TWI699917B - 頂部發光型有機發光二極體顯示器 - Google Patents

頂部發光型有機發光二極體顯示器 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種頂部發光型有機發光二極體顯示器。輔助線路設置於基板。絕緣膜覆蓋輔助線路。輔助陰極設置於絕緣膜並與輔助線路連接。鈍化膜覆蓋輔助陰極。平坦化膜堆疊在鈍化膜。下切開口露出輔助陰極的一端。下區域經由移除位於露出之輔助陰極該端下方的絕緣膜而形成於下切開口中。在平坦化膜的連接端子延伸到下切開口並接觸露出的輔助陰極。有機發光層堆疊在輔助陰極的表面且不形成於下區域，有機發光層露出連接端子的一側使連接端子與輔助陰極接觸。陰極堆疊在有機發光層，並且與未被該有機發光層覆蓋的連接端子的該側接觸。

Description

頂部發光型有機發光二極體顯示器
本發明係關於一種頂部發光型有機發光二極體顯示器。尤其，本發明係關於一種頂部發光型有機發光二極體顯示器，其包含輔助陰極並具有下切結構。輔助陰極用以降低陰極的表面電阻。下切結構用於直接連接輔助陰極和陰極。
近來發展了許多平板顯示器，其相較於陰極射線管 (cathode ray tubes，CRTs) 體積更小、重量更輕。這些平板顯示器例如包括液晶顯示器 (liquid crystal displays，LCDs)、場放射顯示器 (field emission displays，FEDs)、電漿顯示器 (plasma display panels，PDPs)、電致發光元件 (electroluminescence devices，ELs) 等。
電致發光顯示器依據發光層使用的材料大致分為無機電致發光顯示器和有機發光二極體顯示器，並因電致發光顯示器的自發光元素而提供許多優點，例如反應時間快、高發光效率、高亮度(brightness)、寬視角(viewing angle)等。值得注意的是，具有高能量效率和較小的漏電流(leakage current)，並透過電流控制而有助於灰階表現的有機發光二極體顯示器的需求迅速增長。
在有機發光二極體顯示器中，具有基準電壓的陰極設置於顯示平板的整個表面。雖然當陰極是由低電阻的金屬材料製成時不會造成問題，但如果陰極是由透明導電材料(transparent conductive material)製成時，因透明導電材料表面電阻較高，所以可能造成有關影像品質的問題。
舉例來說，如果在頂部發光型顯示器中，陰極包含透明導電材料或相較於金屬具有較高電阻的材料，例如氧化銦錫(indium tin oxide)或氧化銦鋅(indium zinc oxide)，則會增加表面電阻。因此，陰極的電壓可能無法在整個顯示平板上維持恆定。在整個螢幕中顯示裝置不均勻的亮度可能會造成嚴重的問題，特別是對於發展大面積的有機發光二極體顯示器。
本發明致力於克服上述問題，並且本發明一方面提供一大面積的有機發光二極體顯示器，其因陰極與輔助陰極之間直接接觸而使表面電阻低，進而具有良好的顯示品質。本發明另一方面提供一大面積的有機發光二極體顯示器，其包含輔助陰極並簡化了製造過程。
本發明一實施例提供一種有機發光二極體顯示器包含基板、輔助線路、絕緣膜、輔助陰極、鈍化膜、平坦化膜、下切開口、下區域、連接端子、有機發光層和陰極。輔助線路設置於基板上。絕緣膜覆蓋輔助線路。輔助陰極設置於絕緣膜上並與輔助線路連接。鈍化膜覆蓋輔助陰極。平坦化膜堆疊在鈍化膜上。下切開口露出輔助陰極的一端。下區域經由移除位於露出之輔助陰極的該端下方的絕緣膜而形成於下切開口中。在平坦化膜上的連接端子延伸到下切開口並接觸露出的輔助陰極。有機發光層堆疊在輔助陰極的表面上且不形成於下區域，有機發光層露出連接端子的一側使連接端子與輔助陰極接觸。陰極堆疊在有機發光層上，並且與未被該有機發光層覆蓋的該連接端子的該側接觸。
