TWI683017B

TWI683017B - Ｉｔｏ薄膜及透明導電性薄膜

Info

Publication number: TWI683017B
Application number: TW107135559A
Authority: TW
Inventors: 河添昭造
Original assignee: 日商洛克技研工業股份有限公司
Priority date: 2018-06-27
Filing date: 2018-10-09
Publication date: 2020-01-21
Also published as: CN110648783A; JP2020001232A; JP7116994B2; KR102336155B1; KR20200001441A; CN116189964A; TW202000950A

Abstract

[課題] 提供一種「提高未進行退火處理之狀態的非晶質ITO膜之穩定性，電阻值不隨時間變化且耐防濕性或阻氣性提高，對彎曲所致之破裂具有較強耐受力」的ITO薄膜及導電性、透明性及耐久性優異的透明導電性薄膜。 [解決手段] 本發明之ITO薄膜，係在具有可撓性之基材的表面，形成未進行退火處理之狀態的非晶質ITO膜，並將非晶質ITO膜之膜厚設成為30nm~320nm的範圍，將非晶質ITO膜之表面電阻設成為9~105(Ω/□)的範圍。

Description

ＩＴＯ薄膜及透明導電性薄膜

本發明，係關於適於特別是使用了太陽能電池、有機EL顯示器及有機EL的照明之ITO薄膜及透明導電性薄膜。

透明導電性薄膜，雖係被使用於觸控面板、太陽能電池、電磁波/靜電屏蔽、紫外/紅外線屏蔽，但在特別是使用了太陽能電池、有機EL顯示器及有機EL的照明中，係開始要求全光線透射率為90%且表面電阻為5~10(Ω/□)的性能。然而，在專利文獻1中，係揭示有未進行退火處理之狀態的非晶質ITO膜(實施例5及比較例4)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特許第6106756號公報

[本發明所欲解決之課題]

專利文獻1，係以點狀設置有粒子的方式，形成透明導電性薄膜層上的透明金屬氧化物層，減小透明導電性薄膜層的透明金屬層所致之被覆率，使透明導電性薄膜露出於粒子間，藉此，可不降低透明性而大幅改善透明導電性薄膜層與透明金屬氧化物層上之金屬電極間的導電性，並提高折射率匹配性或耐刮性者。因此，當在ITO膜上形成了SiO ₂時的實施例5中，雖係具有高透明性，但當在ITO膜上未形成SiO ₂的比較例4中，係透明性低且在耐刮性上亦產生問題。另外，在專利文獻1中，係為了實現ITO膜之低電阻化，而將ITO膜的膜厚增厚至90nm，並且為了提高ITO膜之穩定性，而使SnO ₂含有10wt%。

本發明之目的，係在於提供一種「提高未進行退火處理之狀態的非晶質ITO膜之穩定性，電阻值不隨時間變化且耐防濕性或阻氣性提高，對彎曲所致之破裂具有較強耐受力」的ITO薄膜及導電性、透明性及耐久性優異的透明導電性薄膜。 [用以解決課題之手段]

申請專利範圍第1項記載之本發明之ITO薄膜，係在具有可撓性之基材的表面，形成了未進行退火處理之狀態的非晶質ITO膜之ITO薄膜，該ITO薄膜，其特徵係，將前述非晶質ITO膜之膜厚設成為30nm~320nm的範圍，將前述非晶質ITO膜之表面電阻設成為9~105(Ω/□)的範圍。申請專利範圍第2項記載之本發明，係在申請專利範圍第1項記載的ITO薄膜中，使用聚對苯二甲酸乙二酯作為前述基材。申請專利範圍第3項記載之本發明，係在申請專利範圍第1或2項記載的ITO薄膜中，將前述非晶質ITO膜之膜密度設成為65%以上。申請專利範圍第4項記載之本發明，係在申請專利範圍第1~3項中任一項記載的ITO薄膜中，將前述非晶質ITO膜之表面平均粗糙度設成為9nm以下。申請專利範圍第5項記載之本發明，係在申請專利範圍第1~4項中任一項記載的ITO薄膜中，將前述非晶質ITO膜所含有之SnO ₂設成為2wt%~7wt%的範圍。申請專利範圍第6項記載之本發明之透明導電性薄膜，係在具有可撓性之基材的表面形成第1 ITO膜，並在前述第1 ITO膜的表面形成薄膜金屬層，且進一步在前述薄膜金屬層的表面形成第2 ITO膜，該透明導電性薄膜，其特徵係，將前述第1 ITO膜設成為未進行前述退火處理之狀態的非晶質ITO膜，將前述第2 ITO膜設成為「使膜厚成為30nm~320nm的範圍且使前述非晶質ITO膜之表面電阻成為9~105(Ω/□)的範圍而未進行前述退火處理之狀態」的非晶質ITO膜。申請專利範圍第7項記載之本發明，係在申請專利範圍第6項記載的透明導電性薄膜中，將前述薄膜金屬層設成為10nm~20nm之厚度的Ag層。申請專利範圍第8項記載之本發明，係在申請專利範圍第6或7項記載的透明導電性薄膜中，使用聚對苯二甲酸乙二酯作為前述基材。申請專利範圍第9項記載之本發明，係在申請專利範圍第6~8項中任一項記載的透明導電性薄膜中，將前述第2 ITO膜之膜密度設成為65%以上。申請專利範圍第10項記載之本發明，係在申請專利範圍第6~9項中任一項記載的透明導電性薄膜中，將前述第2 ITO膜之表面平均粗糙度設成為9nm以下。申請專利範圍第11項記載之本發明，係在申請專利範圍第6~10項中任一項記載的透明導電性薄膜中，將前述第2 ITO膜所含有之SnO ₂設成為2wt%~7wt%的範圍。 [發明之效果]

