TWI692877B - 光學元件封裝及光學元件裝置 - Google Patents

光學元件封裝及光學元件裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI692877B
TWI692877B TW105110272A TW105110272A TWI692877B TW I692877 B TWI692877 B TW I692877B TW 105110272 A TW105110272 A TW 105110272A TW 105110272 A TW105110272 A TW 105110272A TW I692877 B TWI692877 B TW I692877B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
optical element
wiring board
pad
metal base
element mounting
Prior art date
Application number
TW105110272A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201640685A (zh
Inventor
木村康之
Original Assignee
日商新光電氣工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商新光電氣工業股份有限公司 filed Critical 日商新光電氣工業股份有限公司
Publication of TW201640685A publication Critical patent/TW201640685A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI692877B publication Critical patent/TWI692877B/zh

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274Electrical aspects
    • G02B6/428Electrical aspects containing printed circuit boards [PCB]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0231Stems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4246Bidirectionally operating package structures
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4274Electrical aspects
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345Wire-bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237Fixing laser chips on mounts by soldering
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4266Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
    • G02B6/4268Cooling
    • G02B6/4269Cooling with heat sinks or radiation fins

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

一種光學元件封裝包括:一金屬基體,其包括一從該金屬基體之外周面朝該金屬基體之中心部分所形成的切除部;以及一佈線板,其連接至該金屬基體之切除部的一側面上。該佈線板包括一設置在該佈線板之位於該金屬基體之切除部內的部分上之光學元件安裝區域及一配置在該佈線板之位於該光學元件安裝區域外的部分上之墊。

Description

光學元件封裝及光學元件裝置
本發明係有關於一種光學元件封裝及一種光學元件裝置。
一般而言,上面安裝有一光發射元件或一光接收元件之光學元件頭(optical device header)是已知的。在相關技藝的光學元件頭中,引線係設置成以玻璃密封在圓盤形金屬圓孔眼(circular disk-shaped metal eyelet)上。
在該圓孔眼之元件安裝部上安裝一光發射元件及一用以監控來自該光發射元件之光的光接收元件,以及然後,在該圓孔眼上裝上一在其中心部分上具有一透明玻璃窗之封蓋(cap),以便氣密地密封該光發射元件及該光接收元件。
專利文件1:日本專利申請案公開第H8-18165號
專利文件2:日本專利申請案公開第2005-191088號
專利文件3:日本專利申請案公開第2009-130263號
