TWI673270B - 供電子應用之苯并咪唑并［１，２－ａ］苯并咪唑衍生物 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於式

Description

供電子應用之苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑衍生物
本發明係關於式I化合物，其製備方法，及其在電子裝置，尤其電致發光裝置中之用途。當用作電致發光裝置中之電洞傳輸材料時，式I化合物可使電致發光裝置之效率、穩定性、可製造性或光譜特徵改良。
Khan,Misbahul Ain；Ribeiro,Vera Lucia Teixeira,Pakistan Journal of Scientific and Industrial Research 43(2000)168-170描述藉由亞磷酸三烷基酯誘發之脫氧作用及1-(鄰硝基苯基)-及1-(鄰疊氮苯基)苯并咪 唑之熱解合成苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑(R=H、 Me、Et)。
Pedro Molina等人，Tetrahedron(1994)10029-10036報導由雙(2-胺基苯基)胺衍生之雙(亞胺基磷烷)與二當量異氰酸酯直接得到苯并咪唑并[1,2,a]苯并咪唑衍生物之氮雜維蒂希型反應(aza Wittig-type reaction)。
且R'= ，R=異丙基且R'=乙基)
Kolesnikova,I.V.；Zhurnal Organicheskoi Khimii 25(1989)1689-95描述5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑1,2,3,4,7,8,9,10-八氟-5-(2,3,4,5,6-五氟苯基)之合成。
Achour,Reddouane；Zniber,Rachid,Bulletin des Societes Chimiques Belges 96(1987)787-92描述苯并咪唑并苯并咪唑 (R=H、-CH(CH3)2)之合成，其係由苯并咪唑啉酮衍生 物製備。
Hubert,Andre J.；Reimlinger,Hans,Chemische Berichte 103 (1970)2828-35描述苯并咪唑并苯并咪唑(R=H、 CH3、)之合成。
JP2001160488描述具有在對立的陽極與陰極之間具有單層或多層有機化合物膜之發光層的電致發光元件，其中該有機化合物膜之至少 一個層含有至少一種由式指示之化合物。明確揭示以下 化合物：及。
US20100244006係關於包括以下之有機電致發光裝置：陰極；陽極；及介於該陰極與該陽極之間的至少一個有機層。該至少一個有機 層包括含有至少一種發光材料之發光層。由下式 表示之化合物含於至少一個有機層中，其中n代表2或大於2之整數，L表示n價鍵聯基團，且R1、R2、R3及R4各自獨立地表示氫原子或取代基。
US20100244006中所述之化合物較佳用作發光層中之主體。 表示US20100244006中所揭示之化合物之實 例。
KR1020110008784係關於式之新穎有機發光化合物及包括該化合物之有機電致發光裝置。
US2005079387係關於一種式Ar1-Ar2-Ar3之含咪唑環化合物(發藍 光主體化合物)及使用該化合物之有機電致發光(EL)顯示裝置。
Ar2係選自由 及組成之群，Ar1及Ar3各自獨立地選自 及，其中X'為O或S。
US2005074632係關於一種式之含咪唑環化合物及使 用該化合物之有機電致發光(EL)顯示裝置。詳言之，含咪唑環化合物可單獨或與摻雜劑組合用作諸如電致發光層之有機膜的材料。
A係選自由、-N(R13R14)及組成之群， B係選自由及組成之群。X係選自由-O-、- S-、-Se-及-NH-組成之群。
JP2007180147係關於由陽極與陰極包夾且含有至少一個發光層之有機電致發光元件，該至少一個發光層含有由通式1、2、3或4表示之化合物： (3)或 。Ar1-Ar4=芳族基或芳族雜環基；R1- R5=H或取代基；Z1=形成5或6員雜環所需之殘基；L1、L2=鍵或偶合基；且X1-X16=碳或氮。Ar1與Ar2構成一個部分及Ar3與Ar4構成一個部分可形成新環。
明確揭示以下化合物： 及
US6551723係關於一種在一對電極之間包含發光層或複數個含有發光層之有機化合物薄層的有機電致發光元件，其中該有機電致發光元件中之至少一個層包含至少一種由式(I)至(VII)表示之雜環化合 物： 或。R11、R12、 R13、R21、R22、R31、R32、R41、R42、R51、R61及R71各自獨立地為氫原子或取代基；Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6及Z7為一組形成5員或6員環所需之原子。由式(I)至(VII)表示之化合物特別添加至發光層及/或電 子注入/傳輸層。明確揭示以下化合物：及
WO2011160757係關於一種包含陽極、陰極及至少一個有機層之 電子裝置，該有機層含有式 之化合物，其中X可為一單鍵 且L可為二價基。明確揭示以下4H-咪唑并[1,2-a]咪唑化合物： 及
X.Wang等人，Org.Lett.14(2012)452-455揭示一種式 化合物之高效銅催化合成，其中式 化合物在乙酸銅(Cu(OAc)2)/PPh3/1,10-啡啉/乙酸鈉及氧氣存在下，在高溫下於間二甲苯(1atm)中反應[網路公開：2011年12月29日]。尤其可由所述合成法製備以下化合物： 或)。
WO2012/130709係關於4H-咪唑并[1,2-a]咪唑 ，諸如，其製備方法 及其在電子裝置，尤其電致發光裝置中之用途。
WO2013/050401描述式之4H-咪唑并[1,2-a]咪唑， 其中X6為-N=且X7為-NR6-，或X7為=N-且X6為-NR6-，R6為式 或之基團，諸如 ；其製備方法及其在電子裝置，尤其電致發光裝置中 之用途。
儘管已取得此等發展，但仍然需要包含新電洞傳輸材料以使電致發光裝置之效率、穩定性、可製造性及/或光譜特徵改良的有機發光裝置。
因此，針對前述先前技術，本發明之一目的在於提供適合用於OLED及有機電子學中之其他應用中的其他材料。更特定言之，應可提供用於OLED之電洞傳輸材料、電子/激子阻擋材料及基質材料。該等材料應尤其適用於包含至少一個磷光發射體，尤其至少一個綠色發射體或至少一個藍色發射體之OLED。此外，該等材料應適合於提供確保良好效率、良好操作壽命及對熱應力之高穩定性的OLED，及OLED之低使用電壓及操作電壓。
發現某些2,5-二取代之苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑衍生物適用於有機電致發光裝置。詳言之，某些2,5-二取代之苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑衍生物為適用於具有良好效率及持久性之磷光發射體的電洞傳 輸材料或主體材料。
該目的已由式化合物解決，其中 R1、R2、R3、R4、R5、R6及R7彼此獨立地為H、可視情況經E取代及/或間雜有D之C1-C25烷基；可視情況經G取代之C6-C24芳基，或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基；X1為式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16'之基團，o為0或1，p為0或1，q為0或1，r為0或1，A1、A2、A3及A4彼此獨立地為可視情況經G取代之C6-C24伸芳基或可視情況經G取代之C2-C30伸雜芳基；其中基團A1、A2、A3及A4可間雜有一或多個基團-(SiR17R18)-；X2為式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15、-NR10R11或Si(R12)(R13)(R14)之基團，v為0或1，s為0或1，t為0或1，u為0或1，A5、A6、A7及A8彼此獨立地為可視情況經G取代之C6-C24伸芳基，或可視情況經G取代之C2-C30伸雜芳基；其中基團A5、A6、A7及A8可間雜有一或多個基團-(SiR17R18)-；R10及R11彼此獨立地為可視情況經G取代之C6-C24芳基；或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基；或R10及R11與其所鍵結之氮原子一起形成雜芳環或環系統；R12、R15及R14彼此獨立地為可視情況經E取代及/或間雜有D之C1-C25烷基；可視情況經G取代之C6-C24芳基；或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基；R15為可視情況經G取代之C6-C74芳基；或可視情況經G取代之C2- C30雜芳基；R16'為可視情況經G取代之C6-C24芳基；或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基；R17及R18彼此獨立地為C1-C25烷基或C6-C24芳基，其可視情況經一或多個C1-C25烷基取代；D為-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR72-、-CR63=CR64-或-C≡C-，E為-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN或鹵素，G為E，或C1-C18烷基，C6-C24芳基，經F、C1-C18烷基或間雜有O之C1-C18烷基取代之C6-C24芳基；C2-C30雜芳基，或經F、C1-C18烷基或間雜有O之C1-C18烷基取代之C2-C30雜芳基；R63及R64彼此獨立地為H；C6-C18芳基；經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基；C1-C18烷基；或間雜有-O-之C1-C18烷基；R65及R66彼此獨立地為C6-C18芳基；經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基；C1-C18烷基；或間雜有-O-之C1-C18烷基；或R65與R66一起形成5員或6員環，R67為C6-C18芳基；經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基；C1-C18烷基；或間雜有-O-之C1-C18烷基，R68為H；C6-C18芳基；經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基；C1-C18烷基；或間雜有-O-之C1-C18烷基，R69為C6-C18芳基；經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基；C1-C18烷基；或間雜有-O-之C1-C18烷基，R70及R71彼此獨立地為C1-C18烷基、C6-C18芳基、或經C1-C18烷基取代之C6-C18芳基，且R72為C1-C18烷基、C6-C18芳基、或經C1-C18烷基取代之C6-C18芳基。
本發明化合物可用於電子照相感光器；光電轉換器；有機太陽能電池(有機光伏打)；開關元件，諸如有機電晶體，例如有機FET及有機TFT、有機發光場效電晶體(OLEFET)；影像感測器；染料雷射；及電致發光裝置，諸如有機發光二極體(OLED)。
因此，本發明之另一主題係有關一種包含本發明化合物之電子裝置。該電子裝置較佳為電致發光裝置。
式I化合物原則上可用於EL裝置之任何層中，但較佳用作主體材料、電洞傳輸材料及電子阻擋材料。特定言之，式I化合物用作發藍光之磷光發射體之主體材料。
因此，本發明之另一主題係有關一種包含本發明之式I化合物之電洞傳輸層。
本發明之另一主題係有關一種包含本發明之式I化合物之發射層。在該實施例中，式I化合物較佳與磷光發射體組合用作主體材料。
式I化合物較佳具有1500g/mol以下之分子量。
本發明之另一主題係有關一種包含本發明之式I化合物之電子阻擋層。
R1、R2、R3、R4、R5、R6及R7較佳為H。因此，式 之化合物較佳，其中X1及X2係如上文所定義。
R15及R16'(R16)可為可視情況經G取代之C6-C24芳基、或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基。若R16'表示直接鍵結至苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑骨架(o=p=q=r=0)之雜芳基，R16'較佳經由雜芳基之碳原子鍵結至苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑骨架。
視情況可經G取代之C6-C24芳基R15及R16'通常為可未經取代或經取代之苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、萘基、尤其1-萘基或2-萘基、聯苯基、聯三苯基、芘基、2-或9-茀基、菲基或蒽基。
視情況可經G取代之C2-C30雜芳基R15及R16'表示具有五至七個環原子之環或縮合環系統，其中氮、氧或硫為可能的雜原子，且通常為具有5至30個原子且具有至少六個共軛π-電子之雜環基，諸如噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻嗯基、呋喃基、呋喃甲基、2H-哌喃基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、聯吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、吲哚嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、異喹啉基、酞嗪基、啶基、喹喏啉基、喹唑啉基、啉基、喋啶基、咔啉基、苯并三唑基、苯并噁唑基、啡啶基、吖啶基、嘧啶基、啡啉基、啡嗪基、異噻唑基、啡噻嗪基、異噁唑基、呋呫基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑并-5-基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑并-2-基、咔唑基、或啡噁嗪基，其可未經取代或經取代。
C6-C24芳基及C2-C30雜芳基可經G取代。
較佳C2-C30雜芳基為吡啶基、三嗪基、嘧啶基、苯并咪唑并[1,2- a]苯并咪唑并-5-基()、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑并-2- 基()、咔唑基、二苯并呋喃基，其可未經取代或尤其經C6-C10芳基或經C1-C4烷基取代之C6-C10芳基；或C2-C14雜芳基取代。
A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7及A8彼此獨立地為可視情況經G 取代之C6-C24伸芳基，或可視情況經G取代之C2-C30伸雜芳基。視情況可經G取代之C6-C24伸芳基A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7及A8通常為伸苯基、4-甲基伸苯基、4-甲氧基伸苯基、伸萘基、尤其1-伸萘基或2-伸萘基、伸聯苯基、伸聯三苯基、伸芘基、2-或9-伸茀基、伸菲基或伸蒽基，其可未經取代或經取代。
視情況可經G取代之C2-C30伸雜芳基A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7及A8表示具有五至七個環原子之環或縮合環系統，其中氮、氧或硫為可能的雜原子，且通常為具有5至30個原子且具有至少六個共軛π-電子之雜環基，諸如伸噻吩基、苯并伸噻吩基、二苯并伸噻吩基、伸噻嗯基、伸呋喃基、伸呋喃甲基、2H-伸哌喃基、苯并伸呋喃基、異苯并伸呋喃基、二苯并伸呋喃基、苯氧基伸噻吩基、伸吡咯基、伸咪唑基、伸吡唑基、伸吡啶基、伸聯吡啶基、伸三嗪基、伸嘧啶基、伸吡嗪基、伸噠嗪基、伸吲哚嗪基、伸異吲哚基、伸吲哚基、伸吲唑基、伸嘌呤基、伸喹嗪基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸酞嗪基、伸啶基、伸喹喏啉基、伸喹唑啉基、伸啉基、伸喋啶基、伸咔啉基、苯并伸三唑基、苯并伸噁唑基、伸啡啶基、伸吖啶基、伸嘧啶基、伸啡啉基、伸啡嗪基、伸異噻唑基、伸啡噻嗪基、伸異噁唑基、伸呋呫基、伸咔唑基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑并-2,5-伸基、或伸啡噁嗪基，其可未經取代或經取代。
較佳C6-C24伸芳基為1,3-伸苯基、3,3'-伸聯苯基、3,3'-間伸聯三苯、2-或9-伸茀基、伸菲基，其可未經取代或經取代。
較佳C2-C30伸雜芳基為伸吡啶基、伸三嗪基、伸嘧啶基、伸咔唑基、二苯并伸呋喃基及苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑并-2,5-伸基 ()，其可未經取代或尤其經C6-C10芳基、經C1-C4烷基取 代之C6-C10芳基；或C2-C14雜芳基取代。
苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑并-5-基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑并-2-基、咔唑基及二苯并呋喃基為C2-C14雜芳基之實例。苯基、1-萘基及2-萘基為C6-C10芳基之實例。
更佳C2-C30伸雜芳基為苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑并-2,5-伸基、伸咔唑基及二苯并伸呋喃基，其視情況可經C6-C10芳基取代，該C6-C10芳基可視情況經一或多個C1-C4烷基或二苯并呋喃基取代。
C6-C24伸芳基及C2-C30伸雜芳基可經G取代。
X1較佳為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16或-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16'之基團，o為0或1，p為0或1，q為0或1，r為0或1， A1、A2、A3及A4彼此獨立地為下式之基團： 或 R16為下式之基團：或 R16'為下式之基團：或 R21及R21'彼此獨立地為H、苯基或C1-C18烷基； R22及R23彼此獨立地為H或式或之基團； X為O、S或NR24，且R24為可視情況經G取代之C6-C24芳基或C2-C30雜芳基，其中G係如技術方案1中所定義。
更佳X1為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16或-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16'之基團，o為0或1，p為0或1，q為0或1，r為0或1， A1、A2、A3及A4彼此獨立地為下式之基團：，尤其 或 R16為下式之基團：或 R16'為下式之基團：或 ；且R21為式之基團。
