TWI677561B - 用以蝕刻包含銅層與鈦層之多層薄膜的蝕刻液及利用此蝕刻液的蝕刻方法以及利用該蝕刻方法製得之基板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供：用於疊層在使用選自玻璃、二氧化矽及氮化矽中之1種以上之基板上之包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜予以蝕刻的蝕刻液；及利用此蝕刻液之包含銅層及鈦層之多層薄膜的蝕刻方法；及利用該蝕刻方法製得之基板。該蝕刻液係包含以下成分的水溶液且pH值為1.5~2.5： (A)過氧化氫之濃度為4.5~7.5質量%；(B)硝酸之濃度為0.8~6質量%；(C)氟化合物之濃度為0.2~0.5質量%；(D)唑類之濃度為0.14~0.3質量%；(E)胺化合物之濃度為0.4~10質量%，該胺化合物係選自於具有1個以上之也可經甲氧基取代之直鏈狀或分支狀之碳數2~5之烷基之烷胺(E1)；具有1個或2個直鏈狀或分支狀之碳數2~5之羥烷基且任意地具有1個或2個直鏈狀或分支狀之碳數2~5之烷基之烷醇胺(E2)；具有直鏈狀或分支狀之碳數2~5之伸烷基之二胺(E3)；及環己胺(E4)中之一種以上之胺化合物；以及(F)過氧化氫安定劑之濃度為0.005~0.1質量%。

Description

用以蝕刻包含銅層與鈦層之多層薄膜的蝕刻液及利用此蝕刻液的蝕刻方法以及利用該蝕刻方法製得之基板
本技術係關於將疊層在玻璃、二氧化矽或氮化矽之基板上之包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜予以蝕刻用的蝕刻液；及利用此蝕刻液之蝕刻方法。尤其本發明之蝕刻液適合用於在鈦層上設置了銅層之多層薄膜的蝕刻。
以往，就平面顯示器等顯示裝置的佈線材料而言，一般使用鋁或鋁合金。然而，伴隨著顯示裝置之大型化及高解析度化，如此之鋁系佈線材料會發生起因於佈線電阻等特性之信號延遲之問題，均勻之畫面顯示有變得困難的趨勢。
因此，就電阻更低之材料而言，採用銅或以銅作為主成分之金屬佈線的例子逐漸增加。然而，銅雖具有電阻低之優點，但另一方面，使用於閘佈線時玻璃等基板與銅的密合性並不充分，此外使用於源極、汲極佈線時，具有有時會向為其基底之矽半導體膜產生擴散之問題。為了防止此狀況，進行阻隔層的疊層，該阻隔層有配置與玻璃等基板之密合性高，也兼具不容易向矽半導體膜產生擴散之阻隔性之金屬，就該金屬而言常使用鈦或氮化鈦等鈦系金屬。
另外，以銅或銅合金作為主成分之疊層膜係藉由濺射法等成膜程序疊層於玻璃、二氧化矽或氮化矽等(有時會記載為：玻璃等)基板上，接著經由以抗蝕劑等作為掩模(mask)並進行蝕刻之蝕刻步驟而成為電極圖案。而，該蝕刻步驟之方式有使用蝕刻液之濕式(wet)法或使用電漿等蝕刻氣體之乾式(dry)法。此處，於濕式(wet)法中使用之蝕刻液係 (i) 加工精度高、 (ii) 蝕刻殘渣少、 (iii) 蝕刻之不均勻少、 (iv) 對於為蝕刻對象之包括銅的佈線金屬材料之溶解，其蝕刻性能安定；且，為了對應顯示裝置之大型化及高解析度化而有， (v) 獲得使蝕刻後之佈線形狀為期望之範圍之良好的佈線形狀之需求。 更具體為，有如圖1所示銅佈線層(2)末端之蝕刻面與下層之基板(4)的夾角(錐角(5))為20°~60°之順錐形形狀，從抗蝕層(1)末端至與抗蝕層相接之佈線層(2)末端為止的距離(頂部CD損失，a×2)為2.5μm以下，從抗蝕層(1)末端至與設置於佈線下之阻隔層(3)相接之佈線層(2)之末端為止的距離(底部CD損失，b×2)為1.5μm以下，且阻隔層拖尾(tailing)(c×2)為0.4μm以下之蝕刻液的強烈需求。
就於含有銅或以銅做為主成分之銅合金之疊層膜的蝕刻步驟中使用之蝕刻液而言，例如在專利文獻1(日本特開2002-302780號公報)中記載了含有選自於中性鹽、無機酸及有機酸中之至少一者及過氧化氫、過氧化氫安定劑之蝕刻液。 於專利文獻2(美國專利申請公開第2003/0107023號說明書)提出含有過氧化氫、有機酸、氟之蝕刻溶液， 於專利文獻3(國際公開第2011/021860號)提出含有過氧化氫、氟、有機膦酸化合物之蝕刻液等。 然而，專利文獻1及2中揭示之蝕刻液，蝕刻後之佈線形狀並非十分令人滿意，就結果而言有時無法對應顯示器之大型化及高解析度化。另外，專利文獻2含有乙酸作為有機酸，存有鈦之溶解極為緩慢之缺點(參照表11、比較例24) 專利文獻3係雖然為了將鉬合金或鈦進行蝕刻而摻合0.01~1.0質量%之含氟化合物，但氟會腐蝕常使用作為基板基底之玻璃及二氧化矽或氮化矽，其結果產生光學特性變化等不良影響，故期望有對於玻璃等之傷害小的蝕刻液。 而且，專利文獻1~3中任一者於成分中皆含有較多量之過氧化氫(例如專利文獻3中為5.0~25質量%)，但已知過氧化氫會隨著重複進行蝕刻操作導致該蝕刻液中溶解之金屬離子增加，而使其安定性低落。該蝕刻液中之過氧化氫之濃度急遽低落時，不僅變得無法獲得期望之蝕刻性能，此外還使過氧化氫之補充量變多，於經濟方面有所不利。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2002-302780號公報 [專利文獻2] 美國專利申請公開第2003/0107023號說明書 [專利文獻3] 國際公開第2011/021860號
