TWI671601B - 以來自光源的光曝光基板的方法和製造物品的方法 - Google Patents

以來自光源的光曝光基板的方法和製造物品的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI671601B
TWI671601B TW105117380A TW105117380A TWI671601B TW I671601 B TWI671601 B TW I671601B TW 105117380 A TW105117380 A TW 105117380A TW 105117380 A TW105117380 A TW 105117380A TW I671601 B TWI671601 B TW I671601B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
substrate
exposure amount
information
exposure
Prior art date
Application number
TW105117380A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201715312A (zh
Inventor
佐野裕貴
山本哲也
Original Assignee
日商佳能股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商佳能股份有限公司 filed Critical 日商佳能股份有限公司
Publication of TW201715312A publication Critical patent/TW201715312A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI671601B publication Critical patent/TWI671601B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/201Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

一種以來自光源的光曝光基板的方法,該方法包含:在對於該基板上之拍攝區域之曝光處理中,當在一轉速旋轉一旋轉快門時,基於指示該旋轉快門之轉速及該基板上的曝光量間之關係的第一資訊,藉由控制單元來匹配該基板上的曝光量與目標曝光量,而不會停止該旋轉快門之旋轉,以便造成由該旋轉快門屏蔽該光的第一狀態變換至該光通過該旋轉快門之第二狀態,且接著回至該第一狀態;和基於關於該光的照度中之變化的第二資訊,藉由該控制單元來更新該第一資訊。

Description

以來自光源的光曝光基板的方法和製造物品的方法
本發明有關曝光設備及製造物品的方法。
基於步進器方案(連續曝光方案)而使用紫外線燈之曝光設備使用旋轉快門,用於實施開啟/關閉來自該紫外線燈的曝光光線之功能、亦即控制光的入射在基板上之功能。該旋轉快門係由包括光屏蔽部份的旋轉本體所形成,該光屏蔽部份屏蔽光線。該曝光光線進入基板期間之時間係藉由旋轉該旋轉快門所控制,藉此獲得目標曝光量。
當作驅動及控制該旋轉快門的模式,譬如,整合式曝光控制模式係可用的。於該整合式曝光控制模式中,首先,該旋轉快門被驅動(旋轉),以造成由曝光光線被屏蔽之狀態(光屏蔽狀態)變換至曝光光線被透射的狀態(光透射狀態)。於此光透射狀態中,該旋轉快門被停止。在該曝光量抵達該目標曝光量之前,該旋轉快門被驅動至造成由該光透射狀態變換至該光屏蔽狀態。於此案例中,該旋轉快門的驅動開始之時機考慮進入基板直至由該 光透射狀態變換至該光屏蔽狀態係完成的曝光光線、亦即曝光量而被決定。於該整合式曝光控制模式中,其係可能精確地控制曝光量。然而,該旋轉快門必需每曝光製程被驅動兩次。因此,縮短用於曝光處理所需要之時間係一挑戰。
因此,為了縮短該旋轉快門的驅動時間,日本專利特許公開申請案第4-229843號已提出不會停止地連續驅動該旋轉快門直至該光屏蔽狀態在變換至該光透射狀態之後被恢復的模式、亦即所謂之連續驅動模式。於該連續驅動模式中,該旋轉快門的轉速及曝光量間之關係預先被獲得,且該旋轉快門的轉速被控制,以基於所獲得之關係來獲得目標曝光量。
當作與該旋轉快門的驅動及控制有關聯之技術,日本專利特許公開申請案第2008-118062號已提出對於一批基板的第一基板執行低速曝光模式、及對於該批基板之第二及隨後基板執行高速曝光模式的技術。於該低速曝光模式中,雖然進入基板之曝光光線的強度被減少,對應於來自光學感測器之輸出的脈衝計數被計數,且當該脈衝計數抵達目標脈衝計數時,該旋轉快門被關上,並儲存該旋轉快門之打開時間。對比於此,在該高速曝光模式中,首先,用於該第二及隨後基板的目標曝光光線係由在該低速曝光模式中所儲存之旋轉快門的打開時間所校正,藉此計算最後之目標曝光量。該旋轉快門的轉速接著被決定,以基於被儲存在記憶體中而指示該旋轉快門的轉速及曝光量間之 關係的近似值函數或表格,而變成該最後之目標曝光量。
然而,當作用於曝光光線的光源之紫外線燈隨著使用的時間,所獲得之照度遞減。因此,於日本專利特許公開申請案第4-229843號中所揭示的連續驅動模式中,該旋轉快門之最佳轉速相對一目標曝光量按照該紫外線燈的使用時間改變。所以,於該連續驅動模式中,基於該旋轉快門之曝光量的準確性遞減,且實際曝光量由目標曝光量偏離,藉此未能獲得想要之曝光結果。
為了避免此一問題,該旋轉快門的轉速及曝光量間之關係可藉由定期維護再次被獲得,以基於該旋轉快門在預定範圍內維持曝光量的準確性。為維持近來需要之曝光量的準確性,其係需要縮短維護週期。這導致曝光設備之操作率及生產力的減少。
此外,在日本專利特許公開申請案第2008-118062號中所揭示之技術不考慮紫外線燈的使用時間、亦即曝光光線之照度中的減少。因此,縱使該旋轉快門之轉速係藉由使用被儲存在該記憶體中而指示該旋轉快門的轉速及曝光量間之關係的近似值函數或表格所決定,最後之目標曝光量不能被獲得,因該紫外線燈的使用時間增加。
本發明在滿足用於基板上之曝光量的準確性及生產力之兩需求中提供有利的曝光設備。
