TWI677041B - 減低容積的處理腔室 - Google Patents

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Abstract

於此描述的實施例一般相關於具有減低容積的處理腔室，以執行超臨界烘乾處理或其他相位轉換處理。該腔室包含可移動地設置於第一軌道上的基板支撐件及可移動地設置於第二軌道上的門。基板支撐件及門可經配置以相互獨立地移動，且該腔室可經配置以最小化腔室內基板的垂直移動。

Description

減低容積的處理腔室
本揭示案的實施例一般相關於超臨界烘乾設備。更特定地，於此描述的實施例相關於減低容積的處理腔室。
在半導體裝置的清理中，通常需要自基板表面移除液體及固體汙染物，因而留下乾淨的表面。潤濕清理處理一般涉及清理液體的使用，例如水清理處理。在潤濕清理基板之後，通常需要在清理腔室中自基板表面移除清理液體。
現今多數的潤濕清理技術使用液體噴灑或浸沒步驟以清理基板。在應用清理液體之後烘乾具有高的寬高比特徵或具有空洞或孔的低k材料基板是非常具挑戰性的。清理液體的毛細力通常造成這些結構中的材料分解而可產生所不欲的靜摩擦，除了所使用之清理溶液在基板上所留下的殘留物以外可損壞半導體基板。在後續的基板烘乾期間，前述缺點對具有高的寬高比之半導體裝置結構特別明顯。線靜摩擦或線崩潰導因於側壁的彎曲，而形成高的寬高比之溝槽或貫孔朝向彼此，導因於在潤濕清理處理期間跨過液體-空氣介面之毛細壓力覆於陷在溝槽或貫孔中的液體。具有窄的線寬及高的寬高比之特徵特別易受液體-空氣及液體-壁介面之間產生的表面張力中之差異的影響(導因於毛細壓力，有時亦稱為毛細力)。現今可工作的烘乾實作正在面對防止線靜摩擦的急遽升高挑戰，導因於快速的裝置調整比例之進展。
結果，領域中存在有針對改良的設備以執行超臨界烘乾處理的需求。
在一個實施例中，提供一種基板處理設備。該設備包含：一處理腔室主體，該處理腔室主體具有界定一處理容積的一襯墊及在該腔室主體中形成的一隔絕元件。門可可滑動地耦合至第一軌道且該門可經配置以相對於該腔室主體移動。基板支撐件可可滑動地耦合至第二軌道且該基板可經配置以獨立於該門而移動。
在另一實施例中，提供一種基板處理設備。該設備包含：一腔室主體，該腔室主體具有一開口，在該腔室主體中形成該開口，且該開口提供進入及自一處理容積離開，藉由該腔室主體的襯墊來界定該處理容積。障礙板可設置於該處理容積內，且該障礙板可耦合至一致動器，該致動器經配置以在該處理容積內移動該障礙板。門可可滑動地耦合至第一軌道，且該門可經配置以在一開啟位置及一關閉位置之間平移。基板支撐件可可滑動地耦合至第二軌道，且該基板支撐件可經配置以在該處理容積外部的一第一位置及該處理容積內部的一第二位置之間平移。該基板支撐件亦可經配置以獨立於該門而移動。
而在另一實施例中，提供一種基板處理方法。該方法包含以下步驟：以相對於一腔室主體的一開啟定向來放置一門，及以相對於該腔室主體的一開啟定向來放置一基板支撐件。可在該基板支撐件上放置一基板，且可放置一障礙板覆於設置於該基板支撐件上的該基板。可滑動該基板支撐件進入該腔室主體，且可滑動該門以鄰接該腔室主體。可獨立執行該滑動該基板支撐件之步驟及該滑動該門之步驟。
在以下描述中，為了說明的目的，提出眾多特定細節以便提供於此提供之實施例的通盤理解。然而，對發明所屬領域具有通常知識者而言，明顯可實作本揭示案而無須特定細節。在其他範例中，並未描述特定設備結構，而得以不混淆所描述的實施例。以下描述及圖式為圖示的實施例，而不應理解為揭示之限制。