最佳X1為下式之基團：，尤其 或
X2較佳為式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15之基團，v為0或1，s為0或1，t為0或1，u為0或1， A5、A6、A7及A8彼此獨立地為 或 R15為下式之基團： 或 R26、R27、R29及R32彼此獨立地為H或下式之基團：或 R30及R33彼此獨立地為下式之基團： 或；且 R31為下式之基團：
更佳X2為式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15之基團，v為0或1，s為0或1，t為0或1，u為0或1， A5、A6、A7及A8彼此獨立地為 或 R15為下式之基團： 或
X2之一個實例為式之基團。
最佳X2為下式之基團： 或
式(Ia)化合物較佳，其中X1及X2具有以上給出的較佳含義。式(Ia)化合物更佳，其中X1及X2具有以上給出的更佳含義。式(Ia)化合物最佳，其中X1及X2具有以上給出的最佳含義。
在另一較佳實施例中，本發明係有關包含兩個基團 之式(Ia)化合物；亦即式化 合物，其中X2'為式-(A8)u-R15、-NR10R11或Si(R12)(R13)(R14)之基團，X4為式-A1-(A2)p-之基團；且p、u、A1、A2、A8、R10、R11、R12、R13、R14及R15係如上所定義。基團X2'可不同，但較佳相同。關於p、u、A1、A2、A8、R10、R11、R12、R13、R14及R15，與分別關於式(I)及(Ia)之化合物相同的較佳者適用。
在另一較佳實施例中，本發明係有關包含兩個基團 之式(Ia)化合物，亦即式 化合物，其中X1'為式-A1-R16或-(A4)r-R16'之基團；X5為式-A5-(A6)s-之基團，且r、s、A1、R16、A4、R16'、A5及A6係如上文所定義。基團X1'可不同，但較佳相同。關於r、s、A1、R16、A4、R16'、A5及A6，與分別關於式(I)及(Ia)之化合物相同的較佳者適用。
尤其較佳之化合物的實例為技術方案8中所示之化合物A-1至A-45，其特別適合用作主體及電洞傳輸材料。化合物A-1、A-2、A-9、A-10、A-11、A-24、A-42、A-43、A-44及A-45最佳。較佳化合物之其他實例為技術方案8中所示之A-46至A-51。
鹵素為氟、氯、溴及碘。
若可能，C1-C25烷基(C1-C18烷基)通常為直鏈或分支鏈的。實例為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、1,1,3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3,3,5,5-六甲基己基、正庚基、異庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基及2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基或十八烷基。C1-C8烷基通常為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基-丙基、正己基、正庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基及2-乙基己基。C1-C4烷基通常為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基。
C1-C25烷氧基(C1-C18烷氧基)為直鏈或分支鏈烷氧基，例如甲氧 基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、異戊氧基或第三戊氧基、庚氧基、辛氧基、異辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷基氧基、十二烷基氧基、十四烷基氧基、十五烷基氧基、十六烷基氧基、十七烷基氧基及十八烷基氧基。C1-C8烷氧基之實例為甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、2-戊氧基、3-戊氧基、2,2-二甲基丙氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、1,1,3,3-四甲基丁氧基及2-乙基己氧基，較佳C1-C4烷氧基，諸如通常甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基。
術語「環烷基」通常為C4-C18環烷基，尤其C5-C12環烷基，諸如環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、環十一烷基、環十二烷基，較佳環戊基、環己基、環庚基或環辛基，其可未經取代或經取代。
可視情況經取代之C6-C24芳基(C6-C18芳基)通常為苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、萘基(尤其1-萘基或2-萘基)、聯苯基、聯三苯基、芘基、2-茀基或9-茀基、菲基或蒽基，其可未經取代或經取代。
C2-C30雜芳基表示具有5至7個環原子之環或縮合環系統，其中氮、氧或硫為可能之雜原子，且其通常為具有5至30個原子且具有至少6個共軛π電子之雜環基，諸如噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻嗯基、呋喃基、呋喃甲基、2H-哌喃基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、聯吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、吲哚嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、異喹啉基、酞嗪基、啶基、喹喏啉基、喹唑啉基、啉基、喋啶基、咔唑基、咔啉基、苯并三唑基、苯并噁唑基、啡啶基、吖啶基、嘧啶基、啡啉 基、啡嗪基、異噻唑基、啡噻嗪基、異噁唑基、呋呫基、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、5-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、咔唑基或啡噁嗪基，其可未經取代或經取代。
上述基團之可能取代基為C1-C8烷基、羥基、氫硫基、C1-C8烷氧基、C1-C8烷硫基、鹵素、鹵基-C1-C8烷基或氰基。C6-C24芳基(C6-C18芳基)及C2-C30雜芳基較佳經一或多個C1-C8烷基取代。
若一種取代基在一個基團中出現不祇一次，則其可在每次出現時不同。用語「經G取代」意謂可能存在一或多個，尤其一至三個取代基G。
如上所述，以上提及的基團可經E取代及/或需要時間雜有D。僅就含有至少2個碳原子彼此藉由單鍵連接之基團而言，間雜當然可能；C6-C18芳基並未間雜；經間雜之芳基烷基含有單元D在烷基部分。經一或多個E取代及/或間雜有一或多個單元D之C1-C18烷基為例如(CH2CH2O)1-9-Rx，其中Rx為H或C1-C10烷基或C2-C10烷醯基(例如CO-CH(C2H5)C4H9)；CH2-CH(ORy')-CH2-O-Ry，其中Ry為C1-C18烷基、C5-C12環烷基、苯基、C7-C15苯基烷基，且Ry'涵蓋與Ry相同的定義或為H；C1-C8伸烷基-COO-Rz，例如CH2COORz、CH(CH3)COORz、C(CH3)2COORz，其中Rz為H、C1-C18烷基、(CH2CH2O)1-9-Rx，且Rx涵蓋上述定義；CH2CH2-O-CO-CH=CH2；CH2CH(OH)CH2-O-CO-C(CH3)=CH2。
之合成描述於例如Achour,Reddouane；Zniber,Rachid,Bulletin des Societes Chimiques Belges 96(1987)787-92中。
式之合適基礎骨架為市售(尤其在當X為S、O、NH時 的情況下)或可藉由熟習此項技術者已知的製程獲得。參考WO2010079051及EP1885818。
鹵化可藉由熟習此項技術者已知的方法進行。較佳為在式(II)2,8位(二苯并呋喃及二苯并噻吩)或3,6位(咔唑)之基礎骨架的3及6位(二溴化)或3或6位(單溴化)溴化或碘化。
視情況經取代之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑可在2,8位(二苯并呋喃及二苯并噻吩)或3,6位(咔唑)用溴或NBS於冰乙酸或氯仿中二溴化。舉例而言，用Br2溴化可在例如0℃之低溫下在冰乙酸或氯仿中實現。X=NPh之合適製程描述於例如M.Park,J.R.Buck,C.J.Rizzo,Tetrahedron,54(1998)12707-12714中，而X=S之合適製程描述於W.Yang等人，J.Mater.Chem.13(2003)1351中。另外，3,6-二溴咔唑、3,6-二溴-9-苯基咔唑、2,8-二溴二苯并噻吩、2,8-二溴二苯并呋喃、2-溴咔唑、3-溴二苯并噻吩、3-溴二苯并呋喃、3-溴咔唑、2-溴二苯并噻吩及2-溴二苯并呋喃為市售的。
二苯并呋喃(及類似地二苯并噻吩)4位之單溴化描述於例如J.Am.Chem.Soc.1984,106,7150中。二苯并呋喃(二苯并噻吩)可藉由熟習此項技術者已知的包含硝化、還原及後續桑德邁爾反應(Sandmeyer reaction)的順序在3位單溴化。
二苯并呋喃或二苯并噻吩之2位的單溴化及咔唑之3位的單溴化類似於二溴化來實現，但僅添加1當量溴或NBS。
或者，亦可利用碘化二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑。製備尤其描述於Tetrahedron.Lett.47(2006)6957-6960，Eur.J.Inorg.Chem.24(2005)4976-4984，J.Heterocyclic Chem.39(2002)933-941，J.Am.Chem.Soc.124(2002)11900-11907，J.Heterocyclic Chem,38(2001)77-87中。
對於親核取代，Cl或F取代之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑為需要的。氯化尤其描述於J.Heterocyclic Chemistry,34(1997)891-900，Org.Lett.,6(2004)3501-3504；J.Chem.Soc.[Section]C：Organic,16(1971)2775-7，Tetrahedron Lett.25(1984)5363-6，J.Org.Chem.69(2004)8177-8182中。氟化描述於J.Org.Chem.63(1998)878-880及J.Chem.Soc.,Perkin Trans.2,5(2002)953-957中。
在鹼存在下進行基團之引入。合適鹼為熟習此項技 術者已知且較佳選自由以下組成之群：鹼金屬及鹼土金屬氫氧化物，諸如NaOH、KOH、Ca(OH)2；鹼金屬氫化物，諸如NaH、KH；鹼金屬醯胺，諸如NaNH2；鹼金屬或鹼土金屬碳酸鹽，諸如K2CO3或Cs2CO3；及鹼金屬醇鹽，諸如NaOMe、NaOEt。另外，前述鹼之混合物為適合的。NaOH、KOH、NaH或K2CO3尤其較佳。
雜芳化可例如藉由與式之鹵化化合 物之銅催化偶合(烏爾曼反應(Ullmann reaction))來實現。
N-芳化例如揭示於H.Gilman及D.A.Shirley,J.Am.Chem.Soc.66(1944)888；D.Li等人，Dyes and Pigments 49(2001)181-186及Eur.J.Org.Chem.(2007)2147-2151中。反應可於溶劑或熔融劑中進行。適合溶劑為例如(極性)非質子性溶劑，諸如二甲亞碸、二甲基甲醯胺、NMP、十三烷或醇類。
9-(8-溴二苯并呋喃-2-基)咔唑之合成揭示於 WO2010079051中。2-溴-8-碘-二苯并呋喃之合成揭示於 EP1885818中。
式之化合物的可能合成途徑展示於以下流程 中：
參考Angew.Chem.Int.Ed.46(2007)1627-1629及Synthesis 20(2009)3493。
含有二酸基或二酸酯基之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑可容易地由愈來愈多的途徑來製備。合成途徑之概述在例如Angew.Chem.Int.Ed.48(2009)9240-9261中給出。
藉由一個常見途徑，含有二酸基或二酸酯基之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑可藉由在諸如[1,1'-雙(二苯膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)之催化劑、錯合物(Pd(Cl)2(dppf))及諸如乙酸鉀之鹼存在下，使鹵化二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑與(Y1O)2B-B(OY1)2、 或在諸如二甲基甲醯胺、二甲亞 碸、二噁烷及/或甲苯之溶劑中反應來獲得(參見Prasad Appukkuttan等人，Synlett 8(2003)1204)，其中Y1在每次出現時獨立地為C1-C18烷基且Y2在每次出現時獨立地為C2-C10伸烷基，諸如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11及Y12彼此獨立地為氫或C1-C18烷基，尤其-C(CH3)2C(CH3)2-、-C(CH3)2CH2C(CH3)2-或-CH2C(CH3)2CH2-，且Y13及Y14彼此獨立地為氫或C1-C18烷基。
含有二酸基或二酸酯基之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑亦可藉由使鹵化二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑與烷基鋰試劑，諸如 正丁基鋰或第三丁基鋰反應，隨後與酸酯，諸如B(異丙氧基)3、 B(甲氧基)3或反應來製備(參見Synthesis(2000)442- 446)。
含有二酸基或二酸酯基之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑亦可藉由使二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑與胺化鋰，諸如二異丙胺基鋰(LDA)反應，隨後與酸酯，諸如B(異丙氧基)3、B(甲氧基)3或 反應來製備(J.Org.Chem.73(2008)2176-2181)。
含有二酸基或二酸酯基之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔 唑，諸如，可在溶劑中且在催化劑存在下與 等莫耳量之鹵化二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑及4H-咪唑并[1,2-a] 咪唑，諸如反應。催化劑可為μ-鹵基(三異丙基膦)(η3- 烯丙基)鈀(II)型中之一者(參見例如WO99/47474)。
較佳在諸如芳族烴之有機溶劑或諸如苯、甲苯、二甲苯、四氫呋喃或二噁烷或其混合物(最佳為甲苯)之常用極性有機溶劑存在下進行鈴木反應(Suzuki reaction)。所選溶劑量一般在每莫耳酸衍生物1至10公升之範圍內。亦較佳在諸如氮氣或氬氣之惰性氛圍下進行反應。另外，較佳在諸如鹼金屬氫氧化物或碳酸鹽之水性鹼，諸如 NaOH、KOH、Na2CO3、K2CO3、Cs2CO3及其類似物(較佳選擇K2CO3水溶液)存在下進行反應。鹼與酸或酸酯衍生物之所選莫耳比一般在0.5：1至50：1之範圍內，極尤其1：1。所選之反應溫度一般在40至180℃之範圍內，較佳在回流條件下。所選之反應時間較佳在1至80小時、更佳20至72小時之範圍內。在一個較佳實施例中，使用偶合反應或縮聚反應之常用催化劑，較佳基於Pd，其描述於WO2007/101820中。基於欲封閉之鍵的數目，鈀化合物以1：10000至1：50、較佳1：5000至1：200之比率添加。較佳例如使用諸如PdAc2或Pd2dba3之鈀(II)鹽及 添加選自由組成之群之配 體；其中。配體以基於Pd之1：1至1：10之比率添加。催化劑亦較佳以溶液或懸浮液形式添加。較佳使用適當有機溶劑，諸如上文所述者，較佳為苯、甲苯、二甲苯、THF、二噁烷，更佳為甲苯，或其混合物。所選之溶劑量一般在每莫耳酸衍生物1至10公升之範圍內。諸如氫氧化四烷銨之有機鹼及諸如TBAB之相轉移催化劑可提高硼之活性(參見例如Leadbeater及Marco；Angew.Chem.Int.Ed.Eng.42(2003)1407及其中引用的參考文獻)。反應條件之其他變化由T.I.Wallow及B.M.Novak於J.Org.Chem.59(1994)5034-5037中；及M.Remmers,M.Schulze,G.Wegner於Macromol.Rapid Commun.17(1996)239-252中及G.A.Molander及B.Canturk,Angew.Chem.,121(2009)9404-9425中給出。
化合物A-42之可能合成途徑展示於以下反應流程中：
化合物B-1之可能合成途徑展示於以下反應流程中：
在-78℃下使用nBuLi/THF或在-78℃下使用tBuLi/THF進行鹵素/金屬交換。參考WO2010/079051，其中描述該等化合物之合成。
式化合物為式(I)化合物製備中之新的中 間物且形成本發明之另一主題。
X1係如上文所定義，或為式A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16"之基團，X3為式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15'之基團，其中R15'及R16"彼此獨立地為Cl、Br、I、ZnX12，X12為鹵素原子；-SnR207R208R209，其中R207、R208及R209相同或不同且為H或C1-C8烷基，其中兩個基團視情況形成常見環且此等基團視情況分支或未分支；-B(OH)2、-B(OY1)2、 、-BF4Na或-BF4K，其中Y1在每次出現時獨立 地為C1-C18烷基且Y2在每次出現時獨立地為C2-C10伸烷基，諸如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11及Y12彼此獨立地為氫或C1-C10烷基，尤其- C(CH3)2C(CH3)2-、-C(CH3)2CH2C(CH3)2-或-CH2C(CH3)2CH2-，且Y13及Y14彼此獨立地為氫或C1-C10烷基。
p、q、r、A1、A2、A3、A4、s、t、u、v、A5、A6、A7、A8、R1、R2、R3、R4、R5、R6及R7係如上文所定義。關於p、q、r、A1、A2、A3、A4、s、t、u、v、A5、A6、A7、A8、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及X1，與式(I)化合物相同的較佳者適用。