根據本發明，可提供一種「電阻值不隨時間變化且耐防濕性或阻氣性提高，對彎曲所致之破裂具有較強耐受力」的ITO薄膜。又，根據本發明，可提供一種導電性、透明性及耐久性優異的透明導電性薄膜。

本發明之第1實施形態之ITO薄膜，係將非晶質ITO膜之膜厚設成為30nm~320nm的範圍，將非晶質ITO膜之表面電阻設成為9~105(Ω/□)的範圍者。根據本實施形態，藉由使非晶質ITO膜成為高密度的方式，可提高穩定性，並可提供一種「電阻值不隨時間變化且耐防濕性或阻氣性提高，對彎曲所致之破裂具有較強耐受力」的ITO薄膜。

本發明之第2實施形態，係在第1實施形態之ITO薄膜中，亦可使用聚對苯二甲酸乙二酯作為基材者。根據本實施形態，聚對苯二甲酸乙二酯，係可撓性及透明性優異，適於形成非晶質ITO膜。

本發明之第3實施形態，係在第1或第2實施形態之ITO薄膜中，將非晶質ITO膜之膜密度設成為65%以上者。根據本實施形態，藉由將非晶質ITO膜之膜密度設成為65%以上的方式，可提高穩定性。

本發明之第4實施形態，係在第1~第3實施形態之ITO薄膜中，將非晶質ITO膜之表面平均粗糙度設成為9nm以下者。根據本實施形態，藉由將非晶質ITO膜之表面平均粗糙度設成為9nm以下的方式，可使非晶質ITO膜之膜密度成為65%以上且提高穩定性。

本發明之第5實施形態，係在第1~第4實施形態之ITO薄膜中，將非晶質ITO膜所含有之SnO ₂設成為2wt%~7wt%的範圍者。根據本實施形態，藉由將SnO ₂設成為2wt%~7wt%的範圍之方式，可提高透明性。

本發明之第6實施形態之透明導電性薄膜，係將第1 ITO膜設成為未進行退火處理之狀態的非晶質ITO膜，將第2 ITO膜設成為「使膜厚成為30nm~320nm的範圍且使非晶質ITO膜之表面電阻成為9~105(Ω/□)的範圍而未進行退火處理之狀態」的非晶質ITO膜者。根據本實施形態，可提供一種導電性、透明性及耐久性優異的透明導電性薄膜。

本發明之第7實施形態，係在第6實施形態之透明導電性薄膜中，將薄膜金屬層設成為10nm~20nm之厚度的Ag層者。根據本實施形態，可藉由第2 ITO膜來保護對於耐久性不佳之Ag且提高耐久性，並且，可藉由第2 ITO膜，將50%左右之Ag的全光線透射率提高至90%左右。

本發明之第8實施形態，係在第6或第7實施形態之透明導電性薄膜中，亦可使用聚對苯二甲酸乙二酯作為基材者。根據本實施形態，聚對苯二甲酸乙二酯，係可撓性及透明性優異，適於形成非晶質ITO膜。

本發明之第9實施形態，係在第6~第8實施形態之透明導電性薄膜中，將第2 ITO膜之膜密度設成為65%以上者。根據本實施形態，藉由將非晶質ITO膜之膜密度設成為65%以上的方式，可提高穩定性。