第1圖為示意的橫截面視圖，圖示半導體裝置100的部分，其中半導體裝置100內的兩個特徵之間發生線靜摩擦。如所展示，在基板表面上形成高的寬高比之裝置結構。在處理期間，裝置結構102應該保持於垂直定向，且壁106不應該跨過開口104及接觸裝置結構102的相鄰壁106。在使用潤濕化學劑清理之後，當烘乾半導體裝置100時，裝置結構102的壁106經受毛細力(導因於設置於開口104內的清理液體所產生的空氣-液體介面)，而造成相鄰裝置結構102的壁106彎曲朝向彼此且互相接觸。線靜摩擦導因於相鄰裝置結構102的壁106之間的接觸，最終造成開口104的關閉。線靜摩擦一般為所不欲的，因為它防止後續基板處理步驟期間存取開口104，例如進一步的沉積步驟。
為了防止線靜摩擦，可在潤濕清理腔室中將基板曝露於水清理溶液，例如去離子化水或清理化學。該基板包含具有電子裝置設置或形成於其上的半導體基板。在執行潤濕清理處理之後，在潤濕清理腔室中基板上水清理溶液的使用移除留在基板上的殘留物。在一些配置中，潤濕清理腔室可為單一晶片清理腔室及/或水平旋轉腔室。此外，潤濕清理腔室可具有適用以產生聲音能量引導至基板的非裝置側面上的兆聲(megasonic)板。
在潤濕清理腔基板之後，可將基板傳輸至溶劑交換腔室，以置換使用於潤濕清理腔室中的任何先前使用的水清理溶液。接著可將基板傳輸至用於欲在基板上執行的進一步清理及烘乾步驟之超臨界流體腔室。在一個實施例中，烘乾基板可涉及超臨界流體至基板表面之輸送。當經受某些在超臨界處理腔室中達到或維持的壓力及溫度配置時，可選擇烘乾氣體以轉換進入超臨界狀態。該烘乾氣體的一個範例包含二氧化碳(CO2 )。因為CO2 為超臨界氣體，它不具有表面張力，它的表面張力相似於氣體，但具有相似於液體的密度。超臨界CO2 具有在約73.0 atm之壓力及約攝氏31.1度之溫度的臨界點。超臨界流體(例如CO2 )的一個獨特屬性為：在任何高於超臨界壓力的壓力及高於臨界點的溫度下(例如，針對CO2 為攝氏31.1度及73 atm)不會發生凝結。處理環境(例如，處理腔室)的臨界溫度及臨界壓力參數影響CO2 烘乾氣體的超臨界狀態。
由於超臨界流體的獨特屬性，超臨界流體可實質穿過基板中所有孔或空洞並移除任何可出現在開口104中的殘留液體或顆粒。在一個實施例中，在超臨界處理進行了所需週期時間以移除顆粒及殘留物之後，腔室的壓力以近乎常數的溫度減少，允許超臨界流體在開口104內直接轉換至氣相。典型地在超臨界流體處理之前於開口104中出現的液體可為來自溶劑交換腔室的置換溶劑。典型地於開口104中出現的顆粒可為任何固體微粒物質，例如有機種類(例如，碳)、無機種類(例如，矽)及/或金屬。可藉由超臨界流體烘乾的開口104之範例包含介電層中的空洞或孔、低k介電材料中的空洞或孔、及可困住清理流體及顆粒的基板中的其他類型的空隙。另外，超臨界烘乾可防止線靜摩擦在相位轉換期間繞過液體狀態及消除裝置結構102的壁106之間所產生的毛細力(導因於超臨界流體可忽略的表面張力，例如超臨界CO2 )。
接著可將基板自超臨界流體腔室傳輸至後處理腔室。後處理腔室可為電漿處理腔室，其中可移除可出現在基板上的汙染物。後處理基板亦可進一步釋放出現在裝置結構中的任何線靜摩擦。於此描述的處理針對具有高的寬高比之清理裝置結構為有用的，例如約10:1或更高、20:1或更高、或30:1或更高的寬高比。在某些實施例中，於此描述的處理針對清理3D/垂直NAND快閃記憶體裝置結構為有用的。
第2A圖根據本揭示案的一個實施例圖示基板處理設備，該基板處理設備經適用以執行上述的一個或更多個操作。在一個實施例中，處理設備200包括潤濕清理腔室201、溶劑交換腔室202、超臨界流體腔室203、後處理腔室204、傳輸腔室206、及潤濕機械手臂208。處理基板可包含(但不限於)形成以金屬線內部連接的電裝置，例如電晶體、電容、或電阻，該等金屬線藉由基板上的層間介電質隔絕。該等處理可包含清理基板、清理形成於基板上的薄膜、烘乾基板、及烘乾形成於基板上的薄膜。在另一實施例中，處理設備200包含檢查腔室205，檢查腔室205可包含工具(未展示)以檢查在處理設備200中所處理的基板。
