TWI670845B - 柔性顯示面板及其製作方法 - Google Patents

柔性顯示面板及其製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI670845B
TWI670845B TW107121861A TW107121861A TWI670845B TW I670845 B TWI670845 B TW I670845B TW 107121861 A TW107121861 A TW 107121861A TW 107121861 A TW107121861 A TW 107121861A TW I670845 B TWI670845 B TW I670845B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
sio
buffer layer
display panel
thickness
Prior art date
Application number
TW107121861A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201914001A (zh
Inventor
袁波
黃根茂
崔志遠
胡坤
徐琳
李勃
Original Assignee
大陸商昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司 filed Critical 大陸商昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司
Publication of TW201914001A publication Critical patent/TW201914001A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI670845B publication Critical patent/TWI670845B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本發明提供了一種柔性顯示面板及其製作方法。該柔性顯示面板包括柔性基板；形成於該柔性基板上的緩衝層；和形成於該緩衝層上的金屬層，其中，該柔性顯示面板在橫向上包括顯示區和彎折區，該緩衝層包括第一部分和第二部分，該第一部分對應於該顯示區，該第二部分對應於該彎折區，該第二部分的厚度小於該第一部分的厚度。

Description

柔性顯示面板及其製作方法
本發明屬於顯示器技術領域，具體是關於一種柔性顯示面板及其製作方法。
柔性可折疊顯示器，例如有機發光顯示器(Organic Light Emitting Display，OLED)，可以為使用者帶來全新的視覺體驗。但這種顯示器在多次彎折後，容易產生金屬線斷裂問題，從而影響顯示。
目前的解決方法是採用絕緣層/金屬層/絕緣層/平坦化層結構對金屬線進行保護。但絕緣層的楊氏模量較大，在彎折時容易出現斷裂，從而導致金屬線斷裂。
有鑑於此，本發明實施例提供了一種柔性顯示面板及其製作方法，能夠提高柔性顯示面板的彎折能力。
本發明的一個方面提供一種柔性顯示面板，該柔性顯示面板包括：柔性基板；形成於該柔性基板上的緩衝層；和形成於該緩衝層上的金屬層，其中，該柔性顯示面板在橫向上包括顯示區和彎折區，該緩衝層包括第一部分和第二部分，該第一部分對應於該顯示區，該第二部分對應 於該彎折區，該第一部分的厚度小於該第二部分的厚度。
在一個實施例中，該第一部分包括依次設置的第一SIOx層、SINx層和第二SIOx層，其中該第一SIOx層設置在該柔性基板上，該第二部分包括第一SIOx層。
在一個實施例中，該柔性顯示面板進一步包括平坦化層及形成於該平坦化層與金屬層之間的鈍化層，該鈍化層和平坦化層的材料為有機材料，該緩衝層的材料是無機絕緣材料。
在一個實施例中，該緩衝層的第二部分不包括該SINx層和該第二SIOx層。
在一個實施例中，該第二部分的第一SIOx層的厚度小於或等於該第一部分的第一SIOx層的厚度。
在一個實施例中，該柔性顯示面板在橫向上還包括過渡區，該過渡區位於該顯示區和該彎折區之間，該緩衝層還包括第三部分，該第三部分對應於該過渡區，該第三部分在從該柔性基板朝向該金屬層的方向上寬度逐漸減少。
在一個實施例中，該第一部分的厚度為300nm至1400nm，該第二部分的厚度為10nm至100nm。
在一個實施例中，該第二部分的厚度為10nm至30nm。
本發明的一個方面提供了一種柔性顯示面板的製作方法，該柔性顯示面板在橫向上包括顯示區和彎折區，該方法包括：提供柔性基板；在柔性基板上形成緩衝層；令該緩衝層與該顯示區對應的部分作為第一部分，對該緩衝層與該彎折區對應的部分進行蝕刻，得到第二部分，令該第 二部分的厚度小於該第一部分的厚度；在該緩衝層上形成金屬層。
在一個實施例中，該在柔性基板上形成緩衝層包括：在該柔性基板上依次形成第一SIOx層、SINx層和第二SIOx層，其中，該對該緩衝層與該彎折區對應的部分進行蝕刻得到第二部分，包括：蝕刻該緩衝層的與彎折區對應的第二SIOx層和SINx層，以露出該第二部分的第一SIOx層。
在一個實施例中，該蝕刻該緩衝層的與彎折區對應的第二SIOx層和SINx層，以露出該第二部分的第一SIOx層之後，進一步蝕刻該第二部分的第一SIOx，使得該第二部分的第一SIOx層的厚度小於或等於該第一部分的第一SIOx層的厚度。
