖10為本發明一實施例之畫素陣列基板10A的剖面示意圖。圖10對應圖7的剖線VI-VI’及剖線VII-VII’。
圖7及圖8省略圖9之接觸窗144的繪示。
請參照圖7至圖10,本實施例的畫素陣列基板10A與前述的畫素陣列基板10類似,兩者的差異在於,畫素陣列基板10A之畫素電極130及共用電極152的位置與畫素陣列基板10之畫素電極130及共用電極152的位置不同。具體而言,在本實施例中,絕緣層140設置於共用電極152上,畫素電極130設置於絕緣層140上,畫素電極130透過絕緣層140的接觸窗144電性連接至延伸圖案122,且畫素電極130具有多個狹縫130a。換言之,在本實施例中,畫素結構PX是畫素電極在上(top-pixel electrode)的結構(亦即,共用電極152形成於第一透明導電層,且畫素電極130形成於第二透明導電層)。此外,在本實施例中,第一觸控訊號線TL1的橋接部TL1c是與畫素電極130形成於同一膜層(例如:第二透明導電層)。
本實施例的畫素陣列基板10A具有與前述的畫素陣列基板10類似的功效及優點,於此便不再重述。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、10A:畫素陣列基板 110:基底 122:延伸圖案 124-1:第一連接圖案 124-2:第二連接圖案 124-3:第三連接圖案 124-4:第四連接圖案 130:畫素電極 130a、152a:狹縫 140:絕緣層 141、142、143、144:接觸窗 150:觸控電極 152:共用電極 154:橋接圖案 DL:資料線 DL1:第一資料線 DL2:第二資料線 DL3:第三資料線 GI:閘絕緣層 PX:畫素結構 PX1:第一畫素結構 PX2:第二畫素結構 PX3:第三畫素結構 PX4:第四畫素結構 PX5:第五畫素結構 PX6:第六畫素結構 PX7:第七畫素結構 PX8:第八畫素結構 R:局部 SL:掃描線 SL1:第一掃描線 SL2:第二掃描線 SL3:第三掃描線 SL4:第四掃描線 T:主動元件 Ta:第一端 Tb:第二端 Tc:控制端 Td:半導體圖案 TL:觸控訊號線 TL1:第一觸控訊號線 TL1a、TL2a:第一部 TL1b、TL2b:第二部 TL1c:橋接部 TL2:第二觸控訊號線 TL2c:彎曲部 x:第一方向 y:第二方向 Ι-Ι’、П-П’、III-III’、IV-IV’、V-V’、VI-VI’、VII-VII’:剖線
圖1為本發明一實施例之畫素陣列基板10的上視示意圖。 圖2示出圖1之畫素陣列基板10的一個畫素結構PX。 圖3為本發明一實施例之畫素陣列基板10的剖面示意圖。 圖4為本發明一實施例之畫素陣列基板10的局部的放大示意圖。 圖5為本發明一實施例之畫素陣列基板10的剖面示意圖。 圖6為本發明一實施例之畫素陣列基板10的剖面示意圖。 圖7為本發明另一實施例之畫素陣列基板10A的上視示意圖。 圖8示出圖7之畫素陣列基板10A的一個畫素結構PX。 圖9為本發明一實施例之畫素陣列基板10A的剖面示意圖。 圖10為本發明一實施例之畫素陣列基板10A的剖面示意圖。
10:畫素陣列基板
110:基底
124-1:第一連接圖案
124-2:第二連接圖案
124-3:第三連接圖案
124-4:第四連接圖案
150:觸控電極
152:共用電極
154:橋接圖案
DL:資料線
DL1:第一資料線
DL2:第二資料線
DL3:第三資料線
PX:畫素結構
PX1:第一畫素結構
PX2:第二畫素結構
PX3:第三畫素結構
PX4:第四畫素結構
PX5:第五畫素結構
PX6:第六畫素結構
PX7:第七畫素結構
PX8:第八畫素結構
R:局部
SL:掃描線
SL1:第一掃描線
SL2:第二掃描線
SL3:第三掃描線
SL4:第四掃描線
TL:觸控訊號線
TL1:第一觸控訊號線
TL1a、TL2a:第一部
TL1b、TL2b:第二部
TL1c:橋接部
TL2:第二觸控訊號線
TL2c:彎曲部
x:第一方向
y:第二方向
III-III’、IV-IV’:剖線

Claims (12)

