CN109979964A - 顶部发光有机发光二极管显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及顶部发光有机发光二极管显示器，包括：基板、辅助线、绝缘膜、辅助阴极、钝化膜、平坦化膜、底切开口、底切区域、连接端子、有机发光层和阴极。辅助线布置在基板上。绝缘膜位于辅助线上。辅助阴极布置在绝缘膜上并连接到辅助线。钝化膜覆盖辅助阴极。平坦化膜层叠在钝化膜上。底切开口暴露辅助阴极的一个端部。通过去除辅助阴极暴露的端部下面的绝缘膜，在底切开口内形成底切区域。平坦化膜上的连接端子延伸到底切开口并与辅助阴极暴露的端部接触。有机发光层层叠在连接端子的表面上，并且不被涂覆到底切区域并暴露连接端子的与辅助阴极暴露的端部接触的侧面。阴极层叠在有机发光层上并且与连接端子的未被有机发光层覆盖的侧面接触。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年12月27日提交的韩国专利申请第10-2017-0181345号的权益，出于所有的目的，该申请通过引用并入本文中，如同在本文中详细记载一样。
技术领域
本发明涉及顶部发光(top-emissive)有机发光二极管显示器。更具体地，本发明涉及一种包括用于降低阴极表面电阻的辅助阴极，并且具有被配置为直接连接辅助阴极和阴极的底切结构(under-cut structure)的顶部发光有机发光二极管显示器。
背景技术
最近，正在开发比阴极射线管(CRT)体积更小且重量更轻的各种平板显示器。这些平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光器件(EL)等。
电致发光显示器根据用于发光层的材料大致分为无机电致发光显示器和有机发光二极管显示器，并且由于它们的自发光元件而提供诸如快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角的几个优点。值得注意的是，对具有高能量效率和较小的漏电流并且通过电流控制促进灰度表示的有机发光二极管显示器的需求快速增长。
在有机发光二极管显示器中，在显示面板的整个表面上涂覆具有基极电压的阴极。尽管当阴极由具有低电阻率的金属材料制成时没有问题，但是如果阴极由透明导电材料制成，则由于其高表面电阻，可能存在图像质量问题。
例如，如同在顶部发光显示器中，如果阴极包括透明导电材料或具有比金属更高电阻率的材料(例如氧化铟锡或氧化铟锌)，则表面电阻增加。结果，阴极的电压在显示面板的整个区域上可能不是恒定的。整个屏幕上的显示装置的不均匀亮度可能成为更重要的问题，尤其是在大面积有机发光二极管显示器的开发中。
发明内容
本发明致力于克服上述问题，并且本发明的一个方面是提供一种大面积有机发光二极管显示器，由于阴极和辅助阴极之间直接接触，表面电阻低，从而这种大面积有机发光二极管显示器具有良好显示质量。本发明的另一方面是提供一种大面积有机发光二极管显示器，其包括辅助阴极并简化制造工艺。
本发明的示例性实施例提供了一种有机发光二极管显示器，其包括基板、辅助线、绝缘膜、辅助阴极、钝化膜、平坦化膜、底切开口、底切区域(under-area)、连接端子、有机发光层和阴极。辅助线布置在基板上。绝缘膜位于辅助线上。辅助阴极布置在绝缘膜上并通过穿过所述绝缘膜的辅助线接触孔连接到辅助线。钝化膜覆盖辅助阴极。平坦化膜层叠在钝化膜上。底切开口暴露出辅助阴极的一个端部。通过去除辅助阴极的暴露的所述端部下面的绝缘膜，在底切开口内形成底切区域。平坦化膜上的连接端子延伸到底切开口并与辅助阴极的暴露的所述端部接触。有机发光层层叠在连接端子的表面上，并且不被涂覆到底切区域并暴露连接端子的与辅助阴极接触的暴露的所述端部接触的侧面。阴极层叠在有机发光层上并且与连接端子的未被有机发光层覆盖的侧面接触。