在本實施例中，下切開口包含第一側和第二側。在第一側平坦化膜、鈍化膜及絕緣膜的側壁受到蝕刻。第二側露出輔助陰極的一端，其中在露出之輔助陰極的該端下方形成下區域。
在本實施例中，有機發光二極體顯示器更包含虛設連接端，其設置於下區域中並與陰極直接接觸。
在本實施例中，有機發光二極體顯示器更包含遮光層、薄膜電晶體、像素接觸孔、堤岸層和陽極。遮光層設置於基板上，且遮光層與輔助線路處於相同水平高度。薄膜電晶體設置於該遮光層上且位於鈍化膜下方。像素接觸孔其形成於平坦化膜中且露出部分的薄膜電晶體。堤岸層界定出較下切開口大的開放區域以露出整個下切開口，並且界定出露出陽極之中心的發光區域；以及陽極位於該平坦化膜上經由像素接觸孔與該膜電晶體連接，其中有機發光層設置以遍布整個發光區域，在發光區域中陰極堆疊在有機發光層上，且在該發光區域中，陽極、有機發光層及陰極重疊以形成有機發光二極體。
在本實施例中，連接端子包含與陽極相同的材料。
在本實施例中，有機發光二極體顯示器更包含：緩衝層，覆蓋遮光層和輔助線路並堆疊於絕緣膜下方；以及薄膜電晶體的源極電極及汲極電極，位於該絕緣膜上，其中輔助陰極於絕緣膜上形成，且包含與源極電極和汲極電極相同的材料。
在本實施例中，在該下切開口中，輔助陰極的一端、連接端子的一側及陰極藉由彼此直接接觸而可以物理性和電性連接。
根據本發明的有機發光二極體顯示器提供了作為大面積的有機發光二極體顯示器，其中輔助陰極的形成是藉由利用遮光層保護金屬氧化物半導體材料不受到外界光的影響。藉由在鈍化膜圖案化製程(patterning process)中形成下切結構，輔助陰極和陰極可物理性且電性地連接而不需要額外的光罩製程。本發明提供一種大面積的有機發光二極體顯示器，因其結構能降低陰極的電阻。再者，藉由減少光罩製程可以降低製造時間和成本。
藉由參考以下實施例的詳細描述及附圖可以更容易理解本發明的各方面和特徵及實現的方法。然而本發明可以以不同的形式實施，且不應解釋為限於這裡闡述的實施例。提供這些實施例使本發明得以被完整透徹的揭露，並且完整地傳達本發明的概念給相關領域具有通常知識者，且本發明界定於發明申請專利範圍內。
圖示中所示描述本發明實施例的形狀、大小、比例、角度、數量等僅是示例且不限於此。整個說明書中相同的符號表示相同的元件。
在描述本發明時，相關習知技術的詳細描述將會被省略以避免不必要地模糊本發明。當使用「包含」、「具有」、「由組成」等術語，只要不使用「僅」則可以增加其他元件。除非明確說明，單數形式可被解釋為複數形式。
即使沒有明確說明，元件可以被解釋為包含誤差餘量。當兩元件的位置關係以「上」、「下」、「旁邊」等術語，只要不使用術語「立即」、「直接」，則一個或多個元件可以被設置於兩元件之間。
應理解，雖然這裡可以使用「第一」、「第二」等術語描述各種元件，這些元件不限於這些術語。這些術語用於區分一元件與另一元件。這裡選擇使用的術語與元件名稱是為了易於描述，且可以與實際產品中的元件名稱不同。
本發明的各種實施例可以彼此部分或全部耦合或結合，並且可以在技術上以各種方式反應或作用。實施例可以獨立實行或彼此結合實行。
以下將會參考附圖詳細描述本發明實施例。在以下實施例中，電致發光顯示器的描述將會著重於包含有機發光材料的有機發光裝置。然而，應理解本發明的技術理念不限於有機發光顯示器，還可以應用於包含無機發光材料的無機發光顯示器。