本發明之第10實施形態，係在第6~第9實施形態之透明導電性薄膜中，將第2 ITO膜之表面平均粗糙度設成為9nm以下者。根據本實施形態，藉由將非晶質ITO膜之表面平均粗糙度設成為9nm以下的方式，可使非晶質ITO膜之膜密度成為65%以上且提高穩定性。

本發明之第11實施形態，係在第6~第10實施形態之透明導電性薄膜中，將第2 ITO膜所含有之SnO ₂設成為2wt%~7wt%的範圍者。根據本實施形態，藉由將SnO ₂設成為2wt%~7wt%的範圍之方式，可提高透明性。 [實施例]

(實施例1) 將厚度125μm之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)的兩面進行硬塗處理且設成為基材，在該基材之一方的表面使用含有5wt%之SnO ₂的ITO靶材，於含有約有1%之O ₂氣體的Ar氣體氛圍中，以真空度0.1~0.9Pa(約0.6Pa)，藉由濺鍍蒸鍍，形成表面電阻R=75~83(Ω/□)的ITO膜(厚度d=約35nm)。實施例1之ITO(含氧化錫之氧化銦)薄膜，係全光線透射率為84%。另外，全光線透射率之測定，係使用了Suga試驗機(股)HGM-2DP。

(實施例2) 以與實施例1相同的方法，形成了表面電阻R=100~ 105(Ω/□)之ITO膜(厚度d=約30nm)。如此一來，實施例1及實施例2，係在具有可撓性之基材的表面，形成了未進行退火處理之狀態的非晶質ITO膜之ITO薄膜。具有可撓性之基材，係可使用具有透明性的各種塑膠薄膜(薄片)。塑膠薄膜，係例如可使用包含有聚酯、聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚芳香酯或聚苯硫醚者作為樹脂成分。其中，聚酯特別佳，在聚酯中，聚對苯二甲酸乙二酯特別佳。聚對苯二甲酸乙二酯，係可撓性及透明性優異，適於形成非晶質ITO膜。經進行兩面硬塗處理之PET薄膜基材的全光線透射率，係約91%。另外，濺鍍蒸鍍時之薄膜基材溫度，係常溫。又，在此之濺鍍方法，係使用一般的磁控電極法。

(比較例1) 將厚度125μm之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)的兩面進行硬塗處理且設成為基材，在該基材之一方的表面使用含有5wt%之SnO ₂的ITO靶材，於含有約1%之O ₂氣體的Ar氣體氛圍中，以真空度0.1~0.9Pa(約0.6Pa)，藉由濺鍍蒸鍍，形成表面電阻R=170(Ω/□)的ITO膜(厚度d=約25nm)。其後，在大氣中約150℃的加熱氛圍下，加熱約50分鐘，形成表面電阻R=142(Ω/□)的薄膜結晶化ITO膜。另外，以防止退火時之PET薄膜基材的霧度增加為目的，使用兩面硬塗PET薄膜基材。

(評估方法1) 圖1，係表示使用了實施例1與比較例1之孔數之測定結果的表。測定，係使用了Toyo Corporation製ResiTest8330。由圖1所示之結果可預期，由於實施例1，係相對於比較例1具有較高的移動度，因此，其為高密度的膜。

(評估方法2) 圖2，係表示使用了實施例2與比較例1之直徑1.0mm之彎曲試驗結果的圖。圖2(a)，係試驗的概要圖；圖2(b)，係表示試驗後之膜表面的照片；圖2(c)，係表示測定結果的表。如圖2(b)及圖2(c)所示般，在比較例1中，係產生裂紋，相對於此，在實施例2中，係未產生裂紋。

(評估方法3) 圖3，係表示使用了實施例2與比較例1之無負載彎曲試驗結果的圖。圖3(a)，係試驗的概要圖；圖2(b)，係表示測定結果的表。從無負載彎曲試驗結果亦可知，相對於比較例1，實施例2，係對反覆彎曲亦具有較強耐受力。本發明之透明導電性薄膜，係將第1 ITO膜設成為未進行退火處理之狀態的非晶質ITO膜，將第2 ITO膜設成為「使膜厚成為30nm~320nm的範圍且使非晶質ITO膜之表面電阻成為9~105(Ω/□)的範圍而未進行退火處理之狀態」的非晶質ITO膜者。