在本实施例中，底切开口包括：所述平坦化膜、所述钝化膜和所述绝缘膜的侧壁被蚀刻的一侧；以及暴露所述辅助阴极的所述一个端部的另一侧，其中，所述底切区域形成在暴露的所述端部下方。
在该实施例中，有机发光二极管显示器还包括虚设连接端子，其设置在底切区域中并与阴极直接接触。
在本实施例中，有机发光二极管显示器还包括：在所述基板上的遮光层，位于与所述辅助线相同的高度上；在所述遮光层上的薄膜晶体管，位于所述钝化膜下方；像素接触孔，形成在所述平坦化膜中并暴露所述薄膜晶体管的一部分；在所述平坦化膜上的阳极，所述阳极经由所述像素接触孔连接到所述薄膜晶体管；以及堤，其以比所述底切开口更大的尺寸暴露整个所述底切开口，并露出发光区域，所述发光区域暴露阳极的中心，其中，所述有机发光层涂覆在整个所述发光区域上，所述阴极层叠在所述发光区域中的所述有机发光层上，所述阳极、所述有机发光层和所述阴极重叠以在所述发光区域中形成有机光发光二极管。
在该实施例中，连接端子包括与阳极相同的材料。
在本实施例中，有机发光二极管显示器还包括：缓冲层，覆盖遮光层和辅助线，并层叠在绝缘膜下方；以及薄膜晶体管的漏极，位于绝缘膜上方，其中辅助阴极形成在绝缘膜上，并包括与漏极相同的材料。
在该实施例中，在底切开口中，辅助阴极的一个端部、连接端子的侧面和阴极通过彼此直接接触而物理地和电学地连接。
在该实施例中，所述辅助线和所述辅助阴极由具有比所述阴极材料电阻率低的金属材料形成。
在该实施例中，所述辅助线、所述辅助阴极和所述连接端子位于围绕所述发光区域的非发光区域中。
根据本发明的有机发光二极管显示器被提供作为大面积有机发光二极管显示器，其中，通过使用用于保护金属氧化物半导体材料免受来自外部的光的遮光层来形成辅助阴极。通过在钝化膜图案化工艺中形成底切结构，辅助阴极和阴极可以物理地和电学地连接，而无需另外的掩模工艺。本发明提供一种大面积有机发光二极管显示器，因为其结构能够降低阴极的电阻。此外，通过减少掩模工艺的数量可以减少制造时间和成本。
附图说明
本发明中包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是根据本发明的有机发光二极管显示器的结构的平面图；
图2是沿着图1中的线I-I'截取的根据本发明第一示例性实施例的有机发光二极管显示器的横截面图；
图3是图2的阴极和辅助阴极连接处的底切开口的结构的放大的横截面图；以及
图4A至图4K是根据本发明的有机发光二极管显示器的制造工艺的一些步骤的横截面图。
具体实施方式
通过参考以下详细描述的示例性实施例和附图，可以更容易地理解本发明的各个方面和特征以及实现这些方面和特征的方法。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于本文中描述的示例性实施例。而是，提供这些示例性实施例是为了使本公开全面和完整，并且将本发明的构思完全传达给本领域技术人员，并且本发明由所附权利要求书限定。
用于描述本发明的示例性实施例的附图中所示的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例，并不限于图中所示的形状、尺寸、比例、角度、数量等。在整个说明书中，类似的附图标记表示类似的元件。
在描述本发明时，将省略对相关的公知技术的详细描述，以避免不必要地使本发明模糊。当使用术语“包括”、“具有”、“由……组成”等时，只要没有用术语“仅”，则可以添加其他部分。除非明确说明，单数形式可以被理解为复数形式。
即使没有明确说明，元素也可以被理解为包括误差余量。当使用术语“在……上”、“在……上方”、“在……下方”、“在……旁边”等描述两个部分之间的位置关系时，只要不使用术语“紧接地”或“直接地”，一个或多个部分可以位于这两个部分之间。
