TWI671247B - 高純度金屬之真空捆包品及該真空捆包品之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明藉由一種高純度金屬真空捆包品(高純度錫真空捆包品)而提供不含非所期望之碳雜質之高純度錫製品，所述高純度金屬真空捆包品(高純度錫真空捆包品)係對高純度金屬(高純度錫)進行真空捆包而成者，且高純度金屬之表面之至少一部分被無塵紙覆蓋，藉由真空捆包用膜對至少一部分表面被無塵紙覆蓋之高純度金屬進行真空捆包。

Description

高純度金屬之真空捆包品及該真空捆包品之製造方法
本發明係關於一種高純度金屬之真空捆包品及該真空捆包品之製造方法。
欲極力避免氧化之高純度金屬之製品、例如高純度錫之製品為了防止氧化或污染而進行真空捆包後出貨。作為真空捆包用膜，使用有氧穿透度較低之聚乙烯或鋁蒸鍍聚乙烯膜。
進行真空捆包後出貨之製品係將捆包打開後使用。若於將真空捆包打開後進行蝕刻等洗淨操作，則隨著操作而製品不斷氧化，因此，欲極力避免氧化之高純度金屬之製品、例如高純度錫之製品係以將真空捆包打開後能夠直接立刻使用之態樣出貨。而且，例如使其立刻熔融而用於其後之精密加工。
專利文獻1中記載有與被捆包之高純度靶相關之技術，若使用利用空氣淨化度為等級6以下之潔淨空氣進行成型而製造之聚乙烯袋對高純度靶進行捆包，則取出之靶能夠實現濺鍍中之使用開始時之穩定性及長壽命特性。
於所謂之無塵室內，使用在記錄用紙等之用途中被稱為無塵紙之發塵量極少之紙。作為此種無塵紙，多使用聚烯烴系或聚苯乙烯系之合成紙，但存在熱軋固定方式之印表機或影印機中之使用較為困難或水性筆等之書寫精確性差等問題，故近年來開發有以紙漿為主成分之無塵紙。就耐熱性或書 寫精確性之觀點而言，以紙漿為主成分之無塵紙優異，但為了防止因紙漿纖維之脫落等而產生灰塵，而開發有於以紙漿為主成分之基紙中含浸有樹脂乳膠之無塵紙(專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-240959號公報
[專利文獻2]日本專利5008127號公報
本發明者嘗試將高純度錫進一步高純度化。然而，即便推進高純度化，但若將所出貨之高純度錫之製品加熱熔融，則亦常常於其熔融液中混入碳雜質而導致非所期望之微粒(particle)形成。
因此，本發明之目的在於提供一種不含非所期望之碳雜質之高純度錫製品。
本發明者為了解決上述問題而進行了努力研究，嘗試了將高純度錫進一步高純度化，但總是無法避免碳雜質之一定程度之混入。然而，若完全變換研究開發之視點而利用電子顯微鏡觀察即將進行加熱熔融之高純度錫之表面，則會發現存在肉眼觀察不到之微粒子，對其成分進行分析後發現此係含有碳者。而且發現，若於對高純度錫進行真空捆包時，使無塵紙介存於聚乙烯片與錫之間而進行真空捆包，則於打開捆包之高純度錫製品中，碳附著物極度減少，從而達成本發明。
因此，本發明包含下述之(1)以下。
(1)
一種高純度金屬真空捆包品，其係對高純度金屬進行真空捆包而成者，且高純度金屬之表面之至少一部分被無塵紙覆蓋，藉由真空捆包用膜對至少一部分表面被無塵紙覆蓋之高純度金屬進行真空捆包。
(2)
如(1)中記載之高純度金屬真空捆包品，其中，無塵紙於依據SEMI G67-0996之發塵性試驗中，於揉搓試驗、摩擦試驗、撕裂揉搓試驗之任一者中，0.10μm以上之微粒均為10000個/CF以下。
(3)