(評估方法4) 圖4，係表示使用了實施例2之80℃保存特性結果的圖表。如圖4所示般，即便在經過1000hr，亦不會產生電阻值隨時間變化。

(評估方法5) 圖5，係表示使用了實施例2之60℃、90%RH保存特性結果的圖表。如圖5所示般，即便在經過1000hr，亦不會產生電阻值隨時間變化。

(評估方法6) 圖6，係表示使用了實施例2之-30℃與80℃之熱循環測試結果的圖表。如圖6所示般，即便在經過1000循環，亦不會產生電阻值隨時間變化。

(實施例3) 在實施例1之ITO薄膜的表面使用Ag靶材，以真空度0.1~0.9Pa(約0.6Pa)，藉由濺鍍蒸鍍，形成膜厚約10nm~ 20nm的Ag層。而且，在Ag層的表面使用含有5wt%之SnO ₂的ITO靶材，於含有約有1%之O ₂氣體的Ar氣體氛圍中，以真空度0.1~0.9Pa(約0.6Pa)，藉由濺鍍蒸鍍，形成表面電阻R=55~75(Ω/□)的ITO膜(厚度約50nm)。如此一來，實施例3，係「在具有可撓性之基材的表面形成第1 ITO膜，並在第1 ITO膜的表面形成薄膜金屬層，且進一步在薄膜金屬層的表面形成第2 ITO膜」之透明導電性薄膜。實施例3之透明導電性薄膜，係表面電阻R=5.0(Ω/□)，全光線透射率為89%。另外，膜厚約10nm~20nm的Ag層，係全光線透射率為50%。

(比較例2) 將厚度125μm之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)的兩面進行硬塗處理且設成為基材，在該基材之一方的表面使用含有5wt%之SnO ₂的ITO靶材，於含有約1%之O ₂氣體的Ar氣體氛圍中，以真空度0.1~0.9Pa(約0.6Pa)，藉由濺鍍蒸鍍，形成表面電阻R=170(Ω/□)的ITO膜(厚度約25nm)。其後，在該ITO薄膜的表面使用Ag靶材，以真空度0.1~0.9Pa(約0.6Pa)，藉由濺鍍蒸鍍，形成膜厚約10nm~20nm的Ag層。而且，在Ag層的表面使用ITO靶材，於含有約有1%之O ₂氣體的Ar氣體氛圍中，以真空度0.1~0.9Pa(約0.6Pa)，藉由濺鍍蒸鍍，形成厚度約50nm的ITO膜。在蒸鍍後，係表面電阻R=5.5(Ω/□)，全光線透射率為85%。其後，在大氣中約150℃的加熱氛圍下，加熱約50分鐘，使2個ITO膜(厚度約25nm、厚度約50nm)結晶化。結晶化後，係表面電阻R=5.0(Ω/□)，全光線透射率為89%。

(比較例3) 將厚度125μm之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)的兩面進行硬塗處理且設成為基材，在該基材之一方的表面使用Ag靶材，以真空度0.1~0.9Pa(約0.6Pa)，藉由濺鍍蒸鍍，形成膜厚約10nm~20nm的Ag層。形成Ag層後，係表面電阻R=5.0(Ω/□)，全光線透射率為50%。

(評估方法7) 圖7，係表示使用了實施例3、比較例2、比較例3之耐熱性結果的表。耐熱性試驗，係放置在150℃的氛圍下。如圖7所示般，雖然實施例3，係即便在經過22小時後，亦可獲得良好的結果，但比較例2，係經過22小時後，產生隨時間變化。比較例3，係在經過2小時的時點，已喪失功能。

(評估方法8) 圖8，係表示使用了實施例3、比較例2、比較例3之50℃溫水浸漬試驗結果的表。如圖8所示般，雖然實施例3，係即便在經過60分鐘後，亦可獲得良好的結果，但比較例2，係在經過20分鐘後，開始受到影響。比較例3，係在經過5分的時點，Ag層劣化變色而剝落。

(評估方法9) 圖9，係表示使用了實施例3、比較例2、比較例3之60℃~80℃溫水浸漬試驗結果的表。如圖9所示般，雖然實施例3，係即便在經過60分鐘後，亦可獲得良好的結果，但比較例2，係在經過40分鐘後，開始受到影響。比較例3，係在經過5分之前，Ag層劣化變色而剝落。

(評估方法10) 圖10，係表示使用了實施例3、比較例2、比較例3之大氣中常溫放置試驗結果的表。如圖10所示般，雖然實施例3，係即便在經過9個月後，亦可獲得良好的結果，但比較例2，係在經過3個月後，開始受到影響，並在經過9個月後，Ag層的一部分已變色。比較例3，係在經過2個月之前，Ag層劣化變色。