  1. 一種畫素陣列基板,包括: 一基底; 一第一觸控訊號線,設置於該基底上,且具有相對的一第一側和一第二側,其中該第一觸控訊號線具有一第一部、一第二部和一橋接部; 多個畫素結構,其中該些畫素結構的每一個包括: 一主動元件,具有一第一端、一第二端及一控制端; 一延伸圖案,電性連接至該主動元件的該第二端;以及 一畫素電極,電性連接至該延伸圖案,其中該些畫素結構包括一第一畫素結構及一第二畫素結構,該第一畫素結構位於該第一觸控訊號線的該第一側,且該第二畫素結構位於該第一觸控訊號線的該第二側; 一第一資料線及一第二資料線,其中該第一資料線位於該第一觸控訊號線的該第二側,且該第二資料線位於該第一觸控訊號線的該第一側; 一第一連接圖案,電性連接至該第一資料線和該第一畫素結構之該主動元件的該第一端; 一第二連接圖案,電性連接至第二資料線和該第二畫素結構之該主動元件的該第一端,其中該第一觸控訊號線的該橋接部跨越該第一連接圖案和該第二連接圖案,以電性連接該第一觸控訊號線的該第一部與該第一觸控訊號線的該第二部;以及 一觸控電極,至少重疊於該第一畫素結構的該畫素電極,且電性連接至該第一觸控訊號線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板,更包括: 一第一掃描線,電性連接至該第一畫素結構之該主動元件的該控制端; 一第二掃描線,電性連接至該第二畫素結構之該主動元件的該控制端,其中該第一掃描線及該第二掃描線具有相對的一第一側及一第二側,該第一畫素結構更位於該第一掃描線及該第二掃描線的該第一側,且該第二畫素結構更位於該第一掃描線及該第二掃描線的該第二側; 該些畫素結構更包括一第三畫素結構及一第四畫素結構,其中該第三畫素結構位於該第一觸控訊號線的該第二側和該第一掃描線及該第二掃描線的該第一側,該第三畫素結構之該主動元件的該第一端電性連接至該第一資料線,該第四畫素結構位於該第一觸控訊號線的該第一側和該第一掃描線及該第二掃描線的該第二側,且該第四畫素結構之該主動元件的該第一端電性連接至該第二資料線; 該第一資料線的極性與該第二資料線的極性相反。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板,更包括: 一第一掃描線,電性連接至該第一畫素結構之該主動元件的該控制端; 一第二掃描線,電性連接至該第二畫素結構之該主動元件的該控制端,其中該第一掃描線及該第二掃描線具有相對的一第一側及一第二側,該第一畫素結構更位於該第一掃描線及該第二掃描線的該第一側,且該第二畫素結構更位於該第一掃描線及該第二掃描線的該第二側; 該些畫素結構更包括一第三畫素結構及一第四畫素結構,其中該第三畫素結構位於該第一觸控訊號線的該第二側和該第一掃描線及該第二掃描線的該第一側,該第三畫素結構之該主動元件的該第一端電性連接至該第一資料線,該第四畫素結構位於該第一觸控訊號線的該第一側和該第一掃描線及該第二掃描線的該第二側,且該第四畫素結構之該主動元件的該第一端電性連接至該第二資料線; 該第一觸控訊號線之該第一部於該基底上的一垂直投影位於該第一畫素結構之該畫素電極於該基底上的一垂直投影與該第三畫素結構之該畫素電極於該基底上的一垂直投影之間; 該第一觸控訊號線之該第二部於該基底上的一垂直投影位於該第二畫素結構之該畫素電極於該基底上的一垂直投影與該第四畫素結構之該畫素電極於該基底上的一垂直投影之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板,更包括: 一第一掃描線,電性連接至該第一畫素結構之該主動元件的該控制端; 一第二掃描線,電性連接至該第二畫素結構之該主動元件的該控制端,其中該第一掃描線及該第二掃描線具有相對的一第一側及一第二側,該第一畫素結構更位於該第一掃描線及該第二掃描線的該第一側,且該第二畫素結構更位於該第一掃描線及該第二掃描線的該第二側; 該第一觸控訊號線之該橋接部於該基底的一垂直投影的至少一部分位於該第一掃描線於該基底的一垂直投影與該第二掃描線於該基底的一垂直投影之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板,其中該第一連接圖案由該第一畫素結構之該主動元件的該第一端向位於該第一觸控訊號線的該第二側的該第一資料線延伸,且該第一畫素結構的該延伸圖案由該第一畫素結構之該主動元件的該第二端向位於該第一觸控訊號線的該第一側的該第二資料線延伸。