TWI509790B - 有機發光顯示器及其製造方法 - Google Patents

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Description

有機發光顯示器及其製造方法
本發明涉及一種有機發光顯示器，尤其涉及一種能夠實現薄膜形狀和可撓性並且基於改善的結構表現出優良的接觸特性的有機發光顯示器，以及製造該有機發光顯示器的方法。
平板顯示器的示例包括液晶顯示器(LCDs)、有機發光顯示器(OLEDs)、電漿顯示面板(PDPs)、量子點面板(PDPs)、場發射顯示器(FEDs)、電泳顯示器(EPDs)等。這些顯示器包括同樣地用於實現影像的平板顯示面板，其作為必要元件。這種平板顯示面板具有一種結構，即一對透明絕緣基板結合在一起以使其經由包含插入於其間之固有的發光或偏光材料或其他光學材料的層而彼此面對。
根據最近朝向大尺寸顯示器的趨勢，佔據更小空間的平板顯示器的需求逐漸地增加。在這些平板顯示器中，有機發光顯示器技術正在迅速地發展。
有機發光顯示器不需要任何獨立光源，並且包括有機發光二極體，該有機發光二極體在每一像素中自發地發光，以實現顯示。該有機發光顯示器作為下一代顯示器而引起更多關注，因為其有利地不需要光源以及將光源與顯示面板組裝的結構，因此具有降低厚度和重量的優點。
當電荷注入至電子注入電極(陰極)和電洞注入電極(陽極)之間形成的有機膜中時，電子及電洞配對之後該配對衰變。此時，有機發光二極體發光。
與此同時，對有機發光顯示器加上觸控螢幕的需求增加，其中該觸控螢幕為感應藉由手或獨立輸入元件觸碰的位置並且傳送資訊，以作出回應。這種觸控螢幕藉由貼附至顯示器的外表面而被應用。
根據觸碰感應方法，觸控螢幕被劃分為電阻型、電容型以及紅外線感應型。鑒於便於製造、感應力等，小型模組的電容型觸控螢幕引起更多關注。
下面將參考所附圖式描述先前技術的整合觸控螢幕有機發光顯示器。
第1圖為說明先前技術之觸控螢幕有機發光顯示器的剖面圖。
如第1圖所示，先前技術的整合觸控螢幕有機發光顯示器包括：有機發光顯示面板1、觸控螢幕2以及覆蓋視窗3，其以此順序自底部層疊，並且包括各個層之間配置的第一黏合層15與第二黏合層25。
這裏，有機發光顯示面板1包括：基板；以矩陣形式排列於基板上的薄膜電晶體陣列；以及有機發光二極體，與該薄膜電晶體陣列的每一個薄膜電晶體連接，並且包括保護膜以及偏極化層，用於覆蓋有機發光二極體的頂部。在此情況下，第一黏合層15對應於有機發光顯示面板1的偏極化層。此外，第二黏合層25形成於觸控螢幕2與覆蓋視窗3之間，以將觸控螢幕2貼附於覆蓋窗口3。
先前技術的整合觸控螢幕有機發光顯示器具有以下缺點。
首先，在有機發光顯示面板和觸控螢幕獨立形成並且之後將觸控螢幕貼附於有機發光顯示面板的情況下，有機發光顯示面板和觸控螢幕需要獨立的玻璃，因此增加硬度和厚度，而如此不可能實現薄且可撓的有機發光顯示器。
其次，有機發光顯示面板和觸控螢幕具有不同的面板形狀，從而使形成這些組件的製程複雜化並因此降低良率和價格競爭力。
再次，在內嵌型觸控螢幕結構中，其中觸控螢幕的墊部面對內側，也就是說，有機發光顯示面板的墊部的一側，使用包含有導電球的密封劑進行連結製程。在此情況下，相對小的導電球可能由於該導電球之間的直徑差異而具有接觸缺陷。此外，導電球的壓縮程度根據連結期間施加的壓力而變化，並因此在連結製程期間可能出現接觸缺陷。
因此，本發明旨在涉及一種有機發光顯示器及其製造方法，其基本上可以避免由於先前技術的侷限和不足導致的一個或複數個問題。
本發明的一個目的是提供一種有機發光顯示器，其能夠實現薄膜狀和可撓性，並且基於改善的結構表現出優良的接觸特性，以及提供一種製造該有機發光顯示器的方法。
本發明的額外的優點、目的和特點部分將在下面的說明書中予以闡述，部分將藉由熟悉本領域的技術人員在閱讀下面的說明書後明確，或者可以藉由實踐本發明而瞭解。本發明的這些目的和其他優點可以藉由說明書及其權利要求以及所附圖式中特定指出的結構獲得和瞭解。
為了實現這些目的和其他優點，並根據本發明的目的，如這裏具體而廣泛地描述地，提供一種有機發光顯示器，包括：分別位於一第一緩衝層和一第二緩衝層上的一電晶體-有機發光二極體陣列以及一觸碰電極陣列，其等具有一主動區域和一死區域並且彼此相對，該有機發光顯示器包括：一觸碰墊部，形成於該第二緩衝層的該死區域的一部分中；在該觸碰墊部彼此相隔的複數個觸碰墊，每一個觸碰墊包含一金屬墊層以及一透明電極墊層，該透明電極墊層經由一第一絕緣膜中的複數個第一接觸孔而與該金屬墊層連接；一偽墊部，形成於該第一緩衝層的該死區域中，該偽墊部包括與每一個觸碰墊對應的每一個偽墊；以及一密封劑，包含在該觸碰墊部與該偽墊部之間的複數個導電球。
在一個觸碰墊中形成的複數個第一接觸孔彼此相隔，並且排列為m和n列，以及以奇偶列排列的複數個第一接觸孔交替地排列。
該複數個導電球的至少其中之一側面接觸於該複數個第一接觸孔的至少其中之一的內部。
每一個第一接觸孔的寬度可以小於每一個導電球的直徑，並且複數個第一接觸孔對應於一個導電球。
該觸碰墊的該金屬墊層可以直接形成於該第二緩衝層上，包含該等第一接觸孔的該第一絕緣膜形成於該金屬墊層上，並且該透明電極墊層經由該第一接觸孔連接至該金屬墊層且形成於該第一絕緣膜上。
該透明電極墊層可以包含一第一透明電極墊層和一第二透明電極墊層。
該觸碰墊可以進一步包含在該等第一接觸孔之間的一金屬圖案。在此情況下，該金屬圖案可以配置在該第一透明電極墊層與該第二透明電極墊層之間。
該第一絕緣膜可以包含至少一個有機膜。
在該第一緩衝層上，每一個偽墊可以包含一閘極金屬墊層以及一源極墊層，該源極墊層經由包含在一第三絕緣膜中的複數個第二接觸孔而連接至該閘極金屬墊層。
與此同時，該第一絕緣膜可以包含具有一錐形物的複數個第一接觸孔側壁，該錐形物與該第二緩衝層的表面形成55度或更小的角度。
該電晶體-有機發光二極體陣列可以包括：一薄膜電晶體陣列，包含在該第一緩衝層的該主動區域中以矩陣形式定義的每一個像素中的一薄膜電晶體；一有機發光二極體，與每一個像素的薄膜電晶體連接；以及一保護層，形成於該第一緩衝層上以使該保護層覆蓋該有機發光二極體。
該觸碰電極陣列可以包括：一金屬橋，形成於與該第二緩衝層上的該金屬墊層相同的層中；複數個第一透明通道電極，形成於與該透明電極墊層相同的層中，該第一透明通道電極在與該金屬橋重疊的同時與該金屬橋電性連接，並且在第一方向中彼此相隔；以及複數個第二透明通道電極，形成於與該等第一透明通道電極相同的層中，該等第二透明通道電極貫穿該金屬橋並且形成於第二方向中。