中間物之實例展示如下： 及
式化合物，其中X3為Cl、Br或I之製備方 法包含式化合物之鹵化。關於R1、R2、R3、 R4、R5、R6、R7及X1，與關於式(I)化合物相同的較佳者適用。
5-苯基苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑之溴化可類似於例如J.Mater.Chem.18(2008)1296-1301中所述之咔唑之溴化來進行。
其他溴化法描述於例如Helvetica Chimica Acta 89(2006)1123及SYNLETT 17(2006)2841-2845.10.206中。
使用鹵化劑選擇性鹵化(III)產生式(II)化合物。鹵化劑為例如N-氯丁二醯亞胺(NCS)(Synlett 18(2005)2837-2842)；Br2(Synthesis 10(2005)1619-1624)、N-溴丁二醯亞胺(NBS)(Organic Letters 12(2010)2194-2197；Synlett(2006)2841-2845)、1,3-二溴-5,5-二甲基乙內醯脲(DBH)(Organic Process Research & Development 10(2006)822-828,US2002/0151456)、CuBr2(Synthetic Communications 37(2007)1381-1388)；R4NBr3(Can.J.Chem.67(1989)2062)、N-碘丁二醯亞胺(NIS)(Synthesis 12(2001)1794-1799,J.Heterocyclic Chem.39(2002)933)、KI/KIO3(Org.Lett.9(2007)797,Macromolecules 44(2011)1405-1413)、NaIO4/I2/H2SO4或NaIO4/KI/H2SO4(J.Heterocyclic Chem.38(2001)77；J.Org.Chem.75(2010)2578-2588)；一氯化碘(ICl；Synthesis(2008)221-224)。其他方法描述於J.Org.Chem.74(2009)3341-3349；J.Org.Chem.71(2006)7422-7432,Eur.J.Org.Chem.(2008)1065-1071,Chem.Asian J.5(2010)2162-2167,Synthetic.Commun.28(1998)3225中。
可用於鹵化之溶劑的實例為二甲基甲醯胺(DMF)、CH2Cl2、CHCl3、CCl4、乙醇(EtOH)、乙酸(AcOH)、H2SO4、C6H5Cl及其混合 物。鹵化可分別在諸如H2SO4、ZrCl4、TiCl4、AlCl3、HfCl4及AlCl3之酸及路易斯酸(lewis acid)存在下進行(Synlett 18(2005)2837-2842)。
式化合物，尤其，較佳在 諸如DMF、乙酸、氯仿、二氯甲烷、氯苯及其混合物之溶劑中，在-40℃至150℃之溫度下與NBS反應。DMF代表較佳溶劑。
鹵化中間物(III)，其中X3為Cl、Br或I，可藉由在諸如[1,1'-雙(二苯膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)之催化劑、錯合物(Pd(Cl)2(dppf))及諸如乙酸鉀之鹼存在下，在諸如二甲基甲醯胺、二甲亞碸、二噁烷及/或甲苯之溶劑中，使鹵化中間物(III)與(Y1O)2B-B(OY1)2、 或反應而轉化為酸酯中間物 (III)(參見Prasad Appukkuttan等人，Synlett 8(2003)1204)。
酸試劑製備之概述在Angew.Chem.121(2009)9404-9425,Chem.Rev.95(1995)2457-2483,Angew.Chem.Int.Ed.41(2002)4176-4211,Tetrahedron 66(2010)8121-8136中給出。
二酸或二酸酯中間物(III)亦可藉由使鹵化中間物(III)與烷基鋰試劑，諸如正丁基鋰或第三丁基鋰反應，隨後與酸酯，諸如B(異 丙氧基)3、B(甲氧基)3或反應來製備(參見Synthesis (2000)442-446)。
式I化合物可以中間物及合適共反應物作為起始物，藉由例如鈴木、施蒂勒(Stille)或根岸(Negishi)偶合反應來獲得。
式化合物(其中X1係如上文所定義)之製備方法可包 含(a)在H3PO4、聚磷酸、CH3SO3H/P2O5、CH3SO3H或硫酸中加熱式 化合物以獲得式化合物；及(b)使式XI化合 物反應形成式(I)化合物。上文說明步驟b)之多種實例。在步驟a)中，可存在沸點高於140℃之溶劑或溶劑混合物，諸如二甲苯或均三甲苯。在諸如氮氣或氬氣之惰性氣體氛圍下，在高於140℃，較佳高於 160℃、更佳高於180℃之溫度下攪拌式化合物30分鐘至3 週，較佳1至48小時之時間。
已發現，式I化合物尤其適合用於需要電荷載流子傳導性之應用中，尤其用於有機電子學應用中，例如選自以下之應用：開關元件，諸如有機電晶體，例如有機FET及有機TFT；有機太陽能電池；及有機發光二極體(OLED)，式I化合物尤其適合於在OLED中用作發光層中之基質材料及/或用作電洞及/或激子阻擋材料及/或用作電子及/或激子阻擋材料，尤其與磷光發射體組合。在本發明式I化合物用於OLED中之情況下，獲得具有良好效率及長壽命且可尤其在低使用電壓及操作電壓下操作之OLED。本發明式I化合物尤其適合用作藍色及綠色發射體，例如淺藍或深藍發射體之基質及/或電洞/激子阻擋材料，此等發射體尤其為磷光發射體。此外，式I化合物可在選自開關元件及有機太陽能電池之有機電子學應用中用作導體/互補材料。
式I化合物可在有機電子學應用中，尤其在OLED中用作基質材料及/或電洞/激子阻擋材料及/或電子/激子阻擋材料及/或電洞注入材料及/或電子注入材料及/或電洞傳導材料(電洞傳輸材料)及/或電子傳導材料(電子傳輸材料)，較佳用作基質材料及/或電子/激子阻擋材料及/或電洞傳輸材料。本發明式I化合物更佳在有機電子學應用中，尤其在OLED中用作基質材料。
在OLED之發射層或一個發射層中，亦可能將發射體材料與式I化合物之基質材料及具有例如良好電洞傳導(電洞傳輸)特性之另一基質材料組合。由此達成此發射層之高量子效率。
當式I化合物用作發射層中之基質材料且因材料之化學一致性或類似性而另外用作電洞/激子阻擋材料及/或電子/激子阻擋材料時，發射層與相鄰電洞/激子阻擋材料及/或電子/激子阻擋材料之間的界面獲得改良，由此可使得同等亮度下之電壓降低且使得OLED之壽命延長。此外，電洞/激子阻擋材料及/或電子/激子阻擋材料與發射層之基質使用相同材料可使OLED之製造製程簡化，此係由於一種式I化合物之材料的氣相沈積製程可使用相同來源之故。
有機電子裝置之適合結構為熟習此項技術者所知且於下文加以說明。
有機電晶體一般包括由具有電洞傳輸能力及/或電子傳輸能力之有機層形成之半導體層；由導電層形成之閘電極；及在半導體層與導電層之間引入的絕緣層。源電極及汲電極安裝於此配置上，由此產生電晶體元件。另外，熟習此項技術者已知之其他層可存在於有機電晶體中。
有機太陽能電池(光電轉換元件)一般包含存在於兩個平行配置之板型電極之間的有機層。有機層可組態於梳型電極上。關於有機層之位置無特定限制且關於電極之材料無特定限制。然而，當使用平行配 置之板型電極時，至少一個電極較佳由透明電極形成，例如ITO電極或摻氟之氧化錫電極。有機層由兩個子層形成，亦即具有p型半導體特性或電洞傳輸能力之層，及具有n型半導體特性或電子傳輸能力之層。另外，熟習此項技術者已知之其他層可能存在於有機太陽能電池中。具有電洞傳輸能力之層可包含式I化合物。
式I化合物同樣可能存在於發光層中(較佳作為基質材料)與電子阻擋層中(作為電子/激子阻擋劑)。
本發明另外提供一種有機發光二極體，其包含陽極An及陰極Ka以及配置於陽極An與陰極Ka之間的發光層E，且適當時包含至少一個選自由以下組成之群的其他層：至少一個電洞/激子阻擋層、至少一個電子/激子阻擋層、至少一個電洞注入層、至少一個電洞傳導層、至少一個電子注入層及至少一個電子傳導層，其中至少一種式I化合物存在於發光層E中及/或至少一個其他層中。至少一種式I化合物較佳存在於發光層及/或電洞阻擋層中。
本申請案另外係關於一種包含至少一種式I化合物之發光層。
本發明OLED之結構
本發明有機發光二極體(OLED)由此一般具有以下結構：陽極(An)及陰極(Ka)以及配置於陽極(An)與陰極(Ka)之間的發光層E。
在一個較佳實施例中，本發明OLED可例如由以下各層形成：
1.陽極
2.電洞傳導層
3.發光層
4.電洞/激子阻擋層
5.電子傳導層
6.陰極
不同於前述結構的層順序亦為可能的，且為熟習此項技術者所已知。舉例而言，OLED可能不具有所有所提及之層；例如，具有層(1)(陽極)、(3)(發光層)及(6)(陰極)之OLED同樣適合，在此情況下，層(2)(電洞導體層)及(4)(電洞/激子阻擋層)及(5)(電子導體層)之功能由相鄰層呈現。具有層(1)、(2)、(3)及(6)或層(1)、(3)、(4)、(5)及(6)之OLED同樣適合。另外，OLED在電洞傳導層(2)與發光層(3)之間可具有電子/激子阻擋層。
另外，複數個前述功能(電子/激子阻擋、電洞/激子阻擋、電洞注入、電洞傳導、電子注入、電子傳導)可能組合於一個層中，且例如由存在於此層中之單一材料呈現。舉例而言，在一個實施例中，電洞傳導層中所用之材料可同時阻擋激子及/或電子。
此外，在上文所說明之彼等層中OLED之個別層又可由兩個或兩個以上層形成。舉例而言，電洞傳導層可由使電洞自電極注入內部之層及使電洞離開電洞注入層傳輸至發光層中之層形成。電子傳導層可同樣由複數個層組成，例如電子由電極注入之層及接收來自電子注入層之電子且將其傳輸至發光層中之層。所提及之此等層各自根據諸如以下因素選擇：能量位準、熱阻及電荷載流子移動力，以及以有機層或金屬電極說明之層的能量差。熟習此項技術者能夠選擇OLED之結構，使得其與根據本發明用作發射體物質之有機化合物最佳匹配。
為獲得特別有效之OLED，舉例而言，電洞傳導層之HOMO(最高佔用分子軌域)應與陽極之功函數匹配，且電子傳導層之LUMO(最低未佔用分子軌域)應與陰極之功函數匹配，其限制條件為前述各層存在於本發明OLED中。
陽極(1)為提供正電荷載流子之電極。其可例如由包含以下之材料形成：金屬、各種金屬之混合物、金屬合金、金屬氧化物或各種金屬氧化物之混合物。或者，陽極可為導電聚合物。適合金屬包含主族 金屬及主族金屬之合金、過渡金屬及類鑭系元素，尤其元素週期表之Ib族、IVa族、Va族及VIa族之金屬，及VIIIa族之過渡金屬。當陽極欲為透明時，一般使用元素週期表(IUPAC版)之IIb族、IIIb族及IVb族之混合型金屬氧化物，例如氧化銦錫(ITO)。陽極(1)同樣可能包含有機材料，例如聚苯胺，如例如Nature，第357卷，第477至479頁(1992年6月11日)所述。至少陽極或陰極中之任一者應至少部分透明，以能夠發射所形成之光。用於陽極(1)之材料較佳為ITO。
適用於本發明OLED之層(2)的電洞傳導材料揭示於例如Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology，第4版，第18卷，第837至860頁，1996中。電洞傳輸分子及聚合物皆可用作電洞傳輸材料。通常所用之電洞傳輸分子係選自由以下組成之群：參[N-(1-萘基)-N-(苯基胺基)]三苯胺(1-NaphDATA)、4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-雙(3-甲基苯基)-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺(TPD)、1,1-雙[(二-4-甲苯基胺基)苯基]環己烷(TAPC)、N,N'-雙(4-甲基苯基)-N,N'-雙(4-乙基苯基)-[1,1'-(3,3'-二甲基)聯苯]-4,4'-二胺(ETPD)、肆(3-甲基苯基)-N,N,N',N'-2,5-伸苯基二胺(PDA)、α-苯基-4-N,N-二苯基胺基苯乙烯(TPS)、對(二乙基胺基)苯甲醛二苯腙(DEH)、三苯胺(TPA)、雙[4-(N,N-二乙基胺基)-2-甲基苯基)(4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[對(二乙基胺基)苯乙烯基]-5-[對(二乙基胺基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1,2-反-雙(9H-咔唑-9-基)環丁烷(DCZB)、N,N,N',N'-肆(4-甲基苯基)-(1,1'-聯苯)-4,4'-二胺(TTB)、4,4',4"-參(N,N-二苯基胺基)三苯胺(TDTA)、4,4',4"-參(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、N,N'-雙(萘-2-基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺(β-NPB)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)-9,9-螺二茀(螺-TPD)、N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)-9,9-螺二茀(螺-NPB)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)-9,9-二甲基茀(DMFL-TPD)、二[4-(N,N-二甲苯基胺基)苯基]環己烷、N,N'-雙(萘- 1-基)-N,N'-雙(苯基)-9,9-二甲基茀、N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)-2,2-二甲基聯苯胺、N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基對醌二甲烷(F4-TCNQ)、4,4',4"-參(N-3-甲基苯基-N-苯基胺基)三苯胺、4,4',4"-參(N-(2-萘基)-N-苯基-胺基)三苯胺、吡嗪并[2,3-f][1,10]啡啉-2,3-二甲腈(PPDN)、N,N,N',N'-肆(4-甲氧基苯基)聯苯胺(MeO-TPD)、2,7-雙[N,N-雙(4-甲氧基苯基)胺基]-9,9-螺二茀(MeO-螺-TPD)、2,2'-雙[N,N-雙(4-甲氧基苯基)胺基]-9,9-螺二茀(2,2'-MeO-螺-TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二[4-(N,N-二甲苯基胺基)苯基]聯苯胺(NTNPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二[4-(N,N-二苯基胺基)苯基]聯苯胺(NPNPB)、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二苯基苯-1,4-二胺(β-NPP)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)-9,9-二苯基茀(DPFL-TPD)、N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)-9,9-二苯基茀(DPFL-NPB)、2,2',7,7'-肆(N,N-二苯基胺基)-9,9'-螺二茀(螺-TAD)、9,9-雙[4-(N,N-雙(聯苯-4-基)胺基)苯基]-9H-茀(BPAPF)、9,9-雙[4-(N,N-雙(萘-2-基)胺基)苯基]-9H-茀(NPAPF)、9,9-雙[4-(N,N-雙(萘-2-基)-N,N'-雙苯基胺基)苯基]-9H-茀(NPBAPF)、2,2',7,7'-肆[N-萘基(苯基)胺基]-9,9'-螺二茀(螺-2NPB)、N,N'-雙(菲-9-基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺(PAPB)、2,7-雙[N,N-雙(9,9-螺二茀-2-基)胺基]-9,9-螺二茀(螺-5)、2,2'-雙[N,N-雙(聯苯-4-基)胺基]-9,9-螺二茀(2,2'-螺-DBP)、2,2'-雙(N,N-二苯基胺基)-9,9-螺二茀(螺-BPA)、2,2',7,7'-四(N,N-二甲苯基)胺基螺二茀(螺-TTB)、N,N,N',N'-四萘-2-基聯苯胺(TNB)、卟啉化合物及酞菁，諸如銅酞菁及氧化鈦酞菁。通常所用之電洞傳輸聚合物係選自由以下組成之群：聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚矽烷及聚苯胺。同樣可能藉由將電洞傳輸分子摻雜至諸如聚苯乙烯及聚碳酸酯之聚合物中而獲得電洞傳輸聚合物。適合之電洞傳輸分子為上文已提及之分子。
另外，在一個實施例中，可能使用碳烯錯合物作為電洞傳導材料，至少一種電洞傳導材料之能帶隙一般大於所用發射體材料之能帶隙。在本申請案之情形中，「能帶隙」應理解為意謂三重態能量。適合碳烯錯合物為例如WO 2005/019373 A2、WO 2006/056418 A2、WO 2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981及WO 2008/000727如中所述之碳烯錯合物。適合碳烯錯合物之一個實例為具有下式之Ir(dpbic)3： 其揭示於例如WO2005/019373中。原則上，電洞傳導層可能包含至少一種式I化合物作為電洞傳導材料。
發光層(3)包含至少一種發射體材料。原則上，其可為螢光或磷光發射體，適合之發射體材料為熟習此項技術者所已知。至少一種發射體材料較佳為磷光發射體。優先使用之磷光發射體化合物係基於金屬錯合物，且尤其金屬Ru、Rh、Ir、Pd及Pt之錯合物(尤其Ir錯合物)尤其重要。式I化合物可用作發光層中之基質。
適用於本發明OLED之金屬錯合物描述於例如以下文件中：WO 02/60910 A1、US 2001/0015432 A1、US 2001/0019782 A1、US 2002/0055014 A1、US 2002/0024293 A1、US 2002/0048689 A1、EP 1 191 612 A2、EP 1 191 613 A2、EP 1 211 257 A2、US 2002/0094453 A1、WO 02/02714 A2、WO 00/70655 A2、WO 01/41512 A1、WO 02/15645 A1、WO 2005/019373 A2、WO 2005/113704 A2、WO 2006/115301 A1、WO 2006/067074 A1、WO 2006/056418、WO 2006121811 A1、WO 2007095118 A2、WO 2007/115970、WO 2007/115981、WO 2008/000727、WO2010129323、WO2010056669及WO10086089。
