TWI673578B - Tft基板的製造方法、有機el顯示裝置的製造方法以及液晶顯示裝置的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明的TFT基板的製造方法至少依次包括步驟1：使用由下述組成a所表示的硬化性組成物，於TFT基板上形成有機膜的步驟；步驟2：於所述有機膜上的至少一部分上形成無機膜的步驟；步驟3：於所述無機膜上形成抗蝕劑層的步驟；步驟4：對所述抗蝕劑層進行曝光及利用水性顯影液進行顯影的步驟；步驟5：經由經顯影的所述抗蝕劑層對所述無機膜進行蝕刻的步驟；以及步驟6：使用由下述組成b所表示的剝離液組成物將所述抗蝕劑層剝離去除的步驟；組成a為具有特定的組成的硬化性組成物，組成b含有胺化合物、醯胺化合物、及二醇類。

Description

TFT基板的製造方法、有機EL顯示裝置的製造 方法以及液晶顯示裝置的製造方法

本發明是有關於一種TFT基板的製造方法。另外，本發明是有關於一種有機電致發光(Electroluminescence，EL)顯示裝置及其製造方法、以及液晶顯示裝置及其製造方法。

於有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置等中，在具備薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)元件的基板上設置有形成有圖案的層間絕緣膜。於形成該層間絕緣膜時廣泛使用硬化性組成物，其原因在於：用以獲得所需的圖案形狀的步驟數少、且可獲得充分的平坦性。

於所述顯示裝置中的層間絕緣膜中，除絕緣性、耐溶劑性、耐熱性、硬度、及氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)濺鍍適應性優異等硬化膜的物性以外，亦期望高透明性。另外，為了提昇TFT基板的製造步驟中的節拍時間(takt time)，而期望提昇層間絕緣膜的感度。進而，隨著面板的高精細化得到發展，而要求提昇層間絕緣膜的解析力。為了滿足所述各種特性，將化學增幅系的層間絕緣膜應用於有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置的面板生產商增加。作為所述化學增幅系的層間絕緣膜中所使用的感光性樹脂組成物，已知有例如專利文獻1中所記載者。

於層間絕緣膜的形成步驟的後續步驟中，形成經圖案化的氧化銦錫(ITO)膜或氮化矽膜(SiN_x)等無機膜層。於該後續步驟中，通常經過如下的步驟來製造TFT基板：(1)利用化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法、濺鍍法等將所述無機膜層全面形成於層間絕緣膜的上層的步驟；(2)使用抗蝕劑組成物於所述無機膜層上形成抗蝕劑層，並藉由曝光、顯影而形成經圖案化的抗蝕阻劑層的步驟；(3)利用濕式蝕刻或乾式蝕刻，經由所述抗蝕阻劑層對所述無機膜進行蝕刻的步驟；(4)使用胺系的剝離液組成物將所述抗蝕阻劑層剝離去除的步驟。

於專利文獻1的段落0237中記載有感光性樹脂組成物層對於含有二甲基亞碸(Dimethyl sulfoxide，DMSO)及單乙醇胺的剝離液組成物的耐受性評價。

已知二甲基亞碸是良好地溶解許多有機化合物．無機化合物的安全性高的溶劑，另一方面，其為難分解性有機硫化合物，雖然急性毒性低，但對於細胞組織的滲透性高。另外，藉由熱分解或微生物分解，二甲基亞碸有時分解成毒性高的惡臭物質二甲基硫醚(Dimethyl sulfide，DMS)。二甲基硫醚於自然界中以低濃度存在，但若藉由二甲基亞碸的還原而於局部以高濃度產生二甲基硫醚，則對於生物體的高毒性令人擔憂。因該些背景，不使用二甲基亞碸的剝離液的使用增加。

作為不含二甲基亞碸的剝離液組成物，已知有例如專利文獻2中所記載的剝離液組成物。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2013-210607號公報

[專利文獻2]日本專利特開2008-216296號公報

當將所述專利文獻2中所記載的剝離液組成物應用於層間絕緣膜形成步驟的後續步驟時，於使用所述剝離液組成物將形成於層間絕緣膜上層的無機膜上所形成的抗蝕阻劑膜剝離去除的步驟中，雖然可良好地剝離抗蝕阻劑層，但經剝離的抗蝕阻劑膜再附著於所述層間絕緣膜(有機膜)的表面，並作為抗蝕阻劑殘渣而殘留成為問題。

本發明欲解決的課題在於提供一種使用剝離液組成物將所述無機膜上的抗蝕阻劑層剝離去除後的硬化膜(有機膜)表面的抗蝕阻劑殘渣少的TFT基板的製造方法。

進而，本發明的目的在於提供一種所述硬化性組成物的硬化感度優異、且所獲得的硬化膜的耐剝離液性優異的TFT基板的製造方法。

進而，本發明的目的在於提供一種使用此種TFT基板的製造方法的有機EL顯示裝置、及液晶顯示裝置的製造方法。

本發明的所述課題藉由以下的<1>、<10>、<11>、 <12>、及<13>中所記載的手段來解決。以下一併記載作為較佳的實施形態的<2>~<9>。

<1>一種TFT基板的製造方法，其至少依次包括下述的步驟1~步驟6，步驟1：使用由下述組成a所表示的硬化性組成物，於具備TFT元件的基板上形成有機膜的步驟步驟2：於所述有機膜上的至少一部分上形成無機膜的步驟步驟3：使用抗蝕劑組成物於所述無機膜上形成抗蝕劑層的步驟步驟4：對所述抗蝕劑層進行曝光及利用水性顯影液進行顯影的步驟步驟5：經由經顯影的所述抗蝕劑層對所述無機膜進行蝕刻的步驟步驟6：使用由下述組成b所表示的剝離液組成物將所述抗蝕劑層剝離去除的步驟組成a：含有作為成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元a1的聚合體1的聚合體成分、作為成分B的光酸產生劑、作為成分C的分子量為1,000以下的交聯劑、以及作為成分D的有機溶劑，成分A於所有聚合體成分中不含具有交聯性基的構成單元a2，或相對於所有聚合體成分中的所有構成單元，以5莫耳%以下的比例含有具有交聯性基的構成單元a2，成分C的含量 為組成物的所有有機固體成分中的7質量%~30質量%，組成b：含有作為成分I的胺化合物、以及作為成分II的由下述式II-1及/或下述式II-2所表示的化合物，成分I的含量相對於剝離液組成物的總量為5質量%~70質量%，成分I及由式II-1所表示的化合物的合計含量相對於剝離液組成物的總量為50質量%~100質量%。

式中，R¹~R³分別獨立地表示氫原子或烷基，R¹與R²、或R¹與R³可連結而形成環，R⁴表示伸烷基，R⁵表示氫原子或烷基，n表示1~4的整數。

<2>如<1>所述的TFT基板的製造方法，其中於所述剝離液組成物中，由式II-1所表示的化合物為N-甲基吡咯啶酮、1-(羥基甲基)-2-吡咯啶酮、二甲基乙醯胺、N-甲基甲醯胺、二甲基甲醯胺、或該些的混合物。

<3>如<1>或<2>所述的TFT基板的製造方法，其中於 所述剝離液組成物中，由式II-2所表示的化合物為二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、或該些的混合物。

<4>如<1>至<3>中任一項所述的TFT基板的製造方法，其中所述剝離液組成物中的所述胺化合物為具有羥基的胺化合物。

<5>如<4>所述的TFT基板的製造方法，其中所述具有羥基的胺化合物為由下述式I-1所表示的化合物，

式中，R⁶~R⁸分別獨立地表示氫原子、烷基、羥基或羥基烷基，R⁶~R⁸的至少一個表示羥基烷基或羥基。

<6>如<4>或<5>所述的TFT基板的製造方法，其中所述具有羥基的胺化合物為選自由單乙醇胺、N-丙醇胺、單異丙醇胺、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、單甲基乙醇胺、N,N-二乙基羥基胺所組成的群組中的至少一種。

<7>如<1>至<6>中任一項所述的TFT基板的製造方法，其中所述交聯劑為選自由分子內具有兩個以上的環氧基或氧 雜環丁基的化合物、封閉型異氰酸酯化合物、及含有烷氧基甲基的交聯劑所組成的群組中的至少一種。

<8>如<1>至<7>中任一項所述的TFT基板的製造方法，其中所述聚合體1的構成單元a1為具有酸基由縮醛的形式保護的基的構成單元。

<9>如<1>至<8>中任一項所述的TFT基板的製造方法，其中所述光酸產生劑為選自由肟磺酸酯化合物、醯亞胺磺酸酯化合物及鎓鹽化合物所組成的群組中的至少一種。

<10>一種有機EL顯示裝置的製造方法，其包括如<1>至<9>中任一項所述的TFT基板的製造方法。

<11>一種液晶顯示裝置的製造方法，其包括如<1>至<9>中任一項所述的TFT基板的製造方法。

<12>一種有機EL顯示裝置，其藉由如<10>所述的有機EL顯示裝置的製造方法來製造。

<13>一種液晶顯示裝置，其藉由如<11>所述的液晶顯示裝置的製造方法來製造。

根據本發明，可提供一種抗蝕劑層的剝離去除性得到提昇、且不會作為殘渣附著於有機膜上的TFT基板的製造方法。另外，本發明亦可提供一種抗蝕劑層的感度高、且經硬化的抗蝕劑層的耐剝離液性優異的TFT基板的製造方法。同時，本發明可提供一種使用此種TFT基板的有機EL顯示裝置、及液晶顯示裝置 的製造方法。

1‧‧‧TFT(薄膜電晶體)

2‧‧‧配線

3‧‧‧絕緣膜

4‧‧‧平坦化膜

5‧‧‧第一電極

6‧‧‧玻璃基板

7‧‧‧接觸孔

8‧‧‧絕緣膜

10‧‧‧液晶顯示裝置

12‧‧‧背光單元

14、15‧‧‧玻璃基板

16‧‧‧TFT

17‧‧‧硬化膜

18‧‧‧接觸孔

19‧‧‧ITO透明電極

20‧‧‧液晶

22‧‧‧彩色濾光片

圖1表示有機EL顯示裝置的一例的構成概念圖。表示底部發光型的有機EL顯示裝置中的具有TFT元件的基板的示意剖面圖，且具有平坦化膜(有機膜)4。

圖2表示液晶顯示裝置的一例的構成概念圖。表示液晶顯示裝置中的具有主動矩陣TFT元件的基板的模式的示意剖面圖，且具有作為層間絕緣膜的硬化膜(有機膜)17。

以下，對本發明進行詳細說明。

於本說明書中，當數值範圍如「~」般表示時，該數值範圍是指包含其前後所記載的下限值及上限值的範圍。另外，本發明中的有機EL元件是指有機電致發光元件。

於本說明書中的化合物的表述中，關於「基(原子團)」，未記載經取代及未經取代的表述包含未經取代的基，並且亦包含具有取代基的基。例如，所謂「烷基」，不僅包含不具有取代基的烷基(未經取代的烷基)，亦包含具有取代基的烷基(經取代的烷基)。

另外，本說明書中的化學結構式亦存在以省略氫原子的簡略結構式來記載的情況。

再者，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」表示丙烯酸酯及甲 基丙烯酸酯，「(甲基)丙烯酸」表示丙烯酸及甲基丙烯酸，「(甲基)丙烯醯基」表示丙烯醯基及甲基丙烯醯基。

另外，於本發明中，亦將「成分A：包含含有具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元a1的聚合體1的聚合體成分」等簡稱為「成分A」等。

另外，於本發明中，「質量%」與「重量%」的含義相同，「質量份」與「重量份」的含義相同。

另外，於本發明中，較佳的形態的兩種以上的組合為更佳的形態。

於本發明中，聚合物成分的分子量為將四氫呋喃(Tetrahydrofuran，THF)作為溶劑時的藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)所測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)。

<TFT基板的製造方法>

本發明的TFT基板的製造方法為至少依次包括下述的步驟1~步驟6的TFT基板的製造方法。

步驟1：使用由下述組成a所表示的硬化性組成物，於具備TFT元件的基板上形成有機膜層的步驟

步驟2：於所述有機膜上的至少一部分上形成無機膜的步驟

步驟3：使用抗蝕劑組成物於所述無機膜上形成抗蝕劑層的步驟

步驟4：對所述抗蝕劑層進行曝光及利用水性顯影液進行顯 影的步驟

步驟5：經由經顯影的所述抗蝕劑層對所述無機膜進行蝕刻的步驟

步驟6：使用由下述組成b所表示的剝離液組成物將所述抗蝕劑層剝離去除的步驟

於步驟1中，組成a為如下的硬化性組成物，其含有作為成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元a1的聚合體1的聚合體成分、作為成分B的光酸產生劑、作為成分C的分子量為1,000以下的交聯劑、以及作為成分D的有機溶劑，成分A於所有聚合體成分中不含具有交聯性基的構成單元a2，或相對於所有聚合體成分中的所有構成單元，以5莫耳%以下的比例含有具有交聯性基的構成單元a2，成分C的含量為組成物的所有有機固體成分中的7質量%~30質量%， 於步驟6中，組成b為如下的剝離液組成物，其含有作為成分I的胺化合物、以及作為成分II的由下述式II-1及/或下述式II-2所表示的化合物，成分I的含量相對於剝離液組成物的總量為5質量%~70質量%，成分I及由式II-1所表示的化合物的合計含量相對於剝離液組成物的總量為50質量%~100質量%。

[化3]

式中，R¹~R³分別獨立地表示氫原子或烷基，R¹與R²、或R¹與R³可連結而形成環，R⁴表示伸烷基，R⁵表示氫原子或烷基，n表示1~4的整數。

以下，對所述本發明進行詳細說明。

本發明的TFT基板的製造方法依次含有以下的(步驟1)~(步驟6)的6個製造步驟作為必需步驟。但是，並不排除於中途含有除此以外的步驟。以下依次對所述必需步驟進行說明。

(步驟1)使用由下述組成a所表示的硬化性組成物，於具備TFT元件的基板上形成有機膜層的步驟

(由組成a所表示的硬化性組成物)

「由組成a所表示的硬化性組成物」是所謂的化學增幅型的感光性正型硬化性組成物，含有以下的成分A~成分D作為必需成分。

作為成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元a1的聚合體1的聚合體成分、作為成分B的光酸產生劑、作為成分C的分子量為1,000以下的交聯劑、以及 作為成分D的有機溶劑，且於所述硬化性組成物中，成分A於所有聚合體成分中不含具有交聯性基的構成單元a2，或相對於所有聚合體成分中的所有構成單元，以5莫耳%以下的比例，較佳為超過0莫耳%的比例含有具有交聯性基的構成單元a2，成分C的含量為組成物的所有有機固體成分中的7質量%~30質量%。

以下為便於說明，亦如「成分A」般表述「作為成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元a1的聚合體1的聚合體成分」，「成分B」、「成分C」、及「成分D」亦同樣如此。

以下，依次對所述成分A~成分D進行說明。

雖然本發明的機制並不明確，但如以下般進行推斷。推斷當對有機膜上的無機膜進行蝕刻時，有機膜中的聚合體成分中的交聯性基越多，有機膜與抗蝕阻劑殘渣的相互作用變得越強。推斷若利用剝離液組成物所剝離的抗蝕阻劑的殘渣再附著於有機膜上，則抗蝕阻劑對於有機膜的再附著成分未被去除，而產生殘渣。另一方面，若僅單純減少有機膜中的聚合體成分中的交聯性基的量，則雖然有機膜表面的抗蝕阻劑的殘渣變少，但有機膜本身的耐剝離液性惡化，兩者變成取捨的關係。因此，推斷藉由將固定量的低分子交聯劑作為交聯成分來導入，而可使兩者並存。另外，推斷藉由規定本發明中所使用的剝離液組成物的成分，而可進一步改善有機膜表面的抗蝕阻劑的殘渣與有機膜的耐剝離液性這兩者。

(成分A：包含含有具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元a1的聚合體1的聚合體成分)

成分A藉由利用曝光所產生的觸媒量的酸性物質的作用，其聚合體成分中所含有的聚合體1中的具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元a1受到脫保護反應而成為酸基。藉由該酸基而可進行硬化反應。

以下對構成單元a1的較佳的形態進行說明。

(作為成分A的必需成分的含有具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元的聚合體1)

本發明中所使用的硬化性組成物含有聚合體成分，該聚合體成分包含(成分A)含有具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元的聚合體1作為必需成分。

再者，於本發明中，亦將「具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元a1」稱為「(a1)具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元」。

本發明中所使用的硬化性組成物可進而包含含有具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元的聚合體1以外的聚合體。

本發明中所使用的硬化性組成物較佳為包含含有滿足下述(1)及下述(2)的至少一者的聚合體的聚合體成分。

(1)含有(a1)具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元、及(a2)具有交聯性基的構成單元的聚合體

(2)含有(a1)具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元 的聚合體、及含有(a2)具有交聯性基的構成單元的聚合體

但是，成分A於所有聚合體成分中不含具有交聯性基的構成單元a2，或相對於所有聚合體成分中所含有的聚合體的所有構成單元，以5莫耳%以下的比例，較佳為超過0莫耳%的比例含有具有交聯性基的構成單元a2。

本發明中所使用的硬化性組成物可進而含有該些以外的聚合體。只要無特別敍述，則本發明中的成分A是指除所述(1)及/或所述(2)以外，亦包含視需要而添加的其他聚合體者。

成分A較佳為加成聚合型的樹脂，更佳為含有源自(甲基)丙烯酸及/或其酯的構成單元的聚合體。再者，亦可含有源自(甲基)丙烯酸及/或其酯的構成單元以外的構成單元，例如源自苯乙烯的構成單元、或源自乙烯基化合物的構成單元等。