在一個實施例中，該柔性顯示面板在橫向上還包括過渡區，該過渡區位於該顯示區和該彎折區之間，該方法還包括：對該緩衝層對應於該過渡區的部分進行蝕刻，得到第三部分，其中該第三部分在從該柔性基板朝向該金屬層的方向上寬度逐漸減少。
在一個實施例中，該第二部分的厚度為10nm至30nm。
在一個實施例中，該方法進一步包括：在該金屬層上形成鈍化層，並在該鈍化層上形成平坦化層，該鈍化層和平坦化層的材料為有機材料，該緩衝層的材料是無機絕緣材料。
本發明實施例提供的柔性顯示面板的製作方法，通過在形成金屬層之前對彎折區的緩衝層進行蝕刻，使得彎折區的緩衝層的厚度小於顯示區的緩衝層的厚度，從而提高了柔性顯示面板的彎折能力。
301~303、401~409‧‧‧步驟
1‧‧‧顯示區
2‧‧‧過渡區
3‧‧‧彎折區
100‧‧‧柔性顯示面板
101‧‧‧柔性基板
102‧‧‧緩衝層
103‧‧‧金屬層
104‧‧‧鈍化層
105‧‧‧平坦化層
106‧‧‧第一SIOx層
107‧‧‧SINx層
108‧‧‧第二SIOx層
109‧‧‧第一SIOx層
110‧‧‧柵極絕緣層
111‧‧‧電容絕緣層
112‧‧‧層間介電層
圖1所示為本發明一實施例提供的一種柔性顯示面板的示意性剖面圖；圖2所示為本發明另一實施例提供的一種柔性顯示面板的剖面圖；圖3為本發明一個實施例的柔性顯示面板的製備方法的示意性流程圖；圖4為本發明另一實施例的柔性顯示面板的製備方法的示意性流程圖。
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出進步性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
圖1所示為本發明一實施例提供的一種柔性顯示面板100的示意性剖面圖。
柔性顯示面板100包括柔性基板101；形成於柔性基板101上的緩衝層102；和形成於緩衝層102上的金屬層103。柔性顯示面板100在橫向上包括顯示區1和彎折區3，緩衝層102包括第一部分和第二部分，第一部分對應於顯示區1，第二部分對應於彎折區3，第二部分的厚度小於第一部分的厚度。
根據本發明的實施例，通過在形成金屬層之前對彎折區的緩衝層進行蝕刻，使得彎折區的緩衝層的厚度小於顯示區的緩衝層的厚度，從而提高了柔性顯示面板的彎折能力。
根據本發明的實施例，緩衝層102的第一部分可以包括依次設置的第一SIOx層106、SINx層107和第二SIOx層108，緩衝層102的第二部分包括第一SIOx層，並且不包括SINx層和第二SIOx層。
參見圖1，在柔性顯示面板的顯示區，緩衝層從下向上依次設置有第一SIOx層106、SINx層107、第二SIOx層108(即第一部分)。在柔性顯示面板的彎折區，緩衝層可以是將SINx層和第二SIOx層去掉而剩下的第一SIOx層109(即第二部分)。第一SIOx層106和第一SIOx層109處於同一層。
應理解，緩衝層102的第一部分可以包括第一SIOx層、SINx層和第二SIOx層中的至少一層，而且本發明的實施例對各層的設置順序不作限制。可替代地，緩衝層102也可以是其它矽化合物或者其它可以用作緩衝層的材料。
進一步地，第二部分的第一SIOx層109的厚度小於或等於第一部分的第一SIOx層106的厚度。例如，第一部分的厚度可以為300nm至1400nm。第二部分的厚度為10nm至100nm。
優選地，第二部分的厚度為10nm至30nm。
可選地，作為另一實施例，柔性顯示面板100還包括平坦化層105。
例如，該柔性顯示面板100包括柔性基板101、以及在柔性 基板101上依次形成的緩衝層102、金屬層103和平坦化層105。彎折區的緩衝層的厚度小於顯示區的緩衝層的厚度。平坦化層105的材料為有機材料。緩衝層102例如可以是無機絕緣材料。例如，無機絕緣材料可以為無機矽材料，具體可以為氮化矽或氧化矽等。通常情況下，以無機矽材料作為緩衝層時，例如，在柔性顯示面板彎折時，容易導致金屬層中的金屬線斷裂。通常情況下，彎折區的緩衝層的厚度越薄，彎折區的金屬層的彎折能力越強。當彎折區的緩衝層的厚度非常小時，彎折區的金屬層位於有機層之間，在進行彎折時，彎折區的金屬層被折斷的風險大大降低。通過減小彎折區的緩衝層的厚度，可以增加柔性屏體彎折區的彎折能力。
可選地，作為另一實施例，該柔性基板101在橫向上還包括過渡區2。過渡區2位於顯示區1和彎折區3之間，緩衝層102還包括第三部分，第三部分對應於過渡區2，第三部分在從柔性基板101朝向金屬層103的方向上寬度逐漸減少。第三部分的厚度為300nm至700nm。過渡區2的作用是降低金屬層爬坡時斷線的風險，第三部分的厚度變薄是為了降低金屬層在彎折時斷線的風險。
根據本發明的實施例，金屬層103可以是金屬線。
圖2所示為本發明另一實施例提供的一種柔性顯示面板200的剖面圖。柔性顯示面板100包括柔性基板101；形成於柔性基板101上的緩衝層102；形成於緩衝層102上的金屬層103、鈍化層104和平坦化層105，鈍化層104設置在平坦化層105與金屬層103之間。柔性顯示面板100在橫向上包括顯示區1和彎折區3，緩衝層102包括第一部分和第二部分，第一部分對應於顯示區1，第二部分對應於彎折區3，第二部分的厚度小於第一 部分的厚度。
根據本發明的實施例，通過在形成金屬層之前對彎折區的緩衝層進行蝕刻，使得彎折區的緩衝層的厚度小於顯示區的緩衝層的厚度，從而提高了柔性顯示面板的彎折能力。
根據本發明的實施例，緩衝層102的第一部分可以包括依次設置的第一SIOx層106、SINx層107和第二SIOx層108，緩衝層102的第二部分包括第一SIOx層，並且不包括SINx層和第二SIOx層。