根據本發明之一態樣,提供有曝光基板的曝光設備, 該設備包括:旋轉快門,包括光屏蔽部份,其屏蔽來自光源之光,且被建構來控制該光的入射至該基板上;及控制單元,被建構來控制該旋轉快門之轉速,以便當在該轉速旋轉該旋轉快門時,基於指示該旋轉快門之轉速及該基板上的曝光量間之關係的第一資訊,在對於該基板上之拍攝區域之曝光處理中匹配該基板上的曝光量與目標曝光量,而不會停止該旋轉快門之旋轉,以便造成由該旋轉快門屏蔽該光的第一狀態變換至該光通過該旋轉快門之第二狀態,且接著回至該第一狀態,其中該控制單元基於關於光的照度中之變化的第二資訊來更新該第一資訊。
本發明之進一步態樣將參考所附圖式與以下示範實施例的敘述而變得明顯。
1‧‧‧紫外線燈
2‧‧‧橢圓鏡
3‧‧‧旋轉快門
4‧‧‧透鏡
5‧‧‧半鏡片
6‧‧‧馬達
7‧‧‧編碼器
8‧‧‧偵測器
10‧‧‧電流驅動器
11‧‧‧頻率電壓轉換器
12‧‧‧電壓頻率轉換器
13‧‧‧伺服放大器
14‧‧‧倍增器
15‧‧‧位置計數器
16‧‧‧曝光量計數器
17‧‧‧控制單元
17a‧‧‧中央處理單元
17b‧‧‧記憶體
20‧‧‧增益控制資料
21‧‧‧主要命令值
22‧‧‧位置資料
23‧‧‧曝光量資料
24‧‧‧次要命令值
100‧‧‧曝光設備
301‧‧‧光屏蔽部份
302‧‧‧開口部份
IL‧‧‧照明光學系統
LS‧‧‧光源單元
圖1係概要視圖,顯示當作本發明之一態樣的曝光設備之配置。
圖2係曲線圖,顯示該旋轉快門之驅動狀態及在該連續驅動模式中之基板上的照度間之關係。
圖3係曲線圖,顯示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的範例。
圖4係一視圖,顯示指示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格之範例。
圖5係一視圖,顯示指示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格之範例。
圖6係一視圖,顯示指示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格之範例。
圖7係曲線圖,顯示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的範例。
圖8係一視圖,用於說明更新指示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格之時機。
圖9係曲線圖,顯示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的範例。
圖10係一視圖,顯示指示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的可變表格之範例。
圖11係曲線圖,顯示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的範例。
圖12係一視圖,顯示指示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的可變表格之範例。
圖13係曲線圖,顯示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的範例。
圖14係一視圖,顯示指示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的可變表格之範例。
圖15係曲線圖,顯示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的範例。
圖16係一視圖,顯示指示該旋轉快門之轉速及基板上的曝光量間之關係的可變表格之範例。
圖17係曲線圖,隨著光源單元的使用時間顯示照度中之時間變化的範例。
本發明之較佳實施例將參考所附圖式被敘述。注意遍及該等圖式之該等相同的參考數字標明相同之構件,且其重復的敘述將不被給與。
圖1係概要視圖,顯示當作本發明之一態樣的曝光設備100之配置。該曝光設備100係微影設備,其被用於當作物品的裝置、諸如半導體裝置、液晶顯示器裝置、及薄膜磁頭之製造,且曝光基板。於此實施例中,該曝光設備100藉由該步進器系統將光罩(罩幕)圖案轉印至基板上。
該曝光設備100包括照明光學系統IL,其以來自光源單元LS的光照明光罩(未示出);投射光學系統(未示出),其將光罩圖案投射至基板上;偵測器8;電流驅動器10;頻率電壓轉換器11;及電壓頻率轉換器12。該曝光設備100亦包括伺服放大器13、倍增器14、位置計數器15、曝光量計數器16、及控制單元17。
該光源單元LS包括發射用於曝光基板之光(曝光光線)的紫外線燈1、及收集來自該紫外線燈1之光及引導該光至該照明光學系統IL的橢圓鏡2。該照明光學系統IL包括旋轉快門3,其被使用於控制光罩被以來自該光源單元LS之光照明期間的時間,亦即控制光之入射至基板上;透鏡4;半鏡片5;馬達6;編碼器7。
該旋轉快門3係由包括屏蔽來自該光源單元LS的光 之三個光屏蔽部份301、及使來自該光源單元LS的光通過之三個開口部份302的旋轉本體所形成。該馬達6係用於旋轉該旋轉快門3之驅動來源。該編碼器7係用於偵測該旋轉快門3的旋轉之偵測器。通過該旋轉快門3的光經過該透鏡4進入該半鏡片5。進入該半鏡片5之光的部份、譬如藉由該半鏡片5所反射之光被導引至用作偵測來自該光源單元LS的光之照度的偵測單元之偵測器8、或測量基板上的曝光量之測量單元。假設曝光量係藉由光的照度與時間之乘積所界定。
電流驅動器10藉由供給電流至該馬達6來驅動該馬達6。該FVC(頻率電壓轉換器)11將與該旋轉快門3的轉速成比例之由該編碼器7輸出的脈衝串轉換成電壓。該VFC(電壓頻率轉換器)12將與基板上之曝光量成比例的由該偵測器8輸出之類比電壓轉換成脈衝串。
該伺服放大器13將與該旋轉快門3的實際轉速及次要命令值24間之差異成比例的輸出供給至該電流驅動器10,以便匹配該旋轉快門3之實際轉速與該次要命令值24(藉由該次要命令值24所標示的旋轉快門3之轉速)。該倍增器14基於標示該旋轉快門3的轉速之主要命令值21及增益控制資料20產生該次要命令值24。
