TWI666226B - 光學用薄膜之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係光學用薄膜之製造方法，其特徵在於：將由光學用薄膜及保護膜，以前述保護膜之由樹脂[E]所構成之表面部與前述光學用薄膜為相向之方式疊合而捲取，其中該光學用薄膜係使特定嵌段共聚物氫化物[D]擠製成形而得到；該保護膜係至少一表面部在23℃之彎曲彈性模數為1500MPa以下，且對由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之黏著性係在23℃之剝離強度為0.1N/cm以下之樹脂[E]所構成。依照本發明，能夠提供一種能夠應用在偏光板保護膜、相位差膜、透明黏著薄膜用的基材薄膜等之由特定嵌段共聚物氫化物所構成且在表面無擦傷和剝離痕跡的光學用薄膜之製造方法。

Description

光學用薄膜之製造方法
本發明係關於一種由嵌段共聚物氫化物所構成之光學用薄膜之製造方法，更詳言之，係關於一種在表面之傷痕等的缺陷較少且具有優異的面狀之適合於偏光板保護膜、相位差膜、透明黏著薄膜用的基材薄膜等的光學用薄膜之製造方法。
先前，已知將芳香族乙烯系化合物聚合物的芳香環氫化之氫化物、或由以源自芳香族乙烯系化合物的重複單元作為主成分之聚合物嵌段、及含有源自鏈狀共軛二烯化合物的重複單元之聚合物嵌段所構成的嵌段共聚物之芳香環、以及源自二烯的雙鍵氫化而成之嵌段共聚物氫化物擠製成形而得到之薄膜，作為偏光膜、相位差膜等的光學用薄膜係有用的(專利文獻1~4)。
在與本發明有關聯之專利文獻2，係記載在將嵌段共聚物氫化物成形而製造薄膜時，為了防止薄膜彼此之間黏結之目的，亦可將遮蔽膜重疊而捲取。但是，沒有記載有關於用以顯現與防止黏結不同之防止薄膜表面負傷的功能之遮蔽膜的物性及特性。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]日本特開2002-105151號公報(US2003/0207983 A1)
[專利文獻2]日本特開2003-114329號公報
[專利文獻3]WO2009/067290號小冊子
[專利文獻4]WO2009/137278號小冊子
將上述嵌段共聚物氫化物使用在光學用薄膜用途時，因為將源自芳香族乙烯系化合物的重複單元之含有率提高時，彈性模數變高且將其成形而成之薄膜不容易產生雙折射，所以被認為較佳。
但是另一方面，相較於源自芳香族乙烯系化合物的重複單元之含有率較低的嵌段共聚物氫化物，源自芳香族乙烯系化合物的重複單元之含有率較高的嵌段共聚物氫化物，因被成形的薄膜本身之間互相摩擦而有薄膜表面容易產生傷痕之問題。
就該對策而言，認為藉由在嵌段共聚物氫化物調配滑劑來改良所成形的薄膜之滑性，能夠改善負傷容易性。但是會擔心因滑劑滲出所致之薄膜表面污染、與其他材料多層化時之接著性低落等。又，作為提高薄膜之間的滑性來改善負傷容易性之方法，雖然亦考慮在薄膜表面施行微細的壓花加工，但是因為在光學用薄膜用途係要求表面的平滑性而無法應用。
本發明係鑒於如此的實際情況而進行，其目的係 提供一種由特定的嵌段共聚物氫化物所構成的光學用薄膜之製造方法，該光學用薄膜係在表面之傷痕等的缺陷較少，能夠應用在具有優異的面狀之偏光板保護膜、相位差膜、透明黏著薄膜用的基材薄膜等。
為了達成上述目的，本發明者等專心研討的結果，發現將由特定嵌段共聚物氫化物所構成之光學用薄膜、及表面係由具有特定值以下的彎曲彈性模數及黏著性之樹脂所構成之保護膜捲起成為重疊捲物狀而保管時，能夠有效地抑制由特定嵌段共聚物氫化物所構成之光學用薄膜的表面負傷，而完成了本發明。
如此依照本發明，能夠提供下述(1)~(3)的光學用薄膜之製造方法。
(1)一種光學用薄膜之製造方法，係由將嵌段共聚物[C]的總不飽和鍵之90%以上氫化而成之嵌段共聚物氫化物[D]所構成之光學用薄膜之製造方法，其中該嵌段共聚物[C]係由以源自芳香族乙烯系化合物的重複單元作為主成分之至少2個聚合物嵌段[A]、及源自鏈狀共軛二烯化合物的重複單元作為主成分之至少1個聚合物嵌段[B]所構成，將總聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率設作wA，且將總聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率設作wB時，wA與wB之比(wA：wB)為60：40~90：10，該光學用薄膜之製造方法之特徵在於：將光學用薄膜及保護膜，以前述保護膜之由樹脂[E]所構 成之表面部與前述光學用薄膜為相向之方式疊合而捲取，其中該光學用薄膜係將前述特定嵌段共聚物氫化物[D]擠製成形而得到；該保護膜係至少一表面部在23℃之彎曲彈性模數為1500MPa以下，且對由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之黏著性係在23℃之剝離強度為0.1N/cm以下之樹脂[E]所構成。
(2)如(1)所述之光學用薄膜之製造方法，其中前述保護膜係由前述樹脂[E]所構成之單層薄膜、在最表面具有由前述樹脂[E]所構成的層之多層薄膜、或是在由彎曲彈性模數大於1500MPa之樹脂[E]以外的樹脂所構成之薄膜的兩面形成由樹脂[E]所構成的層而成之多層薄膜。
(3)如(1)或(2)所述之光學用薄膜之製造方法，其中前述樹脂[E]係選自由聚乙烯、聚丙烯、乙烯．α-烯烴共聚物、乙烯．乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、及聚酯彈性體所組成群組之至少一種。
依照本發明，能夠提供一種光學用薄膜之製造方法，其係由嵌段共聚物氫化物所構成的光學用薄膜之製造方法，適合於在表面傷痕等的缺陷較少且具有優異的面狀之偏光板保護膜、相位差膜、透明黏著薄膜用的基材薄膜等。
用以實施發明之形態
以下，詳細地說明本發明。
本發明的光學用薄膜之製造方法，係由將嵌段共聚物[C]的總不飽和鍵之90%以上氫化而成之嵌段共聚物氫化物[D]所構成之光學用薄膜之製造方法，其中該嵌段共聚物[C]係由以源自芳香族乙烯系化合物的重複單元作為主成分之至少2個聚合物嵌段[A]、及源自鏈狀共軛二烯化合物的重複單元作為主成分之至少1個聚合物嵌段[B]所構成，將總聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率設作wA，且將總聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率設作wB時，wA與wB之比(wA：wB)為60：40~90：10，該光學用薄膜之製造方法之特徵在於：將光學用薄膜及保護膜，以前述保護膜之由樹脂[E]所構成之表面部與前述光學用薄膜為相向之方式疊合而捲取，其中該光學用薄膜係將前述特定嵌段共聚物氫化物[D]擠製成形而得到；該保護膜係至少一表面部在23℃之彎曲彈性模數為1500MPa以下，且對由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之黏著性係在23℃之剝離強度為0.1N/cm以下之樹脂[E]所構成。
1.嵌段共聚物氫化物[D]
在本發明所使用的嵌段共聚物氫化物[D]，係將其前驅物亦即嵌段共聚物[C]的總不飽和鍵之90%以上氫化而得到之高分子。
嵌段共聚物[C]係含有至少2個聚合物嵌段[A]、及至少1個聚合物嵌段[B]之高分子。
(聚合物嵌段[A])
