TWI685685B - 偏光膜之製造方法及偏光膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種偏光膜之製造方法、偏光膜及包含偏光膜之偏光板,該製造方法包含:染色步驟,其利用二色性色素將聚乙烯醇系樹脂膜染色;交聯步驟,其利用交聯劑處理染色步驟後之膜;第1延伸步驟,其於上述交聯步驟中及/或其之前,使聚乙烯醇系樹脂膜單軸延伸;及第2延伸步驟,其使交聯步驟後之膜於溫度40~100℃、絕對濕度40g/m3以上之高溫高濕環境下進一步單軸延伸;該偏光膜係使二色性色素吸附配向於聚乙烯醇系樹脂膜而成者,且具有特定TD/MD比。

Description

偏光膜之製造方法及偏光膜
本發明係關於一種可用作偏光板之構成構件之偏光膜之製造方法。又,本發明係關於一種偏光膜及包含其之偏光板。
關於偏光膜,先前使用使碘或二色性染料般之二色性色素吸附配向於經單軸延伸之聚乙烯醇系樹脂膜而成者。通常而言,偏光膜係藉由依序實施利用二色性色素將聚乙烯醇系樹脂膜染色之染色處理、利用交聯劑進行處理之交聯處理,且於製造步驟之間實施單軸延伸處理而製造[例如日本專利特開平07-325218號公報(專利文獻1)]。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平07-325218號公報
偏光膜被用於液晶顯示裝置所代表之圖像顯示裝置。關於偏光膜,通常將保護膜貼合於其單面或雙面,製成偏光板,組裝入圖像顯示裝置。例如液晶顯示裝置搭載將偏光板貼合於作為圖像顯示元件之液晶單元之雙面而成之液晶面板。
為了提高液晶顯示裝置之視認性,較有利為提高偏光膜之光學特性(例如偏光度)。為了提高光學特性,較有效為提高上述單軸延伸處理之倍率,若提高延伸倍率,則偏光膜之吸收軸方向上之收縮力 (以下亦稱為「MD收縮力」)變大,隨之,於高溫環境下及高濕環境下容易於偏光板產生翹曲(彎曲)。偏光板越薄,該翹曲之問題越顯著。
若將產生翹曲之偏光板貼合於液晶單元,構建液晶面板,則液晶面板亦視情形產生翹曲。液晶面板之翹曲有對液晶顯示裝置之視認性造成壞影響之虞。
本發明之目的在於提供一種用以製造抑制MD收縮力之上升但具有優異光學特性之偏光膜之方法。又,本發明之另一目的在於提供一種MD收縮力之上升受抑制且具有優異光學特性之偏光膜、及包含其之偏光板。
本發明提供以下所示之偏光膜、偏光膜及偏光板之製造方法。
[1]一種偏光膜之製造方法,其包含:染色步驟,其利用二色性色素將聚乙烯醇系樹脂膜染色;交聯步驟,其利用交聯劑處理染色步驟後之膜;第1延伸步驟,其於上述交聯步驟中及/或其之前,使聚乙烯醇系樹脂膜單軸延伸;及第2延伸步驟,其使交聯步驟後之膜於溫度40~100℃、絕對濕度40g/m3以上之高溫高濕環境下進一步單軸延伸。
[2]如[1]之製造方法,其中上述第2延伸步驟中進行之單軸延伸之倍率為1.01~1.4倍。
[3]如[1]或[2]之製造方法,其藉由上述第2延伸步驟降低膜之水分率。
[4]如[3]之製造方法,其中上述第2延伸步驟前後之膜之水分率之差未達15重量%。
[5]如[1]至[4]中任一項之製造方法,其中於上述交聯步驟之後, 進而包含使用含有水之清洗液清洗聚乙烯醇系樹脂膜之清洗步驟,於上述清洗步驟之後,實施上述第2延伸步驟。
[6]如[1]至[5]中任一項之製造方法,其中上述第2延伸步驟之上述單軸延伸為乾式延伸。
[7]一種偏光膜,其係使二色性色素吸附配向於聚乙烯醇系樹脂膜而成者,且基於藉由廣角X射線繞射測定而獲得之方位角分佈曲線,依照下述式:TD/MD比=(TD之強度)/(MD之峰強度)[式中,MD之峰強度係上述方位角分佈曲線之β角度0°及180°下之峰強度之平均值,TD之強度係β角度90°及270°下之強度之平均值]所求出之TD/MD比於上述偏光膜之厚度為10μm以上時為0.142以下,於上述偏光膜之厚度未達10μm時為0.160以下。
[8]一種偏光板,其包含如[7]之偏光膜、及積層於其至少一面上之保護膜。
根據本發明,能夠提供一種抑制MD收縮力之上升但顯示優異光學特性之偏光膜及其製造方法。使用本發明之偏光膜之偏光板及液晶面板顯示良好之視認性。
圖1係表示本發明之偏光膜之製造方法之一例之流程圖。
<偏光膜之製造方法>
參照圖1,本發明之偏光膜之製造方法包含以下步驟:染色步驟S20,其利用二色性色素將聚乙烯醇系樹脂膜染色;交聯步驟S30,其利用交聯劑處理染色步驟後之膜; 第1延伸步驟S40,其於交聯步驟中及/或其之前,使聚乙烯醇系樹脂膜單軸延伸;及第2延伸步驟S60,其使交聯步驟後之膜於溫度40~100℃、絕對濕度40g/m3以上之高溫高濕環境下進一步單軸延伸。
本發明之偏光膜之製造方法可進而包含上述以外之其他步驟,其具體例如圖1所示,為於染色步驟S20之前進行之膨潤步驟S10、及於交聯步驟S30之後進行之清洗步驟S50。
本發明之製造方法所含之各種處理步驟可藉由沿著偏光膜製造裝置之膜搬送路徑連續地搬送作為坯膜之聚乙烯醇系樹脂膜而連續地實施。膜搬送路徑以該等實施順序具備用以實施上述各種處理步驟之設備(處理浴或爐等)。所謂處理浴,意指如膨潤浴、染色浴、交聯浴、清洗浴般之收容對聚乙烯醇系樹脂膜實施處理之處理液之浴。
膜搬送路徑可藉由除上述設備以外亦將導輥或夾輥等配置於適當位置而構建。例如,導輥可配置於各處理浴之前後或處理浴中,藉此能夠進行膜向處理浴之導入、浸漬及自處理浴之抽出。更具體而言,藉由於各處理浴中設置2根以上導輥,沿著該等導輥搬送膜,能夠使膜浸漬於各處理浴。