該位置計數器15藉由監視該旋轉快門3的旋轉位置來輸出位置資料22。藉由計數由該VFC 12所輸出之脈衝,該曝光量計數器16監視進入該偵測器8之光的時間整合式數量、亦即基板上之曝光量,藉此輸出曝光量資料 23。
該控制單元17包括CPU(中央處理單元)17a及記憶體(儲存單元)17b,並控制該曝光設備100的整體。譬如,該控制單元17施行曝光處理,以藉由廣泛地控制該曝光設備100之個別單元來曝光基板上的拍攝區域。該控制單元17於該連續驅動模式中驅動及控制該旋轉快門3。更明確地是,當為拍攝區域施行曝光處理時,該控制單元17旋轉該旋轉快門3,以便造成由該光屏蔽部份301屏蔽來自該光源單元LS之光的第一狀態變換至來自該光源單元LS之光通過該開口部份302的第二狀態,且接著回至該第一狀態。注意當曝光拍攝區域時,該控制單元17不會停止該旋轉快門3之旋轉。此外,於此實施例中,該控制單元17決定及控制該旋轉快門3的轉速,以便在對於基板上之拍攝區域之曝光處理中匹配基板上的曝光量與目標曝光量。當該旋轉快門3係在該轉速旋轉時,該記憶體17b儲存指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的第一資訊,以造成由該第一狀態變換至該第二狀態,且接著回至該第一狀態,而不會停止該旋轉快門3之旋轉。於此案例中,該第一資訊包括指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格或函數。
圖1所示曝光設備100之配置係一範例,且不會限制該曝光設備100的配置。譬如,該曝光量計數器16可藉由將由該偵測器8所輸出之類比電壓輸入至AD轉換器來計算曝光量。
圖2係曲線圖,於該連續驅動模式中顯示該旋轉快門3之驅動狀態及基板上的照明間之關係。假設於此案例中,該旋轉快門3由該旋轉快門3的光屏蔽部份301完全地屏蔽來自該光源單元LS之光的狀態、亦即該第一狀態開始旋轉。參考圖2,緊接在該旋轉快門3之旋轉的開始之後,沒有發生變換至來自該光源單元LS之光通過該旋轉快門3的開口部份302的狀態、亦即該第二狀態。亦即,甚至在該旋轉快門3之旋轉的開始之後,該第一狀態持續。
當來自該光源單元LS的光抵達該光屏蔽部份301之端部時,該光逐漸通過該開口部份302。當在該相反側面上的光之末端部份抵達該光屏蔽部份301之端部時,發生變換至光完全通過該開口部份302的狀態、亦即該第二狀態。當來自該光源單元LS之光的末端部份抵達該旋轉快門3之下一光屏蔽部份301的端部時,變換開始發生至該第一狀態,且該相反側面上的光之末端部份被該光屏蔽部份301所覆蓋,以完全地屏蔽該光。其結果是,該第一狀態再次被設定。
圖2亦顯示於該連續驅動模式中的曲線圖,指示基板上之曝光量。此曲線圖指示沿著該縱坐標進入基板的光之照度、及沿著該橫坐標的時間。如上述,進入基板之光的照度整合值變成該基板上之曝光量。於該連續驅動模式中,由第一狀態經過該第二狀態至該第一狀態的一系列操作係藉由旋轉該旋轉快門3所施行一次,而不會停止該旋 轉快門3之旋轉。因此,於該連續驅動模式中,基板上的曝光量係在來自該光源單元LS之光通過該旋轉快門3的開口部份302的狀態中,藉由該旋轉快門3之轉速及來自該光源單元LS的光之照度所決定。
在另一方面,既然來自包括該紫外線燈1之光源單元LS的光之照度暫時地改變,該曝光量亦在該旋轉快門3之轉速保持相同的條件之下按照照度改變。為此緣故,於此實施例中,在該連續驅動模式中,為了維持基板上的曝光量之準確性(亦即,以精確地控制基板上的曝光量),關於來自該光源單元LS之光的照度之第二資訊被獲得及反饋用於該旋轉快門3的驅動。這使其可能控制該旋轉快門3之轉速,以便在對於該基板上的拍攝區域之曝光處理中匹配基板上的曝光量與目標曝光量。於此案例中,如將稍後被敘述者,該第二資訊包括基板上之曝光量中的時間變化及來自該光源單元LS之光的照度之時間變化的至少一者。下面所敘述之每一實施例將明確地舉例說明該旋轉快門3上的控制,以便維持基板上之曝光量的準確性,甚至當來自該光源單元LS之光的照度已改變時。
<第一實施例>
當該紫外線燈1被替換時,當作一參考之該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係被獲得。亦即,當該旋轉快門3係在該連續驅動模式中被旋轉時,該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係被獲得。圖3係曲線 圖,顯示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的範例。
參考圖3,當該旋轉快門3之轉速係低時,既然來自該光源單元LS的光通過該開口部份302之第二狀態的時間係長的,基板上之曝光量係大的。當該旋轉快門3之轉速增加時,該基板上的曝光量減少。譬如,當該旋轉快門3係在轉速RVA1旋轉時,該偵測器8測量該基板上之曝光量EXA1。同樣地,當該旋轉快門3係在轉速RVB1、RVC1及RVD1旋轉時,該偵測器8偵測該基板上之曝光量EXB1、EXC1及EXD1。以此方式,在此實施例中,相對於該旋轉快門3的轉速RVA1、RVB1、RVC1及RVD1,對應於該等個別轉速之基板上的曝光量EXA1、EXB1、EXC1及EXD1被獲得。圖4係一視圖,顯示藉由在圖3所示地表達該旋轉快門3之轉速及該基板上的曝光量間之關係所獲得的表格(第一資訊)TB1之範例,而呈表格的形式。圖4所示表格TB1被儲存於該控制單元17之記憶體17b中。
該控制單元17(CPU 17a)能基於該記憶體17b中所儲存之表格TB1獲得基板上的曝光量,其對應於該旋轉快門3之轉速,其未藉由該偵測器8所測量,且藉由線性地內插在該基板上被該偵測器8所測量之曝光量。更明確地是,如圖3所示,該控制單元17決定對應於該轉速RVA1之曝光量EXA1及對應於該轉速RVB1的曝光量EXB1間之線性相關表達(函數)LR1。該控制單元17能 接著由該線性相關表達LR1輕易地獲得對應於該轉速RVA1及該轉速RVB1間之任意轉速RVAB1的曝光量EXAB1