再者，亦將「源自(甲基)丙烯酸及/或其酯的構成單元」稱為「丙烯酸系構成單元」。另外，「(甲基)丙烯酸」是指「甲基丙烯酸及/或丙烯酸」。

<構成單元(a1)>

成分A包含至少含有(a1)具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元的聚合體1。藉由成分A包含含有構成單元(a1)的聚合體，而可製成感度極高的化學增幅型的硬化性組成物。

本發明中的「酸基由酸分解性基保護的基」可使用作為酸基及酸分解性基所公知的基，並無特別限定。作為具體的酸基，可較佳地列舉羧基、及酚性羥基。另外，作為酸分解性基，可使用 比較容易藉由酸而分解的基(例如由後述的式(a1-10)所表示的基的酯結構、四氫吡喃基酯基、或四氫呋喃基酯基等縮醛系官能基)、或比較難以藉由酸而分解的基(例如第三丁酯基等三級烷基、碳酸第三丁酯基等碳酸三級烷基酯基)。

(a1)具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元較佳為具有羧基由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(亦稱為「具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元」)、或具有酚性羥基由酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元(亦稱為「具有由酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元」)。

以下，依次對具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(a1-1)、及具有由酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)分別進行說明。

<(a1-1)具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元>

所述具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(a1-1)是具有羧基的構成單元具有以下將詳細說明的由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元。

作為可用於所述具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(a1-1)的所述具有羧基的構成單元，可無特別限制地使用公知的構成單元。例如可列舉：源自不飽和一元羧酸、不飽和二羧酸、不飽和三羧酸等分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元(a1-1-1)，或同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結構的 構成單元(a1-1-2)。

以下，依次對可用作所述具有羧基的構成單元的(a1-1-1)源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元、及(a1-1-2)同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結構的構成單元分別進行說明。

<(a1-1-1)源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元>

作為所述源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元(a1-1-1)，可使用如以下所列舉的不飽和羧酸作為本發明中所使用的不飽和羧酸。即，作為不飽和一元羧酸，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、α-氯丙烯酸、桂皮酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基丁二酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸等。另外，作為不飽和二羧酸，例如可列舉：順丁烯二酸、反丁烯二酸、衣康酸、檸康酸、中康酸等。另外，用以獲得具有羧基的構成單元的不飽和多元羧酸亦可為其酸酐。具體而言，可列舉順丁烯二酸酐、衣康酸酐、檸康酸酐等。另外，不飽和多元羧酸亦可為多元羧酸的單(2-甲基丙烯醯氧基烷基)酯，例如可列舉：丁二酸單(2-丙烯醯氧基乙基)酯、丁二酸單(2-甲基丙烯醯氧基乙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-丙烯醯氧基乙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯醯氧基乙基)酯等。進而，不飽和多元羧酸亦可為其兩末端二羧基聚合物的單(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉ω-羧基聚己內酯單丙烯酸酯、ω-羧基聚己內酯單 甲基丙烯酸酯等。另外，作為不飽和羧酸，亦可使用丙烯酸-2-羧基乙酯、甲基丙烯酸-2-羧基乙酯、順丁烯二酸單烷基酯、反丁烯二酸單烷基酯、4-羧基苯乙烯等。

其中，就顯影性的觀點而言，為了形成所述源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元(a1-1-1)，較佳為使用丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基丁二酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸、或不飽和多元羧酸的酐等，更佳為使用丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸。

所述源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元(a1-1-1)可單獨包含一種，亦可包含兩種以上。

<(a1-1-2)同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結構的構成單元>

同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結構的構成單元(a1-1-2)較佳為源自使具有乙烯性不飽和基的構成單元中所存在的羥基與酸酐進行反應而獲得的單體的單元。

作為所述酸酐，可使用公知的酸酐，具體而言，可列舉：順丁烯二酸酐、丁二酸酐、衣康酸酐、鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、氯菌酸酐等二元酸酐；偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、聯苯四羧酸酐等酸酐。該些之中，就顯影性的觀點而言，較佳為鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、或丁二酸酐。

就顯影性的觀點而言，所述酸酐對於羥基的反應率較佳為10莫耳%~100莫耳%，更佳為30莫耳%~100莫耳%。

-可用於構成單元(a1-1)的酸分解性基-

作為可用於所述具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(a1-1)的所述酸分解性基，可使用所述酸分解性基。

該些酸分解性基之中，就硬化性組成物的基本物性，特別是感度或圖案形狀、接觸孔的形成性、硬化性組成物的保存穩定性的觀點而言，較佳為羧基為由縮醛的形式保護的保護羧基。進而，酸分解性基之中，就感度的觀點而言，更佳為羧基為由以下述式(a1-10)所表示的縮醛的形式保護的保護羧基。再者，於羧基為由以下述式(a1-10)所表示的縮醛的形式保護的保護羧基的情況下，保護羧基的整體變成-(C=O)-O-CR¹⁰¹R¹⁰²(OR¹⁰³)的結構。

式(a1-10)中，R¹⁰¹及R¹⁰²分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，其中，排除R¹⁰¹與R¹⁰²均為氫原子的情況。R¹⁰³表示烷基或芳基。R¹⁰¹或R¹⁰²與R¹⁰³可連結而形成環狀醚。

所述式(a1-10)中，R¹⁰¹~R¹⁰³分別獨立地表示氫原子或烷基，所述烷基可為直鏈狀、支鏈狀、環狀的任一種。此處， 不存在R¹⁰¹及R¹⁰²均表示氫原子的情況，R¹⁰¹及R¹⁰²的至少一個表示烷基。

於所述式(a1-10)中，當R¹⁰¹、R¹⁰²及R¹⁰³表示烷基時，所述烷基可為直鏈狀、支鏈狀或環狀的任一種。

作為所述直鏈狀或支鏈狀的烷基，較佳為碳數1~12，更佳為碳數1~6，進而更佳為碳數1~4。具體而言，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、新戊基、正己基、2,3-二甲基-2-丁基(thexyl)、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基等。

作為所述環狀烷基，較佳為碳數3~12，更佳為碳數4~8，進而更佳為碳數4~6。作為所述環狀烷基，例如可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、降冰片基、異冰片基等。

所述烷基亦可具有取代基，作為取代基，可例示鹵素原子、芳基、烷氧基。當具有鹵素原子作為取代基時，R¹⁰¹、R¹⁰²、R¹⁰³成為鹵代烷基，當具有芳基作為取代基時，R¹⁰¹、R¹⁰²、R¹⁰³成為芳烷基。

作為所述鹵素原子，可例示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，該些之中，較佳為氟原子或氯原子。

另外，作為所述芳基，較佳為碳數6~20的芳基，更佳為碳數6~12的芳基。具體而言，可例示苯基、α-甲基苯基、萘基等，作為經芳基取代的烷基整體，即芳烷基，可例示苄基、α-甲基苄 基、苯乙基、萘基甲基等。

作為所述烷氧基，較佳為碳數1~6的烷氧基，更佳為碳數1~4的烷氧基，進而更佳為甲氧基或乙氧基。

另外，當所述烷基為環烷基時，所述環烷基可具有碳數1~10的直鏈狀或支鏈狀的烷基作為取代基，當烷基為直鏈狀或支鏈狀的烷基時，可具有碳數3~12的環烷基作為取代基。

該些取代基亦可經所述取代基進一步取代。

所述式(a1-10)中，當R¹⁰¹、R¹⁰²及R¹⁰³表示芳基時，所述芳基較佳為碳數6~12，更佳為碳數6~10。所述芳基可具有取代基，作為所述取代基，可較佳地例示碳數1~6的烷基。作為芳基，例如可例示苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、1-萘基等。

另外，R¹⁰¹、R¹⁰²及R¹⁰³可相互鍵結，並與該些所鍵結的碳原子一同形成環。作為R¹⁰¹與R¹⁰²、R¹⁰¹與R¹⁰³或R¹⁰²與R¹⁰³鍵結時的環結構，例如可列舉：環丁基、環戊基、環己基、環庚基、四氫呋喃基、金剛烷基及四氫吡喃基等。

再者，所述式(a1-10)中，較佳為R¹⁰¹及R¹⁰²的任一者為氫原子或甲基。

用以形成具有由所述式(a1-10)所表示的保護羧基的構成單元的自由基聚合性單量體可使用市售的自由基聚合性單量體，亦可使用藉由公知的方法所合成的自由基聚合性單量體。例如，可藉由日本專利特開2011-221494號公報的段落0037~段落0040中所記載的合成方法等來合成。

所述具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(a1-1)的第一種較佳的形態為由下述式所表示的構成單元。

式中，R¹及R²分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R¹及R²的任一者為烷基或芳基，R³表示烷基或芳基，R¹或R²與R³可連結而形成環狀醚，R⁴表示氫原子或甲基，X表示單鍵或伸芳基。

當R¹及R²為烷基時，較佳為碳數1~10的烷基。當R¹及R²為芳基時，較佳為苯基。R¹及R²較佳為分別獨立地為氫原子或碳數1~4的烷基。

R³表示烷基或芳基，較佳為碳數1~10的烷基，更佳為碳數1~6的烷基。

X表示單鍵或伸芳基，較佳為單鍵。

所述具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(a1-1)的第二種較佳的形態為由下述式所表示的構成單元。

[化6]

式中，R¹²¹表示氫原子或碳數1~4的烷基，L¹表示羰基或伸苯基，R¹²²~R¹²⁸分別獨立地表示氫原子或碳數1~4的烷基。

R¹²¹較佳為氫原子或甲基。

L¹較佳為羰基。

R¹²²~R¹²⁸較佳為氫原子。

作為所述具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(a1-1)的較佳的具體例，可例示下述的構成單元。再者，R表示氫原子或甲基。

<(a1-2)具有由酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元>

所述具有由酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)是具有酚性羥基的構成單元具有以下將詳細說明的由酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元。

<(a1-2-1)具有酚性羥基的構成單元>

作為所述具有酚性羥基的構成單元，可列舉羥基苯乙烯系構成單元或酚醛清漆系的樹脂中的構成單元，該些之中，就感度的觀點而言，較佳為源自羥基苯乙烯或α-甲基羥基苯乙烯的構成單元。另外，作為具有酚性羥基的構成單元，就感度的觀點而言，由下述式(a1-20)所表示的構成單元亦較佳。

式(a1-20)中，R²²⁰表示氫原子或甲基，R²²¹表示單鍵或二價的連結基，R²²²表示鹵素原子或碳數1~5的直鏈或支鏈狀的烷基，a表示1~5的整數，b表示0~4的整數，a+b為5以下。再者，當存在兩個以上的R²²²時，該些R²²²相互可不同，亦可相 同。

所述式(a1-20)中，R²²⁰表示氫原子或甲基，較佳為甲基。

另外，R²²¹表示單鍵或二價的連結基。當R²²¹為單鍵時，可提昇感度，進而可提昇硬化膜的透明性，故較佳。作為R²²¹的二價的連結基，可例示伸烷基，作為R²²¹為伸烷基的具體例，可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸異丙基、伸正丁基、伸異丁基、伸第三丁基、伸戊基、伸異戊基、伸新戊基、伸己基等。其中，R²²¹較佳為單鍵、亞甲基、或伸乙基。另外，所述二價的連結基可具有取代基，作為取代基，可列舉鹵素原子、羥基、烷氧基等。另外，a表示1~5的整數，但就本發明的效果的觀點、或容易製造這一點而言，較佳為a為1或2，更佳為a為1。

另外，當將與R²²¹進行鍵結的碳原子作為基準(1位)時，苯環中的羥基的鍵結位置較佳為鍵結於4位上。

R²²²分別獨立地表示鹵素原子或者碳數1~5的直鏈或支鏈狀的烷基。具體而言，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基等。其中，就容易製造這一點而言，較佳為氯原子、溴原子、甲基或乙基。

另外，b表示0或1~4的整數。

-可用於構成單元(a1-2)的酸分解性基-

作為可用於所述具有由酸分解性基保護的保護酚性羥基的構 成單元(a1-2)的所述酸分解性基，與可用於所述具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(a1-1)的所述酸分解性基同樣地，可使用公知的酸分解性基，並無特別限定。酸分解性基之中，就硬化性組成物的基本物性，特別是感度或圖案形狀、硬化性組成物的保存穩定性、接觸孔的形成性的觀點而言，較佳為具有由縮醛保護的保護酚性羥基的構成單元。進而，酸分解性基之中，就感度的觀點而言，更佳為酚性羥基為由以所述式(a1-10)所表示的縮醛的形式保護的保護酚性羥基。再者，於酚性羥基為由以所述式(a1-10)所表示的縮醛的形式保護的保護酚性羥基的情況下，保護酚性羥基的整體變成-Ar-O-CR¹⁰¹R¹⁰²(OR¹⁰³)的結構。再者，Ar表示伸芳基。

酚性羥基的縮醛酯結構的較佳例可例示R¹⁰¹=R¹⁰²=R¹⁰³=甲基的組合、或R¹⁰¹=R¹⁰²=甲基且R¹⁰³=苄基的組合、及R¹⁰¹=H且R¹⁰²=甲基且R¹⁰³=乙基的組合。

另外，作為用以形成具有酚性羥基由縮醛的形式保護的保護酚性羥基的構成單元的自由基聚合性單量體，例如可列舉日本專利特開2011-215590號公報的段落0042中所記載的自由基聚合性單量體等。

該些之中，就透明性的觀點而言，較佳為甲基丙烯酸4-羥基苯酯的1-烷氧基烷基保護體、甲基丙烯酸4-羥基苯酯的四氫吡喃基保護體。

作為酚性羥基的縮醛保護基的具體例，可列舉1-烷氧基 烷基，例如可列舉1-乙氧基乙基、1-甲氧基乙基、1-正丁氧基乙基、1-異丁氧基乙基、1-(2-氯乙氧基)乙基、1-(2-乙基己氧基)乙基、1-正丙氧基乙基、1-環己氧基乙基、1-(2-環己基乙氧基)乙基、1-苄氧基乙基等，該些基可單獨使用一種、或將兩種以上組合使用。

用以形成所述具有由酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)的自由基聚合性單量體可使用市售的自由基聚合性單量體，亦可使用藉由公知的方法所合成的自由基聚合性單量體。例如，可藉由在酸觸媒的存在下使具有酚性羥基的化合物與乙烯基醚進行反應來合成。所述合成亦可事先使具有酚性羥基的單體與其他單體進行共聚，然後在酸觸媒的存在下與乙烯基醚進行反應。

作為所述具有由酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)的較佳的具體例，可例示下述的構成單元，但本發明並不限定於該些構成單元。下述具體例中，R表示氫原子或甲基。

[化9]

-構成單元(a1)的較佳的形態-

當含有所述構成單元(a1)的聚合體實質上不含構成單元(a2)時，於含有該構成單元(a1)的聚合體中，構成單元(a1)較佳為20莫耳%~100莫耳%，更佳為30莫耳%~90莫耳%。

當含有所述構成單元(a1)的聚合體含有下述構成單元(a2)時，就感度的觀點而言，於含有該構成單元(a1)與構成單元(a2)的聚合體中，構成單元(a1)較佳為3莫耳%~70莫耳%，更佳為10莫耳%~60莫耳%。另外，尤其於所述構成單元(a1)為含有羧基由縮醛的形式保護的保護羧基的構成單元的情況下，較佳為20莫耳%~50莫耳%。

再者，於本發明中，當以莫耳比來規定「構成單元」的含量時，該「構成單元」的含義與「單體單元」相同。另外，於本發明中，該「單體單元」可藉由高分子反應等而於聚合後進行修飾。以下亦同樣如此。

與所述具有由酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)相比，所述具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(a1-1)具有顯影快這一特徵。因此，於欲快速顯影的情況下，較佳為具有由酸分解性基保護的保護羧基的構成單元(a1-1)。相反地，於欲使顯影變慢的情況下，較佳為使用具有由酸分解性基保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)。

<(a2)具有交聯性基的構成單元>

成分A中的聚合體1亦可為含有具有交聯性基的構成單元(a2)的聚合體。所述交聯性基只要是藉由加熱處理而引起硬化反應的基，則並無特別限定。作為較佳的具有交聯性基的構成單元的形態，可列舉含有選自由環氧基、氧雜環丁基、由-NH-CH₂-O-R(R表示氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基、及乙烯性不飽和基所組成的群組中的至少一個的構成單元，較佳為選自由環氧基、及氧雜環丁基所組成的群組中的至少一種。其中，本發明中所使用的硬化性組成物更佳為所述聚合體1含有包含環氧基的構成單元。更詳細而言，可列舉以下者。

<(a2-1)具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元>

成分A較佳為包含含有具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元(構成單元(a2-1))的聚合體。所述3員環的環狀醚基亦被稱為環氧基，4員環的環狀醚基亦被稱為氧雜環丁基。

所述具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元(a2-1)只要一個構成單元中具有至少一個環氧基或氧雜環丁基即可，可具有一 個以上的環氧基及一個以上的氧雜環丁基、兩個以上的環氧基、或兩個以上的氧雜環丁基，並無特別限定，但較佳為具有合計為一個~三個的環氧基及/或氧雜環丁基，更佳為具有合計為一個或兩個的環氧基及/或氧雜環丁基，進而更佳為具有一個環氧基或氧雜環丁基。

作為用以形成具有環氧基的構成單元的自由基聚合性單量體的具體例，例如可列舉丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、α-乙基丙烯酸縮水甘油酯、α-正丙基丙烯酸縮水甘油酯、α-正丁基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸-3,4-環氧基丁酯、甲基丙烯酸-3,4-環氧基丁酯、丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、甲基丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、α-乙基丙烯酸-3,4-環氧環己基甲酯、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚、間乙烯基苄基縮水甘油醚、對乙烯基苄基縮水甘油醚、日本專利第4168443號公報的段落0031~段落0035中所記載的含有脂環式環氧基骨架的化合物等。

