TWI680551B

TWI680551B - 蒸氣室

Info

Publication number: TWI680551B
Application number: TW107104307A
Authority: TW
Inventors: 青木博史; Hirofumi Aoki; 稲垣義勝; Yoshikatsu INAGAKI
Original assignee: 日商古河電氣工業股份有限公司; Furukawa Electric Co., Ltd.
Priority date: 2017-02-07
Filing date: 2018-02-07
Publication date: 2019-12-21
Also published as: TW201836092A; JPWO2018147283A1; WO2018147283A1; US20190360760A1; CN211903865U

Abstract

提供一種蒸氣室，其不論容器材料的種類為何，均降低容器的變形，並防止容器的熔接部的小孔發生。

一種蒸氣室，其包括：容器，其係由一方的板狀構件和與該一方的板狀構件對向的另一方的板狀構件層疊形成，具有中空的空洞部；已被封入上述空洞部的工作流體；設置於上述空洞部的芯部構造體；一種蒸氣室，上述空洞部的外周部係藉由熔接而封住；上述由熔接形成的熔融部貫穿上述一方的板狀構件，上述熔融部未貫穿上述另一方的板狀構件。

Description

蒸氣室

本發明係關於降低容器的變形，並防止容器的熔接部之小孔發生的蒸氣室。

搭載於電氣/電子機器的半導體元件等的電子零件，由於伴隨著高機能化的高密度搭載等，使得其發熱量增大，近年來，其冷卻變得更為重要。可以使用蒸氣室(平面型熱管)作為電子零件的冷卻方法。

例如，已有一種平面型熱管(專利文獻1)，將中板夾在為鋁或銅等的金屬材料形成的平板之表板和背板之間，於以治具固定的狀態下用雷射熔接等接合並使之層疊化。另外，藉由雷射熔接之表板和背板的接合，係使得雷射熔融部在板厚方向貫穿表板和背板。

但是，相較於使用作為容器材料的不鏽鋼等的其他金屬，鋁或銅等因為雷射光線的反射率相對較高，所以雷射熔接需要相對較高的能量密度。在此情況下具有如後的問題：由於高能量密度所發生的熱而在容器產生變形。

另外，雷射熔接必須要相對較高的能量密度的情況下，已熔融的金屬材料在凝固前掉落，而造成有時會在雷射熔接部發生小孔的問題。

先行技術文獻

專利文獻：

專利文獻1：日本特開2001-336889號公報

有鑑於此，本發明目的在於提供一種蒸氣室，其不論容器材料的種類為何，均降低容器的變形，並防止容器的熔接部的小孔發生。

本發明為態樣為蒸氣室，其包括：容器，其係由一方的板狀構件和與該一方的板狀構件對向的另一方的板狀構件層疊形成，具有中空的空洞部；已被封入上述空洞部的工作流體；設置於上述空洞部的芯部構造體；上述空洞部的外周部係藉由熔接而封住；上述由熔接形成的熔融部貫穿上述一方的板狀構件，上述熔融部未貫穿上述另一方的板狀構件。

上述態樣中，形成容器之層疊的2枚板狀構件，其周緣部係藉由熔接而接合，2枚板狀構件當中，一方的板狀構件中，熔融部於板厚方向貫穿，另一方的板狀構件中，熔融部未於板厚方向貫穿。據此，上述態樣中，係從一方的板狀構件側照射光線，一方的板狀構件中，光線於板厚方向貫穿，另一方的板狀構件中，光線未於板厚方向貫穿的狀態下，進行熔接。因此，容器當中，一方的板狀構件的外觀中可確認有熔接痕(例如熔接節等)，但另一方的板狀構件的外觀中未確認有熔接痕(例如熔接節等)。另外，上述「熔融部」係表示，在熔接時，板狀構件藉由光線的照射而被加熱熔融後並已凝固的部位。

本發明的態樣為蒸氣室，其包括：容器，其係由一方的板狀構件、與該一方的板狀構件對向的另一方的板狀構件、設置在該一方的板狀構件和該另一方的板狀構件之間的間隔構件層疊形成，具有中空的空洞部；已被封入上述空洞部的工作流體；設置於上述空洞部的芯部構造體；上述空洞部的外周部係藉由熔接而封住；由上述熔接形成的熔融部貫穿上述一方的板狀構件，上述一方的板狀構件側的上述熔融部未貫穿上述間隔構件；上述熔融部貫穿上述另一方的板狀構件，上述另一方的板狀構件側的上述熔融部未貫穿上述間隔構件。