如(1)或(2)中記載之高純度金屬真空捆包品，其中，無塵紙具有0.01~0.5mm之厚度。
(4)
如(1)至(3)中任一項中記載之高純度金屬真空捆包品，其中，作為真空捆包用膜，使用具有金屬蒸鍍層或金屬氧化物蒸鍍層之積層膜，且於該金屬蒸鍍層或該金屬氧化物蒸鍍層不與高純度金屬接觸之情況下進行真空捆包。
(5)
如(I)至(4)中任一項中記載之高純度金屬真空捆包品，其中，作為真空捆包用膜，使用具有金屬蒸鍍層或金屬氧化物蒸鍍層之聚乙烯膜，且於金屬蒸鍍層或金屬氧化物蒸鍍層不與高純度金屬接觸之情況下進行真空捆包。
(6)
如(1)至(5)中任一項中記載之高純度金屬真空捆包品，其中，高純度金屬為大致圓柱、大致長方體、大致立方體、或大致圓錐之形狀。
(7)
如(1)至(6)中任一項中記載之高純度金屬真空捆包品，其中，高純度金屬之表面粗糙度Ra處於0.3~5.0μm之範圍內。
(8)
如(1)至(7)中任一項中記載之高純度金屬真空捆包品，其中，高純度金屬為高純度錫。
(9)
如(1)至(8)中任一項中記載之高純度金屬真空捆包品，其中，高純度金屬為大致圓柱之形狀，且大致圓柱之形狀之高純度金屬之側部曲面之整個表面被無塵紙覆蓋，藉由真空捆包用膜對側部曲面之表面被無塵紙覆蓋之大致圓柱之形狀之高純度金屬進行真空捆包。
(11)
一種對高純度金屬進行真空捆包而成的高純度金屬真空捆包品之製造方法，其包括：利用無塵紙覆蓋高純度金屬之表面之至少一部分之步驟；以及利用真空捆包用膜對至少一部分表面被無塵紙覆蓋之高純度金屬進行真空捆包之步驟。
(12)
如(11)中記載之製造方法，其中，無塵紙於依據SEMI G67-0996之發塵性試驗中，於揉搓試驗、摩擦試驗、撕裂揉搓試驗之任一者中，0.10μm以上之微粒均為10000個/CF以下。
(13)
如(11)或(12)中記載之製造方法，其中，無塵紙具有0.01~0.5mm之厚度。
(14)
如(11)至(13)中任一項中記載之製造方法，其中，作為真空捆包用膜，使用具有金屬蒸鍍層或金屬氧化物蒸鍍層之積層膜，且於金屬蒸鍍層或金屬氧化物蒸鍍層不與高純度金屬接觸之情況下進行真空捆包。
(15)
如(11)至(14)中任一項中記載之製造方法，其中，作為真空捆包用膜，使用具有金屬蒸鍍層或金屬氧化物蒸鍍層之聚乙烯膜，且於該金屬蒸鍍層或該金屬氧化物蒸鍍層不與高純度金屬接觸之情況下進行真空捆包。
(16)
如(11)至(15)中任一項中記載之製造方法，其中，高純度金屬為大致圓柱之形狀。
(17)
如(11)至(16)中任一項中記載之製造方法，其中，高純度金屬之表面粗糙度Ra處於0.3~5.0μm之範圍內。
(18)
如(11)至(17)中任一項中記載之製造方法，其中，高純度金屬為高純度錫。
(19)
如(11)至(18)中任一項中記載之製造方法，其中，利用無塵紙覆蓋高純度金屬之表面之至少一部分之步驟係如下步驟，即利用無塵紙覆蓋大致圓柱之形狀之高純度金屬之側部曲面之表面，且藉由真空捆包用膜對至少一部分表面被無塵紙覆蓋之高純度金屬進行真空捆包之步驟係如下步驟，即藉由真空捆包用膜對側部曲面之表面被無塵紙覆蓋之大致圓柱之形狀之高純度金屬進行真空捆包。
根據本發明，能夠獲得非所期望之碳雜質極度減少之高純度金屬製品(高純度錫製品)。本發明之高純度金屬真空捆包品(高純度錫真空捆包品)能夠於將真空捆包開封後不進行洗淨等而立刻使用，例如能夠立刻進行加熱熔融而製備高純度之金屬(錫)之熔液，於LSI等之超微細加工裝置中將本發明之高純度金屬真空捆包品用作熔液，該熔液成為碳雜質極度減少者。
