TWI693303B - 薄膜形成方法 - Google Patents

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Abstract

本發明旨在提供一種薄膜形成方法。該薄膜形成方法包含有：觸媒薄膜形成製程，藉由置換還原鍍在基材的表面上形成觸媒薄膜；中間薄膜形成製程，在觸媒薄膜上形成鍍鈀薄膜；以及表面薄膜形成製程，在鍍鈀薄膜上形成鍍金薄膜。

Description

薄膜形成方法
本發明關於一種薄膜形成方法，特別關於一種形成在導體電路等上的薄膜。
一般情況下，半導體裝置具有由銅形成的導體電路。而且，幾乎要對所有導體電路進行焊料結合或引線接合。但是，因為銅的表面易於氧化，所以銅是不適合焊料結合與引線接合的材料。因此，一般做法是：在導體電路的表面形成鍍膜，再對該鍍膜進行焊料結合與引線接合。以由鎳、鈀以及金形成的三層薄膜(化鎳鈀金(ENEPIG；Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold)薄膜)作形成在導體電路表面上的薄膜用這一做法，已是眾人皆知。
但是，化鎳鈀金薄膜中最下層的鎳薄膜厚度為幾微米。另一方面，要求將導體電路微細化，配線的間隔越來越窄。因此，如果形成較厚的鎳薄膜，導體電路間則有可能短路。於是，有人做了以下嘗試：不設鎳薄膜，直接在銅的表面上形成鈀薄膜(如參照專利文献1)。但是，直接在銅的表面上形成鈀薄膜是非常困難的。
還有人研究探討過在銅的表面上形成觸媒金屬，以便做到能夠穩定地進行鍍鈀(如參照專利文献2或專利文献3)。
[先前技術文獻]
專利文献1：日本特開2005-317729號公報。
專利文献2：国際公開2010/004856號小冊子。
專利文献3：日本特開2013-108180號公報。
然而，習知方法無法均勻地在銅的表面形成觸媒金屬。因此，鈀薄膜也不均勻，底層的銅會擴散到薄膜表面上，或者鈀本身會擴散到薄膜表面上。這樣一來，薄膜的焊料結合性與引線接合性便下降，連接可靠性受損。
本發明的目的在於：做到能夠在導體電路等的表面上形成連接可靠性高的薄膜。
本發明之薄膜形成方法之一樣態包含有：觸媒薄膜形成製程，藉由置換還原鍍在基材的表面上形成觸媒薄膜；中間薄膜形成製程，在前述觸媒薄膜上形成鍍鈀薄膜；以及表面薄膜形成製程，在前述鍍鈀薄膜上形成鍍金薄膜。
薄膜形成方法之一樣態中，能夠使觸媒薄膜為金或鉑。
薄膜形成方法之一樣態中，能夠使基材為由銅形成的導體電路。
根據本發明之薄膜形成方法，能夠在導體電路等的表面上形成連接可靠性高的薄膜。
本發明之薄膜形成方法包含有：藉由置換還原鍍在基材的表面上形成觸媒薄膜的觸薄膜形成製程；在觸媒薄膜上形成鍍 鈀薄膜的中間薄膜形成製程；以及在鍍鈀薄膜上形成鍍金薄膜的表面薄膜形成製程。
置換還原鍍與置換鍍不同，鍍浴中含有還原劑。置換鍍係藉由被鍍物與欲鍍金屬的置換反應，在被鍍物的表面上析出待鍍金屬。例如，在藉由置換鍍在銅的表面上形成金薄膜的情況下，藉由底層的銅溶解而被置換為金。因此，在銅容易溶解的地方反應會不斷地進行下去，在銅難以溶解的地方反應變慢，故薄膜容易變得不均勻。在是導體電路的情況下，由於形狀等原因，容易出現銅容易溶解的地方與銅難以溶解的地方，而難以藉由置換鍍形成薄且均勻的鍍膜。而且，在是置換鍍的情況下，要想使薄膜較厚，底層就會遭受腐蝕。
另一方面，在採用置換還原鍍的情況下，開始時發生的是與置換鍍一樣的置換反應，但之後還原劑本身會起觸媒的作用且供給電子，由此即會促進金屬的析出。因此而能夠形成均勻性遠高於還原鍍的薄膜，底層幾乎不會被腐蝕。
藉由置換還原鍍形成薄且均勻的觸媒薄膜，接著形成的鈀薄膜也會變得緻密且均勻。由此，不僅鈀薄膜作為銅的阻礙膜的功能會提高，鈀薄膜本身會也難以擴散。結果是，能夠抑制銅或鈀向最表面的金薄膜擴散，從而能夠使焊料結合性與引線接合性提高。