本發明的態樣為蒸氣室，上述一方的板狀構件之上述熔融部中的板厚薄於上述另一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚。

本發明的態樣為蒸氣室，上述另一方的板狀構件的上述熔融部之厚度，為上述一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚之50~400%。

本發明的態樣為蒸氣室，上述間隔構件的上述一方的板狀構件側之上述熔融部的厚度，為上述一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚之50~400%，上述間隔構件的上述另一方的板狀構件側之上述熔融部的厚度，為上述另一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚之50~400%。

本發明的態樣為蒸氣室，上述容器表面中的上述熔融部的最大寬度，為上述熔融部中的上述間隔構件之寬度的 20~60%。

本發明的態樣為蒸氣室，在上述另一方的板狀構件，設置形成上述空洞部的凹部。

本發明的態樣為蒸氣室，在上述另一方的板狀構件，設置形成上述空洞部的凹部，上述一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚為30~300μm，上述另一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚為100μm以上。

本發明的態樣為蒸氣室，上述另一方的板狀構件的上述熔融部之厚度，為上述另一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚的10~90%。

上述熔接為雷射熔接，上述熔融部為雷射熔融部的一種蒸氣室。

本發明的態樣為蒸氣室，上述容器之材質為，由不鏽鋼、銅、銅合金、鋁、鋁合金、錫、錫合金、鈦、鈦合金、鎳及鎳合金構成的群當中選擇的至少1種金屬。

依據本發明的態樣，從一方的板狀構件側照射光線，藉由熔接將空洞部的外周部封住時，由於係為在另一方的板狀構件中光線未於板厚方向貫穿的狀態下，所以不論容器材料的種類為何，能夠降低光線的能量密度。據此，能夠抑制熔接時發生的熱，因此降低作為熔接對象之容器的變形。另外，因為能夠降低光線的能量密度，即使是在熔融部容易發生小孔的容器材料之銅或鋁，也能夠防止小孔的發生，因此可獲致良好的接合特性。

另外，在另一方的板狀構件中光線未於板厚方向貫穿，因此能夠防止作為熔融狀態的金屬粉之濺散的發生，結果能夠防止蒸氣室及熔接用治具等的汙染。另外，在另一方的板狀構件中光線未於板厚方向貫穿，因此在另一方的板狀構件上未產生為隆起熔接痕的熔接節，結果能夠省略從另一方的板狀構件去除熔接節的作業。再者，如上述，能夠降低光線的能量密度，能夠省略從另一方的板狀構件除去熔接節的作業，因此能夠降低蒸氣室的製造成本。

依據本發明的態樣，一方的板狀構件的熔融部中的板厚薄於另一方的板狀構件的熔融部中的板厚，亦即，在熔融部中，作為位於光線照射側的板狀構件之一方的板狀構件的板厚薄於另一方的板狀構件的板厚，因此能夠更降低光線的能量密度，結果能夠更減少容器的變形。

依據本發明的態樣，另一方的板狀構件的熔融部之厚度為，另一方的板狀構件的熔融部中的板厚的10~90%，藉此，能夠均衡地改善一方的板狀構件和另一方的板狀構件的接合可靠性、容器的變形之降低及小孔的發生之防止。

1、2、3、4、5‧‧‧蒸氣室

10、20、30‧‧‧容器

11、21、31‧‧‧一方的板狀構件

12、22、32‧‧‧另一方的板狀構件

13‧‧‧空洞部

14‧‧‧凹部

17‧‧‧雷射熔融部

【圖1】本發明的第1實施形態例之蒸氣室的側面剖面之說明圖。

【圖2】本發明的第2實施形態例之蒸氣室的側面剖面之說明圖。

【圖3】本發明的第3實施形態例之蒸氣室的側面剖面之說明圖。

【圖4】本發明的第4實施形態例之蒸氣室的側面剖面之說明圖。

【圖5】本發明的第5實施形態例之蒸氣室的側面剖面之說明圖。

以下，一邊使用圖式，一邊說明本發明的第1實施形態例之蒸氣室。如圖1所示，第1實施形態例之蒸氣室1具有：有中空的空洞部13的容器10、及已被封入空洞部13的工作流體(未圖示)。在空洞部13內，收納了具有毛細管力的芯部構造體(未圖示)。作為冷卻對象的發熱體(未圖示)與容器10的外面熱接觸，藉此使發熱體冷卻。

