JP2009029849A - 洗浄剤組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決の手段】(A)フッ化水素酸及びフッ化水素酸塩のうち少なくとも1種と、(B)亜硫酸塩及び二亜硫酸塩のうち少なくとも1種と、(C)水とを含有する、半導体集積回路又は液晶ディスプレイの製造工程で用いられる洗浄剤組成物。
【選択図】なし
Description
本発明の組成物は、フォトレジストの剥離・除去性に優れ、金属配線材料に対する優れた防食性と金属配線材料の孔食防止効果を有する。
本発明の組成物は、半導体又は液晶用の素子回路等の製造工程における配線形成時に生成するレジスト残渣の除去に用いることにより、レジスト残渣除去性能を損なうことなく金属配線の断線を防ぐことができる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本明細書中、フォトレジストの剥離・除去というときは、エッチング後に、不要となったフォトレジストを、または、エッチング及びその後に続くアッシング処理を行った後に、不要となったレジスト残渣を、剥離及び/又は除去することをいう。
スパッタリングにより10000Åの膜厚でシリコン基板上に成膜されたAl合金(Al−Cu(0.5%))基板を1cm×1cmに切り出し、24℃にて、表1記載の各組成物(組成は重量%。実施例は(B)成分を使用。比較例は(B)成分の代わりに表1記載の各添加剤を使用。なお、実施例6はモノエタノールアミン0.1重量%を含有する。)に20分間浸漬させた後、24℃の純水シャワーにて1分間洗浄し、窒素ガスで乾燥させた。走査電子顕微鏡(SEM)にてAl合金表面を観察し、Al合金における孔食発生の程度を調べた。各組成物における孔食発生の程度を表1に示した。なお、表中の略号の意味は以下のとおり。
MEA:モノエタノールアミン
また、評価は以下の基準で行なった。
孔食防止性
直径50nm以上の深い孔を孔食であるとした。
○:Al合金表面に孔食が発生しなかった
△:Al合金表面の一部に孔食が発生した
×:Al合金表面の全面に孔食が発生した
シリコン酸化膜上にTi、さらにその上にTiN、さらにその上にAl−Cuを膜付けした基板を、パターニングされたレジストをマスクとしてCl2とBCl3を用いてドライエッチングし、続いて酸素プラズマアッシングした時に配線の側壁又は上部に生成するレジスト残渣を除去対象物とした。表2に示す各組成物(組成は重量%。実施例は(B)成分を使用。比較例は(B)成分の代わりに表2記載の各添加剤を使用。)の中に上述の対象物を24℃で2分間もしくは5分間浸漬させた後、24℃の純水シャワーにて1分間洗浄し、窒素ガスで乾燥させた。走査電子顕微鏡(SEM)を用い、5分間浸漬させた基板では孔食防止性を、2分間浸漬させた基板ではレジスト残渣除去性及びAl配線金属の腐食の程度を観察した。各組成物を下記の基準で評価し、結果を表2に示した。なお、表中の略号の意味は以下のとおり。
EG:エチレングリコール
BDG:ブチルジエチレングリコール
なお、評価は以下の基準で行なった。
5分間浸漬させた基板について、Al配線での孔食の有無を観察した。直径50nm以上の深い孔を孔食であるとした。
○:Al配線に孔食が発生しなかった
×:Al配線に孔食が発生した
残渣除去性
2分間浸漬させた基板について、レジスト残渣の除去の程度を観察した。
○:レジスト残渣なし
×:レジスト残渣あり
Al防食性
2分間浸漬させた基板について、Al配線金属の腐食の程度を観察した。
◎:Al配線に腐食なし
○:大部分のAl配線に腐食なし
×:Al配線に腐食あり
Claims (6)
- (A)フッ化水素酸及びフッ化水素酸塩のうち少なくとも1種と、(B)亜硫酸塩及び二亜硫酸塩のうち少なくとも1種と、(C)水とを含有する、半導体集積回路又は液晶ディスプレイの製造工程で用いられる洗浄剤組成物。
- さらに、(D)水溶性有機溶剤を含む請求項1記載の組成物。
- 水溶性有機溶剤(D)が、エチレングリコール、エチレングリコール誘導体、プロピレングリコール、プロピレングリコール誘導体、グリセリン、グリセリン誘導体、及び、クエン酸誘導体からなる群から選択される少なくとも1種である請求項2記載の組成物。
- pH7以下であり、半導体基板上でフォトレジストに対してエッチング及びアッシング処理を行って生じたレジスト残渣を除去する際に用いる請求項1〜3のいずれか記載の組成物。
- アルミニウム配線を備える半導体集積回路又はアルミニウム配線を備える液晶ディスプレイの製造工程で用いられる請求項1〜4のいずれか記載の組成物。
- 半導体集積回路の製造工程で用いられる請求項1〜5のいずれか記載の組成物。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017458A (ja) * | 2001-04-27 | 2003-01-17 | Kao Corp | 洗浄剤組成物 |
JP2004094203A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-03-25 | Renesas Technology Corp | レジスト除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
JP2004325918A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-11-18 | Kao Corp | 剥離剤組成物 |
JP2005294377A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Kurita Water Ind Ltd | オゾン水供給方法及びオゾン水供給装置 |
JP2007503115A (ja) * | 2003-08-19 | 2007-02-15 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物 |
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2007
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017458A (ja) * | 2001-04-27 | 2003-01-17 | Kao Corp | 洗浄剤組成物 |
JP2004094203A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-03-25 | Renesas Technology Corp | レジスト除去用洗浄液および半導体装置の製造方法 |
JP2004325918A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-11-18 | Kao Corp | 剥離剤組成物 |
JP2007503115A (ja) * | 2003-08-19 | 2007-02-15 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物 |
JP2005294377A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Kurita Water Ind Ltd | オゾン水供給方法及びオゾン水供給装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017215384A (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | 株式会社Jcu | レジスト残渣除去剤及びこれを利用した導体パターン形成方法並びに基板製造方法 |
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