TWI685457B - 半導體積體電路零件用托盤及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半導體積體電路零件用托盤(1),其具有用於收容半導體積體電路零件的多個凹部(4),其特徵在於:在各凹部(4)內形成有1個或多個波浪形壁(7),該1個或多個波浪形壁(7)的頂面位於成為支承面的位置,該支承面用於對應當被收容於多個凹部(4)中的各凹部的半導體積體電路零件進行支承。據此,能夠防止被收容於半導體積體電路零件用托盤的半導體積體電路零件由於靜電等而貼附於該半導體積體電路零件用托盤。

Description

半導體積體電路零件用托盤及其製造方法
本發明係關於一種用於收容IC等半導體積體電路零件(半導體晶片)的半導體積體電路零件用托盤及其製造方法,詳細而言,涉及一種能夠防止被收容在堆疊的多個半導體積體電路零件用托盤中的半導體積體電路零件貼附於該托盤的支承面或上層的半導體積體電路零件用托盤的背面的半導體積體電路零件用托盤及其製造方法。
近年來,半導體晶片(半導體積體電路零件)小型化、越來越薄。因此,有時被收容在半導體積體電路零件用托盤的凹部(pocket)中的半導體晶片會由於靜電等原因而貼附於從下方支承該半導體晶片的支承面。另外,被收容在半導體積體電路零件用托盤的凹狀的凹部中的半導體晶片有時還會貼附於堆疊在該半導體積體電路零件用托盤的上層的另一半導體積體電路零件用托盤的背面。若像這樣半導體晶片貼附於半導體積體電路零件用托盤的表面或背面,則不容易從半導體積體電路零件用托盤取出半導體晶片,若要強行取出該半導體晶片,會損傷半導體晶片。 <先前技術文獻> <專利文獻>
專利文獻1:日本發明專利公開公報  特開2002-002871號
<發明所欲解決的問題>
通過減小半導體積體電路零件用托盤和被收容在其中的半導體積體電路零件(PKG)的接觸面積,能夠抑制靜電的產生。但是,專利文獻1所示的圓錐形或棱錐形形狀的突起部1b很可能會由於與半導體晶片接觸的該突起部b的頂端對半導體晶片的背面施加過度的壓力而使半導體晶片產生裂紋。
本發明提供一種半導體積體電路零件用托盤,其能夠防止被收容在半導體積體電路零件用托盤的凹部中的半導體積體電路零件貼附於用於從下方支承該半導體積體電路零件的支承面、貼附於堆疊的多個半導體積體電路零件用托盤的上層托盤的背面。 <用於解決技術問題的技術方案>
本發明提供一種半導體積體電路零件用托盤,其具有用於收容半導體積體電路零件的多個凹部,其特徵在於,在各凹部內形成有1個或多個波浪形壁,該1個或多個波浪形壁的頂面位於成為支承面的位置,該支承面用於對應當被收容於凹部內的半導體積體電路零件進行支承。
另外,本發明提供一種半導體積體電路零件用托盤,其具有用於收容半導體積體電路零件的多個凹部,其特徵在於,在各凹部內形成有彼此分離的多個壁,該彼此分離的多個壁的頂面位於成為支承面的位置,該支承面用於對應當被收容於凹部內的半導體積體電路零件進行支承。
並且,該半導體積體電路零件用托盤的特徵在於,在該半導體積體電路零件用托盤的背面形成有1個或多個壁,在該半導體積體電路零件用托盤被堆疊在收容有半導體積體電路零件的其他半導體積體電路零件用托盤的上層的情況下,所述背面的1個或多個壁的頂面位於能與被收容於下層的所述其他半導體積體電路零件用托盤的半導體積體電路零件接觸的位置。
另外,提出一種製造半導體積體電路零件用托盤的方法,在該半導體積體電路零件用托盤的表面具有用於收容半導體積體電路零件的多個凹部,在該方法中,包括在各凹部內形成1個或多個波浪形壁的步驟,在該步驟中,以該1個或多個波浪形壁的頂面成為支承面的方式在各凹部內形成1個或多個波浪形壁,其中所述支承面用於對應當被收容於凹部內的半導體積體電路零件進行支承。
另外,該製造半導體積體電路零件用托盤的方法還包括在該半導體積體電路零件用托盤的背面形成1個或多個波浪形壁的步驟,在該步驟中,以如下方式在該半導體積體電路零件用托盤的背面形成1個或多個波浪形壁:在該半導體積體電路零件用托盤被堆疊在收容有半導體積體電路零件的其他半導體積體電路零件用托盤的上層的情況下,所述背面的1個或多個波浪形壁的頂面位於能與被收容於下層的所述其他半導體積體電路零件用托盤的半導體積體電路零件接觸的位置。
並且,形成所述1個或多個波浪形壁的步驟包括:使用端銑刀(End mill)在模具上切削加工一定深度的槽的步驟;使用切削加工而成的槽來對所述1個或多個波浪形壁進行模具成型的步驟。
一邊參照附圖一邊對本發明的半導體積體電路零件用托盤進行說明。
圖1是半導體積體電路零件用托盤1(以下還簡稱為“托盤1”。)的俯視圖。在托盤1的表面2具有由縱向、橫向的分隔框3劃分而成的用於收容半導體積體電路零件的多個凹部4。