应当理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。本文中使用的元件的术语和名称是为了便于描述而选择的，并且可以与实际产品中使用的部件的名称不同。
本发明的各种示例性实施例的特征可以部分地或全部地彼此结合或组合，并且可以在技术上以各种方式交互或组合使用。示例性实施例可以独立地实施或彼此相关联地实施。
在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施例。在下面的示例性实施例中，对电致发光显示器的描述将集中在包含有机发光材料的有机发光显示器上。然而，应该注意，本发明的技术构思不限于有机发光显示器，还可以应用于包含无机发光材料的无机发光显示器。
在下文中，将参照图1和2描述根据本发明第一示例性实施例的有机发光二极管显示器的结构。图1是根据本发明的有机发光二极管显示器的结构的平面图。图2是沿着图1中的线I-I'截取的根据本发明第一示例性实施例的有机发光二极管显示器的横截面图。
根据本发明的有机发光二极管显示器包括在基板SUB上以矩阵布置的多个像素区域。有机发光二极管显示器包括在基板SUB上水平延伸的扫描线SL，以及在基板SUB上垂直延伸的数据线DL和驱动电流线VDD。像素区域由扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD的交叉点限定。扫描线SL连接到栅极垫端子GPT，并且数据线DL连接到数据垫端子DPT。栅极垫端子GPT具有栅极垫GP和栅极垫接触孔GPH，数据垫端子DPT具有数据垫DP和数据垫接触孔DPH。例如，栅极垫端子GPT和数据垫端子DPT由例如ITO或IZO的金属氧化物形成，而不限于此。
在每个像素区域中，布置有机发光二极管OLE和薄膜晶体管，薄膜晶体管是用于驱动有机发光二极管OLE的驱动元件。薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT。开关薄膜晶体管ST包括开关栅极SG、开关半导体层SA、开关源极SS和开关漏极SD。开关栅极SG连接到扫描线SL。开关半导体层SA和开关栅极SG的中心区域彼此重叠，在它们之间具有栅极绝缘膜GI。开关源极SS和开关漏极SD位于开关栅极SG的两侧，并分别连接到开关半导体层SA的一侧和另一侧。
驱动薄膜晶体管DT包括驱动栅极DG、驱动半导体层DA、驱动源极DS和驱动漏极DD。驱动栅极DG连接到开关漏极SD。驱动半导体层DA和驱动栅极DG的中心区域彼此重叠，它们之间具有栅极绝缘膜GI。驱动源极DS和驱动漏极DD位于驱动栅极DG的两侧，并分别连接到驱动半导体层DA的一侧和另一侧。
有机发光二极管OLE包括阳极ANO、有机发光层OL和阴极CAT。阳极ANO连接到驱动薄膜晶体管DT。有机发光层OL层叠在阳极ANO上。特别地，发光区域EA通过堤(bank)BN限定在阳极ANO中。有机发光层OL被涂覆到基板SUB的整个表面，并且在发光区域EA中与阳极ANO接触。阴极CAT也被涂覆到基板SUB的整个表面上。在发光区域EA中，依次层叠阳极ANO、有机发光层OL和阴极CAT以形成有机发光二极管OLE。
在顶部发光有机发光二极管显示器的情况下，在图2中光从阳极ANO导向阴极CAT。因此，阳极ANO包括不透明金属材料并且阴极CAT包括透明导电材料是可取的。阴极CAT是保持有机发光二极管OLE中的基极电压的电极，并且优选地，阴极CAT可以保持恒定电压。如果阴极CAT包括透明导电材料，例如氧化铟锡或氧化铟锌，其具有比金属高得多的电阻率，则难以在大面积有机发光二极管显示器中保持恒定的基极电压。因此，通过由金属材料形成辅助线AC和/或辅助阴极ACT并将它们连接到阴极CAT来降低表面电阻是可取的。