聚合物嵌段[A]係將源自芳香族乙烯系化合物的構造單元設作主成分者。
聚合物嵌段[A]中之源自芳香族乙烯系化合物的構造單元之含量，係通常為90重量%以上，以95重量%以上為佳，較佳為99重量%以上。
聚合物嵌段[A]中之源自芳香族乙烯系化合物的構造單元太少時，本發明之光學用薄膜的耐熱性有低落之可能性。
聚合物嵌段[A]亦可含有源自芳香族乙烯系化合物的構造單元以外之成分。作為源自芳香族乙烯系化合物的構造單元以外之成分，可舉出源自鏈狀共軛二烯的構造單元及/或源自其他的乙烯系化合物的構造單元。
其含量係相對於聚合物嵌段[A]，通常為10重量%以下，以5重量%以下為佳，較佳為1重量%以下。
在嵌段共聚物氫化物[D]所含有的複數個聚合物嵌段[A]之間，只要滿足上述的範圍，互相可相同亦可不同。
(聚合物嵌段[B])
聚合物嵌段[B]係將源自鏈狀共軛二烯化合物的構造單元設作主成分者。
聚合物嵌段[B]中之源自鏈狀共軛二烯化合物的構造單元之含量，係通常為70重量%以上，以80重量%以上為佳，較佳為90重量%以上。
聚合物嵌段[B]中之源自鏈狀共軛二烯化合物的構造單元為上述範圍時，能夠對本發明之光學用薄膜賦予柔軟性。
又，聚合物嵌段[B]亦可含有源自鏈狀共軛二烯化合物的構造單元以外之成分。作為源自鏈狀共軛二烯化合物的構造單元以外之成分，可舉出源自芳香族乙烯系化合物的構造單元及/或源自其他的乙烯系化合物的構造單元。
其含量係相對於聚合物嵌段[B]，通常為30重量%以下，以20重量%以下為佳，較佳為10重量%以下。
聚合物嵌段[B]中之源自芳香族乙烯系化合物的構造單元之含量太多時，本發明之光學用薄膜的雙折射顯現性低落，柔軟性有低落之可能性。
嵌段共聚物氫化物[D]係具有複數個聚合物嵌段[B]時，聚合物嵌段[B]之間，互相可相同亦可不同。
作為芳香族乙烯系化合物，可舉出苯乙烯；α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、4-第三丁基苯乙烯、5-第三丁基-2-甲基苯乙烯等具有碳數1~6的烷基作為取代基之苯乙烯類；4-氯苯乙烯、二氯苯乙烯、4-一氟苯乙烯等具有鹵素原子作為取代基之苯乙烯類；4-甲氧基苯乙烯等具有碳數1~6的烷氧基作為取代基之苯乙烯類；4-苯基苯乙烯等具有芳基作為取代基之苯乙烯類；1-乙烯基萘、2-乙烯萘等的乙烯基萘類等。該等之中，從吸濕性的觀點而言，係以苯乙烯、具有碳數1~6的烷基作為取代基之苯乙烯類等不含有極性基之芳香族乙烯系化合物為佳，從工業上取得的容易性而言，係以苯乙烯為特佳。
作為鏈狀共軛二烯系化合物，可舉出1,3-丁二烯、 異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。尤其是從吸濕性的觀點而言，係以不含有極性基之鏈狀共軛二烯系化合物為佳，從工業上取得容易性而言，係以1,3-丁二烯、異戊二烯為特佳。
作為其他的乙烯系化合物，可舉出鏈狀乙烯系化合物、環狀乙烯系化合物等的乙烯系化合物；不飽和的環狀酸酐；不飽和醯亞胺化合物等。該等化合物亦可具有腈基、烷氧基羰基、羥羰基、或鹵基等的取代基。該等之中，從吸濕性的觀點而言，係以乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-二十烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等碳數2~20的鏈狀烯烴；乙烯基環己烷等碳數5~20的環狀烯烴等不具有極性基之乙烯系化合物為佳，以碳數2~20的鏈狀烯烴為較佳，以乙烯、丙烯為特佳。
(嵌段共聚物[C])
嵌段共聚物[C]係嵌段共聚物氫化物[D]的前驅物，在分子內含有至少2個聚合物嵌段[A]、及至少1個聚合物嵌段[B]之高分子。
嵌段共聚物[C]中的聚合物嵌段[A]之數量，係通常為5個以下，以4個以下為佳，較佳為3個以下。聚合物嵌段[A]及/或聚合物嵌段[B]存在複數個時，將在聚合物嵌段[A]之中重量平均分子量為最大及最少的聚合物嵌段之重量平均分子量各自為Mw(A1)及Mw(A2)，且將在聚合物嵌段[B]之中重量平均分子量為最大及最少的聚合物嵌段之重量平均分子量各自為Mw(B1)及Mw(B2)時，該Mw(A1)與Mw(A2)之比 (Mw(A1)/Mw(A2))及Mw(B1)與Mw(B2)之比(Mw(B1)/Mw(B2))係各自為4.0以下，以3.0以下為佳，較佳為2.0以下。
嵌段共聚物[C]的嵌段之形態係可為鏈狀型嵌段亦可為放射型嵌段。因為具有優異的機械強度，以鏈狀型嵌段為較佳。嵌段共聚物[C]的最佳形態，係聚合物嵌段[A]在聚合物嵌段[B]的兩端鍵結而成之三嵌段共聚物([A]-[B]-[A])、及聚合物嵌段[B]鍵結在聚合物嵌段[A]的兩端，而且，聚合物嵌段[A]各自鍵結在該兩聚合物嵌段[B]的另一端而成之五嵌段共聚物([A]-[B]-[A]-[B]-[A])。
嵌段共聚物[C]中之總聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率設作wA，且將總聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物全體所有的重量分率設作wB時，wA與wB之比(wA：wB)為60：40~90：10，以65：35~85：15為佳，較佳為70：30~80：20。wA太高時，雖然本發明之光學用薄膜的耐熱性變高且雙折射亦容易變小，但是柔軟性較低且光學用薄膜在切削面容易產生裂紋；wA太低時，耐熱性低落且延伸後的光學用薄膜係在高溫耐久試驗容易收縮。
嵌段共聚物[C]的分子量，係使用將四氫呋喃(THF)作為溶劑之凝膠滲透層析法(GPC)所測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)，通常為40,000~200,000，以50,000~150,000為佳，較佳為60,000~100,000。又，嵌段共聚物[C]的分子量分布(Mw/Mn)係以3以下為佳，較佳為2以下，特佳為1.5以下。
嵌段共聚物[C]係例如能夠使用以下的方式來製造：藉由活性陰離子聚合等的方法，使以芳香族乙烯系化合物 作為主成分而含有的單體混合物(a)與以鏈狀共軛二烯系化合物作為主成分而含有的單體混合物(b)交替地聚合之方法；及將以芳香族乙烯系化合物作為主成分而含有的單體混合物(a)及以鏈狀共軛二烯系化合物作為主成分而含有的單體混合物(b)依照順序使其聚合之後，藉由偶合劑使聚合物嵌段[B]的末端之間偶合之方法等。
前述單體混合物(a)中的芳香族乙烯系化合物之含量，係通常為90重量%以上，以95重量%以上為佳，較佳為99重量%以上。又，單體混合物(a)亦可含有芳香族乙烯系化合物以外的成分。作為其他成分，可舉出鏈狀共軛二烯化合物、其他的乙烯系化合物。其含量係相對於單體混合物(a)，通常為10重量%以下，以5重量%以下為佳，較佳為1重量%以下。
前述單體混合物(b)中的鏈狀共軛二烯化合物之含量，係通常為70重量%以上，以80重量%以上為佳，較佳為90重量%以上。又，單體混合物(b)亦可含有鏈狀共軛二烯化合物以外的成分。作為其他成分，可舉出芳香族乙烯系化合物、其他的乙烯系化合物。其含量係相對於單體混合物(b)，通常為30重量%以下，以20重量%以下為佳，較佳為10重量%以下。
(嵌段共聚物氫化物[D])