觸媒薄膜，只要是能夠藉由置換還原鍍均勻地形成在基材即銅的表面上且鍍鈀時具有觸媒活性的薄膜即可。例如，能夠使觸媒薄膜為由金或鉑形成的薄膜。從觸媒活性高而能夠使薄膜的膜厚較薄的觀點出發，較佳為鉑。而且，鉑難以固溶，阻礙性極可期待。從薄膜的易形成度的觀點出發，較佳為金。
用於形成觸媒薄膜的觸媒薄膜形成浴是置換還原鍍浴，且 含有水溶性金屬化合物、螯合劑及還原劑。還原劑，能夠根據作為觸媒薄膜而形成的金屬的種類進行選擇。在形成金薄膜作觸媒薄膜的情況下，能夠使用聯氨、抗壞血酸、二甲胺甲硼烷(Dimethylamine borane)以及以下混合物中的至少一種，其中。上述混合物例如是甲醛與甲醛亞硫酸氫鈉中之至少一種與胺類化合物的混合物。在形成鉑薄膜作觸媒薄膜的情況下，例如，能夠使用蟻酸、聯氨、抗壞血酸及二甲胺甲硼烷中的至少一種。需要說明的是，抗壞血酸與蟻酸等還包含有處於鹽狀態的酸鹽。
胺類化合物，能夠使用由式(1)或式(2)表示的化合物。
R1-NH-C2H4-NH-R2……式(1)
R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4……式(2)
其中，式(1)與式(2)中的R1、R2、R3及R4表示-OH、-CH3、-CH2OH、-C2H4OH、-CH2N(CH3)2、-CH2NH(CH2OH)、-CH2NH(C2H4OH)、-C2H4NH(CH2OH)、-C2H4NH(C2H4OH)、-CH2N(CH2OH)2、-CH2N(C2H4OH)2、-C2H4N(CH2OH)2或-C2H4N(C2H4OH)2。既可以R1、R2、R3及R4都相同，也可以至少一部分相同。n是1至4的整數。
式(1)表示的胺類化合物的具體例例如有：N,N’-雙(2-羥乙基)乙二胺((HOCH2CH2)HNCH2CH2NH(CH2CH2OH))。
觸媒薄膜形成浴中還原劑的濃度，能夠根據形成為觸媒薄膜的金屬的種類與還原劑的種類適當地進行設定。但是，從獲得所需要的析出速率的觀點出發，上述還原劑的濃度較佳為0.1g/L以上，更佳為0.5g/L以上。而且，從鍍浴穩定性的觀點出發，上述還原劑的濃度較佳為10g/L以下，更佳為5g/L以下。
水溶性金屬化合物，只要根據形成為觸媒薄膜的金屬的種類進行選擇即可。例如，在形成金薄膜作觸媒薄膜的情況下，能夠使用普通金之金屬鹽，例如能夠使用氰化金鹽(gold cyanide salt)、氯化金鹽(gold chloride salt)、亞硫酸金鹽(gold sulfite salt)以及硫代硫酸金鹽(gold thiosulfate salt)等。在形成鉑薄膜作觸媒薄膜的情況下，能夠使用普通的鉑鹽，例如能夠使用二氨二亞硝酸鉑(Dinitro diammine platinum)、氯化鉑酸鹽(chloroplatinic acid salts)、四氨合鉑(Tetraammine platinum)以及六氨合鉑等。上述金屬化合物既能夠單獨使用，又能夠兩種以上混合使用。
從生產性的觀點出發，各種金屬化合物在觸媒薄膜形成浴中之濃度以各種金屬化合物的金屬濃度計算，該金屬濃度較佳為0.1g/L以上，更佳為0.5g/L以上。而且，從鍍浴穩定性的觀點出發，該金屬濃度較佳為3g/L以下，更佳為2g/L以下。
螯合劑能夠使用普通的銅螯合劑。例如有胺基羧酸或聚羧酸。胺基羧酸例如有：甘胺酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、三伸乙基二氨基四乙酸(Triethylenediaminetetraacetic acid)、麩胺酸或天冬胺酸等。聚羧酸例如有：丙二酸、丁烯二酸、丁二酸、枸櫞酸或蘋果酸等。胺基羧酸與聚羧酸還包含有處於鹽狀態的酸鹽。上述化合物既能夠單獨使用，又能夠兩種以上混合使用。
