TWI692628B - 用於檢查之感測器、方法及系統 - Google Patents

用於檢查之感測器、方法及系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI692628B
TWI692628B TW105114961A TW105114961A TWI692628B TW I692628 B TWI692628 B TW I692628B TW 105114961 A TW105114961 A TW 105114961A TW 105114961 A TW105114961 A TW 105114961A TW I692628 B TWI692628 B TW I692628B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resistive
aperture
control signal
photosensitive
pixel
Prior art date
Application number
TW105114961A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201704728A (zh
Inventor
勇和 艾力克斯 莊
約翰 費爾登
大衛Ｌ 布朗
璟璟 張
凱斯 里昂
馬克 錫 王
Original Assignee
美商克萊譚克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商克萊譚克公司 filed Critical 美商克萊譚克公司
Publication of TW201704728A publication Critical patent/TW201704728A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI692628B publication Critical patent/TWI692628B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/1717—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated with a modulation of one or more physical properties of the sample during the optical investigation, e.g. electro-reflectance
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/715—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame interline transfer [FIT]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/306—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/27—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/1717—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated with a modulation of one or more physical properties of the sample during the optical investigation, e.g. electro-reflectance
    • G01N2021/1725—Modulation of properties by light, e.g. photoreflectance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/12—Circuits of general importance; Signal processing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

藉由將更負控制電壓施加至像素之電阻式控制閘極之中心區域及將更正控制電壓施加至該閘極之端部分達成一線性感測器中之像素孔徑大小調整。此等控制電壓引起該電阻式控制閘極產生一電場，該電場將在像素之光敏區域之一選定部分中產生之光電子驅動至一電荷累積區域中以用於後續量測，且驅動在像素之光敏區域之其他部分中產生之光電子遠離該電荷累積區域以用於後續捨棄或同時讀出。一系統利用光學器件以將依不同角度或在不同位置接收之光從一樣本引導至各像素之光敏區域之對應不同部分中。多個孔徑控制電極經選擇性地致動以收集/量測從窄或寬角度或者位置範圍接收之光，藉此實現快速影像資料調整。

Description

用於檢查之感測器、方法及系統 相關申請案
本申請案主張2015年5月14日申請之美國臨時申請案第62/161,450號及2015年6月8日申請之美國臨時申請案第62/172,242號之優先權，該等案以引用方式併入本文中。
本申請案係關於2015年4月21日申請、標題為「CONFOCAL LINE INSPECTION OPTICAL SYSTEM」之共同擁有且同在申請中的美國專利申請案第14/691,966號(公開申請案第2015/0369750號)及2007年5月25日申請、標題為「INSPECTION SYSTEM USING BACK SIDE ILLUMINATED LINEAR SENSOR」之美國專利申請案第11/805,907號(公開申請案第2011/0073982號)，該等案以引用方式併入本文中。
本申請案係關於適於感測可見、UV、深UV(DUV)、真空UV(VUV)、極UV(EUV)及X射線波長之輻射且適於感測電子或其他帶電粒子之線感測器及相關聯電子電路，且係關於用於操作此等線感測器之方法。該等感測器及電路尤其適用於檢查及度量系統，包含用來檢查及/或量測光罩、主光罩及半導體晶圓上之特徵之檢查及度量系統。
積體電路工業需要具有愈來愈高靈敏度之檢查工具來偵測不斷 變小的缺陷及粒子，且需要高精度度量工具用於準確地量測半導體晶圓上之小特徵之尺寸。半導體工業當前製造具有約20nm及更小之特徵尺寸之半導體器件。在幾年之內，該工業將製造具有約5nm之特徵尺寸之半導體器件。大小僅幾nm之粒子及缺陷可減小晶圓良率，且1nm之十分之幾或更小之特徵尺寸之變化可引起一電晶體或記憶體器件之電效能之一顯著變化或故障。
若半導體檢查及度量工具可檢查或量測CMOS製造中使用之所有或多數不同材料及結構，則該等半導體檢查及度量工具係最有用的。不同材料及結構具有彼此極其不同之反射率。為具有靈活性，半導體檢查及度量工具可使用光照明及光收集之多個波長及/或多個角度。選擇使用哪些角度通常涉及根據所檢查或量測的事物將適當塑形且定大小的孔徑切換至光學路徑中之正確位置中。
例如，在以下各者中揭示關於本發明之類型之各種檢查及度量工具：標題為「A Low-Noise Sensor And An Inspection System Using A Low-Noise Sensor」且在2014年5月8日申請之美國專利申請案第14/273,424號；2012年2月1日申請、標題為「High-density digitizer」之美國專利申請案第13/364,308號；2013年12月4日申請、標題為「Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination」之美國專利申請案第14/096,911號；2012年12月10日申請、標題為「Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors」之美國專利申請案第13/710,315號；2013年3月10日申請、標題為「Back-illuminated sensor with boron layer」之美國專利申請案第13/792,166號；2013年7月22日申請、標題為「Photocathode including silicon substrate with boron layer」之美國專利申請案第13/947,975號；2009年10月7日申請、標題為「TDI sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection」之美國公開專利申請案第2010/0188655號；2009年6月1日申請、標題為「Anti-reflective coating for sensors suitable for high throughput inspection systems」之美國公開專利申請案第2010/0301437號；2009年10月27日發佈、標題為「Continuous clocking of TDI sensors」之美國專利第7,609,309號；及2011年5月31日發佈、標題為「Apparatus for continuous clocking of TDI sensors」之美國專利第7,609,309號。此等申請案及專利以引用的方式併入本文中。
孔徑係可佔據顯著空間之機械器件。孔徑之機械運動可花費幾十或幾百毫秒，因此使需要運用一個以上孔徑收集資料之檢查或量測變慢。歸因於空間約束，在現有檢查或度量系統上添加或取代孔徑以便提供新能力或改良能力可係困難的。
因此，需要具有可調整孔徑之線性感測器，該等可調整孔徑促進在操作一現有檢查或度量系統期間以克服與習知方法相關聯之一些或所有上述缺點之一方式快速且可靠地調整各像素之光敏區域之大小。
本發明係關於藉由產生可控制地調整(減小或擴大)有效光敏區域(光電子從該有效光敏區域收集以由各像素量測)之一非單調電壓分佈而電控制一線性感測器中之像素孔徑大小。各像素包含一長形電阻式控制閘極，且各像素之最大光敏區域係由安置於該像素之電阻式控制閘極下方(經安置鄰近該像素之電阻式控制閘極)之半導體基板之一部分界定。類似於習知感測器，分別藉由端電極施加至各像素之電阻式控制閘極之對置端部分之控制電壓在該像素之光敏區域中產生一相關聯電場，藉此由進入該像素之光敏區域之入射光產生之光電子藉由該相關聯電場驅動至一或多個電荷累積區域。根據本發明，一或多個中 心定位的孔徑控制電極跨各像素之電阻式控制閘極安置於兩個電阻式控制閘極端部分之間，且一相關聯控制電路經組態以藉由將比施加至兩個端電極之控制電壓更負的一控制電壓施加至一選定中心電極而選擇性地產生一非單調(例如，兩部分)電壓分佈。即，該非單調電壓分佈在像素中產生一電場，使得在定位於中心孔徑控制電極之一第一側上之像素之光敏區域之一第一部分中產生之光電子經驅動朝向該電阻式控制閘極之一第一端，且在定位於中心孔徑控制電極之一第二側上之像素之光敏區域之一第二部分中產生之光電子經驅動朝向該電阻式控制閘極之相對(第二)端。藉此藉由產生該非單調電壓分佈且隨後量測僅從該電阻式控制閘極之第一端收集之光電子電荷而可控制地調整各像素之光敏區域之有效大小以僅包含該像素之光敏區域之第一部分。
亦描述一種高速檢查或量測一樣本之方法。此方法包含將輻射引導且聚焦至該樣本上，及從該樣本接收輻射且將經接收輻射引導至一線感測器。該經接收輻射可係經散射輻射或經反射輻射。該線感測器併入一電阻式控制閘極，該電阻式控制閘極具有藉由電極跨其長度產生之一電位梯度，藉此該電阻式控制閘極產生將該感測器中之光電子引導至一或多個累積區域之一電場。一控制電路經組態以將更負電壓施加至一或多個中心定位的電極且將更正電壓施加至安置於該電阻式控制閘極之端部分處之電極，藉此產生使在該感測器之一個區域中產生之光電子偏壓(驅動)至一累積區域之電場同時防止在該感測器之其他區域中產生之其他光電子到達該累積區域。
該檢查方法可進一步包含根據所進行的檢查或量測設定附接至該電阻式閘極之電極上之電壓。在一項實施例中，該等電壓可在檢查或量測期間改變以最佳化光收集程序，或可用來在一預檢查校準週期期間調整各個別像素之有效孔徑大小使得該感測器之所有像素具有一 均勻孔徑大小。
亦描述一種用於檢查一樣本之系統。此系統包含：一照明源；一器件，其經組態以執行光偵測；光學器件，其等經組態以將光從該照明源引導至該樣本且將來自該樣本之光輸出或反射引導至該器件；及一驅動電路。線感測器併入具有跨其之一電位梯度之一電阻式閘極，該電位梯度將該感測器中之光電子引導至一累積區域。該線感測器包含附接至該電阻式閘極之多個電極，從而允許調整該電位梯度以便將光電子從該感測器之一個區域引導至一累積區域同時防止其他光電子到達該累積區域。該驅動電路設定該多個電極之一或多者上之電壓以便控制將光電子從該感測器之哪些區域引導至該累積區域。
在一項實施例中，該線感測器可進一步包括一半導體隔膜。在另一實施例中，該半導體隔膜可包含：電路元件，其等形成於該半導體隔膜之一第一表面上；及一純硼層，其安置於該半導體隔膜之一第二表面上。在又一實施例中，該線感測器可包括一電子轟擊線感測器。在又一實施例中，該系統可包含多個線感測器。在又一實施例中，該線感測器可包含一光學刀口或其他機械孔徑結構，且電孔徑調整可用來校正該機械孔徑結構之未對準，藉此簡化對準且降低製造成本。在又一實施例中，該刀口或其他機械孔徑可在電腦控制下移動，使得藉由結合設定該線感測器之電阻式閘極上之電極上之電壓適當地定位該刀口或孔徑，電腦可選擇不同檢查模式。
該樣本可由一載物台支撐，該載物台在檢查期間相對於光學器件移動。可與該載物台之運動同步地從該感測器讀出電荷。
例示性檢查系統可包含從不同入射角及/或不同方位角及/或以不同波長及/或偏光狀態照明該樣本之一或多個照明路徑。例示性檢查系統可包含收集由該樣本沿著不同方向反射或散射之光及/或對不同波長及/或不同偏光狀態敏感之一或多個收集路徑。
2:參考橢圓偏光計
4:樣本
6:基板
8:膜/薄膜層
10:光束輪廓橢圓偏光計(BPE)
12:光束輪廓反射計(BPR)
14:寬頻反射分光計(BRS)
16:深紫外光反射分光計(DUV)
18:寬頻光譜橢圓偏光計(BSE)
20:雷射
22:白光源
24:探測光束
26:探測光束
28:透鏡
29:鏡
30:鏡
32:透鏡
33:透鏡
34:四分之一波板
36:偏光器
38:透鏡
40:四象限偵測器
42:鏡
44:鏡
46:鏡
48:處理器
50:透鏡
52:光束分離器
54:線性偵測器陣列
56:線性偵測器陣列
58:寬頻分光計
60:透鏡
62:孔徑
64:分散元件
66:偵測器陣列
70:偏光器
72:聚焦鏡
74:準直鏡
76:旋轉補償器
78:電動馬達
80:檢偏鏡
82:鏡
84:鏡
86:偵測器/相機
90:雷射/光源
92:偏光器
94:透鏡
96:透鏡
98:旋轉補償器
100:檢查或度量系統
102:照明源
103:光學器件
104:偵測器總成
105:物鏡
106:感測器
108:樣本
112:載物台
114:計算系統
116:載體媒體
118:程式指令
201:照明光學器件
202:光
203:鏡/透鏡
205:線
210:集光光學器件
211:晶圓/光罩/樣本
212:透鏡/鏡
213:透鏡/鏡
214:光學軸
215:感測器
220:雷射系統
221:載物台
231:暗場集光系統
232:暗場集光系統
233:暗場集光系統
300:檢查系統
301:雷射光束
302:透鏡
303:空間濾光器
304:透鏡
305:偏光光束分離器
306:法向照明通道
307:光學器件
308:鏡
309:樣本
310:拋物面鏡
311:感測器
312:傾斜照明通道
313:鏡
314:半波板
315:光學器件
316:準直光束
317:物鏡
318:檢偏鏡
320:儀器
330:雷射系統
350:度量系統
351:電動馬達
352:檢偏鏡
354:偵測器
356:擬單色探測光束
400:系統
401:樣本
402:照明源
405:光學系統/光學器件
410:感測器
411:半導體基板
412:上表面
413:下(底部)表面
415420-1:光敏區域
415420-1A:第一光敏部分
415420-1B:第二光敏部分
417420-1A:電荷收集區域/第一電荷累積區域
417420-1B:電荷收集區域/第二電荷累積區域
418420-1A:轉移區域
419420-1A:讀出區域
420-1:光敏像素
420-2:光敏像素
420-3:光敏像素
420-4:光敏像素
421-1:電阻式多晶矽控制閘極
421-1A:第一端部分
421-1B:第二端部分
421-2:電阻式多晶矽控制閘極
421-3:電阻式多晶矽控制閘極
421-4:電阻式多晶矽控制閘極
423A:緩衝/轉移閘極
423A-1:緩衝/轉移閘極
423B:緩衝/轉移閘極
430A:長形孔徑控制電極/第一端電極