[發明所欲解決之課題] 習知技術中，常於包含銅層及鈦層之多層薄膜的蝕刻使用摻合了過氧化氫、酸、氟化合物之蝕刻液，但氟化合物會腐蝕玻璃等基板。於含有氟化合物之蝕刻液中，強烈期望有即使含有氟化合物卻具有不會腐蝕玻璃等基板之效果的蝕刻液。 另外，為了控制該蝕刻液之蝕刻速度，通常會進行pH值的調整。於pH調整係使用鹼性成分，但使用了氨或氫氧化鉀的情況對於玻璃等基板的腐蝕大，難以有效率且安定地生產具有目標特性的面板。 就其他的鹼性成分而言，有時也於pH調整時使用四級氫氧化銨，但四甲基氫氧化銨係於毒性化學物質管理法中規定之毒性物質，因為對於人體的危險性高，其使用受到限制而較不理想。
本發明係如此狀況下所產生者，提供用於具有包含以銅作為主成分之銅層及以鈦作為主成分之鈦層之多層薄膜的玻璃、二氧化矽或氮化矽基板予以蝕刻的蝕刻液，及利用此蝕刻液之包含銅層及鈦層之多層薄膜的蝕刻方法，及利用該蝕刻方法製得之基板。更具體而言，提供為含有過氧化氫及氟化合物，且同時大幅地減少對於玻璃、二氧化矽或氮化矽基板之腐蝕的蝕刻液，及利用此蝕刻液之包含銅層及鈦層之多層薄膜的蝕刻方法，及利用該蝕刻方法製得之基板。 [解決課題之手段]
本案發明者們為了達成上述目的重複深入研究之結果，發現藉由為含有氟化合物之蝕刻液且於該蝕刻液中添加特定胺化合物，可將具有包含銅層及鈦層之多層薄膜的佈線整個一起進行蝕刻，此時對於玻璃、二氧化矽或氮化矽的腐蝕小，而完成了本發明。 另外令人驚訝的是，得知即使溶解於蝕刻液中的金屬離子增加也不損及過氧化氫之安定性，且藉由該蝕刻方法可在保有高生產性的同時，於蝕刻後保持良好之佈線形狀。 也就是說本案發明為， 關於藉由一種蝕刻液將具有包含銅層及鈦層之多層薄膜的佈線予以蝕刻之技術，該蝕刻液為包含(A)過氧化氫4.5~7.5質量%、(B)硝酸0.8~6質量%、(C)氟化合物0.2~0.5質量%、(D)唑類0.14~0.3質量%、(E)特定之胺化合物0.4~10質量%、及(F)過氧化氫安定劑0.01~0.10質量%，其餘部分由水構成之水溶液，且pH值為1.5~2.5。
[1] 一種蝕刻液，係用於將疊層在使用選自於玻璃、二氧化矽及氮化矽中之1種以上之基板上之包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜予以蝕刻； 其係包含以下成分的水溶液且pH值為1.5~2.5； (A)過氧化氫之濃度4.5~7.5質量%、(B)硝酸之濃度0.8~6質量%、(C)氟化合物之濃度為0.2~0.5質量%、(D)唑類之濃度為0.14~0.3質量%、(E)胺化合物之濃度為0.4~10質量、及(F)過氧化氫安定劑之濃度0.005~0.1質量%。該(E)胺化合物宜選自於具有1個以上之也可經甲氧基取代之直鏈狀或分支狀之碳數2~5之烷基之烷胺(E1)；具有1個或2個直鏈狀或分支狀之碳數2~5之羥烷基且任意地具有1個或2個直鏈狀或分支狀之碳數2~5之烷基之烷醇胺(E2)；具有直鏈狀或分支狀之碳數2~5之伸烷基之二胺(E3)；及環己胺(E4)中之一種以上之胺化合物。此處「以銅為主成分」之含意係含有銅50質量%以上，宜為60質量%以上，更宜為70質量%以上。「以鈦為主成分」之含意係含有鈦50質量%以上，宜為60質量%以上，更宜為70質量%以上。 [2] 如第1項之蝕刻液，其中，(C)氟化合物係選自於氫氟酸、氟化銨及酸式氟化銨中之1種以上。 [3] 如第1項之蝕刻液，其中，(D)唑類為5-胺基-1H-四唑。 [4] 如第1項之蝕刻液，其中，(E)胺化合物選自於具有直鏈狀或分支狀之碳數1~6之烷基(但是，不包括環己基以外之鏈狀之己基)之烷胺、烷醇胺、二胺及環狀胺類中之1種以上。 [5] 如第1項或第4項之蝕刻液，其中，(E)胺化合物係選自於異丙醇胺、3-胺基丙-1-醇、N-丁基乙醇胺、N,N-二甲胺基丙-2-醇、2-甲氧基乙胺、環己胺、正丁胺、二丁胺、第三丁胺、N-甲基-正丁胺、1,4-二胺基丁烷、2-胺基丁-1-醇、5-胺基戊-1-醇、3-甲氧基丙胺、2-二甲胺基乙醇及2-胺基乙醇中之1種以上。 [6] 如第1項之蝕刻液，其中，(F)過氧化氫安定劑係選自於苯基脲及苯酚磺酸中之1種以上。 [7] 如第1項之蝕刻液，其中，頂部CD損失為2.5μm以下，底部CD損失為1.5μm以下，拖尾(tailing)為0.4μm以下。 [8] 如第1項之蝕刻液，其中，玻璃之腐蝕速度為60nm/分以下。 [9] 如第1項之蝕刻液，其中，二氧化矽及氮化矽之腐蝕速度為60埃/分以下。 [10] 如第1項之蝕刻液，其中，包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜之正好蝕刻時間為80秒~140秒。 [11] 如第1項之蝕刻液，其中，在於該蝕刻液添加銅4000ppm及鈦360ppm並於50℃保存了2小時後，該蝕刻液中之過氧化氫之安定性為0.075%/hr以下。 [12] 如第1項之蝕刻液，其中，疊層在使用了選自於玻璃、二氧化矽及氮化矽中之1種以上之基板上之多層薄膜係在以鈦為主成分之鈦層上疊層以銅為主成分之銅層而得。 [13] 一種包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜之蝕刻方法，係使疊層在使用了選自於玻璃、二氧化矽及氮化矽中之1種以上之基板上之包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜接觸如第1項至第12項中任一項之蝕刻液。 [發明之效果]
根據本發明之理想態樣，藉由於疊層在玻璃、二氧化矽或氮化矽(有時記載為玻璃等)基板上之包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜的蝕刻步驟中使用本案發明之蝕刻液，以獲得蝕刻液之浴液壽命(bath life)長、加工精度高、蝕刻殘渣或不均勻少、且蝕刻後良好之佈線形狀而可提供可對應顯示裝置之大型化及高解析度化之玻璃等的基板。