或者，該觸碰電極陣列可以包括：一金屬橋，形成於與該第二緩衝層上的該金屬墊層相同的層中；複數個第一透明通道電極，形成於與該透明電極墊層相同的層中，該等第一透明通道電極在與該金屬橋重疊的同時與該金屬橋電性連接，並且在第一方向中彼此相隔；以及複數個第二透明通道電極，形成於與該等第一透明通道電極相同的層中，該等第二透明通道電極貫穿該金屬橋並且形成於第二方向中；以及一共同透明電極圖案，覆蓋該等第一和第二透明通道電極。
在此情況下，該有機發光顯示器可以進一步包括：一第二絕緣膜，形成在該等第一和第二透明通道電極與該共同透明電極圖案之間。
此外，該有機發光顯示器可以進一步包括：分別位於該第一緩衝層和該第二緩衝層的後表面上的一第一蝕刻阻擋膜和一第二蝕刻阻擋膜。
此外，該有機發光顯示器可以進一步包括：一膜基板，貼附於該第一蝕刻阻擋膜的後表面。
該有機發光顯示器可以進一步包括：一覆蓋玻璃，形成於該第二蝕刻阻擋膜的上表面。
該第一緩衝層和第二緩衝層可以包括一層合物，該層合物包括複數個無機膜。
該膜基板可以為一塑膠絕緣膜。
該第一蝕刻阻擋膜和該第二蝕刻阻擋膜可以包含聚醯亞胺或光壓克力(photoacryl)。
根據本發明的另一方面，提供一種製造有機發光顯示器的方法，包括：在一第一基板上形成一第一蝕刻阻擋膜和一第一緩衝層，並且在該第一緩衝層的一主動區域中形成具有以矩陣形式定義的每一個像素中的薄膜電晶體及與該薄膜電晶體連接的一有機發光二極體的電晶體-有機發光二極體陣列；在一第二基板上形成一第二蝕刻阻擋膜和一第二緩衝層，並且在該第二緩衝層的該主動區域中形成一觸碰電極陣列；在該第二緩衝層的一死區域的一部分中形成一觸碰墊部，其中該觸碰墊部包括複數個觸碰墊，每一個觸碰墊包含經由一第一絕緣膜中的複數個第一接觸孔而彼此連接的一金屬墊層以及一透明電極墊層；在該第一緩衝層的該死區域中形成一偽墊部，其中該偽墊部包括複數個偽墊，每一個偽墊對應於每一個觸碰墊；以及將包含有一導電球的一密封劑塗覆於該觸碰墊部或該偽墊部，將一黏合層貼附於該觸碰電極陣列或該電晶體-有機發光二極體陣列，並且將該第一基板連結至該第二基板。
形成該觸碰墊部的觸碰墊可以包括：在該第二緩衝層上形成一金屬墊層；在該金屬墊層上形成包含有複數個第一接觸孔的一第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上形成一透明電極墊層，以使該透明電極墊層經由該等第一接觸孔與該金屬墊層連接。
該透明電極墊層可以包括一第一透明電極墊層和一第二透明電極墊層，其等配置於不同的層上。
如果需要，形成每一個觸碰墊可以包括：在第一接觸孔之間二維地配置一金屬圖案，並且在配置於不同層的該第一透明電極墊層和該第二透明電極墊層之間形成一金屬圖案。
與此同時，形成該偽墊部的偽墊可以包括：在該第一緩衝層上形成一閘極金屬墊層；在該閘極金屬墊層上形成包含有複數個第二接觸孔的一第三絕緣膜；以及在該第三絕緣膜上形成一源極墊層，以使該源極墊層經由第二接觸孔與該閘極金屬墊層連接。
在連接之後，該導電球可以被壓縮至該觸碰墊部與該偽墊部之間的一預定厚度。
在連接之後，該觸碰墊部相鄰部的該死區域可以與該密封劑分隔一預定距離。
該方法可以進一步包括：去除該第一基板和該第二基板；以及將一膜基板貼附於該第一蝕刻阻擋膜的一暴露表面。
去除該第一基板和該第二基板可以藉由蝕刻或雷射照射該第一基板和該第二基板來實施。
可以理解的是，本發明的前面概述和後面詳細的描述為示例性及解釋性，並意在為所要主張的本發明提供進一步解釋說明。
1‧‧‧有機發光顯示面板
2‧‧‧觸控螢幕
3‧‧‧覆蓋視窗
15‧‧‧第一黏合層
25‧‧‧第二黏合層
110‧‧‧非晶相半導體層
120‧‧‧第一蝕刻阻擋層
130‧‧‧第一緩衝層
140‧‧‧薄膜電晶體陣列
141‧‧‧閘極絕緣膜
142‧‧‧閘電極層
143‧‧‧第三絕緣膜/中間絕緣膜
144‧‧‧源極墊層/源極金屬層
145‧‧‧平坦層
150‧‧‧有機發光陣列
151‧‧‧陽極
152‧‧‧有機發光層
153‧‧‧陰極
160‧‧‧保護層
161‧‧‧無機膜
162‧‧‧有機膜
163‧‧‧無機膜
205‧‧‧氮化物層
210‧‧‧第二蝕刻阻擋層
220‧‧‧第二緩衝層
230‧‧‧觸碰電極陣列
231‧‧‧金屬橋
231a‧‧‧金屬墊層
232‧‧‧第一絕緣膜
233‧‧‧透明金屬層
233a、333a、433a、533a‧‧‧第一透明電極墊層
234‧‧‧第二絕緣膜
235a‧‧‧透明電極圖案
335a、435a、535a‧‧‧第二透明電極墊層/第二透明電極圖案
400‧‧‧黏合層
434、534‧‧‧金屬圖案
450‧‧‧密封劑
455‧‧‧導電球
500‧‧‧IC
1000‧‧‧膜基板
1100‧‧‧膜黏合層
1141‧‧‧閘極絕緣膜
1142‧‧‧閘極金屬墊層
1143‧‧‧第三絕緣膜
1144‧‧‧源極墊層
1400‧‧‧偽電極
2000‧‧‧偏光板
2300‧‧‧絕緣膜
2331‧‧‧第一透明通道電極
2332‧‧‧第二透明通道電極
2332c‧‧‧電極連接部
2335‧‧‧共同透明電極圖案
2350‧‧‧觸碰墊部/觸碰電極墊部
2350A、3350A、4350A、5350A‧‧‧第一接觸孔
2351a、2351b‧‧‧觸碰墊
3000‧‧‧覆蓋玻璃
所附圖式，其中提供對本發明的進一步理解並且被結合與構成本發明的一部分，說明本發明的實施例並且同時描述對於本發明的原則的解釋。圖式中：第1圖為說明先前技術的觸控螢幕有機發光顯示器的剖面圖；第2圖為說明根據本發明的有機發光顯示器的平面圖；第3圖為沿第2圖I-I’線的剖面圖；第4圖為第2圖的區域「A」的放大平面圖； 第5圖為第4圖的觸碰墊的放大平面圖；第6A圖為沿第5圖III-III’線的剖面圖；第6B圖為顯示第6A圖的接觸孔的一側的SEM影像；第7圖為沿第4圖II-II’線的剖面圖；第8A圖至第8C圖為說明根據本發明實施例之有機發光顯示器的觸碰墊；第9圖為與第8A圖至第8C圖比較的參考實施例；第10A圖為說明根據本發明之與有機發光顯示器的觸碰墊對應的薄膜電晶體偽墊；第10B圖為自第10A圖的實施例變型的實施例；以及第11圖為說明本發明之有機發光顯示器的墊部、相鄰部和主動區域的剖面圖。
現在參考所附圖式對本發明的較佳實施例進行詳細描述。無論如何，在所附圖式中使用的相同的附圖標記用於表示相同或相似的部分。
下面將參考所附圖式詳細描述有機發光顯示器及其製造方法。
