CN113467630A - 阵列基板及其制作方法和触控显示装置 - Google Patents

阵列基板及其制作方法和触控显示装置 Download PDF

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Abstract

一种阵列基板及其制作方法和触控显示装置，该阵列基板包括：多个第一信号线、与第一信号线相交的多个第二信号线、沿第二信号线的延伸方向延伸的多个触控信号线、以及与至少部分触控信号线电连接的多个触控感测块。每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的触控电极；触控信号线被划分为多个触控信号线组，每个触控信号线组包括相邻的触控信号线，同一触控信号线组包括的相邻的触控信号线分别位于同一个第二信号线的两侧，该相邻的触控信号线以及该同一个第二信号线都包括位于相邻的触控电极之间的部分，并且该相邻的触控信号线所在的层不同于该同一个第二信号线所在的层。该阵列基板的负载小。

Description

阵列基板及其制作方法和触控显示装置
技术领域
本公开实施例提供一种阵列基板及其制作方法和触控显示装置。
背景技术
触控屏在我们身边随处可见。触控屏节省了空间便于携带，还有更好的人机交互性。在各类触控屏中，电容式触控屏具有较强的灵敏度、可实现多点触控等优点而被广泛应用。
电容式触控屏的工作原理是：在基板的表面设置导电物质作为触控电极；当触摸物(例如用户的手指)触碰触控屏时，位于触摸点处的触控电极的电容发生变化，根据该变化可以检测出触摸点在触控屏上的位置。
电容式触控技术可分为利用互电容原理的触控技术和利用自电容原理的触控技术。与利用互电容原理的触控技术相比，利用自电容原理的触控技术的触控感应的准确度和信噪比都较高。
内嵌式触控屏是一种将触控电极设置于显示面板的阵列基板和对置基板之间的触控屏。内嵌式触控屏具有较高的集成度、更加轻薄，因此具有广泛的应用前景。
发明内容
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，其包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的多个第一信号线；位于所述衬底基板上的多个第二信号线，其中，所述多个第二信号线在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一信号线在所述衬底基板上的正投影相交；位于所述衬底基板上且彼此间隔开的多个触控感测块，其中，每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极；以及位于所述衬底基板上的多个触控信号线，其中，所述多个触控信号线中的至少部分分别电连接所述多个触控感测块。所述多个触控信号线沿所述多个第二信号线的延伸方向延伸，所述多个触控信号线被划分为多个触控信号线组，每个触控信号线组包括相邻的触控信号线，同一触控信号线组包括的所述相邻的触控信号线在所述衬底基板上的正投影分别位于同一个第二信号线在所述衬底基板上的正投影的两侧，所述相邻的触控信号线的正投影以及所述同一个第二信号线的正投影都包括位于相邻的触控电极在所述衬底基板上的正投影之间的部分，并且所述相邻的触控信号线所在的层不同于所述同一个第二信号线所在的层。
例如，每个触控信号线包括多个主体部和多个弯曲部，所述多个主体部与所述多个弯曲部交替设置；每个主体部在所述衬底基板上的正投影位于所述相邻的触控电极在所述衬底基板上的正投影之间的区域中。
例如，所述的阵列基板还包括位于所述衬底基板上的多个开关元件，每个开关元件位于一个弯曲部与所述同一个第二信号线之间的区域中。
例如，所述多个第一信号线中设置有多个镂空部；并且，至少部分镂空部在所述衬底基板上的正投影分别与所述弯曲部在所述衬底基板上的正投影交叠。
例如，每个触控感测块包括依次排列的多个触控电极组，每个触控电极组包括间隔开的多个触控电极以及电连接所述多个触控电极的第一延伸部；每个触控感测块还包括多个第二延伸部，每个第二延伸部位于相邻的触控电极组之间且电连接所述相邻的触控电极组。
例如，在所述第二信号线的延伸方向上相邻的触控感测块之间设置有一个第一信号线以及第三延伸部，所述第三延伸部与所述相邻的触控感测块中的一个电连接并且与另一个绝缘，并且所述第三延伸部在所述衬底基板上的正投影与位于所述相邻触控感测块之间的所述一个第一信号线在所述衬底基板上的正投影相交。
例如，所述第二延伸部和所述第三延伸部位于同一层中，所述第二延伸部和所述第三延伸部都沿所述第二信号线的延伸方向延伸。
例如，所述多个第一信号线中设置有多个镂空部；并且，所述第二延伸部和所述第三延伸部在所述衬底基板上的正投影分别与部分镂空部在所述衬底基板上的正投影交叠。
例如，所述阵列基板包括公共电极层和像素电极层，所述公共电极层在垂直于所述衬底基板的方向上位于所述衬底基板和所述像素电极层之间，并且所述公共电极层包括所述多个触控感测块中的触控电极；所述像素电极层包括第一部分、第二部分以及第三部分，所述第二延伸部通过所述第一部分和所述第二部分电连接所述相邻的触控电极组，所述第三延伸部通过所述第三部分电连接所述相邻的触控感测块中的所述一个。
例如，所述像素电极层还包括第四部分，所述第一延伸部通过所述第四部分电连接一个触控信号线，以将包括所述第一延伸部的触控感测块电连接至所述一个触控信号线。
例如，所述第二延伸部、所述第三延伸部以及所述第二信号线位于同一层中。
例如，所述阵列基板包括设置于所述衬底基板上的公共电极层、第一导电层、第二导电层、第三导电层和像素电极层；所述公共电极层包括多行触控电极，所述多行触控电极沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，所述第二方向不同于所述第一方向；所述第一导电层包括沿所述第一方向延伸的所述多个第一信号线和沿所述第一方向延伸的多行第一延伸部，每行第一延伸部包括彼此断开的多个第一延伸部，每个第一延伸部与同一行触控电极中的一部分电连接以形成一个触控电极组，所述多个第一信号线与所述多行第一延伸部交替设置且彼此绝缘；所述第二导电层包括沿所述第二方向延伸的所述多个第二信号线和沿所述第二方向延伸的多列延伸部，所述多列延伸部中的至少部分包括彼此断开的多个第二延伸部和彼此断开的多个第三延伸部，在所述第二方向上相邻的第二延伸部之间设置有一行触控电极，每个第二延伸部电连接在所述第二方向上相邻的触控电极组，在所述第二方向上相邻的第三延伸部之间设置有多行触控电极，并且每个第三延伸部电连接一个触控电极组，从而所述多行触控电极、所述多行第一延伸部和所述多列延伸部组合成所述多个触控感测块，每个触控感测块包括彼此电连接且在所述第二方向上依次排列的所述多个触控电极组；所述第三导电层包括所述多个触控信号线；所述像素电极层包括多个像素电极，并且每个触控信号线在所述衬底基板上的正投影包括位于与其相邻的第二信号线和像素电极在所述衬底基板上的正投影之间的部分。
例如，所述阵列基板包括公共电极层和像素电极层，所述像素电极层在垂直于所述衬底基板的方向上位于所述衬底基板和所述公共电极层之间；所述公共电极层包括所述多个触控感测块中的触控电极、所述第二延伸部和所述第三延伸部。
例如，所述阵列基板包括设置于所述衬底基板上的像素电极层、第一导电层、第二导电层、第三导电层和公共电极层；所述像素电极层包括多个像素电极；所述第一导电层包括所述多个第一信号线和多行第一延伸部，所述多个第一信号线和所述多行第一延伸部都沿第一方向延伸并且都沿不同于所述第一方向的第二方向依次排列，每行第一延伸部包括彼此断开的多个第一延伸部，所述多个第一信号线与所述多行第一延伸部交替设置且彼此绝缘；所述第二导电层包括沿所述第二方向延伸的所述多个第二信号线；所述第三导电层包括所述多个触控信号线，每个触控信号线电连接同一触控感测块包括的所述多个触控电极组中的第一延伸部；所述公共电极层包括所述触控电极、所述第二延伸部和所述第三延伸部，并且所述公共电极层包括的所述触控电极、所述第二延伸部和所述第三延伸部以及所述第一导电层包括的所述多行第一延伸部组合成所述多个触控感测块。