[用於將疊層在玻璃、二氧化矽或氮化矽基板上之包含銅層及鈦層之多層薄膜予以蝕刻之蝕刻液] 本發明之蝕刻液係用於將疊層於玻璃等基板上之含有銅層及鈦層之多層薄膜予以蝕刻，其特徵為包含： (A)過氧化氫之濃度4.5~7.5質量%、(B)硝酸之濃度0.8~6質量%、(C)氟化合物之濃度為0.2~0.5質量%、(D)唑類之濃度為0.14~0.30質量%、(E)胺化合物之濃度為0.4~10質量、及(F)過氧化氫安定劑之濃度0.005~0.1質量%； 其餘部分由水構成之水溶液，且pH値為1.5~2.5。
(A)過氧化氫 本發明之蝕刻液中所使用之過氧化氫具有作為氧化劑將銅金屬氧化之功能，該蝕刻液中之含量宜為4.5質量%，更宜為5.0質量%，此外宜為7.5質量%以下，更宜為7.0質量%以下，進一步宜為6.5質量%以下。其中，本發明之蝕刻液中之過氧化氫之含量宜為4.5~7.5質量%，更宜為4.5~7.0質量%，尤其宜為5.0~6.5質量%。若過氧化氫之含量在上述範圍內，可確保適當之蝕刻速度、容易控制蝕刻量、且不會產生銅佈線之局部腐蝕故較為理想。
(B)硝酸 本發明之蝕刻液中所使用之硝酸係促進利用(A)過氧化氫進行氧化之銅的溶解，該蝕刻液中之硝酸的含量宜為0.8~6質量%，更宜為2~6質量%，尤其宜為3.5~6質量%。硝酸之含量若在上述範圍內，可獲得適當之蝕刻速度，且獲得良好之蝕刻後的佈線形狀。
(C)氟化合物 本發明之蝕刻液中所使用之氟化合物係貢獻於由鈦系金屬構成之阻隔層的蝕刻，該蝕刻液中之含量宜為0.2~0.5質量%，更宜為0.2~0.4質量%，尤其宜為0.2~0.3質量%。氟化合物之含量若為上述範圍內，可獲得由鈦系金屬構成之阻隔層之良好的蝕刻速度。
就氟化合物而言，只要是在蝕刻液中產生氟離子者即可，沒有特別之限制，可列舉宜為氫氟酸、氟化銨、酸式氟化銨等，可將此等單獨使用或組合多個使用。此等之中，考慮為低毒性之觀點，更宜為氟化銨及酸式氟化銨。
(D)唑類 就本發明之蝕刻液中所使用之唑類而言，可列舉1,2,4-三唑、1H-苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑、3-胺基-1H-三唑等三唑類、1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5-胺基-1H-四唑等四唑類、1,3-噻唑、4-甲基噻唑等噻唑類等較為理想。此等中，宜為四唑類，其中宜為5-胺基-1H-四唑。
蝕刻液中唑類之含量宜為0.14質量%以上，更宜為0.15質量%以上，此外，宜為0.3質量%以下，更宜為0.25質量%以下。其中，本發明之蝕刻液中之唑類的含量宜為0.14~0.3質量%，尤其宜為0.15~0.25質量%。唑類之含量若為上述範圍內，可適當地控制銅佈線之蝕刻速度，而可獲得良好之蝕刻後的佈線形狀。
(E)胺化合物 本發明之蝕刻液中所使用之胺化合物據認為具有減低氟化合物所導致之對於使用了玻璃、二氧化矽或氮化矽之基板之腐蝕的功能。就具有有效之此等功能的胺化合物而言，可列舉宜為具有直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1~6之烷基(但不包括環己基以外之鏈狀之己基)烷胺、烷醇胺、二胺及環狀胺。具有碳數7以上之烷基的胺對於水之溶解度低，故難使其溶解於蝕刻液中，即使可使一部分溶解也會產生顯著地起泡，作為蝕刻液在實用上有困難。 就本發明之蝕刻液中使用之胺化合物而言，可列舉具有1個以上之也可經甲氧基取代之直鏈狀或分支狀之碳數2~5之烷基之烷胺(E1)；具有1個或2個直鏈狀或分支狀之碳數2~5之羥烷基且任意地具有1個或2個直鏈狀或分支狀之碳數2~5之烷基之烷醇胺(E2)；具有直鏈狀或分支狀之碳數2~5之伸烷基之二胺(E3)；及環己胺(E4)。以下，針對各胺化合物進行說明。 ＜烷胺(E1)＞ 烷胺(E1)可藉由下式表示： 【化1】[式中，R1 係可經甲氧基取代之直鏈狀或分支狀之碳數2~5之烷基，m為1、2或3。]。 具體而言，就烷胺(E1)而言，可列舉乙胺、2-甲氧基乙胺、正丙胺、異丙胺、3-甲氧基丙胺、正丁胺、第二丁胺、異丁胺、第三丁胺、戊胺、2-胺基戊烷、3-胺基戊烷、1-胺基-2-甲基丁烷、2-胺基-2-甲基丁烷、3-胺基-2-甲基丁烷、4-胺基-2-甲基丁烷、5-胺基-2-甲基戊烷等一級烷胺；二丙胺、二異丙胺、二丁胺、二第二丁胺、二第三丁胺、二戊胺、甲乙胺、甲基丙胺、甲基異丙胺、甲基丁胺、甲基異丁胺、甲基第二丁胺、甲基第三丁胺、甲基戊胺、甲基異戊胺、乙基丙胺、乙基異丙胺、乙基丁胺、乙基異丁胺、乙基第二丁胺、乙基戊胺、乙基異戊胺、丙基丁胺、丙基異丁胺等二級烷胺；三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、二甲基乙胺、甲基二乙胺、甲基二丙胺等三級烷胺等。