在最近些年中，對有機發光顯示器的觸碰感應以及薄度和可撓性的需求增加。為此，提出一種方法，即在第一基板上形成薄膜電晶體和有機發光陣列，在第二基板上形成觸碰電極陣列，將這些基板連結起來，並且藉由雷射照射或蝕刻去除硬且厚的第一和第二基板以實現薄膜和可撓性。在此情況下，觸碰電極陣列的墊部面對有機發光陣列的墊部，並且這些墊部經由導電球彼此連接，從而能夠將信號傳送至觸碰電極陣列並且檢測來自觸碰電極陣列的信號。
下面將描述一種內嵌型有機發光顯示器，其中在覆蓋玻璃內部提供觸碰電極陣列。
第2圖為說明根據本發明之有機發光顯示器的平面圖。第3圖為沿第2圖I-I’線的剖面圖。第4圖為第2圖的區域「A」的放大平面圖。
如第2圖和第3圖所示，根據本發明的有機發光顯示器具有以下結構，其中分別形成於膜基板1000的內部和覆蓋玻璃3000的內部並且具有不同尺寸的有機發光陣列150和觸碰電極陣列230經由黏合層400而彼此連結。
此外，偏光板2000配置在覆蓋玻璃3000之下，其作用以防止入射光的放射，以解決入射在有機發光顯示器上的外部光被反射並且被觀看者看見的問題。
此外，這些陣列不是直接地形成於膜基板1000或覆蓋玻璃3000上，並且藉由單獨製備第一基板和第二基板(均圖中未顯示)，每一個基板均由玻璃構成，經由有機發光陣列150和觸碰電極陣列230之間放置的黏合層連接基板(也就是說，在保持第一和第二基板的同時進行連結製程)，並且藉由雷射照射或蝕刻去除第一和第二基板以實現薄膜和可撓性而獲得。在此情況下，如第2圖所示，去除由玻璃材料構成的第一和第二基板，並且膜基板1000與覆蓋玻璃3000分別貼附於曝露的陣列的底部以保護這些陣列。
這裏，膜黏合層1100、第一蝕刻阻擋層120、第一緩衝層130、薄膜電晶體陣列140以及有機發光陣列150以此順序形成於膜基板1000上，並且形成保護層160以覆蓋有機發光陣列150。第二蝕刻阻擋層210、第二緩衝層220以及觸碰電極陣列230配置在覆蓋玻璃3000上。這裏，觸碰電極陣列230被配置以面對有機發光陣列150。在此情況下，保護層160直接接觸黏合層400的底部，並且觸碰電極陣列230直接接觸其頂部。
主動區域和死區域分別定義在第一緩衝層130和第二緩衝層220中，觸碰電極陣列230、有機發光陣列150和除墊部之外出現在薄膜電晶體陣列140中的薄膜電晶體均形成在主動區域中。此外，觸碰電極墊部2350和薄膜電晶體陣列的墊部被定義在死區域的部分區域中。
這裏，在雷射照射或蝕刻期間，除第一和第二基板的玻璃材料之外，第一蝕刻阻擋層120和第二蝕刻阻擋層210作用以防止損壞內部陣列。如果需要，配置於其下的第一緩衝層130和第二緩衝層220在去除第一和第二基板期間未損壞，可以省略第一及/或第二蝕刻阻擋層120和210。
此外，第一緩衝層130和第二緩衝層220可以藉由依序地層疊相同類型的無機膜如氧化物薄膜(SiO2 )或氮化物薄膜(SiNx)、或者另外選擇層疊不同類型的無機膜而形成。第一和第二緩衝層130和220作為屏障，以防止在第二基板連接至第一基板之後水分或外部空氣滲透至有機發光陣列150。
此外，觸碰墊部2350和觸碰電極陣列230均形成於第二緩衝層220的同一表面。
當上部和下部基板經由黏合層400而彼此連結時，觸碰墊部2350經由包含有導電球455的密封劑450而連結至薄膜電晶體陣列140的墊部。除了保護層160的作用之外，黏合層400作用以防止水分滲透，並且直接接觸覆蓋有機發光陣列150的保護層160，從而防止外部空氣滲透至有機發光陣列150，更確切的是防止水分滲透。
這裏，包含有墊部的薄膜電晶體陣列140具有自觸碰電極陣列230突起的一側。這種結構旨在於突起部提供IC 500，以傳送信號並同時驅動觸碰電極陣列和薄膜電晶體陣列、以及有機發光陣列。雖然圖中未顯示，該IC 500藉由在IC 500和第一緩衝層130上形成的線(圖中未顯示)而連接至薄膜電晶體陣列的驅動墊和偽墊。此外，該IC 500連結且連接至可撓性印刷電路板(FPCB，圖中未顯示)，並且可以藉由在FPCB中提供的控制器(圖中未顯示)來控制。在主動區域之外的死區域中，偽墊形成在與構成對應於觸碰墊部的區域中閘極或資料線的金屬相同的層中。
觸碰墊部2350形成於第二緩衝層220，並且形成於與第一緩衝層130比第二緩衝層220突出多的部分相鄰的一側的兩邊緣處。此外，在一邊緣處形成的觸碰墊部2350被劃分為複數個墊電極，以能夠施加電壓或檢測觸碰電極陣列中X軸方向排列的第一電極，並且在另一邊緣 處形成的觸碰墊部2350被劃分為複數個墊電極，以能夠施加電壓或檢測在Y軸方向中排列的第二電極。
與觸碰墊部2350連接的導電球455電性連接至偽電極(圖中未顯示)，該偽電極形成於薄膜電晶體陣列140的外部。
這裏，在實際製程期間，藉由塗覆不同區域而分別形成黏合層400和密封劑450。
與此同時，如第3圖所示，根據本發明的有機發光顯示器包括：膜基板1000；在膜基板1000上以此順序形成的第一蝕刻阻擋膜120和第一緩衝層130；在第一緩衝層130上具有以矩陣形式定義的每一個像素中的薄膜電晶體的薄膜電晶體陣列140；連接至每一個像素的薄膜電晶體的有機發光陣列150；保護層160，覆蓋除墊部之外的薄膜電晶體陣列140以及有機發光陣列150；觸碰電極陣列230，經由插於保護層160和觸碰電極陣列230之間的黏合層400而貼附於保護層；以及在觸碰電極陣列230上以此順序形成的第二緩衝層220和第二蝕刻阻擋膜210，並且包括配置在第二蝕刻阻擋膜210上的覆蓋玻璃3000。
這裏，覆蓋玻璃3000可以經由插入於第二蝕刻阻擋膜210和覆蓋玻璃3000之間的黏合層而貼附於第二蝕刻阻擋膜210，或者可以藉由機械方法或其他方法而設置於第二蝕刻阻擋膜210上。覆蓋玻璃3000防止使用者的直接觸碰而導致內部陣列的損壞，從而保護內部陣列。
根據本發明的有機發光顯示器可以藉由省略作為顯示器中最厚元件之約為0.7mm厚度的玻璃基板而降低厚度，並且藉由將膜基板1000作為塑膠絕緣膜以作用支撐薄膜電晶體陣列140、有機發光陣列150和觸碰電極陣列230，而可以實現彎曲或可撓性顯示器。
此外，在於膜基板上形成陣列如薄膜電晶體陣列140、有機發光陣列150和觸碰電極陣列230的製程中，藉由向沉積或圖案化陣列用裝置施加熱量而使膜基板熱膨脹，因而不可能進行正常處理。為了防止該現象，實質上，要在玻璃基板上形成陣列是在形成薄膜電晶體陣列140和形成觸碰電極陣列230之前，藉由在薄膜電晶體陣列140和觸碰電極陣列230之下形成蝕刻阻擋膜120和210以及緩衝層130和220，然後在沉積或圖案化用裝置中載入玻璃基板。