參見圖2，在柔性顯示面板的顯示區，緩衝層從下向上依次設置有第一SIOx層106、SINx層107、第二SIOx層108(即第一部分)。在柔性顯示面板的彎折區，緩衝層可以是將SINx層和第二SIOx層去掉而剩下的第一SIOx層109(即第二部分)。第一SIOx層106和第一SIOx層109處於同一層。
應理解，緩衝層102的第一部分可以包括第一SIOx層、SINx層和第二SIOx層中的至少一層，而且本發明的實施例對各層的設置順序不作限制。可替代地，緩衝層102也可以是其它矽化合物或者其它可以用作緩衝層的材料。
進一步地，第二部分的第一SIOx層109的厚度小於或等於第一部分的第一SIOx層106的厚度。例如，第一部分的厚度可以為300nm至1400nm。第二部分的厚度為10nm至100nm。
優選地，第二部分的厚度為10nm至30nm。
可選地，作為另一實施例，該柔性基板101在橫向上還包括過渡區2。過渡區2位於顯示區1和彎折區3之間，緩衝層102還包括第三 部分，第三部分對應於過渡區2，第三部分在從柔性基板101朝向金屬層103的方向上寬度逐漸減少。第三部分的厚度為300nm至700nm。過渡區2的作用是降低金屬層爬坡時斷線的風險，第三部分的厚度變薄是為了降低金屬層在彎折時斷線的風險。
根據本發明的實施例，金屬層103可以是金屬線。
鈍化層104和平坦化層105的材料為有機材料。緩衝層102例如可以是無機絕緣材料。例如，無機絕緣材料可以為無機矽材料，具體可以為氮化矽或氧化矽等。通常情況下，以無機矽材料作為緩衝層時，例如，在柔性顯示面板彎折時，容易導致金屬層中的金屬線斷裂。通常情況下，彎折區的緩衝層的厚度越薄，彎折區的金屬層的彎折能力越強。當彎折區的緩衝層的厚度非常小時，彎折區的金屬層位於有機層之間，在進行彎折時，彎折區的金屬層被折斷的風險大大降低。通過減小彎折區的緩衝層的厚度，可以增加柔性屏體彎折區的彎折能力。
圖3為本發明實施例的柔性顯示面板的製備方法的示意性流程圖。柔性顯示面板在橫向上包括顯示區和彎折區。圖3的製備方法用於製備圖1和圖2的實施例中的柔性顯示面板。圖3的製備方法包括如下內容：301：在柔性基板上形成緩衝層；302：對緩衝層與彎折區對應的部分進行蝕刻，得到第二部分，其中，緩衝層與顯示區對應的部分作為第一部分，第二部分的厚度小於第一部分的厚度；303：在緩衝層上形成金屬層。
根據本發明的實施例，通過在形成金屬層之前對彎折區的緩衝層進行蝕刻，使得彎折區的緩衝層的厚度小於顯示區的緩衝層的厚度，從而提高了柔性顯示面板的彎折能力。
根據本發明的實施例，在形成緩衝層時，可以在柔性基板上依次形成第一SIOx層、SINx層和第二SIOx層，並且可以蝕刻緩衝層的與彎折區對應的第二SIOx層和SINx層，以露出第二部分的第一SIOx層。
可選地，作為另一實施例，在形成緩衝層時，可以進一步蝕刻第二部分的第一SIOx，使得第二部分的第一SIOx層的厚度小於或等於第一部分的第一SIOx層的厚度。
在一個實施例中，柔性顯示面板在橫向上還包括過渡區，過渡區位於顯示區和彎折區之間，圖3的製備方法還包括：對緩衝層對應於過渡區的部分進行蝕刻，得到第三部分，其中第三部分在從柔性基板朝向金屬層的方向上寬度逐漸減少。
根據本發明的實施例，第二部分的厚度為10nm至30nm。
根據本發明的實施列，金屬層包括金屬線。
圖4為本發明實施例的柔性顯示面板的製備方法的示意性流程圖。圖4的製備方法是圖3的製圖方法的例子，用於製備圖1和圖2的實施例中的柔性顯示面板。圖的製備方法包括如下內容：401：在柔性基板上形成緩衝層；402：在整個柔性基板上依次形成第一SIOx層、SINx層和第二SIOx層；403：蝕刻緩衝層的與彎折區對應的第二SIOx層和SINx層，以露出第二部分的第一SIOx層； 404：蝕刻第二部分的第一SIOx，使得第二部分的第一SIOx層的厚度小於或等於第一部分的第一SIOx層的厚度；405：對緩衝層對應於過渡區的部分進行蝕刻，得到第三部分，其中第三部分在從柔性基板朝向金屬層的方向上寬度逐漸減少；406：在緩衝層上形成柵極絕緣層110、電容絕緣層111、層間介電層112；407：在層間介電層112上形成金屬層。即金屬層可以覆蓋層間介電層112以及緩衝層的第二部分和第三部分；408：在金屬層上形成鈍化層；409：在鈍化層上形成平坦化層。
應理解，408和409是可選的。平坦化層和鈍化層的材料為有機材料。緩衝層例如可以是無機絕緣材料。例如，無機絕緣材料可以為無機矽材料，具體可以為氮化矽或氧化矽等。通常情況下，以無機矽材料作為緩衝層時，例如，在柔性顯示面板彎折時，容易導致金屬層中的金屬線斷裂。通常情況下，彎折區的緩衝層的厚度越薄，彎折區的金屬層的彎折能力越強。當彎折區的緩衝層的厚度非常小時，彎折區的金屬層位於有機層之間，在進行彎折時，彎折區的金屬層被折斷的風險大大降低。同時，較薄的無機層可以防止刻蝕和沉積時有機材料污染腔室。通過減小彎折區的緩衝層的厚度，可以增加柔性屏體彎折區的彎折能力。此外，在沉積金屬層之前對彎折區的緩衝層進行蝕刻，該工藝流程較為簡單，從而節省成本。
以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發 明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
本發明的柔性顯示面板，通過在形成金屬層之前對彎折區的緩衝層進行蝕刻，使得彎折區的緩衝層的厚度小於顯示區的緩衝層的厚度，從而提高了柔性顯示面板的彎折能力。

Claims (10)