作為構成坯膜即聚乙烯醇系樹脂膜之聚乙烯醇系樹脂,可使用將聚乙酸乙烯酯系樹脂皂化而成者。作為聚乙酸乙烯酯系樹脂,除作為乙酸乙烯酯之均聚物之聚乙酸乙烯酯以外,例示乙酸乙烯酯與可與其共聚之其他單體之共聚物。作為可與乙酸乙烯酯共聚之其他單體,例如可列舉:不飽和羧酸類、烯烴類、乙烯醚類、不飽和磺酸類、具有銨基之(甲基)丙烯醯胺類等。聚乙烯醇系樹脂之皂化度通常為約85莫耳%以上,較佳為約90莫耳%以上,更佳為約99莫耳%以上。本說明書中,所謂「(甲基)丙烯酸」,意指選自丙烯酸及甲基丙烯酸之至少一者。關於「(甲基)丙烯醯基」,亦為相同。
聚乙烯醇系樹脂亦可經改性,例如亦可使用經醛類改性之聚乙烯醇縮甲醛、聚乙烯醇縮乙醛、聚乙烯醇縮丁醛等。
聚乙烯醇系樹脂之平均聚合度較佳為100~10000,更佳為1500~8000,進而較佳為2000~5000。聚乙烯醇系樹脂之平均聚合度可依據JIS K 6726(1994)求出。若平均聚合度未達100,則難以獲得較佳偏光性能,若超過10000,則有時膜加工性較差。
聚乙烯醇系樹脂膜之厚度例如為10~150μm左右,就偏光膜之薄型化之觀點而言,較佳為100μm以下,更佳為70μm以下,進而較佳為50μm以下,進一步較佳為40μm以下。
作為坯膜之聚乙烯醇系樹脂膜例如可以長條之未延伸聚乙烯醇系樹脂膜之輥狀物(捲繞品)之形式準備。於該情形時,偏光膜亦以長條物之形式獲得。以下,就各步驟詳細地說明。
(1)膨潤步驟S10
本步驟之膨潤處理係以作為坯膜之聚乙烯醇系樹脂膜之異物去除、塑化劑去除、易染色性之賦予、膜之塑化等為目的而視需要實施之處理,具體而言,可為將聚乙烯醇系樹脂膜浸漬於含有水之膨潤浴中之處理。該膜可浸漬於一膨潤浴中,亦可依序浸漬於兩個以上膨潤浴中。亦可於膨潤處理前、膨潤處理時、或膨潤處理前及膨潤處理時,對膜進行單軸延伸處理。
膨潤浴可為水(例如純水),另外,亦可為添加有醇類般之水溶性有機溶劑之.水溶液。
浸漬膜時之膨潤浴之溫度通常為10~70℃左右,較佳為15~50℃左右,膜之浸漬時間通常為10~600秒左右,較佳為20~300秒左右。
(2)染色步驟S20
本步驟之染色處理係以使二色性色素吸附配向於聚乙烯醇系樹 脂膜為目的而進行之處理,具體而言,可為使聚乙烯醇系樹脂膜浸漬於含有二色性色素之染色浴之處理。該膜可浸漬於一染色浴中,亦可依序浸漬於兩個以上染色浴。為了提高二色性色素之染色性,供於染色步驟之膜亦可實施至少某程度之單軸延伸處理。亦可於染色處理時進行單軸延伸處理代替染色處理前之單軸延伸處理,或者除染色處理前之單軸延伸處理以外,於染色處理時亦進行單軸延伸處理。
二色性色素可為碘或二色性有機染料。二色性有機染料之具體例含有紅BR、紅LR、紅R、粉紅LB、深紅BL、棗紅GS、天藍LG、檸檬黃、藍BR、藍2R、藏青RY、綠LG、紫LB、紫B、黑H、黑B、黑GSP、黃3G、黃R、橙LR、橙3R、猩紅GL、猩紅KGL、剛果紅、亮紫BK、超級藍G、超級藍GL、超級橙GL、直接天藍、直接耐曬橙S、耐曬黑。二色性色素可僅單獨使用1種,亦可併用2種以上。
於將碘用作二色性色素之情形時,染色浴可使用含有碘及碘化鉀之水溶液。可使用碘化鋅等其他碘化物取代碘化鉀,亦可將碘化鉀與其他碘化物併用。又,亦可使碘化物以外之化合物,例如硼酸、氯化鋅、氯化鈷等共存。於添加硼酸之情形時,就含有碘之方面與下述交聯處理區分。關於上述水溶液中之碘之含量,通常水每100重量份中為0.01~1重量份左右。又,關於碘化鉀等碘化物之含量,通常水每100重量份中為0.5~20重量份左右。
浸漬膜時之染色浴之溫度通常為10~45℃左右,較佳為10~40℃左右,更佳為20~35℃左右,膜之浸漬時間通常為30~600秒左右,較佳為60~300秒左右。
於將二色性有機染料用作二色性色素之情形時,染色浴可使用含有二色性有機染料之水溶液。關於該水溶液中之二色性有機染料之含量,通常水每100重量份中為1×10-4~10重量份左右,較佳為1×10-3~1重量份左右。該染色浴中亦可使染色助劑等共存,例如亦可含有 硫酸鈉等無機鹽或界面活性劑等。二色性有機染料可僅單獨使用1種,亦可併用2種以上。浸漬膜時之染色浴之溫度例如為20~80℃左右,較佳為30~70℃左右,膜之浸漬時間通常為30~600秒左右,較佳為60~300秒左右。
(3)交聯步驟S30
利用交聯劑處理染色步驟後之聚乙烯醇系樹脂膜之交聯處理係以基於交聯之耐水化或色相調整等為目的而進行之處理,具體而言,可為使染色步驟後之膜浸漬於含有交聯劑之交聯浴之處理。該膜可浸漬於一交聯浴中,亦可依序浸漬於兩個以上交聯浴。亦可於交聯處理時進行單軸延伸處理。
作為交聯劑,可列舉硼酸、乙二醛、戊二醛等,較佳地使用硼酸。亦可併用2種以上交聯劑。關於交聯浴中之硼酸之含量,通常水每100重量份為0.1~15重量份左右,較佳為1~10重量份左右。於二色性色素為碘之情形時,較佳為交聯浴除硼酸以外亦含有碘化物。關於交聯浴中之碘化物之含量,通常水每100重量份為0.1~15重量份左右,較佳為5~12重量份左右。作為碘化物,可列舉碘化鉀、碘化鋅等。又,亦可使碘化物以外之化合物,例如氯化鋅、氯化鈷、氯化鋯、硫代硫酸鈉、亞硫酸鉀、硫酸鈉等共存於交聯浴。
浸漬膜時之交聯浴之溫度通常為50~85℃左右,較佳為50~70℃左右,膜之浸漬時間通常為10~600秒左右,較佳為20~300秒左右。