作為用以形成具有氧雜環丁基的構成單元的自由基聚合性單量體的具體例，例如可列舉日本專利特開2001-330953號公報的段落0011~段落0016中所記載的具有氧雜環丁基的(甲基)丙烯酸酯等。

作為用以形成所述具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元(a2-1)的自由基聚合性單量體的具體例，較佳為含有甲基丙烯酸酯結構的單體、含有丙烯酸酯結構的單體。

該些之中，較佳為甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸3,4- 環氧環己基甲酯、甲基丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯、及甲基丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯。該些構成單元可單獨使用一種、或將兩種以上組合使用。

作為具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元(a2-1)的較佳的具體例，可例示下述的構成單元。再者，R表示氫原子或甲基。

<(a2-2)具有乙烯性不飽和基的構成單元>

作為所述具有交聯性基的構成單元(a2)的一種，可列舉具有乙烯性不飽和基的構成單元(a2-2)(以下，亦稱為「構成單元(a2-2)」)。作為所述具有乙烯性不飽和基的構成單元(a2-2)，較佳為於側鏈上具有乙烯性不飽和基的構成單元，更佳為於末端具有乙烯性不飽和基、且具有碳數3~16的側鏈的構成單元，進而更佳為具有由下述式(a2-2-1)所表示的側鏈的構成單元。

[化11]

式(a2-2-1)中，R³⁰¹表示碳數1~13的二價的連結基，R³⁰²表示氫原子或甲基，波狀線部分表示與具有交聯性基的構成單元(a2)的主鏈連結的部位。

R³⁰¹為碳數1~13的二價的連結基，包含烯基、環烯基、伸芳基或將該些組合而成的基，亦可含有酯鍵、醚鍵、醯胺鍵、胺基甲酸酯鍵等鍵。另外，二價的連結基可於任意的位置上具有羥基、羧基等取代基。作為R³⁰¹的具體例，可列舉下述的二價的連結基。

由所述式(a2-2-1)所表示的側鏈之中，較佳為包含由所述R³⁰¹所表示的二價的連結基的脂肪族的側鏈。

此外，關於(a2-2)具有乙烯性不飽和基的構成單元，可參考日本專利特開2011-215580號公報的段落0072~段落0090的記載。

<(a2-3)具有由-NH-CH₂-O-R(R表示氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基的構成單元>

本發明中所使用的共聚物為具有由-NH-CH₂-O-R(R表示氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基的構成單元(a2-3)亦較佳。藉由含有構成單元(a2-3)，可利用緩和的加熱處理引起硬化反應，而可獲得各種特性優異的硬化膜。此處，R較佳為碳數1~20的烷基，更佳為碳數1~9的烷基，進而更佳為碳數1~4的烷基。另外，烷基可為直鏈、分支或環狀的烷基的任一種，但較佳為直鏈或分支的烷基。構成單元(a2)更佳為具有由下述式(a2-30)所表示的基的構成單元。

式(a2-30)中，R³¹表示氫原子或甲基，R³²表示碳數1~20的烷基。

R³²較佳為碳數1~9的烷基，進而更佳為碳數1~4的烷基。另外，烷基可為直鏈、分支或環狀的烷基的任一種，但較佳為直鏈或分支的烷基。

作為R³²的具體例，可列舉：甲基、乙基、正丁基、異丁基、環己基、及正己基。其中，較佳為異丁基、正丁基、甲基。

-構成單元(a2)的較佳的形態-

作為成分A，於所有聚合體成分中不含所述具有交聯性基的構成單元(a2)，或相對於所有聚合體成分中的所有構成單元，僅以5莫耳%以下的比例，較佳為超過0莫耳%的比例含有所述具有交聯性基的構成單元(a2)。

若為所述數值的範圍內，則藉由與特定的剝離液組成物的組合而抑制抗蝕阻劑殘渣的產生。

<(a3)其他構成單元>

於本發明中，成分A中的聚合體1除所述構成單元(a1)及/或構成單元(a2)以外，亦可含有該些以外的其他構成單元(a3)。所述聚合體成分(1)及/或聚合體成分(2)可含有該些構成單元。另外，不同於所述聚合體成分(1)或聚合體成分(2)，亦可具有實質上不含構成單元(a1)及構成單元(a2)而含有其他構成單元(a3)的聚合體成分。

作為成為其他構成單元(a3)的單體，並無特別限制， 例如可列舉：苯乙烯類、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環狀烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、雙環不飽和化合物類、順丁烯二醯亞胺化合物類、不飽和芳香族化合物、共軛二烯系化合物、不飽和一元羧酸、不飽和二羧酸、不飽和二羧酸酐、其他不飽和化合物。另外，如後述般，亦可含有具有酸基的構成單元。成為其他構成單元(a3)的單體可單獨使用一種、或將兩種以上組合使用。

具體而言，構成單元(a3)可列舉由以下化合物等形成的構成單元：苯乙烯、第三丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、羥基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、氯苯乙烯、乙烯基苯甲酸甲酯、乙烯基苯甲酸乙酯、4-羥基苯甲酸(3-甲基丙烯醯氧基丙基)酯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、丙烯腈、乙二醇單乙醯乙酸酯單(甲基)丙烯酸酯。除此以外，可列舉日本專利特開2004-264623號公報的段落0021~段落0024中所記載的化合物。

另外，作為其他構成單元(a3)，就電特性的觀點而言，較佳為源自苯乙烯類、或具有脂肪族環式骨架的單體的構成單元。具體而言，可列舉：苯乙烯、第三丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、羥基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。

進而，作為其他構成單元(a3)，就密接性的觀點而言，較佳為源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元。具體而言，可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯等，更佳為(甲基)丙烯酸甲酯。構成聚合體的構成單元中，所述構成單元(a3)的含有率較佳為60莫耳%以下，更佳為50莫耳%以下，進而更佳為40莫耳%以下。作為下限值，可為0莫耳%，但例如較佳為設為1莫耳%以上，更佳為設為5莫耳%以上。若為所述數值的範圍內，則由硬化性組成物所獲得的硬化膜的各種特性變得良好。

成分A中所含有的聚合體較佳為含有具有酸基的構成單元作為其他構成單元(a3)。聚合體藉由具有酸基，而容易溶解於鹼性的顯影液中，本發明的效果得以更有效地發揮。本發明中的酸基是指pKa小於10.5的質子解離性基。通常，使用可形成酸基的單體作為具有酸基的構成單元，而將酸基導入至聚合體中。藉由在聚合體中含有此種具有酸基的構成單元，而存在容易溶解於鹼性的顯影液中的傾向。

作為本發明中所使用的酸基，可例示羧酸基、磺醯胺基、膦酸基、磺酸基、酚性羥基、磺醯胺基、磺醯基醯亞胺基、及該些酸基的酸酐基、以及將該些酸基加以中和而形成鹽結構的基等，較佳為至少具有羧酸基及/或酚性羥基。作為所述鹽，並無特別限制，可較佳地例示鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽、及有機銨鹽。

本發明中所使用的具有酸基的構成單元更佳為源自苯乙烯化 合物的構成單元、或源自乙烯基化合物的構成單元、源自(甲基)丙烯酸及/或其酯的構成單元。

於本發明中，就感度的觀點而言，特佳為含有具有羧基的構成單元、或具有酚性羥基的構成單元。

具有酸基的構成單元的含量較佳為所有聚合體成分的構成單元的1莫耳%~80莫耳%，更佳為1莫耳%~50莫耳%，進而更佳為5莫耳%~40莫耳%，特佳為5莫耳%~30莫耳%，最佳為5莫耳%~20莫耳%。

於本發明中，有別於所述聚合體1，亦可包含實質上不含構成單元(a1)及構成單元(a2)而含有其他構成單元(a3)的聚合體。

作為此種聚合體，較佳為於側鏈上具有羧基的樹脂。例如可列舉如日本專利特開昭59-44615號、日本專利特公昭54-34327號、日本專利特公昭58-12577號、日本專利特公昭54-25957號、日本專利特開昭59-53836號、日本專利特開昭59-71048號的各公報中所記載般的甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸共聚物、衣康酸共聚物、巴豆酸共聚物、順丁烯二酸共聚物、部分酯化順丁烯二酸共聚物等、以及於側鏈上具有羧基的酸性纖維素衍生物、於具有羥基的聚合物中加成酸酐而成者等，進而亦可列舉於側鏈上具有(甲基)丙烯醯基的高分子聚合體作為較佳者。

例如可列舉：(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸共聚物、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯/(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸共聚 物、日本專利特開平7-140654號公報中所記載的(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸-2-羥基-3-苯氧基丙酯/聚甲基丙烯酸甲酯大分子單體/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物等。

除此以外，亦可使用日本專利特開平7-207211號公報、日本專利特開平8-259876號公報、日本專利特開平10-300922號公報、日本專利特開平11-140144號公報、日本專利特開平11-174224號公報、日本專利特開2000-56118號公報、日本專利特開2003-233179號公報、日本專利特開2009-52020號公報等中所記載的公知的高分子化合物。

該些聚合體可僅含有一種，亦可含有兩種以上。

作為該些聚合體，亦可使用市售的SMA 1000P、SMA 2000P、SMA 3000P、SMA 1440F、SMA 17352P、SMA 2625P、SMA 3840F(以上，沙多瑪(Sartomer)公司製造)，阿魯方(ARUFON)UC-3000、阿魯方(ARUFON)UC-3510、阿魯方(ARUFON)UC-3900、阿魯方(ARUFON)UC-3910、阿魯方(ARUFON)UC-3920、阿魯方(ARUFON)UC-3080(以上，東亞合成(股份)製造)，莊克力(JONCRYL)690、莊克力(JONCRYL)678、莊克力(JONCRYL)67、莊克力(JONCRYL)586(以上，巴斯夫 (BASF)公司製造)等。

-成分A中的聚合體1的分子量-

成分A中的聚合體1的分子量以聚苯乙烯換算重量平均分子量計，較佳為1,000~200,000，更佳為2,000~50,000的範圍。若為所述數值的範圍內，則各種特性良好。數量平均分子量Mn與重量平均分子量Mw的比(分散度，Mw/Mn)較佳為1.0~5.0，更佳為1.5~3.5。

-成分A中的聚合體1的製造方法-

另外，關於成分A中的聚合體1的合成法，亦已知有各種方法，若列舉一例，則可藉由使用自由基聚合起始劑，使至少含有用以形成所述構成單元(a1)及所述構成單元(a3)的自由基聚合性單量體的自由基聚合性單量體混合物於有機溶劑中進行聚合來合成。另外，亦可藉由所謂的高分子反應來合成。

相對於硬化性組成物的所有有機固體成分，本發明中所使用的硬化性組成物中的成分A的含量較佳為20質量%~95質量%，更佳為50質量%~90質量%，進而更佳為55質量%~85質量%。若含量為該範圍，則可獲得硬化性良好的有機膜。

(成分B：光酸產生劑)

本發明中所使用的硬化性組成物含有(成分B)光酸產生劑。

作為本發明中所使用的光酸產生劑，較佳為感應波長為300nm以上，較佳為波長為300nm~450nm的光化射線而產生酸的化合物，但不受其化學結構限制。另外，關於不直接感應波長為 300nm以上的光化射線的光酸產生劑，若為藉由與增感劑併用來感應波長為300nm以上的光化射線而產生酸的化合物，則亦可與增感劑組合後較佳地使用。作為本發明中所使用的光酸產生劑，較佳為產生pKa為4以下的酸的光酸產生劑，更佳為產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑，最佳為產生pKa為2以下的酸的光酸產生劑。

作為光酸產生劑的例子，可列舉：三氯甲基-均三嗪類、鋶鹽或錪鹽等鎓鹽化合物、四級銨鹽類、重氮甲烷化合物、醯亞胺磺酸酯化合物、及肟磺酸酯化合物等。該些之中，就感度的觀點而言，較佳為使用選自由肟磺酸酯化合物、醯亞胺磺酸酯化合物及鎓鹽化合物所組成的群組中的至少一種化合物，更佳為使用肟磺酸酯化合物。該些光酸產生劑可單獨使用一種、或將兩種以上組合使用。作為三氯甲基-均三嗪類、二芳基錪鹽類、三芳基鋶鹽類、四級銨鹽類、及重氮甲烷衍生物的具體例，可例示日本專利特開2011-221494號公報的段落0083~段落0088中所記載的化合物。

作為肟磺酸酯化合物，即具有肟磺酸酯結構的化合物，可較佳地例示含有由下述式(B1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物。

[化14]

式(B1)中，R²¹表示烷基或芳基，波狀線部分表示與其他基的鍵結部位。

任何基均可被取代，R²¹中的烷基可為直鏈狀，亦可為分支狀，亦可為環狀。以下說明所容許的取代基。

作為R²¹的烷基，較佳為碳數1~10的直鏈狀烷基或分支狀烷基。R²¹的烷基可經碳數6~11的芳基、碳數1~10的烷氧基、或環烷基(包含7,7-二甲基-2-氧代降冰片基等橋環式脂環基，較佳為雙環烷基等)取代。

作為R²¹的芳基，較佳為碳數6~11的芳基，更佳為苯基或萘基。R²¹的芳基可經碳數1~10的烷基、碳數1~10的烷氧基或鹵素原子取代。

含有由所述式(B1)所表示的肟磺酸酯結構的所述化合物為由下述式(B2)所表示的肟磺酸酯化合物亦較佳。

式(B2)中，R⁴²表示烷基或芳基，X表示烷基、烷氧基或鹵素原子，m4表示0~3的整數，當m4為2或3時，多個X可相同，亦可同。

作為X的烷基較佳為碳數1~4的直鏈狀烷基或分支狀烷基。

作為X的烷氧基較佳為碳數1~4的直鏈狀烷氧基或分支狀烷氧基。

作為X的鹵素原子較佳為氯原子或氟原子。

m4較佳為0或1。所述式(B2)中，特佳為m4為1，X為甲基，X的取代位置為鄰位，R⁴²為碳數1~10的直鏈狀烷基、7,7-二甲基-2-氧代降冰片基甲基、或對甲苯甲醯基的化合物。

含有由所述式(B1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物為由下述式(B3)所表示的肟磺酸酯化合物亦較佳。

式(B3)中，R⁴³的含義與式(B2)中的R⁴²相同，X¹表示鹵素原子、羥基、碳數1~4的烷基、碳數1~4的烷氧基、氰基或硝基，n4表示0~5的整數。

作為所述式(B3)中的R⁴³，較佳為甲基、乙基、正丙基、正丁基、正辛基、三氟甲基、五氟乙基、全氟-正丙基、全氟-正丁基、對甲苯基、4-氯苯基或五氟苯基，特佳為正辛基。

X¹較佳為碳數1~5的烷氧基，更佳為甲氧基。

n4較佳為0~2的整數，特佳為0或1。

作為由所述式(B3)所表示的化合物的具體例，可列舉：α-(甲基磺醯氧基亞胺基)苄基氰、α-(乙基磺醯氧基亞胺基)苄基氰、α-(正丙基磺醯氧基亞胺基)苄基氰、α-(正丁基磺醯氧基亞胺基)苄基氰、α-(4-甲苯磺醯氧基亞胺基)苄基氰、α-[(甲基磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基]乙腈、α-[(乙基磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基]乙腈、α-[(正丙基磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基]乙腈、α-[(正丁基磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基]乙腈、α-[(4-甲苯磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基]乙腈。

作為較佳的肟磺酸酯化合物的具體例，可列舉下述化合物(i)~化合物(viii)等，該些化合物可單獨使用一種、或併用兩種以上。化合物(i)~化合物(viii)可作為市售品而獲得。另外，亦可與其他種類的(成分B)光酸產生劑組合使用。

[化17]

作為含有由所述式(B1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物，由下述式(OS-1)所表示的化合物亦較佳。

所述式(OS-1)中，R¹⁰¹表示氫原子、烷基、烯基、烷氧基、烷氧基羰基、醯基、胺甲醯基、胺磺醯基、磺基、氰基、芳基、或雜芳基。R¹⁰²表示烷基、或芳基。

X¹⁰¹表示-O-、-S-、-NH-、-NR¹⁰⁵-、-CH₂-、-CR¹⁰⁶H-、或 -CR¹⁰⁵R¹⁰⁷-，R¹⁰⁵~R¹⁰⁷表示烷基、或芳基。

R¹²¹~R¹²⁴分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烯基、烷氧基、胺基、烷氧基羰基、烷基羰基、芳基羰基、醯胺基、磺基、氰基、或芳基。R¹²¹~R¹²⁴中的兩個可分別相互鍵結而形成環。

作為R¹²¹~R¹²⁴，較佳為分別獨立地為氫原子、鹵素原子、或烷基，且，亦可較佳地列舉R¹²¹~R¹²⁴中的至少兩個相互鍵結而形成芳基的形態。其中，就感度的觀點而言，較佳為R¹²¹~R¹²⁴均為氫原子的形態。

已述的官能基均可進一步具有取代基。

由所述式(OS-1)所表示的化合物更佳為由下述式(OS-2)所表示的化合物。

所述式(OS-2)中，R¹⁰¹、R¹⁰²、R¹²¹~R¹²⁴的含義分別與式(OS-1)中的R¹⁰¹、R¹⁰²、R¹²¹~R¹²⁴相同，且，較佳例亦相 同。

該些之中，更佳為所述式(OS-1)及所述式(OS-2)中的R¹⁰¹為氰基、或芳基的形態，最佳為由所述式(OS-2)表示，且R¹⁰¹為氰基、苯基或萘基的形態。

另外，於本發明中的肟磺酸酯化合物中，關於肟或苯并噻唑環的立體結構(E、Z等)，分別可為任一種立體結構，亦可為混合物。

作為可適宜地用於本發明的由所述式(OS-1)所表示的化合物的具體例，可列舉日本專利特開2011-221494號公報的段落0128~段落0132中所記載的化合物(例示化合物b-1~例示化合物b-34)，但本發明並不限定於此。