例如，所述阵列基板包括依次位于所述衬底基板上的公共电极层和像素电极层，所述公共电极层包括所述多个触控电极。
例如，所述阵列基板包括多个子像素区域，每个子像素区域中设置有所述多个触控感测块中的一个触控电极，并且每个触控电极位于一个子像素区域中。
例如，所述多个触控信号线的数量多于所述多个触控感测块的数量；所述多个触控信号线包括多个第一触控信号线和多个第二触控信号线，所述多个第一触控信号线分别与所述多个触控感测块电连接，并且所述多个第二触控信号线与所述多个触控感测块绝缘。
本公开至少一个实施例还提供一种触控显示装置，其包括以上任一项实施例所述的阵列基板。
本公开至少一个实施例还提供一种阵列基板的制作方法，该制作方法包括：形成位于衬底基板上的多个第一信号线；形成位于所述衬底基板上的多个第二信号线，其中，所述多个第二信号线在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一信号线在所述衬底基板上的正投影相交；形成位于所述衬底基板上且彼此间隔开的多个触控感测块，其中，每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极；以及形成位于所述衬底基板上的多个触控信号线，其中，所述多个触控信号线中的至少部分分别电连接所述多个触控感测块。所述多个触控信号线沿所述多个第二信号线的延伸方向延伸，所述多个触控信号线被划分为多个触控信号线组，每个触控信号线组包括相邻的触控信号线，同一触控信号线组包括的所述相邻的触控信号线在所述衬底基板上的正投影分别位于同一个第二信号线在所述衬底基板上的正投影的两侧，所述相邻的触控信号线的正投影以及所述同一个第二信号线的正投影都包括位于相邻的触控电极在所述衬底基板上的正投影之间的部分，并且所述相邻的触控信号线所在的层不同于所述同一个第二信号线所在的层。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为一种采用自电容式触控技术的内嵌式触控屏的触控结构示意图；
图2A为本公开至少一个实施例提供的阵列基板的俯视示意图；
图2B至图2D为图2A中部分结构的俯视示意图；
图3A为沿图2A中I-I线的简化剖视示意图；
图3B为沿图2A中II-II线的简化剖视示意图；
图4A为本公开至少一个实施例提供的阵列基板中的多个触控感测块与多个触控信号线的电连接关系示意图一；
图4B为本公开至少一个实施例提供的阵列基板中的多个触控感测块与多个触控信号线的电连接关系示意图二；
图4C为本公开至少一个实施例提供的阵列基板中单个触控感测块与多个触控信号线的位置关系示意图；
图4D为本公开至少一个实施例提供的阵列基板中的多个触控感测块的俯视示意图；
图4E为图4D的局部放大示意图；
图5A为沿图4C中A-A’线的剖视示意图；
图5B为沿图4C中B-B’线的剖视示意图；
图5C为沿图4E中C-C’线的剖视示意图；
图5D为沿图4E中D-D’线的剖视示意图；
图6A为本公开至少一个实施例提供的阵列基板的另一种俯视示意图；
图6B为图6A中的部分结构的俯视示意图；
图7A为沿图6A中III-III线的简化剖视示意图；
图7B为沿图6A中IV-IV线的简化剖视示意图；
图8A为本公开至少一个实施例提供的触控显示装置为内嵌式触控显示装置时沿图2A中I-I线的简化剖视示意图；
图8B为本公开至少一个实施例提供的触控显示装置为内嵌式触控显示装置时沿图2A中II-II线的简化剖视示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种采用自电容式触控技术的内嵌式触控屏的触控结构示意图。如图1所示，在该内嵌式触控屏中，触控结构包括阵列排列的多个触控感测块101、以及分别与触控感测块101电连接(图1中的黑色圆点表示电连接)的触控信号线102。触控感测块101将触控信号线102电连接至触控控制电路103，触控控制电路检测触控感测块101的自电容变化情况以确定触控位置。例如，该内嵌式触控屏的阵列基板包括像素电极和公共电极，并且公共电极被复用为触控感测块101，即：在显示阶段，公共电极被施加公共电极信号；在触控阶段，公共电极被施加触控信号以作为自电容电极(图1中的每个触控感测块为一个自电容电极)。
本申请的发明人注意到，图1所示的触控结构在应用于中小尺寸触控屏时，平均一个子像素区域或者几个子像素区域对应一个触控信号线102，此时负载较小；然而，图1所示的触控结构在应用于大尺寸触控屏的情况下，触控感测块101和触控信号线102的数量都较多，导致触控屏的负载较大。
本公开实施例提供一种阵列基板及其制作方法、以及包括该阵列基板的触控显示装置。该阵列基板包括位于衬底基板上的多个第一信号线、多个第二信号线、多个触控感测块和多个触控信号线。该多个第二信号线在衬底基板上的正投影与该多个第一信号线在衬底基板上的正投影相交。该多个触控感测块彼此间隔开，每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极。该多个触控信号线中的至少部分分别电连接该多个触控感测块，多个触控信号线沿多个第二信号线的延伸方向延伸，多个触控信号线被划分为多个触控信号线组，每个触控信号线组包括相邻的触控信号线，同一触控信号线组包括的相邻的触控信号线在衬底基板上的正投影分别位于同一个第二信号线在衬底基板上的正投影的两侧，相邻的触控信号线的正投影以及一个第二信号线的正投影都包括位于相邻的触控电极在衬底基板上的正投影之间的部分，并且相邻的触控信号线所在的层不同于同一第二信号线所在的层。在本公开实施例中，由于相邻的触控信号线所在的层不同于位于该相邻的触控信号线之间的第二信号线所在的层，因此该相邻的触控信号线的正投影与该第二信号线的正投影之间的距离可以设置得较小，从而有利于实现将该相邻的触控信号线以及该第二信号线设置于相邻触控电极之间的间隙处，即有利于使相邻的触控信号线以及位于该相邻的触控信号线之间的第二信号线可以都包括位于相邻的触控电极之间的部分(即，该部分与该相邻的触控电极在衬底基板上的正投影不交叠)，以减小该阵列基板的负载，从而提高触控性能，尤其是本公开实施例在应用于大尺寸(例如32英寸及以上尺寸，例如55英寸及以上尺寸)内嵌式触控装置中时可以大幅减小负载。
图2A为本公开至少一个实施例提供的阵列基板的俯视示意图，图2B至图2D为图2A中部分结构的俯视示意图，其中，图2B示出了图2A中的公共电极层10和第一导电层20，图2C示出了图2A中的公共电极层10、第一导电层20以及第二导电层40，图2D示出了图2A中的公共电极层10、第一导电层20、第二导电层40以及第三导电层50。图3A为沿图2A中I-I线的简化剖视示意图；图3B为沿图2A中II-II线的简化剖视示意图。
如图2A至图2D所示，本公开至少一个实施例提供的阵列基板包括衬底基板BS以及位于衬底基板BS上的多个第一信号线21和多个第二信号线41。该多个第一信号线21位于第一导电层20中、沿第一方向延伸并且沿不同于第一方向的第二方向依次排列；该多个第二信号线41位于第二导电层40中、沿第二方向延伸并且沿第一方向依次排列；第二信号线41在衬底基板BS上的正投影与第一信号线21在衬底基板BS上的正投影相交。例如，第一信号线21在与第二信号线41交叠的位置处具有第一宽度，并且第一信号线21在相邻的第二信号线41之间的位置处具有第二宽度，第一宽度和第二宽度都为第一信号线21在第二方向上的尺寸，并且第一宽度小于第二宽度。通过使第一信号线21在与第二信号线41交叠的位置处具有较小的宽度，有利于减小第一信号线21与第二信号线41的交叠面积，以减小阵列基板的负载。