具有空洞部13的容器10，由對向的2枚板狀構件，亦即，一方的板狀構件11和與一方的板狀構件11對向的另一方的板狀構件12層疊而形成。因此，容器10為2層構造。一方的板狀構件11和另一方的板狀構件12，彼此層疊於平面視(從相對於蒸氣室1的平面部鉛直方向視覺辨認的態樣)中重疊的位置。

一方的板狀構件11和另一方的板狀構件12分別為平板狀的構件。在另一方的板狀構件12的中央部設有從一方的板狀構件11觀看時之凹部14。亦即，另一方的板狀構件12，在其與一方的板狀構件11對向的面上具有凹部14。另外，另一方的板狀構件12的未與一方的板狀構件11對向的面上，與凹部14的位置對應的部位，係位於與凹部14的周緣部對應之部位同一平面上。另一方面，在一方的板狀構件11的中央部，未設置凹部14，而為平面狀。因此，另一方的板狀構件12的凹部14形成容器10的空洞部13。亦即，另一方的板狀構件12的凹部14內面和一方的板狀構件11內面所形成的容器10的中空部，成為空洞部13。空洞部13的平面視的形狀不特別限定，可以因應蒸氣室1的使用條件等而適當選擇，例如可以為矩形等。

蒸氣室1，將空洞部13的外周部，亦即，容器10的周緣部16以雷射熔接，藉此將空洞部13封住，賦予空洞部13氣密性。蒸氣室1中，在被雷射熔接的容器10的周緣部16，一方的板狀構件11的板厚與另一方的板狀構件12的板厚大致相同或者相同。蒸氣室1中，將雷射光線15從一方的板狀構件11側照射到容器10的周緣部16，藉此，將一方的板狀構件11和另一方的板狀構件12接合。因此，蒸氣室1中，雷射光線15照射到未設置形成空洞部13的凹部14之板狀構件(亦即，一方的板狀構件11)。雷射光線15不照射到設置形成空洞部13的凹部14的板狀構件(亦即，另一方的板狀構件12)。

圖1中，雷射光線15從對於一方的板狀構件11的平面部鉛直方向照射。將一方的板狀構件11和另一方的板狀構件12以雷射熔接，藉此在容器10的周緣部16形成雷射熔融部17。容器10表面中的雷射熔融部17的最大寬度W1不特別限定，但為另一方的板狀構件12之周緣部16的寬度W2的20~60%為佳，為30~50%尤佳。

在雷射光線15照射的一方的板狀構件11中，雷射熔融部17於板厚方向貫穿一方的板狀構件11。另一方面，另一方的板狀構件12中，雷射熔融部17未於板厚方向貫穿另一方的板狀構件12。蒸氣室1中，在被雷射熔接的容器10之周緣部16，於一方的板狀構件11中，雷射熔融部17於板厚方向貫穿，於另一方的板狀構件12中，雷射熔融部17未於板厚方向貫穿。

基於上述，在容器10的一方的板狀構件11的外觀，可確認有熔接痕(例如熔接節等)，但在另一方的板狀構件12的外觀，未確認有熔接痕(例如熔接節等)。

雷射熔融部17未貫穿另一方的板狀構件12的蒸氣室1中，不論容器10之材料的種類為何，能夠降低雷射光線15的能量密度，因此能夠抑制雷射熔接時發生的熱。因此，蒸氣室1中，減少容器10的變形。另外，因為能夠降低雷射光線15的能量密度，即使容器10的材料為在雷射熔融部17容易產生小孔的銅或鋁，亦防止小孔的發生。

另外，另一方的板狀構件12中雷射熔融部17未貫穿，藉此，防止雷射熔接時熔融狀態的金屬粉之濺散的發生，所以能夠防止蒸氣室1或熔接用治具等的汙染。另外，雷射熔融部17未貫穿的另一方的板狀構件12中，不產生隆起的熔接痕之熔接節，因此，能夠省略從另一方的板狀構件12除去熔接節的作業。再者，因為能夠降低雷射光線15的能量密度，能夠省略從另一方的板狀構件12除去熔接節的作業，所以能夠降低蒸氣室1的製造成本。