於本發明中，作為含有由所述式(B1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物，較佳為由下述式(OS-3)、下述式(OS-4)或下述式(OS-5)所表示的肟磺酸酯化合物。

式(OS-3)~式(OS-5)中，R²²、R²⁵及R²⁸分別獨立地表示烷基、芳基或雜芳基，R²³、R²⁶及R²⁹分別獨立地表示氫原 子、烷基、芳基或鹵素原子，R²⁴、R²⁷及R³⁰分別獨立地表示鹵素原子、烷基、烷氧基、磺酸基、胺基磺醯基或烷氧基磺醯基，X¹~X³分別獨立地表示氧原子或硫原子，n¹~n³分別獨立地表示1或2，m¹~m³分別獨立地表示0~6的整數。

所述式(OS-3)~式(OS-5)中，R²²、R²⁵及R²⁸中的烷基、芳基或雜芳基可具有取代基。

所述式(OS-3)~式(OS-5)中，作為R²²、R²⁵及R²⁸中的烷基，較佳為可具有取代基的總碳數1~30的烷基。

另外，所述式(OS-3)~式(OS-5)中，作為R²²、R²⁵及R²⁸中的芳基，較佳為可具有取代基的總碳數6~30的芳基。

另外，所述式(OS-3)~式(OS-5)中，作為R²²、R²⁵及R²⁸中的雜芳基，較佳為可具有取代基的總碳數4~30的雜芳基。

所述式(OS-3)~式(OS-5)中，R²²、R²⁵及R²⁸中的雜芳基只要至少一個環為雜芳香環即可，例如雜芳香環與苯環亦可進行縮環。

所述式(OS-3)~式(OS-5)中，R²³、R²⁶及R²⁹較佳為氫原子、烷基或芳基，更佳為氫原子或烷基。

所述式(OS-3)~式(OS-5)中，較佳為於化合物中存在兩個以上的R²³、R²⁶及R²⁹中的一個或兩個為烷基、芳基或鹵素原子，更佳為一個為烷基、芳基或鹵素原子，特佳為一個為烷基、且剩餘為氫原子。

作為R²³、R²⁶及R²⁹中的烷基，較佳為可具有取代基的 總碳數1~12的烷基，更佳為可具有取代基的總碳數1~6的烷基。

作為R²³、R²⁶及R²⁹中的芳基，較佳為可具有取代基的總碳數6~30的芳基。

所述式(OS-3)~式(OS-5)中，X¹~X³分別獨立地表示O或S，較佳為O。

所述式(OS-3)~式(OS-5)中，含有X¹~X³作為環員的環為5員環或6員環。

所述式(OS-3)~式(OS-5)中，n¹~n³分別獨立地表示1或2，當X¹~X³為O時，n¹~n³較佳為分別獨立地為1，且，當X¹~X³為S時，n¹~n³較佳為分別獨立地為2。

所述式(OS-3)~式(OS-5)中，R²⁴、R²⁷及R³⁰分別獨立地表示鹵素原子、烷基、烷氧基、磺酸基、胺基磺醯基或烷氧基磺醯基。其中，較佳為R²⁴、R²⁷及R³⁰分別獨立地為烷基或烷氧基。

R²⁴、R²⁷及R³⁰中的烷基、烷氧基、磺酸基、胺基磺醯基及烷氧基磺醯基可具有取代基。

所述式(OS-3)~式(OS-5)中，作為R²⁴、R²⁷及R³⁰中的烷基，較佳為可具有取代基的總碳數1~30的烷基。

所述式(OS-3)~式(OS-5)中，作為R²⁴、R²⁷及R³⁰中的烷氧基，較佳為可具有取代基的總碳數1~30的烷氧基。

另外，所述式(OS-3)~式(OS-5)中，m¹~m³分別獨立地表示0~6的整數，較佳為0~2的整數，更佳為0或1，特 佳為0。

另外，關於所述式(OS-3)~式(OS-5)的各個取代基，日本專利特開2011-221494號公報的段落0092~段落0109中所記載的(OS-3)~(OS-5)的取代基的較佳的範圍亦同樣較佳。

另外，含有由所述式(B1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物特佳為由下述式(OS-6)~式(OS-11)的任一個所表示的肟磺酸酯化合物。

式(OS-6)~式(OS-11)中，R³⁰¹~R³⁰⁶表示烷基、芳基或雜芳基，R³⁰⁷表示氫原子或溴原子，R³⁰⁸~R³¹⁰、R³¹³、R³¹⁶及R³¹⁸分別獨立地表示氫原子、碳數1~8的烷基、鹵素原子、氯甲基、溴甲基、溴乙基、甲氧基甲基、苯基或氯苯基，R³¹¹及R³¹⁴分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、甲基或甲氧基，R³¹²、R³¹⁵、 R³¹⁷及R³¹⁹分別獨立地表示氫原子或甲基。

所述式(OS-6)~式(OS-11)中的較佳的範圍與日本專利特開2011-221494號公報的段落0110~段落0112中所記載的(OS-6)~(OS-11)的較佳的範圍相同。

作為由所述式(OS-3)~所述式(OS-5)所表示的肟磺酸酯化合物的具體例，可列舉日本專利特開2011-221494號公報的段落0114~段落0120中所記載的化合物，但本發明並不限定於該些化合物。

於本發明中所使用的硬化性組成物中，相對於硬化性組成物中的所有有機固體成分100質量份，(成分B)光酸產生劑較佳為使用0.1質量份~10質量份，更佳為使用0.5質量份~5質量份。

另外，成分B可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

<增感劑>

於本發明中所使用的硬化性組成物中，除光酸產生劑以外，亦可添加增感劑。

增感劑吸收光化射線或放射線而成為激發狀態。成為激發狀態的增感劑藉由與成分C的相互作用，而產生電子移動、能量移動、發熱等作用，並可開始.促進酸產生。

作為可用於本發明的典型的增感劑，可列舉克里維洛(Crivello)[J.V.Crivello,「聚合物科學進展(Adv.in Polymer Sci.)」,62,1(1984)]中所揭示者，具體而言，可列舉：芘、苝、 吖啶橙、硫雜蒽酮、2-氯硫雜蒽酮、苯并黃素、N-乙烯咔唑、9,10-二丁氧基蒽、蒽醌、香豆素、香豆素酮、菲、樟腦醌、啡噻嗪衍生物等。較佳為相對於光酸產生劑，以50質量%~200質量%的比例添加增感劑。

(成分C：分子量為1,000以下的交聯劑)

本發明中所使用的硬化性組成物含有分子量為1,000以下，較佳為100以上，更佳為140以上的低分子交聯劑作為成分C。藉由添加交聯劑，而可提昇藉由本發明中所使用的硬化性組成物所獲得的有機膜的耐剝離液性。

作為交聯劑，只要是藉由熱而引起交聯反應者，則可無限制地使用(但是，成分A除外)。例如可例示以下所述的分子內具有兩個以上的環氧基或氧雜環丁基的化合物、封閉型異氰酸酯化合物(具有經保護的異氰酸基的化合物)、含有烷氧基甲基的化合物、或具有至少一個乙烯性不飽和雙鍵(乙烯性不飽和基)的化合物等，較佳為添加該些的任一種以上的交聯劑。

相對於硬化性樹脂組成物的所有有機固體成分100質量份，本發明中所使用的硬化性樹脂組成物中的交聯劑的添加量為7質量份~40質量份，較佳為10質量份~30質量份。藉由在該範圍內添加，可獲得耐剝離液性優異的硬化膜，並且使用具有組成b的剝離液組成物將形成於硬化膜的上層的無機膜上的抗蝕阻劑剝離後的有機膜(硬化膜)表面的抗蝕阻劑殘渣少而變得良好。交聯劑亦可併用多種，於此情況下，藉由將所有交聯劑合計而成的 總含量來計算添加量。

於本發明中，所述交聯劑較佳為選自由分子內具有兩個以上的環氧基或氧雜環丁基的化合物、封閉型異氰酸酯化合物、及含有烷氧基甲基的交聯劑所組成的群組中的至少一種。

以下，對可較佳地用於本發明的所述交聯劑進行說明。

<分子內具有兩個以上的環氧基或氧雜環丁基的化合物>

作為交聯劑，可列舉多官能的小員環環狀醚化合物。即，是指一分子內具有兩個以上的環氧基及/或氧雜環丁基的化合物。該化合物的分子量為1,000以下，較佳為100以上，更佳為140以上。於該低分子的交聯劑中亦可併用少量的分子量為1,000以上、未滿5,000的寡聚物，或分子量為5,000以上的高分子的交聯劑。

作為分子內具有兩個以上的環氧基的化合物的具體例，可列舉脂肪族環氧化合物等。

該些可作為市售品而獲得。例如可列舉：丹納考爾(Denacol)EX-611、丹納考爾(Denacol)EX-612、丹納考爾(Denacol)EX-614、丹納考爾(Denacol)EX-614B、丹納考爾(Denacol)EX-622、丹納考爾(Denacol)EX-512、丹納考爾(Denacol)EX-521、丹納考爾(Denacol)EX-411、丹納考爾(Denacol)EX-421、丹納考爾(Denacol)EX-313、丹納考爾(Denacol)EX-314、丹納考爾(Denacol)EX-321、丹納考爾(Denacol)EX-211、丹納考爾(Denacol)EX-212、丹納考爾(Denacol)EX-810、丹納考爾 (Denacol)EX-811、丹納考爾(Denacol)EX-850、丹納考爾(Denacol)EX-851、丹納考爾(Denacol)EX-821、丹納考爾(Denacol)EX-830、丹納考爾(Denacol)EX-832、丹納考爾(Denacol)EX-841、丹納考爾(Denacol)EX-911、丹納考爾(Denacol)EX-941、丹納考爾(Denacol)EX-920、丹納考爾(Denacol)EX-931、丹納考爾(Denacol)EX-212L、丹納考爾(Denacol)EX-214L、丹納考爾(Denacol)EX-216L、丹納考爾(Denacol)EX-321L、丹納考爾(Denacol)EX-850L、丹納考爾(Denacol)DLC-201、丹納考爾(Denacol)DLC-203、丹納考爾(Denacol)DLC-204、丹納考爾(Denacol)DLC-205、丹納考爾(Denacol)DLC-206、丹納考爾(Denacol)DLC-301、丹納考爾(Denacol)DLC-402(以上長瀨化成(Nagase chemteX)製造)，賽羅西德(Celloxide)2021P、賽羅西德(Celloxide)2081、賽羅西德(Celloxide)3000、賽羅西德(Celloxide)EHPE3150，艾波利得(Epolead)GT400，塞露比納斯(Celvenus)B0134、塞露比納斯(Celvenus)B0177(大賽璐(Daicel)(股份))等。

該些可單獨使用一種、或將兩種以上組合使用。

作為分子內具有兩個以上的氧雜環丁基的化合物的具體例，可使用亞龍氧雜環丁烷(ARONE OXETANE)OXT-121、OXT-221、OX-SQ、PNOX(以上，東亞合成(股份)製造)。

另外，含有氧雜環丁基的化合物較佳為單獨使用、或與含有環氧基的化合物混合使用。

<封閉型異氰酸酯化合物>

於本發明中，於硬化性組成物中，亦可較佳地採用封閉型異氰酸酯化合物作為交聯劑。封閉型異氰酸酯化合物只要是具有異氰酸酯基得到化學保護的封閉型異氰酸酯基的化合物，則並無特別限制，但就硬化性的觀點而言，較佳為一分子內具有兩個以上的封閉型異氰酸酯基的化合物。封閉型異氰酸酯化合物亦可將其分子量為1,000以下，較佳為100以上，更佳為140以上的化合物用作交聯劑。

再者，本發明中的封閉型異氰酸酯基是可藉由熱而生成異氰酸酯基的基，例如，可較佳地例示使封閉劑與異氰酸酯基進行反應來保護異氰酸酯基的基。另外，所述封閉型異氰酸酯基較佳為可藉由90℃~250℃的熱而生成異氰酸酯基的基。

另外，作為封閉型異氰酸酯化合物，其骨架並無特別限定，只要是一分子中具有兩個異氰酸酯基的化合物，則可為任何化合物，可為脂肪族、脂環族或芳香族的聚異氰酸酯，例如可適宜地使用：2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯、1,3-三亞甲基二異氰酸酯、1,4-四亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、2,4,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、1,9-九亞甲基二異氰酸酯、1,10-十亞甲基二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、2,2'-二乙醚二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、鄰二甲苯二異氰酸酯、間二甲苯二異氰酸酯、對二甲苯二異氰酸酯、亞甲基雙(環己基異氰酸 酯)、環己烷-1,3-二亞甲基二異氰酸酯、環己烷-1,4-二亞甲基二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、3,3'-亞甲基二甲苯-4,4'-二異氰酸酯、4,4'-二苯醚二異氰酸酯、四氯伸苯基二異氰酸酯、降冰片烷二異氰酸酯、氫化1,3-苯二甲基二異氰酸酯、氫化1,4-苯二甲基二異氰酸酯等異氰酸酯化合物及自該些化合物衍生出的預聚物型的骨架的化合物。該些之中，特佳為甲苯二異氰酸酯(Tolylene Diisocyanate，TDI)或二苯基甲烷二異氰酸酯(Diphenyl Methane Diisocyanate，MDI)、六亞甲基二異氰酸酯(Hexamethylene Diisocyanate，HDI)、異佛爾酮二異氰酸酯(Isophorone Diisocyanate，IPDI)。

作為本發明中所使用的硬化性組成物中的封閉型異氰酸酯化合物的母結構，可列舉：縮二脲型、異氰脲酸酯型、加合物型、二官能預聚物型等。

作為形成所述封閉型異氰酸酯化合物的封閉結構的封閉劑，可列舉：肟化合物、內醯胺化合物、酚化合物、醇化合物、胺化合物、活性亞甲基化合物、吡唑化合物、硫醇化合物、咪唑系化合物、醯亞胺系化合物等。該些之中，特佳為選自肟化合物、內醯胺化合物、酚化合物、醇化合物、胺化合物、活性亞甲基化合物、吡唑化合物中的封閉劑。

作為所述肟化合物，可列舉肟、及酮肟，具體而言，可例示：丙酮肟、甲醛肟、環己烷肟、甲基乙基酮肟、環己酮肟、二苯甲酮肟等。

作為所述內醯胺化合物，可例示：ε-己內醯胺、γ-丁內醯胺等。

作為所述酚化合物，可例示：苯酚、萘酚、甲酚、二甲酚、鹵素取代苯酚等。

作為所述醇化合物，可例示：甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、環己醇、乙二醇單烷基醚、丙二醇單烷基醚、乳酸烷基酯等。

作為所述胺化合物，可列舉一級胺及二級胺，可為芳香族胺、脂肪族胺、脂環族胺的任一種，可例示：苯胺、二苯基胺、乙烯亞胺、聚乙烯亞胺等。

作為所述活性亞甲基化合物，可例示：丙二酸二乙酯、丙二酸二甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙醯乙酸甲酯等。作為所述吡唑化合物，可例示：吡唑、甲基吡唑、二甲基吡唑等。

作為所述硫醇化合物，可例示：烷基硫醇、芳基硫醇等。

可用於本發明中所使用的硬化性組成物的封閉型異氰酸酯化合物可作為市售品而獲得，例如可較佳地使用：克洛奈特(Coronate)AP斯塔波(Stable)M、克洛奈特(Coronate)2503、克洛奈特(Coronate)2515、克洛奈特(Coronate)2507、克洛奈特(Coronate)2513、克洛奈特(Coronate)2555、密里奧奈特(Millionate)MS-50(以上，日本聚氨酯工業(Nippon Polyurethane Industry)(股份)製造)，塔克奈特(Takenate)B-830、塔克奈特(Takenate)B-815N、塔克奈特(Takenate)B-820NSU、塔克奈特(Takenate)B-842N、塔克奈特(Takenate)B-846N、塔克奈特(Takenate)B-870N、塔克奈特(Takenate)B-874N、塔克奈特 (Takenate)B-882N(以上，三井化學(股份)製造)，多耐德(Duranate)17B-60PX、多耐德(Duranate)17B-60P、多耐德(Duranate)TPA-B80X、多耐德(Duranate)TPA-B80E、多耐德(Duranate)MF-B60X、多耐德(Duranate)MF-B60B、多耐德(Duranate)MF-K60X、多耐德(Duranate)MF-K60B、多耐德(Duranate)E402-B80B、多耐德(Duranate)SBN-70D、多耐德(Duranate)SBB-70P、多耐德(Duranate)K6000(以上，旭化成化學(Asahi Kasei Chemicals)(股份)製造)，德斯莫杜爾(Desmodur)BL1100、德斯莫杜爾(Desmodur)BL1265 MPA/X、德斯莫杜爾(Desmodur)BL3575/1、德斯莫杜爾(Desmodur)BL3272MPA、德斯莫杜爾(Desmodur)BL3370MPA、德斯莫杜爾(Desmodur)BL3475BA/SN、德斯莫杜爾(Desmodur)BL5375MPA、德斯莫杜爾(Desmodur)VPLS2078/2、德斯莫杜爾(Desmodur)BL4265SN、德斯莫杜爾(Desmodur)PL340、德斯莫杜爾(Desmodur)PL350、住杜爾(Sumidur)BL3175(以上，住化拜爾聚氨脂(Sumika Bayer Urethane)(股份)製造)等。