此外,除了該表格TB1以外,該記憶體17b儲存複數個表格TB2及TB3,而在該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量之間具有不同的關係,如在圖5及6中所示。其係可能藉由改變來自該光源單元LS(紫外線燈1)的光之照度而獲得圖3所示表格TB1、圖5所示表格TB2、及圖6所示表格TB3。於此實施例中,該記憶體17b儲存該三表格TB1、TB2及TB3。然而,表格的數目不被限制於此,只要其係二或更多。
依據此實施例之旋轉快門3的特定控制將參考圖7被敘述。假設於以下敘述中,對應於該旋轉快門3之轉速RVB1的曝光量EXB1已因為來自該光源單元LS之光的照度中之變化而被改變至曝光量EXB1',如圖7中所示。
該控制單元17比較對應於該轉速RVB1的曝光量EXB1、EXB2及EXB3與該記憶體17b中所儲存之表格TB1、TB2及TB3中的曝光量EXB1',並選擇最靠近該曝光量EXB1'之表格。參考圖7,△B1代表該曝光量EXB1'及該曝光量EXB1間之差異,△B2代表該曝光量EXB1'及該曝光量EXB2間之差異,且△B3代表該曝光量EXB1'及該曝光量EXB3間之差異。於此案例中,如果該等差異△B1、△B2及△B3具有△B2<△B3<△B1的關係,最靠近該曝光量EXB1'之曝光量係該曝光量EXB2
因此,該控制單元17更新表格,以被使用於在對於基板上的拍攝區域之曝光處理中決定該旋轉快門3之轉速,其由該表格TB1至該表格TB2指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係。假設目標曝光量係該曝光量EXB1。於此案例中,在對於基板上的拍攝區域之曝光處理中,將該表格TB1更新至該表格TB2使其可能決定(設定)轉速RVE1當作該旋轉快門3的轉速。藉由按照來自該光源單元LS之光的照度中之變化(第二資訊),以此方式連續地更新指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格,其係可能對應於目標曝光量來決定該旋轉快門3之轉速。該控制單元17接著決定及控制該旋轉快門3的轉速,以在對於基板上之拍攝區域的曝光處理中基於該被更新之表格匹配該基板上的曝光量與該目標曝光量。
如圖8所示,該曝光設備100連續地施行以下處理:載入基板、對齊被固持在基板架台上之基板、施行實際曝光以藉由曝光將光罩圖案轉印至該基板上、及卸載已遭受該曝光的基板。此外,該曝光設備100待命,直至下一曝光處理(JOB)開始。如上述,曝光處理包括載入、對齊、實際曝光、卸載、及待命。該曝光設備100對於該基板上之每一拍攝區域反覆地施行這些製程。
該控制單元17於一期間更新指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格,該期間除了是該基板上之拍攝區域被曝光的期間以外皆可。譬如,該控制單 元17於載入之期間更新指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格。更明確地是,該控制單元17造成該偵測器8測量該基板上之曝光量,同時於一期間、即載入的期間在預定轉速(第一轉速)旋轉該旋轉快門3,其中該基板不存在該投射光學系統下方。該控制單元17接著比較藉由該偵測器8所測量之曝光量、亦即對應於該預定轉速的曝光量與對應於該記憶體17b中所儲存之表格TB1、TB2及TB3中的預定轉速之曝光量,藉此更新該表格。
參考圖8,考慮基板上的曝光量中之變動,曝光量被測量三次,同時該旋轉快門3係在預定轉速旋轉。然而,曝光量的測量之次數不被限制於此,只要其係一或多次。此外,當該曝光設備100包括該半鏡片5及基板間之光屏蔽機件(未示出)時,其係可能藉由造成該光屏蔽機件屏蔽來自該光源單元LS的光,確保沒有基板存在該投射光學系統下方之期間。
另一選擇係,該控制單元17可在對齊的期間更新指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格。在對齊之期間,該旋轉快門3有時候被打開及關上,亦即,該旋轉快門3有時候被旋轉。於此案例中,大致上,曝光量的準確性係不需要為與實際曝光中之準確性一樣高,且因此其係可能任意地決定該旋轉快門3的轉速。因此,其係可能藉由測量該基板上之曝光量來更新指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格,同 時在對齊之期間,該旋轉快門3係在預定轉速旋轉。
此外,該控制單元17能在卸載的期間中以及於載入之期間中更新指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格。再者,該控制單元17能於待命之期間中更新指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格,直至下一個曝光處理開始。
在載入、卸載、及待命之期間的每一者中,該旋轉快門3之轉速可被自由地選擇,且基板上的曝光量能於一期間被測量,只要時間允許,基板在該期間不存在於該投射光學系統下方。這可改善曝光量之測量準確性。
此外,當測量基板上之曝光量以更新指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格時,該旋轉快門3可以至少一轉速而旋轉。換句話說,待設定用於該旋轉快門3之轉速或轉速的數目未明確地限制。注意更新圖8所示表格之時機係一範例及未包羅無遺的。
來自包括該紫外線燈1的光源單元LS之光的照度中之變化在時間方面是適度的。因此,指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格可在長間隔被更新(譬如,每隔數個基板更新)。當關於曝光量需要嚴格之準確性時,指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格被更新之間隔可被減至最小。其係可能藉由造成該控制單元17管理當作參數的時機、間隔、與類似者等來選擇任意時機及間隔,用於更新指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格。