以下將參考圖1和圖2描述本發明第一實施例的有機發光二極體顯示器的結構。圖1為根據本發明的有機發光二極體顯示器的結構之平面圖。圖2為根據本發明第一實施例的有機發光二極體顯示器沿圖1中的線I-I’所繪示的剖面圖。
根據本發明之有機發光二極體顯示器包含多個像素區域，以矩陣形式排列在基板SUB。有機發光二極體顯示器包含水平延伸在基板SUB的掃描線(scan line)SL，以及垂直延伸在基板SUB的資料線(data line)DL和驅動電流線(drive current line)VDD。像素區域由掃描線SL、資料線DL和驅動電流線VDD的交會處所定義。掃描線SL連接到閘極墊片端子(gate pad terminal)GPT，且資料線DL連接到資料墊片端子(data pad terminal)DPT。閘極墊片端子GPT具有閘極墊片GP以及閘極墊片接觸孔GPH，且資料墊片端子DPT具有資料墊片DP以及資料墊片接觸孔DPH。舉例來說，閘極墊片端子GPT和資料墊片端子DPT是由金屬氧化物所形成，且金屬氧化物例如但不限於氧化銦錫 (ITO) 或氧化銦鋅 (IZO)。
在各個像素區域中，設有作為驅動有機發光二極體OLE的驅動元件之有機發光二極體OLE以及薄膜電晶體(thin-film transistors)。薄膜電晶體包含切換薄膜電晶體ST和驅動薄膜電晶體DT。切換薄膜電晶體ST包含切換閘極電極SG、切換半導體層SA、切換源極電極SS以及切換汲極電極SD。切換閘極電極SG與掃描線SL連接。切換半導體層SA與切換閘極電極SG的中心區域彼此重疊，且在切換半導體層SA與切換閘極電極SG之間設有閘極絕緣膜GI。切換源極電極SS和切換汲極電極SD設置於切換閘極電極SG的各一側，並且分別與切換半導體層SA的一側及另一側連接。
驅動薄膜電晶體DT包含驅動閘極電極DG、驅動半導體層DA、驅動源極電極DS以及驅動汲極電極DD。驅動閘極電極DG與切換汲極電極SD連接。的中心區域彼此重疊，且驅動半導體層DA與驅動閘極電極DG之間具有閘極絕緣膜GI。驅動源極電極DS和驅動汲極電極DD設置於驅動閘極電極DG的各一側，並且分別與驅動半導體層DA的一側及另一側連接。
有機發光二極體OLE包含陽極ANO、有機發光層OL及陰極CAT。陽極ANO與驅動薄膜電晶體DT連接。有機發光層OL堆疊在陽極ANO上。特別是，發光區域EA由堤岸層BN界定在陽極ANO中。有機發光層OL設置於基板SUB的整個表面，且在發光區域EA與陽極ANO連接。陰極CAT也設置於基板SUB的整個表面。在發光區域EA中，陽極ANO、有機發光層OL及陰極CAT依序堆疊以形成有機發光二極體OLE。
在為頂部發光型有機發光二極體顯示器的情況下，圖2中的光從陽極ANO射向陰極CAT。因此，陽極ANO包含不透明金屬材料且陰極CAT包含透明導電材料為所期望的。陰極CAT為有機發光二極體OLE中維持基準電壓的電極，且較佳地可維持恆定的電壓。如果陰極CAT所包含的透明導體材料，例如氧化銦錫、氧化銦鋅，相較於金屬具有很高的電阻性(resistivity)，在大面積有機發光二極體顯示器中便難以維持恆定的基準電壓。因此，藉由金屬材料形成輔助線路AC和/或輔助陰極ACT並連接到陰極CAT而降低表面的電阻為所期望的。
為此，在本發明中，有機發光二極體顯示器更包含輔助線路AC、輔助陰極ACT及連接端子CT，且輔助線路AC、輔助陰極ACT及連接端子CT設置於發光區域EA周圍的非發光區域。輔助線路AC可以與遮光層LS由相同的材料製成並可以與遮光層LS處於相同水平高度；其中遮光層LS位於切換薄膜電晶體ST和驅動薄膜電晶體DT之下。輔助陰極ACT可以與切換薄膜電晶體ST和驅動薄膜電晶體DT的源極電極和汲極電極由相同的材料製成，且可以與切換薄膜電晶體ST和驅動薄膜電晶體DT的源極電極和汲極電極處於相同水平高度。連接端子CT可以與陽極ANO由相同的材料製成且可以與陽極ANO處於相同水平高度。