<含有烷氧基甲基的交聯劑>

作為含有烷氧基甲基的化合物，較佳為烷氧基甲基化三聚氰胺、烷氧基甲基化苯并胍胺、烷氧基甲基化甘脲及烷氧基甲基化脲等。該些分別可藉由將羥甲基化三聚氰胺、羥甲基化苯并胍胺、羥甲基化甘脲、或羥甲基化脲的羥甲基轉換成烷氧基甲基而獲得。該烷氧基甲基的種類並無特別限定，例如可列舉甲氧基甲基、 乙氧基甲基、丙氧基甲基、丁氧基甲基等，但就逸氣的產生量的觀點而言，特佳為甲氧基甲基。

該些化合物之中，可列舉烷氧基甲基化三聚氰胺、烷氧基甲基化苯并胍胺、烷氧基甲基化甘脲作為較佳的化合物，就透明性的觀點而言，特佳為烷氧基甲基化甘脲。

含有烷氧基甲基的交聯劑亦將其分子量為1,000以下，較佳為100以上，更佳為140以上的化合物用於硬化性組成物中。

該些含有烷氧基甲基的化合物可作為市售品而獲得，例如可較佳地使用沙麥路(Cymel)300、沙麥路(Cymel)301、沙麥路(Cymel)303、沙麥路(Cymel)370、沙麥路(Cymel)325、沙麥路(Cymel)327、沙麥路(Cymel)701、沙麥路(Cymel)266、沙麥路(Cymel)267、沙麥路(Cymel)238、沙麥路(Cymel)1141、沙麥路(Cymel)272、沙麥路(Cymel)202、沙麥路(Cymel)1156、沙麥路(Cymel)1158、沙麥路(Cymel)1123、沙麥路(Cymel)1170、沙麥路(Cymel)1174、沙麥路(Cymel)UFR65、沙麥路(Cymel)300(以上，三井氰胺(Mitsui Cyanamid)(股份)製造)，尼卡萊克(Nikalac)MX-750、尼卡萊克(Nikalac)MX-032、尼卡萊克(Nikalac)MX-706、尼卡萊克(Nikalac)MX-708、尼卡萊克(Nikalac)MX-40、尼卡萊克(Nikalac)MX-31、尼卡萊克(Nikalac)MX-270、尼卡萊克(Nikalac)MX-280、尼卡萊克(Nikalac)MX-290、尼卡萊克(Nikalac)MS-11、尼卡萊克(Nikalac)MW-30HM、尼卡萊克(Nikalac)MW-100LM、尼卡萊克(Nikalac) MW-390(以上，三和化學(Sanwa Chemical)(股份)製造)等。

(成分D：有機溶劑)

本發明中所使用的具有組成a的硬化性組成物含有有機溶劑作為成分D。具有組成a的硬化性組成物較佳為使用溶解作為必需成分的成分A、成分B、及成分C與後述的任意成分的有機溶劑，作為溶解有該些成分的溶液來製備。

作為成分D，可使用公知的有機溶劑，可例示：乙二醇單烷基醚類、乙二醇二烷基醚類、乙二醇單烷基醚乙酸酯類、丙二醇單烷基醚類、丙二醇二烷基醚類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、二乙二醇二烷基醚類、二乙二醇單烷基醚乙酸酯類、二丙二醇單烷基醚類、丁二醇二乙酸酯類、二丙二醇二烷基醚類、二丙二醇單烷基醚乙酸酯類、醇類、酯類、酮類、醯胺類、內酯類等。作為該些有機溶劑的具體例，可參照日本專利特開2009-098616號公報的段落0062。

較佳的具體例可列舉：丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇二乙醚、二乙二醇乙基甲醚、丙二醇單甲醚、1,3-丁二醇二乙酸酯、甲氧基丙基乙酸酯、環己醇乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、四氫糠醇。

就塗佈性的觀點而言，有機溶劑的沸點較佳為100℃~300℃，更佳為120℃~250℃。

可用於本發明的溶劑可單獨使用一種、或併用兩種以上。併用沸點不同的溶劑亦較佳。

就調整成適合於塗佈的黏度這一觀點而言，相對於硬化性組 成物的總固體成分100質量份，本發明中所使用的硬化性組成物中的溶劑的含量較佳為100質量份~3,000質量份，更佳為200質量份~2,000質量份，進而更佳為250質量份~1,000質量份。

作為硬化性組成物的固體成分濃度，較佳為3質量%~50質量%，更佳為20質量%~40質量%。

(鹼性化合物)

本發明中所使用的硬化性組成物亦可含有鹼性化合物。

作為鹼性化合物，可自化學增幅硬化性組成物中所使用者中任意地選擇來使用。例如可列舉：脂肪族胺、芳香族胺、雜環式胺、氫氧化四級銨、羧酸的四級銨鹽等。作為該些的具體例，可列舉日本專利特開2011-221494號公報的段落0204~段落0207中所記載的化合物。

具體而言，作為脂肪族胺，例如可列舉：三甲基胺、二乙基胺、三乙基胺、二-正丙基胺、三-正丙基胺、二-正戊基胺、三-正戊基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二環己胺、二環己基甲基胺等。

作為芳香族胺，例如可列舉：苯胺、苄基胺、N,N-二甲基苯胺、二苯基胺等。

作為雜環式胺，例如可列舉：吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-乙基吡啶、4-乙基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、N-甲基-4-苯基吡啶、4-二甲基胺基吡啶、咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、2-苯基苯并咪唑、2,4,5-三苯基咪唑、菸鹼、菸鹼酸、菸鹼醯胺、 喹啉、8-羥基喹啉、吡嗪、吡唑、噠嗪、嘌呤、吡咯啶、哌啶、哌嗪、嗎啉、4-甲基嗎啉、N-環己基-N'-[2-(4-嗎啉基)乙基]硫脲、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雜雙環[5.3.0]-7-十一烯、丁烷-1,2,3,4-四羧酸四(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)等。

作為氫氧化四級銨，例如可列舉：氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四-正丁基銨、氫氧化四-正己基銨等。

作為羧酸的四級銨鹽，例如可列舉：乙酸四甲基銨、苯甲酸四甲基銨、乙酸四-正丁基銨、苯甲酸四-正丁基銨等。

該些之中，較佳為雜環式胺，特佳為N-環己基-N'-[2-(4-嗎啉基)乙基]硫脲。

可用於本發明的鹼性化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

相對於硬化性組成物中的所有有機固體成分100質量份，硬化性組成物中的鹼性化合物的含量較佳為0.001質量份~3質量份，更佳為0.05質量份~0.5質量份。

<界面活性劑>

本發明中所使用的硬化性組成物亦可含有界面活性劑作為其他成分。

作為界面活性劑，可使用陰離子系、陽離子系、非離子系、或兩性的任一種，但較佳的界面活性劑為非離子系界面活性劑。作為界面活性劑，較佳為非離子系界面活性劑，更佳為氟系界面活性劑。

作為可用於本發明的界面活性劑，例如可列舉：作為市售品的美佳法(Megafac)F142D、美佳法(Megafac)F172、美佳法(Megafac)F173、美佳法(Megafac)F176、美佳法(Megafac)F177、美佳法(Megafac)F183、美佳法(Megafac)F479、美佳法(Megafac)F482、美佳法(Megafac)F554、美佳法(Megafac)F780、美佳法(Megafac)F781、美佳法(Megafac)F781-F、美佳法(Megafac)R30、美佳法(Megafac)R08、美佳法(Megafac)F-472SF、美佳法(Megafac)BL20、美佳法(Megafac)R-61、美佳法(Megafac)R-90(迪愛生(DIC)(股份)製造)，弗洛德(Fluorad)FC-135、弗洛德(Fluorad)FC-170C、弗洛德(Fluorad)FC-430、弗洛德(Fluorad)FC-431、諾貝克(Novec)FC-4430(住友3M(Sumitomo 3M)(股份)製造)，阿薩佳(Asahi Guard)AG7105、阿薩佳(Asahi Guard)AG7000、阿薩佳(Asahi Guard)AG950、阿薩佳(Asahi Guard)AG7600，沙福隆(Surflon)S-112，沙福隆(Surflon)S-113，沙福隆(Surflon)S-131，沙福隆(Surflon)S-141，沙福隆(Surflon)S-145，沙福隆(Surflon)S-382，沙福隆(Surflon)SC-101，沙福隆(Surflon)SC-102，沙福隆(Surflon)SC-103，沙福隆(Surflon)SC-104，沙福隆(Surflon)SC-105，沙福隆(Surflon)SC-106(旭硝子(股份)製造)，艾福拓(Eftop)EF351，艾福拓(Eftop)EF352，艾福拓(Eftop)EF801，艾福拓(Eftop)EF802(三菱材料電子化成(股份)製造)，福傑特(Ftergent)250(尼歐斯(Neos)(股份)製造)。另外，除所述以外，亦可列 舉KP(信越化學工業(股份)製造)，珀利弗洛(Polyflow)(共榮社化學(股份)製造)，艾福拓(Eftop)(三菱材料電子化成(股份)製造)，美佳法(Megafac)(迪愛生(股份)製造)，弗洛德(Fluorad)(住友3M(股份)製造)，阿薩佳(Asahi Guard)、沙福隆(Surflon)(旭硝子(股份)製造)，波利福斯(PolyFox)(歐諾法(OMNOVA)公司製造)等各系列。

另外，作為界面活性劑，可列舉含有由下述式W所表示的構成單元A及構成單元B，將四氫呋喃作為溶媒並藉由凝膠滲透層析法所測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為1,000以上、10,000以下的共聚物作為較佳例。

式W中，R^W1及R^W3分別獨立地表示氫原子或甲基，R^W2表示碳數1以上、4以下的直鏈伸烷基，R^W4表示氫原子或碳數1以上、4以下的烷基，L^W表示碳數3以上、6以下的伸烷基，p及q為表示聚合比的質量百分率，p表示10質量%以上、80質量%以下的數值，q表示20質量%以上、90質量%以下的數值，r表示1以上、18以下的整數，s表示1以上、10以下的整數。

所述L^W較佳為由下述式W-2所表示的分支伸烷基。式W-2中的R^W5表示碳數1以上、4以下的烷基，就相容性與對於被塗佈面的潤濕性的觀點而言，較佳為碳數1以上、3以下的烷基，更佳為碳數2或3的烷基。

式W中的p與q的和(p+q)較佳為p+q=100，即為100質量%。

所述共聚物的重量平均分子量(Mw)更佳為1,500以上、5,000以下。

當調配界面活性劑時，相對於硬化性組成物的總固體成分中100質量份，本發明中所使用的硬化性組成物中的界面活性劑的含量較佳為0.001質量份~5.0質量份，更佳為0.01質量份~2.0質量份。

界面活性劑可僅含有一種，亦可含有兩種以上。當含有兩種以上時，較佳為其合計量成為所述範圍。

<抗氧化劑>

本發明中所使用的硬化性組成物除所述成分以外，亦可含有抗氧化劑。再者，抗氧化劑為所述成分以外的化合物。可含有公知的抗氧化劑作為抗氧化劑。藉由添加抗氧化劑，具有如下的優 點：可防止硬化膜的著色、或可減低由分解所造成的膜厚減少，且，耐熱透明性優異。

作為此種抗氧化劑，例如可列舉：磷系抗氧化劑、醯胺類、醯肼類、受阻酚系抗氧化劑、抗壞血酸類、硫酸鋅、糖類、亞硝酸鹽、亞硫酸鹽、硫代硫酸鹽、羥基胺衍生物等。該些之中，就硬化膜的著色、膜厚減少的觀點而言，特佳為受阻酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑，最佳為受阻酚系抗氧化劑。該些可單獨使用一種，亦可混合兩種以上。

作為較佳的市售品，可列舉：艾迪科斯塔波(Adekastab)AO-60、艾迪科斯塔波(Adekastab)AO-80(以上，艾迪科(ADEKA)(股份)製造)，易璐諾斯(Irganox)1098及易璐諾斯(Irganox)1035(以上，巴斯夫公司製造)。

抗氧化劑的含量並無特別限制，但相對於硬化性組成物的總固體成分，較佳為0.1質量%~10質量%，更佳為0.2質量%~5質量%，進而更佳為0.5質量%~4質量%。

<黏合劑聚合物>

就提昇解析性及皮膜特性等的觀點而言，本發明中所使用的硬化性組成物亦可含有黏合劑聚合物。

作為黏合劑聚合物，並無特別限制，可使用公知的黏合劑聚合物，但較佳為使用線狀有機聚合物。作為此種線狀有機聚合物，可任意地使用公知的線狀有機聚合物。較佳為可進行水顯影或弱鹼水顯影，因此選擇對於水或弱鹼水為可溶性或膨潤性的線狀有 機聚合物。線狀有機聚合物對應於不僅作為皮膜形成劑，而且作為水、弱鹼水或有機溶劑顯影液的用途而選擇使用。例如，若使用水可溶性有機聚合物，則可進行水顯影。作為此種線狀有機聚合物，可列舉：於側鏈上具有羧酸基的自由基聚合體，例如日本專利特開昭59-44615號公報、日本專利特公昭54-34327號公報、日本專利特公昭58-12577號公報、日本專利特公昭54-25957號公報、日本專利特開昭54-92723號公報、日本專利特開昭59-53836號公報、日本專利特開昭59-71048號公報中所記載者，即，使具有羧基的單體進行均聚或共聚而成的樹脂，使具有酸酐的單體進行均聚或共聚並對酸酐單元加以水解、或者加以半酯化或半醯胺化而成的樹脂，藉由不飽和一元羧酸及酸酐來使環氧樹脂改質而成的環氧丙烯酸酯等。作為具有羧基的單體，可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、4-羧基苯乙烯等，作為具有酸酐的單體，可列舉順丁烯二酸酐等。

另外，有同樣於側鏈上具有羧酸基的酸性纖維素衍生物。除此以外，於具有羥基的聚合體中加成環狀酸酐而成者等有用。

本發明中所使用的硬化性組成物中的黏合劑聚合物的含量並無特別限制，但相對於硬化性組成物的總固體成分，較佳為0質量%~25質量%，更佳為0質量%~10質量%，特佳為0質量%~2質量%。

另外，就硬化膜的硬度的觀點而言，相對於硬化性組成物的所有有機固體成分量，本發明中所使用的硬化性組成物中的 重量平均分子量超過10,000的聚合物成分的含量較佳為25質量%以下，更佳為10質量%以下，進而更佳為2質量%以下，特佳為完全不含聚合物成分。

<其他成分>

於本發明中所使用的硬化性組成物中，除所述以外，視需要亦可添加塑化劑、熱酸產生劑、酸增殖劑等其他成分。關於該些成分，例如可使用日本專利特開2009-98616號公報、日本專利特開2009-244801號公報中所記載者，其他公知者。另外，亦可將「高分子添加劑的新進展」(日刊工業新聞社(股份))中所記載的各種紫外線吸收劑、或金屬鈍化劑等添加至本發明中所使用的硬化性組成物中。

<TFT基板的製造方法>

所謂TFT基板，是指具備TFT元件的基板。TFT基板包含用於有機EL顯示裝置、液晶顯示裝置的TFT基板。

本發明的TFT基板的製造方法依次包括下述的步驟1~步驟6的步驟。於任一步驟的前或後可包括任意的步驟。

步驟1：使用由所述組成a所表示的硬化性組成物，於具備TFT元件的基板上形成有機膜層的步驟

步驟2：於所述有機膜上的至少一部分上形成無機膜層的步驟

步驟3：使用抗蝕劑組成物於所述無機膜上形成抗蝕劑層的步驟

步驟4：對所述抗蝕劑層進行曝光及利用水性顯影液進行顯影的步驟

步驟5：經由經顯影的所述抗蝕劑層對所述無機膜進行蝕刻的步驟

步驟6：使用由下述組成b所表示的剝離液組成物將所述抗蝕劑層剝離去除的步驟

以下依次對所述各步驟進行說明。

<步驟1：使用由所述組成a所表示的硬化性組成物，於具備TFT元件的基板上形成有機膜層的步驟>

步驟1為形成有機膜的步驟，亦稱為「有機膜形成步驟」。

「具備TFT元件的基板」如上所述。所謂「使用由所述組成a所表示的硬化性組成物」，是指所述「藉由塗設硬化性組成物」。所謂有機膜，是指自含有碳原子的硬化性組成物所獲得的薄膜，包含連續的膜及經圖案化的膜兩者，亦包含層間絕緣膜或保護膜等。

於本發明中，有機膜層形成步驟較佳為包含以下的(1)~(5)的子步驟。

(子步驟1)將由所述組成a所表示的硬化性組成物塗佈於具備TFT元件的基板上的步驟

(子步驟2)自所塗佈的硬化性組成物中去除溶劑的步驟

(子步驟3)利用光化射線對經溶劑去除的硬化性組成物進行曝光的步驟

(子步驟4)利用水性顯影液對經曝光的硬化性組成物物進行顯影的步驟

(子步驟5)對經顯影的硬化性組成物進行熱硬化的後烘烤步驟

以下依次對所述(子步驟1)~(子步驟5)進行說明。

於(子步驟1)的塗佈步驟中，將由所述組成a所表示的硬化性組成物塗佈於具備TFT元件的基板上，而製成含有溶劑的濕潤膜。較佳為在將硬化性組成物塗佈於基板上前進行鹼清洗或電漿清洗等基板的清洗，更佳為於基板清洗後進而利用六甲基二矽氮烷對基板表面進行處理。藉由進行該處理，而存在硬化性組成物對於基板的密接性提昇的傾向。作為利用六甲基二矽氮烷對基板表面進行處理的方法，並無特別限定，例如可列舉事先使基板曝露於六甲基二矽氮烷蒸氣中的方法等。