圖1係利用車床進行切削加工之高純度錫之表面之SEM照片。
圖2-1係實施例1之利用無塵紙之真空捆包品之開封後之圓柱形狀物之側面之曲面表面之SEM圖像。
圖2-2係實施例1之利用無塵紙之真空捆包品之開封後之圓柱形狀物之側面之曲面表面之EDX圖像。
圖3-1係實施例4之利用無塵紙之真空捆包品之開封後之圓柱形狀物之側面之曲面表面之SEM圖像。
圖3-2係實施例4之利用無塵紙之真空捆包品之開封後之圓柱形狀物之側面之曲面表面之EDX圖像。
圖4-1係比較例1之不使用無塵紙之真空捆包品之開封後之圓柱形狀物之側面之曲面表面之SEM圖像。
圖4-2係比較例1之不使用無塵紙之真空捆包品之開封後之圓柱形狀物之側面之曲面表面之EDX圖像。
圖5-1係比較例2之利用普通紙之真空捆包品之開封後之圓柱形狀物之側面之曲面表面之SEM圖像。
圖5-2係比較例2之利用普通紙之真空捆包品之開封後之圓柱形狀物之側面之曲面表面之EDX圖像。
圖6係表示為了表面粗糙度測定而於大致圓柱狀試樣側部表面上假定之3根直線之位置之說明圖。
以下，對本發明之實施形態進行詳細說明。本發明並不限定於以下進行說明之實施形態。
[高純度金屬真空捆包品之製造方法]
本發明之高純度金屬真空捆包品可藉由包括利用無塵紙覆蓋高純度金屬之表面之至少一部分之步驟、藉由真空捆包用膜對至少一部分表面被無塵紙覆蓋之高純度金屬進行真空捆包之步驟之方法而對高純度金屬進行真空捆包而製造。
[高純度金屬]
於本發明中，所謂高純度金屬係指2N以上(99%以上)之純度之金屬。於較佳之實施形態中，高純度金屬之純度只要為使用真空捆包之程度之純度，則 可無特別限制地享有本發明之優勢，例如可使用3N(99.9%)、4N(99.99%)、5N(99.999%)、6N(99.9999%)等純度之金屬。
再者，此處所謂之純度為2N以上係指對週期表之Li至U之各元素中除作為氣體成分元素之C、N、O、S、H及作為存在比極端低之元素之Po、At、Fr、Ra、Ac、Pa、作為人工元素之Tc、Pm以外之73種，藉由GDMS(Glow Discharge Mass Spectrometry)法(V.G.Scientific公司製造之VG-9000)進行分析，即便未達檢測下限值亦作為以檢測下限值之值存在者來合計，將合計所得之值設為雜質之合計值，自高純度金屬之總量減去該合計值所求出之高純度金屬之純度(高純度金屬中之對象金屬之含有比率)為99%以上。
本發明之真空捆包能夠較佳地用於欲極力避免氧化之高純度金屬。作為此種高純度金屬，例如可列舉高純度之錫(Sn)、鉍(Bi)、銅(Cu)。較佳為使用高純度之Sn。關於此種高純度金屬，為了於不進一步進行蝕刻等洗淨操作之情況下將真空捆包打開後直接立刻使用，例如立刻進行熔融以於LSI等之超微細加工裝置中將本發明之高純度金屬真空捆包品用作熔液，而碳雜質之減少尤其重要。
[高純度金屬之形狀]
高純度金屬之形狀只要為能夠實施本發明之真空捆包之操作之形狀，則並無特別限制。作為適當之形狀，例如可列舉大致圓柱、大致長方體、大致立方體、大致圓錐等形狀。可適當設為大致圓柱。從業者能夠根據其形狀適當實施如下操作：沿各形狀配置無塵紙而將至少一部分覆蓋，並利用真空捆包用膜進行真空捆包。