與此同時，薄膜電晶體陣列140包括彼此交錯的複數條閘極線和複數條資料線，以定義像素，以及在閘極線與資料線之間各個交錯點處形成的薄膜電晶體。在形成閘極線和資料線的製程中藉由形成墊部金屬而獲得薄膜電晶體陣列140的墊部。
此外，有機發光陣列150包括：至少形成於像素中的第一電極；形成在與第一電極相隔的上層中的第二電極；以及形成在第一電極與第二電極之間的有機發光層。這裏，第一電極可以連接至薄膜電晶體的汲電極。
此外，第一蝕刻阻擋膜120和第二蝕刻阻擋膜210可以，例如，由聚醯亞胺或光壓克力構成。
第一和第二蝕刻阻擋膜120和210的厚度約為1μm至約為20μm。
此外，第一緩衝層130和第二緩衝層220作用以防止氧氣或水分滲透至提供在有機發光陣列中的有機膜，並且作為屏障以防止自底部注入的外部空氣或水分的滲透。
第一緩衝層130和第二緩衝層220包括複數個無機膜。例如，可以藉由連續或另外選擇地層疊SiNx或SiO2 而形成無機膜。由實驗可知，當兩個或複數個層被層疊至約為5000Å至6500Å的厚度而作為第一和第二緩衝層130和220時，可以防止外部空氣或水分的滲透。第一和第二緩衝層130和220的總厚度為1μm或更少，其不增加整合觸控螢幕顯示裝置的厚度。
如第4圖所示，觸碰電極陣列230包括彼此交錯的第一透明通道電極2331和第二透明通道電極2332、以及觸碰墊2351b(設置於觸碰墊部2350中)，以傳送信號至第一和第二透明通道電極2331和2332。觸碰墊2351b可以連接至形成在薄膜電晶體陣列中的偽墊(參考第10A圖)。包含有偽墊的薄膜電晶體陣列140如第3圖所示，並且觸碰電極層顯示為包含有觸碰墊、以及第一和第二透明通道電極2331和2332的單一層的形式，但這些層根據各個電極而圖案化。
這裏，第一和第二透明通道電極2331和2332均由透明電極構成，並且觸碰墊2351b包括：金屬墊層(與金屬橋231相同的層)，該 金屬墊層具有高導電性和優良的遮光特性；以及透明電極圖案(在第6A圖中用附圖標記235a表示)，其為與由第一和第二透明通道電極2331和2332構成的透明電極相同的層。此外，第一和第二透明通道電極2331和2332可以配置於相同層或不同層中。例如，如附圖所示，當第一和第二透明通道電極2331和2332出現在相同層時，用於接觸第一透明通道電極2331或與其他層相鄰的第二透明通道電極2332的獨立金屬橋231設置於第一透明通道電極2331和第二透明通道電極2332之間的交錯處，以防止在第一透明通道電極2331和第二透明通道電極2332之間的短路。與此同時，未描述的附圖標記「2332c」表示電極連接部，其藉由彼此相隔的第一透明通道電極2331並且以整合形式連接上部和下部第二透明通道電極2332。
第5圖為第4圖之觸碰墊的放大平面圖。第6A圖為沿第5圖III-III’線的剖面圖。第6B圖為顯示第6A圖之接觸孔的一側的SEM影像。
如第5圖和第6A圖所示，配置在觸碰墊部2350中的複數個觸碰墊2351b包括經由絕緣膜2300而彼此連接的金屬墊層231a和透明電極墊層235a，其中該絕緣膜2300包括層間的複數個第一接觸孔2350A。
這裏，在觸碰墊2351b中形成的複數個第一接觸孔2350A彼此相隔，並且排列為m和n列，以奇偶列排列的第一接觸孔配置在交替位置處。每一個第一接觸孔2350A的寬度小於每一個導電球455的直徑，並且導電球455與觸碰墊2351b之間的接觸面積和接觸位置的數量較佳地根據每一個導電球455的第一接觸孔2350A而增加。
這裏，在觸碰墊2351b中配置第一接觸孔2350A的原因是：與在連結製程期間加壓時與平坦化表面相比較，導電球455確保更多的接觸位置和大接觸面積。此外，在連結製程期間藉由第一接觸孔2350A分佈壓力，從而防止相對軟和弱的透明電極墊層的破壞或破裂。尤其是，如第6A圖所示，導電球455側面接觸各個第一接觸孔2350A的側壁，因此除平面接觸位置之外更具有電性的接觸位置。尤其是，當排列複數個第一接觸孔2350A時，這種接觸的可能性高。
此外，可以以奇偶列交替地配置第一接觸孔2350A。在這種交替的配置中，在製備於各個列中第一接觸孔2350A配置於相同位置的情況中，雖然導電球455移動，第一接觸孔2350A接觸導電球455的可能性高。
與此同時，這裏，絕緣膜2300可以具有單或多層結構，並且可以包括至少一層有機膜。
第6B圖為顯示在第一接觸孔2350A的寬度和長度分別為10μm及10μm的情況下測試的第一接觸孔2350A的側壁的SEM影像，並且在位於相同列的第一接觸孔2350A之間的距離以及位於相同行的第一接觸孔2350As的距離均為5μm。在SEM影像中，在側壁上主要觀察比透明電極墊層235a厚的絕緣膜2300。
與此同時，在測試中，該側壁為錐形，其與金屬墊層231a的表面形成約28度的角度，但本發明不必侷限於此。因為導電球455的側面接觸應該可以在第一接觸孔2350A中，關於預定部分的側壁的形狀，錐形較佳地為垂直形狀。例如，可以在第一接觸孔2350A中提供的側壁較佳地為與第二緩衝層220的表面形成55度或更少的角度的錐形。
藉由與觸碰電極陣列230相同的製程形成這種觸碰墊2351b。
第7圖為沿第4圖II-II’線的剖面圖。
如第7圖所示，觸碰電極陣列230包括：金屬橋231，形成於與第二緩衝層220上的金屬墊層231a相同的層中；複數個第一透明通道電極2331，其在與金屬橋231重疊的同時電性連接至金屬橋231，並且在與透明電極墊層235a相同的層中形成的第一方向中彼此相隔；以及連接部2332c，連接第二透明通道電極(在第4圖中用附圖標記「2332」表示)，其貫穿金屬橋231並且在與金屬橋231的交錯處以整合形式形成於第二方向中。
此外，觸碰電極陣列230可以進一步包括共同透明電極圖案2335，覆蓋第一和第二透明通道電極2331和2332。
在此情況下，觸碰電極陣列230可以進一步包括第二絕緣膜234，插入於第一和第二透明通道電極2331、2332與共同透明電極圖案2335之間。
如果需要，可以省略第二絕緣膜234和共同透明電極圖案2335。當觸碰電極陣列230經由黏合層(在第3圖中用附圖標記「400」表示)貼附於機發光二極體(在第3圖中用附圖標記「150」表示)以及薄膜電晶體陣列(在第3圖中用附圖標記「140」表示)時，共同透明電極圖案2335作用以防止有機發光陣列(在第3圖中用附圖標記「150」表示)以及薄膜電晶體陣列(在第3圖中用附圖標記「140」表示)的驅動效應。共同透明電極圖案2335覆蓋第一和第二透明通道電極2331、2332，以及第二透明通道電極的連接部2332c。在此情況下，共同透明電極圖案2335具有浮動狀態。