朝基板上塗佈的方法並無特別限定，例如可使用：狹縫塗佈法、噴霧法、輥塗法、旋轉塗佈法、流延塗佈法、狹縫及旋轉(slit and spin)法等方法。進而，亦可應用如日本專利特開2009-145395號公報中所記載的所謂的預濕(prewet)法。

應用時的濕潤膜的膜厚並無特別限定，能夠以對應於用途的膜厚進行塗佈，但較佳為0.5μm~10μm的範圍。

於(子步驟2)的溶劑去除步驟中，藉由減壓(真空)及/或加熱而自所應用的所述硬化性組成物的濕潤膜中去除溶劑，從而於基板上形成乾燥塗膜。溶劑去除步驟的加熱條件可適宜選 擇，但較佳為溫度範圍為70℃~130℃，加熱時間為30秒~300秒。當溫度與時間為所述範圍時，存在圖案對於基板的密接性更良好、且亦可進一步減少殘渣的傾向。

於(子步驟3)的曝光步驟中，隔著具有規定的圖案的遮罩對設置有塗膜的基板照射光化射線。於該步驟中，光酸產生劑於曝光區域中分解，藉此產生酸。塗膜成分中所含有的酸分解性基因所產生的酸的觸媒作用而分解，並生成羧基或酚性羥基等酸性基。

作為光化射線的曝光光源，可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、化學燈、發光二極體(Light Emitting Diode，LED)光源、準分子雷射產生裝置等，可較佳地使用g射線(436nm)、i射線(365nm)、h射線(405nm)等具有波長範圍為300nm以上、450nm以下的波長的光化射線。另外，視需要亦可通過如長波長截止濾波器、短波長截止濾波器、帶通濾波器般的分光濾波器來調整照射光。

作為曝光裝置，可使用鏡面投影對準曝光器(mirror projection aligner)，步進機，掃描器，近接、接觸、微透鏡陣列、雷射曝光等各種方式的曝光機。

於生成有酸觸媒的區域中，為了加快所述分解反應，可進行曝光後加熱處理：曝光後烘烤(Post Exposure Bake)(以下，亦稱為「PEB」)。藉由PEB，可促進來自酸分解性基的羧基或酚性羥基的生成。進行PEB時的溫度範圍較佳為30℃以上、130℃以下， 更佳為40℃以上、110℃以下，特佳為50℃以上、100℃以下。

但是，本發明中的酸分解性基由於酸分解的活化能低，容易因由曝光所產生的源自酸產生劑的酸而分解，並產生羧基或酚性羥基等，因此未必要進行PEB，亦可藉由顯影而形成正像(positive image)。

於(子步驟4)的顯影步驟中，利用鹼性顯影液對具有已游離的羧基或酚性羥基等的聚合體1等進行顯影。將包含具有容易溶解於鹼性顯影液中的羧基或酚性羥基等的組成物的曝光部區域去除，藉此形成正像。

較佳為於顯影步驟中所使用的顯影液中含有鹼性化合物。作為鹼性化合物，例如可使用：氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀等鹼金屬氫氧化物類；碳酸鈉、碳酸鉀等鹼金屬碳酸鹽類；重碳酸鈉、重碳酸鉀等鹼金屬重碳酸鹽類；氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化膽鹼等氫氧化銨類；矽酸鈉、偏矽酸鈉等的水溶液。另外，亦可將向所述鹼類的水溶液中添加適量的甲醇或乙醇等水溶性有機溶劑或界面活性劑而成的水溶液用作顯影液。

作為較佳的顯影液，可列舉：氫氧化四乙基銨的0.4%水溶液、0.5%水溶液、0.7%水溶液、2.38%水溶液。

顯影液的pH值較佳為10.0~14.0。

顯影時間可適宜選擇，較佳為30秒~500秒，且，顯影的方法可為覆液法、浸漬法等任一種方法。顯影後，通常進行30秒~300秒的流水清洗，而可形成所期望的圖案。於顯影後，亦可進行 淋洗步驟。於淋洗步驟中，利用純水等清洗顯影後的基板，藉此將所附著的顯影液去除，並將顯影殘渣去除。淋洗方法可使用公知的方法。例如可列舉噴淋淋洗或浸漬淋洗等。

於(子步驟5)的後烘烤步驟中，藉由對所獲得的正像進行加熱，可使酸分解性基進行熱分解而生成羧基或酚性羥基，並與交聯性基、交聯劑等進行交聯，藉此形成作為硬化膜的有機膜層。關於該加熱，使用加熱板或烘箱等加熱裝置，於規定的溫度，例如180℃~250℃下歷時規定的時間進行加熱。例如若為加熱板上，則較佳為進行5分鐘~90分鐘的加熱處理，若為烘箱，則較佳為進行30分鐘~120分鐘的加熱處理。藉由使此種交聯反應進行，而可形成耐熱性、硬度等更優異的保護膜或層間絕緣膜。另外，當進行加熱處理時，亦可於氮氣環境下進行，藉此進一步提昇透明性。

亦可於後烘烤前、以比較低的溫度進行烘烤後進行後烘烤(中間烘烤步驟的追加)。當進行中間烘烤步驟時，較佳為於90℃~150℃下加熱1分鐘~60分鐘後，於200℃以上的高溫下進行後烘烤。另外，亦可將中間烘烤、後烘烤分成三個階段以上的多階段來實施。藉由此種中間烘烤、後烘烤的設計，可調整圖案的錐角。該些加熱可使用加熱板、烘箱、紅外線加熱器等公知的加熱方法。

再者，可於後烘烤之前，利用光化射線對形成有圖案的基板進行全面再曝光(後曝光)，然後進行後烘烤，藉此自存在於未曝 光部分中的光酸產生劑產生酸，並使其作為促進交聯反應的觸媒發揮功能，從而可促進膜的硬化反應。作為包含後曝光步驟時的較佳的曝光量，較佳為100mJ/cm²~3,000mJ/cm²，特佳為100mJ/cm²~500mJ/cm²。

<步驟2：於所述有機膜上的至少一部分上形成無機膜的步驟(無機膜形成步驟)>

於本發明中，在無機膜形成步驟中可使用公知的成膜法、真空蒸鍍法、分子束磊晶成長法、離子團束法、低能量離子束法、離子鍍法、化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法、濺鍍法、大氣壓電漿法等。

另外，該無機膜形成步驟中所使用的無機膜形成於所述有機膜層上的至少一部分上，例如可使用：鉻膜，鉬膜，鉬合金膜，鉭膜，鉭合金膜，鎢膜，鎢合金膜，摻雜有氧化錫的氧化銦(ITO、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO))膜或氧化錫膜，Ni、Cu、Fe、Al、Ti等的金屬膜；石英(SiO_x)、玻璃、氮化矽膜、矽、氮化矽、多晶矽、氧化矽、非晶矽膜、銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxygen，IGZO)等的氧化物半導體膜等。

如此，「無機膜」是指不含碳原子、且僅包含無機原子的薄層，較佳為選自由氧化銦錫(ITO)膜、金屬膜、氮化矽膜(SiN_x)及氧化矽膜所組成的群組中的無機膜層，更佳為ITO膜或SiN_x膜。

<步驟3：使用抗蝕劑組成物於所述無機膜上形成抗蝕劑層的步驟(抗蝕劑層形成步驟)>

朝無機膜上形成抗蝕劑的步驟較佳為包括將抗蝕劑組成物應用於無機膜層上的步驟、及自所應用的抗蝕劑組成物中去除溶劑的步驟。

於將抗蝕劑組成物應用於無機膜層上的步驟中，較佳為將所述抗蝕劑組成物塗佈於無機膜上而製成含有溶劑的濕潤膜。朝基板上塗佈的方法並無特別限定，例如可使用：噴墨法、狹縫塗佈法、噴霧法、輥塗法、旋轉塗佈法、流延塗佈法、狹縫及旋轉法等方法。進而，亦可應用如日本專利特開2009-145395號公報中所記載的所謂的預濕(prewet)法。

塗佈時的濕膜厚並無特別限定，能夠以對應於用途的膜厚進行塗佈，但通常於0.5μm~10μm的範圍內使用。

另外，於自所應用的抗蝕劑組成物中去除溶劑的步驟中，藉由減壓(真空)及/或加熱而自所應用的所述膜中去除溶劑，從而於基板上形成乾燥塗膜。溶劑去除步驟的加熱條件較佳為70℃~130℃且30秒~300秒左右。當溫度與時間為所述範圍時，存在圖案的密接性更良好、且亦可進一步減少殘渣的傾向。

<步驟4：對所述抗蝕劑層進行曝光的步驟(曝光步驟)及利用水性顯影液進行顯影的步驟(顯影步驟)>

於本發明的無機膜上的抗蝕劑層的曝光步驟中，對所獲得的塗膜照射波長為300nm~450nm的光化射線。作為利用光化射線的曝光光源，可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、化學燈、LED光源、準分子雷射產生裝置等，可較佳地使用g射 線(436nm)、i射線(365nm)、h射線(405nm)等具有波長範圍為300nm以上、450nm以下的波長的光化射線，可更佳地使用波長300nm~440nm。另外，視需要亦可通過如長波長截止濾波器、短波長截止濾波器、帶通濾波器般的分光濾波器來調整照射光。作為曝光裝置，可使用鏡面投影對準曝光器，步進機，掃描器，近接、接觸、微透鏡陣列、雷射曝光等各種方式的曝光機。進而，於本發明中，視需要亦可進行曝光後加熱處理：曝光後烘烤(Post Exposure Bake)(以下，亦稱為「PEB」)。

另外，本發明的無機膜上的抗蝕劑層的顯影步驟可藉由所述方法來進行。進而，於所述顯影步驟後、下述蝕刻步驟前，亦可進行對所述抗蝕劑圖案實施後烘烤來使其熱硬化的步驟。

應用於本發明的無機膜上的抗蝕劑材料並無特別限定，使用公知的抗蝕劑材料。例如可列舉正型、負型、及正-負兼用型的光阻劑，較佳為正型的抗蝕劑材料。正型抗蝕劑的具體例可列舉：桂皮酸乙烯系、環化聚異丁烯系、偶氮-酚醛清漆樹脂系、重氮酮-酚醛清漆樹脂系、日本專利特開2013-15694號公報等中所記載的抗蝕劑等。另外，負型抗蝕劑的具體例可列舉：疊氮基-環化聚異戊二烯系、疊氮基-酚樹脂系、氯甲基聚苯乙烯系等。進而，正-負兼用型抗蝕劑的具體例可列舉聚(對丁氧基羰氧基苯乙烯)系等。所述樹脂的分子量並無特別限定，於聚苯乙烯換算的重量平均分子量中，通常為1,000~100萬，較佳為2,000~10萬，更佳為3,000~5萬。

<步驟5：經由經顯影的所述抗蝕劑層對無機膜進行蝕刻的步驟>

本發明的TFT基板的製造方法包括將以上所形成的抗蝕劑圖案作為遮罩來對無機膜層進行蝕刻的步驟。作為將所述抗蝕劑圖案作為遮罩來對所述無機膜層進行蝕刻的方法，並無特別限制，可使用濕式蝕刻、乾式蝕刻等公知的方法。

<步驟6：利用由下述組成b所表示的剝離液組成物將所述抗蝕劑層剝離去除的步驟(剝離去除步驟)>

於無機膜層上的抗蝕劑層的剝離去除步驟中，利用以特定的比例含有胺化合物(成分I)與由下述式(II-1)及/或下述式(II-2)所表示的化合物的剝離液組成物，將無機膜上的抗蝕劑層剝離去除。

式中，R¹~R³分別獨立地表示氫原子或烷基，R¹與R²、或R¹與R³可連結而形成環，R⁴表示伸烷基，R⁵表示氫原子或烷基，n表示1~4的整數。

(成分I：胺化合物)

抗蝕劑層的剝離去除步驟中所使用的剝離液組成物含有胺化合物作為成分I。其中，就抗蝕劑層的剝離去除性及下層的無機膜的可靠性的觀點而言，較佳為具有羥基的胺化合物。作為所述具有羥基的胺化合物，特佳為具有由以下的(I-1)所表示的結構的胺化合物。

式中，R⁶~R⁸分別獨立地表示氫原子、烷基、羥基或羥基烷基，R⁶~R⁸的至少一個表示羥基烷基或羥基。再者，當R⁶~R⁸為烷基時，或為羥基烷基時，該些的烷基的較佳的碳數範圍與所述R¹~R⁵相同，為1~5。

羥基烷基的羥基可具有幾個，但於一個取代基中，較佳為一個或兩個，更佳為一個。當R⁶~R⁸為烷基或羥基烷基時，鄰接者彼此可鍵結而形成環。所述環較佳為5員環或6員環。另外，R⁶~R⁸中的羥基烷基的數量較佳為一個或兩個。

作為由所述(I-1)所表示的胺化合物，可列舉：單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-丙醇胺、單異丙醇胺、2-(2-胺基乙 氧基)乙醇、N,N-二乙基乙醇胺、N,N-二丁基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N,N-二乙基羥基胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺等，尤其，更佳為選自由單乙醇胺、N-丙醇胺、單異丙醇胺、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、單甲基乙醇胺、N,N-二乙基羥基胺所組成的群組中的至少一種。

於剝離液組成物中，含有5質量%~70質量%的成分I的胺化合物，較佳為含有5質量%~50質量%。藉由設為所述下限值以上，可促進對於無機膜上的抗蝕劑的反應，並加速溶解行為，且抗蝕劑層的剝離性提昇。另一方面，藉由設為所述上限值以下，下層的硬化膜(有機膜)的由剝離液所造成的影響變小、且耐剝離液性提昇，並且可減少剝離無機膜上的抗蝕劑層後的硬化膜表面的抗蝕劑層的殘渣。另外，胺化合物亦可併用多種，於此情況下，將所有胺化合物合計來計算含量。

<由下述式(II-1)及/或下述式(II-2)所表示的化合物>

抗蝕劑層的剝離去除步驟中所使用的剝離液組成物含有由下述式(II-1)及/或下述式(II-2)所表示的化合物作為成分II。

[化26]

式中，R¹~R³分別獨立地表示氫原子或烷基，R¹與R²、或R¹與R³可連結而形成環，R⁴表示伸烷基，R⁵表示氫原子或烷基，n表示1~4的整數。

所述烷基的碳數較佳為1~5，且，伸烷基的碳數較佳為2~5。所述環較佳為5員環~6員環，更佳為吡咯啶酮環。

<由所述式(II-1)所表示的化合物>

作為由式(II-1)所表示的化合物，較佳為N-甲基吡咯啶酮、1-(羥基甲基)-2-吡咯啶酮、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、二甲基乙醯胺、N-乙基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N-甲基甲醯胺、二甲基甲醯胺、N-乙基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺，更佳為N-甲基吡咯啶酮、1-(羥基甲基)-2-吡咯啶酮、二甲基乙醯胺、N-甲基甲醯胺、二甲基甲醯胺、或該些的混合物。

由所述式(II-1)所表示的化合物可單獨使用，亦可併用多種，於此情況下，將所有由所述式(II-1)所表示的化合物合計來計算含量。

<由式(II-2)所表示的化合物>

作為由式(II-2)所表示的化合物，可列舉乙二醇單甲醚、乙 二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、三乙二醇單丙醚、三乙二醇單丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單乙醚、三丙二醇單丙醚、及三丙二醇單丁醚等，但並不限定於該些例示。其中，就防蝕性能高等的觀點而言，更佳為二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、或該些的混合物。

由所述式(II-2)所表示的化合物可單獨使用，亦可併用多種，於此情況下，將所有由所述式(II-2)所表示的化合物合計來計算含量。

於抗蝕劑層的剝離去除步驟中所使用的剝離液組成物中，相對於剝離液組成物的總量，成分I與由式(II-1)所表示的化合物的合計含量為50質量%~100質量%，較佳為70質量%~100質量%。藉由含有所述下限值以上，下層的硬化膜(有機膜)的由剝離液所造成的影響變小、且耐剝離液性提昇，並且可減少使用剝離液組成物剝離無機膜上的抗蝕阻劑後的硬化膜表面的抗蝕阻劑殘渣，故較佳。

<其他化合物>

作為用於本發明中所使用的抗蝕劑層的剝離去除步驟的剝離液組成物中所含有的其他化合物，較佳為水、甲基乙基酮、甲基 異丁基酮、環己酮、環戊酮、甲基丙基酮、2-羥基異丁酸甲酯、γ-丁內酯等，更佳為水。

另外，除所述成分以外，本發明的剝離液亦可含有針對半導體基板上的金屬的抑制劑(防蝕劑)、界面活性劑、消泡劑等。作為界面活性劑，可自公知的非離子界面活性劑、陽離子界面活性劑、兩性界面活性劑等中適宜選擇來使用。作為防蝕劑，可適宜選擇唑類等含氮化合物、含硫系防蝕劑、糖系防蝕劑、乙二胺四乙酸等作為螯合劑所公知的化合物等來使用。作為消泡劑，可適宜使用乙炔醇、矽酮油等公知者。

(液晶顯示裝置)

本發明的液晶顯示裝置的特徵在於包括本發明的TFT基板的製造方法。另外，本發明的有機EL顯示裝置的特徵在於包括本發明的TFT基板的製造方法。

作為藉由本發明的製造方法所製造的液晶顯示裝置，除包含藉由所述硬化性組成物所形成的平坦化膜或層間絕緣膜等有機膜，並使用所述剝離液組成物將抗蝕劑層剝離去除以外，並無特別限制，可列舉採用各種結構的公知的液晶顯示裝置。