其他合適金屬錯合物為以下市售金屬錯合物：參(2-苯基吡啶)銥(III)、參(2-(4-甲苯基)吡啶根基-N,C2')銥(III)、雙(2-苯基吡啶)(乙醯丙酮根基)銥(III)、參(1-苯基異喹啉)銥(III)、雙(2,2'-苯并噻吩基)吡啶根基-N,C3')(乙醯基丙酮酸)銥(III)、參(2-苯基喹啉)銥(III)、雙(2-(4,6-二氟苯基)吡啶根基-N,C2)吡啶甲酸銥(III)、雙(1-苯基異喹啉)(乙醯基丙酮酸)銥(III)、雙(2-苯基喹啉)(乙醯丙酮根基)銥(III)、雙(二-苯并[f,h]喹喏啉)(乙醯基丙酮酸)銥(III)、雙(2-甲基二-苯并[f,h]喹喏啉)(乙醯基丙酮酸)銥(III)及參(3-甲基-1-苯基-4-三甲基乙醯基-5-吡唑啉并)鋱(III)、雙[1-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)異喹啉](乙醯丙酮根基)銥(III)、雙(2-苯基苯并噻唑并)(乙醯丙酮根基)銥(III)、雙(2-(9,9-二己基茀基)-1-吡啶)(乙醯丙酮根基)銥(III)、雙(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙醯丙酮根基)銥(III)。
另外，以下市售材料為合適的：參(二苯甲醯基丙酮根基)單(啡啉)銪(III)、參(二苯甲醯基甲烷)-單(啡啉)銪(III)、參(二苯甲醯基甲烷)單(5-胺基啡啉)銪(III)、參(二-2-萘甲醯基甲烷)單(啡啉)銪(III)、參(4-溴苯甲醯基甲烷)單(啡啉)銪(III)、參(二(聯苯)甲烷)單(啡啉)銪(III)、參(二苯甲醯基甲烷)單(4,7-二苯基啡啉)銪(III)、參(二苯甲醯基甲烷)單(4,7-二-甲基啡啉)銪(III)、參(二苯甲醯基甲烷)單(4,7-二甲基啡啉二磺酸)銪(III)二鈉鹽、參[二(4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲醯基甲烷)]單(啡啉)銪(III)及參[二[4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲醯基甲烷)]單(5-胺基啡啉)銪(III)、雙(3-(三氟甲基)-5-(4-第三丁基吡啶基)-1,2,4-三唑根基)二苯基甲基膦鋨(II)、雙(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-三唑)二甲基苯基膦鋨(II)、雙(3-(三氟甲基)-5-(4-第三丁 基吡啶基)-1,2,4-三唑根基)二甲基苯基膦鋨(II)、雙(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)吡唑根基)二甲基苯基膦鋨(II)、參[4,4'-二-第三丁基(2,2')-聯吡啶]釕(III)、雙(2-(9,9-二丁基茀基)-1-異喹啉(乙醯基丙酮酸)鋨(II)。
發光層較佳包含式化合物，其描述於WO 2005/019373 A2中，其中各符號具有以下含義：M為選自由以下組成之群的金屬原子：Co、Rh、Ir、Nb、Pd、Pt、Fe、Ru、Os、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Cu、Ag及Au，對於各別金屬原子可能呈任何氧化態；碳烯為可能不帶電荷或為單陰離子性且為單牙、雙牙或三牙之碳烯配體，該碳烯配體亦能夠為雙碳烯或參碳烯配體；L為單陰離子性或二陰離子性配體，其可為單牙或雙牙配體；K為選自由以下組成之群的不帶電荷之單牙或雙牙配體：膦；膦酸鹽及其衍生物；砷酸鹽及其衍生物；亞磷酸鹽；CO；吡啶；腈；及與M1形成π錯合物之共軛二烯；n1為碳烯配體之數目，其中n1至少為1，且當n1>1時，式I錯合物中之碳烯配體可相同或不同；m1為配體L之數目，其中m1可為0或1且當m1>1時，配體L可相同或不同；o為配體K之數目，其中o可為0或1且當o>1時，配體K可相同或不同；其中n1+m1+o之和取決於金屬原子之氧化態及配位數及配體碳烯、L及K之齒合度(denticity)以及配體碳烯及L上之電荷，其限制條件為n1至少為1。
作為合適三重態發射體之碳烯錯合物描述於例如WO 2006/056418 A2、WO 2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981及WO 2008/000727、WO2009050281、WO2009050290、WO2011051404及WO2011073149中。
以下通式之金屬-碳烯錯合物更佳： ，其描述於美國專利申請案第 61/286046號、第61/323885號及歐洲專利申請案10187176.2(PCT/EP2010/069541)中，其中M、n1、Y、A2、A3、A4、A5、R51、R52、R53、R54、R55、R56、R57、R58、R59、K、L、m1及o各如下所定義：M為Ir或Pt，n1為選自1、2及3之整數，Y為NR51、O、S或C(R25)2，A2、A3、A4及A5各獨立地為N或C，其中2個A=氮原子且至少一個碳原子存在於環中兩個氮原子之間，R51為視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有1至20個碳原子之直鏈或分支鏈烷基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有3至20個碳原子之環烷基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有6至30個碳原子之經取代或未經取代芳基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子之經取代或未經取代雜芳基， 若A2、A3、A4及/或A5為N，則R52、R53、R54及R55各為自由電子對，或若A2、A3、A4及/或A5為C，則各獨立地為氫，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有1至20個碳原子之直鏈或分支鏈烷基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有3至20個碳原子之環烷基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有6至30個碳原子之經取代或未經取代芳基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子之經取代或未經取代雜芳基，具有供體或受體作用之基團，或R53及R54與A3及A4一起形成視情況間雜有至少一個其他雜原子且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子之視情況經取代之不飽和環，R56、R57、R58及R59各獨立地為氫，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有1至20個碳原子之直鏈或分支鏈烷基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有3至20個碳原子之環烷基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有3至20個碳原子之環雜烷基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有6至30個碳原子之經取代或未經取代芳基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子之經取代或未經取代雜芳基，具有供體或受體作用之基團，或R56及R57、R57及R58、或R58及R59與其所鍵結之碳原子一起形成視情況間雜有至少一個雜原子且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子之視情況經取代之飽和、不飽和或芳族環，及/或若A5為C，R55及R56一起形成視情況包含雜原子、芳族單元、雜芳族單元及/或官能基且具有總共1至30個碳原子及/或雜原子之飽和或不飽和、直鏈或分支鏈橋鍵，其視情況與包含碳原子及/或雜原子之 經取代或未經取代之五員至八員環稠合，R25獨立地為視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有1至20個碳原子之直鏈或分支鏈烷基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有3至20個碳原子之環烷基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有6至30個碳原子之經取代或未經取代芳基，視情況間雜有至少一個雜原子、視情況帶有至少一個官能基且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子之經取代或未經取代雜芳基，K為不帶電荷之單牙或雙牙配體，L為單陰離子性或二陰離子性配體，較佳為單陰離子性配體，其可為單牙或雙牙配體，m1為0、1或2，其中，當m1為2時，K配體可相同或不同，o為0、1或2，其中，當o為2時，L配體可相同或不同。
式IX化合物較佳為以下各式之化合物：
均配金屬-碳烯錯合物可以面式異構體或經式異構體之形式存在，面式異構體較佳。
在混配金屬-碳烯錯合物之情況下，可存在四種不同異構體，假面式異構體較佳。
發光層除發射體材料以外亦可包含其他組分。舉例而言，螢光染料可存在於發光層中以改變發射體材料之發射色彩。另外，在一個較佳實施例中，可使用基質材料。此基質材料可為聚合物，例如聚(N-乙烯基咔唑)或聚矽烷。然而，基質材料可為小分子，例如4,4'-N,N'-二咔唑聯苯(CDP=CBP)或三級芳族胺，例如TCTA。在本發明之一個較佳實施例中，至少一種式I化合物用作基質材料。
在一個較佳實施例中，發光層由以下形成：2重量%至40重量%、較佳5重量%至35重量%之至少一種前述發射體材料及60重量%至98重量%、較佳75重量%至95重量%之至少一種前述基質材料(在一個 實施例中為至少一種式I化合物)，其中發射體材料與基質材料之總和合計達100重量%。
在尤佳實施例中，發光層包含式I化合物，諸如 及兩種碳烯錯合物，較佳式 及之碳烯錯合物。在該實施例中，發光層由 2重量%至40重量%、較佳5重量%至35重量%之及60重量 %至98重量%、較佳65重量%至95重量%之式I化合物及形 成，其中碳烯錯合物及式I化合物之總和合計達100重量%。
因此，適合與式I化合物一起在OLED中用作OLED基質材料及/或電洞/激子阻擋材料及/或電子/激子阻擋材料及/或電洞注入材料及/或電子注入材料及/或電洞傳導材料及/或電子傳導材料、較佳用作基質 材料及/或電洞/激子阻擋材料的金屬錯合物亦為例如WO 2005/019373 A2、WO 2006/056418 A2、WO 2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981及WO 2008/000727中所述之碳烯錯合物。此處明確參考所引用之WO申請案的揭示內容，且此等揭示內容應視為併入本申請案之內容中。
若電洞/激子阻擋層(4)不包含任何式I化合物，則OLED具有(若電洞阻擋層存在)OLED中通常所用之電洞阻擋材料，諸如2,6-雙(N-咔唑基)吡啶(mCPy)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(浴銅靈(bathocuproin，BCP))、雙(2-甲基-8-喹啉根基)-4-苯基酚根基)鋁(III)(BAlq)、啡噻嗪S,S-二氧化物衍生物及1,3,5-參(N-苯基-2-苄基咪唑基)苯(TPBI)，TPBI亦適合用作電子傳導材料。其他合適電洞阻擋材料及/或電子傳導材料為2,2',2"-(1,3,5-次苄基)參(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、8-羥基喹啉根基鋰、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑、1,3-雙[2-(2,2'-聯吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯、4,7-二苯基-1,10-啡啉、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-第三丁基苯基-1,2,4-三唑、6,6'-雙[5-(聯苯-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2'-聯吡啶基、2-苯基-9,10-二(萘-2-基)蒽、2,7-雙[2-(2,2'-聯吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基茀、1,3-雙[2-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉、參(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷、2,9-雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]啡啉。在另一實施例中，可能使用包含經由包含羰基之基團接合之芳族或雜芳族環的化合物，如WO2006/100298中所揭示者；選自由以下組成之群的二矽烷基化合物：二矽烷基咔唑、二矽烷基苯并呋喃、二矽烷基苯并噻吩、二矽烷基苯并磷唑、二矽烷基苯并噻吩S-氧化物及二矽烷基苯并噻吩S,S-二氧化物，如例如PCT申請案PCT/EP2008/058207及 PCT/EP2008/058106中所說明者，該等申請案在本申請案之優先權日之時公開；及如WO2008/034758中所揭示之二矽烷基化合物，該等化合物作為電洞/激子阻擋層(4)或作為發光層(3)中之基質材料。
適用於本發明OLED之層(5)的電子傳導材料包含金屬與類咢辛(oxinoid)螯合之化合物，諸如2,2',2"-(1,3,5-伸苯基)參[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)、參(8-喹啉根基)鋁(Alq3)；基於啡啉之化合物，諸如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(DDPA=BCP)或4,7-二苯基-1,10-啡啉(DPA)；及唑化合物，諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)及3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-第三丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)；8-羥基喹啉根基鋰(Liq)、4,7-二苯基-1,10-啡啉(BPhen)、雙(2-甲基-8-喹啉根基)-4-(苯基酚根基)鋁(BAlq)、1,3-雙[2-(2,2'-聯吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯(Bpy-OXD)、6,6'-雙[5-(聯苯-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2'-聯吡啶基(BP-OXD-Bpy)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2,9-雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉(NBphen)、2,7-雙[2-(2,2'-聯吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基茀(Bby-FOXD)、1,3-雙[2-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯(OXD-7)、參(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷(3TPYMB)、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]啡啉(2-NPIP)、2-苯基-9,10-二(萘-2-基)蒽(PADN)、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉(HNBphen)。層(5)可用以促進電子傳輸且充當緩衝層或障壁層以防止在OLED各層之界面處激子淬滅。層(5)較佳改良電子移動力且減少激子淬滅。在一個較佳實施例中，TPBI用作電子傳導材料。在另一較佳實施例中，BCP用作電子傳導材料。原則上，電子傳導層可能包含至少一種式I化合物作為電子傳導材料。
在上文所提及之作為電洞傳導材料及電子傳導材料之材料中，一些材料可發揮數種功能。舉例而言，一些電子傳導材料當具有低位 HOMO時，其同時為電洞阻斷材料。此等材料可用於例如電洞/激子阻擋層(4)中。然而，層(5)同樣可能亦發揮電洞/激子阻擋功能，由此可省掉層(4)。
亦可將電荷傳輸層電子摻雜以改良所用材料之傳輸特性，以首先使層厚度更充足(避免針孔/短路)，其次使裝置之操作電壓降至最低。舉例而言，電洞傳導材料可摻雜有電子接受體；例如，酞菁或芳基胺(諸如TPD或TDTA)可摻雜有四氟四氰基對醌二甲烷(F4-TCNQ)或摻雜有MoO3或WO3。電子傳導材料可摻雜有例如鹼金屬，例如Alq3摻雜有鋰。另外，電子傳導材料可摻雜有鹽，諸如Cs2CO3或8-羥基醌酸酯基鋰(Liq)。電子摻雜為熟習此項技術者所已知且揭示於例如W.Gao,A.Kahn,J.Appl.Phys.，第94卷，第1期，2003年7月1日(p-doped organic layers)；A.G.Werner,F.Li,K.Harada,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo.Appl.Phys.Lett.，第82卷，第25期，2003年6月23日及Pfeiffer等人，Organic Electronics 2003,4,89-103中。舉例而言，電洞傳導層可除例如Ir(dpbic)3之碳烯錯合物以外亦摻雜有MoO3或WO3。舉例而言，電子傳導層可包含摻雜有Cs2CO3之BCP。
陰極(6)為用以引入電子或負電荷載子之電極。陰極之適合材料係選自由以下組成之群：Ia族鹼金屬，例如Li、Cs；IIa族鹼土金屬，例如鈣、鋇或鎂；元素週期表(舊IUPAC版)之IIb族金屬，包含鑭系元素及錒系元素，例如釤。另外，亦可能使用諸如鋁或銦之金屬，及所提及之所有金屬之組合。另外，包含鹼金屬(尤其鋰)之有機金屬化合物，或鹼金屬氟化物(諸如LiF、CsF或KF)，可施用於有機層與陰極之間以降低操作電壓。
本發明之OLED可另外包含熟習此項技術者已知的其他層。舉例而言，促進正電荷傳輸及/或使各層之帶隙彼此匹配之層可施用於層(2)與發光層(3)之間。或者，此另一層可用作保護層。以類似方式， 其他層可存在於發光層(3)與層(4)之間以促進負電荷傳輸及/或使各層之間的帶隙彼此匹配。或者，此層可用作保護層。