  1. 一種柔性顯示面板，該柔性顯示面板包括：柔性基板；形成於該柔性基板上的由無機絕緣材料製成的緩衝層，該緩衝層包括第一部分和第二部分；和形成於該緩衝層上的金屬層，其中，該柔性顯示面板在橫向上包括顯示區和彎折區，該緩衝層的第一部分對應於該顯示區，該緩衝層的第二部分對應於該彎折區，該緩衝層的第二部分的厚度小於該第一部分的厚度，該金屬層與該彎折區的對應部分和該第二部分直接接觸。
  2. 如請求項1所述的柔性顯示面板，其中，該緩衝層的第一部分包括依次設置的第一SIOX層、SINX層和第二SIOX層，其中該第一SIOX層設置在該柔性基板上，該第二部分包括第一SIOX層。
  3. 如請求項2所述的柔性顯示面板，其中，該緩衝層的第二部分不包括該SINX層和該第二SIOX層。
  4. 如請求項2所述的柔性顯示面板，其中，該第二部分的第一SIOX層的厚度小於或等於該第一部分的第一SIOX層的厚度。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的柔性顯示面板，其中，該柔性顯示面板在橫向上還包括過渡區，該過渡區位於該顯示區和該彎折區之間，該緩衝層還包括第三部分，該第三部分對應於該過渡區，該第三部分在從該柔性基板朝向該金屬層的方向上寬度逐漸減少。
  6. 如請求項1所述的柔性顯示面板，其中，該第二部分的厚度為10nm至30nm。
  7. 一種柔性顯示面板的製作方法，該柔性顯示面板在橫向上包括顯示區和彎折區，該方法包括：提供柔性基板；在柔性基板上形成由無機絕緣材料製成的緩衝層；令該緩衝層與該顯示區對應的部分作為第一部分，對該緩衝層與該彎折區對應的部分進行蝕刻，得到第二部分，令該第二部分的厚度小於該第一部分的厚度；在該緩衝層上形成金屬層，該金屬層與該彎折區的對應部分和該第二部分直接接觸。
  8. 如請求項7所述的製作方法，其中，該在柔性基板上形成緩衝層，包括：在該柔性基板上依次形成第一SIOX層、SINX層和第二SIOX層，其中，該對該緩衝層與該彎折區對應的部分進行蝕刻得到第二部分，包括：蝕刻該緩衝層的與彎折區對應的第二SIOX層和SINX層，以露出該第二部分的第一SIOX層。
  9. 如請求項8所述的製作方法，其中，該蝕刻該緩衝層的與彎折區對應的第二SIOX層和SINX層，以露出該第二部分的第一SIOX層之後，還包括：進一步蝕刻該第二部分的第一SIOX，使得該第二部分的第一SIOX層的厚度小於或等於該第一部分的第一SIOX層的厚度。
  10. 如請求項7至9中任一項所述的製作方法，其中，該柔性顯示面板在橫向上還包括過渡區，該過渡區位於該顯示區和該彎折區之間，該方法還包括：對該緩衝層對應於該過渡區的部分進行蝕刻，得到第三部分，其中該第三部分在從該柔性基板朝向該金屬層的方向上寬度逐漸減少。
TW107121861A 2017-08-31 2018-06-26 柔性顯示面板及其製作方法 TWI670845B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710773133.6A CN109427249A (zh) 2017-08-31 2017-08-31 柔性显示面板及其制作方法
??201710773133.6 2017-08-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201914001A TW201914001A (zh) 2019-04-01
TWI670845B true TWI670845B (zh) 2019-09-01

Family

ID=65505395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107121861A TWI670845B (zh) 2017-08-31 2018-06-26 柔性顯示面板及其製作方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10756126B2 (zh)
EP (1) EP3614431A4 (zh)
JP (1) JP2020521175A (zh)
KR (1) KR102380403B1 (zh)
CN (1) CN109427249A (zh)
TW (1) TWI670845B (zh)
WO (1) WO2019041901A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020232598A1 (en) * 2019-05-20 2020-11-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate
CN111312773B (zh) * 2020-02-25 2023-04-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN112002702B (zh) * 2020-08-06 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及可卷曲显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI306364B (en) * 2006-12-29 2009-02-11 Ind Tech Res Inst Flexible display panel device
TWI441120B (zh) * 2009-08-28 2014-06-11 Samsung Display Co Ltd 可撓性顯示器