例如，作為本發明的製造方法的對象的液晶顯示裝置所具備的TFT(Thin-Film Transistor；薄膜電晶體)的具體例可列舉：非晶矽-TFT、低溫多晶矽-TFT、氧化物半導體TFT等。

另外，作為本發明的液晶顯示裝置可採用的液晶驅動方式，可列舉：扭轉向列(Twisted Nematic，TN)方式、垂直取向(Vertically Alignment，VA)方式、共面切換(In-Plane-Switching，IPS)方式、邊緣場切換(Fringe Field Switching，FFS)方式、光學補償彎曲(Optical Compensated Bend，OCB)方式等。

於面板構成中，即便是彩色濾光片陣列(Color Filter on Array，COA)方式的液晶顯示裝置，亦可使用本發明的硬化膜，例如可用作日本專利特開2005-284291號公報的有機絕緣膜(115)、或日本專利特開2005-346054號公報的有機絕緣膜(212)。

另外，作為本發明的液晶顯示裝置可採用的液晶取向膜的具體的取向方式，可列舉摩擦取向法、光取向法等。另外，亦可藉由日本專利特開2003-149647號公報或日本專利特開2011-257734號公報中所記載的聚合物穩定取向(Polymer Sustained Alignment，PSA)技術而得到聚合物取向支撐。

另外，本發明中所使用的硬化性樹脂組成物及本發明的硬化膜並不限定於所述用途，可用於各種用途。例如，除平坦化膜或層間絕緣膜以外，亦可適宜地用於彩色濾光片的保護膜、或用以將液晶顯示裝置中的液晶層的厚度保持為固定的間隔片、或固體攝影元件中設置於彩色濾光片上的微透鏡等。

圖1是有機EL顯示裝置的一例的構成概念圖。表示底部發光型的有機EL顯示裝置中的基板的示意剖面圖，且具有平坦化膜4。

於玻璃基板6上形成底部閘極型的TFT1，並在覆蓋該TFT1 的狀態下形成包含Si₃N₄的絕緣膜3。於絕緣膜3上形成此處省略了圖示的接觸孔後，經由該接觸孔而在絕緣膜3上形成連接於TFT1的配線2(高度為1.0μm)。配線2是用以將TFT1間、或將其後的步驟中形成的有機EL元件與TFT1加以連接的配線。

進而，為了使由配線2的形成所造成的凹凸平坦化，於埋入由配線2所造成的凹凸的狀態下，在絕緣膜3上形成平坦化膜4。

於平坦化膜4上形成底部發光型的有機EL元件。即，使包含ITO的第一電極5經由接觸孔7連接於配線2而形成在平坦化膜4上。另外，第一電極5相當於有機EL元件的陽極。

形成覆蓋第一電極5的周緣的形狀的絕緣膜8，藉由設置該絕緣膜8，可防止第一電極5與其後的步驟中所形成的第二電極之間的短路。

進而，雖然圖1中未圖示，但隔著所期望的圖案遮罩而依次進行蒸鍍來設置電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層，繼而，於基板上方的整個面上形成包含Al的第二電極，然後藉由使用紫外線硬化型環氧樹脂而與密封用玻璃板進行貼合來密封，而獲得於各有機EL元件上連接用以對其進行驅動的TFT1而成的主動矩陣型的有機EL顯示裝置。

圖2是表示主動矩陣方式的液晶顯示裝置10的一例的概念剖面圖。該彩色液晶顯示裝置10為背面具有背光單元12的液晶面板，液晶面板配置有與配置在貼附有偏光膜的兩片玻璃基板14、玻璃基板15之間的所有畫素相對應的TFT16的元件。在 形成於玻璃基板上的各元件中，藉由形成於硬化膜17中的接觸孔18而配線有形成畫素電極的ITO透明電極19。於ITO透明電極19上設置有液晶20的層、及配置有黑色矩陣的RGB彩色濾光片22。

作為背光源的光源，並無特別限定，可使用公知的光源。例如可列舉：白色LED、藍色．紅色．綠色等的多色LED、螢光燈(冷陰極管)、有機EL等。

另外，液晶顯示裝置亦可製成3D(立體視)型的裝置、或製成觸控面板型的裝置。進而，亦可設定成可撓型，並可用作日本專利特開2011-145686號公報的第2層間絕緣膜(48)、或日本專利特開2009-258758號公報的層間絕緣膜(520)。

(有機EL顯示裝置)

如上所述，本發明的有機EL顯示裝置的特徵在於藉由包括本發明的TFT基板的製造方法的製造方法來製造。

本發明的有機EL顯示裝置的製造方法除含有藉由所述TFT基板的製造方法所製造的有機膜及無機膜以外，並無特別限制，作為有機膜，較佳為具有使用化學增幅型的正型硬化性組成物所形成的平坦化膜或層間絕緣膜，作為無機膜，較佳為具有選自由氧化銦錫(ITO)膜、金屬膜、氮化矽膜(SiN_x)及氧化矽膜所組成的群組中的無機膜層，除此以外，並無特別限制，而應用於採用各種結構的公知的各種有機EL顯示裝置的製造方法。

例如，於應用本發明的有機EL顯示裝置的製造方法的對象 中，作為TFT(Thin-Film Transistor；薄膜電晶體)的具體例，可列舉：非晶矽-TFT、低溫多晶矽-TFT、氧化物半導體TFT等。

本發明中所使用的硬化性樹脂組成物由於硬化性及硬化膜特性優異，因此將利用本發明中所使用的硬化性樹脂組成物所形成的抗蝕劑圖案製成隔離壁來作為微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)用元件的結構構件、或作為機械驅動零件的一部分加以組裝後使用。作為此種MEMS用元件，例如可列舉：表面聲波(Surface Acoustic Wave，SAW)濾波器、體聲波(Bulk Acoustic Wave，BAW)濾波器、陀螺儀感測器(gyro sensor)、顯示器用微快門、影像感測器、電子紙、噴墨頭、生物晶片、密封劑等零件。更具體的例子於日本專利特表2007-522531號公報、日本專利特開2008-250200號公報、日本專利特開2009-263544號公報等中有例示。

本發明中所使用的硬化性樹脂組成物由於平坦性或透明性優異，因此亦可用於形成例如日本專利特開2011-107476號公報的圖2中所記載的堆積層(16)及平坦化膜(57)、日本專利特開2010-9793號公報的圖4(a)中所記載的隔離壁(12)及平坦化膜(102)、日本專利特開2010-27591號公報的圖10中所記載的堆積層(221)及第3層間絕緣膜(216b)、日本專利特開2009-128577號公報的圖4(a)中所記載的第2層間絕緣膜(125)及第3層間絕緣膜(126)、日本專利特開2010-182638號公報的圖3中所記載的平坦化膜(12)及畫素分離絕緣膜(14)等。

[實施例]

以下，列舉實施例來更具體地說明本發明。只要不脫離本發明的主旨，則以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理程序等可適宜變更。因此，本發明的範圍並不限定於以下所示的具體例。再者，只要事先無特別說明，則「份」、「%」為質量基準。

於以下的合成例中，以下的符號分別表示以下的化合物。

MATHF：甲基丙烯酸四氫呋喃-2-基酯(合成品)

MAEVE：甲基丙烯酸-1-乙氧基乙酯(和光純藥工業(股份)製造)

MACHOE：甲基丙烯酸-1-(環己氧基)乙酯(合成品)

MATHP：甲基丙烯酸四氫-2H-吡喃-2-基酯(新中村化學工業(股份)製造)

PHSEVE：對羥基苯乙烯的1-乙氧基乙基保護體(合成品)

GMA：甲基丙烯酸縮水甘油酯(和光純藥工業(股份)製造)

OXE-30：甲基丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯(大阪有機化學工業(股份)製造)

NBMA：正丁氧基甲基丙烯醯胺(三菱麗陽(股份)製造)

MAA：甲基丙烯酸(和光純藥工業(股份)製造)

HOMeSt：對羥基-α-甲基苯乙烯(三井化學(股份)製造)

HEMA：甲基丙烯酸-2-羥基乙酯(和光純藥工業(股份)製 造)

MMA：甲基丙烯酸甲酯(和光純藥工業(股份)製造)

St：苯乙烯(和光純藥工業(股份)製造)

DCPM：甲基丙烯酸二環戊酯(日立化成工業(股份)製造)

V-601：二甲基-2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)(和光純藥工業(股份)製造)

V-65：2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)(和光純藥工業(股份)製造)

MEDG：二乙二醇乙基甲醚(東邦化學工業(股份)製造，Hisolve EDM-S)

PGMEA：乙酸甲氧基丙酯(昭和電工(股份)製造)

<MATHF的合成>

先將甲基丙烯酸(86g，1mol)冷卻至15℃，然後添加樟腦磺酸(4.6g，0.02mol)。向該溶液中滴加2-二氫呋喃(71g，1mol，1.0當量)。攪拌1小時後，添加飽和碳酸氫鈉(500mL)，並利用乙酸乙酯(500mL)進行萃取，利用硫酸鎂進行乾燥後，將不溶物過濾，然後於40℃以下進行減壓濃縮，對殘渣的黃色油狀物進行減壓蒸餾，而獲得作為無色油狀物的沸點(bp.)54℃~56℃/3.5mmHg餾分的甲基丙烯酸四氫-2H-呋喃-2-基酯(MATHF)125g(產率為80%)。

再者，MACHOE及PHSEVE以與MATHF相同的方法來合成。

<聚合體A-1的合成例>

向三口燒瓶中加入MEDG(89g)，於氮氣環境下昇溫至90℃。歷時2小時向該溶液中滴加MAA(成為所有單量體成分中的10mol%的量)、HEMA(成為所有單量體成分中的15mol%的量)、MATHF(成為所有單量體成分中的40mol%的量)、MMA(成為所有單量體成分中的15mol%的量)、GMA(相當於所有單量體成分中的3mol%)、St(相當於所有單量體成分中的17mol%)、V-65(相對於所有單量體成分的合計100mol%，相當於3mol%)並使該些溶解。滴加結束後攪拌2小時，然後使反應結束。藉此獲得聚合體A-1。再者，將MEDG與其他成分的合計量的比設為60：40。即，製備固體成分濃度為40質量%的聚合體溶液。

如下述表中所示般變更所使用的單體的種類、聚合起始劑等，而合成其他聚合體A2~聚合體A18。將添加單量體的組成示於表1及表2中。

所述表中的未特別附加單位的數值將mol%作為單位。另外，聚合起始劑的數值是將單量體成分設為100mol%時的mol%。

固體成分濃度可藉由下式來算出。

固體成分濃度：單體質量/(單體質量+溶劑質量)×100(單位：質量%)

另外，當使用V-601作為起始劑時，將反應溫度設為90℃，當使用V-65作為起始劑時，將反應溫度設為70℃。

<硬化性組成物的製備>

以變成下述表中記載的固體成分比的方式，使聚合體成分、光酸產生劑、交聯劑、增感劑、鹼性化合物、烷氧基矽烷化合物、界面活性劑、及其他成分於溶劑(MEDG)中溶解混合，直至固體成分濃度變成20%為止，然後利用口徑為0.2μm的聚四氟乙烯製過濾器進行過濾，而獲得各種實施例及比較例的硬化性組成物。再者，表中的添加量為質量%。

表示用於實施例及比較例的各化合物的略號的詳細情況如下所示。

<聚合體成分>

A-1~A-18：根據所述合成例所合成的聚合體

<光酸產生劑>

B-1：下述所示的結構(合成例將後述)

B-2：下述所示的結構(合成例將後述)

[化28]

B-3：下述所示的結構(根據日本專利特表2002-528451號公報的段落0108中所記載的方法來合成)

B-4：PAG-103(商品名，下述所示的結構，巴斯夫製造)

B-5：下述所示的結構(合成例將後述)

B-6：下述所示的結構(根據WO2011/087011號公報的段落編號0128中所記載的方法來合成)

B-7：GSID-26-1，三芳基鋶鹽(巴斯夫製造)

B-8：4,7-二-正丁氧基-1-萘基四氫噻吩鎓三氟甲磺酸鹽

<B-1的合成>

使1-胺基-2-萘酚鹽酸鹽4.0g懸浮於N-甲基吡咯啶酮16g 中，添加碳酸氫鈉3.4g後，滴加4,4-二甲基-3-氧代戊酸甲酯4.9g，並於氮氣環境下以120℃進行2小時加熱。放置冷卻後，向反應混合液中添加水、乙酸乙酯來進行分液，利用硫酸鎂對有機層進行乾燥後，進行過濾、濃縮而獲得粗B-1A。利用矽膠管柱層析法對粗B-1A進行精製，而獲得1.7g的中間物B-1A。

將B-1A(1.7g)與對二甲苯(6mL)混合，添加對甲苯磺酸一水合物0.23g並於140℃下進行2小時加熱。放置冷卻後，向反應混合液中添加水、乙酸乙酯來進行分液，利用硫酸鎂對有機層進行乾燥後，進行過濾、濃縮而獲得粗B-1B。

將THF(2mL)與所有粗B-1B混合，於冰浴冷卻下滴加2M鹽酸/THF溶液6.0mL，繼而滴加亞硝酸異戊酯(0.84g)，昇溫至室溫(25℃)為止後攪拌2小時。向所獲得的反應混合物中添加水、乙酸乙酯來進行分液，利用水對有機層進行清洗後，利用硫酸鎂進行乾燥，然後進行過濾、濃縮而獲得中間物粗B-1C。

將所有中間物粗B-1C與丙酮(10mL)混合，於冰浴冷卻下添加三乙基胺(1.2g)、對甲苯磺醯氯(1.4g)後，昇溫至室溫為止並攪拌1小時。向所獲得的反應混合液中添加水、乙酸乙酯來進行分液，利用硫酸鎂對有機層進行乾燥後，進行過濾、濃縮而獲得粗B-1。利用冷甲醇將粗B-1再漿料化後，進行過濾、乾燥而獲得B-1(1.2g)。

再者，B-1的¹H-NMR光譜(300MHz，CDCl₃)為δ=8.5-8.4(m,1H),8.0-7.9(m,4H),7.7-7.6(m,2H),7.6-7.5(m,1H),7.4(d, 2H),2.4(s,3H),1.4(s,9H)。

<B-2的合成>

向2-萘酚(10g)、氯苯(30mL)的懸浮溶液中添加氯化鋁(10.6g)、2-氯丙醯氯(10.1g)，將混合液加熱至40℃後反應2小時。於冰浴冷卻下，向反應液中滴加4N的HCl水溶液(60mL)，然後添加乙酸乙酯(50mL)來進行分液。向有機層中添加碳酸鉀(19.2g)，於40℃下反應1小時後，添加2N的HCl水溶液(60mL)來進行分液，將有機層濃縮後，利用二異丙醚(10mL)將結晶再漿料化，然後進行過濾、乾燥而獲得酮化合物(6.5g)。

向所獲得的酮化合物(3.0g)、甲醇(30mL)的懸浮溶液中添加乙酸(7.3g)、50質量%羥基胺水溶液(8.0g)，並進行加熱回流。放置冷卻後，添加水(50mL)，對所析出的結晶進行過濾，利用冷甲醇進行清洗後，加以乾燥而獲得肟化合物(2.4g)。

使所獲得的肟化合物(1.8g)溶解於丙酮(20mL)中，於冰浴冷卻下添加三乙基胺(1.5g)、對甲苯磺醯氯(2.4g)，昇溫至室溫後反應1小時。向反應液中添加水(50mL)，對所析出的結晶進行過濾後，利用甲醇(20mL)進行再漿料化，然後進行過濾、乾燥而獲得B-2(2.3g)。

再者，B-2的¹H-NMR光譜(300MHz，CDCl₃)為δ=8.3(d,1H),8.0(d,2H),7.9(d,1H),7.8(d,1H),7.6(dd,1H),7.4(dd,1H),7.3(d,2H),7.1(d,1H),5.6(q,1H),2.4(s,3H),1.7(d,3H)。

<B-5的合成>

向安裝有攪拌器及溫度計的可分離式燒瓶中加入N-羥基萘二甲醯亞胺鈉鹽33.6g、4-二甲基胺基吡啶0.72g、四氫呋喃300毫昇，並於室溫25℃下進行攪拌來使其溶解。繼而，添加(+)10-樟腦磺醯氯42g並攪拌3小時後，添加三乙基胺15g，然後於室溫下攪拌10小時。繼而，將反應溶液加入至蒸餾水300毫昇中，並濾除所析出的沈澱物。使用丙酮與己烷對該沈澱物重覆進行幾次再沈澱處理，而獲得B-5(12g)。

[(C)交聯劑]

C-1：丹納考爾(Denacol)EX-321L(長瀨化成(股份)製造)

C-2：賽羅西德(Celloxide)2021P(大賽璐(股份)製造)

C-3：亞龍氧雜環丁烷(ARONE OXETANE)OXT-221(東亞合成(股份)製造)

C-4：多耐德(Duranate)17B-60P(旭化成化學(股份)製造)

C-5：塔克奈特(Takenate)B-870N(三井化學(股份)製造)

C-6：尼卡萊克(Nikalac)MW-100LM(三和化學(股份)製造)

[其他成分]

(增感劑)

E-1：9,10-二丁氧基蒽(川崎化成工業(股份)製造)

(鹼性化合物)

F-1：下述結構的化合物(DSP五協食品&化學品(DSP GOKYO FOOD&CHEMICAL)(股份)製造)

F-2：二氮雜雙環壬烯(東京化成工業(股份)製造)

F-3：2,4,5-三苯基咪唑(東京化成工業(股份)製造)

