KR20190133267A - 연성 표시 패널 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 71
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 238
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 연성 표시 패널 및 그 제조 방법을 제공한다. 상기 연성 표시 패널은, 연성 기판, 상기 연성 기판 상에 형성된 버퍼층, 및 상기 버퍼층 상에 형성된 금속층을 포함하되, 상기 연성 표시 패널은 가로 방향 상에서 표시 영역과 벤딩 영역을 포함하며, 상기 버퍼층은 제1 부분과 제2 부분을 포함하되, 상기 제1 부분이 상기 표시 영역에 대응되고, 상기 제2 부분이 상기 벤딩 영역에 대응되며, 상기 제2 부분의 두께가 상기 제1 부분의 두께보다 작다.
Description
본 발명은 2017년 8월 31일에 출원된, 출원번호가 CN 201710773133.6인 중국 특허 출원에 대해 우선권을 주장하며, 그 모든 내용은 인용을 통해 본 발명에 통합된다.
[기술분야]
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로, 특히 연성 표시 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
연성 폴더블 디스플레이, 예를 들어 유기 발광 디스플레이(Organic Light Emitting Display, OLED)는 사용자에게 참신한 시각 체험을 선사할 수 있다. 그러나, 이러한 디스플레이는 여러번의 굽힘을 거친 후, 금속선 파단 문제가 쉽게 발생하여, 표시에 영향을 주게 된다.
현재의 해결 방법으로는, 절연층/금속층/절연층/평탄화층 구조를 채용하여 금속선에 대한 보호를 수행한다. 그러나, 절연층의 영률이 비교적 커서, 굽힘 시에 쉽게 파단이 발생하여, 금속선의 파단을 초래한다.
이를 감안하여, 본 발명의 실시예는, 연성 표시 패널의 굽힘성을 향상시킬 수 있는, 연성 표시 패널 및 그 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 연성 표시 패널에 있어서, 연성 기판, 상기 연성 기판 상에 형성된 버퍼층, 및 상기 버퍼층 상에 형성된 금속층을 포함하되, 상기 연성 표시 패널은 가로 방향 상에서 표시 영역과 벤딩 영역을 포함하며, 상기 버퍼층은 제1 부분과 제2 부분을 포함하되, 상기 제1 부분이 상기 표시 영역에 대응되고, 상기 제2 부분이 상기 벤딩 영역에 대응되며, 상기 제1 부분의 두께가 상기 제2 부분의 두께보다 작은, 연성 표시 패널을 제공한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 부분은, 순차적으로 구성된 제1 SIOX 층, SINX 층 및 제2 SIOX 층을 포함하되, 상기 제1 SIOX 층은 상기 연성 기판 상에 구성되고, 상기 제2 부분은 제1 SIOX 층을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 연성 표시 패널은, 평탄화층 및 상기 평탄화층과 금속층 사이에 형성된 패시베이션층을 더 포함하되, 상기 패시베이션층과 평탄화층의 재료는 유기 재료이고, 상기 버퍼층의 재료는 무기 절연 재료이다.
일 실시예에 있어서, 상기 버퍼층의 제2 부분은 상기 SINX 층 및 상기 제2 SIOX 층을 포함하지 않는다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 부분의 제1 SIOX 층의 두께는 상기 제1 부분의 제1 SIOX 층의 두께보다 작거나 같다.
일 실시예에 있어서, 상기 연성 표시 패널이 가로 방향 상에서 과도 영역을 더 포함하되, 상기 과도 영역은 상기 표시 영역과 상기 벤딩 영역 사이에 위치되며, 상기 버퍼층은 제3 부분을 더 포함하되, 상기 제3 부분이 상기 과도 영역에 대응되며, 상기 제3 부분이 상기 연성 기판으로부터 상기 금속층을 향한 방향 상에서 너비가 점차 줄어든다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 부분의 두께는 300 nm 내지 1400 nm이며, 상기 제2 부분의 두께는 10 nm 내지 100 nm이다.
일 실시에에 있어서, 상기 제2 부분의 두께는 10 nm 내지 30 nm이다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 연성 표시 패널을 제조하는 방법에 있어서, 상기 연성 표시 패널이 가로 방향 상에서 표시 영역과 벤딩 영역을 포함하며, 상기 방법은, 연성 기판을 마련하는 단계; 상기 연성 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층의 상기 표시 영역에 대응되는 부분을 제1 부분으로 정하고, 상기 버퍼층의 상기 벤딩 영역에 대응되는 부분에 대해 식각을 수행함으로써 제2 부분을 구성하여 상기 제2 부분의 두께가 상기 제1 부분의 두께보다 작도록 하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는, 연성 표시 패널 제조 방법을 제공한다.