嵌段共聚物氫化物[D]，係將上述嵌段共聚物[C]的主鏈及側鏈之碳-碳不飽和鍵、以及芳香環的碳-碳不飽和鍵氫化而成者。其氫化率，係通常為90%以上，以97%以上為佳，較佳為99%以上。氫化率越高，成形體的耐候性、耐熱性及低雙折射性越良好。嵌段共聚物氫化物[D]的氫化率，係能夠在藉由 1H-NMR之測定時求取。
不飽和鍵的氫化方法和反應形態等沒有特別限定，依照習知的方法而進行即可，以能夠提高氫化率且聚合物鏈切斷反應較少之氫化方法為佳。作為此種氫化方法，例如可舉出在WO2011/096389號小冊子、WO2012/043708號小冊子等所記載之方法。
在氫化反應結束後，係將氫化觸媒及/或聚合觸媒從反應溶液除去之後，能夠將嵌段共聚物氫化物[D]從所得到的溶液回收。所回收的嵌段共聚物氫化物[D]之形態不被限定，通常係能夠使其成為丸粒形狀而供給至隨後的薄膜的成形加工。
嵌段共聚物氫化物[D]的分子量，係使用以THF作為溶劑之GPC所測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)，通常為40,000~200,000，以50,000~150,000為佳，較佳為60,000~100,000。又，嵌段共聚物氫化物[D]的分子量分布(Mw/Mn)，係以3以下為佳，較佳為2以下，特佳是設為1.5以下。使Mw及Mw/Mn成為上述範圍時，所成形的光學用薄膜具有良好的耐熱性和低雙折射性。
在將本發明所使用的嵌段共聚物氫化物[D]成形為薄膜時，亦可使其含有其他的調配劑。作為調配劑，沒有特別限定，可舉出抗氧化劑、熱安定劑、光安定劑、耐候安定劑、紫外線吸收劑、近紅外線吸收劑等的安定劑；滑劑、可塑劑等的樹脂改質劑；染料、顏料等的著色劑；抗靜電劑等。該等調配劑能夠單獨一種、或組合二種以上而使用。調配劑的調配 量，可在不損害本發明的目的之範圍而適當地選擇。
將嵌段共聚物氫化物[D]熔融擠製而成形為薄膜時，為了抑制在擠壓模的模唇部附著樹脂氧化劣化物，添加抗氧化劑係有效的。作為抗氧化劑，可舉出酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫系抗氧化劑等。抗氧化劑係能夠各自單獨、或組合二種以上而使用。
該等之中，係以酚系抗氧化劑、特別是烷基取代酚系抗氧化劑為佳。
作為烷基取代酚系抗氧化劑的具體例，可舉出2,6-二-第三丁基-對甲酚、2,6-二-第三丁基-4-乙基苯酚、2,6-二環己基-4-甲基苯酚、2,6-二異丙基-4-乙基苯酚、2,6-二-第三戊基-4-甲基苯酚、2,6-二-第三辛基-4-正丙基苯酚、2,6-二環己基-4-正辛基苯、2-異丙基-4-甲基-6-第三丁基苯酚、2-第三丁基-4-乙基-6-第三辛基苯酚、2-異丁基-4-乙基-6-第三己基苯酚、2-環己基-4-正丁基-6-異丙基苯酚、硬脂醯基β-(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯等單環的酚系抗氧化劑；2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)、4,4’-硫雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)、2,2’-硫雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二-第三丁基苯酚)、2,2’-亞甲基雙[6-(1-甲基環己基)-對甲酚]、2,2’-亞乙基雙(4,6-二-第三丁基苯酚)、2,2’-亞丁基雙(2-第三丁基-4-甲基苯酚)、3,6-二氧雜八亞甲基雙[3-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙酸酯]、三乙二醇雙[3-(3-第三丁基-5-甲基-4-羥苯基)丙酸酯]、1,6-己二醇雙[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯]、2,2’-硫二伸乙基雙 [3-(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯]等2環的酚系抗氧化劑；1,1,3-參(2-甲基-4-羥基-5-第三丁基苯基)丁烷、1,3,5-參(2,6-二甲基-3-羥基-4-第三丁基苄基)異三聚氰酸酯、1,3,5-參[(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙醯氧基乙基]異三聚氰酸酯、參(4-第三丁基-2,6-二甲基-3-羥苄基)異三聚氰酸酯、1,3,5-三甲基-2,4,6-參(3,5-二-第三丁基-4-羥苄基)苯等3環的酚系抗氧化劑；肆[亞甲基-3-(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯]甲烷等4環的酚系抗氧化劑等。
抗氧化劑的調配量，可在不損害本發明的目的之範圍而適當地選擇，相對於嵌段共聚物氫化物[D]100重量份，通常為0.01~1.0重量份，以0.02~0.5重量份為佳，較佳為0.05~0.3重量份。
2.光學用薄膜之製造方法
本發明的光學用薄膜之製造方法，其特徵在於：將光學用薄膜及保護膜，以前述保護膜之由樹脂[E]所構成之表面部與前述光學用薄膜為相向之方式疊合而捲取，其中該光學用薄膜係將前述嵌段共聚物氫化物[D]擠製成形而得到；該保護膜係至少一表面部在23℃之彎曲彈性模數為1500MPa以下，且對由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之黏著性係在23℃之剝離強度為0.1N/cm以下之樹脂[E]所構成。
(光學用薄膜)
使用本發明的製造方法所製造之光學用薄膜(以下，有稱為「本發明的光學用薄膜」之情形)，係由嵌段共聚物氫化物[D]所構成。
在此，所謂由「嵌段共聚物氫化物[D]所構成」，係意味著「所得到的光學用薄膜，係實質上由嵌段共聚物氫化物[D]所構成者，只要不損害本發明的目的，亦可含有其他的調配劑」。在本發明的光學用薄膜之嵌段共聚物氫化物[D]的含量，係通常為95重量%以上，以97重量%以上為佳，較佳為98重量%以上，更佳為99重量%以上。
本發明的光學用薄膜，係能夠藉由使用擠製機使嵌段共聚物氫化物[D]的丸粒熔融且從安裝在該擠製機的擠壓模擠製成為薄片狀，而且使所擠製的薄片狀嵌段共聚物氫化物[D]，密著在至少1個冷卻轉筒而成形且捲取來製造。
此時，例如藉由使用擠壓模模唇的表面粗糙度Ra的平均值為0.05μm以下，而且在擠壓模模唇全幅之表面粗糙度Ra的分布範圍為前述平均值的±0.025μm以下之面粗糙度小的擠壓模，能夠成形為具有前述的平均粗糙度Ra之光學用薄膜。
又，在使用擠製機將嵌段共聚物氫化物[D]的丸粒進行熔融擠製成形之前，係通常使用將嵌段共聚物氫化物[D]的丸粒在50~120℃的溫度保持2小時以上，以在60~115℃溫度保持3小時以上為佳，較佳是在70~110℃的溫度保持4小時以上而成者。藉由將嵌段共聚物氫化物[D]的丸粒在上述的條件下進行加熱處理，能夠減低丸粒中的溶解空氣量，藉此，能夠抑制產生模頭線(die line)，在使用上述表面粗糙度Ra較小的擠壓模之同時，能夠成形為表面粗糙度Ra較小的光學用薄膜。加熱處理的溫度及時間低於上述範圍時，潛在空氣的除去量較少而無法充分地抑制產生模頭線，且有難以得到粗糙度 Ra較小的光學用薄膜之可能性。