再者，此處所謂之「大致」係指大概、大約、大體之含義， 所謂大致圓柱，表示由包含橢圓形或長圓形等在內之“大致圓形”之平行之二平面與將該等二平面連結之側面所構成之柱體，平行之二平面只要大致平行 即可，平面只要大致為平面即可，柱體只要大致為柱體之形狀即可， 所謂大致長方體，表示所有面由“大致長方形”所構成之六面體，各面只要大致為平面即可， 所謂大致立方體，表示所有面由“大致正方形”所構成之六面體，各面只要大致為平面即可， 所謂大致圓錐，表示具有包含橢圓形或長圓形等在內之“大致圓形”之底面之呈錐(錐子)狀立起之立體，底面只要大致為平面即可，所謂錐狀，只要大致為錐狀即可。
[高純度金屬之表面粗糙度]
於較佳之實施形態中，高純度金屬之表面粗糙度Ra例如可設為0.3~5.0μm之範圍、0.3~3.3μm之範圍、較佳為0.5~3.0μm之範圍。於本發明中，表面粗糙度Ra能夠以算術平均粗糙度之形式求出。表面粗糙度Ra就碳附著量之減少之觀點而言，較小為佳，但若過小，則於其後之作業時容易擦傷而損害外觀。表面粗糙度Ra(中心線平均粗糙度)基於JIS B0601之規定，於本發明中，於試樣之表面假定平行之3根直線，於該3根假定之直線上分別測定1次，求出合計3次之測定值之平均值。3根直線係設為長度4mm且分別隔開1mm以上而假定之平行之直線。例如，於試樣為由大致圓形之2個平面及側面所構成之大致圓柱形之情形時，假定3根直線係使與大致圓形之平面之法線方向平行之直線於側面之表面以3根直線相互平行之方式隔開1mm~2mm。表面粗糙度可使用接觸表面粗糙度計(Mitutoyo SJ210)進行測定。
再者，上下表面係於與側面相同之條件下進行加工，故而通常當然會成為相同之粗糙度。又，長方體、立方體、圓錐僅測定適當之一面作為代表。與上述同樣地，因於相同之加工條件下進行加工，故而通常當然會成為相同之粗糙度。然而，即便該等面不為相同之表面粗糙度，於由無塵紙覆蓋之部分之表面 粗糙度處於上述規定之表面粗糙度之範圍內之情形時，於該部分亦成為本發明之較佳之一實施形態。
[利用無塵紙進行覆蓋之步驟]
於利用無塵紙進行覆蓋之步驟中，覆蓋高純度金屬之表面之至少一部分。亦可覆蓋高純度金屬之整個表面。為了一面維持作業性一面有效地覆蓋，根據高純度金屬之形狀，選擇真空捆包用膜於真空捆包時被用力壓接之表面部分作為應該覆蓋之至少一部分。例如，於高純度金屬為大致圓柱狀之情形時，利用無塵紙覆蓋大致圓柱之形狀之高純度金屬之側部曲面之表面。於該情形時，亦可根據所需進而覆蓋大致圓柱之形狀之高純度金屬之上表面部及/或底面部，結果覆蓋大致圓柱之形狀之高純度金屬之整個表面。
[無塵紙]
無塵紙係發塵量極少之紙。本發明中之無塵紙係指於依據SEMI G67-0996之發塵性試驗中，於揉搓試驗、摩擦試驗、撕裂揉搓試驗之任一者中，每1立方英尺(CF：立方英尺)空氣之0.10μm以上之微粒均為10000個/CF以下者。較佳為每1立方英尺空氣之0.10μm以上之微粒之數可設為1000個/CF以下。只要為滿足上述發塵性試驗之無塵紙，則即便為僅由紙所構成之無塵紙、紙中含浸有樹脂之無塵紙、對紙進行過塗佈之無塵紙、以紙以外之材質為主成分之無塵紙，亦可使用。
於較佳之實施形態中，作為無塵紙，例如可使用櫻井股份有限公司製造之NEW STACLEAN(註冊商標)或TANIMURA股份有限公司製造之無塵(clean)包裝紙。於較佳之實施形態中，無塵紙之厚度例如可設為0.01~0.5mm之範圍、較佳為0.05~0.3mm之範圍。無塵紙之厚度若為0.01mm以下，則容易破裂，若為0.5mm以上，則難以捲起。藉由設為此種範圍，而能夠兼顧用以減少碳附著物之剛直度與用以在真空捆包時不使真空捆包用膜斷裂之柔軟 度。無塵紙容易追隨高純度金屬之各種形狀而變形，因此，不易磨損，不易發塵。