(4)第1延伸步驟S40
如上述般,於偏光膜之製造時,聚乙烯醇系樹脂膜於交聯步驟S30中及/或其之前,即於自膨潤步驟S10之前至交聯步驟S30之任意一或兩個以上階段進行單軸延伸處理。就提高二色性色素之染色性之觀點而言,供與染色步驟之膜較佳為實施過至少某程度之單軸延伸處理 之膜,或較佳為代替染色處理前之單軸延伸處理,或是除染色處理前之單軸延伸處理以外,於染色處理時進行單軸延伸處理。
第1延伸步驟S40之單軸延伸處理可為於空中進行延伸之乾式延伸、於浴中進行延伸之濕式延伸之任一者,亦可進行該等兩者。單軸延伸處理可為於2個夾輥間賦予周速差進行縱單軸延伸之輥間延伸、熱輥延伸、拉幅延伸等,較佳為包含輥間延伸。將坯膜作為基準之延伸倍率(於以兩個以上階段進行延伸處理之情形時,該等之累積延伸倍率)為3~8倍左右。為了賦予良好之偏光特性,延伸倍率較佳為設為4倍以上,更佳為設為4.5倍以上。又,本發明之製造方法包含第2延伸步驟S60,故第1延伸步驟S40之延伸倍率亦可為7倍以下,進而為6倍以下,進一步為5倍以下。
(5)清洗步驟S50
本步驟之清洗處理係以去除附著於聚乙烯醇系樹脂膜之多餘之交聯劑或二色性色素等藥劑為目的而視需要實施之處理,且為使用含有水之清洗液清洗交聯步驟後之聚乙烯醇系樹脂膜之處理。具體而言,可為使交聯步驟後之聚乙烯醇系樹脂膜浸漬於清洗浴(清洗液)之處理。該膜可浸漬於一清洗浴中,亦可依序浸漬於兩個以上清洗浴。或者,清洗處理可為將清洗液以淋浴(shower)之形式對交聯步驟後之聚乙烯醇系樹脂膜進行噴霧之處理,亦可為上述浸漬與噴霧之組合。
清洗液可為水(例如純水),另外,亦可為添加有醇類般之水溶性有機溶劑之水溶液。清洗液之溫度例如可為5~40℃左右。
清洗步驟S50為任意之步驟,可省略,亦可如下述般,於第2延伸步驟S60中進行清洗處理(第2延伸步驟S60中之高溫高濕處理亦可兼作清洗處理)。較佳為對進行清洗步驟S50後之膜進行第2延伸步驟S60。
(6)第2延伸步驟S60
本步驟之第2延伸處理係使交聯步驟S30後之膜於溫度40~100℃、絕對濕度40g/m3以上之高溫高濕環境下進一步單軸延伸之處理,換言之,為可與高溫高濕處理同時進行單軸延伸處理者。於實施清洗步驟S50之情形時,較佳為對清洗步驟後之膜進行第2延伸處理。於清洗步驟S50之後實施乾燥處理(絕對濕度未達40g/m3時之高溫處理)之情形時,較佳為對乾燥處理後之膜進行第2延伸處理。
藉由實施第2延伸處理,即便為將第1延伸步驟S40之延伸倍率控制為較低之情形時,亦能夠確保作為總延伸倍率充分之延伸倍率,故能夠對偏光膜賦予優異光學特性。並且,由於在高溫高濕環境下實施延伸處理,故能夠有效地抑制MD收縮力之上升。能夠同時實現光學特性之提高及MD收縮力之上升抑制之主要原因可認為在於:藉由高溫高濕環境下之延伸處理,能夠提高二色性色素之配向性,另一方面,構成偏光膜之聚乙烯醇系樹脂之分子鏈之配向性降低,藉此能夠抑制膜內之殘留應力之增大。總而言之,膜變得越薄,則越難以表現優異光學特性。因此,本發明對於所使用之坯膜較薄之情形,例如使用厚度40μm以下之坯膜之情形之光學特性提高尤其有效。
相對於此,於不設置第2延伸步驟S60而僅提高第1延伸步驟S40之延伸倍率以獲得良好之光學特性之情形時,MD收縮力上升,產生偏光板、甚至液晶面板之翹曲之問題。
設置第2延伸步驟S60,於高溫高濕環境下實施延伸處理此舉,就能夠防止膜斷裂且有效地提高總延伸倍率(加上第1延伸步驟S40中之延伸之累積延伸倍率)之方面而言亦較有利,又,就源自提高總延伸倍率之偏光膜之取得面積之增大、及伴隨其之生產單位降低之方面而言亦較有利。
關於第2延伸步驟S60之單軸延伸處理,由於需要於高溫高濕環境下進行延伸,故通常為乾式延伸。單軸延伸處理可為於2個夾輥間 賦予周速差進行縱單軸延伸之輥間延伸、熱輥延伸、拉幅延伸等,較佳為輥間延伸。本步驟之延伸倍率通常為1.01~1.4倍,就光學特性提高之觀點而言,較佳為1.1~1.4倍。於抑制MD收縮力之上升或膜斷裂之方面而言,將延伸倍率設為1.4倍以下較為有利。
高溫高濕環境下之延伸處理例如可為一面藉由將交聯步驟S30後之膜導入至可調整溫度及濕度之爐(加熱爐)或棚或者室內而進行高溫高濕處理一面加以延伸之處理。關於高溫高濕處理,除導入至爐(加熱爐)或棚或者室內之處理以外,亦可併用遠紅外線加熱器或熱輥等加熱機構。第2延伸步驟S60較佳為於清洗步驟S50之後實施,亦可同時進行高溫高濕環境下之延伸處理及清洗處理,例如一面於特定之高溫高濕環境下延伸一面將清洗液進行噴霧,又,第2延伸步驟S60亦可兼作清洗處理,例如有藉由置於高溫高濕環境下而實質上進行膜清洗之情形。
第2延伸處理之環境溫度如上所述為40℃以上,就更有效地抑制MD收縮力之上升之觀點、及將膜之搬送性保持為良好之觀點而言,較佳為55℃以上,更佳為60℃以上。又,該環境溫度如上所述為100℃以下,就獲得優異光學特性之觀點而言,較佳為90℃以下。
進行第2延伸處理之環境之絕對濕度如上所述為40g/m3以上,就更有效地抑制MD收縮力之上升之觀點而言,較佳為75g/m3以上,更佳為85g/m3以上,進而較佳為100g/m3以上。另一方面,若絕對濕度過高,則擔心處理區域內之冷凝之產生、或冷凝水所導致之膜之污染,故絕對濕度較佳為550g/m3以下,更佳為400g/m3以下,進而較佳為300g/m3以下,尤佳為160g/m3以下。