圖2表示在托盤1的表面2形成的壁7的位置和在托盤1的背面6形成的壁8的位置一例。在圖2的右上方顯示的表面2,在四邊形的凹部4的外周緣的部位(圖2中塗黑的部位)形成有壁7。在圖2的左下方顯示的背面6,在位於凹部4的背側的4個部位(圖2中塗黑的部位)形成有1個或多個壁8。在本發明的其他實施例中,存在於托盤1的背面6的3處以上的部位形成有1個或多個壁8的情況,還存在於5處以上的部位形成有1個或多個壁8的情況。
圖3是將半導體積體電路零件用托盤1的凹部4放大表示的立體圖。在一實施例中,在各凹部4內形成有1個或多個波浪形壁(蛇行壁)7,以能夠在各凹部4內使半導體積體電路零件穩定。1個或多個波浪形壁7的頂面成為用於從下方對被收容於各凹部4內的半導體積體電路零件進行支承的支承面5。在其他實施例中,還存在形成有非波浪形壁(不呈波浪形的壁)的情況(做為其他實施例請參照圖7)。
做為在托盤1上形成1個或多個壁的方法,在一實施例中,能夠使用具有曲率半徑R=0.15(mm)的頂端的端銑刀,在模具(金屬模具等)上切削加工0.02mm深的槽,使用在模具(金屬模具等)上切削加工而成的槽,對1個或多個壁進行模具成型。在其他實施例中,存在於模具(金屬模具等)上切削加工比0.02mm深的槽的情況,還存在切削加工比0.02mm淺的槽的情況。
圖4A是將圖2所示的托盤1的表面2的單點劃線的框內A放大顯示的照片。在圖4A所示的照片中,在托盤1的表面2的各凹部4的四角的位置,以彼此分離配置的方式形成有多個壁7a。換言之,也可以說以使多個壁7a彼此分離的方式形成有格子狀的槽。在該情況下,空氣易於流通到在各凹部4的四角的位置形成的格子狀的槽,因此,成為不容易產生靜電的結構。由於是不容易產生靜電的結構,因此,半導體積體電路零件(半導體晶片)被收容於各凹部4時不會貼附於支承面5。
圖4B表示切削加工用於在各凹部4的四角對壁進行模具成型的模具(金屬模具等)時應該使端銑刀連續移動的路徑一例。按照在圖4B中箭頭所示的路徑,連續移動(配置於圖4B的紙面的背側的)端銑刀,在模具上切削加工一定深度的槽。當使用在模具上(圖4B的紙面的背側)形成的一定深度的槽,對塑料進行模具成型時,能夠製作在圖4A的照片中顯示的、具有波浪形壁7和多個彼此分離配置的壁7a的托盤1。
即,通過移動(配置在圖4B的紙面的背側的)端銑刀來在模具上切削加工一定深度的槽7’,使用切削加工而成的槽7’,能夠對圖4A所示那樣的1個或多個波浪形壁7進行模具成型。另外,通過移動端銑刀來在模具上切削加工一定深度的槽7a’,使用切削加工而成的槽7a’,能夠對圖4A所示那樣的彼此分離配置的多個壁7a進行模具成型。使用模具而模具成型的波浪形壁7的間距較佳為一定的間隔。
在其他實施例中,也存在使用電火花加工技術來切削加工波浪形壁7和彼此分離配置的多個壁7a的模具的情況。並且,在其他實施例中,還存在不使用切削加工技術,而在托盤1上直接形成波浪形壁7和彼此分離配置的多個壁7a的情況。例如,還存在使用浮雕加工(蝕刻法)技術來在半導體積體電路零件用托盤上形成凹凸的情況。
圖5是將圖2所示的托盤1的背面6的單點劃線的框內B放大顯示的照片。在托盤1的凹部4的背面6的1個或多個部位形成有波浪形壁8。
在圖6所示的實施例中,以如下方式在托盤1的背面形成有1個或多個波浪形壁:在凹部中收容有半導體積體電路零件的托盤的上層堆疊有托盤1的狀態下,托盤1的背面的1個或多個波浪形壁的頂面位於能與被收容於下層的半導體積體電路零件用托盤的上述半導體積體電路零件接觸的位置。
在圖7所示的實施例中,在托盤1的背面6形成有彼此分離配置的多個非波浪形壁(不呈波浪形的壁)10。這些非波浪形壁10沿著各凹部4的外周緣而形成。
如上所述,本發明的托盤1能夠防止被收容於該托盤1的凹部中的半導體積體電路零件貼附於該托盤1的凹部4內的支承面5。並且,在托盤1被堆疊時,也能夠防止半導體積體電路零件貼附於上層的托盤1的背面。
1 半導體積體電路零件用托盤
2 (半導體積體電路零件用托盤的)表面
3 分隔框
4 凹部
5 支承面
6 (半導體積體電路零件用托盤的)背面
7 波浪形壁
7a (彼此分離配置的多個)壁
8 (半導體積體電路零件用托盤的背面的)壁
9 半導體積體電路零件用托盤
10 非波浪形壁(不呈波浪形的壁)
11 捆紮帶
圖1是表示本發明所涉及的半導體積體電路零件用托盤的圖。 圖2是表示在托盤的表面和背面切削加工而成的壁的位置一例的圖。 圖3是將半導體積體電路零件用托盤的凹部放大表示的立體圖。 圖4A是將凹部內放大顯示的照片。圖4B是切削加工用於在凹部內對壁進行模具成型的模具時使端銑刀移動的路徑一例的圖。 圖5是將凹部的背面的局部放大顯示的照片。 圖6是表示被用捆紮帶捆紮的多個半導體積體電路零件用托盤的圖。 圖7是表示在表面具有彼此分離配置的多個非波浪形壁的例子的圖。
1 半導體積體電路零件用托盤
2 (半導體積體電路零件用托盤的)表面
3 分隔框
4 凹部
5 支承面
6 (半導體積體電路零件用托盤的)背面
7 波浪形壁
8 (半導體積體電路零件用托盤的背面的)壁