例如，在一些实施例中，如图2A至图2D所示，第一信号线21为栅线，第二信号线41为数据线；此时，如图3A和图3B所示，第一信号线21所在的第一导电层20与第二信号线41所在的第二导电层40通过栅绝缘层GI隔开。或者，在另一些实施例中，第一信号线21为数据线，第二信号线41为栅线。在第一信号线21和第二信号线41中的一者为栅线且另一者为数据线的情况下，相邻的第一信号线21和相邻的第二信号线41相互交叉限定的区域为子像素区域，子像素区域包括开口区和围绕开口区的非开口区，在包括本公开实施例提供的阵列基板的装置中，非开口区为被黑矩阵遮挡的区域，开口区为未被黑矩阵遮挡的区域；该相邻的第一信号线21和该相邻的第二信号线41都位于非开口区中。例如，本公开至少一个实施例提供的阵列基板为用于实现显示功能的阵列基板，在这种情况下，每个子像素区域包括显示区(开口区为显示区)和围绕显示区的非显示区(非开口区为非显示区)，该相邻的第一信号线21和该相邻的第二信号线41都位于该子像素区域的非显示区中。本公开实施例提供的阵列基板也可以为用于实现其他功能的阵列基板，本公开实施例对此不做限定。以下实施例以阵列基板用于实现显示功能为例进行说明。
参见图2A和图2D，本公开至少一个实施例提供的阵列基板还包括多个触控信号线Tx，该多个触控信号线Tx沿第二信号线41的延伸方向(即第二方向)延伸并且沿第一信号线21的延伸方向(即第一方向)依次排列。该多个触控信号线Tx被划分为多个触控信号线组TxG，每个触控信号线组TxG包括相邻的两个触控信号线Tx(即，该相邻的两个触控信号线Tx之间无其他触控信号线Tx)。如图2A、图2D和图3A所示，该相邻的两个触控信号线Tx在衬底基板BS上的正投影分别位于同一个第二信号线41在衬底基板BS上的正投影的两侧(即，该第二信号线41的正投影位于该相邻的两个触控信号线Tx的正投影之间)。触控信号线Tx位于第三导电层50中，并且触控信号线Tx所在第三导电层50不同于第一信号线21所在第一导电层20且不同于第二信号线41所在的第二导电层40。例如，如图3A所示，第三导电层50位于第二导电层40的远离衬底基板BS的一侧，即第二导电层40在垂直于衬底基板BS的方向上位于衬底基板BS和第三导电层50之间，第二导电层40与第三导电层50通过第一钝化绝缘层PVX1隔开，并且第三导电层50还被第二钝化绝缘层PVX2覆盖。图2A和图2D所示实施例仅示出了2个触控信号线组TxG以及对应的两个第二信号线41进行举例说明。在一些实施例中，为了保证阵列基板中的多个第二信号线41两侧电场的一致性，例如，每个第二信号线41的正投影都位于同一触控信号线组TXG包括的相邻两个触控信号线Tx的正投影之间。
一方面，由于该第二信号线41的正投影位于与该第二信号线41相邻的两个触控信号线Tx的正投影之间，这样可以减小第二信号线41两侧的电场之间的差异，从而有利于避免触控信号线Tx影响采用该阵列基板的显示装置的显示效果。另一方面，当该第二信号线41与该相邻的两个触控信号线Tx这三个信号线中的某个信号线发生故障而需要进行修复时，与将该第二信号线41和该相邻的两个触控信号线Tx同层设置的方式相比，通过采用使该相邻的两个触控信号线Tx所在的第三导电层50不同于该第二信号线41所在的第二导电层40这种不同层设置的方式，可以避免出现信号线短路，并且可以避免三个同层且平行的信号线这一设计导致的不利于维修。再一方面，由于该相邻的两个触控信号线Tx所在的第三导电层50不同于该第二信号线41所在的第二导电层40，因此该相邻的两个触控信号线Tx的正投影与该第二信号线41的正投影之间的距离可以设置的较小；在一些实施例中，通过将该相邻的两个触控信号线Tx以及该同一第二信号线41设置于子像素区域的非开口区中，可以提高阵列基板的开口率。
继续参见图2A至图2D，本公开至少一个实施例提供的阵列基板还包括位于衬底基板BS上的彼此间隔开的触控电极11。例如，触控电极11也可以作为阵列基板中的公共电极，也就是说，将阵列基板包括的公共电极复用为触控电极11，在显示阶段对公共电极施加公共电极信号以实现显示功能，并且在触控阶段对公共电极施加触控信号以实现触控功能，这样无需额外制作触控电极所在的层，从而可以节省制作工艺且减小阵列基板的厚度。在这种情况下，阵列基板为包括公共电极和像素电极的阵列基板。例如，如图2A、图3A和图3B所示，本公开至少一个实施例提供的阵列基板包括位于衬底基板BS上的公共电极(即触控电极11)和像素电极61，公共电极位于公共电极层10中，像素电极61位于像素电极层60中，即公共电极与像素电极61不同层设置。
在一些实施例中，在垂直于衬底基板BS的方向上，像素电极层60位于衬底基板BS和公共电极层10之间(如图6A至图7B所示)。在这种情况下，距离衬底基板BS更远的公共电极层中的每个触控电极11都具有多个狭缝(该多个狭缝贯穿触控电极11)。在另一些实施例中，如图3A和图3B所示，在垂直于衬底基板BS的方向上，公共电极层10位于衬底基板BS和像素电极层60之间。在这种情况下，如图2A至图2D所示，每个触控电极11为不具有狭缝的连续结构，每个像素电极61具有多个狭缝(图2A至图2D以像素电极具有两种不同方向的狭缝从而形成双畴结构为例进行说明，在其他实施例中，像素电极61也可以为单畴或者更多畴结构)。在每个触控电极11不具有狭缝的情况下，每个触控电极11具有更大的面积，这样有利于增强触控性能。此外，由于触控电极11距离衬底基板BS更近并且具有更大的面积，因此可以实现双侧触控的模式。也就是说，在正面触控模式中，触控物(例如用户的手指)可以从衬底基板BS的设置有触控电极11的一侧进行触控；在背面触控模式中，触控物可以从衬底基板BS的未设置触控电极11的一侧进行触控。
例如，如图2A至图2D所示，阵列基板中的多个第一信号线21和多个第二信号线41相互交叉以形成多个子像素区域，每个子像素区域为相邻的第一信号线21和相邻的第二信号线41所围成的区域，每个子像素区域中设置有一个触控电极11，并且每个触控电极11位于一个子像素区域中。也就是说，阵列基板中的多个子像素区域与多个触控电极11是一一对应地设置的。在这种情况下，在第一方向(第一信号线21的延伸方向)上相邻的触控电极11之间设置有一个第二信号线41。需要说明的是，图2A至图2D以触控电极11比像素电极61更靠近衬底基板BS为例进行说明。在其他实施中，当像素电极61比触控电极11更靠近衬底基板BS时，触控电极11与子像素区域也可以采用一一对应的设置方式，以减小触控电极与第二信号线41的交叠面积，从而降低阵列基板的负载。
如图2A、图2D和图3A所示，同一触控信号线组TxG中的相邻的两个触控信号线Tx的正投影以及位于该相邻的两个触控信号线Tx之间的一个第二信号线41的正投影都包括位于相邻的触控电极11在衬底基板BS上的正投影之间的部分。通过使该部分位于相邻触控电极11的正投影之间而不与触控电极11的正投影交叠，可以有效降低阵列基板的负载。尤其是在该阵列基板为用于大尺寸显示装置的阵列基板的情况下，阵列基板的负载被大幅减小。
需要说明的是，相邻的两个触控信号线Tx的正投影以及位于该相邻的两个触控信号线Tx之间的一个第二信号线41的正投影都包括位于相邻的触控电极11在衬底基板BS上的正投影之间的部分，是指这三个信号线中的任一个信号线的整个正投影或者部分正投影都与触控电极11不交叠。例如，如图2A和图2D所示，每个触控信号线Tx包括多个主体部TA和多个弯曲部TB，该多个主体部TA与该多个弯曲部TB交替设置；每个主体部TA在衬底基板BS上的正投影位于在第一方向上相邻的触控电极11在衬底基板BS上的正投影之间的区域中，在这种情况下，在第一方向上相邻的触控电极11之间设置有相邻的触控信号线Tx的主体部TA和与该相邻的触控信号线Tx的主体部TA相邻的第二信号线41。由于主体部TA为触控信号线Tx的主要部分，因此至少使主体部TA的正投影与触控电极11的正投影不交叠，可以有效减小阵列基板的负载。在其他实施例中，在使主体部TA的正投影与触控电极11的正投影不交叠的基础上，还可以使弯曲部TB的正投影与触控电极11的正投影不交叠，也就是说，整个触控信号线Tx的正投影都位于相邻触控电极11的正投影之间的区域中。