螯合劑的濃度，能夠根據形成為觸媒薄膜的金屬的種類與螯合劑的種類適當地進行設定。例如在用乙二胺四酢酸四鈉作螯合劑來形成金薄膜或鉑薄膜的情況下，從生產性的觀點出發，觸媒薄膜形成浴中螯合劑的濃度較佳為2g/L以上，更佳為4g/L以上。從穩定性的觀點出發，觸媒薄膜形成浴中螯合劑的濃度較佳為30g/L以下，更佳為20g/L以下。
觸媒薄膜形成浴中還能夠添加其它的與該普通置換鍍浴一樣的成分。惟，水溶性金屬化合物、螯合劑及還原劑以外的成分是任意成分，也可以不含有這些成分。
觸媒薄膜形成浴的pH，能夠根據形成為觸媒薄膜的金屬的種類與還原劑的種類適當地進行設定。從鍍浴穩定性的觀點出發，較佳為pH3以上。而且，從析出速率的觀點出發，較佳為pH10以下。在用聯氨或二甲胺甲硼烷作還原劑用的情況下，從析出速率的觀點出發，更佳為pH較高。在用其它化合物作還原劑的情況下，從穩定性的觀點出發，更佳為中性(pH7)附近。能夠用酸或鹼調節pH。還能夠使用具有緩衝作用的溶液。
觸媒薄膜形成浴的使用溫度與化學鍍的時間等，只要根據所需要的觸媒薄膜的厚度進行選擇即可。使用溫度較佳為10℃以上且較佳為95℃以下。化學鍍的時間較佳為5秒以上且較佳為15分以下。
從形成均勻的鈀薄膜的觀點出發，利用觸媒薄膜形成浴形成的觸媒薄膜的厚度較佳為0.001μm以上。而且，從生產性的觀點出發，利用觸媒薄膜形成浴形成的觸媒薄膜的厚度較佳為0.5μm以下，更佳為0.2μm以下。
能夠使形成觸媒薄膜的基材為銅或以銅為主要成分的合金。例如，能夠用安裝有電子部件的印刷電路基板、或安裝有半導體元件的半導體元件安裝基板、或設置在所安裝的電子部件等上的導體電路等作基材。除此以外，還能夠使基材為進行了焊料結合或引線接合的任何導體電路。
利用中間薄膜形成浴在觸媒薄膜上形成由鍍鈀薄膜構成的中間薄膜，該中間薄膜形成浴能夠使用普通的鍍鈀浴，既可以是含有還原劑的還原鍍鈀浴，也可以是不含還原劑的置換鍍 鈀浴。藉由使用還原鍍鈀浴，既能夠形成更均勻的鈀薄膜，又能夠使觸媒薄膜難以遭受腐蝕等。
從阻礙性的觀點出發，中間薄膜的厚度較佳為0.05μm以上。從生產性的觀點出發，中間薄膜的厚度較佳為0.5μm以下，更佳為0.2μm以下。
從提高結晶性來提高阻礙性的觀點出發，較佳為，中間薄膜是不含磷的純鈀薄膜。但是，只要能夠得到足夠的阻礙性，中間薄膜還可以是鈀合金薄膜。
利用表面薄膜形成浴在中間薄膜上形成由鍍金薄膜構成的表面薄膜，表面薄膜形成浴能夠使用普通的鍍金浴。既可以是含還原劑的置換還原鍍金浴，也可以是不含還原劑的置換鍍金浴。藉由使用置換還原鍍金浴，能夠形成更均勻的鍍金薄膜。
從焊料結合性與引線接合性的觀點出發，表面薄膜的厚度較佳為0.05μm以上。從生產性的觀點出發，表面薄膜的厚度較佳為0.5μm以下，更佳為0.2μm以下。
就藉由本實施方式之薄膜形成方法形成的三層薄膜而言，作為基材的銅與作為中間薄膜的鈀難以往表面薄膜即鍍金薄膜中擴散。因此，難以氧化，焊接的可濕性提高，焊料結合性提高。而且，金線的黏結性也良好，連接可靠性提高。
(實施例)
下面，用實施例對本發明做更詳細的說明。需要說明的是，以下實施例是示例，本發明並不限於此。
<基材>
對貼有銅的積層板(10cm×10cm，厚度1.0mm)進行硫酸銅鍍，將進行了硫酸銅鍍後的該積層板作為用於形成薄膜的基材。
<薄膜厚度的測量>
薄膜的厚度用螢光X射線分光儀(SFT-9550，日立high-tech science corporation製造)做了評價。
<阻礙性的評價>