在一個較佳實施例中，除層(1)至(6)以外，本發明OLED亦包含下文所提及之各層中之至少一者：- 介於陽極(1)與電洞傳輸層(2)之間的電洞注入層，其厚度為2至100nm，較佳5至50nm；- 介於電洞傳輸層(2)與發光層(3)之間的電子阻擋層；- 介於電子傳輸層(5)與陰極(6)之間的電子注入層。
用於電洞注入層之材料可選自銅酞菁、4,4',4"-參(N-3-甲基苯基-N-苯基胺基)三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4"-參(N-(2-萘基)-N-苯基胺基)三苯胺(2T-NATA)、4,4',4"-參(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)三苯胺(1T-NATA)、4,4',4"-參(N,N-二苯基胺基)三苯胺(NATA)、氧化鈦酞菁、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基對醌二甲烷(F4-TCNQ)、吡嗪并[2,3-f][1,10]啡啉-2,3-二甲腈(PPDN)、N,N,N',N'-肆(4-甲氧基苯基)聯苯胺(MeO-TPD)、2,7-雙[N,N-雙(4-甲氧基苯基)胺基]-9,9-螺二茀(MeO-螺-TPD)、2,2'-雙[N,N-雙(4-甲氧基苯基)胺基]-9,9-螺二茀(2,2'-MeO-螺-TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二[4-(N,N-二甲苯基胺基)苯基]聯苯胺(NTNPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二[4-(N,N-二苯基胺基)苯基]聯苯胺(NPNPB)、N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二苯基苯-1,4-二胺(α-NPP)。原則上，電洞注入層可能包含至少一種式I化合物作為電洞注入材料。另外，可使用聚合電洞注入材料，諸如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)；聚噻吩；聚吡咯；聚苯胺；自摻雜聚合物，諸如磺化聚(噻吩-3-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2,5-二基)(Plexcore® OC Conducting Inks，可購自Plextronics)；及共聚物，諸如聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)，亦稱為PEDOT/PSS。
可選擇例如LiF作為電子注入層之材料。原則上，電子注入層可 能包含至少一種式I化合物作為電子注入材料。
熟習此項技術者瞭解(例如基於電化學研究)如何選擇適合材料。個別層之適合材料為熟習此項技術者所知且揭示於例如WO 00/70655中。
另外，本發明OLED中所用之一些層可能已經表面處理以增加電荷載流子傳輸之效率。所提及之各層之材料的選擇較佳由獲得具有高效率及長壽命之OLED來決定。
本發明之OLED可藉由熟習此項技術者已知的方法生產。本發明之OLED一般藉由將個別層連續氣相沈積於合適基板上來生產。適合基板為例如玻璃、無機半導體或聚合物膜。對於氣相沈積，可能使用常規技術，諸如熱蒸鍍、化學氣相沈積(CVD)、物理氣相沈積(PVD)及其他技術。在一個替代性製程中，可採用熟習此項技術者已知之塗佈技術，自於適合溶劑中之溶液或分散液施用OLED之有機層。
一般而言，不同層具有以下厚度：陽極(1)50至500nm，較佳為100至200nm；電洞傳導層(2)5至100nm，較佳為20至80nm；發光層(3)1至100nm，較佳為10至80nm；電洞/激子阻擋層(4)2至100nm，較佳為5至50nm；電子傳導層(5)5至100nm，較佳為20至80nm；陰極(6)20至1000nm，較佳為30至500nm。本發明OLED中電洞與電子之再結合區關於陰極的相對位置及由此OLED之發射光譜可尤其受以下因素影響：各層之相對厚度。此意謂應較佳選擇電子傳輸層之厚度，使得再結合區之位置與二極體之光學諧振器特性匹配且由此與發射體之發射波長匹配。OLED中個別層之層厚度之比率取決於所用材料。任何所用其他層之層厚度為熟習此項技術者所已知。電子傳導層及/或電洞傳導層之厚度可能比在其電摻雜時說明的層厚度大。
式I化合物用於OLED之至少一個層中，較佳用於發光層中(較佳作為基質材料)及/或電洞/激子阻擋層中使得獲得具有高效率且具有低 使用電壓及操作電壓之OLED成為可能。藉由使用式I化合物獲得之OLED常常另外具有長壽命。OLED之效率可另外藉由使OLED之其他層最佳化而改良。舉例而言，可使用諸如Ca或Ba之高效率陰極，適當時與LiF之中間層組合。使操作電壓降低或量子效率增加之成形基板及新穎電洞傳輸材料同樣可用於本發明OLED中。此外，其他層可存在於OLED中以調整不同層之能量位準及促進電致發光。
OLED可另外包含至少一個第二發光層。OLED之總體發射可由至少兩個發光層之發射構成且亦可包含白光。
OLED可用於電致發光適用之所有設備中。適合裝置較佳係選自固定及移動視覺顯示單元及照明單元。固定視覺顯示單元為例如電腦、電視之視覺顯示單元，印表機、廚房器具及廣告面板、照明及資訊面板中之視覺顯示單元。移動視覺顯示單元為例如行動電話、桌上型PC、膝上型電腦、數位相機、MP3播放器、載具中之視覺顯示單元，及公車及列車上之目的地顯示器。可使用本發明OLED之其他裝置為例如鍵盤；衣物；家俱；壁紙。
另外，本發明係關於一種選自由以下組成之群的裝置：固定視覺顯示單元，諸如電腦、電視之視覺顯示單元，印表機、廚房器具及廣告面板、照明、資訊面板中之視覺顯示單元；及移動視覺顯示單元，諸如行動電話、桌上型PC、膝上型電腦、數位相機、MP3播放器、載具中之視覺顯示單元，及公車及列車上之目的地顯示器；照明單元；鍵盤；衣物；家俱；壁紙，該裝置包含至少一個本發明有機發光二極體或至少一個本發明發光層。
以下實例僅出於說明之目的而納入且不限制申請專利範圍之範疇。除非另有規定，否則所有份數及百分比皆以重量計。
實例 實例1
a)在氬氣下，在200℃下攪拌5.00g(24.1mmol)6H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、6.56g(26.5mmol)2-溴二苯并呋喃、5.00g(36.2mmol)碳酸鉀及920mg(4.8mmol)碘化銅(I)於50ml 1-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)中之混合物24小時。冷卻反應混合物至20℃且添加100ml二氯甲烷。在矽膠上用二氯甲烷過濾反應混合物。用水洗滌有機相且用硫酸鎂乾燥。蒸餾出溶劑。將產物與甲基乙基酮(MEK)一起煎煮且過濾出。(產率：2.50g(28%))。
1 H NMR(400MHz,DMSO-d6)：δ 8.67(s,1H),8.22-8.20(m,3H),8.01(s,2H),7.80(d,J=8.3Hz,1H),7.59-7.65(m,3H),7.40-7.50(m,3H),7.28-7.37(m,2H)。
MS(APCI(pos),m/z)：374(M+1)。
b)在50℃下，在氬氣下，將3.00g(8.03mmol)5-二苯并呋喃-2-基苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑溶解於15ml DMF中。添加2.14g(12.1mmol)N-溴丁二醯亞胺。在氬氣下，在50℃下攪拌反應混合物18小時。過濾出沈澱產物且用DMF、乙醇、水洗滌並再用乙醇洗滌(產率：2.85g(78%))。
1 H NMR(400MHz,THF-d8)：δ 8.56(d,J=2.1Hz,1H),8.23(d,J=1.9Hz,1H),8.10-8.14(m,2H),7.98(dd,J=2.3Hz,J=8.7Hz,1H),7.83(d,L=8.7Hz,1H),7.64-7.70(m,2H),7.51-7.56(m,2H),7.36-7.43(m,4H)。
c)用氬氣使1.50g(3.32mmol)2-溴-5-二苯并呋喃-2-基-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、1.50g(1.59mmol)4,4,5,5-四甲基-2-[3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼-2-基)苯基]-1,3,2-二氧硼、4.02g(16.6mmol)磷酸三鉀單水合物、15ml二噁烷、50ml二甲苯及10ml水脫氣。添加82mg(0.20mmol)2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(sPhos)及7.4mg(0.033mmol)乙酸鈀(II)。將反應混合物用氬氣脫氣且在100℃下，在氬氣下攪拌22小時。添加40ml 1%氰化鈉溶液且使反應混合物回流1小時，冷卻至20℃且過濾出產物。產物用水及乙醇洗滌且在MEK中煎煮(產率：1.05g(38.5%))。
1 H NMR(400MHz,TFA-d1)：δ 8.54(s,2H),8.41(d,J=2.3Hz,2H),8.37(d,J=8.0Hz,2H)8.07-8.19(m,6H),7.927.95(m,4H),7.68-7.88(m,14 H),7.54(t,J=7.5Hz,2H)。
MS(APCI(pos),m/z)：821(M+1)。
實例2
a)在氮氣下，將19.7g(96.5mmol)碘-苯、31.4g(96.5mmol)碳酸銫、2.30g(12.1mmol)碘化銅(I)及2.78g(24.1mmol)L-脯胺酸添加至含10.0g(48.3mmol)5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑之150ml DMSO中。在120℃下攪拌反應混合物26小時且在Hyflo上用甲苯過濾。用水洗滌有機相且用硫酸鎂乾燥。真空移除溶劑。產物在矽膠上用甲苯過 濾且與乙醚一起煎煮(產率：7.77g(57%))。
1 H NMR(400MHz,CDCl3)：δ 7.81-7.88(m,5H),7.57-7.67(m,2H),7.45-7.50(m,1H),7.31-7.40(m,4H)
b)根據實例1 b)進行反應。
1 H NMR(400MHz,CDCl3)：δ 8.02(d,J=1.7Hz,1H),7.83-7.87(m,3H),7.64-7.73(m,3H),7.58-7.61(m,1H),7.39-7.53(m,4H)
c)將1.50g(4.14mmol)2-溴-5-苯基-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、5.02g(20.7mmol)磷酸三鉀單水合物、15ml二噁烷、50ml甲苯及12ml水添加至2.23g(4.56mmol)9-[8-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼-2-基)二苯并呋喃-2-基]咔唑中。用氬氣使混合物脫氣。添加100mg(0.250mmol)2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(SPhos)及93mg(0.042mmol)乙酸鈀(II)。將反應混合物用氬氣脫氣且在100℃下，在氬氣下攪拌21小時。添加40ml 1%氰化鈉溶液且使反應混合物回流1小時。分離有機相且過濾出結晶產物，用乙醇、水及乙醇洗滌。自甲苯結晶出產物(產率1.52g(60%))。
1 H NMR(400MHz,THF-d8)：δ=8.53(d,J=1.7Hz,1H),8.40(d,J=1.7Hz,1H),8.37(s,1H),8.20(s,1H),8.17(s,1H),8.11-8.14(m,1H),7.98-8.03(m,3H),7.90(d,J=8.5Hz,1H),7.78(d,J=8.6Hz,1H), 7.67-7.73(m,4H),7.60-7.64(m,2H),7.33-7.44(m,4H),7.33-7.37(m,2H),7.24-7.28(m,2H)
MS(APCI(pos),m/z)：615(M+1)。
實例3
a)在氮氣下，將7.78g(25mmol)1-溴-3-碘-苯、16.3g(50.0mmol)碳酸銫、1.24g(6.50mmol)碘化銅(I)及1.50g(13.0mmol)L-脯胺酸添加至含5.18g(25.0mmol)5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑之100ml二甲亞碸(DMSO)中。反應混合物在100℃下攪拌18小時且傾倒入水中。有機相用二氯甲烷萃取且用硫酸鎂乾燥。蒸餾出溶劑。在矽膠上使用甲苯管柱層析得到產物(產率8.35g(92%))。
1 H NMR(400MHz,CDCl3)：δ 8.54(d,J=2.1Hz,1H),8.37-8.40(m,1H),8.16-8.199(m,1H),7.93-7.95(m,1H),7.60-7.74(m,4H),7.41-7.7.50(m,3H)。
MS(APCI(pos),m/z)：444(M+1),442(M+1),441(M+1)。
b)根據實例1b)進行反應，但其中使用5-(3-溴苯基)苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑代替5-二苯并呋喃-2-基苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑作為起始物質。
1 H NMR(400MHz,CDCl3)：δ 8.54(d,J=2.1Hz,1H),8.37-8.40(m,1H),8.16-8.199(m,1H),7.93-7.95(m,1H),7.60-7.74(m,4H),7.41-7.7.50(m,3H)。
MS(APCI(pos),m/z)：444(M+1),442(M+1),441(M+1)。
實例4
a)加熱含1.00g(3.53mmol)5-苯基苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑(實例2a)及850mg(2.65mmol)二乙醯氧基-碘苯之10ml乙酸及10ml乙酸酐至60℃，且隨後冷卻至25℃。添加340mg(1.34mmol)碘。添加10滴硫酸且在氮氣下，在25℃下攪拌反應混合物18小時。將產物過濾出且用乙酸、乙醇、水洗滌並再用乙醇洗滌。將產物與甲基乙基酮一起煎煮(產率：560mg(40%))。
1 H NMR(400MHz,THF-d8)：δ=8.39(d,J=1.6Hz,1H),8.11-8.14(m,1H),7.97-8.00(m,2H),7.61-7.71(m,4H),7.37-7.48(m,4H)。
MS(APCI(pos),m/z)：444(M+1),442(M+1),441(M+1)。
b)在氮氣下，將750mg(2.01mmol)2-碘-5-苯基-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、1.31g(4.02mmol)碳酸銫、77mg(0.40mmol)碘化銅(I)及93mg(0.80mmol)L-脯胺酸添加至含460mg(221mmol)咔唑之10ml二甲亞碸(DMSO)中。將反應混合物在120℃下在氮氣下攪拌23小時，傾倒入水中且過濾出產物。在矽膠上使用甲苯，接著使用甲苯/乙酸乙酯管柱層析產生產物。
1 H NMR(400MHz,THF-d8)：δ=8.30(d,J=2.0Hz,1H),8.21(d, J=7.8Hz,2H),8.03-8.11(m,3H),7.90(d,J=8.5Hz,1H),7.67-7.91(m,3H),7.47-7.55(m,2H),7.33-7.42(m,6H),7.25-7.29(m,2H)。
實例5
9-苯基-3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼-2-基)咔唑之合成描述於WO2012/023947A1中。將1.30g(2.87mmol)2-溴-5-二苯并呋喃-2-基-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑(實例1c)、3.21g(14.4mmol)磷酸三鉀單水合物、15ml二噁烷、50ml甲苯及10ml水添加至1.48g(3.45mmol)9-苯基-3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼-2-基)咔唑中。用氬氣使混合物脫氣。添加71mg(0.17mmol)2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(SPhos)及65mg(0.029mmol)乙酸鈀(II)。將反應混合物用氬氣脫氣且在100℃下，在氬氣下攪拌6小時。添加40ml 1%氰化鈉溶液且使反應混合物回流1小時。水相用二氯甲烷萃取且用20% HCl洗滌。用硫酸鎂乾燥有機相且蒸餾出溶劑。在矽膠上使用甲苯管柱層析得到產物。MS(APCI(pos),m/z)：615(M+1)。
實例6
a)在25℃下攪拌5.00g(17.7mmol)5-苯基苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、5.12g(15.9mmol)(二乙醯氧基碘)苯及4.03g(15.9mmol)碘28小時。將反應混合物傾倒入10%亞硫酸氫鈉溶液中。將產物過濾出，用水及乙醇洗滌，與乙醚一起煎煮，過濾出，用乙醚洗滌且與甲基乙基 酮(MEK)一起煎煮(產率：5.67g(87%))。
b)在氮氣下，在200℃下攪拌含5.00g(12.2mmol)2-碘-5-苯基-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、2.25g(13.4mmol)咔唑、2.53g(18.3mmol)碳酸鉀及470mg(2.44mmol)碘化亞銅之150ml NMP 25小時。蒸餾出溶劑。添加二氯甲烷且用水、30% NaOH、水及1-胺基-1-丙醇於水中之1M溶液洗滌有機相。有機相用硫酸鎂乾燥且在矽膠上過濾。在矽膠上使用甲苯/乙酸乙酯100/1管柱層析得到產物(產率：4.21g(77%))。
1 H NMR(400MHz,THF-d8)：δ=8.30(d,J=2.0Hz,1H),8.21(d,J=7.8Hz,2H),8.03-8.11(m,3H),7.90(d,J=8.5Hz,1H),7.67-7.91(m,3H),7.47-7.55(m,2H),7.33-7.42(m,6H),7.25-7.29(m,2H)。
實例7
a)在氮氣下，在20℃下攪拌含76.9g(0.460mol)咔唑及104g(0.460mol)1-碘吡咯啶-2,5-二酮(NIS)之100ml乙酸。在5小時後，過濾出產物。使用2g木炭自900ml乙醇結晶出產物。熱過濾乙醇溶液。冷卻乙醇溶液至20℃且過濾出產物(產率：59.5g(44%))。