为此，在本发明中，有机发光二极管显示器还包括辅助线AC、辅助阴极ACT和连接端子CT，它们位于围绕发光区域EA的非发光区域中。辅助线AC可以由与位于薄膜晶体管ST和DT下方的遮光层LS相同金属材料制成并且与遮光层LS的高度相同。辅助阴极ACT可以由与薄膜晶体管ST和DT的源极和漏极相同材料制成，并且与薄膜晶体管ST和DT的源极和漏极的高度相同。连接端子CT可以由与阳极ANO相同材料制成，并且与阳极ANO的高度相同。
辅助线AC可以与遮光层LS分开形成，或者可以连接到遮光层LS以在基板SUB上形成网格图案。在辅助线AC上涂覆缓冲层BUF。辅助阴极ACT可以由与形成在缓冲层BUF上的薄膜晶体管ST和DT的源极和漏极相同材料制成，并且与薄膜晶体管ST和DT的源极和漏极的高度相同，但是与它们分开。在这种情况下，辅助阴极ACT经由辅助线接触孔AH连接到辅助线AC，辅助线接触孔AH穿过层叠在源极和漏极下方的层间绝缘膜ILD和缓冲层BUF形成。
钝化膜PAS沉积在辅助阴极ACT上。平坦化膜OC沉积在钝化膜PAS上。阳极ANO和连接端子CT形成在平坦化膜OC上。辅助阴极ACT和连接端子CT可以直接或间接地彼此物理连接。这里，假设它们是直接连接的。连接端子CT经由通过部分蚀刻平坦化膜OC、钝化膜PAS和层间绝缘膜ILD形成的底切开口OH连接到辅助阴极ACT。
此外，通过平坦化膜OC、钝化膜PAS和层间绝缘膜ILD形成的底切开口OH暴露辅助阴极ACT的一部分。底切开口OH暴露延伸超过钝化膜PAS的辅助阴极ACT的端部。连接端子CT接触面对基板SUB的辅助阴极ACT的底面。底切开口OH的一侧暴露平坦化膜OC、钝化膜PAS和层间绝缘膜ILD的侧壁。底切开口OH的另一侧暴露出连接端子CT的端部。连接端子CT通过底切开口OH的另一侧暴露，以通过使用连接端子CT过蚀刻层叠在连接端子CT下面的层间绝缘膜ILD来形成底切区域UA。
底切开口OH可以具有多边形形状。为了便于说明，图1中的底切开口OH具有矩形形状，但不限于此。例如，底切开口OH可具有两个相对侧。在两个相对侧中的一个上，暴露平坦化膜OC的被蚀刻的侧壁、钝化膜PAS的被蚀刻的侧壁和层间绝缘膜ILD的被蚀刻的侧壁。另一方面，连接端子CT被暴露，并且通过过蚀刻位于连接端子CT下方的层间绝缘膜ILD来形成底切区域UA。
去除底切开口OH中的钝化膜PAS和层间绝缘膜ILD。特别是，在底切开口OH的另一侧，层叠在连接端子CT下方的层间绝缘膜ILD的一部分被过蚀刻，从而暴露出连接端子CT的下表面的一部分。通过过蚀刻在连接端子CT下的层间绝缘膜ILD形成的底切开口OH中的凹陷形(cave-like)的空间被限定为底切区域UA。
通过去除层间绝缘膜ILD形成底切区域UA，并暴露辅助阴极ACT的一部分，底切区域UA的顶部被辅助阴极ACT和连接端子CT阻挡，以防止有机发光层OL被涂覆于底切区域UA。另一方面，当通过沉积阳极ANO形成连接端子CT时，连接端子CT一直沉积到底切区域UA中。此外，阴极CAT也一直沉积在底切区域UA中，与辅助阴极ACT和连接端子CT直接接触。采用底切区域UA的阴极CAT和辅助阴极ACT的连接结构的放大图示于图3中。图3是图2的阴极和辅助阴极连接处的底切开口的放大的横截面图。
有机发光层OL未涂覆到由连接端子CT阻挡的底切区域UA，因为有机发光层OL是通过热沉积技术加热和沉积的有机材料。另一方面，通过溅射技术沉积诸如ITO或IZO的金属氧化物材料，一直到被连接端子CT阻挡的底切区域UA。
此外，有机发光层OL仅涂覆到连接端子CT的顶表面。另一方面，阴极CAT一直沉积到阻挡底切区域UA的连接端子CT的下侧，并且连接端子CT物理地和电气地连接到阴极CAT。
也就是说，在根据本发明的有机发光二极管显示器的底切开口中，阴极CAT连接到辅助阴极ACT和连接端子CT。此外，辅助阴极ACT连接到辅助线AC。因此，由具有高电阻率的透明导电材料制成的阴极CAT可具有低表面电阻，因为辅助阴极ACT和辅助线AC由具有非常低的电阻率的金属材料制成。