與此同時，觸碰電極陣列230和觸碰墊2351b配置於第二緩衝層220上，這種結構顯示在觸碰電極陣列230連結至有機發光陣列150之後的狀態。實質上，觸碰電極陣列230和觸碰墊2351b的形成可以在不去除包含有觸碰電極陣列230且由玻璃成分製成的第二基板的狀態中實施(參考上面第2圖的描述)。其原因是在陣列製程期間第二緩衝層2230可能受到用於加熱和蝕刻製程的化學藥品的侵害。如果需要，當第二緩衝層220足夠抵抗使用的熱量和化學藥品時，可以省略第二基板。
下面將詳細描述根據本發明有機發光顯示器之包含有複數個第一接觸孔的觸碰墊的結構的較佳實施例。
第8A圖至第8C圖說明根據本發明實施例之有機發光顯示器的觸碰墊。
如第8A圖所示，根據下述製程形成根據本發明第一實施例的觸碰墊部。
也就是說，根據下述製程實施觸碰墊部的觸碰墊的形成。首先，金屬墊層231a形成於第二緩衝層220上。金屬墊層231a可以藉由蝕刻與第7圖的金屬橋231相同層中的相同金屬而形成。
隨後，包含有複數個第一接觸孔3350A的第一絕緣膜232形成於金屬墊層231a上。
隨後，第一透明電極墊層333a形成於第一絕緣膜232上，以使其經由第一接觸孔3350A連接至金屬墊層231a。第一透明電極墊層333a可以形成於與第一和第二透明通道電極2331和2332相同的層中。
隨後，第二絕緣膜234形成為相鄰於觸碰墊2351b的相鄰部，以使其暴露第一透明電極墊層333a。
隨後，主動區域的第二透明電極墊層335a可以進一步形成於第一透明電極墊層333a上，其中第二透明電極墊層335a為與共同透明電極圖案(在第7圖中用附圖標記「2335」表示)相同的層。根據共同透明電極圖案(在第7圖中用附圖標記「2335」表示)的出現，可以確定第二透明電極圖案335a的出現。
如上所述，當有機發光顯示器包括第一接觸孔3350A時，與觸碰墊2351b對應的導電球455的接觸面積和接觸位置增加，薄膜電晶體陣列與與薄膜電晶體陣列相同層上配置的偽墊之間的電學特性可以改善，其中該薄膜電晶體陣列與該偽墊經由觸碰墊2351b和導電球455電性連接。因此，可以降低電阻。
下面將描述與第一實施例相同效果的另一實施例。
第8B圖為說明根據本發明第二實施例的觸碰墊以及根據下述製程形成的觸碰墊。
也就是說，根據下述製程實施觸碰墊部的觸碰墊的形成。首先，金屬墊層231a形成於第二緩衝層220上。金屬墊層231a可以藉由蝕刻與第7圖的金屬橋231相同層中的相同金屬而形成。
隨後，包含有複數個第一接觸孔4350A的第一絕緣膜232形成於金屬墊層231a上。
隨後，第一透明電極墊層433a形成於第一絕緣膜232上，以使其經由第一接觸孔4350A連接至金屬墊層231a。第一透明電極墊層433a可以形成於與第一和第二透明通道電極2331和2332相同的層中。
隨後，第二絕緣膜234形成於觸碰墊2351b的相鄰部，以使其暴露第一透明電極墊層433a。
隨後，金屬圖案434形成於第一透明電極墊層433a上的預定區域以及第一接觸孔4350A中。
隨後，用於覆蓋金屬圖案434和暴露的第一透明電極墊層433a的第二透明電極墊層435a可以進一步形成於與主動區域的共同透明電極圖案(在第7圖中用附圖標記「2335」表示)相同的層中。根據共同透明電極圖案(在第7圖中用附圖標記「2335」表示)的出現，可以確定第二透明電極圖案435a的出現。
在此情況下，當具有低硬度的透明電極在連結製程期間由於導電球455而被破壞或短路時，具有比透明電極更高導電性的金屬圖案434分流信號，從而降低觸碰墊的電阻。
如第8C圖所示，根據下述製程形成根據本發明第三實施例的觸碰墊部。
也就是說，根據下述製程實施觸碰墊部的觸碰墊的形成。首先，金屬墊層231a形成於第二緩衝層220上。金屬墊層231a可以藉由蝕刻與第7圖的金屬橋231相同層中的相同金屬而形成。
隨後，包含有複數個第一接觸孔5350A的第一絕緣膜232形成於金屬墊層231a上。
隨後，第一透明電極墊層533a形成於第一絕緣膜232上，以使其經由第一接觸孔5350A連接至金屬墊層231a。第一透明電極墊層533a可以形成於與第一和第二透明通道電極2331和2332相同的層中。
隨後，第二絕緣膜234形成於觸碰墊2351b的相鄰部，以使其暴露第一透明電極墊層533a。
隨後，金屬圖案534形成於第一透明電極墊層533a上的預定區域中。在此情況下，金屬圖案534可以形成於第一接觸孔5350A之間。
隨後，用於覆蓋金屬圖案534和暴露的第一透明電極墊層533a的第二透明電極墊層535a可以進一步形成於與主動區域的共同透明電極圖案(在第7圖中用附圖標記「2335」表示)相同的層中。根據共同透明電極圖案(在第7圖中用附圖標記「2335」表示)的出現，可以確定第二透明電極圖案535a的出現。
在此情況下，當具有低硬度的透明電極在連結製程期間由於導電球455而被破壞或短路時，具有比透明電極更高導電性的金屬圖案534分流信號，從而降低觸碰墊的電阻。
第9圖為與第8A圖至第8C圖比較的參考實施例。
與根據第一實施例至第三實施例中的觸碰墊相比較，將描述包含有第一接觸孔2350A的參考實施例。
如第9圖所示，參考實施例與第一實施例相同，除第一絕緣膜232包括第一接觸孔2350A之外。
對於第一至第三實施例和參考實施例，在使用包含插入於觸碰墊部和偽墊部之間之導電球的密封劑的連結之後評估缺陷程度。
從上述表1可知，當光壓克力(PA)用作為絕緣膜(第一和第二絕緣膜)材料時，當改變出現第一接觸孔和出現金屬圖案的條件，則改變通道總數量與缺陷通道數量的比。通道總數量與缺陷通道數量的比定義為缺陷百分比。參考實施例具有約為25.5%的缺陷百分比，這意味著導電球的電接觸特性在連結之後被破壞。
在另一方面，根據本發明的第一實施例至第三實施例具有5.3%或更少的低缺陷百分比。這意味著，與本發明的觸碰墊類似，提供複數個第一接觸孔，或者在一觸碰墊中在金屬墊層與透明電極墊層之間進一 步形成金屬圖案，從而增加接觸面積和接觸位置的數量，其中在接觸位置處導電球接觸觸碰墊的表面，從而改善電連接。
這裏，Ref為在各個位置中模擬的導電性，並且當Ref約為8000或更多時，缺陷百分比可以為20%或更少。