若雷射熔融部17未於板厚方向貫穿另一方的板狀構件12，則相對於另一方的板狀構件12的雷射熔融部17中的板厚T2，另一方的板狀構件12的雷射熔融部17的厚度T12並不特別限定，例如，基於雷射熔接的接合可靠性的觀點而言，其下限值為10%為佳，為20%尤佳。另一方面，基於確實防止容器10的變形和小孔的發生之觀點而言，其上限值為90%為佳，為80%尤佳。另外，在蒸氣室1中，雷射熔融部17達到另一方的板狀構件12的板厚方向的中央部，在圖1中，相對於另一方的板狀構件12的雷射熔融部17中的板厚，另一方的板狀構件12的雷射熔融部17的厚度為大約50%。

蒸氣室1的厚度並不特別限定，但其可以為例如0.30~10mm。另外，空洞部13的厚度並不特別限定，但其可以為例如0.10~4.5mm。另外，一方的板狀構件11及另一方的板狀構件12的雷射熔融部17中的板厚並不特別限定，但其可以為例如0.15~5.0mm的板厚。

容器10的材質可以為例如：不鏽鋼、銅、銅合金、鋁、鋁合金、錫、錫合金、鈦、鈦合金、鎳、鎳合金等。

封入空洞部13的工作流體可以因應其與容器10的材料的適合性而適當選擇，其可以為例如：水、氯氟碳化合物類、環戊烷、乙二醇及其混合物等。芯部構造體並不特別限定，但可以為例如銅粉等的金屬粉的燒結體、金屬線構成的金屬網格、細溝、不織布等。

射出雷射光線15的雷射可以為例如：能夠射出集光徑小(例如，集光徑20~200μm)的雷射光線之雷射。該雷射可以為例如光纖雷射。

繼之，一邊使用圖式，一邊說明本發明的第2實施形態例之蒸氣室。關於與本發明的第1實施形態例之蒸氣室相同的構成要素，則使用相同符號說明。

如上述，第1實施形態例之蒸氣室1中，雷射光線15照射在未設置形成空洞部13的凹部14的一方的板狀構件11時，在被雷射熔接的容器10的周緣部16，一方的板狀構件11的板厚和另一方的板狀構件12的板厚相同或者大致相同。取代上述，如圖2所示，第2實施形態例之蒸氣室2中，在被雷射熔接的容器20的周緣部26，未設置形成空洞部13的凹部14的一方的板狀構件21的板厚薄於另一方的板狀構件22的板厚。

蒸氣室2中，在被雷射熔接的容器20的周緣部26，在板厚相對較薄的一方的板狀構件21中，雷射熔融部17於板厚方向貫穿，在板厚相對較厚的另一方的板狀構件22中，雷射熔融部17未於板厚方向貫穿。因此，在蒸氣室2中亦為，在容器20的一方的板狀構件21的外觀確認有熔接痕(例如熔接節等)，但在另一方的板狀構件22的外觀未確認有熔接痕(例如熔接節等)。

蒸氣室2的厚度並不特別限定，但其可以為例如0.13~10mm。另外，空洞部13的厚度並不特別限定，但其可以為例如0.07~9.9mm。板厚相對較薄的一方的板狀構件21的雷射熔融部17中的板厚並不特別限定，但其可以為例如30~300μm。板厚相對較厚的另一方的板狀構件22的雷射熔融部17中的板厚的下限值為例如100μm，上限值並不特別限定，但其可以為例如9.97mm。

另一方的板狀構件22的雷射熔融部17的厚度T12並不特別限定，其為一方的板狀構件21的雷射熔融部17中的板厚T1的50~400%為佳，為100~200%尤佳。容器20表面中的雷射熔融部17的最大寬度W1並不特別限定，其為另一方的板狀構件12中的周緣部26的寬度W2之20~60%為佳，30~50%尤佳。

蒸氣室2中，也和第1實施形態例之蒸氣室一樣，不論容器20的材料之種類為何，能夠降低雷射光線15的能量密度，因此能夠抑制雷射熔接時發生的熱，減少容器20的變形。另外，即使容器20的材料為在雷射熔融部17容易產生小孔的銅或鋁，亦防止小孔的發生。另外，蒸氣室2中，亦防止濺散的發生，因此能夠防止蒸氣室2或熔接用治具等的汙染，在另一方的板狀構件22不產生熔接節，因此能夠省略熔接節的除去作業。

另外，蒸氣室2中，於雷射熔融部17，位於雷射照射側的一方的板狀構件21的板厚薄於另一方的板狀構件22的板厚，因此，能夠更降低雷射光線15的能量密度，更減少容器20的變形。