在下文中，将参照图4A至4K描述根据本发明的有机发光二极管显示器的制造工艺。图4A至图4K是根据本发明的有机发光二极管显示器的制造工艺的横截面图。
将不透明金属材料涂覆到基板SUB上。在第一掩模工艺中，金属材料被图案化以形成遮光层LS和辅助线AC。在基板SUB的形成有遮光层LS和辅助线AC的整个表面上形成缓冲层BUF。遮光层LS位于将要形成薄膜晶体管的位置。例如，遮光层LS可以具有在基板SUB上水平延伸的条带形状。辅助线AC可以具有在基板SUB上水平或垂直延伸的条带形状。辅助线AC可以与遮光层LS断开或连接到遮光层LS。这里，如图1所示，辅助线AC被示为连接到遮光层LS并且在基板SUB上垂直延伸的线(图4A)。
在缓冲层BUF上涂覆半导体材料。在第二掩模工艺中，半导体材料被图案化以形成半导体层。半导体层包括开关薄膜晶体管ST的开关半导体层SA和驱动薄膜晶体管DT的驱动半导体层DA(图4B)。
在基板SUB的形成有半导体层SA和DA的整个表面上成行地沉积绝缘材料层和金属材料层。在第三掩模工艺中，金属材料层和绝缘材料层被同时图案化以形成栅极绝缘膜GI、扫描线SL、栅极焊盘GP、第一辅助电容器电极ST1和栅极。栅极包括开关薄膜晶体管ST的开关栅极SG和驱动薄膜晶体管DT的驱动栅极DG。开关栅极SG与开关半导体层SA的中心彼此重叠，在开关栅极SG与开关半导体层SA之间具有栅极绝缘膜GI。驱动栅极DG和驱动半导体层DA的中心彼此重叠，在驱动栅极DG和驱动半导体层DA之间具有栅极绝缘膜GI(图4C)。
在基板SUB的形成有扫描线SL、栅极线GP以及栅极SG、DG的整个表面上涂覆层间绝缘膜ILD。在第四掩模工艺中，层间绝缘膜ILD被图案化以形成接触孔。接触孔暴露开关薄膜晶体管ST的两个相对侧并驱动薄膜晶体管DT。两个相对侧是半导体层SA和DA的栅极SG和DG的两侧。此外，它们暴露驱动栅极DG的一部分。此外，穿过层间绝缘膜ILD和缓冲层BUF形成辅助线接触孔AH，以暴露辅助线AC的一部分(图4D)。
在形成有包括辅助线接触孔AH的接触孔的层间绝缘膜ILD上涂覆金属材料。在第五掩模工艺中，金属材料被图案化以形成数据线DL、驱动电流线VDD、辅助阴极ACT、第二辅助电容器电极ST2以及源极和漏极。源极和漏极包括扫描源极SS、扫描漏极SD、驱动源极DS和驱动漏极DD。扫描源极SS从数据线DL分支。驱动源极DS从驱动电流线VDD分支。数据焊盘DP位于数据线DL的端部，驱动焊盘位于驱动电流线VDD的端部。此外，栅极焊盘连接端子GP1形成在栅极焊盘GP处。第二辅助电容器电极ST2从驱动漏极DD延伸，并且与第一辅助电容器电极ST1重叠，在它们之间具有层间绝缘膜ILD(图4E)。
在基板SUB的形成有源极和漏极的整个表面上涂覆钝化膜PAS。随后，在钝化膜PAS上涂覆平坦化膜OC。在第六掩模工艺中，平坦化膜OC被图案化以形成第一像素接触孔PH1和第一底切开口OH1。在这种情况下，也去除栅极焊盘GP和数据焊盘DP上方的区域中的平坦化膜OC是可取的。作为用于暴露辅助阴极ACT的部分的第一底切开口OH1优选地形成在未布置有机发光二极管的非发光区域中(图4F)。
在第七掩模工艺中，暴露的钝化膜PAS被图案化以形成栅极焊盘接触孔GPH、数据焊盘接触孔DPH、像素接触孔PH和第二底切开口OH2。栅极焊盘接触孔GPH暴露栅极焊盘连接端子GP1。数据焊盘接触孔DPH暴露数据焊盘端子DP。像素接触孔PH暴露驱动漏极DD的一个端部。第二底切开口OH2可以与第一底切开口OH1的尺寸相同。为方便起见，将在假设第二底切开口OH2的尺寸小到足以适配第一底切开口OH1的情况下进行描述(图4G)。