關於第2延伸處理之時間、即高溫高濕處理之時間,就更有效地抑制MD收縮力之上升之觀點、及獲得優異光學特性之觀點而言,較佳為5秒以上,更佳為10秒以上。又,該時間亦取決於溫度,若過 長,則擔心光學特性之劣化,故較佳為60分鐘以下,更佳為30分鐘以下,進而較佳為10分鐘以下,尤佳為5分鐘以下。
第2延伸處理可為沿著膜搬送路徑搬送長條之聚乙烯醇系樹脂膜,連續地導入至上述爐等使其通過且進行延伸之處理,關於此種高溫高濕環境下之延伸處理中之膜之張力,就更有效地抑制MD收縮力之上升之觀點而言,較佳為50~5000N/m。就抑制膜之皺褶產生之觀點而言,膜張力更佳為300~1500N/m。
第2延伸處理亦可兼作將聚乙烯醇系樹脂膜乾燥之處理、即降低其水分率之處理,只要不採用極端之高溫高濕條件,則通常同時進行乾燥處理。藉此,變得未必需要於第2延伸處理之前或後另外實施乾燥處理。
供於第2延伸處理之膜之水分率取決於膜之厚度,通常為13~50重量%左右。又,藉由第2延伸處理獲得之水分率之降低程度,即第2延伸處理前之水分率與第2延伸處理後之水分率之差(水分率差△S)亦取決於膜之厚度,例如為5~45重量%,較佳為8~35重量%。例如於坯膜之厚度為40μm左右以下之情形時,水分率差△S可未達15重量%。
又,第2延伸處理後之膜(於第2延伸處理為最終步驟之情形時為偏光膜)之水分率亦取決於膜之厚度,通常為5~30重量%,就其後之膜之搬送性之觀點而言,較佳為6~15重量%。若水分率過低,則膜於搬送中容易破裂,又,若水分率過高,則由於放濕而容易於膜端部產生捲縮。
總而言之,膜越薄,則水分越容易散逸,因此坯膜越薄,則第2延伸處理前及第2延伸處理中之水分率越容易降低。若水分率過低,則膜之搬送性容易降低。因此,於坯膜之厚度為40μm左右以下之情形時,將第2延伸處理之溫度設定為較低,較佳為設為40~70℃。
第2延伸步驟S60可於剛進行交聯步驟S30或清洗步驟S50之後進行,亦可於繼交聯步驟S30或清洗步驟S50後實施其他步驟後進行。作為其他步驟,可列舉乾燥處理(絕對濕度未達40g/m3時之高溫處理)。然而,就更有效地抑制MD收縮力之上升之觀點而言,較佳將交聯步驟S30或清洗步驟S50之膜直接供於第2延伸步驟S60。
經歷以上步驟,能夠獲得使二色性色素吸附配向於經單軸延伸之聚乙烯醇系樹脂膜而成之偏光膜。偏光膜之厚度通常為5~40μm,較佳為30μm以下。根據藉由本發明獲得之偏光膜,即便於厚度較薄為30μm以下,進而25μm以下之情形時,亦能夠具有優異光學特性,且能夠抑制MD收縮力之上升。
例如為了調整水分率,亦可於第2延伸步驟S60之後實施乾燥處理(絕對濕度未達40g/m3時之高溫處理)。然而,由於可藉由第2延伸步驟S60進行水分率之調整,故該乾燥處理為視需要進行者。
所獲得之偏光膜例如亦可直接搬送至接下來之偏光板製作步驟(於偏光膜之單面或雙面貼合保護膜之步驟)。
一實施形態中,本發明之偏光膜係使二色性色素吸附配向於經單軸延伸之聚乙烯醇系樹脂膜而成之膜,可為藉由廣角X射線繞射(WAXD:Wide Angle X-ray Diffraction)之通過法測定的表示構成偏光膜之聚乙烯醇系樹脂於MD上之配向性之TD/MD比具有特徵者。藉由具有該特徵,推定本實施形態之偏光膜能夠表現如下特性、效果,即MD收縮力之上升得到抑制,光學特性優異。
具體而言,關於本實施形態之偏光膜,於其厚度為10μm以上時,上述TD/MD比較佳為0.142以下,更佳為0.14以下,進而較佳為0.13以下,進一步較佳為0.11以下。關於偏光膜之TD/MD比,於其厚度為10μm以上時,通常為0.02以上,較佳為0.08以上。厚度為10μm以上之偏光膜之厚度通常為30μm以下,較佳為15μm以下,更佳為14 μm以下,又,較佳為11μm以上,更佳為12μm以上。
關於本實施形態之偏光膜,於其厚度未達10μm時,上述TD/MD比較佳為0.160以下,更佳為0.155以下,進而較佳為0.148以下。關於偏光膜之TD/MD比,於其厚度未達10μm時,通常為0.02以上,較佳為0.13以上。厚度未達10μm之偏光膜之厚度通常為3μm以上,較佳為7μm以上,又,較佳為9μm以下。
顯示上述般之TD/MD比之偏光膜可藉由上述本發明之偏光膜之製造方法而較佳地製造。此處所述之TD/MD比係依照下述實施例之項所記載之方法而測定。
又,另一實施形態中,本發明之偏光膜係使二色性色素吸附配向於經單軸延伸之聚乙烯醇系樹脂膜而成之膜,可為表示偏光膜之基於交聯劑之.交聯狀態的波數775cm-1下之吸收軸方向之拉曼散射光強度與透射軸方向之拉曼散射光強度之比(以下亦稱為「拉曼散射光強度比」)具有特徵者。藉由具有該特徵,推定本實施形態之偏光膜能夠表現如下特性、效果,即MD收縮力之上升得到抑制,光學特性優異。
具體而言,關於本實施形態之偏光膜,上述拉曼散射光強度比較佳為0.81以上,更佳為0.87以上。拉曼散射光強度比通常為1.00以下,較佳為0.95以下。
顯示上述般之拉曼散射光強度比之偏光膜可藉由上述本發明之偏光膜之製造方法而較佳地製造。此處所述之拉曼散射光強度比係依照下述實施例之項所記載之方法而測定。
進而又一實施形態中,本發明之偏光膜係使二色性色素吸附配向於經單軸延伸之聚乙烯醇系樹脂膜而成之膜,顯示上述範圍內之TD/MD比,且顯示上述範圍內之拉曼散射光強度比。於一面抑制MD收縮力之上升一面獲得優異光學特性之方面而言,較有利為顯示上述 範圍內之TD/MD比,且顯示上述範圍內之拉曼散射光強度比。