繼之，一邊使用圖式，一邊說明本發明的第3實施形態例之蒸氣室。關於與本發明的第1、第2實施形態例之蒸氣室相同的構成要素，則使用相同符號說明。

第1、第2實施形態例之蒸氣室中，容器10、20為2層構造，在另一方的板狀構件12、22的中央部設從一方的板狀構件11、21觀看時之凹部14。取代上述，如圖3所示，第3實施形態例之蒸氣室3中，在一方的板狀構件31、和與一方的板狀構件31對向的另一方的板狀構件32之間更設置間隔構件33，形成容器30。因此，容器30為3層構造。一方的板狀構件31和間隔構件33和另一方的板狀構件32，彼此層疊於平面視中重疊的位置。

間隔構件33為框狀構件。一方的板狀構件31和另一方的板狀構件32分別為平板狀的構件。在另一方的板狀構件32的中央部未設置從一方的板狀構件31觀看時之凹部。因此，間隔構件33形成容器30的空洞部13。亦即，由另一方的板狀構件32的內面和一方的板狀構件31的內面和間隔構件33的內面所形成的容器30的中空部，成為空洞部13。

蒸氣室3中，在被雷射熔接的容器30的周緣部16中，一方的板狀構件31的板厚與另一方的板狀構件32的板厚大致相同或者相同。蒸氣室3中，雷射光線15從一方的板狀構件31側照射到容器30的周緣部16，藉此使得一方的板狀構件31和間隔構件33接合。另外，雷射光線15從另一方的板狀構件32側照射到容器30的周緣部16，藉此使得另一方的板狀構件32和間隔構件33接合。

雷射光線15所照射的一方的板狀構件31和另一方的板狀構件32中，雷射熔融部17於板厚方向貫穿一方的板狀構件31和另一方的板狀構件32。另一方面，在間隔構件33中，從一方的板狀構件31側照射的雷射光線15，未於間隔構件33的厚度方向貫穿。另外，間隔構件33中，從另一方的板狀構件32側照射的雷射光線15，未於間隔構件33的厚度方向貫穿。亦即，蒸氣室3中，在被雷射熔接的容器30的周緣部16，在一方的板狀構件31和另一方的板狀構件32中，雷射熔融部17於板厚方向貫穿，在間隔構件33中，雷射熔融部17未於厚度方向貫穿。

另外，蒸氣室3中，一方的板狀構件31側的雷射熔融部17設於未與另一方的板狀構件32側的雷射熔融部17對向的位置。

基於上述，在容器30的一方的板狀構件31和另一方的板狀構件32的外觀，確認有熔接痕(例如熔接節等)。

間隔構件33之於一方的板狀構件31側的雷射熔融部17的厚度T31並不特別限定，其為一方的板狀構件31的雷射熔融部中的板厚T1的50~400%為佳，100~200%尤佳。另外，間隔構件33之於另一方的板狀構件32側的雷射熔融部17的厚度T32並不特別限定，其為另一方的板狀構件32的雷射熔融部17中的板厚T2的50~400%為佳，100~200%尤佳。

容器30表面中的雷射熔融部17的最大寬度W13並不特別限定，其為雷射熔融部17中的間隔構件33的框本身的寬度(亦即，雷射熔融部17中的間隔構件33的寬度)W3的20~60%為佳，30~50%尤佳。

一方的板狀構件31的厚度和另一方的板狀構件32的厚度不特別限定，其為例如0.05~0.15mm。間隔構件33的厚度並不特別限定，例如，其為0.5~2.0mm為佳，0.6~0.8mm 尤佳。間隔構件33的框本身之寬度並不特別限定，例如其為0.5~4.0mm為佳，1.5~3.0mm尤佳。

蒸氣室3中，也和第1、第2實施形態例之蒸氣室一樣，不論容器30的材料之種類為何，能夠降低雷射光線15的能量密度，因此能夠抑制雷射熔接時發生的熱，減少容器30的變形。另外，即使容器30的材料為在雷射熔融部17容易產生小孔的銅或鋁，亦防止小孔的發生。另外，蒸氣室3中亦防止濺散的發生。