如下所述,關於前文,在內部以玻璃將引線密封在該圓孔眼上之該光學元件頭中,用以連接半導體雷射元件至引線之金線的長度長,而在其傳輸路徑中之傳輸損失因此增加。於是,會有無法達 成整個傳輸路徑之特性阻抗的符合性(conformity)之問題。
本發明之示範性具體例提供具有可達成整個傳輸路徑之特性阻抗的符合性之結構的一種光學元件封裝及一種光學元件裝置。
依據一示範性具體例之一種光學元件封裝包括:一金屬基體,其包括一從該金屬基體之外周面朝該金屬基體之中心部分所形成的切除部;以及一佈線板,其連接至該金屬基體之切除部的一側面上,該佈線板包括一設置在該佈線板之位於該金屬基體之切除部內的部分上之光學元件安裝區域及一配置在該佈線板之位於該光學元件安裝區域外的部分上之墊。
依據一示範性具體例之一種光學元件裝置包括:一光學元件封裝,其包括:一金屬基體,其包括一從該金屬基體之外周面朝該金屬基體之中心部分所形成的切除部;以及一佈線板,其連接至該金屬基體之切除部的一側面上,該佈線板包括一設置在該佈線板之位於該金屬基體之切除部內的部分上之光學元件安裝區域以及一配置在該佈線板之位於該光學元件安裝區域外的部分上之墊;一光學元件,其安裝在該光學元件封裝之佈線板的光學元件安裝區域上;以及一導線,其連接該光學元件至該墊。
依據以下揭示內容,該光學元件封裝係配置成使得該切 除部係從該金屬基體之外周面朝該金屬基體之中心部分所形成且亦使得該佈線板連接至該金屬基體之切除部的該側面上。
該光學元件安裝區域係設置在該佈線板之位於該金屬基體之切除部內的部分上,以及該墊係配置在該佈線板之位於該光學元件安裝區域外的部分上。
在該光學元件安裝區域上所安裝之一光學元件係藉由導線連接至該墊。該墊可以藉由根據微影製程技術(photolithography)圖案化一銅箔或類似者而形成。該光學元件安裝區域與該墊係配置成可充分地彼此靠近。
因此,用以連接該光學元件至該墊之導線可以具有縮短之長度,藉以減少在該傳輸路徑中之傳輸損失並因此達成該整個傳輸路徑在特性阻抗上的符合性。
並且,可以去除以玻璃將引線密封在該圓孔眼之通孔上的複雜程序。於是,可以減少組件之數目且亦可以簡化組裝程序,因而降低製造成本。
1:光學元件封裝
2:光學元件裝置
3:佈線板
5a:金線
5b:金線
5c:金線
5d:金線
10:金屬基體
10a:金屬基體
20:圓孔眼
20a:切除部
20x:三角形定位凹口
20y:三角形定向凹口
30:突出部
40:基板
50a:第一佈線層
50b:第二佈線層
50c:第三佈線層
52:防焊層
52a:開口
53:防焊層
53a:開口
54:貫穿導體
60:接地層
60a:連接部
70:導電接合材料
80:透鏡帽
82:透明球透鏡
90:光纖夾持器
90a:開口
100:圓孔眼
110a:通孔
110b:通孔
110c:通孔
120:散熱部
120a:傾斜部
160a:第一引線
160b:第二引線
160c:第三引線
160d:第四引線
180:玻璃
200:基部
300:半導體雷射元件
300a:金線
400:光二極體
400a:金線
A:狹窄部
B:光學元件安裝區域
C:連接區域
CT:LD/PD共同連接端
CTx:LD/PD共同連接端
LD:半導體雷射元件
LT:LD連接端
LTx:LD連接端
M:安裝面
GT1:第一接地連接端
GT1x:第一接地端
GT2:第二接地連接端
GT2x:第二接地端
P1:第一LD墊
P1X:第一PD墊
P2:第二ID墊
P2X:第二PD墊
PD:光二極體
PH:通孔
PT:PD連接端
PTx:PD連接端
PX:光學元件安裝墊
RP:強化墊
RPx:強化墊
S:連接面
圖1係說明依據前文之光學元件頭的問題之立體圖。
圖2係顯示依據一具體例之光學元件封裝中所使用的一金屬基體之立體圖。
圖3係顯示依據該具體例之光學元件封裝中所使用的該金屬基體之變型的立體圖。
圖4A係依據該具體例之光學元件封裝中所使用的佈線板在從其正面側觀看時之平面圖,以及圖4B係沿著圖4A之平面圖中的線I-I 所取得之放大剖面圖。
圖5係依據該具體例之光學元件封裝中所使用的該佈線板在從背面側觀看時之平面圖。
圖6係顯示依據該具體例之光學元件封裝的立體圖。
圖7係顯示依據該具體例之光學元件裝置之立體圖。
圖8係顯示在圖7之光學元件裝置上裝上一透鏡帽(lens cap)及一光纖夾持器(fiber holder)之態樣的立體圖。
以下,將根據所附圖式來描述具體例。
在說明本具體例前,將描述作為本具體例之基礎的前文。如圖1所示,依據前文之光學元件頭具有一圓孔眼100及一豎立在該圓孔眼100上之散熱部120。該圓孔眼100設置有4條(亦即,第一至第四)引線160a、160b、160c及160d。
在該圓孔眼100上所配置之該散熱部120具有一安裝面M,在該安裝面M上安裝一半導體雷射元件。該圓孔眼100設置有朝其厚度方向延伸穿過之3個(亦即,第一至第三)通孔110a、110b及110c。並且,以玻璃180將該等第一至第三引線160a至160c分別密封及固定在該等第一至第三通孔110a至110c中。
該半導體雷射元件300係經由一基部(base)200安裝在該散熱部120之安裝面M上。該半導體雷射元件300藉由金線300a連接至該第一引線160a及該第二引線160b。