相較於嵌段共聚物氫化物[D]的玻璃轉移溫度，在擠製機之嵌段共聚物氫化物[D]的熔融溫度，通常係以使其更高70~160℃的溫度，且比玻璃轉移溫度更高90~140℃的溫度為較佳。嵌段共聚物氫化物[D]的玻璃轉移溫度，係能夠設作在黏彈性頻譜之tan δ的峰頂值而求取。在擠製機的熔融溫度太低時，樹脂的流動性有不足之可能性，相反地熔融溫度太高時，樹脂有分解而分子量低落之可能性。
從擠壓模的開口部被擠製後的嵌段共聚物氫化物[D]，係使其密著在鑄造滾筒而冷卻且成為薄膜。依照鑄造滾筒的溫度，被擠製後的薄膜狀嵌段共聚物氫化物[D]在鑄造滾筒的密著情況產生變化。提升鑄造滾筒的溫度時，雖然密著變佳，但是將溫度過度上升時，薄膜狀嵌段共聚物氫化物[D]係有未從鑄造滾筒剝落且纏繞在滾筒而產生不良之可能性。因此，將嵌段共聚物氫化物[D]的玻璃轉移溫度設作Tg(℃)時，鑄造滾筒的溫度係通常係設為(Tg+10)℃以下，以(Tg-80)℃~(Tg-5)℃為佳，較佳為(Tg-60)℃~(Tg-10)℃。藉由如此進行，能夠防止滑動、負傷等的不良。
本發明的光學用薄膜之製造方法，其特徵在於：將由光學用薄膜及保護膜，以前述保護膜之由樹脂[E]所構成之表面部與前述光學用薄膜為相向之方式疊合而捲取，其中該光學用薄膜係將前述嵌段共聚物氫化物[D]擠製成形而得到；該保護膜係至少一表面部在23℃之彎曲彈性模數為1500MPa以下，且對由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之黏 著性係在23℃之剝離強度為0.1N/cm以下之樹脂[E]所構成。
(由樹脂[E]所構成之保護膜)
在本發明所使用的保護膜，係至少一表面部在23℃之彎曲彈性模數為1500MPa以下，且對由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之黏著性係在23℃之剝離強度為0.1N/cm以下之樹脂[E]所構成之薄膜。
樹脂[E]係在23℃之彎曲彈性模數為1500MPa以下，且對由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之黏著性在23℃之剝離強度為0.1N/cm以下之高分子。
藉由在由嵌段共聚物氫化物[D]所構成之光學用薄膜，將具有上述的特定物性之保護膜[E]，以前述保護膜之由樹脂[E]所構成之表面部與前述光學用薄膜為相向之方式疊合而捲取，能夠有效地減低因由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜本身之間互相摩擦致使薄膜表面產生傷痕，又，在將保護膜剝離時，剝離痕跡係難以殘留在由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之表面。樹脂[E]的彎曲彈性模數大於1500MPa時，在與其接觸之由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之表面容易負傷。又，樹脂[E]對由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之黏著性，剝離強度大於0.1N/cm時，在將使用樹脂[E]形成表面之保護膜從由嵌段共聚物氫化物[D]所構成之光學用薄膜剝離時，剝離痕跡容易殘留在由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之表面。
樹脂[E]的彎曲彈性模數係依據JIS K 7171而測定之值，剝離強度係依據JIS Z 0237而測定之值。
作為樹脂[E]的具體例，可舉出選自由聚乙烯、聚丙烯、乙烯．α-烯烴共聚物、乙烯．乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、及聚酯彈性體所組成群組之至少一種。該等之中，從對由嵌段共聚物氫化物[D]所構成之光學用薄膜適當的黏著性、脫模型、經濟性的觀點而言，係以低密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯、乙烯．乙酸乙烯酯共聚物為佳。
在本發明所使用的保護膜，係至少一表面部由樹脂[E]所構成者即可，以下列任一者為佳：由前述樹脂[E]所構成單層薄膜；在最表面具有由前述樹脂[E]所構成的層之多層薄膜；或是在由彎曲彈性模數大於1500MPa的樹脂[E]以外之樹脂所構成的薄膜之兩面，形成有由樹脂[E]所構成的層而成之多層的薄膜。
保護膜係在最表面具有由前述樹脂[E]所構成的層之多層薄膜；或是在由彎曲彈性模數大於1500MPa的樹脂[E]以外之樹脂所構成的薄膜之兩面，形成有由樹脂[E]所構成的層而成之多層的薄膜時；由前述樹脂[E]所構成層的厚度，係通常為0.01~100μm，較佳為0.1~50μm。
保護膜的厚度，係通常為15~100μm，以20~80μm為佳，較佳為30~60μm。厚度低於15μm時，操作性差，厚度大於100μm時，捲起成為捲物狀之光學用薄膜的重量變重且作業性差，又，因為經濟性亦差，乃是不佳。
本發明的光學用薄膜之製造方法，更具體地，係具有以下的步驟：將從擠製成形機的鑄造滾筒所剝下之由嵌段共聚物氫化物[D]所構成之光學用薄膜、及保護膜，以前述保 護膜之由樹脂[E]所構成之表面部與前述光學用薄膜為相向之方式疊合而捲取之步驟，其中該保護膜係至少一表面部係由在23℃之彎曲彈性模數為1500MPa以下，且對由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之黏著性係在23℃之剝離強度為0.1N/cm以下之樹脂[E]所構成。
如以上進行而得到之本發明的光學用薄膜，其厚度通常為15~200μm，較佳為20~150μm的薄膜。本發明的光學用薄膜之厚度變動，係以3%以內為佳，較佳為2.5%以內。在此，薄膜的厚度變動係從[(薄膜的最大或最小厚度-薄膜的平均厚度)/薄膜的平均厚度×100)所算出之值。藉由將光學用薄膜的厚度變動設為上述範圍，將依照本發明之製造方法所以得到的光學用薄膜納入液晶顯示裝置時，能夠減小顏色不均。
又，本發明的光學用薄膜係具有優異的表面平滑性。其平滑性係兩面的表面粗糙度以平均粗糙度Ra記載為0.2μm以下，較佳為0.1μm以下，更佳為0.05μm以下。在此，所謂平均粗糙度Ra，係與依據JIS B 0601：2001而定義之「算術平均高度Ra」同樣，例如，能夠使用彩色3D雷射顯微鏡(製品名「VK-9500」、KEYENCE公司製)等而測定。平均粗糙度Ra在該範圍時，成形物表面無法觀察到微觀的凹凸而適合作為光學用薄膜，另一方面，嵌段共聚物氫化物[D]的薄膜之間接觸時，滑性差且在表面容易負傷。
本發明的光學用薄膜，係能夠使用在液晶顯示裝置等的顯示裝置之構件，例如亦能夠使用在偏光板保護膜、相位差膜、亮度提升薄膜、透明導電膜、觸控面板用基板、液晶 基板、光擴散薄片、稜鏡薄片等。使用作為偏光板保護膜時，薄膜面內的相位差Re係以10nm以下為佳，以3nm以下為較佳。藉由相位差為10nm以下，能夠抑制納入至液晶顯示單元時產生顏色不均。特別是在大畫面的液晶顯示裝置，顏色不均係有顯著地變為顯眼之傾向，亦適合於此種大畫面的顯示裝置合。
[實施例]
以下，藉由實施例而更詳細地說明本發明，但是本發明係不被限定為只有以下的實施例。又，份及%係只要未預先告知，就是重量基準。
在本實施例之評價，係使用以下的方法進行。
(1)重量平均分子量(Mw)及分子量分布(Mw/Mn)