430B:長形孔徑控制電極/第二端電極
431:長形孔徑控制電極/中心電極
440A:讀出電路
444A:電荷耦合器件(CCD)讀出暫存器
444A-1:讀出暫存器
440B:第二讀出電路
446A:電荷轉換放大器
447A:緩衝器
450:控制電路
454:時脈信號
455:時脈信號
458:輸出信號
501:線/近似線性電壓梯度
503:線
505:線
510:線
513:線
514:線
515:線
516:線
517:線
518:線
519:線
521:電阻式控制閘極
525A:端電極/接觸件
525B:中心電極/接觸件
525C:中心電極/接觸件
525D:端電極/接觸件
531:電阻式控制閘極
535A:端電極
535B:中心電極
535C:中心電極
535D:中心電極
535E:端電極
541:電阻式控制閘極
545A:端電極
545B:中心電極
545C:中心電極
545D:中心電極
545E:端電極
551:電阻式控制閘極
555A:端電極
555B:中心電極
555C:中心電極
555D:中心電極
555E:端電極
600:線感測器
601:半導體隔膜/磊晶矽/磊晶層
602:純硼層/硼塗層
603:高度p摻雜矽層
604:n型矽層
608:介電層
613:下表面
620:電阻式閘極
621A:連接件/接觸件
621B:連接件/接觸件
621C:連接件/接觸件
621D:連接件/接觸件
630:閘極電極/緩衝閘極
631:電連接件
635:閘極電極/轉移閘極
636:電連接件
640:閘極電極
641:電連接件
680:抗反射塗層
699:光
700:線性感測器
701:基板
708:介電層
721:電阻式控制閘極
725A:孔徑控制電極
725B:孔徑控制電極
725C:孔徑控制電極
725D:孔徑控制電極
725E:孔徑控制電極
725F:孔徑控制電極
760:楔形光學刀口
E420-1:非單調電壓分佈
E720:非單調電壓分佈
L:輻射/光
L1:第一光部分
L2:第二光部分
P1:第一光電子
P2:第二光電子
V430A:孔徑控制信號
V430B:孔徑控制信號
V431:孔徑控制信號
α1:第一角度範圍
α2:第二角度範圍
圖1繪示一例示性檢查或度量系統。
圖2A及圖2B繪示具有線照明及一或多個收集通道之一例示性檢查系統。
圖3A繪示具有法向照明及傾斜照明之一例示性檢查系統。
圖3B繪示具有多個量測子系統之一例示性度量系統。
圖4繪示根據本發明之一實施例之包含一簡化線感測器之一例示性檢查系統。
圖5A、圖5B、圖5C及圖5D繪示根據本發明之替代實施例之可施加至電阻式控制閘極之例示性電壓分佈。
圖6係展示根據本發明之另一特定實施例之一例示性線感測器之一像素之一橫截面視圖。
圖7係展示根據本發明之另一特定實施例之一例示性線感測器之一簡化像素之一橫截面視圖。
本文中描述用於半導體檢查及度量系統之改良感測器。下文描述經提出以使一般技術人員能夠製造及使用本發明，如一特定應用及其要求之內容脈絡中所提供。如本文中所使用，方向術語(諸如「頂部」、「底部」、「在...上方」、「在...下方」、「上」、「向上」、「下」、「在...下面」及「向下」)旨在提供相對位置以用於描述目的，且並非旨在指定一絕對參考系。所述實施例之各種修改將對熟習此項技術者顯而易見，且本文中所定義之一般原理可應用於其他實施例。因此，本發明並非旨在限於所展示及所述之特定實施例，但應被賦予與本文中所揭示之原理及新穎特徵一致的最廣範疇。
圖1繪示經組態以檢查或量測一樣本108(諸如晶圓、主光罩或光罩)之一例示性檢查或度量系統100。樣本108放置於一載物台112上以 促進移動至光學器件下方之樣本108之不同區域。載物台112可包括一X-Y載物台或一R-θ載物台。在一些實施例中，載物台112可在檢查期間調整樣本108之高度以維持聚焦。在其他實施例中，一物鏡105可經調整以維持聚焦。
一照明源102可包括一或多個雷射及/或一寬頻光源。照明源102可發射DUV及/或VUV輻射。光學器件103(包含一物鏡105)引導該輻射朝向樣本108且將該輻射聚焦於樣本108上。光學器件103亦可包括鏡、透鏡、偏光器及/或光束分離器(為簡單起見未展示)。從樣本108反射或散射之光藉由光學器件103收集、引導且聚焦至一感測器106上，該感測器106係在一偵測器總成104內。
偵測器總成104包含本文中所述之感測器之至少一者。在一項實施例中，感測器106之輸出經提供至分析該輸出之一計算系統114。計算系統114藉由程式指令118而組態，該等程式指令118可儲存於一載體媒體116上。在一項實施例中，計算系統114控制檢查或度量系統100及感測器106以根據本文中所揭示之一方法檢查或量測樣本108上之一結構。
在一項實施例中，照明源102可係一連續源，諸如一弧光燈、一雷射泵浦電漿光源或一CW雷射。在另一實施例中，照明源102可係一脈衝源，諸如一鎖模雷射、一Q切換雷射或由一Q切換雷射泵浦之一電漿光源。在併入一Q切換雷射之檢查或度量系統100之一項實施例中，偵測器總成104內之線感測器或若干線感測器與雷射脈衝同步。
檢查或度量系統100之一項實施例照明樣本108上之一線，且將經散射及/或經反射光收集於一或多個暗場及/或亮場收集通道中。在此實施例中，偵測器總成104可包含一線感測器或一電子轟擊線感測器。例如，在系統100之此實施例中，本文中所述之電阻式閘極結構可用來選擇欲收集之經散射及/或經反射光之部分。
在以下各者中描述檢查或度量系統100之各項實施例之額外細節：2012年7月9日申請、標題為「Wafer inspection system」之美國專利申請案第13/554,954號；2009年7月16日發表、標題為「Split field inspection system using small catadioptric objectives」之美國公開專利申請案第2009/0180176號；2007年1月4日發表、標題為「Beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system」之美國公開專利申請案第2007/0002465號；1999年12月7日發佈、標題為「Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability」之美國專利第5,999,3105號；2009年4月28日發佈、標題為「Surface inspection system using laser line illumination with two dimensional imaging」之美國專利第7,525,649號；由Wang等人在2013年5月9日發表、標題為「Dynamically Adjustable Semiconductor Metrology System」之美國公開專利申請案第2013/0114085號；由Piwonka-Corle等人在1997年3月4日發佈、標題為「Focused Beam Spectroscopic Ellipsometry Method and System」之美國專利第5,608,526號；及由Rosencwaig等人在2001年10月2日發佈、標題為「Apparatus for Analysing Multi-Layer Thin Film Stacks on Semiconductors」之美國專利第6,297,880號。所有此等專利及專利申請案以引用方式併入本文中。
圖2A及圖2B繪示根據本發明之其他例示性實施例之併入本文中所述之感測器及/或方法之暗場檢查系統之態樣。在圖2A中，照明光學器件201包括一雷射系統220，該雷射系統220產生光202，光202藉由一鏡或透鏡203聚焦至所檢查之一晶圓或光罩(樣本)211之表面上之一線205。集光光學器件210使用透鏡及/或鏡212及213將從線205散射之光引導至一感測器215。集光光學器件210之一光學軸214不在線205之照明平面中。在一些實施例中，光學軸214近似垂直於線205。感測 器215包括一陣列感測器，諸如一線性陣列感測器。感測器215可包括如本文中所述之一感測器，及/或本文中所述之方法之一者可用來檢查樣本211。
圖2B繪示多個暗場集光系統231、232及233之一項實施例，各集光系統實質上類似於圖2A之集光光學器件210。集光系統231、232及233可結合實質上類似於圖2A之照明光學器件201之照明光學器件使用。各集光系統231、232及233併入本文中所述之感測器之一或多者。樣本211支撐於載物台221上，該載物台221將待檢查區域移動於光學器件下方。載物台221可包括一X-Y載物台或一R-θ載物台，其較佳在檢查期間實質上連續移動以依最小停滯時間檢查大樣本區域。
在以下各者中描述根據圖2A及圖2B中所繪示之實施例之檢查系統之更多細節：由Wang等人在2015年4月21日申請、標題為「Confocal Line Inspection Optical System」之上文引用之同在申請中的美國專利申請案第14/691,966號；2009年4月28日發佈、標題為「Surface inspection system using laser line illumination with two dimensional imaging」之美國專利第7,525,649號；及2003年8月19日發佈、標題為「System for detecting anomalies and/or features of a surface」之美國專利第6,608,676號。所有此等專利及專利申請案以引用方式併入本文中。
圖3A繪示經組態以使用法向照明光束及傾斜照明光束偵測一樣本上之粒子或缺陷之一檢查系統300。在此組態中，一雷射系統330提供一雷射光束301。一透鏡302透過一空間濾光器303使光束301聚焦。透鏡304準直該光束並將該光束遞送至一偏光光束分離器305。光束分離器305將一第一偏光分量傳遞至法向照明通道且將一第二偏光分量傳遞至傾斜照明通道，其中該第一分量及該第二分量係正交的。在一法向照明通道306中，該第一偏光分量藉由光學器件307聚焦且藉由一 鏡308反射朝向一樣本309之一表面。由樣本309(諸如一晶圓或光罩)散射之輻射藉由一抛物面鏡310收集並聚焦至一感測器311。
在一傾斜照明通道312中，該第二偏光分量藉由一光束分離器305反射至一鏡313，該鏡313使此光束反射穿過一半波板314且藉由光學器件315聚焦至樣本309。源自傾斜通道312中之傾斜照明光束且由樣本309散射之輻射藉由拋物面鏡310收集且聚焦至感測器311。感測器311及照明區域(來自樣本309上之法向照明通道及傾斜照明通道)較佳在拋物面鏡310之焦點處。
拋物面鏡310使來自樣本309之經散射輻射準直成一準直光束316。準直光束316接著藉由一物鏡317聚焦且穿過一檢偏鏡318而至感測器311。應注意，亦可使用具有除拋物面形狀外之形狀之彎曲鏡表面。一儀器320可提供光束與樣本309之間的相對運動使得跨樣本309之表面掃描光點。感測器311可包括本文中所述之感測器之一或多者。2001年3月13日發佈、標題為「Sample inspection system」之美國專利第6,201,601號及由Romanovsky等人申請、標題為「Wafer Inspection」之美國公開專利申請案第2013/16346號描述檢查系統300之額外態樣及細節。此等文件以引用方式併入本文中。
圖3B繪示具有併入本文中所揭示之感測器之一或多者之多個量測子系統之一例示性度量系統350。度量系統350包含一光束輪廓橢圓偏光計(BPE)10、一光束輪廓反射計(BPR)12、一寬頻反射分光計(BRS)14、一深紫外光反射分光計(DUV)16、一寬頻光譜橢圓偏光計(BSE)18及一參考橢圓偏光計2。此六個光學量測器件可利用少至三個光學源：雷射20及90及白光源22。雷射20產生一探測光束24，且白光源22產生探測光束26(其藉由透鏡28準直且藉由鏡29沿著相同於探測光束24之路徑引導)。雷射20理想上係發射一可見或近IR波長(諸如近670nm之一波長)之一線性偏光3mW光束之一固態雷射二極體。白 光源22理想上係產生涵蓋約200nm至800nm或更廣之一光譜之一多色光束之一寬頻、雷射泵浦電漿燈。探測光束24/26藉由鏡30反射，且通過鏡42至樣本4。
探測光束24/26使用一透鏡32或透鏡33聚焦至樣本表面上。在較佳實施例中，兩個透鏡32/33經安裝於一轉座(未展示)中且替代地可移動至探測光束24/26之路徑中。透鏡32係具有一高數值孔徑(約0.90NA)以產生相對於樣本表面之一大入射角擴展且產生直徑約一微米之一光點大小的一顯微鏡物鏡。透鏡33係具有一較低數值孔徑(約0.1NA至0.4NA)且能夠將深UV光聚焦至約10微米至15微米之一光點大小的一反射透鏡。
在1993年1月19日發佈之美國專利第5,181,080號中論述光束輪廓橢圓偏光計(BPE)，該專利以引用方式併入本文中。BPE 10包含一四分之一波板34、偏光器36、透鏡38及四象限偵測器(quad detector)40。在操作中，線性偏光探測光束24藉由透鏡32聚焦至樣本4上。從樣本表面反射之光向上通過透鏡32，通過鏡42、30及44，且藉由鏡46引導至BPE 10中。經反射探測光束內之射線之位置對應於相對於樣本之表面之特定入射角。四分之一波板34使光束之偏光狀態之一者之相位延緩90度。線性偏光器36引起光束之兩種偏光狀態彼此干擾。對於最大信號，偏光器36之軸應經定向相對於四分之一波板34之快軸及慢軸成45度之一角。偵測器40係具有四個徑向安置象限之四象限單元偵測器，每一象限攔截探測光束之四分之一且產生與撞擊該象限之探測光束之部分之功率成比例之一單獨輸出信號。來自各象限之輸出信號經發送至一處理器48。如美國專利5,181,080中所論述，藉由監測光束之偏光狀態之變化，可判定橢偏資訊，諸如Ψ及Δ。
在1991年3月12日發佈之美國專利第4,999,014號中論述光束輪廓反射計(BPR)，該專利以引用方式併入本文中。BPR 12包含一透鏡 50、光束分離器52以及兩個線性偵測器陣列54及56以量測樣本之反射比。在操作中，線性偏光探測光束24藉由透鏡32聚焦至樣本4上，其中該光束內之各種射線以一入射角範圍撞擊樣本表面。從樣本表面反射之光向上通過透鏡32，通過鏡42及30，且藉由鏡44引導至BPR 12中。該經反射探測光束內之射線之位置對應於相對於樣本之表面之特定入射角。透鏡50使該光束在空間上二維擴展。光束分離器52分離該光束之s分量及p分量，且偵測器陣列54及56經定向而彼此正交以隔離關於s偏光及p偏光之資訊。更高入射射線角將落於更接近該等陣列之對置端處。來自該等偵測器陣列中之各元件之輸出將對應於不同入射角。偵測器陣列54/56根據相對於樣本表面之入射角量測跨經反射探測光束之強度。偵測器陣列54/56可包括具有如本文中所述之電阻式閘極之一或多個線感測器。處理器48接收偵測器陣列54/56之輸出，且基於此等角相依強度量測藉由利用各種類型之模型化演算法來導出薄膜層8之厚度及反射率。通常採用使用反覆程序之最佳化常式，諸如最小平方擬合常式。在1993年《Journal of Applied Physics》，第73卷，第11期，第7035頁，Fanton等人之「Multiparameter Measurements of Thin Films Using Beam-Profile Reflectivity」中描述此類型之最佳化常式之一個實例。另一實例出現於1997年《Journal of Applied Physics》，第81卷，第8期，第3570頁，Leng等人之「Simultaneous Measurement of Six Layers in a Silicon on Insulator Film Stack Using Spectrophotometry and Beam Profile Reflectometry」中。
寬頻反射分光計(BRS)14同時使用多個光波長探測樣本4。BRS 14使用透鏡32且包含可係先前技術中普遍已知及使用之任何類型之一寬頻分光計58。分光計58包含一透鏡60、孔徑62、分散元件64及偵測器陣列66。在操作期間，來自白光源22之探測光束26藉由透鏡32聚焦 至樣本4上。從樣本表面反射之光向上通過透鏡32，且藉由鏡42引導(通過鏡84)至分光計58。透鏡60使該探測光束聚焦穿過孔徑62，該孔徑62將視野中之一光點界定於樣本表面上以便分析。分散元件64(諸如一繞射光柵、棱鏡或全像板)根據波長使該光束有角度地分散至偵測器陣列66中含有之個別偵測器元件。不同偵測器元件較佳同時量測該探測光束中含有之光之不同波長之光學強度。在一較佳實施例中，偵測器陣列66包括如本文中所述之一線感測器。此外，分散元件64亦可經組態以根據波長使光沿著一個方向分散，且根據相對於樣本表面之入射角使光沿著一正交方向分散，使得根據波長及入射角兩者之同時量測係可能的。在此一實施例中，偵測器陣列66可包括其中電阻式閘極如本文中所述般組態以便同時收集2個或3個光譜之一線感測器，各光譜對應於一不同入射角範圍。處理器48處理由偵測器陣列66量測之強度資訊。