<偏光板>
可藉由將保護膜經由接著劑貼合(積層)於如以上般製造之、或顯示上述TD/MD比及上述拉曼散射光強度比之至少一者之偏光膜之至少單面上而獲得偏光板。作為保護膜,可為包含熱塑性樹脂之透明樹脂膜,該熱塑性樹脂例如有:鏈狀聚烯烴系樹脂(聚丙烯系樹脂等)、環狀聚烯烴系樹脂(降
Figure 104141820-A0202-12-0014-5
烯系樹脂等)般之聚烯烴系樹脂;三乙醯纖維素或二乙醯纖維素般之纖維素酯系樹脂;聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯般之聚酯系樹脂;聚碳酸酯系樹脂;聚甲基丙烯酸甲酯系樹脂般之(甲基)丙烯酸系樹脂;或該等之混合物、共聚物等。
保護膜亦可為相位差膜、亮度提高膜般之一並具有光學功能之保護膜。例如,可藉由將包含上述材料之透明樹脂膜延伸(單軸延伸或雙軸延伸等),或於該膜上形成液晶層等,而製成被賦予任意相位差值之相位差膜。
於保護膜之與偏光膜為相反側之表面上,亦可形成硬塗層、防眩層、抗反射層、抗靜電層、防污層般之表面處理層(塗佈層)。
就偏光板之薄型化之觀點而言,保護膜之厚度較佳為較薄,但若過薄,則強度降低,加工性較差,故較佳為5~150μm,更佳為5~100μm,進而較佳為10~50μm。
作為用於偏光膜與保護膜之貼合之接著劑,可列舉:紫外線硬化性接著劑般之活性能量線硬化性接著劑、或聚乙烯醇系樹脂之水溶液、或者對其調配交聯劑而成之水溶液、胺基甲酸酯系乳液接著劑般之水系接著劑。於在偏光膜之雙面貼合保護膜之情形時,形成兩個接著劑層之接著劑可為相同種類,亦可為不同種類。例如,於在雙面貼合保護膜之情形時,亦可單面使用水系接著劑貼合,另一單面使用活 性能量線硬化性接著劑貼合。紫外線硬化型接著劑可為自由基聚合性之(甲基)丙烯酸系化合物與光自由基聚合起始劑之混合物、或陽離子聚合性之環氧化合物與光陽離子聚合起始劑之混合物等。又,亦可併用陽離子聚合性之環氧化合物及自由基聚合性之(甲基)丙烯酸系化合物,且併用光陽離子聚合起始劑及光自由基聚合起始劑作為起始劑。
於使用活性能量線硬化性接著劑之情形時,藉由於貼合後照射活性能量線而使接著劑硬化。活性能量線之光源並無特別限定,較佳為於波長400nm以下具有發光分佈之活性能量線(紫外線),具體而言,較佳地使用低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、化學燈、黑光燈、微波激發水銀燈、金屬鹵素燈等。
為了提高偏光膜與保護膜之接著性,亦可於偏光膜與保護膜之貼合前,對偏光膜及/或保護膜之貼合面實施電暈處理、火焰處理、電漿處理、紫外線照射處理、底塗劑塗佈處理、皂化處理等表面處理。
如上所述,本發明之偏光板亦可藉由於作為單層膜之偏光膜上貼合保護膜而製作,但並不限定於該方法,例如亦可藉由日本專利特開2009-98653號公報所記載之利用基材膜之方法製作。後者之方法對獲得具有薄膜之偏光膜(偏光元件層)之偏光板有利,例如可包含如下步驟。
樹脂層形成步驟,其於基材膜之至少一面上塗佈含有聚乙烯醇系樹脂之塗佈液後,進行乾燥,藉此形成聚乙烯醇系樹脂層而獲得積層膜;延伸步驟,其使積層膜延伸而獲得延伸膜;染色步驟,其利用二色性色素將延伸膜之聚乙烯醇系樹脂層染色,形成偏光元件層(相當於偏光膜),藉此獲得偏光性積層膜;第1貼合步驟,其使用接著劑將保護膜貼合於偏光性積層膜之偏 光元件層上,獲得貼合膜;及剝離步驟,其將基材膜自貼合膜剝離去除,獲得附有單面保護膜之偏光板。
於在偏光元件層(偏光膜)之雙面積層保護膜之情形時,進而包含第2貼合步驟,其使用接著劑將保護膜貼合於附有單面保護膜之偏光板之偏光元件面。
關於使用基材膜之上述方法,可於獲得偏光性積層膜之染色步驟(例如,獲得偏光性積層膜之染色步驟中之交聯步驟後或清洗步驟後)中包含第2延伸步驟。上述偏光性積層膜、附有單面保護膜之偏光板、及經過第2貼合步驟而獲得之附有雙面保護膜之偏光板所含之偏光膜或自該等單離之偏光膜亦為屬於本發明之偏光膜,較佳為顯示上述範圍內之TD/MD比及上述範圍內之拉曼散射光強度比之至少一者。
[實施例]
以下,例示實施例進一步具體地說明本發明,但本發明並不受該等例之限定。
<實施例1>
將厚度30μm之長條之聚乙烯醇(PVA)坯膜[可樂麗股份有限公司製造之商品名「可樂麗聚乙烯醇膜VF-PE#3000」、平均聚合度2400、皂化度99.9莫耳%以上]一面自輥捲出一面連續地搬送,以滯留時間31秒浸漬於包含20℃之純水之膨潤浴中(膨潤步驟)。其後,將自膨潤浴抽出之膜以滯留時間122秒浸漬於碘化鉀/水為2/100(重量比)之含有碘之30℃之染色浴(染色步驟)。其次,將自染色浴抽出之膜以滯留時間70秒浸漬於碘化鉀/硼酸/水為12/4.1/100(重量比)之56℃之交聯浴,繼而,以滯留時間13秒浸漬於碘化鉀/硼酸/水為9/2.9/100(重量比)之40℃之交聯浴(交聯步驟)。於染色步驟及交聯步驟中,藉由浴中之輥間 延伸進行縱單軸延伸(第1延伸步驟)。以坯膜為基準之總延伸倍率D1設為5.36倍。
其次,將自交聯浴抽出之膜以滯留時間3秒浸漬於包含5℃之純水之清洗浴(清洗步驟)。繼而,一面藉由導入至可調節濕度之加熱爐以滯留時間189秒進行高溫高濕處理,一面藉由空中之輥間延伸實施縱單軸延伸處理(第2延伸步驟),獲得厚度12.6μm、寬度208mm之偏光膜。加熱爐內之溫度、絕對濕度分別設為60℃、78g/m3,第2延伸步驟時之膜張力設為755N/m。即將進行加熱爐導入(第2延伸步驟)之前、剛進行加熱爐導入(第2延伸步驟)後之膜之水分率分別為19.0重量%、9.2重量%,水分率差△S為9.8重量%。又,第2延伸步驟之以即將導入至加熱爐前之膜為基準之延伸倍率D2設為1.01倍。