일 실시예에 있어서, 상기 연성 기판 상에 버퍼층을 형성함에 있어서, 상기 연성 기판 상에 순차적으로 제1 SIOX 층, SINX 층 및 제2 SIOX 층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 버퍼층의 상기 벤딩 영역에 대응되는 부분에 대해 식각을 수행함으로써 제2 부분을 구성함에 있어서, 상기 버퍼층의 상기 벤딩 영역에 대응되는 제2 SIOX 층과 SINX 층을 식각하여 상기 제2 부분의 제1 SIOX 층을 노출시키는 단계를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 버퍼층의 상기 벤딩 영역에 대응되는 제2 SIOX 층과 SINX 층을 식각하여 상기 제2 부분의 제1 SIOX 층을 노출시킨 후, 상기 제2 부분의 제1 SIOX을 추가적으로 식각하여, 상기 제2 부분의 제1 SIOX 층의 두께가 상기 제1 부분의 제1 SIOX 층의 두께보다 작거나 같도록 한다.
일 실시예에 있어서, 상기 연성 표시 패널은 가로 방향 상에서 과도 영역을 더 포함하되, 상기 과도 영역은 상기 표시 영역과 상기 벤딩 영역 사이에 위치되며, 상기 방법은, 상기 버퍼층의 상기 과도 영역에 대응되는 부분에 대해 식각을 수행하여 제3 부분을 구성하는 단계를 더 포함하되, 상기 제3 부분은 상기 연성 기판으로부터 상기 금속층을 향한 방향 상에서 너비가 점차 줄어든다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 부분의 두께는 10 nm 내지 30 nm이다.
일 실시예에 있어서, 상기 방법은, 상기 금속층 상에 상기 패시베이션층을 형성하고, 상기 패시베이션층 상에 평탄화층을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 패시베이션층과 상기 평탄화층의 재료는 유기 재료이며, 상기 버퍼층의 재료는 무기 절연 재료이다.
본 발명의 실시예에 의해 제공되는 연성 표시 패널의 제조 방법은, 금속층 형성 전에 벤딩 영역의 버퍼층에 대해 식각을 수행함으로써, 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 표시 영역의 버퍼층의 두께보다 작도록 하여, 연성 표시 패널의 굽힘성을 향상시킨다.
도 1에 도시된 바는 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 연성 표시 패널의 예시적인 단면도이다.
도 2에 도시된 바는 본 발명의 다른 일 실시예에 의해 제공되는 연성 표시 패널의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 표시 패널 제조 방법의 예시적인 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 연성 표시 패널 제조 방법의 예시적인 흐름도이다.
도 2에 도시된 바는 본 발명의 다른 일 실시예에 의해 제공되는 연성 표시 패널의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 연성 표시 패널 제조 방법의 예시적인 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 연성 표시 패널 제조 방법의 예시적인 흐름도이다.
이하, 본 발명의 실시예에서의 도면에 결부시켜, 본 발명의 실시예에서의 기술적 수단에 대해 명백하고 완전한 설명을 진행할 것이며, 자명한 점이라면, 설명될 실시예들은 단지 본 발명의 전부 실시예가 아닌 일부 실시예에 불과하다. 본 발명에서의 실시예에 기반하여 해당 분야의 통상적인 기술자에 의해 창의적인 노력이 없이 획득되는 다른 모든 실시예들도 모두 본 발명의 보호 범위에 속해야 할 것이다.
도 1에 도시된 바는 본 발명의 일 실시예에 의해 제공되는 연성 표시 패널(100)의 예시적인 단면도이다.
연성 표시 패널(100)은 연성 기판(101), 연성 기판(101) 상에 형성된 버퍼층(102), 및 버퍼층(102) 상에 형성된 금속층(103)을 포함한다. 연성 표시 패널(100)은 가로 방향 상에서 표시 영역(1)과 벤딩 영역(3)을 포함하며, 버퍼층(102)이 제1 부분과 제2 부분을 포함하되, 제1 부분이 표시 영역(1)에 대응되고, 제2 부분이 벤딩 영역(3)에 대응되며, 제2 부분의 두께가 제1 부분의 두께보다 작다.