在一個實施例中，基板處理設備200為一叢集工具，包括數個基板處理腔室，例如潤濕清理腔室201、溶劑交換腔室202、超臨界流體腔室203、後處理腔室204、及傳輸腔室206。可繞著潤濕機械手臂208放置腔室201、202、203、204，潤濕機械手臂208可設置於傳輸腔室206中。潤濕機械手臂208包括馬達、基底、手臂、及末端執行器209，經配置以在腔室之間傳輸基板。可選地，潤濕機械手臂208可具有多個手臂及多個末端執行器以增加處理設備200的產量。在一個實施例中，潤濕機械手臂208在上述腔室之間傳輸基板。在另一實施例中，潤濕機械手臂208的末端執行器之至少一者為乾專用末端執行器(例如，適用以處理乾的晶圓)，且潤濕機械手臂208的末端執行器之至少一者為濕專用末端執行器(例如，適用以處理濕的晶圓)。可使用乾專用末端執行器以在超臨界流體腔室203及後處理腔室204之間傳輸基板。
處理設備200亦包括設置於工廠介面218中的乾機器手臂216，工廠介面218可耦合至處理設備200及複數個基板匣212及214，該等基板匣之每一者維持欲清理或烘乾的(或已清理或烘乾的)複數個基板。乾機器手臂216可經配置以在基板匣212及214及潤濕清理腔室201及後處理腔室204之間傳輸基板。在另一實施例中，乾機器手臂216可經配置以在超臨界流體腔室203及後處理腔室204之間傳輸基板。可放置處理設備200內的處理腔室於收容基板傳輸腔室206的水平平台。在另一實施例中，平台的部分可定向於水平定向以外的位置(見第5圖)。
在替代的實施例中，如第2B圖中所展示，處理設備200A可為線性設備，包括數個基板處理腔室，例如潤濕清理腔室201、溶劑交換腔室202、超臨界流體腔室203、後處理腔室204、及傳輸腔室206。例如，處理設備200A可為來自加州Santa Clara的應用材料公司(Applied Materials)所提供的Raider® GT，然而，思量可適用來自其他製造商的其他處理設備以執行於此描述的實施例。
可繞著機械手臂208A放置腔室201、202、203、204，機械手臂208A可設置於傳輸腔室206中。機械手臂208A包括馬達、基底、手臂、及末端執行器209A及209B，經配置以在腔室之間傳輸基板。機械手臂208A可具有多個手臂及多個末端執行器以增加處理設備200A的產量。在一個實施例中，機械手臂208A(具有專用濕末端執行器209A)在上述腔室之間傳輸基板。處理設備200A亦可包括工廠介面218，工廠介面218可耦合至處理設備200及複數個基板匣212及214，該等基板匣之每一者維持欲清理或烘乾的(或已清理或烘乾的)複數個基板。機器手臂208A具有乾專用末端執行器209B以在基板匣212及214及潤濕清理腔室201及後處理腔室204之間傳輸基板。在一個實施例中，乾專用末端執行器209B可經配置以在超臨界流體腔室203及後處理腔室204之間傳輸基板。可放置處理設備200A內的腔室於收容基板傳輸腔室206的水平平台。在另一實施例中，平台的部分可定向於水平定向以外的位置(見第5圖)。
在處理設備200A的一些配置中，機械手臂208A可沿著線性軌道220前進。可在線性軌道220的一或兩側上依序安置腔室。為了執行濕基板傳輸，可自基板移除過多的液體(例如藉由旋轉基板)，同時仍位於腔室中，所以在機械手臂208A傳輸基板之前僅有薄的潤濕層保留於基板表面上。在機械手臂208A上提供兩個或更多個末端執行器的實施例中，至少一者可專用於濕基板傳輸且另一者可專用於乾基板傳輸。可在用於高容積生產的可擴充線性配置中安裝更多基板。