TWI463528B (zh) * 2007-04-13 2014-12-01 尼康股份有限公司 A manufacturing method of a display element, a manufacturing apparatus for a display element, and a display element
CN104934438A (zh) * 2015-04-24 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
TWI509790B (zh) * 2012-08-29 2015-11-21 Lg Display Co Ltd 有機發光顯示器及其製造方法
TWI544845B (zh) * 2013-04-09 2016-08-01 蘋果公司 具彎折邊緣區域之可撓性顯示器
TWI549571B (zh) * 2013-04-11 2016-09-11 Ｌｇ顯示器股份有限公司 可撓性顯示面板
CN106601133A (zh) * 2017-02-28 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
TWI584459B (zh) * 2012-07-10 2017-05-21 三星顯示器有限公司 可撓性顯示裝置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102097150B1 (ko) * 2013-02-01 2020-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102222680B1 (ko) * 2013-02-01 2021-03-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101796812B1 (ko) * 2013-02-15 2017-11-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9740035B2 (en) * 2013-02-15 2017-08-22 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
JP6322380B2 (ja) * 2013-10-17 2018-05-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US9660004B2 (en) * 2014-03-21 2017-05-23 Apple Inc. Flexible displays with strengthened pad area
US9450038B2 (en) * 2014-07-31 2016-09-20 Lg Display Co., Ltd. Flexible display
US9544994B2 (en) * 2014-08-30 2017-01-10 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with side crack protection structure and manufacturing method for the same
CN104485351A (zh) * 2014-12-31 2015-04-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光显示器及其制作方法
JP6726973B2 (ja) * 2016-02-01 2020-07-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
TWI740908B (zh) * 2016-03-11 2021-10-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示設備
CN106848108B (zh) * 2017-01-23 2020-05-22 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及制备方法
KR102373441B1 (ko) * 2017-03-31 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102535784B1 (ko) * 2018-02-02 2023-05-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR102651935B1 (ko) * 2018-10-18 2024-03-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200046221A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크
KR20200053991A (ko) * 2018-11-09 2020-05-19 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102626885B1 (ko) * 2018-11-28 2024-01-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 조립 방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI306364B (en) * 2006-12-29 2009-02-11 Ind Tech Res Inst Flexible display panel device