如上述,此實施例造成該記憶體17b儲存複數個指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之不同關係的表格。被使用於決定對於基板上之拍攝區域的曝光處理中之旋轉快門3的轉速之表格,係基於來自該光源單元LS之光的照度中之變化藉由選擇該記憶體17b中所儲存之複數個表格之其中一者來更新。此外,在用於拍攝區域的曝光處理中之旋轉快門3的轉速被決定之前,一表格係基於藉由該偵測器8所測量的第一曝光量被選擇,而該旋轉快門3係在該第一轉速旋轉。於此案例中,譬如,其較佳的是由該記憶體17b中所儲存之複數個表格來選擇包括最靠近該第一轉速及該第一曝光量間之關係的關係之表格。
因此,此實施例使得其不需要施行定期維護,用於再次獲得指示該旋轉快門3的轉速及曝光量間之關係的表格。這使其可能決定該旋轉快門3之轉速,其對應於目標曝光量,而不會減少該曝光設備100的操作率,縱使來自該光源單元LS之光的照度已改變。此外,根據該實施例,其係可能基於該旋轉快門3在預定範圍內維持曝光量之準確性,而不會減少該連續驅動模式中的準確性,以按照來自該光源單元LS之光的照度中之變化更新該表格。以此方式,該曝光設備100能滿足用於基板上的曝光量之準確性及生產力的兩需求。
<第二實施例>
此實施例造成記憶體17b儲存指示該旋轉快門3之轉 速及基板上的曝光量間之關係的可變表格TB4,並按照來自該光源單元LS之光的照度中之變化更新該記憶體17b中所儲存之可變表格TB4中的關係。圖9係曲線圖,顯示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係當作一參考的範例,亦即,當該旋轉快門3係在該連續驅動模式中旋轉時,該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係。圖10係一視圖,以表格之形式顯示藉由圖9所示表達該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係所獲得的可變表格TB4之範例。
該可變表格TB4如上述被儲存於該記憶體17b中。控制單元17決定及控制該旋轉快門3的轉速,以便在對於該基板上之拍攝區域的曝光處理中,基於該記憶體17b中所儲存之可變表格TB4匹配該基板上的曝光量與目標曝光量。此外,如上述,該控制單元17能基於該旋轉快門3之轉速及該基板上的曝光量間之線性相關表達來獲得對應於任意轉速的曝光量,其係由該可變表格TB4獲得。
依據此實施例之旋轉快門3的特定控制將參考圖11及12被敘述。假設於以下敘述中,對應於該旋轉快門3之轉速RVB1的曝光量EXB1已因為來自該光源單元LS之光的照度中之變化而改變至曝光量EXB1”,如於圖11中所示。圖12係一視圖,顯示指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的可變表格TB4之範例。
該控制單元17將對應於圖10所示可變表格TB4中 的轉速RVB1之曝光量EXB1更新至該曝光量EXB1”。此外,該曝光量EXB1及該曝光量EXB1”間之變化率(比率)P被反映在曝光量中,分別對應於其他轉速、譬如轉速RVA1、RVC1及RVD1。更明確地是,變化率P之改變被反映在對應於圖10所示可變表格TB4中的轉速RVA1之曝光量EXA1中,以將其更新至曝光量EXA1”(=EXA1 x P)。同樣地,該變化率P之改變被反映在曝光量EXC1及EXD1中,而分別對應於圖10所示可變表格TB4中的轉速RVC1及RVD1,以將它們更新至曝光量EXC1”(=EXC1 x P)及EXD1”(=EXD1 x P)。其係可能在該可變表格TB4中按照來自該光源單元LS之光的照度中之變化,藉由連續地更新該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係來決定對應於目標曝光量的旋轉快門3之轉速。該控制單元17接著決定及控制該旋轉快門3的轉速,以便在對於該基板上之拍攝區域的曝光處理中,基於該被更新的可變表格TB4匹配該基板上之曝光量與目標曝光量。注意在該可變表格TB4中更新該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的時機係與該第一實施例中相同地,且因此其詳細敘述將被省略。
如上述,此實施例造成該記憶體17b儲存可變表格,其中該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係能被改變。在對於基板上之拍攝區域的曝光處理中,將被使用決定該旋轉快門3的轉速之可變表格係基於來自該光源單元LS之光的照度中之變化而更新。譬如,在用於拍攝區 域的曝光處理中之旋轉快門3的轉速被決定之前,藉由偵測器8所測量的曝光量與在更新之前對應於該可變表格中之第一轉速的曝光量間之變化率被獲得,而該旋轉快門3係在該第一轉速旋轉。藉由反映於該可變表格中之該旋轉快門3的轉速及基板上的曝光量間之關係的變化率,該可變表格接著被更新。
因此,於此實施例中,其係只需要製備一可變表格,其中該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係能被更新。如與該第一實施例比較,這使其易於管理該表格。此外,既然藉由來自該光源單元LS之光的照度中之變化所造成的基板上之曝光量中的實際變化能被反映於該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係中,對應於目標曝光量的旋轉快門3之轉速可被更精確地獲得。
<第三實施例>
於該第一及第二實施例中,當更新指示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的表格時,該基板上之曝光量中的時間變化被使用作關於來自該光源單元LS之光的照度中之變化的第二資訊。然而,注意來自該光源單元LS之光的照度中之時間變化可被使用作關於來自該光源單元LS之光的照度中之變化的第二資訊。