＜烷醇胺(E2)＞ 烷醇胺(E2)可藉由下式表示： 【化2】[式中，R2 OH係直鏈狀或分支狀之碳數2~5之羥烷基，R3 係直鏈狀或分支狀之碳數2~5之烷基，p為1或2，q為0、1或2，p+q為1、2或3。]。 具體而言，就烷醇胺(E2)而言可列舉乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-丙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、異丙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、3-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、N,N-二甲胺基丙-2-醇、N-乙基-2-胺基丙-1-醇、1-胺基丁-2-醇、N-甲基-1-胺基丁-2-醇、N-乙基-1-胺基丁-2-醇、2-胺基丁-1-醇、N-甲基-2-胺基丁-1-醇、N-乙基-2-胺基丁-1-醇、3-胺基丁-1-醇、N-乙基-3-胺基丁-1-醇、1-胺基丁-4-醇、1-胺基-2-甲基丙-2-醇、2-胺基-2-甲基丙-1-醇、1-胺基戊-4-醇、2-胺基-4-甲基戊-1-醇、5-胺基戊-1-醇、1-胺基丙-2,3-二醇、2-胺基丙-1,3-二醇、參(氧甲基)胺基甲烷、及1,2-二胺基丙-2-醇等。並非僅限定為此等。此外，於本發明中，此等可單獨使用，或組合多個使用。
就二胺(E3)而言，可列舉乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、二乙基-1,3-丙二胺、1,4-二胺基丁烷、1,3-二胺基丁烷、2,3-二胺基丁烷、五亞甲基二胺、2,4-二胺基戊烷等。
此外，就胺化合物而言，可列舉環己胺(E4)。 於本發明中，此等胺化合物可單獨使用，或組合多個使用。
此等胺化合物中，可列舉宜為異丙醇胺、3-胺基丙-1-醇、N-丁基乙醇胺、N,N-二甲胺基丙-2-醇、2-甲氧基乙胺、環己胺、正丁胺、二丁胺、第三丁胺、N-甲基-正丁胺、1,4-二胺基丁烷、2-胺基丁-1-醇、5-胺基戊-1-醇、3-甲氧基丙胺、2-二甲胺基乙醇、2-胺基乙醇，尤其宜為3-甲氧基丙胺、N-甲基-正丁胺、正丁胺、2-胺基丁-1-醇、環己胺、N-丁基乙醇胺、5-胺基戊-1-醇。
蝕刻液中胺化合物之含量宜為0.4質量以上，更宜為1質量%以上，進一步宜為2質量%以上，此外，宜為10質量%以下，更宜為9質量%以下，進一步宜為8質量%以下。其中，蝕刻液中之胺化合物之含量，宜為0.4~10質量%，更宜為1~9質量%，進一步宜為1~8質量%，尤其宜為2~8質量%。胺化合物之含量若為上述範圍內，可獲得即使液中之金屬濃度上升，過氧化氫的分解慢，對於玻璃基板傷害小之蝕刻液。
(F)過氧化氫安定劑 本發明之蝕刻液係宜含有過氧化氫安定劑。就過氧化氫安定劑而言，只要是通常作為過氧化氫安定劑使用者便沒有限制而可以使用，可列舉苯基脲、丙烯基脲、1,3-二甲基脲、硫脲等脲系過氧化氫安定劑、其他還有苯基乙酸醯胺、苯基乙二醇、苯酚磺酸等較為理想，其中宜為苯基脲、苯酚磺酸。此外，於本發明中，此等可單獨使用，或組合多個使用。 本發明之蝕刻液中過氧化氫安定劑之含量，考慮充分獲得其添加效果之觀點，宜為0.005質量%以上，更宜為0.01質量%以上，此外，宜為0.1質量%以下，更宜為0.09質量%以下，進一步宜為0.08質量%以下。其中，本發明之蝕刻液中之過氧化氫安定劑之含量宜為0.005~0.1質量%，更宜為0.01~0.09質量%，尤其宜為0.01~0.08質量%。
[pH值] 本發明之蝕刻液係pH值必須為1.5~2.5之範圍。若pH值未達1.5，因為蝕刻速度過快，有時會發生銅佈線之局部腐蝕，於銅佈線產生蝕刻斑(不均勻)。此外，若pH值高於2.5，過氧化氫之安定性降低，而發生發熱或分解，使過氧化氫之濃度低落，就結果而言有時會引起銅佈線之蝕刻速度低落，無法安定生產等問題。 通常藉由添加(E)胺化合物來進行pH調整，但在不損及本案發明之效果之情況下可添加其他之pH調整劑。例如可使用通常使用之礦酸、有機酸、無機鹼及有機鹼等。
[水] 使用水作為稀釋劑，本發明之水宜為藉由蒸餾、離子交換處理、過濾處理、各種吸附處理等除去了金屬離子或有機雜質、微粒子等者，尤其宜為純水或超純水。
[其他成分] 本發明之蝕刻液可在不妨礙蝕刻液之效果的範圍內含有上述(A)~(F)成分以外之蝕刻液中通常使用的各種添加劑、界面活性劑、著色劑、消泡劑等。
[疊層於玻璃、二氧化矽或氮化矽基板上之包含銅層及鈦層之多層薄膜的蝕刻方法] 本發明之蝕刻方法係將疊層於玻璃等基板上之包含銅層及鈦層之多層薄膜予以蝕刻之方法，具有使蝕刻對象物與本發明之蝕刻液接觸之步驟，其特徵為使用本發明之蝕刻液，該蝕刻液為含有(A)過氧化氫之濃度為4.5~7.5質量%、(B)硝酸之濃度為0.8~6質量%、(C)氟化合物之濃度為0.2~0.5質量%、(D)唑類之濃度為0.14~0.3質量%、(E)胺化合物之濃度為0.4~10質量%、及(F)過氧化氫安定劑之濃度為0.005~0.1質量%，剩餘部分由水構成之水溶液，且pH值為1.5~2.5。
使蝕刻對象物與蝕刻液接觸之方法沒有特別之限制，例如可採用藉由將蝕刻液滴下(單晶圓旋轉處理)或噴灑等形式使其與對象物接觸之方法，或將對象物浸漬於蝕刻液之方法等濕式(wet)蝕刻方法。於本發明中，宜採用將對象物浸漬於蝕刻液，或進行噴灑使其接觸之方法。
就蝕刻液之使用溫度而言，宜為10~70℃，尤其宜為20~50℃。若蝕刻液之溫度於10℃以上，蝕刻速度不會過慢，故沒有生產效率顯著低落之狀況。另一方面，若於70℃以下之溫度，液組成變化受到抑制，可將蝕刻條件維持為一定。雖然藉由將蝕刻液之溫度提高，蝕刻速度會上升，將可使蝕刻液之組成變化受到抑制而變化小等也考慮進來，適當地決定最適合之處理溫度即可。 此外，藉由本發明之蝕刻方法，可將疊層於玻璃等基板上之包含銅層及鈦層之多層薄膜整個一起進行蝕刻，且蝕刻後可獲得如圖1所示之良好的佈線形狀。