TWI463528B (zh) * 2007-04-13 2014-12-01 尼康股份有限公司 A manufacturing method of a display element, a manufacturing apparatus for a display element, and a display element
TWI441120B (zh) * 2009-08-28 2014-06-11 Samsung Display Co Ltd 可撓性顯示器
TWI554988B (zh) * 2009-08-28 2016-10-21 三星顯示器有限公司 用於製造可撓性顯示器之方法
TWI584459B (zh) * 2012-07-10 2017-05-21 三星顯示器有限公司 可撓性顯示裝置
TWI509790B (zh) * 2012-08-29 2015-11-21 Lg Display Co Ltd 有機發光顯示器及其製造方法
TWI544845B (zh) * 2013-04-09 2016-08-01 蘋果公司 具彎折邊緣區域之可撓性顯示器
TWI549571B (zh) * 2013-04-11 2016-09-11 Ｌｇ顯示器股份有限公司 可撓性顯示面板
CN104934438A (zh) * 2015-04-24 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN106601133A (zh) * 2017-02-28 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190133267A (ko) 2019-12-02
US20190214412A1 (en) 2019-07-11
KR102380403B1 (ko) 2022-03-31
EP3614431A1 (en) 2020-02-26
CN109427249A (zh) 2019-03-05
TW201914001A (zh) 2019-04-01
US10756126B2 (en) 2020-08-25
WO2019041901A1 (zh) 2019-03-07
EP3614431A4 (en) 2020-04-22
JP2020521175A (ja) 2020-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI670845B (zh) 柔性顯示面板及其製作方法
WO2018054180A1 (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103943788B (zh) 柔性显示装置及其封装方法
WO2016000342A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
US20120289006A1 (en) Method of manufacturing poly-silicon tft array substrate
WO2017016007A1 (zh) Tft基板结构及其制作方法
US11443658B2 (en) Flexible display panels, manufacturing methods thereof and flexible display apparatuses
TWI473273B (zh) 薄膜電晶體、畫素結構及其製造方法
WO2013104209A1 (zh) 氧化物薄膜晶体管及其制备方法
WO2016029541A1 (zh) 薄膜晶体管及其的制备方法、阵列基板和显示装置
WO2013127202A1 (zh) 阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器
WO2019148579A1 (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
WO2014169544A1 (zh) 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
WO2015051639A1 (zh) 显示基板及其制造方法和柔性显示装置
JP2020126828A (ja) Ｏｌｅｄマイクロディスプレイ用のピクセルを製造するプロセス
WO2015096381A1 (zh) 阵列基板及其制造方法和显示装置
CN107195583A (zh) 一种oled显示面板及其制备方法
CN106920753B (zh) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器
WO2018176769A1 (zh) 叠层结构及其制备方法
WO2021035931A1 (zh) 阵列基板、阵列基板的制备方法和显示面板
WO2019041479A1 (zh) Oled-tft基板及其制造方法、显示面板
WO2017128554A1 (zh) Tft阵列基板及其制造方法
CN110224031A (zh) 改善金属氧化物tft特性的结构与其制作方法
CN107507869A (zh) 低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板
WO2017143636A1 (zh) 一种薄膜晶体管及其制备方法