본 발명의 실시예에 따르면, 금속층 형성 전에 벤딩 영역의 버퍼층에 대해 식각을 수행함으로써, 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 표시 영역의 버퍼층의 두께보다 작도록 하여, 연성 표시 패널의 굽힘성을 향상시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 버퍼층(102)의 제1 부분은 순차적으로 구성된 제1 SIOX 층(106), SINX 층(107) 및 제2 SIOX 층(108)을 포함하며, 버퍼층(102)의 제2 부분은 제1 SIOX 층을 포함하고 SINX 층과 제2 SIOX 층을 포함하지 않는다.
도 1을 참조하면, 연성 표시 패널의 표시 영역에서, 버퍼층에 아래로부터 위의 방향으로 순차적으로 제1 SIOX 층(106), SINX 층(107) 및 제2 SIOX 층(108)(즉 제1 부분)이 구성된다. 연성 표시 패널의 벤딩 영역에서, 버퍼층은 SINX 층과 제2 SIOX 층을 제거하여 남은 제1 SIOX 층(109)(즉 제2 부분)일 수 있다. 제1 SIOX 층(106)과 제1 SIOX 층(109)은 동일한 층에 위치된다.
이해해야 할 점이라면, 버퍼층(102)의 제1 부분은 제1 SIOX 층, SINX 층 및 제2 SIOX 층 중 적어도 한 층을 포함할 수 있으며, 본 발명의 실시예는 각 층의 구성 순서에 대해 한정하지 않는다. 대체 가능하게, 버퍼층(102)은 다른 규소 화합물 또는 버퍼층으로 사용 가능한 다른 재료일 수도 있다.
추가적으로, 제2 부분의 제1 SIOX 층(109)의 두께가 제1 부분의 제1 SIOX 층(106)의 두께보다 작거나 같다. 예를 들어, 제1 부분의 두께가 300 nm 내지 1400 nm일 수 있다. 제2 부분의 두께가 10 nm 내지 100 nm이다.
바람직하게, 제2 부분의 두께가 10 nm 내지 30 nm이다.
선택적으로, 다른 일 실시예로서, 연성 표시 패널(100)이 평탄화층(105)을 더 포함한다.
예를 들어, 상기 연성 표시 패널(100)이 연성 기판(101), 및 연성 기판(101) 상에 순차적으로 형성된 버퍼층(102), 금속층(103)과 평탄화층(105)을 포함한다. 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 표시 영역의 버퍼층의 두께보다 작다. 평탄화층(105)의 재료는 유기 재료이다. 버퍼층(102)은 예를 들어 무기 절연 재료일 수 있다. 예를 들어, 무기 절연 재료는 무기 실리콘 재료일 수 있으며, 구체적으로 질화 규소 또는 산화 규소 등일 수 있다. 통상적인 경우에, 무기 실리콘 재료로 버퍼층을 구성할 경우, 예를 들어 연성 표시 패널 굽힘 시에, 금속층 내의 금속선의 파단을 쉽게 초래한다. 통상적인 경우에, 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 작을수록, 벤딩 영역의 금속층의 굽힘성이 더 강하다. 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 매우 작을 경우, 벤딩 영역의 금속층이 유기층 사이에 위치되어, 굽힘 시에, 벤딩 영역의 금속층이 절단될 리스크가 크게 줄어든다. 벤딩 영역의 버퍼층의 두께를 줄임으로써, 연성 스크린 본체의 벤딩 영역의 굽힘성을 증가시킬 수 있다.
선택적으로, 다른 일 실시예로서, 상기 연성 기판(101)이 가로 방향 상에서 과도 영역(2)을 더 포함한다. 과도 영역(2)은 표시 영역(1)과 벤딩 영역(3) 사이에 위치되며, 버퍼층(102)은 제3 부분을 더 포함하되, 제3 부분이 과도 영역(2)에 대응되며, 제3 부분이 연성 기판(101)으로부터 금속층(103)을 향한 방향 상에서 너비가 점차 줄어든다. 제3 부분의 두께는 300 nm 내지 700 nm이다. 과도 영역(2)의 작용은 금속층이 경사질 때 파단되는 리스크를 줄이는 데 있으며, 제3 부분의 두께가 얇아지는 것은 금속층이 굽힘 시에 파단되는 리스크를 줄이기 위해서이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 금속층(103)은 금속선일 수 있다.