嵌段共聚物[C]及嵌段共聚物氫化物[D]的分子量，係設為藉由以THF作為洗提液之凝膠滲透層析法(GPC)之標準聚苯乙烯換算值且在38℃測定。作為測定裝置，係使用TOSOH公司製、HLC8020GPC。
(2)氫化率
嵌段共聚物氫化物[D]的主鏈、側鏈及芳香環的氫化率，係測定1H-NMR光譜而算出。
(3)玻璃轉移溫度
將嵌段共聚物氫化物[D]壓製成形而製成長度50mm、寬度10mm、厚度1mm的試片。使用該試片而基於JIS-K7244-4法，各自使用損失彈性模數測定裝置(製品名「DMS6100」、Seiko Instruments公司製)、及黏彈性測定裝置(製品名「ARES」、TA Instruments Japan公司製)且在-100℃至+150℃的範圍，以升溫速度5℃/分鐘測定黏彈性頻譜。從損失係數tan δ的高溫側之峰頂溫度求取玻璃轉移溫度。
(4)彎曲彈性模數
將保護膜所使用的樹脂[E]進行射出成型而製成長度100mm、寬度10mm、厚度4mm的試片。使用該試片且使用STROGRAPH(製品名「V10-B」、東洋精機製作所公司製)，依據JIS K 7171而進行彎曲試驗，來測定在23℃之彎曲彈性模數。
(5)黏著性
將由嵌段共聚物氫化物[D]所構成之薄膜重疊，使用真空貼合機而製成厚度1.1~1.2mm的板。從該板切取長度125mm、寬度50mm的剝離試驗用試片。將長度200mm、寬度24mm、厚度50μm的保護膜重疊在由嵌段共聚物氫化物[D]所構成之試片上，在溫度50℃使用重量2kg的滾輪而進行壓黏，來製成剝離試驗用試片。使用AUTOGRAPH(自動記錄器)(製品名「AGS-10NX」、島津製作所公司製)，從薄膜的非黏著部位以剝離速度100mm/分鐘且依據JIS Z 0237而進行180°剝離試驗，來測定在23℃之剝離強度。
(6)薄膜的表面粗糙度Ra
切取由嵌段共聚物氫化物[D]所構成之薄膜作為試片，使用彩色3D雷射顯微鏡(製品名「VK-9500」、KEYENCE公司製)且依據JIS B 0601：2001而測定。
(7)光學用薄膜的外觀
從將由嵌段共聚物氫化物[D]所構成之光學用薄膜捲取後的捲物，拉出薄膜(又，具有保護膜時係與保護膜之同時)且切取長度100cm的薄膜試片。由嵌段共聚物氫化物[D]所構成之光學用薄膜的試片(又，具有保護膜時係將保護膜剝下而除去)且使用正交尼寇稜鏡(crossed Nicol)夾住偏光度99.5%的偏光板，而且從照度10,000勒克司(lux)的背光板照射光線且目視觀察漏光情形，將無法觀察到漏光時評定為○(良好)，將能夠觀察到漏光處時評定為×(不良)。
[參考例1]嵌段共聚物氫化物[D1]
在具備攪拌裝置且內部經充分地氮取代之反應器，添加脫水環己烷550份、脫水苯乙烯50.0份、及二-正丁醚0.475份。邊在60℃攪拌全部內容物邊添加正丁基鋰(15環己烷溶液)0.62份而使聚合，而且在60℃將全部內容物攪拌60分鐘。使用氣體層析儀測定反應液時，此時點的聚合轉化率為99.5%。
其次，在反應液添加脫水異戊二烯30.0份且在那樣的狀態下繼續攪拌30分鐘。此時點的聚合轉化率為99.5%。隨後，進一步添加20.0份脫水苯乙烯且攪拌60分鐘。在此時點的聚合轉化率係大約100%。
在此，添加異丙醇0.5份使反應停止而得到聚合物溶液。在聚合物溶液所含有的嵌段共聚物[C1]之重量平均分子量(Mw)為68,800，分子量分布(Mw/Mn)為1.04，wA：wB=70：30。
其次，將上述聚合物溶液移送至具備攪拌裝置之耐壓反應器，添加作為氫化觸媒之矽藻土負載型鎳觸媒(製品名「製品名「E22U」、鎳負載重60%、日揮觸媒化成公司製)7.0 份、及脫水環己烷100份而混合。使用氫氣取代反應器內部，而且邊攪拌溶液邊供給氫氣且在溫度190℃、壓力4.5MPa下進行氫化反應6小時。在氫化反應後的反應液所含有的嵌段共聚物氫化物[D1]的重量平均分子量(Mw)為72,900，分子量分布(Mw/Mn)為1.05。
氫化反應結束後，將反應溶液過濾而除去氫化觸媒之後，在濾液添加將酚系抗氧化劑之新戊四醇．肆[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯](製品名「Songnox1010」、KOYO化學研究所公司製)0.1份溶解而成之二甲苯溶液1.0份且使其溶解。
其次，將上述溶液使用金屬纖維製過濾器(孔徑0.4μm、NICHIDAI公司製)過濾而將微小的固體成分除去之後，使用圓筒型濃縮乾燥器(製品名「KONTRO」、日立製作所公司製)且在溫度260℃、壓力0.001MPa以下，將溶劑之環己烷、二甲苯及其他的揮發成分從溶液除去。連續地將熔融聚合物從連結至濃縮乾燥器之具備孔徑5μm的不鏽鋼製燒結過濾器之聚合物過濾器(富士過濾器製)，在溫度260℃過濾之後，將熔融聚合物從模具擠製成為股線狀，冷卻後，使用製粒機而得到嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒95份。所得到的丸粒狀之嵌段共聚物氫化物[D1]的重量平均分子量(Mw)為72,200，分子量分布(Mw I Mn)為1.10，氫化率為大約100%。
嵌段共聚物氫化物[D1]的成形體係無色透明，高溫側的玻璃轉移溫度為133℃，彎曲彈性模數為1400MPa，作為光學用薄膜用樹脂係有用的。
[參考例2]嵌段共聚物氫化物[D2]
除了將苯乙烯及異戊二烯分成5次且將苯乙烯40.0份、異戊二烯10.0份、苯乙烯25.0份、異戊二烯10.0份及苯乙烯15.0份依照該順序添加以外，係與參考例1同樣地進行聚合反應，且使反應停止而得到聚合物溶液。在聚合物溶液所含有的嵌段共聚物[C2]之重量平均分子量(Mw)為70,400，分子量分布(Mw/Mn)為1.05，wA：wB=80：20。
其次，使用上述聚合物溶液而與參考例1同樣地進行氫化反應。在氫化反應後的反應液所含有的嵌段共聚物氫化物[D2]之的重量平均分子量(Mw)為74,700，分子量分布(Mw/Mn)為1.06。
氫化反應結束後，與參考例1同樣地將反應溶液過濾而將氫化觸媒除去之後，在濾液添加抗氧化劑之後，濃縮乾燥而得到嵌段共聚物氫化物[D2]的丸粒96份。所得到的丸粒狀嵌段共聚物氫化物[D2]的重量平均分子量(Mw)為73,900，分子量分布(Mw/Mn)為1.11，氫化率為大約100%。
嵌段共聚物氫化物[D2]的成形體為無色透明，玻璃轉移溫度為121℃，彎曲彈性模數為1980MPa，作為光學用薄膜用樹脂係有用的。
[參考例3]嵌段共聚物氫化物[D3]
除了將苯乙烯及異戊二烯分成3次且苯乙烯15.0份、異戊二烯70.0份及苯乙烯15.0份依照該順序添加以外，係與參考例1同樣地進行聚合反應，且使反應停止而得到聚合物溶液。在聚合物溶液所含有的嵌段共聚物[C3]之重量平均分子量(Mw) 為65,100，分子量分布(Mw/Mn)為1.04，wA：wB=30：70。
其次，將聚合物溶液與參考例1同樣地進行氫化反應。在氫化反應後的反應液所含有的嵌段共聚物氫化物[D3]之的重量平均分子量(Mw)為68,900，分子量分布(Mw/Mn)為1.05。
氫化反應結束後，與參考例1同樣地將反應溶液過濾而將氫化觸媒除去之後，在濾液添加抗氧化劑之後，濃縮乾燥而得到嵌段共聚物氫化物[D3]的丸粒96份。所得到的丸粒狀嵌段共聚物氫化物[D3]的重量平均分子量(Mw)為68,200，分子量分布(Mw/Mn)為1.10，氫化率為大約100%。