輔助線路AC可分離於遮光層LS，或是與遮光層LS連接以在基板SUB上形成網格圖案(mesh pattern)。緩衝層BUF遍布於輔助線路AC。輔助陰極ACT可以與切換薄膜電晶體ST和驅動薄膜電晶體DT的源極電極和汲極電極由相同的材料製成；且可以與切換薄膜電晶體ST和驅動薄膜電晶體DT的源極電極和汲極電極處於相同水平高度；其中切換薄膜電晶體ST和驅動薄膜電晶體DT形成於緩衝層BUF上，但它們的源極電極和汲極電極分離於輔助陰極ACT。在這種情況下，輔助陰極ACT藉由輔助線路接觸孔AH連接輔助線路AC；其中輔助線路接觸孔AH穿過層間絕緣膜ILD及緩衝層BUF；其中層間絕緣膜ILD和緩衝層BUF堆疊於源極電極和汲極電極之下。
鈍化膜(passivation film)PAS沉積於輔助陰極ACT。平坦化膜OC沉積於鈍化膜PAS。陽極ANO和連接端子CT形成於平坦化膜OC。輔助陰極ACT和連接端子CT可以直接或間接地彼此物理性連接。這裡，假設輔助陰極ACT和連接端子CT是直接連接。連接端子CT透過下切開口OH與輔助陰極ACT連接，其中下切開口OH藉由部分蝕刻平坦化膜OC、鈍化膜PAS及層間絕緣膜ILD而形成。
此外，穿過平坦化膜OC、鈍化膜PAS及層間絕緣膜ILD的下切開口OH露出了部分的輔助陰極ACT。下切開口OH露出輔助陰極ACT中延伸而超出鈍化膜PAS的一端部。連接端子CT連接輔助陰極ACT中面對基板SUB的下表面。下切開口OH的一側露出平坦化膜OC、鈍化膜PAS及層間絕緣膜ILD的多個側壁。下切開口OH的另一側露出連接端子CT的一端。連接端子CT由下切開口OH的另一側露出，以藉由過度蝕刻(overetching)堆疊在連接端子CT下方的層間絕緣膜ILD形成下區域UA，且該過度蝕刻係利用連接端子執行。
下切開口OH可以具有多邊形外形(polygonal shape)。為了方便解釋，圖1中的下切開口OH具有矩形外形，但不限於此。舉例來說，下切開口OH可具有相對的兩側；在相對兩側的其中一側中露出了受到蝕刻的平坦化膜OC的側壁、受到蝕刻的鈍化膜PAS的側壁以及受到蝕刻的層間絕緣膜ILD的側壁；在相對兩側中的另一側露出了連接端子CT，且藉由過蝕刻連接端子CT下的層間絕緣膜ILD而形成下區域UA。
移除在下切開口OH中的鈍化膜PAS和層間絕緣膜ILD。特別是，在下切開口OH的另一側，堆疊在連接端子CT下的部分層間絕緣膜ILD受到過蝕刻，而因此露出連接端子CT中部分的下表面。下切開口OH中藉由過蝕刻連接端子CT下的層間絕緣層ILD所形成之相似於洞穴的空間定義為下區域UA。
下區域UA藉由移除層間絕緣膜ILD，並且露出部分的輔助陰極ACT而形成，且下區域UA的頂部被輔助陰極ACT和連接端子CT阻擋，藉以防止有機發光層OL位於下區域UA。另一方面，當藉由沉積陽極ANO形成連接端子CT時，連接端子CT一路沉積到下區域UA中。此外，陰極CAT也一路沉積到下區域UA中，而與輔助陰極ACT和連接端子CT直接接觸。圖3中繪示連接陰極CAT和輔助陰極ACT且使用下區域UA的連接結構之放大圖。圖3為圖2中的陰極與輔助陰極所連接的下切開口的放大剖面圖。
因有機發光層OL為藉由熱沉積技術(thermal deposition technique)加熱及沉積的有機材料，所以有機發光層OL不設置於被連接端子CT所阻擋的下區域UA。另一方面，金屬氧化物材料，如氧化銦錫或氧化銦鋅，藉由濺鍍技術(sputtering technique)一路沉積到被連接端子CT阻擋的下區域UA。