並且,形成一傾斜部120a,從該圓孔眼100之一部分突出,其中該部分位於該散熱部120之安裝面M的前面。在該傾斜部120a上經由一基部(未顯示)安裝一光二極體400。該光二極體400藉由金線 400a連接至該第一引線160a及該第三引線160c。
該光二極體400係配置成用以接收一從該半導體雷射元件300之下部所發射的監控光及控制該半導體雷射元件300之輸出。
並且,該第四引線160d電連接至該圓孔眼100之下表面,充當一共同接地引線。此外,該半導體雷射元件300及該光二極體400藉由導線或類似者經由該散熱部120及該圓孔眼100電連接至該第四引線160d。
在該光學元件頭中,必須調整其傳輸路徑之特性阻抗,以便傳送高速信號,且通常將該傳輸路徑之特性阻抗設定為50Ω。
為了將該特性阻抗設定成具有這樣的數值,用以連接該半導體雷射元件300至該等第一及第二引線160a及160b之每一金線300a的長度必須縮短至約0.5mm。
然而,在圖1之光學元件頭中,該等第一至第三引線160a至160c之配置間距被限制為不小於2mm,因此難以配置該等第一至第三引線160a至160c而使彼此更靠近。
並且,考量該散熱部120及該等第一至第三引線160a至160c之佈局的邊緣,難以使該散熱部120之安裝面M與該等第一及第二引線160a及160b間之距離變窄成小於2mm。
於是,在圖1中用以連接該半導體雷射元件300至該等第一及第二引線160a及160b之每一金線300a的長度為1mm或更長,因而增加其阻抗組成分。
並且,同樣地,用以連接該光二極體400至該等第一及第三引線160a及160c之每一金線400a的長度為1mm或更長。
如上所述,在依據前文之光學元件頭中,用以連接該半 導體雷射元件300至該等第一及第二引線160a及160b之每一金線300a的長度因其結構而較長,因而增加在該傳輸路徑中之傳輸損失。
此外,具有這樣長的長度之該等第一至第三引線接腳160a至160c存在於該光學元件頭中,而對應部分之特性阻抗因此增加至300Ω或更大。
如上所述,在依據前文之光學元件頭中,會有無法達成整個傳輸路徑之特性阻抗的符合性之問題。
下面所述之依據一具體例的光學元件封裝可以解決上述問題。
(具體例)
首先,將描述在該具體例之光學元件封裝中所使用的一金屬基體。圖2係顯示該具體例之光學元件封裝中所使用的該金屬基體之立體圖。
如圖2所示,該金屬基體10係由一圓孔眼(eyelet)20及一從該圓孔眼20之上表面的中心部分向上突出之突出部30所構成。
該圓孔眼20具有一從圓盤形金屬板之外周面朝其中心部分所形成之切除部20a。例如,在平面圖中觀看,該切除部係形成為矩形形狀。並且,該切除部20a之形成係從該圓孔眼20之上表面至下表面延伸通過該圓孔眼20。
並且,該突出部30豎立在該圓孔眼20之切除部20a的一個端側上。該圓孔眼20之切除部20a在其內端上具有一連接面S。該連接面S係形成為一垂直於該圓孔眼20之表面的垂直面。如下所述,使該圓孔眼20之切除部20a的連接面S與一佈線板連接。
在該圓孔眼20之外周圍上設置一對三角形定位凹口20x及一三角形定向凹口20y。
藉由使用一模具,以衝壓方式整體地使一金屬構件成形,進而製造出該金屬基體10。較佳地,使用鐵或銅做為該金屬基體10之材料。
再者,在該金屬基體10之整個外表面上從下方依序形成鍍鎳(Ni)/金(Au)層(未顯示)。該等鍍鎳/金層係藉由電解電鍍所形成。
在圖3中,顯示依據該具體例之一變型的金屬基體10a。在圖3之變型中,可以省略圖2之突出部30且因此該金屬基體10a可以僅由一圓盤形圓孔眼20所構成。在此情況下,同樣在該圓孔眼20之切除部20a的一內端上配置一連接面S。
在圖3中省略該突出部30之情況下,考量到散熱能力,將圖3之圓孔眼20的厚度設定成比圖2之圓孔眼20的厚度還厚。
以此方式,較佳的是,該切除部20a係從該圓孔眼20之外周面朝其中心部分所形成及該連接面S亦配置在該切除部20a之該端的側壁上。
如上所述,製備該金屬基體10,其中該切除部20a係從該外周面朝該中心部分所形成及該切除部20a之該側壁充當該連接面S。
接下來,將描述在該具體例之光學元件封裝中所使用的佈線板。圖4A係在該光學元件封裝中所使用的佈線板在從其正面側觀看時之平面圖,以及圖4B係沿著圖4A之平面圖中的線I-I所取得之放大剖面圖。
首先,將描述該佈線板之正面的結構。如圖4A所示, 該佈線板3具有一基板40。該基板40係由具有約50μm之厚度的聚醯亞胺薄膜所形成且係可撓的。或者,根據用途,可以使用一剛性基板做為該基板40,其中該剛性基板係由玻璃環氧樹脂或類似者所形成且因而是堅硬的。
該基板40具有下面這樣的形狀:在平面圖中觀看時,一具有較窄寬度之狹窄部A連接至一矩形主體之一端側。在該佈線板3之正面上,在該基板40之該端側上的該狹窄部A之中心部分係一用以安裝光學元件之光學元件安裝區域B。並且,在該光學元件安裝區域B中形成一具有矩形之光學元件安裝墊PX。
作為該等光學元件,使用一半導體雷射元件當作一光發射元件及使用一光二極體當作一光接收元件。在墊、連接端或類似者之後續敘述中,以'LD'表示該半導體雷射元件及以'PD'表示該光二極體。並且,在圖4A中,以透視方式描繪每一元件。