第10A圖為說明根據本發明之與有機發光顯示器的觸碰墊對應的薄膜電晶體偽墊。第10B圖為從第10A圖的實施例變型的實施例。
這裏，雖然圖中未顯示，將信號施加於薄膜電晶體陣列的薄膜電晶體墊形成於同一平面上，其中薄膜電晶體偽墊形成於該平面上。
如第10A圖所示，根據本發明的有機發光顯示器的每一個偽墊包括閘極金屬墊層1142和源極墊層1144，該閘極金屬墊層1142和源極墊層1144經由包含在第一緩衝層130上插入於其間的複數個第二接觸孔1143A的第三絕緣膜1143而彼此連接。
這裏，閘極絕緣膜1141可以進一步形成於第一緩衝層130上的閘極金屬墊層1142之下。
第10B圖為說明根據本發明之偽墊的變型實施例。形成在閘極金屬墊層142和源極墊層144之間的第三絕緣膜143中的接觸孔的數量僅為一個。
當偽墊對應於本發明的第一實施例至第三實施例的觸碰墊時，第10A圖和第10B圖的實施例可以降低連結製程之後的接觸缺陷。如第10A圖所示，當出現複數個第二接觸孔時，可以進一步降低缺陷百分比。
此外，因為形成在第一緩衝層130中的偽墊直接接觸導電球，比透明電極硬的源極墊層144位於上部，雖然在連結製程期間由導電球455施加壓力，與觸碰墊相比較，源極墊層144不容易破裂。因此，偽墊可以應用於第10A圖的實施例和第10B圖的實施例。
第11圖為說明本發明之有機發光顯示器的墊部、相鄰部和主動區域的剖面圖。
如第11圖所示，本發明的有機發光顯示器包括：第一緩衝層130和第二緩衝層220，該第一緩衝層130和第二緩衝層220包含主動區域和死區域，並且彼此相對；薄膜電晶體陣列140，在第一緩衝層130 的主動區域中包含有在以矩陣形式定義的每一個像素中的薄膜電晶體；有機發光陣列150，包含有與每一個像素的薄膜電晶體連接的有機發光二極體；保護層160，形成於第一緩衝層130上以使其覆蓋薄膜電晶體陣列140和有機發光陣列150；形成在第二緩衝層220的主動區域中的觸碰電極陣列230；黏合層400，其底部和頂部分別接觸保護層160和觸碰電極陣列230；在第二緩衝層220的死區域的預定部分中的觸碰墊部(在第2圖中用附圖標記「2350」表示)；偽墊部，形成於第一緩衝層130的死區域中，以使其面對觸碰墊部；以及密封劑450，包含插入於觸碰墊部和偽墊部之間的複數個導電球455。
此外，觸碰墊部包括複數個觸碰墊2351b，偽墊部包括與觸碰墊2351b對應的偽電極1400。
這裏，墊部中觸碰墊2351b的最外層表面與偽電極1400的最外層表面之間的距離小於相鄰部中的距離。在所描述的圖式中，墊電極中的距離為「a+d」，其小於墊電極相鄰部中的距離。
在此情況下，因為從薄膜電晶體陣列140中的墊電極相鄰部去除源極金屬層144，第一距離「a」表示密封劑450與中間絕緣膜143之間的距離，第二距離「d」表示墊電極相鄰部中第二絕緣膜234與密封劑450之間的距離。
根據本發明，進一步提供與觸碰墊部對應的第一中間層絕緣膜232，雖然包括在與其相鄰的墊電極相鄰部中的第二中間層絕緣膜234厚於金屬層或透明電極層，具有與其類似厚度的第一中間層絕緣膜232也設置於觸碰墊2351b中，並且觸碰墊2351b形成為高於相鄰部一階。
也就是說，觸碰墊部包括複數個觸碰墊2351b，二維地彼此相隔，每一個觸碰墊2351b包括金屬墊層231a與第一透明電極墊層233a之間的第一中間層絕緣膜232，在垂直結構中，除金屬墊層231a之外，還有第一透明電極墊層233a和第二透明電極墊層235a，從而確保足夠的間距。在所描述的圖式中，僅有第一中間層絕緣膜232提供於電極層與透明電極圖案之間，但本發明並不侷限於此。藉由進一步提供兩個或更複數個中間層絕緣膜，觸碰墊部與墊電極相鄰部之間的間隔可以最大化。這裏， 包括在觸碰墊2351b中的中間層絕緣膜在觸碰電極陣列230的形成期間形成，並且為在無額外製程的情況下可以提供的元件。
這裏，僅顯示觸碰墊2351b的一部分。第一接觸孔3350A設置於金屬墊層231a與第一透明電極墊層233a之間的部分第一中間層絕緣膜232中，以能夠實現電性的連接。
與此同時，偽電極1400具有以下結構：閘極絕緣膜141、閘電極層142、中間絕緣膜143和源極金屬層144以此順序層疊在第一緩衝層130上。
甚至在連結製程期間施加低壓力時，密封劑450中的導電球455連結至在上部和下部設置的觸碰墊2351b和偽電極1400，因為觸碰墊相鄰部具有大於觸碰墊的距離「a+d」，從而改善接觸特性。因此，在連結製程之後，導電球455被按壓至觸碰墊部與偽墊部之間的預定厚度。這種結構導致接觸電阻的降低，接觸特性的提高，從而提高觸碰信號靈敏性。
在此情況下，第二距離「d」出現在觸碰墊部相鄰部的死區域中的第二中間層絕緣膜234與密封劑450之間，第一距離「a」出現在偽電極相鄰部中中間絕緣膜143與密封劑450之間。
與此同時，一個或複數個中間層絕緣膜234和232較佳地為有機膜。這旨在於觸碰電極陣列230中在電極層與透明電極圖案之間提供中間層絕緣，並且確保位於不同層的金屬層與透明電極圖案之間的預定厚度。
平坦層145可以進一步提供於在主動區域中的薄膜電晶體陣列140的最外層表面上。
此外，主動區域的觸碰電極陣列230包括：金屬橋231，形成於與第二緩衝層上的金屬墊層231a相同的層中；複數個第一透明通道電極(在第10A圖中用附圖標記「2331」表示)，其在與金屬橋231重疊的同時電性連接至金屬橋231，並且在與透明電極圖案233a相同的層中的第一方向中彼此相隔；以及透明金屬層233，包括貫穿金屬橋的第二透明通道電極2332，並且形成於與第一透明通道電極相同層中的第二方向。
在所描述的圖式中，出現構成第一和第二透明通道電極的透明金屬層233和經由第二中間層絕緣膜234而與透明金屬層233重疊的共同透明電極2335。如果需要，可以省略共同透明電極2335。該共同透明電極2335為浮動狀態，作用以遮罩觸碰電極陣列230上的相對薄膜電晶體陣列或有機發光陣列的驅動信號的效應。
在此情況下，觸碰墊部的觸碰墊2351a也可以包括共同透明電極圖案235a，以覆蓋透明電極圖案233a，並且連接至透明電極圖案233a。
這裏，在觸碰墊部相鄰部的死區域中，可以去除至少一個中間層絕緣膜(圖式中，第一中間層絕緣膜)。
與此同時，未描述的附圖標記「145」表示在主動區域中薄膜電晶體陣列140的最外層表面上形成的鈍化層145。