在先前實施例中所提的配置大量地減低每個腔室的設計複雜度，致能敏感的處理步驟之間的佇列時間控制，及最佳化使用可調整腔室模組計數之連續生產中的產量，以均衡每個處理操作的處理週期。
第3圖根據於此描述之一個實施例示意地圖示減低容積之處理腔室300的橫截面視圖。在某些實施例中，可實作腔室300，如同描述關於第2A圖及第2B圖的腔室203。一般而言，腔室300經配置以承受適於產生及/或維持腔室300中的超臨界流體的加壓。腔室300亦可優勢地在適於執行相位轉換的溫度範圍內循環。
腔室300包含主體302、襯墊318、及隔絕元件316。主體302及襯墊318一般界定處理容積312。主體302可經配置以承受適於產生處理容積312內的超臨界流體的壓力。例如，主體可適於承受約100 bar或更多的壓力。適用於主體302的材料包含不鏽鋼、鋁、或其他高強度金屬材料。襯墊318亦可由相似於主體302的材料形成。在一個實施例中，襯墊318及主體302可為單一材料。在另一實施例中，襯墊318及主體302可為分開而耦合在一起的設備。
襯墊318在相鄰於處理容積312的區域處可具有約2 mm及約5 mm之間的厚度344，例如約3 mm。包括襯墊318之相對最小量的材料(相較於主體302)造成襯墊318具有相對於主體302的熱質量之小熱質量。據此，一旦處理容積312的溫度主要受襯墊318而非主體302影響，可以更有效方式達到處理容積312內的溫度改變。在一個實施例中，處理容積312內的處理環境可在低於約5分鐘的時間量中於約攝氏20度及約攝氏50度之間循環，例如低於約1分鐘。在一個實施例中，處理容積312可在約30秒中於約攝氏20度及約攝氏50度之間循環。
隔絕元件316一般設置於主體302內相鄰於襯墊318。在圖示的實施例中，隔絕元件316可為多個設備。隔絕元件316一般可沿著處理容積312的長軸延伸，以藉由將襯墊318與主體302隔絕來進一步減低襯墊318的熱質量。隔絕元件316可由一材料形成，該材料適於使用在高壓環境，該高壓環境具有相似於使用於主體302及襯墊318的材料之熱膨脹係數的熱膨脹係數。在一個實施例中，隔絕元件316可為陶瓷材料。陶瓷材料的多種範例包含氧化鋁、氮化鋁、碳化矽，諸如此類。隔絕元件316的厚度346可為約0.1吋及約1.0吋之間，例如約0.5吋。
處理容積312具有低於約2升的容積，例如約1升。襯墊318之間跨越處理容積312的距離348可低於約5公分，例如低於約2公分，例如，約1公分。在多種實施例中，處理容積312可以多種液體、氣體、及/或超臨界流體來填充，取決於處理容積312中的條件。在一個實施例中，處理容積312可耦合至一個或更多個溶劑來源320、332、336。第一溶劑來源320可經由第一管道322穿過主體302的頂部耦合至處理容積312。第二溶劑來源332可經由第二管道334穿過主體302的側壁耦合至處理容積312。第三溶劑來源336可經由第三管道338穿過主體302的底部耦合至處理容積312。溶劑來源320、332、336可經配置以自多種入口埠提供溶劑至處理容積，取決於所需溶劑導入特性。
可自溶劑來源320、332、336供應至處理容積312的適合溶劑包含：丙酮、異丙醇、乙醛、甲醛、N甲基2一氮五圜酮(N-Methyl-2-pyrrolidone)、甲基甲醯胺、1,3二甲基2四氫咪唑酮(1,3-Dimethyl-2- imidazolidinone)、二甲基乙醯胺、及二甲基亞碸等等。一般而言，可選擇溶劑使得溶劑互溶於液體CO2 。