例如，如图2A和图2D所示，在触控信号线Tx的主体部TA与第一信号线21交叠的位置处，第一信号线21也具有上述第一宽度。通过使第一信号线21在与主体部TA交叠的位置处具有较小的宽度，可以进一步减小阵列基板的负载。
触控信号线Tx在衬底基板BS上的正投影可以与像素电极61在衬底基板BS上的正投影交叠或者不交叠。例如，如图2A所示，触控信号线Tx的主体部TA的正投影与像素电极61的正投影不交叠，并且触控信号线Tx的弯曲部TB与像素电极61的正投影交叠。在其他实施例中，也可以使触控信号线Tx的主体部TA以及弯曲部TB的正投影都与像素电极61的正投影交叠，以增大像素电容，从而提高像素充电率。
触控信号线Tx包括的弯曲部TB用于避免触控信号线Tx与阵列基板包括的开关元件交叠，从而进一步减小阵列基板的负载。例如，如图2A和图2D所示，本公开至少一个实施例提供的阵列基板包括位于衬底基板BS上的多个开关元件T，每个开关元件T位于一个弯曲部TB与距离该弯曲部TB最近的第二信号线41之间的区域中，开关元件T与像素电极61电连接。例如，开关元件为晶体管，其包括栅极GE、有源层AL、源极SE和漏极DE，漏极DE电连接像素电极61(例如漏极DE通过过孔V5电连接像素电极61)。例如，栅极GE为第一信号线21的一部分，源极SE与第二信号线41直接电连接，并且源极SE和漏极DE同层设置，这样可以减少阵列基板的制作工艺。
例如，如图2A至图2D所示，第一信号线21中设置有多个镂空部21A，部分镂空部21A在衬底基板BS上的正投影与弯曲部TB在衬底基板BS上的正投影交叠。镂空部21A为贯穿第一信号线21的开口，通过设置镂空部21A，并且使每个弯曲部TB与镂空部21A的正投影交叠，可以减小第一信号线21与触控信号线Tx的交叠面积，从而进一步减小阵列基板的负载。例如，在一些实施例中，可以是每个镂空部21A的正投影与一个弯曲部TB的正投影交叠。例如，在另一些实施例中，在一部分镂空部21A的正投影与弯曲部TB交叠的基础上，另一部分镂空部21A的正投影还与下文提及的第二延伸部42(如图2A和图6A所示)的正投影交叠，以进一步减小负载。例如，在另一些实施例中，下文提及的第三延伸部43还可以与镂空部21A交叠，以进一步减小负载。
在本公开至少一个实施例中，阵列基板中的多个触控电极11被划分成多个触控感测块，每个触控感测块中的触控电极11彼此电连接，并且每个触控感测块与一个触控信号线Tx电连接。
图4A为本公开至少一个实施例提供的阵列基板中的多个触控感测块与多个触控信号线的电连接关系示意图一，并且图4A中的每个黑色圆点表示一个用于电连接的过孔；图4B为本公开至少一个实施例提供的阵列基板中的多个触控感测块与多个触控信号线的电连接关系示意图二；图4C为本公开至少一个实施例提供的阵列基板中的单个触控感测块与多个触控信号线的位置关系示意图；图4D为本公开至少一个实施例提供的阵列基板中的多个触控感测块的俯视示意图，并且图4D所示实施例示出了两行两列触控感测块TS进行举例说明；图4E为图4D的局部放大示意图。
如图4A至图4E所示，本公开至少一个实施例提供的阵列基板包括位于衬底基板上且彼此间隔开的多个触控感测块TS，每个触控感测块TS包括彼此电连接且彼此间隔开的触控电极11，每个触控感测块TS都电连接一个触控信号线Tx，以通过该触控信号线Tx电连接触控控制电路TC。例如，本公开至少一个实施例提供的阵列基板采用自电容原理实现触控，即每个触控感测块TS作为一个自电容电极，触控控制电路TC通过检测触控感测块TS的自电容的变化情况确定触控位置。
例如，如图4A所示，每个触控感测块TS只电连接一个触控信号线Tx，并且每个触控信号线只电连接一个触控感测块TS。也就是说，阵列基板中的多个触控感测块TS与多个触控信号线Tx一一对应地电连接。需要说明的是，该多个触控感测块TS与该多个触控信号线Tx之间的电连接关系的实现方式包括但不限于图4A所示实施例。例如，在一些实施例中，如图4B所示，阵列基板中触控信号线Tx的数量多于触控感测块TS的数量，阵列基板中的多个触控信号线Tx包括多个第一触控信号线Tx1和多个第二触控信号线Tx2，该多个第一触控信号线Tx1和该多个第二触控信号线Tx2都电连接触控控制电路TC并且在工作时被施加相同的触控信号，第一触控信号线Tx1与触控感测块TS电连接，第二触控信号线Tx2与触控感测块TS电绝缘。在本公开的一些实施例中，由于每个第二信号线41都与两个触控信号线Tx相邻，当第二信号线41数量比较多时，需要设置的触控信号线Tx的数量也比较多；在这种情况下，如果使触控信号线Tx的数量不超过触控感测块TS的数量相等，则可能出现一部分第二信号线41不与触控信号线Tx相邻的情况。鉴于此，在本公开的一些实施例中，通过设置与任意一个触控感测块TS都电绝缘的第二触控信号线Tx2，使触控信号线Tx的数量多于触控感测块TS的数量时，可以实现每个第二信号线41与两个触控信号线Tx相邻。
需要说明的是，图4B中为了便于区分第一触控信号线Tx1和第二触控信号线Tx2而采用不同粗细的线条表示这两种信号线；然而，在本公开实施例中，第一触控信号线Tx1和第二信号线Tx2在第一方向上的尺寸相同。
例如，如图4C所示，一个触控感测块TS-1所在的区域经过多个触控信号线组TxG(例如，每个触控信号线组TxG都位于相邻的触控电极11之间的间隙中)，该多个触控信号线组TxG中的一个触控信号线Tx(参见图4C中的Tx-1)与该触控感测块TS-1电连接，并且该多个触控信号线组TxG中的其余触控信号线Tx与该触控感测块TS-1电绝缘。例如，触控信号线Tx-1电连接该触控感测块TS-1包括的多个第一延伸部22(下文对第一延伸部22的设置方式进行详细描述)。例如，该多个第一延伸部22都通过过孔V4(参见图4C和图2A)电连接同一触控信号线Tx-1。通过使触控信号线Tx(参见Tx-1)电连接同一触控感测块TS-1包括的多个第一延伸部22，可以提高信号传输速度，并且降低触控信号线Tx与触控感测块TS之间的电连接故不良的发生几率。需要说明的是，单个触控感测块TS及其对应的触控信号线Tx之间的电连接方式包括但不限于图4C所示实施例，只要能够实现二者之间的电连接即可。另外，为了便于说明触控感测块TS与触控信号线Tx之间的位置关系，图4C仅示例性地示出了一个触控感测块TS以及经过该触控感测块的触控信号线Tx，但未示出同一触控信号线组TxG包括的两个触控信号线Tx之间的第二信号线。
例如，如图4D至图4E所示，每个触控感测块TS包括依次排列的多个触控电极组TG，每个触控电极组TG包括间隔开的多个触控电极11以及电连接该多个触控电极11的第一延伸部22。例如，如图3B所示，第一延伸部22与触控电极11直接电连接(即未通过过孔以及转接件实现电连接)。例如，如图4D至图4E所示，同一个触控感测块TS包括的多个触控电极组TG都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，相应地，该多个触控电极组TG中的第一延伸部22都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列。每个触控感测块TS还包括多个第二延伸部42，每个第二延伸部42位于相邻的触控电极组TG之间且电连接所述相邻的触控电极组TG。例如，每个第二延伸部42都沿第二方向延伸，并且每个第二延伸部42分别通过第一过孔V1和第二过孔V2(参见图4C-4E和图2A)电连接相邻的触控电极组TG。例如，相邻的触控电极组TG通过至少两个第二延伸部42电连接，这样可以提高信号传输速度。例如，为了获取较好的信号传输速度，在第一方向上，最多每6个子像素区域对应一个第二延伸部42。例如，在图4D所示实施例中，在第一方向上，每4个子像素区域对应一个第二延伸部42。