深紫外光反射分光計(DUV)同時使用多個紫外光波長探測樣本。DUV 16使用相同於BRS 14之分光計58來分析探測光束26，惟DUV 16使用反射透鏡33而非聚焦透鏡32。為操作DUV 16，含有透鏡32/33之轉座經旋轉使得反射透鏡33對準探測光束26。反射透鏡33係必需的，此係因為固體物鏡無法使UV光充分聚焦至樣本上。
在1999年3月2日頒予Aspnes等人之待審美國專利第5,877,859號中論述寬頻光譜橢圓偏光計(BSE)，該專利以引用方式併入本文中。BSE(18)包含一偏光器70、聚焦鏡72、準直鏡74、旋轉補償器76及檢偏鏡80。在操作中，鏡82將探測光束26之至少部分引導至偏光器70，該偏光器70產生該探測光束之一已知偏光狀態(較佳一線性偏光)。鏡72以與樣本表面之法線成一傾斜角(理想上約70度)而將該光束聚焦至樣本表面上。基於熟知橢偏原理，該經反射光束在與樣本互動之後通常將具有一混合線性及圓形偏光狀態(基於樣本之膜8及基板6的組合 物及厚度)。該經反射光束藉由鏡74準直，該鏡74將該光束引導至旋轉補償器76。補償器76引入一對相互正交的偏光光束分量之間的一相對相位延遲δ(相位延緩)。補償器76較佳藉由一電動馬達78圍繞實質上平行於該光束之傳播方向之一軸以一角速度ω旋轉。檢偏鏡80(較佳另一線性偏光器)混合入射於其上之偏光狀態。藉由量測由檢偏鏡80透射之光，可判定該經反射探測光束之偏光狀態。鏡84將該光束引導至分光計58，該分光計58在偵測器66上同時量測該經反射探測光束中通過補償器/檢偏鏡組合之不同光波長之強度。如上文所說明，偵測器66較佳包括具有如本文中所述之電阻式閘極之一線感測器。處理器48接收偵測器66之輸出，並根據波長且根據補償器76圍繞其旋轉軸之方位(旋轉)角處理由偵測器66量測之強度資訊，以解決如美國專利第5,877,859號中所述之樣本特性，諸如橢偏值Ψ及Δ。
出於對準及聚焦目的，偵測器/相機86經定位於鏡46上方且可用來觀看離開樣本4之經反射光束。
為校準BPE 10、BPR 12、BRS 14、DUV 16及BSE 18，度量系統350包含可結合一參考樣本4使用之波長穩定校準參考橢圓偏光計2。橢圓偏光計2包含一光源90、偏光器92、透鏡94及96、旋轉補償器98、檢偏鏡352及偵測器354。
光源90產生具有一已知穩定波長及穩定強度之一擬單色探測光束356。光束356之波長(其係一已知常數或一量測值)經提供至處理器48使得橢圓偏光計2可準確地校準系統350中之光學量測器件。
光束356與偏光器92互動以產生一已知偏光狀態。在一較佳實施例中，偏光器92係由一石英羅歇棱鏡製成之一線性偏光器，但通常偏光未必係線性的，或甚至係不完全的。偏光器92亦可由方解石製成。偏光器92之方位角經定向使得與從偏光器92離開之線性偏光光束相關聯之電向量之平面相對於入射平面(由光束356之傳播方向及樣本4之 表面之法線界定)成一已知角。方位角較佳被選擇為約30度，此係因為敏感度在P偏光分量及S偏光分量之經反射強度近似平衡時最佳化。應注意，若光源90發射具有所要已知偏光狀態之光，則可省略偏光器92。
光束356藉由透鏡94以一傾斜角聚焦至樣本4上。光束356理想上與樣本表面之法線成約70度之一角而入射於樣本4上，此係因為對樣本性質之敏感度在一材料之布魯斯特或偽布魯斯特角附近最大化。基於熟知橢偏原理，該經反射光束在與樣本互動之後通常將具有一混合的線性及圓形偏光(相較於傳入光束之線性偏光狀態)。透鏡96在光束356從樣本4反射之後準直該光束356。
光束356接著通過旋轉補償器(延緩器)98，該旋轉補償器98引入一對相互正交的偏光光束分量之間的一相對相位延遲δr(相位延緩)。相位延緩量係根據波長、用來形成該補償器之材料之分散特性及該補償器之厚度而變化。補償器98較佳藉由一電動馬達351圍繞實質上平行於光束356之傳播方向之一軸以一角速度ωr旋轉。補償器98可係任何習知波板補償器，例如由結晶石英製成之波板補償器。補償器98之厚度及材料經選擇使得誘導該光束之一所要相位延緩。通常，約90°之一相位延緩係適宜的。
光束356接著與檢偏鏡352互動，該檢偏鏡352用來混合入射於其上之偏光狀態。在此實施例中，檢偏鏡352係較佳經定向相對於入射平面成45度之一方位角之另一線性偏光器。然而，用來近似混合傳入偏光狀態之任何光學器件可用作一檢偏鏡。檢偏鏡352較佳係一石英羅歇或渥拉斯頓棱鏡。
應注意，補償器98可定位於樣本4與檢偏鏡352之間(如圖6中所展示)，或定位於樣本4與偏光器92之間。亦應注意，偏光器70、透鏡94/96、補償器98及檢偏鏡352皆在其等構造方面針對由光源90產生之 光之特定波長而最佳化，此最大化橢圓偏光計2之準確度。
光束356接著進入偵測器354，該偵測器354量測通過補償器/檢偏鏡組合之光束之強度。處理器48處理由偵測器354量測之強度資訊以在光與檢偏鏡互動之後判定該光之偏光狀態，且因此判定樣本之橢偏參數。此資訊處理包含根據補償器圍繞其旋轉軸之方位(旋轉)角量測光束強度。根據補償器旋轉角之此強度量測實際上係根據時間之光束356之強度之一量測，此係因為補償器角速度通常係已知的且係一常數。
2001年10月2日頒予Rosencwaig等人且以引用方式併入本文中之美國專利第6,297,880號進一步詳細描述度量系統350。2002年8月6日頒予Opsal等人且以引用方式併入本文中之美國專利第6,429,943號描述度量系統350可如何用於散射量測。1997年3月4日頒予Piwonka-Corle等人且以引用方式併入本文中之美國專利第5,608,526號描述併入一光譜橢圓偏光計及一分光光度計之度量系統350之一替代實施例。光譜橢圓偏光計及分光光度計之任一者或兩者可併入具有如本文中所述之電阻式閘極之一線感測器。
圖4繪示根據本發明之一例示性實施例之用於檢查或量測一樣本401之一簡化系統400。系統400通常包含：一照明源402，其經組態以產生輻射(例如，光)L；一光學系統(光學器件)405，其經組態以將輻射L從照明源402引導至樣本401且將從樣本401輸出或反射之輻射引導至一感測器410。系統400亦包含一控制電路450，該控制電路450可整合至感測器410(即，感測器410之部分)上或製造成與感測器410分離。
線感測器410製造於一半導體基板411(例如，p摻雜磊晶矽)之一上表面412上，且通常包含形成於上表面412上方之四個光敏像素420-1至420-4、至少三個長形孔徑控制電極430A、430B及431以及一或多個讀出電路440A及440B。熟習此項技術者將認知，所描繪感測器經大幅簡化以便描述與本發明相關聯之新穎特徵，並且實際線感測器包 含額外電路結構且利用實質上更大數目個像素。
如圖4中所指示，像素420-1至420-4在形狀上係矩形或正方形，且配置成一列。像素420-1至420-4分別包含電阻式多晶矽控制閘極421-1至421-4以及緩衝/轉移閘極423A及423B。電阻式控制閘極421-1至421-4通常係長形輕度摻雜多晶矽結構，其等藉由一中介介電層(未展示)附接至上表面412且沿著一長向方向(即，沿著X軸方向量測)延伸於對置端部分之間。例如，像素420-1之電阻式控制閘極421-1沿著該長向(X軸)方向延伸於一第一端部分421-1A與一第二端部分421-1B之間。電阻式控制閘極421-1至421-4通常沿著一寬向方向結合在一起(即，該等控制閘極係由沿著圖4中所指示之Y軸方向延伸之一連續多晶矽層之部分形成)，但在一替代實施例中，該等控制閘極藉由間隙而分離。各電阻式控制閘極421-1至421-4界定其像素之相關聯總(最大)光敏區域，該光敏區域通常由安置於各電阻式控制閘極下方之基板411之部分形成。例如，如圖4中所指示，像素420-1之相關聯光敏區域415420-1係由定位於電阻式控制閘極421-1下方之基板411之一對應部分形成。緩衝/轉移閘極423A及423B經安置鄰近電阻式控制閘極421-1至421-4之端部分，並且使用已知技術製造於基板411上且經組態以在感測器410之操作期間促進儲存及轉移由像素420-1至420-4收集之電荷。例如，像素420-1之緩衝/轉移閘極423-1A經組態以在感測器操作之一整合週期期間於控制閘極421-1之端部分421-1A下方產生一電荷累積區域417420-1A以用於收集電荷，且經組態以在感測器操作之一讀出週期期間促進將經收集電荷從電荷累積區域417420-1A轉移至一讀出區域419420-1A(例如，藉由轉移區域418420-1A)。
根據本發明之一態樣，控制電路450經組態以藉由孔徑控制電極430A、430B及431將孔徑控制信號施加至電阻式控制閘極421-1至421-4，使得電阻式控制閘極421-1至421-4在像素420-1至420-4之光敏區域 中產生電場。孔徑控制電極430A、430B及431係跨像素420-1至420-4平行延伸之長形(例如，金屬)結構，且電連接至電阻式控制閘極421-1至421-4之對應區域。例如，一第一端電極430A接觸電阻式控制閘極421-1之第一端部分421-1A，一第二端電極430B接觸各該電阻式控制閘極(例如，421-1)之第二端部分421-1B，且一中心電極431安置於第一端電極430A與第二端電極430B之間且接觸控制閘極421-1之一中心區域。在感測器操作期間，控制電路450將一第一孔徑控制信號V430A施加至第一端電極430A上，將一第二孔徑控制信號V430B施加至第二端電極430B上，且將一第三孔徑控制信號V431施加至中心電極431上。在期望非單調電壓分佈之操作週期期間，控制電路450同時產生孔徑控制信號V430A、V430B及V431並將該等孔徑控制信號V430A、V430B及V431施加至孔徑控制電極430A、430B及431上，使得孔徑控制信號V 430A 及V 430B 比孔徑控制信號V 431 更正(即，具有一更正電壓位準)。例如，產生具有0V電壓位準之孔徑控制信號V 430A 及V 430B ，且產生具有一-5V電壓位準之孔徑控制信號V 431 。藉由將更正電壓位準施加至各電阻式控制閘極之端部分且將一更負電壓位準施加至各電阻式控制閘極之一中心區域，引起各電阻式控制閘極產生一電場使得在一相關聯光敏區域中產生之光電子藉由該電場驅動至兩個或更多個不同電荷累積區域之一者中。例如，如圖4中所指示，孔徑控制信號V 430A 、V 431 及V 430B 在電阻式控制閘極421-1中產生一非單調電壓分佈E420-1(由一「V」形電位圖所描繪)，該非單調電壓分佈E420-1產生將相關聯光敏區域415420-1有效地分離成兩個部分415420-1A及415420-1B之一電場，該兩個部分415420-1A及415420-1B通常安置於非單調電壓分佈E420-1之負峰值之相對側。當感測器410使用一非單調電壓分佈E420-1操作時，在光敏部分415420-1A中產生之光電子(例如，光電子P1)藉由由該非單調電壓分佈E420-1產生之電場驅動至電荷收集區域417420-1A中，且在光敏部 分415420-1B中產生之光電子(例如，光電子P2)藉由該電場驅動至電荷收集區域417420-1B中。藉此，藉由以下步驟將像素420-1至420-4之孔徑大小有效地減小至光敏部分415420-1A之孔徑大小：隨後讀出及量測僅收集於一組電荷收集區域中之電荷(例如，來自電荷收集區域417420-1A)；及忽視(例如，捨棄)收集於另一組電荷收集區域(例如，電荷收集區域417420-1B)中之電荷。因此，本發明促進藉由長形電連接件(電極)430A、430B及431電控制像素420-1至420-4之孔徑大小，該等長形電連接件430A、430B及431接觸各電阻式閘極上之不同位置以便促進電位梯度(電場)之產生。需要兩個以上此等電連接件以便在該電阻式閘極中產生非單調電壓分佈。
包含電荷耦合器件(CCD)讀出暫存器444A之至少一個讀出電路440A緊鄰像素420-1至420-4。各讀出暫存器444A連接至一電荷轉換放大器446A及產生一輸出信號458之緩衝器447A。讀出暫存器444A由多個時脈信號454及455控制，該多個時脈信號454及455連同其他控制信號(未展示)(諸如緩衝閘極控制信號及轉移閘極控制信號)一起由控制電路450產生。儘管展示由時脈信號454及455產生之一兩相時脈，但使用三相時脈及四相時脈之讀出暫存器在此項技術中係已知的且可被使用。
再次參考圖4，在操作期間，由照明源402產生之光L藉由光學系統(光學器件)405引導至樣本401上，且從樣本401輸出或反射之經重導引光亦藉由光學器件405引導至感測器410，且透過下(底部)表面413進入感測器410。根據本實施例之一態樣，光學器件405經組態以依一共焦影像之形式將輻射(光)L從樣本401引導至感測器410。在一項特定實施例中，光學器件405經組態以將安置於對應角範圍內之輻射從樣本401引導至感測器410，使得從類似結構位置或角傳輸之光被引導至各像素之光敏區域之類似部分中。例如，光學器件405經組態 使得在一第一角度範圍α1內從樣本401引導至感測器410之第一光部分L1被引導至像素420-1之相關聯光敏區域415420-1之一第一光敏部分415420-1A中，且使得在一第二角度範圍α2內從樣本401引導至感測器410之第二光部分L2被引導至光敏區域415420-1之一第二光敏部分415420-1B中。應注意，第一光敏部分415420-1A比第二光敏部分415420-1B更接近電阻式控制閘極421-1之第一端部分421-1A，且第二光敏部分415420-1B經定位比第一光敏部分415420-1A更接近第二端部分421-1B。進入各光敏部分之輻射(光)L被吸收並且產生在一整合週期期間收集且接著在一後續讀出週期期間循序地量測之光電子。例如，圖4描繪回應於光部分L1在光敏區域415420-1之第一光敏部分415420-1A中產生之一第一光電子P1，且描繪回應於光部分L2在第二光敏部分415420-1B中產生之一第二光電子P2。在電阻式控制閘極421-1至421-4上產生之電壓分佈控制將哪些光電子累積於各像素420-1至420-4內之哪個位置處。例如，在藉由具有0V值之孔徑控制信號V430A及V430B以及具有負5V(-5V)值之孔徑控制信號V431驅動電阻式控制閘極421-1時，電阻式控制閘極421-1在相關聯光敏區域415420-1中產生一非單調電壓分佈E420-1，該非單調電壓分佈E420-1將藉由第一光部分L1在第一光敏部分415420-1A中產生之第一光電子P1驅動至第一電荷累積區域417420-1A中，且同時將藉由第二光部分L2在一第二光敏部分415420-1B中產生之第二光電子P2驅動至第二電荷累積區域417420-1B中。在整合週期結束時，緩衝/轉移閘極423A-1控制將經累積光電子電荷從電荷累積區域417420-1A轉移至一轉移區域418420-1A中，且接著至讀出暫存器444A-1之一對應區域419420-1A。接著利用由控制電路450產生之時脈信號454及455來控制將電荷從一個暫存器444A循序地轉移至下一暫存器並從最後暫存器轉移至電荷轉換放大器446A及緩衝器447A。因此，藉由各像素420-1至420-4以上文所述之方式捕獲之電荷繼而作為一電壓或 電流輸出信號458輸出至控制電路450。
在替代實施例中，同時捨棄(即，耦合至接地或以其他方式擦除)或讀出由進入第二光敏部分(例如，圖4中之光敏部分415420-1B)之光電子產生之電荷與由進入選定光敏部分(例如，圖4中之光敏部分415420-1A)之光電子產生之電荷。為促進從第二光敏部分讀出電荷，感測器410包含一選用第二讀出電路440B，該第二讀出電路440B安置於像素420-1至420-4之第二端上，包含耦合至轉移閘極423B且以上文參考讀出電路440A所述之方式起作用之暫存器、放大器及緩衝器。
儘管圖4繪示可如何使用孔徑控制電極430A、430B及431來選擇來自樣本401之輻射之不同角度，但在一替代實施例中，光學器件405經組態使得可使用控制電極430A、430B及431以選擇來自樣本401之不同位置之輻射。
圖5A至圖5D係繪示可如何藉由使用三個以上孔徑控制電極在電阻式控制閘極中產生不同電壓分佈而產生不同非單調電壓分佈之一簡化圖。