第一流體來源324可經由第四管道326穿過主體302的頂部耦合至處理容積312。第一流體來源324一般經配置以提供液體或超臨界流體至處理容積312。在一個實施例中，第一流體來源324可經配置以輸送超臨界CO2 。在另一個實施例中，流體來源324可經配置以輸送超臨界CO2 至處理容積312。在此實施例中，加熱設備及加壓設備可耦合至第四管道326以便於進入處理容積312之前的液體CO2 至超臨界CO2 之相位轉換。第二流體來源356可與第一流體來源324相似地配置。然而，第二流體來源356可經由第五管道358穿過主體302的底部耦合至處理容積。可自頂部向下(第一流體來源324)或底部向上(第二流體來源356)的方式選擇液體CO2 及/或超臨界CO2 之輸送，取決於所需處理特性。
在操作中，可至少部分地藉由提供至處理容積312的CO2 的溫度控制處理容積312的溫度。此外，可提供一劑量的液體CO2 及/或超臨界CO2 至處理容積312，使得整體處理容積在約1次及約5次之間交換，例如約3次。相信重複的處理容積周轉可便於後續超臨界烘乾操作期間形成及/或輸送超臨界CO2 至處理容積312之前溶劑與CO2 之混合。為了便於來自處理容積312的流體及氣體之周轉及移除，處理容積312可經由第六管道342耦合至流體出口340。
腔室300亦包含基板支撐件306及障礙板310，基板支撐件306可耦合至門304，障礙板310可可移動地設置於處理容積312內。在一個實施例中，基板支撐件306及門304可為單一設備。在另一實施例中，基板支撐件306可可移除地耦合至門304且可獨立於門304移動。門304及基板支撐件306可由多種材料形成，包含不鏽鋼、鋁、陶瓷材料、聚合材料、或其組合。基板支撐件306亦可具有設置於基板支撐件306中的加熱元件354。在一個實施例中，加熱元件354可為電阻性加熱器。在另一實施例中，加熱元件354可為在基板支撐件306中形成的流體填充通道。加熱元件354可經配置以加熱處理容積312，以便於在處理容積312中形成或維持超臨界流體。
在操作中，基板支撐件306可經由在主體302中形成的開口進入處理容積312，且門304可經配置以在放置基板支撐件306於處理容積312內時鄰接主體302。在一個實施例中，基板支撐件306經配置以側向移動。結果，可最小化距離348，因為處理容積312內的基板支撐件306的垂直移動為非必要的。密封352(例如O形環，諸如此類)可耦合至主體302，且可自彈性材料形成密封352，例如，聚合材料。一般而言，在處理期間，門304可經由耦合設備(未展示)固定至主體302(例如螺栓，諸如此類)，以足夠的力量來承受適於在處理容積312中形成或維持超臨界流體的高壓環境。
障礙板310可由多種材料形成，包含不鏽鋼、鋁、陶瓷材料、石英材料、含矽材料、或其他合適配置的材料。障礙板310可耦合至致動器330，致動器330經配置以移動障礙板310朝向及遠離基板支撐件306。致動器330可耦合至功率來源328(例如電功率來源)以便於處理容積312內障礙板310的移動。
在處理期間可放置基板308於基板支撐件306上。在一個實施例中，可放置基板308的裝置側314相鄰於基板支撐件306，使得裝置側314背向障礙板310。在操作中，當基板308放置於處理容積312內時，障礙板310可位於升高位置。可在處理期間經由致動器330降低障礙板310至接近基板308的處理位置。在處理之後，可升高障礙板310且基板支撐件306可經由主體302中的開口350自處理容積312移除基板308。相信藉由放置障礙板310接近基板308及基板支撐件306，可在溶劑及/或液體/超臨界CO2 導入處理容積312期間減低或消除基板308的裝置側314上的顆粒沉積。