在本公开实施例中，一方面，通过使每个触控感测块TS包括间隔开的触控电极11，并且通过将触控信号线Tx的至少一部分和第二信号线41的至少一部分设置在相邻触控电极11之间的区域中，可以有效减小阵列基板的负载。另一方面，通过利用第一延伸部22和第二延伸部42电连接彼此间隔开的多个触控电极11的方式形成触控感测块TS，使得触控感测块TS具有网格状结构，从而触控感测块TS的电阻较小。
例如，第一延伸部22和第二延伸部42都位于阵列基板的非开口区中，以提高阵列基板的开口率。
例如，如图2A至图2D所示，第一延伸部22在与第二信号线41和触控信号线Tx交叠的位置处具有第一宽度，第一延伸部22在相邻第二信号线41之间具有第二宽度，第一宽度和第二宽度都为第一延伸部在第二方向上的尺寸，并且第一宽度小于第二宽度。通过使第一延伸部22在与第二信号线41和触控信号线Tx交叠的位置处具有较小的宽度，有利于进一步减小阵列基板的负载。
例如，如图2A、图2C和图2D所示，第二延伸部42在衬底基板上的正投影与第一信号线21中的镂空部21A交叠，以进一步减小阵列基板的负载。
例如，如图2A-2D所示，第一延伸部22和第一信号线21位于同一层(参见第一导电层20)中，也就是说，第一延伸部22和第一信号线21通过利用同一掩膜板对同一薄膜进行图案化处理形成，这样可以减少阵列基板的制作工艺。
例如，如图2A、图2C和图2D所示，第二延伸部42与第二信号线41位于同一层(参见第二导电层40)中，也就是说，第二延伸部42和第二信号线41通过利用同一掩膜板对同一薄膜进行图案化处理形成，这样可以减少阵列基板的制作工艺。
需要说明的是，同一触控感测块TS中的相邻触控电极组TG之间都设置有一个第一信号线21，并且在第二方向(即第二信号线41的延伸方向)上相邻的触控感测块TS之间也都设置有一个第一信号线21。为了便于说明触控感测块TS与触控信号线Tx之间的位置关系，图4C未示出同一触控感测块TS包括的相邻触控电极组TG之间的第一信号线21，仅示出了一个触控感测块TS以及一个位于相邻触控感测块TS之间的第一信号线21；为了便于说明触控感测块TS的结构，图4D和图4E中未示出第一信号线21。
例如，如图4C至图4E所示，在第二方向上相邻的触控感测块TS-1和TS-2之间设置有第三延伸部43，该第三延伸部43与该相邻的触控感测块TS-1和TS-2中的一个电连接并且与另一个电绝缘。例如，该第三延伸部43与触控感测块TS-2(参见图4D和图4E)电连接(例如通过第三过孔V3电连接)，并且该第三延伸部43与触控感测块TS-1电绝缘。如图4C所示，在第二方向上相邻的触控感测块TS-1和TS-2(图4C仅示出触控感测块TS-1)之间还设置有一个第一信号线21，该相邻的触控感测块TS-1和TS-2之间的第三延伸部43在衬底基板BS上的正投影与位于该相邻触控感测块TS-1和TS-2之间的一个第一信号线21在衬底基板BS上的正投影交叠。
在本公开实施例中，一方面，在第一方向上相邻的触控感测块TS的相互靠近的第一延伸部22彼此断开(例如，该相互靠近的第一延伸部22在第一方向上的间距大于或等于5微米)，以实现相邻触控感测块TS在第一方向上的彼此电绝缘；并且，通过设置通过第三延伸部43，实现在第二方向上相邻的触控感测块TS的彼此电绝缘。另一方面，由于同一触控感测块TS中的相邻触控电极组TG之间都设置有一个第一信号线21，因此将该相邻触控电极组TG电连接起来的第二延伸部42在衬底基板BS上的正投影与该第一信号线21在衬底基板BS上的正投影交叠；通过在位于相邻的触控感测块TS之间设置第三延伸部43，使第三延伸部43只电连接其中一个触控感测块TS-2而与另一个触控感测块TS-1电绝缘，并且使第三延伸部43与第一信号线21交叠，有利于实现位于同一触控感测块TS的相邻触控电极组TG之间的第一信号线21与位于相邻触控感测块TS-1和TS-2之间的第一信号线21具有相同的寄生电容，从而提高阵列基板中的多个第一信号线21的寄生电容的一致性。例如，为了进一步提高该多个第一信号线21的寄生电容的一致性，同一触控感测块TS的相邻触控电极组之间设置的第一信号线21的数量等于在第二方向上相邻的触控感测块TS-1和TS-2之间设置的第三延伸部43的数量。
例如，如图2A、图2C和图2D所示，第二延伸部42和第三延伸部43位于同一层中以减少阵列基板的制作工艺，并且第二延伸部42和第三延伸部43都沿第二信号线41的延伸方向延伸。
例如，如图2A、图2C和图2D所示，阵列基板中的多个第一信号线21中设置有多个镂空部21A；第二延伸部42在衬底基板BS上的正投影与镂空部21A在衬底基板BS上的正投影交叠。需要说明的是，图2A中只示出了第二延伸部42与镂空部21A交叠的方式；在一些实施例中，第三延伸部43的正投影也可以与镂空部21A的正投影交叠，并且第三延伸部43与镂空部21A交叠的方式与第二延伸部42与镂空部21A交叠的方式类似。
例如，如图2A、图2C和图2D所示，第三延伸部43位于第二导电层40中，也就是说，第三延伸部43、第二延伸部42和第二信号线41位于同一层(参见第二导电层40)中，从而第三延伸部43、第二延伸部42和第二信号线41通过利用同一掩膜板对同一薄膜进行图案化处理形成，这样可以减少阵列基板的制作工艺。在这种情况下，例如，第二延伸部42和第三延伸部43都沿第二信号线41的延伸方向(即第二方向)延伸，以简化布线。
图5A为沿图4C中A-A’线的剖视示意图；图5B为沿图4C中B-B’线的剖视示意图，并且图5B未示出相邻触控信号线Tx之间的第二信号线41；图5C为沿图4E中C-C’线的剖视示意图；图5D为沿图4E中D-D’线的剖视示意图。
图5A至图5D以在衬底基板BS从下到上依次设置有公共电极层10、第一导电层20、栅绝缘层GI、有源层AL、第二导电层40、第一钝化绝缘层PVX1、第三导电层50、第二钝化绝缘层PVX2和像素电极层60为例进行说明。如图5A、图5C和图5D所示，在过孔V1-V4处可以利用像素电极层60的材料实现电连接。例如，像素电极层60包括第一部分6A、第二部分6B、第三部分6C和第四部分6D；如图4E和图5C所示，第一部分6A位于第一过孔V1中，以将第二延伸部42与一个触控电极组TG中的触控电极11电连接起来；如图4E和图5C所示，第二部分6B位于第二过孔V2中，以将第二延伸部42与另一触控电极组TG中的触控电极11电连接起来；如图4E和图5D所示，第三部分6C位于第三过孔V3中，以将第三延伸部43与一个触控感测块TS中的第一延伸部22电连接，从而将该第三延伸部43与该触控感测块TS电连接；如图5A所示，第四部分6D位于第四过孔V4中，以将触控信号线Tx与对应的第一延伸部22电连接，从而实现触控感测块TS与对应的触控信号线Tx之间的电连接。通过利用像素电极层60的材料实现过孔V1-V4处的电连接，可以实现利用同一掩膜板制作栅绝缘层GI、第一钝化绝缘层PVX1和第二钝化绝缘层PVX2，以减少制作阵列基板的过程中所使用的掩膜板的数量。
例如，以图2A所示的阵列基板为例，本公开至少一个实施例提供的阵列基板可以采用如下步骤制作。
步骤S11：如图2B所示，利用公共电极层掩膜板，在衬底基板BS上形成公共电极层10。如图2B和图4D所示，公共电极层10包括彼此间隔开的多行触控电极11(行方向沿第一方向)，该多行触控电极11沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列。