於本發明之蝕刻方法中，例如如圖1所示之於玻璃等基板上依序疊層由鈦或以鈦為主成分之鈦系材料構成的阻隔層(鈦層)，及由銅或以銅為主成分之材料(銅層)構成之金屬佈線而成之包含銅層及鈦層的多層薄膜上，進一步地塗布抗蝕劑(resist)，將期望之掩模圖案進行曝光轉印，顯像而形成期望之抗蝕劑圖案者，蝕刻液係以上述者作為對象物予以蝕刻。此處，於本發明中，包含銅層及鈦層之多層薄膜係以如圖1所示於鈦層上存在著銅層的態樣為主，亦包含於銅層之上更存在著鈦層之三層結構之態樣。 本發明之蝕刻方法中，考慮有效地發揮本發明之蝕刻液之性能的觀點，如圖1所示之以鈦為主成分之鈦層上存在著以銅為主成分之銅層的蝕刻對象物較為理想。此外，如此之包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層的多層膜，係可理想地使用於平面顯示器等顯示裝置等之佈線。因此，於鈦層上存在著銅層之蝕刻對象物係考慮利用領域之觀點亦為理想之態樣。 銅佈線只要是藉由銅或以銅為主成分之材料疊層而成即可，沒有特別之限制，就疊層為該阻隔層之鈦系材料而言，可列舉鈦及為其氮化物之氮化鈦，但並非僅限定於此等之鈦化合物。 為本發明之蝕刻對象物之多層薄膜的厚度通常為20nm~1500nm，宜為50nm~1200nm，更宜為100nm~1000nm，進一步宜為150nm~800nm。
於本發明之蝕刻方法中，因為蝕刻液中含有之(A)過氧化氫及(B)硝酸之濃度會如上述作為各種銅佈線之氧化劑而有所消耗，此外(B)硝酸係於經氧化之銅的溶解中也會有所消耗，導致使用之蝕刻液中之(A)過氧化氫及(B)硝酸之濃度低落，因此有時會產生蝕刻性能低落之情況。於如此情況，藉由適當地同時或各別添加(A)過氧化氫及(B)硝酸可延長使用之浴液壽命。 [實施例]
接著，藉由實施例來更詳細地說明本發明，但本發明並沒有限定為此等之實施例。
[包含銅層及鈦層之多層薄膜的製作例] 於玻璃基板上濺射厚度25nm之鈦，接著濺射為400nm之厚度的銅，疊層而得佈線素材之銅層。接著塗布抗蝕劑，將掩模圖案曝光轉印後，顯像而形成佈線圖案，於玻璃基板上製作包含銅層及鈦層之多層薄膜。
[蝕刻方法與銅及鈦層之正好蝕刻時間(JET)] 將藉由上述方法疊層了銅層及鈦層之玻璃基板，使用表1~6及表10、11中記載之蝕刻液於35℃浸漬150秒，之後以水清洗，使用氮氣使其乾燥。 藉由目視觀察，定義蝕刻到達玻璃基板為止之時間為正好蝕刻時間，藉由以下記載之基準進行判斷。 判定： E：90秒~120秒； G：80秒以上~未達90秒、超過120秒~140秒； B：未達80秒、超過140秒； E及G評為合格。
[蝕刻後之包含銅層及鈦層之多層薄膜的截面觀察] 切斷藉由上述蝕刻方法獲得之包含銅層及鈦層之多層薄膜樣品，使用掃描式電子顯微鏡(型號：S5000H型日立製作所(股)製)以倍率50000倍(加速電壓2kV、加速電流10μA)觀察截面。 根據獲得之SEM圖像，測定圖1中所示之錐角(5)、頂部CD損失(a)、底部CD損失(b)及拖尾(c)。 蝕刻後之形狀係使用錐角(°)、頂部CD損失(μm)、底部CD損失(μm)、拖尾(μm)，藉由以下之基準進行判定。 判定： 頂部CD損失(=a×2)：2.5μm以下評為合格； 底部CD損失(=b×2)：1.5μm以下評為合格； 拖尾(=c×2)：0.4μm以下評為合格； 錐角：20°~60°評為合格。
[腐蝕評價用玻璃、二氧化矽或氮化矽基板之製作例] 於玻璃、二氧化矽或氮化矽基板塗布抗蝕劑，將掩模圖案曝光轉印後，顯像形成佈線圖案，製成評價用之基板。
[對於玻璃基板之腐蝕之評價] 將上述獲得之腐蝕評價用玻璃基板浸漬於表6、10、11中記載之蝕刻液中20分鐘後，以水清洗，使用氮氣使其乾燥。 腐蝕部與非腐蝕部之落差藉由接觸式粗糙度計(Contourecord 2700 SD3東京精密(股)製)進行測定，算出腐蝕速度，依以下之判定基準進行評價。結果表示於表7、12及13中。 判定： E：50nm/分以下； G：超過50nm/分~60nm/分以下； B：超過60nm/分； E及G評為合格。
[對於二氧化矽或氮化矽基板之腐蝕之評價] 將上述獲得之腐蝕評價用二氧化矽或氮化矽基板浸漬於表6、10、11中記載之蝕刻液中5分鐘後，以水清洗，使用氮氣使其乾燥。 使用掃描式電子顯微鏡(型號：S5000H型日立製作所(股)製)以倍率50000倍(加速電壓2kV、加速電流10μA)觀察腐蝕部及非腐蝕部之截面。根據獲得之SEM圖像算出腐蝕速度，依以下之判定基準進行評價。結果表示於表8、9及14~17。 判定： E：50埃/分以下； G：超過50埃/分~60埃/分以下； B：超過60埃/分； E及G評為合格。
[過氧化氫安定性之評價] 測定將溶解了銅4000ppm及鈦360ppm之蝕刻液於50℃水浴中保存2小時的時候於保存前後的過氧化氫濃度，求得過氧化氫之分解速度。藉由以過錳酸鉀之氧化還原滴定法進行過氧化氫濃度之分析。過氧化氫分解速度係藉由下式求得，依以下之判定基準進行評價。結果表示於表6、10、11。 過氧化氫分解速度(%/hr)=(保存前過氧化氫濃度-保存後過氧化氫濃度)/保存時間 判定： E：0.050%/hr以下； G：超過0.050%/hr~0.075%/hr以下； B：超過0.075%/hr； E及G評為合格。