(評估方法11) 圖11，係表示使用了實施例3與比較例3之無負載彎曲試驗結果的圖。試驗方法，係與評估方法3相同。實施例3及比較例3，係在500次彎曲測試後，電阻變化率及全光線透射率皆獲得良好的結果。

圖12，係實施例1與比較例1之ITO薄膜表面的顯微鏡照片。圖12(a)，係實施例1的ITO薄膜；圖12(b)，係比較例1的ITO薄膜，試驗片之大小，係皆為10μmx2.5μm。

圖13，係表示圖12所示之試驗片之表面粗度之測定結果的圖表。圖13(a)，係實施例1的ITO薄膜；圖13(b)，係比較例1的ITO薄膜。表面粗度之測定，係使用了Kosaka Laboratory Ltd.製、微細形狀測定機型式 ET200。又，表面之凹陷的顯微鏡照片及測定點，係使用了Bruker公司製、掃描型探針顯微鏡(Dimension Icon SPM)。實施例1之ITO薄膜，係表面平均粗糙度Ra(nm)=4.1，比較例1之ITO薄膜，係表面平均粗糙度Ra(nm)=9.5。又，實施例1中使用之兩面硬塗處理薄膜基材的表面平均粗糙度Ra(nm)=5。

在使用ITO膜且需要低表面電阻值的情況下，一般存在有將ITO膜層之厚度增厚的方法。 (實施例4) 以與實施例1相同的方法，將非晶質ITO膜之膜厚形成為約320nm。此時的ITO薄膜，係全光線透射率為約82%，表面電阻R為約9(Ω/□)。又，亦可確認到，該ITO膜之平均空口徑及空口率，係與實施例1相同的非晶質高密度膜，電阻值不隨時間變化。

(比較例4) 比較例4，係以與比較例1相同的方法，藉由濺鍍蒸鍍，形成表面電阻R=15(Ω/□)的ITO膜(厚度約300nm)。為了防止電阻值隨時間變化，在大氣中約150℃的加熱氛圍下，加熱約50分鐘，形成薄膜結晶化ITO膜。其結果，在透明導電性薄膜產生有將ITO膜面設成為上面的捲曲，並在ITO膜的一部分產生有裂紋(破裂)而成為表面電阻值R=10~∞(裂紋部)(Ω/□)，從而無法穩定。

以下，說明關於膜密度。膜密度，係從每一單位面積的空口率導出。空口率，係設成為相對於測定長度之所計測的凹陷之空口徑之總長度的比。而且，將深度22nm以上的凹陷設成為空口，並將該凹陷之深度之1/2的位置之徑設成為空口的大小(空口徑)。作為計測之結果，在實施例1之ITO薄膜中，係平均空口徑為0.32μm，空口率為9.5%，在比較例1之ITO薄膜中，係平均空口徑為0.46μm，空口率為36.5%。在實施例1之ITO薄膜中，係由於空口率為9.5%，因此，膜密度為90.5%，在比較例1之ITO薄膜中，係由於空口率為36.5%，因此，膜密度為63.5%。

如此一來，本發明之ITO薄膜，係將非晶質ITO膜之膜厚設成為30nm~320nm的範圍，且將非晶質ITO膜之表面電阻設成為9~105(Ω/□)的範圍，藉此，藉由使非晶質ITO膜成為高密度的方式，可提高穩定性，並可提供一種「電阻值不隨時間變化且耐防濕性或阻氣性提高，對彎曲所致之破裂具有較強耐受力」的ITO薄膜。非晶質ITO膜之表面平均粗糙度，係設成為9nm以下為較佳，進一步是4.1以下為更佳，藉由將非晶質ITO膜之表面平均粗糙度設成為9nm以下的方式，可使非晶質ITO膜之膜密度成為65%以上且提高穩定性。非晶質ITO膜之膜密度，係設成為65%以上為較佳，進一步是90%以上為更佳，藉由將非晶質ITO膜之膜密度設成為65%以上的方式，可提高穩定性。非晶質ITO膜所含有之SnO ₂，係設成為2wt%~7wt%的範圍為較佳，進一步是如實施例1及實施例2所示般，設成為5wt%為更佳。藉由將SnO ₂設成為2wt%~7wt%的範圍之方式，可提高透明性。