Claims (6)

  1. 一種半導體積體電路零件用托盤,其特徵在於:在該半導體積體電路零件用托盤的表面具有用於收容半導體積體電路零件的多個凹部;在各凹部內形成有沿著水平面蛇行之具有水平的蛇行狀之頂面的1個或多個波浪形壁,上述波浪形壁係經由波形成要素之波峰及波谷交互地連續配置所構成,上述波浪形壁中之上述頂面係位於成為用以支承被收容於上述凹部內之半導體積體電路零件的支承面的位置。
  2. 如請求項1所述的半導體積體電路零件用托盤,其中:在該半導體積體電路零件用托盤的背面形成有1個或多個壁;在該半導體積體電路零件用托盤被堆疊在收容有半導體積體電路零件的其他半導體積體電路零部件用托盤的上層的情況下,所述背面的1個或多個壁的頂面位於能與被收容於下層的所述其他半導體積體電路零部件用托盤的半導體積體電路零部件接觸的位置。
  3. 如請求項1或2所述的半導體積體電路零件用托盤,其中在各凹部內進一步形成有彼此分離的多個壁,該彼此分離的多個壁的水平之頂面位於成為支承面的位置,該支承面用於對應當被收容於所述凹部內的半導體積體電路零件進行支承。
  4. 一種製造半導體積體電路零件用托盤的方法,在該半導體積體電路零件用托盤的表面具有用於收容半導體積體電路零件的多個凹部,其特徵在於:包括在各凹部內形成沿著水平面蛇行之具有水平的蛇行狀之頂面的1個或多個波浪形壁的步驟,在此步驟中,上述波浪形壁係經由波形成要素 之波峰及波谷交互地連續配置所構成,上述波浪形壁中之上述頂面係成為用以支承被收容於上述凹部內之半導體積體電路零件的支承面的方式而被形成在各凹部內。
  5. 如請求項4所述的製造半導體積體電路零件用托盤的方法,其中還包括:在該半導體積體電路零件用托盤的背面形成1個或多個波浪形壁的步驟,在該步驟中,以如下方式在該半導體積體電路零件用托盤的背面形成1個或多個波浪形壁:在該半導體積體電路零件用托盤被堆疊在收容有半導體積體電路零件的其他半導體積體電路零件用托盤的上層的情況下,所述背面的1個或多個波浪形壁的頂面位於能與被收容於下層的所述其他半導體積體電路零件用托盤的半導體積體電路零件接觸的位置。
  6. 如請求項4或5所述的製造半導體積體電路零件用托盤的方法,其中形成所述1個或多個波浪形壁的步骤還包括:使用端铣刀在模具上切削加工一定深度的槽的步骤;使用切削加工而成的槽來對所述1個或多個波浪形壁進行模具成型的步驟。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20010032800A1 (en) * 2000-04-20 2001-10-25 Masato Numazaki Method of manufacturing semiconductor device and tray used in the method
US7611766B2 (en) * 2003-04-10 2009-11-03 Achilles Corporation Wafer protective sheet

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