(實施例1~10) 於加入了過氧化氫5.88質量%、硝酸4.12質量%、酸式氟化銨0.25質量%、5-胺基-1H-四唑0.21質量%、苯基脲0.03質量%及水的蝕刻液中，為了使pH值成為1.5~2.5而加入了作為胺化合物之2-胺基乙醇(實施例1)、2-二甲胺基乙醇(實施例2)、3-甲氧基丙胺(實施例3)、N-丁胺(實施例4)、N-甲基-正丁胺(實施例5)、異丙醇胺(實施例6)、3-胺基丙-1-醇(實施例7)、N-丁基乙醇胺(實施例8)、N,N-二甲胺基丙-2-醇(實施例9)及2-甲氧基乙胺(實施例10)。 將上述獲得之具有包含銅層及鈦層之多層薄膜的玻璃基板在35℃下浸漬於上述蝕刻液中150秒鐘予以蝕刻，獲得經蝕刻之包含銅層及鈦層之多層薄膜樣品。針對獲得之樣品，藉由上述之電子顯微鏡觀察，求得錐角(°)、頂部CD損失(a，μm)、底部CD損失(b，μm)及拖尾(c，μm)，結果記載於表1及表2。 得知實施例1~10之蝕刻液係可實施蝕刻形狀良好之蝕刻的蝕刻液。
(比較例1~10) 實施例4中，使過氧化氫之濃度為3.0質量%(比較例1)及9.0質量%(比較例2)者、使硝酸濃度為0.70質量%(比較例3)及9.00質量%(比較例4)者、使5-胺基-1H-四唑為0.08質量%(比較例5)及0.60質量%(比較例6)者、使胺化合物(N-丁胺)之濃度為0.20質量%(比較例7)及11.0質量%(比較例8)者、及使酸式氟化銨為0.08質量%(比較例9)及0.80質量%(比較例10)者係發生蝕刻形狀無法測定，或佈線消失等問題。結果整理於表3及表4。
(比較例11~15) 與實施例1同樣地製成蝕刻液，以僅不添加胺化合物者(比較例15)、為了使pH值為1.5~2.5而添加了己胺(比較例11)、二乙烯三胺(比較例12)、2-(1-哌基)乙胺(比較例13)、或三乙醇胺(比較例14)者來進行蝕刻，但因為發生拖尾而無法獲得期望之蝕刻形狀(表5)。
【表1】 ※1 三菱瓦斯化學(股)公司製 ※2 和光純藥工業(股)公司製 ※3 酸式氟化銨，Stella Chemifa Corporation.製 ※4 5-胺基-1H-四唑，和光純藥工業(股)公司製 ※5 胺化合物： 實施例1：2-胺基乙醇(和光純藥工業(股)公司製) 實施例2：2-二甲胺基乙醇(和光純藥工業(股)公司製) 實施例3：3-甲氧基丙胺(和光純藥工業(股)公司製) 實施例4：N-丁胺(和光純藥工業(股)公司製) 實施例5：N-甲基-正丁胺(和光純藥工業(股)公司製) ※6 苯基脲，和光純藥工業(股)公司製
【表2】 ※1 三菱瓦斯化學(股)公司製 ※2 和光純藥工業(股)公司製 ※3 酸式氟化銨，Stella Chemifa Corporation.製 ※4 5-胺基-1H-四唑，和光純藥工業(股)公司製 ※5 胺化合物： 實施例6：異丙醇胺(和光純藥工業(股)公司製) 實施例7：3-胺基丙-1-醇(和光純藥工業(股)公司製) 實施例8：N-丁基乙醇胺(東京化成工業(股)公司製) 實施例9：N,N-二甲胺基丙-2-醇(和光純藥工業(股)公司製) 實施例10：2-甲氧基乙胺(和光純藥工業(股)公司製) ※6 苯基脲，和光純藥工業(股)公司製
【表3】 ※1 三菱瓦斯化學(股)公司製 ※2 和光純藥工業(股)公司製 ※3 酸式氟化銨，Stella Chemifa Corporation.製 ※4 5-胺基-1H-四唑，和光純藥工業(股)公司製 ※5 N-丁胺，和光純藥工業(股)公司製 ※6 苯基脲，和光純藥工業(股)公司製
【表4】 ※1 三菱瓦斯化學(股)公司製 ※2 和光純藥工業(股)公司製 ※3 酸式氟化銨，Stella Chemifa Corporation.製 ※4 5-胺基-1H-四唑，和光純藥工業(股)公司製 ※5 N-丁胺，和光純藥工業(股)公司製 ※6 苯基脲，和光純藥工業(股)公司製
【表5】 ※1 三菱瓦斯化學(股)公司製 ※2 和光純藥工業(股)公司製 ※3 氟化物離子供給源： 比較例11~13：酸式氟化銨，Stella Chemifa Corporation.製 比較例14：氟化銨，和光純藥工業(股)公司製 ※4 5-胺基-1H-四唑和光純藥工業(股)公司製 ※5 鹼性成分化合物： 比較例11：己胺，和光純藥工業(股)公司製 比較例12：二乙烯三胺，和光純藥工業(股)公司製 比較例13：2-(1-哌基)乙胺，和光純藥工業(股)公司製 比較例14：三乙醇胺，和光純藥工業(股)公司製 ※6 苯基脲，和光純藥工業(股)公司製
使用了本發明之蝕刻液的實施例可於目標時間內進行蝕刻，且蝕刻後之佈線形狀皆為良好(表1、2)。 另一方面，過氧化氫濃度未達期望之濃度範圍的比較例1因為蝕刻速度不足而無法於規定時間內進行蝕刻。此外，過氧化氫濃度超過期望之濃度範圍的比較例2，蝕刻速度過快，CD損失過大。硝酸濃度未達期望之濃度範圍的比較例3因為蝕刻速度不足，無法於規定時間內進行蝕刻。硝酸濃度超過期望之濃度範圍的比較例4，蝕刻速度過快，經規定時間予以蝕刻後在基板上沒有佈線留下。唑類濃度未達期望之濃度範圍的比較例5，蝕刻速度過快，CD損失過大(以上表示於表3)。 唑類之濃度超過期望之濃度範圍的比較例6因為蝕刻速度不足，無法於規定時間內進行蝕刻。胺化合物之濃度未達期望之濃度範圍的比較例7，蝕刻速度過快，於規定時間蝕刻後在基板上沒有佈線留下。胺化合物之濃度超過期望之濃度範圍的比較例8因為蝕刻速度不足，無法於指定時間內進行蝕刻。氟化合物之濃度未達期望之濃度範圍的比較例9，蝕刻速度不足，發生鈦層的蝕刻殘留(拖尾)，無法測量佈線形狀。氟化合物之濃度超過期望之濃度範圍的比較例10，鈦層之蝕刻速度過快導致佈線之中產生空隙，無法獲得期望之截面形狀(以上表示於表4)。 使用了本案發明之胺化合物以外之胺化合物的比較例11~14，發生了鈦層之蝕刻慢所導致之鈦層的拖尾現象，無法獲得期望之截面形狀。未使用胺化合物之比較例15，蝕刻速度過快，在經規定時間予以蝕刻後在基板上沒有佈線留下(以上表示於表5)。