第4圖根據於此描述之實施例圖示腔室300的透視視圖。在圖示的實施例中，門304設置於與主體302分隔開的位置。在此位置中，基板支撐件306可自機械手臂(例如，機械手臂208A)接收基板。基板(未展示)可放置於支撐平板430上，支撐平板430經配置以支撐基板的裝置側。在操作中，一旦基板已放置於基板支撐件306的支撐平板430上，門304及/或基板支撐件306可朝向主體302側向平移。如上述，在某些實施例中，基板支撐件306可獨立於門304而移動。基板支撐件306可移動穿過開口350，且門304可移動至一位置以與主體302的側壁432接觸。在一個實施例中，密封352可耦合至基板支撐件306或耦合至在靠近位置處鄰接側壁432的門304的表面。儘管未展示，密封352亦可耦合至側壁432。
門304一般包含第一部分416及第二部分418。第一部分416可經配置以在靠近位置處鄰接及接觸側壁432。第二部分418可在垂直於第一部分416的方向上自第一部分416延伸。第二部分418之間的距離可大於側壁432的寬度，使得在門304在靠近位置處時設置第二部分418鄰近於側壁434。一個或更多個耦合元件420(例如螺栓等)可自每個第二部分418延伸。耦合元件420可經配置以與耦合主體422交界，耦合主體422設置於主體302上。在一個實施例中，耦合主體422為主體302的延伸，使得主體302及耦合主體422為單一設備。在另一實施例中，耦合主體422可為耦合至主體302的分離設備。
耦合主體422可包含一個或更多個孔洞424，在耦合主體422中形成孔洞424，孔洞424經調整尺寸以容納耦合元件420的插入而進入孔洞424。在一個實施例中，孔洞424可自耦合主體422的第一表面436經由耦合元件422延伸至耦合主體422的第二表面438。一個或更多個緊固器426(例如螺帽等)可耦合至第二表面438。在一個實施例中，緊固器426可耦合至致動器428，致動器428經配置以在耦合元件420設置於孔洞424內時固定緊固器426至耦合元件420。耦合元件420及緊固器426可自相似於使用以製造主體302及門304的材料形成。一般而言，耦合元件420、耦合主體422及緊固器426形成壓力閉合以促使門304以足夠的力抵著主體302，以維持處理容積312內升高的壓力，例如約100 bar或更多。
基板支撐件306可耦合至支架410，支架410可滑動地設置於第一軌道406上。在一個實施例中，支架410可包含經配置以沿著第一軌道406的長度側向移動的多種平移元件(未展示)，例如球軸承等。在另一實施例中，平移元件可耦合至第一軌道406，且支架410可經配置以可滑動地與第一軌道406交界。第一軌道406可致能基板支撐件306更獨立於門304。如此，馬達414可耦合至支架410，且馬達414可沿著第一軌道406配位支架410的移動。
門304可耦合至設置於一個或更多個第二軌道408上的一個或更多個滑動器組件412。在一個實施例中，可設置兩個第二軌道408相鄰於第一軌道406。一般而言，第一軌道406及第二軌道408可耦合至第一平台402。相似於支架410，滑動器組件412可包含經配置以沿著第二軌道408的長度側向移動的平移元件(未展示)，例如球軸承等。在另一實施例中，平移元件可耦合至第二軌道408，且滑動器組件412可經配置以可滑動地與第二軌道408交界。馬達414亦可耦合至滑動器組件412，且馬達可沿著第二軌道408配位滑動器組件412的移動。如所論述，馬達414可個別經由支架410及滑動器組件412配位基板支撐件306及門304。在另一實施例中，馬達414可耦合至滑動器組件412，且另一馬達(未展示)可耦合至支架410。