도 2에 도시된 바는 본 발명의 다른 일 실시예에 의해 제공되는 연성 표시 패널(200)의 단면도이다. 연성 표시 패널(100)은 연성 기판(101), 연성 기판(101) 상에 형성된 버퍼층(102), 버퍼층(102) 상에 형성된 금속층(103), 패시베이션층(104) 및 평탄화층(105)을 포함하되, 패시베이션층(104)은 평탄화층(105)과 금속층(103) 사이에 구성된다. 연성 표시 패널(100)은 가로 방향 상에서 표시 영역(1)과 벤딩 영역(3)을 포함하며, 버퍼층(102)이 제1 부분과 제2 부분을 포함하되, 제1 부분이 표시 영역(1)에 대응되고, 제2 부분이 벤딩 영역(3)에 대응되며, 제2 부분의 두께가 제1 부분의 두께보다 작다.
본 발명의 실시예에 따르면, 금속층 형성 전에 벤딩 영역의 버퍼층에 대해 식각을 수행함으로써, 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 표시 영역의 버퍼층의 두께보다 작도록 하여, 연성 표시 패널의 굽힘성을 향상시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 버퍼층(102)의 제1 부분은 순차적으로 구성된 제1 SIOX 층(106), SINX 층(107) 및 제2 SIOX 층(108)을 포함하며, 버퍼층(102)의 제2 부분은 제1 SIOX 층을 포함하고 SINX 층과 제2 SIOX 층을 포함하지 않는다.
도 2를 참조하면, 연성 표시 패널의 표시 영역에서, 버퍼층에 아래로부터 위의 방향으로 순차적으로 제1 SIOX 층(106), SINX 층(107) 및 제2 SIOX 층(108)(즉 제1 부분)이 구성된다. 연성 표시 패널의 벤딩 영역에서, 버퍼층은 SINX 층과 제2 SIOX 층을 제거하여 남은 제1 SIOX 층(109)(즉 제2 부분)일 수 있다. 제1 SIOX 층(106)과 제1 SIOX 층(109)은 동일한 층에 위치된다.
이해해야 할 점이라면, 버퍼층(102)의 제1 부분은 제1 SIOX 층, SINX 층 및 제2 SIOX 층 중 적어도 한 층을 포함할 수 있으며, 본 발명의 실시예는 각 층의 구성 순서에 대해 한정하지 않는다. 대체 가능하게, 버퍼층(102)은 다른 규소 화합물 또는 버퍼층으로 사용 가능한 다른 재료일 수도 있다.
추가적으로, 제2 부분의 제1 SIOX 층(109)의 두께가 제1 부분의 제1 SIOX 층(106)의 두께보다 작거나 같다. 예를 들어, 제1 부분의 두께가 300 nm 내지 1400 nm일 수 있다. 제2 부분의 두께가 10 nm 내지 100 nm이다.
바람직하게, 제2 부분의 두께가 10 nm 내지 30 nm이다.
선택적으로, 다른 일 실시예로서, 상기 연성 기판(101)이 가로 방향 상에서 과도 영역(2)을 더 포함한다. 과도 영역(2)은 표시 영역(1)과 벤딩 영역(3) 사이에 위치되며, 버퍼층(102)은 제3 부분을 더 포함하되, 제3 부분이 과도 영역(2)에 대응되며, 제3 부분이 연성 기판(101)으로부터 금속층(103)을 향한 방향 상에서 너비가 점차 줄어든다. 제3 부분의 두께는 300 nm 내지 700 nm이다. 과도 영역(2)의 작용은 금속층이 경사질 때 파단되는 리스크를 줄이는 데 있으며, 제3 부분의 두께가 얇아지는 것은 금속층이 굽힘 시에 파단되는 리스크를 줄이기 위해서이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 금속층(103)은 금속선일 수 있다.