步骤S12：如图2B所示，利用第一导电层掩膜板，在衬底基板BS上形成第一导电层20。如图2B和图4D所示，第一导电层20包括沿第一方向延伸的多个第一信号线21和沿第一方向延伸的多行第一延伸部22，每行第一延伸部22包括彼此断开的第一延伸部22，每个第一延伸部22与同一行触控电极11中的一部分电连接以形成一个触控电极组TG，从而每个触控电极11与和其相邻的一行第一延伸部22形成沿第一方向依次排列的多个触控电极组TG，并且在第二方向上，多个第一信号线21与多行第一延伸部22交替设置且彼此电绝缘。
步骤S13：在衬底基板BS上形成覆盖公共电极层10和第一导电层20且用于形成栅绝缘层GI(如图3A和图3B所示)的栅绝缘层初始薄膜。
步骤S14：利用有源层掩膜板，在形成有栅绝缘层初始薄膜的衬底基板BS上形成多个图案化的有源层AL(如图2A所示)。
步骤S15：如图2C所示，利用第二导电层掩膜板，在衬底基板BS上形成第二导电层40。第二导电层40包括多个源极SE和多个漏极DE，并且源极SE、漏极DE、有源层AL以及第一信号线21的部分(该部分作为栅极)形成多个开关元件T。第二导电层40还包括沿第二方向延伸的多个第二信号线41和沿第二方向延伸的多列延伸部；如图4D所示，该多列延伸部中的至少部分包括彼此断开的多个第二延伸部42和彼此断开的多个第三延伸部43，在第二方向上相邻的第二延伸部42之间设置有一行触控电极11，每个第二延伸部42将在第二方向上相邻的触控电极组TG电连接在一起，在第二方向上相邻的第三延伸部43之间设置有多行触控电极11，并且每个第三延伸部43只电连接一个触控电极组TG，从而该多行触控电极11、该多行第一延伸部22和该多列延伸部形成多个触控感测块TS，每个触控感测块TS包括彼此电连接且在第二方向上依次排列的多个触控电极组TG，在第一方向上相邻的触控感测块TS通过彼此断开的第一延伸部22实现彼此电绝缘，在第二方向上相邻的触控感测块TS通过第三延伸部实现彼此电绝缘。
步骤S16：在衬底基板BS上形成覆盖第二导电层40且用于形成第一钝化绝缘层PVX1(如图3A和图3B所示)的第一钝化绝缘层初始薄膜。
步骤S17：利用第三导电层掩膜板，在形成有第一钝化绝缘层初始薄膜的衬底基板BS上形成第三导电层50。如图2D所示，第三导电层50包括多个触控信号线Tx。
步骤S18：在衬底基板BS上形成覆盖第三导电层50的第二钝化绝缘层初始薄膜；并且，利用绝缘层掩膜板对第二钝化绝缘层初始薄膜、第一钝化绝缘层初始薄膜以及栅绝缘层初始薄膜进行图案化处理，以形成栅绝缘层GI、第一钝化绝缘层PVX1、第二钝化绝缘层PVX2和过孔V1-V5。如图5C和5D所示，过孔V1、V2、V3贯穿栅绝缘层GI、第一钝化绝缘层PVX1和第二钝化绝缘层PVX2。如图5A所示，过孔V4贯穿栅绝缘层GI、第一钝化绝缘层PVX1和第二钝化绝缘层PVX2。另外，过孔V5贯穿第一钝化绝缘层PVX1和第二钝化绝缘层PVX2以暴露出漏极DE(如图2A和图2D所示)的部分表面。
步骤S19：如图2A所示，利用像素电极层掩膜板，在衬底基板BS上形成像素电极层60。如图2A、图3A-3B和图5A-5D所示，像素电极层60包括多个像素电极61、多个第一部分6A、多个第二部分6B、多个第三部分6C和多个第四部分6D。如图2A所示，像素电极61伸入过孔V5中以电连接漏极DE。如图4E和图5C所示，第一部分6A伸入第一过孔V1中，以将第二延伸部42与一个触控电极组TG中的触控电极11电连接起来。如图4E和图5C所示，第二部分6B伸入第二过孔V2中，以将第二延伸部42与另一触控电极组TG中的触控电极11电连接起来。如图4E和图5D所示，第三部分6C伸入第三过孔V3中，以将第三延伸部43与一个触控感测块TS中的第一延伸部22电连接，从而将该第三延伸部43与该触控感测块TS电连接。如图5A所示，第四部分6D伸入第四过孔V4中，以将触控信号线Tx与对应的第一延伸部22电连接。
需要说明的是，本公开实施例不限定上述步骤的制作顺序。例如，在一些实施例中，步骤S11与步骤S12可以互换。例如，在另一些实施例中，公共电极层10与像素电极层60的制作顺序可以互换。
在本公开一些实施例中，例如，公共电极层10和像素电极层60都可以采用氧化铟锡或氧化铟锌等导电的透明金属氧化物制作。例如，第一导电层20、第二导电层40和第三导电层50都可以采用金属材料制作，例如铝、铝合金、铜、铜合金、钼或者镍等金属材料。第一导电层20、第二导电层40和第三导电层50都可以单层膜结构或者多层膜结构。例如，栅绝缘层GI、第一钝化绝缘层PVX1和第二钝化绝缘层PVX2都可以采用无机绝缘材料制作，例如该无机绝缘材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。
以上各实施例以触控电极11比像素电极61更靠近衬底基板BS为例进行说明。下面结合图6A至图7B，对像素电极61比触控电极11更靠近衬底基板BS的实施例进行说明，其中，图6A为本公开至少一个实施例提供的阵列基板的另一种俯视示意图；图6B为图6A中的部分结构的俯视示意图；图7A为沿图6A中III-III线的简化剖视示意图；图7B为沿图6A中IV-IV线的简化剖视示意图。
例如，如图6A至图7B所示，本公开至少另一个实施例提供的阵列基板包括公共电极层10和像素电极层60，像素电极层60在垂直于衬底基板的方向上位于衬底基板和公共电极层10之间；公共电极层10包括触控电极11、以及延伸方向相同的第二延伸部42和第三延伸部43。第一延伸部22与公共电极层10包括的触控电极11、第二延伸部42和第三延伸部43组合成多个触控感测块TS。在同一触控感测块TS(参见TS-1)中，在第二方向上相邻的触控电极11通过与其直接连接的第二延伸部42电连接在一起，在第一方向上相邻的触控电极11通过第一延伸部22电连接在一起(例如，触控电极11伸入过孔V6中以电连接对应的第一延伸部22，如图6A和图7B所示)，由此实现同一触控感测块TS中的触控电极11彼此电连接。在第一方向上相邻的触控感测块TS之间彼此电绝缘的方式与图4D所示实施例类似，即通过使在第一方向上相邻的触控感测块TS的相互靠近的第一延伸部22彼此断开来实现该在第一方向上相邻的触控感测块TS之间的彼此电绝缘。在第二方向上相邻的触控感测块TS(参见TS-1和TS-2)通过第三延伸部43彼此电绝缘，例如，如图6A所示，该第三延伸部43从触控感测块TS-2中的触控电极11沿第二方向直接伸出后越过第一信号线21，并且未延伸到触控感测块TS-1的触控电极11，从而第三延伸部43与触控感测块TS-1的触控电极11未电连接。
例如，第一延伸部22与第一信号线21同层设置，即都位于第一导电层20中，以减少阵列基板的制作工艺。
例如，第三延伸部43与第一信号线21中的镂空部21A交叠，以减小阵列基板的负载。
例如，如图6A至图7B所示实施例中的阵列基板可以采用如下步骤制作。
步骤S21：利用像素电极层掩膜板，在衬底基板BS上形成像素电极层60，使像素电极层60包括多个像素电极61。
步骤S22：利用第一导电层掩膜板，在衬底基板BS上形成第一导电层20。第一导电层20包括多个第一信号线21和多行第一延伸部22，该多个第一信号线21和该多行第一延伸部22都沿第一方向延伸并且都沿不同于第一方向的第二方向依次排列，每行第一延伸部22包括彼此断开的多个第一延伸部22，该多个第一信号线21与该多行第一延伸部22交替设置且彼此绝缘。
步骤S23：在衬底基板BS上形成覆盖像素电极层60和第一导电层20且用于形成栅绝缘层GI的栅绝缘层初始薄膜。
步骤S24：利用有源层掩膜板，在衬底基板BS上形成有源层AL。
步骤S25：利用第二导电层掩膜板，在衬底基板BS上形成第二导电层40，使第二导电层40包括沿第二方向延伸的多个第二信号线41、源极SE和漏极DE，从而第一信号线21的一部分(作为栅极GE)、有源层AL、源极SE和漏极DE组合成开关元件T。