嵌段共聚物氫化物[D3]的成形體為無色透明，玻璃轉移溫度為116℃，彎曲彈性模數為110MPa且為軟質的樹脂。
[參考例4]保護膜[F1]的製造
將低密度聚乙烯(製品名「NOVATEC(註冊商標)LF443」、日本POLYETHYLENE公司製；射出成形品的彎曲彈性模數170MPa；樹脂[E1])的丸粒，使用空氣流通後的熱風乾燥機在50℃加熱處理4小時。將該丸粒使用擠製貼合成形機，不供給貼合用薄膜而擠製至鑄造滾筒面，來擠製成形為低密度聚乙烯的單層薄膜[F1](厚度40μm)，其中該擠製貼合成形機係具備T型模具式薄膜熔融擠製成形機(T型模具寬度600mm)、鑄造滾筒、及二種貼合用薄膜供給裝置，該T型模具式薄膜熔融擠製成形機係具有具備40mm Φ的螺桿之擠製機。所得到的保護膜[F1]係使用切刀將耳部切除而成為寬度450mm，且捲取成為捲物狀而回收。
保護膜[F1]對參考例1及參考例2所製成之嵌段共聚物氫化物[D1]及嵌段共聚物氫化物[D2]的試片之黏著性，剝離強度係各自為0.02N/cm及0.01N/cm。將保護膜[F1]的構成、對嵌段共聚物氫化物[D1]及[D2]之黏著性顯示在表1。
[參考例5]保護膜[F2]的製造
除了使用高密度聚乙烯(製品名「NOVATEC(註冊商標)HY430」、日本POLYETHYLENE公司製；射出成形品的彎曲彈性模數1100MPa；樹脂[E2])的丸粒，來代替低密度聚乙烯以外，係與參考例4同樣地進行而成形為高密度聚乙烯的單獨薄膜(厚度30μm、寬度450mm)，且捲取成為捲物狀而回收。
其次，使用相同擠製貼合成形機，將在40℃進行熱風加熱處理4小時後的乙烯．乙酸乙烯酯共聚物(製品名「NOVATEC(註冊商標)LV430」、乙酸乙烯酯含有率15重量%、日本POLYETHYLENE公司製；射出成形品的彎曲彈性模數45MPa；樹脂[E3])的丸粒，從T型模具以在鑄造滾筒面上成為厚度10μm之方式進行擠製。從薄膜供給裝置將以前所成形之高密度聚乙烯(樹脂[E2])的薄膜供給而貼合在乙烯．乙酸乙烯酯共聚物薄膜之不接觸鑄造滾筒側的面上，而製成二種2層的保護膜[F2](高密度聚乙烯[E2](厚度30μm)/乙烯．乙酸乙烯酯共聚物[E3](厚度10μm)；寬度450mm)。
保護膜[F2]對參考例1及參考例2所製成之嵌段共聚物氫化物[D1]及嵌段共聚物氫化物[D2]的試片之黏著性，高密度聚乙烯[E2]側係剝離強度各自為0.02N/cm及0.01N/cm，乙烯．乙酸乙烯酯共聚物[E3]側係剝離強度各自為0.05N/cm及 0.04N/cm。將保護膜[F2]的構成、對嵌段共聚物氫化物[D1]及[D2]之黏著性顯示在表1。
[參考例6]保護膜[F3]的製造
使用在70℃進行熱風加熱處理4小時後的聚丙烯(製品名「NOVATEC(註冊商標)FB3HAT」、日本POLYETHYLENE公司製；射出成形品的彎曲彈性模數1750MPa)丸粒，與參考例5同樣地進行而先成形為聚丙烯的單獨薄膜(厚度30μm、寬度450mm)，且捲取成為捲物狀而回收。
其次，使用與在參考例5所使用相同的乙烯．乙酸乙烯酯共聚物(樹脂[E3])丸粒，與參考例5同樣地進行而從T型模具擠製乙烯．乙酸乙烯酯共聚物，且從薄膜供給裝置供給以前所成形的聚丙烯薄膜且貼合，而製成二種2層的保護膜[F3](聚丙烯(厚度30μm)/乙烯．乙酸乙烯酯共聚物[E3](厚度10μm)；寬度450mm)。
保護膜[F3]對參考例1及參考例2所製成之嵌段共聚物氫化物[D1]及嵌段共聚物氫化物[D2]的試片之黏著性，聚丙烯側係剝離強度各自為0.01N/cm以下及0.01N/cm以下，乙烯．乙酸乙烯酯共聚物[E3]側係剝離強度各自為0.05N/cm及0.04N/cm。將保護膜[F3]的構成、對嵌段共聚物氫化物[D1]及[D2]之黏著性顯示在表1。
[參考例7]保護膜[F4]的製造
使用在50℃進行熱風加熱處理4小時後的聚乙烯對酞酸酯(製品名「TRN-8550FF」、帝人公司製；射出成形品的彎曲彈性模數3200MPa)丸粒，與參考例5同樣地進行而先成形為聚 丙烯的單獨薄膜(厚度30μm、寬度450mm)，且捲取成為捲物狀而回收。
其次，使用與在參考例5所使用相同的乙烯．乙酸乙烯酯共聚物(樹脂[E3])丸粒，與參考例5同樣地進行而從T型模具擠製乙烯．乙酸乙烯酯共聚物，且從薄膜供給裝置供給以前所成形的聚乙烯對酞酸酯薄膜且貼合，而製成二種2層的保護膜[F4](聚丙烯(厚度30μm)/乙烯．乙酸乙烯酯共聚物[E3](厚度10μm)；寬度450mm)。
保護膜[F4]對參考例1及參考例2所製成之嵌段共聚物氫化物[D1]及嵌段共聚物氫化物[D2]的試片之黏著性，聚乙烯對酞酸酯係剝離強度各自為0.01N/cm以下及0.01N/cm以下，乙烯．乙酸乙烯酯共聚物[E3]側係剝離強度各自為0.05N/cm及0.04N/cm。將保護膜[F4]的構成、對嵌段共聚物氫化物[D1]及[D2]之黏著性顯示在表1。
[參考例8]保護膜[F5]的製造
使用與在參考例5所使用相同的乙烯．乙酸乙烯酯共聚物(樹脂[E3])丸粒，與參考例5同樣地進行而從T型模具擠製乙烯．乙酸乙烯酯共聚物，且從薄膜供給裝置供給在參考例7成形之聚乙烯對酞酸酯/乙烯．乙酸乙烯酯共聚物之二種2層的薄膜且貼合，而製成二種3層的保護膜[F5](乙烯．乙酸乙烯酯共聚物[E3](厚度10μm)/聚乙烯對酞酸酯(厚度30um)/乙烯．乙酸乙烯酯共聚物[E3](厚度10μm)；寬度450mm)。
保護膜[F5]對參考例1及參考例2所製成之嵌段共聚物氫化物[D1]及嵌段共聚物氫化物[D2]的試片之黏著性，兩 面的乙烯．乙酸乙烯酯共聚物[E3]側係剝離強度均是各自為0.05N/cm及0.04N/cm。將保護膜[F5]的構成、對嵌段共聚物氫化物[D1]及[D2]之黏著性顯示在表1。
[參考例9]保護膜[F6]的製造
使用與在參考例4所使用相同的低密度聚乙烯(樹脂[E1])丸粒，與參考例5同樣地進行而先成形為低密度聚乙烯的單獨薄膜(厚度30μm、寬度450mm)，且捲取成為捲物狀而回收。
其次，使用在參考例3所製成的嵌段共聚物氫化物[D3](射出成形品的彎曲彈性模數110MPa)丸粒來代替參考例5所使用的乙烯．乙酸乙烯酯共聚物，且與參考例5同樣地進行而從T型模具擠製嵌段共聚物氫化物[D3]，而且從薄膜供給裝置供給以前所成形的低密度聚乙烯薄膜而貼合，來製成二種2層的保護膜[F6](低密度聚乙烯(厚度30μm)/嵌段共聚物氫化物[D3](厚度10μm)；寬度450mm)。
保護膜[F6]對參考例1及參考例2所製成之嵌段共聚物氫化物[D1]及嵌段共聚物氫化物[D2]的試片之黏著性，低密度聚乙烯[E1]側係剝離強度各自為0.02N/cm及0.01N/cm，嵌段共聚物氫化物[D3]側係剝離強度各自為0.23N/cm及0.20N/cm。將保護膜[F6]的構成、對嵌段共聚物氫化物[D1]及[D2]之黏著性顯示在表1。
表1中，「層構成樹脂」係以下的物質。
(1)低密度聚乙烯
製品名「NOVATEC(註冊商標)LF443」、日本POLYETHYLENE公司製
(2)高密度聚乙烯
製品名「NOVATEC(註冊商標)HY430」、日本POLYETHYLENE公司製
(3)乙烯．乙酸乙烯酯共聚物
製品名「NOVATEC(註冊商標)LV430」、乙酸乙烯酯含有率15重量%、日本POLYETHYLENE公司製
(4)聚丙烯
製品名「NOVATEC(註冊商標)FB3HAT」、日本POLYETHYLENE公司製
(5)聚乙烯對酞酸酯