패시베이션층(104)과 평탄화층(105)의 재료는 유기 재료이다. 버퍼층(102)은 예를 들어 무기 절연 재료일 수 있다. 예를 들어, 무기 절연 재료는 무기 실리콘 재료일 수 있으며, 구체적으로 질화 규소 또는 산화 규소 등일 수 있다. 통상적인 경우에, 무기 실리콘 재료로 버퍼층을 구성할 경우, 예를 들어 연성 표시 패널 굽힘 시에, 금속층 내의 금속선의 파단을 쉽게 초래한다. 통상적인 경우에, 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 작을수록, 벤딩 영역의 금속층의 굽힘성이 더 강하다. 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 매우 작을 경우, 벤딩 영역의 금속층이 유기층 사이에 위치되어, 굽힘 시에, 벤딩 영역의 금속층이 절단될 리스크가 크게 줄어든다. 벤딩 영역의 버퍼층의 두께를 줄임으로써, 연성 스크린 본체의 벤딩 영역의 굽힘성을 증가시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 연성 표시 패널 제조 방법의 예시적인 흐름도이다. 연성 표시 패널은 가로 방향 상에서 표시 영역과 벤딩 영역을 포함한다. 도 3의 제조 방법은 도 1 및 도 2의 실시예에서의 연성 표시 패널을 제조하는 데 사용된다. 도 3의 제조 방법은 다음과 같은 단계들을 포함한다.
301: 연성 기판 상에 버퍼층을 형성한다.
302: 버퍼층의 벤딩 영역에 대응되는 부분에 대해 식각을 수행함으로써 제2 부분을 구성하되, 버퍼층의 표시 영역에 대응되는 부분이 제1 부분으로 정하고, 제2 부분의 두께가 제1 부분의 두께보다 작다.
303: 버퍼층 상에 금속층을 형성한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 금속층 형성 전에 벤딩 영역의 버퍼층에 대해 식각을 수행함으로써, 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 표시 영역의 버퍼층의 두께보다 작도록 하여, 연성 표시 패널의 굽힘성을 향상시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 버퍼층 형성 시에, 연성 기판 상에 순차적으로 제1 SIOX 층, SINX 층 및 제2 SIOX 층을 형성할 수 있으며, 버퍼층의 벤딩 영역에 대응되는 제2 SIOX 층과 SINX 층을 식각하여 제2 부분의 제1 SIOX 층을 노출시킬 수 있다.
선택적으로, 다른 일 실시예로서, 버퍼층 형성 시에, 제2 부분의 제1 SIOX을 추가적으로 식각하여, 제2 부분의 제1 SIOX 층의 두께가 제1 부분의 제1 SIOX 층의 두께보다 작거나 같도록 할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 연성 표시 패널은 가로 방향 상에서 과도 영역을 더 포함하되, 과도 영역이 표시 영역과 벤딩 영역 사이에 위치되며, 도 3의 제조 방법은, 버퍼층의 과도 영역에 대응되는 부분에 대해 식각을 수행하여 제3 부분을 얻는 단계를 더 포함하되, 제3 부분은 연성 기판으로부터 금속층을 향한 방향 상에서 너비가 점차 줄어든다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제2 부분의 두께는 10 nm 내지 30 nm이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 금속층은 금속선을 포함한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 연성 표시 패널 제조 방법의 예시적인 흐름도이다. 도 4의 제조 방법은 도 3의 제조 방법의 실예로서, 도 1 및 도 2의 실시예에서의 연성 표시 패널을 제조하는 데 사용된다. 도 4의 제조 방법은 다음과 같은 단계들을 포함한다.
401: 연성 기판 상에 버퍼층을 형성한다.
402: 전체 연성 기판 상에 순차적으로 제1 SIOX 층, SINX 층 및 제2 SIOX 층을 형성한다.
403: 버퍼층의 벤딩 영역에 대응되는 제2 SIOX 층과 SINX 층을 식각하여 제2 부분의 제1 SIOX 층을 노출시킨다.
404: 제2 부분의 제1 SIOX 을 식각하여, 제2 부분의 제1 SIOX 층의 두께가 제1 부분의 제1 SIOX 층의 두께보다 작거나 같도록 한다.
405: 버퍼층의 과도 영역에 대응되는 부분에 대해 식각을 수행하여 제3 부분을 구성하되, 제3 부분은 연성 기판으로부터 금속층을 향한 방향 상에서 너비가 점차 줄어든다.
406: 버퍼층 상에 게이트 전극 절연층(110), 정전 용량 절연층(111), 및 층간 유전층(112)을 형성한다.
407: 층간 유전층(112) 상에 금속층을 형성한다. 즉 금속층은 층간 유전층(112) 및 버퍼층의 제2 부분과 제3 부분을 피복할 수 있다.
408: 금속층 상에 패시베이션층을 형성한다.
409: 패시베이션층 상에 평탄화층을 형성한다.