在該基板40之對應於該光學元件安裝墊PX之左側區域的部分上,形成一第一LD墊P1及一第一PD墊P1X。
使該第一LD墊P1與一延伸至該基板40之下端的第一佈線層50a連接,以及形成一LD連接端LT,使其連接至該第一佈線層50a之一端。
並且,使該第一PD墊P1X與一延伸至該基板40之下端的第二佈線層50b連接,以及形成一PD連接端PT,使其連接至該第二佈線層50b之一端。
再者,在該基板40之對應於該光學元件安裝墊PX之右側區域的部分上,形成一第二LD墊P2及一第二PD墊P2X。
使該第二LD墊P2及該第二PD墊P2X與一延伸至該基 板40之下端的第三佈線層50c連接,以及形成一LD/PD共同連接端CT,使其連接至該第三佈線層50c之一端。
在該PD連接端PT與該LD連接端LT間之區域中形成一第一接地連接端GT1。並且,在該LD/PD共同連接端CT之右側的區域中形成一第二接地連接端GT2。
上述光學元件安裝墊PX、第一至第三佈線層50a至50c、墊及連接端係藉由以微影製程技術及濕蝕刻來圖案化一電解銅箔所形成,其中該電解銅箔係以黏著劑接合在該基板40之正面上。以此方式,該等光學元件安裝墊PX、第一至第三佈線層50a至50c、墊及連接端係形成作為相同層。
該電解銅箔之厚度為例如約18μm且該電解銅箔可被精細地處理以提供佈線寬度,這可達成特性阻抗之符合性。
因此,可使該光學元件安裝墊PX與該等第一及第二LD墊P1及P2以及第一及第二PD墊P1X及P2X間之距離的每一者變窄至微影技術之極限。
並且,在該基板40上,形成一防焊層52,其在該光學元件安裝墊PX、每一墊及每一連接端上方設置有開口52a。並且,在該光學元件安裝墊PX之表面上從下方依序形成鍍鎳(Ni)/金(Au)層(未顯示),每一墊及每一連接端經由該防焊層52之開口52a暴露出來。該等鍍鎳/金層係藉由電解電鍍所形成。
接下來,將描述該佈線板3之背面的結構。如圖5所示,該背面之對應於在該佈線板3之正面上的該光學元件安裝區域B之區域為一連接區域C。在該佈線板3之背面側上,形成一接地層60於該基板40上。該接地層60係一平面層且與該基板40之背面上的主要部 分整體地形成。
並且,在該基板40之背面上對應於該正面側上之該PD連接端PT的區域中配置一PD連接端PTx。此外,在該基板40之背面上對應於該正面側上的該等第一及第二接地端GT1及GT2之區域中分別配置第一及第二接地端GT1x及GT2x。
再者,在該基板40之背面上對應於該正面側上的該LD連接端LT之區域中配置一LD連接端LTx。
另外,在該基板40之背面上對應於該正面側上的該LD/PD共同連接端CT之區域中配置一LD/PD共同連接端CTx。
該接地層60連接至在該基板40之背面上所形成的該第一接地連接端CT1x及該第二接地連接端CT2x。
類似該正面側之情況,在該基板40之背面側上的該接地層60及每一端係藉由以微影製程技術及濕蝕刻來圖案化一電解銅箔所形成,其中該電解銅箔係以黏著劑接合在該基板40之背面上。
此外,在該基板40之背面上,形成一防焊層53,其在該連接區域C中之該接地層60及上述每一端上方設置有開口53a。在該連接區域C中,使該接地層60之一連接部60a保持經由該防焊層53之個別開口53a暴露出來。
此外,參考圖4B之放大剖面圖,使在該基板40之正面側上的該第一接地連接端GT1及在該背面側上的該第一接地連接端GT1x經由一延伸穿過該基板40之貫穿導體54彼此連接。
並且,同樣地,使在該基板40之正面側上的該第二接地連接端GT2及在該背面側上的該第二接地連接端GT2x經由一延伸穿過該基板40之貫穿導體54彼此連接。該等貫穿導體54係由電解鍍 銅層之類所形成。
再者,形成一通孔PH,其從該正面側上之該PD連接端PT的上表面延伸穿過該基板40至該背面側上之該PD連接端PTx的下表面並因而界定出一個空洞。
並且,同樣地,形成一通孔PH,其從該正面側上之該LD連接端LT的上表面延伸穿過該基板40至該背面側上之該LD連接端LTx的下表面並因而界定出一個空洞。另外,同樣地,形成一通孔PH,其從該正面側上之該LD/PD共同連接端CT的上表面延伸穿過該基板40至該背面側上之該LD/PD共同連接端CTx的下表面並因而界定出一個空洞。
上述在該基板40之背面側上的每一連接端藉由焊接連接至一安裝基板之一個別連接電極。此時,在該PD連接端PT、該LD連接端LT及該LD/PD共同連接端CT中,藉由將焊料經由該個別通孔PH供應至在該正面側上之每一連接端來實施焊接。因為焊料經由該個別通孔PH流出至在該正面側上之每一連接端,所以可輕易辨識焊料之連接。
在該正面側上之該PD連接端PT、該LD連接端LT及該LD/PD共同連接端CT為在該正面側上之一第一連接端的範例。並且,在該背面側上之該PD連接端PTx、該LD連接端LTx及該LD/PD共同連接端CTx為在該背面側上之一第二連接端的範例。
同時,在接地線中,在該背面側上的該等第一及第二接地連接端GT1x及GT2x藉由焊接連接至該安裝基板之個別電極且亦經由貫穿導體54連接至在該正面側上的該等第一及第二接地連接端GT1及GT2。