圖5A描繪可藉由四個孔徑控制電極(即，在沿著一電阻式控制閘極521之長度之位置A及D處之端電極525A及525D以及在沿著電阻式控制閘極521之長度之位置B及C處之兩個中心電極525B及525C)施加至電阻式控制閘極521(為參考起見，以虛線展示)之不同電壓方案。以類似於上文參考圖4所述之方式之一方式，不同電壓可施加至電極525A至525D以產生電阻式控制閘極521內之不同位置之間的電位差，藉此藉由引起電阻式控制閘極521產生不同電場而調整有效像素孔徑大小。由圖5A中之線501、503及505指示可施加至電阻式控制閘極521之不同電位之實例。在一項實施例中，在檢查一樣本(例如，偵測及/或量測一樣本之特徵)之程序期間，由電阻式控制閘極521產生之電場在各自時間週期期間藉由改變施加至電極525A至525D之孔徑控 制信號(電壓)(例如，在由線501、503及505所描繪者之間)而改變。
由圖5A中之線501指示之電壓分佈描繪位置D(其對應於端電極525D之位置)處之-5V與位置A(其對應於端電極525A之位置)處之0V之間的一近似線性電壓梯度。位置B及C(其等對應於中心電極525B及525C之位置)之電壓係介於0V與-5V之間的值。由於施加於位置A及D處之電壓產生沿著電阻式控制閘極521之一近似線性電壓梯度，故無需在期望近似線性電壓梯度501時驅動位置B及C處之中心電極525B及525C。電阻式控制閘極521上之電壓誘導在基板中在控制閘極521正下方光敏區域之表面附近之電荷，且因此在基板中產生一電位梯度(電場)。由於電子帶負電，故各光電子將快速遷移朝向其附近之最正電位。因此，在類似於由圖5A之線501所描繪之一近似線性梯度之情況下，光電子將僅累積於位置A附近。由於位置A對應於接觸件525A之位置，故此近似線性電位梯度引起在對應像素之光敏區域中產生之實質上所有光電子累積於電極525A下方之一電荷累積區域中，藉此經累積電荷隨後可以上文參考圖4所述之方式轉移至一讀出暫存器。
圖5A中之線503繪示根據本發明之一例示性實施例之產生於電阻式控制閘極521上之一第二電壓分佈。位置B藉由施加至中心電極525B之一相關聯孔徑控制信號保持於-5V，而位置A及D藉由端電極525A及525D保持於0V。位置C可藉由電極525C驅動至介於-5V與0V之間的一中間電壓(諸如約-2.5V)，或位置C可處於浮動。在此狀態中，有效像素孔徑大小經界定於位置A與B之間。即，在位置A與B之間電阻式控制閘極521下方之基板中產生之光電子將快速遷移於位置A下方，此係因為位置A係該區域中之最正電位。在位置B與D之間電阻式控制閘極521下方之基板中產生之光電子將快速遷移至經定位鄰近位置D(例如，電極525D下方)之一電荷累積區域，此係因為位置D係該像素區域中之最正電位。位置A附近之經累積電荷可從像素讀出 至一讀出暫存器中，諸如圖4中所展示之暫存器444A-1。位置D附近之經累積電荷可藉由例如運用定位於位置D附近之一溢流汲極(overflow drain)或洩流汲極(scupper drain)收集其予以捨棄，或替代地該電荷可從像素讀出至一第二讀出電路中，諸如如圖4中所展示之電路440B。由於此電壓梯度引起感測器收集對應於在位置A與B之間命中感測器之光之信號，故雖然分離或捨棄對應於在位置B與D之間命中感測器之光之信號，但該電壓梯度充當實際上阻擋或分離在位置B與D之間到達感測器之光之一孔徑或光束分割器，同時使在位置A與B之間到達感測器之光透射至一輸出信號，諸如圖4中之輸出信號458。不同於一機械孔徑，在感測器前面無需額外實體空間來容納該孔徑。此外，由於電控制電壓梯度，故電壓梯度可極快速地(例如，在幾微秒內或更少中)改變，此遠快於一機械孔徑可改變之速度。
圖5A中之線505繪示電阻式控制閘極521上之又一例示性電壓分佈，且展示可如何藉由改變施加至電阻式控制閘極521之電壓而調整像素孔徑大小。在此情況中，位置C藉由施加至電極525C之一相關聯孔徑控制信號保持於-5V，而位置A及D藉由端電極525A及525D保持於0V(位置B係浮動的或保持於一中間電壓)。在此狀態中，有效像素孔徑大小係在位置A與C之間。即，在電極525A與525C之間電阻式控制閘極521下方之基板中產生之光電子將快速地遷移至電極525A下方之電荷累積區域，此係因為電極525A係該區域中之最正電位。在電極525C與525D之間電阻式控制閘極521下方之基板中產生之光電子將快速地遷移至電極525D下方之電荷累積區域，此係因為電極525D係該像素區域中之最正電位。位置A附近之經累積電荷可從像素讀出至一讀出暫存器中，諸如圖4中所展示之暫存器444A-1，且位置D附近之經累積電荷可被捨棄或讀出至一讀出電路中，諸如圖4中所展示之電路440A。
儘管圖5A之實例利用四個位置A、B、C及D來控制藉由四個接觸件(電極)525A、525B、525C及525D施加至電阻式控制閘極521之電壓梯度，但可使用三個接觸件(如在圖4之例示性實施例中)，或可使用四個以上接觸件(如以下實施例中所繪示)。三個接觸件允許全像素被選擇及引導至一輸出，或允許該像素劃分成兩個部分(一個「孔徑」)。除全像素外，四個接觸件亦允許兩個不同「孔徑」大小之選擇或像素之兩種不同劃分。四個以上接觸件將允許兩個以上不同「孔徑」大小。
圖5B描繪可藉由沿著一電阻式控制閘極531之長度分別安置於五個不同位置(A、B、C、D及E)處之五個孔徑控制電極(即，端電極535A及535E以及三個中心電極535B、535C及535D，為參考起見皆以虛線展示)施加至電阻式控制閘極531之不同電壓方案。以類似於上文參考圖4及圖5A所述之方式之一方式，不同電壓藉由一控制電路(未展示)施加至電極535A至535E以產生電阻式控制閘極531內之不同位置之間的電位差，藉此藉由引起電阻式控制閘極531產生相關聯電場而調整有效像素孔徑大小。圖5B中之線510、513描繪施加至電阻式控制閘極531之兩個例示性非單調電壓分佈，該電阻式控制閘極531形成類似於圖4之線感測器410之一線感測器之一對應像素之部分。
圖5B中之線510描繪在一第一時間週期期間產生且包括位置C(中心電極535C)處之-5V與位置A及E(端電極535A及535E)處之0V之間的兩個近似線性電壓梯度之一電壓分佈。在此時間週期期間，位置B及位置D處之中心電極535B及535D浮動或以其他方式維持於介於0V與-5V之間的值之電壓。在位置A與C之間電阻式控制閘極531下方之基板中產生之光電子將快速遷移至位置A附近(端電極535A下方)之電荷累積區域，此係因為位置A係該區域中之最正電位。在位置C與E之間電阻式控制閘極531下方之基板中產生之光電子將快速遷移於位置E 下方，此係因為位置E係該像素區域中之最正電位。在該時間週期結束時，位置A附近之經累積電荷可從像素讀出至一讀出暫存器中，諸如圖4中所展示之暫存器444A-1。位置E附近之經累積電荷可藉由例如運用定位於位置E附近之一溢流汲極或洩流汲極收集其予以捨棄，或替代地該電荷可從像素讀出至一第二讀出電路中，諸如如圖4中所展示之電路440B。
圖5B中之線513描繪一第二電壓分佈，該第二電壓分佈在一第二時間週期期間(例如，在第一時間週期之後或之前)產生且藉由以下步驟而包括四個近似線性電壓梯度：將一更負電壓(例如，-5V)施加至位置B及D處之電極535B及535D；及同時將一更正電壓(例如，0V)施加至位置A、C及E處之電極535A、535C及535E。在位置A與B之間電阻式閘極531下方之基板中產生之光電子將快速遷移於位置A下方，此係因為位置A係該區域中之最正電位。在位置D與E之間電阻式控制閘極531下方之基板中產生之光電子將快速遷移至於位置E下方，此係因為位置E係該像素區域中之最電位。在位置B與D之間電阻式控制閘極531下方之基板中產生之光電子將快速遷移於位置C下方，此係因為位置C係該區域中之最正電位。位置A附近之經累積電荷可從像素讀出至一讀出暫存器中，諸如圖4中所展示之暫存器444A-1。位置E附近之經累積電荷可從像素讀出至一第二讀出電路中，諸如如圖4中所展示之電路440B。位置C附近之經累積電荷隨後可例如藉由以下步驟從像素讀出：首先改變電阻式控制閘極531上之電壓分佈(例如，至諸如圖5A中所展示之501或圖5B中所展示之510之一分佈)使得累積於位置C處之電荷經驅動至一或兩個端位置A及/或E。一旦電荷已移動至像素之一或兩側，該電荷便可被轉移至讀出電路，諸如圖4中所展示之電路440A或440B。以此一方式，感測器可經組態以同時收集三個影像資料值，即使感測器僅具有兩個讀出電路(即，圖4中所展示之 電路440A或440B)。
圖5C描繪可藉由沿著一電阻式控制閘極541之長度分別安置於五個不同位置(A、B、C、D及E)處之五個孔徑控制電極(即，端電極545A及545E以及三個中心電極545B、545C及545D)施加至電阻式控制閘極541之不同電壓方案，該電阻式控制閘極541形成類似於圖4之線感測器410之一線感測器之一對應像素之部分。在此實例中，中心電極545B、545C及545D沿著位置E之方向偏移以促進各像素之有效孔徑大小之增量精細調整。具體言之，以類似於上文參考圖4及圖5A所述之方式之一方式，不同電壓藉由一控制電路(未展示)施加至電極545A至545E以產生電阻式控制閘極541內之不同位置之間的電位差，藉此藉由引起電阻式控制閘極541產生相關聯電場而調整各像素之有效像素孔徑大小。圖5C中之線514、515及516描繪藉由以下步驟產生之三個例示性非單調電壓分佈：將相對正電壓(例如，0V)施加至端電極545A及545E且將對應替代相對負電壓(例如，-5V)施加至中心電極545B、545C及545D，藉此分別產生一相對小孔徑大小(例如，在位置A與B之間)、一中間孔徑大小(例如，在位置A與C之間)及一相對大孔徑大小(例如，在位置A與D之間)。如先前實例中所說明，在各時間週期結束時，隨後讀出累積於位置A處之電荷。圖5C中所描繪之方法可用來精細調整一感測器之所有像素之有效孔徑大小以便最佳化光收集，或可用來在一校準週期期間調整各個別像素之有效孔徑大小使得該感測器之所有像素具有一均勻孔徑大小。
圖5D描繪可藉由沿著一電阻式控制閘極551之長度分別安置於五個不同位置(A、B、C、D及E)處之五個孔徑控制電極(即，端電極555A及555E以及三個中心電極555B、555C及555D)施加至電阻式控制閘極551之不同電壓方案，該電阻式控制閘極551形成類似於圖4之線感測器410之一線感測器之一對應像素之部分。在此實例中，中心 電極555B及555D經安置更接近中心電極555C(中心位置C)以藉由產生邊緣場而促進各像素之有效孔徑之進一步增量精細調整。具體言之，以類似於上文參考圖4及圖5A所述之方式之一方式，藉由將一負電壓(例如，-5V)施加至中心電極555C且將更正電壓(例如，0V)施加至端電極555A及555E(中心電極555B及555D係浮動的)而產生由線517所描繪之一對稱「V」形非單調電壓分佈。為使有效像素孔徑邊緣移位至右側(即，朝向位置E)，將一中間調整電壓(例如，-2.5V)施加至中心電極555B，藉此產生由線518所描繪之一電壓分佈，該電壓分佈引起電阻式閘極電極541產生朝向位置E移位之一對應非對稱電場。相反地，為使有效像素孔徑邊緣移位至左側(即，朝向位置A)，將一中間調整電壓(例如，-2.5V)施加至中心電極555D，藉此產生由線519所描繪之一電壓分佈，該電壓分佈引起電阻式閘極電極541產生朝向位置A移位之一對應非對稱電場。圖5D中所描繪之方法可用來在操作期間藉由改變施加至中心電極555B及555D之調整電壓而連續調整像素邊緣位置。
儘管圖5A至圖5D之實例展示介於-5V與0V之間的電壓梯度，但此僅係可有用之電壓範圍之一實例。例如，介於約-6V與-1V之間或介於約-4V與+1V之間的電壓梯度將具有與介於-5V與0V之間的電壓梯度實質上類似之一效應且可代替地加以使用。儘管約5V之一電壓差對於約100μm長之一像素而言係一適宜值，然尤其在該像素短於約100μm之情況下，可使用一更小電壓差。電壓差可大於5V。若該像素長於約150μm，則一更大電壓差可尤其有用。亦應注意，電壓值必需與一零伏特參考之一任意選擇有關。儘管最常選擇接地作為零伏特參考，但在一些應用(諸如電子或其他帶電粒子之偵測)中，整個感測器可浮動於遠離接地之一電位。對於本文中所使用之例示性電壓，除非另有說明，否則可假定光(或帶電粒子)入射於其上之感測器表面係 在零伏特之幾伏特內。
圖6以橫截面繪示根據本發明之另一特定實施例之一例示性線感測器600。感測器600製造於一半導體隔膜601(例如，一輕度p摻雜磊晶矽層)中，該半導體隔膜601生長於一矽晶圓(未展示)上且接著藉由從背側拋光或蝕刻而曝光。磊晶矽601中之摻雜劑濃度較佳為約2x1013個原子cm-3或更小。
光699從下方入射於感測器600上。在一項實施例中，幾nm厚度(諸如介於約2nm與約6nm之間的一厚度)之一純硼層602沈積於磊晶矽601之底部(照明)表面上以防止氧化且使感測器600有彈性地免受曝光於DUV輻射及帶電粒子之損害。由於DUV光對檢查及量測半導體晶圓上之小特徵尤其有用，故在半導體檢查及度量系統中，在連續曝光於UDV輻射下具有多年壽命之感測器尤其有用。在一替代實施例中，省略純硼層602。在入射於感測器600上之平均DUV功率密度足夠低使得感測器劣化最小(諸如小於約20μW cm-2之一DUV功率密度)之情況下，此一實施例可係有用的(通常較短波長光更具破壞性，因此使用極短波長及較低功率密度之系統可受益於純硼層602，而在不具有硼層602之情況下，使用較長波長及一較高功率密度之另一系統可具有可接受的感測器壽命)。
在將純硼層602沈積於底部表面上期間，一些硼擴散至形成鄰近純硼層602之僅幾nm厚之一高度p摻雜矽層603之矽中。在一項實施例中，此係藉由緊接在純硼層602之沈積之後使含有感測器600之晶圓保持於一高溫(諸如介於約800℃與約900℃之間的一溫度)達幾分鐘而達成。高度p摻雜矽層603產生一內建電場，該內建電場驅動產生於矽之後表面附近之任何光電子遠離該底部表面。此內建場係非常重要的，因為多數DUV輻射被吸收於矽表面之10nm至15nm內。若任何該等光電子到達該表面，則存在該等光電子將重組且丟失因此減小感測器 600之量子效率(QE)之一高概率。需要一強內建場以非常快速地驅動光電子遠離該矽表面以便在DUV波長下具有高QE。在其中不存在純硼層602之一感測器中，必須使用離子植入或其他摻雜技術來產生高度p摻雜矽層603。
在一較佳實施例中，一抗反射塗層680形成於下表面613上方(例如，沈積至硼塗層602上，或在其中不存在純硼層602之實施例中直接沈積至磊晶矽601之下表面613上)。由於硼及矽兩者具有DUV光之高吸收係數，故硼及矽強力反射光。感測器600之QE可藉由使用一抗反射層680而顯著改良。抗反射塗層680可包括一或多個介電材料層，諸如二氧化矽、氧化鋁及氟化鎂。若感測器無需在DUV波長下操作，則一更廣範圍之材料可用於抗反射塗層680，除剛列舉之材料外，亦包含二氧化鉿及氮化矽。
帶電粒子感測器通常無需一抗反射塗層。在此等感測器中，層680可被省略，或可包括一薄導電塗層，諸如一幾nm厚耐火金屬層。
一介電層608沈積於或生長於磊晶矽601之頂部表面上。介電層608可包括二氧化矽層，或介電層608可包括兩個或三個層，諸如在二氧化矽上之氮化矽或在二氧化矽上之氮化矽上之二氧化矽。通常，介電層608之厚度係在約50nm至約200nm之範圍中。一n型矽層604作為一埋入式通道產生於前表面下方以收集光電子。
多個閘極電極(諸如630、635及640)沈積且圖案化於介電層608之頂部上。該等閘極電極通常係由多晶矽或鋁製成，但可使用包含其他金屬及半金屬化合物(諸如TiN)之其他導電材料。可製成至該等閘極電極之電連接件(諸如631、636及641)。儘管圖6描繪僅在電阻式閘極620之左側上之閘極電極(諸如630、635及640)，但在電阻式閘極620之右側上亦可存在類似結構以便允許從像素之兩側讀出，如由圖4中之讀出電路440A及440B所繪示。
在較佳實施例中，閘極電極彼此重疊(例如，如在632處所展示)以便最小化及控制該等電極之邊緣附近之邊緣電場。該等閘極電極藉由一介電材料(未展示)而分離。
電阻式閘極620(較佳包括未摻雜或輕度摻雜多晶矽(poly-silicon))覆蓋光敏像素。製成至電阻式閘極上之不同位置之多個電連接件。由621A、621B、621C及621D示意地展示此等連接件(或接觸件)。儘管展示四個電連接件，但取決於需要多少種不同光收集模式，可使用三個、四個或更多個電連接件。如上文所說明，藉由將不同電壓施加至連接至電阻式閘極620之不同接觸件621A、621B、621C、621D，在該電阻式閘極620中產生電壓梯度。由於施加至該等接觸件之不同電壓，故沿著該電阻式閘極之長度之不同位置處於不同電壓，如圖5A及圖5B中所繪示。磊晶矽601之表面處之電位隨位置、根據電阻式閘極620上之對應位置處之電壓而變化。此變化電位在磊晶層601中產生控制將光電子收集於何處之一電場。由於輕度摻雜磊晶層601，故存在少數自由載流子且來自表面附近之電荷之電場將延伸遍及全部或幾乎全部磊晶層601。
例如，若接觸件621A比接觸件621D更正且接觸件621B及621C處於中間電壓使得在電阻式閘極620上接觸件621D之位置與接觸件621A之位置之間存在一近似線性電壓梯度，則磊晶矽601內之電場將驅動光電子至接觸件621A下方之一位置。