이해해야 할 점이라면, 408과 409는 선택적이다. 평탄화층과 패시베이션층의 재료는 유기 재료이다. 버퍼층은 예를 들어 무기 절연 재료일 수 있다. 예를 들어, 무기 절연 재료는 무기 실리콘 재료일 수 있으며, 구체적으로 질화 규소 또는 산화 규소 등일 수 있다. 통상적인 경우에, 무기 실리콘 재료로 버퍼층을 구성할 경우, 예를 들어 연성 표시 패널 굽힘 시에, 금속층 내의 금속선의 파단을 쉽게 초래한다. 통상적인 경우에, 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 작을수록, 벤딩 영역의 금속층의 굽힘성이 더 강하다. 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 매우 작을 경우, 벤딩 영역의 금속층이 유기층 사이에 위치되어, 굽힘 시에, 벤딩 영역의 금속층이 절단될 리스크가 크게 줄어든다. 이와 동시에, 비교적 얇은 무기층은, 식각과 침적침적 시에 유기 재료가 챔버를 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 벤딩 영역의 버퍼층의 두께를 줄임으로써, 연성 스크린 본체의 벤딩 영역의 굽힘성을 증가시킬 수 있다. 또한, 금속층 침적 전에 벤딩 영역의 버퍼층에 대해 식각을 수행하므로, 상기 공정 프로세스가 비교적 간단하여, 비용을 절감한다.
상기 내용은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과하고 본 발명을 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상과 원칙 내에서의 임의의 변경, 균등한 것들에 의한 치환 등은 모두 본 발명의 보호 범위 내에 속해야 할 것이다.
본 발명의 연성 표시 패널은, 금속층 형성 전에 벤딩 영역의 버퍼층에 대해 식각을 수행함으로써, 벤딩 영역의 버퍼층의 두께가 표시 영역의 버퍼층의 두께보다 작도록 하여, 연성 표시 패널의 굽힘성을 향상시킨다.
Claims (15)
- 연성 표시 패널에 있어서,
연성 기판;
상기 연성 기판 상에 형성된 버퍼층 - 상기 버퍼층은 제1 부분과 제2 부분을 포함함; 및
상기 버퍼층 상에 형성된 금속층을 포함하되,
상기 연성 표시 패널은 가로 방향 상에서 표시 영역과 벤딩 영역을 포함하되, 상기 버퍼층의 제1 부분이 상기 표시 영역에 대응되고, 상기 버퍼층의 제2 부분이 상기 벤딩 영역에 대응되며, 상기 버퍼층의 제2 부분의 두께가 상기 제1 부분의 두께보다 작은
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널. - 청구항 1에 있어서,
상기 버퍼층의 제1 부분은, 순차적으로 구성된 제1 SIOX 층, SINX 층 및 제2 SIOX 층을 포함하되, 상기 제1 SIOX 층은 상기 연성 기판 상에 구성되고, 상기 제2 부분은 제1 SIOX 층을 포함하는
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널. - 청구항 2에 있어서,
상기 버퍼층의 제2 부분은 상기 SINX 층 및 상기 제2 SIOX 층을 포함하지 않는
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널. - 청구항 2에 있어서,
상기 제2 부분의 제1 SIOX 층의 두께는 상기 제1 부분의 제1 SIOX 층의 두께보다 작거나 같은
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널. - 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 연성 표시 패널이 가로 방향 상에서 과도 영역을 더 포함하되, 상기 과도 영역은 상기 표시 영역과 상기 벤딩 영역 사이에 위치되며, 상기 버퍼층은 제3 부분을 더 포함하되, 상기 제3 부분이 상기 과도 영역에 대응되며, 상기 제3 부분이 상기 연성 기판으로부터 상기 금속층을 향한 방향 상에서 너비가 점차 줄어드는
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널. - 청구항 1에 있어서,
상기 연성 표시 패널은, 평탄화층 및 상기 평탄화층과 상기 금속층 사이에 형성된 패시베이션층을 더 포함하는
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널. - 청구항 6에 있어서,
상기 패시베이션층과 평탄화층의 재료는 유기 재료이고, 상기 버퍼층의 재료는 무기 절연 재료인
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 부분의 두께는 300 nm 내지 1400 nm이며, 상기 제2 부분의 두께는 10 nm 내지 100 nm인
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널. - 청구항 1에 있어서,
상기 제2 부분의 두께는 10 nm 내지 30 nm인
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널. - 연성 표시 패널을 제조하는 방법에 있어서, 상기 연성 표시 패널이 가로 방향 상에서 표시 영역과 벤딩 영역을 포함하며, 상기 방법은,
연성 기판을 마련하는 단계;
상기 연성 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층의 상기 표시 영역에 대응되는 부분을 제1 부분으로 정하고, 상기 버퍼층의 상기 벤딩 영역에 대응되는 부분에 대해 식각을 수행함으로써 제2 부분을 구성하여 상기 제2 부분의 두께가 상기 제1 부분의 두께보다 작도록 하는 단계; 및