再者,參考圖4A之佈線板3的正面側之平面圖,在位於以並排方式配置有該等連接端之末端區域上方的該基板40之兩端上分別形成半圓形強化墊RP。在該正面側上之該等強化墊RP係形成為與該等第一至第三佈線層50a至50c相同層且配置成與該等第一至第三佈線層50a至50c分離。
並且,如圖5所示,在該基板40之背面的對應於該基板40之正面側上的該等強化墊RP之區域中配置強化墊RPx。在該背面側上之該等強化墊RPx係形成為與該接地層60相同層且連接至該接地層60。或者,在該基板40之背面側上的該等強化墊RPx可以與該接地層60分離。
並且,如同上述圖4B之LD連接端LT或類似者,形成通孔PH,其從該正面側上之該等強化墊RP的上表面可延伸穿過該基板40至該背面側上之該等強化墊RPx的下表面。
在該基板40之正面及背面側上的該等防焊層52及53係個別形成使得開口52a及53a亦配置在該等強化墊RP及RPx上方。
上述該基板40之背面側上的每一連接端在使該基板40在其附近處彎曲的情況下藉由焊接連接至該安裝基板。此時,在該佈線板3之背面側上該等強化墊RPx藉由焊接同時固定至在該安裝基板之周圍的構件之類,藉以提高該佈線板3之每一連接端與該安裝基板間之連接的可靠性。
現在,將描述使用上述圖2之金屬基體及圖4A之佈線板3來構成該光學元件封裝及該光學元件裝置之方法。
如圖6所示,藉由一導電接合材料70使在圖4A及5之佈線板3的背面側上之該接地層60的連接部60a連接至圖2之金屬基 體10的連接面S。可以使用焊料、金屬硬焊材料(metal brazing material)、諸如銀膠之導電膠等做為該導電接合材料70。
因此,使該金屬基體10與在該佈線板3之背面上的該接地層60彼此電連接,以便該金屬基體10亦具有接地功能。
以此方式,可獲得該具體例之光學元件封裝1。如圖6所示,該具體例之光學元件封裝1係配置成如上所述,使得在圖4A及5之佈線板3的背面側上之該接地層60的連接部60a藉由該導電接合材料70連接至圖2之金屬基體10的連接面S。
此外,參考圖4A,該光學元件安裝區域B係設置在該金屬基體10之切除部20a內的該佈線板之正面側上。該佈線板3之正面的對應於該金屬基體10之連接面S的區域之中心部分為該光學元件安裝區域B。並且,該光學元件安裝墊PX係配置在該佈線板3之正面側上的該光學元件安裝區域B中。
此外,該佈線板3具有配置在該光學元件安裝區域B外的該第一LD墊P1、該第一PD墊P1X、該第二LD墊P2及該第二PD墊P2X。
並且,如圖7之正視圖所示,該半導體雷射元件LD係藉由一晶片黏合材料(die attach material)固定及安裝在該佈線板3之光學元件安裝墊PX的上部分上以及將該光二極體PD類似地安裝在其下部分上。
並且,以一由打線法(wire bonding method)所形成之金線5a使該半導體雷射元件LD與該第一LD墊P1彼此連接。再者,以一金線5b使該半導體雷射元件LD與該第二LD墊P2彼此連接。
此外,以一金線5c使該光二極體PD與該第一PD墊P1X 彼此連接。另外,以一金線5d使該光二極體PD與該第二PD墊P2X彼此連接。
如上所述,該光學元件安裝墊PX以及該半導體雷射元件LD及該光二極體PD之每一個墊係根據微影製程技術所形成。於是,該光學元件安裝墊PX以及該半導體雷射元件LD及該光二極體PD之每一個墊可以配置成彼此充分靠近。
因此,用以連接每一個墊至該半導體雷射元件LD及該光二極體PD的該等金線5a至5d可以具有約0.5mm或更小之縮短的長度,藉以減少在傳輸路徑中之傳輸損失。
並且,相較於上述依據前文之光學元件頭,具有較長長度之引線接腳沒有存在於該金屬基體中且因此促使該特性阻抗增加之部分沒有存在於其中,藉此可允許輕易達成特性阻抗之符合性。
本發明者已經由模擬發現到,在10GHz的頻率下,如果圖4A及5之佈線板3之每一元件係設定成具有下面規格,則該特性阻抗變成50Ω。
提供微帶線(micro-strip lines),其中該等佈線層50a至50c係形成於該基板40(聚醯亞胺)之上表面上及該接地層60係形成於該基板40之下表面上。
該等佈線層50a至50c之佈線寬度:0.105mm
該等佈線層50a至50c之厚度:0.018mm
該基板40(聚醯亞胺(介電常數:3.5)):0.050mm
該接地層60(銅)之厚度:0.018mm
於是,可以達成整個傳輸路徑之特性阻抗的符合性。因此,該光學元件封裝可適用於在高速下電信號之傳輸且亦可適用於具有10Gbps 或更大之大容量的光學通訊應用。
在前述具體例中,該半導體雷射元件LD及該光二極體PD係安裝在該基板40之光學元件安裝區域B中所形成之該光學元件安裝墊PX上。如果該半導體雷射元件LD及該光二極體PD可直接安裝在該基板40上,則可以省略該光學元件安裝墊PX。
如圖8所示,將一透鏡帽80安裝在圖7之光學元件封裝1的金屬基體10上,在該光學元件封裝1中安裝有該半導體雷射元件LD及該光二極體PD。在該透鏡帽80之一遠端的中心部分上安裝一透明球透鏡(transparent ball lens)82。
再者,同樣如圖8所示,在該透鏡帽80上安裝一光纖夾持器90。在該光纖夾持器90之一遠端的中心部分中設置一開口90a,以界定一空洞。