<實施例2~10、比較例1~2>
將第1延伸步驟之總延伸倍率D1、加熱爐內之溫度及絕對濕度、第2延伸步驟之延伸倍率D2、加熱爐內之滯留時間、第2延伸步驟時之膜張力設為如表1所示,除此以外,以與實施例1相同之方式製作偏光膜。
比較例1及2中,加熱爐內之溫度、絕對濕度分別為60℃、12g/m3,於加熱爐中不進行高溫高濕處理,而僅進行加熱(乾燥)處理。又,於該加熱處理中不實施延伸處理。實施例6~8中,藉由降低交聯步驟中之延伸之倍率,將第1延伸步驟中之總延伸倍率D1設為較實施例1之5.36倍低之4.81倍。
將各實施例及比較例中之偏光膜之製造條件、即將進行加熱爐導入(第2延伸步驟)之前及剛進行加熱爐導入(第2延伸步驟)後之膜之水分率、作為該等之差之水分率差△S、以及所獲得之偏光膜之厚度及寬度彙總於表1。
再者,加熱爐內之絕對濕度係根據爐內溫度及相對濕度之測定 值算出。所獲得之偏光膜之厚度係使用Nikon股份有限公司製造之數位式測微計「MH-15M」測定。又,膜(偏光膜)之水分率係藉由如下方法求出。
預先使用水分率不同之複數個偏光膜試樣,將表示利用乾燥重量法獲得之水分率與紅外線吸收式之水分計(Fujiwork股份有限公司製造之「IM 3SCV MODEL-1900L」)之測定值之相關之校準曲線(換算式)如下式:利用乾燥重量法獲得之水分率(重量%)=0.0495×(水分計測定值)-38.8379求出。此時,關於利用乾燥重量法獲得之水分率,於將以105℃乾燥2小時之時之偏光膜之重量設為W1、將乾燥前之偏光膜之重量設為W0時,依照下式:藉由乾燥重量法獲得之水分率(重量%)={(W0-W1)÷W0}×100求出。表1所記載之水分率為使用上述水分計獲得測定值,將其代入上述校準曲線(換算式)中,換算為利用乾燥重量法獲得之水分率(重量%)而得者。藉由自即將導入至加熱爐前之水分率減去剛導入後之水分率,算出水分率差△S。
[偏光膜之評價]
關於下述項目,測定由各實施例及比較例所獲得之偏光膜之特性。將結果示於表1。
(1)光學特性
就所獲得之偏光膜,使用附有積分球之分光光度計[日本分光股份有限公司製造之「V7100」]測定波長380~780nm之範圍之MD透過率及TD透過率,基於下述式:單體透過率(%)=(MD+TD)/2偏光度(%)={(MD-TD)/(MD+TD)}×100 算出各波長下之單體透過率及偏光度。又,基於下述式:A400=LOG[100/{波長400nm下之TD透過率(%)}]A700=LOG[100/{波長700nm下之TD透過率(%)}]算出波長400nm下之吸光度(A400)及波長700nm下之吸光度(A700)。
所謂「MD透過率」,係使自葛蘭-湯普生稜鏡射出之偏光之朝向與偏光膜試樣之透射軸平行時之透過率,上述式中表示為「MD」。又,所謂「TD透過率」,係使自葛蘭-湯普生稜鏡射出之偏光之朝向與偏光膜試樣之透射軸正交時之透過率,上述式中表示為「TD」。關於所獲得之單體透過率及偏光度,係根據JIS Z 8701:1999「色之表示方法-XYZ表色系及X10Y10Z10表色系」之2度視野(C光源)進行可見度修正,求出可見度修正單體透過率(Ty)及可見度修正偏光度(Py)。
(2)MD收縮力
自所獲得之偏光膜切出將吸收軸方向(MD、延伸方向)作為長邊之寬2mm、長10mm之測定用試樣。將該試樣設置於SII NanoTechnology股份有限公司製造之熱機械分析裝置(TMA)「EXSTAR-6000」,將尺寸保持為一定不變,測定於80℃下保持4小時之時產生之長邊方向(吸收軸方向、MD)之收縮力(MD收縮力)。
(3)TD/MD比
藉由廣角X射線繞射(WAXD:Wide Angle X-ray Diffraction)之通過法求出表示構成偏光膜之聚乙烯醇系樹脂於MD上之配向性之「TD/MD比」。首先,自所獲得之偏光膜切出複數片將吸收軸方向(MD、延伸方向)作為長邊之長方形之膜。將切出之膜以該等之MD(長邊)成為平行之方式重疊複數片並固定,將其作為測定用試樣。測定用試樣之厚度設為0.1mm左右。使用下述X射線繞射裝置,自相對於測定用試樣之表面垂直之方向,以下述X射線輸出條件將X射線照射至測定用試樣之一表面,拍攝利用透過法之繞射像。
X射線繞射裝置:Rigaku股份有限公司製造之「NANO-Viewer」、X射線輸出條件:Cu靶、40kV、20mA。
根據所獲得之繞射像,關於繞射角度2θ=20°附近之峰,藉由將2θ=19.5~20.5°之範圍進行圓環積分,首先算出未修正方位角分佈曲線(方位角度(β角度)-強度分佈曲線)。所謂未修正方位角分佈曲線,意指實施基底修正(background correction)前之方位角分佈曲線。其次,自X射線之光軸上取下測定用試樣,除此以外,以相同條件進行測定,算出方位角分佈曲線之基底。進行透過率修正後,自上述未修正方位角分佈曲線去除基底,獲得基底修正後之方位角分佈曲線(以下亦簡稱為「方位角分佈曲線」)。該方位角分佈曲線之峰為配向性峰,本測定中,將測定用試樣之MD設置為鉛垂方向,將出現於水平方向上之配向性峰之最大強度下之β角度設為0°。配向性峰之最大強度下之β角度(0°及180°)源自配向於偏光膜之MD之成分。根據所獲得之方位角分佈曲線,依照下述式:TD/MD比=(TD之強度)/(MD之峰強度)求出TD/MD比。所謂MD之峰強度,意指β角度0°及180°下之峰強度之平均值。所謂TD之強度,意指自β角度0°及180°偏移90°之β角度下之強度,即,意指β角度90°下之強度與β角度270°下之強度之平均值。關於存在於方位角分佈曲線之所有配向性峰,將依照上述式求出TD/MD比時之該等之平均值設為本說明書之「TD/MD比」。