F-4：艾迪科斯塔波(Adekastab)LA-52(艾迪科(股份)製造)

(烷氧基矽烷化合物)

G-1：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(KBM-403，信越化學工業(股份)製造)

G-2：雙(三乙氧基矽烷基丙基)四硫醚(KBE-846，信越化學工業(股份)製造)

G-3：癸基三甲氧基矽烷(KBM-3103，信越化學工業(股份)製造)

(界面活性劑)

H-1：由下述結構式所表示的含有全氟烷基的非離子界面活性劑(F-554，迪愛生(股份)製造)

[化35]

(其他添加劑)

I-1：易璐諾斯(Irganox)1035(巴斯夫製造)

<實施例1~實施例84及比較例1~比較例68>

藉由表3~表10中所示的硬化性組成物而於TFT基板上形成有機膜後，形成ITO或SiN_x的任一者作為無機膜，進而形成抗蝕劑層，而製成實施例1~實施例84及比較例1~比較例68的試樣。繼而，藉由具有表11~表18中所示的組成的剝離液組成物，對該些各實施例或各比較例的試樣進行抗蝕劑層的剝離去除，並進行抗蝕劑層殘渣(蝕刻殘渣)的評價。

所使用的剝離液組成物如下述般進行製備。另外，感度、耐剝離液性、及蝕刻殘渣如後述般進行評價。

<剝離液組成物的製備>

以變成下述表中記載的比率的方式，將胺化合物、由(II-1)所表示的化合物、由下述式(II-2)所表示的化合物、水混合，而獲得各種實施例及比較例的剝離液組成物。再者，表中的添加量為質量%。

表示用於實施例及比較例的各化合物的略號的詳細情況如下所示。

S-1-1：單乙醇胺

S-1-2：N-丙醇胺

S-1-3：單異丙醇胺

S-1-4：2-(2-胺基乙氧基乙醇)

S-1-5：單甲基乙醇胺

S-1-6：N,N-二乙基羥基胺

S-1-7：三乙四胺

S-2-1：N-甲基吡咯啶酮

S-2-2：1-(羥基甲基)-2-吡咯啶酮

S-2-3：二甲基乙醯胺

S-2-4：N-甲基甲醯胺

S-2-5：二甲基甲醯胺

S-3-1：二乙二醇單丁醚

S-3-2：二丙二醇甲醚

<感度的評價>

使玻璃基板(EAGLE XG，10cm×10cm，0.7mm厚(康寧(Corning)公司製造))於六甲基二矽氮烷(Hexamethyl Disilazane，HMDS)蒸氣下曝露30秒，旋塗塗佈各硬化性組成物後，於加熱板上以90℃進行120秒預烘烤來使溶劑揮發，而形成膜厚為3.0μm的硬化性組成物層。

繼而，使用佳能(股份)製造的MPA 5500CF(高壓水銀燈)，隔著規定的遮罩對所獲得的硬化性組成物層進行曝光。然後，利用鹼性顯影液(0.4%的氫氧化四甲基銨水溶液)，於23℃下對曝光 後的硬化性組成物層進行60秒顯影後，利用超純水進行20秒淋洗。將藉由該些操作來對5μm的孔進行解析時的最佳i射線曝光量(Eopt)設為感度。感度的數值越小越佳，A、B及C為實用上無問題的水準。

A：未滿150mJ/cm²

B：150mJ/cm²以上、未滿250mJ/cm²

C：250mJ/cm²以上、未滿450mJ/cm²

D：450mJ/cm²以上、未滿800mJ/cm²

E：800mJ/cm²以上、或無法對孔進行解析

<耐剝離液性的評價>

使玻璃基板(EAGLE XG，10cm×10cm，0.7mm厚(康寧公司製造))於六甲基二矽氮烷(HMDS)蒸氣下曝露30秒，旋塗塗佈各硬化性組成物後，於加熱板上以90℃進行120秒預烘烤來使溶劑揮發，而形成膜厚為3μm的硬化性組成物層。繼而，使用超高壓水銀燈以累計照射量變成300mJ/cm²(照度：20mW/cm²，i射線)的方式進行全面曝光，其後，利用烘箱於230℃下對該基板進行30分鐘加熱而獲得硬化膜。

測定所獲得的硬化膜的膜厚(T¹)。而且，使形成有該硬化膜的基板於將溫度控制成60℃的表11~表18中所記載的剝離液中浸漬2分鐘後，測定浸漬後的硬化膜的膜厚(t¹)，並算出由浸漬所造成的膜厚變化率{｜t¹-T¹｜/T¹}×100[%]。將結果示於下述表中。變化率越小越佳，A、B及C為實用上無問題的水準。

A：未滿2%

B：2%以上、未滿3%

C：3%以上、未滿4%

D：4%以上、未滿6%

E：6%以上

<抗蝕阻劑殘渣(蝕刻殘渣)與剝離性的評價：ITO>

使玻璃基板(EAGLE XG，10cm×10cm，0.7mm厚(康寧公司製造))於六甲基二矽氮烷(HMDS)蒸氣下曝露30秒，旋塗塗佈各硬化性組成物後，於加熱板上以90℃進行120秒預烘烤來使溶劑揮發，而形成膜厚為3μm的硬化性組成物層。繼而，使用超高壓水銀燈以累計照射量變成300mJ/cm²(照度：20mW/cm²，i射線)的方式進行全面曝光，其後，利用烘箱於230℃下對該基板進行30分鐘加熱而獲得硬化膜。

進而，使透明電極(ITO)薄膜於所述硬化性組成物層上成膜，進而於ITO上旋塗塗佈抗蝕阻劑組成物(安智電子材料(AZ ELECTRONICS MATERIALS)製造的AZ-1500)後，於加熱板上以90℃進行120秒預烘烤來使溶劑揮發，而形成膜厚為1.3μm的抗蝕阻劑層。繼而，使用超高壓水銀燈，以40mJ/cm²的累計照射量(照度：20mW/cm²，i射線)，隔著可使10μm線/10μm空間再現的遮罩對所獲得的抗蝕阻劑層進行曝光後，利用鹼性顯影液(2.38%的氫氧化四甲基銨水溶液)，於23℃下進行60秒顯影，繼而利用超純水進行60秒淋洗。進而，於50℃下使所獲得的基板於 ITO蝕刻劑(3.4%草酸水溶液)中浸漬120秒。使所獲得的基板於將溫度控制成40℃的表11~表18中所記載的剝離液中浸漬120秒後，利用超純水進行10秒淋洗。利用光學顯微鏡觀察藉由該些操作所獲得的基板，並觀察所述硬化性組成物層表面的抗蝕阻劑的殘渣。將其結果示於下述表中。殘渣的個數越少越佳，A、B及C為實用上無問題的水準。

A：可剝離抗蝕阻劑，且10cm×10cm基板內不存在所述硬化性組成物層表面的抗蝕阻劑的殘渣

B：可剝離抗蝕阻劑，且10cm×10cm基板內的所述硬化性組成物層表面的抗蝕阻劑的殘渣為一個~兩個

C：可剝離抗蝕阻劑，且10cm×10cm基板內的所述硬化性組成物層表面的抗蝕阻劑的殘渣為三個~五個

D：可剝離抗蝕阻劑，且10cm×10cm基板內的所述硬化性組成物層表面的抗蝕阻劑的殘渣為六個~九個

E：可剝離抗蝕阻劑，且10cm×10cm基板內的所述硬化性組成物層表面的抗蝕阻劑的殘渣為十個以上

F：無法剝離抗蝕阻劑

<抗蝕阻劑殘渣(蝕刻殘渣)與剝離去除性的評價：SiN_x>

使玻璃基板(EAGLE XG，10cm×10cm，0.7mm厚(康寧公司製造))於六甲基二矽氮烷(HMDS)蒸氣下曝露30秒，旋塗塗佈各硬化性組成物後，於加熱板上以90℃進行120秒預烘烤來 使溶劑揮發，而形成膜厚為3μm的硬化性組成物層。繼而，使用超高壓水銀燈以累計照射量變成300mJ/cm²(照度：20mW/cm²，i射線)的方式進行全面曝光，其後，利用烘箱於230℃下對該基板進行30分鐘加熱而獲得硬化膜。

進而，使無機絕緣膜(SiN_x)薄膜於所述硬化性組成物層上成膜，進而於SiN_x上旋塗塗佈抗蝕阻劑組成物(安智電子材料製造的AZ-1500)後，於加熱板上以90℃進行120秒預烘烤來使溶劑揮發，而形成膜厚為1.3μm的抗蝕阻劑層。繼而，使用超高壓水銀燈，以40mJ/cm²的累計照射量(照度：20mW/cm²，i射線)，隔著可使10μm線/10μm空間再現的遮罩對所獲得的抗蝕阻劑層進行曝光後，利用鹼性顯影液(2.38%的氫氧化四甲基銨水溶液)，於23℃下進行60秒顯影，繼而利用超純水進行60秒淋洗。進而，於50℃下使所獲得的基板於ITO蝕刻劑(3.4%草酸水溶液)中浸漬120秒。使所獲得的基板於將溫度控制成40℃的表11~表18中所記載的剝離液中浸漬120秒後，利用超純水進行10秒淋洗。利用光學顯微鏡觀察藉由該些操作所獲得的基板，並觀察所述硬化性組成物層表面的抗蝕阻劑的殘渣。將其結果示於下述表中。殘渣的個數越少越佳，A、B及C為實用上無問題的水準。A~F的水準與針對ITO的所述A~F相同。

將所獲得的評價結果示於以下的表11~表18中。

如根據所述結果而明確般，可知藉由硬化性組成物與剝離液組成物的組合，硬化性組成物的硬化膜(有機絕緣膜)的耐剝離液性優異，於藉由剝離液組成物剝離無機膜上的抗蝕阻劑後的硬化膜表面上抗蝕阻劑殘渣少，亦可良好地剝離抗蝕阻劑。

此外，於本發明的TFT基板的製造方法中，自硬化性組成物所獲得的硬化膜具有感度亦高、耐剝離液性優異這一優點。

<實施例101>

於日本專利第3321003號公報的圖1中所記載的主動矩陣型 液晶顯示裝置中，以如下方式形成硬化膜17作為層間絕緣膜，而獲得實施例101的液晶顯示裝置。即，使用實施例1的硬化性組成物，形成硬化膜17作為層間絕緣膜。進而，隔著抗蝕阻劑對硬化膜17的上層的畫素電極4進行圖案化，然後使用實施例1的剝離液組成物將述抗蝕阻劑剝離去除。

對所獲得的液晶顯示裝置施加驅動電壓，結果可知，其為顯示出良好的顯示特性、且可靠性高的液晶顯示裝置。

<實施例102>

僅變更以下的塗佈製程，而獲得與實施例101相同的液晶顯示裝置。即，利用狹縫塗佈法塗佈實施例1的硬化性組成物後，於加熱板上以90℃進行120秒加熱，藉此去除溶劑，而形成膜厚為3.0μm的硬化性組成物層。所獲得的塗膜為平坦且無不均的良好的面狀。另外，作為液晶顯示裝置的性能亦與實施例101同樣良好。

<實施例103>

藉由以下的方法來製作使用了薄膜電晶體(TFT)的有機EL顯示裝置(參照圖1)。

於玻璃基板6上形成底部閘極型的TFT1，並在覆蓋該TFT1的狀態下形成包含Si₃N₄的絕緣膜3。繼而，於該絕緣膜3上形成此處省略了圖示的接觸孔後，經由該接觸孔而於絕緣膜3上形成連接於TFT1的配線2(高度為1.0μm)。該配線2是用以將TFT1間、或將其後的步驟中形成的有機EL元件與TFT1加以連接的配 線。

進而，為了使由配線2的形成所造成的凹凸平坦化，於埋入由配線2所造成的凹凸的狀態下，朝絕緣膜3上形成平坦化膜4。朝絕緣膜3上的平坦化膜4的形成是將實施例1的硬化性組成物旋塗於基板上，在加熱板上進行預烘烤(90℃/120秒)後，使用高壓水銀燈自遮罩上照射45mJ/cm²(照度為20mW/cm²)的i射線(365nm)，然後利用鹼性水溶液進行顯影而形成圖案，並於230℃下進行30分鐘的加熱處理。

塗佈硬化性組成物時的塗佈性良好，於曝光、顯影、煅燒後所獲得的硬化膜中，未看到皺褶或裂痕的產生。進而，配線2的平均段差為500nm，所製作的平坦化膜4的膜厚為2,000nm。

繼而，於所獲得的平坦化膜4上形成底部發光型的有機EL元件。首先，使包含ITO的第一電極5經由接觸孔7連接於配線2而形成在平坦化膜4上。其後，塗佈抗蝕劑，並進行預烘烤，隔著所期望的圖案的遮罩進行曝光，然後進行顯影。將該抗蝕劑圖案作為遮罩，藉由使用ITO蝕刻劑的濕式蝕刻來進行圖案加工。其後，於50℃下，使用抗蝕劑剝離液(Remover 100，安智電子材料公司製造)將所述抗蝕劑圖案剝離。以所述方式獲得的第一電極5相當於有機EL元件的陽極。

繼而，形成覆蓋第一電極5的周緣的形狀的絕緣膜8。將實施例1的硬化性組成物用於絕緣膜8，以與所述相同的方法形成絕緣膜8。藉由設置該絕緣膜8，可防止第一電極5與其後的步 驟中所形成的第二電極之間的短路。

進而，於真空蒸鍍裝置內，隔著所期望的圖案遮罩而依次進行蒸鍍來設置電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層。繼而，於基板上方的整個面上形成包含Al的第二電極。自蒸鍍機中取出所獲得的所述基板，藉由使用紫外線硬化型環氧樹脂而與密封用玻璃板進行貼合來密封。

如以上般，獲得於各有機EL元件上連接用以對其進行驅動的TFT1而成的主動矩陣型的有機EL顯示裝置。經由驅動電路而施加電壓，結果可知，其為顯現出良好的顯示特性、且可靠性高的有機EL顯示裝置。

Claims (11)

1. 一種TFT基板的製造方法，其至少依次包括下述的步驟1~步驟6：步驟1：使用由下述組成a所表示的硬化性組成物，於具備TFT元件的基板上形成有機膜的步驟步驟2：於所述有機膜上的至少一部分上形成無機膜的步驟步驟3：使用抗蝕劑組成物於所述無機膜上形成抗蝕劑層的步驟步驟4：對所述抗蝕劑層進行曝光及利用水性顯影液進行顯影的步驟步驟5：經由經顯影的所述抗蝕劑層對所述無機膜進行蝕刻的步驟步驟6：使用由下述組成b所表示的剝離液組成物將所述抗蝕劑層剝離去除的步驟組成a：含有作為成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保護的基的構成單元a1的聚合體1的聚合體成分，作為成分B的光酸產生劑，作為成分C的分子量為100以上、1,000以下的交聯劑，以及作為成分D的有機溶劑，成分A於所有聚合體成分中不含具有交聯性基的構成單元 a2，或相對於所有聚合體成分中的所有構成單元，以超過0莫耳%且為5莫耳%以下的比例含有具有交聯性基的構成單元a2，成分C的含量為硬化性組成物的所有有機固體成分中的7質量%~30質量%組成b：含有作為成分I的胺化合物、以及作為成分II的由下述式II-1及/或下述式II-2所表示的化合物，成分I的含量相對於剝離液組成物的總量為5質量%~70質量%，成分I及由式II-1所表示的化合物的合計含量相對於剝離液組成物的總量為50質量%~100質量% 式中，R¹~R³分別獨立地表示氫原子、烷基、或羥基烷基，R¹與R²、或R¹與R³可連結而形成環，R⁴表示伸烷基，R⁵表示氫原子或烷基，n表示1~4的整數。
2. 如申請專利範圍第1項所述的TFT基板的製造方法， 其中於所述剝離液組成物中，由式II-1所表示的化合物為N-甲基吡咯啶酮、1-(羥基甲基)-2-吡咯啶酮、二甲基乙醯胺、N-甲基甲醯胺、二甲基甲醯胺、或該些的混合物。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的TFT基板的製造方法，其中於所述剝離液組成物中，由式II-2所表示的化合物為二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、或該些的混合物。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的TFT基板的製造方法，其中所述剝離液組成物中的所述胺化合物為具有羥基的胺化合物。
5. 如申請專利範圍第4項所述的TFT基板的製造方法，其中所述具有羥基的胺化合物為由下述式I-1所表示的化合物， 式中，R⁶~R⁸分別獨立地表示氫原子、烷基、羥基或羥基烷基，R⁶~R⁸的至少一個表示羥基烷基或羥基。
6. 如申請專利範圍第4項所述的TFT基板的製造方法，其中所述具有羥基的胺化合物為選自由單乙醇胺、N-丙醇胺、單異丙醇胺、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、單甲基乙醇胺、及N,N-二乙基 羥基胺所組成的群組中的至少一種。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的TFT基板的製造方法，其中所述交聯劑為選自由分子內具有兩個以上、三個以下的環氧基或氧雜環丁基的化合物，封閉型異氰酸酯化合物，及含有烷氧基甲基的交聯劑所組成的群組中的至少一種。
8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的TFT基板的製造方法，其中所述聚合體1的構成單元a1為具有酸基由縮醛的形式保護的基的構成單元。
9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的TFT基板的製造方法，其中所述光酸產生劑為選自由肟磺酸酯化合物、醯亞胺磺酸酯化合物及鎓鹽化合物所組成的群組中的至少一種。
10. 一種有機電致發光顯示裝置的製造方法，其包括如申請專利範圍第1項或第2項所述的TFT基板的製造方法。
11. 一種液晶顯示裝置的製造方法，其包括如申請專利範圍第1項或第2項所述的TFT基板的製造方法。