b)在50℃下，在氮氣下攪拌含19.7g(67.0mmol)3-碘-9H-咔唑及2.95g(73.7mmol)氫化鈉於礦物油中之60%分散液的500ml四氫呋喃(THF)1小時。在20℃下，添加含12.8g(67.0mmol)4-甲基苯磺醯氯之100ml THF。反應混合物在20℃下攪拌1小時且接著在50℃下攪拌1小時。過濾溶液且蒸餾出溶劑。添加200ml乙酸乙酯且用檸檬酸、碳酸氫鈉及水之溶液洗滌有機相。部分移除溶劑直至產物開始結晶。過濾出產物且用甲醇洗滌(產率：23g(79%))。
c)在100℃下，在氮氣下攪拌含36.0g(174mmol)6H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、77.8(174mmol)3-碘-9-(對甲苯磺醯基)咔唑、106g(0.500mol)磷酸鉀、5.5g(28.9mmol)碘化亞銅及111g(0.972mol)反式-環己烷-1,2-二胺之900ml二噁烷48小時。將產物過濾出，用二噁烷及乙醇洗滌且不經純化即用於下一反應步驟。
d)在氮氣下，於5分鐘內將11.3g(202mmol)氫氧化鉀於500ml乙醇中之溶液添加至含53g(101mmol)5-[9-(對甲苯磺醯基)咔唑-3-基]苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑之500ml沸騰乙醇中。在5小時後，過濾出產物且用乙醇、水及甲醇洗滌(產率：32g(85.4%))。 1 H NMR(400MHz,DMSO-d6)：δ 11.6(s,1H),8.57(d,J=7.8Hz,1H),8.22-8.28(m,3H),7.74-7.82(m,2H),7.57-7.62(m,2H),7.38-7.54(m,4H),7.27-7.34(m,2H),7.20-7.24(m,1H)。
e)在氮氣下，使含480mg(1.29mmol)5-(9H-咔唑-3-基)苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、530mg(1.29mmol)2-碘-5-苯基-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、100mg(0.525mmol)碘化亞銅、1.06g(5.00mmol)磷酸鉀及1.00g(8.76mmol)反式-環己烷-1,2-二胺之10ml二噁烷回流6小時。過濾出產物且依次用二噁烷及甲醇洗滌(產率：440mg(52%))。 1 H NMR(400MHz,CDCl3)：δ 8.54(d,J=1.9Hz,1H),8.23(d,J=7.8Hz,1H),8.02-8.07(m,2H),7.88-7.93(m,4H),7.80-7.85(m,3H),7.48-7.72(m,9H),7.31-7.43(m,7H)
實例8
在150℃下，在氮氣下攪拌含1.00g(2.44mmol)2-碘-5-苯基-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、610mg(2.93mmol)6H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、93mg(0.49mmol)碘化亞銅、1.59g(4.489mmol)碳酸銫及113mg(0.98mmol)L-脯胺酸之10ml DMSO 43小時。將反應混合物傾倒入水中且過濾出產物。用水洗滌產物。在矽膠上依次使用19/1及1/1之甲苯/乙酸乙酯管柱層析得到產物(產率：220mg(18%))。 1 H NMR(400MHz,THF-d8)：δ 8.59(d,J=1.8Hz,1H),8.06-8.13(m,1H),8.00-8.06(m,4H),7.81-7.87(m,1H),7.75-7.81(m,1H),7.72-7.74(m,1H),7.50-7.69(m,4H),7.43-7.49(m,1H),7.31-7.42(m,4H),7.24-7.30(m,2H)。MS(APCI(pos),m/z)：489(M+1)。
實例9
用氬氣使1.00g(2.76mmol)2-溴-5-苯基-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、1.15g(3.31mmol)2-二苯并呋喃-4-基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼、1.91g(13.8mmol)碳酸鉀、10ml二噁烷、30ml二甲苯及7ml水脫氣。添加23mg(0.055mmol)2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(sPhos)及6.2mg(0.028mmol)乙酸鈀(II)。將反應混合物用氬氣脫氣且在120℃下，在氬氣下攪拌21小時。添加40ml 1%氰化鈉溶液且使反應混合物回流1小時。添加二氯甲烷且分離有機相。用硫酸鎂乾燥有機相且蒸餾出溶劑。將產物於甲苯中煎煮，過濾出且用甲苯洗滌(產 率：0.91g(73%))。 1 H NMR(400MHz,CDCl3)：δ 8.45(d,J=1.0Hz,1H),8.04-8.07(m,1H),7.99-8.00(m,6H),7.74-7.76(m,1H),7.66-7.71(m,3H),7.61-7.64(m,1H),7.49-7.54(m,3H),7.38-7.47(m,3H)。
實例10
a)在25℃下攪拌4.70g(10.8mmol)5-(3,5-二苯基苯基)苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑、3.30g(15.9mmol)(二乙醯氧基碘)苯及2.60g(10.3mmol)碘18小時。將反應混合物傾倒入10%亞硫酸氫鈉溶液中。將產物過濾出，用水及乙醇洗滌，與第三丁基甲基醚一起煎煮，過濾出且用第三丁基甲基醚洗滌(產率：5.64g(98%))。 1 H NMR(400MHz,DMSO-d6)：δ 8.62(d,J=1.6Hz,1H),8.36-8.38(m,1H),8.133(s,1H),8.129(s,1H),8.01-8.02(m,1H),7.87-7-89(m,4H),7.75-7.78(m,1H),7.59-7.61(m,1H),7.51-7.56(m,4H),7.43-7.47(m,5H)。
b)重複實例6b)，但其中使用實例10a)之產物代替2-碘-5-苯基-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑。 1 H NMR(400MHz,DMSO-d6)：δ 8.32(d,J=1.8Hz,1H),8.29(d,J=1.6Hz,2H),8.20-8.22(m,2H),8.11-8.13(m,1H),8.04-8.05(m,1H),7.85-7.95(m,6H),7.52-7.57(m,5H),7.36-7.47(m,8H),7.25-7.30(m,2H)。
實例11
重複實例6b)，但其中使用9-苯基-3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼-2-基)咔唑代替2-二苯并呋喃-4-基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼。 1 H NMR(400MHz,THF-d8)：δ 8.62(d,J=1.6Hz,1H),8.40(s,1H),8.31(d,J=7.7Hz,1H),8.20(d,J=7.3Hz,1H),8.05(d,J=7.7,2H),7.88(dd,J=1.6Hz,8.4Hz,1H),7.64-7.78(m,9 H),7.37-7.56(m,7H),7.29-7.33(m,1H)。MS(APCI(pos),m/z)：525(M+1)。
應用實例1
用作陽極之ITO基板首先在超音波浴中用丙酮/異丙醇混合物洗淨。為除去任何可能的有機殘餘物，再使基板在臭氧烘箱中暴露於連續臭氧流25分鐘。此處理亦改良ITO之電洞注入特性。接著，旋塗Plexcore® OC AJ20-1000(可購自Plextronics Inc.)且乾燥以形成電洞注入層(約40nm)。
此後，在約10-7至10-9毫巴下，藉由氣相沈積將以下所說明的有機材料以約0.5-5nm/min之速率施用於乾淨的基板。作為電洞傳輸及 激子阻擋材料，將(Ir(dpbic)3；關於製備參見申請案 WO2005/019373中之Ir錯合物(7))以20nm之厚度施用於基板，其中頭10nm摻雜有MoOx(約10%)以改良傳導性。隨後，藉由氣相沈積施用 40nm厚的10重量%之發射體化合物、5重量%之化合物 Ir(dpbic)3及85重量%之化合物 43)之混合物。隨後，藉由氣相沈積施用5nm厚的材料(A-43)作為阻 擋材料。此後，沈積由50重量%之及50重量 %之Liq組成之20nm厚的電子傳輸層。最後，2nm KF層 充當電子注入層且100nm厚的Al電極完成裝置。
所有製造部件用玻璃蓋及除氣劑密封於惰性氮氣氛圍中。
為表徵OLED，記錄在不同電流及電壓下的電致發光光譜。另外，結合所發射之光輸出量測電流電壓特性曲線。光輸出可藉由使用光度計校正而轉化為光度計參數。
1)外量子效率(EQE)為自物質或裝置漏出之生成光子數/流經其之 電子數。
應用實例2
如實例1般實現基板處理。
此後，在約10-7至10-9毫巴下，藉由氣相沈積將以下所說明的有機材料以約0.5-5nm/min之速率施用於乾淨的基板。作為電洞傳輸及 激子阻擋材料，將(Ir(dpbic)3；關於製備參見申請案 WO2005/019373中之Ir錯合物(7))以20nm之厚度施用於基板，其中頭10nm摻雜有MoOx(約10%)以改良傳導性。
隨後，藉由氣相沈積施用40nm厚的10重量%之發射體化合物 (Ir(ppy)3)、5重量%之化合物Ir(dpbic)3及85重量%之化合物 (A-43)之混合物。隨後，藉由氣相沈積施用5nm厚的材料(A-43)作為阻擋材料。此後，沈積由50重量%之化合物(C-1)及50重量%之Liq組成之20nm厚的電子傳輸層。最後，2nm KF層充當電子注入層且100nm厚的Al電極完成裝置。
所有製造部件用玻璃蓋及除氣劑密封於惰性氮氣氛圍中。如實例1進行裝置之表徵。
1)外量子效率(EQE)為自物質或裝置漏出之生成光子數/流經其之 電子數。
應用實例3
在環境條件下藉由溶液加工進行PL量測之樣品製備。因此，將 96重量%之化合物及4重量%之化合物 溶解於二氯甲烷中且藉由刀片刮抹沈積於石英基板上。
使用絕對量子產率量測系統「Quantaurus」(來自Hamamatsu,Japan)在室溫下在370nm之激發波長下量測PL光譜及PL量子效率。
比較應用實例1
如應用實例1般進行裝置製造，但其中化合物(A-43)用化合物 置換。
應用實例4
如比較應用實例1般製造裝置，但其中發射層中化合物V-1用化合 物置換。
下表清楚顯示化合物A-24與化合物V-1相比導致電壓降低及在類似量子效率下產生顯著藍移色彩。
應用實例5
如應用實例1般實現基板處理。
此後，在約10-7至10-9毫巴下，藉由氣相沈積將以下所說明的有機材料以約0.5-5nm/min之速率施用於乾淨的基板。
首先，將10nm厚的電洞傳輸層Ir(dpbic)3沈積於基板 上，其摻雜有MoOx(約10%)以改良傳導性。隨後沈積10nm厚的材料 作為阻擋材料。
接著，藉由氣相沈積施用40nm厚的10重量%之發射體化合物 、5重量%之化合物Ir(dpbic)3及85重量%之化合物(V-1)之 混合物。此後，沈積由50重量%之化合物(C-1)及50重量%之Liq組成之20nm厚的電子傳輸層。最後，2nm KF層充當電子注入層且100nm厚的Al電極完成裝置。
所有製造部件用玻璃蓋及除氣劑密封於惰性氮氣氛圍中。如實例1進行裝置之表徵。
比較應用實例2
如應用實例5般製造裝置，但其中阻擋材料A-51用化合物 (V-2；WO2011160757)置換。
如下表中所示，化合物A-51與化合物V-2相比因較佳電洞注入而導致電壓降低且因此亦產生較佳量子效率。

Claims (19)

  1. 一種下式化合物， 其中R1、R2、R3、R4、R5、R6及R7彼此獨立地為H、可視情況經E取代及/或間雜有D之C1-C25烷基；可視情況經G取代之C6-C24芳基，或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基；X1為式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16'之基團，o為0或1，p為0或1，q為0或1，r為0或1，A1、A2、A3及A4彼此獨立地為可視情況經G取代之C6-C24伸芳基或可視情況經G取代之C2-C30伸雜芳基；其中基團A1、A2、A3及A4可間雜有一或多個基團-(SiR17R18)-；X2為式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15、-NR10R11或Si(R12)(R13)(R14)之基團，v為0或1，s為0或1，t為0或1，u為0或1，A5、A6、A7及A8彼此獨立地為可視情況經G取代之C6-C24伸芳基，或可視情況經G取代之C2-C30伸雜芳基；其中基團A5、A6、A7及A8可間雜有一或多個基團-(SiR17R18)-；R10及R11彼此獨立地為可視情況經G取代之C6-C24芳基；或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基；或R10及R11與其所鍵結之氮原子一起形成雜芳環或環系統；R12、R13及R14彼此獨立地為可視情況經E取代及/或間雜有D之 C1-C25烷基；可視情況經G取代之C6-C24芳基；或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基；R15為可視情況經G取代之C6-C24芳基；或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基；R16'為可視情況經G取代之C6-C24芳基；或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基；R17及R18彼此獨立地為C1-C25烷基或C6-C24芳基，其可視情況經一或多個C1-C25烷基取代；D為-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR72-、-CR63=CR64-或-C≡C-，E為-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN或鹵素，G為E，或C1-C18烷基，C6-C24芳基，經F、C1-C18烷基或間雜有O之C1-C18烷基取代之C6-C24芳基；C2-C30雜芳基，或經F、C1-C18烷基或間雜有O之C1-C18烷基取代之C2-C30雜芳基；R63及R64彼此獨立地為H；C6-C18芳基；經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基；C1-C18烷基；或間雜有-O-之C1-C18烷基；R65及R66彼此獨立地為C6-C18芳基；經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基；C1-C18烷基；或間雜有-O-之C1-C18烷基；或R65與R66一起形成5員或6員環，R67為C6-C18芳基；經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基；C1-C18烷基；或間雜有-O-之C1-C18烷基，R68為H；C6-C18芳基；經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基；C1-C18烷基；或間雜有-O-之C1-C18烷基， R69為C6-C18芳基；經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基；C1-C18烷基；或間雜有-O-之C1-C18烷基，R70及R71彼此獨立地為C1-C18烷基、C6-C18芳基、或經C1-C18烷基取代之C6-C18芳基，及R72為C1-C18烷基、C6-C18芳基、或經C1-C18烷基取代之C6-C18芳基。
  2. 如請求項1之化合物，其為下式之化合物： 其中X1及X2係如請求項1所定義。
  3. 如請求項1或2之化合物，其中：X1為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16或-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16'之基團，o為0或1，p為0或1，q為0或1，r為0或1，A1、A2、A3及A4彼此獨立地為下式之基團：、 R16為下式之基團：或； R16'為下式之基團：、或 R21及R21'彼此獨立地為H、苯基或C1-C18烷基；R22及R23彼此獨立地為H或式或之基團；X為O、S或NR24，及R24為可視情況經G取代之C6-C24芳基或C2-C30雜芳基，其中G係如請求項1所定義。
  4. 如請求項1或2之化合物，其中：X1為式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16或-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16'之基團，o為0或1，p為0或1，q為0或1，r為0或1，A1、A2、A3及A4彼此獨立地為下式之基團： R16為下式之基團：或； R16'為下式之基團：、、或；及R21為式之基團。
  5. 如請求項1或2之化合物，其中X1為下式之基團：
  6. 如請求項1或2之化合物，其中X2為式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15之基團，v為0或1，s為0或1，t為0或1，u為0或1，A5、A6、A7及A8彼此獨立地為、、 R15為下式之基團：、、 R26、R27、R29及R32彼此獨立地為H或下式之基團：或； R30及R33彼此獨立地為下式之基團：、、 或；及R31為下式之基團：、、。
  7. 如請求項1或2之化合物，其中X2為式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15之基團，v為0或1，s為0或1，t為0或1，u為0或1，A5、A6、A7及A8彼此獨立地為、、 R15為下式之基團：、、、
  8. 如請求項1或2之化合物，其中X2為下式之基團：
  9. 如請求項1或2之化合物，其為下式之化合物： 其中所示X1及X2係選自下表中所定義者：
  10. 一種電子裝置，其包含如請求項1至9中任一項之化合物。
  11. 如請求項10之電子裝置，其為電致發光裝置。
  12. 一種電洞傳輸層，其包含如請求項1至9中任一項之化合物。
  13. 一種電子/激子阻擋層，其包含如請求項1至9中任一項之化合物。
  14. 一種發射層，其包含如請求項1至9中任一項之化合物。
  15. 如請求項14之發射層，其中該化合物係作為主體材料且係與磷光發射體組合。