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的畫素陣列基板,其中該第二連接圖案由該第二畫素結構之該主動元件的該第一端向位於該第一觸控訊號線的該第一側的該第二資料線延伸,且該第二畫素結構的該延伸圖案由該第二畫素結構之該主動元件的該第二端向位於該第一觸控訊號線的該第二側的該第一資料線延伸。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板,更包括: 一第二觸控訊號線,設置於該基底上,且具有相對的一第一側和一第二側,其中該些畫素結構包括一第五畫素結構及一第六畫素結構,該第五畫素結構位於該第二觸控訊號線的該第一側,該第六畫素結構及該第二資料線位於該第二觸控訊號線的該第二側,且該第六畫素結構之該主動元件的該第一端電性連接至該第二資料線; 一第三資料線,位於該第二觸控訊號線的該第一側,其中該第五畫素結構之該主動元件的該第一端電性連接至該第三資料線; 一第三連接圖案,電性連接至該第三資料線和該第五畫素結構之該主動元件的該第一端;以及 一第四連接圖案,電性連接至第二資料線和該第六畫素結構之該主動元件的該第一端; 其中,該第二觸控訊號線具有一彎曲部,且該第二觸控訊號線的該彎曲部位於該第三連接圖案與該第四連接圖案之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的畫素陣列基板,更包括: 一第一掃描線,電性連接至該第一畫素結構之該主動元件的該控制端及該第六畫素結構之該主動元件的該控制端; 一第二掃描線,電性連接至該第二畫素結構之該主動元件的該控制端及該第五畫素結構之該主動元件的該控制端,其中該第一掃描線及該第二掃描線具有相對的一第一側及一第二側,該第一畫素結構及該第六畫素結構更位於該第一掃描線及該第二掃描線的該第一側,該第二畫素結構及該第五畫素結構更位於該第一掃描線及該第二掃描線的該第二側; 該些畫素結構更包括一第七畫素結構及一第八畫素結構,其中該第七畫素結構位於該第二觸控訊號線的該第二側和該第一掃描線及該第二掃描線的該第二側,該第七畫素結構之該主動元件的該第一端電性連接至該第三資料線,該第八畫素結構位於該第二觸控訊號線的該第一側和該第一掃描線及該第二掃描線的該第一側,且該第八畫素結構之該主動元件的該第一端電性連接至該第二資料線; 該第一資料線的極性與該第三資料線的極性相同。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的畫素陣列基板,其中該第三連接圖案由該第五畫素結構之該主動元件的該第一端向位於該第二觸控訊號線之該第一側的該第三資料線延伸,且該第五畫素結構的該延伸圖案由該第五畫素結構之該主動元件的該第二端向位於該第二觸控訊號線之該第一側的該第三資料線延伸。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的畫素陣列基板,其中該第四連接圖案由該第六畫素結構之該主動元件的該第一端向位於該第二觸控訊號線之該第二側的該第二資料線延伸,且該第六畫素結構的該延伸圖案由該第六畫素結構之該主動元件的該第二端向位於該第二觸控訊號線之該第二側的該第二資料線延伸。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板,更包括: 一絕緣層,其中該絕緣層設置於該些畫素結構的該些畫素電極上,該觸控電極設置於該絕緣層上,且該第一觸控訊號線的該橋接部與該觸控電極形成於同一膜層。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的畫素陣列基板,更包括: 一絕緣層,其中該絕緣層設置於該觸控電極上,該些畫素結構的該些畫素電極設置於該絕緣層上,且該第一觸控訊號線的該橋接部與該些畫素電極形成於同一膜層。
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