主體302可設置於第二平台404上，且可設置第二平台404相鄰於第一平台402。在一個實施例中，第二平台404可將主體302定向於一位置，該位置係自第一平台402的頂部表面升高。然而，無視於主體302在第二平台404上的定向及門304/基板支撐件306在第一平台402上的定向，基板支撐件306及門304經配置以在單一平面中移動。據此，在基板支撐件306設置於主體302內時可避免沿著Z軸的平移。結果，可減低處理容積312，因為在處理容積312中沿著Z軸放置基板為不必要的。
藉由減低處理容積312的容積，可在執行相位轉換處理時改良腔室300的溫度循環效率。此外，可藉由在基板進入主體302之前放置基板於耦合至基板支撐件306的支撐平板430上，來避免處理容積312內的基板放置之設計複雜度。另外，相互獨立地移動門304及基板支撐件306的能力可藉由以有效方式配位移動來提供改良的生產率。更進一步地，處理期間減低使用的流體量的結果，致能減低的處理容積的使用可減低相關聯於執行超臨界烘乾處理的成本。
前述係本揭示案之實施例，可修改本揭示案之其他及進一步的實施例而不遠離其基本範圍，且該範圍由隨後的申請專利範圍所決定。
100‧‧‧半導體裝置
102‧‧‧裝置結構
104‧‧‧開口
106‧‧‧壁
200A‧‧‧處理設備
200‧‧‧處理設備
201‧‧‧腔室
202‧‧‧腔室
203‧‧‧腔室
205‧‧‧檢查腔室
206‧‧‧腔室
208A‧‧‧機械手臂
208‧‧‧潤濕機械手臂
209A‧‧‧末端執行器
209B‧‧‧末端執行器
209‧‧‧末端執行器
212‧‧‧基板匣
214‧‧‧基板匣
216‧‧‧乾機械手臂
218‧‧‧工廠介面
220‧‧‧線性軌道
300‧‧‧腔室
302‧‧‧主體
304‧‧‧門
306‧‧‧基板支撐件
308‧‧‧基板
310‧‧‧障礙板
312‧‧‧處理容積
316‧‧‧隔絕元件
318‧‧‧襯墊
320‧‧‧第一溶劑來源
322‧‧‧第一管道
324‧‧‧流體來源
326‧‧‧第四管道
328‧‧‧功率來源
330‧‧‧致動器
332‧‧‧第二溶劑來源
334‧‧‧第二管道
336‧‧‧第三溶劑來源
338‧‧‧第三管道
340‧‧‧流體出口
342‧‧‧第六管道
344‧‧‧厚度
346‧‧‧厚度
348‧‧‧距離
350‧‧‧開口
352‧‧‧密封
354‧‧‧加熱元件
356‧‧‧第二流體來源
358‧‧‧第五管道
402‧‧‧第一平台
404‧‧‧第二平台
406‧‧‧第一軌道
408‧‧‧第二軌道
410‧‧‧支架
412‧‧‧滑動器組件
414‧‧‧馬達
416‧‧‧第一部分
418‧‧‧第二部分
420‧‧‧耦合元件
422‧‧‧耦合主體
424‧‧‧孔洞
426‧‧‧緊固器
428‧‧‧致動器
430‧‧‧支撐平板
432‧‧‧側壁
434‧‧‧側壁
436‧‧‧第一表面
438‧‧‧第二表面
於是可以詳細理解本揭示案上述特徵中的方式，可藉由參考實施例而具有本揭示案的更特定描述(簡短總結如上)，其中一些圖示於所附圖式中。然而，注意所附圖式僅圖示示範的實施例，因此不考慮限制其範圍，可允許其他等效實施例。
第1圖根據於此描述之實施例圖示形成於半導體基板上的特徵之間所產生的靜摩擦之影響。
第2A圖根據於此描述之一個實施例圖示處理設備的平面視圖。
第2B圖根據於此描述之一個實施例圖示處理設備的平面視圖。
第3圖根據於此描述之一個實施例示意地圖示減低容積之處理腔室的橫截面視圖。
第4圖根據於此描述之一個實施例圖示減低容積之處理腔室的透視視圖。
為了便於理解，儘可能使用相同元件符號，以標示圖式中常見的相同元件。思量一個實施例的元件及特徵可有利地併入其他實施例中，而無須進一步敘述。