(實施例11~15) 於添加了過氧化氫5.46質量%、硝酸4.66質量%、酸式氟化銨0.34質量%、5-胺基-1H-四唑0.21質量%、苯基脲0.03質量%及水之蝕刻液中，為了使pH值成為1.5~2.5而加入作為胺化合物之3-甲氧基丙胺(實施例11)、甲基丁胺(實施例12)、2-胺基-1-丁-1-醇(實施例13)、N-丁胺(實施例14)、環己胺(實施例15)。之後，除了於該液中加入銅粉末4000ppm及鈦粉末360ppm以外，進行與實施例1同樣之試驗，且進行與實施例1同樣之評價，並進行過氧化氫安定性之評價試驗。獲得之結果整理於表6。
(實施例16~30) 將玻璃、二氧化矽及氮化矽腐蝕評價用基板各別浸漬於與實施例11~15相同之蝕刻液中進行蝕刻，針對獲得之樣品進行對於各基板材料之腐蝕性的評價。獲得之結果整理於表7~9。
(比較例16、17、19~22) 於添加了過氧化氫5.46質量%、硝酸4.66質量%、酸式氟化銨0.34質量%、5-胺基-1H-四唑0.21質量%、苯基脲0.03質量%及水之蝕刻液中，為了使pH值成為1.5~2.5而加入了作為鹼性成分之氫氧化鉀(比較例16)、氨(比較例17)、二乙烯三胺(比較例19)、2-(2-胺基乙氧基)乙醇(比較例20)、二甲胺(比較例21)、哌(比較例22)，並於該液中加入銅粉末4000ppm及鈦粉末360ppm，進行與實施例11~15同樣之試驗。獲得之結果整理於表10及表11。
(比較例18) 將比較例16之硝酸替代為硫酸5.06質量%，於加入了N-丁胺使pH值成為1.5~2.5之液中加入銅粉末4000ppm及鈦粉末360ppm，進行與比較例16同樣之試驗。獲得之結果記載於表10。
(比較例23、24) 將比較例16之硝酸替代為磷酸5.50質量%(比較例23)或乙酸4.66質量%(比較例24)，於加入了N-丁胺0.89質量%之液中加入銅粉末4000ppm及鈦粉末360ppm，進行與比較例16同樣之試驗。獲得之結果記載於表11。
(比較例25) 將實施例14之酸式氟化銨濃度變更為0.55質量%以外，與實施例14進行同樣之試驗。獲得之結果記載於表11。
(比較例26~35) 將玻璃之腐蝕評價用基板各別浸漬於與比較例16~25相同之蝕刻液中進行蝕刻，針對獲得之樣品算出各別之腐蝕速度，進行評價。獲得之結果整理於表12及13。
(比較例36~45) 將二氧化矽之腐蝕評價用基板各別浸漬於與比較例16~25相同之蝕刻液中進行蝕刻，針對獲得之樣品算出各別之腐蝕速度，進行評價。獲得之結果整理於表14及15。
(比較例46~55) 將氮化矽之腐蝕評價用基板各別浸漬於與比較例16~25相同之蝕刻液中進行蝕刻，針對獲得之樣品算出各別之腐蝕速度，進行評價。獲得之結果整理於表16及17。
【表6】 ※1 三菱瓦斯化學(股)公司製 ※2 和光純藥工業(股)公司製 ※3 酸式氟化銨，Stella Chemifa Corporation.製 ※4 5-胺基-1H-四唑，和光純藥工業(股)公司製 ※5 胺化合物： 實施例11：3-甲氧基丙胺(和光純藥工業(股)公司製) 實施例12：甲基丁胺(ALDRICH公司製) 實施例13：2-胺基-1-丁-1-醇(和光純藥工業(股)公司製) 實施例14：正丁胺(和光純藥工業(股)公司製) 實施例15：環己胺(和光純藥工業(股)公司製) ※6 苯基脲，和光純藥工業(股)公司製 ※7 和光純藥工業(股)公司製 ※8 和光純藥工業(股)公司製
【表7】
【表8】
【表9】
【表10】 ※1 三菱瓦斯化學(股)公司製 ※2 酸性成分： 比較例16、17、19、20：硝酸，和光純藥工業(股)公司製 比較例18：硫酸，和光純藥工業(股)公司製 ※3 酸式氟化銨 Stella Chemifa Corporation.製 ※4 5-胺基-1H-四唑和光純藥工業(股)公司製 ※5 鹼性化合物： 比較例16：氫氧化鉀，和光純藥工業(股)公司製 比較例17：氨，三菱瓦斯化學(股)公司製 比較例18：正丁胺，和光純藥工業(股)公司製 比較例19：二乙烯三胺，和光純藥工業(股)公司製 比較例20：2-(2-胺基乙氧基)乙醇，和光純藥工業(股)公司製 ※6 苯基脲，和光純藥工業(股)公司製 ※7 和光純藥工業(股)公司製 ※8 和光純藥工業(股)公司製
【表11】 ※1 三菱瓦斯化學(股)公司製 ※2 酸性成分： 比較例21、22、25：硝酸，和光純藥工業(股)公司製 比較例23：磷酸，和光純藥工業(股)公司製 比較例24：乙酸，和光純藥工業(股)公司製 ※3 酸式氟化銨，Stella Chemifa Corporation.製 ※4 5-胺基-1H-四唑，和光純藥工業(股)公司製 ※5 鹼性化合物： 比較例21：二甲胺，和光純藥工業(股)公司製 比較例22：哌，和光純藥工業(股)公司製 比較例23、24、25：正丁胺，和光純藥工業(股)公司製 ※6 苯基脲，和光純藥工業(股)公司製 ※7 和光純藥工業(股)公司製 ※8 和光純藥工業(股)公司製
【表12】
【表13】
【表14】
【表15】
【表16】
【表17】