圖13係曲線圖,當該旋轉快門3係在該連續驅動模式中旋轉時,顯示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係的範例當作一參考、亦即該旋轉快門3之轉速及 該基板上的曝光量間之關係。圖14係一視圖,顯示藉由表達圖13所示該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係所獲得的可變表格TB5之範例,並以表格的形式呈現。當可變表格TB5被獲得時,該可變表格TB5被儲存於與來自該光源單元LS之光的照度(第一照度)S1有關聯之記憶體17b中當作一參考。當施行用於基板上的拍攝區域之曝光處理時,控制單元17決定及控制該旋轉快門3的旋轉速率,以便基於該記憶體17b中所儲存的可變表格TB5匹配該基板上之曝光量與目標曝光量。此外,如上述,基於該旋轉快門3之轉速及該基板上的曝光量間之線性相關表達,該控制單元17亦可獲得對應於任意轉速的曝光量,其係由該可變表格TB5所獲得。
依據此實施例之旋轉快門3的特定控制將參考圖15及16被敘述。假設於以下敘述中,來自該光源單元LS之光的照度S1已改變至照度S2,如於圖15中所示。圖16係一視圖,顯示該可變表格TB5之範例,其中該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係已被更新。
於曝光設備100中,偵測器8能偵測來自該光源單元LS之光的照度,而不管該旋轉快門3之轉速。因此,其係可能在任意時機、於來自該光源單元LS之光通過該旋轉快門3的開口部份302的第二狀態中偵測來自該光源單元LS之光的照度。譬如,為了防止該曝光設備100之操作率中的減少,光之照度可如於該第一實施例中在測量基板上的曝光量之時機被偵測、或可在實際曝光之時被偵 測。
藉由反映該曝光量EXB1中的照度S1及照度S2間之變化率(比率)S2/S1,該控制單元17將圖14所示可變表格TB5中的曝光量EXB1更新至曝光量EXB1'''(=EXB1 x S2/S1)。同理適用至圖14所示可變表格TB5中的曝光量EXA1、EXC1、及EXD1。藉由反映該等曝光量EXA1、EXC1、及EXD1中之變化率S2/S1,該控制單元17分別將該等曝光量EXA1、EXC1、及EXD1更新至曝光量EXA1'''(=EXA1 x S2/S1)、EXC1'''(=EXC1 x S2/S1)、及EXD1'''(=EXD1 x S2/S1)。其係可能在該可變表格TB5中按照來自該光源單元LS之光的照度中之變化,藉由連續地更新該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係,決定對應於目標曝光量的旋轉快門3之轉速。該控制單元17接著決定及控制該旋轉快門3的轉速,以便在對於該基板上的拍攝區域之曝光處理中基於該被更新的可變表格TB5匹配基板上之曝光量與目標曝光量。
如上述,此實施例造成該記憶體17b儲存可變表格,其中該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係能在該時間與來自該光源單元LS之光的照度(第一照度)有關聯地被更新。在對於基板上之拍攝區域的曝光處理中,待使用於決定該旋轉快門3之轉速的可變表格係基於來自該光源單元LS之光的照度中之變化所更新。譬如,在用於拍攝區域的曝光處理中之旋轉快門3的轉速被決定之前,藉由該偵測器8所偵測之來自該光源單元LS之光的 照度(第二照度)及與更新之前的可變表格有關的第一照度間之變化率被獲得。藉由在該可變表格中反映該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係中的變化率,該可變表格接著被更新。
因此,於此實施例中,當更新該可變表格時,其係可能在來自該光源單元LS之光的照度獲得該旋轉快門3之轉速及基板上的曝光量間之關係。此外,於該實施例中,既然在來自該光源單元LS之光的照度上之偵測結果被使用,該可變表格能在該第二狀態中的任意時機被更新,其中來自該光源單元LS之光通過該開口部份302,而不管該旋轉快門3的轉速。
<第四實施例>
該第三實施例已舉例證明該案例,其中該記憶體17b中所儲存之可變表格係基於來自該光源單元LS的光之照度所更新,該光之照度係藉由該偵測器8所偵測。然而,注意來自包括該紫外線燈1的光源單元LS之光的照度大致上傾向於按照使用之時間而減少。
圖17係曲線圖,顯示隨著光源單元LS的使用時間的照度中之時間變化之範例。參考圖17,該橫坐標代表該光源單元LS的使用時間,且該縱坐標代表來自該光源單元LS之光的照度之維持因數。雖然照度中的減少之趨勢取決於該光源單元LS、亦即紫外線燈1的型式而不同,來自該光源單元LS之光的目前照度可由該最初照度及使 用時間被評估,如圖17中所示。
因此,於此實施例中,基於來自該光源單元LS之光的最初照度及該光源單元LS之使用時間,控制單元17獲得來自該光源單元LS之光的目前照度。如於該第三實施例中,於該可變表格中之曝光量中,藉由反映在更新之前與該可變表格有關聯的第一照度及該目前照度間之變化率(比率),該控制單元17接著更新記憶體17b中所儲存之可變表格。
<第五實施例>
根據本發明的實施例之製造物品的方法係適合用於製造諸如裝置之物品(譬如,半導體裝置、磁性儲存媒體、或液晶顯示器裝置)。此製造方法包括藉由使用曝光設備100來曝光塗以光增敏劑的基板之步驟、及使該被曝光的基板顯影之步驟。該製造方法另包括其他習知步驟(氧化、薄膜形成、沈積、加入摻雜劑、平面化、蝕刻、抗蝕劑移除、切成小方塊、接合、封裝、與類似者等)。在物品的性能、品質、生產力、及生產成本之至少一者中,依據此實施例製造物品的方法係優於該傳統方法。
雖然本發明已參考示範實施例被敘述,其將被了解本發明不被限制於所揭示之示範實施例。以下申請專利的範圍將被給與最寬廣之解釋,以便涵括所有此等修改及同等結構與功能。

Claims (12)

  1. 一種以來自光源的光曝光基板的方法,該方法包含:在對於該基板上之拍攝區域之曝光處理中,當在一轉速旋轉一旋轉快門時,基於指示該旋轉快門之轉速及該基板上的曝光量間之關係的第一資訊,藉由控制單元來匹配該基板上的曝光量與目標曝光量,而不會停止該旋轉快門之旋轉,以便造成由該旋轉快門屏蔽該光的第一狀態變換至該光通過該旋轉快門之第二狀態,且接著回至該第一狀態,和基於關於該光的照度中之變化的第二資訊,藉由該控制單元來更新該第一資訊。