(4)拉曼散射光強度比
為了求出所獲得之偏光膜之拉曼散射光強度比,染色浴不含碘,除此以外,以與各實施例及各比較例相同之方式製作分析用膜。確認所獲得之偏光膜之拉曼散射光強度比與該分析用膜之拉曼散射光強度比相同。
關於所獲得之分析用膜,使用日本分光股份有限公司製造之雷射拉曼分光光度計「NRS-5100」,依照下述式:拉曼散射光強度比=(波數775cm-1下之分析用膜之延伸方向之拉曼散射光強度)/(波數775cm-1下之分析用膜之與延伸方向正交之方向之拉曼散射光強度)求出波數775cm-1下之吸收軸方向之拉曼散射光強度與透射軸方向之拉曼散射光強度之比(拉曼散射光強度比),將其作為所獲得之偏光膜之拉曼散射光強度比。
此處,波數775cm-1下之分析用膜之延伸方向之拉曼散射光強度係使雷射光以雷射光之偏光面與分析用膜之延伸方向成為平行之方式自分析用膜表面垂直地入射,使析光片之偏光面與雷射光之偏光面成為平行而測定。同樣地,波數775cm-1下之分析用膜之與延伸方向正交之方向之拉曼散射光強度係使雷射光以雷射光之偏光面與分析用膜之延伸方向正交之方式自分析用膜表面垂直地入射,使析光片之偏光面與雷射光之偏光面成為平行而測定。
用於上述拉曼分光測定之條件如以下所述。
‧激發波長:532nm、‧光柵:600 l/mm、‧狹縫寬:100×1000μm、‧孔徑:
Figure 104141820-A0202-12-0021-6
40μm、‧物鏡:100倍。
Figure 104141820-A0202-12-0022-1
<實施例11>
將厚度20μm之長條之聚乙烯醇(PVA)坯膜[可樂麗股份有限公司製造之商品名「可樂麗聚乙烯醇膜VF-PE#2000」、平均聚合度2400、皂化度99.9莫耳%以上]一面自輥捲出一面連續地搬送,以乾式單軸延伸為4.1倍,進而保持為拉伸狀態不變,以滯留時間50秒浸漬於包含30℃之純水之膨潤浴中(膨潤步驟)。其後,將自膨潤浴抽出之膜以滯留時間88秒浸漬於碘化鉀/水為5/100(重量比)之含有碘之30℃之染色浴(染色步驟)。其次,將自染色浴抽出之膜以滯留時間115秒浸漬於碘化鉀/硼酸/水為18/5.6/100(重量比)之65℃之交聯浴(交聯步驟)。於染色步驟及交聯步驟中,藉由浴中之輥間延伸進一步進行縱單軸延伸。以坯膜為基準之總延伸倍率D1設為4.26倍。
其次,將自交聯浴抽出之膜以滯留時間7秒浸漬於包含4℃之純水之清洗浴後(清洗步驟),繼而,一面藉由導入至可調節濕度之加熱爐以滯留時間95秒進行高溫高濕處理,一面藉由空中之輥間延伸實施縱單軸延伸處理(第2延伸步驟),獲得厚度8.0μm、寬度218mm之偏光膜。加熱爐內之溫度、絕對濕度分別設為70℃、133g/m3,第2延伸步驟時之膜張力設為280N/m。即將進行加熱爐導入(第2延伸步驟)之前、剛進行加熱爐導入(第2延伸步驟)後之膜之水分率分別為15.1重量%、11.4重量%,水分率差△S為3.7重量%。又,第2延伸步驟之以即將導入至加熱爐前之膜為基準之延伸倍率D2設為1.05倍。
<實施例12、比較例3~4>
將加熱爐內之溫度及絕對濕度、第2延伸步驟之延伸倍率D2、加熱爐內之滯留時間、第2延伸步驟時之膜張力設為如表2所示,除此以外,以與實施例11相同之方式製作偏光膜。
將實施例11~12及比較例3~4之偏光膜之製造條件、即將進行加熱爐導入(第2延伸步驟)之前及剛進行加熱爐導入(第2延伸步驟)後之 膜之水分率、作為該等之差之水分率差△S、以及所獲得之偏光膜之厚度及寬度彙總於表2。又,關於上述項目,測定實施例11~12及比較例3~4之偏光膜之特性。將結果示於表2。
Figure 104141820-A0202-12-0024-2
<實施例13>
(1)基材膜之製作
藉由使用多層擠出成形機之共擠出成形制作於包含含有乙烯單元約5重量%之丙烯/乙烯之無規共聚物(住友化學股份有限公司製造之商品名「住友Noblen W151」、熔點Tm=138℃)之樹脂層之兩側配置有包含作為丙烯之均聚物之均聚丙烯(住友化學股份有限公司製造之商品名「住友Noblen FLX80E4」、熔點Tm=163℃)之樹脂層之3層構造之基材膜。所獲得之基材膜之合計之厚度為100μm,各層之厚度比 (FLX80E4/W151/FLX80E4)為3/4/3。
(2)底塗層形成用塗佈液之製備
將聚乙烯醇粉末(日本合成化學工業股份有限公司製造之商品名「Z-200」、平均聚合度1100、皂化度99.5莫耳%)溶解於95℃之熱水,製備濃度3重量%之聚乙烯醇水溶液。將交聯劑(田岡化學工業股份有限公司製造之商品名「Sumirez Resin 650」)以相對於聚乙烯醇粉末2重量份為1重量份之比率混合於所獲得之水溶液,獲得底塗層形成用塗佈液。
(3)聚乙烯醇系樹脂層形成用塗佈液之製備