此外，有機發光層OL只設置於連接端子CT的上表面。另一方面，陰極CAT一路沉積到阻擋下區域UA的連接端子CT的底側，並且連接端子CT物理性且電性地連接到陰極CAT。
也就是說，根據本發明之有機發光二極體顯示器的下切開口中，陰極CAT與輔助陰極ACT和連接端子CT連接。此外，輔助陰極ACT與輔助線路AC連接。因此，由於輔助陰極ACT和輔助線路AC由具有非常低的電阻之材料製成，由具有高電阻的透明導體材料製成的陰極CAT可具有較低的表面電阻。
以下，根據本發明有機發光二極體顯示器的製程將參考附圖4A至4K詳細描述。圖4A-4K為根據本發明的有機發光二極體顯示器的製程的剖面圖。
如圖4A所示，不透明(opaque)金屬設置於基板SUB上。在第一光罩製程中，金屬材料圖案化而形成遮光層LS和輔助線路AC。緩衝層BUF遍布於有遮光層LS和輔助線路AC所形成的基板SUB的整個表面。遮光層LS設置於形成有薄膜電晶體的地方。舉例來說，遮光層LS可以具有水平橫跨基板SUB的條狀外形。輔助線路AC可以具有水平或垂直橫跨基板SUB的條狀外形。輔助線路AC可以與遮光層LS相連接或不相連接。於此，額外參照圖1所示，輔助線路AC繪示為與遮光層LS連接且垂直橫跨基板SUB的一條線。
如圖4B所示，半導體材料設置於緩衝層BUF。在第二光罩製程中，半導體材料圖案化而形成半導體層。半導體層包含切換薄膜電晶體ST的切換半導體層SA以及驅動薄膜電晶體DT的驅動半導體層DA。
如圖4C所示，絕緣材料層和金屬材料層連續沉積於形成有半導體層SA、DA的基板SUB的整個表面。在第三光罩製程中，金屬材料層和絕緣材料層同時圖案化而形成閘極絕緣膜GI、掃描線SL、閘極墊片GP、第一輔助電容電極ST1以及閘極電極。閘極電極包含切換薄膜電晶體ST的切換閘極電極SG以及驅動薄膜電晶體DT的驅動閘極電極DG。切換閘極電極SG與切換半導體層SA的中心部分彼此重疊，且切換閘極電極SG與切換半導體層SA之間設有閘極絕緣膜GI。驅動閘極電極DG與驅動半導體層DA的中心部分彼此重疊，且驅動閘極電極DG與驅動半導體層DA之間設有閘極絕緣膜GI。
如圖4D所示，層間絕緣膜ILD遍布於基板SUB的整個表面，其中掃描線SL、閘極墊片GP、切換閘極電極SG及驅動閘極電極DG形成於基板SUB的表面上。在第四光罩製程中，層間絕緣膜ILD圖案化而形成接觸孔。接觸孔露出了切換薄膜電晶體ST和驅動薄膜電晶體DT的相對兩側。該相對兩側為切換半導體層SA的切換閘極電極SG及驅動閘極電極DG，以及驅動半導體層DA的切換閘極電極SG及驅動閘極電極DG的各個側。此外，接觸孔也露出了部分的驅動閘極電極DG。再者，輔助線路接觸孔AH穿過層間絕緣層ILD和緩衝層BUF以露出部分的輔助線路AC。
如圖4E所示，金屬材料設置於形成有接觸孔的層間絕緣膜ILD，其接觸孔包含輔助線路接觸孔AH。在第五光罩製程中，金屬材料圖案化而形成資料線DL、驅動電流線VDD、輔助陰極ACT、第二輔助電容電極ST2、源極電極及汲極電極。源極電極和汲極電極包含掃描源極電極SS、掃描汲極電極SD、驅動源極電極DS及驅動汲極電極DD。掃描源極電極SS分支於資料線DL。驅動源極電極DS分支於驅動電流線VDD。資料墊片DP設置於資料線DL的一端，且驅動墊片設置於驅動電流線VDD的一端。此外，閘極墊片連接端子GP1形成於閘極墊片GP。第二輔助電容電極ST2從驅動汲極電極DD延伸並與第一輔助電容電極ST1重疊，且第一輔助電容電極ST1與第二輔助電容電極ST2之間設有層間絕緣膜ILD。
如圖4F所示，鈍化膜PAS形成有源極電極和汲極電極之基板SUB的整個表面。接著，平坦化膜OC設置於鈍化膜PAS。在第六光罩製程中，平坦化膜圖案化而形成第一像素接觸孔PH1及第一下切開口OH1。在這種情況下，移除在閘極墊片GP和資料墊片DP上方區域的平坦化膜OC為所期望的。第一下切開口OH1作為露出輔助陰極ACT的一部份，且較佳地形成於沒有設置有機發光二極體的非發光區域中。
如圖4G所示，在第七光罩製程中，露出的鈍化膜PAS圖案化而形成閘極墊片接觸孔GPH、資料墊片接觸孔DPH、像素接觸孔PH及第二下切開口OH2。閘極墊片接觸孔GPH露出閘極墊片連接端子GP1。資料墊片接觸孔DPH露出資料墊片端子DPT。像素接觸孔PH露出驅動汲極電極DD的一端。第二下切開口OH2可與第一下切開口OH1具有一樣的尺寸。為了說明方便，以下之敘述係假設第二下切開口OH2的尺寸小到足以裝入第一下切開口OH1中。
如圖4H所示，在第七光罩製程中，形成閘極墊片接觸孔GPH、資料墊片接觸孔DPH、像素接觸孔PH和第二下切開口OH2之後，經由第二下切開口OH2露出的層間絕緣膜ILD受到蝕刻，從而形成下切開口OH。在這種情況下，因層間絕緣膜ILD沒有經閘極墊片接觸孔GPH、資料墊片接觸孔DPH和像素接觸孔PH露出，所以層間絕緣膜ILD只有在第二下切開口OH2中受到過蝕刻。特別是，輔助陰極ACT一端的部分經由下切開口OH2露出，所以只有下方的層間絕緣膜ILD受到過蝕刻，進而形成下區域UA。也就是說，在鈍化膜PAS圖案化的第七光罩製程中形成了具有下區域UA的下切開口OH。
如圖4I所示，金屬材料沉積而遍布於基板SUB的整個表面，且基板SUB的整個表面形成有包含閘極墊片接觸孔GPH、資料墊片接觸孔DPH和像素接觸孔PH及下切開口的平坦化膜OC。在第八光罩製程中，金屬材料圖案化而形成陽極ANO和連接端子CT。陽極ANO佔據像素區的中心的一大部分。連接端子CT經由下切開口OH與露出的輔助陰極ACT的一部份接觸。此外，金屬材料也沉積於下區域UA中並在圖案化製程中留下，進而形成虛設(dummy)連接端CTD。虛設連接端CTD也可以形成於下區域UA的側壁，且可以與包覆輔助陰極ACT之露出端的連接端子CT連接。在某些情況下，虛設連接端CTD可以不與連接端子CT連接。在下切開口OH中沒有輔助陰極ACT形成的一側中，沒有設置連接端子CT，但是露出平坦化膜OC、鈍化膜PAS及層間絕緣層ILD。連接端子CT與經下切開口OH露出的輔助陰極ACT連接，且同時直接接觸輔助陰極ACT。連接端子CT和虛設連接端CTD與陽極ANO由相同的材料製成。
如圖4J所示，有機材料遍布於形成有陽極ANO和連接端子CT的基板SUB的整個表面。在第九光罩製程中，有機材料圖案化而形成堤岸層BN。堤岸層BN露出大部分的陽極ANO並界定發光區域EA。此外，堤岸層BN露出整個下切開口OH。也就是說，堤岸層BN具有小於陽極ANO的一個開放區域，且具有大於下切開口OH的一開放區域。
有機發光層OL遍佈於形成有堤岸層BN的基板SUB的整個表面。有機發光層OL是應用熱沉積技術設置的有機材料。有機發光層OL覆蓋堤岸層BN的表面及陽極ANO的頂部。在下切開口OH中，有機發光層OL只設置於輔助陰極ACT露出的表面的部分。特別是，在下區域UA中沒有設置有機發光層OL，但是直接露出輔助陰極CAT的一側。特別是，連接端子CT的一側部彷彿包覆輔助陰極ACT露出的部分，且沒有被有機發光層OL覆蓋而露出。此外，有機發光層OL也沒有堆疊在形成於下區域UA中的虛設連接端CTD。
設置有機發光層OL之後，透明導電材料接著形成陰極CAT。透明導電材料包含氧化銦錫 (ITO) 或氧化銦鋅 (IZO)。透明導電材料由濺鍍技術形成。在發光區域EA中，陰極CAT堆疊於陽極ANO以及有機發光層OL的頂部，進而形成有機發光二極體OLE。
如圖4K所示，藉由濺鍍技術沉積的陰極CAT傾向於沿著表面上的彎曲處沉積。此外，藉由濺鍍技術沉積的金屬材料傾向於一個接著一個堆積而彷彿沉積粒子生長。因此，陰極CAT沉積在未設置有機發光層OL的區域以及有機發光層OL的表面上。也就是說，在下切開口OH中，陰極CAT沿著未形成連接端子CT的一側之斜面沉積，且一路延伸到下區域UA。因此，陰極CAT穿入未設置有機發光層OL的下區域UA，且覆蓋虛設連接端CTD。再者，陰極CAT直接接觸連接端子CT露出的一側，其中該側未被有機發光層OL覆蓋。特別是，陰極CAT延伸而彷彿包覆未被有機發光層OL覆蓋的連接端子CT所露出的一部份，就像是連接端子CT彷彿包覆輔助陰極ACT的露出部分。
在下切開口OH中，輔助陰極ACT、連接端子CT和陰極CAT依序彼此接觸。輔助陰極ACT經由輔助接觸孔AH與輔助線路AC連接。因此，陰極CAT與由低電阻材料製成的輔助線路AC連接，從而維持低表面電阻。
雖然參考附圖詳細描述了本發明實施例，本領域相關知識者應理解本發明在不改變本發明的技術精神和重要特徵的情況下，可以以其他特別的形式實施。因此，應注意前述實施例在各方面僅為示例性的且不限制於本發明。本發明的範圍由權利範圍限定，而不是本發明的詳細描述。在權利範圍的涵義及範圍內所有改變或修正或同等物應被解釋落入本發明的範圍內。
SUB‧‧‧基板SL‧‧‧掃描線DL‧‧‧資料線VDD‧‧‧驅動電流線GPT‧‧‧閘極墊片端子DPT‧‧‧資料墊片端子GP‧‧‧閘極墊片GPH‧‧‧閘極墊片接觸孔DP‧‧‧資料墊片DPH‧‧‧資料墊片接觸孔OLE‧‧‧有機發光二極體ST‧‧‧切換薄膜電晶體SG‧‧‧切換閘極電極SA‧‧‧切換半導體層SS‧‧‧切換源極電極SD‧‧‧切換汲極電極GI‧‧‧閘極絕緣膜DT‧‧‧驅動薄膜電晶體DG‧‧‧驅動閘極電極DA‧‧‧驅動半導體層DS‧‧‧驅動源極電極DD‧‧‧驅動汲極電極OL‧‧‧有機發光層CAT‧‧‧陰極ANO‧‧‧陽極AC‧‧‧輔助線路ACT‧‧‧輔助陰極CT‧‧‧連接端子LS‧‧‧遮光層BUF‧‧‧緩衝層AH‧‧‧輔助線路接觸孔ILD‧‧‧層間絕緣膜PAS‧‧‧鈍化膜OC‧‧‧平坦化膜OH‧‧‧下切開口UA‧‧‧下區域BN‧‧‧堤岸層ST1‧‧‧第一輔助電容電極ST2‧‧‧第二輔助電容電極GP1‧‧‧閘極墊片連接端子PH1‧‧‧第一像素接觸孔OH1‧‧‧第一下切開口OH2‧‧‧第二下切開口PH‧‧‧像素接觸孔CTD‧‧‧虛設連接端EA‧‧‧發光區域
附圖包含提供對本發明更進一步的理解，且併入構成說明書的一部份，說明了本發明的實施例，且與敘述一起用於解釋本發明的原理。 於圖式中： 圖1為根據本發明的有機發光二極體顯示器的結構之平面圖； 圖2為根據本發明第一實施例的有機發光二極體顯示器沿圖1中的線I-I’所繪示的剖面圖； 圖3為圖2中之陰極與輔助陰極所連接的下切開口之結構的放大剖面圖；以及 圖4A-4K為根據本發明的有機發光二極體顯示器的製造過程中的一些步驟的剖面圖。
SUB‧‧‧基板
AC‧‧‧輔助線路
ACT‧‧‧輔助陰極
UA‧‧‧下區域
BUF‧‧‧緩衝層
PAS‧‧‧鈍化膜
LS‧‧‧遮光層
OL‧‧‧有機發光層
CAT‧‧‧陰極
ANO‧‧‧陽極
OLE‧‧‧有機發光二極體
ST1‧‧‧第一輔助電容電極
ST2‧‧‧第二輔助電容電極
DT‧‧‧驅動薄膜電晶體
DG‧‧‧驅動閘極電極
DA‧‧‧驅動半導體層
DS‧‧‧驅動源極電極
DD‧‧‧驅動汲極電極
ST‧‧‧切換薄膜電晶體
SG‧‧‧切換閘極電極
SA‧‧‧切換半導體層
SS‧‧‧切換源極電極
SD‧‧‧切換汲極電極
GPT‧‧‧閘極墊片端子
DPT‧‧‧資料墊片端子
GP‧‧‧閘極墊片
DP‧‧‧資料墊片
CT‧‧‧連接端子
AH‧‧‧輔助線路接觸孔
ILD‧‧‧層間絕緣膜
PAS‧‧‧鈍化膜
OC‧‧‧平坦化膜
OH‧‧‧下切開口
EA‧‧‧發光區域
BN‧‧‧堤岸層
GI‧‧‧閘極絕緣膜

Claims (9)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，包含：一輔助線路，設置於一基板上；一絕緣膜，設置於該輔助線路上；一輔助陰極，設置於該絕緣膜上並經由一輔助線路接觸孔與該輔助線路連接，且該輔助線路接觸孔穿過該絕緣膜；一鈍化膜，覆蓋該輔助陰極；一平坦化膜，堆疊在該鈍化膜上；一下切開口，露出該輔助陰極的一端；一下區域，形成於該下切開口中，該下區域是經由移除位於露出之該輔助陰極的該端下方的該絕緣膜所形成，且該輔助陰極的該端下方形成該下區域；一連接端子，設置於該平坦化膜上，該連接端子延伸到該下切開口並與露出的該輔助陰極的該端連接，且露出的該輔助陰極的該端包含該輔助陰極的下表面；一有機發光層，堆疊在該連接端子的表面上，該有機發光層不位於該下區域，該有機發光層露出該連接端子的一側，且該連接端子的該側與露出的該輔助陰極之該端連接；以及一陰極，堆疊在該有機發光層上，且該陰極與未被該有機發光層覆蓋的該連接端子的該側之側表面與下表面接觸。
  2. 如請求項1之有機發光二極體顯示器，其中該下切開口包含： 一第一側，其中於該第一側，該平坦化膜、該鈍化膜及該絕緣膜的側壁受到蝕刻；以及一第二側，露出該輔助陰極的該端，其中在露出之輔助陰極的該端下方形成該下區域。
  3. 如請求項1之有機發光二極體顯示器，更包含一虛設連接端，設置於該下區域中且與該陰極直接接觸。
  4. 如請求項1之有機發光二極體顯示器，更包含：一遮光層，設置於該基板上，且該遮光層與該輔助線路處於相同水平高度；一薄膜電晶體，設置於該遮光層上且位於鈍化膜下方；一像素接觸孔，形成於該平坦化膜中且露出部分的該薄膜電晶體；一陽極，設置於該平坦化膜上，該陽極透過該像素接觸孔與該薄膜電晶體連接；以及一堤岸層，界定出較該下切開口大的開放區域以露出整個該下切開口，並且界定出露出該陽極中心的一發光區域，其中該有機發光層設置以遍布整個該發光區域，在該發光區域中該陰極堆疊在該有機發光層上，且在該發光區域中該陽極、該有機發光層及該陰極重疊以形成一有機發光二極體。
  5. 如請求項4之有機發光二極體顯示器，其中該連接端子包含與該陽極相同的材料。
  6. 如請求項4之有機發光二極體顯示器，更包含：一緩衝層，覆蓋該遮光層和該輔助線路，並且該緩衝層堆疊於該絕緣膜下方；以及該薄膜電晶體的一源極電極及一汲極電極，位於該絕緣膜上，其中該輔助陰極形成於該絕緣膜上，且該輔助陰極包含與該源極電極和該汲極電極相同的材料。
  7. 如請求項1之有機發光二極體顯示器，其中，在該下切開口中，該輔助陰極的該端、該連接端子的該側及該陰極透過彼此直接接觸而物理性且電性連接。
  8. 如請求項1之有機發光二極體顯示器，其中製成該輔助線路及該輔助陰極的金屬材料的電阻低於該陰極之材料的電阻。
  9. 如請求項4之有機發光二極體顯示器，其中該輔助線路、該輔助陰極以及該連接端子設置於該發光區域周圍的一非發光區域。
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