製品名「TRN-8550FF」、帝人公司製
[比較例1]
將在參考例1所得到的嵌段共聚物氫化物[D1]丸粒，使用 流通空氣後的熱風乾燥機在70℃進行加熱處理4小時。使用該該加熱處理後的丸粒且使用薄膜成形機，在樹脂溫度250℃、鑄造滾筒溫度105℃、牽引速度0.35m/s的條件下熔融擠製成形且成形為光學用薄膜[G1]，其中該薄膜成形機係具備T型模具式薄膜熔融擠製成形機(T型模具寬度600mm)、鑄造滾筒(直徑250mm)、及保護膜供給裝置，該T型模具式薄膜熔融擠製成形機係具有具備40mm Φ的螺桿之單軸擠製機，該螺桿係設置有葉盤(leaf disc)形狀的聚合物過濾器(過濾精度10μm)。
所得到的保護膜[G1]係使用切刀將耳部切除而成為寬度450mm，不使保護膜而捲取成為捲物狀且回收。
將捲取成為捲物狀後的薄膜，從薄膜端部拉出5層份量而廢棄之後，採取長度100cm的薄膜作為試片。進行評價光學用薄膜[G1]的表面粗糙度Ra及外觀。Ra為0.07μm，外觀評價時係能夠觀察到漏光處且評定為×。顯微鏡觀察漏光處之結果，能夠觀察到擦傷狀及捲取成為捲物狀後的薄膜之剝離痕跡狀的表面缺陷。將結果顯示在表2。
[實施例1]
使用嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒，與比較例1同樣地進行而熔融擠製成形且成形為光學用薄膜[G2]。所得到的光學用薄膜[G2]係使用切刀將耳部而成為寬度450mm，且與參考例4所製成的保護膜[F1]重疊而捲取成為捲物狀。
將捲取成為捲物狀後的薄膜，從薄膜端部拉出5層份量而廢棄之後，採取長度100cm的薄膜作為試片。將保護膜[F1]從試片剝下而進行評價光學用薄膜[G1]的表面粗糙度 Ra及外觀。Ra為0.04μm，外觀評價時係無法觀察到漏光處且無法觀察到光學上成為不良的傷痕等，而評定為「○」。將結果顯示在表2。
[實施例2]
使用嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒，與實施例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G3]，且與在參考例5所製成的保護膜[F2]重疊而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜與實施例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G3]的表面粗糙度Ra之測定及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
[比較例2]
使用嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒，與實施例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G4]，且與在參考例6所製成的保護膜[F3]重疊而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜與實施例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G4]的表面粗糙度Ra之測定及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
[比較例3]
使用嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒，與實施例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G5]，且與參考例7所製成的保護膜[F4]重疊而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜與實施例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G5]的表面粗糙度Ra之測定及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
[實施例3]
使用嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒，與實施例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G6]，且與參考例8所製成的保護膜[F5] 重疊而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜與實施例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G6]的表面粗糙度Ra之測定及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
[比較例4]
使用嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒，與實施例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G7]，且與參考例9所製成的保護膜[F6]重疊而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜與實施例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G7]的表面粗糙度Ra之測定及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
[比較例5]
除了使用在參考例2所製成的嵌段共聚物氫化物[D2]來代替嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒以外，係與比較例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G8]，且不使用保護膜而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜，與比較例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G8]的表面粗糙度Ra及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
[實施例4]
除了使用在參考例2所製成的嵌段共聚物氫化物[D2]來代替嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒以外，係與實施例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G9]，且與參考例4所製成的保護膜[F1]重疊而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜，與實施例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G9]的表面粗糙度Ra及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
[實施例5]