將聚乙烯醇粉末(可樂麗股份有限公司製造之商品名「PVA124」、平均聚合度2400、平均皂化度98.0~99.0莫耳%)溶解於95℃之熱水,製備濃度8重量%之聚乙烯醇水溶液,將其製成聚乙烯醇系樹脂層形成用塗佈液。
(4)聚乙烯醇系樹脂層之形成
一面連續地搬送上述(1)中製作之基材膜,一面對其一個面實施電暈處理,繼而,使用小徑凹版塗佈機對經電暈處理之面連續地塗佈上述(2)中製備之底塗層形成用塗佈液,以60℃進行3分鐘乾燥,藉此形成厚度0.2μm之底塗層。繼而,一面搬送膜,一面使用卡馬塗佈機於底塗層上連續地塗佈上述(3)中製備之聚乙烯醇系樹脂層形成用塗佈液,以90℃進行4分鐘乾燥,藉此於底塗層上形成厚度9.5μm之聚乙烯醇系樹脂層(以下稱為「第一PVA層」)。
繼而,於基材膜之與形成有第一PVA層之面為相反側之面上,以與上述相同之方式形成厚度0.2μm之底塗層,於底塗層上塗佈聚乙烯醇系樹脂層形成用塗佈液,以90℃進行4分鐘乾燥,藉此於底塗層上形成厚度9.4μm之聚乙烯醇系樹脂層(以下稱為「第二PVA層」),獲得於雙面具有PVA層之積層膜。
(5)延伸膜之製作
一面連續地搬送上述(4)中製作之積層膜,一面藉由夾輥間之延伸方法,於延伸溫度160℃下以5.3倍之倍率於縱方向(膜搬送方向)上進行單軸延伸,獲得延伸膜(第1延伸步驟)。關於延伸膜,第一PVA層之厚度成為5.0μm,第二PVA層之厚度成為4.9μm。
(6)包含偏光膜(偏光元件層)之偏光性積層膜之製作
將上述(5)中製作之延伸膜以滯留時間230秒浸漬於碘化鉀/水為7.5/100(重量比)之含有碘之30℃之染色浴中(染色步驟)。其次,將自染色浴抽出之膜以滯留時間240秒浸漬於碘化鉀/硼酸/水為10/9.5/100(重量比)之78℃之交聯浴中,繼而,以滯留時間77秒浸漬於碘化鉀/硼酸/水為4.5/5.0/100(重量比)之70℃之交聯浴中(交聯步驟)。
其次,將自交聯浴抽出之膜以滯留時間22秒浸漬於包含4℃之純水之清洗浴中後(清洗步驟),繼而,一面藉由導入至可調節濕度之加熱爐中以滯留時間276秒進行高溫高濕處理,一面藉由空中之輥間延伸實施縱單軸延伸處理(第2延伸步驟),獲得包含由上述第一及第二PVA層所形成之偏光膜(偏光元件層)之偏光性積層膜。將加熱爐內之溫度、絕對濕度分別設為80℃、117g/m3,第2延伸步驟時之膜張力設為1338N/m。即將進行加熱爐導入(第2延伸步驟)之前、剛進行加熱爐導入(第2延伸步驟)後之膜之水分率分別為18.2重量%、10.6重量%,水分率差△S為7.6重量%。又,第2延伸步驟之以即將導入至加熱爐前之膜為基準之延伸倍率D2設為1.05倍。
<比較例5>
將加熱爐內之溫度及絕對濕度、第2延伸步驟之延伸倍率D2、第2延伸步驟時之膜張力設為如表3所示,除此以外,以與實施例13相同之方式製作偏光膜。比較例5中,加熱爐內之溫度、絕對濕度分別為65℃、8g/m3,於加熱爐中不進行高溫高濕處理,而僅進行加熱(乾 燥)處理,又,不進行延伸(D2=1.00倍)。
將實施例13及比較例5之偏光性積層膜之製造條件、即將進行加熱爐導入(第2延伸步驟)之前及剛進行加熱爐導入(第2延伸步驟)後之偏光膜之水分率、以及作為該等之差之水分率差△S彙總於表3。又,關於上述項目(除去TD/MD比),測定實施例13及比較例5之偏光膜之特性。將結果示於表3。再者,於使用附有積分球之分光光度計[日本分光股份有限公司製造之「V7100」]之光學特性之測定中,將自所獲得之偏光性積層膜剝離去除由第一PVA層形成之偏光膜之積層膜用作測定樣品。此時,自偏光膜(由第二PVA層形成之偏光膜)側入射光進行測定。又,MD收縮力係自所獲得之偏光性積層膜僅取出由第二PVA層形成之偏光膜,將其作為測定樣品。
Figure 104141820-A0202-12-0027-3

Claims (7)

  1. 一種偏光膜之製造方法,其包含:染色步驟,其利用二色性色素將聚乙烯醇系樹脂膜染色;交聯步驟,其利用交聯劑處理染色步驟後之膜;第1延伸步驟,其於上述交聯步驟中及/或其之前,使聚乙烯醇系樹脂膜單軸延伸;及第2延伸步驟,其使交聯步驟後之膜於溫度40~100℃、絕對濕度40g/m3以上之高溫高濕環境下進一步單軸延伸,且藉由上述第2延伸步驟降低膜之水分率。
  2. 如請求項1之製造方法,其中上述第2延伸步驟中進行之單軸延伸之倍率為1.01~1.4倍。
  3. 如請求項1之製造方法,其中上述第2延伸步驟前後之膜之水分率差未達15重量%。
  4. 如請求項1或2之製造方法,其中於上述交聯步驟之後,進而包含使用含有水之清洗液清洗聚乙烯醇系樹脂膜之清洗步驟,於上述清洗步驟之後,實施上述第2延伸步驟。
  5. 如請求項1或2之製造方法,其中上述第2延伸步驟之上述單軸延伸為乾式延伸。
  6. 一種偏光膜,其係使二色性色素吸附配向於聚乙烯醇系樹脂膜而成者,且基於藉由廣角X射線繞射測定而獲得之方位角分佈曲線,依照下述式:TD/MD比=(TD之強度)/(MD之峰強度)[式中,MD之峰強度係上述方位角分佈曲線之β角度0°及180°下之峰強度之平均值,TD之強度係β角度90°及270°下之強度之 平均值]所求出之TD/MD比於上述偏光膜之厚度為10μm以上時為0.142以下,於上述偏光膜之厚度未達10μm時為0.160以下。
  7. 一種偏光板,其包含如請求項6之偏光膜、及積層於其至少一面上之保護膜。
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