若緩衝閘極630保持於比621A更負的一電壓，則電子將不移動於緩衝閘極630下方。為讀出經累積電荷，可藉由例如將比施加至接觸件621A之電壓更正之一電壓施加至接觸件631而升高緩衝閘極630上之電壓。藉由將一適當電壓施加至接觸件636來升高轉移閘極635上之電位可使電子從緩衝閘極630下方移動至轉移閘極635下方。緩衝閘極630上之電位可在相同於或稍遲於轉移閘極635上之電位升高之時間降 低以阻擋電子從像素直接轉移至轉移閘極635下方。根據需要，可包含選用的額外轉移閘極、緩衝閘極或讀出暫存器，諸如640。最終，電子轉移至一浮動擴散區域(未展示)，該浮動擴散區域繼而連接至一輸出放大器。
緩衝閘極、轉移閘極、讀出暫存器、浮動擴散區域及輸出放大器在CCD中係熟知的且在此處將不作更詳細描述。圖6中所展示之組態僅藉由實例來說明線感測器之操作。在不背離本發明之範疇之情況下，讀出結構之不同組態係可能的。在一項例示性實施例中，可使用一單轉移閘極而不使用任何緩衝閘極。在另一例示性實施例中，可使用多個緩衝閘極。在又一例示性實施例中，可不使用讀出暫存器且個別像素或像素對可透過緩衝閘極及轉移閘極連接至單獨輸出。未包含與本發明不直接相關之常用半導體製造程序之細節以免使描述變複雜。
圖7係展示包含一楔形光學刀口(機械孔徑結構)760之一線性感測器700之一像素之一簡化橫截面，該楔形光學刀口760安置於基板701之一背側表面上或上方使得從一樣本反射或以其他方式引導至感測器700之光之一部分被光學刀口760阻擋。如在先前實施例中，一電阻式控制閘極721形成於基板701之一前側表面上方之一介電層708上，且多個孔徑控制電極725A至725F安置於電阻式控制閘極721之一上表面上。在一項實施例中，光學刀口760係使用如在2015年4月21日申請且標題為「CONFOCAL LINE INSPECTION OPTICAL SYSTEM」之共同擁有且同在申請中的美國專利申請案第14/691,966號中所教示之一狹縫孔徑濾光器實施，該案之全文以引用方式併入本文中。根據本實施例，系統700之一控制電路(未展示)經組態以促進施加至電極725A至725F之孔徑控制電壓之調整，使得在電阻式控制閘極721中產生之一非單調電壓分佈E720調整孔徑以校正光學刀口760之未對準，藉此大幅簡化對準程序。
上文所述之本發明之結構及方法之各項實施例僅繪示本發明之原理且並非旨在將本發明之範疇限於所述特定實施例。例如，可製成至電阻式閘極之四個以上或四個以下連接件。在檢查或量測一樣本之一方法之一項實施例中，可將一組電壓施加至一感測器上之一電阻式閘極之接觸件達對一樣本之檢查或量測之整個持續時間。在檢查或量測一樣本之一方法之另一實施例中，可在檢查或量測一單一樣本期間調整施加至一電阻式閘極之接觸件之電壓以便適應於該樣本上之不同位置中之不同圖案。
亦應瞭解，在將感測器或方法描述為偵測光之情況下，此等描述亦可適用於偵測不同波長之電磁輻射(包含紅外光、可見光、紫外光、極UV及X射線)，且適用於偵測帶電粒子，諸如電子。
因此，本發明僅受限於以下申請專利範圍及其等效物。
100:檢查或度量系統
102:照明源
103:光學器件
104:偵測器總成
105:物鏡
106:感測器
108:樣本
112:載物台
114:計算系統
116:載體媒體
118:程式指令

Claims (43)

  1. 一種檢查一樣本之方法，該方法包括：將輻射引導及聚焦至該樣本上；將從該樣本接收之輻射引導至一線感測器，其中該線感測器包含安置於一基板上之複數個像素，各像素包含附接至該基板之一上表面且安置於該基板之一相關聯光敏區域上方的一電阻式控制閘極，且其中引導該經接收輻射包含引起該經引導輻射進入該複數個像素之各者之該相關聯光敏區域；使用預定孔徑控制信號驅動各該像素之該電阻式控制閘極，使得該電阻式控制閘極在該相關聯光敏區域中產生一電場，該電場將藉由第一光部分在各該像素之一第一光敏部分中產生之第一光電子驅動至經定位鄰近各該電阻式控制閘極之一第一端部分之一第一電荷累積區域中，且將藉由第二光部分在各該像素之一第二光敏部分中產生之第二光電子驅動至經定位鄰近各該電阻式控制閘極之一第二端部分之一第二電荷累積區域中。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括：在一預定週期期間量測累積於該第一電荷累積區域中之該等第一光電子。
  3. 如請求項2之方法，其中引導該輻射進一步包括：產生一共焦影像，該共焦影像包含：從該樣本引導至各該像素之該相關聯光敏區域之一第一光敏部分中之第一共焦影像部分；及從該樣本引導至各該像素之該相關聯光敏區域之一第二光敏部分中之第二共焦影像部分。
  4. 如請求項2之方法，其中引導該輻射進一步包括：將安置於一第一角度範圍內之第一輻射部分從該樣本引導至各該像素之該相關聯光敏區域之一第一光敏部分中；及將安置於一第二角度範 圍內之第二輻射部分從該樣本引導至各該像素之該相關聯光敏區域之一第二光敏部分中。
  5. 如請求項1之方法，其中驅動各該像素之該電阻式控制閘極包括：在接觸各該電阻式控制閘極之對置端部分之第一端電極及第二端電極上產生第一孔徑控制信號及第二孔徑控制信號；及在接觸各該電阻式控制閘極之一中心部分之至少一個中心電極上產生一第三孔徑控制信號。
  6. 如請求項5之方法，其中驅動該電阻式控制閘極進一步包括：在一第一時間週期期間，產生該第一孔徑控制信號、該第二孔徑控制信號及該第三孔徑控制信號使得該第一孔徑控制信號及該第二孔徑控制信號比該第三孔徑控制信號更加正電位，及在一第二時間週期期間，產生該第一控制信號、該第二控制信號及該第三控制信號使得該第一控制信號比該第二控制信號及該第三控制信號更加正電位。
  7. 如請求項1之方法，其中驅動各該像素之該電阻式控制閘極包括：在分別接觸各該電阻式控制閘極之對應端部分之第一端電極及第二端電極上產生第一孔徑控制信號及第二孔徑控制信號；及分別在分別接觸各該電阻式控制閘極之對應中心部分之第一中心電極、第二中心電極及第三中心電極上產生第三孔徑控制信號、第四孔徑控制信號及第五孔徑控制信號，其中該第一孔徑控制信號、該第二孔徑控制信號及該第四孔徑控制信號比該第三孔徑控制信號及該第五孔徑控制信號更加正電位，藉此各該像素之該電阻式控制閘極在該相關聯光敏區域中產生一電場，該電場將該等第一光電子驅動至該第一電荷累積區域中，且將該等第二光電子驅動至該第二電荷累積區域中，且將藉由第三光部分在各該像素之一第三光敏部分中產生之第三光 電子驅動至定位於該第一電荷累積區域與該第二電荷累積區域之間的一第三電荷累積區域中。
  8. 如請求項7之方法，其中引導該輻射進一步包括：將安置於一第一角度範圍內之第一輻射部分從該樣本引導至各該像素之該相關聯光敏區域之該第一光敏部分中；將安置於一第二角度範圍內之第二輻射部分從該樣本引導至各該像素之該相關聯光敏區域之該第二光敏部分中；及將安置於一第三角度範圍內之第三輻射部分從該樣本引導至各該像素之該相關聯光敏區域之該第三光敏部分中。
  9. 如請求項1之方法，其中該線感測器包含安置於該基板之一下表面與該樣本之間的一機械孔徑結構，且其中驅動該電阻式控制閘極包括調整該電場以校正該機械孔徑結構之未對準。
  10. 一種感測器，其包括：一基板，其具有一上表面及一對置下表面；複數個像素，其等安置於該基板上，各像素包含：一電阻式控制閘極，其附接至該上表面且安置於該基板之一相關聯光敏區域上方；一第一轉移閘極，其經安置鄰近該電阻式控制閘極之一第一端部分；及一第二轉移閘極，其經安置鄰近該電阻式控制閘極之一第二端部分；複數個長形孔徑控制電極，其等跨該複數個像素之該等電阻式控制閘極平行延伸，該複數個長形孔徑控制電極包含：一第一端電極，其接觸各該電阻式控制閘極之該等第一端部分；一第二端電極，其接觸各該電阻式控制閘極之該等第二端部分；及一或多個中心電極，其接觸各該電阻式控制閘極且安置於該 第一端電極與該第二端電極之間；及一控制電路，其經組態以藉由該複數個長形孔徑控制電極將孔徑控制信號同時施加至該複數個像素之該等電阻式控制閘極，使得施加至該第一端電極及該第二端電極之第一孔徑控制信號及第二孔徑控制信號比施加至該至少一個中心電極之一第三孔徑控制信號更加正電位，藉此引起各該電阻式控制閘極在該相關聯光敏區域中產生一電場，使得藉由第一光部分在各該像素之一第一光敏部分中產生之第一光電子藉由該電場驅動至經定位鄰近各該電阻式控制閘極之該第一端部分之一第一電荷累積區域中，且使得藉由第二光部分在各該像素之一第二光敏部分中產生之第二光電子藉由該電場驅動至經定位鄰近各該電阻式控制閘極之該第二端部分之一第二電荷累積區域中。
  11. 如請求項10之感測器，其進一步包括一讀出電路，該讀出電路包含複數個讀出暫存器，各該讀出暫存器可操作地耦合至該複數個像素之一相關聯像素之該第一轉移閘極，其中該控制電路進一步經組態以致動該複數個像素及該讀出電路，使得在一讀出操作期間藉由該複數個像素之該等第一轉移閘極將該等第一光電子從該等第一電荷累積區域轉移至該複數個讀出暫存器。
  12. 如請求項10之感測器，其中該一或多個中心電極包括至少三個中心電極，且其中該控制電路經組態以產生該等孔徑控制信號，使得藉由第三光部分在各該像素之一第三光敏部分中產生之第三光電子藉由該電場驅動至定位於該第一電荷累積區域與該第二電荷累積區域之間的一第三電荷累積區域中。
  13. 如請求項10之感測器，其中該基板包括磊晶矽層，且其中該感 測器進一步包括形成於該磊晶矽層之該下表面上方之一純硼層。
  14. 如請求項10之感測器，其中該基板包括磊晶矽層，且其中該感測器進一步包括形成於該磊晶矽層之該下表面上方之一抗反射層。
  15. 一種用於檢查或量測一樣本之系統，該系統包括：一照明源，其經組態以產生光；光學器件，其等經組態以將該光從該照明源引導至該樣本，且將光從該樣本引導至一感測器；一感測器，其包含：一基板，其具有一上表面及一對置下表面；複數個像素，其等安置於該基板上，各像素包含附接至該上表面且安置於該基板之一相關聯光敏區域上方的一電阻式控制閘極；至少三個孔徑控制電極，其等跨該複數個像素之各者之該電阻式控制閘極延伸且電連接至該電阻式控制閘極，該至少三個孔徑控制電極包含：第一端電極及第二端電極，其等分別跨各該電阻式控制閘極之對置第一端部分及第二端部分延伸；及一或多個中心電極，其安置於該第一端電極與該第二端電極之間；及一控制電路，其經組態以藉由該至少三個孔徑控制電極將孔徑控制信號同時施加至該複數個像素之該等電阻式控制閘極，使得各該電阻式控制閘極在該相關聯光敏區域中產生一電場，該電場將藉由進入該相關聯光敏區域之光產生之光電子分離成至少兩個部分。
  16. 如請求項15之系統，其中該感測器包括分別安置於該複數個像 素之相對側上之第一讀出電路及第二讀出電路。
  17. 如請求項16之系統，其中該一或多個中心電極包括複數個中心電極，且其中該控制電路經組態以產生該等孔徑控制信號之多個組合使得可藉由從一個該組合改變至另一該組合調整該電場。
  18. 如請求項16之系統，其中該一或多個中心電極包括至少三個中心電極，且其中該控制電路經組態以產生該等孔徑控制信號，使得該等光電子經劃分成至少三個部分。
  19. 如請求項18之系統，其中該等光學器件進一步經組態使得在一第一角度範圍內從該樣本引導至該感測器之第一光部分被引導至各該像素之該相關聯光敏區域之一第一光敏部分中，且使得在一第二角度範圍內從該樣本引導至該感測器之第二光部分被引導至各該像素之該相關聯光敏區域之一第二光敏部分中，且其中該電阻式控制閘極產生該電場，使得藉由該等第一光部分在各該像素之該第一光敏部分中產生之第一光電子藉由該電場驅動至經定位鄰近各該電阻式控制閘極之該第一端部分之一第一電荷累積區域中，且使得藉由該等第二光部分在各該像素之該第二光敏部分中產生之第二光電子藉由該電場偏壓至經定位鄰近各該電阻式控制閘極之該第二端部分之一第二電荷累積區域中。
  20. 如請求項15之系統，其中該基板包括一半導體隔膜，且其中該感測器進一步包括安置於該半導體隔膜之該下表面上之一純硼層。
  21. 如請求項15之系統，其中該基板包括一半導體隔膜，且其中該 感測器進一步包括安置於該半導體隔膜之該下表面上之一抗反射層。
  22. 如請求項15之系統，其中該系統包含經組態以從該樣本接收光之至少兩個感測器。
  23. 如請求項15之系統，其進一步包括一機械孔徑結構，該機械孔徑結構經安置鄰近該基板之一下表面使得來自該樣本之該光之一部分被該機械孔徑結構阻擋，其中該控制電路進一步經組態以根據該機械孔徑結構相對於該感測器之一未對準調整該電場。
  24. 一種檢查一樣本之方法，該方法包括：將輻射引導及聚焦至該樣本上；將從該樣本接收之輻射引導至一線感測器，其中該線感測器包含安置於一基板上之至少一像素，該像素包含附接至該基板之一上表面且安置於該基板之一光敏區域上方的一電阻式控制閘極，且其中引導該經接收輻射包含引起該經引導輻射進入該光敏區域；使用預定孔徑控制信號驅動該電阻式控制閘極，使得該電阻式控制閘極在該光敏區域中產生一電場，該電場將藉由第一光部分在該像素之一第一光敏部分中產生之第一光電子驅動至經定位鄰近該電阻式控制閘極之一第一端部分之一第一電荷累積區域中，且將藉由第二光部分在該像素之一第二光敏部分中產生之第二光電子驅動朝向該電阻式控制閘極之一第二端部分。
  25. 如請求項24之方法，其進一步包括：在一預定週期期間量測累積於該第一電荷累積區域中之該等第一光電子。
  26. 如請求項25之方法，其中引導該輻射進一步包括：產生一共焦影像，該共焦影像包含：從該樣本引導至該像素之該光敏區域 之一第一光敏部分中之第一共焦影像部分；及從該樣本引導至該像素之該光敏區域之一第二光敏部分中之第二共焦影像部分。
  27. 如請求項25之方法，其中引導該輻射進一步包括：將安置於一第一角度範圍內之第一輻射部分從該樣本引導至該像素之該光敏區域之一第一光敏部分中；及將安置於一第二角度範圍內之第二輻射部分從該樣本引導至該像素之該光敏區域之一第二光敏部分中。
  28. 如請求項24之方法，其中驅動該像素之該電阻式控制閘極包括：在接觸該電阻式控制閘極之對置端部分之第一端電極及第二端電極上產生第一孔徑控制信號及第二孔徑控制信號；及在接觸該電阻式控制閘極之一中心部分之至少一個中心電極上產生一第三孔徑控制信號。
  29. 如請求項28之方法，其中驅動該電阻式控制閘極進一步包括：在一第一時間週期期間，產生該第一孔徑控制信號、該第二孔徑控制信號及該第三孔徑控制信號使得該第一孔徑控制信號及該第二孔徑控制信號比該第三孔徑控制信號更加正電位，及在一第二時間週期期間，產生該第一孔徑控制信號、該第二孔徑控制信號及該第三孔徑控制信號使得該第一孔徑控制信號比該第二孔徑控制信號及該第三孔徑控制信號更加正電位。
  30. 如請求項24之方法，其中驅動該像素之該電阻式控制閘極包括：在分別接觸該電阻式控制閘極之對應端部分之第一端電極及第二端電極上產生第一孔徑控制信號及第二孔徑控制信號；及分別在分別接觸該電阻式控制閘極之對應中心部分之第一中心電極、第二中心電極及第三中心電極上產生第三孔徑控制信號、第四孔徑控制信號及第五孔徑控制信號，其中該第一孔徑 控制信號、該第二孔徑控制信號及該第四孔徑控制信號比該第三孔徑控制信號及該第五孔徑控制信號更加正電位，藉此該像素之該電阻式控制閘極在該光敏區域中產生一電場，該電場將該等第一光電子驅動至該第一電荷累積區域中，將該等第二光電子驅動朝向該電阻式控制閘極之該第二端部分，且將藉由第三光部分在該像素之一第三光敏部分中產生之第三光電子驅動至經定位在該電阻式控制閘極之該第一電荷累積區域與該第二端部分之間的一第二電荷累積區域。
  31. 如請求項30之方法，其中引導該輻射進一步包括：將安置於一第一角度範圍內之第一輻射部分從該樣本引導至該像素之該光敏區域之該第一光敏部分中；將安置於一第二角度範圍內之第二輻射部分從該樣本引導朝向該第二端部分；及將安置於一第三角度範圍內之第三輻射部分從該樣本引導至該像素之該光敏區域之該第二光敏部分中。
  32. 如請求項24之方法，其中該線感測器包含安置於該基板之一下表面與該樣本之間的一機械孔徑結構，且其中驅動該電阻式控制閘極包括調整該電場以校正該機械孔徑結構之未對準。
  33. 一種感測器，其包括：一基板，其具有一上表面及一對置下表面；複數個像素，其等安置於該基板上，各像素包含：一電阻式控制閘極，其附接至該上表面且安置於該基板之一相關聯光敏區域上方；及至少一轉移閘極，其經安置鄰近該電阻式控制閘極之一第一端部分；複數個長形孔徑控制電極，其等跨該複數個像素之該等電阻 式控制閘極平行延伸，該複數個長形孔徑控制電極包含：一第一端電極，其接觸各該電阻式控制閘極之該第一端部分；一第二端電極，其接觸各該電阻式控制閘極之一第二端部分；及一或多個中心電極，其接觸各該電阻式控制閘極且安置於該第一端電極與該第二端電極之間；及一控制電路，其經組態以藉由該複數個長形孔徑控制電極將孔徑控制信號同時施加至該複數個像素之該等電阻式控制閘極，使得施加至該第一端電極及該第二端電極之第一孔徑控制信號及第二孔徑控制信號比施加至該至少一個中心電極之一第三孔徑控制信號更加正電位，藉此引起各該電阻式控制閘極在該相關聯光敏區域中產生一電場，使得藉由第一光部分在各該像素之一第一光敏部分中產生之第一光電子藉由該電場驅動至經定位鄰近各該電阻式控制閘極之該第一端部分之一第一電荷累積區域中，且使得藉由第二光部分在各該像素之一第二光敏部分中產生之第二光電子藉由該電場被驅動朝向各該電阻式控制閘極之該第二端部分。