步骤S26：在衬底基板BS上形成覆盖第二导电层40且用于形成第一钝化绝缘层PVX1的第一钝化绝缘层初始薄膜。
步骤S27：利用第三导电层掩膜板，在衬底基板BS上形成第三导电层50，使第三导电层50包括多个触控信号线，每个触控信号线电连接同一触控感测块包括的多个触控电极11组中的第一延伸部22。
步骤S28：在衬底基板BS上形成覆盖第三导电层50且用于形成第二钝化绝缘层PVX2的第二钝化绝缘层初始薄膜，并且利用绝缘层掩膜板对栅绝缘层初始薄膜、第一钝化绝缘层初始薄膜以及第二钝化绝缘层初始薄膜进行图案化处理，以形成栅绝缘层GI、第一钝化绝缘层PVX1、第二钝化绝缘层PVX2和过孔V4-V6，过孔V4-V6都贯穿栅绝缘层GI、第一钝化绝缘层PVX1和第二钝化绝缘层PVX2以暴露出第一延伸部22的部分表面，过孔V5贯穿栅绝缘层GI、第一钝化绝缘层PVX1和第二钝化绝缘层PVX2以暴露出像素电极61的部分表面。
步骤S29：利用公共电极掩膜板，在衬底基板BS上形成公共电极10。公共电极层10包括触控电极11、第二延伸部42和第三延伸部43；触控电极11伸入过孔V6中以电连接对应的第一延伸部22，从而实现在第一方向上相邻的触控电极11之间的电连接；第二延伸部42将在第二方向上相邻的触控电极11电连接起来；第三延伸部43只电连接一个触控电极11。因此，公共电极层10包括的触控电极11、第二延伸部42和第三延伸部43以及第一导电层20包括的多行第一延伸部22组合成多个触控感测块TS。触控电极11还伸入过孔V4中以将触控信号线Tx和第一延伸部22电连接起来。另外，公共电极层10的部分材料填充到过孔V5中以将漏极DE与对应的像素电极61电连接起来。
例如，图6A至图7B所示实施例中触控信号线Tx、第一信号线21和第二信号线41的设置方式、触控信号线Tx与触控感测块TS之间的数量关系及电连接关系、触控电极11与子像素区域之间的位置关系可以采用如图2A至图5D所示实施例中的方式，重复之处不再赘述。
本公开至少一个实施例还提供一种触控显示装置，其包括以上任一项实施例提供的阵列基板。
例如，本公开至少一个实施例提供的触控显示装置为内嵌式触控显示装置。图8A为本公开至少一个实施例提供的触控显示装置为内嵌式触控显示装置时沿图2A中I-I线的简化剖视示意图，图8B为本公开至少一个实施例提供的触控显示装置为内嵌式触控显示装置时沿图2A中II-II线的简化剖视示意图。例如，如图8A和图8B所示，内嵌式触控显示装置包括阵列基板1和与阵列基板1相对设置的对置基板2，阵列基板1为本公开以上任一项实施例提供的阵列基板，阵列基板1包括的触控电极11位于阵列基板1的面向对置基板2的一侧，对置基板2包括衬底基板BS2以及黑矩阵BM。从图8A和图8B可以看出，第一信号线21、第二信号线41和触控信号线Tx都被黑矩阵BM遮挡，即第一信号线21、第二信号线41和触控信号线Tx都位于子像素区域的非开口区。在一些实施例中，如图8B所示，第一延伸部22也被黑矩阵BM遮挡。例如，该内嵌式触控显示装置为液晶显示装置，在这种情况下，阵列基板1和对置基板2之间设置有液晶层，阵列基板1包括的像素电极61和公共电极(其被复用为触控电极11)用于产生控制液晶层中液晶分子偏转的电场。在其他实施例中，触控显示装置也可以为非内嵌式触控显示装置。
在图8A和图8B所示实施例中，触控电极11相对于像素电极61更靠近衬底基板BS，因此该触控显示装置可以实现双侧触控的模式。也就是说，在正面触控模式中，触控物(例如用户的手指)可以从对置基板2所在侧进行触控；在背面触控模式中，触控物可以从阵列基板1所在侧进行触控。在其他实施例中，触控电极11与像素电极61的位置可以互换。
例如，该触控显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED(有机发光二极管)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有触控和显示功能的产品或部件。
本公开至少一个实施例还提供一种阵列基板的制作方法，以如图2A至图5D所示的阵列基板以及图6A至图7B所示阵列基板为例，该制作方法包括：形成位于衬底基板BS上的多个第一信号线21；形成位于衬底基板BS上的多个第二信号线41，使该多个第二信号线41在衬底基板BS上的正投影与该多个第一信号线21在衬底基板BS上的正投影相交；形成位于衬底基板BS上且彼此间隔开的多个触控感测块TS，使每个触控感测块TS包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极11；以及形成位于衬底基板BS上的多个触控信号线Tx，使该多个触控信号线Tx中的至少部分分别电连接该多个触控感测块TS。例如，如图4A所示，触控信号线Tx与触控感测块TS一一对应地电连接；或者，如图4B所示，第一触控信号线Tx1与触控感测块TS一一对应地电连接，并且第二触控信号线Tx2与触控感测块TS电绝缘。触控信号线Tx与触控感测块TS的电连接方式包括但不限于图4A和图4B所示实施例。
在本公开实施例提供的制作方法中，多个触控信号线Tx沿多个第二信号线41的延伸方向延伸，多个触控信号线Tx被划分为多个触控信号线组TG，每个触控信号线组TG包括相邻的触控信号线Tx，同一触控信号线组TG包括的相邻的触控信号线Tx在衬底基板BS上的正投影分别位于同一个第二信号线41在衬底基板BS上的正投影的两侧，相邻的触控信号线Tx的正投影以及同一个第二信号线41的正投影都包括位于相邻的触控电极11在衬底基板BS上的正投影之间的部分，并且相邻的触控信号线Tx所在的层50不同于同一个第二信号线41所在的层40。由于触控信号线Tx和第二信号线41都包括与触控电极11不交叠的部分，因此可以减小阵列基板的负载；由于第二信号线41位于同一触控信号线组TG中相邻的两个触控信号线Tx之间，因此有利于使第二信号线41两侧的电场一致；由于触控信号线Tx与第二信号线41不同层设置，因此有利于提高开口率并且便于修复信号线。
本公开实施例提供的制作方法中阵列基板的其它结构请参见阵列基板的实施例中的相关描述。关于图2A至图5D所示阵列基板的制作方法，参见上述步骤S11至步骤S19；关于图6A至图7B所示阵列基板的制作方法，参见上述步骤S21至步骤S29。
在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (19)

1.一种阵列基板，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的多个第一信号线；
位于所述衬底基板上的多个第二信号线，其中，所述多个第二信号线在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一信号线在所述衬底基板上的正投影相交；
位于所述衬底基板上且彼此间隔开的多个触控感测块，其中，每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极；以及
位于所述衬底基板上的多个触控信号线，其中，所述多个触控信号线中的至少部分分别电连接所述多个触控感测块，
其中，所述多个触控信号线沿所述多个第二信号线的延伸方向延伸，所述多个触控信号线被划分为多个触控信号线组，每个触控信号线组包括相邻的触控信号线，同一触控信号线组包括的所述相邻的触控信号线在所述衬底基板上的正投影分别位于同一个第二信号线在所述衬底基板上的正投影的两侧，所述相邻的触控信号线的正投影以及所述同一个第二信号线的正投影都包括位于相邻的触控电极在所述衬底基板上的正投影之间的部分，并且所述相邻的触控信号线所在的层不同于所述同一个第二信号线所在的层。
2.如权利要求1所示的阵列基板，其中，
每个触控信号线包括多个主体部和多个弯曲部，所述多个主体部与所述多个弯曲部交替设置；