  2. 如申請專利範圍第1項的方法,另包含藉由儲存單元來儲存具有彼此不同之關係的該第一資訊之複數個片段,其中藉由基於該第二資訊,自該儲存單元中所儲存的該第一資訊之該複數個片段選擇該第一資訊的一片段,該控制單元施行該更新。
  3. 如申請專利範圍第2項的方法,另包含藉由測量單元來測量該基板上之該曝光量,其中在該旋轉快門係在對於該拍攝區域之曝光處理中決定該旋轉快門的轉速之前在第一轉速旋轉時,該控制單元基於該第一轉速及藉由該測量單元所測量之第一曝光量由該第一資訊的該複數個片段選擇該第一資訊之該一片段。
  4. 如申請專利範圍第3項的方法,其中該控制單元從第一資訊之該複數個片段選擇資訊當作該第一資訊之該一片段,該資訊包括最靠近於該第一轉速及該第一曝光量間之關係的關係。
  5. 如申請專利範圍第1項的方法,另包含藉由測量單元來測量該基板上之該曝光量,其中該控制單元藉由在該關係中反映在該旋轉快門係在第一轉速旋轉時用該測量單元所測量之曝光量及該基板上的曝光量間之變化率來施行該更新,且在對於該拍攝區域之曝光處理中決定該旋轉快門的轉速之前,該基板上的曝光量對應於該第一轉速。
  6. 如申請專利範圍第1項的方法,另包含藉由偵測單元來偵測該光之照度,其中該第一資訊包括當該光之照度為第一照度時的資訊,及該控制單元藉由在該關係中反映用該偵測單元所偵測之該光的第二照度及該第一照度間之變化率來施行該更新,該第一照度係在對於該拍攝區域之曝光處理中決定該旋轉快門的轉速之前的照度。
  7. 如申請專利範圍第1項的方法,其中該第一資訊包括當該光之照度係第一照度時的資訊,及該控制單元基於該光之最初照度及該光源的使用時間來獲得該光之目前照度,並藉由反映該關係中的該目前照度及該第一照度間之變化率來施行該更新。
  8. 如申請專利範圍第1項的方法,其中該第一資訊包括表格及指示該關係之函數的其中一者。
  9. 如申請專利範圍第1項的方法,其中該第二資訊包括該基板上之曝光量中的時間變化及該光之照度中的時間變化其中至少一者。
  10. 如申請專利範圍第1項的方法,其中該控制單元在除了該拍攝區域被曝光之期間以外的期間施行該更新。
  11. 如申請專利範圍第1項的方法,其中該控制單元基於關於該光的照度中之減少的第二資訊來更新該第一資訊。
  12. 一種製造物品的方法,該方法包含:使用曝光設備以來自光源的光曝光基板;及使該經曝光之基板顯影,其中該曝光設備包括:旋轉快門,包括光屏蔽部份,其屏蔽該光,且被建構來控制該光的入射至該基板上;及控制單元,被建構來控制該旋轉快門之轉速,以便當在該轉速旋轉該旋轉快門時,基於指示該旋轉快門之轉速及該基板上的曝光量間之關係的第一資訊,在對於該基板上之拍攝區域之曝光處理中匹配該基板上的曝光量與目標曝光量,而不會停止該旋轉快門之旋轉,以便造成由該旋轉快門屏蔽該光的第一狀態變換至該光通過該旋轉快門之第二狀態,且接著回至該第一狀態,其中該控制單元基於關於該光的照度中之變化的第二資訊來更新該第一資訊。
TW105117380A 2015-06-16 2016-06-02 以來自光源的光曝光基板的方法和製造物品的方法 TWI671601B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-121423 2015-06-16
JP2015121423A JP6861463B2 (ja) 2015-06-16 2015-06-16 露光装置及び物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201715312A TW201715312A (zh) 2017-05-01
TWI671601B true TWI671601B (zh) 2019-09-11

Family

ID=57587921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105117380A TWI671601B (zh) 2015-06-16 2016-06-02 以來自光源的光曝光基板的方法和製造物品的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9946164B2 (zh)
JP (1) JP6861463B2 (zh)
KR (1) KR102080119B1 (zh)
TW (1) TWI671601B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6929142B2 (ja) * 2017-06-19 2021-09-01 キヤノン株式会社 露光装置、および物品の製造方法
JP7352332B2 (ja) * 2018-05-14 2023-09-28 キヤノン株式会社 露光装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080106721A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-08 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04229843A (ja) 1990-12-27 1992-08-19 Canon Inc 露光装置用シャッタ
JP3904034B2 (ja) * 1995-11-17 2007-04-11 株式会社ニコン 露光装置
JPH10247619A (ja) * 1997-03-05 1998-09-14 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
TWI240852B (en) * 2004-01-08 2005-10-01 Powerchip Semiconductor Corp Photolithograph system with variable shutter and method of using the same