以此方式,製造該具體例之光學元件裝置2。
此外,參考上述圖7,配置該光學元件裝置2,以便從該佈線板3之LD連接端LT經由該第一佈線層50a、該第一LD墊P1及該金線5a傳送電信號至該半導體雷射元件LD。
因此,從該半導體雷射元件LD之上端的光發射部將光向上發射。藉由該透鏡帽80之透明球透鏡82使從該半導體雷射元件LD發射之光聚焦及然後,將它經由該光纖夾持器90之開口90a傳送至一外部光纖。
此時,一從該半導體雷射元件LD之下端所發射的監控光進入該光二極體PD之光接收部。以此方式,該光二極體PD監控從該半導體雷射元件LD所發射之光,以便可控制該半導體雷射元件LD之輸出。
相較於上述依據前文之光學元件頭,該光學元件裝置2之優點在於:去除以玻璃將引線密封在該金屬基體之通孔上的複雜程序及因此,足以使該佈線板3連接至具有簡單結構之該金屬基體10的連接面S。
再者,當安裝該半導體雷射元件LD及該光二極體PD時,可省略基部。
於是,可以減少組件之數目且亦可以簡化組裝程序,因而降低製造成本。
1‧‧‧光學元件封裝
3‧‧‧佈線板
10‧‧‧金屬基體
20‧‧‧圓孔眼
20a‧‧‧切除部
20x‧‧‧三角形定位凹口
20y‧‧‧三角形定向凹口
30‧‧‧突出部
70‧‧‧導電接合材料
PX‧‧‧光學元件安裝墊
S‧‧‧連接面

Claims (9)

  1. 一種光學元件封裝,其包括:一金屬基體,其包括從該金屬基體之一外周面朝該金屬基體之中心部分所形成的一切除部;以及一佈線板,其連接至該金屬基體之該切除部的一側面上,該佈線板包括設置在該佈線板之位於該金屬基體之該切除部內的一部分上之一光學元件安裝區域,配置在該佈線板之位於該光學元件安裝區域外的一部分上之一墊,在該佈線板之一末端區域以並排方式所配置的該佈線板之連接端,以及在位於該一末端區域上方的該佈線板之兩端上分別形成的強化墊。
  2. 如請求項1之光學元件封裝,其中,該佈線板包括一光學元件安裝墊,該光學元件安裝墊係配置在該光學元件安裝區域中且被形成為與該墊相同層。
  3. 如請求項1或2之光學元件封裝,其中,該佈線板包括形成於該佈線板之一背面側上的一接地層,該背面側係與配置有該墊之一正面側相對,以及其中該接地層藉由一導電接合材料連接至該金屬基體之該切除部的該側面。
  4. 如請求項1或2之光學元件封裝,其中,該佈線板之該墊經由一佈線層連接至配置在一正面側上之一第一連接端,以及在該佈線板之一背面側上對應於該第一連接端的一區域中配置一第二連接端,其中一通孔係被形成為從該第一連接端延伸至該第二連接端。
  5. 如請求項3之光學元件封裝,其中,該佈線板包括配置在該正面側上之一第一接地連接端及配置在該背面側上對應於該第一接地連接 端之一區域中的一第二接地連接端,其中該第一接地連接端與該第二接地連接端藉由延伸穿過該佈線板之一貫穿導體彼此連接,以及該第二接地連接端連接至該接地層。
  6. 如請求項1或2之光學元件封裝,其中,該佈線板包括由聚醯亞胺薄膜所形成之一基板及該墊係由一銅箔所形成。
  7. 如請求項1或2之光學元件封裝,其中,該切除部之與該佈線板連接的該側面係該切除部之一內端。
  8. 一種光學元件裝置,其包括:一光學元件封裝,其包括:一金屬基體,其包括從該金屬基體之一外周面朝該金屬基體之中心部分所形成的一切除部;以及一佈線板,其連接至該金屬基體之該切除部的一側面上,該佈線板包括設置在該佈線板之位於該金屬基體之該切除部內的一部分上之一光學元件安裝區域,配置在該佈線板之位於該光學元件安裝區域外的一部分上之一墊,在該佈線板之一末端區域以並排方式所配置的該佈線板之連接端,以及在位於該一末端區域上方的該佈線板之兩端上分別形成的強化墊;一光學元件,其安裝在該光學元件封裝之該佈線板的該光學元件安裝區域上;以及一導線,其連接該光學元件至該墊。
  9. 如請求項8之光學元件裝置,其中,該佈線板包括一光學元件安裝墊,該光學元件安裝墊係配置在該佈線板之該光學元件安裝區域中且被形成為與該墊相同層,以及該光學元件係安裝在該光學元件安裝墊上。
TW105110272A 2015-04-01 2016-03-31 光學元件封裝及光學元件裝置 TWI692877B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-075271 2015-04-01
JP2015075271A JP6576665B2 (ja) 2015-04-01 2015-04-01 光素子用パッケージ及び光素子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201640685A TW201640685A (zh) 2016-11-16
TWI692877B true TWI692877B (zh) 2020-05-01

Family

ID=57015902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105110272A TWI692877B (zh) 2015-04-01 2016-03-31 光學元件封裝及光學元件裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9588313B2 (zh)
JP (1) JP6576665B2 (zh)
CN (1) CN106058634B (zh)
TW (1) TWI692877B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6715601B2 (ja) * 2016-01-08 2020-07-01 新光電気工業株式会社 光半導体素子用パッケージ
JP6914034B2 (ja) * 2016-12-16 2021-08-04 日本ルメンタム株式会社 光モジュール及び伝送装置
CN108387979A (zh) * 2018-02-11 2018-08-10 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光学次模块
US20210265812A1 (en) * 2018-09-26 2021-08-26 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device
CN111352192B (zh) * 2018-12-20 2021-08-10 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块
CN113875103B (zh) * 2019-05-29 2024-05-10 三菱电机株式会社 光模块
JP2021027136A (ja) * 2019-08-02 2021-02-22 CIG Photonics Japan株式会社 光モジュール

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7061949B1 (en) * 2002-08-16 2006-06-13 Jds Uniphase Corporation Methods, apparatus, and systems with semiconductor laser packaging for high modulation bandwidth
TW200635463A (en) * 2005-03-25 2006-10-01 Advanced Semiconductor Eng Reinforcing assembly for attachment of flexible printed circuit
JP2007109715A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4953006A (en) * 1989-07-27 1990-08-28 Northern Telecom Limited Packaging method and package for edge-coupled optoelectronic device
JP3815802B2 (ja) 1994-07-01 2006-08-30 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
JP2000349382A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
TW449948B (en) * 1999-06-29 2001-08-11 Rohm Co Ltd Semiconductor device
US6416238B1 (en) * 2000-08-07 2002-07-09 Stratos Lightwave, Inc. Modular high density multiple optical transmitter/receiver array
US6868104B2 (en) * 2001-09-06 2005-03-15 Finisar Corporation Compact laser package with integrated temperature control
US6586678B1 (en) * 2002-02-14 2003-07-01 Finisar Corporation Ceramic header assembly
US6867368B2 (en) * 2002-02-14 2005-03-15 Finisar Corporation Multi-layer ceramic feedthrough structure in a transmitter optical subassembly
JP2005012032A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP4058764B2 (ja) * 2003-06-26 2008-03-12 住友電気工業株式会社 通信モジュール
US7218657B2 (en) * 2003-07-09 2007-05-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical transmitting module having a can type package and providing a temperature sensor therein
JP4279134B2 (ja) 2003-12-24 2009-06-17 三菱電機株式会社 半導体用パッケージ及び半導体デバイス
JP5003110B2 (ja) * 2006-11-15 2012-08-15 住友電気工業株式会社 光電変換モジュール
JP5104251B2 (ja) 2007-11-27 2012-12-19 三菱電機株式会社 光モジュール
JP5273600B2 (ja) * 2008-06-17 2013-08-28 日本オクラロ株式会社 光半導体装置
JP5462010B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-02 日本オクラロ株式会社 光モジュール
US8260097B2 (en) * 2010-06-16 2012-09-04 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd Opto-electronic alignment system and method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7061949B1 (en) * 2002-08-16 2006-06-13 Jds Uniphase Corporation Methods, apparatus, and systems with semiconductor laser packaging for high modulation bandwidth
TW200635463A (en) * 2005-03-25 2006-10-01 Advanced Semiconductor Eng Reinforcing assembly for attachment of flexible printed circuit
JP2007109715A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016195217A (ja) 2016-11-17
US9588313B2 (en) 2017-03-07
US20160291266A1 (en) 2016-10-06
TW201640685A (zh) 2016-11-16
CN106058634A (zh) 2016-10-26
JP6576665B2 (ja) 2019-09-18
CN106058634B (zh) 2019-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI692877B (zh) 光學元件封裝及光學元件裝置
US10389084B2 (en) Optical element package and optical element device
US7696628B2 (en) Relay substrate and substrate assembly
JP4015440B2 (ja) 光通信モジュール
CN108039643B (zh) 同轴封装的激光器及具有该激光器的光模块
JP2009130263A (ja) 光モジュール
JP2005167189A (ja) 光−電気変換モジュール及びそれを用いた光トランシーバ
US20220057256A1 (en) Optical module
JP2009252918A (ja) 光データリンク
JPWO2004082019A1 (ja) プリント配線基板、その製造方法、リードフレームパッケージおよび光モジュール
KR100472681B1 (ko) 도파관 구조의 패키지 및 그 제조 방법
CN107658691B (zh) 光半导体装置
JP2000031545A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP6832091B2 (ja) 光モジュール
US7307288B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20080253720A1 (en) Optical module device
EP3667378A1 (en) Optical module
US6973227B2 (en) Optical communication device
JP2000031582A (ja) 光モジュール
JP2010177598A (ja) 光通信モジュール
CN113067247A (zh) 一种同轴激光发射器的封装装置及封装方法
JP2010156885A (ja) 光通信モジュール
JPH11150200A (ja) 半導体素子モジュールおよび半導体装置
JP2004047822A (ja) 光モジュール及びそれを用いた光モジュールアセンブリ
JP2009158512A (ja) 光送信モジュール