繼之，一邊使用圖式，一邊說明本發明的第4實施形態例之蒸氣室。關於本發明的第1~第3實施形態例之蒸氣室相同的構成要素，則使用相同符號說明。

第3實施形態例之蒸氣室3中，一方的板狀構件31側的雷射熔融部17，設置於未與另一方的板狀構件32側的雷射熔融部17對向的位置。形成於間隔構件33的雷射熔融部17之位置不特別限定，取代上述，如圖4所示，在第4實施形態例之蒸氣室4中，一方的板狀構件31側的雷射熔融部17亦可設置於與另一方的板狀構件32側的雷射熔融部17對向的位置。

另外，一方的板狀構件31側的雷射熔融部17，與另一方的板狀構件32側的雷射熔融部17可以相接、也可以不相接。蒸氣室4中，係為一方的板狀構件31側的雷射熔融部17與另一方的板狀構件32側的雷射熔融部17相接的態樣。

蒸氣室4中，也和第1~第3實施形態例之蒸氣室一樣，不論容器30的材料之種類為何，能夠降低雷射光線15的能量密度，因此能夠抑制雷射熔接時發生的熱，減少容器30的變形。另外，即使容器30的材料為在雷射熔融部17容易產生小孔的銅或鋁，亦防止小孔的發生。另外，蒸氣室4中亦防止濺散的發生。

繼之，一邊使用圖式，一邊說明本發明的第5實施形態例之蒸氣室。關於與本發明的第1~第4實施形態例之蒸氣室相同的構成要素，則使用相同符號說明。

第1實施形態例之蒸氣室1中，雷射光線15照射到未設置形成空洞部13的凹部14的一方的板狀構件11上，在被雷射熔接的容器10的周緣部16，一方的板狀構件11的板厚和另一方的板狀構件12的板厚相同或者大致相同。取代上述，如圖5所示，第5實施形態例之蒸氣室5中，在被雷射熔接的容器10的周緣部16中，未設置形成空洞部13的凹部14的一方的板狀構件11之板厚較設置了凹部14的另一方的板狀構件12的板厚還要厚。另外，蒸氣室5中，雷射光線15從設置了凹部14的另一方的板狀構件12側照射。

蒸氣室5中，在被雷射熔接的容器10的周緣部16中，在板厚相對較薄的另一方的板狀構件12中，雷射熔融部17於板厚方向貫穿，在板厚相對較厚的一方的板狀構件11中，雷射熔融部17未於板厚方向貫穿。亦即，蒸氣室5中，基於另一方的板狀構件12板厚相對較薄，而對應於蒸氣室1、2中的一方的板狀構件，蒸氣室5的一方的板狀構件12，對應於蒸氣室1、2中的另一方的板狀構件。因此，蒸氣室5中，在容器10的另一方的板狀構件12的外觀，確認有熔接痕(例如熔接節等)，但在一方的板狀構件11的外觀，未確認有熔接痕(例如熔接節等)。

蒸氣室5的厚度並不特別限定，其可以為例如0.3mm左右。另外，板厚相對較薄的另一方的板狀構件12之雷射熔融部17中的板厚並不特別限定，其可以為例如0.1mm左右。另外，板厚相對較厚的一方的板狀構件11的雷射熔融部17中的板厚並不特別限定，其可以為例如0.2mm左右。

一方的板狀構件11的雷射熔融部17之厚度T12並不特別限定，其為另一方的板狀構件12的雷射熔融部17中的板厚T2之50~400%為佳，100~200%尤佳。容器10表面中的雷射熔融部17的最大寬度W1並不特別限定，其為另一方的板狀構件12中的周緣部16的寬度W2之20~60%為佳，30~50%尤佳。

蒸氣室5，也和第1~第4實施形態例之蒸氣室一樣，不論容器10的材料之種類為何，能夠降低雷射光線15的能量密度，因此能夠抑制雷射熔接時發生的熱，減少容器10的變形。另外，即使容器10的材料為在雷射熔融部17容易產生小孔的銅或鋁，亦防止小孔的發生。另外，蒸氣室5亦防止濺散的發生。

繼之，說明本發明的蒸氣室的其他實施形態例。上述第1、第2、第5實施形態例之蒸氣室中，在一方的板狀構件的中央部未設置構成空洞部的凹部，但也可以因應需要，不僅在另一方的板狀構件，也在一方的板狀構件上設置凹部，亦可不在另一方的板狀構件而在一方的板狀構件上設置凹部。另外，上述第1、第2、第5實施形態例之蒸氣室中，設置於另一方的板狀構件的中央部之凹部形成容器的空洞部，但亦可不如此，而使用中央部朝向外側突出之塑性變形為凸狀的另一方的板狀構件。在此情況下，凸部的內部成為空洞部。