JP2005252161A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Powerchip Semiconductor Corp フォトリソグラフィーシステム及び関連方法
JP4485282B2 (ja) * 2004-08-06 2010-06-16 シャープ株式会社 露光装置、露光量制御方法、露光量制御プログラムとその記録媒体
JP5674195B2 (ja) * 2010-01-14 2015-02-25 Nskテクノロジー株式会社 露光装置及び露光方法
JP2013104934A (ja) * 2011-11-11 2013-05-30 Tokyo Electron Ltd 露光装置及び露光方法
JP5945211B2 (ja) * 2012-10-26 2016-07-05 株式会社アルバック 露光装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080106721A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-08 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201715312A (zh) 2017-05-01
KR102080119B1 (ko) 2020-02-21
JP2017009627A (ja) 2017-01-12
KR20160148481A (ko) 2016-12-26
US20160370708A1 (en) 2016-12-22
US9946164B2 (en) 2018-04-17
JP6861463B2 (ja) 2021-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8394572B2 (en) Method of preparing a substrate for lithography, a substrate, a device manufacturing method, a sealing coating applicator and a sealing coating measurement apparatus
US8908148B2 (en) Calibration method and inspection apparatus
US20130034918A1 (en) Monitoring apparatus and method for in-situ measurement of wafer thicknesses for monitoring the thinning of semiconductor wafers and thinning apparatus comprising a wet etching apparatus and a monitoring apparatus
JPH1116816A (ja) 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH09260281A (ja) 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US20110216294A1 (en) Lithographic Apparatus, Device Manufacturing Method and Associated Data Processing Apparatus and Computer Program Product
TWI671601B (zh) 以來自光源的光曝光基板的方法和製造物品的方法
US20050033463A1 (en) Method, computer program product and apparatus for scheduling maintenance actions in a substrate processing system
TWI388937B (zh) 曝光設備及裝置製造方法
JP2009021589A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
EP1715380A2 (en) Exposure apparatus, method applied to the apparatus, and device manufacturing method
TWI696884B (zh) 微影叢集及用於減輕該微影叢集中之疊對漂移或跳躍之方法
JP2004153163A (ja) 露光装置の制御方法および装置
JP7173730B2 (ja) 処理装置を管理する管理方法、管理装置、プログラム、および、物品製造方法
JPS6214825B2 (zh)
JP7241564B2 (ja) 露光装置、および物品の製造方法
JP2006049730A (ja) 露光装置、露光量制御方法、露光量制御プログラムとその記録媒体
JP7379036B2 (ja) シャッタ装置、光量制御方法、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
US20100323461A1 (en) Lithographic Method and Arrangement
JPH09106075A (ja) 基板の露光装置
JP2023049841A (ja) 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法
WO2022008137A1 (en) System and method for conditioning optical apparatuses
US20100277710A1 (en) Exposure apparatus
JPS63198329A (ja) ホトレジスト塗布装置
JP2000147782A (ja) 露光方法および露光装置