此外，有機發光陣列150包括陽極151、有機發光層152以及陰極153。這種結構為最小單元。一堤(圖中未顯示)可以包括在像素之間，以將有機發光層152隔離至像素單元，並且可以添加或改變有機層以改善陽極151與陰極153之間的發光效率。
此外，第一和第二蝕刻阻擋膜120和210可以分別形成於第一緩衝層130和第二緩衝層220的底部。第一蝕刻阻擋膜120和第二蝕刻阻擋膜210可以由聚醯亞胺或光壓克力構成。
在此情況下，在連結製程之後，膜基板(在第2圖中用附圖標記「1000」表示)可以進一步形成於第一蝕刻阻擋膜120的底部。這裏，膜基板1000可以由塑膠絕緣膜構成，以實現薄和可撓性。
此外，在去除基板(玻璃)之後，覆蓋玻璃(在第2圖中用附圖標記「3000」表示)可以進一步形成於第二蝕刻阻擋膜210上。
與此同時，第一緩衝層130和第二緩衝層220可以具有包含有複數個無機膜的層疊結構。
此外，保護層160包括無機膜161、有機膜162以及無機膜163，其以此順序被層疊。基於包含有交替層疊的有機膜和無機膜的結構，保護層160主要作用以防止水分滲透至有機發光陣列150。
此外，未描述的附圖標記「205」和「110」分別表示氮化物層和非晶相半導體層，以保護陣列。在連結製程之後的去除玻璃期間，可以與相鄰基板一起去除這些層。
本發明的有機發光顯示器包括在覆蓋玻璃的底部中的內嵌型觸碰電極陣列。為此，準備驅動觸碰電極陣列的觸碰墊面對包含有機發光陣列的第一緩衝層。此外，FPCB連結藉由使用包含導電球的密封劑來連接在第一緩衝層中形成的偽墊和觸碰墊而進行。
在此情況下，為了改善偽墊與觸碰墊之間的接觸特性和產率，提供複數個在觸碰墊的金屬墊層與透明電極墊層中包括的接觸孔，從而增加導電球面對觸碰墊時的接觸面積和接觸部分的數量。經由此結構變化，雖然在連結製程期間藉由導電球施加高壓力，該壓力可以分佈於複數個接觸孔，從而防止具有較低硬度的透明電極墊層的破壞。該金屬圖案可以藉由在透明電極墊層與金屬墊層之間的金屬圖案而分流電信號，雖然該壓力部分地破壞該透明電極墊層，因而防止接觸部的電阻的增加。因此，可以改善觸碰靈敏性。
根據本發明的有機發光顯示器及其製造方法具有以下優點。
本發明的有機發光顯示器包括在覆蓋玻璃的底部中的內嵌型觸碰電極陣列。為此，設置之用於驅動觸碰電極陣列的觸碰墊面對包含有機發光陣列的第一緩衝層。此外，FPCB連結藉由經由包含導電球的密封劑來連接在第一緩衝層中形成的偽墊與觸碰墊而進行。在此情況下，為了改善偽墊與觸碰墊之間的接觸特性和產率，提供複數個在觸碰墊的金屬墊層和透明電極墊層中包括的接觸孔，從而增加導電球面對觸碰墊時的接觸面積和接觸部分的數量。
藉由該結構變化，雖然在連結製程期間由導電球施加高壓力，該壓力可以分佈於複數個接觸孔，從而防止具有較低硬度的透明電極墊層的破壞。可以藉由在透明電極墊層與金屬墊層之間提供金屬圖案而分流電信號，雖然該壓力部分地破壞該透明電極墊層，從而防止接觸部的電阻的增加。
因此，可以改善觸碰靈敏性。
此外，觸碰墊部設置於覆蓋玻璃內部，觸碰墊部經由導電球連接至薄膜電晶體墊部，並且所有觸碰電極陣列、薄膜電晶體陣列、以及有機發光陣列可以經由包含在薄膜電晶體墊部中的一個晶片來傳送信號。一個晶片連接至一個可撓性印刷板，因而簡化有機發光顯示器的墊部和電路結構。因此，可以實現薄型並且降低成本。
此外，根據本發明的有機發光顯示器具有內嵌結構，其中觸碰電極陣列包含在覆蓋玻璃中，因而不需要額外的貼附觸控螢幕的製程，能夠變薄並且實現在簡化製程中製造的顯示器。
顯而易見的是，熟悉本領域的技術人員在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發明作出各種修改及變換。因此，被預期的，本發明涵蓋在所附申請專利範圍及其等同的範圍內所提供的本發明的修改及變換。
本申請案主張於2012年8月29日提交的韓國專利申請第10-2012-0095260號的優先權權益，該專利申請在此全部引用作為參考。
220‧‧‧第二緩衝層
231a‧‧‧金屬墊層
235a‧‧‧透明電極圖案
455‧‧‧導電球
2300‧‧‧絕緣膜
2350A‧‧‧第一接觸孔

Claims (32)

  1. 一種有機發光顯示器，包括：分別位於一第一緩衝層以及一第二緩衝層上的一電晶體-有機發光二極體陣列以及一觸碰電極陣列，其等具有一主動區域和一死區域並且彼此相對，該有機發光顯示器包括：一觸碰墊部，形成於該第二緩衝層的該死區域的一部分中；在該觸碰墊部中彼此相隔的複數個觸碰墊，每一個觸碰墊包含一金屬墊層和經由一第一絕緣膜中的複數個第一接觸孔而連接至該金屬墊層的一透明電極墊層；一偽墊部，形成於該第一緩衝層的該死區域中，該偽墊部包括與每一個觸碰墊對應的每一個偽墊；以及一密封劑，包含在該觸碰墊部與該偽墊部之間的複數個導電球。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示器，其中，形成在一個觸碰墊中的該複數個第一接觸孔彼此相隔並且排列為複數個列，以及奇數列中的該複數個第一接觸孔與偶數列的該複數個第一接觸孔交錯地配置。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示器，其中，該複數個導電球的至少其中之一側面接觸該複數個第一接觸孔的至少其中之一的內部。
  4. 依據申請專利範圍第3項所述的有機發光顯示器，其中，每一個第一接觸孔的寬度小於每一個導電球的直徑，並且該複數個第一接觸孔對應於一個導電球。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示器，其中，該觸碰墊的該金屬墊層直接形成於該第二緩衝層上，包含該等第一接觸孔的該第一絕緣膜形成於該金屬墊層上，並且該透明電極墊層經由該第一接觸孔連接至該金屬墊層且形成於該第一絕緣膜上。
  6. 依據申請專利範圍第5項所述的有機發光顯示器，其中，該透明電極墊層包含一第一透明電極墊層和一第二透明電極墊層。
  7. 依據申請專利範圍第6項所述的有機發光顯示器，其中，該觸碰墊進一步包含在該等第一接觸孔之間的一金屬圖案。
  8. 依據申請專利範圍第7項所述的有機發光顯示器，其中，該金屬圖案配置在該第一透明電極墊層與該第二透明電極墊層之間。
  9. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示器，其中，該第一絕緣膜包含至少一個有機膜。