  16. 一種設備，其選自由以下組成之群：固定視覺顯示單元、移動視覺顯示單元、照明單元、鍵盤、衣物(items of clothing)、家俱、壁紙，其包含如請求項10或11之電子裝置、如請求項12之電洞傳輸層、如請求項13之電子/激子阻擋層、或如請求項14之發射層。
  17. 一種如請求項1至9中任一項之化合物之用途，其係用於電子照相感光器、光電轉換器、有機太陽能電池、開關元件、有機發光場效電晶體、影像感測器、染料雷射及電致發光裝置。
  18. 一種製備下式化合物之方法， 其包含鹵化下式化合物， 其中X3為Cl、Br或I；且R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及X1係如請求項1所定義。
  19. 一種下式化合物， 其中X1係如請求項1所定義，或為式A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16"之基團，X3為式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15'之基團，其中R15'及R16"彼此獨立地為Cl、Br、I、ZnX12，X12為鹵素原子；-SnR207R208R209，其中R207、R208及R209相同或不同且為H或C1-C8烷基，其中兩個基團視情況形成常見環且此等基團視情況分支或未分支；- B(OH)2、-B(OY1)2、、、-BF4Na或-BF4K，其中Y1在每次出現時獨立地為C1-C18烷基，且Y2在每次出現時獨立地為C2-C10伸烷基，且Y13及Y14彼此獨立地為氫或C1-C18烷基，且p、q、r、A1、A2、A3、A4、s、t、u、v、A5、A6、A7、A8、R1、R2、R3、R4、R5、R6及R7係如請求項1所定義。
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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108191870A (zh) 2012-07-10 2018-06-22 Udc 爱尔兰有限责任公司 用于电子应用的苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑衍生物
EP3318566B1 (en) * 2012-09-20 2020-06-24 UDC Ireland Limited Azadibenzofurans for electronic applications
US20150311453A1 (en) * 2012-11-30 2015-10-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescence element and illumination device
US10128448B2 (en) 2013-04-29 2018-11-13 Udc Ireland Limited Transition metal complexes with carbene ligands and the use thereof in OLEDs
BR112016002446A2 (pt) 2013-08-05 2017-08-01 Basf Se composto de naftalenobenzimidazol cianado, mistura de compostos de naftalenobenzimidazol cianado, conversor de cor, uso de um conversor de cor, dispositivo de luminosidade, e, dispositivo para produção de energia elétrica mediante iluminação
WO2015063046A1 (en) 2013-10-31 2015-05-07 Basf Se Azadibenzothiophenes for electronic applications
EP3126368B1 (en) * 2014-03-31 2020-04-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd Silyl-benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole as host for organic light emitting diodes
EP3126371B1 (en) 2014-03-31 2021-11-10 UDC Ireland Limited Metal complexes, comprising carbene ligands having an o-substituted non-cyclometalated aryl group and their use in organic light emitting diodes
EP3137458B1 (de) 2014-04-30 2019-04-24 Merck Patent GmbH Materialien für elektronische vorrichtungen
EP3174885B1 (en) 2014-07-28 2019-10-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 2,9-functionalized benzimidazolo[1,2-a]benzimidazoles as hosts for organic light emitting diodes (oleds)
EP2982676B1 (en) 2014-08-07 2018-04-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazo[2,1-B]benzoxazoles for electronic applications
WO2016020516A1 (en) 2014-08-08 2016-02-11 Basf Se Electroluminescent imidazo-quinoxaline carbene metal complexes
EP2993215B1 (en) 2014-09-04 2019-06-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Azabenzimidazo[2,1-a]benzimidazoles for electronic applications
KR102308117B1 (ko) 2014-10-17 2021-10-01 삼성전자주식회사 카바졸계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
EP3015469B1 (en) 2014-10-30 2018-12-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 5-(benzimidazol-2-yl)benzimidazo[1,2-a]benzimidazoles for electronic applications
KR102512938B1 (ko) 2014-11-18 2023-03-23 유디씨 아일랜드 리미티드 유기 발광 다이오드에 사용하기 위한 Pt- 또는 Pd-카르벤 착체
EP3034506A1 (en) 2014-12-15 2016-06-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd 4-functionalized carbazole derivatives for electronic applications
EP3034507A1 (en) 2014-12-15 2016-06-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd 1-functionalized dibenzofurans and dibenzothiophenes for organic light emitting diodes (OLEDs)
EP3054498B1 (en) * 2015-02-06 2017-09-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Bisimidazodiazocines
EP3061759B1 (en) 2015-02-24 2019-12-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd Nitrile substituted dibenzofurans
EP3072943B1 (en) 2015-03-26 2018-05-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dibenzofuran/carbazole-substituted benzonitriles
EP3075737B1 (en) 2015-03-31 2019-12-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying aryl- or heteroarylnitril groups for organic light emitting diodes
EP3328860B2 (en) 2015-07-28 2022-11-02 UDC Ireland Limited Process for the preparation of benzimidazo[1,2-a]benzimidazoles
JP2018206785A (ja) * 2015-09-18 2018-12-27 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP3150606B1 (en) 2015-10-01 2019-08-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazoles carrying benzofurane or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
EP3150604B1 (en) * 2015-10-01 2021-07-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolylyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
EP3356369B1 (en) 2015-10-01 2022-05-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying triazine groups for organic light emitting diodes
US20180291028A1 (en) * 2015-10-01 2018-10-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
US10593892B2 (en) 2015-10-01 2020-03-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2017078182A1 (en) 2015-11-04 2017-05-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazole fused heteroaryls
WO2017093958A1 (en) 2015-12-04 2017-06-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole derivatives for organic light emitting diodes
KR102684614B1 (ko) 2015-12-21 2024-07-15 유디씨 아일랜드 리미티드 삼각형 리간드를 갖는 전이 금속 착체 및 ｏｌｅｄ에서의 이의 용도
WO2017109722A1 (en) 2015-12-21 2017-06-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogen-containing heterocyclic compounds and organic electroluminescence devices containing them
KR102597025B1 (ko) * 2016-07-18 2023-11-02 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN106467549B (zh) * 2016-08-03 2019-03-22 江苏三月光电科技有限公司 一种含有苯并咪唑的化合物及其在有机电致发光器件上的应用
CN106565720A (zh) * 2016-11-14 2017-04-19 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳香族胺类衍生物及其制备方法和应用
WO2018124313A1 (en) 2016-12-29 2018-07-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogen-containing heterocyclic compounds for organic light emitting devices
US10840459B2 (en) * 2017-05-18 2020-11-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10934293B2 (en) 2017-05-18 2021-03-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11174259B2 (en) * 2017-06-23 2021-11-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102671945B1 (ko) * 2017-10-06 2024-06-03 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 디바이스용 재료
WO2019170691A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-12 Merck Patent Gmbh Compounds for electronic devices
KR20200128727A (ko) 2018-03-09 2020-11-16 메르크 파텐트 게엠베하 전자 디바이스용 화합물
US11476425B2 (en) * 2018-09-28 2022-10-18 Lt Materials Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light emitting element comprising same
US11706980B2 (en) 2018-11-28 2023-07-18 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11512093B2 (en) 2019-03-04 2022-11-29 Universal Display Corporation Compound used for organic light emitting device (OLED), consumer product and formulation
CN111689967B (zh) * 2019-03-14 2022-06-14 上海和辉光电股份有限公司 一种有机发光材料及其制备方法和应用
WO2024033282A1 (en) 2022-08-09 2024-02-15 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
WO2024153568A1 (de) 2023-01-17 2024-07-25 Merck Patent Gmbh Heterocyclen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011160757A1 (de) * 2010-06-22 2011-12-29 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen

Family Cites Families (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2321791A1 (en) 1998-03-18 1999-09-23 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Coupling reactions with palladium catalysts
JP3907142B2 (ja) * 1998-08-18 2007-04-18 富士フイルム株式会社 有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子
DE60031729T2 (de) 1999-05-13 2007-09-06 The Trustees Of Princeton University Lichtemittierende, organische, auf elektrophosphoreszenz basierende anordnung mit sehr hoher quantenausbeute
EP1252803B2 (en) 1999-12-01 2015-09-02 The Trustees Of Princeton University Complexes of form l2mx as phosphorescent dopants for organic leds
JP2001160488A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Konica Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US6565994B2 (en) 2000-02-10 2003-05-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light emitting device material comprising iridium complex and light emitting device using same material