在175℃下對形成有薄膜的基材進行了16小時的熱處理後，測量了薄膜表面的元素組成，由此對薄膜的阻礙性做了評價。用歐傑電子能譜儀(日本電子社製造，JAMP-9500F)進行寬掃描測量，由此對元素組成做了評價。測量条件：加速電壓為10keV，電流值為4×10-8A。將在薄膜的表面上未檢測到銅與鈀的情況定為良好，將檢測到銅與鈀的情況定為不良。
<焊料結合性的評價>
焊料結合性，藉由拉球測試在每一個条件下進行了20次評價。在形成有直徑0.5mm的焊料光阻(SR)開口部的基材上形成薄膜後，用回焊裝置(TMR-15-22LH，田村製作所製造)在240℃(最高溫度)的熱處理条件下在SR開口部安裝了0.6mm的焊球(Sn-3Ag-0.5Cu、SAC305)，用黏結強度試驗機(bond tester)(Dage社製造，黏結強度試驗機SERIES4000)進行拉球試驗，對斷裂模式做了評價。將焊料斷裂率在85%以上的情況定為良好，將焊料斷裂率小於85%的情況定為不良。下面將評價条件全部顯示出來。
〔測量条件〕
測量方式：拉球測試。
基板：上村工業(株)製BGA(Ball Grid Array；球柵陣列)基板(焊墊直徑φ 0.5mm)。
焊球：千住金屬製造φ 0.6mm Sn-3.0Ag-0.5Cu。
回焊裝置：田村製作所製造TMR-15-22LH。
回焊条件：最高溫度240℃。
回焊環境：空氣。
回焊次數：1次與5次。
助焊劑：千住金屬製造529D-1(RMA型)。
測試速度：5000μm/s。
焊料安裝後老化：1小時。
<引線接合性的評價>
引線接合性，藉由拉線試驗在每一個条件下進行了20次評價。在175℃下對已形成有薄膜的基材進行了16小時的熱處理後，用半自動引線接合機(TPT社製造，HB16)接合了直徑25μm的金引線。第二接合部附近讓引線斷裂，用拉線裝置(Dage社製造，黏結強度試驗機SERIES4000)測量了引線的抗張力。將抗張力在8g以上的情況定為良好，將抗張力不到8g情況定為不良。下面將評價条件全部顯示出來。
〔測量条件〕
毛細管：B1014-51-18-12(PECO)。
引線：1密爾-金。
工件台溫度：150℃。
超音波(mW)：250(第一位置)，250(第二位置)。
接合時間：(毫秒)：200(第一位置)，50(第二位置)。
抗張力(gf)：25(第一位置)，50(第二位置)。
步驟(第一位置到第二位置的長度)：0.700mm。
測量方式：拉線試驗。
基板：上村工業(株)BGA基板。
試驗速度：170μm/秒。
<觸媒薄膜形成浴>
使用了置換還原鍍金(Au)浴1至6、置換還原鍍鉑(Pt)浴1至4、置換還原鍍鈀(Pd)浴、置換鍍金(Au)浴、置換鍍鉑(Pt)浴以及置換鍍鈀(Pd)浴。各鍍浴的組成如表1所示。需要說明的是，金屬化合物的濃度是浴中所含有的金屬的濃度。胺化合物使用的是N,N’-雙(2-羥乙基)乙二胺。
Figure 106115795-A0305-02-0012-1
Figure 106115795-A0305-02-0013-2
<中間薄膜形成浴>
使用的是市場上銷售的化學鍍鈀液(上村工業社製造，AltareaTMTPD-21)。
<表面薄膜形成浴>
使用的是市場上銷售的化學鍍金液(上村工業社製造，GOBRIGHTTMTWX-40)。
(實施例1)
形成薄膜以前，對基材進行了脫脂、軟蝕刻以及酸洗。在50℃下用市場上銷售的清洗液(上村工業製造，ACL-007)進行了5分鐘的脫脂。在30℃下用100g/L的過硫酸鈉溶液進行了1分鐘的軟蝕刻。用10%的硫酸在室溫下進行了1分鐘的酸洗。