[真空捆包用膜]
作為真空捆包用膜，可無特別限制地使用以往用於高純度金屬之真空捆包之真空捆包用膜。作為如此使用之真空捆包用膜，可列舉使透氧性減少之膜(阻氧性之膜)及使水蒸氣之穿透性減少之膜(水蒸氣阻隔性之膜)。作為此種真空捆包用膜，例如可列舉於可撓性較大之樹脂膜蒸鍍等而設置有金屬層及/或金屬氧化物層之積層膜。作為此種積層膜所使用之樹脂膜，可列舉聚乙烯膜、尼龍膜、PET膜。作為進行蒸鍍等而設置之金屬層之金屬，例如可列舉Al(鋁)、Sn，作為金屬氧化物層之金屬氧化物，例如可列舉Al2O3(氧化鋁)、SiO2(氧化矽)。可較佳地使用Al蒸鍍聚乙烯膜、Sn蒸鍍聚乙烯膜。作為真空捆包用膜，可使用對此種膜進而進行積層而成之積層膜，例如可設為於金屬層及金屬氧化物層之表面進而積層聚乙烯膜、尼龍膜、PET膜而成之積層膜。或者，可根據運輸時之保護之確實或進而提高水蒸氣阻隔性等所需，而將多片膜(積層膜)適當重疊而進行真空捆包。
[真空捆包]
使用真空捆包用膜之真空捆包能夠於公知之方法及條件下進行。於較佳之實施形態中，於利用無塵紙覆蓋上述形狀之錫製品後，放入至形成為袋狀之真空捆包用膜，利用壓縮機進行抽真空，最後將袋密封，藉此，進行真空捆包。作為能夠使用之真空捆包裝置，例如可列舉柏木式真空包裝機(NPC公司製造)、GDP-400(TAMURA SEAL公司製造)。於較佳之實施形態中，真空捆包能夠於微粒較少之條件下進行。利用真空捆包裝置之真空抽吸之真空度可設為作為利用該等裝置之一般捆包條件之真空度，例如可設為1~90kPa、較佳為1~50kPa之範圍。
[高純度金屬真空捆包品]
本發明之高純度金屬真空捆包品(高純度錫真空捆包品)能夠於將真空捆包開封後不進行洗淨等而立刻使用。例如能夠於LSI等之超微細加工裝置中將本發明之高純度金屬真空捆包品用作熔液。該熔液因碳雜質極度減少，故而能夠抑制非所期望之微粒之形成，而不會於微細之流路引起堵塞。
[高純度金屬表面之微小之峰谷及附著物]
本發明者對可能成為如於下述比較例中所觀察到之碳附著物之來源之候選進行了研究，結果結論為壓接於錫表面之聚乙烯膜。於進行宏觀觀察之情形時，高純度錫之表面成為充分光滑者，但於對其進行微觀觀察之情形時，因切削加工等而形成有峰及谷。例如，如以下於實施例中所述之圖1之照片所示。本發明者認為，聚乙烯膜因該峰及谷而被切削，且藉由真空捆包時之壓接而使微小之斷片附著於高純度金屬表面。
認為，此種高純度錫之表面之微小之峰及谷大概變得如刃般，於真空捆包時，柔軟之聚乙烯片壓接於錫表面之峰及谷，而微小之峰及谷摩擦聚乙烯片之表面，此時產生附著物。相對於此，認為，無塵紙等紙類為纖維狀，因此，不會被微小之峰及谷摩擦，而不會如聚乙烯般附著於錫表面。
[實施例]
以下，以實施例及比較例進行說明，但該等係為了容易理解發明，本發明並不受實施例或比較例之限定。
[實施例1]