另外，如實施例3所示般，不僅第2 ITO膜，針對第1 ITO膜，亦設成為使膜厚成為30nm~320nm的範圍，且非晶質ITO膜之表面電阻成為9~105(Ω/□)的範圍之非晶質ITO膜為較佳。藉由將第1 ITO膜或第2 ITO膜設成為像這樣的非晶質ITO膜之方式，可提供一種導電性、透明性及耐久性優異的透明導電性薄膜。又，將第2 ITO膜設成為「使膜厚成為30nm~320nm的範圍且使非晶質ITO膜之表面電阻成為9~105(Ω/□)的範圍」之非晶質ITO膜，並將薄膜金屬層設成為10nm~20nm之厚度的Ag層，藉此，可藉由第2 ITO膜來保護對於耐久性不佳之Ag且提高耐久性，並且，可藉由第2 ITO膜，將50%左右之Ag的全光線透射率提高至90%左右。在實施例3中，雖係使用Ag作為薄膜金屬層，但不特別限定於Ag，亦可使用Cu、Al、Au、Ni、Ni/Cr、Cr、Ti、Sn等的單體或由2種以上所構成的合金。

[圖1] 表示使用了實施例1與比較例1之孔數之測定結果的表 [圖2] 表示使用了實施例2與比較例1之直徑1.0mm之彎曲試驗結果的圖 [圖3] 表示使用了實施例2與比較例1之無負載彎曲試驗結果的圖 [圖4] 表示使用了實施例2之80℃保存特性結果的圖表 [圖5] 表示使用了實施例2之60℃、90%RH保存特性結果的圖表 [圖6] 表示使用了實施例2之-30℃與80℃之熱循環測試結果的圖表 [圖7] 表示使用了實施例3、比較例2、比較例3之耐熱性結果的表 [圖8] 表示使用了實施例3、比較例2、比較例3之50℃溫水浸漬試驗結果的表 [圖9] 表示使用了實施例3、比較例2、比較例3之60℃~80℃溫水浸漬試驗結果的表 [圖10] 表示使用了實施例3、比較例2、比較例3之大氣中常溫放置試驗結果的表 [圖11] 表示使用了實施例3與比較例3之無負載彎曲試驗結果的圖 [圖12] 實施例1與比較例1之ITO薄膜表面的顯微鏡照片 [圖13] 表示圖12所示之試驗片之表面粗度之測定結果的圖表

Claims

一種ITO薄膜，係在具有可撓性之基材的表面，形成了未進行退火處理之狀態的非晶質ITO膜之ITO薄膜，該ITO薄膜，其特徵係，將前述非晶質ITO膜之膜厚設成為30nm~320nm的範圍，將前述非晶質ITO膜之表面電阻設成為9~105(Ω/□)的範圍。
如申請專利範圍第1項之ITO薄膜，其中，使用聚對苯二甲酸乙二酯作為前述基材。
如申請專利範圍第1或2項之ITO薄膜，其中，將前述非晶質ITO膜之膜密度設成為65%以上。
如申請專利範圍第1或2項之ITO薄膜，其中，將前述非晶質ITO膜之表面平均粗糙度設成為9nm以下。
如申請專利範圍第1或2項之ITO薄膜，其中，將前述非晶質ITO膜所含有之SnO₂設成為2wt%~7wt%的範圍。
一種透明導電性薄膜，係在具有可撓性之基材的表面形成第1 ITO膜，並在前述第1 ITO膜的表面形成薄膜金屬層，且進一步在前述薄膜金屬層的表面形成第2 ITO膜，該透明導電性薄膜，其特徵係，將前述第1 ITO膜設成為未進行前述退火處理之狀態的非晶質ITO膜，將前述第2 ITO膜設成為「使膜厚成為30nm~320nm的範圍且使前述非晶質ITO膜之表面電阻成為9~105(Ω/□)的範圍而未進行前述退火處理之狀態」的非晶質ITO膜。
如申請專利範圍第6項之透明導電性薄膜，其中，將前述薄膜金屬層設成為10nm~20nm之厚度的Ag層。
如申請專利範圍第6或7項之透明導電性薄膜，其中，使用聚對苯二甲酸乙二酯作為前述基材。
如申請專利範圍第6或7項之透明導電性薄膜，其中，將前述第2 ITO膜之膜密度設成為65%以上。
如申請專利範圍第6或7項之透明導電性薄膜，其中，將前述第2 ITO膜之表面平均粗糙度設成為9nm以下。
如申請專利範圍第6或7項之透明導電性薄膜，其中，將前述第2 ITO膜所含有之SnO₂設成為2wt%~7wt%的範圍。