除了使用在參考例2所製成的嵌段共聚物氫化物[D2]來代替嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒以外，係與實施例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G10]，且與參考例5所製成的保護膜[F2]重疊而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜，與實施例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G10]的表面粗糙度Ra及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
[比較例6]
除了使用在參考例2所製成的嵌段共聚物氫化物[D2]來代替嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒以外，係與實施例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G11]，且與參考例6所製成的保護膜[F3]重疊而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜，與實施例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G11]的表面粗糙度Ra及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
[比較例7]
除了使用在參考例2所製成的嵌段共聚物氫化物[D2]來代替嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒以外，係與實施例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G12]，且與參考例7所製成的保護膜[F4]重疊而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜，與實施例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G12]的表面粗糙度Ra及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
[實施例6]
除了使用在參考例2所製成的嵌段共聚物氫化物[D2]來代替嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒以外，係與實施例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G13]，且與參考例8所製成的保護膜 [F5]重疊而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜，與實施例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G13]的表面粗糙度Ra及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
[比較例8]
除了使用在參考例2所製成的嵌段共聚物氫化物[D2]來代替嵌段共聚物氫化物[D1]的丸粒以外，係與實施例1同樣地進行而成形為光學用薄膜[G14]，且與參考例9所製成的保護膜[F6]重疊而捲取成為捲物狀。從捲取成為捲物狀後的薄膜，與實施例1同樣地進行而採取試片，來進行光學用薄膜[G14]的表面粗糙度Ra及外觀評價。將評價結果顯示在表2。
從本實施例及比較例的結果，得知以下的情形。 由嵌段共聚物氫化物[D]所構成之光學用薄膜，使其接觸由具有特定值以下的彎曲彈性模數且黏著性較低的樹脂構成表面之保護膜而捲取成為捲物狀時，能夠抑制產生擦傷(實施例1~6)。
另一方面，由嵌段共聚物氫化物[D]所成形的光學用薄膜，係單獨而捲取成為捲物狀時，產生擦傷(比較例1、比較例5)。
使用一面係由彎曲彈性模數充分較低的樹脂所構成，但是具有特定值以上的黏著性者，另一面係由具有特定值以下的黏著性，但是彎曲彈性模數較大的樹脂所構成之保護膜，係無法抑制擦傷且將保護膜剝離時產生剝離痕跡，而且在偏光板使用正交尼寇稜鏡夾住時產生漏光(比較例2、3、7)。
即便使用由彎曲彈性模數為充分較低的樹脂所構成之保護膜，但是使用對嵌段共聚物氫化物[D]的光學用薄膜具有特定值以上的黏著性之保護膜時，雖然能夠抑制擦傷，但是將保護膜剝離時產生剝離痕跡，而且在偏光板使用正交尼寇稜鏡夾住時產生漏光(比較例4、比較例8)。
又，嵌段共聚物氫化物[D]的光學用薄膜，係即便使其與由具有比其更低的彎曲彈性模數之樹脂所構成的保護膜接觸而捲起成為捲物狀時，亦有產生擦傷之情形(比較例6；彎曲彈性模數：「D2」>聚丙烯)。
產業上之可利用性
本發明的光學用薄膜之製造方法，係能夠製造在表面之擦傷、剝離痕跡等的缺陷較少且具有優異的面狀之由嵌 段共聚物氫化物所構成之光學用薄膜，在工業上係有用的。
使用本發明之製造方法所得到的光學用薄膜，係適合作為偏光板保護膜、相位差膜、透明黏著薄膜用的基材薄膜、亮度提升薄膜、透明導電膜、觸控面板用基板、液晶基板、光擴散薄片、稜鏡薄片等。

Claims (3)

  1. 一種光學用薄膜之製造方法，係由將嵌段共聚物[C]的總不飽和鍵之90%以上氫化而成之嵌段共聚物氫化物[D]所構成之光學用薄膜之製造方法，其中該嵌段共聚物[C]係由以源自芳香族乙烯系化合物的重複單元作為主成分之至少2個聚合物嵌段[A]、及源自鏈狀共軛二烯化合物的重複單元作為主成分之至少1個聚合物嵌段[B]所構成，將總聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率設作wA，且將總聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率設作wB時，wA與wB之比(wA：wB)為60：40~90：10，該光學用薄膜之製造方法之特徵在於：將光學用薄膜及保護膜，以前述保護膜之由樹脂[E]所構成之表面部與前述光學用薄膜為相向之方式疊合而捲取，其中該光學用薄膜係使前述嵌段共聚物氫化物[D]擠製成形而得到；該保護膜係至少一表面部在23℃之彎曲彈性模數為1500MPa以下，且對由嵌段共聚物氫化物[D]所構成的光學用薄膜之黏著性在23℃之剝離強度為0.1N/cm以下之樹脂[E]所構成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光學用薄膜之製造方法，其中前述保護膜係由前述樹脂[E]所構成之單層薄膜、在最表面具有由前述樹脂[E]所構成的層之多層薄膜、或是在由彎曲彈性模數大於1500MPa之樹脂[E]以外的樹脂所構成之薄膜的兩面形成由樹脂[E]所構成的層而成之多層薄膜。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之光學用薄膜之製造方法，其中前述樹脂[E]係選自由聚乙烯、聚丙烯、乙烯．α-烯烴共聚物、乙烯．乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、及聚酯彈性體所組成群組之至少一種。
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