準備純度4N(99.99質量%)之市售之塊狀錫。再者，所謂4N係指對週期表之Li至U之各元素中之除作為氣體成分元素之C、N、O、S、H及作為存在比極端低之元素之Po、At、Fr、Ra、Ac、Pa、作為人工元素之Tc、Pm以外之73種，藉由GDMS(Glow Discharge Mass Spectrometry)法(V.G.Scientific公司製 造之VG-9000)進行分析，即便未達檢測下限值亦作為以檢測下限值之值存在者進行合計，將合計所得之值設為雜質之合計值，自高純度金屬之總量減去該合計值所求出之高純度金屬之純度(高純度金屬中之對象金屬之含有比率)為99.99%。
利用車床切削加工為50mm、長度50mm、表面粗糙度Ra3.0μm之圓柱狀。
表面粗糙度係使用接觸表面粗糙度計(Mitutoyo SJ210)而測得。表面粗糙度Ra(中心線平均粗糙度)基於JISB0601之規定，於本發明中，假定於圓柱形狀之試樣之側面之表面，與相當於上表面及底面之平面之法線方向(即圓柱之高度方向)平行之3根直線(長度4mm)，係3根直線相互隔開1mm~2mm，於該3根假定之直線上各測定1次，求出所得之測定值(合計3次)之平均值。具體而言，使試樣之高純度錫之圓柱以圓柱之中心軸成為水平之方式放平，於該狀態下，於位於上側之圓柱之側面之表面，假定3根隔開1mm~2mm以上之與圓柱之中心軸方向平行之直線而進行測定。該3根直線係為了測定而假定者，並非實際地於試樣表面上描繪直線，但將用以表示假定之情況之說明圖表示於圖6。
將利用SEM(掃描式電子顯微鏡)對利用車床進行切削加工之高純度錫之表面進行觀察所得之照片表示為圖1。圖1係利用SEM(掃描式電子顯微鏡)對利用車床進行切削加工之高純度錫之表面進行觀察所得之照片。如圖1所示，於宏觀觀察中光滑可見之高純度錫之表面於微觀觀察中形成有峰及谷。如此，於圖1之照片中未觀察到異物之附著。
利用厚度0.07mm，基重50g/m2之無塵紙NEW STACLEAN RC(櫻井股份有限公司製造)包裹該錫之圓柱，進而利用2片Al蒸鍍聚乙烯膜(大日本印刷股份有限公司製造，商品名DNP Technopack)(Al蒸鍍厚12μm、聚乙烯厚80 μm)自上下方向以聚乙烯面朝向內側之方式夾住後，利用封口機將端部加熱密封而形成袋進行包裹後，以50kPa以下之真空抽吸下將袋之開口部加熱密封，而進行真空捆包。使用柏木式真空包裝機作為真空捆包裝置。該試驗中使用之無塵紙係使長纖維中含浸丙烯酸樹脂而製作者，依據SEMI G67-0996之發塵性試驗中之0.10μm以上之微粒係揉搓試驗10個/CF、摩擦試驗56個/CF、撕裂揉搓試驗46個/CF。
將真空捆包品放置3小時後進行開封，對圓柱形狀物之側面之曲面表面進行SEM/EDX觀察。將結果表示於圖2-1、圖2-2。
如圖2-1、圖2-2所示，藉由SEM(掃描式電子顯微鏡)及EDX(能量色散型X射線光譜法)之觀察確認出經由無塵紙而進行真空捆包之高純度錫之開封品無碳之附著。該觀察係針對為了SEM及EDX之觀察而設置之各試樣，對試樣之整個上表面進行。該將結果彙總表示於表1。
[實施例2、3]
變更實施例1中之無塵紙之厚度，除此以外，將與實施例1同樣地進行之實驗之結果作為實施例2(無塵紙厚度0.14mm，基重100g/m2)及實施例3(無塵紙厚度0.5mm，基重415g/m2)彙總表示於表1。
[實施例4]
使用櫻井股份有限公司製造之其他等級之無塵紙EX CLEAN(厚度0.1mm，基重72g/m2)，與實施例1同樣地進行真空捆包後，將真空捆包品放置3小時後進行開封，對圓柱形狀物之側面之曲面表面進行SEM/EDX觀察。關於該試驗所使用之無塵紙之發塵性試驗特性，0.10μm以上之微粒係揉搓試驗476個/CF、摩擦試驗11個/CF、撕裂揉搓試驗452個/CF。