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
AU2002222922A1 (en) 2000-07-13 2002-01-30 Intier Automotive Inc. Seat assembly for a motor vehicle having a positionable seat belt tower
US7306856B2 (en) 2000-07-17 2007-12-11 Fujifilm Corporation Light-emitting element and iridium complex
EP1325671B1 (en) 2000-08-11 2012-10-24 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP4344494B2 (ja) 2000-08-24 2009-10-14 富士フイルム株式会社 発光素子及び新規重合体子
JP4067286B2 (ja) 2000-09-21 2008-03-26 富士フイルム株式会社 発光素子及びイリジウム錯体
JP4154138B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子、表示装置及び金属配位化合物
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4086499B2 (ja) 2000-11-29 2008-05-14 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
JP4154145B2 (ja) 2000-12-01 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
US6924291B2 (en) 2001-01-23 2005-08-02 Merck & Co., Inc. Process for making spiro isobenzofuranone compounds
CN1499972A (zh) 2001-01-26 2004-05-26 ����˹�ж�-����˹˹������˾ 用作促肾上腺皮质激素释放因子抑制剂的咪唑基衍生物
DE10104426A1 (de) 2001-02-01 2002-08-08 Covion Organic Semiconductors Verfahren zur Herstellung von hochreinen, tris-ortho-metallierten Organo-Iridium-Verbindungen
JP4218312B2 (ja) 2002-11-07 2009-02-04 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
GB0323137D0 (en) 2003-10-03 2003-11-05 Chang Lisa C W 2,4,6- Trisubstituted pyrimidines and their different uses
KR100647583B1 (ko) * 2003-10-07 2006-11-17 삼성에스디아이 주식회사 이미다졸 고리 함유 화합물 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자
KR100553752B1 (ko) 2003-10-13 2006-02-20 삼성에스디아이 주식회사 이미다졸 고리 함유 화합물 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자
WO2005113704A2 (en) 2004-05-18 2005-12-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
DE102004057072A1 (de) 2004-11-25 2006-06-01 Basf Ag Verwendung von Übergangsmetall-Carbenkomplexen in organischen Licht-emittierenden Dioden (OLEDs)
WO2006060294A2 (en) 2004-11-30 2006-06-08 Kelly Stephen M Blue emissive oled materials
EP2080796A1 (en) 2004-12-23 2009-07-22 Ciba Holding Inc. Electroluminescent metal complexes with nucleophilic carbene ligands
DE102005014284A1 (de) 2005-03-24 2006-09-28 Basf Ag Verwendung von Verbindungen, welche aromatische oder heteroaromatische über Carbonyl-Gruppen enthaltende Gruppen verbundene Ringe enthalten, als Matrixmaterialien in organischen Leuchtdioden
GB2439030B (en) 2005-04-18 2011-03-02 Konica Minolta Holdings Inc Organic electroluminescent device, display and illuminating device
TWI418606B (zh) 2005-04-25 2013-12-11 Udc Ireland Ltd 有機電致發光裝置
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
ATE455162T1 (de) 2005-05-30 2010-01-15 Basf Se Elektrolumineszenz-gerät
JP5017858B2 (ja) 2005-12-27 2012-09-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5181676B2 (ja) 2006-01-05 2013-04-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
EP1981898B2 (en) 2006-02-10 2019-04-10 Universal Display Corporation Metal complexes of imidazo[1,2-f]phenanthridine ligands for use in OLED devices
WO2007101820A1 (en) 2006-03-08 2007-09-13 Ciba Holding Inc. Palladium catalyzed polymerization reaction
EP3081619A1 (en) 2006-03-23 2016-10-19 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and illuminating device
EP2007781B1 (de) 2006-04-04 2012-09-12 Basf Se Übergangsmetallkomplexe, enthaltend einen nicht-carben- und ein oder zwei carbenliganden und deren verwendung in oleds
ATE550342T1 (de) 2006-04-05 2012-04-15 Basf Se Heteroleptische übergangsmetall-carben-komplexe und deren verwendung in organischen leuchtdioden (oleds)
JP5081821B2 (ja) 2006-06-02 2012-11-28 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009541431A (ja) 2006-06-26 2009-11-26 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 非カルベン経由のシクロメタル化のない遷移金属−カルベン錯体の利用
KR101069302B1 (ko) 2006-09-21 2011-10-05 바스프 에스이 수명이 연장된 ｏｌｅｄ 디스플레이
KR101030007B1 (ko) 2007-06-15 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 헤테로방향환 함유 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한유기 발광 소자
CN101896494B (zh) 2007-10-17 2015-04-08 巴斯夫欧洲公司 具有桥连碳烯配体的过渡金属配合物及其在oled中的用途
KR101612135B1 (ko) 2007-10-17 2016-04-12 바스프 에스이 가교된 카르벤 리간드를 갖는 전이 금속 착체 및 ｏｌｅｄ에 있어서의 이의 용도
JP5621187B2 (ja) * 2008-08-06 2014-11-05 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
CN102272261B (zh) 2008-11-11 2014-02-26 通用显示公司 磷光发射体
TWI475011B (zh) 2008-12-01 2015-03-01 Tosoh Corp 1,3,5-三氮雜苯衍生物及其製造方法、和以其為構成成分之有機電致發光元件
JP2010138121A (ja) 2008-12-12 2010-06-24 Canon Inc トリアジン化合物及びこれを用いた有機発光素子
US9458182B2 (en) 2009-01-07 2016-10-04 Basf Se Silyl- and heteroatom-substituted compounds selected from carbazoles, dibenzofurans, dibenzothiophenes and dibenzophospholes, and use thereof in organic electronics
DE102009007038A1 (de) 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
JP5355171B2 (ja) 2009-03-25 2013-11-27 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
JP5568354B2 (ja) * 2009-03-31 2014-08-06 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI496772B (zh) 2009-04-28 2015-08-21 Universal Display Corp 具有甲基－ｄ３取代之銥錯合物
KR20110008784A (ko) 2009-07-21 2011-01-27 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101431644B1 (ko) 2009-08-10 2014-08-21 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
US20120205645A1 (en) 2009-10-28 2012-08-16 Basf Se Heteroleptic carbene complexes and the use thereof in organic electronics
KR101951851B1 (ko) 2009-12-14 2019-02-26 유디씨 아일랜드 리미티드 디아자벤즈이미다졸로카르벤 리간드를 포함하는 금속 착물 및 ｏｌｅｄ에서의 그의 용도
KR20110093055A (ko) 2010-02-11 2011-08-18 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
KR102132102B1 (ko) 2010-08-20 2020-07-09 유니버셜 디스플레이 코포레이션 Ｏｌｅｄ를 위한 바이카르바졸 화합물
JP5750112B2 (ja) * 2010-09-13 2015-07-15 新日鉄住金化学株式会社 含窒素芳香族化合物、有機半導体材料及び有機電子デバイス
US9079872B2 (en) * 2010-10-07 2015-07-14 Basf Se Phenanthro[9, 10-B]furans for electronic applications
KR20120047038A (ko) * 2010-11-03 2012-05-11 에스에프씨 주식회사 아민 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
JP6012024B2 (ja) 2010-12-13 2016-10-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 電子装置用途のためのビスピリミジン
EP3034508B1 (en) 2011-03-25 2019-12-04 UDC Ireland Limited 4h-imidazo[1,2-a]imidazoles for electronic applications
US9806270B2 (en) 2011-03-25 2017-10-31 Udc Ireland Limited 4H-imidazo[1,2-a]imidazoles for electronic applications
EP2764034B1 (en) 2011-10-04 2023-08-30 CLAP Co., Ltd. Polymers based on benzodiones
EP2592422A1 (en) 2011-11-08 2013-05-15 Zora Biosciences OY Lipidomic biomarkers for the prediction of cardiovascular outcomes in coronary artery disease patients undergoing statin treatment
CN103917542B (zh) 2011-11-10 2018-03-27 Udc 爱尔兰有限责任公司 用于电子应用的4H‑咪唑并[1,2‑a]咪唑
WO2013108997A1 (ko) 2012-01-18 2013-07-25 덕산하이메탈(주) 유기전기소자용 화합물, 이를 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN108191870A (zh) * 2012-07-10 2018-06-22 Udc 爱尔兰有限责任公司 用于电子应用的苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑衍生物
EP3318566B1 (en) * 2012-09-20 2020-06-24 UDC Ireland Limited Azadibenzofurans for electronic applications
EP3126368B1 (en) * 2014-03-31 2020-04-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd Silyl-benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole as host for organic light emitting diodes
EP3075737B1 (en) * 2015-03-31 2019-12-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying aryl- or heteroarylnitril groups for organic light emitting diodes
US10910577B2 (en) * 2017-03-28 2021-02-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10840459B2 (en) * 2017-05-18 2020-11-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10930862B2 (en) * 2017-06-01 2021-02-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11910699B2 (en) * 2017-08-10 2024-02-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10608188B2 (en) * 2017-09-11 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10971687B2 (en) * 2017-12-14 2021-04-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11957050B2 (en) * 2018-02-09 2024-04-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11716899B2 (en) * 2018-11-28 2023-08-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11919914B2 (en) * 2019-10-25 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011160757A1 (de) * 2010-06-22 2011-12-29 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen

Also Published As

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TW201410678A (zh) 2014-03-16
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