使用了本發明之蝕刻液之實施例11~30(表6~9)係可在期望之時間內進行蝕刻，且蝕刻後之佈線形狀良好。此外，判斷其玻璃、二氧化矽或氮化矽之腐蝕速度及過氧化氫分解速度皆受到充分抑制，即使金屬濃度變高仍可使用。 另一方面，使用了為泛用之鹼性成分的氫氧化鉀或氨之比較例16、17、26、27、36、37、46、47(表10、表12~17)係玻璃或二氧化矽之腐蝕速度快且過氧化氫之分解速度快而無法使用。使用硫酸作為酸之比較例18(表10)係蝕刻速度過快，在經指定時間蝕刻後基板上的佈線消失。 使用了本案發明以外之胺化合物作為鹼性成分之比較例19、20、21、22係過氧化氫之安定性明顯地低落而無法使用。另外比較例19係產生鈦層之蝕刻殘留(拖尾)，無法測定佈線形狀(表10、11)。 使用了磷酸作為酸性成分之比較例23、33、43、53(表11~17)係鈦粉末無法溶解於蝕刻液，無法進行作為蝕刻液之評價。 使用了於引用文獻2記載作為酸性成分之乙酸的比較例24、34、44、54(表11~14)係無法將pH值調整為規定之範圍，鈦粉末無法溶解於蝕刻液中。 氟化合物之濃度超過期望之濃度的比較例35、45、55(表12~17)係玻璃、二氧化矽或氮化矽之腐蝕速度明顯地變快而無法使用。 [產業上利用性]
本發明之蝕刻液係可用於含有以銅作為主成分之銅層及以鈦作為主成分之鈦層之多層薄膜，其中可適用於在鈦層上疊層銅層之多層薄膜的蝕刻。利用了該蝕刻液之蝕刻方法可將具有含銅層及鈦層之多層薄膜之佈線整個一起進行蝕刻，且可使蝕刻後之佈線形狀良好，故可達成高生產性。此外，過氧化氫之消耗少，於經濟方面優良。
1‧‧‧抗蝕層
2‧‧‧佈線層
3‧‧‧阻隔層
4‧‧‧基板
5‧‧‧錐角
a‧‧‧頂部CD損失(a)
b‧‧‧底部CD損失(b)
c‧‧‧拖尾(c)
[圖1] 圖1係使用本發明之蝕刻液蝕刻後之具有疊層於玻璃、二氧化矽或氮化矽基板上之包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜之佈線截面的示意圖。

Claims (12)

  1. 一種蝕刻液，係用於將疊層在使用選自於玻璃、二氧化矽及氮化矽中之1種以上之基板上之包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜予以蝕刻； 其係包含以下成分的水溶液且pH値為1.5~2.5； (A)過氧化氫之濃度為4.5~7.5質量%； (B)硝酸之濃度為0.8~6質量%； (C)氟化合物之濃度為0.2~0.5質量%； (D)唑類之濃度為0.14~0.3質量%； (E)胺化合物之濃度為0.4~10質量%，該胺化合物係選自於具有1個以上之也可經甲氧基取代之直鏈狀或分支狀之碳數2~5之烷基之烷胺(E1)；具有1個或2個直鏈狀或分支狀之碳數2~5之羥烷基且任意地具有1個或2個直鏈狀或分支狀之碳數2~5之烷基之烷醇胺(E2)；具有直鏈狀或分支狀之碳數2~5之伸烷基之二胺(E3)；及環己胺(E4)中之一種以上之胺化合物；以及 (F)過氧化氫安定劑之濃度為0.005~0.1質量%。
  2. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液，其中，(C)氟化合物係選自於氫氟酸、氟化銨及酸式氟化銨中之1種以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液，其中，(D)唑類為5-胺基-1H-四唑。
  4. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液，其中，(E)胺化合物係選自於異丙醇胺、3-胺基丙-1-醇、N-丁基乙醇胺、N,N-二甲胺基丙-2-醇、2-甲氧基乙胺、環己胺、正丁胺、二丁胺、第三丁胺、N-甲基-正丁胺、1,4-二胺基丁烷、2-胺基丁-1-醇、5-胺基戊-1-醇、3-甲氧基丙胺、2-二甲胺基乙醇及2-胺基乙醇中之1種以上。
  5. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液，其中，(F)過氧化氫安定劑係選自於苯基脲及苯酚磺酸中之1種以上。
  6. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液，其中，頂部CD損失為2.5μm以下，底部CD損失為1.5μm以下，拖尾(tailing)為0.4μm以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液，其中，玻璃之腐蝕速度為60nm/分以下。
  8. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液，其中，二氧化矽及氮化矽之腐蝕速度為60埃/分以下。
  9. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液，其中，包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜之正好蝕刻時間為80秒~140秒。
  10. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液，其中，在於該蝕刻液添加銅4000ppm及鈦360ppm並於50℃保存了2小時後，該蝕刻液中之過氧化氫之安定性為0.075%/hr以下。
  11. 如申請專利範圍第1項之蝕刻液，其中，疊層在使用了選自於玻璃、二氧化矽及氮化矽中之1種以上之基板上之多層薄膜係在以鈦為主成分之鈦層上疊層以銅為主成分之銅層而得。
  12. 一種包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜之蝕刻方法，係使疊層在使用了選自於玻璃、二氧化矽及氮化矽中之1種以上之基板上之包含以銅為主成分之銅層及以鈦為主成分之鈦層之多層薄膜接觸如申請專利範圍第1至11項中任一項之蝕刻液。
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