將真空捆包品放置3小時後進行開封，對圓柱形狀物之側面之曲面表面進行SEM/EDX觀察。將結果表示於圖3-1、圖3-2。
如圖3-1、圖3-2所示，藉由SEM(掃描式電子顯微鏡)及EDX(能量色散型X射線光譜法)之觀察確認出經由無塵紙而進行真空捆包之高純度錫之開封品無碳之附著。照片上可見之豎白條係車床網而非異物。該將結果彙總表示於表1。
[比較例1]
於比較例1中，不經由無塵紙即直接藉由Al蒸鍍聚乙烯膜與實施例1同樣地進行真空捆包後，將真空捆包品放置3小時後進行開封，對圓柱形狀物之側面之曲面表面進行SEM/EDX觀察。該將結果表示於圖4-1及圖4-2。確認出SEM上有黑色附著物，EDX之結果確認出為碳附著物。又，將該等彙總表示於表1。
[比較例2]
經由厚度0.09mm、基重50g/m2之普通紙(王子製紙股份有限公司製造之Super-White-Lilac)而非無塵紙，包裹於Al蒸鍍聚乙烯膜，與實施例1同樣地進行真空捆包後，將真空捆包品放置3小時後進行開封，對圓柱形狀物之側面之曲面表面進行SEM/EDX觀察。普通紙之依據SEMI G67-0996之發塵性試驗中之0.10μm以上之微粒係揉搓試驗約4540個/CF、摩擦試驗約1362個/CF、撕裂揉搓試驗約11722個/CF。
該將結果表示於圖5-1及圖5-2。於錫表面確認出大量碳系微粒。
[產業上之可利用性]
根據本發明，能夠獲得不含非所期望之碳雜質之高純度金屬製品(高純度錫製品)。本發明係產業上有用之發明。

Claims (8)

  1. 一種高純度金屬真空捆包品，其係對高純度金屬進行真空捆包而成者，且高純度金屬之表面之至少一部分被無塵紙覆蓋，藉由真空捆包用膜對至少一部分表面被無塵紙覆蓋之高純度金屬進行真空捆包，作為真空捆包用膜，使用具有金屬蒸鍍層或金屬氧化物蒸鍍層之積層膜，且於該金屬蒸鍍層或該金屬氧化物蒸鍍層不與高純度金屬接觸之情況下進行真空捆包。
  2. 如請求項1所述之高純度金屬真空捆包品，其中，無塵紙於依據SEMI G67-0996之發塵性試驗中，於揉搓試驗、摩擦試驗、撕裂揉搓試驗之任一者中，0.10μm以上之微粒均為10000個/CF以下。
  3. 如請求項1所述之高純度金屬真空捆包品，其中，無塵紙具有0.01~0.5mm之厚度。
  4. 如請求項1所述之高純度金屬真空捆包品，其中，該積層膜為具有金屬蒸鍍層或金屬氧化物蒸鍍層之聚乙烯膜。
  5. 如請求項1所述之高純度金屬真空捆包品，其中，高純度金屬之表面粗糙度Ra處於0.3~5.0μm之範圍內。
  6. 如請求項1所述之高純度金屬真空捆包品，其中，高純度金屬為高純度錫。
  7. 一種對高純度金屬進行真空捆包而成的高純度金屬真空捆包品之製造方法，其包括：利用無塵紙覆蓋高純度金屬之表面之至少一部分之步驟；以及藉由真空捆包用膜對至少一部分表面被無塵紙覆蓋之高純度金屬進行真空捆包之步驟，作為真空捆包用膜，使用具有金屬蒸鍍層或金屬氧化物蒸鍍層之積層膜，且於該金屬蒸鍍層或該金屬氧化物蒸鍍層不與高純度金屬接觸之情況下進行真空捆包。
  8. 如請求項7所述之製造方法，其中，該積層膜為具有金屬蒸鍍層或金屬氧化物蒸鍍層之聚乙烯膜。
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