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Claims (18)

  1. 一種基板處理設備，包括：一處理腔室主體，該處理腔室主體具有一襯墊及在該腔室主體中形成的一隔絕元件，其中該襯墊界定一處理容積；一門，該門可滑動地耦合至該腔室主體，該門經配置以相對於該腔室主體移動；及一基板支撐件，該基板支撐件可滑動地耦合至該腔室主體，其中該基板支撐件經配置以移動進入及離開該處理容積，且其中該基板支撐件經配置以獨立於該門而移動，其中該門在相對於該腔室主體的一單一平面中移動。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該襯墊具有2mm至5mm的一厚度。
  3. 如請求項1所述之設備，其中該隔絕元件具有0.1吋及1.0吋之間的一厚度。
  4. 如請求項3所述之設備，其中該隔絕元件為陶瓷。
  5. 如請求項1所述之設備，其中該處理容積的一尺寸低於2L。
  6. 一種基板處理設備，包括：一處理腔室主體，該處理腔室主體具有一襯墊及在該腔室主體中形成的一隔絕元件，其中該襯墊界定一處理容積，其中該處理容積的一尺寸低於2L；一障礙板，該障礙板設置於該處理容積內，且耦合至一致動器以在該處理容積內移動該障礙板；一門，該門可滑動地耦合至該腔室主體，該門經配置以相對於該腔室主體移動；及一基板支撐件，該基板支撐件可滑動地耦合至該腔室主體，其中該基板支撐件經配置以移動進入及離開該處理容積，且其中該基板支撐件經配置以獨立於該門而移動。
  7. 一種基板處理設備，包括：一腔室主體，該腔室主體具有一開口，在該腔室主體中形成該開口以進入及自一處理容積離開，藉由該腔室主體的一襯墊來界定該處理容積；一障礙板，該障礙板設置於該處理容積內，且耦合至一致動器以在該處理容積內移動該障礙板；一門，該門可滑動地耦合至該腔室主體，其中該門經配置以在一開啟位置及一關閉位置之間平移；及一基板支撐件，該基板支撐件可滑動地耦合至該腔室主體，其中該基板支撐件經配置以獨立於該門而在該處理容積外部的一第一位置及該處理容積內部的一第二位置之間平移。
  8. 如請求項7所述之設備，其中該襯墊具有2mm至5mm的一厚度。
  9. 如請求項7所述之設備，其中該腔室主體包括一隔絕元件，該隔絕元件具有0.1吋及1.0吋之間的一厚度。
  10. 如請求項9所述之設備，其中該隔絕元件為陶瓷。
  11. 如請求項7所述之設備，其中該處理容積的一尺寸低於2L。
  12. 如請求項7所述之設備，其中該門在相對於該腔室主體的一單一平面中移動。
  13. 如請求項7所述之設備，進一步包括一壓力閉合以促使該門抵著該腔室主體。
  14. 如請求項13所述之設備，其中該壓力閉合包括一致動器。
  15. 一種基板處理方法，包括以下步驟：以相對於一腔室主體的一開啟定向來放置一門；以相對於該腔室主體的一開啟定向來放置一基板支撐件；在該基板支撐件上放置一基板；放置一障礙板覆於設置於該基板支撐件上的該基板；滑動該基板支撐件進入該腔室主體；及滑動該門以鄰接該腔室主體，其中該滑動該基板支撐件之步驟及該滑動該門之步驟為獨立執行的。
  16. 如請求項15所述之方法，進一步包括以下步驟：促使該門抵著該腔室主體，以提供對抗升高之壓力的閉合。
  17. 如請求項16所述之方法，其中促使該門抵著該腔室主體之步驟包括以下步驟：操作耦合至該腔室主體的一壓力閉合。
  18. 如請求項17所述之方法，其中操作耦合至該腔室主體的該壓力閉合之步驟包括以下步驟：操作耦合至該壓力閉合的一致動器。
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