每个主体部在所述衬底基板上的正投影位于所述相邻的触控电极在所述衬底基板上的正投影之间的区域中。
3.如权利要求2所述的阵列基板，还包括位于所述衬底基板上的多个开关元件，其中，每个开关元件位于一个弯曲部与所述同一个第二信号线之间的区域中。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其中，所述多个第一信号线中设置有多个镂空部；并且，
至少部分镂空部在所述衬底基板上的正投影分别与所述弯曲部在所述衬底基板上的正投影交叠。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其中，
每个触控感测块包括依次排列的多个触控电极组，每个触控电极组包括间隔开的多个触控电极以及电连接所述多个触控电极的第一延伸部；
每个触控感测块还包括多个第二延伸部，每个第二延伸部位于相邻的触控电极组之间且电连接所述相邻的触控电极组。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其中，
在所述第二信号线的延伸方向上相邻的触控感测块之间设置有一个第一信号线以及第三延伸部，所述第三延伸部与所述相邻的触控感测块中的一个电连接并且与另一个绝缘，并且所述第三延伸部在所述衬底基板上的正投影与位于所述相邻触控感测块之间的所述一个第一信号线在所述衬底基板上的正投影相交。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第二延伸部和所述第三延伸部位于同一层中，所述第二延伸部和所述第三延伸部都沿所述第二信号线的延伸方向延伸。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其中，所述多个第一信号线中设置有多个镂空部；并且，所述第二延伸部和所述第三延伸部在所述衬底基板上的正投影分别与部分镂空部在所述衬底基板上的正投影交叠。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，
所述阵列基板包括公共电极层和像素电极层，所述公共电极层在垂直于所述衬底基板的方向上位于所述衬底基板和所述像素电极层之间，并且所述公共电极层包括所述多个触控感测块中的触控电极；
所述像素电极层包括第一部分、第二部分以及第三部分，所述第二延伸部通过所述第一部分和所述第二部分电连接所述相邻的触控电极组，所述第三延伸部通过所述第三部分电连接所述相邻的触控感测块中的所述一个。
10.如权利要求9所述的阵列基板，其中，所述像素电极层还包括第四部分，所述第一延伸部通过所述第四部分电连接一个触控信号线，以将包括所述第一延伸部的触控感测块电连接至所述一个触控信号线。
11.如权利要求9所述的阵列基板，其中，所述第二延伸部、所述第三延伸部以及所述第二信号线位于同一层中。
12.如权利要求9所述的阵列基板，其中，
所述阵列基板包括设置于所述衬底基板上的公共电极层、第一导电层、第二导电层、第三导电层和像素电极层；
所述公共电极层包括多行触控电极，所述多行触控电极沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，所述第二方向不同于所述第一方向；
所述第一导电层包括沿所述第一方向延伸的所述多个第一信号线和沿所述第一方向延伸的多行第一延伸部，每行第一延伸部包括彼此断开的多个第一延伸部，每个第一延伸部与同一行触控电极中的一部分电连接以形成一个触控电极组，所述多个第一信号线与所述多行第一延伸部交替设置且彼此绝缘；
所述第二导电层包括沿所述第二方向延伸的所述多个第二信号线和沿所述第二方向延伸的多列延伸部，所述多列延伸部中的至少部分包括彼此断开的多个第二延伸部和彼此断开的多个第三延伸部，在所述第二方向上相邻的第二延伸部之间设置有一行触控电极，每个第二延伸部电连接在所述第二方向上相邻的触控电极组，在所述第二方向上相邻的第三延伸部之间设置有多行触控电极，并且每个第三延伸部电连接一个触控电极组，从而所述多行触控电极、所述多行第一延伸部和所述多列延伸部组合成所述多个触控感测块，每个触控感测块包括彼此电连接且在所述第二方向上依次排列的所述多个触控电极组；
所述第三导电层包括所述多个触控信号线；
所述像素电极层包括多个像素电极，并且每个触控信号线在所述衬底基板上的正投影包括位于与其相邻的第二信号线和像素电极在所述衬底基板上的正投影之间的部分。
13.如权利要求7所述的阵列基板，其中，
所述阵列基板包括公共电极层和像素电极层，所述像素电极层在垂直于所述衬底基板的方向上位于所述衬底基板和所述公共电极层之间；
所述公共电极层包括所述多个触控感测块中的触控电极、所述第二延伸部和所述第三延伸部。
14.如权利要求13所述的阵列基板，其中，
所述阵列基板包括设置于所述衬底基板上的像素电极层、第一导电层、第二导电层、第三导电层和公共电极层；
所述像素电极层包括多个像素电极；
所述第一导电层包括所述多个第一信号线和多行第一延伸部，所述多个第一信号线和所述多行第一延伸部都沿第一方向延伸并且都沿不同于所述第一方向的第二方向依次排列，每行第一延伸部包括彼此断开的多个第一延伸部，所述多个第一信号线与所述多行第一延伸部交替设置且彼此绝缘；
所述第二导电层包括沿所述第二方向延伸的所述多个第二信号线；
所述第三导电层包括所述多个触控信号线，每个触控信号线电连接同一触控感测块包括的所述多个触控电极组中的第一延伸部；
所述公共电极层包括所述触控电极、所述第二延伸部和所述第三延伸部，并且所述公共电极层包括的所述触控电极、所述第二延伸部和所述第三延伸部以及所述第一导电层包括的所述多行第一延伸部组合成所述多个触控感测块。
15.如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板，其中，所述阵列基板包括依次位于所述衬底基板上的公共电极层和像素电极层，所述公共电极层包括所述多个触控电极。
16.如权利要求1-14中任一项所述的阵列基板，其中，所述阵列基板包括多个子像素区域，每个子像素区域中设置有所述多个触控感测块中的一个触控电极，并且每个触控电极位于一个子像素区域中。
17.如权利要求1-14中任一项所述的阵列基板，其中，
所述多个触控信号线的数量多于所述多个触控感测块的数量；
所述多个触控信号线包括多个第一触控信号线和多个第二触控信号线，所述多个第一触控信号线分别与所述多个触控感测块电连接，并且所述多个第二触控信号线与所述多个触控感测块绝缘。
18.一种触控显示装置，包括如权利要求1-17中任一项所述的阵列基板。
19.一种阵列基板的制作方法，包括：
形成位于衬底基板上的多个第一信号线；
形成位于所述衬底基板上的多个第二信号线，其中，所述多个第二信号线在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一信号线在所述衬底基板上的正投影相交；
形成位于所述衬底基板上且彼此间隔开的多个触控感测块，其中，每个触控感测块包括彼此电连接且彼此间隔开的多个触控电极；以及
形成位于所述衬底基板上的多个触控信号线，其中，所述多个触控信号线中的至少部分分别电连接所述多个触控感测块，
其中，所述多个触控信号线沿所述多个第二信号线的延伸方向延伸，所述多个触控信号线被划分为多个触控信号线组，每个触控信号线组包括相邻的触控信号线，同一触控信号线组包括的所述相邻的触控信号线在所述衬底基板上的正投影分别位于同一个第二信号线在所述衬底基板上的正投影的两侧，所述相邻的触控信号线的正投影以及所述同一个第二信号线的正投影都包括位于相邻的触控电极在所述衬底基板上的正投影之间的部分，并且所述相邻的触控信号线所在的层不同于所述同一个第二信号线所在的层。
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