用置換還原鍍金浴1作觸媒薄膜形成浴，由金形成了觸媒薄膜。使觸媒薄膜形成浴的溫度為80℃，使化學鍍的時間為2分鐘。接著，用中間薄膜形成浴形成了由鈀形成的中間薄膜。使中間薄膜形成浴的溫度為55℃，使化學鍍的時間為5分鐘。接著，用表面薄膜形成浴形成了由金形成的表面薄膜。使表面薄膜形成浴的溫度為78℃，使化學鍍的時間為10分鐘。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面上沒有檢測到銅與鈀，阻礙性良好。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性也良好。
(實施例2)
除了用置換還原鍍金浴2作觸媒薄膜形成浴以外，使其它方面都與實施例1一樣。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面上沒有檢測到銅與鈀，阻礙性良好。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性也良好。
(實施例3)
除了用置換還原鍍金浴3作觸媒薄膜形成浴以外，使其它方面都與實施例1一樣。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面上沒有檢測到銅與鈀，阻礙性良好。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性也良好。
(實施例4)
除了用置換還原鍍金浴4作觸媒薄膜形成浴以外，使其它方面都與實施例1一樣。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面上沒有檢測到銅與鈀，阻礙性良好。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性也良好。
(實施例5)
除了用置換還原鍍金浴5作觸媒薄膜形成浴以外，使其它方面都與實施例1一樣。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面上沒有檢測到銅與鈀，阻礙性良好。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性也良好。
(實施例6)
除了用置換還原鍍金浴6作觸媒薄膜形成浴以外，使其它方面都與實施例1一樣。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面上沒有檢測到銅與鈀，阻礙性良好。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性也良好。
(實施例7)
用置換還原鍍鉑浴1作觸媒薄膜形成浴，由金形成了觸媒薄膜。使觸媒薄膜形成浴的溫度為50℃，使化學鍍的時間為2分鐘。與實施例1一樣地形成了中間薄膜與表面薄膜。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面上沒有檢測到銅與鈀，阻礙性良好。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性也良好。
(實施例8)
除了用置換還原鍍鉑浴2作觸媒薄膜形成浴以外，使其它方面都與實施例7一樣。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面上沒有檢測到銅與鈀，阻礙性良好。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性也良好。
(實施例9)
除了用置換還原鍍鉑浴3作觸媒薄膜形成浴以外，使其它方面都與實施例7一樣。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面沒有檢測到銅與鈀，阻礙性良好。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性也良好。
(實施例10)