另外，上述第1、第2實施形態例之蒸氣室中，一方的板狀構件的雷射熔融部中的板厚為，另一方的板狀構件的雷射熔融部中的板厚以下，但亦可不如此，而為一方的板狀構件的雷射熔融部中的板厚較另一方的板狀構件的該板厚還要厚的態樣。

另外，上述各實施形態例之蒸氣室中，熔接手段為雷射熔接，但熔接手段並不特別限定，其可以為例如、縫焊、電阻焊接等。

【產業上的利用可能性】

本發明的蒸氣室，不論容器的材料之種類為何，皆減少容器的變形，因此，在將冷卻對象的發熱體面狀地均勻冷卻的領域中具有高利用價值。

Claims

一種蒸氣室，其包括：容器，其係由一方的板狀構件和與該一方的板狀構件對向的另一方的板狀構件層疊形成，具有中空的空洞部；已被封入上述空洞部的工作流體；設置於上述空洞部的芯部構造體；上述空洞部的外周部係藉由熔接而封住；上述由熔接形成的熔融部貫穿上述一方的板狀構件，上述熔融部未貫穿上述另一方的板狀構件；上述容器表面中的上述熔融部的最大寬度，為上述另一方的板狀構件之上述空洞部的外周部的寬度的20~60%。
一種蒸氣室，其包括：容器，其係由一方的板狀構件和與該一方的板狀構件對向的另一方的板狀構件層疊形成，具有中空的空洞部；已被封入上述空洞部的工作流體；設置於上述空洞部的芯部構造體；上述空洞部的外周部係藉由熔接而封住；上述由熔接形成的熔融部貫穿上述一方的板狀構件，上述熔融部未貫穿上述另一方的板狀構件；上述另一方的板狀構件，在與上述一方的板狀構件對向的面上具有凹部，在上述另一方的板狀構件的未與上述一方的板狀構件對向的面上，與上述凹部的位置對應的部位，係與上述凹部的周緣部對應之部位位在同一平面上。
如申請專利範圍第1或2項所記載的蒸氣室，上述一方的板狀構件之上述熔融部中的板厚薄於上述另一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚。
如申請專利範圍第3項所記載的蒸氣室，上述另一方的板狀構件的上述熔融部之厚度，為上述一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚之50~400%。
如申請專利範圍第1項所記載的蒸氣室，在上述另一方的板狀構件，設置形成上述空洞部的凹部。
如申請專利範圍第3項所記載的蒸氣室，在上述另一方的板狀構件，設置形成上述空洞部的凹部，上述一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚為30~300μm，上述另一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚為100μm以上。
如申請專利範圍第1或2項所記載的蒸氣室，上述另一方的板狀構件的上述熔融部之厚度，為上述另一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚的10~90%。
一種蒸氣室，其包括：容器，其係由一方的板狀構件、與該一方的板狀構件對向的另一方的板狀構件、設置在該一方的板狀構件和該另一方的板狀構件之間的間隔構件層疊形成，具有中空的空洞部；已被封入上述空洞部的工作流體；設置於上述空洞部的芯部構造體；上述空洞部的外周部係藉由熔接而封住；由上述熔接形成的熔融部貫穿上述一方的板狀構件，上述一方的板狀構件側的上述熔融部未貫穿上述間隔構件；上述熔融部貫穿上述另一方的板狀構件，上述另一方的板狀構件側的上述熔融部未貫穿上述間隔構件；上述容器表面中的上述熔融部的最大寬度，為上述熔融部中的上述間隔構件之寬度的20~60%。
如申請專利範圍第8項所記載的蒸氣室，上述間隔構件的上述一方的板狀構件側之上述熔融部的厚度，為上述一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚之50~400%，上述間隔構件的上述另一方的板狀構件側之上述熔融部的厚度，為上述另一方的板狀構件的上述熔融部中的板厚之50~400%。
如申請專利範圍第1、2或8項中任一項所記載的蒸氣室，上述熔接為雷射熔接，上述熔融部為雷射熔融部。
如申請專利範圍第1、2或8項中任一項所記載的蒸氣室，上述容器之材質為，由不鏽鋼、銅、銅合金、鋁、鋁合金、錫、錫合金、鈦、鈦合金、鎳及鎳合金構成的群當中選擇的至少1種金屬。