상기 버퍼층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널 제조 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 연성 기판 상에 버퍼층을 형성함에 있어서, 상기 연성 기판 상에 순차적으로 제1 SIOX 층, SINX 층 및 제2 SIOX 층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 버퍼층의 상기 벤딩 영역에 대응되는 부분에 대해 식각을 수행함으로써 제2 부분을 구성함에 있어서, 상기 버퍼층의 상기 벤딩 영역에 대응되는 제2 SIOX 층과 SINX 층을 식각하여 상기 제2 부분의 제1 SIOX 층을 노출시키는 단계를 포함하는
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널 제조 방법. - 청구항 11에 있어서,
상기 버퍼층의 상기 벤딩 영역에 대응되는 제2 SIOX 층과 SINX 층을 식각하여 상기 제2 부분의 제1 SIOX 층을 노출시킨 후,
상기 제2 부분의 제1 SIOX을 추가적으로 식각하여, 상기 제2 부분의 제1 SIOX 층의 두께가 상기 제1 부분의 제1 SIOX 층의 두께보다 작거나 같도록 하는 단계를 더 포함하는
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널 제조 방법. - 청구항 10 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
상기 연성 표시 패널은 가로 방향 상에서 과도 영역을 더 포함하되, 상기 과도 영역은 상기 표시 영역과 상기 벤딩 영역 사이에 위치되며, 상기 방법은,
상기 버퍼층의 상기 과도 영역에 대응되는 부분에 대해 식각을 수행하여 제3 부분을 구성하는 단계를 더 포함하되, 상기 제3 부분은 상기 연성 기판으로부터 상기 금속층을 향한 방향 상에서 너비가 점차 줄어드는
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널 제조 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 제2 부분의 두께는 10 nm 내지 30 nm인
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널 제조 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 방법은, 상기 금속층 상에 패시베이션층을 형성하고, 상기 패시베이션층 상에 평탄화층을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 패시베이션층과 평탄화층의 재료는 유기 재료이며, 상기 버퍼층의 재료는 무기 절연 재료인
것을 특징으로 하는 연성 표시 패널 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710773133.6 | 2017-08-31 | ||
CN201710773133.6A CN109427249A (zh) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | 柔性显示面板及其制作方法 |
PCT/CN2018/088107 WO2019041901A1 (zh) | 2017-08-31 | 2018-05-24 | 柔性显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190133267A true KR20190133267A (ko) | 2019-12-02 |
KR102380403B1 KR102380403B1 (ko) | 2022-03-31 |
Family
ID=65505395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020197033418A KR102380403B1 (ko) | 2017-08-31 | 2018-05-24 | 연성 표시 패널 및 그 제조 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10756126B2 (ko) |
EP (1) | EP3614431A4 (ko) |
JP (1) | JP2020521175A (ko) |
KR (1) | KR102380403B1 (ko) |
CN (1) | CN109427249A (ko) |
TW (1) | TWI670845B (ko) |
WO (1) | WO2019041901A1 (ko) |
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2017
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-
2018
- 2018-05-24 KR KR1020197033418A patent/KR102380403B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-24 EP EP18850546.5A patent/EP3614431A4/en active Pending
- 2018-05-24 WO PCT/CN2018/088107 patent/WO2019041901A1/zh unknown
- 2018-05-24 JP JP2019564010A patent/JP2020521175A/ja active Pending
- 2018-06-26 TW TW107121861A patent/TWI670845B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR102380403B1 (ko) | 2022-03-31 |
EP3614431A1 (en) | 2020-02-26 |
WO2019041901A1 (zh) | 2019-03-07 |
TW201914001A (zh) | 2019-04-01 |
US10756126B2 (en) | 2020-08-25 |
TWI670845B (zh) | 2019-09-01 |
CN109427249A (zh) | 2019-03-05 |
EP3614431A4 (en) | 2020-04-22 |
US20190214412A1 (en) | 2019-07-11 |
JP2020521175A (ja) | 2020-07-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |