JPH11150200A - 半導体素子モジュールおよび半導体装置 - Google Patents

半導体素子モジュールおよび半導体装置

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JPH11150200A JP9315260A JP31526097A JPH11150200A JP H11150200 A JPH11150200 A JP H11150200A JP 9315260 A JP9315260 A JP 9315260A JP 31526097 A JP31526097 A JP 31526097A JP H11150200 A JPH11150200 A JP H11150200A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子モジュールを基板に設けたスルー
ホールを介して基板に実装する際、実装に用いる半田が
パッケージ底面と基板の間に流れ込んでリード同士がシ
ョートすることを防ぐことができる半導体素子モジュー
ルを提供する。 【解決手段】 パッケージ側面のパッケージ取り付け面
側にリードとの空間を形成するように凹み段差を設け
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子モジ
ュールおよび半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、半導体素子が光素子（発光素子、
受光素子）の場合について説明する。図７（ａ）は従来
の半導体素子モジュールの側面図であり、図７（ｂ）は
図７（ａ）の断面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）の
Ａ−Ａ’線断面正面図である。図において、１は電気信
号と光信号の変換を行うための光素子、２は光信号を伝
送するための光ファイバ、３は上記光素子１と上記光フ
ァイバ２を光軸調整し固定するためのマウント、４は上
記光素子１を気密封止するためのパッケージ、５は上記
光素子１と上記パッケージ４を電気的に接合するための
ワイヤ、６は開放端がパッケージ取り付け面側の方向に
向くように上記パッケージ４の側面に設けられ、上記光
素子を外部回路と接続するためのリード、７は上記パッ
ケージと上記リード６を接合するためのロウ材である。
ここで上記ワイヤ５と上記リード６は上記パッケージ４
を介して電気的に接合されている。図８（ａ）は従来の
半導体素子モジュールを基板に設けたスルーホールを介
して基板に実装した半導体装置を示す側面図であり、図
８（ｂ）は図８（ａ）の正面図である。図において、８
は半導体素子モジュールを実装する基板、９は実装に用
いる半田、１０は基板８に設けたスルーホールである。
図９（ａ）は従来の半導体素子モジュールを基板の実装
面上に設けた導体パターンを介して基板に実装した半導
体装置を示す側面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）の
正面図である。図において、１１は基板８の実装面上に
設けた導体パターンである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体素子モジ
ュールおよび半導体装置は以上のように構成されている
ため、半導体素子モジュールを基板８に設けたスルーホ
ール１０を介して基板８に実装する際、実装に用いる半
田（リード６がスルーホール１０を介して半田付けされ
る半田）が、加熱により溶融し、その溶融した半田の一
部が毛細管現象により、パッケージ底面と基板８の間に
形成されるわずかな隙間を流れ込んでリード６同士がシ
ョートするという問題があった。また、基板８の実装面
上に設けた導体パターン１１を介して基板に実装する
際、パッケージ４とリード６の接合強度を劣化させない
ようロウ材７から離れた部分でリード６を成形する必要
があるが、ロウ材７がパッケージ底面に近い部分にある
ため、パッケージ底面から離れた部分でリード６を成形
（外方向への折り曲げ）することになり、実装後の高さ
が高くなるという問題があった。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、半導体素子モジュールを基板に
設けたスルーホールを介して基板に実装する際、実装に
用いる半田が、毛細管現象により、パッケージ底面と基
板の間に形成されるわずかな隙間に流れ込んでリード同
士がショートすることを防ぐことができる半導体素子モ
ジュールおよび半導体装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】またこの発明は半導体素子モジュールを基
板の実装面上に設けた導体パターンを介して基板に実装
する際、パッケージとリードの接合強度を劣化させない
ようロウ材から離れた部分でリードを成形する必要があ
るが、ロウ材がパッケージ底面から離れた部分にあるた
め、パッケージ底面に近い部分でリードを成形すること
ができ、これにより実装後の高さを低くすることができ
る半導体素子モジュールおよび半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明による半導体
素子モジュールはパッケージ側面の上記パッケージ取り
付け面側にリードとの空間を形成するような段差を設け
るように構成したものである。
【０００７】また、第２の発明による半導体装置は第１
の発明による半導体素子モジュールと、導体パターン、
上記導体パターン相互間を接続するためのスルーホール
とを有し、リードが、パッケージの底面が実装面に接す
るように上記スルーホールを介して半田付けされる基板
とを設けるように構成したものである。
【０００８】また、第３の発明による半導体装置は第１
の発明による半導体素子モジュールと、実装面上にリー
ド接続用の導体パターンとを有し、リードが、パッケー
ジの底面が実装面に対し所定の空間を形成するように上
記導体パターンを介して半田付けされる基板とを設ける
ように構成したものである。
【０００９】また、第４の発明による半導体素子モジュ
ールは第１の発明による半導体素子モジュールにおい
て、パッケージとリードとを接合するためのロウ材を有
し、段差は上記リードを上記パッケージに近い部分で成
形可能な空間を形成するように構成したものである。
【００１０】また、第５の発明による半導体素子モジュ
ールは第１、第４の発明による半導体素子モジュールに
形成した段差がパッケージの隣り合うリード間の半田に
よるショート防止機能を有するように構成したものであ
る。
【００１１】また、第６の発明による半導体素子モジュ
ールはリードのパッケージに接合しない部分に、リード
とパッケージの接合部側が太く上記リードの開放端側が
細くなるような段差を設けるように構成したものであ
る。
【００１２】また、第７の発明による半導体装置は第６
の発明による半導体素子モジュールと、導体パターン、
上記導体パターン相互間を接続するためのスルーホール
とを有し、上記リードが、当該リードの上記段差が実装
面に接するようにスルーホールを介して半田付けされる
基板とを設けるように構成したものである。
【００１３】また、第８の発明による半導体装置は第６
の発明による半導体素子モジュールと、実装面上にリー
ド接続用の導体パターンとを有し、リードが、パッケー
ジの底面が実装面に対し所定の空間を形成するように上
記導体パターンを介して半田付けされる基板とを設ける
ように構成したものである。
【００１４】また、第９の発明による半導体素子モジュ
ールは第６の発明による半導体素子モジュールにおい
て、パッケージとリードとを接合するためのロウ材を有
し、段差は上記リードを上記パッケージに近い部分で成
形可能な機械的強度の差異を形成するように構成したも
のである。
【００１５】また、第１０の発明による半導体素子モジ
ュールは第６又は９の発明による半導体素子モジュール
に形成した段差が、隣り合うリード間の半田によるショ
ート防止機能を有するように構成したものである。
【００１６】また、第１１の発明による半導体素子モジ
ュールは、半導体素子を光素子で構成したものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１（ａ）はこの
発明の実施の形態１を示す側面図であり、図１（ｂ）は
図１（ａ）の断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）の
Ａ−Ａ’線断面正面図である。図において、１〜７は従
来の半導体素子モジュールおよび半導体装置と同様の構
成になっており、１２は上記パッケージ側面の上記パッ
ケージ取り付け面側に上記リード６との空間を形成する
ように設けた凹み段差を示す。図２（ａ）はこの発明に
よる半導体素子モジュールを基板に設けたスルーホール
を介して基板に実装した半導体装置を示す側面図であ
り、図２（ｂ）はその正面図である。図において、１〜
１０は図８に示した従来の半導体素子モジュールおよび
半導体装置と同様の構成になっている。ここで上記パッ
ケージ４は当該パッケージ４の底面が実装面に接するよ
うに上記スルーホール１０を介して半田付けされるが、
上記凹み段差１２が、パッケージ４の底面が上記スルー
ホール周辺に設けた導体パターンおよび実装に用いた半
田と接触しないように形成されているため、リード６を
スルーホール１０を介して半田付けする際、溶融半田の
一部が、毛細管現象により、パッケージ底面と基板の間
に形成されるわずかな隙間に流れ込んでリード同士がシ
ョートすることを防ぐことができる。
【００１８】実施の形態２．図３（ａ）はこの発明によ
る半導体素子モジュールを基板の実装面上に設けた導体
パターンを介して基板に実装した半導体装置を示す側面
図であり、図３（ｂ）はその正面図である。図におい
て、１〜９、１１は図９に示した従来の半導体素子モジ
ュールおよび半導体装置と同様の構成になっている。ま
た、１２は図１、図２に示した凹み段差と同様のもので
ある。ここで上記パッケージ４は当該パッケージ４の底
面が実装面に対し所定の空間を形成するように上記導体
パターン１１を介して半田付けされるが、上記凹み段差
１２が、パッケージ４の底面とロウ材７との間に隙間を
設けるように形成されているためロウ材７がパッケージ
底面から離れた部分となり、パッケージ底面に近い部分
でリードを外方向へ折り曲げることができる。また実装
の際に上記リード６を上記パッケージ４の底面に近い部
分で外方向へ曲げても上記パッケージ４と上記リード６
の接合強化を劣化させることなく実装することができ
る、これにより実装後の高さを従来よりも低くすること
ができる。
【００１９】実施の形態３．図４（ａ）はこの発明の実
施の形態３を示す側面図であり、図４（ｂ）は図４
（ａ）の断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）のＡ−
Ａ’線断面正面図である。図において、１〜７は従来の
半導体素子モジュールおよび半導体装置と同様の構成に
なっており、１３は上記リード６の上記パッケージ４に
接合しない部分に、上記リード６と上記パッケージ４の
接合部側が太く開放端側が細くなるように設けたリード
段差を示す。図５（ａ）はこの発明による半導体素子モ
ジュールを基板に設けたスルーホールを介して基板に実
装した半導体装置を示す側面図であり、図５（ｂ）はそ
の正面図である。図において、１〜１０は図７、図８に
示した従来の半導体素子モジュールおよび半導体装置と
同様の構成になっている。なお、この場合上記リード段
差１３は上記リード６と上記パッケージ４の接合部側の
幅が上記スルーホール１０の穴径より太く、開放端側の
幅が上記スルーホール１０の穴径より細くなるように形
成されている。ここで上記パッケージ４は上記リード６
が当該リードの上記段差１３が実装面上に接するように
上記スルーホール１０を介して半田付けされるが、上記
リード段差１３は、パッケージ４の底面が上記スルーホ
ール周辺に設けた導体パターンおよび実装に用いたリー
ドとスルーホールとの半田と接触しないように、上記リ
ード６の上記パッケージ４に接合しない部分に形成され
ているため、上記半田の溶融部が、毛細管現象により、
パッケージ底面と基板８の間に形成されるわずかな隙間
に流れ込んでリード同士がショートすることを防ぐこと
ができる。
【００２０】実施の形態４．図６（ａ）はこの発明によ
る半導体素子モジュールを基板の実装面上に設けた導体
パターンを介して基板に実装した半導体装置を示す側面
図であり、図６（ｂ）はその正面図である。図におい
て、１〜９、１１は図９に示した従来の半導体素子モジ
ュールおよび半導体装置と同様の構成になっている。ま
た、１３は図４、５と同様のリード段差である。ここで
上記パッケージ４は当該パッケージの底面が実装面（基
板８の上面）に対し所定の空間を形成するように上記導
体パターン１１を介して半田付けされるが、上記リード
段差１３が、当該リードの太さの差異による機械的強度
の差異を設けるように形成されているため、実装の際に
上記リード６の細い部分を上記リード段差１３に近い部
分で急峻に曲げても、上記リード６の太い部分は大きく
曲がらないため、上記パッケージ４と上記リード６の接
合強度を劣化させることなく実装することができ、これ
により実装後の高さを従来に比べて低くすることができ
る。
【００２１】実施の形態５．なお、上記実施の形態１〜
４では、基板８に設けた上記スルーホールを介して半田
付けする場合（実施の形態１，３）と、上記基板８の実
装面上に設けた導体パターン１１を介して半田付けされ
る場合（実施の形態２，４）とについて分けて説明した
が、これらの組み合わせの場合、たとえば、基板の実装
面上に設けた導体パターンを介して半田付けしたほうが
一般に高周波特性に優れるため、高周波特性の必要なリ
ードについては基板の実装面上に設けた導体パターンを
介して半田付けし、残りのリードについては半導体素子
モジュールを基板に位置決めするために基板に設けた上
記スルーホールを介して半田付けするという場合におい
ても同様の効果が期待できる。
【００２２】実施の形態６．なお、上記実施の形態１〜
５では、半導体素子が光素子の場合について説明した
が、たとえば半導体素子をＩＣとした場合においても同
等の効果が期待できる。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば、半導体素子モジュー
ルを基板に設けたスルーホールを介して基板に実装する
際、実装に用いる半田がパッケージ底面と基板の間に流
れ込むことを防ぐことができる半導体素子モジュールお
よび半導体装置を提供できる効果がある。
【００２４】またこの発明は半導体素子モジュールを基
板の実装面上に設けた導体パターンを介して基板に実装
する際、実装後の高さを低くできる半導体素子モジュー
ルおよび半導体装置を提供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体素子モ
ジュールの側面図、側面図の断面図、およびＡ−Ａ’線
断面正面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による半導体素子モ
ジュールを基板に設けたスルーホールを介して基板に実
装した半導体装置を示す側面図、および正面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２による半導体素子モ
ジュールを基板の実装面上に設けた導体パターンを介し
て基板に実装した半導体装置を示す側面図、および正面
図である。
【図４】 この発明の実施の形態３による半導体素子モ
ジュールの側面図、側面図の断面図、およびＡ−Ａ’線
断面正面図である。
【図５】 この発明の実施の形態３による半導体素子モ
ジュールを基板に設けたスルーホールを介して基板に実
装した半導体装置を示す側面図、および正面図である。
【図６】 この発明の実施の形態４による半導体素子モ
ジュールを基板の実装面上に設けた導体パターンを介し
て基板に実装した半導体装置を示す側面図、および正面
図である。
【図７】 従来の半導体素子モジュールの側面図、側面
図の断面図、およびＡ−Ａ’線断面正面図である。
【図８】 従来の半導体素子モジュールを基板に設けた
スルーホールを介して基板に実装した半導体装置を示す
側面図、および正面図である。
【図９】 従来の半導体素子モジュールを基板の実装面
上に設けた導体パターンを介して基板に実装した半導体
装置を示す側面図、および正面図である。
【符号の説明】
１ 光素子、２ 光ファイバ、３ マウント、４ パッ
ケージ、５ ワイヤ、６ リード、７ ロウ材、８ 基
板、９ 半田、１０ スルーホール、１１ 導体パター
ン、１２ 凹み段差、１３ リード段差。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッケージと、上記パッケージに配置さ
    れる半導体素子と、開放端がパッケージ取り付け面側の
    方向に向くように上記パッケージの側面に設けられ、上
    記半導体素子を外部回路と接続するための複数のリード
    とを有する半導体素子モジュールにおいて、上記パッケ
    ージ側面の上記パッケージ取り付け面側に上記リードと
    の空間を形成するように段差を設けたことを特徴とする
    半導体素子モジュール。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子モジュール
    と、導体パターン、上記導体パターン相互間を接続する
    ためのスルーホールとを有し、上記リードが、上記パッ
    ケージの底面が実装面に接するように上記スルーホール
    を介して半田付けされる基板とを設けたことを特徴とす
    る半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子モジュール
    と、実装面上にリード接続用の導体パターンとを有し、
    上記リードが、上記パッケージの底面が実装面に対し所
    定の空間を形成するように上記導体パターンを介して半
    田付けされる基板とを設けたことを特徴とする半導体装
    置。
  4. 【請求項４】 上記パッケージと上記リードとを接合す
    るためのロウ材を有し、上記段差は上記リードを上記パ
    ッケージに近い部分で成形可能な空間を形成することを
    特徴とする請求項１記載の半導体素子モジュール。
  5. 【請求項５】 上記段差は隣り合うリード間の半田によ
    るショート防止機能を有することを特徴とする請求項１
    又は４記載の半導体素子モジュール。
  6. 【請求項６】 パッケージと、上記パッケージに配置さ
    れる半導体素子と、リードがパッケージ取り付け面側の
    方向に向くように上記パッケージの側面に設けられ、上
    記半導体素子を外部回路と接続するための複数のリード
    とを有する半導体素子モジュールにおいて、上記リード
    の上記パッケージに接合しない部分に、上記リードと上
    記パッケージの接合部側が太く上記リードの開放端側が
    細くなるように段差を設けたことを特徴とする半導体素
    子モジュール。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の半導体素子モジュール
    と、導体パターン、上記導体パターン相互間を接続する
    ためのスルーホールとを有し、上記リードが、当該リー
    ドの上記段差が実装面に接するように上記スルーホール
    を介して半田付けされる基板とを設けたことを特徴とす
    る半導体装置。
  8. 【請求項８】 請求項６記載の半導体素子モジュール
    と、実装面上にリード接続用の導体パターンとを有し、
    上記リードが、上記パッケージの底面が実装面に対し所
    定の空間を形成するように上記導体パターンを介して半
    田付けされる基板とを設けたことを特徴とする半導体装
    置。
  9. 【請求項９】 上記パッケージと上記リードとを接合す
    るためのロウ材を有し、上記段差は上記リードを上記パ
    ッケージに近い部分で成形可能な機械的強度の差異を形
    成することを特徴とする請求項６記載の半導体素子モジ
    ュール。
  10. 【請求項１０】 上記段差は隣り合うリード間の半田に
    よるショート防止機能を有することを特徴とする請求項
    ６〜９いずれか記載の半導体素子モジュールおよび半導
    体装置。
  11. 【請求項１１】 半導体素子は光素子であることを特徴
    とする請求項１又は６記載の半導体素子モジュール。
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