  10. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示器，其中，在該第一緩衝層上的每一個偽墊包含一閘極金屬墊層以及經由包含在一第二絕緣膜中的複數個第二接觸孔而連接至該閘極金屬墊層的一源極墊層。
  11. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示器，其中，該第一絕緣膜包含具有一錐形物的複數個第一接觸孔側壁，該錐形物與該第二緩衝層的表面形成55度或更小的角度。
  12. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示器，其中，該電晶體-有機發光二極體陣列包含：一薄膜電晶體陣列，包含在該第一緩衝層的該主動區域中以矩陣形式定義的每一個像素中的一薄膜電晶體；一有機發光二極體，連接至每一個像素的該薄膜電晶體；以及一保護層，形成於該第一緩衝層上以使該保護層覆蓋有該機發光二極體。
  13. 依據申請專利範圍第5項所述的有機發光顯示器，其中，該觸碰電極陣列包含： 一金屬橋，形成於與該第二緩衝層上的該金屬墊層相同的層中；複數個第一透明通道電極，形成於與該透明電極墊層相同的層中，該等第一透明通道電極在與該金屬橋重疊的同時與該金屬橋電性連接，並且在第一方向中彼此相隔；以及複數個第二透明通道電極，形成於與該第一透明通道電極相同的層中，該等第二透明通道電極橫跨該金屬橋並且在第二方向中形成。
  14. 依據申請專利範圍第6項所述的有機發光顯示器，其中，該觸碰電極陣列包含：一金屬橋，形成於與該第二緩衝層上的該金屬墊層相同的層中；複數個第一透明通道電極，形成於與該透明電極墊層相同的層中，該等第一透明通道電極在與該金屬橋重疊的同時與該金屬橋電性連接，並且在第一方向中彼此相隔；以及複數個第二透明通道電極，形成於與該等第一透明通道電極相同的層中，該等第二透明通道電極橫跨該金屬橋並且在第二方向中形成；以及一共同透明電極圖案，覆蓋該第一透明通道電極和該第二透明通道電極。
  15. 依據申請專利範圍第14項所述的有機發光顯示器，進一步包括：一第二絕緣膜，形成於該等第一和第二透明通道電極與該共同透明電極圖案之間。
  16. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示器，進一步包括：分別位於該第一緩衝層和該第二緩衝層的後表面上的一第一蝕刻阻擋膜和一第二蝕刻阻擋膜。
  17. 依據申請專利範圍第16項所述的有機發光顯示器，進一步包括：貼附於該第一蝕刻阻擋膜的後表面的一膜基板。
  18. 依據申請專利範圍第17項所述的有機發光顯示器，進一步包括：在該第二蝕刻阻擋膜的上表面上形成的一覆蓋玻璃。
  19. 依據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示器，其中，該第一緩衝層和第二緩衝層包含一層合物，該層合物包含複數個無機膜。
  20. 依據申請專利範圍第17項所述的有機發光顯示器，其中，該膜基板為一塑膠絕緣膜。
  21. 依據申請專利範圍第16項所述的有機發光顯示器，其中，該第一蝕刻阻擋膜和該第二蝕刻阻擋膜包含聚醯亞胺或光壓克力。
  22. 一種製造有機發光顯示器的方法，包括：在一第一基板上形成一第一蝕刻阻擋膜和一第一緩衝層，並且在該第一緩衝層的一主動區域中形成具有以矩陣形式定義的每一個像素中的一薄膜電晶體及與該薄膜電晶體連接的一有機發光二極體的一電晶體-有機發光二極體陣列；在一第二基板上形成一第二蝕刻阻擋膜和一第二緩衝層，並且在該第二緩衝層的該主動區域中形成一觸碰電極陣列；在該第二緩衝層的一死區域的一部分中形成一觸碰墊部，其中，該觸碰墊部包含複數個觸碰墊，每一個觸碰墊包含一金屬墊層與一透明電極墊層，該金屬墊層與該透明電極墊層經由一第一絕緣膜中的複數個第一接觸孔而彼此連接；在該第一緩衝層的該死區域中形成一偽墊部，其中，該偽墊部包括複數個偽墊，每一個偽墊對應於每一個觸碰墊；以及將包含有一導電球的一密封劑塗覆於該觸碰墊部或該偽墊部，將一黏合層貼附於該觸碰電極陣列或該電晶體-有機發光二極體陣列，並且將該第一基板連結至該第二基板。
  23. 依據申請專利範圍第22項所述之製造有機發光顯示器的方法，其中，該複數個導電球的至少其中之一側面接觸該複數個第一接觸孔的至少其中之一的內部。
  24. 依據申請專利範圍第23項所述之製造有機發光顯示器的方法，其中，該第一接觸孔的直徑小於該導電球的直徑，並且該複數個第一接觸孔對應於一個導電球。
  25. 依據申請專利範圍第24項所述之製造有機發光顯示器的方法，其中，形成該觸碰墊部的每一個觸碰墊包含：在該第二緩衝層上形成一金屬墊層；在該金屬墊層上形成包括複數個第一接觸孔的一第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上形成一透明電極墊層，以使該透明電極墊層經由該第一接觸孔連接至該金屬墊層。
  26. 依據申請專利範圍第25項所述之製造有機發光顯示器的方法，其中，該透明電極墊層包含一第一透明電極墊層和一第二透明電極墊層，其中該第一透明電極墊層和該第二透明電極墊層配置於不同的層中。
  27. 依據申請專利範圍第26項所述之製造有機發光顯示器的方法，其中，形成每一個觸碰墊包含：在該第一接觸孔之間水平地配置複數個金屬圖案，並且在該第一透明電極墊層與該第二透明電極墊層之間垂直地配置該複數個金屬圖案。
  28. 依據申請專利範圍第22項所述之製造有機發光顯示器的方法，其中，形成該偽墊部的偽墊包括：在該第一緩衝層上形成一閘極金屬墊層；在該閘極金屬墊層上形成包含複數個第二接觸孔的一第二絕緣膜；以及 在該第二絕緣膜上形成一源極墊層，以使該源極墊層經由該等第二接觸孔連接至該閘極金屬墊層。
  29. 依據申請專利範圍第22項所述之製造有機發光顯示器的方法，其中，在連結之後，該導電球被壓縮至該觸碰墊部與該偽墊部之間的一預定厚度。
  30. 依據申請專利範圍第29項所述之製造有機發光顯示器的方法，其中，在連結之後，該觸碰墊部的相鄰部的該死區域與該密封劑分隔一預定距離。
  31. 依據申請專利範圍第22項所述之製造有機發光顯示器的方法，進一步包括：去除該第一基板和該第二基板；以及將一膜基板貼附於該第一蝕刻阻擋膜的一暴露表面。
  32. 依據申請專利範圍第31項所述之製造有機發光顯示器的方法，其中，藉由蝕刻或雷射照射該第一基板和該第二基板來實施去除該第一基板和該第二基板。
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