在第七掩模工艺中，在形成接触孔GPH、DPH和PH以及第二底切开口OH2之后，蚀刻通过第二底切开口OH2暴露的层间绝缘膜ILD，从而形成底切开口OH。在这种情况下，层间绝缘膜ILD仅在第二底切开口OH2中过蚀刻，因为层间绝缘膜ILD没有通过接触孔GPH、DPH和PH暴露。特别地，辅助阴极ACT的端部的一部分通过第二底切开口OH2暴露，因此仅下面的层间绝缘膜ILD被过蚀刻，从而形成底切区域UA。也就是说，在钝化膜PAS被图案化的第七掩模工艺中形成具有底切区域UA的底切开口OH(图4H)。
在基板SUB的形成有包括接触孔GPH、DPH和PH的平坦化膜OC和底切开口OH的整个表面上沉积金属材料。在第八掩模工艺中，金属材料被图案化以形成阳极ANO和连接端子CT。阳极ANO成形为占据像素区域中心的大部分。连接端子CT经由底切开口OH与辅助阴极ACT的一个暴露部分接触。此外，金属材料也沉积在底切区域UA中并且在图案化工艺中保留，从而形成虚设连接端子CTD。虚设连接端子CTD也可以形成在底切区域UA的侧壁上，并且可以连接到包覆辅助阴极ACT的暴露端部的连接端子CT。在一些情况下，虚设连接端子CTD可以不连接到连接端子CT。在底切开口OH的没有形成辅助阴极ACT的一侧，没有布置连接端子CT，而是暴露平坦化膜OC、钝化膜PAS和层间绝缘膜ILD的被蚀刻的侧壁。连接端子CT连接到通过底切开口OH暴露的辅助阴极ACT，同时与其直接接触。连接端子CT和虚设连接端子CTD由与阳极ANO相同的材料制成(图4I)。
在基板SUB的形成有阳极ANO和连接端子CT的整个表面上涂覆有机材料。在第九掩模工艺中，有机材料被图案化以形成堤BN。堤BN暴露大部分阳极ANO并限定发光区EA。此外，堤BN暴露整个底切开口OH。也就是说，堤BN具有小于阳极ANO的开口面积和大于底切开口OH的开口面积(图4J)。
在基板SUB的形成有堤BN的整个表面上涂覆有机发光层OL。有机发光层OL是通过热沉积工艺涂覆的有机材料。涂覆有机发光层OL以覆盖堤BN的表面和阳极ANO的顶部。在底切开口OH中，有机发光层OL仅涂覆在辅助阴极ACT的暴露表面的一些部分上。特别地，在底切区域UA中，不涂覆有机发光层OL，而是直接暴露辅助阴极ACT的侧面。特别地，连接端子CT的形成为接近(as if)包覆辅助阴极ACT的暴露部分的侧面部分暴露，未被有机发光层OL覆盖。此外，有机发光层OL也没有层叠在形成在底切区域UA中的虚设连接端子CTD上。
在涂覆有机发光层OL之后，接着涂覆透明导电材料以形成阴极CAT。透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。透明导电材料通过溅射技术形成。在发光区域EA中，阴极CAT层叠在阳极ANO和有机发光层OL的顶部上，从而形成有机发光二极管OLE。
通过溅射技术沉积的阴极CAT趋于沿着表面上的弯曲沉积。此外，通过溅射技术形成的金属材料趋于在彼此上堆积，如同沉积的颗粒生长一样。因此，阴极CAT沉积在未涂覆有机发光层OL的区域中以及有机发光层OL的表面上。也就是说，在底切开口OH中，阴极CAT沿着倾斜表面的未形成连接端子CT的一侧的沉积，并一直延伸到底切区域UA。结果，阴极CAT穿透到未涂覆有机发光层OL的底切区域UA，并覆盖虚设连接端子CTD。此外，阴极CAT与底切开口OH中的未被有机发光层OL覆盖的连接端子CT的暴露侧面直接接触。特别地，阴极CAT延伸为接近包覆连接端子CT的未被有机发光层OL覆盖的暴露部分，就像连接端子CT形成为接近包覆辅助阴极ACT的暴露部分一样(图4K)。
在底切开口OH中，辅助阴极ACT、连接端子CT和阴极CAT依次彼此接触。辅助阴极ACT经由辅助接触孔AH连接到辅助线AC。结果，阴极CAT连接到由低电阻率材料制成的辅助线AC，从而保持低表面电阻。