除了用置換還原鍍鉑浴4作觸媒薄膜形成浴以外，使其它方面都與實施例7一樣。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面上沒有檢測到銅與鈀，阻礙性良好。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性也良好。
(比較例1)
除了用置換鍍金浴作觸媒薄膜形成浴以外，使其它方面都與實施例1一樣。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面上檢測到有銅與鈀。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性不良。
(比較例2)
除了用置換鍍鉑浴作觸媒薄膜形成浴以外，使其它方面都與實施例7一樣。
已得到的觸媒薄膜的膜厚為0.01μm，中間薄膜的膜厚為0.1μm，表面薄膜的膜厚為0.1μm。
在已得到的薄膜的表面上檢測到有銅與鈀。而且，已得到的薄膜的焊料結合性與引線接合性不良。
表2至表4中，將各實施例與比較例的薄膜形成条件與評價結果一併顯示出來。如表2至表4所示，在藉由置換還原鍍形成了觸媒薄膜的情況下，得到了良好的焊料結合性與引線接合 性。
Figure 106115795-A0305-02-0017-3
Figure 106115795-A0305-02-0017-4
(表4)
Figure 106115795-A0305-02-0018-5
(產業可利用性)
利用本發明之薄膜形成方法能夠形成連接可靠性高的薄膜，本發明之薄膜形成方法作為在導體電路等的表面等上形成薄膜的薄膜形成方法很有用。

Claims (6)

  1. 一種薄膜形成方法，包含有：觸媒薄膜形成製程，藉由置換還原鍍在基材的表面上形成觸媒薄膜；中間薄膜形成製程，在前述觸媒薄膜上形成鍍鈀薄膜；以及表面薄膜形成製程，在前述鍍鈀薄膜上形成鍍金薄膜；前述觸媒薄膜由金或鉑形成。
  2. 如請求項1所記載之薄膜形成方法，其中前述基材是由銅形成的導體電路。
  3. 如請求項1所記載之薄膜形成方法，其中前述觸媒薄膜形成製程係利用含有水溶性金屬化合物、螯合劑及還原劑的置換還原鍍浴進行。
  4. 如請求項3所記載之薄膜形成方法，其中前述觸媒薄膜由鉑形成；前述水溶性金屬化合物是二氨二亞硝酸鉑、氯化鉑酸鹽、四氨合鉑以及六氨合鉑中的至少一種；前述還原劑是蟻酸、聯氨、抗壞血酸及二甲胺甲硼烷中的至少一種。
  5. 如請求項3所記載之薄膜形成方法，其中前述觸媒薄膜由金形成；前述水溶性金屬化合物是氰化金鹽、氯化金鹽、亞硫酸金鹽以及硫代硫酸金鹽中的至少一種； 前述還原劑是甲醛與甲醛亞硫酸氫鈉中之至少一種與胺類化合物的混合物、聯氨、抗壞血酸及二甲胺甲硼烷中的至少一種；前述胺類化合物是由式(1)或式(2)表示的化合物；R1-NH-C2H4-NH-R2……式(1) R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4……式(2)其中，式(1)與式(2)中的R1、R2、R3及R4表示-OH、-CH3、-CH2OH、-C2H4OH、-CH2N(CH3)2、-CH2NH(CH2OH)、-CH2NH(C2H4OH)、-C2H4NH(CH2OH)、-C2H4NH(C2H4OH)、-CH2N(CH2OH)2、-CH2N(C2H4OH)2、-C2H4N(CH2OH)2或-C2H4N(C2H4OH)2，R1、R2、R3及R4都相同或者R1、R2、R3及R4中的至少一部分相同，n是1至4的整數。
  6. 如請求項1至5中任一項所記載之薄膜形成方法，其中前述鍍鈀薄膜是不含磷的純鈀薄膜。
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