  34. 如請求項33之感測器，其進一步包括一讀出電路，該讀出電路包含複數個讀出暫存器，各該讀出暫存器可操作地耦合至該複數個像素之一相關聯像素之該至少一轉移閘極，其中該控制電路進一步經組態以致動該複數個像素及該讀出電路，使得在一讀出操作期間藉由該複數個像素之該至少一轉移閘極將該等第一光電子從該等第一電荷累積區域轉移至該複數個讀出暫存器。
  35. 如請求項33之感測器，其中該一或多個中心電極包括至少三個中心電極，且其中該控制電路經組態以產生該等孔徑控制信號，使得藉由 第三光部分在各該像素之一第三光敏部分中產生之第三光電子藉由該電場驅動至經定位在該電阻式控制閘極之該第一電荷累積區域與該第二端部分之間的一第二電荷累積區域中。
  36. 如請求項33之感測器，其中該基板包括磊晶矽層，且其中該感測器進一步包括形成於該磊晶矽層之該下表面上方之一純硼層。
  37. 如請求項33之感測器，其中該基板包括磊晶矽層，且其中該感測器進一步包括形成於該磊晶矽層之該下表面上方之一抗反射層。
  38. 一種用於檢查或量測一樣本之系統，該系統包括：一照明源，其經組態以產生光；光學器件，其等經組態以將該光從該照明源引導至該樣本，且將光從該樣本引導至一感測器；一感測器，其包含：一基板，其具有一上表面及一對置下表面；複數個像素，其等安置於該基板上，各像素包含附接至該上表面且安置於該基板之一相關聯光敏區域上方的一電阻式控制閘極；至少三個孔徑控制電極，其等跨該複數個像素之各者之該電阻式控制閘極延伸且電連接至該電阻式控制閘極，該至少三個孔徑控制電極包含：第一端電極及第二端電極，其等分別跨各該電阻式控制閘極之對置第一端部分及第二端部分延伸；及一或多個中心電極，其安置於該第一端電極與該第二端電極之間；一控制電路，其經組態以藉由該至少三個孔徑控制電極將孔徑控制信號同時施加至該複數個像素之該等電阻式控制閘 極，使得各該電阻式控制閘極在該相關聯光敏區域中產生一電場，該電場將藉由進入該相關聯光敏區域之光產生之光電子分離成至少兩個部分；及至少一讀出電路，其經安置於該複數個像素之至少一側上。
  39. 如請求項38之系統，其中該一或多個中心電極包括複數個中心電極，且其中該控制電路經組態以產生該等孔徑控制信號之多個組合使得可藉由從一個該組合改變至另一該組合調整該電場。
  40. 如請求項39之系統，其中該一或多個中心電極包括至少三個中心電極，且其中該控制電路經組態以產生該等孔徑控制信號，使得該等光電子經劃分成至少三個部分。
  41. 如請求項40之系統，其中該等光學器件進一步經組態使得在一第一角度範圍內從該樣本引導至該感測器之第一光部分被引導至各該像素之該相關聯光敏區域之一第一光敏部分中，且使得在一第二角度範圍內從該樣本引導至該感測器之第二光部分被引導至各該像素之該相關聯光敏區域之一第二光敏部分中，且其中該電阻式控制閘極產生該電場，使得藉由該等第一光部分在各該像素之該第一光敏部分中產生之第一光電子藉由該電場驅動至經定位鄰近各該電阻式控制閘極之該第一端部分之一第一電荷累積區域中，且使得藉由該等第二光部分在各該像素之該第二光敏部分中產生之第二光電子藉由該電場經偏壓朝向該電阻式控制閘極之該第二端部分。
  42. 如請求項38之系統，其中該基板包括一半導體隔膜，且其中該 感測器進一步包括安置於該半導體隔膜之該下表面上之一純硼層。
  43. 如請求項38之系統，其進一步包括一機械孔徑結構，該機械孔徑結構經安置鄰近該基板之一下表面使得來自該樣本之該光之一部分被該機械孔徑結構阻擋，其中該控制電路進一步經組態以根據該機械孔徑結構相對於該感測器之一未對準調整該電場。
TW105114961A 2015-05-14 2016-05-13 用於檢查之感測器、方法及系統 TWI692628B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562161450P 2015-05-14 2015-05-14
US62/161,450 2015-05-14
US201562172242P 2015-06-08 2015-06-08
US62/172,242 2015-06-08
US15/153,543 2016-05-12
US15/153,543 US9860466B2 (en) 2015-05-14 2016-05-12 Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201704728A TW201704728A (zh) 2017-02-01
TWI692628B true TWI692628B (zh) 2020-05-01

Family

ID=57249396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105114961A TWI692628B (zh) 2015-05-14 2016-05-13 用於檢查之感測器、方法及系統

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9860466B2 (zh)
JP (2) JP6682558B2 (zh)
KR (1) KR102284002B1 (zh)
CN (2) CN110062180B (zh)
IL (1) IL255230B (zh)
TW (1) TWI692628B (zh)
WO (1) WO2016183451A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9860466B2 (en) * 2015-05-14 2018-01-02 Kla-Tencor Corporation Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems
JP6279013B2 (ja) * 2016-05-26 2018-02-14 Ckd株式会社 三次元計測装置
US11662646B2 (en) 2017-02-05 2023-05-30 Kla Corporation Inspection and metrology using broadband infrared radiation
CN109425619B (zh) * 2017-08-31 2021-12-28 深圳中科飞测科技股份有限公司 光学测量系统及方法
JP2019191167A (ja) * 2018-04-23 2019-10-31 ブルカー ジェイヴィ イスラエル リミテッドＢｒｕｋｅｒ Ｊｖ Ｉｓｒａｅｌ Ｌｔｄ． 小角ｘ線散乱測定用のｘ線源光学系
KR102139988B1 (ko) * 2018-07-12 2020-07-31 한국표준과학연구원 수직입사 타원계측기 및 이를 이용한 시편의 광물성 측정 방법
US11703464B2 (en) 2018-07-28 2023-07-18 Bruker Technologies Ltd. Small-angle x-ray scatterometry
US10705026B2 (en) * 2018-10-26 2020-07-07 Kla Corporation Scanning differential interference contrast in an imaging system design
KR20200060624A (ko) 2018-11-22 2020-06-01 삼성전자주식회사 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
CN109297991B (zh) * 2018-11-26 2019-12-17 深圳市麓邦技术有限公司 一种玻璃表面缺陷检测系统及方法
US10921261B2 (en) 2019-05-09 2021-02-16 Kla Corporation Strontium tetraborate as optical coating material
JP2020204579A (ja) 2019-06-18 2020-12-24 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 ウェハの表面検査方法、表面検査装置、および電子部品の製造方法
CN110632973B (zh) * 2019-09-24 2021-07-09 中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所 一种电磁辐射控制方法及其装置
CN111229335B (zh) * 2020-01-17 2021-11-30 上海新微技术研发中心有限公司 光波导微流体芯片的制造方法
US20230060883A1 (en) * 2020-03-31 2023-03-02 Hitachi High-Tech Corporation Defect inspection apparatus and defect inspection method
CN112665514B (zh) * 2021-01-11 2022-09-20 成都工业职业技术学院 一种自动定心、高速检测机械零件孔间距的装置
US11781999B2 (en) 2021-09-05 2023-10-10 Bruker Technologies Ltd. Spot-size control in reflection-based and scatterometry-based X-ray metrology systems

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6064759A (en) * 1996-11-08 2000-05-16 Buckley; B. Shawn Computer aided inspection machine
US20090108207A1 (en) * 2007-10-29 2009-04-30 Xinqiao Liu CMOS Sensor Adapted for Dental X-Ray Imaging
US20130009069A1 (en) * 2011-07-07 2013-01-10 Fujifilm Corporation Radiation detector, radiographic imaging device and radiographic imaging system
US20130176552A1 (en) * 2011-09-21 2013-07-11 Kla-Tencor Corporation Interposer based imaging sensor for high-speed image acquisition and inspection systems
US20130336574A1 (en) * 2012-06-14 2013-12-19 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for inspecting extreme ultra violet reticles

Family Cites Families (248)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3870917A (en) 1971-05-10 1975-03-11 Itt Discharge device including channel type electron multiplier having ion adsorptive layer
GB1444951A (en) 1973-06-18 1976-08-04 Mullard Ltd Electronic solid state devices
GB1536412A (en) 1975-05-14 1978-12-20 English Electric Valve Co Ltd Photocathodes
US4210922A (en) 1975-11-28 1980-07-01 U.S. Philips Corporation Charge coupled imaging device having selective wavelength sensitivity
NL7611593A (nl) 1976-10-20 1978-04-24 Optische Ind De Oude Delft Nv Werkwijze voor het in een beeldversterkerbuis aanbrengen van een lichtabsorberende, voor elek- tronen doorlaatbare laag.
US4106046A (en) 1977-01-26 1978-08-08 Westinghouse Electric Corp. Radiant energy sensor
US4280141A (en) 1978-09-22 1981-07-21 Mccann David H Time delay and integration detectors using charge transfer devices
JPS58146B2 (ja) 1980-10-14 1983-01-05 浜松テレビ株式会社 フレ−ミング管
US4348690A (en) 1981-04-30 1982-09-07 Rca Corporation Semiconductor imagers
US4644221A (en) 1981-05-06 1987-02-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Variable sensitivity transmission mode negative electron affinity photocathode
US4382267A (en) 1981-09-24 1983-05-03 Rca Corporation Digital control of number of effective rows of two-dimensional charge-transfer imager array
US4580155A (en) 1982-12-21 1986-04-01 Northern Telecom Limited Deep depletion CCD imager
US4555731A (en) 1984-04-30 1985-11-26 Polaroid Corporation Electronic imaging camera with microchannel plate
US4760031A (en) 1986-03-03 1988-07-26 California Institute Of Technology Producing CCD imaging sensor with flashed backside metal film
US4853595A (en) 1987-08-31 1989-08-01 Alfano Robert R Photomultiplier tube having a transmission strip line photocathode and system for use therewith
US5483378A (en) 1988-04-19 1996-01-09 Litton Systems, Inc. Fault tolerant anti-reflective coatings
US4999014A (en) 1989-05-04 1991-03-12 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for measuring thickness of thin films
NL8902271A (nl) 1989-09-12 1991-04-02 Philips Nv Werkwijze voor het verbinden van twee lichamen.
US5120949A (en) 1991-01-17 1992-06-09 Burle Technologies, Inc. Semiconductor anode photomultiplier tube
US5144630A (en) 1991-07-29 1992-09-01 Jtt International, Inc. Multiwavelength solid state laser using frequency conversion techniques
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
US5440648A (en) 1991-11-19 1995-08-08 Dalsa, Inc. High speed defect detection apparatus having defect detection circuits mounted in the camera housing
US5181080A (en) 1991-12-23 1993-01-19 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for evaluating the thickness of thin films
US5376810A (en) 1992-06-26 1994-12-27 California Institute Of Technology Growth of delta-doped layers on silicon CCD/S for enhanced ultraviolet response
US5227313A (en) 1992-07-24 1993-07-13 Eastman Kodak Company Process for making backside illuminated image sensors
US5315126A (en) 1992-10-13 1994-05-24 Itt Corporation Highly doped surface layer for negative electron affinity devices
US5428392A (en) 1992-11-20 1995-06-27 Picker International, Inc. Strobing time-delayed and integration video camera system
US5475227A (en) 1992-12-17 1995-12-12 Intevac, Inc. Hybrid photomultiplier tube with ion deflector
US5326978A (en) 1992-12-17 1994-07-05 Intevac, Inc. Focused electron-bombarded detector
US5760809A (en) 1993-03-19 1998-06-02 Xerox Corporation Recording sheets containing phosphonium compounds
FI940740A0 (fi) 1994-02-17 1994-02-17 Arto Salokatve Detektor foer paovisning av fotoner eller partiklar, foerfarande foer framstaellning av detektorn och maetningsfoerfarande
US6271916B1 (en) 1994-03-24 2001-08-07 Kla-Tencor Corporation Process and assembly for non-destructive surface inspections
US5493176A (en) 1994-05-23 1996-02-20 Siemens Medical Systems, Inc. Photomultiplier tube with an avalanche photodiode, a flat input end and conductors which simulate the potential distribution in a photomultiplier tube having a spherical-type input end
EP0716299A4 (en) 1994-06-27 1998-03-04 Furukawa Electric Co Ltd DEVICE FOR DETECTING FOREIGN BODIES IN A LIQUID
US20080315092A1 (en) 1994-07-28 2008-12-25 General Nanotechnology Llc Scanning probe microscopy inspection and modification system
EP0702221A3 (en) 1994-09-14 1997-05-21 Delco Electronics Corp Sensor integrated on a chip
US5608526A (en) 1995-01-19 1997-03-04 Tencor Instruments Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system
JPH08241977A (ja) 1995-03-03 1996-09-17 Hamamatsu Photonics Kk 半導体装置の製造方法
FR2733111B1 (fr) 1995-04-11 1997-05-23 Thomson Csf Procede de detection a cycles d'integration et de lecture repartis pour camera a balayage, et barrette de detection correspondante
DE59611314D1 (de) 1995-05-19 2006-01-26 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Strahlungsempfindliches detektorelement
JP3405620B2 (ja) 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
US6362484B1 (en) 1995-07-14 2002-03-26 Imec Vzw Imager or particle or radiation detector and method of manufacturing the same
US5731584A (en) 1995-07-14 1998-03-24 Imec Vzw Position sensitive particle sensor and manufacturing method therefor
US5754228A (en) * 1995-09-25 1998-05-19 Lockhead Martin Corporation Rapid-sequence full-frame CCD sensor
AU3376597A (en) 1996-06-04 1998-01-05 Tencor Instruments Optical scanning system for surface inspection
US5999310A (en) 1996-07-22 1999-12-07 Shafer; David Ross Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability
US5717518A (en) 1996-07-22 1998-02-10 Kla Instruments Corporation Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system
US5877859A (en) 1996-07-24 1999-03-02 Therma-Wave, Inc. Broadband spectroscopic rotating compensator ellipsometer
US5742626A (en) 1996-08-14 1998-04-21 Aculight Corporation Ultraviolet solid state laser, method of using same and laser surgery apparatus
US5760899A (en) 1996-09-04 1998-06-02 Erim International, Inc. High-sensitivity multispectral sensor
US5940685A (en) 1996-10-28 1999-08-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Fabrication of UV-sensitive back illuminated CCD image sensors
JPH10171965A (ja) 1996-12-05 1998-06-26 Toshiba Corp 積算型エリアセンサの画像入力方法及びその装置
EP1012786A1 (en) 1997-02-21 2000-06-28 The Board of Regents of the University and Community College System of Nevada on Behalf of the University Nevada-Reno Method and system for computerized high-rate image processing
DE19714221A1 (de) 1997-04-07 1998-10-08 Zeiss Carl Fa Konfokales Mikroskop mit einem motorischen Scanningtisch
US5965910A (en) 1997-04-29 1999-10-12 Ohmeda Inc. Large cell charge coupled device for spectroscopy
US6278519B1 (en) 1998-01-29 2001-08-21 Therma-Wave, Inc. Apparatus for analyzing multi-layer thin film stacks on semiconductors
US6107619A (en) 1997-07-14 2000-08-22 California Institute Of Technology Delta-doped hybrid advanced detector for low energy particle detection
US6608676B1 (en) 1997-08-01 2003-08-19 Kla-Tencor Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface
US6201601B1 (en) 1997-09-19 2001-03-13 Kla-Tencor Corporation Sample inspection system
US6403963B1 (en) 1997-09-29 2002-06-11 California Institute Of Technology Delta-doped CCD's as low-energy particle detectors and imagers
US6278119B1 (en) 1997-10-21 2001-08-21 California Institute Of Technology Using a delta-doped CCD to determine the energy of a low-energy particle
JPH11153516A (ja) 1997-11-21 1999-06-08 Toppan Printing Co Ltd 画像撮像装置
US6297879B1 (en) 1998-02-27 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Inspection method and apparatus for detecting defects on photomasks
JP2882409B1 (ja) 1998-04-24 1999-04-12 株式会社東京精密 外観検査装置
US6162707A (en) 1998-05-18 2000-12-19 The Regents Of The University Of California Low work function, stable thin films
DE19829172A1 (de) 1998-06-30 2000-01-05 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung von Antireflexschichten
US6373869B1 (en) 1998-07-30 2002-04-16 Actinix System and method for generating coherent radiation at ultraviolet wavelengths
US9029793B2 (en) 1998-11-05 2015-05-12 Siemens Aktiengesellschaft Imaging device
US6013399A (en) 1998-12-04 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Reworkable EUV mask materials
US6867406B1 (en) 1999-03-23 2005-03-15 Kla-Tencor Corporation Confocal wafer inspection method and apparatus using fly lens arrangement
US7339568B2 (en) * 1999-04-16 2008-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Signal transmission film and a liquid crystal display panel having the same
US6535531B1 (en) 2001-11-29 2003-03-18 Cymer, Inc. Gas discharge laser with pulse multiplier
US6657178B2 (en) 1999-07-20 2003-12-02 Intevac, Inc. Electron bombarded passive pixel sensor imaging
US6307586B1 (en) 1999-07-20 2001-10-23 Intevac, Inc. Electron bombarded active pixel sensor camera incorporating gain control
US6285018B1 (en) 1999-07-20 2001-09-04 Intevac, Inc. Electron bombarded active pixel sensor
CN1214466C (zh) * 1999-07-26 2005-08-10 埃德茨医疗设备有限公司 用于x－射线成像的数字检测器
US6429943B1 (en) 2000-03-29 2002-08-06 Therma-Wave, Inc. Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements
US6711283B1 (en) 2000-05-03 2004-03-23 Aperio Technologies, Inc. Fully automatic rapid microscope slide scanner
JP2002033473A (ja) 2000-07-17 2002-01-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体装置
US6879390B1 (en) 2000-08-10 2005-04-12 Kla-Tencor Technologies Corporation Multiple beam inspection apparatus and method
US6507147B1 (en) 2000-08-31 2003-01-14 Intevac, Inc. Unitary vacuum tube incorporating high voltage isolation
US7136159B2 (en) 2000-09-12 2006-11-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Excimer laser inspection system
US7046283B1 (en) 2000-10-11 2006-05-16 Dalsa, Inc. Arrangements of clock line drivers
JP2002184302A (ja) 2000-12-18 2002-06-28 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光電陰極
KR20020084541A (ko) 2001-05-02 2002-11-09 (주)한비젼 이동형 단말기기에 적용 가능한 초박형 영상모듈의 구현
US7009163B2 (en) 2001-06-22 2006-03-07 Orbotech Ltd. High-sensitivity optical scanning using memory integration
US6545281B1 (en) 2001-07-06 2003-04-08 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Pocked surface neutron detector
JP3573725B2 (ja) 2001-08-03 2004-10-06 川崎重工業株式会社 Ｘ線顕微鏡装置
US6900888B2 (en) 2001-09-13 2005-05-31 Hitachi High-Technologies Corporation Method and apparatus for inspecting a pattern formed on a substrate
US7015452B2 (en) 2001-10-09 2006-03-21 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Intensified hybrid solid-state sensor
US6747258B2 (en) 2001-10-09 2004-06-08 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Intensified hybrid solid-state sensor with an insulating layer
US7233350B2 (en) 2002-01-05 2007-06-19 Candela Microsystems, Inc. Image sensor with interleaved image output
EP1444718A4 (en) 2001-11-13 2005-11-23 Nanosciences Corp PHOTO CATHODE
JP4068340B2 (ja) 2001-12-17 2008-03-26 エルピーダメモリ株式会社 半導体集積回路装置
FR2834345B1 (fr) 2001-12-27 2004-03-26 Essilor Int Article d'optique comportant une lame quart d'onde et son procede de fabrication
US7130039B2 (en) 2002-04-18 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Simultaneous multi-spot inspection and imaging
JP4165129B2 (ja) 2002-06-21 2008-10-15 三菱電機株式会社 裏面入射型固体撮像素子
US7408683B2 (en) 2002-07-15 2008-08-05 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Image sensor for reading image and image reading apparatus including the image sensor
US20040012684A1 (en) 2002-07-16 2004-01-22 Fairchild Imaging Image reconstruction techniques for charge coupled devices
US20040021061A1 (en) 2002-07-30 2004-02-05 Frederik Bijkerk Photodiode, charged-coupled device and method for the production
US7446474B2 (en) 2002-10-10 2008-11-04 Applied Materials, Inc. Hetero-junction electron emitter with Group III nitride and activated alkali halide
US7283166B1 (en) 2002-10-15 2007-10-16 Lockheed Martin Corporation Automatic control method and system for electron bombarded charge coupled device (“EBCCD”) sensor
US7126699B1 (en) 2002-10-18 2006-10-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for multi-dimensional metrology and/or inspection of a specimen
US7005637B2 (en) 2003-01-31 2006-02-28 Intevac, Inc. Backside thinning of image array devices
US6990385B1 (en) 2003-02-03 2006-01-24 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection using multiple sensors and parallel processing
GB2398118B (en) 2003-02-07 2006-03-15 Imp College Innovations Ltd Photon arrival time detection
US7141785B2 (en) 2003-02-13 2006-11-28 Micromass Uk Limited Ion detector
US7957066B2 (en) 2003-02-21 2011-06-07 Kla-Tencor Corporation Split field inspection system using small catadioptric objectives
US7227984B2 (en) 2003-03-03 2007-06-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for identifying defects in a substrate surface by using dithering to reconstruct under-sampled images
JP2005055196A (ja) * 2003-08-05 2005-03-03 Olympus Corp 基板検査方法及びその装置
US7813406B1 (en) 2003-10-15 2010-10-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Temporal laser pulse manipulation using multiple optical ring-cavities
JP2005158780A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
US7023126B2 (en) 2003-12-03 2006-04-04 Itt Manufacturing Enterprises Inc. Surface structures for halo reduction in electron bombarded devices
JP4311181B2 (ja) 2003-12-05 2009-08-12 ソニー株式会社 半導体装置の制御方法および信号処理方法並びに半導体装置および電子機器
US7321468B2 (en) 2003-12-15 2008-01-22 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Method and optical arrangement for beam guiding of a light beam with beam delay
JP2005241290A (ja) 2004-02-24 2005-09-08 Toshiba Corp 画像入力装置及び検査装置
JP4365255B2 (ja) 2004-04-08 2009-11-18 浜松ホトニクス株式会社 発光体と、これを用いた電子線検出器、走査型電子顕微鏡及び質量分析装置
US7301263B2 (en) 2004-05-28 2007-11-27 Applied Materials, Inc. Multiple electron beam system with electron transmission gates
KR100688497B1 (ko) 2004-06-28 2007-03-02 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
US7141791B2 (en) 2004-09-07 2006-11-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and method for E-beam dark field imaging
JP4500641B2 (ja) 2004-09-29 2010-07-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法およびその装置
US7455565B2 (en) 2004-10-13 2008-11-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Fabrication of group III-nitride photocathode having Cs activation layer
JP4185037B2 (ja) 2004-10-14 2008-11-19 株式会社東芝 欠陥検査装置
US7609309B2 (en) 2004-11-18 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Continuous clocking of TDI sensors
US7952633B2 (en) 2004-11-18 2011-05-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus for continuous clocking of TDI sensors
US7432517B2 (en) 2004-11-19 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Pulse modifier, lithographic apparatus, and device manufacturing method
WO2006076671A2 (en) 2005-01-13 2006-07-20 Whitehead Institute For Biomedical Research Method and apparatus for uv imaging
JP4751617B2 (ja) 2005-01-21 2011-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
JP4713185B2 (ja) 2005-03-11 2011-06-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物欠陥検査方法及びその装置
US7485486B2 (en) 2005-03-18 2009-02-03 Intersil Americas Inc. Photodiode for multiple wavelength operation
EP1716964B1 (en) 2005-04-28 2009-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device and laser irradiation apparatus
US7531826B2 (en) 2005-06-01 2009-05-12 Intevac, Inc. Photocathode structure and operation
US7345825B2 (en) 2005-06-30 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system
US7655493B2 (en) * 2005-07-14 2010-02-02 Fairchild Imaging, Inc Multi spectral sensor
JP5063875B2 (ja) 2005-07-27 2012-10-31 パナソニック株式会社 光半導体装置の製造方法
JP5403852B2 (ja) 2005-08-12 2014-01-29 株式会社荏原製作所 検出装置及び検査装置
WO2007032217A1 (ja) 2005-09-16 2007-03-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. コンポジット材料、及びこれを用いた光学部品
JP4925085B2 (ja) 2005-09-20 2012-04-25 株式会社メガオプト 深紫外レーザー光の発生方法および深紫外レーザー装置
US7786422B2 (en) 2005-09-21 2010-08-31 Rjs Technology, Inc. System and method for a high dynamic range sensitive sensor element or array
JP4939033B2 (ja) 2005-10-31 2012-05-23 浜松ホトニクス株式会社 光電陰極
JP2007133102A (ja) 2005-11-09 2007-05-31 Canon Inc 反射防止膜を有する光学素子及びそれを有する露光装置
US7247835B2 (en) 2005-12-20 2007-07-24 Keng Yeam Chang Optical navigation device, and method for manufacturing same
US7528943B2 (en) 2005-12-27 2009-05-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for simultaneous high-speed acquisition of multiple images
JP4888081B2 (ja) 2006-01-23 2012-02-29 セイコーエプソン株式会社 撮像装置、撮像方法、撮像システム及び画像処理装置
KR100768200B1 (ko) 2006-02-01 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 광학 필터 및 이를 채용한 플라즈마 디스플레이 패널
JP4992446B2 (ja) 2006-02-24 2012-08-08 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ
JP2007251463A (ja) 2006-03-15 2007-09-27 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
US7598178B2 (en) 2006-03-24 2009-10-06 Applied Materials, Inc. Carbon precursors for use during silicon epitaxial film formation
US7843029B2 (en) * 2006-03-31 2010-11-30 National University Corporation Shizuoka University Semiconductor range-finding element and solid-state imaging device
WO2007146938A2 (en) 2006-06-13 2007-12-21 Invent Technologies Llc Apparatus and method for deep ultraviolet optical microscopy
US7457330B2 (en) 2006-06-15 2008-11-25 Pavilion Integration Corporation Low speckle noise monolithic microchip RGB lasers
JP4695552B2 (ja) 2006-06-28 2011-06-08 富士フイルム株式会社 画像処理装置及び方法
US8482197B2 (en) 2006-07-05 2013-07-09 Hamamatsu Photonics K.K. Photocathode, electron tube, field assist type photocathode, field assist type photocathode array, and field assist type electron tube
US7791170B2 (en) 2006-07-10 2010-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of making a deep junction for electrical crosstalk reduction of an image sensor
JP2008096430A (ja) 2006-09-13 2008-04-24 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法およびその装置
US20080068593A1 (en) 2006-09-13 2008-03-20 Hiroyuki Nakano Method and apparatus for detecting defects
US7817197B2 (en) 2006-09-21 2010-10-19 Mediatek Singapore Pte Ltd Optical black calibration
US7800040B2 (en) 2006-09-21 2010-09-21 California Institute Of Technology Method for growing a back surface contact on an imaging detector used in conjunction with back illumination
US7675561B2 (en) 2006-09-28 2010-03-09 Cypress Semiconductor Corporation Time delayed integration CMOS image sensor with zero desynchronization
KR100826407B1 (ko) 2006-10-12 2008-05-02 삼성전기주식회사 자외선 수광용 포토 다이오드 및 이를 포함하는 이미지센서
KR100874954B1 (ko) 2006-12-04 2008-12-19 삼성전자주식회사 후면 수광 이미지 센서
JP5342769B2 (ja) 2006-12-28 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 光電陰極、電子管及び光電子増倍管
US20080173903A1 (en) 2006-12-28 2008-07-24 Fujifilm Corporation Solid-state image pickup element
JP4742057B2 (ja) * 2007-02-21 2011-08-10 富士フイルム株式会社 裏面照射型固体撮像素子
JP2008224303A (ja) 2007-03-09 2008-09-25 Toray Eng Co Ltd 自動外観検査装置
US8755417B1 (en) 2007-04-16 2014-06-17 Kla-Tencor Corporation Coherent light generation below about two-hundred nanometers
US20110073982A1 (en) 2007-05-25 2011-03-31 Armstrong J Joseph Inspection system using back side illuminated linear sensor
US7586108B2 (en) 2007-06-25 2009-09-08 Asml Netherlands B.V. Radiation detector, method of manufacturing a radiation detector and lithographic apparatus comprising a radiation detector
US8138485B2 (en) 2007-06-25 2012-03-20 Asml Netherlands B.V. Radiation detector, method of manufacturing a radiation detector, and lithographic apparatus comprising a radiation detector
DE102007030985B4 (de) 2007-07-04 2009-04-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bildsensor, Verfahren zum Betreiben eines Bildsensors und Computerprogramm
US8848199B2 (en) 2007-07-10 2014-09-30 Massachusetts Institute Of Technology Tomographic phase microscopy
US8325337B2 (en) 2007-07-13 2012-12-04 Purdue Research Foundation Time resolved raman spectroscopy
US8126255B2 (en) 2007-09-20 2012-02-28 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions
JP5039495B2 (ja) 2007-10-04 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 マスクブランク検査方法、反射型露光マスクの製造方法、反射型露光方法および半導体集積回路の製造方法
US7525649B1 (en) 2007-10-19 2009-04-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Surface inspection system using laser line illumination with two dimensional imaging
JP5132262B2 (ja) 2007-11-02 2013-01-30 三菱電機株式会社 裏面入射型リニアイメージセンサ、その駆動方法、及びその製造方法
US7838833B1 (en) 2007-11-30 2010-11-23 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and method for e-beam dark imaging with perspective control
US20090147255A1 (en) * 2007-12-07 2009-06-11 Erington Kent B Method for testing a semiconductor device and a semiconductor device testing system
IL188825A0 (en) 2008-01-16 2008-11-03 Orbotech Ltd Inspection of a substrate using multiple cameras
US7741666B2 (en) 2008-02-08 2010-06-22 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated imaging sensor with backside P+ doped layer
GB0802478D0 (en) 2008-02-11 2008-03-19 Cmosis Nv Tiem delay integration in imaging device
US7714287B1 (en) 2008-06-05 2010-05-11 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for obtaining topographical dark-field images in a scanning electron microscope
US8471939B2 (en) 2008-08-01 2013-06-25 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having multiple sensing layers
US7723686B2 (en) 2008-08-14 2010-05-25 Hanvision Co., Ltd. Image sensor for detecting wide spectrum and method of manufacturing the same
US20120170021A1 (en) 2008-09-02 2012-07-05 Phillip Walsh Method and apparatus for providing multiple wavelength reflectance magnitude and phase for a sample
US7875948B2 (en) 2008-10-21 2011-01-25 Jaroslav Hynecek Backside illuminated image sensor
US7880127B2 (en) 2008-10-27 2011-02-01 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Apparatus and method for aligning an image sensor including a header alignment means
US8017427B2 (en) 2008-12-31 2011-09-13 Omnivision Technologies, Inc. Backside-illuminated (BSI) image sensor with backside diffusion doping
WO2010085478A1 (en) 2009-01-22 2010-07-29 Bae Systems Information And Electronic Systems Inc. Corner cube enhanced photocathode
US8624971B2 (en) 2009-01-23 2014-01-07 Kla-Tencor Corporation TDI sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection
US8175373B2 (en) 2009-02-16 2012-05-08 Kla-Tencor Corporation Use of design information and defect image information in defect classification
US7985658B2 (en) 2009-06-08 2011-07-26 Aptina Imaging Corporation Method of forming substrate for use in imager devices
WO2010148293A2 (en) 2009-06-19 2010-12-23 Kla-Tencor Corporation Euv high throughput inspection system for defect detection on patterned euv masks, mask blanks, and wafers
WO2010149403A1 (en) 2009-06-22 2010-12-29 Asml Netherlands B.V. Object inspection systems and methods
WO2011009065A2 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Kla-Tencor Corporation Charged-particle energy analyzer
US20110019044A1 (en) 2009-07-21 2011-01-27 Weng-Lyang Wang Time Delay Integration Based MOS Photoelectric Pixel Sensing Circuit
US9023152B2 (en) 2009-09-17 2015-05-05 Kla-Tencor Corporation CLBO crystal growth
CN102035085B (zh) 2009-10-08 2014-03-05 群康科技(深圳)有限公司 导电结构及其制造方法
US8629384B1 (en) 2009-10-26 2014-01-14 Kla-Tencor Corporation Photomultiplier tube optimized for surface inspection in the ultraviolet
WO2011081892A2 (en) 2009-12-15 2011-07-07 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Radiation detection system and method of analyzing an electrical pulse output by a radiation detector
EP2346094A1 (en) 2010-01-13 2011-07-20 FEI Company Method of manufacturing a radiation detector
WO2011091159A1 (en) 2010-01-21 2011-07-28 Roper Scientific, Inc. Solid state back- illuminated photon sensor and its method of fabrication
WO2011091305A2 (en) 2010-01-22 2011-07-28 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Inhibition of axl signaling in anti-metastatic therapy
JP5304674B2 (ja) 2010-02-02 2013-10-02 富士通株式会社 データ変換装置、データ変換方法及びプログラム
US8558234B2 (en) 2010-02-11 2013-10-15 California Institute Of Technology Low voltage low light imager and photodetector
JP2011171467A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Seiko Epson Corp 固体撮像素子及びその駆動方法
JP2013524217A (ja) 2010-03-29 2013-06-17 インテヴァック インコーポレイテッド 時間分解フォトルミネッセンス撮像システム及び光電池検査方法
US8451354B2 (en) 2010-05-17 2013-05-28 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives TDI image sensor in CMOS technology with high video capture rate
US8269223B2 (en) 2010-05-27 2012-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Polarization enhanced avalanche photodetector and method thereof
US8310021B2 (en) 2010-07-13 2012-11-13 Honeywell International Inc. Neutron detector with wafer-to-wafer bonding
WO2012021311A2 (en) 2010-08-08 2012-02-16 Kla-Tencor Corporation Dynamic wavefront control of a frequency converted laser system
US8669512B2 (en) 2010-12-28 2014-03-11 Technion Research & Development Foundation Limited System and method for analyzing light by three-photon counting
US8513587B2 (en) 2011-01-24 2013-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor with anti-reflection layer and method of manufacturing the same
US8455971B2 (en) 2011-02-14 2013-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for improving charge transfer in backside illuminated image sensor
JP2012189385A (ja) 2011-03-09 2012-10-04 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置の保守方法
US9279774B2 (en) 2011-07-12 2016-03-08 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection
ITTO20110649A1 (it) 2011-07-19 2013-01-20 St Microelectronics Srl Dispositivo di fotorivelazione con copertura protettiva e antiriflesso, e relativo metodo di fabbricazione
US8873596B2 (en) 2011-07-22 2014-10-28 Kla-Tencor Corporation Laser with high quality, stable output beam, and long life high conversion efficiency non-linear crystal
US8871557B2 (en) 2011-09-02 2014-10-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Photomultiplier and manufacturing method thereof
US9076639B2 (en) 2011-09-07 2015-07-07 Kla-Tencor Corporation Transmissive-reflective photocathode
US20130077086A1 (en) 2011-09-23 2013-03-28 Kla-Tencor Corporation Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser
US8872159B2 (en) 2011-09-29 2014-10-28 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Graphene on semiconductor detector
US9250178B2 (en) 2011-10-07 2016-02-02 Kla-Tencor Corporation Passivation of nonlinear optical crystals
US9228943B2 (en) 2011-10-27 2016-01-05 Kla-Tencor Corporation Dynamically adjustable semiconductor metrology system
US10197501B2 (en) 2011-12-12 2019-02-05 Kla-Tencor Corporation Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors
US9389166B2 (en) 2011-12-16 2016-07-12 Kla-Tencor Corporation Enhanced high-speed logarithmic photo-detector for spot scanning system
US8754972B2 (en) 2012-02-01 2014-06-17 Kla-Tencor Corporation Integrated multi-channel analog front end and digitizer for high speed imaging applications
JP2013175951A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Honda Motor Co Ltd 画素駆動装置及び画素駆動方法
KR102094738B1 (ko) * 2012-03-20 2020-03-31 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 Ｐｎ-구조의 게이트 복조 화소
US9496425B2 (en) 2012-04-10 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Back-illuminated sensor with boron layer
US10079257B2 (en) 2012-04-13 2018-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Anti-reflective layer for backside illuminated CMOS image sensors
US20130313440A1 (en) 2012-05-22 2013-11-28 Kla-Tencor Corporation Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser
KR101914231B1 (ko) 2012-05-30 2018-11-02 삼성디스플레이 주식회사 주사 전자 현미경을 이용한 검사 시스템
US8658973B2 (en) 2012-06-12 2014-02-25 Kla-Tencor Corporation Auger elemental identification algorithm
NL2011568A (en) 2012-10-31 2014-05-06 Asml Netherlands Bv Sensor and lithographic apparatus.
US8921782B2 (en) 2012-11-30 2014-12-30 Kla-Tencor Corporation Tilt-imaging scanning electron microscope
US9426400B2 (en) 2012-12-10 2016-08-23 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination
US8912615B2 (en) 2013-01-24 2014-12-16 Osi Optoelectronics, Inc. Shallow junction photodiode for detecting short wavelength light
US8929406B2 (en) 2013-01-24 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation 193NM laser and inspection system
US9529182B2 (en) 2013-02-13 2016-12-27 KLA—Tencor Corporation 193nm laser and inspection system
US9608399B2 (en) 2013-03-18 2017-03-28 Kla-Tencor Corporation 193 nm laser and an inspection system using a 193 nm laser
US9478402B2 (en) 2013-04-01 2016-10-25 Kla-Tencor Corporation Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor
US11180866B2 (en) 2013-04-10 2021-11-23 Kla Corporation Passivation of nonlinear optical crystals
US9350921B2 (en) 2013-06-06 2016-05-24 Mitutoyo Corporation Structured illumination projection with enhanced exposure control
JP6348272B2 (ja) * 2013-11-05 2018-06-27 浜松ホトニクス株式会社 電荷結合素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置
US9927371B2 (en) 2014-04-22 2018-03-27 Kla-Tencor Corporation Confocal line inspection optical system
US9748729B2 (en) 2014-10-03 2017-08-29 Kla-Tencor Corporation 183NM laser and inspection system
US9860466B2 (en) * 2015-05-14 2018-01-02 Kla-Tencor Corporation Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6064759A (en) * 1996-11-08 2000-05-16 Buckley; B. Shawn Computer aided inspection machine
US20090108207A1 (en) * 2007-10-29 2009-04-30 Xinqiao Liu CMOS Sensor Adapted for Dental X-Ray Imaging
US20130009069A1 (en) * 2011-07-07 2013-01-10 Fujifilm Corporation Radiation detector, radiographic imaging device and radiographic imaging system
US20130176552A1 (en) * 2011-09-21 2013-07-11 Kla-Tencor Corporation Interposer based imaging sensor for high-speed image acquisition and inspection systems
US20130336574A1 (en) * 2012-06-14 2013-12-19 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for inspecting extreme ultra violet reticles

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170141806A (ko) 2017-12-26
WO2016183451A1 (en) 2016-11-17
JP2018517902A (ja) 2018-07-05
TW201704728A (zh) 2017-02-01
JP6682558B2 (ja) 2020-04-15
JP6789428B2 (ja) 2020-11-25
JP2020112570A (ja) 2020-07-27
US20180070040A1 (en) 2018-03-08
CN107548554A (zh) 2018-01-05
IL255230B (en) 2019-12-31
US20160334342A1 (en) 2016-11-17
CN110062180B (zh) 2020-10-09
IL255230A0 (en) 2017-12-31
US9860466B2 (en) 2018-01-02
US10194108B2 (en) 2019-01-29
CN110062180A (zh) 2019-07-26
CN107548554B (zh) 2019-04-23
KR102284002B1 (ko) 2021-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI692628B (zh) 用於檢查之感測器、方法及系統
CN110313059B (zh) 用于测量厚膜和高长宽比结构的方法和系统
US9645097B2 (en) In-line wafer edge inspection, wafer pre-alignment, and wafer cleaning
US9915622B2 (en) Wafer inspection
US6597006B1 (en) Dual beam symmetric height systems and methods
KR102518214B1 (ko) 고종횡비 구조물의 측정을 위한 중적외선 분광법
JP5444216B2 (ja) さまざまなパワー・レベルの光を用い試料を検査するシステム及び方法
TW201734417A (zh) 用於擴展之紅外線光譜橢偏量測之系統及方法
US20070258092A1 (en) Optical measurement device and method
US7773212B1 (en) Contemporaneous surface and edge inspection
US9709386B1 (en) Apparatus and methods for measuring properties in a TSV structure using beam profile reflectometry
US11662646B2 (en) Inspection and metrology using broadband infrared radiation
TW201807765A (zh) 具有大粒子監測及雷射功率控制之表面缺陷檢測
US20240035957A1 (en) Dual resolution spectrometer, and spectrometric measurement apparatus and method using the spectrometer