虽然已经参考附图详细描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员将理解，本发明可以在不改变技术精神或必要特征的情况下以其他具体的形式实施。因此，应该注意，前述实施例在所有方面仅仅是说明性的，并且不应被解释为构成对本发明的限制。本发明的范围由所附权利要求限定，而不是由本发明的详细描述限定。在权利要求的含义和范围内进行的所有改变或修改或其等同物应被解释为落入本发明的范围内。
Claims (9)
1.一种有机发光二极管显示器，包括：
辅助线，布置在基板上；
绝缘膜，位于所述辅助线上；
辅助阴极，布置在所述绝缘膜上并且通过穿过所述绝缘膜的辅助线接触孔连接到所述辅助线；
钝化膜，覆盖所述辅助阴极；
平坦化膜，层叠在所述钝化膜上；
底切开口，暴露所述辅助阴极的一个端部；
底切区域，通过去除在所述辅助阴极的暴露的所述端部下面的绝缘膜，在所述底切开口内形成；
在所述平坦化膜上的连接端子，延伸到所述底切开口并与所述辅助阴极的暴露的所述端部接触；
有机发光层，层叠在所述连接端子的表面上，并且不被涂覆到所述底切区域并暴露所述连接端子的与所述辅助阴极的暴露的所述端部接触的一侧；以及
阴极，层叠在所述有机发光层上并与所述连接端子的未被所述有机发光层覆盖的所述一侧接触。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述底切开口包括：
所述平坦化膜、所述钝化膜和所述绝缘膜的侧壁被蚀刻的一侧；以及
暴露所述辅助阴极的所述一个端部的另一侧，其中，所述底切区域形成在暴露的所述端部下方。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括虚设连接端子，所述虚设连接端子布置在所述底切区域中并与所述阴极直接接触。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括：
在所述基板上的遮光层，位于与所述辅助线相同的高度上；
在所述遮光层上的薄膜晶体管，位于所述钝化膜下方；
像素接触孔，形成在所述平坦化膜中并暴露所述薄膜晶体管的一部分；
在所述平坦化膜上的阳极，所述阳极经由所述像素接触孔连接到所述薄膜晶体管；以及
堤，所述堤以比所述底切开口更大的尺寸暴露整个所述底切开口，并露出发光区域，所述发光区域暴露所述阳极的中心，
其中，所述有机发光层涂覆在整个所述发光区域上，所述阴极层叠在所述发光区域中的所述有机发光层上，所述阳极、所述有机发光层和所述阴极重叠以在所述发光区域中形成有机光发光二极管。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述连接端子包括与所述阳极相同的材料。
6.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，还包括：
缓冲层，覆盖所述遮光层和所述辅助线，并层叠在所述绝缘膜下方；以及
所述薄膜晶体管的漏极，位于所述绝缘膜上方，
其中辅助阴极形成在所述绝缘膜上并包括与所述漏极相同的材料。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述底切开口中，所述辅助阴极的所述一个端部、所述连接端子的所述一侧和所述阴极通过直接接触而彼此物理地和电学地连接。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述辅助线和所述辅助阴极由具有比所述阴极的材料电阻率低的金属材料形成。
9.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，所述辅助线、所述辅助阴极和所述连接端子位于围绕所述发光区域的非发光区域中。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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